JP5424178B2 - Spin injection device and magnetic apparatus using the same - Google Patents
Spin injection device and magnetic apparatus using the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP5424178B2 JP5424178B2 JP2011223518A JP2011223518A JP5424178B2 JP 5424178 B2 JP5424178 B2 JP 5424178B2 JP 2011223518 A JP2011223518 A JP 2011223518A JP 2011223518 A JP2011223518 A JP 2011223518A JP 5424178 B2 JP5424178 B2 JP 5424178B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- spin
- ferromagnetic
- spin injection
- injection device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
この発明は電子のスピンを制御した機能デバイス、特に超ギガビット大容量・高速・不揮発性磁気メモリに利用し、より小さな電流密度でスピン注入磁化反転可能にするためのスピン注入デバイスと、これを用いたスピン注入磁気装置並びにスピン注入磁気メモリ装置に関する。 The present invention is applied to a functional device that controls the spin of electrons, particularly a super gigabit large capacity, high speed, nonvolatile magnetic memory, and a spin injection device for enabling spin injection magnetization reversal at a smaller current density. The present invention relates to a spin injection magnetic device and a spin injection magnetic memory device.
近年、強磁性層/非磁性金属層/強磁性層からなる巨大磁気抵抗(GMR)効果素子および強磁性層/絶縁体層/強磁性層からなる強磁性スピントンネル接合(MTJ)素子が開発され、新しい磁界センサーや磁気メモリ(MRAM)への応用が期待されている。
GMRは、外部磁場によって2つの強磁性層の磁化を互いに平行あるいは反平行に制御することにより、界面でのスピン依存散乱によって抵抗が互いに異なることに起因して巨大磁気抵抗効果が得られている。一方、MTJでは、外部磁場によって2つの強磁性層の磁化を互いに平行あるいは反平行に制御することにより,膜面垂直方向のトンネル電流の大きさが互いに異なる、いわゆるトンネル磁気抵抗(TMR)効果が得られる(例えば、非特許文献1参照)。
In recent years, giant magnetoresistive (GMR) effect elements composed of ferromagnetic layers / nonmagnetic metal layers / ferromagnetic layers and ferromagnetic spin tunnel junction (MTJ) elements composed of ferromagnetic layers / insulator layers / ferromagnetic layers have been developed. Applications to new magnetic field sensors and magnetic memories (MRAM) are expected.
GMR achieves a giant magnetoresistance effect by controlling the magnetizations of two ferromagnetic layers in parallel or antiparallel to each other by an external magnetic field, resulting in different resistances due to spin-dependent scattering at the interface. . On the other hand, the MTJ has a so-called tunnel magnetoresistance (TMR) effect in which the magnitudes of tunnel currents in the direction perpendicular to the film surface are different from each other by controlling the magnetizations of two ferromagnetic layers in parallel or antiparallel to each other by an external magnetic field. Obtained (for example, see Non-Patent Document 1).
トンネル磁気抵抗率TMRは、用いる強磁性体と絶縁体との界面におけるスピン分極率P に依存し、二つの強磁性体のスピン分極率をそれぞれP1,P2とすると、一般に次の式(1)で与えられることが知られている。 The tunnel magnetoresistance TMR depends on the spin polarizability P 1 at the interface between the ferromagnet and the insulator to be used. If the spin polarizabilities of the two ferromagnets are P 1 and P 2 , respectively, the following equation ( It is known to be given in 1).
TMR=2P1P2/(1−P1P2) (1)
ここで、強磁性体のスピン分極率Pは0<P≦1の値をとる。
TMR = 2P 1 P 2 / (1-P 1 P 2 ) (1)
Here, the spin polarizability P of the ferromagnetic material takes a value of 0 <P ≦ 1.
現在、得られている室温における最大のトンネル磁気抵抗率TMRはP〜0.5のCoFe合金を用いた場合の約50パーセントである。
GMR素子はすでにハードデイスク用磁気ヘッドに実用化されている。MTJ素子は現在、ハードデイスク用磁気ヘッドおよび不揮発性磁気メモリ(MRAM)への応用が期待されている。
MRAMではMTJ素子をマトリックス状に配置し、別に設けた配線に電流を流して磁界を印加することで、各MTJ素子を構成する二つの磁性層を互いに平行、反平行に制御することにより、“1”、“0”を記録させる。読み出しはTMR効果を利用して行う。
しかし、MRAMでは大容量化のために素子サイズを小さくすると、反磁界の増大により磁化反転に必要な電流が増し、消費電力が増大するという解決すべき課題を抱えている。
Currently, the maximum tunneling magnetoresistance TMR obtained at room temperature is about 50 percent when using a CoFe alloy of P-0.5.
GMR elements have already been put to practical use in hard disk magnetic heads. The MTJ element is currently expected to be applied to a hard disk magnetic head and a non-volatile magnetic memory (MRAM).
In the MRAM, MTJ elements are arranged in a matrix, and a magnetic field is applied by passing a current through a separately provided wiring, thereby controlling the two magnetic layers constituting each MTJ element in parallel and antiparallel to each other. 1 ”and“ 0 ”are recorded. Reading is performed using the TMR effect.
However, MRAM has a problem to be solved that if the element size is reduced to increase the capacity, the current required for magnetization reversal increases due to an increase in the demagnetizing field and the power consumption increases.
このような課題を解決する方法としては、非磁性金属層を介して二つの磁性層が互いに反平行に結合している三層構造(人工反強磁性膜、Synthetic Antiferromagnetit、以下「SyAF」と記載する。)が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 As a method for solving such a problem, a three-layer structure in which two magnetic layers are coupled in antiparallel via a nonmagnetic metal layer (artificial antiferromagnetic film, hereinafter referred to as “SyAF”). Have been proposed (see, for example, Patent Document 1).
このようなSyAF構造を用いると反磁界が軽減するため、素子サイズを小さくしても磁化反転に必要な磁場が低減される。
一方、最近、電流磁場を用いない新しいスピン反転法が理論的に提案され(例えば、非特許文献2参照)、実験的にも実現されている(例えば、非特許文献3参照)。
When such a SyAF structure is used, the demagnetizing field is reduced, so that the magnetic field required for magnetization reversal is reduced even if the element size is reduced.
On the other hand, recently, a new spin inversion method that does not use a current magnetic field has been theoretically proposed (for example, see Non-Patent Document 2) and has been experimentally realized (for example, see Non-Patent Document 3).
このスピン反転法は、図15にその原理を示すように、第1の強磁性層61/非磁性金属層63/第2の強磁性層65からなる三層構造において、第2の強磁性層63から第1の強磁性層61に電流を流すと、第1の強磁性層61から非磁性金属層63を介して第2の強磁性層65にスピン偏極電子が注入され、第2の強磁性層65のスピンが反転するというものであり、スピン注入による磁化反転と呼ばれている。
As shown in FIG. 15, the spin inversion method uses a second ferromagnetic layer in a three-layer structure including a first
このスピン注入磁化反転は三層構造において、第1の強磁性層61のスピンが固定されているとすると、第1の強磁性層61から非磁性金属層63を経てスピン注入すると、注入した上向きスピン(多数スピン)が第2の強磁性層65のスピンにトルクを与え、そのスピンを同じ向きにそろえる。したがって、第1の強磁性層61と第2の強磁性層65のスピンが平行になる。
If the spin of the first
一方、電流の向きを逆に与え、第2の強磁性層65から第1の強磁性層61にスピン注入すると、第1の強磁性層61と非磁性金属層63との界面で下向きスピン(少数スピン)が反射し、反射したスピンが第2の強磁性層65のスピンにトルクを与え、そのスピンを同じ向き、つまり下向きにそろえようとする。その結果、第1の強磁性層61と第2の強磁性層65のスピンは反平行になる。
したがって、この三層構造のスピン注入磁化反転では、電流の向きを変えることによって第1の強磁性層と第2の強磁性層のスピンを平行にしたり反平行にしたりできる。
On the other hand, when the direction of the current is reversed and spin injection is performed from the second
Therefore, in the spin injection magnetization reversal of this three-layer structure, the spins of the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer can be made parallel or antiparallel by changing the direction of the current.
しかしながら、このようなスピン注入法は将来のナノ構造磁性体のスピン反転法として有望であるが、スピン注入による磁化反転に必要な電流密度が107A/cm2以上と非常に大きく、これが実用上の解決すべき課題となっていた。 However, although such a spin injection method is promising as a spin reversal method for a future nanostructured magnetic material, the current density required for magnetization reversal by spin injection is as large as 10 7 A / cm 2 or more, which is practical. It was a problem to be solved above.
ところが、本発明者らは、非磁性金属層を介して二つの強磁性層が互いに反平行に結合している三層構造に、別に設けた非磁性金属層あるいは絶縁層を介して強磁性層から電流を流すと、より小さな電流密度でスピン注入による磁化反転を起こすことができることを見出した。
さらに、上記三層構造の代りに強磁性自由層及び非磁性層からなる二層構造及び強磁性自由層、非磁性層、強磁性層からなる三層構造を用いても、上記と同様な作用効果が得られることを見出した。
However, the inventors of the present invention have a three-layer structure in which two ferromagnetic layers are coupled antiparallel to each other via a nonmagnetic metal layer, and a ferromagnetic layer via a separately provided nonmagnetic metal layer or insulating layer. It was found that the magnetization reversal caused by spin injection can be caused at a smaller current density when the current is supplied from.
Further, in place of the three-layer structure, a two-layer structure composed of a ferromagnetic free layer and a non-magnetic layer and a three-layer structure composed of a ferromagnetic free layer, a non-magnetic layer, and a ferromagnetic layer can be used. It was found that an effect can be obtained.
そこで、本発明は、より小さな電流密度でスピン注入磁化反転することができる、スピン注入デバイスと、このスピン注入デバイスを用いた磁気装置並びに磁気メモリ装置を提供することを目的とするものである。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a spin injection device, a magnetic device using the spin injection device, and a magnetic memory device that can reverse the spin injection magnetization with a smaller current density.
上記目的を達成するために、本発明のスピン注入デバイスのうち、請求項1記載の発明は、単層の強磁性固定層からなるスピン偏極部とスピン偏極部上に形成された第1の非磁性層からなる注入接合部とを有しているスピン注入部と、スピン注入部に接して設けられる強磁性フリー層と、強磁性フリー層の表面に形成される第2の非磁性層と、を備え、第1の非磁性層が絶縁体または導電体からなり、第2の非磁性層がRu、Ir、Rhの何れかでなり、上記第1の非磁性層が導電体である場合、該第1の非磁性層は上記第2の非磁性層とは異なる金属でなり、外部磁界を印加しないで、且つ、スピン偏極部と第2の非磁性層との膜面垂直方向に電流を流して強磁性フリー層の磁化を反転させることを特徴とする。
請求項2記載の発明は、第1の非磁性層が、Cuからなることを特徴とする。
請求項3記載の発明は、第2の非磁性層の厚さが、第2の非磁性層と強磁性フリー層との界面において、多数スピンを反射させ、少数スピンを透過させるように、スピン拡散長以内とされることを特徴とする。
請求項4記載の発明は、強磁性フリー層がCoまたはCo合金であり、第2の非磁性層はRu層でその膜厚が0.1〜20nmであることを特徴とする。
請求項5記載の発明は、強磁性固定層及び/又は強磁性フリー層は、B2またはA2の結晶構造を有しているCo 2 Fe x Cr 1−x Al(0≦x≦1)からなることを特徴とする。
また、本発明のスピン注入デバイスのうち、請求項56記載の発明は、単層の第1の強磁性固定層からなるスピン偏極部と該スピン偏極部上に形成され第1の非磁性層からなる注入接合部とを有しているスピン注入部と、該スピン注入部に接して設けられる強磁性フリー層と、強磁性フリー層の表面に形成される第2の非磁性層と、第2の非磁性層上に形成され第1の強磁性固定層と同じ磁化方向を有している第2の強磁性固定層と、を備え、第1の非磁性層が絶縁体または導電体からなり、第2の非磁性層がRu、Ir、Rhの何れかでなり、上記第1の非磁性層が導電体である場合、該第1の非磁性層は上記第2の非磁性層とは異なる金属でなり、外部磁界を印加しないで、且つ、スピン偏極部と第2の強磁性固定層との膜面垂直方向に電流を流し、強磁性フリー層の磁化を反転させることを特徴とする。
請求項7に記載の発明は、第1の非磁性層が、Cuからなることを特徴とする。
請求項8に記載の発明は、第2の非磁性層の厚さが、第2の非磁性層と第2の強磁性固定層との界面において、多数スピンを反射させ少数スピンを透過させるようにスピン拡散長以内とされ、強磁性フリー層は、スピン伝導が保存される厚さであることを特徴とする。
請求項9記載の発明は、強磁性フリー層及び強磁性層がCoまたはCo合金であり、第2の非磁性層はRu層でその膜厚が2〜20nmであることを特徴とする。
請求項10記載の発明は、第1の強磁性固定層、第2の強磁性固定層及び強磁性フリー層の何れか又は二つ以上の層は、B2またはA2の結晶構造を有しているCo 2 Fe x Cr 1−x Al(0≦x≦1)からなることを特徴とする。
In order to achieve the above object, among the spin injection devices of the present invention, the invention according to
The invention described in
According to a third aspect of the present invention, the spin of the second nonmagnetic layer is such that the majority spin is reflected and the minority spin is transmitted at the interface between the second nonmagnetic layer and the ferromagnetic free layer. It is characterized by being within the diffusion length.
The invention according to
According to a fifth aspect of the present invention, the ferromagnetic pinned layer and / or the ferromagnetic free layer is made of Co 2 Fe x Cr 1-x Al (0 ≦ x ≦ 1) having a crystal structure of B2 or A2. It is characterized by that.
Also, of the spin injection device of the present invention, the invention of
The invention described in
The invention according to
The invention according to
In the invention described in
この構成のスピン注入デバイスでは、スピン偏極部から注入接合部を介してスピン注入すると、強磁性フリー層が磁化反転する。したがって、本発明のスピン注入デバイスはより小さな電流密度で磁化反転を起こすことができる。 In the spin injection device having this configuration, when the spin injection is performed from the spin polarized portion through the injection junction, the magnetization of the ferromagnetic free layer is reversed. Therefore, the spin injection device of the present invention can cause magnetization reversal with a smaller current density.
また、本発明のスピン注入磁気装置である請求項11記載の発明は、請求項1〜10のいずれかに記載のスピン注入デバイスを用いたことを特徴とする。この構成のスピン注入磁気装置では、スピン注入すると強磁性フリー層の磁化反転が起き、強磁性固定層の磁化と平行又は反平行となることにより、巨大磁気抵抗効果またはトンネル磁気抵抗効果が出現する。したがって、本発明のスピン注入磁気装置は、より小さな電流密度でスピン注入による強磁性フリー層の磁化反転を起こすことができる。
The invention according to claim 11 which is a spin injection magnetic apparatus of the present invention is characterized in that the spin injection device according to any one of
また、本発明のスピン注入磁気メモリ装置である請求項12記載の発明は、請求項1〜10のいずれかに記載のスピン注入デバイスを用いたことを特徴とする。この構成のスピン注入磁気メモリ装置では、スピン注入すると強磁性フリー層の磁化反転が起き、強磁性固定層の磁化と平行又は反平行となることにより、巨大磁気抵抗効果またはトンネル磁気抵抗効果が出現する。したがって、本発明のスピン注入磁気メモリ装置は、より小さな電流密度でスピン注入による強磁性フリー層の磁化反転によるメモリ装置を提供することができる。
The invention of
本発明のスピン注入デバイスによれば、小さな電流密度で磁化反転を起こすことができるという効果を有する。また本発明のスピン注入磁気装置は、より小さな電流密度でスピン注入によるMTJのフリー層の磁化反転を起こすことができる。
したがって、超ギガビット大容量・高速・不揮発のMRAMをはじめ種々の磁気装置や磁気メモリ装置に利用可能になる。
According to the spin injection device of the present invention, it is possible to cause magnetization reversal with a small current density. The spin injection magnetic device of the present invention can cause magnetization reversal of the free layer of MTJ by spin injection with a smaller current density.
Therefore, the present invention can be used for various magnetic devices and magnetic memory devices including an ultra-gigabit large-capacity, high-speed and nonvolatile MRAM.
以下、図面に示した実施形態に基づいて本発明を詳細に説明する。各図において同一又は対応する部材には同一符号を用いる。
図1は本発明のスピン注入デバイスの概念図であり、(a)はSyAFのスピンが下向きの状態、(b)はスピン注入によりSyAFのスピンが上向きになった状態を示す概念図である。
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on the embodiments shown in the drawings. In each figure, the same or corresponding members are denoted by the same reference numerals.
FIG. 1 is a conceptual diagram of a spin injection device according to the present invention. FIG. 1A is a conceptual diagram illustrating a state in which the spin of SyAF is downward, and FIG. 1B is a conceptual diagram illustrating a state in which the spin of SyAF is upward due to spin injection.
図1に示すように、本発明のスピン注入デバイス10は、スピン偏極部9と注入接合部7とを有するスピン注入部1と、反強磁性結合する非磁性層2を介して第1の磁性層4と第2の磁性層6とが三層構造を形成するSyAF3とを備え、これらが積層構造を形成する。
まず、本発明に係るSyAF3について説明する。
強磁性体が単層膜の磁化反転に必要な磁場Hswは、一軸磁気異方性Ku、飽和磁化Ms,膜厚t、幅wを用いて一般に次の式(2)で与えられる。
As shown in FIG. 1, the
First, SyAF3 according to the present invention will be described.
The magnetic field Hsw necessary for the magnetization reversal of the single layer film of the ferromagnet is generally given by the following equation (2) using the uniaxial magnetic anisotropy Ku, the saturation magnetization Ms, the film thickness t, and the width w.
Hsw=2Ku/Ms+C(k)tMs/w (2)
ここで、第1項は磁気異方性による項、第2項は反磁界による項である。
Hsw = 2Ku / Ms + C (k) tMs / w (2)
Here, the first term is a term due to magnetic anisotropy, and the second term is a term due to a demagnetizing field.
一方、同様に単磁区構造をとる場合、二つの強磁性層の膜厚t1、t2、飽和磁化M1、M2をもつSyAFの磁化反転磁場は次式(3)で与えられる。 On the other hand, when similarly adopting a single domain structure, the magnetization reversal field of SyAF having the film thicknesses t 1 and t 2 and the saturation magnetizations M 1 and M 2 of the two ferromagnetic layers is given by the following equation (3).
Hsw=2Ku/ΔM+C(k)(t1+t2)ΔM/w(3)
ここで、ΔM=(t1+t2)/(M1t1−M2t2)、wはSyAFの幅である。
Hsw = 2Ku / ΔM + C (k) (t 1 + t 2 ) ΔM / w (3)
Here, ΔM = (t 1 + t 2 ) / (M 1 t 1 −M 2 t 2 ), w is the width of SyAF.
上記式(2)及び式(3)において、C(k)はアスペクト比kに依存する反磁界係数であり、kが1に近づくほど小さくなり、k=1ではC(k)=0である。ここで、アスペクト比kは、t/wである。したがって、第1の磁性層4の場合にはt1/wであり、第2の磁性層6の場合には、t2/wである(図1(a)参照)。
微小な素子の場合、一般に式(2)、式(3)ともに第2項の方が第1項を上回るので、またΔM<Msであるから、wが同じときSyAFの方が磁化反転磁場が小さくなる。
一方、C(k)はk=1のときゼロとなるので、磁化反転磁場は式(2)、式(3)の第1項、すなわち磁気異方性によって決定され、素子サイズに依存しなくなる。
しかし、単層膜の場合にはkが少なくとも2以下では多磁区構造となるため、磁化反転磁場は式(2)では与えられず、その値は、より大きくなるとともに素子サイズに依存する。したがって、単層膜の場合にはk≦2の素子は現実的でない。
In the above formulas (2) and (3), C (k) is a demagnetizing factor coefficient that depends on the aspect ratio k, and decreases as k approaches 1, and when k = 1, C (k) = 0. . Here, the aspect ratio k is t / w. Therefore, in the case of the first
In the case of a small element, generally, the second term exceeds the first term in both formulas (2) and (3), and since ΔM <Ms, SyAF has a magnetization reversal field when w is the same. Get smaller.
On the other hand, since C (k) becomes zero when k = 1, the magnetization reversal field is determined by the first term of the equations (2) and (3), that is, the magnetic anisotropy, and does not depend on the element size. .
However, in the case of a single layer film, when k is at least 2 or less, a multi-domain structure is formed. Therefore, the magnetization reversal field is not given by Equation (2), and its value becomes larger and depends on the element size. Therefore, in the case of a single layer film, an element with k ≦ 2 is not realistic.
ところが本発明者らは、本発明に係るSyAFの場合にはk≦2、特にk=1でも単磁区構造になることを見出した。その結果、本発明に係るSyAFは、より小さな磁化反転磁場を得ることができ、特にk=1の素子では磁化反転磁場は素子サイズに依存しない。本発明はこの発見に基づいており、SyAFにスピン偏極電子を注入することで、より小さな電流密度で磁化反転を実現することができる。特に、k=1の場合にはC(k)がゼロになるため、磁化反転磁場が著しく小さくなる。 However, the present inventors have found that in the case of SyAF according to the present invention, a single magnetic domain structure is obtained even when k ≦ 2, particularly k = 1. As a result, the SyAF according to the present invention can obtain a smaller magnetization reversal magnetic field. In particular, in the element with k = 1, the magnetization reversal magnetic field does not depend on the element size. The present invention is based on this discovery, and magnetization reversal can be realized with a smaller current density by injecting spin-polarized electrons into SyAF. In particular, when k = 1, C (k) becomes zero, and the magnetization reversal magnetic field becomes extremely small.
このような本発明に係るSyAF3は、図1(a)及び(b)を参照して、非磁性層2を介して第1の磁性層4と第2の磁性層6との二つの磁性層が互いに反平行に磁気結合している三層構造であり、それぞれの膜厚はナノメーターサイズで形成されている。このSyAF3にスピン注入部1の非磁性金属層の注入接合部7を介して強磁性層のスピン偏極部9からスピン注入することで、SyAF3の磁化反転を実現する。
Such a
非磁性層2はこれを介した両磁性層の磁化を反強磁性結合させる物質であり、この反強非磁性層として、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、ロジウム(Rh)が利用可能である。なお、図1(a)中、5及び8は電流を流すための端子を示している。強磁性層及び磁性層は導電体であるので電極との兼用ができるが、電極を別に設けて電流を流してもよい。
The
図1(b)に示すように、本発明に係るSyAF3においては、第1の磁性層4のスピンと第2の磁性層6のスピンとが反平行状態を維持したまま磁気的に結合している。すなわち、第1の磁性層4の磁化と第2の磁性層6の磁化とは、大きさの異なる反平行状態の磁化、つまり大きさの異なる反平行状態のスピンを有している。
第1の磁性層4の厚さをt1、磁化をM1とし、第2の磁性層6の厚さをt2、磁化をM2とすると、磁化の大きい方の向き(t1M1−t2M2)を図1中の強磁性層9のスピンを示す矢印に対してSyAFのスピンの向き↑又は↓とすることができる。SyAF3の磁性層4及び磁性層6の反平行磁化の大きさに差異を設けるには、t1M1とt2M2とが異なるようにすればよい。
As shown in FIG. 1B, in the
When the thickness of the first
スピン注入部1は強磁性層からなるスピン偏極部9と非磁性導電層からなる注入接合部7とを積層した構造であり、非磁性導電層の注入接合部7はナノメーターサイズである。ここで、ナノメーターサイズとは電子がその運動量とスピンを保存したまま伝導可能な大きさを意味する。つまり、この注入接合部7はスピン保存伝導可能な大きさである。
金属の場合、電子の平均自由行程は1μm以下であり、この1μm以下のサイズの素子では、注入されたスピンは緩和することなく他方に流れ込むことができる。
スピン注入部1の注入接合部7は図2に示すように非磁性絶縁層12であってもよい。この非磁性絶縁層12はトンネル電流が流れるトンネル接合可能な大きさのナノメーターサイズであり、数nmである。
The
In the case of a metal, the mean free path of electrons is 1 μm or less, and in an element having a size of 1 μm or less, injected spin can flow into the other without relaxation.
The
強磁性層からなるスピン偏極部9は強磁性体であるが、伝導を担うフェルミ面でのアップスピン電子とダウンスピン電子の数が異なっており、この強磁性層のスピン偏極部9からスピン偏極した電子が非磁性金属層の注入接合部7に流れ込むようになっている。
The spin-
このような本発明に係るスピン注入デバイスでは、1ミリアンペア(mA)以下の非常に小さな電流を流して、膜面内垂直方向に強磁性層のスピン偏極部9から非磁性金属層(又は非磁性絶縁層12)の注入接合部7を介してスピン注入すると、SyAF3の磁性層4のスピンと磁性層6のスピンとが反平行状態を維持したまま磁化反転する。したがって、本発明のスピン注入デバイスでは、より小さな電流密度でスピン注入による磁化反転ができる。これにより電流を流して磁界を印加することなく、微小な電流を流すだけでスピン注入磁化反転ができるので、ロジック、メモリ及びストレージを備えたスピン注入デバイスが実現可能となる。
In such a spin injection device according to the present invention, a very small current of 1 milliampere (mA) or less is passed, and the spin-
次に、第2の実施の形態を説明する。図3は本発明のスピン注入デバイスに係る第2の実施形態を示す概略図である。図3を参照すると、この実施形態のものは、スピン偏極部9が反強磁性層21と強磁性層23とを有する構造であり、強磁性層23に反強磁性層21を近接させることで強磁性層23のスピンを固定している。また、注入接合部はスピン保存伝導可能な非磁性金属層25であり、これに代えてトンネル接合可能な絶縁層を用いてもよい。このような構成ではスピン偏極部のスピンを固定してスピン注入し、SyAFの磁化反転ができる。
Next, a second embodiment will be described. FIG. 3 is a schematic view showing a second embodiment of the spin injection device of the present invention. Referring to FIG. 3, in this embodiment, the
次に、第3の実施の形態を説明する。図4は第3の実施形態のスピン注入デバイスを示す概略図である。図4を参照すると、このスピン注入デバイス14は、反強磁性層21と強磁性固定層26とからなるスピン偏極部9と、強磁性固定層に接して設けられる注入接合部となる非磁性層7と、非磁性層7上に強磁性フリー層27及び非磁性層28からなる二層構造を備えている。
スピン注入部1は、スピン偏極部9と注入接合部7とからなっていて、スピン偏極部9において、強磁性固定層26に反強磁性層21を近接させることで強磁性固定層26のスピンを固定している。
また、注入接合部7はスピン保存伝導可能なCuなどの非磁性金属層25であり、これに代えてトンネル接合可能な絶縁層12を用いてもよい。
Next, a third embodiment will be described. FIG. 4 is a schematic view showing the spin injection device of the third embodiment. Referring to FIG. 4, the
The
The
第3実施形態のスピン注入デバイス14が図3に示したスピン注入デバイスと異なるのは、SyAF3の代りに強磁性フリー層27及び非磁性層28を備えていることである。非磁性層28は強磁性フリー層27との界面において、多数(マジョリティ)スピンを反射させ、少数(マイノリティ)スピンを透過させるために設けている。したがって、非磁性層28の膜厚は、少数スピンがスピンを保存したまま動ける距離、すなわちスピン拡散長以内にしておけばよい。
ここで、強磁性フリー層27としてはCoまたはCo合金を用いることができる。非磁性層28としては、Ru、Ir、Rhが利用可能であり、特にRuを用いるのが好適である。また、Ruのスピン拡散長は14nmであることが知られており、Ruの膜厚は0.1nm〜20nmとすればよい。以下、強磁性フリー層27にCoまたはCo合金を用い、非磁性層28にRuを用いるとして説明する。
The
Here, as the ferromagnetic
図5は上記第3の実施形態のスピン注入デバイス14の磁化反転を説明する模式図である。図5において、強磁性固定層26から強磁性フリー層27へ電子が注入されると、多数スピン電子17が強磁性フリー層27の磁化を強磁性固定層26の磁化に揃うようにトルク18を与える。この際、CoまたはCo合金27とRu28の界面においては、多数スピン電子が強く散乱(反射)され、少数スピン電子はあまり散乱を受けない(透過)ことが知られている。
したがって、図5に示すように、CoまたはCo合金27とRu28の界面において反射された多数スピン電子19は、CoまたはCo合金27の膜厚がスピン伝導が保存される程度に薄ければ、この反射された多数スピン電子19も強磁性フリー層27に同様のトルク18’を与える。これにより、実質的に強磁性フリー層27のトルクが増大し、強磁性固定層26の磁化と同じ向きになる。
FIG. 5 is a schematic diagram for explaining the magnetization reversal of the
Therefore, as shown in FIG. 5, the
一方、電流の向きを逆に与え、Ru層28からCoまたはCo合金27側に電子を注入すると、多数スピン電子はCoまたはCo合金27とRu28の界面で反射され、少数スピン電子だけがCoまたはCo合金からなる強磁性フリー層27に注入され、この少数スピン電子が強磁性フリー層27のスピンにトルクを与え、そのスピンを同じ向き、つまり下向きにそろえようとする。これにより、強磁性フリー層27の少数スピン電子によるトルクが増大し、強磁性フリー層27のスピンは強磁性固定層26の磁化と反平行になる。
このように本発明のスピン注入デバイス14によれば、非磁性層28の挿入により、スピン偏極部9のスピンを固定してスピン注入し、強磁性フリー層27の磁化反転を従来のスピン注入磁化反転よりも低い電流密度で行うことができる。
On the other hand, when the direction of current is reversed and electrons are injected from the
Thus, according to the
さらに、第4の実施の形態のスピン注入デバイスを図6を参照して説明する。この実施形態のスピン注入デバイス16が図4に示したスピン注入デバイス14と異なるのは、非磁性層28上にさらに強磁性固定層29を備えている点にある。他の構成は図4に示すスピン注入デバイス14と同じであるので説明は省略する。
ここで、強磁性フリー層27及び強磁性固定層29は、SyAF3のようにそれらの磁化が反平行とならないように、かつ、スピン保存伝導が生起するように非磁性層28の膜厚を決めればよい。したがって、強磁性フリー層27及び強磁性固定層29としてCoまたはCo合金を、非磁性層28としてRuを用いた場合には、Ruの厚さは、SyAF3とならないように、2〜20nm程度とすればよい。
Furthermore, a spin injection device according to a fourth embodiment will be described with reference to FIG. The
Here, in the ferromagnetic
次に、上記第4の実施形態のスピン注入デバイス16の動作について説明する。
図6において、強磁性固定層26から強磁性フリー層27へ電子が注入された場合には、第3実施形態のスピン注入デバイス14と同様に、CoまたはCo合金からなる強磁性フリー層27の磁化は、強磁性固定層26の磁化と同じ向きになる。
Next, the operation of the
In FIG. 6, when electrons are injected from the ferromagnetic pinned
一方、電流の向きを逆に与えた場合を、図7を参照して説明する。
図7は、第4実施形態のスピン注入デバイス16の磁化反転を説明する模式図である。図7において、強磁性固定層29から強磁性フリー層27へ電子が注入されると、多数スピン電子37が強磁性固定層29とRu層28の界面で強く反射され、強磁性フリー層27へは到達しない。この際、CoまたはCo合金27の膜厚がスピン伝導が保存される程度に薄ければ、少数スピン電子39は散乱を受けないので強磁性フリー層27に到達し、強磁性フリー層27のスピンを揃えるようにトルク38を与える。したがって、強磁性フリー層27の磁化は、強磁性固定層26とは反平行となる。これにより、Ru層28がない場合よりも、多数スピン電子37が強磁性フリー層27に到達しなくなり、より小さい電流密度で磁化反転ができる。
このように、本実施形態のスピン注入デバイス16によれば、スピン偏極部9のスピンを固定してスピン注入し、SyAF3の代りに用いる強磁性フリー層27、非磁性層28,強磁性固定層29において、強磁性フリー層27の磁化反転を低電流密度で行うことができる。
On the other hand, the case where the direction of current is given in reverse will be described with reference to FIG.
FIG. 7 is a schematic diagram for explaining the magnetization reversal of the
As described above, according to the
上記スピン注入デバイスにおいて、強磁性フリー層27の磁化反転が起こるとき、強磁性固定層26の磁化と平行又は反平行となることにより、反強磁性層21と強磁性固定層26とCuなどの非磁性金属層25からなる注入接合部7と強磁性フリー層27とを含む層構造は、CPP型の巨大磁気抵抗効果素子と同じように、巨大磁気抵抗効果が生じる。
また、非磁性層7がトンネル接合可能な絶縁層12である場合に強磁性フリー層27の磁化反転が起こると、反強磁性層21と強磁性固定層26とトンネル接合可能な絶縁層12と強磁性フリー層27とを含む層構造は、CPP型のトンネル磁気抵抗効果素子と同じように、トンネル磁気抵抗効果が生じる。
In the above spin injection device, when the magnetization reversal of the ferromagnetic
In addition, when the magnetization reversal of the ferromagnetic
次に、本発明のスピン注入磁気装置について説明する。図8は本発明のスピン注入磁気装置の概略図である。スピン注入磁気装置30は、フリー層としたSyAF3と、強磁性層32及び反強磁性層34からなる固定層31とが、絶縁層33でトンネル接合した強磁性スピントンネル接合(MTJ)素子36であって、このMTJ素子36に強磁性層であるフリー層を磁化反転させるためのスピン注入部1を備えている。スピン注入部1は注入接合部をトンネル接合可能な絶縁層12にしたものである。
Next, the spin injection magnetic device of the present invention will be described. FIG. 8 is a schematic view of the spin injection magnetic apparatus of the present invention. The spin injection
このようなスピン注入磁気装置では、強磁性層23から絶縁層12を介してSyAF3にスピン注入すると、このSyAF3の磁化が反転する。このSyAF3であるフリー層の磁化が↑又は↓に反転して固定層31の磁化と平行又は反平行となることにより、トンネル磁気抵抗(TMR)効果が出現する。したがって、このスピン注入磁気装置30は、より小さな電流密度でスピン注入によるフリー層の磁化反転を起こすことができる。
In such a spin injection magnetic device, when the spin injection is performed from the
上記スピン注入磁気装置において、SyAF3を、図4に示した第3実施形態のスピン注入デバイス14の強磁性フリー層27及び強磁性自由層上に設ける非磁性層28からなる二層構造に代えた構成としてもよい。
また、上記スピン注入磁気装置において、SyAF3を、図6に示した第4実施形態のスピン注入デバイス16の強磁性フリー層27、非磁性層28、非磁性層上に設ける強磁性層29からなる三層構造に代えた構成としてもよい。
In the above spin injection magnetic apparatus, SyAF3 is replaced with a two-layer structure comprising the ferromagnetic
In the spin injection magnetic device, the
このように本発明のスピン注入磁気装置は、超ギガビット大容量・高速・不揮発メモリに利用可能になる。 Thus, the spin injection magnetic device of the present invention can be used for a super gigabit large capacity, high speed, non-volatile memory.
このようなスピン注入磁気装置では、フリー層のSyAFをトンネル接合可能な絶縁膜で挟み又は覆って、このSyAFに対応する部分のスピン注入部でワード線として結合して微細加工し、固定層側の強磁性層にビット線を連結して微細加工することにより、MRAMやスピン注入磁気メモリ装置の基本構造とすることができる。
ここで、フリー層はSyAFの他には、強磁性フリー層27及び非磁性層28からなる二層構造または強磁性フリー層27、非磁性層28、非磁性層上に設ける強磁性層29からなる三層構造を用いることができる。
In such a spin injection magnetic device, SyAF of the free layer is sandwiched or covered by an insulating film capable of tunnel junction, and is finely processed by being coupled as a word line at the spin injection part corresponding to this SyAF, The basic structure of the MRAM or spin-injection magnetic memory device can be obtained by connecting a bit line to the ferromagnetic layer and performing microfabrication.
Here, in addition to SyAF, the free layer is a two-layer structure comprising a ferromagnetic
次に、本発明のスピン注入デバイスやスピン注入磁気装置に用いることができる磁性薄膜について説明する。
図9は、本発明に用いることができる磁性薄膜の断面図である。図9に示すように、磁性薄膜41は、基板42上に、室温においてCo2FexCr1-xAl薄膜43を配設している。ここで、0≦x≦1である。
Co2FexCr1-xAl薄膜43は、室温で強磁性であり、電気抵抗率が190μΩ・cm程度であり、かつ、基板を加熱することなくL21,B2,A2構造の何れか一つの構造を有している。
さらに、上記Co2FexCr1-xAl薄膜43を配設した基板を加熱することで、スピン分極率の大きいL21構造のCo2FexCr1-xAl薄膜43が得られやすい。ここで、基板42上のCo2FexCr1-xAl薄膜43の膜厚は、1nm以上1μm以下であればよい。
Next, a magnetic thin film that can be used in the spin injection device and the spin injection magnetic apparatus of the present invention will be described.
FIG. 9 is a cross-sectional view of a magnetic thin film that can be used in the present invention. As shown in FIG. 9, in the magnetic
Co 2 Fe x Cr 1-x Al
Further, by heating the substrate which is disposed the Co 2 Fe x Cr 1-x Al
図10は、本発明に用い得る磁性薄膜の変形例の断面図である。本発明に用いる磁性薄膜45は、図9の磁性薄膜41の構造において、さらに基板42とCo2FexCr1-xAl(ここで、0≦x≦1)薄膜43との間にバッファー層44が挿入されている。バッファー層44を挿入することで、基板41上のCo2FexCr1-xAl(ここで、0≦x≦1)薄膜43の結晶性をさらによくすることができる。
FIG. 10 is a cross-sectional view of a modification of the magnetic thin film that can be used in the present invention. The magnetic
上記磁性薄膜41,45に用いる基板42は、熱酸化Si、ガラスなどの多結晶、MgO、Al2O3、GaAsなどの単結晶を用いることができる。また、バッファー層44としては、Al,Cu,Cr,Fe,Nb,Ni,Ta,NiFeなどを用いることができる。
上記Co2FexCr1-xAl(ここで、0≦x≦1)薄膜43の膜厚は、1nm以上で1μm以下であればよい。この膜厚が1nm未満では実質的に後述するL21,B2,A2構造の何れか一つの構造を得るのが困難になり、そして、この膜厚が1μmを超えるとスピン注入デバイスとしての応用が困難になり好ましくない。
The
(Where, 0 ≦ x ≦ 1) the Co 2 Fe x Cr 1-x Al film thickness of the
次に、上記構成の磁性薄膜の作用を説明する。
図11は、磁性薄膜に用いるCo2FexCr1-xAl(ここで、0≦x≦1)の構造を模式的に説明する図である。図に示す構造は、bcc(体心立方格子)の慣用的単位胞の8倍(格子定数で2倍)の構造を示している。
Co2FexCr1-xAlのL21構造においては、図9のIの位置にFeとCrが組成比としてFexCr1-x(ここで、0≦x≦1)となるように配置され、IIの位置にAl、IIIとIVの位置にCoが配置される。
また、Co2FexCr1-xAlのB2構造においては、図9のIの位置とIIの位置に、FeとCrとAlが不規則に配列される構造となる。この際、FeとCrの組成比は、FexCr1-x(ここで、0≦x≦1)となるように配置される。
さらに、Co2FexCr1-xAlのA2構造においては、Co,Fe,CrおよびAlが不規則に置換した構造となる。この際、FeとCrの組成比は、FexCr1-x(ここで、0≦x≦1)となるように配置される。
Next, the operation of the magnetic thin film having the above configuration will be described.
FIG. 11 is a diagram schematically illustrating the structure of Co 2 Fe x Cr 1-x Al (where 0 ≦ x ≦ 1) used for the magnetic thin film. The structure shown in the figure shows a structure that is 8 times (2 times the lattice constant) of a conventional unit cell of bcc (body-centered cubic lattice).
Co in the L2 1 structure 2 Fe x Cr 1-x Al , ( where, 0 ≦ x ≦ 1) Fe x Cr 1-x As Fe and Cr composition ratio in the position of I in FIG. 9 so that the Al is arranged at the position of II, and Co is arranged at the positions of III and IV.
Further, in the B2 structure of Co 2 Fe x Cr 1-x Al, Fe, Cr, and Al are irregularly arranged at positions I and II in FIG. At this time, the composition ratio of Fe and Cr is arranged so as to satisfy FexCr1 -x (where 0 ≦ x ≦ 1).
Furthermore, in the A2 structure of Co 2 Fe x Cr 1-x Al, Co, Fe, Cr, and Al are irregularly substituted. At this time, the composition ratio of Fe and Cr is arranged so as to satisfy FexCr1 -x (where 0 ≦ x ≦ 1).
次に、上記構成の磁性薄膜41,45の磁気的性質を説明する。
上記構成のCo2FexCr1-xAl(ここで、0≦x≦1)薄膜43は、室温で強磁性であり、かつ、基板を加熱することなくL21,B2,A2構造の何れか一つの構造のCo2FexCr1-xAl薄膜が得られる。
さらに、上記構成のCo2FexCr1-xAl薄膜43(ここで、0≦x≦1)は膜厚が数nm程度の非常に薄い膜においてもL21,B2,A2構造の何れか一つの構造が得られる。
ここで、Co2FexCr1-xAl( ここで、0≦x≦1)薄膜のB2構造は、従来得られていない特異な物質である。B2構造は、L21構造と類似しているが、異なるのはL21構造では、Cr(Fe)とAl原子が規則的に配置しているのに対し、B2構造は、不規則に配列していることである。また、A2構造は、Co,Fe,CrおよびAlが不規則に置換した構造となる。これらの違いはX線回折で測定することができる。
上記Co2FexCr1-xAl薄膜43の組成xにおいて、0≦x≦0.8の範囲内では、特に、基板を加熱することなくL21,B2の何れか一つの構造を得ることができる。また、0.8≦x≦1.0では、A2構造が得られる。
また、組成xにおいて、0≦x≦1の範囲内で、加熱した基板上のCo2FexCr1-xAl薄膜の成膜や、基板を加熱することなく成膜した後の熱処理などにより、L21またはB2構造が得られる。
Next, the magnetic properties of the magnetic
(Where, 0 ≦ x ≦ 1) above configuration of Co 2 Fe x Cr 1-x Al
Furthermore, (where, 0 ≦ x ≦ 1) above configuration of Co 2 Fe x Cr 1-x Al
Here, the B2 structure of the Co 2 Fe x Cr 1-x Al (where 0 ≦ x ≦ 1) thin film is a unique substance that has not been obtained conventionally. The B2 structure is similar to the L2 1 structure, but the difference is that in the L2 1 structure, Cr (Fe) and Al atoms are regularly arranged, whereas the B2 structure is irregularly arranged. It is that. The A2 structure is a structure in which Co, Fe, Cr and Al are irregularly substituted. These differences can be measured by X-ray diffraction.
In composition x of the Co 2 Fe x Cr 1-x Al
Further, in the composition x, within the range of 0 ≦ x ≦ 1, it is possible to form a Co 2 Fe x Cr 1-x Al thin film on a heated substrate, or heat treatment after the film is formed without heating. , L2 1 or B2 structure is obtained.
上記構成の磁性薄膜41,45がハーフメタルであることを実験的に明らかにすることは難しいが、定性的にはトンネル接合を有するトンネル磁気抵抗効果素子を作製し、それが100%を超えるような非常に大きなTMRを示す場合にはハーフメタル的と考えることができる。
絶縁膜の片側にCo2FexCr1-xAl(0≦x≦1)薄膜43を強磁性層として用い、絶縁膜の他方の強磁性層にスピン分極率が0.5のCoFe合金を用いてトンネル磁気抵抗効果素子を作製した結果、100%を超える大きなTMRを得た。
Although it is difficult to experimentally clarify that the magnetic
A Co 2 Fe x Cr 1-x Al (0 ≦ x ≦ 1)
これは(1)式から考えて、Co2FexCr1-xAl(0≦x≦1)薄膜43が、P=0.7以上のスピン分極率をもつことを示している。このような大きなTMRを得ることができたのは、Co2FexCr1-xAl(0≦x≦1)薄膜3が大きなスピン分極率を有していることのほかに、室温でL21,B2,A2構造の何れか一つの構造が得られるという発見に基づく。
これにより、磁性薄膜41,45によれば、基板を加熱する必要がなく、Co2FexCr1-xAl(0≦x≦1)薄膜43が1nm以上の厚みで強磁性特性を得ることができる。これは、表面が酸化したり表面粗さが増大したりすることがなく、トンネル接合の界面をクリーンでかつシャープに作製することができたことにより、大きなスピン分極率とトンネル磁気抵抗効果素子において大きなTMRを得ることができるものと推察される。
This indicates that the Co 2 Fe x Cr 1-x Al (0 ≦ x ≦ 1)
Thereby, according to the magnetic
上記磁性薄膜41,45は、本発明のスピン注入デバイスに用いるSyAF3の第1及び第2の磁性層、あるいは、スピン注入部の強磁性層9などに用いることができる。また、磁性薄膜41,45は、本発明のスピン注入デバイス14,16に用いる反強磁性層21と強磁性固定層26とCuなどの非磁性金属層25と強磁性フリー層28とからなる層構造であるCPP型巨大磁気抵抗効果素子構造や、反強磁性層21と強磁性固定層26とトンネル接合可能な絶縁層12と強磁性フリー層28とからなる層構造であるトンネル磁気抵抗効果素子構造に用いることができる。さらに、本発明のスピン注入磁気装置に用いるMTJ素子あるいはトンネル磁気抵抗効果素子の強磁性層に用いることができる。
The magnetic
次に、実施例1について説明する。実施例1は、図4に示すスピン注入デバイス14の構造に相当するものである。
マグネトロンスパッタ法を用いて、熱酸化Si基板上にTa(2nm)/Cu(20nm)/IrMn(10nm)/Co90Fe10(5nm)/Cu(6nm)/Co90Fe10(2.5nm)/Ru(0.45nm)/Cu(5nm)/Ta(2nm)を順にスパッタした。
ここで、熱酸化Si基板上及びその最上層のTaとCuからなる層は電極となる層である。IrMn層及びCo90Fe10層は、それぞれ、反強磁性層21及び強磁性固定層26からなるスピン偏極部9である。Cuは注入接合部7である。Co合金のCo90Fe10及びRuは非磁性層7のCu上に配設した強磁性フリー層27及び非磁性層28である。
次に、この膜を電子ビームリソグラフィとArイオンミリングを用いて微細加工し、図4に示すようなスピン注入デバイス14を作製した。素子サイズは300×100nm2である。
Next, Example 1 will be described. Example 1 corresponds to the structure of the
Using a magnetron sputtering method, Ta (2 nm) / Cu (20 nm) / IrMn (10 nm) / Co 90 Fe 10 (5 nm) / Cu (6 nm) / Co 90 Fe 10 (2.5 nm) are formed on a thermally oxidized Si substrate. / Ru (0.45 nm) / Cu (5 nm) / Ta (2 nm) were sequentially sputtered.
Here, the upper layer of Ta and Cu on the thermally oxidized Si substrate is a layer to be an electrode. The IrMn layer and the Co 90 Fe 10 layer are the spin-
Next, this film was finely processed using electron beam lithography and Ar ion milling to produce a
図12は室温における実施例1のスピン注入デバイス14のスピン注入磁化反転を示す図である。図において、横軸は、強磁性フリー層27から強磁性固定層26への電流を正方向としたときのスピン注入デバイス電流(mA)を示し、縦軸はそのときの抵抗(Ω)を示している。最初に、スピン注入デバイス14に外部磁界Hを印加して、反平行状態、すなわち高抵抗の初期状態とした。このときの外部磁界Hは、50Oe(エルステッド)である(図12のA参照)。
図から明らかなように、Aに示す微小電流の高抵抗状態から、正の向きにBで示す約5mAまで電流を流していくと抵抗が急激に減少し、磁化反転していることが分かる。さらに、電流を20mAまで増加してもこの低抵抗状態が保持されていることが分かる(図12のB〜C参照)。
次に、電流を減少し、さらに負の方向に印加すると、約−7.5mAまでは低抵抗を保持する(図12のC〜D参照)。それ以上の負電流を印加すると再び高抵抗状態になり、磁化反転することが分かる(図12のE〜F参照)。この磁化反転に要する電流密度は、2.4×107A/cm2であり、後述する比較例に比べ約1/10となった。また、磁気抵抗(MR)は図示するように0.97%であり、後述する比較例のスピン反転構造における磁気抵抗と同じ値が得られた。
これにより、実施例1のスピン注入デバイス14においては、それに流す電流の向きを変えて、強磁性フリー層27の磁化反転を発現させることで、その抵抗を変化させることができる。
FIG. 12 is a diagram showing the spin injection magnetization reversal of the
As is clear from the figure, it can be seen that when the current is passed from the high resistance state of the minute current shown in A to about 5 mA shown in B in the positive direction, the resistance rapidly decreases and the magnetization is reversed. Furthermore, it can be seen that this low resistance state is maintained even when the current is increased to 20 mA (see B to C in FIG. 12).
Next, when the current is decreased and further applied in the negative direction, the low resistance is maintained up to about −7.5 mA (see C to D in FIG. 12). It can be seen that when a negative current higher than that is applied, the state again becomes a high resistance state and the magnetization is reversed (see E to F in FIG. 12). The current density required for this magnetization reversal was 2.4 × 10 7 A / cm 2 , which was about 1/10 of the comparative example described later. The magnetoresistance (MR) was 0.97% as shown in the figure, and the same value as the magnetoresistance in the spin inversion structure of the comparative example described later was obtained.
Thereby, in the
次に、実施例2について説明する。実施例2は、図6に示すスピン注入デバイス16の構造に相当するものである。
マグネトロンスパッタ法を用いて、熱酸化Si基板上にTa(2nm)/Cu(20nm)/IrMn(10nm)/Co90Fe10(5nm)/Cu(6nm)/Co90Fe10(2.5nm)/Ru(6nm)/Co90Fe10(5nm)/Cu(5nm)/Ta(2nm)を順にスパッタした。
ここで、熱酸化Si基板上及びその最上層のTaとCuからなる層は電極となる層である。IrMn層及びCo90Fe10層は、それぞれ、反強磁性層21と強磁性固定層26とからなるスピン偏極部9である。Cuは注入接合部7である。Co合金のCo90Fe10,Ru,Co90Fe10は、それぞれ、非磁性層7のCu上に配設した強磁性フリー層27,非磁性層28,強磁性層29である。
Next, Example 2 will be described. Example 2 corresponds to the structure of the
Using a magnetron sputtering method, Ta (2 nm) / Cu (20 nm) / IrMn (10 nm) / Co 90 Fe 10 (5 nm) / Cu (6 nm) / Co 90 Fe 10 (2.5 nm) are formed on a thermally oxidized Si substrate. / Ru (6 nm) / Co 90 Fe 10 (5 nm) / Cu (5 nm) / Ta (2 nm) were sputtered in this order.
Here, the upper layer of Ta and Cu on the thermally oxidized Si substrate is a layer to be an electrode. The IrMn layer and the Co 90 Fe 10 layer are the spin-
実施例2のスピン注入デバイス16が実施例1のスピン注入デバイス14と異なるのは、Co90Fe1027上のRu28の膜厚を0.45nmから6nmと厚くしたことと、強磁性層29として膜厚5nmのCo90Fe10層29を設けたことである。
次に、実施例1と同じ方法で、素子サイズが100×100nm2のスピン注入デバイス16を作製した。
The
Next, a
図13は、室温における実施例2のスピン注入デバイス16のスピン注入磁化反転を示す図である。図において、横軸は、強磁性フリー層27から強磁性固定層26への電流を正方向としたときのスピン注入デバイス電流(mA)を示し、縦軸はそのときの抵抗(Ω)を示している。高抵抗の初期状態とするために印加した外部磁界Hは、150Oeである。
図から明らかなように、実施例2のスピン注入デバイス16は、実施例1のスピン注入デバイス14と同様に電流が±約0.2mAで抵抗が変化し、磁化反転が発現することが分かる。この磁化反転に要する電流密度は1×106A/cm2となった。この値は、実施例1の約1/24となり、後述する比較例の約1/200である。また、磁気抵抗は約1%であり、後述する比較例の磁気抵抗(MR)と同じ値が得られた。このように、非磁性層28であるRuの膜厚を6nmとすることにより、磁化反転に要する電流密度を低くすることができた。
FIG. 13 is a diagram showing the spin injection magnetization reversal of the
As can be seen from the figure, the
次に、実施例3について説明する。実施例3は、図8に相当する構造に対するものである。
マグネトロンスパッタ法を用いて、熱酸化Si基板上にCu(100nm)/NiFe(3nm)/IrMn(10nm)/Co90Fe10(3nm)をまず作製した。次にこの膜の上に厚さ3nmのSiO2をスパッタし、さらにその上にCo90Fe10(1nm)/Ru(0.45nm)/Co90Fe10(1.5nm)/SiO2(3nm)をスパッタした。次に、上部磁性層として、Co90Fe10(10nm)/IrMn(10nm)/Ta(5nm)を成膜した。
Next, Example 3 will be described. Example 3 is for a structure corresponding to FIG.
First, Cu (100 nm) / NiFe (3 nm) / IrMn (10 nm) / Co 90 Fe 10 (3 nm) was formed on a thermally oxidized Si substrate by using a magnetron sputtering method. Next, SiO 2 having a thickness of 3 nm is sputtered on this film, and then Co 90 Fe 10 (1 nm) / Ru (0.45 nm) / Co 90 Fe 10 (1.5 nm) / SiO 2 (3 nm). ) Was sputtered. Next, Co 90 Fe 10 (10 nm) / IrMn (10 nm) / Ta (5 nm) was formed as the upper magnetic layer.
この膜の断面を透過型電子顕微鏡を用いて調べた結果、Co90Fe10(1nm)/Ru(0.45nm)/Co90Fe10(1.5nm)はSiO2中に一層だけ層状に分散した粒子状をしており、SiO2を絶縁マトリックスとする二重トンネル構造であることがわかった。この構造に対して、上下のCuとTa膜間に電圧を印加して電流を流し、そのときの抵抗を電流を変化させて室温で測定した結果、約0.1mAで抵抗の飛びを観測した。これはCo90Fe10(1nm)/Ru(0.45nm)/Co90Fe10(1.5nm)SyAFの磁化反転に伴うTMRの発現によるものであり、スピン注入によって磁化反転したことを意味している。 As a result of examining the cross section of this film using a transmission electron microscope, Co 90 Fe 10 (1 nm) / Ru (0.45 nm) / Co 90 Fe 10 (1.5 nm) was dispersed in a single layer in SiO 2. It was found to be a double tunnel structure having an insulating matrix of SiO 2 . With respect to this structure, a voltage was applied between the upper and lower Cu and Ta films to pass a current, and the resistance at that time was measured at room temperature by changing the current. As a result, a resistance jump was observed at about 0.1 mA. . This is due to the expression of TMR accompanying the magnetization reversal of Co 90 Fe 10 (1 nm) / Ru (0.45 nm) / Co 90 Fe 10 (1.5 nm) SyAF, which means that the magnetization was reversed by spin injection. ing.
(比較例)
次に、比較例について説明する。
比較例は、図15に示す従来のスピン反転法に用いる三層構造の第1の強磁性層61上にさらに反強磁性層を設けた構造である。すなわち、実施例1のスピン注入デバイス14においてRu層のない構造として、熱酸化Si基板上にTa(2nm)/Cu(20nm)/IrMn(10nm)/Co90Fe10(5nm)/Cu(6nm)/Co90Fe10(2.5nm)/Cu(5nm)/Ta(2nm)を順にスパッタした。次に、実施例1と同じ方法で、素子サイズを300×100nm2とした。
(Comparative example)
Next, a comparative example will be described.
In the comparative example, an antiferromagnetic layer is further provided on the first
図14は、室温における比較例の(a)磁気抵抗曲線と、(b)スピン注入磁化反転を示す図である。図14(a)において、横軸は印加する磁界(Oe)であり、縦軸は抵抗(Ω)である。素子電流は1mAである。磁気抵抗は、外部磁界が0(図14(a)のG参照)からスイープして測定した。
図14(a)から明らかなように、比較例の磁気抵抗(MR)は1.1%と、従来報告された値と同じ値であることが分かる。また、図14(b)において、横軸は、第2の強磁性層63から第1の強磁性層61へ電流を流した場合を正方向とした電流(mA)を示し、縦軸はそのときの抵抗(Ω)を示している。図14(b)から明らかなように、電流がほぼ0から矢印の方向に電流を正から負にすることで、実施例1と同様に磁化反転が発現した(図14(b)のK〜L参照)。磁気抵抗は0.98%で、磁化反転に要する電流密度は2.4×108A/cm2であった。
FIG. 14 is a diagram showing a comparative example (a) magnetoresistance curve and (b) spin injection magnetization reversal at room temperature. In FIG. 14A, the horizontal axis is the applied magnetic field (Oe), and the vertical axis is the resistance (Ω). The device current is 1 mA. The magnetic resistance was measured by sweeping the external magnetic field from 0 (see G in FIG. 14A).
As is apparent from FIG. 14A, it can be seen that the magnetoresistance (MR) of the comparative example is 1.1%, which is the same value as reported conventionally. In FIG. 14B, the horizontal axis indicates the current (mA) when the current flows from the second
次に、実施例及び比較例の比較について説明する。
実施例においては、磁化反転に要する電流密度が、比較例よりも低下した。特に、実施例2のようにRu層28の膜厚を2〜20nmの範囲内とすれば、磁化反転に要する電流密度が1×106A/cm2となり、従来例の1/10の値に低減化できることが分かった。
Next, the comparison of an Example and a comparative example is demonstrated.
In the example, the current density required for the magnetization reversal was lower than that in the comparative example. In particular, when the film thickness of the
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した発明の範
囲内で種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれることはいうまでもな
い。
The present invention is not limited to these examples, and various modifications are possible within the scope of the invention described in the claims, and it goes without saying that these are also included in the scope of the present invention. .
1:スピン注入部
2:非磁性層
3:SyAF
4:第1の磁性層
6:第2の磁性層
7:注入接合部
9:スピン偏極部
10,14,16:スピン注入デバイス
12:非磁性絶縁層
17,37:多数スピン電子
18,18’,38:トルク
19:CoまたはCo合金とRuの界面において反射された多数スピン電子
21:反強磁性層
23:強磁性層
25:非磁性金属層
27:強磁性自由層
28:強磁性自由層上に設ける非磁性層
29:非磁性層上に設ける強磁性層
30:スピン注入磁気装置
31:固定層
32:強磁性層
33:絶縁層
36:MTJ素子
39:少数スピン電子
41,45:磁性薄膜
42:基板
43:Co2FexCr1-xAl薄膜
44:バッファー層
1: Spin injection part 2: Nonmagnetic layer 3: SyAF
4: First magnetic layer 6: Second magnetic layer 7: Injection junction 9: Spin
Claims (12)
該スピン注入部に接して設けられる強磁性フリー層と、
上記強磁性フリー層の表面に形成される第2の非磁性層と、を備え、
上記第1の非磁性層が絶縁体または導電体からなり、
上記第2の非磁性層がRu、Ir、Rhの何れかでなり、上記第1の非磁性層が導電体である場合、該第1の非磁性層は上記第2の非磁性層とは異なる金属でなり、
外部磁界を印加しないで、且つ、上記スピン偏極部と上記第2の非磁性層との膜面垂直方向に電流を流して上記強磁性フリー層の磁化を反転させることを特徴とする、スピン注入デバイス。 A spin injection part having a spin polarization part made of a single ferromagnetic pinned layer and an injection junction part made of a first nonmagnetic layer formed on the spin polarization part;
A ferromagnetic free layer provided in contact with the spin injection part;
A second nonmagnetic layer formed on the surface of the ferromagnetic free layer,
The first nonmagnetic layer is made of an insulator or a conductor;
When the second nonmagnetic layer is made of any one of Ru, Ir, and Rh and the first nonmagnetic layer is a conductor, the first nonmagnetic layer is the second nonmagnetic layer. Made of different metals,
A spin characterized by applying an electric current in a direction perpendicular to the film plane between the spin polarization portion and the second nonmagnetic layer without applying an external magnetic field and reversing the magnetization of the ferromagnetic free layer. Injection device.
該スピン注入部に接して設けられる強磁性フリー層と、
上記強磁性フリー層の表面に形成される第2の非磁性層と、
上記第2の非磁性層上に形成され上記第1の強磁性固定層と同じ磁化方向を有している第2の強磁性固定層と、を備え、
上記第1の非磁性層が絶縁体または導電体からなり、
上記第2の非磁性層がRu、Ir、Rhの何れかでなり、上記第1の非磁性層が導電体である場合、該第1の非磁性層は上記第2の非磁性層とは異なる金属でなり、
外部磁界を印加しないで、且つ、上記スピン偏極部と上記第2の強磁性固定層との膜面垂直方向に電流を流し、上記強磁性フリー層の磁化を反転させることを特徴とする、スピン注入デバイス。 A spin injection part having a spin polarization part made of a single first ferromagnetic pinned layer and an injection junction part made of the first nonmagnetic layer formed on the spin polarization part;
A ferromagnetic free layer provided in contact with the spin injection part;
A second nonmagnetic layer formed on the surface of the ferromagnetic free layer;
A second ferromagnetic pinned layer formed on the second nonmagnetic layer and having the same magnetization direction as the first ferromagnetic pinned layer,
The first nonmagnetic layer is made of an insulator or a conductor;
When the second nonmagnetic layer is made of any one of Ru, Ir, and Rh and the first nonmagnetic layer is a conductor, the first nonmagnetic layer is the second nonmagnetic layer. Made of different metals,
An external magnetic field is not applied, and a current is passed in the direction perpendicular to the film plane between the spin-polarized portion and the second ferromagnetic pinned layer to reverse the magnetization of the ferromagnetic free layer, Spin injection device.
前記強磁性フリー層は、スピン伝導が保存される厚さであることを特徴とする、請求項6に記載のスピン注入デバイス。 The thickness of the second nonmagnetic layer is within the spin diffusion length so as to reflect majority spins and transmit minority spins at the interface between the second nonmagnetic layer and the second ferromagnetic pinned layer. And
The spin injection device of claim 6 , wherein the ferromagnetic free layer has a thickness that preserves spin conduction.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011223518A JP5424178B2 (en) | 2002-12-13 | 2011-10-08 | Spin injection device and magnetic apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002363127 | 2002-12-13 | ||
JP2002363127 | 2002-12-13 | ||
JP2011223518A JP5424178B2 (en) | 2002-12-13 | 2011-10-08 | Spin injection device and magnetic apparatus using the same |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003410966A Division JP4873338B2 (en) | 2002-12-13 | 2003-12-09 | Spin injection device and magnetic apparatus using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012039141A JP2012039141A (en) | 2012-02-23 |
JP5424178B2 true JP5424178B2 (en) | 2014-02-26 |
Family
ID=44685472
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011092365A Pending JP2011171756A (en) | 2002-12-13 | 2011-04-18 | Spin injection device and magnetic device using the same |
JP2011223518A Expired - Fee Related JP5424178B2 (en) | 2002-12-13 | 2011-10-08 | Spin injection device and magnetic apparatus using the same |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011092365A Pending JP2011171756A (en) | 2002-12-13 | 2011-04-18 | Spin injection device and magnetic device using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP2011171756A (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6733496B2 (en) * | 2016-10-27 | 2020-07-29 | Tdk株式会社 | Spin orbit torque type magnetization reversal element and magnetic memory |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4066477B2 (en) * | 1997-10-09 | 2008-03-26 | ソニー株式会社 | Nonvolatile random access memory device |
JP2001156357A (en) * | 1999-09-16 | 2001-06-08 | Toshiba Corp | Magneto-resistance effect element and magnetic recording element |
FR2817999B1 (en) * | 2000-12-07 | 2003-01-10 | Commissariat Energie Atomique | MAGNETIC DEVICE WITH POLARIZATION OF SPIN AND A STRIP (S) TRI-LAYER (S) AND MEMORY USING THE DEVICE |
JP3657571B2 (en) * | 2002-03-28 | 2005-06-08 | 株式会社東芝 | Magnetoresistive element, magnetic head, and magnetic reproducing apparatus |
-
2011
- 2011-04-18 JP JP2011092365A patent/JP2011171756A/en active Pending
- 2011-10-08 JP JP2011223518A patent/JP5424178B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011171756A (en) | 2011-09-01 |
JP2012039141A (en) | 2012-02-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4873338B2 (en) | Spin injection device and magnetic apparatus using the same | |
US7989223B2 (en) | Method of using spin injection device | |
US7532502B2 (en) | Spin injection magnetic domain wall displacement device and element thereof | |
CN108010549B (en) | Self-rotating polarized current generator and magnetic device thereof | |
JP5279384B2 (en) | STT-MTJ-MRAM cell and manufacturing method thereof | |
US7532504B2 (en) | Spin injection magnetic domain wall displacement device and element thereof | |
JP6572513B2 (en) | Magnetic memory element | |
JP4371781B2 (en) | Magnetic cell and magnetic memory | |
JP5433284B2 (en) | MTJ element, method for forming the same, and method for manufacturing STT-RAM | |
US20110007560A1 (en) | Spin polarised magnetic device | |
US7848137B2 (en) | MRAM and data read/write method for MRAM | |
KR20080084590A (en) | Memory device and memory | |
JP2011193018A (en) | Magnetic device with magnetic tunnel junction, memory array, and reading/writing method using same | |
TWI482152B (en) | Memory device, memory device | |
KR20220029381A (en) | Dipole coupled spin-orbit torque structure | |
WO2009110119A1 (en) | Ferromagnetic tunnel junction element and driving method of ferromagnetic tunnel junction element | |
JP4061590B2 (en) | Magnetic thin film, magnetoresistive effect element and magnetic device using the same | |
KR20060124578A (en) | Magnetic storage element storing data by magnetoresistive effect | |
JP5424178B2 (en) | Spin injection device and magnetic apparatus using the same | |
JP2003197872A (en) | Memory using magneto-resistance effect film | |
KR20070017047A (en) | Memory element and memory |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130730 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130930 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |