JP5362999B2 - Organic EL device and dibenzophosphole oxide derivative - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL device having high light-emission efficiency, a long life, and a low driving voltage. <P>SOLUTION: The organic EL device comprises an organic thin film layer. Furthermore, the organic thin film layer comprises a dibenzophosphole oxide derivative represented by general formula (I) (wherein, R<SP>1</SP>and R<SP>2</SP>are each a hydrogen atom, an aliphatic or an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group; a and b are each an integer of 1-4; L is a direct bond or a divalent group derived from a substituted or nonsubstituted aromatic hydrocarbon group, or an aromatic heterocyclic group; n is an integer of 1-4; Ar is a direct bond, a hydrogen atom or a mono- to a trivalent group derived from a substituted or nonsubstituted aromatic hydrocarbon group, or an aromatic heterocyclic group; and m is an integer of 1-3). <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子およびジベンゾホスホールオキシド誘導体に関する。本発明のジベンゾホスホールオキシド誘導体を用いることにより、有機EL素子の長寿命化および駆動電圧の改善を達成することができる。 The present invention relates to an organic EL (electroluminescence) elements and dibenzophosphol hole oxide induced body. The use of di-benzo phosphole oxide derivative of the present invention, it is possible to achieve improved long life and the driving voltage of the organic EL element.

発光物質として有機材料を用いた有機EL素子(「有機電界発光素子」ともいう)は、陽極から注入される正孔(ホール)と陰極から注入される電子が再結合して励起状態の分子(励起子)を形成し、その励起子が基底状態にもどる際にエネルギーを放出することにより発光する。   An organic EL element using an organic material as a light-emitting substance (also referred to as an “organic electroluminescent element”) is a molecule in an excited state by recombination of holes injected from an anode and electrons injected from a cathode. Excitons are formed, and when the excitons return to the ground state, energy is emitted to emit light.

1987年にイーストマン・コダック(Eastman Kodak)社のタン氏(C.W.Tang)らは、陽極と陰極との間に有機膜を積層した有機電界発光素子を発表し、低電圧駆動で高輝度の発光を実現した(C.W.Tangら,「Applied Physics Letters」,1987年,第51巻,p.913:非特許文献1)。   In 1987, Eastman Kodak's CWTang and others announced an organic electroluminescent device with an organic film stacked between an anode and a cathode, and emitted light with high brightness at low voltage. (CWTang et al., “Applied Physics Letters”, 1987, Vol. 51, p. 913: Non-Patent Document 1).

このタン氏らの発表以来、有機電界発光素子について、RGBの三原色の発光、輝度向上、安定性、積層構造、作製方法などの研究が盛んに行われている。現在では、有機電界発光素子は、携帯電話やカーオーディオ用のディスプレイとして一部実用化が始まっており、液晶ディスプレイに代わる次世代のフラット・ディスプレイとして有望視されている。   Since the announcement by Mr. Tan et al., Research has been actively conducted on organic electroluminescent devices, such as light emission of RGB three primary colors, luminance enhancement, stability, laminated structure, and manufacturing method. At present, organic electroluminescent devices have been partially put into practical use as displays for mobile phones and car audios, and are promising as next-generation flat displays to replace liquid crystal displays.

有機電界発光素子は、電子輸送材料が発光材料と組み合わせて用いられることが多い。
電子輸送材料は、陰極から注入された電子を効率よく発光層に輸送するために用いられ、また正孔を阻止するのにも役立っている。電子輸送材料としては、例えばオキサジアゾール誘導体や、緑色発光材料として広く用いられているAlq3(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)が用いられている。
In an organic electroluminescent element, an electron transport material is often used in combination with a light emitting material.
The electron transport material is used to efficiently transport electrons injected from the cathode to the light emitting layer, and also serves to block holes. As the electron transport material, for example, oxadiazole derivatives and Alq 3 (tris (8-hydroxyquinoline) aluminum) widely used as a green light emitting material are used.

特開2004−256468号公報(特許文献1)には、有機電界発光素子の構成材料として利用可能な、式:

Figure 0005362999
(式中、Rは水素原子または置換基を有していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキロキシ基、アルケニロキシ基、シクロアルケニロキシ基、アリール基、アラルキル基、アリーロキシ基、アラルキロキシ基もしくは複素環式基を示し、Arはアリール基または芳香族複素環式基を示す)で表される9−オキソ−9−ホスファフルオレン誘導体が開示されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-256468 (Patent Document 1) discloses a formula that can be used as a constituent material of an organic electroluminescent element:
Figure 0005362999
(In the formula, R represents a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, cycloalkoxy group, alkenyloxy group, cycloalkenyloxy group. A 9-oxo-9-phosphafluorene derivative represented by a group, an aryl group, an aralkyl group, an aryloxy group, an aralkyloxy group or a heterocyclic group, and Ar represents an aryl group or an aromatic heterocyclic group) It is disclosed.

また、特開2004−256469号公報(特許文献2)には、有機電界発光素子の構成材料として利用可能な、式:

Figure 0005362999
(式中、Rは水素原子または置換基を有していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキロキシ基、アルケニロキシ基、シクロアルケニロキシ基、アリール基、アラルキル基、アリーロキシ基、アラルキロキシ基もしくは複素環式基を示し、Thは置換基を有していてもよいチオフェンジイル基を示し、nは3以上の自然数を示す)で表される9−オキソ−9−ホスファフルオレン−2,7−ジイル基を主鎖に含む重合体が開示されている。
しかしながら、このような従来の電子輸送材料は、いまだ有機電界発光素子に用いた際の駆動電圧が高く、寿命特性も不十分であり改善が望まれている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-256469 (Patent Document 2) describes a formula that can be used as a constituent material of an organic electroluminescent element:
Figure 0005362999
(In the formula, R represents a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, cycloalkoxy group, alkenyloxy group, cycloalkenyloxy group. A group, an aryl group, an aralkyl group, an aryloxy group, an aralkyloxy group or a heterocyclic group, Th represents a thiophenediyl group which may have a substituent, and n represents a natural number of 3 or more) Polymers containing 9-oxo-9-phosphafluorene-2,7-diyl groups in the main chain are disclosed.
However, such a conventional electron transport material still has a high driving voltage when used in an organic electroluminescent device, has insufficient life characteristics, and is desired to be improved.

特開2004−256468号公報JP 2004-256468 A 特開2004−256469号公報JP 2004-256469 A C.W.Tangら,「Applied Physics Letters」,1987年,第51巻,p.913C.W.Tang et al., "Applied Physics Letters", 1987, 51, p.913.

本発明は、高発光効率で、長寿命でかつ低駆動電圧の有機EL素子を提供すること、さらには本発明の有機EL素子に用いられる電子輸送材料として特に好適なジベンゾホスホールオキシド誘導体を提供することを課題とする。   The present invention provides an organic EL device with high luminous efficiency, long life and low driving voltage, and further provides a dibenzophosphole oxide derivative particularly suitable as an electron transport material used in the organic EL device of the present invention. The task is to do.

本発明者らは、上記の課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、特定のジベンゾホスホールオキシド誘導体を電子輸送材料として用いることにより、高発光効率で、長寿命でかつ低駆動電圧の有機EL素子が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
本発明のジベンゾホスホール誘導体は、上記の公報に記載の材料と類似するものの、ホスファフルオレンの9位で架橋した構造を有しておらず異なる。
As a result of intensive research in order to solve the above problems, the present inventors have used a specific dibenzophosphole oxide derivative as an electron transporting material, thereby achieving high luminous efficiency, long life, and low driving voltage. The present inventors have found that an organic EL element can be obtained and have completed the present invention.
The dibenzophosphole derivative of the present invention is similar to the material described in the above publication, but is different because it does not have a structure crosslinked at the 9-position of phosphafluorene.

かくして、本発明によれば、陽極と陰極の間に少なくとも発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層が挟持された有機EL素子において、該有機薄膜層が一般式(I):   Thus, according to the present invention, in an organic EL device in which an organic thin film layer composed of one or more layers including at least a light emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode, the organic thin film layer has the general formula (I):

Figure 0005362999
Figure 0005362999

(式中、R1およびR2は、同一または異なって、水素原子、脂肪族もしくは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であり;aおよびbは、同一または異なって、1〜4の整数であり、aおよびbが2以上の整数であるとき、複数のR1およびR2は同一または異なっていてもよく;
Lは、結合手または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基から誘導される2価の基であり;nは1〜4の整数であり、nが2以上の整数であるとき、複数のLは同一または異なっていてもよく;
Arは、結合手、水素原子または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基から誘導される1〜3価の基であり;mは1〜3の整数であり、mが2以上の整数であるとき、複数のLは同一または異なっていてもよい)
で表わされるジベンゾホスホールオキシド誘導体を含有することを特徴とする有機EL素子が提供される。
(Wherein R 1 and R 2 are the same or different and are a hydrogen atom, an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group; a and b are the same or different and each represents 1 to 4 A plurality of R 1 and R 2 may be the same or different when a and b are integers greater than or equal to 2 ;
L is a divalent group derived from a bond or a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group or aromatic heterocyclic group; n is an integer of 1 to 4, and n is an integer of 2 or more. In some instances, multiple Ls may be the same or different;
Ar is a 1-3 valent group derived from a bond, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group; m is an integer of 1 to 3, and m is A plurality of Ls may be the same or different when they are integers of 2 or more)
The organic EL element characterized by containing the dibenzophosphole oxide derivative represented by these is provided.

また、本発明によれば、一般式(I)で表わされることを特徴とするジベンゾホスホールオキシド誘導体が提供される。   Moreover, according to this invention, the dibenzophosphole oxide derivative characterized by represented by general formula (I) is provided.

さらに、本発明によれば、
金属触媒および/または塩基の存在下で、アリールハライドと9−ヒドロ−ジベンゾホスホールおよび/または9−ヒドロ−ジベンゾホスホールオキシドとを溶媒中で反応させ、次いで得られた反応生成物のリン原子を酸化剤で酸化させて、上記の一般式(I)のジベンゾホスホールオキシド誘導体を得ることを特徴とするジベンゾホスホールオキシド誘導体の製造方法、および
9−クロロ−ジベンゾホスホールオキシドとアリールリチウムまたはアリールグリニャール試薬とを溶媒中で反応させて、上記の一般式(I)のジベンゾホスホールオキシド誘導体を得ることを特徴とするジベンゾホスホールオキシド誘導体の製造方法
が提供される。
Furthermore, according to the present invention,
In the presence of a metal catalyst and / or a base, an aryl halide and 9-hydro-dibenzophosphole and / or 9-hydro-dibenzophosphole oxide are reacted in a solvent, and then the phosphorus atom of the resulting reaction product Is oxidized with an oxidizing agent to obtain a dibenzophosphole oxide derivative of the above general formula (I), and a method for producing a dibenzophosphole oxide derivative, and 9-chloro-dibenzophosphole oxide and aryllithium or There is provided a process for producing a dibenzophosphole oxide derivative characterized by reacting an aryl Grignard reagent with a solvent in a solvent to obtain the dibenzophosphole oxide derivative of the above general formula (I).

本発明によれば、高発光効率で、長寿命でかつ低駆動電圧の有機EL素子を提供すること、さらには本発明の有機EL素子に用いられる電子輸送材料として特に好適なジベンゾホスホールオキシド誘導体を提供することができる。   According to the present invention, a dibenzophosphole oxide derivative that is particularly suitable as an electron transport material for use in the organic EL device of the present invention is provided that provides an organic EL device with high luminous efficiency, long life, and low driving voltage. Can be provided.

本発明の有機EL素子は、陽極と陰極の間に少なくとも発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層が挟持された有機EL素子であり、該有機薄膜層が一般式(I)で表わされるジベンゾホスホールオキシド誘導体を含有することを特徴とする。   The organic EL device of the present invention is an organic EL device in which an organic thin film layer composed of one or more layers including at least a light emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode, and the organic thin film layer is represented by the general formula (I). A dibenzophosphole oxide derivative.

一般式(I)におけるR1およびR2は、同一または異なって、水素原子、脂肪族もしくは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である。 R 1 and R 2 in the general formula (I) are the same or different and each represents a hydrogen atom, an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.

「脂肪族炭化水素基」としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基などの炭素数1〜10のアルキル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基など炭素数3〜10のシクロアルキル基が挙げられる。   Examples of the “aliphatic hydrocarbon group” include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group, and n-hexyl. Group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group and other alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, 4-methylcyclohexyl group Cycloalkyl groups having 3 to 10 carbon atoms such as 1-adamantyl group, 2-adamantyl group, 1-norbornyl group and 2-norbornyl group.

「芳香族炭化水素基」としては、例えば、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−テルフェニル−4−イル基、p−テルフェニル−3−イル基、p−テルフェニル−2−イル基、m−テルフェニル−4−イル基、m−テルフェニル−3−イル基、m−テルフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−テルフェニル−4−イル基などが挙げられる。   Examples of the “aromatic hydrocarbon group” include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group, 2-biphenylyl group 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, p-terphenyl-4-yl group, p-terphenyl-3-yl group, p-terphenyl-2-yl group, m-terphenyl-4- Yl group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, pt-butylphenyl group p- (2-phenylpropyl) phenyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, 4-methyl-1-anthryl group, 4′-methylbiphenylyl group, 4 ″ -t And -butyl-p-terphenyl-4-yl group.

これらの中でも、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−(10−フェニル)アントリル基、9−(10−ナフチル−1−イル)アントリル基、9−(10−ナフチル−2−イル)アントリル基、9−フェナントリル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基が特に好ましい。   Among these, phenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 9- (10-phenyl) anthryl, 9- (10-naphthyl-1-yl) anthryl, 9- (10-naphthyl-2-) Yl) anthryl group, 9-phenanthryl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group, 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, o-tolyl group, m- A tolyl group, p-tolyl group, and pt-butylphenyl group are particularly preferred.

「芳香族複素環基」としては、例えば、
1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、
ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、
1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、
1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、
As the “aromatic heterocyclic group”, for example,
1-pyrrolyl group, 2-pyrrolyl group, 3-pyrrolyl group,
Pyrazinyl group, 2-pyridinyl group, 3-pyridinyl group, 4-pyridinyl group,
1-indolyl group, 2-indolyl group, 3-indolyl group, 4-indolyl group, 5-indolyl group, 6-indolyl group, 7-indolyl group,
1-isoindolyl group, 2-isoindolyl group, 3-isoindolyl group, 4-isoindolyl group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 7-isoindolyl group,

2−フリル基、3−フリル基、
2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、
1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、
2-furyl group, 3-furyl group,
2-benzofuranyl group, 3-benzofuranyl group, 4-benzofuranyl group, 5-benzofuranyl group, 6-benzofuranyl group, 7-benzofuranyl group,
1-isobenzofuranyl group, 3-isobenzofuranyl group, 4-isobenzofuranyl group, 5-isobenzofuranyl group, 6-isobenzofuranyl group, 7-isobenzofuranyl group,

2−キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、
1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、
2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、
2-quinolyl group, 3-quinolyl group, 4-quinolyl group, 5-quinolyl group, 6-quinolyl group, 7-quinolyl group, 8-quinolyl group,
1-isoquinolyl group, 3-isoquinolyl group, 4-isoquinolyl group, 5-isoquinolyl group, 6-isoquinolyl group, 7-isoquinolyl group, 8-isoquinolyl group,
2-quinoxalinyl group, 5-quinoxalinyl group, 6-quinoxalinyl group,

1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、
1−フェナントリジニル基、2−フェナントリジニル基、3−フェナントリジニル基、4−フェナントリジニル基、6−フェナントリジニル基、7−フェナントリジニル基、8−フェナントリジニル基、9−フェナントリジニル基、10−フェナントリジニル基、
1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、
1-carbazolyl group, 2-carbazolyl group, 3-carbazolyl group, 4-carbazolyl group, 9-carbazolyl group,
1-phenanthridinyl group, 2-phenanthridinyl group, 3-phenanthridinyl group, 4-phenanthridinyl group, 6-phenanthridinyl group, 7-phenanthridinyl group, 8- Phenanthridinyl group, 9-phenanthridinyl group, 10-phenanthridinyl group,
1-acridinyl group, 2-acridinyl group, 3-acridinyl group, 4-acridinyl group, 9-acridinyl group,

1,7−フェナントロリン−2−イル基、1,7−フェナントロリン−3−イル基、1,7−フェナントロリン−4−イル基、1,7−フェナントロリン−5−イル基、1,7−フェナントロリン−6−イル基、1,7−フェナントロリン−8−イル基、1,7−フェナントロリン−9−イル基、1,7−フェナントロリン−10−イル基、
1,8−フェナントロリン−2−イル基、1,8−フェナントロリン−3−イル基、1,8−フェナントロリン−4−イル基、1,8−フェナントロリン−5−イル基、1,8−フェナントロリン−6−イル基、1,8−フェナントロリン−7−イル基、1,8−フェナントロリン−9−イル基、1,8−フェナントロリン−10−イル基、
1,7-phenanthroline-2-yl group, 1,7-phenanthroline-3-yl group, 1,7-phenanthroline-4-yl group, 1,7-phenanthroline-5-yl group, 1,7-phenanthroline- 6-yl group, 1,7-phenanthroline-8-yl group, 1,7-phenanthroline-9-yl group, 1,7-phenanthroline-10-yl group,
1,8-phenanthroline-2-yl group, 1,8-phenanthroline-3-yl group, 1,8-phenanthroline-4-yl group, 1,8-phenanthroline-5-yl group, 1,8-phenanthroline- 6-yl group, 1,8-phenanthroline-7-yl group, 1,8-phenanthroline-9-yl group, 1,8-phenanthroline-10-yl group,

1,9−フェナントロリン−2−イル基、1,9−フェナントロリン−3−イル基、1,9−フェナントロリン−4−イル基、1,9−フェナントロリン−5−イル基、1,9−フェナントロリン−6−イル基、1,9−フェナントロリン−7−イル基、1,9−フェナントロリン−8−イル基、1,9−フェナントロリン−10−イル基、
1,10−フェナントロリン−2−イル基、1,10−フェナントロリン−3−イル基、1,10−フェナントロリン−4−イル基、1,10−フェナントロリン−5−イル基、
1,9-phenanthroline-2-yl group, 1,9-phenanthroline-3-yl group, 1,9-phenanthroline-4-yl group, 1,9-phenanthroline-5-yl group, 1,9-phenanthroline- 6-yl group, 1,9-phenanthroline-7-yl group, 1,9-phenanthroline-8-yl group, 1,9-phenanthroline-10-yl group,
1,10-phenanthrolin-2-yl group, 1,10-phenanthroline-3-yl group, 1,10-phenanthroline-4-yl group, 1,10-phenanthroline-5-yl group,

2,9−フェナントロリン−1−イル基、2,9−フェナントロリン−3−イル基、2,9−フェナントロリン−4−イル基、2,9−フェナントロリン−5−イル基、2,9−フェナントロリン−6−イル基、2,9−フェナントロリン−7−イル基、2,9−フェナントロリン−8−イル基、2,9−フェナントロリン−10−イル基、
2,8−フェナントロリン−1−イル基、2,8−フェナントロリン−3−イル基、2,8−フェナントロリン−4−イル基、2,8−フェナントロリン−5−イル基、2,8−フェナントロリン−6−イル基、2,8−フェナントロリン−7−イル基、2,8−フェナントロリン−9−イル基、2,8−フェナントロリン−10−イル基、
2,9-phenanthroline-1-yl group, 2,9-phenanthroline-3-yl group, 2,9-phenanthroline-4-yl group, 2,9-phenanthroline-5-yl group, 2,9-phenanthroline- 6-yl group, 2,9-phenanthroline-7-yl group, 2,9-phenanthroline-8-yl group, 2,9-phenanthroline-10-yl group,
2,8-phenanthroline-1-yl group, 2,8-phenanthroline-3-yl group, 2,8-phenanthroline-4-yl group, 2,8-phenanthroline-5-yl group, 2,8-phenanthroline- 6-yl group, 2,8-phenanthroline-7-yl group, 2,8-phenanthroline-9-yl group, 2,8-phenanthroline-10-yl group,

2,7−フェナントロリン−1−イル基、2,7−フェナントロリン−3−イル基、2,7−フェナントロリン−4−イル基、2,7−フェナントロリン−5−イル基、2,7−フェナントロリン−6−イル基、2,7−フェナントロリン−8−イル基、2,7−フェナントロリン−9−イル基、2,7−フェナントロリン−10−イル基、
1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、10−フェノチアジニル基、
1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、10−フェノキサジニル基、
2,7-phenanthroline-1-yl group, 2,7-phenanthroline-3-yl group, 2,7-phenanthroline-4-yl group, 2,7-phenanthroline-5-yl group, 2,7-phenanthroline- 6-yl group, 2,7-phenanthroline-8-yl group, 2,7-phenanthroline-9-yl group, 2,7-phenanthroline-10-yl group,
1-phenazinyl group, 2-phenazinyl group, 1-phenothiazinyl group, 2-phenothiazinyl group, 3-phenothiazinyl group, 4-phenothiazinyl group, 10-phenothiazinyl group,
1-phenoxazinyl group, 2-phenoxazinyl group, 3-phenoxazinyl group, 4-phenoxazinyl group, 10-phenoxazinyl group,

2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、
2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、
3−フラザニル基、
2−チエニル基、3−チエニル基、
ジベンゾチオフェン−3−イル基、ジベンゾチオフェンジオキサイド−3−イル基、
2-oxazolyl group, 4-oxazolyl group, 5-oxazolyl group,
2-oxadiazolyl group, 5-oxadiazolyl group,
3-furazanyl group,
2-thienyl group, 3-thienyl group,
Dibenzothiophen-3-yl group, dibenzothiophendiox-3-yl group,

2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、
3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、
2−t−ブチルピロール−4−イル基、
3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、
2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、
2−t−ブチル−1−インドリル基、4−t−ブチル−1−インドリル基、2−t−ブチル−3−インドリル基、4−t−ブチル−3−インドリル基
5−オキソ−ベンゾホスホリル−2−イル基、5−オキソ−ベンゾホスホリル−3−イル基、5−オキソ−ベンゾホスホリル−4−イル基
などが挙げられる。
2-methylpyrrol-1-yl group, 2-methylpyrrol-3-yl group, 2-methylpyrrol-4-yl group, 2-methylpyrrol-5-yl group,
3-methylpyrrol-1-yl group, 3-methylpyrrol-2-yl group, 3-methylpyrrol-4-yl group, 3-methylpyrrol-5-yl group,
2-t-butylpyrrol-4-yl group,
3- (2-phenylpropyl) pyrrol-1-yl group,
2-methyl-1-indolyl group, 4-methyl-1-indolyl group, 2-methyl-3-indolyl group, 4-methyl-3-indolyl group,
2-t-butyl-1-indolyl group, 4-t-butyl-1-indolyl group, 2-t-butyl-3-indolyl group, 4-t-butyl-3-indolyl group 5-oxo-benzophosphoryl- Examples include 2-yl group, 5-oxo-benzophosphoryl-3-yl group, and 5-oxo-benzophosphoryl-4-yl group.

aおよびbは、同一または異なって、1〜4の整数であり、aおよびbが2以上の整数であるとき、複数のR1およびR2は同一または異なっていてもよい。 a and b are the same or different and are an integer of 1 to 4, and when a and b are an integer of 2 or more, a plurality of R 1 and R 2 may be the same or different.

Lは、結合手または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基から誘導される2価の基である。   L is a divalent group derived from a bond or a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group or aromatic heterocyclic group.

「芳香族炭化水素基から誘導される2価の基」としては、前記「芳香族炭化水素基」からさらに水素原子1個を取り除いて生ずる2価基が挙げられる。
これらの中でも、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、クリセン、ピレンなどから生ずる2価基が特に好ましい。
Examples of the “divalent group derived from an aromatic hydrocarbon group” include a divalent group generated by further removing one hydrogen atom from the “aromatic hydrocarbon group”.
Of these, divalent groups derived from benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, naphthacene, chrysene, pyrene, and the like are particularly preferable.

「芳香族複素環基から誘導される2価の基」としては、前記「芳香族複素環基」からさらに水素原子1個を取り除いて生ずる2価基が挙げられ、その置換基も前記置換基と同様のものが挙げられる。
これらの中でも、ピロール、ピリジン、インドール、イソインドール、キノリン、カルバゾール、フェナントロリン、チオフェン、フラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェンジオキサイド、ベンゾフラン、ベンゾイミダゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフランなどから生ずる2価基が特に好ましい。例えば、ジベンゾチオフェン−3,6−ジイル基、ジベンゾチオフェンジオキサイド−3,6−ジイル基などが挙げられる。
「芳香族複素環基から誘導される2価の基」としては、置換もしくは無置換のフルオレニレン基、カルバゾリレン基および置換もしくは無置換の5−オキソ−ジベンゾホスホレニル基が特に好ましい。
Examples of the “divalent group derived from an aromatic heterocyclic group” include a divalent group formed by further removing one hydrogen atom from the “aromatic heterocyclic group”, and the substituent is also the above substituent. The same thing is mentioned.
Among these, divalent groups generated from pyrrole, pyridine, indole, isoindole, quinoline, carbazole, phenanthroline, thiophene, furan, benzothiophene, dibenzothiophene, dibenzothiophene dioxide, benzofuran, benzimidazole, dibenzothiophene, dibenzofuran, etc. Particularly preferred. Examples thereof include a dibenzothiophene-3,6-diyl group and a dibenzothiophene dioxide-3,6-diyl group.
As the “divalent group derived from an aromatic heterocyclic group”, a substituted or unsubstituted fluorenylene group, a carbazolylene group and a substituted or unsubstituted 5-oxo-dibenzophosphorenyl group are particularly preferable.

芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基から誘導される2価の基は、置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基およびアリール基などが挙げられる。   The divalent group derived from an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group may have a substituent, and examples of such a substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, and a cyano group. , A nitro group, an amino group and an aryl group.

nは1〜4の整数であり、nが2以上の整数であるとき、複数のLは同一または異なっていてもよい。   n is an integer of 1 to 4, and when n is an integer of 2 or more, the plurality of L may be the same or different.

Arは、結合手、水素原子または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基から誘導される1〜3価の基である。
「芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基から誘導される1〜2価の基」としては、それぞれ前記「芳香族炭化水素基」、「芳香族炭化水素基から誘導される2価の基」、「芳香族複素環基」および「芳香族複素環基から誘導される2価の基」が挙げられる。
「芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基から誘導される3価の基」としては、それぞれ前記「芳香族炭化水素基から誘導される2価の基」および「芳香族複素環基から誘導される2価の基」からさらに水素原子1個を取り除いて生ずる「芳香族炭化水素基から誘導される3価の基」および「芳香族複素環基から誘導される3価の基」が挙げられる。
また、それらの好ましい例も同様であり、それらの置換基も前記置換基と同様のものが挙げられる。
Ar is a 1-3 valent group derived from a bond, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.
Examples of the “1- to 2-valent group derived from an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group” include the above-mentioned “aromatic hydrocarbon group” and “divalent group derived from an aromatic hydrocarbon group”. , “Aromatic heterocyclic group” and “divalent group derived from aromatic heterocyclic group”.
As the “trivalent group derived from an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group”, the “divalent group derived from an aromatic hydrocarbon group” and “derived from an aromatic heterocyclic group”, respectively. And “trivalent group derived from an aromatic hydrocarbon group” and “trivalent group derived from an aromatic heterocyclic group” generated by removing one hydrogen atom from the “divalent group”. It is done.
Moreover, those preferable examples are also the same, and those substituents are also the same as those described above.

mは1〜3の整数であり、mが2以上の整数であるとき、複数のLは同一または異なっていてもよい。   m is an integer of 1 to 3, and when m is an integer of 2 or more, the plurality of L may be the same or different.

一般式(I)で表されるジベンゾホスホールオキシド誘導体は、副式(II)〜(V)で表されるものが好ましい。
副式(II):

Figure 0005362999
(式中、R1、R2、a、b、Lおよびnは、一般式(I)における定義と同義であり;Ar1は、水素原子または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基もしくは芳香族複素環基から誘導される1価の基である) The dibenzophosphole oxide derivatives represented by the general formula (I) are preferably those represented by the sub-formulas (II) to (V).
Sub-formula (II):
Figure 0005362999
Wherein R 1 , R 2 , a, b, L and n are as defined in general formula (I); Ar 1 is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group or A monovalent group derived from an aromatic heterocyclic group)

副式(III):

Figure 0005362999
(式中、R1〜R4およびa〜dは、それぞれ一般式(I)におけるR1およびR2ならびにaおよびbの定義と同義であり;Lおよびnは、一般式(I)における定義と同義である) Sub-formula (III):
Figure 0005362999
Wherein R 1 to R 4 and a to d have the same definitions as R 1 and R 2 and a and b in the general formula (I), respectively; L and n are the definitions in the general formula (I) Is synonymous with

副式(IV):

Figure 0005362999
(式中、R1〜R6およびa〜fは、それぞれ一般式(I)におけるR1およびR2ならびにaおよびbの定義と同義であり;Lは、一般式(I)における定義と同義であり;q、rおよびsは、同一または異なって、一般式(I)におけるnの定義と同義であり;Ar2は、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基もしくは芳香族複素環基から誘導される3価の基である) Sub-formula (IV):
Figure 0005362999
Wherein R 1 to R 6 and a to f have the same definitions as R 1 and R 2 and a and b in the general formula (I), respectively; L represents the same as the definition in the general formula (I). Q, r and s are the same or different and have the same definition as n in formula (I); Ar 2 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group or aromatic heterocyclic group Is a trivalent group derived from

副式(V):

Figure 0005362999
(式中、R1〜R6およびa〜fは、それぞれ一般式(I)におけるR1およびR2ならびにaおよびbの定義と同義であり;Ar2は、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基もしくは芳香族複素環基から誘導される3価の基である) Sub-formula (V):
Figure 0005362999
Wherein R 1 to R 6 and a to f have the same definitions as R 1 and R 2 and a and b in the general formula (I), respectively; Ar 2 represents a substituted or unsubstituted aromatic carbonization (It is a trivalent group derived from a hydrogen ring group or an aromatic heterocyclic group.)

一般式(I)で表されるジベンゾホスホールオキシド誘導体は、
副式(II)の化合物:

Figure 0005362999
The dibenzophosphole oxide derivative represented by the general formula (I) is:
Compound of sub-formula (II):
Figure 0005362999

副式(III)の化合物:

Figure 0005362999
Compound of sub-formula (III):
Figure 0005362999

Figure 0005362999
Figure 0005362999

Figure 0005362999
Figure 0005362999

副式(IV)の化合物:

Figure 0005362999
Compound of sub-formula (IV):
Figure 0005362999

副式(V)の化合物:

Figure 0005362999
から選択される化合物が好ましい。 Compound of sub-formula (V):
Figure 0005362999
A compound selected from is preferred.

これらの中でも、

Figure 0005362999
から選択される化合物が特に好ましい。 Among these,
Figure 0005362999
A compound selected from is particularly preferred.

本発明のジベンゾホスホール誘導体は、例えば、次の2つの方法により合成することができる。   The dibenzophosphole derivative of the present invention can be synthesized, for example, by the following two methods.

(方法1)
金属触媒(縮合触媒)および/または塩基の存在下で、アリールハライドと9−ヒドロ−ジベンゾホスホールおよび/または9−ヒドロ−ジベンゾホスホールオキシドとを溶媒中で反応(縮合、すなわち脱ハロゲン化水素反応)させ、次いで得られた反応生成物のリン原子を酸化剤で酸化させて、上記の一般式(I)または(Ia)のジベンゾホスホールオキシド誘導体を得る。
(Method 1)
Reaction of aryl halides with 9-hydro-dibenzophosphole and / or 9-hydro-dibenzophosphole oxide in a solvent (condensation, ie dehydrohalogenation) in the presence of a metal catalyst (condensation catalyst) and / or a base Reaction), and then the phosphorus atom of the reaction product obtained is oxidized with an oxidizing agent to obtain the dibenzophosphole oxide derivative of the above general formula (I) or (Ia).

Figure 0005362999
Figure 0005362999

Figure 0005362999
Figure 0005362999

(方法2)
5−クロロ−ジベンゾホスホールオキシドとアリールリチウムまたはアリールグリニャール試薬とを溶媒中で反応させて、上記の一般式(I)または(Ia)のジベンゾホスホールオキシド誘導体を得る。

Figure 0005362999
(Method 2)
5-Chloro-dibenzophosphole oxide and an aryl lithium or aryl Grignard reagent are reacted in a solvent to obtain the dibenzophosphole oxide derivative of the above general formula (I) or (Ia).
Figure 0005362999

方法1について説明する。
金属触媒および/または塩基の存在下で、アリールハライドと9−ヒドロ−ジベンゾホスホールとを溶媒中で反応させ、次いで得られた反応生成物のリン原子を酸化剤で酸化させて、本発明のジベンゾホスホールオキシド誘導体を得る。
9−ヒドロ−ジベンゾホスホールは、例えば、E. H. Braye, I. Caplier and R. Saussez, Tetrahedron, 27, 5523 (1971)(文献1)に記載の方法により得ることができる。
9−ヒドロ−ジベンゾホスホールは、アリールハライドのハライド原子に対して1〜4モル等量使用するのが好ましい。
The method 1 will be described.
In the presence of a metal catalyst and / or a base, an aryl halide and 9-hydro-dibenzophosphole are reacted in a solvent, and then the phosphorus atom of the resulting reaction product is oxidized with an oxidizing agent to produce the present invention. A dibenzophosphole oxide derivative is obtained.
9-hydro-dibenzophosphole can be obtained, for example, by the method described in EH Braye, I. Caplier and R. Saussez, Tetrahedron, 27, 5523 (1971) (Reference 1).
It is preferable to use 1 to 4 mole equivalent of 9-hydro-dibenzophosphole with respect to the halide atom of aryl halide.

溶媒としては、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミド(DMA)、テトラヒドロフラン(THF)、ジメチルジオキサン、ピリジン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの極性有機溶媒が挙げられ、これらの中でも収率の点で、DMSOおよびDMAが特に好ましい。   Examples of the solvent include polar organic solvents such as dimethyl sulfoxide (DMSO), dimethylformamide (DMF), dimethylacetamide (DMA), tetrahydrofuran (THF), dimethyldioxane, pyridine, benzene, toluene, and xylene. DMSO and DMA are particularly preferred in terms of rate.

金属触媒としては、例えば、酢酸パラジウム[Pd(OAc)2]、酢酸ニッケル[Ni(OAc)2]、およびPd(OAc)2−1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン[dppp]、Pd(OAc)2−1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン[dppe]、Pd(OAc)2−1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン[dppb]、Ni(OAc)2−dppe、Ni(OAc)2−dpppのような白金族元素とビスホスフィノアルカンとの錯化合物が挙げられ、これらの中でも収率の点で、Pd(OAc)2、Pd(OAc)2−dpppおよびPd(OAc)2−dppbが特に好ましい。
触媒の使用量は、アリールハライドのハライド原子の1モルに対して0.005〜0.1モル程度である。
Examples of the metal catalyst include palladium acetate [Pd (OAc) 2 ], nickel acetate [Ni (OAc) 2 ], and Pd (OAc) 2 -1,3-bis (diphenylphosphino) propane [dppp], Pd (OAc) 2-1,2-bis (diphenylphosphino) ethane [dppe], Pd (OAc) 2 -1,4- bis (diphenylphosphino) butane [dppb], Ni (OAc) 2 -dppe, Ni Examples include complex compounds of platinum group elements such as (OAc) 2 -dppp and bisphosphinoalkanes, and among these, Pd (OAc) 2 , Pd (OAc) 2 -dppp and Pd ( OAc) 2 -dppb is particularly preferred.
The usage-amount of a catalyst is about 0.005-0.1 mol with respect to 1 mol of the halide atom of an aryl halide.

塩基は、縮合により生成されるハロゲン化水素を捕捉する機能を有する。
このような塩基としては、例えば、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミンなどのトリアルキルアミンやN−エチルジイソプロピルアミン[edpa]のような脂肪族第3級アミンやピリジン、N,N−ジメチルアミノピリジン[DMAP]のような芳香族第3級アミン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7のような強塩基、が挙げられ、これらの中でも沸点の点で、edpaおよびDMAPが特に好ましい。
塩基の使用量は、生成するハロゲン化水素の理論量を捕捉するに十分な量、すなわちアリールハライドのハライド原子の1モルに対して、1.0〜5.0モル程度である。
The base has a function of capturing hydrogen halide generated by condensation.
Examples of such a base include trialkylamines such as triethylamine, tripropylamine, and tributylamine, aliphatic tertiary amines such as N-ethyldiisopropylamine [edpa], pyridine, and N, N-dimethylaminopyridine. Aromatic tertiary amines such as [DMAP] and strong bases such as 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7. Among these, edpa and DMAP are preferred in terms of boiling point. Particularly preferred.
The amount of the base used is about 1.0 to 5.0 mol with respect to an amount sufficient to capture the theoretical amount of the generated hydrogen halide, that is, 1 mol of the halide atom of the aryl halide.

方法1の反応における反応温度は、60〜180℃が好ましく、80〜150℃がより好ましい。
また、反応時間は、反応温度などの条件にもよるが、通常、1〜48時間程度で十分である。
次いで得られた反応生成物のリン原子を酸化剤で酸化することにより、ジベンゾホスホールオキシド誘導体を得る。
酸化剤としては、当該技術分野で公知の酸化剤を用いることができ、例えば、過酸化水素、空気、メタクロロ安息香酸、クメンヒドロパーオキシドなどが好適に用いられる。
60-180 degreeC is preferable and, as for the reaction temperature in reaction of the method 1, 80-150 degreeC is more preferable.
The reaction time is usually about 1 to 48 hours, although it depends on conditions such as the reaction temperature.
Subsequently, the phosphorous atom of the obtained reaction product is oxidized with an oxidizing agent to obtain a dibenzophosphole oxide derivative.
As the oxidizing agent, an oxidizing agent known in the art can be used. For example, hydrogen peroxide, air, metachlorobenzoic acid, cumene hydroperoxide and the like are preferably used.

また、金属触媒および/または塩基の存在下で、アリールハライドと9−ヒドロ−ジベンゾホスホールオキシドとを溶媒中で反応させて、本発明のジベンゾホスホールオキシド誘導体を得る。条件は上記と同様である。
9−ヒドロ−ジベンゾホスホールオキシドは、例えば、9−ヒドロ−ジベンゾホスホールを過酸化水素により酸化させることにより得られる。
Alternatively, an aryl halide and 9-hydro-dibenzophosphole oxide are reacted in a solvent in the presence of a metal catalyst and / or a base to obtain the dibenzophosphole oxide derivative of the present invention. The conditions are the same as above.
9-hydro-dibenzophosphole oxide is obtained, for example, by oxidizing 9-hydro-dibenzophosphole with hydrogen peroxide.

さらに、金属触媒および/または塩基の存在下で、アリールハライドと、9−ヒドロ−ジベンゾホスホールと9−ヒドロ−ジベンゾホスホールオキシドの混合物とを溶媒中で反応させ、次いで得られた反応生成物のリン原子を酸化剤で酸化させて、本発明のジベンゾホスホールオキシド誘導体を得る。条件は上記と同様である。   Furthermore, in the presence of a metal catalyst and / or a base, an aryl halide and a mixture of 9-hydro-dibenzophosphole and 9-hydro-dibenzophosphole oxide are reacted in a solvent, and then the obtained reaction product Are oxidized with an oxidizing agent to obtain the dibenzophosphole oxide derivative of the present invention. The conditions are the same as above.

方法2について説明する。
9−クロロ−ジベンゾホスホールオキシドとアリールリチウムまたはアリールグリニャール試薬とを溶媒中で反応させて、本発明のジベンゾホスホールオキシド誘導体を得る。
9−ヒドロキシジベンゾホスホールオキシドは、例えば、S. Jhon, L. R. H. Cornforth and R. T. Gray, J. Chem. Soc., Perkin trans I, 2289 (1982)(文献2)に記載の方法により得ることができる。
9−クロロ−ジベンゾホスホールオキシドは、例えば、9−ヒドロキシジベンゾホスホールオキシドを1〜100モル等量の塩化チオニル中で0.5〜24時間還流し、その反応液をロータリーエバポレーターで濃縮し、さらに真空乾燥することにより得ることができる。
Method 2 will be described.
9-Chloro-dibenzophosphole oxide is reacted with aryllithium or aryl Grignard reagent in a solvent to give the dibenzophosphole oxide derivative of the present invention.
9-hydroxydibenzophosphole oxide can be obtained, for example, by the method described in S. Jhon, LRH Cornforth and RT Gray, J. Chem. Soc., Perkin trans I, 2289 (1982) (Reference 2).
9-chloro-dibenzophosphole oxide is, for example, 9-hydroxydibenzophosphole oxide is refluxed in 1 to 100 molar equivalents of thionyl chloride for 0.5 to 24 hours, and the reaction solution is concentrated on a rotary evaporator. Further, it can be obtained by vacuum drying.

溶媒としては、脱水したテトラヒドロフラン(THF)、ジエチルエーテル、ベンゼン、トルエン、ジメチルホルムアミド(DMF)などが挙げられ、これらの中でも収率の点で、THFおよびジエチルエーテルが特に好ましい。   Examples of the solvent include dehydrated tetrahydrofuran (THF), diethyl ether, benzene, toluene, dimethylformamide (DMF), and the like. Among these, THF and diethyl ether are particularly preferable in terms of yield.

アリールリチウムとしては、例えば、(ビフェニル−4,4’−ジイル)ジリチウム、(ビフェニル−4−イル)リチウムなどが挙げられる。
アリールリチウムの使用量は、9−クロロ−ジベンゾホスホールオキシドの1モルに対して0.5〜2モル程度である。
Examples of aryllithium include (biphenyl-4,4′-diyl) dilithium and (biphenyl-4-yl) lithium.
The amount of aryllithium used is about 0.5 to 2 moles per mole of 9-chloro-dibenzophosphole oxide.

アリールグリニャール試薬としては、例えば、(ビフェニル−4−イル)マグネシウムブロマイド、1−ナフチルマグネシウムブロマイドなどが挙げられる。
アリールグリニャール試薬の使用量は、9−クロロ−ジベンゾホスホールオキシドの1モルに対して0.5〜2モル程度である。
Examples of the aryl Grignard reagent include (biphenyl-4-yl) magnesium bromide and 1-naphthylmagnesium bromide.
The usage-amount of an aryl Grignard reagent is about 0.5-2 mol with respect to 1 mol of 9-chloro- dibenzophosphole oxide.

方法2の反応における反応温度は、−100〜100℃が好ましく、−80〜80℃がより好ましい。
また、反応時間は、反応温度などの条件にもよるが、通常、0.5〜24時間程度で十分である。
The reaction temperature in the reaction of Method 2 is preferably -100 to 100 ° C, more preferably -80 to 80 ° C.
Moreover, although reaction time is based also on conditions, such as reaction temperature, about 0.5 to 24 hours are sufficient normally.

本発明の有機EL素子について説明する。
本発明の有機EL素子は、陽極と陰極の間に少なくとも発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層が挟持された有機EL素子であり、該有機薄膜層の少なくとも1層が一般式(I)で表わされるジベンゾホスホールオキシド誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する。
本発明の有機EL素子は、発光層が、本発明のジベンゾホスホールオキシド誘導体を主成分として含有するのが好ましい。
また、本発明の有機EL素子は、発光層が、本発明のジベンゾホスホールオキシド誘導体を電子輸送材料として含有するのが好ましい。
The organic EL element of the present invention will be described.
The organic EL device of the present invention is an organic EL device in which an organic thin film layer composed of one or more layers including at least a light emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode, and at least one layer of the organic thin film layer is represented by the general formula ( The dibenzophosphole oxide derivative represented by I) is contained alone or as a component of a mixture.
In the organic EL device of the present invention, the light emitting layer preferably contains the dibenzophosphole oxide derivative of the present invention as a main component.
In the organic EL device of the present invention, the light emitting layer preferably contains the dibenzophosphole oxide derivative of the present invention as an electron transport material.

本発明の有機EL素子の素子構成は特に限定されないが、例えば、次のような素子構成が挙げられる。
(a)陽極/発光層/陰極
(b)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(c)陽極/発光層/電子注入層/陰極
(d)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
(e)陽極/有機半導体層/発光層/陰極
(f)陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰極
(g)陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰極
(h)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
(i)陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(j)陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(k)陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(l)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
(m)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
これらの中でも、通常(h)の素子構成が特に好ましい。
本発明のジベンゾホスホールオキシド誘導体は、有機EL素子のどの有機薄膜層に用いてもよいが、発光帯域または電子輸送帯域が好ましく、電子注入層、電子輸送層および/または発光層が特に好ましい。
Although the element structure of the organic EL element of this invention is not specifically limited, For example, the following element structures are mentioned.
(A) Anode / light emitting layer / cathode (b) Anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode (c) Anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode (d) Anode / hole injection layer / light emitting layer / electron Injection layer / cathode (e) anode / organic semiconductor layer / light emitting layer / cathode (f) anode / organic semiconductor layer / electron barrier layer / light emitting layer / cathode (g) anode / organic semiconductor layer / light emitting layer / adhesion improving layer / Cathode (h) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode (i) anode / insulating layer / light emitting layer / insulating layer / cathode (j) anode / inorganic semiconductor layer / insulating layer / Light emitting layer / insulating layer / cathode (k) anode / organic semiconductor layer / insulating layer / light emitting layer / insulating layer / cathode (l) anode / insulating layer / hole injection layer / hole transporting layer / light emitting layer / insulating layer / Cathode (m) anode / insulating layer / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode Among these, the element of normal (h) A configuration is particularly preferred.
The dibenzophosphole oxide derivative of the present invention may be used in any organic thin film layer of an organic EL device, but preferably has a light emission band or an electron transport band, and particularly preferably has an electron injection layer, an electron transport layer and / or a light emission layer.

(透光性基板)
本発明の有機EL素子は、通常、透光性基板上に形成される。
透光性基板は有機EL素子を支持する基板であり、400〜700nmの可視領域の光の透過率が50%以上で平滑な基板が好ましい。
透光性基板の材料は、特に限定されず、公知の材料を用いることができ、例えば、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などのガラス、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルフィド、ポリスルホンなどポリマーが挙げられる。
その厚さは、少なくとも有機EL素子を支持し得る程度であればよく、0.05〜10mm程度である。
(Translucent substrate)
The organic EL element of the present invention is usually formed on a translucent substrate.
The light-transmitting substrate is a substrate that supports the organic EL element, and is preferably a smooth substrate having a light transmittance in the visible region of 400 to 700 nm of 50% or more.
The material of the translucent substrate is not particularly limited, and a known material can be used, for example, soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, Examples thereof include glass such as quartz, polymers such as polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone.
The thickness should just be a grade which can support an organic EL element at least, and is about 0.05-10 mm.

(陽極)
陽極は、正孔を正孔輸送層または発光層に注入する機能を有するものであり、4.5eV以上の仕事関数を有する材料からなるのが好ましい。
陽極の材料は、特に限定されず、公知の材料を用いることができ、例えば、酸化インジウム錫合金(ITO)、酸化錫(NESA)、インジウム−亜鉛酸化物(IZO)、金、銀、白金、銅などが挙げられる。
陽極は、これらの電極材料を用いて、真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)、スパッタリング法などの公知の薄膜形成方法により形成することができる。
発光層からの発光を陽極側から取り出す場合には、陽極の発光に対する透過率は10%より大きくすることが好ましく、陽極のシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましい。
陽極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μmであり、10〜200nmが好ましい。
(anode)
The anode has a function of injecting holes into the hole transport layer or the light emitting layer, and is preferably made of a material having a work function of 4.5 eV or more.
The material of the anode is not particularly limited, and a known material can be used. For example, indium tin oxide alloy (ITO), tin oxide (NESA), indium-zinc oxide (IZO), gold, silver, platinum, Examples include copper.
The anode can be formed using these electrode materials by a known thin film forming method such as a vacuum deposition method, a molecular beam deposition method (MBE method), or a sputtering method.
When light emission from the light emitting layer is taken out from the anode side, the transmittance of the anode for light emission is preferably greater than 10%, and the sheet resistance of the anode is preferably several hundred Ω / □ or less.
Although the film thickness of an anode is based also on material, it is 10 nm-1 micrometer normally, and 10-200 nm is preferable.

(発光層)
発光層は、(1)電界印加時に陽極または正孔注入層より正孔を注入し、陰極または電子注入層より電子を注入する注入機能、(2)注入した電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる輸送機能、および(3)電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる発光機能を併せもつ。
但し、正孔の注入され易さと電子の注入され易さに違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
(Light emitting layer)
The light emitting layer has (1) an injection function of injecting holes from an anode or a hole injection layer when an electric field is applied, and electrons from a cathode or an electron injection layer, and (2) an injected electric charge (electrons and holes) in an electric field. (3) Provides a field for recombination of electrons and holes, and a light emitting function for connecting this to light emission.
However, there may be a difference between the ease of hole injection and the ease of electron injection, and the transport capability represented by the mobility of holes and electrons may be large or small. It is preferable to move the charge.

本発明の有機EL素子は、その発光層に主成分として本発明のジベンゾホスホールオキシド誘導体を含有するのが好ましいが、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により他の公知の発光材料を含有させてもよく、また他の公知の発光材料を含む別の発光層を積層してもよい。
さらに、発光層は、必要に応じて正孔輸送材料、電子輸送材料、ポリマーバインダーを含有してもよい。
The organic EL device of the present invention preferably contains the dibenzophosphole oxide derivative of the present invention as a main component in the light-emitting layer, but other known light-emitting materials may be used as desired within the range that the object of the present invention is not impaired. In addition, another light-emitting layer containing other known light-emitting materials may be stacked.
Furthermore, the light emitting layer may contain a hole transport material, an electron transport material, and a polymer binder as necessary.

本発明のホスホールオキシド誘導体は、公知の発光材料およびドーピング材料と併用することができる。
発光材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレンおよび蛍光色素などが挙げられる。
The phosphor oxide derivative of the present invention can be used in combination with known light-emitting materials and doping materials.
As the light emitting material, for example, anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, tetracene, coronene, chrysene, fluorescein, perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, perinone, phthaloperinone, naphthaloperinone, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, coumarin, oxadiazole, aldazine, Bisbenzoxazoline, bisstyryl, pyrazine, cyclopentadiene, quinoline metal complex, aminoquinoline metal complex, benzoquinoline metal complex, imine, diphenylethylene, vinylanthracene, diaminocarbazole, pyran, thiopyran, polymethine, merocyanine, imidazole chelating oxinoid compound Quinacridone, rubrene, and fluorescent dyes.

ドーピング材料としては、例えば、りん光発光性の化合物が挙げられ、ホスト材料にカルバゾール環を含む化合物が特に好ましい。
りん光発光性のドーピング材料は、三重項励起子から発光することのできる化合物であり、三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ir、Ru、Pd、Pt、OsおよびReからなる群から選択される少なくとも1つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体およびオルトメタル化金属錯体が特に好ましい。これらは単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。
Examples of the doping material include a phosphorescent compound, and a compound containing a carbazole ring in the host material is particularly preferable.
The phosphorescent doping material is a compound that can emit light from triplet excitons and is not particularly limited as long as it emits light from triplet excitons, but is a group consisting of Ir, Ru, Pd, Pt, Os, and Re. A metal complex containing at least one metal selected from the group consisting of a porphyrin metal complex and an orthometalated metal complex is particularly preferable. These may be used alone or in combination of two or more.

ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィリン白金錯体が特に好ましい。
オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあり、2−フェニルピリジン誘導体、7,8−ベンゾキノリン誘導体、2−(2−チエニル)ピリジン誘導体、2−(1−ナフチル)ピリジン誘導体、2−フェニルキノリン誘導体などが特に好ましい。これらの誘導体は必要に応じて置換基を有してもよく、フッ素化物、トリフルオロメチル基を導入したものが、青色系ドーパントとして特に好ましい。さらに補助配位子としてアセチルアセトナート、ピクリン酸などの上記配位子以外の配位子を有していてもよい。
As the porphyrin metal complex, a porphyrin platinum complex is particularly preferable.
There are various ligands that form orthometalated metal complexes, such as 2-phenylpyridine derivatives, 7,8-benzoquinoline derivatives, 2- (2-thienyl) pyridine derivatives, and 2- (1-naphthyl). Particularly preferred are pyridine derivatives, 2-phenylquinoline derivatives and the like. These derivatives may have a substituent as required, and those having a fluorinated product or a trifluoromethyl group introduced are particularly preferred as the blue dopant. Furthermore, you may have ligands other than the said ligands, such as acetylacetonate and picric acid, as an auxiliary ligand.

カルバゾール環を含む化合物からなるりん光発光に好適なホストは、その励起状態からりん光発光性の化合物へエネルギー移動が起こる結果、りん光発光性の化合物を発光させる機能を有する化合物である。ホスト化合物としては励起子エネルギーをりん光発光性の化合物にエネルギー移動できる化合物ならば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。カルバゾール環以外に任意の複素環などを有していてもよい。   A host suitable for phosphorescence emission comprising a compound containing a carbazole ring is a compound having a function of causing the phosphorescence emission compound to emit light as a result of energy transfer from the excited state to the phosphorescence emission compound. The host compound is not particularly limited as long as it is a compound capable of transferring exciton energy to a phosphorescent compound, and can be appropriately selected according to the purpose. You may have arbitrary heterocyclic rings other than a carbazole ring.

ホスト化合物としては、特に限定されず、公知の材料を用いることができ、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェンなどの導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などの高分子化合物などが挙げられ、これらは単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。   The host compound is not particularly limited, and known materials can be used. For example, carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, Phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidene compounds, porphyrin compounds, Anthraquinodimethane derivative, anthrone derivative, diphenylquinone derivative, thiopyrandioxide derivative, carbodiimide derivative, fluorenylidenemethane derivative, Various metal complexes represented by metal complexes of styrylpyrazine derivatives, heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as naphthaleneperylene, phthalocyanine derivatives, 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, benzoxazole and benzothiazole ligands Conductive polymer oligomers such as polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole) derivatives, aniline copolymers, thiophene oligomers, polythiophenes, polymer compounds such as polythiophene derivatives, polyphenylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives, etc. These may be used alone or in combination of two or more.

りん光発光性のドーピング材料の発光層における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、0.1〜70重量%であり、1〜30質量%が特に好ましい。
りん光発光性のドーピング材料の含有量が0.1重量%未満では発光が微弱であり、その含有効果が十分に発揮され難く、70重量%を超える場合には、濃度消光と言われる現象が顕著になり素子性能が低下することがある。
There is no restriction | limiting in particular as content in the light emitting layer of a phosphorescence-emitting doping material, Although it can select suitably according to the objective, For example, it is 0.1 to 70 weight%, 1 to 30 mass% Is particularly preferred.
When the content of the phosphorescent doping material is less than 0.1% by weight, the light emission is weak and the effect of the content is not sufficiently exhibited. When the content exceeds 70% by weight, a phenomenon called concentration quenching occurs. It may become noticeable and the device performance may deteriorate.

発光層は、真空蒸着法、ディッピング法、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、LB法などの公知の薄膜形成方法により形成することができる。
発光層は、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や溶液状態または液相状態の材料化合物から固体化され形成された薄膜などの分子堆積膜であることが特に好ましい。分子堆積膜は、通常、LB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは凝集構造、高次構造の相違やそれに起因する機能的な相違により区分することができる。
The light emitting layer can be formed by a known thin film forming method such as a vacuum deposition method, a dipping method, a spin coating method, a casting method, a bar coating method, a roll coating method, or an LB method.
The light emitting layer is particularly preferably a molecular deposition film such as a thin film formed by deposition from a material compound in a gas phase state or a thin film formed by solidification from a material compound in a solution state or a liquid phase state. The molecular deposited film can be generally classified from a thin film (molecular accumulation film) formed by the LB method by a difference in an agglomeration structure, a higher order structure, and a functional difference resulting therefrom.

また、発光層は、例えば、特開昭57−51781号公報(文献3)に開示されているような、樹脂などの結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法などにより薄膜化することによっても形成することができる。
発光層の膜厚は、通常5〜100nmであり、7〜80nmが好ましく、10〜50nmがより好ましい。5nm未満では発光層の形成が困難になることがあり、色度の調整が困難になるおそれがあり、100nmを超える場合には駆動電圧が上昇するおそれがある。
Further, the light emitting layer is prepared by dissolving a binder such as a resin and a material compound in a solvent as disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 57-51781 (Document 3). It can also be formed by thinning by a spin coating method or the like.
The film thickness of a light emitting layer is 5-100 nm normally, 7-80 nm is preferable and 10-50 nm is more preferable. If the thickness is less than 5 nm, the formation of the light emitting layer may be difficult, and adjustment of chromaticity may be difficult. If the thickness exceeds 100 nm, the driving voltage may increase.

(正孔注入層・正孔輸送層(正孔輸送帯域))
正孔注入層および正孔輸送層は、発光層への正孔の注入を補助(促進)し、発光領域まで輸送する層であり、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常5.5eV以下と小さい材料からなるのが好ましい。また、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、正孔の移動度が、例えば104〜106V/cmの電界印加時に、少なくとも10-4cm2/V・秒であるものが好ましい。
(Hole injection layer / hole transport layer (hole transport zone))
The hole injection layer and the hole transport layer are layers that assist (promote) injection of holes into the light emitting layer and transport them to the light emitting region, have high hole mobility, and ionization energy is usually 5.5 eV or less. It is preferably made of a small material. Further, a material that transports holes to the light emitting layer with a lower electric field strength is preferable, and the mobility of holes is at least 10 −4 cm 2 / V · sec when an electric field of 10 4 to 10 6 V / cm is applied. Are preferred.

本発明のジベンゾホスホールオキシド誘導体を単独で用いて、正孔注入層および正孔輸送層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよく、また他の材料を含む別の層を積層してもよい。
混合して用いてもよい材料としては、上記の好ましい性質を有するものであれば特に限定されず、公知の材料、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや有機EL素子の正孔注入層および正孔輸送層に使用されているものを選択して用いることができる。
The dibenzophosphole oxide derivative of the present invention may be used alone to form a hole injection layer and a hole transport layer, may be used in combination with other materials, and may contain other materials. Layers may be stacked.
The material that can be used in a mixed manner is not particularly limited as long as it has the above-mentioned preferable properties, and known materials, materials that are commonly used as hole charge transport materials in optical transmission materials, and organic EL elements Those used in the hole injection layer and the hole transport layer can be selected and used.

このような材料としては、例えば、次のようなものが挙げられる。なお、括弧内は参照の文献を示す。
トリアゾール誘導体(米国特許3,112,197号明細書)
オキサジアゾール誘導体(米国特許3,189,447号明細書)
イミダゾール誘導体(特公昭37−16096号公報)
ポリアリールアルカン誘導体(米国特許3,615,402号明細書、同第3,820,989号明細書、同第3,542,544号明細書、特公昭45−555号公報、同51−10983号公報、特開昭51−93224号公報、同55−17105号公報、同56−4148号公報、同55−108667号公報、同55−156953号公報、同56−36656号公報)
Examples of such materials include the following. References in parentheses indicate reference documents.
Triazole derivatives (US Pat. No. 3,112,197)
Oxadiazole derivatives (US Pat. No. 3,189,447)
Imidazole derivatives (Japanese Patent Publication No. 37-16096)
Polyarylalkane derivatives (US Pat. Nos. 3,615,402, 3,820,989, 3,542,544, JP-B-45-555, 51-10983) (Japanese Patent Laid-Open Nos. 51-93224, 55-17105, 56-4148, 55-108667, 55-156953, and 56-36656)

ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体(米国特許第3,180,729号明細書、同第4,278,746号明細書、特開昭55−88064号公報、同55−88065号公報、同49−105537号公報、同55−51086号公報、同56−80051号公報、同56−88141号公報、同57−45545号公報、同54−112637号公報、同55−74546号公報)
フェニレンジアミン誘導体(米国特許第3,615,404号明細書、特公昭51−10105号公報、同46−3712号公報、同47−25336号公報、特開昭54−53435号公報、同54−110536号公報、同54−119925号公報)
Pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives (US Pat. Nos. 3,180,729, 4,278,746, JP-A-55-88064, JP-A-55-88065, JP-A-49-105537) No. 55-51086, No. 56-80051, No. 56-88141, No. 57-45545, No. 54-112737, No. 55-74546).
Phenylenediamine derivatives (US Pat. No. 3,615,404, JP-B 51-10105, JP-B 46-3712, JP-B 47-25336, JP-A 54-53435, 54- 110536, 54-1119925)

アリールアミン誘導体(米国特許第3,567,450号明細書、同第3,180,703号明細書、同第3,240,597号明細書、同第3,658,520号明細書、同第4,232,103号明細書、同第4,175,961号明細書、同第4,012,376号明細書、特公昭49−35702号公報、同39−27577号公報、特開昭55−144250号公報、同56−119132号公報、同56−22437号公報、西独特許第1,110,518号明細書)
アミノ置換カルコン誘導体(米国特許第3,526,501号明細書)
オキサゾール誘導体(米国特許第3,257,203号明細書)
スチリルアントラセン誘導体(特開昭56−46234号公報)
フルオレノン誘導体(特開昭54−110837号公報)
Arylamine derivatives (US Pat. Nos. 3,567,450, 3,180,703, 3,240,597, 3,658,520, 4,232,103, 4,175,961, 4,012,376, JP-B-49-35702, 39-27577, JP-A 55-144250, 56-119132, 56-22437, West German Patent 1,110,518)
Amino-substituted chalcone derivatives (US Pat. No. 3,526,501)
Oxazole derivatives (US Pat. No. 3,257,203)
Styrylanthracene derivative (Japanese Patent Laid-Open No. 56-46234)
Fluorenone derivative (Japanese Patent Laid-Open No. 54-110837)

ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,717,462号明細書、特開昭54−59143号公報、同55−52063号公報、同55−52064号公報、同55−46760号公報、同55−85495号公報、同57−11350号公報、同57−148749号公報、特開平2−311591号公報)
スチルベン誘導体(特開昭61−210363号公報、同第61−228451号公報、同61−14642号公報、同61−72255号公報、同62−47646号公報、同62−36674号公報、同62−10652号公報、同62−30255号公報、同60−93455号公報、同60−94462号公報、同60−174749号公報、同60−175052号公報)
Hydrazone derivatives (US Pat. No. 3,717,462, JP-A-54-59143, 55-52063, 55-52064, 55-46760, 55-85495) Gazette, 57-11350 gazette, 57-148749 gazette, and Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2-31591)
Stilbene derivatives (Japanese Patent Laid-Open Nos. 61-210363, 61-228451, 61-14642, 61-72255, 62-47646, 62-36684, 62) No. -10652, No. 62-30255, No. 60-93455, No. 60-94462, No. 60-174749, No. 60-175052)

シラザン誘導体(米国特許第4,950,950号明細書)
ポリシラン系(特開平2−204996号公報)
アニリン系共重合体(特開平2−282263号公報)
導電性高分子オリゴマー(特にチオフェンオリゴマー、特開平1−211399号公報)
Silazane derivatives (US Pat. No. 4,950,950)
Polysilane (Japanese Patent Laid-Open No. 2-204996)
Aniline copolymer (JP-A-2-282263)
Conductive polymer oligomer (especially thiophene oligomer, Japanese Patent Laid-Open No. 1-211399)

ポルフィリン化合物(特開昭63−2956965号公報)
芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物(米国特許第4,127,412号明細書、特開昭53−27033号公報、同54−58445号公報、同54−149634号公報、同54−64299号公報、同55−79450号公報、同55−144250号公報、同56−119132号公報、同61−295558号公報、同61−98353号公報、同63−295695号公報、芳香族第三級アミン化合物が特に好ましい)
Porphyrin compounds (Japanese Patent Laid-Open No. 63-295965)
Aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds (US Pat. No. 4,127,412, JP-A-53-27033, 54-58445, 54-149634, 54- No. 64299, No. 55-79450, No. 55-144250, No. 56-119132, No. 61-295558, No. 61-98353, No. 63-295695, Aromatic Third (A tertiary amine compound is particularly preferred)

2個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル(NPD)(米国特許第5,061,569号明細書)
トリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)(特開平4−308688号公報)
P型Si、P型SiCなどの無機化合物
For example, 4,4′-bis (N- (1-naphthyl) -N-phenylamino) biphenyl (NPD) (US Pat. No. 5,061,569) having two condensed aromatic rings in the molecule book)
4,4 ′, 4 ″ -tris (N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine (MTDATA) in which three triphenylamine units are linked in a starburst type (Japanese Patent Laid-Open No. 4-308688) No.)
Inorganic compounds such as P-type Si and P-type SiC

正孔注入層および正孔輸送層は、真空蒸着法、ディッピング法、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、LB法などの公知の薄膜形成方法により形成することができる。
正孔注入層および正孔輸送層の膜厚は、通常、5nm〜5μmである。
The hole injection layer and the hole transport layer can be formed by a known thin film forming method such as a vacuum deposition method, a dipping method, a spin coating method, a casting method, a bar coating method, a roll coating method, or an LB method.
The film thicknesses of the hole injection layer and the hole transport layer are usually 5 nm to 5 μm.

(電子注入層・電子輸送層(電子輸送帯域))
電子注入層および電子輸送層は、発光層への電子の注入を補助(促進)し、発光領域まで輸送する層であり、電子移動度が大きく、電子親和力が通常2.5EV以上と大きい材料からなるのが好ましい。または、より低い電界強度で電子を発光層に輸送する材料が好ましく、電子の移動度が、例えば104〜106V/cmの電界印加時に、少なくとも10-6cm2/V・秒であるものが好ましい。
(Electron injection layer / electron transport layer (electron transport band))
The electron injection layer and the electron transport layer are layers that assist (promote) injection of electrons into the light emitting layer and transport them to the light emitting region, and have a high electron mobility and a high electron affinity, usually 2.5 EV or more. Preferably it is. Alternatively, a material that transports electrons to the light emitting layer with a lower electric field strength is preferable, and the electron mobility is at least 10 −6 cm 2 / V · sec when an electric field of 10 4 to 10 6 V / cm is applied. Those are preferred.

本発明のジベンゾホスホールオキシド誘導体を単独で用いて、電子注入層および電子輸送層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよく、また他の材料を含む別の層を積層してもよい。
混合して用いてもよい材料としては、上記の好ましい性質を有するものであれば特に限定されず、公知の材料、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや有機EL素子の電子注入層および電子輸送層に使用されているものを選択して用いることができる。
電子注入層および電子輸送層は、真空蒸着法、ディッピング法、スピンコート法、、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、LB法などの公知の薄膜形成方法により形成することができる。
電子注入層および電子輸送層の膜厚は、通常、5nm〜5μmである。
The dibenzophosphole oxide derivative of the present invention may be used alone to form an electron injection layer and an electron transport layer, may be used in combination with other materials, and another layer containing other materials may be used. You may laminate.
The material that can be used in a mixed manner is not particularly limited as long as it has the above-mentioned preferable properties, and known materials, materials that are commonly used as hole charge transport materials in optical transmission materials, and organic EL elements Those used in the electron injection layer and the electron transport layer can be selected and used.
The electron injection layer and the electron transport layer can be formed by a known thin film forming method such as a vacuum deposition method, a dipping method, a spin coating method, a casting method, a bar coating method, a roll coating method, or an LB method.
The film thicknesses of the electron injection layer and the electron transport layer are usually 5 nm to 5 μm.

本発明の有機EL素子の好ましい形態に、電子を輸送する領域または陰極と有機層の界面領域に、電子輸送性化合物を還元し得る還元性ドーパントを含有する素子がある。
還元性ドーパントとしては、一定の還元性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体などが挙げられる。
A preferred form of the organic EL device of the present invention is a device containing a reducing dopant capable of reducing an electron transporting compound in an electron transporting region or an interface region between a cathode and an organic layer.
The reducing dopant is not particularly limited as long as it has a certain reducing ability. For example, alkali metal, alkaline earth metal, rare earth metal, alkali metal oxide, alkali metal halide, alkaline earth Examples thereof include metal oxides, alkaline earth metal halides, rare earth metal oxides or rare earth metal halides, alkali metal organic complexes, alkaline earth metal organic complexes, and rare earth metal organic complexes.

具体的には、Na(仕事関数:2.36EV)、K(仕事関数:2.2eV)、Rb(仕事関数:2.16eV)およびCs(仕事関数:1.95eV)などのアルカリ金属;Ca(仕事関数:2.9eV)、Sr(仕事関数:2.0〜2.5eV)およびBa(仕事関数:2.52eV)などのアルカリ土類金属が挙げられ、仕事関数が2.9eV以下のものが好ましく、K、RbおよびCsのアルカリ金属が好ましく、RbおよびCsがより好ましく、Csが特に好ましい。また、これらのアルカリ金属の組み合わせも好ましく、特にCsを含んだ組み合わせ、例えば、CsとNa、CsとK、CsとRbおよびCsとNaとKの組み合わせが好ましい。Csを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
アルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入帯域への比較的少量の添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化を図ることができる。
Specifically, alkali metals such as Na (work function: 2.36 EV), K (work function: 2.2 eV), Rb (work function: 2.16 eV) and Cs (work function: 1.95 eV); Ca Alkaline earth metals such as (work function: 2.9 eV), Sr (work function: 2.0 to 2.5 eV) and Ba (work function: 2.52 eV) are mentioned, and the work function is 2.9 eV or less. Are preferred, alkali metals of K, Rb and Cs are preferred, Rb and Cs are more preferred, and Cs is particularly preferred. A combination of these alkali metals is also preferable, and a combination including Cs in particular, for example, a combination of Cs and Na, Cs and K, Cs and Rb, and Cs, Na, and K is preferable. By including Cs in combination, the reducing ability can be efficiently exhibited, and by adding to the electron injection region, the emission luminance and the life of the organic EL element can be improved.
Alkali metals have a particularly high reducing ability, and by adding a relatively small amount to the electron injection zone, it is possible to improve the emission luminance and extend the life of the organic EL element.

(付着改善層)
本発明の有機EL素子では、付着改善層を設けてもよい。
付着改善層は、電子注入層の中で特に陰極との付着性が良好な材料からなる層であり、その形成方法や膜厚は電子注入層および電子輸送層に準ずる。
(Adhesion improvement layer)
In the organic EL device of the present invention, an adhesion improving layer may be provided.
The adhesion improving layer is a layer made of a material having particularly good adhesion to the cathode in the electron injection layer, and the formation method and film thickness thereof are the same as those of the electron injection layer and the electron transport layer.

(有機半導体層・無機半導体層)
本発明の有機EL素子では、陰極と有機層の間に、発光層への正孔注入または電子注入を補助する層として有機半導体層や無機半導体層を設けてもよい。
有機半導体層および無機半導体層は、10-10S/cm以上の導電率を有する材料で形成されるのが好ましい。
有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマー、例えば、特開平8−193191号公報に開示されている含アリールアミンオリゴマーなどの導電性オリゴマー;含アリールアミンデンドリマーなどの導電性デンドリマーなどが挙げられる。
(Organic semiconductor layer / inorganic semiconductor layer)
In the organic EL device of the present invention, an organic semiconductor layer or an inorganic semiconductor layer may be provided between the cathode and the organic layer as a layer for assisting hole injection or electron injection into the light emitting layer.
The organic semiconductor layer and the inorganic semiconductor layer are preferably formed of a material having a conductivity of 10 −10 S / cm or more.
Examples of the material for the organic semiconductor layer include thiophene-containing oligomers, for example, conductive oligomers such as arylamine oligomers disclosed in JP-A-8-193191, and conductive dendrimers such as arylamine dendrimers.

無機半導体層の材料としては、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、SbおよびZnの少なくとも1つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物などが挙げられ、これらの1種を単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらの材料は、微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。また、このような絶縁性薄膜は、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポットなどの画素欠陥を減少させることができる。   Examples of the material for the inorganic semiconductor layer include Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb, and an oxide, nitride, or nitride containing at least one element of Zn. Examples thereof include oxynitrides, and these can be used alone or in combination of two or more. These materials are preferably microcrystalline or amorphous insulating thin films. Moreover, since such an insulating thin film forms a more uniform thin film, pixel defects such as dark spots can be reduced.

本発明の有機EL素子では、陰極と有機層の間に、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物およびこれらの組み合わせからなる層を設けてもよい。
具体的には、Li2O、K2O、Na2S、Na2SeおよびNa2Oなどのアルカリ金属カルコゲニド;CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、およびCaSeなどのアルカリ土類金属カルコゲニド;LiF、NaF、KF、LiCl、KClおよびNaClなどのアルカリ金属のハロゲン化物;CaF2、BaF2、SrF2、MgF2およびBeF2などのハロゲン化物アルカリ土類金属のハロゲン化物が挙げられる。
このような層を設けることにより、有機EL素子の電子注入性をさらに向上させることができる。
In the organic EL device of the present invention, a layer composed of an alkali metal chalcogenide, an alkaline earth metal chalcogenide, an alkali metal halide, an alkaline earth metal halide, and a combination thereof may be provided between the cathode and the organic layer. Good.
Specifically, alkali metal chalcogenides such as Li 2 O, K 2 O, Na 2 S, Na 2 Se, and Na 2 O; alkaline earth metal chalcogenides such as CaO, BaO, SrO, BeO, BaS, and CaSe; Alkali metal halides such as LiF, NaF, KF, LiCl, KCl and NaCl; Halides of alkaline earth metals such as CaF 2 , BaF 2 , SrF 2 , MgF 2 and BeF 2 are mentioned.
By providing such a layer, the electron injection property of the organic EL element can be further improved.

(絶縁層)
有機EL素子は超薄膜に電界を印可するために、電流のリークやショートによる画素欠陥が生じ易く、これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
絶縁層の材料としては、例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウムなどが挙げられ、これらの混合物や積層物を用いてもよい。
絶縁層は、公知の方法により形成することができ、その膜厚は、0.1〜10nm程度である。
(Insulating layer)
Since an organic EL element applies an electric field to an ultra-thin film, pixel defects due to current leakage or short-circuiting are likely to occur. To prevent this, it is preferable to insert an insulating thin film layer between a pair of electrodes.
Examples of the material for the insulating layer include aluminum oxide, lithium fluoride, lithium oxide, cesium fluoride, cesium oxide, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, aluminum nitride, titanium oxide, silicon oxide, and germanium oxide. , Silicon nitride, boron nitride, molybdenum oxide, ruthenium oxide, vanadium oxide, and the like, and a mixture or laminate thereof may be used.
The insulating layer can be formed by a known method, and the film thickness is about 0.1 to 10 nm.

(陰極)
陰極は、電子を電子注入層、電子輸送層または発光層に注入する機能を有するものであり、4eV以下の小さい仕事関数を有する材料からなるのが好ましい。
陰極の材料は、特に限定されず、公知の材料を用いることができ、例えば、ナトリウム、ナトリウム・カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などの金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物が挙げられる。
陰極は、これらの電極材料を用いて、真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)、スパッタリング法などの公知の薄膜形成方法により形成することができる。
発光層からの発光を陰極側から取り出す場合には、陰極の発光に対する透過率は10%より大きくすることが好ましく、陽極のシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましい。
陰極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μmであり、50〜200nmが好ま
(cathode)
The cathode has a function of injecting electrons into the electron injection layer, the electron transport layer, or the light emitting layer, and is preferably made of a material having a small work function of 4 eV or less.
The material of the cathode is not particularly limited, and a known material can be used. For example, sodium, sodium / potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / silver alloy, aluminum / aluminum oxide, aluminum / lithium alloy, indium, rare earth Examples include metals such as metals, alloys, electrically conductive compounds, and mixtures thereof.
The cathode can be formed using these electrode materials by a known thin film forming method such as a vacuum evaporation method, a molecular beam evaporation method (MBE method), or a sputtering method.
When light emitted from the light emitting layer is taken out from the cathode side, the transmittance for light emission from the cathode is preferably larger than 10%, and the sheet resistance of the anode is preferably several hundred Ω / □ or less.
Although the film thickness of the cathode depends on the material, it is usually 10 nm to 1 μm, preferably 50 to 200 nm.

(有機EL素子の製造)
本発明の有機EL素子は、以上に例示した材料および形成方法により陽極、発光層、必要に応じて他の層を形成し、さらに陰極を形成することにより作製することができる。また、本発明の有機EL素子は、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で作製することもできる。
以下、透光性基板上に陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極が順次積層された構成の有機EL素子の作製例について説明する。
(Manufacture of organic EL elements)
The organic EL device of the present invention can be produced by forming an anode, a light-emitting layer, and other layers as required, and further forming a cathode by the materials and formation methods exemplified above. The organic EL device of the present invention can also be produced in the reverse order from the cathode to the anode.
Hereinafter, an example of manufacturing an organic EL element having a structure in which an anode / a hole injection layer / a light emitting layer / an electron injection layer / a cathode are sequentially stacked on a translucent substrate will be described.

まず、陽極材料を用いて、真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)、スパッタリング法などの公知の薄膜形成方法により、透光性基板上に膜厚1μm以下の陽極を形成する。
次に、正孔注入層の材料を用いて、真空蒸着法、ディッピング法、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、LB法などの公知の薄膜形成方法により、陽極上に正孔注入層を形成する。これらの薄膜形成方法の中でも、均質な膜が得られ易く、かつピンホールが発生し難いなどの点から真空蒸着法が特に好ましい。真空蒸着法における蒸着条件は使用する正孔注入層の材料、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造などにより異なるが、一般に蒸着源温度50〜450℃、真空度10-7〜10-3torr、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、膜厚5nm〜5μmの範囲で適宜設定することが好ましい。
First, an anode having a thickness of 1 μm or less is formed on a light-transmitting substrate by using a known thin film forming method such as a vacuum evaporation method, a molecular beam evaporation method (MBE method), or a sputtering method using an anode material.
Next, using the material of the hole injection layer, positive deposition is performed on the anode by a known thin film formation method such as vacuum deposition, dipping, spin coating, casting, bar coating, roll coating, or LB. A hole injection layer is formed. Among these thin film forming methods, the vacuum evaporation method is particularly preferable from the standpoint that a homogeneous film is easily obtained and pinholes are hardly generated. The deposition conditions in the vacuum deposition method vary depending on the material of the hole injection layer used, the crystal structure and recombination structure of the target hole injection layer, etc., but generally the deposition source temperature is 50 to 450 ° C. and the degree of vacuum is 10 −7 to It is preferable to set appropriately within a range of 10 −3 torr, vapor deposition rate of 0.01 to 50 nm / second, substrate temperature of −50 to 300 ° C., and film thickness of 5 nm to 5 μm.

次に、有機発光材料を用いて、真空蒸着法、ディッピング法、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、LB法などの公知の薄膜形成方法により、正孔注入層上に発光層を形成する。発光層の形成方法も正孔注入層と同様に真空蒸着法が特に好ましく、その蒸着条件も正孔注入層と同様に適宜設定することが好ましい。   Next, using an organic light emitting material, light is emitted on the hole injection layer by a known thin film forming method such as vacuum deposition, dipping, spin coating, casting, bar coating, roll coating, or LB. Form a layer. As with the hole injection layer, the light emitting layer is preferably formed by a vacuum vapor deposition method, and the vapor deposition conditions are preferably set as appropriate as with the hole injection layer.

次に、電子注入材料を用いて、真空蒸着法、ディッピング法、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、LB法などの公知の薄膜形成方法により、発光層上に電子注入層を形成する。電子注入層の形成方法も正孔注入層と同様に真空蒸着法が特に好ましく、その蒸着条件も正孔注入層と同様に適宜設定することが好ましい。
本発明のジベンゾホスホールオキシド誘導体は、発光帯域や正孔輸送帯域のいずれの層に含有させるかによって異なるが、真空蒸着法の場合には、他の材料と共蒸着させることができ、スピンコート法の場合には、他の材料と混合して含有層を形成することができる。
Next, using an electron injection material, an electron injection layer is formed on the light emitting layer by a known thin film formation method such as a vacuum deposition method, a dipping method, a spin coating method, a casting method, a bar coating method, a roll coating method, or an LB method. Form. As with the hole injection layer, the electron injection layer is preferably formed by a vacuum evaporation method, and the evaporation conditions are preferably set as appropriate as with the hole injection layer.
The dibenzophosphole oxide derivative of the present invention varies depending on which layer in the emission band or the hole transport band, but in the case of the vacuum deposition method, it can be co-deposited with other materials, and can be spin-coated. In the case of the method, the containing layer can be formed by mixing with other materials.

最後に、陰極材料を用いて、真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)、スパッタリング法などの公知の薄膜形成方法により、電子注入層上に膜厚1μm以下の陰極を形成して有機EL素子を得る。これらの薄膜形成方法の中でも、成膜時に下地の有機物層が損傷を受け難い真空蒸着法が特に好ましい。
上記の有機EL素子の作製は、同一装置内で1回の真空引きで一貫して実施するのが好ましい。
Finally, by using a cathode material, a cathode having a thickness of 1 μm or less is formed on the electron injection layer by a known thin film forming method such as a vacuum evaporation method, a molecular beam evaporation method (MBE method), a sputtering method, etc. Get the element. Among these thin film forming methods, a vacuum vapor deposition method is particularly preferable because the underlying organic layer is not easily damaged during film formation.
The production of the organic EL element is preferably carried out consistently with a single vacuum in the same apparatus.

本発明の有機EL素子における各層の形成方法は、特に限定されず、真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)、スパッタリング法などの乾式法、ディッピング法、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、LB法などの塗布による湿式法などの公知の薄膜形成方法が挙げられる。
本発明の有機EL素子における各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄過ぎるとピンホールなどの欠陥が生じ易く、逆に厚過ぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数nm〜1μmの範囲が好ましい。
The formation method of each layer in the organic EL device of the present invention is not particularly limited, and is a vacuum deposition method, a molecular beam deposition method (MBE method), a dry method such as a sputtering method, a dipping method, a spin coating method, a casting method, a bar coating method. Known thin film forming methods such as a wet method by coating such as a coating method, a roll coating method, and an LB method.
The film thickness of each organic layer in the organic EL device of the present invention is not particularly limited. In general, if the film thickness is too thin, defects such as pinholes are likely to occur. Conversely, if it is too thick, a high applied voltage is required and the efficiency is deteriorated. Therefore, the range of several nm to 1 μm is usually preferable.

本発明の有機EL素子は、陽極に+、陰極に−の極性にして、5〜40Vの直流電圧を印加することにより発光を観測することができる。なお、逆の極性で電圧を印加した場合には電流は流れず、発光は全く生じない。また、交流電圧を印加した場合には陽極が+、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。   In the organic EL device of the present invention, light emission can be observed by applying a DC voltage of 5 to 40 V with a positive polarity on the anode and a negative polarity on the cathode. When a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. In addition, when an alternating voltage is applied, uniform light emission is observed only when the anode has a positive polarity and the cathode has a negative polarity. The waveform of the alternating current to be applied may be arbitrary.

合成例、実施例および比較例により本発明をさらに詳しく説明するが、これらの合成例および実施例により本発明が限定されるものではない。   The present invention will be described in more detail with reference to synthesis examples, examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these synthesis examples and examples.

合成した化合物の物性を下記の機器を用いて評価し、所望の化合物が得られていることを確認した。
(融点)
装置:示差走査熱量計(セイコーインスツル株式会社製、型番:EXSTAR6000)
条件:試料重量5〜8mg、昇温速度:10℃/分
(FAB−MS)
装置:高速原子線衝撃イオン化質量分析計(日本電子株式会社製、型番:JMS−700MStation)
(IR)
装置:フーリエ変換赤外分光光度計(株式会社島津製作所製、型番:FTIR−8600PC)
条件:KBr錠剤法
(1H−NMR)
装置:FT NMR装置(日本電子株式会社製、型番:JNM−MY60FT)
The physical properties of the synthesized compound were evaluated using the following equipment, and it was confirmed that the desired compound was obtained.
(Melting point)
Apparatus: Differential scanning calorimeter (manufactured by Seiko Instruments Inc., model number: EXSTAR6000)
Conditions: sample weight 5-8 mg, temperature rising rate: 10 ° C./min (FAB-MS)
Apparatus: Fast atom beam impact ionization mass spectrometer (manufactured by JEOL Ltd., model number: JMS-700MStation)
(IR)
Apparatus: Fourier transform infrared spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation, model number: FTIR-8600PC)
Conditions: KBr tablet method (1H-NMR)
Apparatus: FT NMR apparatus (manufactured by JEOL Ltd., model number: JNM-MY60FT)

(HPLC溶出時間)
装置:高速液体クロマトグラフィー(HPLC、ジーエルサイエンス株式会社製、型式:GL−7400)
分離カラム(ジーエルサイエンス株式会社製、Inertsil ODS−3(登録商標)、カラムサイズ4.6×250mm)
条件:流速1.0ml/分
カラム温度:40℃
溶離液と溶出条件:0〜20分:30/70→0/100%
2O/MeOHリニアグラジエント
20分以降:MeOHアイソクラティック
(HPLC elution time)
Apparatus: High-performance liquid chromatography (HPLC, manufactured by GL Sciences Inc., model: GL-7400)
Separation column (GL Science Co., Ltd., Inertsil ODS-3 (registered trademark), column size 4.6 × 250 mm)
Conditions: Flow rate 1.0 ml / min Column temperature: 40 ° C
Eluent and elution conditions: 0 to 20 minutes: 30/70 → 0/100%
H 2 O / MeOH linear gradient
After 20 minutes: MeOH isocratic

合成例1(4,4’−ビス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)ビフェニル(化合物(9))の合成) Synthesis Example 1 (Synthesis of 4,4'-bis (5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide-5-yl) biphenyl (compound (9)))

合成例1−1(有機リチウム化合物を使用した合成:方法2)
4,4’−ビス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)ビフェニル(化合物(9))を下記の工程で合成した。

Figure 0005362999
Synthesis Example 1-1 (Synthesis using organolithium compound: Method 2)
4,4′-Bis (5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide-5-yl) biphenyl (compound (9)) was synthesized by the following steps.
Figure 0005362999

文献2に記載の方法で得られた5−ヒドロキシ−5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド8.64g(4mmol)をアルゴン雰囲気下、塩化チオニル40ml中で4時間還流した。その後、得られた反応液をロータリーエバポレーターでガラス状になるまで濃縮し、さらに一晩真空中で乾燥して5−クロロ−5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシドを得た。   8.64 g (4 mmol) of 5-hydroxy-5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide obtained by the method described in Reference 2 was refluxed in 40 ml of thionyl chloride for 4 hours under an argon atmosphere. Thereafter, the obtained reaction solution was concentrated to glass by a rotary evaporator, and further dried in vacuum overnight to obtain 5-chloro-5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide.

次に、4,4’−ジブロモビフェニル3.12g(1mmol)をテトラヒドロフラン(THF)4mlに溶解し、アルゴン雰囲気下で−78℃に冷却した。得られた溶液に1.6M−n−ブチルリチウムヘキサン溶液0.7mlを5分間掛けて滴下し、そのまま4時間攪拌した(溶液1)。
その後、真空乾燥した5−クロロ−5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシドをTHF4mlに溶解し、アルゴン雰囲気下、−78℃で溶液1に10分間掛けて滴下した。次いで、得られた反応液を室温まで30分間掛けて加熱し、2時間還流した。
得られた反応溶液に蒸留水40mlを加え、ジクロロメタンから有機層を抽出した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。
得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ジクロロメタン/メタノール)で精製し、さらに昇華精製して白色の結晶(1.71g)を得た。
Next, 3.12 g (1 mmol) of 4,4′-dibromobiphenyl was dissolved in 4 ml of tetrahydrofuran (THF) and cooled to −78 ° C. under an argon atmosphere. To the obtained solution, 0.7 ml of 1.6M-n-butyllithium hexane solution was added dropwise over 5 minutes, and the solution was stirred as it was for 4 hours (solution 1).
Thereafter, the vacuum-dried 5-chloro-5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide was dissolved in 4 ml of THF and added dropwise to the solution 1 at −78 ° C. for 10 minutes in an argon atmosphere. Next, the obtained reaction solution was heated to room temperature over 30 minutes and refluxed for 2 hours.
Distilled water (40 ml) was added to the resulting reaction solution, and the organic layer was extracted from dichloromethane. Then, it was made to dry with magnesium sulfate and the solvent was depressurizingly distilled.
The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent: dichloromethane / methanol), and further purified by sublimation to obtain white crystals (1.71 g).

得られた化合物の物性を評価したところ、下記のような結果が得られ、得られた化合物が4,4’−ビス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)ビフェニルであることを確認した。図1および図2に、それぞれIR測定結果およびNMR測定結果を示す。
融点:436℃
FAB−MS,m/z:551[M]+
IR(cm-1):3051(arC−H),1202(P=O)
1H−NMR(CDCl3,60Hz):7.90〜7.26(complex signal)
HPLC溶出時間:10.8分
収率:収率31%(4,4’−ジブロモビフェニルに対して)
When the physical properties of the obtained compound were evaluated, the following results were obtained, and the obtained compound was 4,4′-bis (5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide-5-yl) biphenyl. It was confirmed. 1 and 2 show the IR measurement results and the NMR measurement results, respectively.
Melting point: 436 ° C
FAB-MS, m / z: 551 [M] +
IR (cm < -1 >): 3051 (arC-H), 1202 (P = O)
1 H-NMR (CDCl 3 , 60 Hz): 7.90 to 7.26 (complex signal)
HPLC elution time: 10.8 minutes Yield: 31% yield (based on 4,4′-dibromobiphenyl)

合成例1−2(触媒反応を使用した合成:方法1)
4,4’−ビス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)ビフェニル(化合物(9))を下記の工程で合成した。

Figure 0005362999
Synthesis Example 1-2 (Synthesis Using Catalytic Reaction: Method 1)
4,4′-Bis (5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide-5-yl) biphenyl (compound (9)) was synthesized by the following steps.
Figure 0005362999

文献1に記載の方法で得られた5−ヒドロ−ジベンゾホスホール1.83g(9.94mmol)、4,4’−ジヨードビフェニル509mg(1.25mmol)、N,N−ジメチルアミノピリジン(DMAP)3.01g(24.6mmol)、酢酸パラジウム(Pd(OAc)2)47.1g(0.21mmol)および1,3−ビス(ジフェニルフォスフィノ)プロパン(DPPP)89mg(0.216mmol)の混合物に、ジメチルアセトアミド(DMA)20mlを滴下した。得られた溶液を窒素雰囲気下、130℃で一晩反応させた。 1.83 g (9.94 mmol) of 5-hydro-dibenzophosphole obtained by the method described in Reference 1, 509 mg (1.25 mmol) of 4,4′-diiodobiphenyl, N, N-dimethylaminopyridine (DMAP) ) 3.01 g (24.6 mmol), palladium acetate (Pd (OAc) 2 ) 47.1 g (0.21 mmol) and 1,3-bis (diphenylphosphino) propane (DPPP) 89 mg (0.216 mmol) 20 ml of dimethylacetamide (DMA) was added dropwise. The resulting solution was reacted at 130 ° C. overnight under a nitrogen atmosphere.

ジクロロメタンで得られた反応液から有機層を抽出し、その後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターで濃縮した。この時点で、FAB−MS分析を行ったところ、5−ヒドロ−ジベンゾホスホールと5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシドの混合物であることが確認できた。
次に、濃縮残渣に四塩化炭素および30%過酸化水素水142mgを加えて室温で30分間攪拌した。次いで、ジクロロメタンで得られた反応液から有機層を抽出し、その後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターで濃縮した。濃縮残渣を充填剤シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ジクロロメタン/エタノール)で分離し、ロータリーエバポレーターで濃縮した。次いで、濃縮残渣をトルエン/エタノールで再結晶化して白色の結晶(2.78g)を得た。
The organic layer was extracted from the reaction solution obtained with dichloromethane, then dried over magnesium sulfate and concentrated on a rotary evaporator. At this point, when FAB-MS analysis was performed, it was confirmed that the mixture was a mixture of 5-hydro-dibenzophosphole and 5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide.
Next, carbon tetrachloride and 142 mg of 30% hydrogen peroxide were added to the concentrated residue, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes. Next, the organic layer was extracted from the reaction solution obtained with dichloromethane, then dried over magnesium sulfate, and concentrated on a rotary evaporator. The concentrated residue was separated by filler silica gel column chromatography (developing solvent: dichloromethane / ethanol) and concentrated by a rotary evaporator. The concentrated residue was then recrystallized from toluene / ethanol to obtain white crystals (2.78 g).

得られた化合物の物性を評価したところ、下記のような結果が得られ、得られた化合物が4,4’−ビス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)ビフェニルであることを確認した。
融点:436℃
FAB−MS,m/z:551[M]+
IR(cm-1):3051(arC−H),1202(P=O)
1H−NMR(CDCl3,60Hz):7.90〜7.26(complex signal)
HPLC溶出時間:10.8分
収率:収率43%(4,4’−ジヨードビフェニルに対して)
When the physical properties of the obtained compound were evaluated, the following results were obtained, and the obtained compound was 4,4′-bis (5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide-5-yl) biphenyl. It was confirmed.
Melting point: 436 ° C
FAB-MS, m / z: 551 [M] +
IR (cm < -1 >): 3051 (arC-H), 1202 (P = O)
1 H-NMR (CDCl 3 , 60 Hz): 7.90 to 7.26 (complex signal)
HPLC elution time: 10.8 minutes Yield: 43% yield (based on 4,4′-diiodobiphenyl)

合成例1−3(触媒反応を使用した合成:方法1)
4,4’−ビス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)ビフェニル(化合物(9))を下記の工程で合成した。

Figure 0005362999
Synthesis Example 1-3 (Synthesis using catalytic reaction: Method 1)
4,4′-Bis (5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide-5-yl) biphenyl (compound (9)) was synthesized by the following steps.
Figure 0005362999

文献1に記載の方法で5−ヒドロ−ジベンゾホスホール合成する際に副生した5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシドをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離した。
得られた5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド6.0g(3mmol)、4,4’−ジヨードビフェニル203mg(0.5mmol)、N,N−ジメチルアミノピリジン(DMAP)3.01g(9mmol)、酢酸パラジウム(Pd(OAc)2)13.4mg(0.06mmol)および1,3−ビス(ジフェニルフォスフィノ)プロパン(DPPP)24.7mg(0.06mmol)の混合物に、ジメチルアセトアミド(DMA)2mlを滴下した。得られた溶液を窒素雰囲気下、130℃で一晩反応させた。
The 5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide produced as a by-product during the synthesis of 5-hydro-dibenzophosphole by the method described in Document 1 was separated by silica gel column chromatography.
The resulting 5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide 6.0 g (3 mmol), 4,4′-diiodobiphenyl 203 mg (0.5 mmol), N, N-dimethylaminopyridine (DMAP) 3.01 g (9 mmol) ), Palladium acetate (Pd (OAc) 2 ) 13.4 mg (0.06 mmol) and 1,3-bis (diphenylphosphino) propane (DPPP) 24.7 mg (0.06 mmol) were added to dimethylacetamide (DMA 2 ml was added dropwise. The resulting solution was reacted at 130 ° C. overnight under a nitrogen atmosphere.

濃縮残渣を充填剤シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ジクロロメタン/エタノール)で分離し、ロータリーエバポレーターで濃縮した。次いで、濃縮残渣をトルエン/エタノールで再結晶化して白色の結晶(0.84g)を得た。   The concentrated residue was separated by filler silica gel column chromatography (developing solvent: dichloromethane / ethanol) and concentrated by a rotary evaporator. The concentrated residue was then recrystallized with toluene / ethanol to obtain white crystals (0.84 g).

得られた化合物の物性を評価したところ、下記のような結果が得られ、得られた化合物が4,4’−ビス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)ビフェニルであることを確認した。
融点:436℃
FAB−MS,m/z:551[M]+
IR(cm-1):3051(arC−H),1202(P=O)
1H−NMR(CDCl3,60Hz):7.90〜7.26(complex signal)
HPLC溶出時間:10.8分
収率:収率33%(4,4’−ジヨードビフェニルに対して)
When the physical properties of the obtained compound were evaluated, the following results were obtained, and the obtained compound was 4,4′-bis (5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide-5-yl) biphenyl. It was confirmed.
Melting point: 436 ° C
FAB-MS, m / z: 551 [M] +
IR (cm < -1 >): 3051 (arC-H), 1202 (P = O)
1 H-NMR (CDCl 3 , 60 Hz): 7.90 to 7.26 (complex signal)
HPLC elution time: 10.8 minutes Yield: 33% yield (relative to 4,4′-diiodobiphenyl)

合成例2(5−ビフェニル−4−イル−5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド(化合物(1))の合成)
5−ビフェニル−4−イル−5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド(化合物(1))を下記の工程で合成した(方法2)。

Figure 0005362999
Synthesis Example 2 (Synthesis of 5-biphenyl-4-yl-5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide (compound (1)))
5-biphenyl-4-yl-5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide (compound (1)) was synthesized in the following steps (Method 2).
Figure 0005362999

4−ブロモビフェニル4.66g(2mmol)、マグネシウム0.48g(2mmol)およびTHF4mlを用いてグリニャール試薬を調製した。得られたグリニャール試薬を0℃に冷却し、これに予め合成例1と同様にして合成しておいた5−クロロ−5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド4mmolのTHF4mlの溶液を10分間掛けて滴下した。得られた反応液を室温まで5分間掛けて加熱し、2時間還流した。
得られた反応溶液に蒸留水40mlを加え、ジクロロメタンから有機層を抽出した。その後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。
得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ジクロロメタン/メタノール)で精製し、さらに昇華精製して白色の結晶(2.53g)を得た。
A Grignard reagent was prepared using 4.66 g (2 mmol) of 4-bromobiphenyl, 0.48 g (2 mmol) of magnesium and 4 ml of THF. The obtained Grignard reagent was cooled to 0 ° C., and a solution of 4 mmol of 5-chloro-5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide previously synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1 in 4 ml of THF was applied over 10 minutes. And dripped. The resulting reaction solution was heated to room temperature over 5 minutes and refluxed for 2 hours.
Distilled water (40 ml) was added to the resulting reaction solution, and the organic layer was extracted from dichloromethane. Then, it was made to dry with magnesium sulfate and the solvent was depressurizingly distilled.
The obtained residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent: dichloromethane / methanol) and further purified by sublimation to obtain white crystals (2.53 g).

得られた化合物の物性を評価したところ、下記のような結果が得られ、得られた化合物が5−ビフェニル−4−イル−5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシドであることを確認した。
FAB−MS,m/z:352[M]+
収率:収率36%(4−ブロモビフェニルに対して)
When the physical properties of the obtained compound were evaluated, the following results were obtained, and it was confirmed that the obtained compound was 5-biphenyl-4-yl-5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide.
FAB-MS, m / z: 352 [M] +
Yield: Yield 36% (based on 4-bromobiphenyl)

合成例3(1,3,5−トリス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)ベンゼン(化合物(32))の合成:方法1)
1,3,5−トリス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)ベンゼン(化合物(32))を下記の工程で合成した。

Figure 0005362999
Synthesis Example 3 (Synthesis of 1,3,5-tris (5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide-5-yl) benzene (compound (32)): Method 1)
1,3,5-Tris (5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide-5-yl) benzene (compound (32)) was synthesized by the following steps.
Figure 0005362999

文献1に記載の方法で得られた5−ヒドロ−ジベンゾホスホールと5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシドの混合物1.21g(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール換算で6.55mmol)、U.Schoberl, T.F.Magnera, R.M.Harir, J.Am. Chem. Soc.,119, 3907(1997)(文献3)に記載の方法で得られた1,3,5−トリヨードベンゼン230mg(0.5mmol)、N,N−ジメチルアミノピリジン(DMAP)1.83g(15.0mmol)、酢酸パラジウム(Pd(OAc)2)28.5mg(0.127mmol)および1,3−ビス(ジフェニルフォスフィノ)プロパン(DPPP)52.0mg(0.126mmol)の混合物に、DMA15mlを滴下した。得られた溶液を窒素雰囲気下、130℃で一晩反応させた。 1.21 g of a mixture of 5-hydro-dibenzophosphole and 5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide obtained by the method described in Document 1 (6.55 mmol in terms of 5-hydro-dibenzophosphole), U. 230 mg (0.5 mmol) of 1,3,5-triiodobenzene obtained by the method described in Schoberl, TFMagnera, RMHarir, J. Am. Chem. Soc., 119, 3907 (1997) (Reference 3), N , N-dimethylaminopyridine (DMAP) 1.83 g (15.0 mmol), palladium acetate (Pd (OAc) 2 ) 28.5 mg (0.127 mmol) and 1,3-bis (diphenylphosphino) propane (DPPP) 15 ml of DMA was added dropwise to a mixture of 52.0 mg (0.126 mmol). The resulting solution was reacted at 130 ° C. overnight under a nitrogen atmosphere.

ジクロロメタンで得られた反応液から有機層を抽出し、その後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。得られた乾燥物を充填剤シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ジクロロメタン/エタノール)で分離し、ロータリーエバポレーターで濃縮した。次いで、濃縮残渣をトルエン/エタノールで再結晶して白色の結晶(165mg)を得た。   The organic layer was extracted from the reaction solution obtained with dichloromethane and then dried over magnesium sulfate. The obtained dried product was separated by filler silica gel column chromatography (developing solvent: dichloromethane / ethanol) and concentrated by a rotary evaporator. The concentrated residue was then recrystallized from toluene / ethanol to obtain white crystals (165 mg).

得られた化合物の物性を評価したところ、下記のような結果が得られ、得られた化合物が1,3,5−トリス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)ベンゼンであることを確認した。図3および図4に、それぞれIR測定結果およびNMR測定結果を示す。
融点:315℃
FAB−MS,m/z:673[M]+
IR(cm-1):3053(arC−H),1202(P=O)
1H−NMR(CDCl3,60Hz):8.20〜7.27(complex signal)
HPLC溶出時間:6.10分
収率:収率48.9%(1,3,5−トリヨードベンゼンに対して)
When the physical properties of the obtained compound were evaluated, the following results were obtained, and the obtained compound was 1,3,5-tris (5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide-5-yl) benzene. I confirmed that there was. 3 and 4 show IR measurement results and NMR measurement results, respectively.
Melting point: 315 ° C
FAB-MS, m / z: 673 [M] +
IR (cm < -1 >): 3053 (arC-H), 1202 (P = O)
1 H-NMR (CDCl 3 , 60 Hz): 8.20-7.27 (complex signal)
HPLC elution time: 6.10 minutes Yield: Yield 48.9% (based on 1,3,5-triiodobenzene)

合成例4(9,9−ジメチル−2,7−ビス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)フルオレンの合成(化合物(17)):方法1)
9,9−ジメチル−2,7−ビス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)フルオレン(化合物(17))を下記の工程で合成した。

Figure 0005362999
Synthesis Example 4 (9,9-Dimethyl-2,7-bis (5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide-5-yl) fluorene (Compound (17)): Method 1)
9,9-Dimethyl-2,7-bis (5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide-5-yl) fluorene (compound (17)) was synthesized in the following steps.
Figure 0005362999

工程1(9,9−ジメチルフルオレンの合成)
フルオレン3.01g(18mmol)、水酸化ナトリウム4.32g(108mmol)および15−クラウン−5−エーテル21.5ml(2.38g,10.8mmol)にDMSO120mlを加えて攪拌した。さらに、ヨウ化メチル8.22mL(18.7g,132mmol)を2時間掛けて滴下し2時間攪拌し、次いで水120ml加えて1.5時間攪拌した。
ジクロロメタンで得られた反応液から有機層を抽出し、その後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターで濃縮した。充填剤シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:シクロヘキサン/トルエン)で分離した。次いで、濃縮残渣をエタノールで再結晶化して白色の結晶(2.12g)を得た。この時点で、FAB−MS分析を行ったところ、m/z=194([M+])の結果が得られ、得られた化合物が9,9−ジメチルフルオレンであることが確認できた(収率59.9%)。
Step 1 (Synthesis of 9,9-dimethylfluorene)
To 3.01 g (18 mmol) of fluorene, 4.32 g (108 mmol) of sodium hydroxide and 21.5 ml (2.38 g, 10.8 mmol) of 15-crown-5-ether, 120 ml of DMSO was added and stirred. Further, 8.22 mL (18.7 g, 132 mmol) of methyl iodide was added dropwise over 2 hours and stirred for 2 hours, and then 120 ml of water was added and stirred for 1.5 hours.
The organic layer was extracted from the reaction solution obtained with dichloromethane, then dried over magnesium sulfate and concentrated on a rotary evaporator. Separation was performed by silica gel column chromatography (developing solvent: cyclohexane / toluene). The concentrated residue was then recrystallized with ethanol to obtain white crystals (2.12 g). At this time, when FAB-MS analysis was performed, a result of m / z = 194 ([M + ]) was obtained, and it was confirmed that the obtained compound was 9,9-dimethylfluorene (contract). (Rate 59.9%).

工程2(2,7−ジヨード−9,9−ジメチルフルオレンの合成)
9,9−ジメチルフルオレン1.09g(5.61mmol)に酢酸(AcOH)/H2O(=6.67ml/1.0ml)を混合して75℃に加熱し、得られた混合溶液に50%塩化ヨウ素塩酸水溶液5.68g(35mmol)を滴下し、一晩反応させた。
トルエンで得られた反応液から有機層を抽出し、その後、10%チオ硫酸ナトリウム水溶液8mlで残存ヨウ素を中和し分液した。
得られた溶液に10%NaOH水溶液を加えて中和し水洗した。得られた溶液から有機層を抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥させた、ロータリーエバポレーターで濃縮乾固させた。次いで、濃縮乾固物をエタノールで再結晶化して、白色の結晶(1.31g)を得た。この時点で、FAB−MS分析を行ったところ、m/z=446([M+])の結果が得られ、得られた化合物が2,7−ジヨード−9,9−ジメチルフルオレンであることが確認できた(収率52.5%)。
Step 2 (Synthesis of 2,7-diiodo-9,9-dimethylfluorene)
Acetic acid (AcOH) / H 2 O (= 6.67 ml / 1.0 ml) was mixed with 1.09 g (5.61 mmol) of 9,9-dimethylfluorene, and the mixture was heated to 75 ° C. A 5.68 g (35 mmol) aqueous solution of% iodine chloride / hydrochloric acid was added dropwise and allowed to react overnight.
The organic layer was extracted from the reaction solution obtained with toluene, and then the residual iodine was neutralized and separated with 8 ml of 10% aqueous sodium thiosulfate solution.
The resulting solution was neutralized with 10% aqueous NaOH solution and washed with water. The organic layer was extracted from the resulting solution, dried over magnesium sulfate, and concentrated to dryness on a rotary evaporator. Subsequently, the concentrated dry solid was recrystallized with ethanol to obtain white crystals (1.31 g). At this time, when FAB-MS analysis was performed, a result of m / z = 446 ([M + ]) was obtained, and the obtained compound was 2,7-diiodo-9,9-dimethylfluorene. Was confirmed (yield 52.5%).

工程3(9,9−ジメチル−2,7−ビス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)フルオレンの合成)
文献1に記載の方法で得られた5−ヒドロ−ジベンゾホスホールと5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシドの混合物737mg(4mmol)、2,7−ジヨード−9,9−ジメチルフルオレン226mg(0.51mmol)、N,N−ジメチルアミノピリジン1.22g(10mmol)、酢酸パラジウム(Pd(OAc)2)19.4mg(0.086mmol)および1,3−ビス(ジフェニルフォスフィノ)プロパン(DPPP)36.0mg(0.087mmol)の混合物に、DMA10mlを滴下した。得られた溶液を窒素雰囲気下、130℃で一晩反応させた。
Step 3 (Synthesis of 9,9-dimethyl-2,7-bis (5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide-5-yl) fluorene)
737 mg (4 mmol) of a mixture of 5-hydro-dibenzophosphole and 5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide obtained by the method described in Document 1, 226 mg of 2,7-diiodo-9,9-dimethylfluorene (0 .51 mmol), 1.22 g (10 mmol) of N, N-dimethylaminopyridine, 19.4 mg (0.086 mmol) of palladium acetate (Pd (OAc) 2 ) and 1,3-bis (diphenylphosphino) propane (DPPP) 10 ml of DMA was added dropwise to a mixture of 36.0 mg (0.087 mmol). The resulting solution was reacted at 130 ° C. overnight under a nitrogen atmosphere.

ジクロロメタンで得られた反応液から有機層を抽出し、その後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。得られた乾燥物を充填剤シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ジクロロメタン/エタノール)で分離し、ロータリーエバポレーターで濃縮した。次いで、濃縮残渣をトルエン/エタノールで再結晶して白色の結晶(192mg)を得た。   The organic layer was extracted from the reaction solution obtained with dichloromethane and then dried over magnesium sulfate. The obtained dried product was separated by filler silica gel column chromatography (developing solvent: dichloromethane / ethanol) and concentrated by a rotary evaporator. The concentrated residue was then recrystallized from toluene / ethanol to obtain white crystals (192 mg).

得られた化合物の物性を評価したところ、下記のような結果が得られ、得られた化合物が9,9−ジメチル−2,7−ビス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)フルオレンであることを確認した。図5および図6に、それぞれIR測定結果およびNMR測定結果を示す。
融点:328℃
FAB−MS,m/z:591[M]+
IR(cm-1):3055(arC−H),1441,1403(C−H),1203(P=O)
1H−NMR(CDCl3,60Hz):8.19〜7.20(complex signal,22H),1.61〜1.49(d6H)
HPLC溶出時間:12.1分
収率:収率68.7%(2,7−ジヨード−9,9−ジメチルフルオレンに対して)
When the physical properties of the obtained compound were evaluated, the following results were obtained, and the obtained compound was 9,9-dimethyl-2,7-bis (5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide-5- I) Fluorene was confirmed. 5 and 6 show IR measurement results and NMR measurement results, respectively.
Melting point: 328 ° C
FAB-MS, m / z: 591 [M] +
IR (cm < -1 >): 3055 (arC-H), 1441, 1403 (C-H), 1203 (P = O)
1 H-NMR (CDCl 3 , 60 Hz): 8.19 to 7.20 (complex signal, 22H), 1.61 to 1.49 (d6H)
HPLC elution time: 12.1 minutes Yield: Yield 68.7% (relative to 2,7-diiodo-9,9-dimethylfluorene)

実施例1
厚さ50mm×50mm×0.8mmのITO透明電極(膜厚80nm、幅2mmのライン状)付きガラス基板(三容真空社製)をアルカリ洗剤およびアセトン中で順次5分間超音波洗浄した。次いで、このガラス基板をイソプロピルアルコール中で5分間煮沸洗浄し、さらに15分間UVオゾン洗浄した。
次に、得られたガラス基板を真空蒸着装置内の基板ホルダーに装着し、装置内を約5×10-4Paの真空度にし、陰極として機能するITO透明電極を覆うように、N,N’−ジ−1−ナフチル−N,N’−ジフェニルベンジジンを蒸着して、膜厚80nmの正孔輸送層を得た。
Example 1
A glass substrate (manufactured by Sanyo Vacuum Co., Ltd.) with an ITO transparent electrode (thickness 80 nm, width 2 mm) having a thickness of 50 mm × 50 mm × 0.8 mm was sequentially ultrasonically cleaned in an alkaline detergent and acetone for 5 minutes. Next, the glass substrate was boiled and washed in isopropyl alcohol for 5 minutes, and further washed with UV ozone for 15 minutes.
Next, the obtained glass substrate is mounted on a substrate holder in a vacuum deposition apparatus, the inside of the apparatus is evacuated to about 5 × 10 −4 Pa, and N, N so as to cover the ITO transparent electrode functioning as a cathode. '-Di-1-naphthyl-N, N'-diphenylbenzidine was deposited to obtain a hole transport layer having a thickness of 80 nm.

次に、正孔輸送層上に、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム、4,4’−ビス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)ビフェニル(化合物(9))およびフッ化リチウムを順次蒸着して、膜厚20nmの発光層、膜厚40nmの電子輸送層および膜厚0.2nmの電子注入層の積層体を得た。
最後に、電子注入層上に、ITO電極に直交するように幅2mmでアルミニウムを蒸着して、膜厚100nmの陰極を得、有機EL素子を完成した。
Next, on the hole transport layer, tris (8-quinolinolato) aluminum, 4,4′-bis (5-hydro-dibenzophosphole-5-oxide-5-yl) biphenyl (compound (9)) and fluoride Lithium was sequentially deposited to obtain a laminate of a 20 nm thick light emitting layer, a 40 nm thick electron transport layer, and a 0.2 nm thick electron injection layer.
Finally, aluminum was vapor-deposited with a width of 2 mm so as to be orthogonal to the ITO electrode on the electron injection layer to obtain a cathode having a thickness of 100 nm, thereby completing an organic EL device.

得られた有機EL素子に通電し駆動させたところ、発光層であるトリス(8−キノリノラト)アルミニウムに由来する緑色発光が得られた。
この素子は、輝度100cd/m2での電圧が4.7Vと十分に低い駆動電圧を示した。また、この素子を輝度500cd/m2で定電流駆動したところ、80%の輝度まで低下する時間は15時間と長い素子寿命を示した。
When the obtained organic EL element was energized and driven, green light emission derived from tris (8-quinolinolato) aluminum serving as a light emitting layer was obtained.
This element exhibited a sufficiently low driving voltage of 4.7 V at a luminance of 100 cd / m 2 . Further, when this device was driven at a constant current at a luminance of 500 cd / m 2 , the time required for the luminance to decrease to 80% showed a long device life of 15 hours.

実施例2
電子輸送層を1,3,5−トリス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)ベンゼン(化合物(32))を蒸着して形成すること以外は実施例1と同様にして有機EL素子を得た。
得られた有機EL素子に通電し駆動させたところ、発光層であるトリス(8−キノリノラト)アルミニウムに由来する緑色発光が得られた。
この素子は、輝度100cd/m2での電圧が6.5Vと十分に低い駆動電圧を示した。また、この素子を輝度500cd/m2で定電流駆動したところ、80%の輝度まで低下する時間は125時間と長い素子寿命を示した。
Example 2
Except that the electron transport layer is formed by vapor deposition of 1,3,5-tris (5-hydro-dibenzophosphole-5-oxide-5-yl) benzene (compound (32)), the same as in Example 1. An organic EL device was obtained.
When the obtained organic EL element was energized and driven, green light emission derived from tris (8-quinolinolato) aluminum serving as a light emitting layer was obtained.
This element exhibited a sufficiently low driving voltage of 6.5 V at a luminance of 100 cd / m 2 . Further, when this element was driven at a constant current at a luminance of 500 cd / m 2 , the time required for the reduction to a luminance of 80% showed a long element lifetime of 125 hours.

実施例3
電子輸送層を9,9−ジメチル−2,7−ビス(5−ヒドロ−ジベンゾホスホール5−オキシド−5−イル)フルオレン(化合物(17))を蒸着して形成すること以外は実施例1と同様にして有機EL素子を得た。
得られた有機EL素子に通電し駆動させたところ、発光層であるトリス(8−キノリノラト)アルミニウムに由来する緑色発光が得られた。
この素子は、輝度100cd/m2での電圧が3.7Vと十分に低い駆動電圧を示した。また、この素子を輝度500cd/m2で定電流駆動したところ、80%の輝度まで低下する時間は11.3時間と長い素子寿命を示した。
Example 3
Example 1 except that the electron transport layer is formed by vapor deposition of 9,9-dimethyl-2,7-bis (5-hydro-dibenzophosphole 5-oxide-5-yl) fluorene (compound (17)). In the same manner, an organic EL device was obtained.
When the obtained organic EL element was energized and driven, green light emission derived from tris (8-quinolinolato) aluminum serving as a light emitting layer was obtained.
This device showed a sufficiently low driving voltage of 3.7 V at a luminance of 100 cd / m 2 . Further, when this element was driven at a constant current at a luminance of 500 cd / m 2 , the time required for the luminance to decrease to 80% showed a long element lifetime of 11.3 hours.

比較例
電子輸送層をトリス(8−キノリノラト)アルミニウムを蒸着して形成すること以外は実施例1と同様にして有機EL素子を得た。
得られた有機EL素子に通電し駆動させたところ、発光層であるトリス(8−キノリノラト)アルミニウムに由来する緑色発光が得られた。
この素子は、輝度100cd/m2での電圧が4.7Vと十分に低い駆動電圧を示したが、この素子を輝度500cd/m2で定電流駆動したところ、80%の輝度まで低下する時間は9.5時間と上記実施例と比較して短い素子寿命を示した。
Comparative Example An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the electron transport layer was formed by vapor deposition of tris (8-quinolinolato) aluminum.
When the obtained organic EL element was energized and driven, green light emission derived from tris (8-quinolinolato) aluminum serving as a light emitting layer was obtained.
This element showed a sufficiently low driving voltage of 4.7 V at a luminance of 100 cd / m 2. However, when this element was driven at a constant current of 500 cd / m 2 , the time required for the luminance to drop to 80% was obtained. Was 9.5 hours, which was shorter than that of the above example.

合成例1の化合物のIR測定結果を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an IR measurement result of the compound of Synthesis Example 1. 合成例1の化合物のNMR測定結果を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the NMR measurement result of the compound of Synthesis Example 1. 合成例3の化合物のIR測定結果を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an IR measurement result of the compound of Synthesis Example 3. 合成例3の化合物のNMR測定結果を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the NMR measurement result of the compound of Synthesis Example 3. 合成例4の化合物のIR測定結果を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an IR measurement result of the compound of Synthesis Example 4. 合成例4の化合物のNMR測定結果を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the NMR measurement result of the compound of Synthesis Example 4.

Claims (4)

陽極と陰極の間に少なくとも発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層が挟持された有機EL素子において、該有機薄膜層が
Figure 0005362999
から選択されるジベンゾホスホールオキシド誘導体を含有することを特徴とする有機EL素子。
In an organic EL element in which an organic thin film layer composed of one or more layers including at least a light emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode, the organic thin film layer comprises:
Figure 0005362999
An organic EL device comprising a dibenzophosphole oxide derivative selected from:
前記発光層が、前記ジベンゾホスホールオキシド誘導体を主成分として含有する請求項1に記載の有機EL素子。 The organic EL device according to claim 1 wherein the light emitting layer contains the dibenzophosphol hole oxide derivative as the main component. 前記発光層が、前記ジベンゾホスホールオキシド誘導体を電子輸送材料として含有する請求項1または2に記載の有機EL素子。 The light-emitting layer, the organic EL device according to claim 1 or 2 containing the dibenzophosphol hole oxide derivative as an electron transport material.
Figure 0005362999
から選択されることを特徴とするジベンゾホスホールオキシド誘導体。
Figure 0005362999
A dibenzophosphole oxide derivative characterized in that it is selected from:
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