JP2011258657A - Semiconductor light-emitting device and method for producing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the semiconductor light emitting device.
窒化ガリウム（ＧａＮ）などのIII族窒化物半導体を用い、高輝度の青色光を発光する半導体発光装置が知られている。そして、青色光を発光する半導体発光装置に波長変換可能な蛍光体を含む波長変換部を設けることで白色光を出射させる技術が提案されている。 この様な白色光を出射する半導体発光装置においては、青色光を発光する半導体発光装置上に波長変換可能な蛍光体を含む樹脂を単に塗布または滴下し、これを硬化させることにより波長変換部を形成するようにしている。
そのため、白色光を出射する半導体発光装置を見る方向によって色度が異なるものとなる色度ずれが大きくなるおそれがある。
2. Description of the Related Art A semiconductor light emitting device that emits blue light with high luminance using a group III nitride semiconductor such as gallium nitride (GaN) is known. And the technique which emits white light by providing the wavelength conversion part containing the fluorescent substance which can convert wavelength in the semiconductor light-emitting device which light-emits blue light is proposed. In such a semiconductor light emitting device that emits white light, a wavelength conversion unit is formed by simply applying or dropping a resin containing a phosphor capable of wavelength conversion onto a semiconductor light emitting device that emits blue light, and then curing the resin. Try to form.
For this reason, there is a possibility that the chromaticity deviation, in which the chromaticity varies depending on the direction of viewing the semiconductor light emitting device that emits white light, is increased.
本発明の実施形態は、色度ずれを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。 Embodiments of the present invention provide a semiconductor light-emitting device and a method for manufacturing the semiconductor light-emitting device that can suppress chromaticity deviation.
実施形態によれば、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、前記第２主面上に形成された第１電極部および第２電極部と、を有する発光部と、前記第１主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、前記第１電極部に設けられた第１導電部と、前記第２電極部に設けられた第２導電部と、前記第２主面側に設けられ、前記第１導電部の端部および前記第２導電部の端部を露出させつつ前記第１導電部および前記第２導電部を封止した封止部と、を備えた半導体発光装置が提供される。前記波長変換部は、内部における光路長が前記発光部の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有する。 According to the embodiment, the first main surface, the second main surface opposite to the first main surface, and the first electrode portion and the second electrode portion formed on the second main surface, A light emitting unit having a wavelength conversion unit that is provided on the first main surface side and contains a phosphor, a first conductive unit provided in the first electrode unit, and a second conductive unit provided in the second electrode unit. 2 conductive portions and provided on the second main surface side, sealing the first conductive portion and the second conductive portion while exposing an end portion of the first conductive portion and an end portion of the second conductive portion A semiconductor light emitting device is provided. The wavelength conversion unit has a shape such that an optical path length inside is a length that suppresses a chromaticity shift according to the light emission characteristics of the light emitting unit.
また、他の実施形態によれば、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、前記第２主面上に形成された第１電極部および第２電極部を有する発光部と、前記第１主面側に設けられた蛍光体を含有する波長変換部と、を有する半導体発光装置の製造方法であって、内部における光路長が前記発光部の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有する前記波長変換部を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法が提供される。 According to another embodiment, the first main surface, the second main surface opposite to the first main surface, the first electrode portion and the second electrode formed on the second main surface And a wavelength conversion unit containing a phosphor provided on the first main surface side, wherein an optical path length inside is a light emission characteristic of the light emitting unit Accordingly, there is provided a method for manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising the step of forming the wavelength conversion unit having a shape that can suppress the chromaticity deviation.
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本実施の形態に係る半導体発光装置を例示する模式断面図である。
図１に示すように、半導体発光装置１には、発光部２、透光部３、波長変換部４、第１導電部６、第１接続部材７、第２電極部８、第２導電部９、第２接続部材１０、絶縁部１１、封止部１２が設けられている。
Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a semiconductor light emitting device according to this embodiment.
As shown in FIG. 1, the semiconductor light emitting device 1 includes a light emitting unit 2, a light transmitting unit 3, a wavelength converting unit 4, a first conductive unit 6, a first connecting member 7, a second electrode unit 8, and a second conductive unit. 9, the 2nd connection member 10, the insulation part 11, and the sealing part 12 are provided.
発光部２は、第１主面Ｍ１と、第１主面Ｍ１の反対面である第２主面Ｍ２と、を有する。また、第２主面Ｍ２上に形成された第１電極部５および第２電極部８を有する。
発光部２には、半導体部２ａ、活性部２ｂ、半導体部２ｃが設けられている。
半導体部２ａは、ｎ形となるようにドープされた半導体（ｎ形半導体）からなるものとすることができる。この場合、ｎ形の窒化物半導体からなるものとすることができる。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）などを例示することができる。
The light emitting unit 2 includes a first main surface M1 and a second main surface M2 that is the opposite surface of the first main surface M1. Moreover, it has the 1st electrode part 5 and the 2nd electrode part 8 which were formed on the 2nd main surface M2.
The light emitting unit 2 includes a semiconductor unit 2a, an active unit 2b, and a semiconductor unit 2c.
The semiconductor part 2a can be made of a semiconductor doped to be n-type (n-type semiconductor). In this case, it can be made of an n-type nitride semiconductor. Examples of the nitride semiconductor include GaN (gallium nitride), AlN (aluminum nitride), AlGaN (aluminum gallium nitride), InGaN (indium gallium nitride), and the like.
活性部２ｂは、半導体部２ａと半導体部２ｃとの間に設けられている。
活性部２ｂは、正孔および電子が再結合して光を発生する井戸層と、井戸層よりも大きなバンドギャップを有する障壁層（クラッド層）と、によって構成された量子井戸構造とすることができる。
この場合、単一量子井戸（ＳＱＷ；Single Quantum Well）構造としてもよいし、多重量子井戸（ＭＱＷ；Multiple Quantum Well）構造としてもよい。また、単一量子井戸構造のものを複数積層するようにしてもよい。
The active part 2b is provided between the semiconductor part 2a and the semiconductor part 2c.
The active portion 2b may have a quantum well structure including a well layer that generates light by recombination of holes and electrons, and a barrier layer (clad layer) having a larger band gap than the well layer. it can.
In this case, a single quantum well (SQW) structure or a multiple quantum well (MQW) structure may be used. A plurality of single quantum well structures may be stacked.
例えば、単一量子井戸構造のものとしては、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる障壁層、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）からなる井戸層、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる障壁層がこの順で積層されたものを例示することができる。
多重量子井戸構造のものとしては、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる障壁層、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）からなる井戸層、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる障壁層、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）からなる井戸層、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる障壁層がこの順で積層されたものを例示することができる。
この場合、前述した半導体部２ａを障壁層とすることもできる。
なお、活性部２ｂは量子井戸構造に限定されるわけではなく、発光可能な構造を適宜選択することができる。
For example, as a single quantum well structure, a barrier layer made of GaN (gallium nitride), a well layer made of InGaN (indium gallium nitride), and a barrier layer made of GaN (gallium nitride) are stacked in this order. Can be illustrated.
The multiple quantum well structure includes a barrier layer made of GaN (gallium nitride), a well layer made of InGaN (indium gallium nitride), a barrier layer made of GaN (gallium nitride), and a well layer made of InGaN (indium gallium nitride). An example in which barrier layers made of GaN (gallium nitride) are stacked in this order can be exemplified.
In this case, the semiconductor part 2a described above can be used as a barrier layer.
The active portion 2b is not limited to the quantum well structure, and a structure capable of emitting light can be selected as appropriate.
半導体部２ｃは、ｐ形となるようにドープされた半導体（ｐ形半導体）からなるものとすることができる。この場合、ｐ形の窒化物半導体からなるものとすることができる。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）などを例示することができる。
発光部２は、例えば、ピークの発光波長が３８０ｎｍ〜５３０ｎｍの発光ダイオードとすることができる。また、例えば、発光波長の帯域が３５０ｎｍ〜６００ｎｍの発光ダイオードとすることもできる。
The semiconductor part 2c can be made of a semiconductor doped to be p-type (p-type semiconductor). In this case, it can be made of a p-type nitride semiconductor. Examples of the nitride semiconductor include GaN (gallium nitride), AlN (aluminum nitride), AlGaN (aluminum gallium nitride), InGaN (indium gallium nitride), and the like.
The light emitting unit 2 can be, for example, a light emitting diode having a peak emission wavelength of 380 nm to 530 nm. In addition, for example, a light emitting diode having an emission wavelength band of 350 nm to 600 nm can be used.
透光部３は、封止部１２に設けられた凹部１２ａの開口部分を封止するとともに、発光部２から出射した光を透過させる。
透光部３の厚みは、例えば、１μｍ以下となるようにすることができる。
透光部３の透過率は、例えば、４４０ｎｍ〜７２０ｎｍの波長領域において９０％以上となるようにすることができる。
The light transmitting part 3 seals the opening of the recess 12 a provided in the sealing part 12 and transmits light emitted from the light emitting part 2.
The thickness of the translucent part 3 can be made to be 1 μm or less, for example.
The transmissivity of the translucent part 3 can be set to 90% or more in a wavelength region of 440 nm to 720 nm, for example.
透光部３を形成する材料としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン系樹脂、メタクリル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、環状ポリオレフィン(COP)、脂環式アクリル(OZ)、アリルジグリコールカーボネート(ADC)、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂とエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂、ウレタン樹脂、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２などを例示することができる。 Examples of the material for forming the light transmitting part 3 include epoxy resin, silicone resin, methacrylic resin (PMMA), polycarbonate (PC), cyclic polyolefin (COP), alicyclic acrylic (OZ), allyl diglycol carbonate ( ADC), acrylic resin, fluorine resin, hybrid resin of silicone resin and epoxy resin, urethane resin, SiO 2 , TiO 2 and the like.
この場合、発光部２から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度が高い場合には透光部３を形成する材料が劣化するおそれがある。そのため、透光部３を形成する材料としては、青色光などによる劣化が生じにくいものとすることが好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が１．５程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーンなどを例示することができる。
ただし、例示をしたこれらの材料に限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、透光部３は必ずしも必要ではなく、例えば、後述する波長変換部４が半導体部２ａに直接設けられるようにしてもよい。
In this case, when the light emitted from the light emitting unit 2 is ultraviolet to blue light having a short wavelength and the luminance is high, the material forming the light transmitting unit 3 may be deteriorated. Therefore, it is preferable that the material for forming the translucent portion 3 is not easily deteriorated by blue light or the like. Examples of the resin that hardly undergoes degradation due to blue light and the like include methylphenyl silicone and dimethyl silicone having a refractive index of about 1.5.
However, it is not necessarily limited to these illustrated materials, and can be appropriately changed. Moreover, the translucent part 3 is not necessarily required. For example, the wavelength conversion part 4 described later may be directly provided in the semiconductor part 2a.
波長変換部４は、第１主面Ｍ１側に設けられ、後述する蛍光体を含有している。
波長変換部４は、波長変換可能な蛍光体が混合された樹脂などから形成されるものとすることができる。
波長変換部４の透過率は、例えば、４２０ｎｍ〜７２０ｎｍの波長領域において９０％以上となるようにすることができる。
波長変換部４は、色度ずれを抑制することができる形状とされている。すなわち、波長変換部４は、内部における光路長が発光部２の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有したものとされている。なお、波長変換部４の形状に関する詳細は後述する。
The wavelength conversion unit 4 is provided on the first main surface M1 side and contains a phosphor described later.
The wavelength conversion unit 4 can be formed of a resin mixed with a wavelength-convertable phosphor.
The transmittance of the wavelength conversion unit 4 can be 90% or more in a wavelength region of 420 nm to 720 nm, for example.
The wavelength conversion unit 4 has a shape that can suppress a chromaticity shift. That is, the wavelength conversion unit 4 has a shape such that the optical path length in the inside becomes a length that suppresses the chromaticity deviation according to the light emission characteristics of the light emitting unit 2. Details regarding the shape of the wavelength converter 4 will be described later.
蛍光体は、例えば、粒子状とすることができ、その粒子径を１０μｍ以下とすることができる。
波長変換部４は、４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下(青色)、５００ｎｍ以上５５５ｎｍ以下(緑色)、５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下(黄色)、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下(赤色)にピークの発光波長を持つ蛍光体の少なくとも１つ以上を含むものとすることができる。 また、発光波長の帯域が３８０ｎｍ〜７２０ｎｍの蛍光体を含むものとすることができる。
蛍光体としては、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、燐（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、アルカリ土類元素、硫化物元素、希土類元素、窒化物元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素が含まれるものとすることができる。
A fluorescent substance can be made into a particulate form, for example, and the particle diameter can be 10 micrometers or less.
The wavelength conversion unit 4 is at least one phosphor having a peak emission wavelength of 440 nm to 470 nm (blue), 500 nm to 555 nm (green), 560 nm to 580 nm (yellow), and 600 nm to 670 nm (red). The above may be included. In addition, a phosphor having an emission wavelength band of 380 nm to 720 nm may be included.
As phosphors, silicon (Si), aluminum (Al), titanium (Ti), germanium (Ge), phosphorus (P), boron (B), yttrium (Y), alkaline earth element, sulfide element, rare earth It may include at least one element selected from the group consisting of elements and nitride elements.
赤色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる赤色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されない。
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＋顔料、
Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、
Ｚｎ３（ＰＯ４）２：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）ＢＯ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）２Ｏ３、
ＹＶＯ４：Ｅｕ、
Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、
ＬａＳｉ３Ｎ５：Ｅｕ２＋、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｃｅ２＋、
Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＣａ）ＡｌＳｉＮ３：ＥｕＸ＋、
Ｓｒｘ（ＳｉｙＡｌ３）ｚ（ＯｘＮ）：ＥｕＸ＋
Examples of the phosphor material that emits red fluorescence include the following. However, the phosphor emitting red fluorescence used in the embodiment is not limited to these.
Y 2 O 2 S: Eu,
Y 2 O 2 S: Eu + pigment,
Y 2 O 3 : Eu,
Zn 3 (PO 4 ) 2 : Mn,
(Zn, Cd) S: Ag + In 2 O 3 ,
(Y, Gd, Eu) BO 3 ,
(Y, Gd, Eu) 2 O 3 ,
YVO 4 : Eu,
La 2 O 2 S: Eu, Sm,
LaSi 3 N 5 : Eu 2+ ,
α-sialon: Eu 2+ ,
CaAlSiN 3 : Eu 2+ ,
CaSiN X : Eu 2+ ,
CaSiN X : Ce 2+ ,
M 2 Si 5 N 8 : Eu 2+ ,
CaAlSiN 3 : Eu 2+ ,
(SrCa) AlSiN 3 : Eu X + ,
Sr x (Si y Al 3 ) z (O x N): Eu X +
緑色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる緑色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されない。
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋顔料、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，＋顔料、
Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｍｎ）２ＳｉＯ４、
ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ２Ｏ３：Ｍｎ、
ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
３（Ｂａ，Ｍｇ，Ｅｕ，Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３、
Ｌａ２Ｏ３・０．２ＳｉＯ２・０．９Ｐ２Ｏ５：Ｃｅ，Ｔｂ、
ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ、
ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、
（ＢｒＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｙｂ２＋、
β−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＢａ）ＹＳｉ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
（ＣａＳｒ）Ｓｉ２Ｏ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
Ｓｒ（ＳｉＡｌ）（ＯＮ）：Ｃｅ
Examples of the phosphor material that emits green fluorescence include the following. However, the fluorescent substance which emits the green fluorescence used for embodiment is not limited to these.
ZnS: Cu, Al,
ZnS: Cu, Al + pigment,
(Zn, Cd) S: Cu, Al,
ZnS: Cu, Au, Al, + pigment,
Y 3 Al 5 O 12 : Tb,
Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Tb,
Y 2 SiO 5 : Tb,
Zn 2 SiO 4 : Mn,
(Zn, Cd) S: Cu,
ZnS: Cu,
Zn 2 SiO 4 : Mn,
ZnS: Cu + Zn 2 SiO 4 : Mn,
Gd 2 O 2 S: Tb,
(Zn, Cd) S: Ag,
ZnS: Cu, Al,
Y 2 O 2 S: Tb,
ZnS: Cu, Al + In 2 O 3 ,
(Zn, Cd) S: Ag + In 2 O 3 ,
(Zn, Mn) 2 SiO 4 ,
BaAl 12 O 19 : Mn
(Ba, Sr, Mg) O.aAl 2 O 3 : Mn,
LaPO 4 : Ce, Tb,
Zn 2 SiO 4 : Mn,
ZnS: Cu,
3 (Ba, Mg, Eu, Mn) O.8Al 2 O 3 ,
La 2 O 3 · 0.2SiO 2 · 0.9P 2 O 5: Ce, Tb,
CeMgAl 11 O 19 : Tb,
CaSc 2 O 4 : Ce,
(BrSr) SiO 4 : Eu,
α-sialon: Yb 2+ ,
β-sialon: Eu 2+ ,
(SrBa) YSi 4 N 7 : Eu 2+ ,
(CaSr) Si 2 O 4 N 7 : Eu 2+ ,
Sr (SiAl) (ON): Ce
青色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる青色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されない。
ＺｎＳ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋顔料、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｃｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
ＺｎＳ：Ｚｎ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｂａ，Ｅｕ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７、
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｅｕ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、
１０（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｅｕ）・６ＰＯ４・Ｃｌ２、
ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２５：Ｅｕ
黄色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されない。
Ｌｉ（Ｅｕ，Ｓｍ）Ｗ２Ｏ８、
（Ｙ，Ｇｄ）３，（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、
Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、
（Ｓｒ（Ｃａ，Ｂａ））３ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋、
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋
黄緑色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄緑色の蛍光を発する蛍光体は、これに限定されない。
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋
Examples of the phosphor material that emits blue fluorescence include the following. However, the fluorescent substance which emits the blue fluorescence used for embodiment is not limited to these.
ZnS: Ag,
ZnS: Ag + pigment,
ZnS: Ag, Al,
ZnS: Ag, Cu, Ga, Cl,
ZnS: Ag + In 2 O 3 ,
ZnS: Zn + In 2 O 3 ,
(Ba, Eu) MgAl 10 O 17 ,
(Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu,
Sr 10 (PO 4 ) 6Cl 2 : Eu,
(Ba, Sr, Eu) (Mg, Mn) Al 10 O 17 ,
10 (Sr, Ca, Ba, Eu) · 6PO 4 · Cl 2 ,
BaMg 2 Al 16 O 25 : Eu
Examples of the phosphor material that emits yellow fluorescence include the following. However, the fluorescent substance which emits yellow fluorescence used for embodiment is not limited to these.
Li (Eu, Sm) W 2 O 8 ,
(Y, Gd) 3 , (Al, Ga) 5 O 12 : Ce 3+ ,
Li 2 SrSiO 4 : Eu 2+ ,
(Sr (Ca, Ba)) 3 SiO 5 : Eu 2+ ,
SrSi 2 ON 2.7 : Eu 2+
Examples of the phosphor material that emits yellow-green fluorescence include the following. However, the phosphor emitting yellow-green fluorescence used in the embodiment is not limited to this.
SrSi 2 ON 2.7 : Eu 2+
蛍光体の混合比率を少なくすると色調が青色に近づき(色温度１００００Ｋ付近)、蛍光体の混合比率を多くすると色調が黄色に近づく(色温度６５００Ｋ〜２８００Ｋ)。なお、混合する蛍光体は１種類である必要はなく、複数種類の蛍光体が混合されるようにしてもよい。例えば、赤色の蛍光を発する蛍光体と、緑色の蛍光を発する蛍光体と、青色の蛍光を発する蛍光体と、黄色の蛍光を発する蛍光体と、黄緑色の蛍光を発する蛍光体と、が混合されるようにしてもよい。また、青味がかった白色光、黄味がかった白色光などのように色味を変えるために複数種類の蛍光体の混合割合を変えるようにすることもできる。 When the phosphor mixing ratio is reduced, the color tone approaches blue (color temperature around 10000 K), and when the phosphor mixing ratio is increased, the color tone approaches yellow (color temperature 6500 K to 2800 K). Note that the phosphors to be mixed need not be one type, and a plurality of types of phosphors may be mixed. For example, a phosphor that emits red fluorescence, a phosphor that emits green fluorescence, a phosphor that emits blue fluorescence, a phosphor that emits yellow fluorescence, and a phosphor that emits yellow-green fluorescence are mixed. You may be made to do. Further, the mixing ratio of a plurality of types of phosphors can be changed in order to change the color, such as bluish white light or yellowish white light.
蛍光体が混合される樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン系樹脂、メタクリル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、環状ポリオレフィン(COP)、脂環式アクリル(OZ)、アリルジグリコールカーボネート(ADC)、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂とエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂、ウレタン樹脂などを例示することができる。
蛍光体が混合される樹脂の屈折率は蛍光体の屈折率以下とすることが好ましい。また、蛍光体が混合される樹脂の透過率は９０％以上とすることが好ましい。
この場合、発光部２から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度が高い場合には波長変換部４を形成する樹脂が劣化するおそれがある。そのため、波長変換部４を形成する樹脂としては、青色光などによる劣化が生じにくいものとすることが好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が１．５程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーン、メチルフェニルシリコーンとエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂などを例示することができる。
ただし、蛍光体が混合される樹脂としては、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
Examples of the resin mixed with the phosphor include epoxy resin, silicone resin, methacrylic resin (PMMA), polycarbonate (PC), cyclic polyolefin (COP), alicyclic acrylic (OZ), and allyl diglycol carbonate (ADC). ), Acrylic resin, fluorine resin, hybrid resin of silicone resin and epoxy resin, urethane resin, and the like.
The refractive index of the resin mixed with the phosphor is preferably set to be equal to or lower than the refractive index of the phosphor. The transmittance of the resin mixed with the phosphor is preferably 90% or more.
In this case, when the light emitted from the light emitting unit 2 is ultraviolet to blue light having a short wavelength and the luminance is high, the resin forming the wavelength converting unit 4 may be deteriorated. For this reason, it is preferable that the resin forming the wavelength converting portion 4 is not easily deteriorated by blue light or the like. Examples of the resin that is hardly deteriorated by blue light and the like include methylphenyl silicone, dimethyl silicone, a hybrid resin of methylphenyl silicone and epoxy resin having a refractive index of about 1.5.
However, the resin mixed with the phosphor is not limited to the illustrated one, and can be changed as appropriate.
第１電極部５は、半導体部２ａに設けられ、Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などからなるものとすることができる。この場合、例えば、Ｎｉ（ニッケル）層の厚みを１μｍ程度、Ａｕ（金）層の厚みを１μｍ程度とすることができる。ただし、第１電極部５の材質や厚みは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。第１電極部５の形状は、例えば、円形とすることができる。ただし、第１電極部５の形状は円形に限定されるわけではなく、後述する第１接続部６ａの断面形状、大きさなどに応じて適宜変更することができる。 The first electrode part 5 is provided in the semiconductor part 2a and can be formed of a Ni (nickel) / Au (gold) double layer or the like. In this case, for example, the thickness of the Ni (nickel) layer can be about 1 μm, and the thickness of the Au (gold) layer can be about 1 μm. However, the material and thickness of the first electrode portion 5 are not limited to those illustrated, and can be appropriately changed. The shape of the 1st electrode part 5 can be made into a circle, for example. However, the shape of the first electrode portion 5 is not limited to a circle, and can be changed as appropriate according to the cross-sectional shape, size, and the like of the first connection portion 6a described later.
第１導電部６は、凹部１２ａの底面と封止部１２の端面との間を貫通するようにして設けられている。第１導電部６は、例えば、円柱状を呈しＣｕ（銅）などの金属材料からなるものとすることができる。また、第１導電部６には断面積の小さな第１接続部６ａが設けられている。そして、第１接続部６ａは第１電極部５に設けられ、第１電極部５を介して第１導電部６と半導体部２ａとが電気的に接続されている。ただし、第１導電部６、第１接続部６ａの形状、材質などは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。 The first conductive portion 6 is provided so as to penetrate between the bottom surface of the recess 12 a and the end surface of the sealing portion 12. For example, the first conductive portion 6 may have a cylindrical shape and be made of a metal material such as Cu (copper). The first conductive portion 6 is provided with a first connection portion 6a having a small cross-sectional area. The first connection portion 6 a is provided in the first electrode portion 5, and the first conductive portion 6 and the semiconductor portion 2 a are electrically connected via the first electrode portion 5. However, the shape, material, and the like of the first conductive portion 6 and the first connection portion 6a are not limited to those illustrated, and can be changed as appropriate.
第１接続部材７は、封止部１２から露出する第１導電部６の一方の端面を覆うようにして設けられている。第１接続部材７は、いわゆるはんだバンプとすることができる。第１接続部材７をはんだバンプとする場合には、第１接続部材７の形状を半球形とし、その材質を表面実装に使用されるはんだ材料とすることができる。この場合、表面実装に使用されるはんだ材料としては、例えば、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ、Ｓｎ−０．８Ｃｕはんだ、Ｓｎ−３．５Ａｇはんだなどとすることができる。 The first connection member 7 is provided so as to cover one end surface of the first conductive portion 6 exposed from the sealing portion 12. The first connection member 7 can be a so-called solder bump. When the first connection member 7 is a solder bump, the shape of the first connection member 7 can be a hemispherical shape, and the material thereof can be a solder material used for surface mounting. In this case, as a solder material used for surface mounting, for example, Sn-3.0Ag-0.5Cu solder, Sn-0.8Cu solder, Sn-3.5Ag solder or the like can be used.
ただし、第１接続部材７の形状、材質などは例示をしたものに限定されるわけではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜変更することができる。例えば、第１接続部材７の形状を薄膜状とし、Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などからなるものとすることができる。
また、第１接続部材７は必ずしも必要ではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜設けるようにすればよい。
However, the shape, material, and the like of the first connection member 7 are not limited to those illustrated, and can be appropriately changed according to the method of mounting the semiconductor light emitting device 1. For example, the first connecting member 7 may be formed in a thin film shape and may be formed of a Ni (nickel) / Au (gold) double layer.
Further, the first connection member 7 is not necessarily required, and may be provided as appropriate according to a method for mounting the semiconductor light emitting device 1.
第２電極部８は、半導体部２ｃに設けられ、Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などからなるものとすることができる。この場合、例えば、Ｎｉ（ニッケル）層の厚みを１μｍ程度、Ａｕ（金）層の厚みを１μｍ程度とすることができる。ただし、第２電極部８の材質や厚みは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。第２電極部８の形状は、例えば、円形とすることができる。ただし、第２電極部８の形状は円形に限定されるわけではなく、後述する第２接続部９ａの断面形状、大きさなどに応じて適宜変更することができる。 The second electrode portion 8 is provided in the semiconductor portion 2c and may be formed of a Ni (nickel) / Au (gold) double layer or the like. In this case, for example, the thickness of the Ni (nickel) layer can be about 1 μm, and the thickness of the Au (gold) layer can be about 1 μm. However, the material and thickness of the second electrode portion 8 are not limited to those illustrated, and can be appropriately changed. The shape of the 2nd electrode part 8 can be made into a circle, for example. However, the shape of the second electrode portion 8 is not limited to a circle, and can be appropriately changed according to the cross-sectional shape, size, and the like of the second connection portion 9a described later.
第２導電部９は、凹部１２ａの底面と封止部１２の端面との間を貫通するようにして設けられている。第２導電部９は、例えば、円柱状を呈しＣｕ（銅）などの金属材料からなるものとすることができる。また、第２導電部９には断面積の小さな第２接続部９ａが設けられている。そして、第２接続部９ａは第２電極部８に設けられ、第２電極部８を介して第２導電部９と半導体部２ｃとが電気的に接続されている。ただし、第２導電部９、第２接続部９ａの形状、材質などは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。 The second conductive portion 9 is provided so as to penetrate between the bottom surface of the recess 12 a and the end surface of the sealing portion 12. For example, the second conductive portion 9 has a cylindrical shape and can be made of a metal material such as Cu (copper). Further, the second conductive portion 9 is provided with a second connection portion 9a having a small cross-sectional area. The second connection part 9 a is provided in the second electrode part 8, and the second conductive part 9 and the semiconductor part 2 c are electrically connected via the second electrode part 8. However, the shape, material, and the like of the second conductive portion 9 and the second connection portion 9a are not limited to those illustrated, and can be changed as appropriate.
第２接続部材１０は、封止部１２から露出する第２導電部９の一方の端面を覆うようにして設けられている。第２接続部材１０は、いわゆるはんだバンプとすることができる。第２接続部材１０をはんだバンプとする場合には、第２接続部材１０の形状を半球形とし、その材質を表面実装に使用されるはんだ材料とすることができる。この場合、表面実装に使用されるはんだ材料としては、例えば、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ、Ｓｎ−０．８Ｃｕはんだ、Ｓｎ−３．５Ａｇはんだなどとすることができる。 The second connection member 10 is provided so as to cover one end face of the second conductive portion 9 exposed from the sealing portion 12. The second connection member 10 can be a so-called solder bump. When the second connecting member 10 is a solder bump, the shape of the second connecting member 10 can be a hemispherical shape, and the material thereof can be a solder material used for surface mounting. In this case, as a solder material used for surface mounting, for example, Sn-3.0Ag-0.5Cu solder, Sn-0.8Cu solder, Sn-3.5Ag solder or the like can be used.
ただし、第２接続部材１０の形状、材質などは例示をしたものに限定されるわけではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜変更することができる。例えば、第２接続部材１０の形状を薄膜状とし、Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などからなるものとすることができる。
また、第２接続部材１０は必ずしも必要ではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜設けるようにすればよい。
However, the shape, material, and the like of the second connection member 10 are not limited to those illustrated, and can be appropriately changed according to the method of mounting the semiconductor light emitting device 1. For example, the shape of the second connection member 10 may be a thin film, and may be a Ni (nickel) / Au (gold) double layer.
Further, the second connection member 10 is not necessarily required, and may be provided as appropriate according to a method of mounting the semiconductor light emitting device 1.
絶縁部１１は、封止部１２に設けられた凹部１２ａを埋め込むようにして設けられている。絶縁部１１は、絶縁材料から形成されている。例えば、絶縁部１１がＳｉＯ２などの無機材料や、樹脂などから形成されるものとすることができる。
この場合、発光部２から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度が高い場合には絶縁部１１を形成する樹脂が劣化するおそれがある。そのため、絶縁部１１が樹脂から形成される場合には、青色光などによる劣化が生じにくいものとすることが好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が１．５程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーンなどを例示することができる。
The insulating part 11 is provided so as to bury the recess 12 a provided in the sealing part 12. The insulating part 11 is formed from an insulating material. For example, the insulating part 11 can be formed of an inorganic material such as SiO 2 or a resin.
In this case, when the light emitted from the light emitting unit 2 is ultraviolet to blue light having a short wavelength and the luminance is high, the resin forming the insulating unit 11 may be deteriorated. For this reason, when the insulating portion 11 is formed of a resin, it is preferable that deterioration due to blue light or the like hardly occurs. Examples of the resin that hardly undergoes degradation due to blue light and the like include methylphenyl silicone and dimethyl silicone having a refractive index of about 1.5.
封止部１２は、第２主面Ｍ２側に設けられ、第１導電部６の端部および第２導電部９の端部を露出させつつ第１導電部６および第２導電部９を封止する。
封止部１２は、熱硬化性樹脂などから形成されるものとすることができる。封止部１２は、発光部２、第１電極部５、第２電極部８をも封止する役割を有している。なお、封止部１２と絶縁部１１とが一体的に形成されているようにすることもできる。
The sealing portion 12 is provided on the second main surface M2 side, and seals the first conductive portion 6 and the second conductive portion 9 while exposing the end portions of the first conductive portion 6 and the second conductive portion 9. Stop.
The sealing part 12 can be formed from a thermosetting resin or the like. The sealing part 12 has a role of sealing the light emitting part 2, the first electrode part 5, and the second electrode part 8. In addition, the sealing part 12 and the insulating part 11 can also be formed integrally.
次に、波長変換部４の形状に関してさらに例示をする。
図２は、発光部２の発光特性を例示するための模式図である。なお、発光特性はモノトーン色の濃淡で表し、青色となる程濃く、黄色となる程淡くなるように表示した。
図２に例示をしたものの場合には、発光部２の中心部分が黄色となり、周縁になるにしたがい青色となっている。
この様に発光部２の発光特性に分布があると、半導体発光装置１を見る方向によって色度が異なるものとなる色度ずれが大きくなるおそれがある。
Next, the shape of the wavelength conversion unit 4 will be further illustrated.
FIG. 2 is a schematic diagram for illustrating the light emission characteristics of the light emitting unit 2. Note that the light emission characteristics are represented by light and dark shades of a monotone color, and are displayed so as to become darker as blue and lighter as yellow.
In the case of the example illustrated in FIG. 2, the central portion of the light emitting unit 2 is yellow, and is blue as the periphery is reached.
In this way, when there is a distribution in the light emission characteristics of the light emitting unit 2, there is a possibility that a chromaticity shift that causes a difference in chromaticity depending on the direction in which the semiconductor light emitting device 1 is viewed increases.
本発明者らの得た知見によれば、波長変換部の内部における光路長を発光部の発光特性に応じて変化させるようにすれば色度ずれを抑制することができる。
以下においては、一例として、発光部２の発光特性が図２に例示をしたものの場合について例示をする。すなわち、発光部２の中心部分が黄色となり、周縁になるにしたがい青色となる場合について例示をする。この様な発光特性を有する発光部２としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）などの窒化物半導体からなるものを例示することができる。
According to the knowledge obtained by the present inventors, it is possible to suppress the chromaticity shift by changing the optical path length inside the wavelength conversion unit according to the light emission characteristics of the light emitting unit.
In the following, as an example, the case where the light emission characteristics of the light emitting unit 2 are illustrated in FIG. 2 is illustrated. That is, the case where the center part of the light emitting part 2 becomes yellow and becomes blue as it becomes the periphery is illustrated. Examples of the light emitting unit 2 having such light emission characteristics include those made of a nitride semiconductor such as GaN (gallium nitride).
図３は、比較例に係る半導体発光装置１００を例示する模式断面図である。
図３に示すように、半導体発光装置１００には、発光部２、透光部３、波長変換部１０４、第１電極部５、第１導電部６、第１接続部材７、第２電極部８、第２導電部９、第２接続部材１０、絶縁部１１、封止部１２が設けられている。この場合、波長変換部１０４は平板状を呈し、出射面１０４ａが平坦面となっている。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a semiconductor light emitting device 100 according to a comparative example.
As shown in FIG. 3, the semiconductor light emitting device 100 includes a light emitting unit 2, a light transmitting unit 3, a wavelength converting unit 104, a first electrode unit 5, a first conductive unit 6, a first connecting member 7, and a second electrode unit. 8, the 2nd electroconductive part 9, the 2nd connection member 10, the insulating part 11, and the sealing part 12 are provided. In this case, the wavelength conversion unit 104 has a flat plate shape, and the emission surface 104a is a flat surface.
図４は、波長変換部の形状と色度ずれとの関係を例示するための模式図である。すなわち、図４（ａ）は波長変換部の形状を例示するための模式図、図４（ｂ）は波長変換部の形状と色度ずれとの関係を例示するための模式グラフ図である。なお、図４（ａ）中のＲは波長変換部の曲率半径を表している。
また、図４（ｂ）は所定の位置から出射し波長変換部を透過した光をシミュレーション分析したものである。図４（ｂ）における横軸は視野角度を表しており、０°は半導体発光装置の上方正面側から見た場合、９０°、−９０°は半導体発光装置の側面側から見た場合である。図４（ｂ）における縦軸は色度を表しており、図中の上側になるほど黄色となり、図中の下側になるほど青色となる。また、色度ずれは、視野角度に対する色度の差で表される。そのため、例えば、０°における色度と、９０°または−９０°における色度との差が小さくなるほど色度ずれが小さいことになる。
FIG. 4 is a schematic diagram for illustrating the relationship between the shape of the wavelength converter and the chromaticity shift. 4A is a schematic diagram for illustrating the shape of the wavelength converter, and FIG. 4B is a schematic graph for illustrating the relationship between the shape of the wavelength converter and the chromaticity shift. Note that R in FIG. 4A represents the radius of curvature of the wavelength converter.
FIG. 4B shows a simulation analysis of light emitted from a predetermined position and transmitted through the wavelength conversion unit. The horizontal axis in FIG. 4B represents the viewing angle, where 0 ° is when viewed from the upper front side of the semiconductor light emitting device, 90 ° and −90 ° is when viewed from the side of the semiconductor light emitting device. . The vertical axis in FIG. 4 (b) represents chromaticity. The color becomes yellow as it goes upward in the figure and becomes blue as it goes down in the figure. Further, the chromaticity shift is represented by a chromaticity difference with respect to the viewing angle. Therefore, for example, the smaller the difference between the chromaticity at 0 ° and the chromaticity at 90 ° or −90 °, the smaller the chromaticity shift.
図４（ｂ）から分かるように、波長変換部の形状を変化させるようにすれば色度ずれを抑制することができる。例えば、波長変換部の形状を平板状から凸状とすれば色度ずれを抑制することができる。また、波長変換部の曲率半径Ｒを変化させれば色度ずれをさらに抑制することができる。
本発明者らの得た知見によれば、波長変換部の内部における光路長が発光部の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有した波長変換部とすれば、色度ずれを抑制することができる。すなわち、波長変換部の内部における光路長を発光部の発光特性に応じて適正化すれば色度ずれを抑制することができる。
As can be seen from FIG. 4B, the chromaticity shift can be suppressed by changing the shape of the wavelength converter. For example, the chromaticity shift can be suppressed by changing the shape of the wavelength conversion unit from a flat plate shape to a convex shape. Further, if the radius of curvature R of the wavelength converter is changed, the chromaticity shift can be further suppressed.
According to the knowledge obtained by the present inventors, the wavelength conversion unit has a shape in which the optical path length inside the wavelength conversion unit is such that the chromaticity shift is suppressed according to the light emission characteristics of the light emission unit. Thus, the chromaticity shift can be suppressed. That is, the chromaticity shift can be suppressed by optimizing the optical path length inside the wavelength conversion unit according to the light emission characteristics of the light emitting unit.
次に、半導体発光装置１の作用について例示をする。
第１導電部６に電圧が印加されると、第１電極部５を介して半導体部２ａに電位が与えられる。また、第２導電部９に電圧が印加されると、第２電極部８を介して半導体部２ｃに電位が与えられる。そして、半導体部２ａと半導体部２ｃとに電位が与えられると、活性部２ｂにおいて正孔および電子が再結合して光が発生する。活性部２ｂから出射した光の一部は、半導体部２ａ、透光部３を透過して波長変換部４に入射する。波長変換部４に入射した光は蛍光体により波長が変換され波長変換部４から外部に向けて出射される。例えば、活性部２ｂから出射した青色光と、その光により励起された光（黄色、あるいは、赤色及び緑色）とが混合され、白色光として波長変換部４から外部に向けて出射される。 本実施の形態においては、波長変換部４の内部における光路長を発光部２の発光特性に応じて適正化するようにしている。すなわち、波長変換部４は凸状を呈し、内部における光路長が発光部２の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有する出射面４ａが備えられている。そのため、色度ずれを抑制することができる。例えば、白色光を出射する半導体発光装置１を見る方向にかかわらず色度ずれを少なくすることができ、波長変換部４のほぼ全域において白色光が出射されるようにすることができる。
Next, the operation of the semiconductor light emitting device 1 will be illustrated.
When a voltage is applied to the first conductive part 6, a potential is applied to the semiconductor part 2 a via the first electrode part 5. Further, when a voltage is applied to the second conductive portion 9, a potential is applied to the semiconductor portion 2 c via the second electrode portion 8. When a potential is applied to the semiconductor part 2a and the semiconductor part 2c, holes and electrons are recombined in the active part 2b to generate light. A part of the light emitted from the active part 2 b passes through the semiconductor part 2 a and the light transmitting part 3 and enters the wavelength converting part 4. The light incident on the wavelength conversion unit 4 is converted in wavelength by the phosphor and is emitted from the wavelength conversion unit 4 to the outside. For example, blue light emitted from the active portion 2b and light (yellow, red, or green) excited by the light are mixed and emitted as white light from the wavelength conversion portion 4 to the outside. In the present embodiment, the optical path length inside the wavelength conversion unit 4 is optimized according to the light emission characteristics of the light emitting unit 2. That is, the wavelength conversion unit 4 has a convex shape, and is provided with an emission surface 4 a having a shape in which the optical path length inside is a length that suppresses the chromaticity shift according to the light emission characteristics of the light emitting unit 2. Therefore, chromaticity deviation can be suppressed. For example, the chromaticity shift can be reduced regardless of the direction of viewing the semiconductor light emitting device 1 that emits white light, and white light can be emitted in almost the entire area of the wavelength conversion unit 4.
図５、図６は、他の実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式断面図である。
図５に示すように、半導体発光装置２０には、発光部２、透光部３、波長変換部２４、第１導電部６、第１接続部材７、第２電極部８、第２導電部９、第２接続部材１０、絶縁部１１、封止部１２が設けられている。
波長変換部２４は凹状を呈し、凹状の形状を有する出射面２４ａを備えている。
5 and 6 are schematic cross-sectional views illustrating semiconductor light emitting devices according to other embodiments.
As shown in FIG. 5, the semiconductor light emitting device 20 includes a light emitting unit 2, a light transmitting unit 3, a wavelength converting unit 24, a first conductive unit 6, a first connecting member 7, a second electrode unit 8, and a second conductive unit. 9, the 2nd connection member 10, the insulation part 11, and the sealing part 12 are provided.
The wavelength conversion unit 24 has a concave shape and includes an emission surface 24a having a concave shape.
また、図６に示すように、半導体発光装置３０には、発光部２、透光部３、波長変換部３４、第１導電部６、第１接続部材７、第２電極部８、第２導電部９、第２接続部材１０、絶縁部１１、封止部１２が設けられている。
波長変換部３４は凹状を呈し、凹状の形状を有する出射面３４ａ１と、出射面３４ａ１の周縁に設けられた平坦状の出射面３４ａ２を備えている。
As shown in FIG. 6, the semiconductor light emitting device 30 includes a light emitting unit 2, a light transmitting unit 3, a wavelength converting unit 34, a first conductive unit 6, a first connecting member 7, a second electrode unit 8, a second electrode unit. A conductive portion 9, a second connecting member 10, an insulating portion 11, and a sealing portion 12 are provided.
The wavelength conversion unit 34 has a concave shape, and includes a light emitting surface 34a1 having a concave shape and a flat light emitting surface 34a2 provided at the periphery of the light emitting surface 34a1.
図５、図６に例示をしたように、波長変換部の形状を凹状としても、波長変換部の内部における光路長を発光部の発光特性に応じて適正化することができる。また、凹状の形状を有する出射面３４ａ１の周縁に平坦状の出射面３４ａ２を備えるようにすることで周縁部における光路長を調整することができる。すなわち、平坦状の出射面を適宜備えるようにすることで、色度ずれがさらに小さくなるように波長変換部の内部における光路長を適正化することができる。 As illustrated in FIGS. 5 and 6, even if the shape of the wavelength conversion unit is concave, the optical path length inside the wavelength conversion unit can be optimized according to the light emission characteristics of the light emitting unit. Moreover, the optical path length in a peripheral part can be adjusted by providing the flat output surface 34a2 in the periphery of the output surface 34a1 which has a concave shape. That is, by appropriately providing a flat emission surface, the optical path length inside the wavelength conversion unit can be optimized so that the chromaticity shift is further reduced.
表１は、各波長変換部を備えた場合の色度ずれを例示するものである。
なお、波長変換部の形状は例示をしたものに限定されるわけではなく、発光部の発光特性に応じて適宜変更することができる。例えば、凸状の形状、凹状の形状、平坦面を適宜組み合わせるようにしてもよい。
また、曲率半径を適宜変化させるようにしてもよい。この場合、凸状の形状の曲率半径を２５０ｎｍ以上とすることが好ましい。また、凹状の形状の曲率半径を２００ｎｍ以上とすることが好ましい。
また、波長変換部の面内における蛍光体の種類とその割合の分布を変えるようにすれば色度ずれをさらに抑制することができる。例えば、図２に例示をしたもののように、発光部２の周縁になるにしたがい青色となるものの場合には、波長変換部の周縁になるほど黄色の蛍光を発する蛍光体の割合が多くなるようにすることで、波長変換部のほぼ全域において白色光が出射されるようにすることができる。
Table 1 exemplifies chromaticity deviation when each wavelength conversion unit is provided.
In addition, the shape of the wavelength conversion unit is not limited to the illustrated one, and can be appropriately changed according to the light emission characteristics of the light emitting unit. For example, a convex shape, a concave shape, and a flat surface may be appropriately combined.
Moreover, you may make it change a curvature radius suitably. In this case, the curvature radius of the convex shape is preferably 250 nm or more. Moreover, it is preferable that the curvature radius of a concave shape shall be 200 nm or more.
Further, the chromaticity shift can be further suppressed by changing the type of phosphor and the distribution of the ratio in the plane of the wavelength conversion section. For example, in the case where the color becomes blue according to the periphery of the light emitting unit 2 as illustrated in FIG. 2, the ratio of the phosphor that emits yellow fluorescence increases toward the periphery of the wavelength conversion unit. By doing so, white light can be emitted in almost the entire area of the wavelength converter.
次に、半導体発光装置２０、３０の作用について例示をする。なお、半導体発光装置１の場合と同様の部分に関しては説明を適宜省略する。
半導体発光装置２０、３０の場合も活性部２ｂにおいて光が発生し、波長変換部２４、３４に入射する。そして、波長変換部２４、３４に入射した光は蛍光体により波長が変換され波長変換部２４、３４から外部に向けて出射される。
Next, the operation of the semiconductor light emitting devices 20 and 30 will be illustrated. Note that the description of the same parts as those of the semiconductor light emitting device 1 is omitted as appropriate.
Also in the case of the semiconductor light emitting devices 20 and 30, light is generated in the active portion 2b and is incident on the wavelength converting portions 24 and 34. Then, the light incident on the wavelength conversion units 24 and 34 is converted in wavelength by the phosphor and is emitted from the wavelength conversion units 24 and 34 to the outside.
本実施の形態においても波長変換部２４、３４の内部における光路長を発光部２の発光特性に応じて適正化するようにしている。すなわち、波長変換部２４は凹状を呈し、内部における光路長が発光部２の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有する出射面２４ａが備えられている。また、波長変換部３４は凹状を呈し、内部における光路長が発光部２の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有する出射面３４ａ１が備えられている。また、周縁部における光路長を調整するために出射面３４ａ１の周縁に平坦状の出射面３４ａ２が備えられている。そのため、色度ずれを抑制することができる。例えば、白色光を出射する半導体発光装置２０、３０を見る方向にかかわらず色度ずれを少なくすることができ、波長変換部２４、３４のほぼ全域において白色光が出射されるようにすることができる。 Also in the present embodiment, the optical path length inside the wavelength conversion units 24 and 34 is optimized according to the light emission characteristics of the light emitting unit 2. That is, the wavelength conversion unit 24 has a concave shape, and is provided with an emission surface 24 a having a shape in which the optical path length in the interior is such that the chromaticity shift is suppressed according to the light emission characteristics of the light emitting unit 2. Further, the wavelength conversion unit 34 has a concave shape, and is provided with an emission surface 34a1 having a shape in which the optical path length in the interior is such that the chromaticity shift is suppressed according to the light emission characteristics of the light emitting unit 2. In addition, a flat emission surface 34a2 is provided at the periphery of the emission surface 34a1 in order to adjust the optical path length at the periphery. Therefore, chromaticity deviation can be suppressed. For example, the chromaticity shift can be reduced regardless of the direction in which the semiconductor light emitting devices 20 and 30 that emit white light are viewed, and white light is emitted almost in the entire area of the wavelength conversion units 24 and 34. it can.
次に、本実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法について例示をする。
図７は、本実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法について例示をするためのフローチャートである。
まず、サファイアなどからなる基板上に所定の形状の半導体部２ａ、活性部２ｂ、半導体部２ｃをこの順で積層させる（ステップＳ１）。
この場合、既知の気相成長法などを用いてこれらの積層を行うようにすることができる。気相成長法としては、例えば、有機金属気相成長（MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ハイドライド気相成長（HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy）法、分子線エピタキシャル成長（MBE;Molecular Beam Epitaxy）法などを例示することができる。
Next, a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to this embodiment is illustrated.
FIG. 7 is a flowchart for illustrating the method for manufacturing the semiconductor light emitting device according to this embodiment.
First, a semiconductor portion 2a, an active portion 2b, and a semiconductor portion 2c having a predetermined shape are stacked in this order on a substrate made of sapphire or the like (step S1).
In this case, these layers can be stacked using a known vapor phase growth method or the like. Examples of the vapor phase growth method include metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method, and molecular beam epitaxy (MBE) method. Etc. can be illustrated.
次に、半導体部２ａ上に第１電極部５を形成し、半導体部２ｃ上に第２電極部８を形成する（ステップＳ２）。
この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法、メッキ法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで第１電極部５、第２電極部８を形成するようにすることができる。
Next, the first electrode part 5 is formed on the semiconductor part 2a, and the second electrode part 8 is formed on the semiconductor part 2c (step S2).
In this case, various physical vapor deposition (PVD) methods such as vacuum vapor deposition and sputtering, various chemical vapor deposition (CVD) methods, plating methods, and other lithography technologies. The first electrode part 5 and the second electrode part 8 can be formed by combining the etching technique and the like.
次に、この様にして基板上に積層された積層体を覆うようにして所定の形状の絶縁部１１を形成する（ステップＳ３）。
この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで絶縁部１１を形成するようにすることができる。
Next, the insulating part 11 having a predetermined shape is formed so as to cover the laminated body laminated on the substrate in this way (step S3).
In this case, various physical vapor deposition (PVD) methods such as vacuum deposition and sputtering, various chemical vapor deposition (CVD) methods, and lithography and etching technologies. The insulating part 11 can be formed by combining the above.
次に、絶縁部１１を覆うようにして所定の形状の封止部１２を形成する（ステップＳ４）。
この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで封止部１２を形成するようにすることができる。
Next, the sealing part 12 having a predetermined shape is formed so as to cover the insulating part 11 (step S4).
In this case, various physical vapor deposition (PVD) methods such as vacuum deposition and sputtering, various chemical vapor deposition (CVD) methods, and lithography and etching technologies. The sealing part 12 can be formed by combining the above.
次に、第１導電部６、第２導電部９を形成する（ステップＳ５）。
この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法、メッキ法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで第１導電部６、第２導電部９を形成するようにすることができる。
Next, the first conductive part 6 and the second conductive part 9 are formed (step S5).
In this case, various physical vapor deposition (PVD) methods such as vacuum vapor deposition and sputtering, various chemical vapor deposition (CVD) methods, plating methods, and other lithography technologies. The first conductive portion 6 and the second conductive portion 9 can be formed by combining the etching technique and the like.
次に、第１導電部６の端面に第１接続部材７を形成し、第２導電部９の端面に第２接続部材１０を形成する（ステップＳ６）。
この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法、メッキ法などと、リソグラフィ技術などとを組み合わせることで第１接続部材７、第２接続部材１０を形成するようにすることができる。
Next, the 1st connection member 7 is formed in the end surface of the 1st electroconductive part 6, and the 2nd connection member 10 is formed in the end surface of the 2nd electroconductive part 9 (step S6).
In this case, various physical vapor deposition (PVD) methods such as vacuum vapor deposition and sputtering, various chemical vapor deposition (CVD) methods, plating methods, and other lithography technologies. Etc., the first connecting member 7 and the second connecting member 10 can be formed.
次に、この様にして形成された積層体を基板から剥離させる（ステップＳ７）。
この場合、レーザリフトオフ法などを用いて積層体を基板から剥離させるようにすることができる。
Next, the laminated body thus formed is peeled from the substrate (step S7).
In this case, the stacked body can be peeled off from the substrate using a laser lift-off method or the like.
次に、剥離させた積層体を反転させ、半導体部２ａを覆うようにして透光部３を形成する（ステップＳ８）。
この場合、樹脂などを塗布し、これを硬化させることで透光部３を形成するようにすることができる。
Next, the peeled laminated body is inverted, and the light transmitting part 3 is formed so as to cover the semiconductor part 2a (step S8).
In this case, the translucent portion 3 can be formed by applying a resin or the like and curing it.
次に、透光部３を覆うようにして所定の形状の波長変換部を形成する（ステップＳ９）。すなわち、内部における光路長が発光部２の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有する波長変換部を形成する。
図８は、波長変換部の形成を例示するための模式工程断面図である。
ここでは一例として、ナノインプリント法やモールド法を用いて波長変換部２４を形成する場合について例示をする。
まず、図８（ａ）に示すように、積層体１２７の透光部３側の主面に所定の蛍光体が混合された樹脂１２５を塗布する。
この場合、スキージ法、スクリーン法やスピン法などの印刷および塗布方法などを用いて樹脂１２５を塗布するようにすることができる。
Next, a wavelength converting unit having a predetermined shape is formed so as to cover the light transmitting unit 3 (step S9). That is, the wavelength conversion unit having a shape in which the optical path length inside is a length that suppresses the chromaticity deviation according to the light emission characteristics of the light emitting unit 2 is formed.
FIG. 8 is a schematic process cross-sectional view for illustrating the formation of the wavelength conversion unit.
Here, as an example, a case where the wavelength conversion unit 24 is formed using a nanoimprint method or a molding method will be described.
First, as shown in FIG. 8A, a resin 125 in which a predetermined phosphor is mixed is applied to the main surface of the laminated body 127 on the light transmitting portion 3 side.
In this case, the resin 125 can be applied using a printing and coating method such as a squeegee method, a screen method, or a spin method.
次に、図８（ｂ）に示すように、樹脂１２５が塗布された積層体１２７を成形型１２６の直下に載置する。 Next, as shown in FIG. 8B, the laminated body 127 to which the resin 125 is applied is placed immediately below the mold 126.
次に、図８（ｃ）に示すように、成形型１２６を樹脂１２５に押し付けることで成形型１２６の成形面１２６ａの形状を樹脂１２５に転写させる。
ここで、ＵＶナノインプリント法を用いる場合には、成形型１２６を樹脂１２５に押し付けた状態で紫外線が照射され、成形された樹脂１２５を硬化させることで波長変換部２４が形成される。なお、ＵＶナノインプリント法を用いる場合には、成形型１２６は紫外線が透過可能な材料から形成され、樹脂１２５は紫外線硬化性樹脂とされる。
また、モールド法を用いる場合には、成形型１２６を樹脂１２５に押し付けた状態で加熱が行われ、成形された樹脂１２５を硬化させることで波長変換部２４が形成される。なお、モールド法を用いる場合には、成形型１２６などには加熱ヒータなどが設けられ、樹脂１２５は熱硬化性樹脂とされる。
この場合、波長変換部が形成される工程において、内部における光路長が発光部の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状が波長変換部に形成される。そのため、波長変換部の内部における光路長を発光部の発光特性に応じて適正化することができるので、色度ずれを抑制することができる。
次に、図８（ｄ）に示すように、成形型１２６を波長変換部２４から離隔させる。
なお、波長変換部２４を形成する場合を例示したが、成形型１２６の成形面の形状を変えることで種々の形状を有する波長変換部を形成することができる。例えば、前述した凸状の形状を有する出射面４ａを備えた波長変換部４、凹状の形状を有する出射面３４ａ１と、出射面３４ａ１の周縁に設けられた平坦状の出射面３４ａ２を備えた波長変換部３４なども形成することができる。
Next, as shown in FIG. 8C, the shape of the molding surface 126 a of the molding die 126 is transferred to the resin 125 by pressing the molding die 126 against the resin 125.
Here, in the case of using the UV nanoimprint method, the wavelength conversion unit 24 is formed by irradiating ultraviolet rays with the mold 126 pressed against the resin 125 and curing the molded resin 125. When the UV nanoimprint method is used, the mold 126 is formed of a material that can transmit ultraviolet rays, and the resin 125 is an ultraviolet curable resin.
When the molding method is used, heating is performed in a state where the mold 126 is pressed against the resin 125, and the wavelength conversion unit 24 is formed by curing the molded resin 125. In the case of using the molding method, a heater or the like is provided in the mold 126 or the like, and the resin 125 is a thermosetting resin.
In this case, in the step of forming the wavelength conversion section, a shape is formed in the wavelength conversion section so that the optical path length inside becomes a length that suppresses the chromaticity deviation according to the light emission characteristics of the light emitting section. Therefore, since the optical path length inside the wavelength conversion unit can be optimized according to the light emission characteristics of the light emitting unit, chromaticity deviation can be suppressed.
Next, as shown in FIG. 8 (d), the mold 126 is separated from the wavelength conversion unit 24.
In addition, although the case where the wavelength conversion part 24 was formed was illustrated, the wavelength conversion part which has various shapes can be formed by changing the shape of the shaping | molding surface of the shaping | molding die 126. FIG. For example, the wavelength including the wavelength conversion unit 4 including the above-described convex-shaped output surface 4a, the output surface 34a1 having the concave shape, and the flat output surface 34a2 provided at the periphery of the output surface 34a1. The conversion part 34 etc. can also be formed.
また、波長変換部の形成はナノインプリント法やモールド法に限定されるわけではなく適宜変更することができる。
例えば、インクジェット法やディスペンス法などの微少液滴塗布方法などを用いて蛍光体が混合された樹脂を所定の形状に積層させることで波長変換部を形成するようにしてもよい。
The formation of the wavelength conversion part is not limited to the nanoimprint method or the molding method, and can be changed as appropriate.
For example, the wavelength conversion unit may be formed by laminating a resin mixed with a phosphor in a predetermined shape using a microdroplet coating method such as an inkjet method or a dispensing method.
次に、図８に例示をしたように複数の半導体発光装置が一体的に形成されている場合には、各半導体発光装置を個片化する（ステップＳ１０）。
この場合、ブレードダイシング法などを用いて各半導体発光装置を個片化するようにすることができる。
Next, when a plurality of semiconductor light emitting devices are integrally formed as illustrated in FIG. 8, each semiconductor light emitting device is separated into pieces (step S10).
In this case, each semiconductor light emitting device can be singulated using a blade dicing method or the like.
以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、半導体発光装置１、半導体発光装置２０、半導体発光装置３０が備える各要素の形状、寸法、材料、数、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
The embodiment has been illustrated above. However, the present invention is not limited to these descriptions.
Regarding the above-described embodiment, those in which those skilled in the art appropriately added, deleted, or changed the design, or added the process, omitted, or changed the conditions also have the features of the present invention. As long as it is within the scope of the present invention.
For example, the shape, size, material, number, arrangement, and the like of each element included in the semiconductor light-emitting device 1, the semiconductor light-emitting device 20, and the semiconductor light-emitting device 30 are not limited to those illustrated, but can be changed as appropriate. .
Moreover, each element with which each embodiment mentioned above is combined can be combined as much as possible, and what combined these is also included in the scope of the present invention as long as the characteristics of the present invention are included.
１ 半導体発光装置、２ 発光部、２ａ 半導体部、２ｂ 活性部、２ｃ 半導体部、３ 透光部、４ 波長変換部、４ａ 出射面、５ 第１電極部、６ 第１導電部、７ 第１接続部材、８ 第２電極部、９ 第２導電部、１０ 第２接続部材、１１ 絶縁部、１２ 封止部、２０ 半導体発光装置、２４ 波長変換部、２４ａ 出射面、３４ 波長変換部、３４ａ１ 出射面、３４ａ２ 出射面、１２５ 樹脂、１２６ 成形型、１２７ 積層体、Ｍ１ 第１主面、Ｍ２ 第２主面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor light-emitting device, 2 Light-emitting part, 2a Semiconductor part, 2b Active part, 2c Semiconductor part, 3 Light transmission part, 4 Wavelength conversion part, 4a Output surface, 5 1st electrode part, 6 1st electroconductive part, 7 1st Connecting member, 8 Second electrode portion, 9 Second conductive portion, 10 Second connecting member, 11 Insulating portion, 12 Sealing portion, 20 Semiconductor light emitting device, 24 Wavelength converting portion, 24a Emission surface, 34 Wavelength converting portion, 34a1 Emission surface, 34a2 Emission surface, 125 resin, 126 mold, 127 laminate, M1 first main surface, M2 second main surface
Claims (12)
前記第１主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、
前記第１電極部に設けられた第１導電部と、
前記第２電極部に設けられた第２導電部と、
前記第２主面側に設けられ、前記第１導電部の端部および前記第２導電部の端部を露出させつつ前記第１導電部および前記第２導電部を封止した封止部と、
を備え、
前記波長変換部は、内部における光路長が前記発光部の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有したこと、を特徴とする半導体発光装置。 A light emitting unit having a first main surface, a second main surface that is opposite to the first main surface, and a first electrode portion and a second electrode portion formed on the second main surface;
A wavelength conversion unit provided on the first main surface side and containing a phosphor;
A first conductive portion provided in the first electrode portion;
A second conductive portion provided in the second electrode portion;
A sealing portion provided on the second main surface side and sealing the first conductive portion and the second conductive portion while exposing an end portion of the first conductive portion and an end portion of the second conductive portion; ,
With
The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the wavelength conversion unit has a shape in which an optical path length in the inside is a length that suppresses a chromaticity shift according to a light emission characteristic of the light emitting unit.
ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、燐（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、アルカリ土類元素、硫化物元素、希土類元素、窒化物元素からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。 The phosphor has an emission wavelength of 380 nm or more and 720 nm or less,
Silicon (Si), aluminum (Al), titanium (Ti), germanium (Ge), phosphorus (P), boron (B), yttrium (Y), alkaline earth element, sulfide element, rare earth element, nitride element The semiconductor light-emitting device according to claim 1, comprising at least one element selected from the group consisting of:
前記樹脂は、エポキシ樹脂、シリコーン系樹脂、メタクリル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、環状ポリオレフィン(COP)、脂環式アクリル(OZ)、アリルジグリコールカーボネート(ADC)、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂とエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂、ウレタン樹脂からなる群から選ばれた少なくとも１種であること、を特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。 The wavelength conversion unit is formed from a resin mixed with the phosphor,
The resin is epoxy resin, silicone resin, methacrylic resin (PMMA), polycarbonate (PC), cyclic polyolefin (COP), alicyclic acrylic (OZ), allyl diglycol carbonate (ADC), acrylic resin, fluorine-based resin 6. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the semiconductor light emitting device is at least one selected from the group consisting of a resin, a hybrid resin of a silicone resin and an epoxy resin, and a urethane resin.
内部における光路長が前記発光部の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有する前記波長変換部を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 A first main surface, a second main surface opposite to the first main surface, a light emitting portion having a first electrode portion and a second electrode portion formed on the second main surface, and the first A wavelength conversion unit containing a phosphor provided on the main surface side, and a method for manufacturing a semiconductor light emitting device,
Producing a semiconductor light emitting device comprising a step of forming the wavelength conversion unit having a shape in which an internal optical path length is a length that suppresses a chromaticity shift according to a light emission characteristic of the light emitting unit Method.
前記一体的に形成された複数の半導体発光装置を個片化する工程と、を有したことを特徴とする請求項９記載の半導体発光装置の製造方法。 Forming a plurality of semiconductor light emitting devices integrally;
The method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 9, further comprising a step of separating the plurality of integrally formed semiconductor light emitting devices.
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|---|---|
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014003283A (en) * | 2012-05-25 | 2014-01-09 | Toshiba Corp | Semiconductor light-emitting device and light source unit |
| WO2014192623A1 (en) | 2013-05-31 | 2014-12-04 | Ntn株式会社 | Stop control device of vehicle |
| US8952409B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device including a fluorescent material layer |
| US9831379B2 (en) | 2014-08-28 | 2017-11-28 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
| CN109712967A (en) * | 2017-10-25 | 2019-05-03 | 隆达电子股份有限公司 | A kind of light-emitting diode assembly and its manufacturing method |
| US10559724B2 (en) | 2016-10-19 | 2020-02-11 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing same |
| WO2023054199A1 (en) * | 2021-09-28 | 2023-04-06 | 京セラ株式会社 | Light emitting apparatus and illumination apparatus |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282957A (en) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Nichia Chem Ind Ltd | Flip chip semiconductor element and method for manufacturing the same |
| JP2004362900A (en) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Ushio Inc | Light emitting diode light source device |
| JP2007173875A (en) * | 2007-03-28 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | Light emitting device |
| JP2009123803A (en) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting diode device |
| JP2010092897A (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-22 | Stanley Electric Co Ltd | Semiconductor light-emitting apparatus |
| JP2010517289A (en) * | 2007-01-22 | 2010-05-20 | クリー インコーポレイテッド | Wafer level phosphor coating method and apparatus fabricated using the method |
-
2010
- 2010-06-07 JP JP2010130331A patent/JP2011258657A/en active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282957A (en) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Nichia Chem Ind Ltd | Flip chip semiconductor element and method for manufacturing the same |
| JP2004362900A (en) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Ushio Inc | Light emitting diode light source device |
| JP2010517289A (en) * | 2007-01-22 | 2010-05-20 | クリー インコーポレイテッド | Wafer level phosphor coating method and apparatus fabricated using the method |
| JP2007173875A (en) * | 2007-03-28 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | Light emitting device |
| JP2009123803A (en) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting diode device |
| JP2010092897A (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-22 | Stanley Electric Co Ltd | Semiconductor light-emitting apparatus |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014003283A (en) * | 2012-05-25 | 2014-01-09 | Toshiba Corp | Semiconductor light-emitting device and light source unit |
| US8952409B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device including a fluorescent material layer |
| US9240531B2 (en) | 2012-09-07 | 2016-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device including reinforcing member |
| WO2014192623A1 (en) | 2013-05-31 | 2014-12-04 | Ntn株式会社 | Stop control device of vehicle |
| US9831379B2 (en) | 2014-08-28 | 2017-11-28 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
| US10559724B2 (en) | 2016-10-19 | 2020-02-11 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing same |
| US10896998B2 (en) | 2016-10-19 | 2021-01-19 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
| US11322664B2 (en) | 2016-10-19 | 2022-05-03 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
| CN109712967A (en) * | 2017-10-25 | 2019-05-03 | 隆达电子股份有限公司 | A kind of light-emitting diode assembly and its manufacturing method |
| US10720559B2 (en) | 2017-10-25 | 2020-07-21 | Lextar Electronics Corporation | Light-emitting diode device and manufacturing method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130325 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130918 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130918 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131106 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131120 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131217 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140106 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140401 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140418 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20140627 |