JP5453585B2 - Liquid ejecting head, liquid ejecting head unit, and liquid ejecting apparatus - Google Patents

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JP5453585B2 JP2010012891A JP2010012891A JP5453585B2 JP 5453585 B2 JP5453585 B2 JP 5453585B2 JP 2010012891 A JP2010012891 A JP 2010012891A JP 2010012891 A JP2010012891 A JP 2010012891A JP 5453585 B2 JP5453585 B2 JP 5453585B2
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本発明は、ノズル開口から液体を噴射する液体噴射へッド、液体噴射ヘッドユニット及
び液体噴射装置に関する。
The present invention relates to a liquid ejecting head that ejects liquid from a nozzle opening, a liquid ejecting head unit, and a liquid ejecting apparatus.

液体噴射ヘッドであるインクジェット式記録ヘッドとしては、例えば、ノズル開口に連
通する圧力発生室とこの圧力発生室の長手方向一端部側に圧力発生室の短手方向に亘って
設けられて各圧力発生室に連通する連通部とが形成される流路形成基板と、この流路形成
基板の一方面側に形成される圧電素子と、流路形成基板の圧電素子側の面に接着剤を介し
て接合されて、連通部と共にリザーバーの一部を構成するリザーバー部を有するリザーバ
ー形成基板(保護基板)とを具備するものがある(例えば、特許文献1参照)。
As an ink jet recording head that is a liquid ejecting head, for example, a pressure generation chamber communicating with a nozzle opening and a longitudinal direction one end side of the pressure generation chamber are provided across the short direction of the pressure generation chamber. A flow path forming substrate formed with a communication portion communicating with the chamber, a piezoelectric element formed on one surface side of the flow path forming substrate, and an adhesive agent on the surface of the flow path forming substrate on the piezoelectric element side Some have a reservoir forming substrate (protective substrate) that is joined and has a reservoir portion that forms a part of the reservoir together with the communication portion (for example, see Patent Document 1).

特開2005−219243号公報(第3〜5図、第6〜8頁)Japanese Patent Laying-Open No. 2005-219243 (FIGS. 3-5, pages 6-8)

しかしながら、流路形成基板と保護基板とを接着する際の押圧力によって、接着剤が薄
くなり、接合領域の接着剤不足から接着強度が低下すると共に、接合領域の接着剤不足か
ら接合領域を介してインクが侵入し、圧電素子等の圧力発生手段が破壊されてしまうとい
う問題がある。
However, due to the pressing force when bonding the flow path forming substrate and the protective substrate, the adhesive is thinned, the adhesive strength is reduced due to the insufficient adhesive in the bonding region, and the bonding region is insufficient due to the insufficient adhesive in the bonding region. Thus, there is a problem that the ink enters and the pressure generating means such as the piezoelectric element is destroyed.

また、接合領域から押圧力によってはみ出した接着剤が圧電素子等の圧力発生手段に付
着して、圧力発生手段の変形を阻害する要因となると共に、はみ出した接着剤が異物とな
ってノズル開口の目詰まり等の不具合が発生してしまうという問題がある。
In addition, the adhesive that protrudes from the joining area due to the pressing force adheres to the pressure generating means such as the piezoelectric element, and becomes a factor that hinders the deformation of the pressure generating means. There is a problem that problems such as clogging occur.

なお、このような問題はインクジェット式記録ヘッドだけではなく、インク以外の液体
を噴射する液体噴射へッドにおいても同様に存在する。
Such a problem exists not only in the ink jet recording head but also in a liquid ejecting head that ejects liquid other than ink.

本発明はこのような事情に鑑み、接着力を向上すると共に、液体の侵入による破壊や接
着剤が異物となるのを抑制することができる液体噴射へッド、液体噴射ヘッドユニット及
び液体噴射装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of such circumstances, the present invention improves a bonding force, and can suppress destruction due to liquid intrusion and prevention of an adhesive from becoming a foreign substance, a liquid ejecting head, a liquid ejecting head unit, and a liquid ejecting apparatus The purpose is to provide.

上記課題を解決する本発明の態様は、液体を噴射するノズル開口に連通する第1の流路
が形成された基板の一方面にシリコン酸化膜を形成し、当該シリコン酸化膜側に圧電素子
が形成された第1の基板と、前記第1の流路に連通する第2の流路を有すると共に、一方
面にシリコン酸化膜が形成された第2の基板と、を有し、前記第1の基板と前記第2の基
板とが、それぞれ前記シリコン酸化膜側が互いに接着剤を介して接合された接合領域を有
し、前記接合領域には、前記シリコン酸化膜同士が互いに接着剤を介して接合された第1
接合領域と、前記第1の基板の前記シリコン酸化膜側に設けられて、前記圧電素子及び当
該圧電素子に接続された配線と同じ層構造であって、少なくとも前記圧電素子及び前記配
線とは電気的に接続されていない積層体が設けられた第2接合領域と、を具備することを
特徴とする液体噴射へッドにある。
かかる態様では、積層体を設けることによって、第2接合領域の接着剤の厚さを確保す
ることができ、接合強度を向上すると共に、接合領域を介した液体の侵入を抑制すること
ができる。
According to an aspect of the present invention for solving the above-described problem, a silicon oxide film is formed on one surface of a substrate on which a first flow path communicating with a nozzle opening for ejecting liquid is formed, and a piezoelectric element is disposed on the silicon oxide film side. A first substrate formed; and a second substrate having a second flow channel communicating with the first flow channel and having a silicon oxide film formed on one surface thereof; and The substrate and the second substrate each have a bonding region in which the silicon oxide film sides are bonded to each other via an adhesive, and the silicon oxide films are bonded to each other via an adhesive in the bonding region. Joined first
The bonding region is provided on the silicon oxide film side of the first substrate and has the same layer structure as the piezoelectric element and the wiring connected to the piezoelectric element, and at least the piezoelectric element and the wiring are electrically And a second bonding region provided with a laminate that is not connected to each other.
In such an aspect, by providing the laminate, it is possible to ensure the thickness of the adhesive in the second bonding region, improve the bonding strength, and suppress the intrusion of liquid through the bonding region.

ここで、前記積層体は、側面が前記配線と同じ層構造で覆われていることが好ましい。
これによれば、積層体の側面を配線と同じ層構造で覆うことで、接着剤と基板との界面に
配線が設けられることとなり、配線によって液体の侵入を抑制して、積層体の層間剥離を
抑制することができる。
Here, it is preferable that the laminated body is covered with the same layer structure as the wiring.
According to this, by covering the side surface of the laminate with the same layer structure as the wiring, the wiring is provided at the interface between the adhesive and the substrate. Can be suppressed.

また、本発明の他の態様は、上記態様の液体噴射へッドを2以上有することを特徴とす
る液体噴射ヘッドユニットにある。
かかる態様では、耐久性及び信頼性を向上した液体噴射ヘッドユニットを実現できる。
According to another aspect of the invention, there is provided a liquid ejecting head unit having two or more liquid ejecting heads according to the above aspect.
In this aspect, it is possible to realize a liquid ejecting head unit with improved durability and reliability.

さらに、本発明の他の態様は、上記態様の液体噴射へッドを具備することを特徴とする
液体噴射装置にある。
かかる態様では、耐久性及び信頼性を向上した液体噴射装置を実現できる。
Furthermore, another aspect of the invention is a liquid ejecting apparatus including the liquid ejecting head according to the above aspect.
In this aspect, a liquid ejecting apparatus with improved durability and reliability can be realized.

ここで、前記液体噴射へッドを2以上有することが好ましい。これによれば、異なる液
体を噴射する液体噴射装置を実現できる。
Here, it is preferable to have two or more liquid jet heads. According to this, it is possible to realize a liquid ejecting apparatus that ejects different liquids.

本発明の実施形態1に係る記録ヘッドの分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of a recording head according to Embodiment 1 of the invention. 本発明の実施形態1に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。2A and 2B are a plan view and a cross-sectional view of the recording head according to Embodiment 1 of the invention. 本発明の実施形態1に係る記録ヘッドの要部拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the recording head according to Embodiment 1 of the invention. 本発明の実施形態1に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the recording head according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施形態1に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the recording head according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施形態1に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the recording head according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施形態1に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the recording head according to the first embodiment of the invention. 一実施形態に係るインクジェット式記録装置の概略図である。1 is a schematic view of an ink jet recording apparatus according to an embodiment.

以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例を示す分解斜視図であり、図
2は、図1の平面図及び断面図である。図示するように、本実施形態の第1の基板である
流路形成基板10は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化により
形成した二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、
第1の流路である圧力発生室12がその幅方向に複数並設されている。また、流路形成基
板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には、インク供給路14と連通路13とが
隔壁によって区画されている。
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments.
(Embodiment 1)
1 is an exploded perspective view illustrating an example of a liquid jet head according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view of FIG. As shown in the figure, the flow path forming substrate 10 as the first substrate of the present embodiment is made of a silicon single crystal substrate, and an elastic film 50 made of silicon dioxide previously formed by thermal oxidation is formed on one surface thereof. Has been. The flow path forming substrate 10 includes
A plurality of pressure generating chambers 12 as first flow paths are arranged in parallel in the width direction. In addition, an ink supply path 14 and a communication path 13 are partitioned by a partition wall in a region outside the longitudinal direction of the pressure generating chamber 12 of the flow path forming substrate 10.

このような流路形成基板10は、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハーに複
数個が一体的に形成され、詳しくは後述するが、この流路形成基板用ウェハーに圧力発生
室12等を形成した後、この流路形成基板用ウェハーを分割することによって形成される
A plurality of such flow path forming substrates 10 are integrally formed on a flow path forming substrate wafer, which is a silicon wafer. As will be described in detail later, a pressure generating chamber 12 and the like are provided on the flow path forming substrate wafer. After the formation, the flow path forming substrate wafer is formed by dividing.

また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反
対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が接着剤や熱
溶着フィルム等を介して固着されている。なお、ノズルプレート20は、ガラスセラミッ
クス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。
Further, on the opening surface side of the flow path forming substrate 10, a nozzle plate 20 having a nozzle opening 21 communicating with the vicinity of the end portion of each pressure generating chamber 12 on the side opposite to the ink supply path 14 is provided with an adhesive or It is fixed via a heat welding film or the like. The nozzle plate 20 is made of glass ceramics, a silicon single crystal substrate, stainless steel, or the like.

一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜5
0が形成され、この弾性膜50上には、例えば、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55
が形成されている。さらに、この絶縁体膜55上には、第1電極60と圧電体層70と第
2電極80とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子300を構成している。
なお、本実施形態では、シリコン酸化膜である弾性膜50上に絶縁体膜55を介して圧電
素子300が形成されているが、シリコン酸化膜側に圧電素子300が形成されていると
は、シリコン酸化膜の直上に圧電素子が形成されたものも、また、シリコン酸化膜上に他
の膜(本実施形態では絶縁体膜55)が形成され、他の膜上に圧電素子300が形成され
たものも含むものである。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び
第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通
電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成す
る。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層70から構成さ
れ、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部320という。本
実施形態では、第1電極60は圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子
300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。
何れの場合においても、各圧力発生室毎に圧電体能動部320が形成されていることにな
る。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振
動板とを合わせて圧電アクチュエーターと称する。なお、上述した例では、弾性膜50、
絶縁体膜55及び第1電極60が振動板として作用するが、勿論これに限定されるもので
はなく、例えば、弾性膜50及び 絶縁体膜55を設けずに、第1電極60のみが振動板
として作用するようにしてもよい。また、圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねる
ようにしてもよい。
On the other hand, on the side opposite to the opening surface of the flow path forming substrate 10 as described above, the elastic film 5 is provided.
0 is formed on the elastic film 50, for example, an insulator film 55 made of zirconium oxide.
Is formed. Further, the first electrode 60, the piezoelectric layer 70, and the second electrode 80 are laminated on the insulator film 55 by a process described later to constitute the piezoelectric element 300.
In this embodiment, the piezoelectric element 300 is formed on the elastic film 50, which is a silicon oxide film, via the insulator film 55, but the piezoelectric element 300 is formed on the silicon oxide film side. In the case where the piezoelectric element is formed directly on the silicon oxide film, another film (insulator film 55 in this embodiment) is formed on the silicon oxide film, and the piezoelectric element 300 is formed on the other film. It also includes the ones. Here, the piezoelectric element 300 refers to a portion including the first electrode 60, the piezoelectric layer 70, and the second electrode 80. In general, one electrode of the piezoelectric element 300 is used as a common electrode, and the other electrode and the piezoelectric layer 70 are patterned for each pressure generating chamber 12. In this case, a portion that is configured by any one of the patterned electrodes and the piezoelectric layer 70 and in which piezoelectric distortion is generated by applying a voltage to both electrodes is referred to as a piezoelectric active portion 320. In the present embodiment, the first electrode 60 is a common electrode of the piezoelectric element 300, and the second electrode 80 is an individual electrode of the piezoelectric element 300. However, there is no problem even if this is reversed for the convenience of the drive circuit and wiring.
In either case, the piezoelectric active part 320 is formed for each pressure generating chamber. Further, here, the piezoelectric element 300 and a vibration plate that is displaced by driving the piezoelectric element 300 are collectively referred to as a piezoelectric actuator. In the above example, the elastic membrane 50,
The insulator film 55 and the first electrode 60 act as a diaphragm, but of course, the present invention is not limited to this. For example, without providing the elastic film 50 and the insulator film 55, only the first electrode 60 is a diaphragm. You may make it act as. Further, the piezoelectric element 300 itself may substantially serve as a diaphragm.

また、圧電素子300は、耐湿性を有する絶縁材料からなる保護膜200によって覆わ
れている。本実施形態では、保護膜200を圧電体層70の側面と第2電極80の側面及
び上面の周縁部を覆い、且つ複数の圧電素子300に亘って連続して設けるようにした。
すなわち、第2電極80の上面の略中心領域である主要部は、保護膜200が設けられて
おらず、第2電極80の上面の主要部を開口する開口部201が設けられている。
The piezoelectric element 300 is covered with a protective film 200 made of an insulating material having moisture resistance. In the present embodiment, the protective film 200 covers the side surface of the piezoelectric layer 70, the side surface of the second electrode 80, and the peripheral edge of the upper surface, and is continuously provided across the plurality of piezoelectric elements 300.
That is, the main part, which is a substantially central region on the upper surface of the second electrode 80, is not provided with the protective film 200, but is provided with the opening 201 that opens the main part of the upper surface of the second electrode 80.

開口部201は、保護膜200を厚さ方向に貫通して圧電素子300の長手方向に沿っ
て矩形状に開口するものであり、例えば、流路形成基板10上の全面に亘って保護膜20
0を形成した後、選択的にパターニングすることで形成することができる。
The opening 201 penetrates the protective film 200 in the thickness direction and opens in a rectangular shape along the longitudinal direction of the piezoelectric element 300. For example, the protective film 20 extends over the entire surface of the flow path forming substrate 10.
After forming 0, it can be formed by selective patterning.

このように圧電素子300を保護膜200で覆うことにより、大気中の水分等に起因す
る圧電素子300の破壊を防止することができる。ここで、このような保護膜200の材
料としては、耐湿性を有する材料であればよいが、例えば、酸化シリコン(SiOx)、
酸化タンタル(TaOx)、酸化アルミニウム(AlOx)等の無機絶縁材料、または、
ポリイミド(PI)等の有機絶縁材料を用いることができる。
By covering the piezoelectric element 300 with the protective film 200 in this way, it is possible to prevent the piezoelectric element 300 from being destroyed due to moisture in the atmosphere. Here, as a material of such a protective film 200, any material having moisture resistance may be used. For example, silicon oxide (SiOx),
Inorganic insulating materials such as tantalum oxide (TaOx), aluminum oxide (AlOx), or
An organic insulating material such as polyimide (PI) can be used.

また、保護膜200に開口部201を設けることにより、保護膜200が圧電素子30
0の変位を阻害することなく、インク吐出特性を良好に保持することができる。
Further, by providing the opening 201 in the protective film 200, the protective film 200 is made to have the piezoelectric element 30.
The ink ejection characteristics can be maintained satisfactorily without hindering zero displacement.

なお、保護膜200は、圧電素子300の少なくとも圧電体層70の表面を覆うように
設ければよく、各圧電素子300毎に保護膜を設け、複数の圧電素子300に亘って不連
続となるようにしてもよい。
The protective film 200 may be provided so as to cover at least the surface of the piezoelectric layer 70 of the piezoelectric element 300. A protective film is provided for each piezoelectric element 300 and is discontinuous across the plurality of piezoelectric elements 300. You may do it.

この保護膜200上には、リード電極90が設けられている。リード電極90は、本実
施形態では、例えば、保護膜200上に設けられたニッケル−クロムからなる密着層91
と、密着層91上に設けられて金(Au)等からなる導電層92とを有する。このような
リード電極90は、保護膜200に設けられた連通孔202を介して一端部が第2電極8
0に接続されると共に、他端部が流路形成基板10のインク供給路14とは反対側まで延
設され、延設された先端部が、後述する圧電素子300を駆動する駆動回路120と接続
配線121を介して接続されている。
A lead electrode 90 is provided on the protective film 200. In the present embodiment, the lead electrode 90 is, for example, an adhesion layer 91 made of nickel-chromium provided on the protective film 200.
And a conductive layer 92 made of gold (Au) or the like provided on the adhesion layer 91. One end of the lead electrode 90 is connected to the second electrode 8 through the communication hole 202 provided in the protective film 200.
0, and the other end extends to the side opposite to the ink supply path 14 of the flow path forming substrate 10, and the extended front end is a drive circuit 120 that drives a piezoelectric element 300 to be described later. They are connected via connection wiring 121.

また、流路形成基板10上の圧電素子300側の面には、圧電素子300に相対向する
領域に、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部31が設
けられた第2の基板である保護基板30が接着剤35を介して接着されている。なお、圧
電素子保持部31は、圧電素子300の運動を損害しない程度の空間を有していればよく
、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。
In addition, a piezoelectric element holding portion 31 having a space that does not hinder the movement of the piezoelectric element 300 is provided in a region facing the piezoelectric element 300 on the surface on the piezoelectric element 300 side on the flow path forming substrate 10. A protective substrate 30 as a second substrate is bonded via an adhesive 35. In addition, the piezoelectric element holding part 31 should just have the space of the grade which does not damage the motion of the piezoelectric element 300, and the said space may be sealed or may not be sealed.

また、保護基板30の圧電素子保持部31は、リード電極90の端部を露出する大きさ
で設けられており、保護基板30から露出されたリード電極90の端部が配線121を介
して駆動回路120と接続される。なお、保護基板30の材料としては、例えば、ガラス
、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、流路形成基板10の熱膨張率と略同
一の材料で形成されていることがより好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同
一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
The piezoelectric element holding portion 31 of the protective substrate 30 is provided with a size that exposes the end of the lead electrode 90, and the end of the lead electrode 90 exposed from the protective substrate 30 is driven via the wiring 121. The circuit 120 is connected. In addition, examples of the material of the protective substrate 30 include glass, ceramic material, metal, resin, and the like, but it is more preferable that the material is substantially the same as the coefficient of thermal expansion of the flow path forming substrate 10. In this embodiment, the silicon single crystal substrate made of the same material as the flow path forming substrate 10 is used.

また、保護基板30の表面には、シリコン単結晶基板を熱酸化することにより形成され
た二酸化シリコンからなる保護基板用保護膜32が設けられている。この保護基板用保護
膜32は、保護基板30に圧電素子保持部31を異方性エッチングで形成する際のマスク
としても使用することができる。
A protective substrate protective film 32 made of silicon dioxide formed by thermally oxidizing a silicon single crystal substrate is provided on the surface of the protective substrate 30. The protective substrate protective film 32 can also be used as a mask when the piezoelectric element holding portion 31 is formed on the protective substrate 30 by anisotropic etching.

このような保護基板30は、流路形成基板10の圧電素子300側の面に接着剤35を
介して接合されている。
Such a protective substrate 30 is bonded to the surface of the flow path forming substrate 10 on the piezoelectric element 300 side via an adhesive 35.

ここで、図3に示すように、保護基板30と流路形成基板10との接合領域の内、後述
するインク流路が設けられた連通路13側の接合領域Sには、流路形成基板10上に設け
られて圧電素子300及び圧電素子300に接続された配線(本実施形態ではリード電極
90)と同じ層構造を有するが圧電素子300とは電気的に接続されていない積層体40
0が設けられた第1接合領域S1と、二酸化シリコンからなる弾性膜50と、保護基板用
保護膜32とが接着剤35によって直接接着された第2接合領域S2とを有する。
Here, as shown in FIG. 3, in the bonding region between the protective substrate 30 and the flow channel forming substrate 10, the flow channel forming substrate is provided in the bonding region S on the side of the communication channel 13 provided with the ink flow channel described later. 10 has the same layer structure as the piezoelectric element 300 and the wiring (the lead electrode 90 in this embodiment) connected to the piezoelectric element 300, but is not electrically connected to the piezoelectric element 300.
The first bonding region S1 provided with 0, the elastic film 50 made of silicon dioxide, and the second bonding region S2 in which the protective film 32 for the protective substrate is directly bonded by the adhesive 35.

すなわち、流路形成基板10上の接合領域S1には、第1電極60と同一層からなるが
、第1電極60と不連続な第1電極積層部61と、圧電体層70と同一層からなるが圧電
体層70と不連続な圧電体層積層部71と、第2電極80と同一層からなるが第2電極8
0と不連続な第2電極積層部81と、が積層されている。また、第2電極積層部81上に
は、保護膜200と同一層からなるが、保護膜200とは不連続な保護膜積層部203と
、リード電極90を構成する密着層91及び導電層92と同一層からなるが、リード電極
90とは不連続となるリード電極積層部93(密着層積層部94及び導電層積層部95)
とが設けられている。
That is, the bonding region S1 on the flow path forming substrate 10 is composed of the same layer as the first electrode 60, but from the same layer as the first electrode 60, the discontinuous first electrode stack 61, and the piezoelectric layer 70. The piezoelectric layer 70 is discontinuous with the piezoelectric layer stacking portion 71, and the second electrode 8 is formed of the same layer as the second electrode 80.
0 and a discontinuous second electrode laminated portion 81 are laminated. On the second electrode laminated portion 81, the protective film 200 is made of the same layer as the protective film 200, but is discontinuous with the protective film 200, and the adhesion layer 91 and the conductive layer 92 that constitute the lead electrode 90. The lead electrode laminated portion 93 (adhesive layer laminated portion 94 and conductive layer laminated portion 95) is made of the same layer as that of the lead electrode 90 but is discontinuous with the lead electrode 90.
And are provided.

そして、これら第1電極積層部61、圧電体層積層部71、第2電極積層部81、保護
膜積層部203、リード電極積層部93によって積層体400が構成されている。具体的
には、積層体400は、第1電極積層部61、圧電体層積層部71、第2電極積層部81
、保護膜積層部203、リード電極積層部93が順次積層されたものであり、リード電極
積層部93は、保護膜積層部203上から積層体400の側面を覆い弾性膜50上まで延
設されている。
The first electrode laminated portion 61, the piezoelectric layer laminated portion 71, the second electrode laminated portion 81, the protective film laminated portion 203, and the lead electrode laminated portion 93 constitute a laminated body 400. Specifically, the laminate 400 includes a first electrode laminate 61, a piezoelectric layer laminate 71, and a second electrode laminate 81.
The protective film stacking portion 203 and the lead electrode stacking portion 93 are sequentially stacked. The lead electrode stacking portion 93 extends from the protective film stacking portion 203 to the elastic film 50 so as to cover the side surface of the stacked body 400. ing.

第2接合領域S2では、流路形成基板10上の絶縁体膜55が除去されて、弾性膜50
が露出されており、流路形成基板10の弾性膜50と保護基板30の保護基板用保護膜3
2とが、接着剤を介して直接接合されている。すなわち、流路形成基板10と保護基板3
0とは、2つのシリコン酸化膜である弾性膜50及び保護基板用保護膜32が直接接着剤
35を介して接合されている。
In the second bonding region S2, the insulator film 55 on the flow path forming substrate 10 is removed, and the elastic film 50 is removed.
Are exposed, and the protective film 3 of the protective substrate 30 and the elastic film 50 of the flow path forming substrate 10 are protected.
2 are directly joined via an adhesive. That is, the flow path forming substrate 10 and the protective substrate 3
With 0, the elastic film 50 and the protective film 32 for protective substrates which are two silicon oxide films are directly joined through the adhesive 35.

このような第1接合領域S1及び第2接合領域S2の接合領域Sは、第2接合領域S2
がインク流路であるリザーバー105側となり、第1接合領域S1が圧電素子保持部31
側となるように配置されている。
The bonding region S of the first bonding region S1 and the second bonding region S2 is the second bonding region S2.
Is on the side of the reservoir 105, which is an ink flow path, and the first bonding region S1 is the piezoelectric element holding portion 31.
It is arranged to be on the side.

このように、接合領域Sに積層体400を設けた第1接合領域S1を設けることで、積
層体400によって、第2接合領域S2の流路形成基板10と保護基板30とのギャップ
を確保し、第2接合領域S2において接着剤35の厚さを確保して、接合強度を向上する
ことができる。また、積層体400を設けることによって、接着剤35を第2接合領域S
2に残存させることができるため、接着剤35が接合領域Sから外側の余分な領域に流出
する量を減少させることができる。これにより、余分な接着剤35の付着による圧電素子
300の変位低下や、接着剤の異物化によるノズル開口21の目詰まり等の不具合を抑制
することができる。
As described above, by providing the first bonding region S1 in which the stacked body 400 is provided in the bonding region S, the stacked body 400 secures a gap between the flow path forming substrate 10 and the protective substrate 30 in the second bonding region S2. In the second bonding region S2, the thickness of the adhesive 35 can be secured to improve the bonding strength. Further, by providing the stacked body 400, the adhesive 35 is allowed to move to the second bonding region S.
2, the amount of the adhesive 35 flowing out from the joining region S to the outer excess region can be reduced. As a result, it is possible to suppress problems such as a decrease in displacement of the piezoelectric element 300 due to the adhesion of excess adhesive 35 and clogging of the nozzle opening 21 due to the formation of foreign material in the adhesive.

また、第2接合領域S2において、シリコン酸化膜である弾性膜50と保護基板用保護
膜32とを接着剤35で直接接着することによって、接合強度を向上することができる。
ちなみに、シリコン酸化膜同士の接着は、酸化ジルコニウムである絶縁体膜55を用いた
場合よりもその強度が高く、また、その他の圧電素子300を構成する各層や配線層に比
べても強度が高い。
Further, in the second bonding region S2, the bonding strength can be improved by directly bonding the elastic film 50, which is a silicon oxide film, and the protective film 32 for the protective substrate with the adhesive 35.
Incidentally, the adhesion between the silicon oxide films is higher than that when the insulator film 55 made of zirconium oxide is used, and the strength is higher than each layer or wiring layer constituting the other piezoelectric elements 300. .

さらに、第1接合領域S1には、積層体400として、圧電素子300と同一層の第1
電極積層部61、圧電体層積層部71及び第2電極積層部81を積層し、その上に積層体
400の側面を覆い流路形成基板10上に至るまでリード電極と同一層のリード電極積層
部93を設けるようにした。このため、積層体400は、接着剤35と接触する領域の略
全てがリード電極積層部93、特に金(Au)の導電層92と同一層の導電層積層部95
となっている。このように金(Au)からなる導電層積層部95と接着剤35との接着力
は強く、接着強度を確保することができる。また、たとえインクが流路形成基板10や保
護基板30の接着剤35との界面を伝って侵入したとしても、金(Au)からなる導電層
積層部95が圧電素子保持部31側へのインクの侵入を抑制することができると共に、導
電層積層部95が積層体400の層間にインクが侵入するのを抑制して層間剥離を抑制す
ることができる。
Further, in the first bonding region S1, the first layer of the same layer as the piezoelectric element 300 is formed as the stacked body 400.
The electrode laminated portion 61, the piezoelectric layer laminated portion 71, and the second electrode laminated portion 81 are laminated, and the lead electrode laminated on the same layer as the lead electrode is formed so as to cover the side surface of the laminated body 400 and reach the flow path forming substrate 10. A portion 93 is provided. For this reason, in the laminate 400, substantially all of the region in contact with the adhesive 35 is the same layer as the lead electrode laminate portion 93, particularly the conductive layer 92 of gold (Au).
It has become. Thus, the adhesive force between the conductive layer laminate portion 95 made of gold (Au) and the adhesive 35 is strong, and the adhesive strength can be ensured. Further, even if the ink enters through the interface with the adhesive 35 of the flow path forming substrate 10 or the protective substrate 30, the conductive layer stacking portion 95 made of gold (Au) has the ink to the piezoelectric element holding portion 31 side. Can be suppressed, and the conductive layer stacking portion 95 can suppress ink from entering between the layers of the stacked body 400 to suppress delamination.

流路形成基板10及び保護基板30の連通路13側には、これらとは別部材の封止部材
100が設けられており、封止部材100と流路形成基板10及び保護基板30との間に
、連通路13に連通する連通部15と、第2の流路であるリザーバー部33とが画成され
ている。このリザーバー部33は、本実施形態では、保護基板30の側方に厚さ方向に亘
って延設され、上述したように流路形成基板10の連通部15と連通されて各圧力発生室
12の共通のインク室となるリザーバー105を構成している。すなわち、本実施形態で
は、保護基板30の側面によってリザーバー部33の内側面が画成されていることから、
保護基板30に第2の流路であるリザーバー部33が形成されていることになる。
A sealing member 100 that is a separate member is provided on the communication path 13 side of the flow path forming substrate 10 and the protective substrate 30, and between the sealing member 100 and the flow path forming substrate 10 and the protective substrate 30. In addition, a communication part 15 communicating with the communication path 13 and a reservoir part 33 as a second flow path are defined. In the present embodiment, the reservoir portion 33 extends in the thickness direction to the side of the protective substrate 30 and communicates with the communication portion 15 of the flow path forming substrate 10 as described above, so that each pressure generating chamber 12 is connected. A reservoir 105 serving as a common ink chamber is configured. That is, in the present embodiment, since the inner side surface of the reservoir portion 33 is defined by the side surface of the protective substrate 30,
The reservoir portion 33 as the second flow path is formed on the protective substrate 30.

さらに、保護基板30及び封止部材100の上側には、これらを跨ぐように、封止膜4
1及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。封止膜41は
、剛性が低く可撓性を有する材料(例えば、厚さが6μmのポリフェニレンサルファイド
(PPS)フィルム)からなり、この封止膜41によってリザーバー部33の一方面が封
止されている。また、固定板42は、ステンレス鋼(SUS)等の金属等の硬質の材料で
形成される。この固定板42のリザーバー105に対向する領域は、厚さ方向に完全に除
去された開口部43となっているため、リザーバー105の一方面は可撓性を有する封止
膜41のみで封止されている。
Further, on the upper side of the protective substrate 30 and the sealing member 100, the sealing film 4 is disposed so as to straddle them.
A compliance substrate 40 including 1 and a fixing plate 42 is joined. The sealing film 41 is made of a material having low rigidity and flexibility (for example, a polyphenylene sulfide (PPS) film having a thickness of 6 μm). The sealing film 41 seals one surface of the reservoir portion 33. Yes. The fixing plate 42 is formed of a hard material such as a metal such as stainless steel (SUS). Since the region of the fixing plate 42 facing the reservoir 105 is an opening 43 that is completely removed in the thickness direction, one surface of the reservoir 105 is sealed only with a flexible sealing film 41. Has been.

なお、このようなインクジェット式記録ヘッドは、図示しない外部インク供給手段から
インクを取り込み、リザーバー105からノズル開口21に至るまで内部をインクで満た
した後、図示しない駆動回路からの記録信号に従い、外部配線を介して圧力発生室12に
対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、絶
縁体膜55、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生
室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。
Note that such an ink jet recording head takes in ink from an external ink supply means (not shown), fills the interior from the reservoir 105 to the nozzle opening 21, and then externally in accordance with a recording signal from a drive circuit (not shown). A voltage is applied between each of the first electrode 60 and the second electrode 80 corresponding to the pressure generating chamber 12 via the wiring, and the elastic film 50, the insulator film 55, the first electrode 60, and the piezoelectric layer 70 are connected. By deflecting and deforming, the pressure in each pressure generating chamber 12 is increased and ink droplets are ejected from the nozzle openings 21.

以下、このような本実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドの製造方法について説
明する。なお、図4〜図7は、インクジェット式記録ヘッドの製造工程を説明する図であ
り、圧力発生室の長手方向の断面図である。
Hereinafter, a method for manufacturing the ink jet recording head according to the present embodiment will be described. 4 to 7 are diagrams for explaining the manufacturing process of the ink jet recording head, and are sectional views in the longitudinal direction of the pressure generating chamber.

まず、図4(a)に示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー11
0を約1100℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコン
膜52を形成する。
First, as shown in FIG. 4A, a flow path forming substrate wafer 11 which is a silicon wafer.
0 is thermally oxidized in a diffusion furnace at about 1100 ° C., and a silicon dioxide film 52 constituting the elastic film 50 is formed on the surface thereof.

次いで、図4(b)に示すように、弾性膜50(二酸化シリコン膜52)上に、ジルコ
ニウム(Zr)層を形成後、例えば、500〜1200℃の拡散炉で熱酸化して酸化ジル
コニウム(ZrO)からなる絶縁体膜55を形成する。また、第2接合領域S2となる
領域の絶縁体膜55を除去して弾性膜50を露出させる。
Next, as shown in FIG. 4B, a zirconium (Zr) layer is formed on the elastic film 50 (silicon dioxide film 52), and then thermally oxidized in a diffusion furnace at 500 to 1200 ° C., for example, to form zirconium oxide ( An insulator film 55 made of ZrO 2 ) is formed. Further, the insulating film 55 in the region to be the second bonding region S2 is removed to expose the elastic film 50.

次いで、図4(c)に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜55上に積
層することにより第1電極60を形成後、この第1電極60を所定形状にパターニングす
る。このとき、第1電極60の一部を残留させて、積層体400を構成する第1電極積層
部61を同時に形成する。
Next, as shown in FIG. 4C, for example, after the first electrode 60 is formed by laminating platinum and iridium on the insulator film 55, the first electrode 60 is patterned into a predetermined shape. At this time, a part of the first electrode 60 is left, and the first electrode stacked portion 61 constituting the stacked body 400 is simultaneously formed.

次に、図4(d)に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等からなる
圧電体層70と、例えば、イリジウム(Ir)からなる第2電極80とを流路形成基板用
ウェハー110の全面に形成し、圧電体層70及び第2電極80をパターニングして、各
圧力発生室12となる領域に圧電素子300を形成する。このとき、同時に圧電体層70
及び第2電極80の一部を第1電極積層部61上に残留させることで、圧電体層積層部7
1と第2電極積層部81とを形成する。
Next, as shown in FIG. 4D, for example, a piezoelectric layer 70 made of lead zirconate titanate (PZT) or the like and a second electrode 80 made of iridium (Ir), for example, are connected to the flow path forming substrate. The piezoelectric layer 300 is formed on the entire surface of the wafer 110, and the piezoelectric layer 70 and the second electrode 80 are patterned to form the piezoelectric elements 300 in the regions to be the pressure generation chambers 12. At this time, the piezoelectric layer 70 simultaneously
In addition, by leaving a part of the second electrode 80 on the first electrode laminated portion 61, the piezoelectric layer laminated portion 7.
1 and the second electrode laminated portion 81 are formed.

次いで、図5(a)に示すように、保護膜200を流路形成基板10の全面に亘って形
成し、所定形状にパターニングすると共に開口部201及び連通孔202を形成する。ま
た、このとき、同時に保護膜200の一部を第2電極積層部81上に残留させることで、
保護膜積層部203を形成する。
Next, as shown in FIG. 5A, the protective film 200 is formed over the entire surface of the flow path forming substrate 10, patterned into a predetermined shape, and the opening 201 and the communication hole 202 are formed. In addition, at this time, by leaving a part of the protective film 200 on the second electrode laminated portion 81 at the same time,
A protective film stack 203 is formed.

次いで、図5(b)に示すように、リード電極90(密着層91及び導電層92)を流
路形成基板10の全面に亘って形成すると共に圧電素子300毎にパターニングする。こ
のとき、同時にリード電極90の一部を第2電極積層部81上に残留させることで、リー
ド電極積層部93(密着層積層部94及び導電層積層部95)を形成して、積層体400
を形成する。
Next, as shown in FIG. 5B, lead electrodes 90 (adhesion layer 91 and conductive layer 92) are formed over the entire surface of the flow path forming substrate 10 and patterned for each piezoelectric element 300. At this time, a part of the lead electrode 90 is left on the second electrode laminate portion 81 at the same time, thereby forming the lead electrode laminate portion 93 (the adhesion layer laminate portion 94 and the conductive layer laminate portion 95), and the laminate 400.
Form.

次に、図5(c)に示すように、流路形成基板用ウェハー110の圧電素子300側に
、シリコンウェハーからなり複数の保護基板30となる保護基板用ウェハー130を接着
剤35を介して接合する。保護基板30には、圧電素子保持部31が予め形成されている
と共に、保護基板用保護膜32が予め形成されている。この流路形成基板用ウェハー11
0と保護基板用ウェハー130とを接合することにより、両者の接合領域Sには、積層体
400が設けられた第1接合領域S1と、シリコン酸化膜である弾性膜50とシリコン酸
化膜である保護基板用保護膜32とが接着剤35で直接接着された第2接合領域S2とが
形成される。この両者の接着時において、流路形成基板用ウェハー110と保護基板用ウ
ェハー130との接合領域Sの第1接合領域S1には積層体400が設けられているため
、第2接合領域S2では、積層体400の厚さ以上の厚さの接着剤35を形成することが
できる。これにより、接合領域Sの接着剤35を確保して、接合強度を向上することがで
きると共に、接合領域Sを介したインクの侵入を抑制することができる。
Next, as shown in FIG. 5C, a protective substrate wafer 130 made of a silicon wafer and serving as a plurality of protective substrates 30 is placed on the piezoelectric element 300 side of the flow path forming substrate wafer 110 via an adhesive 35. Join. A piezoelectric element holding portion 31 is formed in advance on the protective substrate 30, and a protective film 32 for protective substrate is formed in advance. This flow path forming substrate wafer 11
0 and the protective substrate wafer 130 are bonded to each other in the bonding region S of the first bonding region S1 provided with the stacked body 400, the elastic film 50 that is a silicon oxide film, and the silicon oxide film. A second bonding region S <b> 2 in which the protective film 32 for the protective substrate is directly bonded with the adhesive 35 is formed. Since the laminated body 400 is provided in the first bonding region S1 of the bonding region S between the flow path forming substrate wafer 110 and the protective substrate wafer 130 at the time of bonding the both, in the second bonding region S2, The adhesive 35 having a thickness greater than or equal to the thickness of the stacked body 400 can be formed. Thereby, it is possible to secure the adhesive 35 in the bonding region S and improve the bonding strength, and to suppress the intrusion of ink through the bonding region S.

なお、保護基板用ウェハー130を接合することによって流路形成基板用ウェハー11
0の剛性は著しく向上することになる。
Note that the flow path forming substrate wafer 11 is formed by bonding the protective substrate wafer 130.
A zero stiffness will be significantly improved.

次に、図6(a)に示すように、流路形成基板用ウェハー110を所定の厚さに薄くす
る。次いで、図6(b)に示すように、流路形成基板用ウェハー110上に、例えば、窒
化シリコン(SiN)からなるマスク膜51を新たに形成し、所定形状にパターニングす
る。
Next, as shown in FIG. 6A, the flow path forming substrate wafer 110 is thinned to a predetermined thickness. Next, as shown in FIG. 6B, a mask film 51 made of, for example, silicon nitride (SiN) is newly formed on the flow path forming substrate wafer 110 and patterned into a predetermined shape.

そして、マスク膜51を介して流路形成基板用ウェハー110をアルカリ性のエッチン
グ溶液により異方性エッチングすることにより、図6(c)に示すように、流路形成基板
用ウェハー110に圧力発生室12、連通路13、インク供給路14等を形成する。
Then, the flow path forming substrate wafer 110 is anisotropically etched with an alkaline etching solution through the mask film 51, so that a pressure generating chamber is formed in the flow path forming substrate wafer 110 as shown in FIG. 6C. 12, a communication path 13, an ink supply path 14, and the like are formed.

次に、流路形成基板用ウェハー110及び保護基板用ウェハー130を図7(a)に示
すような一つのヘッドチップのサイズに分割する(流路形成基板10及び保護基板30と
なる)。このとき、連通部15及びリザーバー部33を画成する隔壁の一方側は、流路形
成基板用ウェハー110及び保護基板用ウェハー130から切り出す必要がないので、ヘ
ッドチップの取り数を10〜20%程度は増大することができる。
Next, the flow path forming substrate wafer 110 and the protective substrate wafer 130 are divided into the size of one head chip as shown in FIG. 7A (becomes the flow path forming substrate 10 and the protective substrate 30). At this time, one side of the partition wall defining the communication portion 15 and the reservoir portion 33 does not need to be cut out from the flow path forming substrate wafer 110 and the protective substrate wafer 130. The degree can be increased.

次いで、図7(b)に示すように、各ヘッドチップに対応する流路形成基板10及び保
護基板30にノズルプレート20及び封止部材100を接着して固定し、さらに、保護基
板30と封止部材100とを跨ぐようにコンプライアンス基板40を接合してリザーバー
部33の上側を封止することにより、上述した連通部15及びリザーバー部33を封止し
、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。
Next, as shown in FIG. 7B, the nozzle plate 20 and the sealing member 100 are bonded and fixed to the flow path forming substrate 10 and the protective substrate 30 corresponding to each head chip, and further, the protective substrate 30 and the sealing substrate 30 are sealed. By joining the compliance substrate 40 so as to straddle the stop member 100 and sealing the upper side of the reservoir portion 33, the communication portion 15 and the reservoir portion 33 described above are sealed, and the ink jet recording head of the present embodiment To do.

このように、本実施形態では、連通部15及びリザーバー部33の一部を封止する封止
部材100をウェハーから形成する流路形成基板10及び保護基板30とは別部材として
、ヘッドチップ毎に分割した後、接着するようにしたので、ウェハーでの取り数が増大し
、低コスト化を図ることができる。
As described above, in the present embodiment, the sealing member 100 that seals a part of the communication portion 15 and the reservoir portion 33 is provided as a separate member from the flow path forming substrate 10 and the protective substrate 30 that are formed from the wafer, for each head chip. Then, the number of wafers is increased and the cost can be reduced.

また、封止部材100は、連通部15及びリザーバー部33を封止するための部材とし
てもよいが、ヘッドチップを固定するケースヘッドに一体的に設けられたものとするのが
好ましい。これによれば、ヘッドチップをケースヘッドに固定する工程で、連通部15及
びリザーバー部33を封止することができ、工程数を省くことができる。
The sealing member 100 may be a member for sealing the communication portion 15 and the reservoir portion 33, but is preferably provided integrally with a case head that fixes the head chip. According to this, in the step of fixing the head chip to the case head, the communication portion 15 and the reservoir portion 33 can be sealed, and the number of steps can be omitted.

(他の実施形態)
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに
限定されるものではない。例えば、上述した実施形態1では、流路形成基板10と保護基
板30との接着領域の内、圧電素子保持部31とリザーバー105との間の接合領域Sに
積層体400を設けるようにしたが、積層体400は、少なくともインク流路であるリザ
ーバー105側に設けられていればよく、圧電素子保持部31の周囲に亘る全ての接着領
域に亘って積層体400を設けるようにしてもよい。
(Other embodiments)
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, the basic composition of this invention is not limited to what was mentioned above. For example, in the first embodiment described above, the stacked body 400 is provided in the bonding region S between the piezoelectric element holding unit 31 and the reservoir 105 in the bonding region between the flow path forming substrate 10 and the protective substrate 30. The laminated body 400 only needs to be provided at least on the side of the reservoir 105 that is the ink flow path, and the laminated body 400 may be provided over the entire adhesion region around the piezoelectric element holding portion 31.

また、上述した実施形態1では、保護基板30と封止部材100とが別部材となったイ
ンクジェット式記録ヘッドIを例示したが、特にこれに限定されず、保護基板30と封止
部材100とが一体のインクジェット式記録ヘッドであっても本発明を適用することで同
様の効果を奏することができる。
In the first embodiment described above, the ink jet recording head I in which the protective substrate 30 and the sealing member 100 are separate members is illustrated. However, the invention is not limited to this, and the protective substrate 30 and the sealing member 100 are not limited thereto. Even if the ink jet recording head is integrated, the same effect can be obtained by applying the present invention.

さらに、上述した実施形態1のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等
と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット
式記録装置に搭載される。図8は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図で
ある。
Further, the ink jet recording head of the first embodiment described above constitutes a part of a recording head unit including an ink flow path communicating with an ink cartridge or the like, and is mounted on the ink jet recording apparatus. FIG. 8 is a schematic view showing an example of the ink jet recording apparatus.

図8に示すように、インクジェット式記録ヘッドを有するインクジェット式記録ヘッド
ユニット(液体噴射ヘッドユニット)1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカート
リッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、このインクジェット式記録ヘッドユニット1
A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸
方向移動自在に設けられている。このインクジェット式記録ヘッドユニット1A及び1B
は、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとし
ている。
As shown in FIG. 8, ink jet recording head units (liquid ejecting head units) 1A and 1B having an ink jet recording head are provided with cartridges 2A and 2B constituting an ink supply means in a detachable manner. Head unit 1
The carriage 3 on which A and 1B are mounted is provided on a carriage shaft 5 attached to the apparatus main body 4 so as to be axially movable. These ink jet recording head units 1A and 1B
For example, a black ink composition and a color ink composition are ejected, respectively.

そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を
介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキ
ャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5
に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙
等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになって
いる。
The driving force of the driving motor 6 is transmitted to the carriage 3 via a plurality of gears and timing belt 7 (not shown), so that the carriage 3 on which the recording head units 1A and 1B are mounted is moved along the carriage shaft 5. The On the other hand, the apparatus body 4 has a carriage shaft 5.
A recording sheet S that is a recording medium such as paper fed by a paper feed roller (not shown) is wound around the platen 8 and conveyed.

なお、図8に示す例では、インクジェット式記録ヘッドユニット1A、1Bは、それぞ
れ1つのインクジェット式記録ヘッドIを有するものとしたが、特にこれに限定されず、
例えば、1つのインクジェット式記録ヘッドユニット1A又は1Bが2以上のインクジェ
ット式記録ヘッドIを有するようにしてもよい。
In the example shown in FIG. 8, each of the ink jet recording head units 1 </ b> A and 1 </ b> B has one ink jet recording head I.
For example, one ink jet recording head unit 1A or 1B may have two or more ink jet recording heads I.

また、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、
本発明は、広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射す
る液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例
えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等
のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED
(電界放出ディスプレイ)等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchi
p製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
In addition, although an ink jet recording head has been described as an example of the liquid ejecting head,
The present invention is widely intended for all liquid ejecting heads, and can of course be applied to liquid ejecting heads that eject liquids other than ink. Other liquid ejecting heads include, for example, various recording heads used in image recording apparatuses such as printers, color material ejecting heads used for manufacturing color filters such as liquid crystal displays, organic EL displays, and FEDs.
Electrode material ejection head used for electrode formation for (field emission display), bio chi
Examples thereof include a bio-organic matter ejecting head used for p production.

I インクジェット式記録ヘッド(液体噴射へッド)、 II インクジェット式記録
装置(液体噴射装置)、 S 接合領域、 S1 第1接合領域、 S2 第2接合領域
、 10 流路形成基板(第1の基板)、 12 圧力発生室(第1の流路)、 13
連通路、 14 インク供給路、 20 ノズルプレート、 21 ノズル開口、 30
保護基板(第2の基板)、 32 保護基板用保護膜(シリコン酸化膜)、 33 リ
ザーバー部(第2の流路)、 35 接着剤、 50 弾性膜(シリコン酸化膜)、 6
0 第1電極、 70 圧電体層、 80 第2電極、 100 封止部材、 105
リザーバー、 110 流路形成基板用ウェハー、 130 保護基板用ウェハー、 2
00 保護膜、 300 圧電素子、 400 積層体
I ink jet recording head (liquid ejecting head), II ink jet recording apparatus (liquid ejecting apparatus), S joining region, S1 first joining region, S2 second joining region, 10 flow path forming substrate (first substrate) ), 12 Pressure generating chamber (first flow path), 13
Communication path, 14 Ink supply path, 20 Nozzle plate, 21 Nozzle opening, 30
Protective substrate (second substrate), 32 Protective substrate protective film (silicon oxide film), 33 Reservoir part (second flow path), 35 Adhesive, 50 Elastic film (silicon oxide film), 6
0 first electrode, 70 piezoelectric layer, 80 second electrode, 100 sealing member, 105
Reservoir, 110 wafer for flow path forming substrate, 130 wafer for protective substrate, 2
00 protective film, 300 piezoelectric element, 400 laminate

Claims (4)

液体を噴射するノズル開口に連通する第1の流路が形成された基板の一方面にシリコン酸化膜を形成し、当該シリコン酸化膜側に圧電素子が形成された第1の基板と、
前記第1の流路に連通する第2の流路を有すると共に、一方面にシリコン酸化膜が形成された第2の基板と、を有し、
前記第1の基板と前記第2の基板とが、それぞれ前記シリコン酸化膜側が互いに接着剤を介して接合された接合領域を有し、
前記接合領域には、前記シリコン酸化膜同士が互いに接着剤を介して接合された第1接合領域と、前記第1の基板の前記シリコン酸化膜側に設けられて、前記圧電素子及び当該圧電素子に接続された配線と同じ層構造であって、少なくとも前記圧電素子及び前記配線とは電気的に接続されていない積層体が設けられた第2接合領域と、を備え、さらに前記積層体は側面が前記配線と同じ層構造で覆われていることを特徴とする液体噴射へッド。
A first substrate in which a silicon oxide film is formed on one surface of a substrate on which a first flow path communicating with a nozzle opening for ejecting liquid is formed, and a piezoelectric element is formed on the silicon oxide film side;
A second substrate having a second channel communicating with the first channel and having a silicon oxide film formed on one surface thereof;
The first substrate and the second substrate each have a bonding region in which the silicon oxide film sides are bonded to each other via an adhesive,
The bonding region includes a first bonding region in which the silicon oxide films are bonded to each other via an adhesive, and the silicon oxide film side of the first substrate. The piezoelectric element and the piezoelectric element And a second bonding region provided with a laminated body that is at least electrically connected to the piezoelectric element and the wiring, and the laminated body has a side surface. Is covered with the same layer structure as the wiring .
請求項1又は2に記載の液体噴射へッドを2以上有することを特徴とする液体噴射ヘッドユニット。   A liquid ejecting head unit comprising two or more liquid ejecting heads according to claim 1. 請求項1又は2に記載の液体噴射へッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。   A liquid ejecting apparatus comprising the liquid ejecting head according to claim 1. 前記液体噴射へッドを2以上有することを特徴とする請求項4記載の液体噴射装置。   The liquid ejecting apparatus according to claim 4, comprising two or more liquid ejecting heads.
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