JP5415163B2 - Photosensitive resin composition - Google Patents

Photosensitive resin composition Download PDF

Info

Publication number
JP5415163B2
JP5415163B2 JP2009149791A JP2009149791A JP5415163B2 JP 5415163 B2 JP5415163 B2 JP 5415163B2 JP 2009149791 A JP2009149791 A JP 2009149791A JP 2009149791 A JP2009149791 A JP 2009149791A JP 5415163 B2 JP5415163 B2 JP 5415163B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
photosensitive resin
resin composition
radical polymerizable
polymerizable compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009149791A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2011007937A (en
Inventor
智幸 柴垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Sanyo Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Chemical Industries Ltd filed Critical Sanyo Chemical Industries Ltd
Priority to JP2009149791A priority Critical patent/JP5415163B2/en
Publication of JP2011007937A publication Critical patent/JP2011007937A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5415163B2 publication Critical patent/JP5415163B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

本発明は感光性樹脂組成物に関する。さらに詳しくは、プリント配線板の微細配線形成に好適なメッキレジストに関するものである。   The present invention relates to a photosensitive resin composition. More specifically, the present invention relates to a plating resist suitable for forming fine wiring on a printed wiring board.

近年、電子機器、通信機器等に用いられるプリント配線板には、高密度配線化、演算処理速度の高速化の要求が強まっている。それに伴い多層プリント配線板の製造方法として、回路基板の導体層上に層間絶縁層を交互に積み上げていくビルドアップ方式の製造技術が注目されている。   In recent years, printed wiring boards used in electronic devices, communication devices, and the like have been increasingly demanded for high-density wiring and high processing speed. Accordingly, as a method of manufacturing a multilayer printed wiring board, a build-up manufacturing technique in which interlayer insulating layers are alternately stacked on a conductor layer of a circuit board has attracted attention.

一般的にビルドアップ方式の配線形成方法としては、例えば、セミアディティブ法が知られている。セミアディティブ法での配線形成方法としては、層間樹脂表面の無電解メッキ後に、感光性樹脂のメッキレジストを形成し、光照射、弱アルカリ水溶液によりアルカリ現像することでパターンを形成する。ついで電解メッキを行い、導体層を形成した後に、強アルカリ水溶液によりメッキレジストを膨潤剥離させ、不要なメッキレジストを除去する。その後に、非配線パターン部の無電解メッキをエッチングすることで配線パターンを形成する。   In general, for example, a semi-additive method is known as a build-up wiring forming method. As a method of forming a wiring by the semi-additive method, after electroless plating of the surface of the interlayer resin, a photosensitive resin plating resist is formed, and a pattern is formed by light development and alkali development with a weak alkaline aqueous solution. Next, electrolytic plating is performed to form a conductor layer, and then the plating resist is swelled and peeled off with a strong alkaline aqueous solution to remove unnecessary plating resist. After that, the wiring pattern is formed by etching the electroless plating of the non-wiring pattern portion.

セミアディティブ法で使用されるメッキレジストは、多官能アクリルモノマーとカルボキシル基含有の親水性ポリマーと光ラジカル重合開始剤からなるネガ型の感光性樹脂が用いられる。そして、光照射部はアクリル基が光ラジカル重合により架橋し硬化することで不溶化し、未照射部は親水性ポリマーにより弱アルカリに溶解することでパターン形成する。またパターン形成後の光硬化部の樹脂の剥離には強アルカリ水溶液を用いて樹脂部分を膨潤させ、さらにスプレー処理することで剥離する。   As the plating resist used in the semi-additive method, a negative photosensitive resin comprising a polyfunctional acrylic monomer, a carboxyl group-containing hydrophilic polymer, and a radical photopolymerization initiator is used. The light irradiated part is insolubilized by crosslinking and curing of the acrylic group by photo radical polymerization, and the unirradiated part is formed into a pattern by dissolving in a weak alkali with a hydrophilic polymer. Further, the resin at the photocured portion after pattern formation is peeled off by swelling the resin portion with a strong alkaline aqueous solution and further spraying.

しかし配線パターンが微細になるに従い、アルカリ現像での光照射部の膨潤によるパターンの膨れの影響が大きくなり、またこの膨潤により基板に対する密着性が低下するため、解像度の低下する問題があり、メッキレジストの膨潤を抑制する必要がある。しかしメッキレジストのアルカリ現像時の膨潤抑制と強アルカリ水溶液による膨潤剥離性は相反し、両立が困難である。
また微細配線間の光硬化したメッキレジトは剥離除去しにくいため、除去不良などによる配線パターン不良が発生する問題がある。
このため微細配線パターンを形成するために、アルカリ現像後のメッキレジストの解像度が良好で、かつ強アルカリ水溶液の条件下での光硬化したメッキレジストの除去が容易なメッキレジストが必要になる。
However, as the wiring pattern becomes finer, the influence of the swelling of the pattern due to the swelling of the light-irradiated part in alkali development becomes larger, and the adhesion to the substrate is lowered by this swelling. It is necessary to suppress swelling of the resist. However, the suppression of swelling during the alkali development of the plating resist and the swelling peelability by the strong alkaline aqueous solution are contradictory, and it is difficult to achieve both.
Further, since the photo-cured plating resist between the fine wirings is difficult to peel and remove, there is a problem that a wiring pattern defect occurs due to defective removal.
For this reason, in order to form a fine wiring pattern, a plating resist having good resolution of the plating resist after alkali development and easy removal of the photocured plating resist under the condition of a strong alkaline aqueous solution is required.

光硬化したメッキレジストを強アルカリ水溶液で容易に除去する方法としては、例えば、親水性樹脂のカルボキシル基の比率を上げ親水性を上げる方法(特許文献1)等が提案されている。
しかし、親水性を上げる方法では、光照射後のアルカリ現像によっても膨潤するため解像度が低下する問題がある。
As a method for easily removing the photocured plating resist with a strong alkaline aqueous solution, for example, a method of increasing the carboxyl group ratio of the hydrophilic resin to increase the hydrophilicity (Patent Document 1) has been proposed.
However, the method of increasing the hydrophilicity has a problem that the resolution is lowered because it swells even by alkali development after light irradiation.

メッキレジストの解像度と強アルカリ水溶液による除去性を両立する方法として、例えば、加熱処理することで熱分解してアルカリ水溶液を浸透させやすくする方法(特許文献2)等が提案されている。
しかし、酸発生剤による強酸により熱分解するため、配線銅が強酸により腐食する問題がある。
As a method for achieving both the resolution of the plating resist and the removability by the strong alkaline aqueous solution, for example, a method for making the alkaline aqueous solution easily penetrated by heat treatment (Patent Document 2) has been proposed.
However, since it is thermally decomposed by a strong acid by an acid generator, there is a problem that the wiring copper is corroded by a strong acid.

従って、メッキレジストの解像度が良好で、かつ強アルカリ水溶液の条件下での光硬化したメッキレジストの除去が容易で、配線を腐食しないメッキレジストが要求されている。   Accordingly, there is a need for a plating resist that has good resolution of the plating resist, can easily remove the photocured plating resist under the condition of a strong alkaline aqueous solution, and does not corrode the wiring.

特開平9−325487号公報JP-A-9-325487 再公表特許WO2005/022260明細書Republished patent WO2005 / 022260 specification

本発明は、メッキレジストの解像度が良好で、かつ強アルカリ水溶液の条件下での光硬化したメッキレジストの除去が容易なメッキレジストの提供を目的とする。   An object of the present invention is to provide a plating resist having a good resolution of the plating resist and capable of easily removing the photocured plating resist under the condition of a strong alkaline aqueous solution.

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、分子内に2個以上のラジカル重合性の二重結合(a)を含有する下記一般式(1)で表されるラジカル重合性化合物(A)、親水性ポリマー(B)、および光ラジカル重合開始剤(C)を必須成分として含有し、光照射とアルカリ現像によりパターン形成可能なことを特徴とした感光性樹脂組成物(Q);およびこれを用いたメッキレジストである。
The inventors of the present invention have arrived at the present invention as a result of intensive studies to solve the above problems.
That is, the present invention relates to a radically polymerizable compound (A) represented by the following general formula (1) and a hydrophilic polymer (B) containing two or more radically polymerizable double bonds (a) in the molecule. And a photosensitive resin composition (Q) characterized by containing a radical photopolymerization initiator (C) as an essential component and capable of forming a pattern by light irradiation and alkali development; and a plating resist using the same. .

Figure 0005415163
Figure 0005415163

[式(1)中、R1は1価の電子吸引性基または有機基を含む1価の電子吸引性基を表す。Rは水素原子または1価の有機基を表す。RとRはそれぞれ独立に、水素原子、1価の電子供与性基、または有機基を含む1価の電子供与性基を表す。Rは水素原子または1価の有機基を表す。Rは1価の有機基を表す。但し、R1〜R中の有機基のうちの一部にラジカル重合性の二重結合(a)を2個以上含有する。] [In the formula (1), R 1 represents a monovalent electron-withdrawing group or a monovalent electron-withdrawing group containing an organic group. R 2 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom, a monovalent electron-donating group, or a monovalent electron-donating group containing an organic group. R 5 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. R 6 represents a monovalent organic group. However, two or more radical polymerizable double bonds (a) are contained in a part of the organic groups in R 1 to R 6 . ]

本発明の感光性樹脂組成物(Q)は、紫外線照射することによるラジカル重合性の二重結合(a)で光硬化可能である。さらに親水性ポリマー(B)を含有するために、弱アルカリ水溶液によるアルカリ現像でパターン形成が可能である。
また光硬化部は、強アルカリ水溶液により、下記の化学式(10)で表される特性基(b)部分が、二重結合含有化合物、アミン含有化合物および二酸化炭素に分解するため、光照射による架橋を分解することが出来る。これによりアルカリ水溶液が浸透しやすくなり、剥離性が良好となる。
このためメッキレジストとして使用した際に、アルカリ現像により膨潤しにくい光硬化部を形成することにより優れた解像度を得ることが出来き、さらに強アルカリ水溶液により容易に剥離するこができることから、微細配線を形成可能なメッキレジストが提供される。
The photosensitive resin composition (Q) of the present invention can be photocured with a radical polymerizable double bond (a) by irradiation with ultraviolet rays. Furthermore, since the hydrophilic polymer (B) is contained, a pattern can be formed by alkali development with a weak alkaline aqueous solution.
In addition, the photocured part is cross-linked by light irradiation because the characteristic group (b) represented by the following chemical formula (10) is decomposed into a double bond-containing compound, an amine-containing compound and carbon dioxide by a strong alkaline aqueous solution. Can be disassembled. This makes it easier for the aqueous alkali solution to penetrate, and the peelability is improved.
For this reason, when used as a plating resist, it is possible to obtain excellent resolution by forming a photocured portion that is difficult to swell due to alkali development, and it can be easily peeled off with a strong alkaline aqueous solution. A plating resist capable of forming is provided.

Figure 0005415163
Figure 0005415163

[式(10)中、R1は1価の電子吸引性基または有機基を含む1価の電子吸引性基を表す。] [In Formula (10), R 1 represents a monovalent electron-withdrawing group or a monovalent electron-withdrawing group containing an organic group. ]

本発明は、特定の化学構造を有するラジカル重合性化合物(A)、親水性ポリマー(B)、及び光ラジカル重合開始剤(C)を必須成分として含有することを特徴とした感光性樹脂組成物(Q)である。
そして、本発明のラジカル重合性化合物(A)は下記一般式(1)で表され、かつ分子内に2個以上のラジカル重合性の二重結合(a)を含有する必要がある。この二重結合(a)は具体的には、R1〜Rの有機基の一部として含まれる。
The present invention comprises a radically polymerizable compound (A) having a specific chemical structure, a hydrophilic polymer (B), and a radical photopolymerization initiator (C) as essential components. (Q).
And the radically polymerizable compound (A) of this invention is represented by following General formula (1), and needs to contain the 2 or more radically polymerizable double bond (a) in a molecule | numerator. Specifically, this double bond (a) is included as part of the organic group of R 1 to R 6 .

Figure 0005415163
Figure 0005415163

[式(1)中、R1は1価の電子吸引性基または有機基を含む1価の電子吸引性基を表す。Rは水素原子または1価の有機基を表す。RとRはそれぞれ独立に、水素原子、1価の電子供与性基、または有機基を含む1価の電子供与性基を表す。Rは水素原子または1価の有機基を表す。Rは1価の有機基を表す。但し、R1〜R中の有機基のうちの一部にラジカル重合性の二重結合(a)を2個以上含有する。] [In the formula (1), R 1 represents a monovalent electron-withdrawing group or a monovalent electron-withdrawing group containing an organic group. R 2 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom, a monovalent electron-donating group, or a monovalent electron-donating group containing an organic group. R 5 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. R 6 represents a monovalent organic group. However, two or more radical polymerizable double bonds (a) are contained in a part of the organic groups in R 1 to R 6 . ]

なお、ラジカル重合性化合物(A)中の下記一般式(10)で表される特性基(b)部分は、強アルカリ水溶液により、二重結合含有化合物、アミン含有化合物、及び二酸化炭素に分解されると予想される。   In addition, the characteristic group (b) part represented by the following general formula (10) in the radical polymerizable compound (A) is decomposed into a double bond-containing compound, an amine-containing compound, and carbon dioxide by a strong alkaline aqueous solution. It is expected.

Figure 0005415163
Figure 0005415163

式(10)中のR1は上記の式(1)中のR1と同一で、1価の電子吸引性基、または有機基を含む1価の電子吸引性基を表す。 R 1 in formula (10) is the same as R 1 in formula (1) and represents a monovalent electron-withdrawing group or a monovalent electron-withdrawing group containing an organic group.

本発明の感光性樹脂組成物(Q)は、光照射後にアルカリ現像することにより、光照射部は弱アルカリに不溶化し、光未照射部は弱アルカリに溶解することでパターン形成する。
さらに光照射により架橋した光硬化部は、強アルカリ水溶液により特性基(b)部分で架橋が分解し、アルカリ水溶液が浸透することで剥離しやすくすることを特徴とする。
The photosensitive resin composition (Q) of the present invention is subjected to alkali development after light irradiation, whereby the light irradiated portion is insoluble in weak alkali, and the non-light irradiated portion is dissolved in weak alkali to form a pattern.
Furthermore, the photocured part crosslinked by light irradiation is characterized in that crosslinking is decomposed at the characteristic group (b) by the strong alkaline aqueous solution, and the alkaline aqueous solution permeates to easily peel off.

強アルカリ水溶液により特性基(b)部分を分解させるための必須官能基であるR1は、1価の電子吸引性基(r11)、または有機基を含む1価の電子吸引性基(r12)からなる。
ここで、本発明における電子吸引性基としては、隣接して結合する炭素原子に対し、ハメットの置換基定数(σp値)が0.10以上の官能基を指す。
R 1 which is an essential functional group for decomposing the characteristic group (b) with a strong alkaline aqueous solution is a monovalent electron-withdrawing group (r11) or a monovalent electron-withdrawing group (r12) containing an organic group. Consists of.
Here, the electron-withdrawing group in the present invention refers to a functional group having a Hammett's substituent constant (σp value) of 0.10 or more with respect to adjacent carbon atoms.

ハメットの置換基定数(σp値)について
ハメット則はベンゼン誘導体の反応または平衡に及ぼす置換基の影響を定量的に論ずるために1935年 L.P.Hammettにより提唱された経験則であり、今日広く妥当性が認められている。
ハメット則に求められた置換基定数にはσp値とσm値があり、これらの値は、多くの一般的な成書に見出すことができるが、例えば、J.A.Dean編、「Lange’sHandbook of Chemistry」第12版、1979年(McGraw−Hill)や「化学の領域」増刊、122号、96〜103頁、1979年(南光堂)に詳しい。
なお、本発明において各置換基をハメットの置換基定数σpは、上記の成書において文献既知の値が記載される置換基にのみ限定されるという意味ではなく、その値が文献未知であってもハメット則に基づいて測定した場合にその範囲内に包まれると想定される置換基も含む。
本発明においてはσp値をこのような意味で使用し、数値化する場合は、例えば、σp(またはσp)の場合、下記一般式(11)の炭素原子[C]と結合するR(またはR)中の原子から数えて3原子以内の範囲で構成される構造から算出する。
また、σp(またはσp)の場合、式(11)の炭素原子[C]と結合するR(またはR)中の原子から数えて3原子以内の範囲で構成される構造から算出する。
Hammett's Substituent Constant (σp Value) Hammett's rule is based on 1935 in order to quantitatively discuss the effect of substituents on the reaction or equilibrium of benzene derivatives. P. This is an empirical rule proposed by Hammett and is widely accepted today.
Substituent constants determined by Hammett's rule include a σp value and a σm value, and these values can be found in many general books. A. Dean, “Lange's Handbook of Chemistry”, 12th edition, 1979 (McGraw-Hill) and “Chemicals” special edition, 122, 96-103, 1979 (Nankodo).
In the present invention, the Hammett's substituent constant σp of each substituent is not limited to only those substituents whose values are known in the above-mentioned book, but their values are unknown. Also includes substituents that are assumed to fall within that range when measured based on Hammett's law.
In the present invention, the σp value is used in this sense, and in the case of quantification, for example, in the case of σp 1 (or σp 2 ), R bonded to the carbon atom [C a ] of the following general formula (11) 1 (or R 2 ) is calculated from a structure composed of a range of 3 atoms or less from the atoms in 1
Further, in the case of σp 3 (or σp 4 ), from a structure constituted by a range of 3 atoms or less from the atoms in R 3 (or R 4 ) bonded to the carbon atom [C b ] in the formula (11). calculate.

Figure 0005415163
Figure 0005415163

[式(11)中のR1〜Rは、上記の式(1)中のR1〜Rと同一の置換基を表す。] [R 1 to R 6 in Formula (11) represent the same substituent as R 1 to R 6 in Formula (1) above. ]

1における1価の電子吸引性基(r11)としては、例えば、シアノ基(−CN)、ニトロ基(−NO)、ニトロソ基(−N=O)、トリフルオロ基(−CF)、トリアルキルアミン基(−N)、塩素原子(−Cl)、臭素原子(−Br)、及びヨウ素原子(−I)等が挙げられる。これらのうち、強アルカリ水溶液下での分解性の観点から、シアノ基、ニトロ基、及びトリフルオロ基が好ましい。 Examples of the monovalent electron-withdrawing group (r11) in R 1 include a cyano group (—CN), a nitro group (—NO 2 ), a nitroso group (—N═O), and a trifluoro group (—CF 3 ). , Trialkylamine group (—N + R 3 ), chlorine atom (—Cl), bromine atom (—Br), iodine atom (—I) and the like. Among these, a cyano group, a nitro group, and a trifluoro group are preferable from the viewpoint of decomposability in a strong alkaline aqueous solution.

1における有機基を含む1価の電子吸引性基(r12)としては、例えば下記一般式(2)〜(9)の置換基等が表される。 Examples of the monovalent electron-withdrawing group (r12) containing an organic group in R 1 include substituents represented by the following general formulas (2) to (9).

Figure 0005415163
Figure 0005415163

[式(2)〜(9)中のRは、1価の有機基(ry1)を表す。] [R in Formulas (2) to (9) represents a monovalent organic group (ry1). ]

これらの電子吸引性基(r12)のうち、合成の容易さ、強アルカリ水溶液化での分解性の観点から、一般式(2)〜(7)の置換基が好ましく、一般式(6)と(7)の置換基がさらに好ましい。   Of these electron withdrawing groups (r12), from the viewpoint of ease of synthesis and decomposability in the formation of a strong alkaline aqueous solution, the substituents represented by the general formulas (2) to (7) are preferable. The substituent of (7) is more preferable.

1における1価の有機基(ry1)としては、特に限定はされないが、例えば、炭素数1〜20のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基等)、炭素数4〜20のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜15のアルールアルキル基等の1価の炭化水素基や、一部がエーテル、エステル、ケトン、アミノ基、アミド基またはラジカル重合性の二重結合(a)等に置換された前記の炭化水素基が挙げられる。 The monovalent organic group in R 1 (ry1), is not particularly limited, for example, an alkyl group (methyl group having 1 to 20 carbon atoms, an ethyl group, a propyl group, n- butyl group, t- butyl group ), A monovalent hydrocarbon group such as a cycloalkyl group having 4 to 20 carbon atoms (such as a cyclopentyl group or a cyclohexyl group), an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 15 carbon atoms, or a part thereof Are the above hydrocarbon groups substituted with ether, ester, ketone, amino group, amide group or radical polymerizable double bond (a).

一般式(1)中のRは水素原子または1価の有機基(ry2)である。
この1価の有機基(ry2)としては、1価の有機基(ry1)と同じものが使用できる。好ましくは1価の有機基(ry2)が電子吸引性基であれば、より特性基(b)の分解性が上がる。
R 2 in the general formula (1) is a hydrogen atom or a monovalent organic group (ry2).
As the monovalent organic group (ry2), the same one as the monovalent organic group (ry1) can be used. Preferably, when the monovalent organic group (ry2) is an electron withdrawing group, the decomposability of the characteristic group (b) is further increased.

ラジカル重合性化合物(A)中の、RとRはそれぞれ独立に、水素原子、1価の電子供与性基(r31)、または有機基を含む1価の電子供与性基(r32)からなる。
ここで、本発明における電子供与性基としては、隣接して結合する炭素原子に対し、ハメットの置換基定数(σp値)が−0.05以下の官能基を指す。
In the radical polymerizable compound (A), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a monovalent electron donating group (r31), or a monovalent electron donating group (r32) containing an organic group. Become.
Here, the electron donating group in the present invention refers to a functional group having a Hammett's substituent constant (σp value) of −0.05 or less with respect to a carbon atom bonded adjacently.

とRにおける1価の電子供与性基(r31)としては、例えば、炭素数1〜12のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基等)、炭素数4〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アミノ基(−NH)、水酸基(−OH)、チオール基(−SH)等が挙げられる。 The monovalent electron donating group (r31) in R 3 and R 4 is, for example, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, t-butyl group, etc.) , A cycloalkyl group having 4 to 10 carbon atoms (such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group), an amino group (—NH 2 ), a hydroxyl group (—OH), and a thiol group (—SH).

とRにおける有機基を含む1価の電子供与性基(r32)としては、例えば、下記一般式(12)〜(21)で表される置換基等が挙げられる。 Examples of the monovalent electron donating group (r32) containing an organic group in R 3 and R 4 include substituents represented by the following general formulas (12) to (21).

Figure 0005415163
Figure 0005415163

[式(12)〜(21)中のRは1価の有機基(ry3)を表し、R’は炭素数1〜6のアルキル基を表す。] [R in the formulas (12) to (21) represents a monovalent organic group (ry3), and R ′ represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. ]

1価の有機基(ry3)としては、1価の有機基(ry1)と同じものが使用できる。   As the monovalent organic group (ry3), the same as the monovalent organic group (ry1) can be used.

本発明のラジカル重合性化合物(A)中の、R、R、R、およびRの組合せは、下記数式(1)で定義されるRXが、通常0.2〜2.0の範囲にあり、好ましくは0.3〜1.8、さらに好ましくは0.4〜1.6、特に好ましくは0.5〜1.4である。 The combination of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 in the radically polymerizable compound (A) of the present invention is such that RX defined by the following formula (1) is usually 0.2 to 2.0. It is in the range, preferably 0.3 to 1.8, more preferably 0.4 to 1.6, and particularly preferably 0.5 to 1.4.

RX= σp+σp−σp−σp (1)
[σp、σp、σp、およびσpは、それぞれR、R、R、およびRのハメットの置換基定数(σp値)を表す。]
RX = σp 1 + σp 2 −σp 3 −σp 4 (1)
[Σp 1 , σp 2 , σp 3 , and σp 4 represent Hammett's substituent constants (σp values) of R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 , respectively. ]

RXが0.2以上であれば、強アルカリ水溶液により容易に特性基(b)を分解することができ、2.0以下であれば、弱アルカリ水溶液によるアルカリ現像での特性基(b)の分解が抑制されパターン形成が可能である。   If RX is 0.2 or more, the characteristic group (b) can be easily decomposed with a strong alkaline aqueous solution, and if it is 2.0 or less, the characteristic group (b) in alkali development with a weak alkaline aqueous solution can be decomposed. Decomposition is suppressed and pattern formation is possible.

ラジカル重合性化合物(A)中のRは水素原子または1価の有機基(ry5)を表し、Rは1価の有機基(ry6)を表す。
の1価の有機基(ry5)、及びはRの1価の有機基(ry6)は、Rの有機基(ry1)と同じものが使用できる。またRはRと連結して含窒素環を形成することができる。
前記含窒素環はその環構成原子に複数のヘテロ原子(N、S、O等)を含有することができる。
R 5 in the radically polymerizable compound (A) represents a hydrogen atom or a monovalent organic group (ry5), and R 6 represents a monovalent organic group (ry6).
Monovalent organic group R 5 (ry5), and the monovalent organic group R 6 (ry6) the same thing can be used as the organic group R 1 (ry1). R 5 can be linked to R 6 to form a nitrogen-containing ring.
The nitrogen-containing ring can contain a plurality of heteroatoms (N, S, O, etc.) in its ring constituent atoms.

本発明のラジカル重合性化合物(A)は、前記の一般式(10)で表される特性基(b)を通常1分子中に1〜100個含有し、好ましくは80個以下、さらに好ましくは50個以下含有する。
特性基(b)が1分子中に1個以上であれば、強アルカリ水溶液により架橋が分解され光照射部の剥離性が得られ、100個以下であれば有機溶媒に可溶でメッキレジストとして使用できる。
The radically polymerizable compound (A) of the present invention usually contains 1 to 100 characteristic groups (b) represented by the general formula (10) in one molecule, preferably 80 or less, more preferably Contains 50 or less.
If the number of characteristic groups (b) is one or more in one molecule, crosslinking is decomposed by a strong alkaline aqueous solution to obtain the peelability of the light irradiation part. Can be used.

本発明のラジカル重合性化合物(A)中のラジカル重合性の二重結合(a)としては、ビニル基(CH=CH−)、ビニリデン基(CH=CH<)、ビニレン基(−CH=CH−)などが挙げられる。 As the radical polymerizable double bond (a) in the radical polymerizable compound (A) of the present invention, a vinyl group (CH 2 ═CH—), a vinylidene group (CH 2 ═CH <), a vinylene group (—CH = CH-) and the like.

ビニル基としては、例えば、アクリル基、アクリルアミド基、ビニルエステル基、ビニルエーテル基、およびアリル基等が挙げられる。
ビニリデン基としては、例えば、メタクリル基、メタクリルアミド基、シアノアクリル基等が挙げられる。
ビニレン基としては、例えば、プロペニルエーテル基、マレイン酸基、マレイミド基等が挙げられる。
これらのうち好ましいものは、反応性及び保存安定性の観点からアクリル基、アクリルアミド基、アリル基、メタクリル基、メタクリルアミド基、及びアリル基が好ましい。
Examples of the vinyl group include an acryl group, an acrylamide group, a vinyl ester group, a vinyl ether group, and an allyl group.
Examples of the vinylidene group include a methacryl group, a methacrylamide group, a cyanoacryl group, and the like.
As a vinylene group, a propenyl ether group, a maleic acid group, a maleimide group etc. are mentioned, for example.
Among these, an acrylic group, an acrylamide group, an allyl group, a methacryl group, a methacrylamide group, and an allyl group are preferable from the viewpoints of reactivity and storage stability.

本発明のラジカル重合性化合物(A)は、二重結合(a)を通常1分子中に2〜20個含有し、好ましくは15個以下、さらに好ましくは10個以下含有する。
二重結合(a)が1分子中に2個以上であれば、光照射により十分な架橋が形成されパターンの強度が得られ、20個以下であれば強アルカリ処理により十分に架橋が分解し剥離する。
The radically polymerizable compound (A) of the present invention usually contains 2 to 20 double bonds (a) in one molecule, preferably 15 or less, more preferably 10 or less.
If the number of double bonds (a) is 2 or more in one molecule, sufficient cross-linking is formed by light irradiation to obtain pattern strength, and if it is 20 or less, cross-linking is sufficiently decomposed by strong alkali treatment. Peel off.

本発明のラジカル重合性化合物(A)は、強アルカリ水溶液での分解の観点から、
通常、強アルカリ水溶液により分解する特性基(b)を1分子中に1個以上含み、かつ式(1)中のR1〜R中の有機基のうちの一部にラジカル重合性の二重結合(a)を2個以上含有する構造である。
好ましくはラジカル重合性化合物(A)中のRまたはR中に1個以上の二重結合(a)を含有し、かつR中に1個以上の二重結合(a)を含有する構造(i)、または、RまたはR中に1個以上の二重結合(a)を含有し、かつR中に1個以上の二重結合(a)を含有する構造(ii)であり、これらの構造であれば架橋構造を効率的に分解することができ、アルカリ水溶液により容易に剥離することができる。
さらに好ましくは2個の二重結合(a)の分子間に必ず特性基(b)を含む構造であり、この構造であれば架橋構造を完全に分解でき溶解することも可能である。
From the viewpoint of decomposition in a strong alkaline aqueous solution, the radical polymerizable compound (A) of the present invention is
Usually, one or more characteristic groups (b) that are decomposed by a strong alkaline aqueous solution are contained in one molecule, and some of the organic groups in R 1 to R 6 in the formula (1) are radically polymerizable. It is a structure containing two or more double bonds (a).
Preferably, R 1 or R 2 in the radical polymerizable compound (A) contains one or more double bonds (a), and R 6 contains one or more double bonds (a). Structure (i) or Structure (ii) containing one or more double bonds (a) in R 3 or R 4 and one or more double bonds (a) in R 6 With these structures, the crosslinked structure can be efficiently decomposed and can be easily peeled off with an alkaline aqueous solution.
More preferably, the structure always includes the characteristic group (b) between the two double bonds (a). With this structure, the crosslinked structure can be completely decomposed and dissolved.

本発明のラジカル重合性化合物(A)の分子量は、現像性の観点から、通常200〜10,000以下、好ましくは250〜8,000、さらに好ましくは300〜6,000である。
分子量が200を超えると樹脂硬度が充分に発揮でき、また分子量が10,000以下であれば現像性が良好に発揮できる。
The molecular weight of the radically polymerizable compound (A) of the present invention is usually 200 to 10,000 or less, preferably 250 to 8,000, and more preferably 300 to 6,000, from the viewpoint of developability.
When the molecular weight exceeds 200, the resin hardness can be sufficiently exerted, and when the molecular weight is 10,000 or less, the developability can be satisfactorily exhibited.

感光性樹脂組成物(Q)の固形分の重量に基づくラジカル重合性化合物(A)の含有量は、10〜90重量%が好ましく、さらに好ましくは15〜85重量%、特に好ましくは20〜80重量%である。
10重量%以上であれば光硬化反応性がさらに良好に発揮でき、90重量%以下であれば解像度がさらに良好に発揮できる。
The content of the radically polymerizable compound (A) based on the weight of the solid content of the photosensitive resin composition (Q) is preferably 10 to 90% by weight, more preferably 15 to 85% by weight, particularly preferably 20 to 80%. % By weight.
If it is 10% by weight or more, the photo-curing reactivity can be further improved, and if it is 90% by weight or less, the resolution can be further improved.

本発明のラジカル重合性化合物の代表例を以下に示す。   Representative examples of the radical polymerizable compound of the present invention are shown below.

Figure 0005415163
Figure 0005415163

Figure 0005415163
Figure 0005415163

Figure 0005415163
Figure 0005415163

Figure 0005415163
Figure 0005415163

Figure 0005415163
Figure 0005415163

Figure 0005415163
Figure 0005415163

Figure 0005415163
Figure 0005415163

Figure 0005415163
Figure 0005415163

光未照射部を弱アルカリ水溶液によりアルカリ現像するため、感光性樹脂組成物(Q)は親水性ポリマー(B)を必須成とする。
本発明における親水性ポリマー(B)における親水性の指標はHLBにより規定され、一般にこの数値が大きいほど親水性が高いことを示す。
The photosensitive resin composition (Q) is essentially composed of the hydrophilic polymer (B) because the light-irradiated part is alkali-developed with a weak alkaline aqueous solution.
The hydrophilicity index in the hydrophilic polymer (B) in the present invention is defined by HLB. Generally, the larger this value, the higher the hydrophilicity.

親水性ポリマー(B)のHLB値は、親水性ポリマー(B)の樹脂骨格(例えば、ビニル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂など)によって好ましい範囲が異なるが、好ましくは4〜19、さらに好ましくは5〜18、特に好ましくは6〜17である。
4以上であればフォトスペーサの現像を行う際に、現像性がさらに良好であり、19以下であれば硬化物の耐水性がさらに良好である。
The preferred range of the HLB value of the hydrophilic polymer (B) varies depending on the resin skeleton of the hydrophilic polymer (B) (for example, vinyl resin, epoxy resin, polyester resin, etc.), but preferably 4-19, Preferably it is 5-18, Most preferably, it is 6-17.
When it is 4 or more, the developing property is further improved when developing the photo spacer, and when it is 19 or less, the water resistance of the cured product is further improved.

なお、本発明におけるHLBは、小田法によるHLB値であり、親水性−疎水性バランス値のことであり、有機化合物の有機性の値と無機性の値との比率から計算することができる。
HLB≒10×無機性/有機性
また、無機性の値及び有機性の値は、文献「界面活性剤の合成とその応用」(槇書店発行、小田、寺村著)の501頁;または、「新・界面活性剤入門」(藤本武彦著、三洋化成工業株式会社発行)の198頁に詳しく記載されている。
In addition, HLB in this invention is an HLB value by the Oda method, is a hydrophilicity-hydrophobicity balance value, and can be calculated from the ratio of the organic value and inorganic value of an organic compound.
HLB≈10 × inorganic / organic In addition, the inorganic value and the organic value are described on page 501 of the document “Synthesis of Surfactant and its Application” (published by Tsuji Shoten, written by Oda, Teramura); It is described in detail on page 198 of “Introduction to New Surfactants” (Takehiko Fujimoto, published by Sanyo Chemical Industries, Ltd.).

親水性ポリマー(B)は、現像性の観点からカルボキシル基を有することが好ましい。カルボキシル基の含有量は酸価で示される。
親水性ポリマー(B)の酸価は、好ましくは10〜500mgKOH/gである。10mgKOH/g以上であると、現像性がさらに良好に発揮されやすく、500mgKOH/g以下であれば硬化物の耐水性がさらに良好に発揮できる。
The hydrophilic polymer (B) preferably has a carboxyl group from the viewpoint of developability. The carboxyl group content is indicated by an acid value.
The acid value of the hydrophilic polymer (B) is preferably 10 to 500 mgKOH / g. If it is 10 mgKOH / g or more, the developability is more likely to be exhibited, and if it is 500 mgKOH / g or less, the water resistance of the cured product can be further improved.

本発明における親水性ポリマー(B)の酸価は、アルカリ性滴定溶液を用いた指示薬滴定法により測定できる。
具体的な方法は以下の通りである。
(i)試料約1gを精秤して三角フラスコに入れ、続いて中性メタノール・アセトン溶液[アセトンとメタノールを1:1(容量比)で混合したもの]を加え溶解する。
(ii)フェノールフタレイン指示薬数滴を加え、0.1mol/L水酸化カリウム滴定用溶液で滴定する。指示薬の微紅色が30秒続いたときを中和の終点とする。
(iii)次式を用いて決定する。
酸価(KOHmg/g)=(A×f×5.61)/S
ただし、A:0.1mol/L水酸化カリウム滴定用溶液のmL数
f:0.1mol/L水酸化カリウム滴定用溶液の力価
S:試料採取量(g)
The acid value of the hydrophilic polymer (B) in the present invention can be measured by an indicator titration method using an alkaline titration solution.
A specific method is as follows.
(I) About 1 g of a sample is precisely weighed and placed in an Erlenmeyer flask, and then a neutral methanol / acetone solution (a mixture of acetone and methanol at 1: 1 (volume ratio)) is added and dissolved.
(Ii) Add several drops of phenolphthalein indicator and titrate with 0.1 mol / L potassium hydroxide titration solution. The end point of neutralization is defined as the time when the indicator is slightly red for 30 seconds.
(Iii) Determine using the following equation.
Acid value (KOHmg / g) = (A × f × 5.61) / S
However, A: mL number of 0.1 mol / L potassium hydroxide titration solution f: Titer of 0.1 mol / L potassium hydroxide titration solution S: Sampling amount (g)

親水性ポリマー(B)のゲルパーミエーションクロマトグラフ(GPC)の測定法による数平均分子量(以下、Mnと記載)は、硬化物となったときの硬度と現像性の観点から、通常2,000を超え100,000以下、好ましくは2,500〜80,000、さらに好ましくは3,000〜50,000である。
Mnが2,000を超えると樹脂硬度が充分に発揮でき、また、Mnが100,000以下であれば現像性が良好に発揮できる。
The number average molecular weight (hereinafter referred to as Mn) of the hydrophilic polymer (B) measured by gel permeation chromatograph (GPC) is usually 2,000 from the viewpoint of hardness and developability when it becomes a cured product. And 100,000 or less, preferably 2,500 to 80,000, and more preferably 3,000 to 50,000.
When Mn exceeds 2,000, the resin hardness can be sufficiently exerted, and when Mn is 100,000 or less, the developability can be satisfactorily exhibited.

親水性ポリマー(B)としては、ビニル系ポリマー(B1)、エポキシ系ポリマー、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネートおよびポリウレタンなどが挙げられる。
親水性ポリマー(B)は1種で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
これらのうち、得られる硬化物の硬度の観点と、製造のし易さの観点から、好ましいのはビニル系ポリマー(B1)である。
Examples of the hydrophilic polymer (B) include vinyl polymer (B1), epoxy polymer, polyester, polyamide, polycarbonate and polyurethane.
A hydrophilic polymer (B) may be used by 1 type, and may use 2 or more types together.
Among these, the vinyl polymer (B1) is preferable from the viewpoint of the hardness of the obtained cured product and the ease of production.

ビニル系ポリマー(B1)の好ましい製造方法は、親水基を有するビニルモノマー(Ba)(以下、単に(Ba)と表記する場合がある)と、必要により疎水基含有ビニルモノマー(Bb)(以下、単に(Bb)と表記する場合がある)とをビニル重合する方法である。   A preferred production method of the vinyl polymer (B1) includes a vinyl monomer (Ba) having a hydrophilic group (hereinafter sometimes simply referred to as (Ba)) and, if necessary, a hydrophobic group-containing vinyl monomer (Bb) (hereinafter, referred to as “Ba”). (It may be simply expressed as (Bb)).

親水基を有するビニルモノマー(Ba)としては、以下の(Ba1)〜(Ba3)のビニルモノマーが挙げられる。
(Ba1)カルボキシル基含有ビニルモノマー:
不飽和モノカルボン酸[(メタ)アクリル酸、クロトン酸および桂皮酸など]、不飽和多価(2〜4価)カルボン酸[(無水)マレイン酸、イタコン酸、フマル酸およびシトラコン酸など]、不飽和多価カルボン酸アルキル(炭素数1〜10のアルキル基)エステル[マレイン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキルエステルおよびシトラコン酸モノアルキルエステルなど]、並びにこれらの塩[アルカリ金属塩(ナトリウム塩およびカリウム塩等)、アルカリ土類金属塩(カルシウム塩およびマグネシウム塩等)、アミン塩およびアンモニウム塩等]が挙げられる。
(Ba1)のうち好ましいのは親水性の観点から不飽和モノカルボン酸、さらに好ましいのは(メタ)アクリル酸である。
Examples of the vinyl monomer (Ba) having a hydrophilic group include the following (Ba1) to (Ba3) vinyl monomers.
(Ba1) Carboxyl group-containing vinyl monomer:
Unsaturated monocarboxylic acids [such as (meth) acrylic acid, crotonic acid and cinnamic acid], unsaturated polyvalent (2-4 valent) carboxylic acids [such as (anhydrous) maleic acid, itaconic acid, fumaric acid and citraconic acid], Unsaturated polyvalent carboxylic acid alkyl (alkyl group having 1 to 10 carbon atoms) ester [maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester, citraconic acid monoalkyl ester, etc.] and salts thereof [alkali metal salt (sodium salt) And potassium salts, etc.), alkaline earth metal salts (calcium salts and magnesium salts, etc.), amine salts and ammonium salts, etc.].
Among (Ba1), preferred is an unsaturated monocarboxylic acid from the viewpoint of hydrophilicity, and more preferred is (meth) acrylic acid.

(Ba2)水酸基含有ビニルモノマー:
ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート[2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレートなど]、ポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリレート[ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレートなど]、アルキロール(メタ)アクリルアミド[N−メチロール(メタ)アクリルアミドなど]、ヒドロキシスチレンおよび2−ヒドロキシエチルプロペニルエーテルなどが挙げられる。
(Ba2)のうち好ましいのはアルカリ現像性の観点からヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート、特に2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートである。
(Ba2) hydroxyl group-containing vinyl monomer:
Hydroxyalkyl (meth) acrylate [2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, etc.], polyalkylene glycol mono (meth) acrylate [polyethylene glycol mono (meta ) Acrylate etc.], alkylol (meth) acrylamide [N-methylol (meth) acrylamide etc.], hydroxystyrene and 2-hydroxyethylpropenyl ether.
Among (Ba2), hydroxyalkyl (meth) acrylate, particularly 2-hydroxyethyl (meth) acrylate is preferable from the viewpoint of alkali developability.

(Ba3)スルホン酸基含有ビニルモノマー:
例えば、ビニルスルホン酸、(メタ)アリルスルホン酸、スチレンスルホン酸、α−メチルスチレンスルホン酸、2−(メタ)アクリロイルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸およびこれらの塩が挙げられる。塩としてはアルカリ金属(ナトリウムおよびカリウム等)塩、アルカリ土類金属(カルシウムおよびマグネシウム等)塩、第1〜3級アミン塩、アンモニウム塩および第4級アンモニウム塩などが挙げられる。
(Ba3) Sulphonic acid group-containing vinyl monomer:
Examples thereof include vinyl sulfonic acid, (meth) allyl sulfonic acid, styrene sulfonic acid, α-methyl styrene sulfonic acid, 2- (meth) acryloylamido-2-methylpropane sulfonic acid, and salts thereof. Examples of the salt include alkali metal (sodium and potassium) salts, alkaline earth metal (calcium and magnesium) salts, primary to tertiary amine salts, ammonium salts and quaternary ammonium salts.

これらの(Ba)のうち好ましいのは、充分な現像性を付与するという観点から(Ba1)および(Ba2)であり、特に(Ba1)である。   Among these (Ba), (Ba1) and (Ba2) are preferable from the viewpoint of imparting sufficient developability, and particularly (Ba1).

疎水基含有ビニルモノマー(Bb)としては、以下の非イオン性のモノマー(Bb1)〜(Bb3)が挙げられる。   Examples of the hydrophobic group-containing vinyl monomer (Bb) include the following nonionic monomers (Bb1) to (Bb3).

(Bb1)(メタ)アクリル酸エステル;
アルキル基の炭素数1〜20のアルキル(メタ)アクリレート[例えばメチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、n−ヘキシル(メタ)アクリレートおよび2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートなど]および脂環基含有(メタ)アクリレート[ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、シジクロペンテニル(メタ)アクリレートおよびイソボルニル(メタ)アクリレートなど]などが挙げられる。
(Bb1) (meth) acrylic acid ester;
C1-C20 alkyl (meth) acrylate of an alkyl group [for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, n-hexyl (meth) acrylate and 2-ethylhexyl (meth) acrylate, etc.] and alicyclic group-containing (meth) acrylate [dicyclopentanyl (meth) acrylate, sidiclopentenyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, etc. ] Etc. are mentioned.

(Bb2)芳香族炭化水素モノマー;
スチレン骨格を有する炭化水素モノマー[例えばスチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、2,4−ジメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、フェニルスチレン、シクロヘキシルスチレンおよびベンジルスチレン]およびビニルナフタレンなどが挙げられる。
(Bb2) aromatic hydrocarbon monomer;
And hydrocarbon monomers having a styrene skeleton [for example, styrene, α-methylstyrene, vinyltoluene, 2,4-dimethylstyrene, ethylstyrene, isopropylstyrene, butylstyrene, phenylstyrene, cyclohexylstyrene, and benzylstyrene] and vinylnaphthalene. It is done.

(Bb3)カルボン酸ビニルエステル;
炭素数4〜50のもの、例えば酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルおよび酪酸ビニルなどが挙げられる。
(Bb3) carboxylic acid vinyl ester;
Examples thereof include those having 4 to 50 carbon atoms, such as vinyl acetate, vinyl propionate and vinyl butyrate.

これらの疎水基含有ビニルモノマー(Bb)のうち好ましいのは、重合性の観点から(Bb1)である。   Of these hydrophobic group-containing vinyl monomers (Bb), (Bb1) is preferred from the viewpoint of polymerizability.

親水性ポリマー(B1)における、(Ba)/(Bb)の仕込みモノマーモル比は、通常10〜100/0〜90、光硬化反応性と現像性の観点から、好ましくは10〜80/20〜90、さらに好ましくは25〜85/15〜75である。   The charged monomer molar ratio of (Ba) / (Bb) in the hydrophilic polymer (B1) is usually from 10 to 100/0 to 90, and preferably from 10 to 80/20 to 90 from the viewpoint of photocuring reactivity and developability. More preferably, it is 25-85 / 15-75.

親水性ポリマー(B)は、さらに光硬化反応性を向上させる目的で二重結合(a)を側鎖に含有させてもよい。親水性ポリマー(B)中の二重結合(a)は、好ましくは1分子中に1〜10個含有し、さらに好ましくは2〜5個含有する。
二重結合(a)が1分子中に1個以上であれば、光照射により十分な架橋が形成されパターンの強度が得られ、10個以下であれば十分に分解し剥離除去できる。
The hydrophilic polymer (B) may contain a double bond (a) in the side chain for the purpose of further improving photocuring reactivity. The double bond (a) in the hydrophilic polymer (B) is preferably contained in 1-10 molecules, more preferably 2-5 in one molecule.
If the number of double bonds (a) is one or more in one molecule, sufficient cross-linking is formed by light irradiation to obtain a pattern strength. If the number of double bonds (a) is 10 or less, it can be sufficiently decomposed and peeled off.

感光性樹脂組成物(Q)の固形分の重量に基づく親水性ポリマー(B)の含有量は、10〜90重量%が好ましく、さらに好ましくは15〜85重量%、特に好ましくは20〜80重量%である。
10重量%以上であればアルカリ現像性がさらに良好に発揮でき、90重量%以下であれば解像度がさらに良好に発揮できる。
The content of the hydrophilic polymer (B) based on the weight of the solid content of the photosensitive resin composition (Q) is preferably 10 to 90% by weight, more preferably 15 to 85% by weight, particularly preferably 20 to 80% by weight. %.
If it is 10% by weight or more, the alkali developability can be exhibited more satisfactorily, and if it is 90% by weight or less, the resolution can be exhibited more satisfactorily.

ラジカル重合性化合物(A)中の二重結合(a)をラジカル重合反応させるため、感光性樹脂組成物(Q)は光ラジカル重合開始剤(C)を必須成分とする。   In order to cause radical polymerization reaction of the double bond (a) in the radical polymerizable compound (A), the photosensitive resin composition (Q) contains the photo radical polymerization initiator (C) as an essential component.

光ラジカル重合開始剤(C)としては例えば、ベンジルジメチルケタール、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、ベンゾフェノン、メチルベンゾイルフォーメート、イソプロピルチオキサントン、4,4−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、3,3−ジメチル−4−メトキシ−ベンゾフェノン、アントラキノン、2−メチルアントラキノン、2−エチルアントラキノン、tert−ブチルアントラキノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、アセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、4−イソプロピル−2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、2−メチル−1−(4−(メチルチオ)フェニル)−2−モルフォリノ−1−プロパノン、2−クロロチオキサントン、ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、ジイソプロピルチオキサントン、ミヒラーズケトン、ベンジル−2,4,6−(トリハロメチル)トリアジン、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾリル二量体、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9ーアクリジニル)ヘプタン、1,5−ビス(9−アクリジニル)ペンタン、1,3−ビス(9−アクリジニル)プロパン、ジメチルベンジルケタール、トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、トリブロモメチルフェニルスルホン及び2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン等が挙げられる。
光ラジカル重合開始剤(C)は1種で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
Examples of the photo radical polymerization initiator (C) include benzyl dimethyl ketal, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, benzophenone, methyl benzoyl formate, isopropyl thioxanthone, 4,4-bis (dimethylamino) benzophenone, 3,3-dimethyl-4-methoxy-benzophenone, anthraquinone, 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, tert-butylanthraquinone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, Benzoinpropyl ether, acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropion Non, 4-isopropyl-2-hydroxy-2-methylpropiophenone, 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl) -2-morpholino-1-propanone, 2-chlorothioxanthone, diethylthioxanthone, isopropylthioxanthone , Diisopropylthioxanthone, Michler's ketone, benzyl-2,4,6- (trihalomethyl) triazine, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazolyl dimer, 9-phenylacridine, 1,7-bis (9 -Acridinyl) heptane, 1,5-bis (9-acridinyl) pentane, 1,3-bis (9-acridinyl) propane, dimethylbenzyl ketal, trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, tribromomethylphenylsulfone and 2-ben Le 2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) - butan-1-one, and the like.
The radical photopolymerization initiator (C) may be used alone or in combination of two or more.

光ラジカル重合開始剤(C)は、市販のものが容易に入手することができ、例えば2−メチル−1−(4−(メチルチオ)フェニル)−2−モルフォリノ−1−プロパノンとしては、イルガキュア907、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オンとしては、イルガキュア369(チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製)等が挙げられる。   As the radical photopolymerization initiator (C), a commercially available product can be easily obtained. For example, as 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl) -2-morpholino-1-propanone, Irgacure 907 is available. Examples of 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one include Irgacure 369 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals).

感光性樹脂組成物(Q)の固形分の重量に基づく光ラジカル重合開始剤(C)の含有量は、0.001〜10重量%が好ましく、さらに好ましくは0.01〜7重量%、特に好ましくは0.05〜5重量%である。
0.001重量%以上であれば光硬化反応性がさらに良好に発揮でき、10重量%以下であれば解像度がさらに良好に発揮できる。
The content of the radical photopolymerization initiator (C) based on the weight of the solid content of the photosensitive resin composition (Q) is preferably 0.001 to 10% by weight, more preferably 0.01 to 7% by weight, particularly Preferably it is 0.05-5 weight%.
If it is 0.001% by weight or more, the photocuring reactivity can be exhibited more satisfactorily, and if it is 10% by weight or less, the resolution can be further improved.

平滑な無電解銅メッキとの密着性を向上させ、かつ強アルカリ水溶液により架橋を容易に分解するために、感光性樹脂組成物(Q)はチオール基を1分子中に2個以上含有する多官能チオール化合物(D)を含有してもよい。
多官能チオール化合物(D)を含むことにより、ラジカル重合性化合物(A)の二重結合(a)の連鎖重合ではなく、二重結合(a)とチオール基との付加反応になるため、強アルカリ水溶液による特性基(b)の分解で架橋構造を低分子に分解することができるため、容易に強アルカリ水溶液により剥離することが出来、さらにはアルカリ溶解することもできる。
In order to improve adhesion to smooth electroless copper plating and to easily decompose the cross-linking with a strong alkaline aqueous solution, the photosensitive resin composition (Q) contains a plurality of thiol groups in one molecule. A functional thiol compound (D) may be contained.
By including the polyfunctional thiol compound (D), it is not a chain polymerization of the double bond (a) of the radical polymerizable compound (A), but an addition reaction between the double bond (a) and the thiol group. Since the cross-linked structure can be decomposed into low molecules by decomposing the characteristic group (b) with an alkaline aqueous solution, it can be easily peeled off with a strong alkaline aqueous solution and further dissolved in an alkali.

多官能チオール化合物(D)としては、例えば2官能チオール(D1)、3官能チオール(D2)、4官能以上のチオール(D3)等が挙げられる。多官能チオール化合物(D)は1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。   Examples of the polyfunctional thiol compound (D) include bifunctional thiol (D1), trifunctional thiol (D2), and tetrafunctional or higher thiol (D3). A polyfunctional thiol compound (D) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

2官能チオール(D1)としては、例えば、1,2−エタンジチオール、1,3−プロパンジチオール、1,4−ブタンジチオール、2,3−ブタンジチオール、1,5−ペンタンジチオール、1,6−ヘキサンジチオール、1,8−オクタンジチオール、1,9−ノナンジチオール、2,3−ジメルカプト−1−プロパノール、ジチオエリスリトール、2,3−ジメルカプトサクシン酸、1,2−ベンゼンジチオール、1,2−ベンゼンジメタンチオール、1,3−ベンゼンジチオール、1,3−ベンゼンジメタンチオール、1,4−ベンゼンジメタンチオール、3,4−ジメルカプトトルエン、4−クロロ−1,3−ベンゼンジチオール、2,4,6−トリメチル−1,3−ベンゼンジメタンチオール、4,4’−チオジフェノール、2−ヘキシルアミノ−4,6−ジメルカプト−1,3,5−トリアジン、2−ジエチルアミノ−4,6−ジメルカプト−1,3,5−トリアジン、2−シクロヘキシルアミノ−4,6−ジメルカプト−1,3,5−トリアジン、2−ジ−n−ブチルアミノ−4,6−ジメルカプト−1,3,5−トリアジン、エチレングリコールビス(3−メルカプトプロピオネート)、ブタンジオールビスチオグリコレート、エチレングリコールビスチオグリコレート、2,5−ジメルカプト−1,3,4−チアジアゾール、2,2’−(エチレンジチオ)ジエタンチオール、2,2−ビス(2−ヒドロキシ−3−メルカプトプロポキシフェニルプロパン)等の2個のチオール基を有する化合物が挙げられる。   Examples of the bifunctional thiol (D1) include 1,2-ethanedithiol, 1,3-propanedithiol, 1,4-butanedithiol, 2,3-butanedithiol, 1,5-pentanedithiol, 1,6- Hexanedithiol, 1,8-octanedithiol, 1,9-nonanedithiol, 2,3-dimercapto-1-propanol, dithioerythritol, 2,3-dimercaptosuccinic acid, 1,2-benzenedithiol, 1,2- Benzenedimethanethiol, 1,3-benzenedithiol, 1,3-benzenedimethanethiol, 1,4-benzenedimethanethiol, 3,4-dimercaptotoluene, 4-chloro-1,3-benzenedithiol, 2 , 4,6-trimethyl-1,3-benzenedimethanethiol, 4,4'-thiodiphenol, Hexylamino-4,6-dimercapto-1,3,5-triazine, 2-diethylamino-4,6-dimercapto-1,3,5-triazine, 2-cyclohexylamino-4,6-dimercapto-1,3 5-triazine, 2-di-n-butylamino-4,6-dimercapto-1,3,5-triazine, ethylene glycol bis (3-mercaptopropionate), butanediol bisthioglycolate, ethylene glycol bisthio 2 such as glycolate, 2,5-dimercapto-1,3,4-thiadiazole, 2,2 ′-(ethylenedithio) diethanethiol, 2,2-bis (2-hydroxy-3-mercaptopropoxyphenylpropane) And compounds having one thiol group.

3官能チオール(D2)としては、例えば、1,2,6−ヘキサントリオールトリチオグリコレート、1,3,5−トリチオシアヌル酸、トリメチロールプロパントリス(3−メルカプトプロピオネート)、トリメチロールプロパントリスチオグリコレート、トリス[(3−メルカプトプロピオニロキシ)−エチル]イソシアヌレート等の3個のチオール基を有する化合物が挙げられる。   Examples of the trifunctional thiol (D2) include 1,2,6-hexanetriol trithioglycolate, 1,3,5-trithiocyanuric acid, trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate), trimethylolpropane tris. Examples thereof include compounds having three thiol groups such as thioglycolate and tris [(3-mercaptopropionyloxy) -ethyl] isocyanurate.

4官能以上のチオール(D3)としては、例えば、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)、ペンタエリスリトールテトラキスチオグリコレート、ジペンタエリスリトールヘキサキス(3−メルカプトプロピオネート)等の4個以上のチオール基を有する化合物が挙げられる。   Examples of the tetrafunctional or higher thiol (D3) include four or more such as pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate), pentaerythritol tetrakisthioglycolate, dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate), and the like. And a compound having a thiol group.

これらのうち、光硬化性、及び分解性の観点から、3官能チオール(D2)及び4官能以上のチオール(D3)が好ましい。   Of these, trifunctional thiol (D2) and tetrafunctional or higher thiol (D3) are preferred from the viewpoints of photocurability and degradability.

多官能チオール化合物(D)は、チオール基を通常1分子中に2〜10個含有する。好ましくは9個以下、さらに好ましくは8個以下、特に好ましくは6個以下含有する。
2個以上であると、光照射によりラジカル重合性化合物(A)の二重結合(a)とのエン−チオール反応により十分な架橋構造を形成しパターンの強度が得られ、10個以下であると強アルカリ水溶液による架橋構造の分解が容易になり強アルカリ水溶液で剥離することができる。
The polyfunctional thiol compound (D) usually contains 2 to 10 thiol groups in one molecule. Preferably it is 9 or less, more preferably 8 or less, particularly preferably 6 or less.
When it is 2 or more, a sufficient cross-linked structure is formed by ene-thiol reaction with the double bond (a) of the radical polymerizable compound (A) by light irradiation, and the pattern strength is obtained, and it is 10 or less. The cross-linked structure can be easily decomposed with a strong alkaline aqueous solution, and can be peeled off with a strong alkaline aqueous solution.

感光性樹脂組成物(Q)の固形分の重量に基づく多官能チオール化合物(D)の含有量は、通常0.1〜60重量%、好ましくは1〜50重量%、特に好ましくは2〜40重量%である。
多官能チオール化合物(D)が0.1重量%以上であれば無電解銅メッキとの密着性に優れ、60重量%以下であれば硬化物のパターン強度が優れる。
The content of the polyfunctional thiol compound (D) based on the weight of the solid content of the photosensitive resin composition (Q) is usually 0.1 to 60% by weight, preferably 1 to 50% by weight, particularly preferably 2 to 40%. % By weight.
If the polyfunctional thiol compound (D) is 0.1% by weight or more, the adhesiveness with the electroless copper plating is excellent, and if it is 60% by weight or less, the pattern strength of the cured product is excellent.

本発明のラジカル重合性化合物(A)中の二重結合(a)のモル数(Am)と多官能チオール化合物(D)中のチオール基のモル数(Dm)のモル比率(Am/Dm)は、通常0.3〜1.7で、好ましくは0.5〜1.5、さらに好ましくは0.7〜1.3である。
0.3〜1.7の範囲であれば、十分な架橋構造を形成しパターンの強度が得られ、かつ強アルカリ水溶液による架橋構造の分解が容易になり剥離することができ、さらにはアルカリ溶解することができる。
The molar ratio (Am / Dm) of the number of moles (Am) of the double bond (a) in the radical polymerizable compound (A) of the present invention to the number of moles (Dm) of the thiol group in the polyfunctional thiol compound (D) Is usually 0.3 to 1.7, preferably 0.5 to 1.5, more preferably 0.7 to 1.3.
If it is in the range of 0.3 to 1.7, a sufficient cross-linked structure can be formed to obtain pattern strength, and the cross-linked structure can be easily decomposed and peeled off with a strong alkaline aqueous solution. can do.

強アルカリ水溶液でなく弱アルカリ水溶液で光照射部を剥離処理するために、感光性樹脂組成物(Q)は塩基性化合物(E)を含有してもよい。
塩基性化合物(E)を含有することにより、光照射部を加熱処理することで、特性基(b)を強アルカリ水溶液による分解と同様の反応で分解できる。これにより架橋構造を分解することができ、弱アルカリ水溶液でも剥離処理が可能になる。
The photosensitive resin composition (Q) may contain a basic compound (E) in order to release the light-irradiated part with a weak alkaline aqueous solution instead of a strong alkaline aqueous solution.
By containing the basic compound (E), the characteristic group (b) can be decomposed by the same reaction as the decomposition with the strong alkaline aqueous solution by heat-treating the light irradiation part. Thereby, a crosslinked structure can be decomposed | disassembled and a peeling process is attained also with weak alkaline aqueous solution.

塩基性化合物(E)としては、第1〜2級アミン、イミダゾール、第3級アミン、および光塩基発生剤が挙げられる。
第1〜2級アミンとしては芳香族アミン化合物、脂肪族アミン化合物、脂環式アミン化合物等が用いられる。
芳香族アミン化合物としては、公知のものが使用でき、1,3−フェニレンジアミン、1,4−フェニレンジアミン、4,4´−ジフェニルメタンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、および4,4’−ジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。
Examples of the basic compound (E) include primary and secondary amines, imidazoles, tertiary amines, and photobase generators.
As the primary or secondary amine, an aromatic amine compound, an aliphatic amine compound, an alicyclic amine compound, or the like is used.
Known aromatic amine compounds can be used, such as 1,3-phenylenediamine, 1,4-phenylenediamine, 4,4′-diphenylmethanediamine, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diamino. Examples include diphenyl ether, 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminobenzophenone, and 4,4′-diaminodiphenyl sulfone.

脂肪族アミン化合物としては、公知のものが使用でき、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、イミノビスプロピルアミン、および1−アミノ−3−アミノメチル−3,5,5−トリメチルシクロヘキサン等が挙げられる。   As the aliphatic amine compound, known compounds can be used, such as ethylenediamine, propylenediamine, trimethylenediamine, diethylenetriamine, iminobispropylamine, and 1-amino-3-aminomethyl-3,5,5-trimethylcyclohexane. Can be mentioned.

脂環式アミン化合物としては、公知のものが使用でき、シクロヘキシレン−1,3−ジアミン(1,3−フェニレンジアミンの芳香核水添化合物)、シクロヘキシレン−1,4−ジアミン(1,4−フェニレンジアミンの芳香核水添化合物)、ビス(アミノシクロヘキシル)メタン(4,4´−ジフェニルメタンジアミンの芳香核の水添化合物)等が挙げられる。   As the alicyclic amine compound, known compounds can be used, such as cyclohexylene-1,3-diamine (an aromatic nucleus hydrogenated compound of 1,3-phenylenediamine), cyclohexylene-1,4-diamine (1,4 -Phenylenediamine aromatic nucleus hydrogenated compound), bis (aminocyclohexyl) methane (4,4'-diphenylmethanediamine aromatic nucleus hydrogenated compound) and the like.

イミダゾールとしては、公知のものが使用でき、例えば、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール及び1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール等が挙げられる。   As the imidazole, known ones can be used, for example, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-phenylimidazole, 1-benzyl-2- Examples include methylimidazole and 1-cyanoethyl-2-methylimidazole.

第3級アミンとしては、公知のものが使用でき、例えば、ベンジルメチルアミン、2−(ジメチルアミノメチル)フェノール、2,4,6−トリス(ジアミノメチル)フェノール、トリエチルアミン、1、5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネン(サンアプロ社商標:DBN)、1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]−7−ウンデセン(サンアプロ社商標:DBU)、DBU−フェノール塩、DBU−オクチル酸塩、DBU−p−トルエンスルホン酸塩、DBN−フェノール塩、DBN−オクチル酸塩、DBN−p−トルエンスルホン酸塩等が挙げられる。   As the tertiary amine, known ones can be used. For example, benzylmethylamine, 2- (dimethylaminomethyl) phenol, 2,4,6-tris (diaminomethyl) phenol, triethylamine, 1,5-diazabicyclo [ 4,3,0] -5-Nonene (Trademark: DBA), 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -7-undecene (Trademark: DBU), DBU-phenol salt, DBU-octyl And acid salts, DBU-p-toluenesulfonate, DBN-phenol salt, DBN-octylate, DBN-p-toluenesulfonate, and the like.

光塩基発生剤としては、アンモニウム金属塩化合物(特開昭56−57859号公報)、カルバモイルオキシム化合物、カルバモイルヒドロキシルアミン化合物、カルバミン酸化合物、ホルムアミド化合物、アセトアミド化合物、カルバメート化合物、ベンジルカルバメート化合物、ニトロベンジルカルバメート化合物、スルフォンアミド化合物、イミダゾール誘導体化合物、アミンイミド化合物、ピリジン誘導体化合物、α−アミノアセトフェノン誘導体化合物、4級アンモニウム塩誘導体化合物、α−ラクトン環誘導体化合物、アミンイミド化合物、フタルイミド誘導体化合物などが挙げられる。   Examples of the photobase generator include ammonium metal salt compounds (Japanese Patent Laid-Open No. Sho 56-57859), carbamoyloxime compounds, carbamoylhydroxylamine compounds, carbamic acid compounds, formamide compounds, acetamide compounds, carbamate compounds, benzylcarbamate compounds, nitrobenzyl. Carbamate compounds, sulfonamide compounds, imidazole derivative compounds, amine imide compounds, pyridine derivative compounds, α-aminoacetophenone derivative compounds, quaternary ammonium salt derivative compounds, α-lactone ring derivative compounds, amine imide compounds, phthalimide derivative compounds, and the like.

これらの塩基性化合物(E)のうち、保存安定性の観点から、好ましいのはイミダゾール、第3級アミン、及び光塩基発生剤であり、さらに好ましくは第3級アミン塩、及び光塩基発生剤である。   Among these basic compounds (E), from the viewpoint of storage stability, imidazole, tertiary amine, and photobase generator are preferable, and tertiary amine salt and photobase generator are more preferable. It is.

感光性樹脂組成物(Q)の固形分の重量に基づく塩基性化合物(E)の含有量は、0.001〜15重量%が好ましく、さらに好ましくは0.01〜10重量%、特に好ましくは0.05〜7重量%である。
0.001重量%以上であれば特性基(b)の加熱時の分解反応性がさらに良好に発揮でき、15重量%以下であれば硬化物の物性がさらに良好に発揮できる。
The content of the basic compound (E) based on the weight of the solid content of the photosensitive resin composition (Q) is preferably 0.001 to 15% by weight, more preferably 0.01 to 10% by weight, particularly preferably. 0.05 to 7% by weight.
If it is 0.001% by weight or more, the decomposition reactivity during heating of the characteristic group (b) can be exhibited more favorably, and if it is 15% by weight or less, the physical properties of the cured product can be exhibited more favorably.

感光性樹脂組成物(Q)は、必要によりさらにその他の成分(F)を含有していてもよい。
その他成分(F)としては、無機微粒子(F1)、増感剤(F2)、重合禁止剤(F3)、並びにその他の添加剤(例えば、無機顔料、シランカップリング剤、染料、蛍光増白剤、黄変防止剤、酸化防止剤、及び消泡剤等)が挙げられる。
The photosensitive resin composition (Q) may further contain other components (F) as necessary.
As other components (F), inorganic fine particles (F1), sensitizers (F2), polymerization inhibitors (F3), and other additives (for example, inorganic pigments, silane coupling agents, dyes, fluorescent brighteners) , Yellowing inhibitors, antioxidants, antifoaming agents, etc.).

無機微粒子(F1)としては、金属酸化物および金属塩が使用できる。
金属酸化物としては、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素および酸化アルミニウム等が挙げられる。
As the inorganic fine particles (F1), metal oxides and metal salts can be used.
Examples of the metal oxide include titanium oxide, silicon oxide, and aluminum oxide.

金属塩としては、例えば、炭酸カルシウムおよび硫酸バリウム等が挙げられる。
これらのうちで、耐熱性および耐薬品性の観点から、金属酸化物が好ましく、さらに好ましくは、酸化ケイ素および酸化チタン、特に酸化ケイ素が好ましい。
無機微粒子は、体積平均一次粒子径が1〜200nm、透明性の観点から、好ましくは1〜150nm、さらに好ましくは1〜120nm、特に好ましくは5〜20nmのものである。
Examples of the metal salt include calcium carbonate and barium sulfate.
Of these, metal oxides are preferable from the viewpoint of heat resistance and chemical resistance, and silicon oxide and titanium oxide, and particularly silicon oxide are more preferable.
The inorganic fine particles have a volume average primary particle diameter of 1 to 200 nm, preferably from 1 to 150 nm, more preferably from 1 to 120 nm, and particularly preferably from 5 to 20 nm, from the viewpoint of transparency.

感光性樹脂組成物(Q)の固形分の重量に基づく(F1)の含有量は、通常0〜50重量%、好ましくは1〜45重量%、特に好ましくは2〜40重量%である。50重量%以下であれば現像性がさらに良好に発揮でき、2〜40重量%であれば、特に耐熱特性が優れる。   The content of (F1) based on the weight of the solid content of the photosensitive resin composition (Q) is usually 0 to 50% by weight, preferably 1 to 45% by weight, particularly preferably 2 to 40% by weight. If it is 50% by weight or less, the developability can be further improved.

増感剤(F2)としては、ニトロ化合物(例えば、アントラキノン、1,2−ナフトキノン、1,4−ナフトキノン,ベンズアントロン、p,p’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、クロラニル等のカルボニル化合物、ニトロベンゼン、p−ジニトロベンゼン及び2−ニトロフルオレン等)、芳香族炭化水素(例えば、アントラセン及びクリセン等)、硫黄化合物(例えば、ジフェニルジスルフィド等)及び窒素化合物(例えば、ニトロアニリン、2−クロロ−4−ニトロアニリン、5−ニトロ−2−アミノトルエン及びテトラシアノエチレン等)等が用いられる。   Examples of the sensitizer (F2) include nitro compounds (for example, anthraquinone, 1,2-naphthoquinone, 1,4-naphthoquinone, benzanthrone, p, p′-tetramethyldiaminobenzophenone, carbonyl compounds such as chloranil, nitrobenzene, p -Dinitrobenzene and 2-nitrofluorene etc.), aromatic hydrocarbons (eg anthracene and chrysene etc.), sulfur compounds (eg diphenyl disulfide etc.) and nitrogen compounds (eg nitroaniline, 2-chloro-4-nitroaniline) , 5-nitro-2-aminotoluene, tetracyanoethylene and the like.

光ラジカル重合開始剤(C)の重量に基づく増感剤(F2)の含有量は、通常0.1〜100重量%、好ましくは0.5〜80重量%、特に好ましくは1〜70重量%である。   The content of the sensitizer (F2) based on the weight of the radical photopolymerization initiator (C) is usually 0.1 to 100% by weight, preferably 0.5 to 80% by weight, particularly preferably 1 to 70% by weight. It is.

重合禁止剤(F3)としては、特に限定はなく、通常の反応に使用するものが用いられる。具体的には、ジフェニルヒドラジル、トリ−p−ニトルフェニルメチル、N−(3−N−オキシアニリノ−1,3−ジメチルブチリデン)アニリンオキシド、p−ベンゾキノン、p−tert−ブチルカテコール、ニトロベンゼン、ピクリン酸、ジチオベンゾイルジスルフィド及び塩化銅(II)等が挙げられる。   There is no limitation in particular as a polymerization inhibitor (F3), What is used for normal reaction is used. Specifically, diphenylhydrazyl, tri-p-nitrophenylmethyl, N- (3-N-oxyanilino-1,3-dimethylbutylidene) aniline oxide, p-benzoquinone, p-tert-butylcatechol, nitrobenzene, Examples include picric acid, dithiobenzoyl disulfide, and copper (II) chloride.

感光性樹脂組成物(Q)の固形分の重量に基づく重合禁止剤(F3)の含有量は、0〜1.0重量%が好ましく、さらに好ましくは0.01〜0.5重量%、特に好ましくは0.02〜0.1重量%である。   The content of the polymerization inhibitor (F3) based on the weight of the solid content of the photosensitive resin composition (Q) is preferably 0 to 1.0% by weight, more preferably 0.01 to 0.5% by weight, particularly. Preferably it is 0.02 to 0.1 weight%.

本発明のメッキレジスト(R)の形成方法としては、
(1)感光性樹脂組成物(Q)を所定の有機溶剤に溶解(無機微粒子を含んだ場合は溶解と分散)した感光性樹脂ワニス(QW)をカーテンコート、ロールコート、スプレーコート、スクリーン印刷等公知の方法を用いて基板に塗布後、加熱または熱風吹き付けにより溶剤を乾燥させてメッキレジスト(R)を形成する方法;及び
(2)樹脂ワニス(QW)を支持ベースフィルムの上に前記と同様の方法を用いて塗布、乾燥させることで感光性樹脂層を形成したメッキレジストフィルム(RF)を、基板に加熱条件下、加圧ラミネートする工程を行うことによりメッキレジスト(R)を形成する方法などが挙げられる。
好ましいものは、メッキレジストフィルム(RF)を加熱条件下で加圧ラミネートする方法である。このようにするとプリント配線板の生産性が大幅に向上し好適である。
As a method for forming the plating resist (R) of the present invention,
(1) Curtain coating, roll coating, spray coating, screen printing with photosensitive resin varnish (QW) in which photosensitive resin composition (Q) is dissolved in a predetermined organic solvent (dissolved and dispersed when inorganic fine particles are included) A method of forming a plating resist (R) by drying the solvent by heating or hot air blowing after applying to the substrate using a known method such as; and (2) the resin varnish (QW) on the supporting base film. A plating resist film (RF) having a photosensitive resin layer formed by applying and drying using the same method is subjected to pressure laminating on a substrate under heating conditions to form a plating resist (R). The method etc. are mentioned.
A preferred method is a method in which a plating resist film (RF) is pressure-laminated under heating conditions. This is preferable because the productivity of the printed wiring board is greatly improved.

感光性樹脂組成物(Q)を溶解させる有機溶剤としては、樹脂組成物を溶解させることができ、樹脂溶液をフィルム製造装置に適用できる物性(粘度等)に調整できるものであれば特に限定されない。例えば、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、トルエン、エタノール、シクロヘキサノン、メタノール、メチルエチルケトン、酢酸エチル、アセトン及びキシレン等の公知の溶媒が使用できる。
これらの溶媒のうち、フィルムの乾燥温度等の観点から、沸点が200℃以下のもの(トルエン、エタノール、シクロヘキサノン、メタノール、メチルエチルケトン、酢酸エチル、アセトン及びキシレン)が好ましく、単独又は2種類以上組み合わせで使用することもできる。
有機溶剤を使用する場合、溶剤の配合量は、特に限定されないが、感光性樹脂組成物(Q)の固形分の重量に基づいて、通常30〜1,000重量%が好ましく、さらに好ましくは40〜900重量%、特に好ましくは50〜800重量%である。
The organic solvent for dissolving the photosensitive resin composition (Q) is not particularly limited as long as the resin composition can be dissolved and the resin solution can be adjusted to physical properties (viscosity, etc.) applicable to a film production apparatus. . For example, known solvents such as N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, toluene, ethanol, cyclohexanone, methanol, methyl ethyl ketone, ethyl acetate, acetone and xylene can be used.
Of these solvents, those having a boiling point of 200 ° C. or less (toluene, ethanol, cyclohexanone, methanol, methyl ethyl ketone, ethyl acetate, acetone and xylene) are preferable from the viewpoint of the drying temperature of the film, etc., alone or in combination of two or more. It can also be used.
When the organic solvent is used, the amount of the solvent is not particularly limited, but is usually preferably 30 to 1,000% by weight, more preferably 40 based on the weight of the solid content of the photosensitive resin composition (Q). It is -900 weight%, Most preferably, it is 50-800 weight%.

感光性樹脂組成物(Q)の樹脂ワニス(QW)は、例えば、プラネタリーミキサーなどの公知の混合装置により、各成分を混合等することにより得ることができる。
また樹脂ワニス(QW)は、通常、室温で液状であり、その粘度は、25℃で0.1〜10,000mPa・s、好ましくは1〜8,000mPa・sである。
The resin varnish (QW) of the photosensitive resin composition (Q) can be obtained, for example, by mixing each component with a known mixing device such as a planetary mixer.
The resin varnish (QW) is usually liquid at room temperature and has a viscosity of 0.1 to 10,000 mPa · s, preferably 1 to 8,000 mPa · s at 25 ° C.

樹脂ワニス(QW)の乾燥条件は使用する溶剤により異なるが好ましくは50〜200℃で2〜30分の範囲で実施され、乾燥後の感光性樹脂組成物(Q)の複素粘度や残留溶剤量(重量%)等で適宜決定する。   The drying conditions of the resin varnish (QW) vary depending on the solvent to be used, but it is preferably carried out at 50 to 200 ° C. for 2 to 30 minutes. The complex viscosity of the photosensitive resin composition (Q) after drying and the amount of residual solvent (Wt%) and the like are determined as appropriate.

基板としては、銅張積層板上に層間絶縁樹脂層が形成され、さらに層間絶縁樹脂表面に無電解メッキまたは電解メッキ層が形成された基板、及び層間絶縁樹脂表面に無電解メッキ触媒が付与された基板が好ましい。
銅張積層板としては、ガラスエポキシや金属板、ポリエステル板、ポリイミド板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル板等に銅箔を接着したものが挙げられる。
As a substrate, an interlayer insulating resin layer is formed on a copper-clad laminate, an electroless plating or electrolytic plating layer is further formed on the surface of the interlayer insulating resin, and an electroless plating catalyst is applied to the surface of the interlayer insulating resin. Substrates are preferred.
Examples of the copper clad laminate include a glass epoxy, a metal plate, a polyester plate, a polyimide plate, a thermosetting polyphenylene ether plate, etc. bonded with a copper foil.

支持ベースフィルムとしては、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート等が挙げられる。ベースフィルムの厚みは10〜150μmが好ましい。ベースフィルムの横幅は、装置に入るものであれば、特に指定はないが30〜300cmが好ましい。
なお、ベースフィルムにはマット処理、コロナ処理の他、離型処理を施してあってもよい。この樹脂組成物はラミネート時に樹脂のしみ出しが生じるので、ロールの両端あるいは片側に樹脂のない支持ベース部分を5mm以上もうけてあれば、ラミネート部の樹脂付着防止、支持ベースフィルムの剥離が容易になる等の利点がある。
Examples of the supporting base film include polyolefins such as polyethylene and polyvinyl chloride, polyesters such as polyethylene terephthalate, and polycarbonate. The thickness of the base film is preferably 10 to 150 μm. The width of the base film is not particularly specified as long as it can enter the apparatus, but is preferably 30 to 300 cm.
The base film may be subjected to a mold release treatment in addition to a mat treatment and a corona treatment. Since this resin composition exudes resin during lamination, if a support base portion having no resin is provided at both ends or one side of the roll at least 5 mm, it is easy to prevent the resin from adhering to the laminate portion and to peel off the support base film. There are advantages such as.

メッキレジストフィルム(RF)を基板に加熱条件下で加圧ラミネートする際には、支持ベースフィルム側から加圧、加熱しながらラミネートする。ラミネートは減圧した、バッチ式であってもロール式での連続式であってもよく、両面同時にラミネートするのが好ましい。
ラミネート条件は、ラミネート温度は通常50〜180℃であって、好ましくは60〜170℃、さらに好ましくは70〜150℃である。50℃未満では内層基板に転写しにくく、180℃より高いとプリント配線板の生産性が低下する問題がある。ラミネートの圧力は通常0.01〜20MPaであって、好ましくは0.1MPa〜15MPaである。0.01MPa未満では内層基板に転写しにくく、20MPaより高いとメッキレジスト(R)の厚さが調整できない。減圧条件としては、好ましくは2.5kPa以下である。
When the plating resist film (RF) is pressure-laminated on the substrate under heating conditions, it is laminated while pressing and heating from the support base film side. Lamination may be performed under reduced pressure, in a batch system or a continuous system in a roll system, and it is preferable to laminate both surfaces simultaneously.
As for the lamination condition, the lamination temperature is usually 50 to 180 ° C, preferably 60 to 170 ° C, more preferably 70 to 150 ° C. If it is less than 50 ° C., it is difficult to transfer to the inner layer substrate. The pressure of the laminate is usually 0.01 to 20 MPa, preferably 0.1 to 15 MPa. If it is less than 0.01 MPa, transfer to the inner layer substrate is difficult, and if it is higher than 20 MPa, the thickness of the plating resist (R) cannot be adjusted. The decompression condition is preferably 2.5 kPa or less.

基板にメッキレジスト(R)を形成した後、配線パターン形状の光照射とアルカリ現像する工程(I)を行うことにより配線パターン形状の溝を形成する。ついで無電解メッキまたは電解メッキを行い、溝の部分に配線を形成する。
その後、強アルカリ水溶液によるアルカリ剥離又は溶解工程(II)を行うことにより特性基(b)部分を分解し、光硬化したメッキレジスト(R)を除去する。その後、必要に応じ無電解メッキまたは電解メッキ層をエッチングすることで配線を形成することができる。
After forming the plating resist (R) on the substrate, the wiring pattern-shaped groove is formed by performing the light irradiation of the wiring pattern shape and the step (I) of alkali development. Next, electroless plating or electrolytic plating is performed to form wiring in the groove portion.
Thereafter, an alkali stripping or dissolving step (II) with a strong alkaline aqueous solution is performed to decompose the characteristic group (b) portion and remove the photocured plating resist (R). Thereafter, the wiring can be formed by etching the electroless plating or the electrolytic plating layer as necessary.

工程(I)の光照射する方法としては、配線パターンを有するフォトマスクを介して活性光線により、メッキレジスト(R)の露光を行う方法が挙げられる。光照射に用いる活性光線としては、本発明の感光性樹脂組成物(Q)を硬化させることができれば特に制限はない。
活性光線としては、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハロゲンランプ、電子線照射装置、X線照射装置、レーザー(アルゴンレーザー、色素レーザー、窒素レーザー、ヘリウムカドミウムレーザー等)等がある。これらのうち、好ましくは高圧水銀灯及び超高圧水銀灯である。
Examples of the method of irradiating with light in the step (I) include a method of exposing the plating resist (R) with actinic rays through a photomask having a wiring pattern. The actinic ray used for light irradiation is not particularly limited as long as the photosensitive resin composition (Q) of the present invention can be cured.
As active light, low pressure mercury lamp, medium pressure mercury lamp, high pressure mercury lamp, ultra high pressure mercury lamp, xenon lamp, metal halogen lamp, electron beam irradiation device, X-ray irradiation device, laser (argon laser, dye laser, nitrogen laser, helium cadmium laser) Etc.). Of these, high pressure mercury lamps and ultrahigh pressure mercury lamps are preferred.

工程(I)のアルカリ現像する方法としては、アルカリ現像液を用いて配線パターン形状に溶解除去する方法が挙げられる。アルカリ現像液としては、感光性樹脂組成物(Q)の紫外線照射部が溶解せず、紫外線の未照射部が溶解させることができ、さらに特性基(b)が分解されにくい条件であれば特に制限はない。
アルカリ現像液としては水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、炭酸水素ナトリウム及びテトラメチルアンモニウム塩水溶液等がある。
これらアルカリ現像液は水溶性の有機溶剤を加えても良い。水溶性の有機溶剤としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、N−メチルピロリドン等がある。
Examples of the method of alkali development in step (I) include a method of dissolving and removing the wiring pattern shape using an alkali developer. As the alkali developer, the ultraviolet ray irradiation part of the photosensitive resin composition (Q) is not dissolved, the ultraviolet ray non-irradiation part can be dissolved, and the characteristic group (b) is particularly difficult to be decomposed. There is no limit.
Examples of the alkali developer include a sodium hydroxide aqueous solution, a potassium hydroxide aqueous solution, sodium hydrogen carbonate, and a tetramethylammonium salt aqueous solution.
These alkaline developers may contain a water-soluble organic solvent. Examples of the water-soluble organic solvent include methanol, ethanol, isopropyl alcohol, tetrahydrofuran, and N-methylpyrrolidone.

現像方法としては、アルカリ現像液を用いたディップ方式、シャワー方式、及びスプレー方式があるが、スプレー方式の方が好ましい。
現像液の温度は、好ましくは25〜40℃で使用される。現像時間は、メッキレジスト(R)の厚さに応じて適宜決定される。
As a developing method, there are a dip method, a shower method, and a spray method using an alkaline developer, but the spray method is more preferable.
The temperature of the developer is preferably 25 to 40 ° C. The development time is appropriately determined according to the thickness of the plating resist (R).

工程(II)のアルカリ剥離又は溶解する方法としては、アルカリ水溶液を用いて膨潤剥離または溶解除去する方法が挙げられる。アルカリ水溶液としては、特性基(b)を分解できる条件であれば特に制限はない。
アルカリ水溶液としては水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、炭酸水素ナトリウム及びテトラメチルアンモニウム塩水溶液等がある。これらアルカリ水溶液は水溶性の有機溶剤を加えても良い。水溶性の有機溶剤としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン及びN−メチルピロリドン等がある。
除去方法としては、アルカリ水溶液を用いたディップ方式、シャワー方式、及びスプレー方式があるが、スプレー方式の方が好ましい。水溶液の温度は、好ましくは25〜40℃で使用される。溶解時間は、メッキレジスト(R)の厚さに応じて適宜決定される。
Examples of the method of removing or dissolving the alkali in the step (II) include a method of swelling and removing or dissolving and removing using an alkaline aqueous solution. There is no restriction | limiting in particular as aqueous alkali solution, if it is the conditions which can decompose | disassemble characteristic group (b).
Examples of the alkaline aqueous solution include a sodium hydroxide aqueous solution, a potassium hydroxide aqueous solution, sodium hydrogen carbonate, and a tetramethylammonium salt aqueous solution. These alkaline aqueous solutions may contain a water-soluble organic solvent. Examples of the water-soluble organic solvent include methanol, ethanol, isopropyl alcohol, tetrahydrofuran and N-methylpyrrolidone.
As a removing method, there are a dip method, a shower method, and a spray method using an alkaline aqueous solution, but the spray method is preferable. The temperature of the aqueous solution is preferably 25 to 40 ° C. The dissolution time is appropriately determined according to the thickness of the plating resist (R).

感光性樹脂組成物(Q)中に塩基性化合物(E)を含有する場合、工程(II)の前に、特性基(b)を分解する加熱工程を行ってもよい。
加熱工程の温度としては、通常100〜200℃であって、好ましくは110〜190℃、さらに好ましくは120〜180℃である。100℃未満では特性基(b)が十分に分解できずアルカリ剥離又は溶解性が不足し、200℃より高いとプリント配線板の生産性が低下する問題がある。
加熱時間としては、通常2〜120分であって、好ましくは3〜90分、さらに好ましくは3〜90分である。2分未満では時間と温度の制御が困難で、120分より大きいとプリント配線板の生産性が低下する問題がある。
When the basic compound (E) is contained in the photosensitive resin composition (Q), a heating step for decomposing the characteristic group (b) may be performed before the step (II).
As temperature of a heating process, it is 100-200 degreeC normally, Preferably it is 110-190 degreeC, More preferably, it is 120-180 degreeC. If it is less than 100 degreeC, characteristic group (b) cannot fully decompose | disassemble, but alkali peeling or solubility is insufficient, and when it exceeds 200 degreeC, there exists a problem that productivity of a printed wiring board falls.
The heating time is usually 2 to 120 minutes, preferably 3 to 90 minutes, and more preferably 3 to 90 minutes. If it is less than 2 minutes, it is difficult to control the time and temperature.

以下、実施例及び比較例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、特に定めない限り、%は重量%、部は重量部を示す。   Hereinafter, although an example and a comparative example explain the present invention further, the present invention is not limited to these. Hereinafter, unless otherwise specified, “%” represents “% by weight” and “parts” represents “parts by weight”.

<合成例1>
<ラジカル重合性化合物(A−1)の合成>
温度計、撹拌機、滴下ロート、及び還流冷却器を備えた三口フラスコに35%ホルマリン300部、及びテトラヒドロフラン300部を仕込み、ついでエチレングリコールモノアセタートモノメタクリラート430部を徐々に加えながら、50℃で12時間反応させた。ついでトルエン−水で抽出しトルエン層を回収し、溶剤を減圧除去しアルコール化合物(Aa−1)を得た。
<Synthesis Example 1>
<Synthesis of Radical Polymerizable Compound (A-1)>
A three-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, a dropping funnel and a reflux condenser was charged with 300 parts of 35% formalin and 300 parts of tetrahydrofuran, and then gradually added 430 parts of ethylene glycol monoacetate monomethacrylate, The reaction was allowed to proceed for 12 hours at ° C. Subsequently, extraction with toluene-water was performed to recover the toluene layer, and the solvent was removed under reduced pressure to obtain an alcohol compound (Aa-1).

ついで温度計、撹拌機、滴下ロート、及び還流冷却器を備えた三口フラスコに1,4−フェニレンジイソシアネート160部、及びトルエン400部を仕込み、ついでアルコール化合物(Aa−1)244部を徐々に加えながら、50℃で12時間反応させた後に、溶剤を減圧除去することで、分子内に特性基(b)を2個、二重結合(a)を2個含有する前記の化学式(22)で表されるラジカル重合性化合物(A−1)を得た。(RX=1.04)   Subsequently, 160 parts of 1,4-phenylene diisocyanate and 400 parts of toluene were charged into a three-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, a dropping funnel, and a reflux condenser, and then 244 parts of an alcohol compound (Aa-1) was gradually added. However, after reacting at 50 ° C. for 12 hours, the solvent is removed under reduced pressure, so that the chemical formula (22) contains two characteristic groups (b) and two double bonds (a) in the molecule. The represented radically polymerizable compound (A-1) was obtained. (RX = 1.04)

<合成例2> <ラジカル重合性化合物(A−2)の合成>
温度計、撹拌機、滴下ロート、及び還流冷却器を備えた三口フラスコに1,3−ビス(2−ヒドロキシエチルスルホニル)−2−プロパノール276部、ジラウリル酸ジブチルスズ6部、及びジメチルホルムアミド780部を仕込み、室温で均一溶解させた。ついで2−メタクリロキシエチル イソシアネート(昭和電工社製、「カレンズ MOI」)500部を徐々に加えながら、40℃で12時間反応させた後に、溶剤を減圧除去することで、分子内に特性基(b)を3個、二重結合(a)を3個含有する前記の化学式(27)で表されるラジカル重合性化合物(A−2)を得た。(RX=0.73)
<Synthesis Example 2><Synthesis of Radical Polymerizable Compound (A-2)>
In a three-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, a dropping funnel, and a reflux condenser, 276 parts of 1,3-bis (2-hydroxyethylsulfonyl) -2-propanol, 6 parts of dibutyltin dilaurate, and 780 parts of dimethylformamide were added. Charged and uniformly dissolved at room temperature. Next, while gradually adding 500 parts of 2-methacryloxyethyl isocyanate (“Karenz MOI”, manufactured by Showa Denko KK), the mixture was reacted at 40 ° C. for 12 hours, and then the solvent was removed under reduced pressure, whereby a characteristic group ( A radical polymerizable compound (A-2) represented by the chemical formula (27) containing 3 b) and 3 double bonds (a) was obtained. (RX = 0.73)

<合成例3>
<親水性ポリマー(B−1)の合成>
温度計、撹拌機、滴下ロート、及び還流冷却器を備えた三口フラスコに、イソボルニルメタクリレート60部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート20部、メタクリル酸20部、およびメチルエチルケトン150部を仕込み、80℃まで加熱した。系内の気相部分を窒素で置換したのち、あらかじめ作成しておいたAIBNの5部をメチルエチルケトン50部に溶解した溶液55部を、80℃のコルベン中に10分間で滴下し、さらに同温度で3時間反応させた。その後、メチルエチルケトンを減圧除去することで、水酸基とカルボキシル基を有する親水性ポリマー(B−1:Mn:21,000、SP値:12.24、HLB値:12.38、水酸基価:86mgKOH/g、酸価:138mgKOH/g)の親水性ポリマー(B−1)を得た。
<Synthesis Example 3>
<Synthesis of hydrophilic polymer (B-1)>
A three-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, a dropping funnel, and a reflux condenser is charged with 60 parts of isobornyl methacrylate, 20 parts of 2-hydroxyethyl methacrylate, 20 parts of methacrylic acid, and 150 parts of methyl ethyl ketone up to 80 ° C. Heated. After substituting the gas phase part in the system with nitrogen, 55 parts of a solution prepared by dissolving 5 parts of AIBN prepared in advance in 50 parts of methyl ethyl ketone was dropped into Kolben at 80 ° C. over 10 minutes, and the same temperature. For 3 hours. Thereafter, methylethylketone was removed under reduced pressure to obtain a hydrophilic polymer having a hydroxyl group and a carboxyl group (B-1: Mn: 21,000, SP value: 12.24, HLB value: 12.38, hydroxyl value: 86 mgKOH / g , Acid value: 138 mgKOH / g), a hydrophilic polymer (B-1) was obtained.

<比較合成例1>
<ラジカル重合性化合物(A’−1)の合成>
アルコール化合物(Aa−1)244部の代わりにヒドロキシエチルメタアクリレート130部を使用した以外は合成例1と同様にして、電子吸引性基を含まない特性基(b’)を2個と、二重結合(a)2個を分子内に含有するラジカル重合性化合物(A’−1)を得た。(RX<0)。
<Comparative Synthesis Example 1>
<Synthesis of Radical Polymerizable Compound (A′-1)>
In the same manner as in Synthesis Example 1 except that 130 parts of hydroxyethyl methacrylate was used instead of 244 parts of the alcohol compound (Aa-1), two characteristic groups (b ′) not containing an electron-withdrawing group were obtained. A radical polymerizable compound (A′-1) containing 2 heavy bonds (a) in the molecule was obtained. (RX <0).

<比較合成例2>
<ラジカル重合性化合物(A’−2)の合成>
1,4−フェニレンジイソシアネートの代わりにフェニルイソシアネート119部を使用した以外は合成例1と同様にして、特性基(b)を1個、二重結合を1個だけを分子内に有するラジカル重合性化合物(A’−2)を得た。(RX=1.04)。
<Comparative Synthesis Example 2>
<Synthesis of Radical Polymerizable Compound (A′-2)>
Radical polymerization having one characteristic group (b) and only one double bond in the molecule in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 119 parts of phenyl isocyanate is used instead of 1,4-phenylene diisocyanate. Compound (A′-2) was obtained. (RX = 1.04).

<実施例1>
温度計、撹拌機、滴下ロート、及び還流冷却器を備えた三口フラスコに、合成例3で合成した親水性ポリマー(B−1)45部、ジメチルホルムアミド120部を入れて、均一溶解した。ついで合成例1で合成したラジカル重合性化合物(A−1)50部、光重合開始剤(C−1)(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ(株)社製、「イルガキュア907」)5部を加え、25℃で攪拌溶解を行い、感光性樹脂ワニスを得た。
<Example 1>
In a three-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, a dropping funnel, and a reflux condenser, 45 parts of the hydrophilic polymer (B-1) synthesized in Synthesis Example 3 and 120 parts of dimethylformamide were uniformly dissolved. Next, 50 parts of the radical polymerizable compound (A-1) synthesized in Synthesis Example 1 and 5 parts of a photopolymerization initiator (C-1) (Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., “Irgacure 907”) were added, The mixture was stirred and dissolved at 25 ° C. to obtain a photosensitive resin varnish.

この感光性樹脂ワニスを、表面粗度0.3μmにマイクロエッチング処理を行った銅張積層板(三菱ガス化学(株)社製、「CCL−HL830」)に塗工速度0.3m/分で乾燥後の感光性樹脂層の厚みが15μmとなるようにナイフコーターにて全面塗布した後、80℃で4分間乾燥することによりメッキレジストを形成した。   This photosensitive resin varnish was applied to a copper-clad laminate (“CCL-HL830”, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.) having a surface roughness of 0.3 μm and subjected to microetching at a coating speed of 0.3 m / min. The whole surface was coated with a knife coater so that the thickness of the photosensitive resin layer after drying was 15 μm, and then dried at 80 ° C. for 4 minutes to form a plating resist.

形成したメッキレジストに、投影型露光装置(株式会社オーク製作所社製、HMW−661F−01)で、ライン/スペース(以下、L/Sと記載)が25μm/25μm及び15μm/15μmの配線パターンを露光し、30℃の1%炭酸ナトリウム水溶液を90秒間スプレーで吹き付けて現像し、水洗、エアーブロー後、循風乾燥機内で、60℃で20分間乾燥させた。   A wiring pattern having a line / space (hereinafter referred to as L / S) of 25 μm / 25 μm and 15 μm / 15 μm is formed on the formed plating resist using a projection type exposure apparatus (OMW Corporation, HMW-661F-01). It was exposed to light, developed by spraying a 1% aqueous sodium carbonate solution at 30 ° C. for 90 seconds, washed with water, blown with air, and then dried at 60 ° C. for 20 minutes in a circulating drier.

ついで、電解銅メッキを行い13μmの導体層を形成した後に、3%水酸化ナトリウム水溶液中に30℃で3分間浸漬した。ついで水洗、エアーブロー後、循風乾燥機内で、100℃で20分間乾燥させることでプリント配線板(Z−1)を得た。   Next, after electrolytic copper plating was performed to form a 13 μm conductor layer, it was immersed in a 3% aqueous sodium hydroxide solution at 30 ° C. for 3 minutes. Subsequently, after washing with water and air blowing, the printed wiring board (Z-1) was obtained by drying at 100 ° C. for 20 minutes in an air circulation dryer.

<実施例2>
ラジカル重合性化合物(A−1)の部数を30部に変更し、多官能チオール化合物としてペンタエリスリトールテトラキス−(3−メルカプトプロピオネート)(堺化学工業(株)社製、「PEMP」)(D−1)20部を追加した以外は実施例1と同様にしてプリント配線板(Z−2)を得た。
<Example 2>
The number of parts of the radical polymerizable compound (A-1) was changed to 30 parts, and pentaerythritol tetrakis- (3-mercaptopropionate) (“PMP” manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd.) as a polyfunctional thiol compound ( D-1) A printed wiring board (Z-2) was obtained in the same manner as in Example 1 except that 20 parts were added.

<実施例3>
ラジカル重合性化合物(A−1)の代わりに、ラジカル重合性化合物(A−2)50部を使用した以外は、実施例1と同様にしてプリント配線板(Z−3)を得た。
<Example 3>
A printed wiring board (Z-3) was obtained in the same manner as in Example 1 except that 50 parts of the radical polymerizable compound (A-2) was used instead of the radical polymerizable compound (A-1).

<実施例4>
ラジカル重合性化合物(A−1)の代わりに、ラジカル重合性化合物(A−2)30部を使用した以外は、実施例2と同様にしてプリント配線板(Z−4)を得た。
<Example 4>
A printed wiring board (Z-4) was obtained in the same manner as in Example 2 except that 30 parts of the radical polymerizable compound (A-2) was used instead of the radical polymerizable compound (A-1).

<比較例1>
ラジカル重合性化合物(A−1)を、電子吸引性基を含まない特性基からなるラジカル重合性化合物(A’−1)50部に変更した以外は、実施例1と同様にしてプリント配線板(Z’−1)を得た。
<Comparative Example 1>
A printed wiring board was prepared in the same manner as in Example 1 except that the radical polymerizable compound (A-1) was changed to 50 parts of the radical polymerizable compound (A′-1) comprising a characteristic group not containing an electron withdrawing group. (Z′-1) was obtained.

<比較例2>
ラジカル重合性化合物(A−1)を、ラジカル重合性の二重結合を1個だけ含有するラジカル重合性化合物(A’−2)50部に変更した以外は、実施例1と同様にしてプリント配線板(Z’−2)を得た。
<Comparative example 2>
Printing was performed in the same manner as in Example 1 except that the radical polymerizable compound (A-1) was changed to 50 parts of the radical polymerizable compound (A′-2) containing only one radical polymerizable double bond. A wiring board (Z′-2) was obtained.

<比較例3>
ラジカル重合性化合物(A−1)を、特性基(b)を含まないラジカル重合性化合物(A’−3)(三洋化成工業(株)製「ネオマーDA−600」;ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートの混合物)50部に変更した以外は、実施例1と同様にしてプリント配線板(Z’−3)を得た。
<Comparative Example 3>
Radical polymerizable compound (A-1), radical polymerizable compound (A′-3) not containing the characteristic group (b) (“Neomer DA-600” manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd .; dipentaerythritol pentaacrylate and A printed wiring board (Z′-3) was obtained in the same manner as in Example 1 except that the mixture was changed to 50 parts (mixture of dipentaerythritol hexaacrylate).

<比較例4>
ラジカル重合性化合物(A−1)をラジカル重合性化合物(A’−3)20部、親水性ポリマー(B−1)の部数を75部に変更した以外は、実施例1と同様にしてプリント配線板(Z’−4)を得た。
<Comparative Example 4>
Printing was performed in the same manner as in Example 1 except that the radical polymerizable compound (A-1) was changed to 20 parts of the radical polymerizable compound (A′-3) and the number of parts of the hydrophilic polymer (B-1) was changed to 75 parts. A wiring board (Z′-4) was obtained.

<性能評価>
メッキレジストの性能評価として、得られたプリント配線板(Z−1)〜(Z−4)、および(Z’―1)〜(Z’―4)のレジストパターン形成性、強アルカリ水溶液中のレジストの挙動、および配線パターン形成性について以下の方法で評価した。
<Performance evaluation>
As the performance evaluation of the plating resist, the obtained printed wiring boards (Z-1) to (Z-4) and (Z′-1) to (Z′-4) have a resist pattern formability, The behavior of the resist and the wiring pattern formability were evaluated by the following methods.

<レジストパターン形成性>
形成したメッキレジストの、露光、1%炭酸ナトリウム水溶液現像、乾燥後に、形状測定顕微鏡(超深度形状測定顕微鏡VK−8550、株式会社キーエンス製)を用いて、L/Sが25μm/25μmおよび15μm/15μmのレジストパターンの剥れを顕微鏡の倍率200倍の条件より観察し、以下の基準により評価した。
○:配線の剥れが全く認められない
×:部分的に配線の剥がれがある
<Resist pattern formability>
After exposure, 1% sodium carbonate aqueous solution development and drying of the formed plating resist, L / S was 25 μm / 25 μm and 15 μm / 15 μm using a shape measuring microscope (VD-8550, manufactured by Keyence Corporation). The peeling of the 15 μm resist pattern was observed under the condition of a microscope magnification of 200 times and evaluated according to the following criteria.
○: No peeling of wiring is recognized at all ×: There is partial peeling of wiring

<強アルカリ水溶液中のレジストの挙動>
光照射後のレジストを、2%水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬した時の挙動を目視で観察し、以下の基準により評価した。
◎:レジストが溶解
○:レジストが膨潤剥離する
×:レジストが変化しない
<Behavior of resist in strong alkaline aqueous solution>
The behavior when the resist after light irradiation was immersed in a 2% aqueous sodium hydroxide solution was visually observed and evaluated according to the following criteria.
◎: Resist dissolves ○: Resist swells and peels ×: Resist does not change

<配線パターン形成性>
配線形成後のプリント配線板を、形状測定顕微鏡を用いてL/Sが25μm/25μmおよび15μm/15μmのメッキ配線パターン中の配線間を顕微鏡の倍率200倍の条件で、レジスト残渣の有無を観察し、以下の基準により評価した。
○:レジスト残渣が認められない
×:部分的にレジスト残渣がある
<Wiring pattern formability>
Use a shape measurement microscope to observe the presence or absence of resist residues between the wires in the plated wiring pattern with L / S of 25/25/15 and 15/15/15 μm at a magnification of 200 ×. The evaluation was made according to the following criteria.
○: Resist residue is not recognized ×: Resist residue partially

実施例および比較例で得た感光性樹脂の配合部数とプリント配線板の評価結果を表1に示す。   Table 1 shows the number of blended photosensitive resins obtained in Examples and Comparative Examples and the evaluation results of the printed wiring board.

Figure 0005415163
Figure 0005415163

表1から明らかなように、本発明の実施例1〜4の感光性樹脂組成物(Q)をメッキレジストに用いると、L/Sが15μm/15μmにおいてもレジストパターン形成性が良好で、かつメッキ後にレジストを除去できるため、15μm以下の配線においても欠陥のない配線形成が可能であることが分かる。特に多官能チオール化合物(D)を含有する実施例2と4では、強アルカリ水溶液に溶解可能であり、さらにレジストの除去性が特に優れていることがわかる。
一方、電子吸引性基を含まない特性基(b’)からなるラジカル重合性化合物(A’−1)を用いた比較例1は、強アルカリ水溶液による分解がおこらないため、配線間のレジストの除去性が悪く配線パターン形成性に問題がある。
二重結合(a)が1つしか含有しないラジカル重合性化合物(A’−2)を用いた比較例2は、レジストの光硬化性が悪くレジストパターン形成性に問題があることが分かる。
また、特性基(b)を含まないラジカル重合性化合物(A’−3)を用いて親水性ポリマーが少ない比較例3は配線間のレジストの除去性が悪く、配線パターン形成性に問題があり、親水性ポリマーが多い比較例4は、アルカリ現像時に膨潤するため銅面への密着性が低下しレジストパターン形成性が悪くなる問題があることが分かる。
As is apparent from Table 1, when the photosensitive resin compositions (Q) of Examples 1 to 4 of the present invention are used for the plating resist, the resist pattern formability is good even when L / S is 15 μm / 15 μm, and Since the resist can be removed after plating, it can be seen that a wiring having no defect can be formed even in a wiring of 15 μm or less. In particular, Examples 2 and 4 containing the polyfunctional thiol compound (D) can be dissolved in a strong alkaline aqueous solution, and the removability of the resist is particularly excellent.
On the other hand, in Comparative Example 1 using the radically polymerizable compound (A′-1) composed of the characteristic group (b ′) not containing an electron-withdrawing group, decomposition with a strong alkaline aqueous solution does not occur. The removability is poor and there is a problem with the wiring pattern formation.
It can be seen that Comparative Example 2 using the radically polymerizable compound (A′-2) containing only one double bond (a) has a poor resist photocurability and a problem in resist pattern formation.
Further, Comparative Example 3 using a radically polymerizable compound (A′-3) not containing the characteristic group (b) and having a small amount of hydrophilic polymer has poor removability of the resist between the wirings, and has a problem in wiring pattern formability. It can be seen that Comparative Example 4 having a large amount of hydrophilic polymer swells at the time of alkali development, so that the adhesion to the copper surface is lowered and the resist pattern formability is deteriorated.

本発明の感光性樹脂組成物をメッキレジストとして用いると、アルカリ現像時の解像度が優れ、かつ光硬化部も強アルカリ水溶液により容易に分解することで微細配線間のメッキレジストの除去性に優れることから、導体回路の高密度化と高速化に適したプリント配線板形成用メッキレジストとして好適である。   When the photosensitive resin composition of the present invention is used as a plating resist, the resolution at the time of alkali development is excellent, and the photocured portion is easily decomposed by a strong alkaline aqueous solution, so that the removability of the plating resist between fine wirings is excellent. Therefore, it is suitable as a plating resist for forming a printed wiring board suitable for increasing the density and speed of conductor circuits.

Claims (7)

分子内に2個以上のラジカル重合性の二重結合(a)を含有する下記一般式(1)で表されるラジカル重合性化合物(A)、親水性ポリマー(B)、および光ラジカル重合開始剤(C)を必須成分として含有し、光照射とアルカリ現像によりパターン形成可能なことを特徴とした感光性樹脂組成物(Q)。
Figure 0005415163
[式(1)中、R1は1価の電子吸引性基または 有機基を含む1価の電子吸引性基を表す。Rは水素原子または1価の有機基を表す。RとRはそれぞれ独立に、水素原子、1価の電子供与性基、または有機基を含む1価の電子供与性基を表す。Rは水素原子または1価の有機基を表す。Rは1価の有機基を表す。但し、R1〜R中の有機基のうちの一部にラジカル重合性の二重結合(a)を2個以上含有し、R またはR 中に1個以上の二重結合(a)を含有し、かつR 中にも1個以上の二重結合(a)を含有する。]
Radical polymerizable compound (A) represented by the following general formula (1) containing two or more radical polymerizable double bonds (a) in the molecule, hydrophilic polymer (B), and initiation of radical photopolymerization A photosensitive resin composition (Q) comprising an agent (C) as an essential component and capable of forming a pattern by light irradiation and alkali development.
Figure 0005415163
[In the formula (1), R 1 represents a monovalent electron-withdrawing group or a monovalent electron-withdrawing group containing an organic group. R 2 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom, a monovalent electron-donating group, or a monovalent electron-donating group containing an organic group. R 5 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. R 6 represents a monovalent organic group. However, R 1 radical polymerizable double bond in some of the organic groups in to R 6: (a) containing 2 or more, R 3 or R 4 1 or more double bonds in (a ) And one or more double bonds (a) in R 6 . ]
該ラジカル重合性化合物(A)の一般式(1)中のRまたはR中に1個以上のラジカル重合性の二重結合(a)を含有し、かつR中にも1個以上の二重結合(a)を含有する請求項1記載の感光性樹脂組成物(Q)。 The radically polymerizable compound (A) contains one or more radically polymerizable double bonds (a) in R 1 or R 2 in the general formula (1), and one or more in R 6 The photosensitive resin composition (Q) according to claim 1, comprising a double bond (a). ラジカル重合性化合物(A)のR1、R、RおよびRのそれぞれのハメットの置換基定数(σp値)を用いて下記数式(1)で定義されたRXが0.3〜1.8である請求項1または2記載の感光性樹脂組成物(Q)。
RX= σp+σp−σp−σp (1)
但し、式中のσp、σp、σp、σpは、それぞれR1、R、R、Rのハメットの置換基定数(σp値)を表す。
RX defined by the following formula (1) using each Hammett's substituent constant (σp value) of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 of the radical polymerizable compound (A) is 0.3 to 1 The photosensitive resin composition (Q) according to claim 1 or 2, which is .8.
RX = σp 1 + σp 2 −σp 3 −σp 4 (1)
In the formula, σp 1 , σp 2 , σp 3 , and σp 4 represent Hammett's substituent constants (σp values) of R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 , respectively.
さらに、分子中に2個以上のチオール基を含有する多官能チオール化合物(D)を含有
する請求項1〜いずれか記載の感光性樹脂組成物(Q)。
Furthermore, the photosensitive resin composition (Q) in any one of Claims 1-3 containing the polyfunctional thiol compound (D) which contains a 2 or more thiol group in a molecule | numerator.
該ラジカル重合性化合物(A)の二重結合(a)のモル数(Am)と多官能チオール化合物(D)のチオール基のモル数(Dm)の比Am/Dmが、0.5〜1.5である請求項1〜いずれか記載の感光性樹脂組成物(Q)。 The ratio Am / Dm of the number of moles (Am) of the double bond (a) of the radical polymerizable compound (A) to the number of moles (Dm) of the thiol group of the polyfunctional thiol compound (D) is 0.5 to 1. The photosensitive resin composition (Q) according to any one of claims 1 to 4, which is 0.5. 該ラジカル重合性化合物(A)中のR1が、下記一般式(2)〜(9)で表される電子吸引性基である請求項1〜いずれか記載の感光性樹脂組成物(Q)。
Figure 0005415163
[式(2)〜(9)中、Rは1価の有機基を表す。]
The photosensitive resin composition (Q) according to any one of claims 1 to 5, wherein R 1 in the radical polymerizable compound (A) is an electron-withdrawing group represented by the following general formulas (2) to (9). ).
Figure 0005415163
[In the formulas (2) to (9), R represents a monovalent organic group. ]
請求項1〜いずれか記載の感光性樹脂組成物(Q)を用いたメッキレジスト(R)。 The plating resist (R) using the photosensitive resin composition (Q) in any one of Claims 1-6 .
JP2009149791A 2009-06-24 2009-06-24 Photosensitive resin composition Expired - Fee Related JP5415163B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009149791A JP5415163B2 (en) 2009-06-24 2009-06-24 Photosensitive resin composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009149791A JP5415163B2 (en) 2009-06-24 2009-06-24 Photosensitive resin composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011007937A JP2011007937A (en) 2011-01-13
JP5415163B2 true JP5415163B2 (en) 2014-02-12

Family

ID=43564697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009149791A Expired - Fee Related JP5415163B2 (en) 2009-06-24 2009-06-24 Photosensitive resin composition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5415163B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6053833B2 (en) * 2015-01-05 2016-12-27 ハニー化成株式会社 Resin composition for negative-type cationic electrodeposition photoresist and coating film obtained by electrodeposition coating thereof
US11040942B1 (en) * 2018-01-31 2021-06-22 University Of Oregon Compound embodiments for hydrogen sulfide production and methods of making and using the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3989270B2 (en) * 2002-03-25 2007-10-10 富士フイルム株式会社 Photopolymerizable composition
JP2004348020A (en) * 2003-05-26 2004-12-09 Mitsubishi Chemicals Corp Near-infrared laser photopolymerizable composition, and image forming material and image forming method using the same
JP4520879B2 (en) * 2005-02-16 2010-08-11 富士フイルム株式会社 Pattern forming material, pattern forming apparatus, and pattern forming method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011007937A (en) 2011-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5618118B2 (en) Photosensitive resin composition, and photosensitive element, solder resist and printed wiring board using the same
TWI689783B (en) Photosensitive resin composition, photosensitive element, method of forming resist pattern and method of producing printed circuit board
JP5729495B2 (en) Photosensitive element, solder resist and printed wiring board using photosensitive resin composition
US7910631B2 (en) Photosensitive resin composition and flexible printed wiring circuit board having insulative cover layer formed of photosensitive resin composition
KR101345930B1 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive element, resist pattern formation method and printed circuit board production method each utilizing same
JP5788096B2 (en) Novel polyamic acid, photosensitive resin composition, dry film and circuit board
JP4979391B2 (en) Photosensitive resin laminate
JP6673196B2 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board
WO2009154194A1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive element wherein same is used, method for forming a resist-pattern, and method for producing a printed wiring board
KR20120126013A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for resist pattern formation, and method for manufacturing printed wiring board
JP5615512B2 (en) Photosensitive resin composition, flexible circuit board using the same, and method for producing the circuit board
JP2009198966A (en) Photosensitive resin composition, and photosensitive film, permanent mask resist and method for producing permanent mask resist using the same
US20080241759A1 (en) Method of manufacturing wiring circuit board
JP5415163B2 (en) Photosensitive resin composition
JP2010266768A (en) Photosensitive resin composition
JP4240282B2 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern manufacturing method, and printed wiring board manufacturing method
JP4493385B2 (en) Photosensitive resin composition and use thereof
JP5360477B2 (en) Photosensitive element, resist pattern forming method, and printed wiring board manufacturing method
JPH03253093A (en) Photosensitive thermosetting resin composition and forming method of solder resist pattern
JP2010217400A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern forming method, and method for manufacturing printed wiring board
JP2014182305A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for manufacturing substrate with resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board
JP2009098455A (en) Photosensitive resin composition, and flexible printed wiring circuit board having cover insulating layer obtained by using same
JP5673763B2 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern forming method, and printed wiring board manufacturing method
JP2004184547A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive element using same, method for forming resist pattern and method for manufacturing printed wiring board
JP4817824B2 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive resin laminate using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120221

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130716

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130730

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130918

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131112

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131113

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees