JP5440274B2 - 可変容量デバイス - Google Patents
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Description
図2において、可変容量デバイス1は、基板11、基板11上に形成された固定電極12、固定電極12の上に形成された誘電体層13、誘電体層13の上に形成されたキャパシタ電極14、および可動電極15などを有する。
すなわち、誘電正接tanδ=XCm/Rmは、接触抵抗Rmが接触容量Cmの抵抗成分(実数部分)であるとした場合のキャパシタとしての接触容量Cmの損失を示すこととなる。したがって接触抵抗Rmは、大きいほど損失が少なくなり、Q値が高くなる。しかし、可変容量デバイス1においては、キャパシタ電極14の機能上、無限大とすることはできず、有限の値である。例えば、Q値は、通常、40〜50程度、または50以上であり、100程度あれば十分であり、最大で1000程度である。
〔第2の実施形態〕
上に述べた第1の実施形態では、キャパシタ電極14と可動電極15とを、突起21を介して接触させることにより、適切な接触抵抗Rmを得た。第2の実施形態では、突起21に代えて抵抗層を用いる。
〔第3の実施形態〕
上に述べた第1および第2の実施形態では、1つのキャパシタ電極14と1つの可動電極15とを対向させた。第3の実施形態では、1つの可動電極15に対して、複数のキャパシタ電極14a〜cが対向して設けられる。
〔突起および抵抗層の形成方法〕
次に、突起21,21Bおよび抵抗層22,23の形成方法の例について説明する。
12 固定電極
13 誘電体層
14 キャパシタ電極
15 可動電極
21 突起
22,22B 抵抗層
23 抵抗層
Rm 接触抵抗
Cm 接触容量
Cb 静電容量(固定容量)
C1 静電容量(合成容量)
XCm リアクタンス
Claims (6)
- 固定電極と、
前記固定電極の上に形成された誘電体層と、
前記誘電体層の上に形成されたキャパシタ電極と、
前記キャパシタ電極に対向して設けられ前記キャパシタ電極に対して接離可能な可動電極と、を有し、
前記キャパシタ電極と前記可動電極との間においてその接触時における接触抵抗および接触容量が形成されており、
前記接触抵抗の抵抗値Rmおよび前記接触容量のリアクタンスXCmによる誘電正接tanδ=XCm/Rmの逆数をQ値としたときに、前記Q値が10以上となるように、前記抵抗値Rmが設定されている、
可変容量デバイス。 - 前記Q値が40以上となるように、前記抵抗値Rmが設定されている、
請求項1記載の可変容量デバイス - 前記抵抗値Rmが1KΩ以上である、
請求項1記載の可変容量デバイス - 前記キャパシタ電極または前記可動電極の表面に、前記接触抵抗を形成するための複数の突起が設けられている、
請求項1ないし3のいずれかに記載の可変容量デバイス - 前記キャパシタ電極または前記可動電極の表面に、前記接触抵抗を形成するための、抵抗材料を用いて形成された抵抗層が設けられている、
請求項1ないし3のいずれかに記載の可変容量デバイス - 1つの前記可動電極に対して、複数の前記キャパシタ電極が対向して設けられている、
請求項1ないし5のいずれかに記載の可変容量デバイス
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