JP5375132B2 - Electro-optical device manufacturing method and electro-optical device manufacturing apparatus - Google Patents

Electro-optical device manufacturing method and electro-optical device manufacturing apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP5375132B2
JP5375132B2 JP2009014495A JP2009014495A JP5375132B2 JP 5375132 B2 JP5375132 B2 JP 5375132B2 JP 2009014495 A JP2009014495 A JP 2009014495A JP 2009014495 A JP2009014495 A JP 2009014495A JP 5375132 B2 JP5375132 B2 JP 5375132B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
silane coupling
processed
coupling agent
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009014495A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2010170036A5 (en
JP2010170036A (en
Inventor
惠萍 張
武 宮下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2009014495A priority Critical patent/JP5375132B2/en
Publication of JP2010170036A publication Critical patent/JP2010170036A/en
Publication of JP2010170036A5 publication Critical patent/JP2010170036A5/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5375132B2 publication Critical patent/JP5375132B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface treatment method capable of preventing the lack of moisture necessary for hydrolysis of a silane coupling agent, and preventing non-reactive functional group from being left on the surface of a coating film; and to provide a surface treatment device. <P>SOLUTION: The surface treatment method includes: a surface treatment step of evaporating the treatment agent under a pressure lower than an atmospheric pressure, exposing a substrate to be treated in the atmosphere of the treatment agent, then, forming the coating film of the treatment agent on the substrate to be treated; a cooling step following the surface treatment step, of cooling the treated substrate; and a moisture supply step of supplying the moisture to the surface of the treated substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

この発明は、表面処理方法及び表面処理装置に関するものである。   The present invention relates to a surface treatment method and a surface treatment apparatus.

液晶プロジェクタ等の投射型表示装置の光変調手段として用いられる液晶装置は、一対の基板間の周縁部にシール材が配設され、その中央部に液晶層が封止されて構成されている。その一対の基板の内面側には液晶層に電圧を印加する電極が形成され、これら電極の内面側には非選択電圧印加時において液晶分子の配向を制御する配向膜が形成されている。このような構成によって液晶装置は、非選択電圧印加時と選択電圧印加時との液晶分子の配向変化に基づいて光源光を変調し、表示画像を形成するようになっている。   2. Description of the Related Art A liquid crystal device used as a light modulation unit of a projection display device such as a liquid crystal projector has a configuration in which a sealing material is disposed at a peripheral portion between a pair of substrates and a liquid crystal layer is sealed at the center. Electrodes for applying a voltage to the liquid crystal layer are formed on the inner surfaces of the pair of substrates, and an alignment film for controlling the alignment of the liquid crystal molecules when a non-selective voltage is applied is formed on the inner surfaces of these electrodes. With such a configuration, the liquid crystal device modulates light source light based on a change in the orientation of liquid crystal molecules when a non-selection voltage is applied and when a selection voltage is applied, thereby forming a display image.

ところで、前述した配向膜としては、側鎖アルキル基を付加したポリイミド等からなる高分子膜の表面に、ラビング処理を施したものが一般に用いられている。しかし、このようなラビング法は簡便であるものの、物理的にポリイミド膜をこすることでポリイミド膜に対して配向特性を付与するために、種々の不都合が指摘されている。   By the way, as the alignment film described above, a film obtained by rubbing the surface of a polymer film made of polyimide or the like to which a side chain alkyl group is added is generally used. However, although such a rubbing method is simple, various disadvantages have been pointed out in order to impart alignment characteristics to the polyimide film by physically rubbing the polyimide film.

また、このような有機物からなる配向膜では、液晶プロジェクタのような高出力光源を備えた機器に用いた場合、光エネルギーにより有機物がダメージを受けて配向不良を生じてしまう。特に、プロジェクタの小型化および高輝度化を図った場合には、液晶パネルに入射する単位面積あたりのエネルギーが増加し、入射光の吸収によりポリイミドそのものが分解し、また、光を吸収したことによる発熱でさらにその分解が加速される。その結果、配向膜に多大なダメージが付加され、機器の表示特性が低下してしまう。   In addition, in such an alignment film made of an organic material, when used in a device having a high output light source such as a liquid crystal projector, the organic material is damaged by light energy, resulting in an alignment failure. In particular, when the projector is downsized and the brightness is increased, the energy per unit area incident on the liquid crystal panel increases, the polyimide itself is decomposed due to the absorption of incident light, and the light is absorbed. The decomposition is further accelerated by heat generation. As a result, a great deal of damage is added to the alignment film, and the display characteristics of the device deteriorate.

そこで、このような不都合を解消するため、無機材料からなる配向膜の適用が進められている。無機配向膜の形成には、蒸着法、スパッタ法等があるが、蒸着法では大型基板に低欠陥密度の膜を形成することが困難であり、スパッタ法での無機配向膜の形成が強く求められている。
このスパッタ法によって得られた無機配向膜（ＳｉＯ２）に対して、脂肪族アルコールやシランカップリング剤で表面処理する方法が開示されている（例えば、特許文献１，２）。 Therefore, in order to eliminate such inconvenience, application of an alignment film made of an inorganic material has been promoted. Inorganic alignment film formation includes vapor deposition and sputtering, but it is difficult to form a low defect density film on a large substrate by vapor deposition, and there is a strong demand for the formation of inorganic alignment films by sputtering. It has been.
A method of surface-treating an inorganic alignment film (SiO 2 ) obtained by this sputtering method with an aliphatic alcohol or a silane coupling agent is disclosed (for example, Patent Documents 1 and 2).

特開２００４−４７２１１号公報JP 2004-47211 A 特開２００７−１２７７５７号公報JP 2007-127757 A

ところで、シランカップリング剤を用いる表面処理には、上記した液相処理のほかにも、気相状態のシランカップリング剤を基板に供給する気相処理が知られている。
このような気相処理を用いる場合に、シランカップリング剤の加水分解に必要な水分が不足すると、未反応の官能基（ＯＣＨ３）が被膜の表面に残存するという課題がある。未反応の官能基が被膜の表面に残存していると、いずれはＨ２Ｏと反応し、生成された汚染物によって液晶装置の表示不良や電気的特性の劣化などの要因となる。 By the way, as the surface treatment using a silane coupling agent, in addition to the above-described liquid phase treatment, a gas phase treatment for supplying a gas phase silane coupling agent to a substrate is known.
In the case of using such a gas phase treatment, there is a problem that unreacted functional groups (OCH 3 ) remain on the surface of the coating if water necessary for hydrolysis of the silane coupling agent is insufficient. If unreacted functional groups remain on the surface of the film, they will eventually react with H 2 O, and the generated contaminants may cause display defects and deterioration of electrical characteristics of the liquid crystal device.

そこで、この発明は、シランカップリング剤の加水分解に必要な水分が不足することを防止して、未反応の官能基が被膜の表面に残存することを防止できる表面処理方法および表面処理装置を提供するものである。   Therefore, the present invention provides a surface treatment method and a surface treatment apparatus capable of preventing deficiency of moisture necessary for hydrolysis of a silane coupling agent and preventing unreacted functional groups from remaining on the surface of the coating. It is to provide.

上記の課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、大気圧よりも低い圧力下で処理剤を気化させ、前記処理剤の雰囲気に被処理基板を晒すことで前記被処理基板上に前記処理剤の被膜を形成する表面処理工程を有し、前記表面処理工程の後に、前記被処理基板を冷却する冷却工程と、前記被処理基板の表面に水分を供給する水分供給工程と、を有することを特徴とする。
In order to solve the above problems, the method of manufacturing an electro-optical device according to the present invention vaporizes the treatment agent under a pressure lower than atmospheric pressure, and exposes the substrate to be treated to the atmosphere of the treatment agent. A surface treatment step of forming a coating film of the treatment agent on the substrate; a cooling step of cooling the substrate to be treated after the surface treatment step; and a moisture supply step of supplying moisture to the surface of the substrate to be treated It is characterized by having.

このように処理することで、水分供給工程において被処理基板の温度を十分に低下させ、基板の表面に液相の水分を供給することができる。したがって、シランカップリング剤の加水分解に必要な水分が不足することを防止して、未反応の官能基が被膜の表面に残存することを防止できる。   By processing in this way, the temperature of the substrate to be processed can be sufficiently lowered in the moisture supplying step, and liquid phase moisture can be supplied to the surface of the substrate. Therefore, it is possible to prevent water necessary for hydrolysis of the silane coupling agent from being insufficient, and to prevent unreacted functional groups from remaining on the surface of the coating.

また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記水分供給工程において、飽和水蒸気量未満の水蒸気を含む気体を前記被処理基板の表面に供給し、前記冷却工程において、前記被処理基板を前記気体の露点温度以下の温度に冷却することを特徴とする。
In the electro-optical device manufacturing method according to the aspect of the invention, in the moisture supply step, a gas containing water vapor less than a saturated water vapor amount is supplied to the surface of the substrate to be processed, and in the cooling step, the substrate to be processed is It is characterized by cooling to a temperature below the dew point temperature of the gas.

このように処理することで、水分供給工程において供給された気体中に含まれる水蒸気を被処理基板の表面で結露させることができる。   By processing in this way, water vapor contained in the gas supplied in the moisture supply step can be condensed on the surface of the substrate to be processed.

また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記水分供給工程において、前記被処理基板の表面に水を噴射し、前記冷却工程において、前記被処理基板を前記水の沸点以下の温度に冷却することを特徴とする。
In the electro-optical device manufacturing method of the present invention, in the moisture supplying step, water is sprayed onto the surface of the substrate to be processed, and in the cooling step, the substrate to be processed is cooled to a temperature equal to or lower than the boiling point of the water. It is characterized by doing.

このように処理することで、水分供給工程において噴射され、被処理基板の表面に付着した水が基板の表面で気化することを防止できる。   By performing the treatment in this way, it is possible to prevent the water sprayed in the moisture supply process and attached to the surface of the substrate to be processed from being vaporized on the surface of the substrate.

また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記表面処理工程の後、前記水分供給工程よりも前に、前記被処理基板の周囲の気体を、水蒸気を含まない乾燥気体に置換するパージ工程を有することを特徴とする。
The electro-optical device manufacturing method according to the present invention includes a purge step of replacing the gas around the substrate to be processed with a dry gas not containing water vapor after the surface treatment step and before the water supply step. It is characterized by having.

このように処理することで、表面処理工程において気化して成膜室に充満した処理剤が水分と反応することを防止できる。   By performing the treatment in this manner, it is possible to prevent the treatment agent that is vaporized in the surface treatment step and filled in the film formation chamber from reacting with moisture.

また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記水分供給工程及び前記冷却工程の後に、前記被処理基板を加熱する加熱処理工程を有することを特徴とする。
In addition, the electro-optical device manufacturing method of the present invention includes a heat treatment step of heating the substrate to be processed after the moisture supply step and the cooling step.

このように処理することで、被処理基板の表面に付着している未反応の処理剤や水分等を除去することができる。   By performing the treatment in this way, it is possible to remove unreacted processing agent, moisture, and the like attached to the surface of the substrate to be processed.

また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記表面処理工程よりも前に、前記被処理基板の表面の水分を除去する水分除去工程を実行することを特徴とする。
In addition, the method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention is characterized in that a moisture removing step of removing moisture on the surface of the substrate to be processed is performed before the surface treatment step.

このように処理することで、表面処理工程の前に被処理基板の表面の水分等を除去することができる。   By performing the treatment in this manner, moisture and the like on the surface of the substrate to be processed can be removed before the surface treatment process.

また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記処理剤が、下記一般式（１）で表されるシランカップリング剤であることを特徴とする。

Figure 0005375132
In the electro-optical device manufacturing method of the present invention, the processing agent is a silane coupling agent represented by the following general formula (1).
Figure 0005375132

このように処理することで、被処理基板上にきわめて薄い皮膜を略均一に形成することができ、被処理基板の表面の物理的性質および化学的性質を改質することができる。また、シランカップリング剤を用いることで、被処理基板の表面が撥水面となり、被処理基板の耐水性を向上させることができる。   By processing in this way, a very thin film can be formed substantially uniformly on the substrate to be processed, and the physical properties and chemical properties of the surface of the substrate to be processed can be modified. Further, by using the silane coupling agent, the surface of the substrate to be processed becomes a water repellent surface, and the water resistance of the substrate to be processed can be improved.

また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記被処理基板上に無機膜を有し、当該無機膜の表面に前記被膜を形成することで前記被処理基板上に配向膜を形成することを特徴とする。
In the electro-optical device manufacturing method according to the aspect of the invention, the alignment film may be formed on the substrate to be processed by including an inorganic film on the substrate to be processed and forming the film on the surface of the inorganic film. It is characterized by.

このように処理することで、表面に被膜が形成された無機配向膜を形成することができる。また、被膜がシランカップリング剤により形成される場合には、被処理基板上の配向膜を耐水性の優れたものとすることができる。   By processing in this way, an inorganic alignment film having a film formed on the surface can be formed. Moreover, when the film is formed of a silane coupling agent, the alignment film on the substrate to be processed can be excellent in water resistance.

また、本発明の電気光学装置の製造装置は、被処理基板を配置する成膜室と、前記成膜室内を減圧する減圧装置と、処理剤を気化させる処理剤気化装置と、前記処理剤気化装置に対してキャリアガスを供給するガス供給装置と、前記被処理基板に飽和水蒸気量未満の水蒸気を含む水蒸気含有ガスを供給する水蒸気供給装置と、前記被処理基板を前記水蒸気含有ガスの露点温度以下の温度に冷却する冷却装置と、を有することを特徴とする。
In addition, the electro-optical device manufacturing apparatus according to the present invention includes a film forming chamber in which a substrate to be processed is disposed, a pressure reducing device that depressurizes the film forming chamber, a processing agent vaporizer that vaporizes a processing agent, and the processing agent vaporization. A gas supply device for supplying a carrier gas to the apparatus, a water vapor supply device for supplying a water vapor-containing gas containing water vapor less than a saturated water vapor amount to the substrate to be processed, and a dew point temperature of the water vapor-containing gas for the substrate to be processed And a cooling device for cooling to the following temperature.

このように構成することで、成膜室を減圧装置により大気圧よりも低い圧力にした状態で、処理剤気化装置により気化させた処理剤をガス供給装置により供給したキャリアガスと共に成膜室に供給することができる。そして、成膜室に配置した被処理基板を処理剤の雰囲気に晒すことで被処理基板上に処理剤の被膜を形成することができる。
さらに、水蒸気供給装置により成膜室に水蒸気含有ガスを供給し、被処理基板を水蒸気含有ガスの露点温度以下に冷却することで被処理基板の表面の被膜に均一に結露させることができる。 With this configuration, the processing agent vaporized by the processing agent vaporizer is supplied to the film forming chamber together with the carrier gas supplied by the gas supply device while the film forming chamber is at a pressure lower than the atmospheric pressure by the decompression device. Can be supplied. Then, the film of the processing agent can be formed on the substrate to be processed by exposing the substrate to be processed arranged in the film formation chamber to the atmosphere of the processing agent.
Further, by supplying a water vapor-containing gas to the film forming chamber by the water vapor supply device and cooling the substrate to be processed to a dew point temperature or less of the water vapor containing gas, it is possible to uniformly condense the film on the surface of the substrate to be processed.

また、本発明の電気光学装置の製造装置は、被処理基板を配置する成膜室と、前記成膜室内を減圧する減圧装置と、処理剤を気化させる処理剤気化装置と、前記処理剤気化装置に対してキャリアガスを供給するガス供給装置と、前記被処理基板に水を噴射する水噴射装置と、前記被処理基板を前記水の沸点以下の温度に冷却する冷却装置と、を有することを特徴とする。
In addition, the electro-optical device manufacturing apparatus according to the present invention includes a film forming chamber in which a substrate to be processed is disposed, a pressure reducing device that depressurizes the film forming chamber, a processing agent vaporizer that vaporizes a processing agent, and the processing agent vaporization. A gas supply device that supplies a carrier gas to the device, a water injection device that injects water onto the substrate to be processed, and a cooling device that cools the substrate to be processed to a temperature below the boiling point of the water. It is characterized by.

このように構成することで、成膜室を減圧装置により大気圧よりも低い圧力にした状態で、処理剤気化装置により気化させた処理剤をガス供給装置により供給したキャリアガスと共に成膜室に供給することができる。そして、成膜室に配置した被処理基板を処理剤の雰囲気に晒すことで被処理基板上に処理剤の被膜を形成することができる。
さらに、水噴射装置により被処理基板の表面に水を供給し、被処理基板を水の沸点以下の温度に冷却することで、被処理基板の表面の被膜と水とを接触させることができる。 With this configuration, the processing agent vaporized by the processing agent vaporizer is supplied to the film forming chamber together with the carrier gas supplied by the gas supply device while the film forming chamber is at a pressure lower than the atmospheric pressure by the decompression device. Can be supplied. Then, the film of the processing agent can be formed on the substrate to be processed by exposing the substrate to be processed arranged in the film formation chamber to the atmosphere of the processing agent.
Furthermore, by supplying water to the surface of the substrate to be processed by the water jetting device and cooling the substrate to be processed to a temperature equal to or lower than the boiling point of water, the coating film on the surface of the substrate to be processed and water can be brought into contact with each other.

本発明の第一実施形態に係る表面処理装置の概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the surface treatment apparatus which concerns on 1st embodiment of this invention. （ａ）および（ｂ）は本発明の第一実施形態に係る被膜の反応状態を示す模式図である。(A) And (b) is a schematic diagram which shows the reaction state of the film which concerns on 1st embodiment of this invention. 本発明の第一実施形態に係る加熱処理工程における基板の表面の温度と経過時間との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the temperature of the surface of the board | substrate in the heat processing process which concerns on 1st embodiment of this invention, and elapsed time. 本発明の第二実施形態に係る表面処理装置の概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the surface treatment apparatus which concerns on 2nd embodiment of this invention. 本発明の実施例１に係る基板の表面の純水接触角を示すグラフである。It is a graph which shows the pure water contact angle of the surface of the board | substrate which concerns on Example 1 of this invention.

＜第一実施形態＞
以下、本発明の第一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各図面では、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、部材毎に縮尺を適宜変更している。 <First embodiment>
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the scale is appropriately changed for each member so that each member has a size that can be recognized on the drawing.

図１は、本実施形態の表面処理装置１の概略構成を示す模式図である。
図１に示すように、表面処理装置１は、無機膜Ｃ０を有する基板Ｗ（被処理基板）に対してシランカップリング剤の蒸気を導入して表面処理を行うことにより、基板Ｗ上に無機配向膜を形成する装置である。 FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a surface treatment apparatus 1 of the present embodiment.
As shown in FIG. 1, the surface treatment apparatus 1 performs an inorganic treatment on the substrate W by introducing a vapor of a silane coupling agent to the substrate W (substrate to be treated) having the inorganic film C0 to perform surface treatment. An apparatus for forming an alignment film.

基板Ｗは、例えば石英、ガラス、サファイア等からなり、表面に透明電極、配線、層間絶縁膜など（いずれも図示略）を有し、最表層にスパッタ法や蒸着法などによって成膜された無機膜Ｃ０が設けられたものである。無機膜Ｃ０は、例えばＳｉＯ２等の酸化膜によって構成されている。
表面処理装置１は、主に、成膜室２、減圧装置３、処理剤気化装置４、キャリアガス供給装置５、水蒸気供給装置６、パージガス供給装置７、および冷却装置８を備えている。 The substrate W is made of, for example, quartz, glass, sapphire, etc., has a transparent electrode, wiring, an interlayer insulating film, etc. (all not shown) on the surface, and is an inorganic film formed by sputtering or vapor deposition on the outermost layer. A film C0 is provided. The inorganic film C0 is made of an oxide film such as SiO 2 .
The surface treatment apparatus 1 mainly includes a film formation chamber 2, a decompression device 3, a treatment agent vaporization device 4, a carrier gas supply device 5, a water vapor supply device 6, a purge gas supply device 7, and a cooling device 8.

成膜室２は、内部に無機膜Ｃ０を有した基板Ｗを収容可能な容器であって、例えばステンレスなどの金属からなる。成膜室２は密閉可能に構成されており、配管９を介して接続される減圧装置３によって内部を減圧可能に構成されている。
成膜室２は、成膜室２内の真空度を保持したまま基板Ｗを搬入および搬出するための不図示の基板搬送装置およびロッドロックチャンバー備えている。また、成膜室２内には不図示の抵抗加熱ヒータが備えられており、成膜室２の内部の温度（基板Ｗの温度）を所定温度に維持することが可能となっている。 The film formation chamber 2 is a container that can accommodate the substrate W having the inorganic film C0 therein, and is made of a metal such as stainless steel. The film forming chamber 2 is configured to be hermetically sealed, and is configured so that the inside can be decompressed by a decompression device 3 connected via a pipe 9.
The film forming chamber 2 includes a substrate transfer device (not shown) and a rod lock chamber for loading and unloading the substrate W while maintaining the degree of vacuum in the film forming chamber 2. In addition, a resistance heater (not shown) is provided in the film formation chamber 2 so that the temperature inside the film formation chamber 2 (the temperature of the substrate W) can be maintained at a predetermined temperature.

減圧装置３は配管９を介して成膜室２に接続され、配管９には制御弁Ｖ１が設けられている。減圧装置３は、成膜室２内の気体を外部に排出して成膜室２内の圧力を大気圧よりも低下させることができるように構成されている。減圧装置３としては例えばコンプレッサー等を用いることができる。減圧装置３および制御弁Ｖ１は制御装置（図示略）に接続され、成膜室２内を所定の圧力に維持できるように構成されている。   The decompression device 3 is connected to the film forming chamber 2 via a pipe 9, and the control valve V <b> 1 is provided in the pipe 9. The decompression device 3 is configured so that the gas in the film formation chamber 2 can be discharged to reduce the pressure in the film formation chamber 2 below atmospheric pressure. As the decompression device 3, for example, a compressor or the like can be used. The decompression device 3 and the control valve V1 are connected to a control device (not shown) and configured to maintain the inside of the film forming chamber 2 at a predetermined pressure.

処理剤気化装置４は、定量的に供給されたシランカップリング剤を気化させるための装置であり、配管１０を介して成膜室２に接続されている。処理剤気化装置４は、シランカップリング剤を定量的に供給する処理剤供給部や、供給されたシランカップリング剤を加熱して気化させる加熱部等を備えている。配管１０には、制御装置（図示略）に接続された制御弁Ｖ２が設けられ、成膜室２に供給するガスの流量を制御することができるように構成されている。   The treatment agent vaporizer 4 is a device for vaporizing the quantitatively supplied silane coupling agent, and is connected to the film forming chamber 2 through a pipe 10. The treatment agent vaporizer 4 includes a treatment agent supply unit that quantitatively supplies the silane coupling agent, a heating unit that heats and vaporizes the supplied silane coupling agent, and the like. The pipe 10 is provided with a control valve V2 connected to a control device (not shown) so that the flow rate of the gas supplied to the film forming chamber 2 can be controlled.

シランカップリング剤としては、例えば下記の一般式（１）で表されるものを用いることができる。   As the silane coupling agent, for example, one represented by the following general formula (1) can be used.

Figure 0005375132
Figure 0005375132

式（１）においてＯＲはアルコキシ基であり、Ｒはメチル基（ＣＨ３）、エチル基（Ｃ２Ｈ５）等のアルキル基である。このＲは反応後には脱離し、Ａ−Ｓｉ結合部とＳｉ−Ｏ−Ｓｉという結合だけが残ることになる。
このＲとしては非常に選択の幅が広く、シランカップリング剤として例えば、オクタデシルトリエトキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、ｐ−トリフルオロメチルフェニルトリメトキシシラン、２−（３、４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、及び３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを好適に用いることができる。また、オクチルトリメトキシシラン、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、及びトリデカフルオロテトラヒドロオクチルトリエトキシシラン等も用いることもできる。 In the formula (1), OR is an alkoxy group, and R is an alkyl group such as a methyl group (CH 3 ) or an ethyl group (C 2 H 5 ). This R is desorbed after the reaction, and only the bond of A-Si bond and Si-O-Si remains.
This R has a very wide range of choices. Examples of silane coupling agents include octadecyltriethoxysilane, tridecafluorooctyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, and N-phenyl-3-aminopropyl. Trimethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, p-trifluoromethylphenyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane are preferably used. Can do. Further, octyltrimethoxysilane, glycidoxypropyltrimethoxysilane, tridecafluorotetrahydrooctyltriethoxysilane, and the like can also be used.

キャリアガス供給装置５は、処理剤気化装置４を介して成膜室２内にキャリアガスを供給し、キャリアガスと共に気化したシランカップリング剤を成膜室２内に供給するためのもので、配管１１を介して処理剤気化装置４に接続されている。キャリアガスは使用されるシランカップリング剤の種類に応じて選択され、例えば窒素ガス（Ｎ２）やアルゴンガス（Ａｒ）等を用いることができる。キャリアガス供給装置５は、例えば制御装置（図示略）に接続された制御弁Ｖ３等によりキャリアガスの供給量を制御することが可能である。 The carrier gas supply device 5 is for supplying a carrier gas into the film forming chamber 2 via the treatment agent vaporizing device 4 and supplying the silane coupling agent vaporized together with the carrier gas into the film forming chamber 2. It is connected to the processing agent vaporizer 4 via the pipe 11. The carrier gas is selected according to the type of silane coupling agent used, and for example, nitrogen gas (N 2 ) or argon gas (Ar) can be used. The carrier gas supply device 5 can control the supply amount of the carrier gas by, for example, a control valve V3 connected to a control device (not shown).

水蒸気供給装置６は、飽和水蒸気量未満の水蒸気を含む水蒸気含有ガスを供給する装置であり、配管１２を介して成膜室２に接続されている。水蒸気供給装置６は、水を定量的に供給する水供給部や、供給された水を加熱して気化させて水蒸気を発生させる加熱部や、発生した水蒸気を所定の温度の大気あるいはキャリアガスと共に成膜室２内に供給する水蒸気供給部等を備えている。水供給部、加熱部および水蒸気供給部は制御装置（図示略）に接続され、成膜室２に供給されるガスが含む水蒸気量が所定の温度および圧力における飽和水蒸気量未満となるように設定されている。また、配管１２には制御装置に接続された制御弁Ｖ４が設けられ、成膜室２内に供給する水蒸気含有ガスの流量を制御可能に設けられている。   The water vapor supply device 6 is a device that supplies a water vapor-containing gas containing water vapor that is less than the saturated water vapor amount, and is connected to the film forming chamber 2 via a pipe 12. The water vapor supply device 6 includes a water supply unit that quantitatively supplies water, a heating unit that heats and vaporizes the supplied water to generate water vapor, and the generated water vapor together with air or a carrier gas at a predetermined temperature. A water vapor supply unit for supplying the film formation chamber 2 is provided. The water supply unit, the heating unit, and the water vapor supply unit are connected to a control device (not shown) and set so that the amount of water vapor contained in the gas supplied to the film forming chamber 2 is less than the saturated water vapor amount at a predetermined temperature and pressure. Has been. In addition, the pipe 12 is provided with a control valve V4 connected to a control device so that the flow rate of the water vapor-containing gas supplied into the film forming chamber 2 can be controlled.

冷却装置８は、基板Ｗを冷却するための装置であり、基板Ｗを載置する載置台８１と、載置台８１を冷却する冷却管８２と、冷媒を循環させる冷媒循環部８３とを備えている。載置台８１は複数の基板Ｗを配置することができるように多段状に構成され、内部に冷却管８２が挿通されている。載置台８１は基板搬送装置の一部であってもよい。冷却管８２は載置台８１の内部に張り巡らされ、内部に冷媒を流通させるようになっている。   The cooling device 8 is a device for cooling the substrate W, and includes a mounting table 81 for mounting the substrate W, a cooling pipe 82 for cooling the mounting table 81, and a refrigerant circulation unit 83 for circulating the refrigerant. Yes. The mounting table 81 is formed in a multistage shape so that a plurality of substrates W can be arranged, and a cooling pipe 82 is inserted therein. The mounting table 81 may be a part of the substrate transfer apparatus. The cooling pipe 82 is stretched around the mounting table 81 so that the refrigerant is circulated therein.

また、冷却管８２には制御部（図示略）に接続された制御弁Ｖ５，Ｖ６が設けられ、冷媒の流量を制御することができるようになっている。冷媒循環部８３は、冷媒を所定の温度に冷却して冷却管８２に循環させるように構成されている。
すなわち、冷却装置８は制御部に接続され、冷媒の流量や温度を制御することで基板Ｗの表面を水蒸気供給装置６が供給する水蒸気含有ガスの露点温度以下の温度に冷却することができるように構成されている。 The cooling pipe 82 is provided with control valves V5 and V6 connected to a control unit (not shown) so that the flow rate of the refrigerant can be controlled. The refrigerant circulation unit 83 is configured to cool the refrigerant to a predetermined temperature and circulate it through the cooling pipe 82.
That is, the cooling device 8 is connected to the control unit so that the surface of the substrate W can be cooled to a temperature lower than the dew point temperature of the water vapor-containing gas supplied by the water vapor supply device 6 by controlling the flow rate and temperature of the refrigerant. It is configured.

パージガス供給装置７は、成膜室２内にパージガスを供給する装置であり、配管１３を介して成膜室２に接続されている。配管１３には制御部（図示略）に接続された制御弁Ｖ７が設けられている。パージガスとしては、例えば水蒸気を含まない乾燥した空気や窒素ガス等の不活性ガスを用いることができる。   The purge gas supply device 7 is a device that supplies purge gas into the film forming chamber 2, and is connected to the film forming chamber 2 through a pipe 13. The pipe 13 is provided with a control valve V7 connected to a control unit (not shown). As the purge gas, for example, dry air that does not contain water vapor or an inert gas such as nitrogen gas can be used.

次に、本実施形態における基板の表面処理方法について説明する。
本実施形態では、基板Ｗの表面に被膜を形成する表面処理工程よりも前に、基板Ｗの表面の水分を除去する水分除去工程を実行する。
具体的には、まず無機膜Ｃ０を有した基板Ｗを用意し、基板Ｗの表面を常温、液相のアルコールによって洗浄するアルコール洗浄を行う。その後、無機膜Ｃ０の表面の水分および無機膜Ｃ０が吸湿した水分を常温、液相のアルコールによって置換するアルコール置換を行う。本実施形態のアルコール洗浄およびアルコール置換においては、例えばイソプロピルアルコール等を用いることができる。次いで、基板Ｗを例えば加熱オーブン等により加熱する加熱処理を行って、水分を置換したアルコールを気化させ乾燥除去する。 Next, the substrate surface treatment method in this embodiment will be described.
In the present embodiment, a moisture removal process for removing moisture on the surface of the substrate W is performed before the surface treatment process for forming a film on the surface of the substrate W.
Specifically, first, a substrate W having an inorganic film C0 is prepared, and alcohol cleaning is performed to clean the surface of the substrate W with room temperature and liquid alcohol. Thereafter, alcohol substitution is performed in which the moisture on the surface of the inorganic film C0 and the moisture absorbed by the inorganic film C0 are replaced with alcohol at room temperature and in liquid phase. In the alcohol cleaning and alcohol replacement of this embodiment, for example, isopropyl alcohol or the like can be used. Next, a heat treatment is performed to heat the substrate W using, for example, a heating oven, and the alcohol substituted with water is vaporized and removed by drying.

次に、図１に示すように、減圧装置３により成膜室２内の圧力を大気圧よりも低い所定の圧力に維持する。次いで、ロードロックチャンバーに基板Ｗを搬入し、基板搬送装置によって成膜室２内に基板Ｗを搬送し、成膜室２内の載置台８１に基板Ｗを配置した状態にする。成膜室２内（基板Ｗ）は、抵抗加熱ヒータ（図示略）によって、例えば約１００℃〜約２００℃程度の温度に加熱しておく。以下、抵抗加熱ヒータを制御装置によって制御することにより、表面処理が終了するまで成膜室２内（基板Ｗ）の温度を維持する。   Next, as shown in FIG. 1, the pressure in the film forming chamber 2 is maintained at a predetermined pressure lower than the atmospheric pressure by the decompression device 3. Next, the substrate W is loaded into the load lock chamber, and the substrate W is transferred into the film forming chamber 2 by the substrate transfer device, and the substrate W is placed on the mounting table 81 in the film forming chamber 2. The inside of the film forming chamber 2 (substrate W) is heated to a temperature of about 100 ° C. to about 200 ° C., for example, by a resistance heater (not shown). Hereinafter, the resistance heater is controlled by the control device to maintain the temperature in the film forming chamber 2 (substrate W) until the surface treatment is completed.

次に、基板Ｗの無機膜Ｃ０の表面にシランカップリング剤の被膜を形成する表面処理を行う（表面処理工程）。
具体的には、処理剤気化装置４により上記の一般式（１）で表されるシランカップリング剤を大気圧よりも低い圧力下で気化させる。本実施形態では、シランカップリング剤としてＣ１０Ｈ２１Ｓｉ（ＯＣＨ３）３を用いる。次いで、気化させたシランカップリング剤をキャリアガス供給装置５によって供給したキャリアガスと共に大気圧よりも低い圧力に維持した成膜室２内に導入する。キャリアガスは、例えば窒素ガス（Ｎ２）を用い、流量は例えば５００ｃｃ／ｍｉｎ以下（大気圧換算）とする。 Next, a surface treatment is performed to form a silane coupling agent film on the surface of the inorganic film C0 of the substrate W (surface treatment step).
Specifically, the silane coupling agent represented by the above general formula (1) is vaporized under a pressure lower than the atmospheric pressure by the treatment agent vaporizer 4. In the present embodiment, C 10 H 21 Si (OCH 3 ) 3 is used as the silane coupling agent. Next, the vaporized silane coupling agent is introduced into the film forming chamber 2 maintained at a pressure lower than the atmospheric pressure together with the carrier gas supplied by the carrier gas supply device 5. The carrier gas is, for example, nitrogen gas (N 2 ), and the flow rate is, for example, 500 cc / min or less (in terms of atmospheric pressure).

成膜室２内に気化させたシランカップリング剤を含むキャリアガスを導入すると共に、減圧装置３によってキャリアガスの排出を行って成膜室２内の圧力を一定にする。これにより、成膜室２内を、例えば約５００Ｐａ程度の圧力に維持する。そして、例えば約１５０℃の温度で約２時間程度、基板Ｗの表面処理を行う。
成膜室２内には基板Ｗが配置されているため、基板Ｗが気化したシランカップリング剤の雰囲気中に晒されて、無機膜Ｃ０上にシランカップリング剤の被膜が形成される。 The carrier gas containing the vaporized silane coupling agent is introduced into the film forming chamber 2 and the carrier gas is discharged by the decompression device 3 to make the pressure in the film forming chamber 2 constant. Thereby, the inside of the film forming chamber 2 is maintained at a pressure of about 500 Pa, for example. Then, for example, the surface treatment of the substrate W is performed at a temperature of about 150 ° C. for about 2 hours.
Since the substrate W is disposed in the film forming chamber 2, the substrate W is exposed to the vaporized silane coupling agent atmosphere, and a film of the silane coupling agent is formed on the inorganic film C0.

図２（ａ）および図２（ｂ）は、基板Ｗの無機膜Ｃ０の表面に形成された被膜の反応状態を示す模式図である。
図２（ａ）に示すように、被膜Ｃ１の表面には、未反応の官能基（ＯＣＨ３）が多数残存した状態となっている。このように、未反応の官能基が被膜Ｃ１の表面に残存していると、被膜Ｃ１の耐湿性が低下して液晶装置の表示不良や電気的特性の劣化などの要因となる。そこで、本実施形態ではさらに以下の工程を実行する。 2A and 2B are schematic views showing the reaction state of the coating film formed on the surface of the inorganic film C0 of the substrate W. FIG.
As shown in FIG. 2A, many unreacted functional groups (OCH 3 ) remain on the surface of the coating C1. As described above, when unreacted functional groups remain on the surface of the coating C1, the moisture resistance of the coating C1 is reduced, which causes a display defect of the liquid crystal device and deterioration of electrical characteristics. Therefore, in the present embodiment, the following steps are further performed.

基板Ｗの無機膜Ｃ０の表面に図２（ａ）に示す被膜Ｃ１を形成する表面処理工程の後、成膜室２内に残留した気体を、水蒸気を含まないパージガス（乾燥気体）によって置換する（パージ工程）。
具体的には、パージガス供給装置７によって成膜室２内に乾燥空気や窒素ガス（Ｎ２）等の不活性ガスを供給すると共に、減圧装置３によって成膜室２内の気体を成膜室２の外部へ排出する。 After the surface treatment step of forming the coating C1 shown in FIG. 2A on the surface of the inorganic film C0 of the substrate W, the gas remaining in the film forming chamber 2 is replaced with a purge gas (dry gas) that does not contain water vapor. (Purge process).
Specifically, an inert gas such as dry air or nitrogen gas (N 2 ) is supplied into the film formation chamber 2 by the purge gas supply device 7, and the gas in the film formation chamber 2 is supplied by the decompression device 3. 2 to the outside.

パージ工程に伴って、冷却装置８により冷却管８２に冷媒を循環させ、基板Ｗを所定の温度に冷却する（冷却工程）。ここでは、少なくとも基板Ｗの表面の温度が６０℃以下になるように冷却する。本実施形態では、基板Ｗの表面の温度が後述する水分供給工程において供給される水蒸気含有ガスの露点温度以下の温度になるように冷却する。そして、後述する水分供給工程が終了するまでの間、基板Ｗの表面の温度を維持する。   In accordance with the purge process, the cooling device 8 circulates the refrigerant through the cooling pipe 82 to cool the substrate W to a predetermined temperature (cooling process). Here, cooling is performed so that at least the surface temperature of the substrate W is 60 ° C. or lower. In the present embodiment, the substrate W is cooled so that the temperature of the surface of the substrate W is equal to or lower than the dew point temperature of the water vapor-containing gas supplied in the moisture supply process described later. And the temperature of the surface of the board | substrate W is maintained until the water supply process mentioned later is complete | finished.

次に、基板Ｗの表面に水分を供給する（水分供給工程）。
具体的には、水蒸気供給装置６によって飽和水蒸気量未満の水蒸気を含むキャリアガス（水蒸気含有ガス）を成膜室２内に供給する。このとき、成膜室２内に供給される水蒸気含有ガスの温度および成膜室２内の温度は少なくとも６０℃よりも高い温度に設定する。本実施形態において成膜室２内に供給される水蒸気含有ガスの温度は約８０℃であり、その露点温度は約６０℃に設定されている。 Next, moisture is supplied to the surface of the substrate W (moisture supply step).
Specifically, a carrier gas (water vapor-containing gas) containing water vapor less than the saturated water vapor amount is supplied into the film forming chamber 2 by the water vapor supply device 6. At this time, the temperature of the water vapor-containing gas supplied into the film formation chamber 2 and the temperature within the film formation chamber 2 are set to a temperature higher than at least 60 ° C. In this embodiment, the temperature of the steam-containing gas supplied into the film forming chamber 2 is about 80 ° C., and the dew point temperature is set to about 60 ° C.

このようにして成膜室２内に導入された水蒸気含有ガスは基板Ｗの表面で露点温度（約６０℃）まで冷却され、基板Ｗの表面に水滴が均一に結露する。これにより、図２（ａ）に示す未反応の官能基が加水分解されるのに十分な水分が基板Ｗの表面に供給される。   Thus, the water vapor-containing gas introduced into the film forming chamber 2 is cooled to the dew point temperature (about 60 ° C.) on the surface of the substrate W, and water droplets are uniformly condensed on the surface of the substrate W. As a result, sufficient moisture is supplied to the surface of the substrate W to hydrolyze the unreacted functional group shown in FIG.

次に、冷却装置８による冷媒の循環を停止して、抵抗加熱ヒータにより成膜室２内および基板Ｗを加熱する（加熱処理工程）。
図３は加熱処理工程における基板Ｗの表面の温度と経過時間との関係を示すグラフである。図３に示すように、表面の温度が約６０℃に冷却された基板Ｗを加熱して温度を上昇させる。具体的には、成膜室２内に水蒸気含有ガスを供給した状態で、約３０分程度で基板Ｗの表面の温度が約１５０℃程度まで上昇するように加熱する。すなわち、シランカップリング剤の反応温度の半分以下の温度に冷却された基板Ｗを、シランカップリング剤の反応温度を超える温度まで加熱する。その後、引き続き成膜室２内に水蒸気含有ガスを供給した状態で、基板Ｗの表面の温度を約１５０℃程度の一定の温度に維持するように基板Ｗをさらに約６０分間程度加熱する。 Next, circulation of the refrigerant by the cooling device 8 is stopped, and the inside of the film forming chamber 2 and the substrate W are heated by a resistance heater (heat treatment step).
FIG. 3 is a graph showing the relationship between the temperature of the surface of the substrate W and the elapsed time in the heat treatment step. As shown in FIG. 3, the temperature of the substrate W is increased by heating the substrate W whose surface temperature is cooled to about 60 ° C. Specifically, heating is performed so that the temperature of the surface of the substrate W rises to about 150 ° C. in about 30 minutes in a state where the water vapor-containing gas is supplied into the film forming chamber 2. That is, the substrate W cooled to a temperature equal to or lower than half the reaction temperature of the silane coupling agent is heated to a temperature exceeding the reaction temperature of the silane coupling agent. Thereafter, the substrate W is further heated for about 60 minutes so that the temperature of the surface of the substrate W is maintained at a constant temperature of about 150 ° C. while the water vapor-containing gas is continuously supplied into the film forming chamber 2.

加熱開始から約９０分が経過したら、水蒸気含有ガスの供給を停止する。そして、パージガス供給装置７により成膜室２内にパージガスとして窒素ガス（Ｎ２）を導入すると共に、減圧装置３により成膜室２内の気体を排出して成膜室２内をパージする。このとき、基板Ｗの表面の温度を約１５０℃程度の一定の温度に維持して、基板Ｗをさらに約６０分間程度加熱する。その後、自然冷却を行って基板Ｗの温度を室温程度まで低下させる。これにより、基板Ｗの無機膜の表面に図２（ｂ）に示すシランカップリング剤の被膜Ｃ２が形成される。 When about 90 minutes have elapsed from the start of heating, the supply of water vapor-containing gas is stopped. Then, the purge gas supply device 7 introduces nitrogen gas (N 2 ) as a purge gas into the film forming chamber 2, and the pressure reducing device 3 discharges the gas in the film forming chamber 2 to purge the film forming chamber 2. At this time, the temperature of the surface of the substrate W is maintained at a constant temperature of about 150 ° C., and the substrate W is further heated for about 60 minutes. Thereafter, natural cooling is performed to lower the temperature of the substrate W to about room temperature. Thereby, the coating C2 of the silane coupling agent shown in FIG. 2B is formed on the surface of the inorganic film of the substrate W.

以上説明したように、本実施形態の表面処理方法によれば、水分供給工程において基板Ｗの温度を低下させ、基板Ｗの表面に液相の水分を供給することができる。
すなわち、冷却工程において、基板Ｗを水蒸気含有ガスの露点温度以下の温度に冷却し、水分供給工程において飽和水蒸気量未満の水蒸気を含む水蒸気含有ガスを成膜室２内に供給することで、基板Ｗの表面に水蒸気を結露させることができる。これにより、図２（ａ）に示す未反応の官能基が加水分解されるのに十分な水分が基板Ｗの表面に供給される。そして、図２（ｂ）に示すように、未反応の官能基同士を縮合反応させることができ、被膜Ｃ２の表面に未反応の官能基が残存することを防止できる。
したがって、本実施形態の表面処理方法によれば、基板Ｗの無機膜Ｃ０の表面においてシランカップリング剤の加水分解に必要な水分が不足することを防止して、未反応の官能基が被膜Ｃ２の表面に残存することを防止できる。 As described above, according to the surface treatment method of the present embodiment, the temperature of the substrate W can be lowered in the moisture supply step, and liquid phase moisture can be supplied to the surface of the substrate W.
That is, in the cooling step, the substrate W is cooled to a temperature equal to or lower than the dew point temperature of the water vapor-containing gas, and in the water supply step, the water vapor containing gas containing water vapor less than the saturated water vapor amount is supplied into the film forming chamber 2. Water vapor can be condensed on the surface of W. As a result, sufficient moisture is supplied to the surface of the substrate W to hydrolyze the unreacted functional group shown in FIG. And as shown in FIG.2 (b), unreacted functional groups can be made to condensation-react and it can prevent that an unreacted functional group remains on the surface of the film C2.
Therefore, according to the surface treatment method of the present embodiment, the surface of the inorganic film C0 of the substrate W is prevented from lacking water necessary for hydrolysis of the silane coupling agent, and unreacted functional groups are coated with the film C2. It can be prevented from remaining on the surface.

また、基板Ｗの無機膜Ｃ０の表面に被膜Ｃ１を形成する表面処理を行った後、水分供給工程よりも前に成膜室２内の気体を乾燥気体に置換するパージ工程を有している。そのため、成膜室２内に気化したシランカップリング剤が残存することが防止される。これにより、水分供給工程において気化したシランカップリング剤の縮合反応が発生して粒状物が生成されることが防止され、その粒状物が落下して基板の表面に付着することを防止できる。   Moreover, after performing the surface treatment which forms the film C1 on the surface of the inorganic film C0 of the substrate W, it has a purge step of replacing the gas in the film formation chamber 2 with a dry gas before the moisture supply step. . This prevents the vaporized silane coupling agent from remaining in the film forming chamber 2. Thereby, the condensation reaction of the silane coupling agent vaporized in the water supply step is prevented from being generated and the particulate matter is prevented from being generated, and the particulate matter can be prevented from dropping and adhering to the surface of the substrate.

また、水分供給工程及び冷却工程の後に、基板Ｗを加熱する加熱処理工程を有している。そのため、基板Ｗの表面に付着している未反応の処理剤や水分等を除去することができる。したがって、本実施形態の表面処理方法によれば、水分供給工程において十分な水分を供給したとしても、基板Ｗの表面に未反応水分が残存することを防止できる。
また、加熱処理工程において水蒸気含有ガスを成膜室２内に導入したまま基板Ｗを加熱することで、図２（ａ）に示す未反応の官能基が加水分解されるのに十分な水分が基板Ｗの表面に供給される。したがって、図２（ｂ）に示すように、未反応の官能基同士を縮合反応させることができ、被膜Ｃ２の表面に未反応の官能基が残存することを防止できる。 Moreover, it has the heat processing process which heats the board | substrate W after a water supply process and a cooling process. Therefore, unreacted processing agent, moisture, etc. adhering to the surface of the substrate W can be removed. Therefore, according to the surface treatment method of the present embodiment, it is possible to prevent unreacted moisture from remaining on the surface of the substrate W even if sufficient moisture is supplied in the moisture supply step.
In addition, by heating the substrate W while the water vapor-containing gas is introduced into the film forming chamber 2 in the heat treatment step, there is sufficient moisture to hydrolyze the unreacted functional group shown in FIG. It is supplied to the surface of the substrate W. Therefore, as shown in FIG. 2B, unreacted functional groups can be subjected to a condensation reaction, and unreacted functional groups can be prevented from remaining on the surface of the coating C2.

また、基板Ｗの無機膜Ｃ０の表面に被膜Ｃ１を形成する表面処理の前に基板Ｗの表面の水分を除去する水分除去工程を実行している。そのため、表面処理工程の前に基板Ｗの表面の水分等を除去することができ、基板Ｗの無機膜Ｃ０の表面に良好な被膜Ｃ１，Ｃ２を形成することができる。   In addition, a moisture removal step of removing moisture on the surface of the substrate W is performed before the surface treatment for forming the coating film C1 on the surface of the inorganic film C0 of the substrate W. Therefore, moisture and the like on the surface of the substrate W can be removed before the surface treatment step, and favorable coatings C1 and C2 can be formed on the surface of the inorganic film C0 of the substrate W.

また、本実施形態では、表面処理を高温および減圧雰囲気下で行うようにした。これにより、シランカップリング剤が無機膜Ｃ０の表層部の間隙内により良好に入り込み、この間隙内のＳｉ−ＯＨ基と反応し易くなる。このため、無機膜Ｃ０に対するシランカップリング剤の結合反応がより一層加速して、処理時間の短縮が図れる。   In the present embodiment, the surface treatment is performed in a high temperature and reduced pressure atmosphere. As a result, the silane coupling agent enters better into the gap in the surface layer portion of the inorganic film C0 and easily reacts with the Si—OH group in the gap. For this reason, the bonding reaction of the silane coupling agent to the inorganic film C0 is further accelerated, and the processing time can be shortened.

このように、無機膜Ｃ０を有する基板Ｗに対してシランカップリング剤による表面処理を行うことにより、液晶装置への応用として好適な無機配向膜を備えた基板Ｗが得られる。   Thus, by performing the surface treatment with the silane coupling agent on the substrate W having the inorganic film C0, the substrate W provided with an inorganic alignment film suitable for application to a liquid crystal device can be obtained.

＜第二実施形態＞
次に、本発明の第二実施形態について、図２および図３を援用し、図４を用いて説明する。本実施形態では、水蒸気供給装置６の代わりに水噴射装置６ａが設けられている点で上述の第一実施形態で説明した表面処理装置と異なっている。その他の点は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。 <Second embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4 with reference to FIGS. The present embodiment is different from the surface treatment apparatus described in the first embodiment in that a water injection device 6a is provided instead of the water vapor supply device 6. Since the other points are the same as in the first embodiment, the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図４は、本実施形態の表面処理装置の概略構成を示す模式図である。
表面処理装置１ａは、上述の第一実施形態と同様に、成膜室２、減圧装置３、処理剤気化装置４、キャリアガス供給装置５、パージガス供給装置７、および冷却装置８を備えている。そして、水蒸気供給装置６の代わりに、基板Ｗに水を噴射する水噴射装置６ａを備えている。 FIG. 4 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the surface treatment apparatus of the present embodiment.
The surface treatment apparatus 1a includes a film forming chamber 2, a decompression device 3, a treatment agent vaporization device 4, a carrier gas supply device 5, a purge gas supply device 7, and a cooling device 8 as in the first embodiment. . Instead of the water vapor supply device 6, a water injection device 6 a that injects water onto the substrate W is provided.

水噴射装置６ａは、基板Ｗの表面に水を噴射するための装置であり、水を供給するための配管６１と、配管６１に設けられた複数のノズル６２とを備えている。水噴射装置６ａは、配管６１に所定の温度および圧力の水を供給するように設けられ、制御装置（不図示）に接続された制御弁Ｖ８によって水の流量を制御することができるように構成されている。ノズル６２は複数の基板Ｗの表面に略均等に水を噴射することができるように配置され、例えば霧状の水を噴射可能に設けられている。   The water injection device 6 a is a device for injecting water onto the surface of the substrate W, and includes a pipe 61 for supplying water and a plurality of nozzles 62 provided in the pipe 61. The water injection device 6a is provided so as to supply water of a predetermined temperature and pressure to the pipe 61, and is configured so that the flow rate of water can be controlled by a control valve V8 connected to a control device (not shown). Has been. The nozzles 62 are arranged so that water can be jetted substantially evenly on the surfaces of the plurality of substrates W, and are provided so as to jet, for example, mist-like water.

冷却装置８は第一実施形態と同様に設けられ、本実施形態においては基板Ｗの表面の温度を成膜室２内の圧力における水の沸点以下の温度に冷却するように制御装置（不図示）によって制御されている。   The cooling device 8 is provided in the same manner as in the first embodiment. In this embodiment, a control device (not shown) is used to cool the surface temperature of the substrate W to a temperature equal to or lower than the boiling point of water at the pressure in the film forming chamber 2. ).

次に、本実施形態における基板Ｗの表面処理方法について説明する。
まず、第一実施形態と同様に水分除去工程および表面処理工程を行って基板Ｗの無機膜Ｃ０の表面にシランカップリング剤の被膜Ｃ１（図２（ａ）参照）を形成する。
次に、第一実施形態と同様にパージ工程を実行すると共に、冷却装置８によって基板Ｗの表面の温度が成膜室２内の圧力下における水の沸点以下の温度になるように基板Ｗを冷却する（冷却工程）。 Next, a surface treatment method for the substrate W in the present embodiment will be described.
First, similarly to the first embodiment, a moisture removal step and a surface treatment step are performed to form a silane coupling agent film C1 (see FIG. 2A) on the surface of the inorganic film C0 of the substrate W.
Next, a purge process is performed in the same manner as in the first embodiment, and the substrate W is placed by the cooling device 8 so that the temperature of the surface of the substrate W is equal to or lower than the boiling point of water under the pressure in the film formation chamber 2. Cool (cooling step).

次に、基板Ｗの表面に水分を供給する（水分供給工程）。具体的には、水噴射装置６ａによって配管６１に水を供給し、基板Ｗの表面に複数のノズル６２から霧状の水を噴射する。
次いで、第一実施形態と同様に冷却装置８による冷媒の循環を停止して、抵抗加熱ヒータにより成膜室２内および基板Ｗを加熱し（加熱処理工程）、自然冷却により室温程度まで冷却する。 Next, moisture is supplied to the surface of the substrate W (moisture supply step). Specifically, water is supplied to the pipe 61 by the water injection device 6 a, and mist-like water is injected from the plurality of nozzles 62 onto the surface of the substrate W.
Next, similarly to the first embodiment, the circulation of the refrigerant by the cooling device 8 is stopped, the inside of the film forming chamber 2 and the substrate W are heated by a resistance heater (heat treatment process), and cooled to about room temperature by natural cooling. .

以上説明したように、本実施形態の表面処理方法によれば、水分供給工程において基板Ｗの温度を低下させ、基板Ｗの表面に液相の水分を供給することができる。
すなわち、冷却工程において、基板Ｗの表面の温度が成膜室２内の圧力下における水の沸点以下の温度になるように基板Ｗを冷却し、水噴射装置により基板Ｗの表面に水を噴射することで基板Ｗの表面の被膜と水とを確実に接触させることができる。 As described above, according to the surface treatment method of the present embodiment, the temperature of the substrate W can be lowered in the moisture supply step, and liquid phase moisture can be supplied to the surface of the substrate W.
That is, in the cooling process, the substrate W is cooled so that the temperature of the surface of the substrate W is equal to or lower than the boiling point of water under the pressure in the film formation chamber 2, and water is sprayed onto the surface of the substrate W by a water spraying device. By doing so, the coating on the surface of the substrate W and water can be reliably brought into contact with each other.

これにより、図２（ａ）に示す未反応の官能基が加水分解されるのに十分な水分が基板Ｗの表面に供給される。そして、図２（ｂ）に示すように、未反応の官能基同士を縮合反応させることができ、被膜Ｃ２の表面に未反応の官能基が残存することを防止できる。
したがって、本実施形態の表面処理方法によれば、基板Ｗの無機膜Ｃ０の表面においてシランカップリング剤の加水分解に必要な水分が不足することを防止して、未反応の官能基が被膜Ｃ２の表面に残存することを防止できる。 As a result, sufficient moisture is supplied to the surface of the substrate W to hydrolyze the unreacted functional group shown in FIG. And as shown in FIG.2 (b), unreacted functional groups can be made to condensation-react and it can prevent that an unreacted functional group remains on the surface of the film C2.
Therefore, according to the surface treatment method of the present embodiment, the surface of the inorganic film C0 of the substrate W is prevented from lacking water necessary for hydrolysis of the silane coupling agent, and unreacted functional groups are coated with the film C2. It can be prevented from remaining on the surface.

尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、冷却工程における基板の冷却方法は、成膜室全体を冷却することによって行ってもよい。
また、上述の実施形態では、成膜室内で被膜を形成する表面処理工程、冷却工程、水分供給工程、加熱処理工程を行ったが、それぞれの工程を別のチャンバーを用いて行うようにしてもよい。例えば、冷却工程において成膜室内で基板を所定の温度まで冷却した後、水蒸気含有ガスが充満した別のチャンバー内に基板を移動させるようにしてもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, the substrate cooling method in the cooling step may be performed by cooling the entire film formation chamber.
Further, in the above-described embodiment, the surface treatment process, the cooling process, the moisture supply process, and the heat treatment process for forming a film in the film formation chamber are performed. However, each process may be performed using different chambers. Good. For example, after the substrate is cooled to a predetermined temperature in the film formation chamber in the cooling step, the substrate may be moved into another chamber filled with water vapor-containing gas.

以下では、液晶装置の構成部材であるＴＦＴ基板と対向基板とを用意し、各基板の表面に無機配向膜のみが形成されている場合の純水接触角と、上述の第一実施形態で説明した表面処理方法により無機配向膜の表面にシランカップリング剤の被膜を形成した後の純水接触角とを比較した。   Below, a TFT substrate and a counter substrate, which are constituent members of a liquid crystal device, are prepared, and the pure water contact angle when only the inorganic alignment film is formed on the surface of each substrate, and the first embodiment described above, will be described. The contact angle with pure water after the coating of the silane coupling agent was formed on the surface of the inorganic alignment film by the surface treatment method was compared.

図５は、ＴＦＴ基板および対向基板の配向膜の純水接触角を示すグラフである。
表面処理前のＴＦＴ基板としてサンプルＡ１とＡ２を用意し、各表面上の数箇所の純水接触角を測定した。その結果、サンプルＡ１とＡ２の純水接触角は約５°程度であった。 FIG. 5 is a graph showing pure water contact angles of the alignment films of the TFT substrate and the counter substrate.
Samples A1 and A2 were prepared as TFT substrates before the surface treatment, and several pure water contact angles on each surface were measured. As a result, the pure water contact angle between samples A1 and A2 was about 5 °.

次に、サンプルＡ１およびサンプルＡ２に上述の第一実施形態で説明した表面処理方法によりシランカップリング剤の被膜を形成した後、冷却工程及び水分供給工程を実施することなく再度各表面上の数箇所の純水接触角を測定した。その結果、サンプルＡ１の純水接触角は約７５°程度に増大し、サンプルＡ２の純水接触角は約７６°〜約７９°程度に増大した。   Next, after forming the coating of the silane coupling agent on the sample A1 and the sample A2 by the surface treatment method described in the first embodiment, the number on each surface is again measured without performing the cooling step and the water supply step. The pure water contact angle of the location was measured. As a result, the pure water contact angle of sample A1 increased to about 75 °, and the pure water contact angle of sample A2 increased to about 76 ° to about 79 °.

次に、サンプルＡ１およびサンプルＡ２に上述の第一実施形態で説明した表面処理方法によりシランカップリング剤の被膜を形成した後、冷却工程及び水分供給工程を実施し、再度各表面上の数箇所の純水接触角を測定した。
その結果、サンプルＡ１の純水接触角は約１０２°〜１０４°程度に更に増大し、サンプルＡ２の純水接触角は約１０２°〜１０６°程度に更に増大した。 Next, after forming the coating of the silane coupling agent on the sample A1 and the sample A2 by the surface treatment method described in the first embodiment, the cooling step and the water supply step are performed, and several points on each surface are again formed. The pure water contact angle was measured.
As a result, the pure water contact angle of sample A1 further increased to about 102 ° to 104 °, and the pure water contact angle of sample A2 further increased to about 102 ° to 106 °.

次に、表面処理前の対向基板としてサンプルＢ１〜Ｂ３を用意し、各表面上の数箇所の純水接触角を測定した。その結果、サンプルＢ１〜Ｂ３の純水接触角は約５°程度であった。   Next, samples B1 to B3 were prepared as counter substrates before the surface treatment, and several pure water contact angles on each surface were measured. As a result, the pure water contact angle of samples B1 to B3 was about 5 °.

次に、サンプルＢ１〜サンプルＢ３に上述の第一実施形態で説明した表面処理方法によりシランカップリング剤の被膜を形成した後、冷却工程及び水分供給工程を実施することなく、再度各表面上の数箇所の純水接触角を測定した。
その結果、サンプルＢ１の純水接触角は約６７°〜約７０°程度、サンプルＢ２の純水接触角は約８２°〜約８７°程度、サンプルＢ３の純水接触角は約７０°〜約７６°程度に増大した。 Next, after forming the coating of the silane coupling agent on the sample B1 to sample B3 by the surface treatment method described in the first embodiment, the cooling process and the moisture supplying process are performed again on each surface. Several pure water contact angles were measured.
As a result, the pure water contact angle of sample B1 is about 67 ° to about 70 °, the pure water contact angle of sample B2 is about 82 ° to about 87 °, and the pure water contact angle of sample B3 is about 70 ° to about 70 °. It increased to about 76 °.

次に、サンプルＢ１〜サンプルＢ３に上述の第一実施形態で説明した表面処理方法によりシランカップリング剤の被膜を形成した後、冷却工程及び水分供給工程を実施して、再度各表面上の数箇所の純水接触角を測定した。
その結果、サンプルＢ１の純水接触角は約１０２°〜１０３°程度に更に増大し、サンプルＢ２の純水接触角は約１０７°〜１０９°程度、サンプルＢ３の純水接触角は約９９°〜１０２°程度に更に増大した。 Next, after forming the coating of the silane coupling agent on the samples B1 to B3 by the surface treatment method described in the first embodiment, the cooling process and the water supply process are performed, and the number on each surface is again measured. The pure water contact angle of the location was measured.
As a result, the pure water contact angle of sample B1 further increases to about 102 ° to 103 °, the pure water contact angle of sample B2 is about 107 ° to 109 °, and the pure water contact angle of sample B3 is about 99 °. It further increased to about -102 °.

以上の結果から分かるように、各基板上にシランカップリング剤の被膜が形成されたことで、無機配向膜の表面の物理的性質および化学的性質が改善され、無機膜配向膜の表面が撥水面となって基板の耐水性が向上する。また、無機配向膜の表面の純水接触角を調整することによって液晶分子のプレチルト角を制御することが可能である。純水接触角は、表面処理回数によって調整することができるため、所望のプレチルト角を得るべく、純水接触角の検出を表面処理中に適宜行うようにしてもよい。   As can be seen from the above results, the formation of the silane coupling agent film on each substrate improves the physical and chemical properties of the surface of the inorganic alignment film and repels the surface of the inorganic alignment film. It becomes a water surface and the water resistance of the substrate is improved. Further, the pretilt angle of the liquid crystal molecules can be controlled by adjusting the pure water contact angle on the surface of the inorganic alignment film. Since the pure water contact angle can be adjusted according to the number of surface treatments, the pure water contact angle may be appropriately detected during the surface treatment in order to obtain a desired pretilt angle.

また、純水接触角は、成膜室内におけるシランカップリング剤の濃度、処理温度、処理時間、および処理圧力によっても制御可能である。
なお、処理圧力が低いとシランカップリング剤の拡散性が高まるので成膜室内の均一性が得られ、処理むらのない良好な被膜を形成することができる。さらに、処理温度が高い方が、より短時間で所望とする純水接触角を得ることができる。 The pure water contact angle can also be controlled by the concentration of the silane coupling agent in the deposition chamber, the processing temperature, the processing time, and the processing pressure.
Note that when the processing pressure is low, the diffusibility of the silane coupling agent is increased, so that uniformity in the film forming chamber is obtained, and a good coating without processing unevenness can be formed. Furthermore, the desired pure water contact angle can be obtained in a shorter time when the treatment temperature is higher.

１，１ａ 表面処理装置、２ 成膜室、３ 減圧装置、４ 処理剤気化装置、５ キャリアガス供給装置（ガス供給装置）、６ 水蒸気供給装置、６ａ 水噴射装置、８ 冷却装置、Ｃ１，Ｃ２ 被膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1a Surface treatment apparatus, 2 Film-forming chamber, 3 Decompression apparatus, 4 Processing agent vaporization apparatus, 5 Carrier gas supply apparatus (gas supply apparatus), 6 Water vapor supply apparatus, 6a Water injection apparatus, 8 Cooling apparatus, C1, C2 Coating

Claims (8)

大気圧よりも低い圧力下でシランカップリング剤を気化させ、前記シランカップリング剤の雰囲気に被処理基板を晒すことで前記被処理基板上に前記シランカップリング剤の被膜を形成する表面処理工程を有し、
前記表面処理工程の後に、
前記被処理基板を飽和水蒸気量未満の水蒸気を含む気体の露点温度以下であって前記シランカップリング剤と前記被処理基板表面との結合反応温度の半分以下の所定温度に冷却する冷却工程と、
前記所定温度を維持した状態で前記被処理基板の表面に前記気体を供給する水分供給工程と、
前記水分供給工程及び前記冷却工程の後に、前記所定温度に維持された状態の被処理基板を前記シランカップリング剤と前記被処理基板表面との結合反応温度を超える温度まで加熱する加熱処理工程と、
を有する
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 A surface treatment step of forming a film of the silane coupling agent on the substrate to be treated by vaporizing the silane coupling agent under a pressure lower than atmospheric pressure and exposing the substrate to be treated to an atmosphere of the silane coupling agent. Have
After the surface treatment step,
A cooling step for cooling the substrate to be processed to a predetermined temperature which is not higher than a dew point of a gas containing water vapor less than a saturated water vapor amount and not more than half of a bonding reaction temperature between the silane coupling agent and the surface of the substrate to be processed;
A moisture supply step of supplying the gas to the surface of the substrate to be processed while maintaining the predetermined temperature;
A heat treatment step of heating the substrate to be treated at the predetermined temperature after the water supply step and the cooling step to a temperature exceeding the bonding reaction temperature between the silane coupling agent and the surface of the substrate to be treated; ,
A method for manufacturing an electro-optical device. 前記水分供給工程において、前記被処理基板の表面に水を噴射し、
前記冷却工程において、前記被処理基板を前記水の沸点以下の温度に冷却することを特徴とする請求項１記載の電気光学装置の製造方法。 In the moisture supply step, water is sprayed on the surface of the substrate to be processed.
2. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein in the cooling step, the substrate to be processed is cooled to a temperature not higher than a boiling point of the water. 前記表面処理工程の後、前記水分供給工程よりも前に、前記被処理基板の周囲の気体を、水蒸気を含まない乾燥気体に置換するパージ工程を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。   2. The method according to claim 1, further comprising a purge step of replacing a gas around the substrate to be processed with a dry gas not containing water vapor after the surface treatment step and before the moisture supply step. 3. A method for manufacturing the electro-optical device according to 2. 前記表面処理工程よりも前に、前記被処理基板の表面の水分を除去する水分除去工程を実行することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。   4. The electro-optical device according to claim 1, wherein a moisture removal step of removing moisture on the surface of the substrate to be processed is performed prior to the surface treatment step. 5. Production method. 前記処理剤が、下記一般式（１）で表されるシランカップリング剤であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
Figure 0005375132
 The treatment agent, the method of manufacturing an electro-optical device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that a silane coupling agent represented by the following general formula (1).
Figure 0005375132
 前記被処理基板上に無機膜を有し、当該無機膜の表面に前記被膜を形成することで前記被処理基板上に配向膜を形成することを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。   6. An alignment film is formed on the substrate to be processed by forming an inorganic film on the substrate to be processed and forming the coating film on the surface of the inorganic film. A method for manufacturing the electro-optical device according to claim 1. 被処理基板を配置する成膜室と、
前記成膜室内を減圧する減圧装置と、
シランカップリング剤を気化させるシランカップリング剤気化装置と、
前記シランカップリング剤気化装置に対してキャリアガスを供給するガス供給装置と、
前記被処理基板に飽和水蒸気量未満の水蒸気を含む水蒸気含有ガスを供給する水蒸気供給装置と、
前記被処理基板を前記水蒸気含有ガスの露点温度以下であって前記シランカップリング剤と前記被処理基板表面との結合反応温度の半分以下の温度に冷却する冷却装置と、
前記結合反応温度を超える温度まで加熱する加熱装置と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。 A film formation chamber in which a substrate to be processed is disposed;
A decompression device for decompressing the film forming chamber;
A silane coupling agent vaporizer for vaporizing the silane coupling agent;
A gas supply device for supplying a carrier gas to the silane coupling agent vaporizer;
A water vapor supply device for supplying a water vapor containing gas containing water vapor of less than a saturated water vapor amount to the substrate to be treated;
A cooling device that cools the substrate to be treated to a temperature that is not higher than the dew point of the water vapor-containing gas and is not more than half of the bonding reaction temperature between the silane coupling agent and the surface of the substrate to be processed;
A heating device for heating to a temperature exceeding the binding reaction temperature;
An electro-optical device manufacturing apparatus comprising: 被処理基板を配置する成膜室と、
前記成膜室内を減圧する減圧装置と、
シランカップリング剤を気化させるシランカップリング剤気化装置と、
前記シランカップリング剤気化装置に対してキャリアガスを供給するガス供給装置と、
前記被処理基板に水を噴射する水噴射装置と、
前記被処理基板を前記水の沸点以下であって前記シランカップリング剤と前記被処理基板表面との結合反応温度の半分以下の温度に冷却する冷却装置と、
前記結合反応温度を超える温度まで加熱する加熱装置と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。 A film formation chamber in which a substrate to be processed is disposed;
A decompression device for decompressing the film forming chamber;
A silane coupling agent vaporizer for vaporizing the silane coupling agent;
A gas supply device for supplying a carrier gas to the silane coupling agent vaporizer;
A water injection device for injecting water onto the substrate to be processed;
A cooling device that cools the substrate to be processed to a temperature not higher than the boiling point of water and not more than half of a bonding reaction temperature between the silane coupling agent and the surface of the substrate to be processed;
A heating device for heating to a temperature exceeding the binding reaction temperature;
An electro-optical device manufacturing apparatus comprising:
JP2009014495A 2009-01-26 2009-01-26 Electro-optical device manufacturing method and electro-optical device manufacturing apparatus Active JP5375132B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009014495A JP5375132B2 (en) 2009-01-26 2009-01-26 Electro-optical device manufacturing method and electro-optical device manufacturing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009014495A JP5375132B2 (en) 2009-01-26 2009-01-26 Electro-optical device manufacturing method and electro-optical device manufacturing apparatus

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010170036A JP2010170036A (en) 2010-08-05
JP2010170036A5 JP2010170036A5 (en) 2012-02-16
JP5375132B2 true JP5375132B2 (en) 2013-12-25

Family

ID=42702227

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009014495A Active JP5375132B2 (en) 2009-01-26 2009-01-26 Electro-optical device manufacturing method and electro-optical device manufacturing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5375132B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015178237A (en) * 2014-03-19 2015-10-08 東洋紡株式会社 Laminated inorganic substrate, laminate, method of producing laminate and method of producing flexible electronic device
JP6056899B2 (en) * 2015-04-22 2017-01-11 セイコーエプソン株式会社 Surface treatment apparatus, primer treatment apparatus, and liquid repellent film forming apparatus
JP6547789B2 (en) * 2017-05-30 2019-07-24 セイコーエプソン株式会社 Method of manufacturing liquid crystal device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0643463A (en) * 1992-07-23 1994-02-18 Canon Inc Liquid crystal element
JP4626488B2 (en) * 2005-11-02 2011-02-09 セイコーエプソン株式会社 Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus
JP4702146B2 (en) * 2006-04-04 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 Manufacturing method of liquid crystal device
JP4789704B2 (en) * 2006-06-07 2011-10-12 シチズンファインテックミヨタ株式会社 Manufacturing method of liquid crystal panel
JP2008216650A (en) * 2007-03-05 2008-09-18 Seiko Epson Corp Method for manufacturing alignment layer and method for manufacturing liquid crystal device
JP4697162B2 (en) * 2007-03-16 2011-06-08 セイコーエプソン株式会社 Surface treatment apparatus and method
JP2010007168A (en) * 2008-06-30 2010-01-14 Seiko Epson Corp Surface treatment apparatus and surface treatment method
JP2010024484A (en) * 2008-07-17 2010-02-04 Seiko Epson Corp Surface treatment apparatus and surface treatment method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010170036A (en) 2010-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20190132911A1 (en) Method and apparatus for microwave treatmentof dielectric films
TWI500083B (en) Film formation method and apparatus
TWI460792B (en) Film formation method, film formation apparatus, and method for using film formation apparatus
JP2008159824A (en) Device for manufacturing silicon-oxide thin-film, and method for forming it
US20040087068A1 (en) Method for forming thin-film, apparatus for forming thin-film, method for manufacturing semiconductor device, electro-optical unit, and electronic apparatus
JP5693941B2 (en) Template surface treatment method and apparatus, and pattern formation method
JP3901156B2 (en) Mask forming method and removing method, and semiconductor device, electric circuit, display module, color filter, and light emitting element manufactured by the method
TW201515138A (en) Variable frequency microwave (VFM) processes and applications in semiconductor thin film fabrications
US20070202253A1 (en) Thin organic alignment layers with a batch process for liquid crystal displays
JP2007311768A (en) Apparatus for cleaning substrate, substrate-cleaning method, substrate treating equipment
JP2010020093A (en) Method of manufacturing liquid crystal device
JP5375132B2 (en) Electro-optical device manufacturing method and electro-optical device manufacturing apparatus
JP2010024484A (en) Surface treatment apparatus and surface treatment method
US7961283B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal panel and deuterium, hydrogen deuteride, or tritium treatment of alignment film
JPWO2019193967A1 (en) Wafer surface treatment method and composition used in the method
JP2010007168A (en) Surface treatment apparatus and surface treatment method
US20130026152A1 (en) Pressurizing-type lamp annealing device, method for producing thin film, and method for using pressurizing-type lamp annealing device
KR101571020B1 (en) Surface treating method and film deposition method
JP6044352B2 (en) Organic material coating apparatus and organic material coating method using the same
JP4789704B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal panel
JP4921206B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal panel
US9683128B2 (en) Polymerized film forming method
JP5157701B2 (en) Surface treatment method
WO2021051258A1 (en) Method for preparing thin film polarizer using azo dye
JP2001300454A (en) Method for treating surface of substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111219

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111219

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20111220

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130115

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130311

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130507

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130617

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130827

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130909

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5375132

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350