JP5393517B2 - Extreme ultraviolet light source device - Google Patents

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、極端紫外光源装置に関する。   The present invention relates to an extreme ultraviolet light source device.

例えば、レジストを塗布したウェハ上に、回路パターンの描かれたマスクを縮小投影し、エッチングや薄膜形成等の処理を繰り返すことにより、半導体チップが生成される。半導体プロセスの微細化に伴い、より短い波長の光が求められている。   For example, a semiconductor chip is generated by reducing and projecting a mask on which a circuit pattern is drawn on a resist-coated wafer and repeating processes such as etching and thin film formation. With the miniaturization of semiconductor processes, light having a shorter wavelength is required.

そこで、13.5nmという極端に波長の短い光と縮小光学系とを使用する、半導体露光技術が研究されている。この技術は、EUVL(Extreme Ultra Violet Lithography:極端紫外線露光)と呼ばれる。以下、極端紫外光をEUV光と呼ぶ。   Therefore, a semiconductor exposure technique using light with an extremely short wavelength of 13.5 nm and a reduction optical system has been studied. This technique is called EUVL (Extreme Ultra Violet Lithography). Hereinafter, extreme ultraviolet light is referred to as EUV light.

EUV光源としては、例えば、LPP(Laser Produced Plasma:レーザ生成プラズマ)式の光源と、DPP(Discharge Produced Plasma)式の光源と、SR(Synchrotron Radiation)式の光源との三種類が知られている。   As the EUV light source, for example, three types of light sources of LPP (Laser Produced Plasma) type, DPP (Discharge Produced Plasma) type, and SR (Synchrotron Radiation) type are known. .

LPP式光源とは、ターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマを生成し、このプラズマから放射されるEUV光を利用する光源である。DPP式光源とは、放電によって生成されるプラズマを利用する光源である。SR式光源とは、軌道放射光を使用する光源である。   The LPP-type light source is a light source that generates plasma by irradiating a target material with laser light and uses EUV light emitted from the plasma. The DPP type light source is a light source that uses plasma generated by discharge. The SR type light source is a light source that uses orbital radiation.

以上三種類の光源のうち、LPP式光源は、他の方式に比べてプラズマ密度を高くすることができ、かつ、捕集立体角を大きくできるため、高出力のEUV光を得られる可能性が高い(特許文献1)。   Among the above three types of light sources, the LPP type light source can increase the plasma density and can increase the collection solid angle as compared with other methods, so that there is a possibility that high output EUV light can be obtained. High (Patent Document 1).

LPP式のEUV光源装置では、ターゲット物質として錫(Sn)が用いられる。LPP式EUV光源装置は、ターゲット発生部を備えており、ターゲット発生部は、錫を加熱して溶融させ、細いノズルからドロップレットとして噴出させる。   In the LPP type EUV light source device, tin (Sn) is used as a target material. The LPP-type EUV light source device includes a target generation unit, which heats and melts tin and ejects it as droplets from a thin nozzle.

ドロップレットが所定点に到達すると、ドロップレットにはドライバレーザ光が照射されてプラズマ化し、EUV光が発生する。ドライバレーザ光が照射されずにプラズマ化されなかったドロップレットは、ドロップレットの飛行する軌道上に設けられた回収装置に飛び込んで、回収される(特許文献2)。   When the droplet reaches a predetermined point, the droplet is irradiated with driver laser light to be turned into plasma, and EUV light is generated. The droplets that have not been irradiated with the driver laser light and have not been turned into plasma are jumped into a collection device provided on the trajectory on which the droplets fly and collected (Patent Document 2).

なお、DPP式光源の従来技術として、EUV光源装置を重力に対して斜めに配置し、斜め下側からEUV光を出力するようにした技術が知られている(特許文献3)。   As a conventional technique of a DPP type light source, a technique is known in which an EUV light source device is disposed obliquely with respect to gravity and EUV light is output obliquely from below (Patent Document 3).

特開2006−80255号公報JP 2006-80255 A 米国特許第7476886号明細書US Pat. No. 7,476,886 米国特許出願公開第2006/146413号明細書US Patent Application Publication No. 2006/146413

EUV光は波長が極めて短いため、特殊な薄膜を有する反射ミラーを用いても、反射率が約60%程度と低い。従って、EUV光源装置を斜め下から見上げるようにして配置し、EUV光の反射回数を少なくすることが提案されている。しかし、EUV光源装置を斜めに配置すると、集光ミラーの上にターゲット発生部が位置するため、ドロップレットが集光ミラーの表面に落下して付着するおそれがある。特に、ドロップレットの射出を開始した直後は、ドロップレットの速度が遅いため、集光ミラー上に落下して付着し、集光ミラーを汚染させる可能性がある。さらに、ドロップレットの射出を終了する場合も、ドロップレットの速度が低下し、同様の問題を生じる可能性がある。   Since the EUV light has a very short wavelength, even if a reflection mirror having a special thin film is used, the reflectance is as low as about 60%. Accordingly, it has been proposed to arrange the EUV light source device so as to look up obliquely from below and reduce the number of times EUV light is reflected. However, if the EUV light source device is disposed obliquely, the target generation unit is positioned on the collector mirror, and thus the droplet may fall and adhere to the surface of the collector mirror. In particular, immediately after starting the ejection of the droplet, the speed of the droplet is slow, so there is a possibility that the droplet falls on and adheres to the collector mirror and contaminates the collector mirror. Further, when the droplet ejection is terminated, the droplet speed is reduced, which may cause a similar problem.

本発明は、上記問題に着目してなされたもので、その目的は、ターゲット発生部が所定の状態にある場合に、ターゲットの集光ミラーへの付着を抑制できるようにした極端紫外光源装置を提供することにある。本発明の更なる目的は、後述する実施形態の記載から明らかになるであろう。   The present invention has been made paying attention to the above problem, and its purpose is to provide an extreme ultraviolet light source device capable of suppressing adhesion of a target to a condensing mirror when the target generation unit is in a predetermined state. It is to provide. Further objects of the present invention will become clear from the description of the embodiments described later.

上記課題を解決するために、本発明の極端紫外光源装置は、チャンバと、ターゲット物質からターゲットを生成し、生成されたターゲットをチャンバ内の所定方向に出力するターゲット発生部と、チャンバ内のターゲットにレーザ光を照射してプラズマ化させることにより、極端紫外光を発生させるレーザ光源と、ターゲット発生部の下側に位置して、ターゲット発生部がターゲットを出力するための出力口の鉛直線上に設けられ、極端紫外光を所定の焦点に集めるための集光ミラーとを備える。   In order to solve the above problems, an extreme ultraviolet light source device of the present invention includes a chamber, a target generation unit that generates a target from a target material, and outputs the generated target in a predetermined direction in the chamber, and a target in the chamber A laser light source that generates extreme ultraviolet light by irradiating a laser beam onto the laser beam and a target generator located below the target generator, on the vertical line of the output port for the target generator to output the target And a condensing mirror for collecting extreme ultraviolet light at a predetermined focal point.

さらに、本発明の極端紫外光源装置は、ターゲット発生部が所定の状態にある場合、ターゲット発生部から出力されるターゲットが集光ミラーに付着しないように、ターゲットを回収する回収部を備える。   Furthermore, the extreme ultraviolet light source device of the present invention includes a recovery unit that recovers the target so that the target output from the target generation unit does not adhere to the condenser mirror when the target generation unit is in a predetermined state.

ここで、所定の状態としては、例えば、ターゲット発生部が作動を開始する作動開始状態と、ターゲット発生部が作動を停止する作動停止状態との少なくともいずれか一方を挙げることができる。   Here, examples of the predetermined state include at least one of an operation start state in which the target generating unit starts operating and an operation stop state in which the target generating unit stops operating.

回収部は、ターゲット発生部と集光ミラーとの間に、固定的にまたは移動可能に、配置することができる。回収部を固定する場合、例えば、EUV光の発生及び集光に影響を与えない領域を選んで回収部を配置する。そのような領域として、例えば、露光装置により利用されない領域(いわゆるオブスキュレーション領域)を選択できる。   The collection unit can be disposed between the target generation unit and the condenser mirror in a fixed or movable manner. When fixing the collection unit, for example, the collection unit is arranged by selecting an area that does not affect generation and collection of EUV light. As such a region, for example, a region that is not used by the exposure apparatus (so-called obscuration region) can be selected.

回収部を移動可能(または変形可能)に設ける場合、例えば、回収部を、第1位置と第2位置との間で切替可能に配置することができる。第1位置は、ターゲット発生部から出力されるターゲットを回収するための位置である。第2位置は、第1位置から離れて設定され、ターゲット発生部から射出されるターゲットに干渉しない位置である。回収部は、ターゲット発生部が所定の状態にある場合に第1位置に位置し、ターゲット発生部が所定の状態以外の状態にある場合に第2位置に位置する。   When the collection unit is provided to be movable (or deformable), for example, the collection unit can be arranged to be switchable between the first position and the second position. The first position is a position for collecting the target output from the target generator. The second position is a position that is set apart from the first position and does not interfere with the target emitted from the target generation unit. The recovery unit is positioned at the first position when the target generation unit is in a predetermined state, and is positioned at the second position when the target generation unit is in a state other than the predetermined state.

本発明によれば、ターゲット発生部から出力されるターゲットが集光ミラーに落下して付着するのを抑制することができる。これにより、集光ミラーの反射率が低下するのを抑制し、極端紫外光源装置の信頼性及び運用コストを低減できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can suppress that the target output from a target generation part falls and adheres to a condensing mirror. Thereby, it can suppress that the reflectance of a condensing mirror falls, and can reduce the reliability and operating cost of an extreme ultraviolet light source device.

第1実施例に係る極端紫外光源装置の構成図。The block diagram of the extreme ultraviolet light source device which concerns on 1st Example. ターゲット発生部と集光ミラーとを拡大して示す図。The figure which expands and shows a target generation | occurrence | production part and a condensing mirror. ドロップレットを回収するためのキャッチャーを制御する処理を示すフローチャート。The flowchart which shows the process which controls the catcher for collect | recovering droplets. 図3中のサブルーチンの内容を示すフローチャート。The flowchart which shows the content of the subroutine in FIG. 第2実施例に係るターゲット発生部の断面図。Sectional drawing of the target generation | occurrence | production part which concerns on 2nd Example. 第3実施例に係るターゲット発生部と集光ミラーの関係を示す断面図。Sectional drawing which shows the relationship between the target generation | occurrence | production part and condensing mirror which concern on 3rd Example. 第4実施例に係るターゲット発生部と集光ミラーの関係を示す断面図。Sectional drawing which shows the relationship between the target generation | occurrence | production part and condensing mirror which concern on 4th Example. 第5実施例に係るターゲット発生部と集光ミラーの関係を示す断面図。Sectional drawing which shows the relationship between the target generation | occurrence | production part and condensing mirror which concern on 5th Example. 第6実施例に係るターゲット発生部と集光ミラーの関係を示す断面図。Sectional drawing which shows the relationship between the target generation | occurrence | production part and condensing mirror which concern on 6th Example. 第7実施例に係るターゲット発生部と集光ミラーの関係を示す断面図。Sectional drawing which shows the relationship between the target generation | occurrence | production part and condensing mirror which concern on 7th Example. ドロップレットを回収する処理のフローチャート。The flowchart of the process which collect | recovers a droplet. 第8実施例に係るターゲット発生部と集光ミラーの関係を示す断面図。Sectional drawing which shows the relationship between the target generation | occurrence | production part and condensing mirror which concern on 8th Example. 第9実施例に係るターゲット発生部の断面図。Sectional drawing of the target generation | occurrence | production part which concerns on 9th Example. 第10実施例に係る極端紫外光源装置の構成図。The block diagram of the extreme ultraviolet light source device which concerns on 10th Example. キャッチャーと集光ミラーの位置関係を拡大して示す図。The figure which expands and shows the positional relationship of a catcher and a condensing mirror. オブスキュレーションとキャッチャーとの関係を示す図。The figure which shows the relationship between an obscuration and a catcher.

以下、図を参照しながら、本発明の実施形態を詳細に説明する。本実施形態では、以下に述べるように、定常運転状態になる前にターゲット発生部120から射出されるドロップレットを回収することにより、集光ミラー130を保護する。ドロップレット回収方法としては、ドロップレットを回収するためのキャッチャー160を移動可能にまたは固定的に設ける方法と、ターゲット発生部120を移動可能に設ける方法とがある。さらに、キャッチャー160を固定的に設ける場合、オブスキュレーション領域に配置する方法がある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the present embodiment, as described below, the collecting mirror 130 is protected by collecting droplets emitted from the target generation unit 120 before the steady operation state is reached. As a droplet collection method, there are a method in which a catcher 160 for collecting droplets is movably or fixedly provided, and a method in which a target generator 120 is movably provided. Furthermore, when the catcher 160 is fixedly provided, there is a method of arranging it in the obscuration region.

図1−図4に基づいて第1実施例を説明する。なお、ターゲット発生部120の詳細を説明するために、図5も参照する。図1は、EUV光源装置1の全体構成を示す説明図である。EUV光源装置1は、例えば、チャンバ100と、ドライバレーザ光源110と、ターゲット発生部120と、EUV集光ミラー130と、回収装置140と、反射ミラー151,152と、キャッチャー160と、カメラ170と、EUVコントローラ200と、キャッチャーアクチュエータ210とを備える。矢印Gは、重力の方向を示す。以下、EUV集光ミラーを集光ミラーと略する。同様に、EUVコントローラをコントローラと略する。   A first embodiment will be described with reference to FIGS. Note that FIG. 5 is also referred to in order to explain the details of the target generation unit 120. FIG. 1 is an explanatory diagram showing the overall configuration of the EUV light source apparatus 1. The EUV light source device 1 includes, for example, a chamber 100, a driver laser light source 110, a target generation unit 120, an EUV collector mirror 130, a collection device 140, reflection mirrors 151 and 152, a catcher 160, and a camera 170. EUV controller 200 and catcher actuator 210. Arrow G indicates the direction of gravity. Hereinafter, the EUV collector mirror is abbreviated as a collector mirror. Similarly, an EUV controller is abbreviated as a controller.

ここで、EUV光源装置1,チャンバ100,ドライバレーザ光源110,ターゲット発生部120,集光ミラー130,回収装置140,反射ミラー151,他の反射ミラー152,キャッチャー160,コントローラ200,キャッチャーアクチュエータ210は、それぞれ一つずつ設けられており、以下の説明では、単数形として記述される。ドロップレット310は、単数または複数として記述される。ターゲット発生部120から射出されるドロップレット310は、複数形として記述される。ドライバレーザ光L1が照射されるドロップレット310は、単数形として記述できる。デブリは、単数形または複数形として記述される。図1には、カメラ170は1台記載されているが、複数台のカメラでドロプレットやEUV発光を観測してもよい。従って、カメラ170は、単数または複数形として記述される。   Here, the EUV light source device 1, the chamber 100, the driver laser light source 110, the target generation unit 120, the collection mirror 130, the collection device 140, the reflection mirror 151, the other reflection mirror 152, the catcher 160, the controller 200, and the catcher actuator 210 are Each is provided one by one, and will be described as singular in the following description. The droplets 310 are described as singular or plural. The droplets 310 ejected from the target generator 120 are described as plural forms. The droplet 310 irradiated with the driver laser beam L1 can be described as a singular form. Debris is described as singular or plural. Although one camera 170 is shown in FIG. 1, droplets and EUV light emission may be observed with a plurality of cameras. Accordingly, the camera 170 is described as singular or plural.

チャンバ100は密閉容器であり、その内部は真空または低圧に保たれている。チャンバ100には、露光装置2と接続するための一つの接続部101が設けられている。図中では、便宜上、露光装置2とチャンバ100とを分離して示すが、実際には、接続部101を介して露光装置2とチャンバ100とは接続されている。   The chamber 100 is a sealed container, and the inside thereof is kept at a vacuum or a low pressure. The chamber 100 is provided with one connection portion 101 for connecting to the exposure apparatus 2. In the drawing, for convenience, the exposure apparatus 2 and the chamber 100 are shown separately, but in practice, the exposure apparatus 2 and the chamber 100 are connected via the connection portion 101.

接続部101も真空または低圧に保持されている。チャンバ100内の圧力を接続部101内の圧力よりも低く設定することにより、チャンバ100内のデブリ等の異物が接続部101を介して露光装置2に流入するのを抑制できる。接続部101内には、中間集光点(IF:Intermediate Focus)が設定される。後述するEUV光L2は、IFに集まってから露光装置2に送られる。   The connecting part 101 is also maintained at a vacuum or low pressure. By setting the pressure in the chamber 100 to be lower than the pressure in the connection unit 101, it is possible to suppress foreign matters such as debris in the chamber 100 from flowing into the exposure apparatus 2 through the connection unit 101. In the connection unit 101, an intermediate focusing point (IF) is set. EUV light L2, which will be described later, is collected at the IF and then sent to the exposure apparatus 2.

ターゲット発生部120は、例えば、錫(Sn)等のターゲット物質300(図5参照)を加熱して溶解することにより、ドロップレット310をチャンバ100内に射出する装置である。ドロップレット310は「ターゲット」に相当する。   The target generator 120 is a device that injects the droplet 310 into the chamber 100 by heating and dissolving the target material 300 (see FIG. 5) such as tin (Sn), for example. The droplet 310 corresponds to a “target”.

ターゲット発生部120は、図5に示すように、例えば、一つのノズル部121と、一つのタンク部122と、一つの振動部123と、一つの加熱部124とを備える。タンク部122には、図示せぬ供給口から錫等のターゲット物質300が供給される。タンク部122の外側に設けられた加熱部124は、タンク部122内の錫を加熱して溶融状態にする。   As illustrated in FIG. 5, the target generation unit 120 includes, for example, one nozzle unit 121, one tank unit 122, one vibration unit 123, and one heating unit 124. A target material 300 such as tin is supplied to the tank portion 122 from a supply port (not shown). The heating unit 124 provided outside the tank unit 122 heats the tin in the tank unit 122 to bring it into a molten state.

タンク部122には、例えば、図示しないアルゴンガスが供給され、タンク部122内の溶融したターゲット物質300を加圧する。アルゴンガスは、溶融状態のターゲット物質300をノズル部121から射出させるために使用される。ノズル部121からジェット流として噴出されるターゲット物質300に、振動部123から振動を加えることにより、ドロップレット310が生成される。   For example, an argon gas (not shown) is supplied to the tank unit 122 to pressurize the molten target material 300 in the tank unit 122. The argon gas is used to inject the molten target material 300 from the nozzle part 121. By applying vibration from the vibration unit 123 to the target material 300 ejected as a jet flow from the nozzle unit 121, a droplet 310 is generated.

ターゲット発生部120は、その全体を同一の基材(substrate)で構成可能である。つまり、タンク部122とノズル部121は同一材料で形成できる。ターゲット発生部120の基材としては、例えば、モリブデン、チタン、タングステン、ダイヤモンド、金属窒化物、炭化物、アルミナセラミックス、カーボングラファイト、石英、アルミナを主成分とする結晶等の材料を挙げることができる。それらの材料は、錫に対する耐侵食性と、耐腐食性と、耐圧性と、耐熱性とを兼ね備える。アルミナを主成分とする結晶の例としては、ルビー、サファイヤ等の結晶がある。ただし、同一材料のみに限定されることなく、上記の材料を組み合わせてターゲット発生部120を構成してもよい。   The target generator 120 can be entirely composed of the same substrate. That is, the tank part 122 and the nozzle part 121 can be formed of the same material. Examples of the base material of the target generation unit 120 include materials such as molybdenum, titanium, tungsten, diamond, metal nitride, carbide, alumina ceramics, carbon graphite, quartz, and crystals mainly composed of alumina. These materials have corrosion resistance, corrosion resistance, pressure resistance, and heat resistance against tin. Examples of crystals mainly composed of alumina include crystals such as ruby and sapphire. However, it is not limited to only the same material, You may comprise the target generating part 120 combining said material.

タンク部122及びノズル部121からは、以下の2つの理由で、パーティクルが生じる。1つの理由は、タンク部122及びノズル部121が溶融状態の錫(ターゲット物質300)に物理的に接触して、削られるためである。他の一つの理由は、タンク部122の材料に含まれる不純物またはノズル部121の材料に含まれる不純物と錫とが化学反応して、溶融錫内に不溶物が生成するためである。そこで、本実施例では、タンク部122またはノズル部121で一つまたは複数のパーティクルが発生するのを抑制するために、タンク部122の内面及びノズル部121の内面は、所定の表面粗さとなるように研磨される。   Particles are generated from the tank part 122 and the nozzle part 121 for the following two reasons. One reason is that the tank part 122 and the nozzle part 121 are physically contacted with molten tin (target material 300) and scraped. Another reason is that the impurities contained in the material of the tank part 122 or the impurities contained in the material of the nozzle part 121 and tin react chemically to generate insoluble matter in the molten tin. Therefore, in this embodiment, in order to suppress generation of one or a plurality of particles in the tank part 122 or the nozzle part 121, the inner surface of the tank part 122 and the inner surface of the nozzle part 121 have a predetermined surface roughness. So that it is polished.

所定の表面粗さは、ノズル直径の1/10以下または1/100以下に設定される。例えば、ノズル部121の直径が10μmの場合、表面粗さが1μm以下となるように研磨される。これにより、錫との接触によって基材の表面からパーティクルが発生した場合でも、ノズル部121が詰まるのを抑制できる。   The predetermined surface roughness is set to 1/10 or less or 1/100 or less of the nozzle diameter. For example, when the diameter of the nozzle part 121 is 10 μm, the surface is polished so that the surface roughness is 1 μm or less. Thereby, even when a particle generate | occur | produces from the surface of a base material by contact with tin, it can suppress that the nozzle part 121 is blocked.

ドライバレーザ光源110は、ターゲット発生部120から供給されるドロップレット310を励起させるためのレーザ光L1を出力する。以下、ドライバレーザ光源110から出力されるレーザ光を、レーザ光L1またはドライバレーザ光L1と呼ぶ。   The driver laser light source 110 outputs a laser beam L1 for exciting the droplet 310 supplied from the target generator 120. Hereinafter, the laser light output from the driver laser light source 110 is referred to as laser light L1 or driver laser light L1.

ドライバレーザ光源110は、例えば、CO2(炭酸ガス)パルスレーザ光源として構成される。ドライバレーザ光源110は、例えば、波長10.6μm、出力20kW、パルス繰り返し周波数100kHz、パルス幅20nsecの仕様を有するレーザ光L1を出射する。なお、レーザ光源としてCO2パルスレーザを例に挙げるが、本発明はこれに限定されない。たとえば、YAG等の高出力のパルスレーザでもよい。さらに、異なる種類のレーザ光をドロップレットに同時に照射する構成でもよい。   The driver laser light source 110 is configured as, for example, a CO2 (carbon dioxide gas) pulse laser light source. The driver laser light source 110 emits laser light L1 having specifications of, for example, a wavelength of 10.6 μm, an output of 20 kW, a pulse repetition frequency of 100 kHz, and a pulse width of 20 nsec. In addition, although a CO2 pulse laser is mentioned as an example as a laser light source, this invention is not limited to this. For example, a high output pulse laser such as YAG may be used. Furthermore, the structure which irradiates a droplet with a different kind of laser beam simultaneously may be sufficient.

ドライバレーザ光源110から出力されるレーザ光L1は、反射ミラー151と、入射ウインドウ102を介してチャンバ100内に入射する。さらに、レーザ光L1は、軸外放物面ミラー152により反射されて、集光ミラー130に設けられた入射穴131(図2参照)を通過し、ドロップレット310を照射する。   The laser light L1 output from the driver laser light source 110 enters the chamber 100 via the reflection mirror 151 and the incident window 102. Further, the laser beam L 1 is reflected by the off-axis parabolic mirror 152, passes through the incident hole 131 (see FIG. 2) provided in the condensing mirror 130, and irradiates the droplet 310.

ドロップレット310は、レーザ光L1が照射されると、プラズマ320に変化し、EUV光L2を放射する。プラズマ320から放射されたEUV光L2は、集光ミラー130の表面132(図2参照)に入射して反射される。集光ミラー130で反射されたEUV光L2は、中間集光点(IF)に集光する。IFに集光されたEUV光L2は、接続部101を介して、露光装置2へ供給される。   When the droplet 310 is irradiated with the laser light L1, the droplet 310 is changed into plasma 320 and emits EUV light L2. The EUV light L2 emitted from the plasma 320 is incident on the surface 132 (see FIG. 2) of the collector mirror 130 and reflected. The EUV light L2 reflected by the condensing mirror 130 is condensed at an intermediate condensing point (IF). The EUV light L2 condensed on the IF is supplied to the exposure apparatus 2 via the connection unit 101.

ターゲット発生部120から射出された多数のドロップレット310のうち、ドライバレーザ光L1が照射されなかった未使用ドロップレット310(未使用ターゲット)は、回収装置140に回収される。   Of the many droplets 310 emitted from the target generator 120, the unused droplets 310 (unused targets) that have not been irradiated with the driver laser light L1 are collected by the collection device 140.

例えば、ドライバレーザ光L1の繰り返し周波数と、所望の径のドロップレット310を安定して生成するための周波数とが一致しない場合がある。この場合、ドロップレット310の生成周波数をドライバレーザ光L1の繰り返し周波数の整数倍に設定する。これにより、ドロップレット310の生成とドライバレーザ光L1の照射とを同期させる。   For example, the repetition frequency of the driver laser beam L1 may not match the frequency for stably generating the droplet 310 having a desired diameter. In this case, the generation frequency of the droplet 310 is set to an integral multiple of the repetition frequency of the driver laser light L1. As a result, the generation of the droplet 310 and the irradiation with the driver laser light L1 are synchronized.

例えば、100kHzのドライバレーザ光L1をφ20μmのドロップレット310に照射させる場合、ターゲット生成周波数は1−2kHzとなる。この場合、ターゲット発生部120から噴出された多数のドロップレット310のうち90%以上のドロップレット310には、ドライバレーザ光L1が照射されず、未使用ドロップレットとなる。   For example, when the 100 kHz driver laser light L1 is irradiated onto the φ310 μm droplet 310, the target generation frequency is 1-2 kHz. In this case, 90% or more of the plurality of droplets 310 ejected from the target generation unit 120 are not irradiated with the driver laser light L1 and become unused droplets.

そこで、本実施例では、チャンバ100の底部に、ターゲット発生部120と対向させるようにして回収装置140を設け、未使用ドロップレットを回収する。即ち、回収装置140は、定常運転状態のターゲット発生部120から射出されるドロップレット310の飛行経路上に設けられる。回収されたドロップレット310は、再利用することも可能である。   Therefore, in this embodiment, a collection device 140 is provided at the bottom of the chamber 100 so as to face the target generation unit 120, and unused droplets are collected. That is, the recovery device 140 is provided on the flight path of the droplet 310 ejected from the target generator 120 in the steady operation state. The collected droplets 310 can be reused.

「回収部」としてのキャッチャー160は、ターゲット発生部120と集光ミラー130との間に位置して、移動可能に設けられている。キャッチャー160は、例えば、超音波モータや磁歪素子等のキャッチャーアクチュエータ210により、実線で示す第1位置P1と点線で示す第2位置P2(いずれも図2参照)との間を移動する。   The catcher 160 as a “collection unit” is located between the target generation unit 120 and the condenser mirror 130 and is movably provided. The catcher 160 is moved between a first position P1 indicated by a solid line and a second position P2 indicated by a dotted line (both see FIG. 2) by a catcher actuator 210 such as an ultrasonic motor or a magnetostrictive element.

キャッチャー160には、例えば、収容したドロップレット310を加熱するためのヒータと、ドロップレット310を排出するための排出管(いずれも図示せず)を設けることができる。キャッチャー160によって回収されたドロップレット310は、回収装置140で回収されたドロップレット310と一緒に、再利用することも可能である。   For example, the catcher 160 can be provided with a heater for heating the accommodated droplet 310 and a discharge pipe (none of which is shown) for discharging the droplet 310. The droplets 310 collected by the catcher 160 can be reused together with the droplets 310 collected by the collection device 140.

キャッチャー160は、ドロップレット310を受け止めて回収する装置であるため、ドロップレットキャッチャー、または、捕捉部と呼ぶこともできる。キャッチャー160は、ターゲット物質300によって集光ミラー130が汚染されるのを抑制するための手段であるから、キャッチャー160を、集光ミラー保護部と呼ぶこともできる。   Since the catcher 160 is a device that receives and collects the droplet 310, it can also be called a droplet catcher or a capturing unit. Since the catcher 160 is a means for suppressing the collection mirror 130 from being contaminated by the target material 300, the catcher 160 can also be referred to as a collection mirror protection unit.

図2を参照する。図2は、キャッチャー160とターゲット発生部120及び集光ミラー130の関係を模式的に示す説明図である。図2(a)は、ターゲット発生部120の作動開始時またはターゲット発生部120の作動停止時の少なくともいずれか一方の場合における配置関係を示す。図中のC1は、ターゲット発生部120の定常運転状態時に、ノズル部121からドロップレット310が射出される方向を示す。C1は、プラズマ生成点に向かう方向である。   Please refer to FIG. FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing the relationship between the catcher 160, the target generator 120, and the condenser mirror 130. FIG. 2A shows an arrangement relationship in at least one of the cases when the operation of the target generator 120 is started or when the operation of the target generator 120 is stopped. C1 in the figure indicates the direction in which the droplet 310 is ejected from the nozzle unit 121 when the target generator 120 is in a steady operation state. C1 is a direction toward the plasma generation point.

図2(a)の場合、キャッチャー160は、ノズル部121の真下に移動する。ノズル部121の真下の位置P1は、「第1位置」に相当する。第1位置P1に移動したキャッチャー160は、所定の軌道(C1)を外れて落下するドロップレット310を受け止めて回収する。ターゲット発生部120が定常運転状態に達する前は、ドロップレット310の速度が通常時の速度よりも低いため、重力Gにより所定の軌道を外れる。   In the case of FIG. 2A, the catcher 160 moves directly below the nozzle part 121. The position P1 directly below the nozzle portion 121 corresponds to a “first position”. The catcher 160 that has moved to the first position P1 receives and collects the droplet 310 that falls off the predetermined track (C1). Before the target generator 120 reaches the steady operation state, the speed of the droplet 310 is lower than the normal speed, so that the gravity G deviates from a predetermined trajectory.

図2(b)は、ターゲット発生部120が作動開始状態から定常運転状態に移行した場合、または、ターゲット発生部120が完全に作動を停止した場合の配置関係を示す。図2(b)の場合、キャッチャー160は、ノズル部121の真下から離れた場所に設定される位置P2に移動する。位置P2は、「第2位置」に相当する。第2位置P2は、例えば、EUV光の発生及び集光に影響を与えない位置に設定される。図2において、第2位置P2は、ノズル部121の後側に設けられる。   FIG. 2B shows an arrangement relationship when the target generation unit 120 shifts from the operation start state to the steady operation state, or when the target generation unit 120 completely stops operating. In the case of FIG. 2B, the catcher 160 moves to a position P <b> 2 set at a location away from just below the nozzle part 121. The position P2 corresponds to a “second position”. For example, the second position P2 is set to a position that does not affect generation and collection of EUV light. In FIG. 2, the second position P <b> 2 is provided on the rear side of the nozzle portion 121.

キャッチャー160が第2位置P2に退避する定常運転状態では、ターゲット発生部120のノズル部121から射出されたドロップレット310は、通常の速度でC1方向に飛行する。そして、ドロップレット310は、プラズマ生成点でドライバレーザ光L1が照射されてプラズマ320となり、EUV光L2を発生させる。   In the steady operation state where the catcher 160 is retracted to the second position P2, the droplet 310 ejected from the nozzle part 121 of the target generator 120 flies in the C1 direction at a normal speed. The droplet 310 is irradiated with the driver laser light L1 at the plasma generation point to become plasma 320, and generates EUV light L2.

なお、第1位置P1は回収位置と呼ぶことができ、第2位置P2は退避位置と呼ぶことができる。図2(a)に示す状態を回収モードまたは集光ミラー保護モードと呼ぶことができ、図2(b)に示す状態を退避モードまたは通常モードと呼ぶことができる。   The first position P1 can be called a collection position, and the second position P2 can be called a retracted position. The state illustrated in FIG. 2A can be referred to as a recovery mode or a collecting mirror protection mode, and the state illustrated in FIG. 2B can be referred to as a retract mode or a normal mode.

図3は、キャッチャー160の動作を制御する処理を示すフローチャートである。コントローラ200は、ターゲット発生部120が作動を開始したか否かを判定する(S10)。コントローラ200は、例えば、作動スイッチの操作に基づいて、ターゲット発生部120の作動を開始させるための作動開始シーケンスが起動されたか否かを判定する。   FIG. 3 is a flowchart showing a process for controlling the operation of the catcher 160. The controller 200 determines whether or not the target generator 120 has started operation (S10). For example, the controller 200 determines whether or not an operation start sequence for starting the operation of the target generation unit 120 has been activated based on the operation of the operation switch.

作動開始シーケンスは、ドロップレット310を射出させるための一連の動作を実行する。例えば、作動開始シーケンスは、加熱部124によりターゲット物質300を加熱して溶かし、タンク部122にアルゴンガスを送り込み、振動部123を振動させてドロップレット310を射出させる。   The operation start sequence executes a series of operations for injecting the droplet 310. For example, in the operation start sequence, the target material 300 is heated and melted by the heating unit 124, argon gas is sent into the tank unit 122, and the vibrating unit 123 is vibrated to inject the droplet 310.

コントローラ200は、作動開始シーケンスが起動されると(S10:YES)、ドロップレット310を回収するためのキャッチ用サブルーチンを実行させる(S11)。キャッチ用サブルーチンの内容は後述する。   When the operation start sequence is activated (S10: YES), the controller 200 executes a catching subroutine for collecting the droplets 310 (S11). The contents of the catch subroutine will be described later.

コントローラ200は、カメラ170からの信号に基づいて、ターゲット発生部120の作動が定常運転状態になったか否かを判定する(S12)。コントローラ200は、例えば、ノズル部121から射出されるドロップレット310の速度と方向とをカメラ170によって計測することにより、ターゲット発生部120が定常運転状態であるか否かを判別できる。   Based on the signal from the camera 170, the controller 200 determines whether or not the operation of the target generator 120 has entered a steady operation state (S12). For example, the controller 200 can determine whether or not the target generation unit 120 is in a steady operation state by measuring the speed and direction of the droplet 310 ejected from the nozzle unit 121 with the camera 170.

定常運転状態に至る前の作動開始直後の状態では、ドロップレット310の速度は定常運転時の速度よりも遅い。さらに、速度が遅いために、ドロップレット310の移動方向も、重力の影響を強く受けて、定常運転状態の方向(C1)から外れる。従って、カメラ170でドロップレット310の速度及び移動方向を計測することにより、ターゲット発生部120が定常運転状態に達したか否かを判定できる。なお、カメラ170による計測に代えて、他のセンサを用いてもよい。   In the state immediately after the start of operation before reaching the steady operation state, the speed of the droplet 310 is slower than the speed during the steady operation. Further, since the speed is low, the moving direction of the droplet 310 is also strongly influenced by gravity and deviates from the direction (C1) in the steady operation state. Therefore, by measuring the speed and moving direction of the droplet 310 with the camera 170, it can be determined whether or not the target generator 120 has reached a steady operation state. Note that other sensors may be used instead of the measurement by the camera 170.

コントローラ200は、ターゲット発生部120が定常運転状態になるまで待機する(S12:YES)。コントローラ200は、ターゲット発生部120が定常運転状態になると、ドロップレット310の回収を解除するための解除用サブルーチンを実行させる(S13)。解除用サブルーチンの内容は後述する。   The controller 200 waits until the target generation unit 120 is in a steady operation state (S12: YES). When the target generator 120 is in a steady operation state, the controller 200 executes a cancellation subroutine for canceling the collection of the droplets 310 (S13). The contents of the cancellation subroutine will be described later.

コントローラ200は、ターゲット発生部120の作動を停止させるための停止シーケンスが起動されたか否かを判定する(S14)。例えば、作動停止スイッチが操作された場合、または、露光装置2から作動停止命令が入力された場合、コントローラ200は、停止シーケンスを起動させる。   The controller 200 determines whether or not a stop sequence for stopping the operation of the target generator 120 has been activated (S14). For example, when an operation stop switch is operated, or when an operation stop command is input from the exposure apparatus 2, the controller 200 starts a stop sequence.

停止シーケンスが起動すると、コントローラ200は、キャッチ用サブルーチンを再び実行する(S15)。コントローラ200は、キャッチ用サブルーチンを実行した後、ターゲット発生部120の作動停止を確認し(S16:YES)、S10に戻る。   When the stop sequence is activated, the controller 200 executes the catch subroutine again (S15). After executing the catch subroutine, the controller 200 confirms that the operation of the target generator 120 is stopped (S16: YES), and returns to S10.

コントローラ200は、ターゲット発生部120の作動開始時及び作動停止時に、キャッチャー160を第1位置P1に移動させ、ターゲット発生部120から射出または落下する比較的低速のドロップレット310をキャッチャー160で回収させる。   The controller 200 moves the catcher 160 to the first position P1 when the operation of the target generator 120 starts and stops, and causes the catcher 160 to collect a relatively low-speed droplet 310 that is injected or dropped from the target generator 120. .

図4は、キャッチ用サブルーチンS11,S15及び解除用サブルーチンS13を示すフローチャートである。後述の他の実施例と区別するために、図4では符号「S11,S15」,「S13」に「A」を添えて「S11A,S15A」,「S13A」とする。   FIG. 4 is a flowchart showing the catching subroutines S11 and S15 and the canceling subroutine S13. In order to distinguish from other embodiments described later, in FIG. 4, “S11A, S15A” and “S13A” are added by adding “A” to the symbols “S11, S15” and “S13”.

キャッチ用サブルーチン11A,S15Aでは、図2(a)に示すように、キャッチャー160を、ノズル部121のほぼ真下に設定される第1位置P1まで移動させる(S110A)。これにより、もしも、ノズル部121から速度の遅いドロップレット310が落下または射出された場合でも、キャッチャー160は、そのドロップレット310を受け止めて回収できる。   In the catching subroutines 11A and S15A, as shown in FIG. 2A, the catcher 160 is moved to the first position P1 set almost directly below the nozzle part 121 (S110A). Thereby, even if the slow droplet 310 is dropped or ejected from the nozzle part 121, the catcher 160 can receive and collect the droplet 310.

解除用サブルーチン13Aでは、図2(b)に示すように、キャッチャー160を、第2位置P2に退避させる(S130A)。第2位置P2は、ノズル部121から射出されるドロップレット310に干渉しないように、ノズル部121から離れた場所に設定される。これにより、ターゲット発生部120は、所定間隔で所定量のドロップレット310を、プラズマ生成点に向けて出力する。   In the release subroutine 13A, as shown in FIG. 2B, the catcher 160 is retracted to the second position P2 (S130A). The second position P2 is set at a location away from the nozzle part 121 so as not to interfere with the droplet 310 ejected from the nozzle part 121. As a result, the target generation unit 120 outputs a predetermined amount of droplets 310 at predetermined intervals toward the plasma generation point.

このように構成される本実施例では、ターゲット発生部120の作動開始時及び作動停止時の両方で、キャッチャー160をノズル部121の下側に移動させる。これにより、作動開始時から定常運転状態に達するまでの期間と、定常運転状態から完全に停止するまでの期間の両方で、キャッチャー160は、ノズル部121から出力され得る比較的低速のドロップレット310を回収できる。従って、ドロップレット310が集光ミラー130の表面132に落下して付着するのを抑制することができる。このため、本実施例のEUV光源装置1は、信頼性及びEUV集光ミラーの反射率低下を防止できる。   In this embodiment configured as described above, the catcher 160 is moved to the lower side of the nozzle unit 121 both when the operation of the target generator 120 is started and when the operation is stopped. As a result, the catcher 160 can output the relatively low-speed droplet 310 that can be output from the nozzle unit 121 in both the period from the start of operation until reaching the steady operation state and the period from the steady operation state to the complete stop. Can be recovered. Therefore, the droplet 310 can be prevented from dropping and adhering to the surface 132 of the condenser mirror 130. For this reason, the EUV light source device 1 of the present embodiment can prevent the reliability and the reflectance of the EUV collector mirror from decreasing.

以下、図5に基づいて第2実施例を説明する。以下に述べる各実施例は、第1実施例の変形例に相当する。従って、第1実施例との相違点を中心に説明する。本実施例では、ターゲット発生部120のノズル部121から離間させて、キャッチャー160Aを振り子のように所定範囲内で回動可能に設けている。   The second embodiment will be described below with reference to FIG. Each embodiment described below corresponds to a modification of the first embodiment. Therefore, the difference from the first embodiment will be mainly described. In the present embodiment, the catcher 160A is provided so as to be rotatable within a predetermined range, like a pendulum, separated from the nozzle portion 121 of the target generator 120.

図5は、本実施例によるターゲット発生部120及びキャッチャー160Aを示す断面図である。斜めに配置されたターゲット発生部120の先端側には、ノズル部121から離間して、キャッチャー160Aが設けられている。キャッチャー160Aは、ターゲット発生部120に設けられる回動点RCを中心として、第1位置P1と第2位置P2との間を回動できるように設けられている。   FIG. 5 is a cross-sectional view showing the target generator 120 and the catcher 160A according to this embodiment. A catcher 160 </ b> A is provided on the front end side of the target generation unit 120 arranged at an angle so as to be separated from the nozzle unit 121. The catcher 160A is provided so as to be able to rotate between the first position P1 and the second position P2 around a rotation point RC provided in the target generator 120.

コントローラ200は、ターゲット発生部120の作動開始時及び作動終了時に、キャッチャー160Aを第1位置P1に位置させる。これにより、キャッチャー160Aは、ノズル部121から射出または落下するドロップレット310を回収する。   The controller 200 positions the catcher 160A at the first position P1 when the operation of the target generator 120 starts and ends. Accordingly, the catcher 160A collects the droplet 310 that is injected or dropped from the nozzle portion 121.

コントローラ200は、ターゲット発生部120が定常運転状態にある場合、キャッチャー160Aを第2位置P2に位置させる。これにより、キャッチャー160Aは、通常速度のドロップレット310の飛行を邪魔しない位置に退避する。図5では、第2位置P2を第1位置P1の右側に設定しているが、その配置とは逆に、第2位置P2を第1位置P1の左側に設定してもよい。このように構成される本実施例も第1実施例と同様の効果を奏する。   When the target generator 120 is in a steady operation state, the controller 200 positions the catcher 160A at the second position P2. As a result, the catcher 160 </ b> A retreats to a position that does not interfere with the flight of the normal speed droplet 310. In FIG. 5, the second position P2 is set on the right side of the first position P1, but the second position P2 may be set on the left side of the first position P1, contrary to the arrangement. Configuring this embodiment like this also achieves the same effects as the first embodiment.

図6に基づいて第3実施例を説明する。本実施例では、キャッチャー160Bをノズル部121の前方でスライドさせる。第1実施例では、キャッチャー160は、ノズル部121からの鉛直線(重力方向G)に垂直な平面上を平行移動可能に設けられていた。本実施例のキャッチャー160Bは、ノズル部121の先端面と平行に移動可能に設けられている。   A third embodiment will be described with reference to FIG. In this embodiment, the catcher 160B is slid in front of the nozzle part 121. In the first embodiment, the catcher 160 is provided so as to be movable on a plane perpendicular to the vertical line (gravity direction G) from the nozzle portion 121. The catcher 160 </ b> B of the present embodiment is provided so as to be movable in parallel with the tip surface of the nozzle part 121.

前記実施例と同様に、コントローラ200は、ターゲット発生部120の作動開始時及び作動終了時に、キャッチャー160Bを第1位置P1に位置させる。そして、コントローラ200は、ターゲット発生部120が定常運転状態なると、キャッチャー160Bを第2位置P2に退避させる。   Similar to the embodiment, the controller 200 positions the catcher 160B at the first position P1 when the target generator 120 starts and ends. Then, when the target generator 120 is in a steady operation state, the controller 200 retracts the catcher 160B to the second position P2.

なお、図6では、第2位置P2を第1位置P1の斜め右上に設定しているが、その配置とは逆に、第2位置P2を第1位置P1の斜め左下に設定してもよい。このように構成される本実施例も第1実施例と同様の効果を奏する。   In FIG. 6, the second position P2 is set to the diagonally upper right of the first position P1, but the second position P2 may be set to the diagonally lower left of the first position P1, contrary to the arrangement. . Configuring this embodiment like this also achieves the same effects as the first embodiment.

図7に基づいて第4実施例を説明する。本実施例のキャッチャー160Cは、ノズル部121を覆うためのカバーまたはキャップとして形成されている。キャッチャー160Cは、ノズル部121の先端面に対して平行に移動可能に設けている。   A fourth embodiment will be described with reference to FIG. The catcher 160 </ b> C of the present embodiment is formed as a cover or a cap for covering the nozzle portion 121. The catcher 160 </ b> C is provided so as to be movable in parallel to the tip surface of the nozzle part 121.

コントローラ200は、ターゲット発生部120の作動開始時及び作動終了時に、キャッチャー160Bを第1位置P1に位置させて、ノズル部121をキャッチャー160Cで覆う。コントローラ200は、ターゲット発生部120が定常運転状態なると、キャッチャー160Cを第2位置P2に退避させて、ノズル部121からキャッチャー160Cを取り外す。   The controller 200 positions the catcher 160B at the first position P1 when the operation of the target generator 120 starts and ends, and covers the nozzle unit 121 with the catcher 160C. When the target generator 120 enters the steady operation state, the controller 200 retracts the catcher 160C to the second position P2 and removes the catcher 160C from the nozzle part 121.

なお、図7では、第2位置P2を第1位置P1の斜め右上に設定しているが、第2位置P2を第1位置P1の斜め左下に設定してもよい。このように構成される本実施例も第1実施例と同様の効果を奏する。   In FIG. 7, the second position P2 is set to the diagonally upper right of the first position P1, but the second position P2 may be set to the diagonally lower left of the first position P1. Configuring this embodiment like this also achieves the same effects as the first embodiment.

図8に基づいて第5実施例を説明する。図8(a)は、定常運転状態の場合の配置関係を示す。図8(b)は、ターゲット発生部120の作動開始時及び作動終了時の場合の配置関係を示す。   A fifth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8A shows an arrangement relationship in a steady operation state. FIG. 8B shows the arrangement relationship when the operation of the target generator 120 starts and ends.

本実施例のキャッチャー160Dは、ピンホールシャッターのように形成される。キャッチャー160Dは、ノズル部121の先端を覆うようにして設けられている。キャッチャー160Dは、ノズル部121の先端面と平行に移動可能に設けられる。   The catcher 160D of the present embodiment is formed like a pinhole shutter. Catcher 160D is provided so that the front-end | tip of the nozzle part 121 may be covered. The catcher 160 </ b> D is provided to be movable in parallel with the tip surface of the nozzle part 121.

キャッチャー160Dの中央部には、ピンホール161Dが形成されている。定常運転時にはドロップレット310がピンホール161Dを通過できるように、ピンホール161Dの直径は、ノズル部121のノズル直径に対応して設定される。   A pinhole 161D is formed at the center of the catcher 160D. The diameter of the pinhole 161D is set corresponding to the nozzle diameter of the nozzle portion 121 so that the droplet 310 can pass through the pinhole 161D during the steady operation.

図8(b)に示すように、コントローラ200は、ターゲット発生部120の作動開始時及び作動終了時に、キャッチャー160Dを第1位置P1に位置させる。これにより、ノズル部121の軸線(射出方向)とピンホール161Dの軸線とが不一致となり、ノズル部121から射出されるドロップレット310、または、ノズル部121から漏れるターゲット物質は、キャッチャー160D内に回収される。   As shown in FIG. 8B, the controller 200 positions the catcher 160D at the first position P1 when the operation of the target generator 120 starts and ends. As a result, the axis (injection direction) of the nozzle part 121 and the axis of the pinhole 161D do not coincide with each other, and the droplet 310 injected from the nozzle part 121 or the target material leaking from the nozzle part 121 is collected in the catcher 160D. Is done.

図8(a)に示すように、コントローラ200は、ターゲット発生部120が定常運転状態なると、キャッチャー160Dを第2位置P2に退避させる。これにより、ノズル部121の軸線とピンホール161Dの軸線とが一致する。従って、ノズル部121から射出されたドロップレット310は、ピンホール161Dを通過して、プラズマ生成点に向かう。   As shown in FIG. 8A, the controller 200 retracts the catcher 160D to the second position P2 when the target generator 120 is in a steady operation state. Thereby, the axis line of the nozzle part 121 and the axis line of the pinhole 161D correspond. Accordingly, the droplet 310 ejected from the nozzle part 121 passes through the pinhole 161D and travels toward the plasma generation point.

なお、キャッチャー160Dの移動方向は、図8に示す方向と逆に設定してもよい。つまり、図8(b)において、第1位置P1を左下方向に設定してもよい。このように構成される本実施例も第1実施例と同様の効果を奏する。   Note that the moving direction of the catcher 160D may be set opposite to the direction shown in FIG. That is, in FIG. 8B, the first position P1 may be set in the lower left direction. Configuring this embodiment like this also achieves the same effects as the first embodiment.

図9に基づいて第6実施例を説明する。本実施例のキャッチャー160Eは、ノズル部121の鉛直線上の真下に、固定的に取り付けられる。従って、本実施例では、キャッチャー160Eを移動させるためのアクチュエータ210は不要である。また、本実施例では、図3で述べた制御処理も不要である。   A sixth embodiment will be described with reference to FIG. The catcher 160 </ b> E of this embodiment is fixedly attached directly below the vertical line of the nozzle part 121. Therefore, in this embodiment, the actuator 210 for moving the catcher 160E is not necessary. In the present embodiment, the control process described with reference to FIG. 3 is also unnecessary.

キャッチャー160Eは、ターゲット発生部120の作動開始時及び作動終了時に発生し得る低速のドロップレット310を受け止めることができる位置であって、かつ、ターゲット発生部120の定常運転に影響を与えない位置に、取り付けられる。キャッチャー160Eには、図示せぬ排出管等が設けられている。キャッチャー160Eに収容されたドロップレット310は、チャンバ100の外部に取り出されて再利用することも可能である。   The catcher 160E is a position that can receive the low-speed droplet 310 that can be generated when the operation of the target generator 120 starts and ends, and does not affect the steady operation of the target generator 120. ,It is attached. The catcher 160E is provided with a discharge pipe (not shown). The droplets 310 accommodated in the catcher 160E can be taken out of the chamber 100 and reused.

ターゲット発生部120の作動開始時及び作動終了時に射出されるドロップレット310は、その速度が通常時の速度よりも低いため、通常の経路C1から外れてキャッチャー160E内に落下する。これに対し、定常運転状態のターゲット発生部120から射出されるドロップレット310は、通常の経路C1に沿って移動し、プラズマ生成点でプラズマ化される。   The droplets 310 ejected at the start and end of the operation of the target generator 120 are lower than the normal speed, and thus fall off the normal path C1 and fall into the catcher 160E. On the other hand, the droplet 310 ejected from the target generator 120 in the steady operation state moves along the normal path C1 and is converted into plasma at the plasma generation point.

このように構成される本実施例も第1実施例と同様の効果を奏する。さらに、本実施例では、定常運転状態とそれ以外の状態とにおけるドロップレット310の速度差を利用して、キャッチャー160Eを設ける。従って、本実施例では、アクチュエータ210等を廃止できるため、前記各実施例よりも構成を簡素化して製造コストを低減できる。   Configuring this embodiment like this also achieves the same effects as the first embodiment. Furthermore, in this embodiment, the catcher 160E is provided by utilizing the speed difference of the droplet 310 between the steady operation state and the other states. Therefore, in the present embodiment, the actuator 210 and the like can be eliminated, so that the configuration can be simplified and the manufacturing cost can be reduced as compared with the respective embodiments.

図10,図11に基づいて第7実施例を説明する。本実施例では、キャッチャー160Fを固定し、ターゲット発生部120を回動させる。図10(a)は、ターゲット発生部120が定常運転状態にある場合の配置関係を示す。図10(b)は、ターゲット発生部120が作動開始状態または作動終了状態にある場合を示す。図11は、本実施例によるキャッチ用サブルーチンS110B及び解除用サブルーチンS130Bを示すフローチャートである。   A seventh embodiment will be described with reference to FIGS. In this embodiment, the catcher 160F is fixed and the target generator 120 is rotated. FIG. 10A shows an arrangement relationship when the target generator 120 is in a steady operation state. FIG. 10B shows a case where the target generator 120 is in an operation start state or an operation end state. FIG. 11 is a flowchart showing a catching subroutine S110B and a canceling subroutine S130B according to this embodiment.

図10(a)に示すように、ターゲット発生部120の右上には、定常運転時にターゲット発生部120から射出されるドロップレット310に干渉しないようにして、キャッチャー160Fが設けられている。   As shown in FIG. 10A, a catcher 160F is provided at the upper right of the target generator 120 so as not to interfere with the droplet 310 ejected from the target generator 120 during steady operation.

コントローラ200は、図10(b)に示すように、ターゲット発生部120の作動開始時及び作動終了時に、ターゲット発生部120を図中左回りに回動させ、ノズル部121をキャッチャー160Fに向けさせる(S110B)。ここで、ノズル部121がキャッチャー160Fを向く位置P3(角度)は、「第3位置」に該当する。ターゲット発生部120が第3位置P3に位置すると、ノズル部121から射出されるドロップレット310は、キャッチャー160Fにより回収される。   As shown in FIG. 10B, the controller 200 rotates the target generation unit 120 counterclockwise in the drawing at the start and end of the operation of the target generation unit 120 to direct the nozzle unit 121 toward the catcher 160F. (S110B). Here, the position P3 (angle) at which the nozzle portion 121 faces the catcher 160F corresponds to the “third position”. When the target generation unit 120 is positioned at the third position P3, the droplets 310 ejected from the nozzle unit 121 are collected by the catcher 160F.

コントローラ200は、図10(a)に示すように、ターゲット発生部120が定常運転状態になると、ターゲット発生部120を図中右回りに回動させ、ノズル部121を所定の方向C1に向けさせる(S130B)。ターゲット発生部120が所定の方向C1(プラズマ生成点の方向)を向く位置P4(角度)は、「第4位置」に該当する。ターゲット発生部120が第4位置P4に切り替わると、ターゲット発生部120は、通常速度のドロップレット310をプラズマ生成点に向けて射出する。このように構成される本実施例も第1実施例と同様の効果を奏する。   As shown in FIG. 10A, when the target generator 120 is in a steady operation state, the controller 200 rotates the target generator 120 clockwise in the drawing and directs the nozzle 121 in a predetermined direction C1. (S130B). The position P4 (angle) at which the target generator 120 faces the predetermined direction C1 (the direction of the plasma generation point) corresponds to the “fourth position”. When the target generation unit 120 is switched to the fourth position P4, the target generation unit 120 injects the normal speed droplet 310 toward the plasma generation point. Configuring this embodiment like this also achieves the same effects as the first embodiment.

図12に基づいて第8実施例を説明する。本実施例では、キャッチャー160Gを固定し、ターゲット発生部120を平行に移動させる。本実施例のキャッチャー160Gは、前記キャッチャー160Fと同様に、ターゲット発生部120の定常運転時にノズル部121から射出されるドロップレット310に干渉しないように、例えば、ターゲット発生部120の斜め上に設けられる。   An eighth embodiment will be described based on FIG. In this embodiment, the catcher 160G is fixed and the target generator 120 is moved in parallel. Like the catcher 160F, the catcher 160G of the present embodiment is provided, for example, obliquely above the target generator 120 so as not to interfere with the droplet 310 ejected from the nozzle unit 121 during the steady operation of the target generator 120. It is done.

コントローラ200は、ターゲット発生部120の作動開始時及び作動終了時に、ターゲット発生部120を第3位置P3に移動させて、ノズル部121をキャッチャー160Gに対面させる。   The controller 200 moves the target generator 120 to the third position P3 when the operation of the target generator 120 starts and ends, and causes the nozzle unit 121 to face the catcher 160G.

コントローラ200は、ターゲット発生部120が定常運転状態になると、ターゲット発生部120を第4位置P4に平行移動させて、ノズル部121を所定の方向C1に向けさせる。このように構成される本実施例も第1実施例及び第7実施例と同様の効果を奏する。   When the target generation unit 120 is in a steady operation state, the controller 200 translates the target generation unit 120 to the fourth position P4 and directs the nozzle unit 121 in a predetermined direction C1. Configuring this embodiment like this also achieves the same effects as the first and seventh embodiments.

図13に基づいて第9実施例を説明する。本実施例のターゲット発生部120Aは、ノズル部121を開閉させるためのバルブ機構126を備えている。バルブ機構126は、例えば、弁体127と、弁体127を上下方向に移動させるアクチュエータ128とを備えている。ノズル部121の流入口側には、弁体127の先端127Aが着座するための弁座125が形成されている。   A ninth embodiment will be described with reference to FIG. The target generator 120 </ b> A of this embodiment includes a valve mechanism 126 for opening and closing the nozzle portion 121. The valve mechanism 126 includes, for example, a valve body 127 and an actuator 128 that moves the valve body 127 in the vertical direction. On the inlet side of the nozzle part 121, a valve seat 125 is formed for the front end 127A of the valve body 127 to be seated.

弁体127は、例えば、ニードル弁のように形成される。弁体127は、タンク部122及びノズル部121と同一の材料から形成することができる。例えば、タンク部122及びノズル部121がモリブデンから形成される場合、弁体127もモリブデンから形成することができる。弁体127及び弁座125の表面は、上述のように、ノズル直径の1/10以下または1/100以下の粗さとなるように研磨することができる。なお、弁体127及び弁座125の表面に、ダイヤモンド膜を形成してもよい。   The valve body 127 is formed like a needle valve, for example. The valve body 127 can be formed from the same material as the tank part 122 and the nozzle part 121. For example, when the tank part 122 and the nozzle part 121 are formed from molybdenum, the valve body 127 can also be formed from molybdenum. As described above, the surfaces of the valve body 127 and the valve seat 125 can be polished so as to have a roughness of 1/10 or less or 1/100 or less of the nozzle diameter. A diamond film may be formed on the surfaces of the valve body 127 and the valve seat 125.

コントローラ200は、ターゲット発生部120を作動させる場合、アクチュエータ128を駆動させて弁体127を上方に移動させる。これにより、弁体127の先端127Aは弁座125から離れ、バルブ機構126は開弁する。そして、ドロップレット310は、ノズル部121から射出される。   When the target generator 120 is operated, the controller 200 drives the actuator 128 to move the valve element 127 upward. Thereby, the front-end | tip 127A of the valve body 127 leaves | separates from the valve seat 125, and the valve mechanism 126 opens. Then, the droplet 310 is ejected from the nozzle part 121.

コントローラ200は、ターゲット発生部120を停止させる場合、アクチュエータ128を駆動させて弁体127を下方に移動させる。これにより、弁体127の先端127Aは弁座125に着座し、バルブ機構126は閉弁する。   When stopping the target generation unit 120, the controller 200 drives the actuator 128 to move the valve element 127 downward. As a result, the tip 127A of the valve element 127 is seated on the valve seat 125, and the valve mechanism 126 is closed.

このように構成される本実施例では、ノズル部121を開閉させるためのバルブ機構126をターゲット発生部120に設けるため、ターゲット発生部120の作動停止時にノズル部121からターゲット物質300が漏れるのを防止できる。   In the present embodiment configured as described above, the target generator 300 is provided with a valve mechanism 126 for opening and closing the nozzle 121, so that the target material 300 leaks from the nozzle 121 when the operation of the target generator 120 is stopped. Can be prevented.

図14−図16に基づいて第10実施例を説明する。本実施例では、EUV光L2のオブスキュレーション領域400にキャッチャー160Hを設ける。図14は、本実施例のEUV光源装置1Aを示す。本実施例のキャッチャー160Hは、集光ミラー130の略中央部からEUV光L2の照射方向に若干離間して、設けられている。キャッチャー160Hは、固定的に取り付けられている。   A tenth embodiment will be described with reference to FIGS. In this embodiment, a catcher 160H is provided in the obscuration region 400 of the EUV light L2. FIG. 14 shows an EUV light source apparatus 1A of the present embodiment. The catcher 160H of the present embodiment is provided slightly apart from the substantially central portion of the condenser mirror 130 in the irradiation direction of the EUV light L2. The catcher 160H is fixedly attached.

集光ミラー130により集光されるEUV光L2のファーフィールド410には、その中央部にオブスキュレーション領域400が設定される。図15は、チャンバ100等を拡大した図面である。図16は、図15中の矢示XVI方向からファーフィールド410を見た図面である。   An obscuration region 400 is set at the center of the far field 410 of the EUV light L2 collected by the condenser mirror 130. FIG. 15 is an enlarged view of the chamber 100 and the like. FIG. 16 is a view of the far field 410 as seen from the direction of the arrow XVI in FIG.

図15,図16に示すように、キャッチャー160Hは、その大部分がオブスキュレーション領域400内に位置するようにして、プラズマ生成点(符号320の位置)よりも手前に配置されている。手前とは、レーザ光L1の進行方向上の手前である。従って、キャッチャー160Hは、集光ミラー130とプラズマ生成点との間に位置して、オブスキュレーション領域400に隠れるようにして設けられている。   As shown in FIGS. 15 and 16, the catcher 160 </ b> H is arranged in front of the plasma generation point (position 320) so that most of the catcher 160 </ b> H is located in the obscuration region 400. The near side is the near side in the traveling direction of the laser beam L1. Therefore, the catcher 160H is provided between the condensing mirror 130 and the plasma generation point so as to be hidden in the obscuration region 400.

キャッチャー160Hは、ターゲット発生部120の作動開始時及び作動停止時にノズル部121から射出され得るドロップレット310を受け止めることができる位置であって、かつ、オブスキュレーション領域400に属する位置に設けられる。   The catcher 160 </ b> H is provided at a position where the droplet 310 that can be ejected from the nozzle unit 121 can be received when the operation of the target generator 120 is started and stopped, and at a position belonging to the obscuration region 400.

ここで、オブスキュレーション領域400とは、EUV集光ミラー130によって集光されるEUV光L2のうち露光装置2において利用されない角度範囲に対応する領域のことをいう。   Here, the obscuration region 400 refers to a region corresponding to an angular range that is not used in the exposure apparatus 2 in the EUV light L2 collected by the EUV collector mirror 130.

プラズマ生成点から放射されたEUV光L2は、EUV光集光ミラー130によって中間集光点IFに集光される。本実施例では、IFにおいて、露光装置2により利用されない角度範囲に対応する3次元的な体積領域を、オブスキュレーション領域400と定義する。通常、オブスキュレーション領域400のEUV光は、露光に用いられない。そのため、オブスキュレーション領域400のEUV光L2が露光装置2に入力されなくても、露光装置2の露光性能やスループットには影響を与えない。
図16に示すように、キャッチャー160Hは、水平線に対して僅かに傾いて配置されている。これにより、キャッチャー160Hに収容されたドロップレット310は、重力に従って斜めに移動する。キャッチャー160Hには、回収部162Hが排出管路(図示せず)を介して接続されている。キャッチャー160H内のドロップレット310は、回収部162H内に流入して回収される。回収部162Hにより回収されたターゲット物質は、再利用することも可能である。なお、キャッチャー160Hと、回収部162Hと、排出管路とは、ドロップレット310を溶融状態に保つためのヒータを備えることができる。
The EUV light L2 radiated from the plasma generation point is condensed at the intermediate condensing point IF by the EUV light condensing mirror 130. In this embodiment, a three-dimensional volume region corresponding to an angle range that is not used by the exposure apparatus 2 in the IF is defined as an obscuration region 400. Normally, EUV light in the obscuration region 400 is not used for exposure. Therefore, even if the EUV light L2 in the obscuration region 400 is not input to the exposure apparatus 2, the exposure performance and throughput of the exposure apparatus 2 are not affected.
As shown in FIG. 16, the catcher 160H is disposed slightly tilted with respect to the horizontal line. Thereby, the droplet 310 accommodated in the catcher 160H moves diagonally according to gravity. A collection unit 162H is connected to the catcher 160H via a discharge pipe (not shown). The droplet 310 in the catcher 160H flows into the collection unit 162H and is collected. The target material recovered by the recovery unit 162H can be reused. In addition, the catcher 160H, the collection | recovery part 162H, and the discharge pipeline can be equipped with the heater for keeping the droplet 310 in a molten state.

このように構成される本実施例も第1実施例と同様の効果を奏する。さらに、本実施例では、露光装置2で利用されないオブスキュレーション領域400内にキャッチャー160Hを設けるため、EUV光源装置1Aは、アクチュエータ及び駆動制御プログラム等を備える必要がなく、製造コストが低減される。   Configuring this embodiment like this also achieves the same effects as the first embodiment. Furthermore, in this embodiment, since the catcher 160H is provided in the obscuration region 400 that is not used in the exposure apparatus 2, the EUV light source apparatus 1A does not need to include an actuator, a drive control program, and the like, and the manufacturing cost is reduced. .

なお、本発明は、上述した各実施例に限定されない。当業者であれば、本発明の範囲内で、種々の追加や変更が可能である。例えば、上記各実施例を適宜組み合わせることができる。   In addition, this invention is not limited to each Example mentioned above. A person skilled in the art can make various additions and modifications within the scope of the present invention. For example, the above embodiments can be appropriately combined.

1,1A:EUV光源装置、100:チャンバ、102:入射ウインドウ、101:接続部、110:ドライバレーザ光源、120:ターゲット発生部、121:ノズル部、122:タンク部、123:振動部、124:加熱部、130:EUV集光ミラー、131:入射穴、132:表面、140:回収装置、151,152:反射ミラー、160,160A,160B,160C,160D,160E,160F,160G,160H:キャッチャー、170:カメラ、200:EUVコントローラ、210:キャッチャー用アクチュエータ、300:ターゲット物質、310:ドロップレット、320:プラズマ:400:オブスキュレーション領域、410:EUV光のファーフィールド、L1:ドライバレーザ光、L2:EUV光、P1:第1位置、P2:第2位置、P3:第3位置、P4:第4位置。   1, 1A: EUV light source device, 100: chamber, 102: incident window, 101: connection unit, 110: driver laser light source, 120: target generation unit, 121: nozzle unit, 122: tank unit, 123: vibration unit, 124 : Heating unit, 130: EUV collector mirror, 131: entrance hole, 132: surface, 140: collection device, 151, 152: reflection mirror, 160, 160A, 160B, 160C, 160D, 160E, 160F, 160G, 160H: Catcher, 170: camera, 200: EUV controller, 210: actuator for catcher, 300: target material, 310: droplet, 320: plasma: 400: obscuration region, 410: far field of EUV light, L1: driver laser Light, L2: EUV light P1: first position, P2: second position, P3: third position, P4: fourth position.

Claims (9)

ターゲット物質にレーザ光を照射して極端紫外光を発生させる極端紫外光源装置であって、
チャンバと、
前記ターゲット物質からターゲットを生成し、生成された前記ターゲットを前記チャンバ内の所定方向に出力するターゲット発生部と、
前記チャンバ内の前記ターゲットにレーザ光を照射してプラズマ化させることにより、前記極端紫外光を発生させるレーザ光源と、
前記ターゲット発生部の下側に位置して、前記ターゲット発生部が前記ターゲットを出力するための出力口の鉛直線上に設けられ、前記極端紫外光を所定の焦点に集めるための集光ミラーと、
前記ターゲット発生部が所定の状態にある場合、前記ターゲット発生部から出力される前記ターゲットが前記集光ミラーに付着しないように、前記ターゲットを回収する回収部と、
を備える極端紫外光源装置。

An extreme ultraviolet light source device that generates extreme ultraviolet light by irradiating a target material with laser light,
A chamber;
A target generating unit that generates a target from the target material and outputs the generated target in a predetermined direction in the chamber;
A laser light source for generating the extreme ultraviolet light by irradiating the target in the chamber with a laser beam to form a plasma; and
Located on the lower side of the target generation unit, the target generation unit is provided on a vertical line of an output port for outputting the target, and a collecting mirror for collecting the extreme ultraviolet light at a predetermined focal point;
When the target generator is in a predetermined state, a recovery unit that recovers the target so that the target output from the target generator does not adhere to the condenser mirror;
An extreme ultraviolet light source device.

前記所定の状態とは、前記ターゲット発生部が作動を開始する作動開始状態と前記ターゲット発生部が作動を停止する作動停止状態との少なくともいずれか一方である、請求項1に記載の極端紫外光源装置。
The extreme ultraviolet light source according to claim 1, wherein the predetermined state is at least one of an operation start state in which the target generation unit starts operation and an operation stop state in which the target generation unit stops operation. apparatus.
前記回収部は、前記ターゲット発生部から出力される前記ターゲットを回収するための第1位置と、前記第1位置から離れて設定され、前記ターゲットに干渉しない第2位置との間で切替可能に設けられており、
前記回収部は、前記ターゲット発生部が前記所定の状態にある場合に前記第1位置に位置し、前記ターゲット発生部が前記所定の状態以外の状態にある場合に前記第2位置に位置する、請求項2に記載の極端紫外光源装置。
The collection unit is switchable between a first position for collecting the target output from the target generation unit and a second position that is set apart from the first position and does not interfere with the target. Provided,
The recovery unit is positioned at the first position when the target generation unit is in the predetermined state, and is positioned at the second position when the target generation unit is in a state other than the predetermined state. The extreme ultraviolet light source device according to claim 2.
前記回収部は、前記第1位置にある場合、前記出力口を塞ぐように設けられる、請求項3に記載の極端紫外光源装置。
The extreme ultraviolet light source device according to claim 3, wherein the recovery unit is provided so as to close the output port when in the first position.
前記ターゲット発生部は、前記所定方向とは別の方向に設けられた前記回収部に向けて前記ターゲットを出力する第3位置と、前記ターゲットを前記所定方向に出力する第4位置との間で切替可能に設けられており、
前記ターゲット発生部は、前記ターゲット発生部が前記所定の状態にある場合に前記第3位置に位置し、前記ターゲット発生部が前記所定の状態以外の状態にある場合に前記第4位置に位置する、請求項2に記載の極端紫外光源装置。
The target generation unit is between a third position for outputting the target toward the recovery unit provided in a direction different from the predetermined direction and a fourth position for outputting the target in the predetermined direction. It is provided to be switchable,
The target generator is positioned at the third position when the target generator is in the predetermined state, and is positioned at the fourth position when the target generator is in a state other than the predetermined state. The extreme ultraviolet light source device according to claim 2.
前記回収部は、前記出力口と前記集光ミラーとの間に位置して、前記集光ミラーによる前記極端紫外光の集光に干渉しない領域に設けられており、
前記ターゲット発生部が前記所定の状態にある場合に、前記ターゲット発生部から出力される前記ターゲットが前記回収部に収容されて回収されるようになっている請求項2に記載の極端紫外光源装置。
The recovery unit is located between the output port and the collector mirror, and is provided in a region that does not interfere with the collection of the extreme ultraviolet light by the collector mirror,
The extreme ultraviolet light source device according to claim 2, wherein when the target generation unit is in the predetermined state, the target output from the target generation unit is accommodated in the recovery unit and recovered. .
前記回収部は、前記出力口の下側に位置して、前記集光ミラーのオブスキュレーション領域に設けられており、
前記ターゲット発生部が前記所定の状態にある場合に、前記ターゲット発生部から出力される前記ターゲットが前記回収部に収容されて回収されるようになっている請求項2に記載の極端紫外光源装置。
The collection unit is located below the output port, and is provided in an obscuration region of the condenser mirror,
The extreme ultraviolet light source device according to claim 2, wherein when the target generation unit is in the predetermined state, the target output from the target generation unit is accommodated in the recovery unit and recovered. .
前記ターゲット発生部から前記チャンバ内に出力される前記ターゲットの出力状態を検出する出力状態検出部を設け、
前記ターゲット発生部が前記所定の状態になったか否かは、前記出力状態検出部からの検出信号に基づいて判定される、請求項2に記載の極端紫外光源装置。
An output state detection unit for detecting an output state of the target output from the target generation unit into the chamber;
The extreme ultraviolet light source device according to claim 2, wherein whether or not the target generation unit is in the predetermined state is determined based on a detection signal from the output state detection unit.
ターゲット物質にレーザ光を照射して極端紫外光を発生させる極端紫外光源装置であって、
チャンバと、
前記ターゲット物質からターゲットを生成し、生成された前記ターゲットを前記チャンバ内の所定方向に出力するターゲット発生部と、
前記チャンバ内の前記ターゲットにレーザ光を照射してプラズマ化させることにより、前記極端紫外光を発生させるレーザ光源と、
前記ターゲット発生部の下側に設けられ、前記極端紫外光を所定の焦点に集めるための集光ミラーと、
前記ターゲット発生部が前記ターゲットを出力するための出力口の下側に位置して、前記集光ミラーのオブスキュレーション領域に設けられ、前記ターゲット発生部から出力される前記ターゲットが前記集光ミラーに付着しないように、前記ターゲットを回収する回収部と、
を備える極端紫外光源装置。
An extreme ultraviolet light source device that generates extreme ultraviolet light by irradiating a target material with laser light,
A chamber;
A target generating unit that generates a target from the target material and outputs the generated target in a predetermined direction in the chamber;
A laser light source for generating the extreme ultraviolet light by irradiating the target in the chamber with a laser beam to form a plasma; and
A condensing mirror provided on the lower side of the target generator, for collecting the extreme ultraviolet light at a predetermined focal point;
The target generator is located below the output port for outputting the target, and is provided in the obscuration region of the condenser mirror, and the target output from the target generator is the condenser mirror A recovery unit for recovering the target so as not to adhere to
An extreme ultraviolet light source device.
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