JP5400886B2 - マルチコアメモリモジュール内のパワーダウンモードの動的利用 - Google Patents
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Description
メモリモジュールは、典型的には、「デュアルインラインメモリモジュール」(「DIMM」)と呼ばれる記憶装置を形成する、プリント回路基板に搭載されたいくつかのDRAMチップから構成される。図1Aは、8個のDRAMチップから構成される単一のDIMMの等角図である。この場合、1つ以上のDIMMが、回路基板に搭載されて、メモリコントローラによって制御される。図1Bは、回路基板106に搭載されたメモリ102及びメモリコントローラ104の等角図である。メモリ102は、4つのDIMMスロット112〜115に挿入された4つのDIMM 108〜111からなる。メモリコントローラ104は、コンピュータチップ、またはマルチコアマイクロプロセッサチップの一部であり、DIMM108−111に対して送受信されるコマンド及びデータの流れを管理(及び/または制御)し、メモリ102をコンピュータシステムの他の主要なコンポーネント(中央処理装置など)とインターフェース(接続)する。各DIMMは、インターフェース118を介してメモリコントローラ104と電気的に通信する。インターフェース118は、メモリコントローラ104からメモリ102にクロック信号及びコマンドを伝送し、及び、DIMM108〜111とメモリコントローラ104間でデータ信号を伝送するバスである。データ信号は、メモリコントローラ104とDIMM108〜111内のDRAMチップとの間を並列(または同時)に送られる。インターフェース118は、シングルデータレート(single-data rate:SDR)、ダブルデータレート(double-data rate:DDR)、及び、これらより高いデータレートでのデータ転送をサポートすることができる。SDRは、1クロックサイクルで1回データを送信することをいい、DDRは、コンピュータシステムクロック信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの両方においてデータを送信することをいう。メモリコントローラ104及びDIMM108〜111を、SDR及びDDRにしたがってデータを送受信するように構成することができる。DDRにおいてクロックの両方のエッジを使用することによって、データ信号を同じ限界周波数で動作させた場合に、シングルデータレート送信に比べてデータ伝送速度(またはデータ伝送率)が2倍になる。
マルチコアメモリモジュールは、メモリコントローラからコマンドを受け取るためのデマルチプレクサレジスタ(「demux register」)と、プリント回路基板に搭載されたVMDにグループ化されたメモリチップを備える。いくつかの実施形態では、メモリチップをDRAMチップとすることができる。図4Aは、本発明のいくつかの実施形態にしたがう、回路基板412に配置された8個のDRAMチップ401−408、及びdemux register410から構成される単一のマルチコアデュアルインラインメモリモジュール400の等角図である。これらのDRAMチップ401〜408を1つ以上のDRAMチップからなるVMDにグループ化することができる。この例については、より詳細に後述する。
本発明の方法の実施形態を、MCDIMMの個々のVMDのエネルギー消費(量)を動的に変化させることに関連して説明する。メモリチップは、複数の異なる動作モードに入ることができる。たとえば、メモリチップは、あるメモリ要求に応答して活性化モードに入ることができる。そのメモリチップがそのメモリ要求をもはや処理していないときには、該メモリチップはスタンバイモードに入ることができる。このスタンバイモードでは、該メモリチップにはスタンバイエネルギーが供給され、このスタンバイエネルギーは、メモリ要求を能動的に処理するのに必要なエネルギーよりは小さいが、内部のメモリチップコンポーネントの動作を維持して該メモリチップが別のメモリ要求に迅速に応答できるようにするのには十分な大きさである。しかしながら、1つのメモリチャネル当たりに多数のメモリモジュールが存在するときには、スタンバイモードにあるメモリチップは、該メモリモジュールに送られる全エネルギーの大きな部分を消費する。
Claims (15)
- メモリモジュールの仮想記憶装置の各々の動作モードを決定するための方法であって、
1つ以上のアプリケーション用のある基準を提供する指標を選択するステップ(1001)であって、該基準によって、マルチコアプロセッサにおける前記1つ以上のアプリケーションの実行中に、前記メモリモジュールの性能とエネルギー効率の両方または一方が最適化される、ステップと、
前記1つ以上のアプリケーション用に複数の仮想記憶装置を選択するステップ(1004)であって、該メモリモジュールは前記選択された複数の仮想記憶装置を有する、ステップと、
前記メモリモジュールの性能とエネルギー効率の両方または一方を最適化するために、前記選択された複数の仮想記憶装置の各々について(1006)、
ある時間期間にわたって前記仮想記憶装置に関連する使用情報を収集するステップ(1007)と、
前記指標及び前記使用情報に基づいて前記仮想記憶装置の動作モードを決定するステップ(1008)と、
前記仮想記憶装置を前記動作モードに移行させるステップ(1103、1105、1107、1108)
を実行するステップ
を含む方法。 - 前記指標は、最小の全実行時間、最小の全エネルギー消費量、最小のエネルギー遅延積、または、他の適切な基準をさらに含み、これらによって、前記メモリモジュールの性能とエネルギー効率の両方または一方を最適化することが可能である、請求項1の方法。
- 前記収集するステップ、前記決定するステップ、及び前記移行させるステップが、前記選択された複数の仮想記憶装置の全てがそれぞれの動作モードに移行するまで繰り返される(1009)、請求項1または2の方法。
- 前記指標、及び、必要とされるメモリの量または前記1つ以上のアプリケーションのメモリアクセスパターンに関する特性情報を受け取り、前記指標及び前記特性情報を解釈し、メモリコントローラに対して、前記選択された複数の仮想記憶装置の各々を適切な動作モードに移行させるように指示するように構成されたランタイムシステム
をさらに含む、請求項1〜3のいずれかの方法。 - 前記使用情報が、
メモリコントローラが、前記時間期間にわたって十分な数のメモリ要求を受け取っているときのメモリ要求の数と、
前記メモリ要求の数と、前記時間期間にわたって実行された命令の数との比と、
別の動作モードではなくある1つの動作モードを選択することに割り当てられたペナルティと、
前記メモリコントローラに対してコンパイラーによって提供されたアプリケーションに関連するメモリアクセスの数と、
実行中のアプリケーションによって決定されて前記メモリコントローラに送られたメモリアクセスの数
のうちの1つ以上を決定するステップをさらに含む、請求項1〜4のいずれかの方法。 - 指標を選択する前記ステップが、
前記指標を選択するコンピュータシステムのオペレータと、
前記指標を選択するようにプログラムされた前記1つ以上のアプリケーションと、
前記指標を選択するオペレーティングシステムと、
実行中のアプリケーションをスケジューリングし、モニタし、及び、サポートするランタイムシステムのハイパーバイザーまたは他の要素と
のうちの1つをさらに含む、請求項1〜5のいずれかの方法。 - 使用情報を収集する前記ステップが、前記時間期間にわたって前記仮想記憶装置がアクセスされる回数をメモリコントローラ(702)によって格納するステップをさらに含む、請求項1〜6のいずれかの方法。
- 仮想記憶装置の動作モードを決定する前記ステップがさらに、
前記指標に基づいて少なくとも1つの閾値を決定するステップ(1101)と、
前記使用情報を前記少なくとも1つの閾値と比較するステップ(1102、1104、1106)と、
前記比較の結果に基づいて、前記仮想記憶装置が移行する動作モードを決定するステップ
を含み、
前記使用情報が前記少なくとも1つの閾値のうちの最大の閾値(T1)よりも大きい場合には、前記仮想記憶装置は使用されていないときにスタンバイモードに移行させられ(1108)、前記使用情報が前記最大の閾値(T1)よりも大きくない場合には、前記仮想記憶装置はエネルギー節約モードに移行させられる(1103、1105、1107)ことからなる、請求項1〜7のいずれかの方法。 - 前記エネルギー節約モードが少なくとも1つのパワーダウンモードをさらに含み、該少なくとも1つのパワーダウンモードの各々は、前記少なくとも1つの閾値の各々に関連付けられている、請求項8の方法。
- 前記少なくとも1つの閾値が、第1の閾値と、該第1の閾値よりも大きな第2の閾値とを少なくとも含み、前記使用情報が、前記第1の閾値よりも大きくかつ前記第2の閾値よりも小さいときには、前記仮想記憶装置は、前記第2の閾値に関連付けられたパワーダウンモードに移行させられる、請求項9の方法。
- 前記動作モードがさらに、前記仮想記憶装置がメモリ要求を処理しておらず、かつ、前記メモリモジュールの性能がエネルギーを節約することよりも優先されるときのスタンバイモードを含む、請求項1〜7のいずれかの方法。
- 前記複数の仮想記憶装置が、前記1つ以上のアプリケーションのメモリ要件に基づいて選択される、請求項1〜11のいずれかの方法。
- 前記1つ以上のアプリケーションの実行中に前記指標を変更するステップ(1011)をさらに含む、請求項1〜12のいずれかの方法。
- 前記少なくとも1つの閾値は、前記メモリモジュールの許容可能な性能とエネルギー効率との間のバランスを表す、請求項8〜10のいずれかの方法。
- 前記最小の全実行時間に対する前記少なくとも1つの閾値が、前記最小の全エネルギー消費量または前記最小のエネルギー遅延積に対する前記少なくとも1つの閾値よりも小さい、請求項2を含む請求項8の方法。
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