JP5372238B2 - Manufacturing method of integrated multilayer lighting device - Google Patents

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Description

本発明は一種の照明装置の製造方法に係り、特に一種の、一体化多層式照明装置の製造方法の製造方法に関する。   The present invention relates to a manufacturing method of a kind of lighting device, and more particularly to a manufacturing method of a manufacturing method of a kind of integrated multilayer lighting device.

ＬＥＤの発光原理は、半導体固有の特性を利用し、それは、それ以前の白熱灯の放電、発熱発光原理とは異なり、電流が順方向に半導体のｐｎ接合に流入する時に、光線を発生できる。ゆえに、ＬＥＤは、冷光源（ｃｏｌｄ ｌｉｇｈｔ）と称される。ＬＥＤ系は高い耐久性、長寿命、軽量コンパクト、消耗電力が少なく、且つ水銀等の有害物質を含有しないという長所を有し、ゆえに、広く照明設備産業中に応用されており、且つ、それは通常、ＬＥＤアレイパッケージ方式で、デジタル看板、交通標識などの商業領域に応用されている。   The light emission principle of an LED utilizes the characteristics inherent to semiconductors, which, unlike previous incandescent lamp discharge and heat emission light emission principles, can generate light when current flows in the forward direction into the semiconductor pn junction. Thus, the LED is referred to as a cold light. The LED system has the advantages of high durability, long life, light weight and compactness, low power consumption, and no harmful substances such as mercury. Therefore, it is widely applied in the lighting equipment industry. The LED array package method is applied to commercial areas such as digital signs and traffic signs.

特許文献１を参照されたい。それは、一種の多層式アレイ型発光ダイオードのパッケージ構造であり、金属基板、パッケージモールドブロック、リードフレーム及びカバーを包含する。該金属基板は、該パッケージ構造の最下層に設けられ、該パッケージモールドブロックは、該金属基板と該リードフレームを封止して一体に組み合わせるのに用いられる。該金属基板上にはアレイ配列された発光ダイオードチップが取付けられ、且つ金属基板は金属材質とされ、発光ダイオードと該リードフレームは電気的接続を形成し、該カバーは該パッケージモールドブロックの中に被覆される。   See Patent Document 1. It is a kind of multilayer array type light emitting diode package structure, and includes a metal substrate, a package mold block, a lead frame and a cover. The metal substrate is provided in the lowermost layer of the package structure, and the package mold block is used to seal and combine the metal substrate and the lead frame together. An array of light emitting diode chips is mounted on the metal substrate, the metal substrate is made of a metal material, the light emitting diode and the lead frame form an electrical connection, and the cover is placed in the package mold block. Covered.

台湾実用新案公告Ｍ３８７３７５号明細書Taiwan Utility Model Notice M387375 Specification

上述の周知の技術の欠点は、各発光ダイオードがパッケージされる時に、パッケージ材料を用いてパッケージモールドブロックが形成され、パッケージ材料のほとんどは、プラスチックで形成されるが、一般にプラスチックの放熱能力は金属材料にははるかに及ばず、放熱能力の不足は、厳重に発光ダイオードの使用寿命の長短及び発光性能に影響を与え得るほか、金属基板及びパッケージモールドブロックは、一度に一体成形されることができず、このため製造ステップが煩瑣となる。   The disadvantage of the above-mentioned well-known technique is that when each light emitting diode is packaged, a package mold block is formed using the package material, and most of the package material is formed of plastic. Far from the material, the lack of heat dissipation capability can severely affect the life of the light emitting diode and the light emitting performance, and the metal substrate and the package mold block can be integrally molded at once. Therefore, the manufacturing steps are cumbersome.

このため、上述の欠点に対して改良を行ない、大幅に熱伝導効率をアップしパッケージ材料の使用を減らすことが必要である。   For this reason, it is necessary to improve the above-mentioned drawbacks, greatly increase the heat conduction efficiency, and reduce the use of the package material.

本発明は一種の一体化多層式照明装置の製造方法を提供することを主要な目的とし、その製造方法は、
基板製造のステップ、このステップにおいて、該基板は中心体と複数の放熱フィンを包含するものとし、これら放熱フィンと該中心体の中心部分を貫通するように二つのチャネルを設け、
該基板に対して加工処理を行うステップ、このステップにおいて、該加工処理は、該中心体の底部の中心部分に対してミリング処理を行ない、該中心体の中心部分に内向きに、収容空間を具えたチャンバを開設し、及び、該中心体の上部にミリングと研磨処理を行ない、該中心体の上部に内向きに凹部を開設し、該凹部は底面と内側壁面を包含し、該内側壁面は斜面とし、該二つのチャネルの、該凹部に接近する位置に、それぞれミリングにより階段部を形成する処理を包含し、
二つの電気コネクタをそれぞれ該二つのチャネル中に取り付けるステップ、このステップにおいて、電気コネクタは導線ロッドとスリーブで構成され、該スリーブは、該導線ロッドを通して固定するのに供され、該導線ロッドの両端はいずれも該スリーブ外に露出し、該スリーブの、該凹部に近い一端に、該階段部に対応する凸部が設けられ、該凸部は該階段部上に設置可能であるものとし、
該二つのチャネル中にそれぞれ少なくとも一つの固定部品を設置し、これにより、該二つの電気コネクタを該基板の中に固定するステップ、
該ブロックのエリアブロックに選択的に反射層をめっきするステップ、
複数の発光素子を、該底面上に設置するステップ、
導線を利用し、これら発光素子を該二つの電気コネクタの一端とワイヤボンディングするステップ、
及び、レンズカバーを該凹部の上に設置し、該レンズカバーを該基板と密封するステップ、
以上のステップを包含するものとする。 The main object of the present invention is to provide a manufacturing method of a kind of integrated multilayer lighting device, and the manufacturing method includes:
In the step of manufacturing the substrate, in this step, the substrate includes a central body and a plurality of heat radiating fins, and two channels are provided so as to pass through the central portions of the heat radiating fins and the central body.
A step of processing the substrate; in this step, the processing is performed by performing a milling process on the central portion of the bottom portion of the central body and inwardly holding the accommodation space in the central portion of the central body; And a milling and polishing process is performed on the upper part of the central body, and a concave part is formed inwardly on the upper part of the central body. The concave part includes a bottom surface and an inner wall surface. Includes a process of forming stepped portions by milling at the positions close to the recesses of the two channels,
Attaching two electrical connectors respectively in the two channels, wherein the electrical connector is composed of a conductor rod and a sleeve, the sleeve being provided for fixing through the conductor rod, at both ends of the conductor rod Are exposed to the outside of the sleeve, and a convex portion corresponding to the step portion is provided at one end of the sleeve near the concave portion, and the convex portion can be installed on the step portion,
Installing at least one securing component in each of the two channels, thereby securing the two electrical connectors in the substrate;
Selectively plating a reflective layer on an area block of the block;
Installing a plurality of light emitting elements on the bottom surface;
Wire-bonding these light emitting elements to one end of the two electrical connectors using a conductive wire;
And installing a lens cover on the recess, and sealing the lens cover with the substrate;
The above steps are included.

請求項１の発明は、一体化多層式照明装置の製造方法において、
基板製造のステップ、このステップにおいて、該基板は中心体と複数の放熱フィンを包含し、これら放熱フィンと該中心体の中心部分を貫通するように二つのチャネルが設けられ、
該基板に対して加工処理を行うステップ、このステップにおいて、該加工処理は、該中心体の底部の中心部分に対してミリング処理を行ない、該中心体の中心部分に内向きに、収容空間を具えたチャンバを開設すること、及び、該中心体の上部にミリングと研磨処理を行ない、該中心体の上部に内向きに凹部を開設し、該凹部は底面と内側壁面を包含し、該内側壁面は斜面とし、該二つのチャネルの、該凹部に接近する位置に、それぞれミリングにより階段部を形成することを包含し、
二つの電気コネクタをそれぞれ該二つのチャネル中に取り付けるステップ、このステップにおいて、該電気コネクタは導線ロッドとスリーブで構成し、該スリーブは、該導線ロッドを通して固定するのに供し、該導線ロッドの両端はいずれも該スリーブ外に露出し、該スリーブの、該凹部に近い一端に、該階段部に対応する凸部が設けられ、該凸部は該階段部上に設置可能であるものとし、
該二つのチャネル中にそれぞれ少なくとも一つの固定部品を設置し、これにより、該二つの電気コネクタを該基板の中に固定するステップ、
該ブロックのエリアブロックに選択的に第１反射層をめっきするステップ、
複数の発光素子を、該底面上に設置するステップ、
導線を利用し、これら発光素子を該二つの電気コネクタの一端とワイヤボンディングするステップ、及び、
レンズカバーを該凹部の上に設置し、該レンズカバーで該基板を密封するステップ、
以上のステップを包含することを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該基板は加圧技術と金属射出技術により形成されることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法としている。
請求項３の発明は、請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該基板の材料は、アルミニウム、銅、及び炭素のうち少なくともいずれかとされることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法としている。
請求項４の発明は、請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該スリーブの材料は液晶ポリエステル樹脂とされることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法としている。
請求項５の発明は、請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該二つのチャネルの、該チャンバに接近する開口は、さらに固定プラグで塞がれることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法としている。
請求項６の発明は、請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該エリアブロックは該底面或いは該内側壁面、或いは該底面と該内側壁面の両者の、いずれかとされることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法としている。
請求項７の発明は、請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該第１反射層の上にさらに第２反射層がメッキされることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法としている。
請求項８の発明は、請求項７記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該第１反射層及び該第２反射層の材料は、クロム及び銀の少なくともいずれかを使用することを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法としている。
請求項９の発明は、請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該発光素子は発光ダイオードチップとされることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法としている。
請求項１０の発明は、請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該発光素子の上にさらに蛍光層及びシリコーン樹脂層が形成されることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法としている。
請求項１１の発明は、請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該導線は、金導線或いは銅導線の少なくともいずれかを使用することを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法としている。
請求項１２の発明は、請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該導線ロッドの上部にボンディングパッドが設置され、該ボンディングパッドはこれら発光素子とのワイヤボンディングに使用されることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法としている。 The invention of claim 1 is a method of manufacturing an integrated multilayer lighting device,
In the substrate manufacturing step, in this step, the substrate includes a central body and a plurality of radiating fins, and two channels are provided so as to penetrate the radiating fins and the central portion of the central body.
A step of processing the substrate; in this step, the processing is performed by performing a milling process on the central portion of the bottom portion of the central body and inwardly holding the accommodation space in the central portion of the central body; Opening the prepared chamber, and performing milling and polishing on the upper part of the central body, opening a concave part inwardly on the upper part of the central body, the concave part including a bottom surface and an inner wall surface, The wall surface is a slope, and includes forming stepped portions by milling at positions of the two channels approaching the recess,
Mounting two electrical connectors in the two channels, respectively, wherein the electrical connector comprises a wire rod and a sleeve, the sleeve serving to be secured through the wire rod, at both ends of the wire rod Are exposed to the outside of the sleeve, and a convex portion corresponding to the step portion is provided at one end of the sleeve near the concave portion, and the convex portion can be installed on the step portion,
Installing at least one securing component in each of the two channels, thereby securing the two electrical connectors in the substrate;
Selectively plating a first reflective layer on an area block of the block;
Installing a plurality of light emitting elements on the bottom surface;
Wire-bonding these light emitting elements to one end of the two electrical connectors using a conductive wire; and
Installing a lens cover on the recess and sealing the substrate with the lens cover;
The manufacturing method of the integrated multilayer lighting device is characterized by including the above steps.
According to a second aspect of the present invention, in the method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to the first aspect, the substrate is formed by a pressurization technique and a metal injection technique. It is a manufacturing method.
According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to the first aspect, the material of the substrate is at least one of aluminum, copper, and carbon. This is a method for manufacturing a multilayer lighting device.
According to a fourth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to the first aspect, the material of the sleeve is a liquid crystal polyester resin. Yes.
According to a fifth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to the first aspect, the openings of the two channels approaching the chamber are further closed with a fixed plug. This is a method for manufacturing an integrated multilayer lighting device.
According to a sixth aspect of the present invention, in the method of manufacturing an integrated multilayer lighting device according to the first aspect, the area block is either the bottom surface, the inner wall surface, or both the bottom surface and the inner wall surface. It is set as the manufacturing method of the integrated multilayer type illuminating device characterized by these.
The invention according to claim 7 is the method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to claim 1, wherein a second reflective layer is further plated on the first reflective layer. The manufacturing method of the lighting device is used.
According to an eighth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to the seventh aspect, at least one of chromium and silver is used as a material of the first reflective layer and the second reflective layer. A feature is a manufacturing method of an integrated multilayer lighting device.
The invention of claim 9 is the method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to claim 1, characterized in that the light emitting element is a light emitting diode chip. .
The invention of claim 10 is the method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to claim 1, wherein a fluorescent layer and a silicone resin layer are further formed on the light emitting element. The manufacturing method of the lighting device is used.
The invention of claim 11 is the method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to claim 1, wherein the conducting wire uses at least one of a gold conducting wire and a copper conducting wire. The manufacturing method of the apparatus is used.
According to a twelfth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to the first aspect, a bonding pad is provided on the upper portion of the conductive rod, and the bonding pad is used for wire bonding with these light emitting elements. It is set as the manufacturing method of the integrated multilayer type illuminating device characterized by this.

そのうち、該基板は一体成形可能で、適宜成形方式で、発光ユニットが直接内部の基板に設置され得る。詳細には、基板のチャンバは発光素子をその中に直接設置するのに供され得て、特に、その基板全体は、金属材料を利用して形成され、金属材料の優れた熱伝導性により、直接発光素子が発光時に発生する熱エネルギーを吸収し並びに速やかに外部環境空間に伝導でき、これにより、さらにパッケージモールドブロックを設置する必要がなく、パッケージ材料の使用量が大幅に減らされ、並びに製造ステップが簡易化される。   Among them, the substrate can be integrally formed, and the light emitting unit can be directly installed on the internal substrate by an appropriate forming method. Specifically, the substrate chamber can be used to directly place the light emitting element therein, and in particular, the entire substrate is formed using a metal material, and due to the excellent thermal conductivity of the metal material, The direct light-emitting element can absorb the heat energy generated during light emission and quickly conduct it to the external environment space, which eliminates the need for installing a package mold block, greatly reduces the amount of package material used, and manufacture The steps are simplified.

本発明はレンズカバーがチャンバの上に設置され、並びに基板と密封接合されて、チャンバがシールされ、チャンバが密封空間を形成するものとされ、これにより、水気或いは微粒子がチャンバ中に進入できず、これにより発光素子及び光学素子を保護して変質劣化を防止できる。   In the present invention, the lens cover is installed on the chamber, and is sealed and bonded to the substrate so that the chamber is sealed, and the chamber forms a sealed space, so that water or fine particles cannot enter the chamber. Thus, it is possible to protect the light emitting element and the optical element and prevent deterioration.

本発明の一体化多層式照明装置の製造方法のフローチャートである。It is a flowchart of the manufacturing method of the integrated multilayer illuminating device of this invention. 本発明の一体化多層式照明装置の製造方法の基板表示図である。It is a board | substrate display figure of the manufacturing method of the integrated multilayer illuminating device of this invention. 本発明の一体化多層式照明装置の製造方法の基板ミリング表示図である。It is a board | substrate milling display figure of the manufacturing method of the integrated multilayer illuminating device of this invention. 本発明の一体化多層式照明装置の製造方法のもう一つの基板ミリング表示図である。It is another board | substrate milling display figure of the manufacturing method of the integrated multilayer illuminating device of this invention. 本発明の電気コネクタの導線ロッド表示図である。It is a conducting-rod display figure of the electrical connector of this invention. 本発明の一体化多層式照明装置の製造方法の電気コネクタ表示図である。It is an electrical connector display figure of the manufacturing method of the integrated multilayer illuminating device of this invention. 本発明の一体化多層式照明装置の製造方法の電気コネクタ取付け表示図である。It is an electrical connector attachment display figure of the manufacturing method of the integrated multilayer illuminating device of this invention. 本発明の一体化多層式照明装置の製造方法の固定部品表示図である。It is a fixed component display figure of the manufacturing method of the integrated multilayer illuminating device of this invention. 本発明の一体化多層式照明装置の製造方法の固定プラグ表示図である。It is a fixed plug display figure of the manufacturing method of the integrated multilayer illuminating device of this invention. 本発明の一体化多層式照明装置の製造方法の第１反射層表示図である。It is a 1st reflective layer display figure of the manufacturing method of the integrated multilayer illuminating device of this invention. 本発明の一体化多層式照明装置の製造方法の発光素子表示図である。It is a light emitting element display figure of the manufacturing method of the integrated multilayer illuminating device of this invention. 本発明の一体化多層式照明装置の製造方法のワイヤボンディング表示図である。It is a wire bonding display figure of the manufacturing method of the integrated multilayer illuminating device of this invention. 本発明の一体化多層式照明装置の製造方法のレンズカバー表示図である。It is a lens cover display figure of the manufacturing method of the integrated multilayer illuminating device of this invention. 本発明の一体化多層式照明装置の製造方法の好ましい実施例表示図である。It is a display example of the preferable Example of the manufacturing method of the integrated multilayer illuminating device of this invention.

本発明の技術内容、構造特徴、達成する目的を詳細に説明するため、以下に実施例を挙げ並びに図面を組み合わせて説明する。   In order to describe in detail the technical contents, structural features, and objects to be achieved of the present invention, examples will be described below in combination with the drawings.

図１を参照されたい。それは本発明の一体化多層式照明装置の製造方法のフローチャートである。並びに図２も併せて参照されたい。図２は本発明の一体化多層式照明装置の製造方法の基板表示図である。   Please refer to FIG. It is a flowchart of the manufacturing method of the integrated multilayer lighting device of the present invention. See also FIG. FIG. 2 is a substrate display diagram of the manufacturing method of the integrated multilayer lighting device of the present invention.

図１のステップＳ１０に示されるように、まず、基板１を製造する。製造される基板１は、中心体１１と放熱フィン１３を包含し、放熱フィン１３は、輻射状配列方式で外向きに延伸されてなる。放熱フィン１３の間はいずれもある間隔をあけ、放熱フィン１３の両側面の表面は高低起伏状とされ、図２に示されるとおりである。   As shown in step S10 of FIG. 1, first, the substrate 1 is manufactured. The substrate 1 to be manufactured includes a center body 11 and heat radiating fins 13, and the heat radiating fins 13 are extended outward in a radial arrangement manner. Each of the radiating fins 13 is provided with a certain interval, and the surfaces of both side surfaces of the radiating fin 13 are undulated, as shown in FIG.

続いて、図１のステップＳ２０に進入し、基板１に対して加工処理を行う。そのうち、該加工処理は、少なくとも以下を包含し、すなわち、中心体１１の底部中心部分に、ミリング処理を行ない、中心体１１の底部中心部分に、内向きに、収容空間を具えたチャンバ１１３を開設し、該チャンバ１１３は二つのチャネル１１１に連通させ、図３ａのとおりであり、及び、ミリング処理により、放熱フィン１３の上部を削減し、中心体１１の一部を露出させ、図３ｂに示されるようであり、及び、ミリング処理により、放熱フィン１３の外側縁を円弧状に形成する。   Subsequently, the process proceeds to step S <b> 20 in FIG. 1, and the substrate 1 is processed. Among them, the processing includes at least the following, that is, a milling process is performed on the central part of the bottom of the central body 11, and a chamber 113 having a receiving space is provided inwardly at the central part of the bottom of the central body 11. The chamber 113 is connected to the two channels 111, as shown in FIG. 3a, and the upper part of the radiating fin 13 is reduced by milling to expose a part of the central body 11, and FIG. As shown, the outer edge of the radiating fin 13 is formed in an arc shape by milling.

放熱フィン１３の外側縁を円弧状に形成する目的は、放熱フィン１３の下側部分が受け取る熱エネルギーは上側部分より遅いが、放熱フィン１３の下側部分の幅は、上側部分より短く、その熱エネルギー伝送の経路は上側部分より短く、これにより、放熱フィン１３の上側部分及び下側部分が受け取る熱エネルギーが同時に環境空間中に散逸し、放熱効率がアップする。   The purpose of forming the outer edge of the radiating fin 13 in an arc shape is that the lower part of the radiating fin 13 receives thermal energy slower than the upper part, but the width of the lower part of the radiating fin 13 is shorter than the upper part. The heat energy transmission path is shorter than the upper part, whereby the heat energy received by the upper part and the lower part of the radiating fin 13 is simultaneously dissipated into the environmental space, and the heat radiation efficiency is improved.

該加工処理は、少なくとも、中心体１１の上部中心部分に対して、内向きにミリング及び研磨処理を行ない、中心体１１の上部に凹部１１５を開設することを包含し、そのうち、凹部１１５は、底面１１５ａ及び内側壁面１１５ｂを包含し、そのうち、内側壁面１１５ｂは傾斜を有する斜面とされ、図３ｂに示されるとおりである。   The processing includes at least performing inward milling and polishing on the upper central portion of the central body 11 and opening a recess 115 in the upper portion of the central body 11. It includes a bottom surface 115a and an inner wall surface 115b, of which the inner wall surface 115b is an inclined surface, as shown in FIG. 3b.

このほか、チャネル１１１の凹部１１５に接近する位置に、さらにミリングにより階段部１１１１が形成される。   In addition, a staircase portion 1111 is further formed by milling at a position approaching the recess 115 of the channel 111.

図４ａを参照されたい。それは本発明の電気コネクタの導線ロッド表示図である。また図４ｂは、本発明の一体化多層式照明装置の製造方法の電気コネクタ表示図である。図５は本発明の一体化多層式照明装置の製造方法の電気コネクタ取付けの表示図である。   See FIG. 4a. It is a conductor rod display diagram of the electrical connector of the present invention. FIG. 4B is an electrical connector display diagram of the manufacturing method of the integrated multilayer lighting device of the present invention. FIG. 5 is a display diagram of electrical connector mounting in the method for manufacturing an integrated multilayer lighting device of the present invention.

続いて、図１のステップＳ３０に進入し、図５に示されるように、二つの電気コネクタ３をチャネル１１１中に取付ける。   Subsequently, the process proceeds to step S30 in FIG. 1, and two electrical connectors 3 are mounted in the channel 111 as shown in FIG.

そのうち、電気コネクタ３は、導線ロッド３１とスリーブ３３で構成され、スリーブ３３は導線ロッド３１を挿入して固定するのに供され、導線ロッド３１の両端は、いずれもスリーブ３３より露出する。   Among them, the electrical connector 3 includes a conductive rod 31 and a sleeve 33, and the sleeve 33 is used to insert and fix the conductive rod 31, and both ends of the conductive rod 31 are exposed from the sleeve 33.

そのうち、スリーブ３３の凹部１１５に接近する一端は凸部３３１とされ、二つの電気コネクタ３が、二つのチャネル１１１に取付けられる時、凸部３３１は階段部１１１１上に置かれ、電気コネクタ３を二つのチャネル１１１中に位置決めする。そのうち、スリーブ３３の材質は、液晶ポリエステル樹脂（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ ｒｅｓｉｎ，ＬＣＰ）とされ得る。   Among them, one end of the sleeve 33 that approaches the concave portion 115 is a convex portion 331, and when the two electrical connectors 3 are attached to the two channels 111, the convex portion 331 is placed on the staircase portion 1111, and the electrical connector 3 is Position in the two channels 111. Of these, the material of the sleeve 33 may be a liquid crystal polyester resin (LCP).

続いて、図１のステップＳ４０に進入し、図６に示されるように、二つのチャネル１１１中にそれぞれ固定部品５を設置し、二つの電気コネクタ３を基板１の中に固定する。   Subsequently, the process proceeds to step S40 in FIG. 1, and as shown in FIG. 6, the fixing parts 5 are respectively installed in the two channels 111, and the two electrical connectors 3 are fixed in the substrate 1.

固定部品５は電気コネクタ３を保持するのみならず、チャネル１１１を隔離する効果を有する。本発明の好ましい実施例では、二つのチャネル１１１のチャンバ１１３に接近する開口が、さらに固定プラグ６で塞がれ、図６ａに示されるとおりであり、これにより、電気コネクタ３の固定性がより良好とされ、さらに、水気隔離の効果を有する。   The fixing part 5 not only holds the electrical connector 3 but also has the effect of isolating the channel 111. In the preferred embodiment of the present invention, the opening of the two channels 111 approaching the chamber 113 is further plugged with a fixing plug 6 as shown in FIG. 6a, which makes the electrical connector 3 more secure. It is considered to be good, and has an effect of water isolation.

続いて、図１のステップＳ５０に進入し、図７に示されるように、選択的に、基板１のエリアブロックに第１反射層７をめっきする。   Subsequently, the process proceeds to step S50 in FIG. 1, and the first reflective layer 7 is selectively plated on the area block of the substrate 1 as shown in FIG.

該エリアブロックは、底面１１５ａ、内側壁面１１５ｂの少なくともいずれかを包含する。   The area block includes at least one of the bottom surface 115a and the inner wall surface 115b.

第１反射層７上には、さらに第２反射層（図示せず）をめっきしてもよい。第１反射層７と第２反射層の材料は、クロム、銀、或いはその他の適当な材料とされる。   A second reflective layer (not shown) may be further plated on the first reflective layer 7. The material of the first reflective layer 7 and the second reflective layer is chrome, silver, or other suitable material.

続いて、図１のステップＳ６０に進入し、図８に示されるように、発光素子８を直接底面１１５ａ上に設置する。もし底面１１５ａ上に第１反射層７或いは第２反射層がめっきされていれば、第１反射層７或いは第２反射層の上に発光素子８が設置される。   Subsequently, the process proceeds to step S60 in FIG. 1, and as shown in FIG. 8, the light emitting element 8 is directly installed on the bottom surface 115a. If the first reflective layer 7 or the second reflective layer is plated on the bottom surface 115a, the light emitting element 8 is installed on the first reflective layer 7 or the second reflective layer.

発光素子８は、アレイ型の配列方式で底面１１５ａ上に設置され得る。続いて、図１のステップＳ７０に進入し、図９に示されるよう、導線９を利用して、発光素子８と二つの電気コネクタ３の一端をワイヤボンディングで接合する。二つの電気コネクタの他端は、それぞれ電源（図示せず）のプラスマイナス端と接続され、こうして、電源、二つの電気コネクタ３、導線９及び発光素子８が、電気回路を構成し、これにより、発光素子８が電源から伝送された電圧を獲得して発光する。   The light emitting elements 8 can be installed on the bottom surface 115a in an array type arrangement. Subsequently, the process proceeds to step S70 in FIG. 1 and, as shown in FIG. 9, the light emitting element 8 and one end of the two electrical connectors 3 are joined by wire bonding using the conductive wire 9. The other ends of the two electrical connectors are respectively connected to the plus and minus ends of a power source (not shown), and thus the power source, the two electrical connectors 3, the conductor 9 and the light emitting element 8 constitute an electrical circuit, thereby The light emitting element 8 emits light by acquiring the voltage transmitted from the power source.

導線９は金導線、銅導線及びその他の適宜導線を使用できる。そのうち、導線ロッド３１の上部にさらにボンディングパッド（図示せず）を設置してもよく、ボンディングパッドは発光素子８とのワイヤボンディングに使用される。   The conducting wire 9 can be a gold conducting wire, a copper conducting wire, or other appropriate conducting wires. Among them, a bonding pad (not shown) may be further installed on the conductive wire 31, and the bonding pad is used for wire bonding with the light emitting element 8.

最後に、図１のステップＳ８０に進入し、図１０に示されるように、レンズカバー１０を凹部１１５の上に設置し、並びにレンズカバー１０に基板１を密封させる。これにより、凹部１１５内の空間に密閉空間を形成させ、異物及び水気の進入を防止する。   Finally, the process proceeds to step S80 in FIG. 1, and as shown in FIG. 10, the lens cover 10 is placed on the recess 115 and the substrate 1 is sealed to the lens cover 10. As a result, a sealed space is formed in the space in the recess 115 to prevent foreign substances and water from entering.

図１１を参照されたい。それは、本発明の一体化多層式照明装置の製造方法の好ましい実施例表示図である。発光素子８の上に、さらに蛍光層１００及びシリコーン樹脂層２００が形成されてもよく、発光素子８の発生する光線が蛍光層１００を通過する時に混光作用を発生し、シリコーン樹脂層２００は蛍光層１００を保護するのに用いられる。   Please refer to FIG. It is a display diagram of a preferred embodiment of the manufacturing method of the integrated multilayer lighting device of the present invention. A fluorescent layer 100 and a silicone resin layer 200 may be further formed on the light emitting element 8. When the light generated by the light emitting element 8 passes through the fluorescent layer 100, a light mixing action is generated. Used to protect the fluorescent layer 100.

上述のチャンバ１１３は、電源線プラグ、電源供給モジュール及無線伝送モジュールを収容する空間として使用可能で、電源線プラグの取付けを、より容易に、便利とし、且つチャンバ１１３は中空を呈し、基板１を軽量化し、さらに、熱エネルギーが直接電源供給モジュール及び無線伝送モジュールに伝導されるのを防止し、放熱性能も具備している。   The above-described chamber 113 can be used as a space for accommodating a power line plug, a power supply module, and a wireless transmission module, making it easier and more convenient to attach the power line plug, and the chamber 113 has a hollow shape. In addition, the heat energy is prevented from being directly transferred to the power supply module and the wireless transmission module, and the heat dissipation performance is also provided.

以上述べたことは、本発明の実施例にすぎず、本発明の実施の範囲を限定するものではなく、本発明の特許請求の範囲に基づきなし得る同等の変化と修飾は、いずれも本発明の権利のカバーする範囲内に属するものとする。   The above description is only an example of the present invention, and does not limit the scope of the present invention. Any equivalent changes and modifications that can be made based on the scope of the claims of the present invention are all described in the present invention. Shall belong to the scope covered by the rights.

１ 基板
１１ 中心体
１３ 放熱フィン
１１１ チャネル
１１１１ 階段部
１１３ チャンバ
１１５ 凹部
１１５ａ 底面
１１５ｂ 内側壁面
３ 電気コネクタ
３１ 導線ロッド
３３ スリーブ
３３１ 凸部
５ 固定部品
６ 固定プラグ
７ 第１反射層
８ 発光素子
９ 導線
１０ レンズカバー
１００ 蛍光層
２００ シリコーン樹脂層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 11 Central body 13 Radiation fin 111 Channel 1111 Step part 113 Chamber 115 Recess 115a Bottom face 115b Inner wall surface 3 Electrical connector 31 Conductor rod 33 Sleeve 331 Convex part 5 Fixed component 6 Fixed plug 7 First reflective layer 8 Light emitting element 9 Conductor 10 Lens cover 100 Fluorescent layer 200 Silicone resin layer

Claims (12)

一体化多層式照明装置の製造方法において、
基板製造のステップ、このステップにおいて、該基板は中心体と複数の放熱フィンを包含し、これら放熱フィンと該中心体の中心部分を貫通するように二つのチャネルが設けられ、
該基板に対して加工処理を行うステップ、このステップにおいて、該加工処理は、該中心体の底部の中心部分に対してミリング処理を行ない、該中心体の中心部分に内向きに、収容空間を具えたチャンバを開設すること、及び、該中心体の上部にミリングと研磨処理を行ない、該中心体の上部に内向きに凹部を開設し、該凹部は底面と内側壁面を包含し、該内側壁面は斜面とし、該二つのチャネルの、該凹部に接近する位置に、それぞれミリングにより階段部を形成することを包含し、
二つの電気コネクタをそれぞれ該二つのチャネル中に取り付けるステップ、このステップにおいて、該電気コネクタは導線ロッドとスリーブで構成し、該スリーブは、該導線ロッドを通して固定するのに供し、該導線ロッドの両端はいずれも該スリーブ外に露出し、該スリーブの、該凹部に近い一端に、該階段部に対応する凸部が設けられ、該凸部は該階段部上に設置可能であるものとし、
該二つのチャネル中にそれぞれ少なくとも一つの固定部品を設置し、これにより、該二つの電気コネクタを該基板の中に固定するステップ、
該ブロックのエリアブロックに選択的に第１反射層をめっきするステップ、
複数の発光素子を、該底面上に設置するステップ、
導線を利用し、これら発光素子を該二つの電気コネクタの一端とワイヤボンディングするステップ、及び、
レンズカバーを該凹部の上に設置し、該レンズカバーで該基板を密封するステップ、
以上のステップを包含することを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法。 In the manufacturing method of the integrated multilayer lighting device,
In the substrate manufacturing step, in this step, the substrate includes a central body and a plurality of radiating fins, and two channels are provided so as to penetrate the radiating fins and the central portion of the central body.
A step of processing the substrate; in this step, the processing is performed by performing a milling process on the central portion of the bottom portion of the central body and inwardly holding the accommodation space in the central portion of the central body; Opening the prepared chamber, and performing milling and polishing on the upper part of the central body, opening a concave part inwardly on the upper part of the central body, the concave part including a bottom surface and an inner wall surface, The wall surface is a slope, and includes forming stepped portions by milling at positions of the two channels approaching the recess,
Mounting two electrical connectors in the two channels, respectively, wherein the electrical connector comprises a wire rod and a sleeve, the sleeve serving to be secured through the wire rod, at both ends of the wire rod Are exposed to the outside of the sleeve, and a convex portion corresponding to the step portion is provided at one end of the sleeve near the concave portion, and the convex portion can be installed on the step portion,
Installing at least one securing component in each of the two channels, thereby securing the two electrical connectors in the substrate;
Selectively plating a first reflective layer on an area block of the block;
Installing a plurality of light emitting elements on the bottom surface;
Wire-bonding these light emitting elements to one end of the two electrical connectors using a conductive wire; and
Installing a lens cover on the recess and sealing the substrate with the lens cover;
The manufacturing method of the integrated multilayer type illuminating device characterized by including the above step. 請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該基板は加圧技術と金属射出技術により形成されることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法。   2. The method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to claim 1, wherein the substrate is formed by a pressing technique and a metal injection technique. 請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該基板の材料は、アルミニウム、銅、及び炭素のうち少なくともいずれかとされることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法。   2. The method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to claim 1, wherein the material of the substrate is at least one of aluminum, copper, and carbon. . 請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該スリーブの材料は液晶ポリエステル樹脂とされることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法。   2. The method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to claim 1, wherein the sleeve is made of a liquid crystal polyester resin. 請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該二つのチャネルの、該チャンバに接近する開口は、さらに固定プラグで塞がれることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法。   2. The method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to claim 1, wherein the opening of the two channels approaching the chamber is further closed with a fixed plug. Production method. 請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該エリアブロックは該底面或いは該内側壁面、或いは該底面と該内側壁面の両者の、いずれかとされることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法。   2. The integrated multilayer lighting device manufacturing method according to claim 1, wherein the area block is either the bottom surface, the inner wall surface, or both the bottom surface and the inner wall surface. A method for manufacturing a multilayer lighting device. 請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該第１反射層の上にさらに第２反射層がメッキされることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法。   2. The method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to claim 1, wherein a second reflective layer is further plated on the first reflective layer. 請求項７記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該第１反射層及び該第２反射層の材料は、クロム及び銀の少なくともいずれかを使用することを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法。   8. The method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to claim 7, wherein a material of the first reflective layer and the second reflective layer uses at least one of chromium and silver. Manufacturing method of a lighting system. 請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該発光素子は発光ダイオードチップとされることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法。   2. The method for manufacturing an integrated multilayer illumination device according to claim 1, wherein the light emitting element is a light emitting diode chip. 請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該発光素子の上にさらに蛍光層及びシリコーン樹脂層が形成されることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法。   2. The method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to claim 1, wherein a fluorescent layer and a silicone resin layer are further formed on the light emitting element. 請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該導線は、金導線或いは銅導線の少なくともいずれかを使用することを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法。   2. The method for manufacturing an integrated multilayer lighting device according to claim 1, wherein the conducting wire uses at least one of a gold conducting wire and a copper conducting wire. 請求項１記載の一体化多層式照明装置の製造方法において、該導線ロッドの上部にボンディングパッドが設置され、該ボンディングパッドはこれら発光素子とのワイヤボンディングに使用されることを特徴とする、一体化多層式照明装置の製造方法。   2. The method for manufacturing an integrated multi-layer lighting device according to claim 1, wherein a bonding pad is installed on an upper portion of the conductive rod, and the bonding pad is used for wire bonding with these light emitting elements. Manufacturing method for a multi-layer lighting device.
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US7093958B2 (en) * 2002-04-09 2006-08-22 Osram Sylvania Inc. LED light source assembly
US20100177519A1 (en) * 2006-01-23 2010-07-15 Schlitz Daniel J Electro-hydrodynamic gas flow led cooling system
US20070279910A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 Gigno Technology Co., Ltd. Illumination device
US8471283B2 (en) * 2008-02-25 2013-06-25 Kabushiki Kaisha Toshiba White LED lamp, backlight, light emitting device, display device and illumination device
JP5472793B2 (en) * 2009-08-31 2014-04-16 東芝ライテック株式会社 Lighting device and lighting fixture

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