JP5387131B2 - Surface plasmon enhanced fluorescence sensor, chip structure used in surface plasmon enhanced fluorescence sensor, and specimen detection method using surface plasmon enhanced fluorescence sensor - Google Patents
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Description
本発明は、表面プラズモン励起増強蛍光分光法(SPFS;Surface Plasmon-field enhanced Fluorescence Spectroscopy)の原理に基づいた表面プラズモン増強蛍光センサおよびこの表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体ならびにこの表面プラズモン増強蛍光センサを用いた検体検出方法に関する。 The present invention relates to a surface plasmon enhanced fluorescence sensor based on the principle of surface plasmon excitation enhanced fluorescence spectroscopy (SPFS), a chip structure used for the surface plasmon enhanced fluorescence sensor, and the surface plasmon enhancement. The present invention relates to a specimen detection method using a fluorescence sensor.
従来より、表面プラズモン励起増強蛍光分光法(SPFS)の原理に基づき、例えば生体内の極微少なアナライトの検出が行われている。
表面プラズモン励起増強蛍光分光法(SPFS)は、光源より照射したレーザ光(励起光)が金属薄膜表面で全反射減衰(ATR;attenuated total reflectance)する条件において、金属薄膜表面に粗密波(表面プラズモン)を発生させることによって、光源より照射したレーザ光(励起光)が有するフォトン量を数十倍〜数百倍に増やし(表面プラズモンの電場増強効果)、これにより金属薄膜近傍の蛍光物質を効率良く励起させることによって、極微量および/または極低濃度のアナライトを検出する方法である。
Conventionally, for example, detection of minute analytes in a living body has been performed based on the principle of surface plasmon excitation enhanced fluorescence spectroscopy (SPFS).
Surface plasmon excitation-enhanced fluorescence spectroscopy (SPFS) is a method in which a rough wave (surface plasmon) is generated on the surface of a metal thin film under the condition that the laser light (excitation light) irradiated from a light source attenuates total reflection (ATR) on the surface of the metal thin film. ) To increase the photon amount of the laser light (excitation light) emitted from the light source by several tens to several hundreds times (electric field enhancement effect of surface plasmons), thereby improving the efficiency of the fluorescent material near the metal thin film. It is a method for detecting an extremely small amount and / or an extremely low concentration of analyte by exciting well.
近年、このような表面プラズモン励起増強蛍光分光法(SPFS)の原理に基づいた表面プラズモン増強蛍光センサの開発が進められており、例えば特許文献1や特許文献2などにその技術開示がなされている。
In recent years, surface plasmon enhanced fluorescence sensors based on the principle of surface plasmon excitation enhanced fluorescence spectroscopy (SPFS) have been developed. For example,
このような表面プラズモン増強蛍光センサ100は、図6に示したように基本的な構造において、まず金属薄膜102と、金属薄膜102の一方側面に形成された反応層104と、他方側面に形成された誘電体部材106と、を有するチップ構造体108を備えている。
Such a surface plasmon enhanced
そして、チップ構造体108の誘電体部材106側には、誘電体部材106内に入射され、金属薄膜102に向かって励起光110を照射する光源112を備え、さらに光源112から照射され金属薄膜102で反射した金属薄膜反射光114を受光する受光手段116が備えられている。
The
一方、チップ構造体108の反応層104側には、反応層104で捕捉されたアナライトを標識した蛍光物質が発する蛍光118を受光する光検出手段120が設けられている。
On the other hand, on the
なお、反応層104と光検出手段120との間には、蛍光118を効率よく集光するための集光部材122と、蛍光118以外に含まれる光を除去し、必要な蛍光のみを選択する波長選択機能部材124が設けられている。
In addition, between the
そして、表面プラズモン増強蛍光センサ100の使用においては、金属薄膜102上に、あらかじめ蛍光物質で標識されたアナライトが捕捉された反応層104を形成しておき、この状態で光源112より誘電体部材106内に励起光110を照射し、この励起光110が特定の角度(共鳴角)θ1で金属薄膜102に入射することで、金属薄膜102上に粗密波(表面プラズモン)を生ずるようになっている。
When the surface plasmon enhanced
なお、金属薄膜102上に粗密波(表面プラズモン)が生ずる際には、励起光110と金属薄膜102中の電子振動とがカップリングし、金属薄膜反射光114の光量減少という現象が生ずる。
In addition, when a close-packed wave (surface plasmon) is generated on the metal
このため、受光手段116で受光される金属薄膜反射光114のシグナルが変化(光量が減少)する地点を見つければ、粗密波(表面プラズモン)が生ずる共鳴角θ1を得ることができる。
For this reason, if the point where the signal of the metal thin film reflected
そして、この粗密波(表面プラズモン)を生ずる現象により、金属薄膜102上の反応層104の蛍光物質が効率良く励起され、これにより蛍光物質が発する蛍光118の光量が増大することとなる。
Then, due to the phenomenon of generating the rough wave (surface plasmon), the fluorescent material of the
この増大した蛍光118を、集光部材122および波長選択機能部材124を介して光検出手段120で受光することで、極微量および/または極低濃度のアナライトを検出することができるようになっている。
By receiving the increased
このように、表面プラズモン増強蛍光センサ100は、特に生体分子間などの微細な分子活動を観察可能とする高感度計測センサである。
Thus, the surface plasmon enhanced
しかしながら、上述したような従来の表面プラズモン増強蛍光センサ100において、光検出手段120の検出感度を高めて行くと、検出対象である「反応層104の蛍光物質が生じる蛍光118」以外に、この「蛍光118の波長に近い波長の光」、または「蛍光118の波長と重なる波長を有する光」についても合わさって検出されていることが本発明者らによって確認され、真の蛍光検出が行われていないことが判明した。
However, in the conventional surface plasmon enhanced
つまり、このような従来の表面プラズモン増強蛍光センサ100では、波長選択機能部材124によって蛍光118以外の光を低減してはいるものの、蛍光118に近い波長の光,蛍光118の蛍光波長と重なる波長を有する光については、従来の光検出手段120と反応層104との間に設けられた波長選択機能部材124では十分な除去はできず、特に極微量および/または極低濃度のアナライトを検出するための高精度で高感度の蛍光検出には不十分であることが分かった。
That is, in such a conventional surface plasmon enhanced
また、従来の波長選択機能部材124によって、蛍光118の蛍光波長と重なる波長を有する不要な光を完全に除去しようとすると、検出対象である蛍光物質の蛍光118までをも低下させることにつながり、検出感度の向上が見込めなくなるという問題もある。
Further, if the conventional wavelength
このような蛍光118の蛍光波長に近い波長の光,蛍光波長と重なる波長を有する光は、蛍光118の検出感度が高まれば高まるほど、検出値の正確性に悪影響を及ぼすため、この蛍光118以外の光を確実に除去し、検出感度を上げても精度良く蛍光検出ができる表面プラズモン増強蛍光センサが望まれている。
Such light having a wavelength close to the fluorescence wavelength of the
本発明はこのような従来技術の問題点に鑑みなされたものであって、検出対象である反応層の蛍光物質が発する蛍光を確実に検出し、検出感度を上げても超高精度に蛍光検出を行うことのできる表面プラズモン増強蛍光センサおよび表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体ならびに表面プラズモン増強蛍光センサを用いた検体検出方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems of the prior art, and reliably detects the fluorescence emitted by the fluorescent substance in the reaction layer that is the detection target, and detects the fluorescence with extremely high accuracy even when the detection sensitivity is increased. It is an object of the present invention to provide a surface plasmon-enhanced fluorescent sensor capable of performing the above-described steps, a chip structure used for the surface plasmon-enhanced fluorescent sensor, and a specimen detection method using the surface plasmon-enhanced fluorescent sensor.
本発明は、前述したような従来技術における問題点を解決するために発明されたものであって、
本発明の表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体は、
誘電体部材を介して金属薄膜に励起光を照射して、前記金属薄膜上の電場を増強させることにより、前記金属薄膜上に形成された反応層に捕捉されたアナライトを標識する蛍光物質を励起させ、前記蛍光物質が発する蛍光を検出する表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体であって、
前記チップ構造体は、
前記金属薄膜と、
前記金属薄膜の一方側面に形成された前記反応層と、
前記金属薄膜の他方側面に形成された前記誘電体部材と、
を少なくとも備え、
さらに前記誘電体部材と前記金属薄膜との間に、
前記蛍光物質を励起させる励起波長の光は前記金属薄膜へ到達させ、前記蛍光物質の蛍光波長の光が前記金属薄膜に到達することは低減する励起光選択透過層を有することを特徴とする。
The present invention was invented to solve the problems in the prior art as described above,
The chip structure used in the surface plasmon enhanced fluorescence sensor of the present invention is:
A fluorescent material for labeling the analyte trapped in the reaction layer formed on the metal thin film by irradiating the metal thin film with excitation light through a dielectric member to enhance the electric field on the metal thin film. A chip structure used in a surface plasmon enhanced fluorescence sensor that is excited and detects fluorescence emitted from the fluorescent material ,
The chip structure is
The metal thin film;
Wherein a reaction layer formed on one side surface of the metal thin film,
And the dielectric member formed on the other side surface of the metal thin film,
Comprising at least
Further, between the dielectric member and the metal thin film,
It has an excitation light selective transmission layer that allows light having an excitation wavelength to excite the fluorescent material to reach the metal thin film, and reduces that light having a fluorescence wavelength of the fluorescent material reaches the metal thin film .
このように励起光選択透過層が設けられていれば、励起光は金属薄膜に到達し表面プラズモンを生じさせて反応層の蛍光物質を励起させることができ、かつ、反応層の蛍光物質の蛍光波長と重なる波長の不要な光を低減させることができるので、反応層の極微量の蛍光も超高精度に検出することができる。 If the excitation light selective transmission layer is provided in this way, the excitation light can reach the metal thin film to generate surface plasmons to excite the fluorescent substance in the reaction layer, and the fluorescence of the fluorescent substance in the reaction layer. Since unnecessary light having a wavelength overlapping with the wavelength can be reduced, a very small amount of fluorescence in the reaction layer can be detected with extremely high accuracy.
特に誘電体部材の基材と金属薄膜との間に形成された励起光選択透過層では、励起光を誘電体部材に入射することによって誘電体部材から生じる極微弱な蛍光(自家蛍光)などの光に、反応層の蛍光物質の蛍光波長と重なる波長の不要な成分があったとしても、その波長の光が金属薄膜に到達する前に低減させることができるので、励起光により金属薄膜の更に後方の反応層で生じる極微量の検出対象である蛍光を超高精度に検出することができる。 In particular, in the excitation light selective transmission layer formed between the base material of the dielectric member and the metal thin film, such as extremely weak fluorescence (autofluorescence) generated from the dielectric member when the excitation light is incident on the dielectric member. Even if there is an unnecessary component with a wavelength that overlaps with the fluorescence wavelength of the fluorescent substance in the reaction layer, the light can be reduced before reaching the metal thin film, so that the excitation light can further reduce the metal thin film. Fluorescence, which is a very small amount of detection target generated in the rear reaction layer, can be detected with extremely high accuracy.
また、本発明のチップ構造体は、
前記励起光選択透過層が、
スパッタリング法および/または真空蒸着法により成膜されていることを特徴とする。
このようにスパッタリング法および/または真空蒸着法であれば、特に容易に励起光選択透過層を形成することができる。
Further, the chip structure of the present invention is
The excitation light selective transmission layer is
The film is formed by sputtering and / or vacuum deposition.
Thus, if it is a sputtering method and / or a vacuum evaporation method, an excitation light selective transmission layer can be formed especially easily.
また、本発明のチップ構造体は、
誘電体部材を介して金属薄膜に励起光を照射して、前記金属薄膜上の電場を増強させることにより、前記金属薄膜上に形成された反応層に捕捉されたアナライトを標識する蛍光物質を励起させ、前記蛍光物質が発する蛍光を検出する表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体であって、
前記チップ構造体は、
前記金属薄膜と、
前記金属薄膜の一方側面に形成された前記反応層と、
前記金属薄膜の他方側面に形成された前記誘電体部材と、
から少なくとも構成され、
前記誘電体部材が、
前記蛍光物質を励起させる励起波長の光は前記金属薄膜へ到達させ、前記蛍光物質の蛍光波長の光が前記金属薄膜に到達することは低減する励起光選択透過部を有し、
前記励起光選択透過部は、
前記蛍光物質の蛍光波長の光を吸収する特性を有する添加剤を前記誘電体部材中に含有してなることを特徴とする。
Further, the chip structure of the present invention is
A fluorescent material for labeling the analyte trapped in the reaction layer formed on the metal thin film by irradiating the metal thin film with excitation light through a dielectric member to enhance the electric field on the metal thin film. A chip structure used in a surface plasmon enhanced fluorescence sensor that is excited and detects fluorescence emitted from the fluorescent material,
The chip structure is
The metal thin film;
The reaction layer formed on one side of the metal thin film;
The dielectric member formed on the other side surface of the metal thin film;
Consisting of at least
The dielectric member is
Excitation light that excites the fluorescent material reaches the metal thin film, and has an excitation light selective transmission part that reduces the fluorescence wavelength light of the fluorescent material reaching the metal thin film,
The excitation light selective transmission part is
The dielectric member includes an additive having a characteristic of absorbing light having a fluorescent wavelength of the fluorescent material.
このように励起光選択透過部が設けられていれば、励起光は金属薄膜に到達し表面プラズモンを生じさせて反応層の蛍光物質を励起させることができ、かつ、反応層の蛍光物質の蛍光波長と重なる波長の不要な光を低減させることができるので、反応層の極微量の蛍光も超高精度に検出することができる。
さらに励起光選択透過部が、反応層の蛍光物質の蛍光波長と重なる不要な光を吸収する特性を有する添加剤を誘電体部材中に含有してなれば、誘電体部材そのものが、反応層の蛍光物質の蛍光波長と重なる波長の光、特に誘電体部材に励起光を入射することによって誘電体部材から生じる蛍光(自家蛍光)などを吸収できるため、検出対象の蛍光検出の際には、反応層の極微量の蛍光も超高精度に検出することができる。
If the excitation light selective transmission part is provided in this way, the excitation light can reach the metal thin film and generate surface plasmons to excite the fluorescent substance in the reaction layer, and the fluorescence of the fluorescent substance in the reaction layer. Since unnecessary light having a wavelength overlapping with the wavelength can be reduced, a very small amount of fluorescence in the reaction layer can be detected with extremely high accuracy.
Furthermore, if the excitation light selective transmission part does not contain in the dielectric member an additive having a characteristic of absorbing unnecessary light that overlaps the fluorescence wavelength of the fluorescent substance in the reaction layer, the dielectric member itself is Light with a wavelength that overlaps the fluorescence wavelength of the fluorescent substance, especially fluorescence (autofluorescence) generated from the dielectric member when incident excitation light is incident on the dielectric member can be absorbed. The extremely small amount of fluorescence in the layer can be detected with very high accuracy.
また、本発明のチップ構造体は、
前記添加剤が、
前記誘電体部材の全体に含有されていることを特徴とする。
Further, the chip structure of the present invention is
The additive is
It is contained in the whole dielectric member.
このように誘電体部材の全体が励起光選択透過部となっていれば、この添加剤を誘電体部材の基材の原材料中に添加しておき、この添加剤を含有した原材料を用いて誘電体部材を成形することなどで、誘電体部材の全体を簡単且つ容易に励起光選択透過部とすることができる。 In this way, if the entire dielectric member is an excitation light selective transmission part, this additive is added to the raw material of the base material of the dielectric member, and the dielectric material is made using the raw material containing this additive. By molding the body member, the entire dielectric member can be easily and easily used as the excitation light selective transmission portion.
さらに励起光選択透過部が、反応層の蛍光物質の蛍光波長と重なる波長の光を低減できるため、検出対象である蛍光検出の際には、反応層の極微量の蛍光も超高精度に検出することができる。 In addition, the excitation light selective transmission part can reduce the light with a wavelength that overlaps the fluorescence wavelength of the fluorescent material in the reaction layer, so that the extremely small amount of fluorescence in the reaction layer can be detected with high accuracy when detecting the fluorescence that is the detection target. can do.
また、本発明のチップ構造体は、
前記添加剤が、
前記誘電体部材の一部分に含有されていることを特徴とする。
Further, the chip structure of the present invention is
The additive is
It is contained in a part of the dielectric member.
このように誘電体部材の一部分だけが励起光選択透過部となっていても、それにより反応層の蛍光物質の蛍光波長と重なる波長の光を低減できるため、検出対象の蛍光検出の際には、反応層の極微量の蛍光も超高精度に検出することができる。 In this way, even when only a part of the dielectric member is an excitation light selective transmission part, it is possible to reduce light having a wavelength overlapping with the fluorescence wavelength of the fluorescent material in the reaction layer. In addition, a very small amount of fluorescence in the reaction layer can be detected with extremely high accuracy.
なお、一部分だけが励起光選択透過部である誘電体部材を製造する場合には、誘電体部材の成形時に、例えば2色成形方法などの射出成形方法や、予め誘電体部材の一部分の励起光選択透過部だけを別に成形しておき、これを通常の誘電体部材と接着剤などで接合することで形成する方法などを用いることで容易に製造することができる。 In the case of manufacturing a dielectric member in which only a part of the excitation light selective transmission part is manufactured, when forming the dielectric member, for example, an injection molding method such as a two-color molding method or an excitation light of a part of the dielectric member in advance. It can be easily manufactured by using a method of forming only the selective transmission part separately and bonding it with a normal dielectric member with an adhesive or the like.
また、本発明のチップ構造体は、
前記励起光が、
前記金属薄膜に共鳴角で入射された励起光であることを特徴とする。
Further, the chip structure of the present invention is
The excitation light is
The excitation light is incident on the metal thin film at a resonance angle.
また、本発明の表面プラズモン増強蛍光センサは、
上記のいずれかに記載のチップ構造体を配設してなることを特徴とする。
このように上記したチップ構造体を配設してなる表面プラズモン増強蛍光センサであれば、チップ構造体の誘電体部材の構造により、励起光は金属薄膜に到達し表面プラズモンを生じさせて反応層の蛍光物質を励起させることができ、かつ、反応層の蛍光物質の蛍光波長と重なる波長の不要な光を低減させることができるので、反応層の極微量の蛍光も超高精度に検出することができる。
Further, the surface plasmon enhanced fluorescence sensor of the present invention,
The chip structure according to any one of the above is provided.
In the case of the surface plasmon enhanced fluorescence sensor having the above-described chip structure, the excitation light reaches the metal thin film due to the structure of the dielectric member of the chip structure to generate the surface plasmon, and the reaction layer. Because it is possible to excite the fluorescent material of the reaction layer and to reduce unnecessary light with a wavelength that overlaps the fluorescence wavelength of the fluorescent material in the reaction layer, it is possible to detect a very small amount of fluorescence in the reaction layer with extremely high accuracy. Can do.
また、本発明の検体検出方法は、
上記した表面プラズモン増強蛍光センサを用いて行われることを特徴とする。
このように本発明の検体検出方法は、上記した励起光選択透過部を有する誘電体部材を用いたチップ構造体を備えて行われるので、所望のアナライトを高精度に検出することができる。
Moreover, the specimen detection method of the present invention comprises:
It is performed using the above-described surface plasmon enhanced fluorescence sensor.
As described above, since the specimen detection method of the present invention is performed with the chip structure using the dielectric member having the excitation light selective transmission part described above, a desired analyte can be detected with high accuracy.
本発明によれば、検出対象である反応層の蛍光物質が発する蛍光を確実に検出し、検出感度を上げても超高精度に蛍光検出を行うことのできる表面プラズモン増強蛍光センサおよび表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体ならびに表面プラズモン増強蛍光センサを用いた検体検出方法を提供することができる。 According to the present invention, a surface plasmon-enhanced fluorescent sensor and a surface plasmon-enhanced fluorescence sensor capable of reliably detecting fluorescence emitted from a fluorescent substance in a reaction layer as a detection target and performing ultra-high-precision fluorescence detection even when the detection sensitivity is increased. It is possible to provide an analyte detection method using a chip structure used in a fluorescence sensor and a surface plasmon enhanced fluorescence sensor.
以下、本発明の実施の形態について、図面に基づいてより詳細に説明する。
図1は、本発明の表面プラズモン増強蛍光センサの概略図、図2〜図5は、本発明の表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体の実施例1〜実施例4における概略図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail based on the drawings.
FIG. 1 is a schematic view of a surface plasmon enhanced fluorescence sensor of the present invention, and FIGS. 2 to 5 are schematic views of Examples 1 to 4 of a chip structure used in the surface plasmon enhanced fluorescence sensor of the present invention. .
本発明の表面プラズモン増強蛍光センサおよび表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体は、励起光を金属薄膜に照射して粗密波(表面プラズモン)を生じさせて励起された蛍光物質が生ずる蛍光を正確に検出し、検出感度を上げても超高精度に蛍光検出を行うことを可能とするものである。 The surface plasmon-enhanced fluorescence sensor and the chip structure used in the surface plasmon-enhanced fluorescence sensor according to the present invention irradiates excitation light to a metal thin film to generate a dense wave (surface plasmon) and generate fluorescence generated by an excited phosphor. Even if it detects correctly and raises a detection sensitivity, it enables it to perform fluorescence detection with super high accuracy.
<表面プラズモン増強蛍光センサ10およびこの表面プラズモン増強蛍光センサ10による検体検出方法>
本発明の表面プラズモン増強蛍光センサ10は、図1に示したように、まず金属薄膜12と、金属薄膜12の一方側面に形成された反応層14と、他方側面に形成された誘電体部材16と、を有するチップ構造体18を備えている。
<Surface plasmon-enhanced
As shown in FIG. 1, the surface plasmon enhanced
そして、チップ構造体18の誘電体部材16側には、誘電体部材16内に入射され、金属薄膜12に向かって励起光20を照射する光源22を備え、さらに光源22から照射され金属薄膜12に反射した金属薄膜反射光24を受光する受光手段26を備えている。
The
ここで光源22から照射される励起光20としてはレーザ光が好ましく、波長200〜1000nmのガスレーザまたは固体レーザ、波長385〜800nmの半導体レーザが好適である。
Here, the
一方、チップ構造体18の反応層14側には、反応層14で生じた蛍光28を受光する光検出手段30が設けられている。
光検出手段30としては、超高感度の光電子増倍管、または多点計測が可能なCCDイメージセンサを用いることが好ましい。
On the other hand, on the
As the light detection means 30, it is preferable to use an ultra-sensitive photomultiplier tube or a CCD image sensor capable of multipoint measurement.
なお、チップ構造体18の反応層14と光検出手段30との間には、光を効率よく集光するための集光部材32と、光の内で蛍光28とは異なる波長の光の透過を低減して蛍光28を選択的に透過するように形成された波長選択機能部材34が設けられている。
In addition, between the
集光部材32としては、光検出手段30に蛍光シグナルを効率よく集光することを目的とするものであれば、任意の集光系で良い。簡易な集光系としては、顕微鏡などで使用されている市販の対物レンズを転用してもよい。対物レンズの倍率としては、10〜100倍が好ましい。
As the condensing
一方、波長選択機能部材34としては、光学フィルタ,カットフィルタなどを用いることができる。
光学フィルタとしては、減光(ND)フィルタ,ダイアフラムレンズなどが挙げられる。
On the other hand, as the wavelength
Examples of the optical filter include a neutral density (ND) filter and a diaphragm lens.
さらにカットフィルタとしては、外光(装置外の照明光),励起光(励起光の透過成分),迷光(各所での励起光の散乱成分),プラズモンの散乱光(励起光を起源とし、プラズモン励起センサ表面上の構造体または付着物などの影響で発生する散乱光),酵素蛍光基質の自家蛍光などの各種ノイズ光を除去するフィルタであって、例えば干渉フィルタ,色フィルタなどが挙げられる。 Furthermore, the cut filter includes external light (illumination light outside the device), excitation light (excitation light transmission component), stray light (excitation light scattering component at various points), and plasmon scattering light (excitation light originated from plasmon A filter that removes various types of noise light such as scattered light generated due to the influence of structures or deposits on the surface of the excitation sensor) and autofluorescence of the enzyme fluorescent substrate, such as an interference filter and a color filter.
そして、このような表面プラズモン増強蛍光センサ10を用いた検体検出方法では、金属薄膜12上に、例えばあらかじめ蛍光物質で標識されたアナライトが捕捉された反応層14を設け、この状態で、光源22より誘電体部材16に励起光20を照射し、この励起光20が特定の角度(共鳴角(電場増強時に励起光20と金属薄膜12の垂線とから成る角度)θ1)で金属薄膜12に入射することで、金属薄膜12上に粗密波(表面プラズモン)を生ずるようになる。
In such a specimen detection method using the surface plasmon enhanced
なお、金属薄膜12上に粗密波(表面プラズモン)が生ずる際には、励起光20と金属薄膜12中の電子振動とがカップリングし、金属薄膜反射光24のシグナルが変化(光量が減少)することとなるため、受光手段26で受光される金属薄膜反射光24のシグナルが変化(光量が減少)する地点を見つければ良い。
Note that when a close-packed wave (surface plasmon) is generated on the metal
そして、この粗密波(表面プラズモン)により、金属薄膜12上の反応層14で生じた蛍光物質が効率良く励起され、これにより蛍光物質が発する蛍光28の光量が増大し、この蛍光28を集光部材32および波長選択機能部材34を介して光検出手段30で受光することで、極微量および/または極低濃度のアナライトを検出することができる。
Then, due to this dense wave (surface plasmon), the fluorescent material generated in the
なお、チップ構造体18の金属薄膜12の材質としては、好ましくは金,銀,アルミニウム,銅,および白金からなる群から選ばれる少なくとも1種の金属からなり、より好ましくは金からなり、さらにこれら金属の合金から成ることである。
The metal
このような金属は、酸化に対して安定であり、かつ粗密波(表面プラズモン)による電場増強が大きくなることから金属薄膜12に好適である。
また、金属薄膜12の形成方法としては、例えばスパッタリング法,蒸着法(抵抗加熱蒸着法,電子線蒸着法など),電解メッキ,無電解メッキ法などが挙げられる。中でもスパッタリング法,蒸着法は、薄膜形成条件の調整が容易であるため好ましい。
Such a metal is suitable for the metal
Examples of the method for forming the metal
さらに金属薄膜12の厚さとしては、金:5〜500nm、銀:5〜500nm、アルミニウム:5〜500nm、銅:5〜500nm、白金:5〜500nm、およびそれらの合金:5〜500nmの範囲内であることが好ましい。
Further, the thickness of the metal
電場増強効果の観点からは、金:20〜70nm、銀:20〜70nm、アルミニウム:10〜50nm、銅:20〜70nm、白金:20〜70nm、およびそれらの合金:10〜70nmの範囲内であることがより好ましい。 From the viewpoint of the electric field enhancement effect, within the range of gold: 20-70 nm, silver: 20-70 nm, aluminum: 10-50 nm, copper: 20-70 nm, platinum: 20-70 nm, and alloys thereof: 10-70 nm More preferably.
金属薄膜12の厚さが上記範囲内であれば、粗密波(表面プラズモン)が発生し易く好適である。また、このような厚さを有する金属薄膜12であれば、大きさ(縦×横)は特に限定されないものである。
If the thickness of the metal
一方、反応層14は、アナライトに蛍光物質を結合させたものを検体中に含有したものであり、このような検体としては、血液,血清,血漿,尿,鼻孔液,唾液,便,体腔液(髄液,腹水,胸水等)などが挙げられる。
On the other hand, the
また、検体中に含有されるアナライトは、例えば、核酸(一本鎖であっても二本鎖であってもよいDNA,RNA,ポリヌクレオチド,オリゴヌクレオチド,PNA(ペプチド核酸)等、またはヌクレオシド,ヌクレオチドおよびそれらの修飾分子),タンパク質(ポリペプチド、オリゴペプチド等),アミノ酸(修飾アミノ酸も含む。),糖質(オリゴ糖,多糖類,糖鎖等),脂質,またはこれらの修飾分子,複合体などが挙げられ、具体的には、AFP(αフェトプロテイン)等のがん胎児性抗原や腫瘍マーカー,シグナル伝達物質,ホルモンなどであってもよく、特に限定されない。 The analyte contained in the sample is, for example, a nucleic acid (DNA, RNA, polynucleotide, oligonucleotide, PNA (peptide nucleic acid), which may be single-stranded or double-stranded, or nucleoside. , Nucleotides and their modified molecules), proteins (polypeptides, oligopeptides, etc.), amino acids (including modified amino acids), carbohydrates (oligosaccharides, polysaccharides, sugar chains, etc.), lipids, or modified molecules thereof, Specific examples thereof include a complex, and may be a carcinoembryonic antigen such as AFP (α-fetoprotein), a tumor marker, a signal transduction substance, a hormone, and the like, and is not particularly limited.
さらに蛍光物質としては、所定の励起光20を照射するか、または電界効果を利用することで励起し、蛍光28を発する物質であれば特に限定されないものである。なお本明細書でいう蛍光28とは、燐光など各種の発光も含まれるものである。
Furthermore, the fluorescent substance is not particularly limited as long as it is a substance that emits
また、誘電体部材16としては、光学的に透明な各種の無機物,天然ポリマー,合成ポリマーを用いることができ、化学的安定性,製造安定性および光学的透明性の観点から、二酸化ケイ素(SiO2)または二酸化チタン(TiO2)を含むことが好ましい。
As the
さらに、このような表面プラズモン増強蛍光センサ10は、光源22から金属薄膜12に照射される励起光20による表面プラズモン共鳴の最適角(共鳴角θ1)を調整するため、角度可変部(図示せず)や、光検出手段30に入力された情報を処理するためのコンピュータ(図示せず)などを有しても良いものである。
Further, such a surface plasmon enhanced
ここで、角度可変部(図示せず)は、サーボモータで全反射減衰(ATR)条件を求めるために受光手段26と光源22とを同期し、45〜85°の角度変更を可能とし、分解能が0.01°以上であることが好ましい。
Here, the angle variable unit (not shown) synchronizes the light receiving means 26 and the
上記した構成を有する本発明の表面プラズモン増強蛍光センサ10は、特にチップ構造体18の誘電体部材16において特徴的な構成を有している。
このような誘電体部材16の代表的な一つの態様は、金属薄膜12との界面において、反応層14の蛍光物質の蛍光波長の光を低減して金属薄膜12まで到達しないようにし、励起光20の少なくとも主波長を透過させて金属薄膜12へ到達させる励起光選択透過部36としての励起光選択透過層38が形成されている。
以下、このような構成の誘電体部材16を有するチップ構造体18の実施例について説明する。
The surface plasmon enhanced
One typical embodiment of such a
Hereinafter, an example of the
<チップ構造体18>
チップ構造体18の開発にあたり、光検出手段30による極微量および/または極低濃度のアナライトの蛍光検出では、励起光20を入射することにより誘電体部材16から生じる極微弱な蛍光(自家蛍光)や、励起光20の光源22から発せられる主波長以外の波長を有する極微弱な光が、蛍光検出の感度を低下させていることが本発明者らにより確認された。
<
In the development of the
このため、図2に示した第1の実施例であるチップ構造体18では、誘電体部材16と金属薄膜12との界面に励起光選択透過層38を形成し、この励起光選択透過層38により、光源22から誘電体部材16に照射され、粗密波(表面プラズモン)を生ずる共鳴角θ1で入射された励起光20だけを、金属薄膜12まで到達させるようにしている。
For this reason, in the
このような励起光選択透過層38により、反応層14の蛍光物質の蛍光波長と重なる波長の光(例えば誘電体部材16が生ずる極微弱な蛍光(自家蛍光))が金属薄膜12に到達しないようにすることができる。
Such an excitation light
このような励起光選択透過層38としては、例えば上記した反応層14と光検出手段30の間に配設された波長選択機能部材34で使用される光学フィルタ,カットフィルタなどの層構成を用いることができる。
As such an excitation light
励起光選択透過層38の形成方法は、公知の成膜方法であれば如何なる方法であってもかまわないが、例えばスパッタリング法や真空蒸着法を用いて形成することが好ましい。
励起光選択透過層38が波長選択機能部材34と大きく異なる点は、波長選択機能部材34は検出対象の蛍光28とそれ以外の光が混ざった後に波長選択を行うため、検出対象の蛍光28の蛍光波長と重なる波長の不要な光を、検出対象の蛍光28と分離できないのに対し、反応層14よりも前の金属薄膜12に励起光20が到達する前に励起光選択透過層38を設けることで、反応層14から発せられる蛍光28とそれ以外の光が混ざる前に、不要な光を排除できることである。
The excitation light
The excitation light
通常、波長選択機能部材34の一例である光学フィルタやカットフィルタは、特定の波長を有する垂直に入射する光に対して、透過,吸収,反射などの特性を示すように構成されている。
Usually, an optical filter or a cut filter, which is an example of the wavelength
これに対して励起光選択透過層38は、共鳴角θ1で入射する励起光20を透過させるように構成されており、励起光選択透過層38の面に対して垂直に入射する光、特に反応層14の蛍光28の蛍光波長と重なる波長の光を低減することができるようになっている。
On the other hand, the excitation light
なお、励起光選択透過層38は、反応層14の蛍光物質の蛍光波長と重なる波長の光を、吸収するよう構成されていても反射するように構成されていても良く、共鳴角θ1で入射された励起光20の少なくとも主波長の光が金属薄膜12へ到達するようにさえなっていれば如何なる構成でも良いものである。
The excitation light
このように、実施例1におけるチップ構造体18では、励起光選択透過層38によって反応層14の蛍光物質の蛍光波長の光を金属薄膜12に到達させず、蛍光波長と重なる波長の不要な光を低減することができる。
As described above, in the
このため、このようなチップ構造体18を用いた表面プラズモン増強蛍光センサ10を用いれば、金属薄膜12上の電場を増強させて金属薄膜12上に形成された反応層14の蛍光物質を励起させる際において、検出対象である反応層14の蛍光物質から生じる蛍光28をより正確に光検出手段30で検出することができ、超高精度な蛍光検出を行うことができる。
For this reason, if the surface plasmon enhanced
したがって、このようなチップ構造体18を用いた表面プラズモン増強蛍光センサ10を用いて検体検出を行えば、所望のアナライトを高精度に検出することができる。
次に、図3に示したチップ構造体18は、第2の実施例における概略図である。
Therefore, if analyte detection is performed using the surface plasmon enhanced
Next, the
図3に示したチップ構造体18は、図2に示した第1の実施例のチップ構造体18と基本的には同じ構成であるので、同じ構成部材には同じ参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
The
図3に示したチップ構造体18は、励起光選択透過層38が誘電体部材16の励起光入射面40に形成されている点で、実施例1とは異なっている。
この場合には、特に励起光20の光源22から発せられる反応層14の蛍光物質の蛍光波長と重なる波長の極微弱な光を除去できる。
The
In this case, extremely weak light having a wavelength overlapping with the fluorescence wavelength of the fluorescent substance in the
つまり、反応層14の蛍光物質の蛍光波長と重なる波長の余計な光を低減することができるため、検出対象である反応層14の蛍光物質から生じる蛍光28をより正確に検出することができるようになっている。
That is, extra light having a wavelength that overlaps the fluorescence wavelength of the fluorescent material of the
また、従来より用いられている波長選択機能部材34を、光源22と誘電体部材16との間に配設することで、上記した励起光選択透過層38と同じような作用を持たせることが可能であるが、この場合にはチップ構造体18とは別に波長選択機能部材34を用意する必要があり、部品点数が増えてコストがかかるとともに、設置スペースが増えることとなるため、望ましくない。
Further, by arranging the wavelength
これに対して、図3に示したように、励起光選択透過層38が誘電体部材16の励起光入射面40に形成されていれば、チップ構造体18として一体的であるため、部品点数を増やすことがなく、また設置スペースも必要ないため望ましい。
On the other hand, as shown in FIG. 3, if the excitation light
なお、励起光選択透過層38の形成方法は、上記した実施例1の場合と同じく、公知の成膜方法であれば如何なる方法であってもかまわないが、例えばスパッタリング法や真空蒸着法を用いて形成することが好ましい。
The method for forming the excitation light
次に、図4に示したチップ構造体18は、第3の実施例における概略図である。
図4に示したチップ構造体18は、図2に示した第1の実施例のチップ構造体18と基本的には同じ構成であるので、同じ構成部材には同じ参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
Next, the
The
図4に示したチップ構造体18は、誘電体部材16における励起光選択透過部36が、反応層14の蛍光物質の蛍光波長の光を吸収する特性を有する添加剤を誘電体部材16中に含有してなる点で、実施例1とは異なっている。
In the
このようなチップ構造体18の誘電体部材16は、誘電体部材16の全体が励起光選択透過部36となっている。
全体が励起光選択透過部36である誘電体部材16を製造する際には、予め反応層14の蛍光物質の蛍光波長の光を吸収する特性を有する添加剤を誘電体部材16の原材料中に添加しておき、これを用いて誘電体部材16を成形することで、容易に製造することができる。
In the
When manufacturing the
なお予め反応層14の蛍光物質の蛍光波長の光を吸収する特性を有する添加剤としては、例えばフタロシアニン化合物などの近赤外吸収剤を用いることができる。
このように実施例3におけるチップ構造体18では、上記した励起光選択透過層38の代わりに誘電体部材16そのものが、励起光選択透過部36としての役割をなすため、誘電体部材16上に新たに励起光選択透過層38を形成する必要がなく製造が容易である。
In addition, as an additive which has a characteristic which absorbs the light of the fluorescence wavelength of the fluorescent substance of the
As described above, in the
この場合においても、反応層14の蛍光物質の蛍光波長と重なる波長の不要な光を低減することができるため、実施例3におけるチップ構造体18を用いた表面プラズモン増強蛍光センサ10を用いれば、金属薄膜12上の電場を増強させて金属薄膜12上に形成された反応層14の蛍光物質を励起させる際において、検出対象である反応層14の蛍光物質から生じる蛍光28をより正確に光検出手段30で検出することができ、超高精度な蛍光検出を行うことができる。
Even in this case, unnecessary light having a wavelength overlapping with the fluorescence wavelength of the fluorescent substance in the
次に、図5に示したチップ構造体18は、第4の実施例における概略図である。
図5に示したチップ構造体18は、図4に示した第3の実施例のチップ構造体18と基本的には同じ構成であるので、同じ構成部材には同じ参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
Next, the
Since the
図5に示したチップ構造体18は、図4に示したチップ構造体18と同じように、誘電体部材16が反応層14の蛍光物質の蛍光波長の光を吸収する特性を有する添加剤を誘電体部材16中に含有してなるが、誘電体部材16の一部分が励起光選択透過部36となっている点で図4に示したチップ構造体18とは異なっている。
The
ここで用いられる添加剤については、実施例3のものと同じものが使用できる。
また、一部分が励起光選択透過部36である誘電体部材16を製造する際には、誘電体部材16の成形時に、例えば2色成形方法などの射出成形方法や、予め誘電体部材16の一部分の励起光選択透過部36だけを別に成形しておき、これを通常の誘電体部材と接着剤などで接合することで形成する方法などを用いることができ、特に限定されない。
About the additive used here, the same thing as Example 3 can be used.
Further, when manufacturing the
この場合においても、反応層14の蛍光物質の蛍光波長の余計な光を低減することができるため、実施例4におけるチップ構造体18を用いた表面プラズモン増強蛍光センサ10を用いれば、金属薄膜12上の電場を増強させて金属薄膜12上に形成された反応層14の蛍光物質を励起させる際において、検出対象である反応層14の蛍光物質から生じる蛍光28をより正確に光検出手段30で検出することができ、超高精度な蛍光検出を行うことができる。
Even in this case, since it is possible to reduce unnecessary light of the fluorescence wavelength of the fluorescent material of the
以上、本発明における表面プラズモン増強蛍光センサ10およびこれに用いられるチップ構造体18ならびに表面プラズモン増強蛍光センサを用いた検体検出方法の好ましい形態(実施例)について説明したが、本発明は上記の形態(実施例)に限定されるものではないものである。
The surface plasmon enhanced
例えば実施例1から実施例4を適宜組み合わせるなど、如何なる組み合わせであっても良く、本発明の目的を逸脱しない範囲で種々の変更が可能なものである。 For example, any combination, such as appropriately combining the first to fourth embodiments, may be used, and various modifications can be made without departing from the object of the present invention.
[実施例1]
<条件>
・励起光の波長 635nm
・反応層の蛍光材料 Alexa Fluor(登録商標)647(Molecular Probes社製)(蛍光ピーク波長670nm程度)
・誘電体部材の材質 BK7(SCHOTT社製)
・金属薄膜の材質 金(Au)
・金属薄膜の膜厚 50nm
・励起光選択透過層 二酸化ケイ素(SiO2)と二酸化チタン(TiO2)の交互多層膜(750nm以下の垂直に入射する光をブロッキングする表1に記載の特性を有する一般的なバンドパスフィルター構造)
[Example 1]
<Conditions>
・ Excitation light wavelength 635nm
-Fluorescent material of reaction layer Alexa Fluor (registered trademark) 647 (Molecular Probes) (fluorescence peak wavelength of about 670 nm)
-Material of dielectric member BK7 (manufactured by SCHOTT)
-Material of metal thin film Gold (Au)
・ Metal film thickness 50nm
Excitation light selective transmission layer Alternating multilayer film of silicon dioxide (SiO 2 ) and titanium dioxide (TiO 2 ) (general band-pass filter structure having characteristics shown in Table 1 for blocking vertically incident light of 750 nm or less )
誘電体部材と金属薄膜との界面に、上記条件を満たした励起光選択透過層を設けたチップ構造体を作成し、チップ構造体の誘電体部材側から波長635nmの励起光を照射し、反応層で励起された蛍光を光検出手段で検出した(図1の構成)。
A chip structure in which an excitation light selective transmission layer satisfying the above conditions is provided at the interface between the dielectric member and the metal thin film, and excitation light having a wavelength of 635 nm is irradiated from the dielectric member side of the chip structure to react. The fluorescence excited by the layer was detected by the light detection means (configuration in FIG. 1).
検出の結果、金属薄膜に垂直に入射した光に対しては、表1に示したバンドパスフィルターの特性を示し、反応層の蛍光の波長と重なる波長の光を低減できていることが確認された。 As a result of the detection, it was confirmed that the light incident perpendicularly to the metal thin film showed the characteristics of the bandpass filter shown in Table 1 and was able to reduce light having a wavelength overlapping with the fluorescence wavelength of the reaction layer. It was.
また、共鳴角で入射する励起光は、表2に示したように金属薄膜上に電場増強エリアを局在化させることがシミュレーションにて確認できた。 In addition, it was confirmed by simulation that the excitation light incident at the resonance angle localizes the electric field enhancement area on the metal thin film as shown in Table 2.
<条件>
・励起光の波長 635nm
・反応層の蛍光材料 Alexa Fluor(登録商標)647(Molecular Probes社製)(蛍光ピーク波長670nm程度)
・誘電体部材の材質 BK7(SCHOTT社製)
・金属薄膜の材質 金(Au)
・金属薄膜の膜厚 50nm
<Conditions>
・ Excitation light wavelength 635nm
-Fluorescent material of reaction layer Alexa Fluor (registered trademark) 647 (Molecular Probes) (fluorescence peak wavelength of about 670 nm)
-Material of dielectric member BK7 (manufactured by SCHOTT)
-Material of metal thin film Gold (Au)
・ Metal film thickness 50nm
<試験>
誘電体部材と金属薄膜との間に、励起光選択透過層を設けていないこと以外は、上記した実施例1と同じようにして、蛍光の検出を行った(図6の構成)。
検出の結果、金属薄膜に入射する光に対して、金属薄膜の透過率分のみの低減であり、金膜を透過した光については反応層の蛍光と混ざって検出されることが確認された。
また、表3に示したように、実施例1の場合よりも電場増強効果が低いことがシミュレーションにより確認できた。
<Test>
Fluorescence was detected in the same manner as in Example 1 except that no excitation light selective transmission layer was provided between the dielectric member and the metal thin film (configuration in FIG. 6).
As a result of the detection, it was confirmed that the light incident on the metal thin film was reduced only by the transmittance of the metal thin film, and the light transmitted through the gold film was detected mixed with the fluorescence of the reaction layer.
Moreover, as shown in Table 3, it was confirmed by simulation that the electric field enhancement effect was lower than that in Example 1.
10・・・表面プラズモン増強蛍光センサ
12・・・金属薄膜
14・・・反応層
16・・・誘電体部材
18・・・チップ構造体
20・・・励起光
22・・・光源
24・・・金属薄膜反射光
26・・・受光手段
28・・・蛍光
30・・・光検出手段
32・・・集光部材
34・・・波長選択機能部材
36・・・励起光選択透過部
38・・・励起光選択透過層
40・・・励起光入射面
θ1・・共鳴角(電場増強時に励起光と金属薄膜の垂線とから成る角度)
100・・・表面プラズモン増強蛍光センサ
102・・・金属薄膜
104・・・反応層
106・・・誘電体部材
108・・・チップ構造体
110・・・励起光
112・・・光源
114・・・金属薄膜反射光
116・・・受光手段
118・・・蛍光
120・・・光検出手段
122・・・集光部材
124・・・波長選択機能部材
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記チップ構造体は、
前記金属薄膜と、
前記金属薄膜の一方側面に形成された前記反応層と、
前記金属薄膜の他方側面に形成された前記誘電体部材と、
を少なくとも備え、
さらに前記誘電体部材と前記金属薄膜との間に、
前記蛍光物質を励起させる励起波長の光は前記金属薄膜へ到達させ、前記蛍光物質の蛍光波長の光が前記金属薄膜に到達することは低減する励起光選択透過層を有することを特徴とする表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体。 A fluorescent material for labeling the analyte trapped in the reaction layer formed on the metal thin film by irradiating the metal thin film with excitation light through a dielectric member to enhance the electric field on the metal thin film. A chip structure used in a surface plasmon enhanced fluorescence sensor that is excited and detects fluorescence emitted from the fluorescent material ,
The chip structure is
The metal thin film;
Wherein a reaction layer formed on one side surface of the metal thin film,
And the dielectric member formed on the other side surface of the metal thin film,
Comprising at least
Further, between the dielectric member and the metal thin film,
A surface having an excitation light selective transmission layer that causes light having an excitation wavelength to excite the fluorescent material to reach the metal thin film and reduces light having the fluorescence wavelength of the fluorescent material from reaching the metal thin film. A chip structure used in a plasmon enhanced fluorescence sensor.
スパッタリング法および/または真空蒸着法により成膜されていることを特徴とする請求項1に記載の表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体。 The excitation light selective transmission layer is
2. The chip structure used in the surface plasmon enhanced fluorescence sensor according to claim 1 , wherein the chip structure is formed by sputtering and / or vacuum deposition.
前記チップ構造体は、
前記金属薄膜と、
前記金属薄膜の一方側面に形成された前記反応層と、
前記金属薄膜の他方側面に形成された前記誘電体部材と、
から少なくとも構成され、
前記誘電体部材が、
前記蛍光物質を励起させる励起波長の光は前記金属薄膜へ到達させ、前記蛍光物質の蛍光波長の光が前記金属薄膜に到達することは低減する励起光選択透過部を有し、
前記励起光選択透過部は、
前記蛍光物質の蛍光波長の光を吸収する特性を有する添加剤を前記誘電体部材中に含有してなることを特徴とする表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体。 A fluorescent material for labeling the analyte trapped in the reaction layer formed on the metal thin film by irradiating the metal thin film with excitation light through a dielectric member to enhance the electric field on the metal thin film. A chip structure used in a surface plasmon enhanced fluorescence sensor that is excited and detects fluorescence emitted from the fluorescent material,
The chip structure is
The metal thin film;
The reaction layer formed on one side of the metal thin film;
The dielectric member formed on the other side surface of the metal thin film;
Consisting of at least
The dielectric member is
Excitation light that excites the fluorescent material reaches the metal thin film, and has an excitation light selective transmission part that reduces the fluorescence wavelength light of the fluorescent material reaching the metal thin film,
The excitation light selective transmission part is
A chip structure used in a surface plasmon enhanced fluorescence sensor, wherein the dielectric member contains an additive having a property of absorbing light having a fluorescence wavelength of the fluorescent material .
前記誘電体部材の全体に含有されていることを特徴とする請求項3に記載の表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体。 The additive is
The chip structure used in the surface plasmon enhanced fluorescence sensor according to claim 3 , wherein the chip structure is contained in the entire dielectric member.
前記誘電体部材の一部分に含有されていることを特徴とする請求項3に記載の表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体。 The additive is
The chip structure used in the surface plasmon enhanced fluorescence sensor according to claim 3 , wherein the chip structure is contained in a part of the dielectric member.
前記金属薄膜に共鳴角で入射された励起光であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体。 The excitation light is
Chip structure used for the surface plasmon enhanced fluorescence sensor according to any one of claims 1-5, characterized in that the excitation light incident at the resonance angle to the metal thin film.
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