JP5355859B2 - Magnetoresistive head - Google Patents

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Description

本発明は、磁気抵抗効果膜の積層面を貫くようにセンス電流を流すＣＰＰ（Current perpendicular to the plane）構造の磁気抵抗効果型ヘッドに関するものである。 The present invention relates to CPP (C urrent p erpendicular to the p lane) magnetoresistive head structure to flow a sense current so as to penetrate the laminated surface of the magnetoresistive film.

外部磁界の変化に応じて、電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗センサは、優れた磁界センサとして知られており、磁気記録再生装置の主要な部品である磁気ヘッドの再生素子として実用化されている。磁気記録再生装置は小型化が進展しているため、情報を読み書きする磁気ヘッドに対しても性能向上が求められている。そのうち、再生素子に求められている主な課題としては、高出力化と高記録密度化が挙げられる。高出力化に関しては、磁気抵抗効果センサ膜の開発とその改良が行われてきた。１ｃｍ2当たり約３×１０8ビット程度の記録密度までは異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）膜を用いていたが、それ以上の記録密度では、より高出力が得られる巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）膜を開発し、さらには改良を加え、現在に至っている。しかしながら、ＧＭＲ膜も１ｃｍ2当たり９．３×１０9ビットより大きな記録密度に対しては出力不足になることが懸念されるため、ＧＭＲ膜の次の世代の磁気抵抗効果センサ膜として、Journal of Magnetism and Magnetic Materials, vol.139, pp.L231〜L234 (1995)に記載されているようなトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）膜、あるいはJournal of Applied Physics, vol.89, pp.6943-6945 (2001)に記載されているようなＧＭＲ膜の積層面を貫くように電流を流すＣＰＰ−ＧＭＲ膜の研究開発が行われている。 A magnetoresistive sensor using a magnetoresistive effect that changes its electric resistance in response to a change in an external magnetic field is known as an excellent magnetic field sensor, and is used as a reproducing element of a magnetic head that is a major component of a magnetic recording and reproducing device. It has been put into practical use. Since the magnetic recording / reproducing apparatus has been miniaturized, a performance improvement is also required for a magnetic head that reads and writes information. Of these, the main issues required for the reproducing element are high output and high recording density. For higher output, magnetoresistive sensor films have been developed and improved. An anisotropic magnetoresistive (AMR) film was used up to a recording density of about 3 × 10 8 bits per cm 2, but a giant magnetoresistive effect (GMR) that can obtain higher output at higher recording densities. ) Membranes have been developed, and further improvements have been made. However, since there is a concern that the output of the GMR film is insufficient for a recording density larger than 9.3 × 10 9 bits per 1 cm 2, as a magnetoresistive effect sensor film of the next generation of the GMR film, the Journal of Magnetism and Magnetic Materials, vol.139, pp.L231 to L234 (1995) as described in the tunnel magnetoresistive effect (TMR) film or Journal of Applied Physics, vol.89, pp.6943-6945 (2001) Research and development of a CPP-GMR film in which a current is passed so as to penetrate the laminated surface of the GMR film as described in (1).

ここで、磁気抵抗効果センサ膜としてＡＭＲ膜やＧＭＲ膜を用いる磁気ヘッドと、ＴＭＲ膜やＣＰＰ−ＧＭＲ膜を用いるヘッドでは、構造が大きく異なる。前者の場合には、ＡＭＲ膜やＧＭＲ膜からなる磁気抵抗効果センサ膜の膜面内方向にセンス電流を流すＣＩＰ（Current into the plane）構造であり、センス電流を供給する電極はこれらの磁気抵抗効果センサ膜の両脇に設けられる。一方、後者の場合には、ＴＭＲ膜やＣＰＰ−ＧＭＲ膜からなる磁気抵抗効果センサ膜の膜面に対して略垂直方向にセンス電流を流すＣＰＰ構造であるため、センス電流を供給する電極はこれらの磁気抵抗効果センサ膜に積層するように設けることになる。   Here, the structure of a magnetic head using an AMR film or a GMR film as a magnetoresistive effect sensor film and a head using a TMR film or a CPP-GMR film are greatly different. In the former case, the magnetoresistive sensor film made of an AMR film or a GMR film has a CIP (Current into the plane) structure in which a sense current flows in the in-plane direction. Provided on both sides of the effect sensor film. On the other hand, the latter case has a CPP structure in which a sense current flows in a direction substantially perpendicular to the film surface of the magnetoresistive effect sensor film made of a TMR film or a CPP-GMR film. It is provided so as to be laminated on the magnetoresistive effect sensor film.

また、上記の何れの磁気抵抗効果センサ膜においても、記録媒体からの磁界の大きさに応じてその磁化の方向を変える磁性層（自由層）があるが、バルクハウゼンノイズなどの磁化の不安定な動作に起因する変動現象を抑制するために、縦バイアス印加層を設けるのが一般的である。ＣＰＰ構造ヘッドのトラック幅方向の縦バイアス印加層の形状に関して、特開２００４−２５３５９３号公報及び特開２００４−２４１７６３号公報には、縦バイアス印加層が磁気抵抗効果センサ膜に近づくに伴ってその膜厚が次第に薄くなる形状が開示されている。   Also, in any of the above magnetoresistive effect sensor films, there is a magnetic layer (free layer) that changes the direction of magnetization according to the magnitude of the magnetic field from the recording medium, but unstable magnetization such as Barkhausen noise. In order to suppress a fluctuation phenomenon caused by a proper operation, it is common to provide a longitudinal bias application layer. Regarding the shape of the longitudinal bias application layer in the track width direction of the CPP structure head, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-253593 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-241663 have disclosed that as the longitudinal bias application layer approaches the magnetoresistive effect sensor film. A shape in which the film thickness becomes gradually thinner is disclosed.

特開２００４−２５３５９３号公報JP 2004-253593 A 特開２００４−２４１７６３号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-241763 Journal of Magnetism and Magnetic Materials, vol.139, pp.L231〜L234 (1995)Journal of Magnetism and Magnetic Materials, vol.139, pp.L231〜L234 (1995) Journal of Applied Physics, vol.89, pp.6943-6945 (2001)Journal of Applied Physics, vol.89, pp.6943-6945 (2001)

ＣＰＰ構造ヘッドにおいては、前述のようにセンス電流を磁気抵抗効果センサ膜の膜面に対して略垂直方向にセンス電流を流すことから、縦バイアス印加層はトラック幅方向絶縁層を介して磁気抵抗効果センサ膜の両脇に設ける必要がある。その結果、自由層と縦バイアス印加層との距離が離れてしまい、縦バイアス磁界が弱くなってしまうことがＣＰＰ構造ヘッドに特有の課題である。ＣＰＰ構造ヘッドにおいては、上記の変動現象を抑制するのに必要な縦バイアス磁界を確保するためには、特に、磁気抵抗効果センサ膜両脇に近い部分で、縦バイアス印加層の膜厚を厚くすることが必要である。さらには、縦バイアス印加層から発生する磁界が効率良く、記録媒体からの磁界の大きさに応じて磁化の方向を変える磁性層に印加されるように、縦バイアス印加層の形状を制御する必要がある。   In the CPP structure head, since the sense current is caused to flow in a direction substantially perpendicular to the film surface of the magnetoresistive sensor film as described above, the longitudinal bias application layer is magnetoresistive via the track width direction insulating layer. It is necessary to provide on both sides of the effect sensor film. As a result, the distance between the free layer and the longitudinal bias applying layer is increased, and the longitudinal bias magnetic field becomes weak, which is a problem specific to the CPP structure head. In the CPP structure head, in order to ensure the longitudinal bias magnetic field necessary to suppress the above fluctuation phenomenon, the longitudinal bias application layer is thickened particularly at the portions near both sides of the magnetoresistive effect sensor film. It is necessary to. Furthermore, it is necessary to control the shape of the longitudinal bias application layer so that the magnetic field generated from the longitudinal bias application layer is applied efficiently to the magnetic layer that changes the magnetization direction according to the magnitude of the magnetic field from the recording medium. There is.

特開２００４−２５３５９３号公報には、縦バイアス印加層が磁気抵抗効果センサ膜に近づくに伴ってその膜厚が次第に薄くなっているが、縦バイアス印加層と磁気抵抗効果センサ膜が直接接している形状が開示されている。これは、縦バイアス印加層が絶縁性の材料に限定されることを意味する。一方、特開２００４−２４１７６３号公報も同様に縦バイアス印加層が磁気抵抗効果センサ膜に近づくに伴ってその膜厚が次第に薄くなる構造を開示しているが、下部電極層及び下部シールド層の上面が平坦であり、また、縦バイアス印加層の磁気抵抗効果センサ膜側の先端が自由層の端部よりもトラック幅の内側に配置されている。後述するように、このような構造によっては、特に狭いシールド−シールド間隔（再生ギャップ長）において、適度な縦バイアス磁界を維持することが困難であると考えられる。   In Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-253593, as the longitudinal bias application layer approaches the magnetoresistive sensor film, the film thickness gradually decreases. However, the longitudinal bias application layer and the magnetoresistive sensor film are in direct contact with each other. The shape is disclosed. This means that the longitudinal bias application layer is limited to an insulating material. On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-241863 also discloses a structure in which the film thickness gradually decreases as the longitudinal bias application layer approaches the magnetoresistive sensor film. The top surface is flat, and the tip of the longitudinal bias application layer on the magnetoresistive sensor film side is disposed inside the track width from the end of the free layer. As will be described later, depending on such a structure, it is considered that it is difficult to maintain an appropriate longitudinal bias magnetic field particularly in a narrow shield-shield interval (reproduction gap length).

本発明の目的は、ＣＰＰ構造ヘッドの構造に由来する縦バイアス磁界の低下を補い、あるいは増強して、特に、狭い再生ギャップ長においても、バルクハウゼンノイズなどの磁化の不安定な動作に起因する変動現象が抑制された安定した再生特性を示す磁気抵抗効果型ヘッドを提供することにある。   The object of the present invention is to compensate for or enhance the decrease of the longitudinal bias magnetic field derived from the structure of the CPP structure head, and is caused by unstable operation of magnetization such as Barkhausen noise even in a narrow reproduction gap length. An object of the present invention is to provide a magnetoresistive head that exhibits stable reproduction characteristics in which fluctuation phenomena are suppressed.

本発明による磁気抵抗効果型ヘッドは、下部シールド層と、上部シールド層と、下部シールド層と上部シールド層の間に形成された、固定層と中間層と自由層の積層膜を含む磁気抵抗効果センサ膜と、センサ膜のトラック幅方向両脇に絶縁層を介して形成された縦バイアス印加層とを有し、縦バイアス印加層のセンサ膜に面する端部が自由層のトラック幅方向の端部よりトラック幅方向外側に位置し、センサ膜からトラック幅方向に離れた領域で、縦バイアス印加層の下面がセンサ膜の下面よりも下方に位置する。   The magnetoresistive head according to the present invention includes a lower shield layer, an upper shield layer, and a magnetoresistive effect including a laminated film of a fixed layer, an intermediate layer, and a free layer formed between the lower shield layer and the upper shield layer. A sensor film, and a longitudinal bias application layer formed on both sides of the sensor film in the track width direction via an insulating layer, and an end of the longitudinal bias application layer facing the sensor film in the track width direction of the free layer The lower surface of the longitudinal bias application layer is located below the lower surface of the sensor film in a region located on the outer side in the track width direction from the end and away from the sensor film in the track width direction.

縦バイアス印加層は前記センサ膜近傍までほぼ同様な厚さを維持している。また、センサ膜のトラック幅方向側面は凹面形状を有し、下部シールド層と絶縁層との界面はセンサ膜側面の凹面形状と連続的につながる傾斜を有した緩やかな凹面形状を有する。   The longitudinal bias application layer maintains substantially the same thickness up to the vicinity of the sensor film. Further, the side surface in the track width direction of the sensor film has a concave shape, and the interface between the lower shield layer and the insulating layer has a gentle concave shape with an inclination that is continuously connected to the concave shape on the side surface of the sensor film.

さらに、自由層のトラック幅方向端部から４０ｎｍ離れた位置よりもセンサ膜側において、縦バイアス印加層のセンサ膜近傍の上部輪郭形状が上に凸形状で、下部輪郭形状が下に凸形状としてもよい。さらに、自由層のトラック幅方向端部から４０ｎｍの位置よりセンサ膜側の領域における縦バイアス印加層の平均的な高さと、自由層の平均的な高さとの差を６ｎｍ以下としてもよい。上部シールド層の下面を媒体対向面において略平坦な略直線とすることにより、狭い再生ギャップ長を有する磁気抵抗効果ヘッドを提供することもできる。   Further, on the sensor film side from the position 40 nm away from the end of the free layer in the track width direction, the upper contour shape in the vicinity of the sensor film of the vertical bias application layer is convex upward, and the lower contour shape is convex downward Also good. Furthermore, the difference between the average height of the longitudinal bias application layer and the average height of the free layer in the region on the sensor film side from the position 40 nm from the track width direction end of the free layer may be 6 nm or less. A magnetoresistive head having a narrow reproduction gap length can be provided by making the lower surface of the upper shield layer a substantially straight line that is substantially flat on the medium facing surface.

本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、狭い再生ギャップ長においても、磁気抵抗効果センサ膜の両脇にトラック幅方向絶縁層を介して設けられた縦バイアス印加層から自由層に大きな縦バイアス磁界を効率よく印加することができるので、バルクハウゼンノイズなどの磁化の不安定な動作に起因する変動現象が抑制された安定した再生特性を示す。   The magnetoresistive head of the present invention provides a large longitudinal bias magnetic field from the longitudinal bias application layer provided on both sides of the magnetoresistive effect sensor film via the track width direction insulating layer to the free layer even in a narrow reproduction gap length. Since it can be applied efficiently, it exhibits stable reproduction characteristics in which fluctuation phenomena due to unstable magnetization operations such as Barkhausen noise are suppressed.

磁気抵抗効果型ヘッドにおいては、縦バイアス印加層の形状によって、自由層に印加される縦バイアス磁界が変わる。そのため、発明者の種々の鋭意検討により実現した構造と、従来構造について、自由層が感じる縦バイアス磁界を有限要素法により計算し、比較を行った。   In the magnetoresistive head, the longitudinal bias magnetic field applied to the free layer varies depending on the shape of the longitudinal bias application layer. Therefore, the longitudinal bias magnetic field felt by the free layer was calculated by the finite element method and compared between the structure realized by various ingenious studies by the inventors and the conventional structure.

図２に、本発明の構造ならびに従来構造のトラック幅方向の媒体対向面形状を示す。図２（ａ）は本発明の構造（詳細は後述する）であり、図２（ｂ）は従来の方法で製造したヘッドの構造である従来構造１、図２（ｃ）は特開２００４−２４１７６３号公報で開示されているような従来構造２である。従来構造１の縦バイアス印加層は、センサ膜の側壁に対面する端部がセンサ膜側壁に沿ってせり上がるとともに、センサ膜の近くで膜厚が一度小さくなって上面に凹部が形成されている。また、従来構造２の縦バイアス印加層は、センサ膜近傍までほぼ一定の膜厚を有し、センサ膜近傍では膜厚が徐々に減少して先端が尖った形状となり、その先端部は自由層の端部よりセンサ膜の内側に入り込んでいる。図には、縦バイアス磁界を計算するのに必要な縦バイアス印加層、下部シールド層、上部シールド層、磁気抵抗効果センサ膜の中に配置された自由層のみを示している。   FIG. 2 shows the shape of the medium facing surface in the track width direction of the structure of the present invention and the conventional structure. 2A shows the structure of the present invention (details will be described later), FIG. 2B shows the conventional structure 1 which is the structure of a head manufactured by a conventional method, and FIG. This is a conventional structure 2 as disclosed in Japanese Patent No. 2417663. In the vertical bias application layer of the conventional structure 1, the end facing the side wall of the sensor film rises along the side wall of the sensor film, and the thickness is once reduced near the sensor film and a concave portion is formed on the upper surface. . Further, the vertical bias application layer of the conventional structure 2 has a substantially constant film thickness up to the vicinity of the sensor film, and the film thickness gradually decreases near the sensor film and has a sharp tip, and the tip is a free layer. It penetrates into the inside of the sensor film from the end of the. In the figure, only the free layer disposed in the longitudinal bias application layer, the lower shield layer, the upper shield layer, and the magnetoresistive effect sensor film necessary for calculating the longitudinal bias magnetic field is shown.

以上の３つの構造について、再生ギャップ長を４０ｎｍ、トラック幅を８０ｎｍ、縦バイアス印加層の残留磁束密度と膜厚の積である磁化量を３６０Ｇ・μｍと同じ条件にして、縦バイアス磁界の大きさを求めた結果を図３に示す。ここで、トラック幅とは、自由層のトラック幅方向の幅を指す。（ａ）の本発明の構造における磁界は、トラック端部において最も大きく、トラック中央部に向かうに従って磁界は単調に減少している。（ｂ）の従来構造１も、磁界分布は（ａ）と同様であるが、トラック端部における磁界の大きさは、（ａ）の約２／５程度と小さい。また、（ｃ）の従来構造２では、トラック端部の磁界よりも、トラック内側に少し入った位置の磁界の方が大きくなっている。これは、縦バイアス印加層の磁気抵抗効果センサ膜側の端部が、自由層のトラック端部よりもトラック内側に入っているために、縦バイアス印加層の先端から発生する磁界が縦バイアス印加層側にも戻ってしまい、縦バイアス磁界を減少させてしまうためである。このような磁界が作用すると、トラック端部の磁化状態が不安定になって、磁区が発生する懸念がある。   With respect to the above three structures, the magnitude of the longitudinal bias magnetic field is set under the same conditions as the reproduction gap length of 40 nm, the track width of 80 nm, and the magnetization amount, which is the product of the residual magnetic flux density and the film thickness of the longitudinal bias applied layer, of 360 G · μm. FIG. 3 shows the result of the determination. Here, the track width refers to the width of the free layer in the track width direction. The magnetic field in the structure of the present invention (a) is the largest at the track end, and the magnetic field monotonously decreases toward the track center. The conventional structure 1 in (b) also has the same magnetic field distribution as that in (a), but the magnitude of the magnetic field at the track end is as small as about 2/5 of (a). Further, in the conventional structure 2 in (c), the magnetic field at a position slightly inside the track is larger than the magnetic field at the track end. This is because the end of the longitudinal bias application layer on the magnetoresistive sensor film side is inside the track from the track end of the free layer, so that the magnetic field generated from the tip of the longitudinal bias application layer is applied to the longitudinal bias. This is because it also returns to the layer side and reduces the longitudinal bias magnetic field. When such a magnetic field acts, there is a concern that the magnetic state at the track end becomes unstable and magnetic domains are generated.

以上のように、トラック幅方向の磁界分布という見地から、トラック端部では自由層自身の反磁界が大きく磁化が不安定になり易いため、自由層端部をより大きな縦バイアス磁界によって安定化することが必要であり、かつ、トラック中央に向かうに従って単調に変化する分布であることが好ましいことから、図２（ａ）に示した本発明の構造が望ましい構造であるということができる。   As described above, from the viewpoint of the magnetic field distribution in the track width direction, the free layer itself has a large demagnetizing field at the track end and the magnetization tends to become unstable. Therefore, the free layer end is stabilized by a larger longitudinal bias magnetic field. 2 and a distribution that changes monotonously toward the center of the track is preferable. Therefore, it can be said that the structure of the present invention shown in FIG. 2A is a desirable structure.

次に、狭い再生ギャップ長を実現するために、下部シールド層をエッチングにより掘り込んだときの縦バイアス磁界について検討を行った。比較のため、同じ再生ギャップ長において、下部シールド層を掘りこまずに平坦にした構造についても同様の計算を行った。図４（ａ）は本発明の構造であり、図４（ｂ）は比較例の構造である。再生ギャップ長を３０ｎｍ、トラック幅を８０ｎｍ、縦バイアス印加層の磁化量を３６０Ｇ・μｍとして計算を行った結果を図５に示す。（ａ）の本発明の構造、（ｂ）の比較例の構造ともに、磁界分布は、トラック端部で大きく、トラック中央部に向かうに伴って単調に減少しているが、磁界の大きさを比べると、トラック端部においては（ａ）は（ｂ）の１．５倍の値であるため、トラック端部の磁化状態をより安定化することができる。一方、トラック中央部の磁界の大きさはほぼ同等であることから、外部磁界に対する感度はほぼ同等と考えられる。   Next, in order to realize a narrow reproduction gap length, the longitudinal bias magnetic field when the lower shield layer was dug by etching was examined. For comparison, the same calculation was performed for a structure in which the lower shield layer was flattened without being dug in the same reproduction gap length. FIG. 4A shows the structure of the present invention, and FIG. 4B shows the structure of the comparative example. FIG. 5 shows the results of calculation with a reproduction gap length of 30 nm, a track width of 80 nm, and a magnetization amount of the longitudinal bias application layer of 360 G · μm. In both the structure of the present invention of (a) and the structure of the comparative example of (b), the magnetic field distribution is large at the track end and monotonously decreases toward the track center. In comparison, since (a) is 1.5 times as large as (b) at the track end, the magnetization state at the track end can be further stabilized. On the other hand, since the magnitude of the magnetic field at the center of the track is almost the same, the sensitivity to the external magnetic field is considered to be almost the same.

以上のことから、本発明の構造は、トラック端部において磁化が安定で、トラック中央部では外部磁界に対して感度よく応答する望ましい構造であることが分かる。   From the above, it can be seen that the structure of the present invention is a desirable structure that is stable in magnetization at the track end and responds sensitively to an external magnetic field at the track center.

次に、図面を用いて、本発明の具体的な実施例を説明する。   Next, specific examples of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１に、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの磁気抵抗効果センサ膜部分の媒体対向面形状を示す。アルミナとチタンカーバイドを含有する焼結体などからなる基板１０１の上に、アルミナなどの絶縁膜１０２を被覆し、その表面を精密研磨により平坦にした後、Ｎｉ−Ｆｅ系合金などからなる下部シールド層１１を形成する。これは、例えば、スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、あるいは、めっき法で成膜した膜を、所定の形状にパターニングした後に、アルミナなどの絶縁膜を基板全面に形成し、化学的機械研磨法（ＣＭＰ）によって平坦化することによって、その周囲に設けられた絶縁膜とほぼ同じ高さにする。このとき、さらに下部シールド層１１の表面凹凸の大きさも所定の大きさ以下（中心線平均粗さ Raで１nm以下）になるように制御される。   FIG. 1 shows the medium facing surface shape of the magnetoresistive sensor film portion of the magnetoresistive head of the present invention. A substrate 101 made of a sintered body containing alumina and titanium carbide is coated with an insulating film 102 such as alumina, and the surface thereof is flattened by precision polishing, and then a lower shield made of Ni-Fe alloy or the like. Layer 11 is formed. For example, after a film formed by sputtering, ion beam sputtering, or plating is patterned into a predetermined shape, an insulating film such as alumina is formed on the entire surface of the substrate, and a chemical mechanical polishing method ( By flattening by CMP), the height is made substantially the same as the insulating film provided in the periphery. At this time, the size of the surface unevenness of the lower shield layer 11 is further controlled to be a predetermined size or less (centerline average roughness Ra is 1 nm or less).

成膜装置内でこの上の表面酸化層などをクリーニングした後、下部ギャップ層１２、ピニング層１３、第１の強磁性層からなる固定層１４、中間層１５、第２の強磁性層からなる自由層１６、第１の上部ギャップ層１７１を、基板側からこの順に成膜する。ここで、下部ギャップ層１２及び第１の上部ギャップ層１７１としては、Ｔａ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ系合金あるいはこれらの積層膜を用い、ピニング層１３としてはＰｔ−Ｍｎ系合金、Ｍｎ−Ｉｒ系合金などの反強磁性膜、Ｃｏ−Ｐｔ系合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金などの硬磁性膜を用いる。また、固定層１４及び自由層１６は、Ｎｉ−Ｆｅ系合金、Ｃｏ−Ｆｅ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金、例えばマグネタイトやホイスラー合金などの高分極率材料、及び、これらの積層膜を用いることができる。また、１nm以下のスペーサ層を介して強磁性層を積層させた多層膜を用いてもよい。固定層１４の磁化はピニング層１３によって一定方向に固定されている。また、自由層１６の磁化方向は外部磁界に応じて回転する。   After the surface oxide layer and the like are cleaned in the film forming apparatus, the lower gap layer 12, the pinning layer 13, the fixed layer 14 made of the first ferromagnetic layer, the intermediate layer 15, and the second ferromagnetic layer are made. The free layer 16 and the first upper gap layer 171 are formed in this order from the substrate side. Here, as the lower gap layer 12 and the first upper gap layer 171, Ta, Ru, Rh, Ni—Cr—Fe alloy or a laminated film thereof is used, and as the pinning layer 13, a Pt—Mn alloy, An antiferromagnetic film such as a Mn—Ir alloy or a hard magnetic film such as a Co—Pt alloy or a Co—Cr—Pt alloy is used. Further, the fixed layer 14 and the free layer 16 are made of a Ni—Fe alloy, a Co—Fe alloy, a Co—Ni—Fe alloy, a high polarizability material such as magnetite or Heusler alloy, and a laminated film thereof. Can be used. Alternatively, a multilayer film in which ferromagnetic layers are stacked with a spacer layer of 1 nm or less may be used. The magnetization of the fixed layer 14 is fixed in a certain direction by the pinning layer 13. Moreover, the magnetization direction of the free layer 16 rotates according to the external magnetic field.

中間層１５は、ＴＭＲ効果を用いる場合にはトンネル障壁層であり、具体的には、Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｔｉ、これらの混合物の酸化物、あるいはこれらの酸化物の積層体であり、ＣＰＰ−ＧＭＲ効果を用いる場合には導電層あるいは電流狭窄層を有する導電層であり、具体的には、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ、あるいはこれらの混合物や積層体の他、これらの一部を部分的に酸化、窒化などによって電流狭窄を行う層などを挿入してもよい。   The intermediate layer 15 is a tunnel barrier layer when the TMR effect is used, and specifically, is an oxide of Al, Mg, Si, Zr, Ti, a mixture thereof, or a laminate of these oxides. In the case of using the CPP-GMR effect, it is a conductive layer or a conductive layer having a current confinement layer. Specifically, in addition to Al, Cu, Ag, Au, or a mixture or laminate thereof, a part thereof A layer for current confinement may be inserted by partially oxidizing or nitriding.

このように、下部ギャップ層と磁気抵抗効果センサ膜と第１の上部ギャップ層を成膜した後、必要に応じて、第１の強磁性層の磁化を特定の方向に向けるための磁界中熱処理あるいは着磁を施す。特に、ピニング層１３が規則格子を有する反強磁性体、例えばＰｔ−Ｍｎ系合金やＭｎ−Ｉｒ系合金の場合には、規則構造が構成され、第１の強磁性層との間に交換結合が生じるまで、磁界中で熱処理することが必要となる。   Thus, after forming the lower gap layer, the magnetoresistive effect sensor film, and the first upper gap layer, heat treatment in a magnetic field for directing the magnetization of the first ferromagnetic layer in a specific direction as necessary. Or magnetization is performed. In particular, when the pinning layer 13 is an antiferromagnetic material having a regular lattice, such as a Pt—Mn alloy or a Mn—Ir alloy, a regular structure is formed, and exchange coupling is established between the pinning layer 13 and the first ferromagnetic layer. Until this occurs, heat treatment in a magnetic field is required.

次に、図７に従い、トラック幅方向の形成工程について説明する。図７（ａ）に示すように磁気抵抗効果センサ膜プロセス保護膜１８を被覆した後、図７（ｂ）に示すように、トラック幅方向のセンサ部分となる領域にリフトマスク材５０を形成し、不要な部分の磁気抵抗効果センサ膜などをエッチングにより除去する。このとき、エッチングされずに残る磁気抵抗効果センサ膜の側壁において、近傍のエッチングされている領域から被エッチング物が側壁に付着したり、エッチングイオンが側壁に照射されたりすることによって、側壁表面部分で電気的に短絡することがないようにエッチングすることが重要である。   Next, the formation process in the track width direction will be described with reference to FIG. After covering the magnetoresistive effect sensor film process protective film 18 as shown in FIG. 7A, a lift mask material 50 is formed in a region to be a sensor portion in the track width direction as shown in FIG. 7B. Then, unnecessary portions of the magnetoresistive sensor film and the like are removed by etching. At this time, in the side wall of the magnetoresistive effect sensor film that remains without being etched, the object to be etched adheres to the side wall from the etched region in the vicinity or the side wall surface portion is irradiated with etching ions. It is important to perform etching so as not to cause an electrical short circuit.

この後には、トラック幅方向絶縁層２２を介して縦バイアス印加層２０を形成する工程が続くことから、必要な縦バイアス磁界が発生するだけの十分な厚さの縦バイアス印加層を、磁気抵抗効果センサ膜の自由層１６とほぼ同じ高さに配置できるように、下部シールド層１１の掘り込みエッチングも行う。トラック幅方向絶縁層２２を形成しても、縦バイアス印加層２０の最も下の面が、下部シールド層１１と下部ギャップ層１２との界面よりも低い位置になるようにエッチングすることによって、縦バイアス印加層２０の膜厚方向の中心の基板面からの高さと、自由層１６の基板面からの高さの差を小さくでき、縦バイアス印加層２０のカバレッジも改善できることから上下のシールド層に漏れる磁束が少なくなって、自由層１６に効率的に縦バイアス磁界を印加することができ、さらに、下部シールド層１１を掘り込んだ分だけ縦バイアス印加層２０を厚く設けることができるため、十分な縦バイアス磁界を印加することが可能となる。また、下部シールド層１１を掘り込みが連続的に変化するテーパー状にエッチングすると、下部シールド層１１に不連続的な磁荷分布が発生しないため、再生特性が変動することがない安定なヘッドとなる。   This is followed by the step of forming the longitudinal bias applying layer 20 via the track width direction insulating layer 22, so that the longitudinal bias applying layer having a thickness sufficient to generate a necessary longitudinal bias magnetic field is formed on the magnetoresistive layer. The lower shield layer 11 is also etched so that it can be disposed at substantially the same height as the free layer 16 of the effect sensor film. Even when the track width direction insulating layer 22 is formed, etching is performed so that the lowermost surface of the vertical bias applying layer 20 is positioned lower than the interface between the lower shield layer 11 and the lower gap layer 12. The difference between the height of the bias application layer 20 from the center in the film thickness direction from the substrate surface and the height of the free layer 16 from the substrate surface can be reduced, and the coverage of the vertical bias application layer 20 can be improved. Since the leakage magnetic flux is reduced, the longitudinal bias magnetic field can be efficiently applied to the free layer 16, and the longitudinal bias applying layer 20 can be provided thicker by the amount of the dug of the lower shield layer 11, so that it is sufficient. It is possible to apply a vertical bias magnetic field. Further, when the lower shield layer 11 is etched into a taper shape in which the digging continuously changes, a discontinuous magnetic charge distribution does not occur in the lower shield layer 11, so that a stable head in which reproduction characteristics do not fluctuate and Become.

上部ギャップ層１７１、磁気抵抗効果センサ膜及び下部ギャップ層１２をエッチングしたセンサ部の両脇の領域に、トラック幅方向絶縁層２２、縦バイアス印加層２０及びトラック幅方向保護膜２３を配置するために、図７（ｃ）に示すようにこれらの膜を成膜し、その後、図７（ｄ）に示すようにリフトオフマスク材を除去する。   In order to dispose the track width direction insulating layer 22, the longitudinal bias application layer 20 and the track width direction protective film 23 in the regions on both sides of the sensor portion where the upper gap layer 171, the magnetoresistive effect sensor film and the lower gap layer 12 are etched. Then, these films are formed as shown in FIG. 7C, and then the lift-off mask material is removed as shown in FIG. 7D.

このリフトオフの工程に化学的機械的研磨（Chemical mechanical polishing：ＣＭＰ）を用いる。この方法では、従来の方法よりもリフトオフマスク材の高さを低くすることができ、そのために、縦バイアス印加層２０などのカバレッジがよくなるため、従来方法で作成した場合よりも厚い縦バイアス印加層を、磁気抵抗効果センサ膜のより近傍まで均一な厚さで形成することが可能となる。   Chemical mechanical polishing (CMP) is used for the lift-off process. In this method, the height of the lift-off mask material can be made lower than that in the conventional method. For this reason, since the coverage of the vertical bias application layer 20 and the like is improved, the vertical bias application layer that is thicker than that produced by the conventional method is used. Can be formed with a uniform thickness up to the vicinity of the magnetoresistive sensor film.

なお、従来の方法において高さの高いリフトオフマスク材５０が必要な理由を、図８を用いて説明する。従来方法では、リフトオフマスク材の側壁に付着しているトラック幅方向絶縁層２２、縦バイアス印加層２０などに微小な隙間ができるようにし、その隙間から剥離液が浸み込み、リフトオフマスク材５０を溶かすことによって、リフトオフしている。重要な点は、リフトオフマスク材の側壁に付着している膜に微小な隙間を作ることである。成膜の際になるべく基板面に垂直方向に被着粒子が飛んでくるように工夫をしても、被着粒子は運動エネルギーを持っているため、基板面に到達した後に移動し始めて、リフトオフマスク材の側壁にも付いてしまうので、この微小な隙間を作るためには、リフトオフマスク材５０を高くして、基板側から移動して来る被着粒子が溜まって厚い層を形成しないようにすることが必要であり、さらに確実にリフトオフするために、リフトオフマスク材５０の側壁に被着しているトラック幅方向絶縁層２２や縦バイアス印加層２０に部分的に不連続な部分が生じるようにすることもある。図８（ｂ）で形成しているリフトオフマスク材５０は、この２つの効果が発揮できるようにしたもので、その高さを高くすると共に底部の幅を狭くしており、その結果、図８（ｃ）において、トラック幅方向絶縁層２２や縦バイアス印加層２０を成膜した際には、リフトオフマスク材５０の側壁に付着している層が薄くなっているのに加え、リフトオフマスク材５０底部の幅を変えた部分において、これらの層が不連続になっている。図８（ｄ）では、リフトオフマスク材の側壁に付着している膜にできた微小な隙間から剥離液を浸み込ませてリフトオフマスク材を溶かし、リフトオフする。こうして、図８（ｅ）のように、図２の従来構造１として示した縦バイアス印加層が形成される。   The reason why the lift-off mask material 50 having a high height is necessary in the conventional method will be described with reference to FIG. In the conventional method, a minute gap is formed in the track width direction insulating layer 22 and the longitudinal bias application layer 20 attached to the side wall of the lift-off mask material, and the stripping solution penetrates from the gap, so that the lift-off mask material 50 Lift off by melting. The important point is to create a minute gap in the film adhering to the side wall of the lift-off mask material. Even if it is devised so that the deposited particles fly in a direction perpendicular to the substrate surface as much as possible during deposition, the deposited particles have kinetic energy, so they start moving after reaching the substrate surface, and are lifted off. In order to make this minute gap, the lift-off mask material 50 is raised so that the deposited particles moving from the substrate side do not accumulate and form a thick layer. In order to lift off more reliably, a partially discontinuous portion is generated in the track width direction insulating layer 22 and the longitudinal bias applying layer 20 that are attached to the side wall of the lift-off mask material 50. Sometimes it is. The lift-off mask material 50 formed in FIG. 8 (b) is designed so that these two effects can be exhibited. The height of the lift-off mask material 50 is increased and the width of the bottom is reduced. As a result, FIG. In (c), when the track width direction insulating layer 22 and the longitudinal bias application layer 20 are formed, the layer attached to the side wall of the lift-off mask material 50 is thinned, and the lift-off mask material 50 These layers are discontinuous in the portion where the width of the bottom is changed. In FIG. 8D, the lift-off mask material is melted by infiltrating the stripping solution through a minute gap formed in the film adhering to the side wall of the lift-off mask material, and lift-off is performed. Thus, as shown in FIG. 8E, the longitudinal bias application layer shown as the conventional structure 1 in FIG. 2 is formed.

以上に説明したような理由で、高さの高いリフトオフマスク材５０が必要であるが、この場合には、縦バイアス印加層２０などの成膜の際に、リフトオフマスク材の近傍は、リフトオフマスク材によって被着粒子が遮られてしまうため、カバレッジが低下してしまう。   For the reason described above, the lift-off mask material 50 having a high height is necessary. In this case, when the longitudinal bias application layer 20 and the like are formed, the vicinity of the lift-off mask material is the lift-off mask material. Since the deposited particles are blocked by the material, the coverage is lowered.

リフトオフマスク材５０の高さに関しては、従来方法では低くても２５０ｎｍは必要であるのに対して、ＣＭＰを用いたリフトオフ法では４０ｎｍ程度でもリフトオフが可能であることを確認している。   With respect to the height of the lift-off mask material 50, 250 nm is required even if it is low in the conventional method, but it has been confirmed that the lift-off method using CMP can lift off even at about 40 nm.

縦バイアス印加層２０などの成膜方法としてはイオンビームスパッタリング法などの被着粒子の方向性を制御できる方法が使われることが多いが、磁気抵抗効果センサ膜の近傍において良好なカバレッジを得ることを考慮すると、被着粒子は基板面法線から４５°以内の角度であることが好ましい。最もカバレッジが悪くなる角度は４５°のときである。このとき、リフトオフマスク材の高さが４０ｎｍであるとして、被着粒子がリフトオフマスク材に遮られることなく到達できる領域を考えてみると、理想的には、トラック幅方向の磁気抵抗効果センサ膜から４０ｎｍ離れた位置よりも外側の領域となる。しかしながら、前述したように、被着粒子は運動エネルギーを持っている。基板面に到達した粒子は、到達した基板面で動き回るため、実際には理想通りのカバレッジにはならないが、本発明で適用したＣＭＰを用いたリフトオフ法を用いることによりカバレッジを改善できることに変わりは無い。   As a method for forming the longitudinal bias application layer 20 or the like, a method capable of controlling the direction of deposited particles such as ion beam sputtering is often used, but good coverage is obtained in the vicinity of the magnetoresistive sensor film. In consideration of the above, it is preferable that the deposited particles have an angle within 45 ° from the normal to the substrate surface. The angle at which the coverage is worst is 45 °. At this time, assuming that the height of the lift-off mask material is 40 nm and considering the region where the deposited particles can reach without being blocked by the lift-off mask material, ideally, the magnetoresistive sensor film in the track width direction It is a region outside the position 40 nm away from the center. However, as described above, the deposited particles have kinetic energy. Since the particles that have reached the substrate surface move around on the substrate surface that has reached, the actual coverage is not ideal, but the coverage can be improved by using the lift-off method using CMP applied in the present invention. No.

ここで、縦バイアス印加層２０のカバレッジと、ヘッドの再生特性の安定性との関係について検討した結果を、図１０を用いて説明する。図１０は、縦バイアス印加層２０がリフトオフマスク材５０の影響を受けずに堆積している、再生トラック幅中心から２μｍ離れた位置での縦バイアス印加層２０の膜厚に対する、トラック端部（自由層のトラック幅方向の端部）から４０ｎｍ離れた位置での膜厚の比をカバレッジのパラメータとして、このパラメータを変えたときの第２の強磁性層１６のトラック幅方向端部における縦バイアス磁界を有限要素法により計算した結果である。計算の条件は、再生ギャップ長４０ｎｍ、トラック幅８０ｎｍ、縦バイアス印加層の磁化量（３６０Ｇ・μｍ）であり、再生トラック幅中心から２μｍ以上離れた位置では前記の磁化量になっているものとし、それよりもトラックに近い側で膜厚が変わってカバレッジが変わるものとした。縦バイアス印加層２０の膜厚は、単調に変化するものとした。すなわち、トラック端部から４０ｎｍ離れた位置から、再生トラック幅中心から２μｍ離れた位置までの間で、縦バイアス印加層２０の膜厚が最小となるのは、トラック端部から４０ｎｍ離れた位置であるとした。   Here, the result of examining the relationship between the coverage of the longitudinal bias application layer 20 and the stability of the reproduction characteristics of the head will be described with reference to FIG. FIG. 10 shows the track edge portion with respect to the film thickness of the longitudinal bias applying layer 20 at a position 2 μm away from the reproduction track width center where the longitudinal bias applying layer 20 is deposited without being affected by the lift-off mask material 50. The ratio of the film thickness at a position 40 nm away from the end of the free layer in the track width direction is used as a coverage parameter, and the longitudinal bias at the end of the second ferromagnetic layer 16 in the track width direction when this parameter is changed. It is the result of calculating the magnetic field by the finite element method. The calculation conditions are a reproduction gap length of 40 nm, a track width of 80 nm, and a magnetization amount (360 G · μm) of the longitudinal bias application layer. The above magnetization amount is assumed to be 2 μm or more away from the reproduction track width center. The film thickness changes on the side closer to the track, and the coverage changes. The film thickness of the longitudinal bias application layer 20 was assumed to change monotonously. That is, the film thickness of the longitudinal bias application layer 20 is minimized between a position 40 nm away from the track edge and a position 2 μm away from the reproduction track width center at a position 40 nm away from the track edge. It was supposed to be.

再生特性の安定性は、主に自由層１６の磁化状態に依存し、安定に動作させるためには、自由層１６のトラック幅方向端部における縦バイアス磁界を大きくすることが必要である。これまでのＣＩＰ構造のＧＭＲを用いた再生ヘッド、及び、ＴＭＲ膜やＣＰＰ−ＧＭＲ膜を用いたＣＰＰ構造ヘッドの検討結果から、自由層１６のトラック幅方向端部における縦バイアス磁界の安定動作に必要な大きさは、経験上２０００Ｏｅ以上である。ＣＩＰ構造ヘッドとＣＰＰ構造ヘッドで同じ値となっているが、これは、(1) 用いている自由層１６の材料の飽和磁化の値がほぼ同じものであり、(2) 形状異方性という観点から、トラック幅と素子高さと膜厚の比を大きく変えることができないという２点から、自由層１６のトラック幅方向端部における反磁界も同じ程度になることから説明することができる。   The stability of the reproduction characteristics mainly depends on the magnetization state of the free layer 16, and in order to operate stably, it is necessary to increase the longitudinal bias magnetic field at the end of the free layer 16 in the track width direction. From the examination results of the reproducing head using the GMR having the CIP structure and the CPP structure head using the TMR film or the CPP-GMR film, the longitudinal bias magnetic field at the end of the free layer 16 in the track width direction is stabilized. The necessary size is empirically 2000 Oe or more. The CIP structure head and the CPP structure head have the same value. This is because (1) the saturation magnetization value of the material of the free layer 16 used is almost the same, and (2) the shape anisotropy is called. From the viewpoint, the demagnetizing field at the end of the free layer 16 in the track width direction can be explained from the two points that the ratio of the track width, the element height and the film thickness cannot be changed greatly.

カバレッジが良くなる（数字が大きくなる）に従って、自由層１６のトラック端部における縦バイアス磁界が大きくなることが分かる。これは、カバレッジが良くなることにより、縦バイアス印加層２０の斜面部表面に出る磁荷密度が小さくなって、上部あるいは下部シールド層に漏れる磁束が少なくなるためと考えられる。なお、安定な再生動作に必要な磁界２０００Ｏｅは、カバレッジが７５％以上で達成されることが分かる。   It can be seen that the longitudinal bias magnetic field at the track end of the free layer 16 increases as the coverage improves (the number increases). This is presumably because the magnetic charge density that appears on the surface of the slope portion of the longitudinal bias application layer 20 is reduced due to the improved coverage, and the magnetic flux leaking to the upper or lower shield layer is reduced. It can be seen that the magnetic field 2000 Oe necessary for stable reproduction operation is achieved with a coverage of 75% or more.

なお、上記において、トラック幅方向絶縁層２２としては、アルミナ、酸化シリコン、酸化タンタル、窒化アルミニウム、窒化シリコン、窒化タンタルなどの単層膜、混合膜及び積層膜を用いることができ、縦バイアス印加層２０としては、Ｃｏ−Ｐｔ系合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金などの硬磁性膜や、Ｎｉ−Ｆｅ系合金やＣｏ−Ｆｅ系合金などの強磁性膜とＰｔ−Ｍｎ系合金、Ｍｎ−Ｉｒ系合金などの反強磁性膜やＣｏ−Ｐｔ系合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金などの硬磁性膜との積層膜などを用いることができる。このとき、縦バイアス印加層２０として硬磁性膜を用いる場合に、硬磁性膜の特性、特に保磁力を制御するためにＣｒなどの下地膜を設けてもよい。   In the above, the track width direction insulating layer 22 can be a single layer film, a mixed film or a laminated film of alumina, silicon oxide, tantalum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, tantalum nitride, etc. As the layer 20, a hard magnetic film such as a Co—Pt alloy or a Co—Cr—Pt alloy, a ferromagnetic film such as a Ni—Fe alloy or a Co—Fe alloy, a Pt—Mn alloy, Mn— An antiferromagnetic film such as an Ir-based alloy or a laminated film with a hard magnetic film such as a Co-Pt-based alloy or a Co-Cr-Pt-based alloy can be used. At this time, when a hard magnetic film is used as the longitudinal bias application layer 20, a base film such as Cr may be provided to control the characteristics of the hard magnetic film, particularly the coercive force.

トラック幅方向保護膜２３は、リフトオフマスク材の除去に用いるＣＭＰの際に縦バイアス印加層２０が削られないようにするために設けるもので、ＣＭＰの研磨速度が小さい材料、たとえば、Ｃ，Ｃｒ，Ｒｈ，Ｉｒなどを用いる。プロセス尤度がある場合には必ずしも設けなくともよい。   The track width direction protective film 23 is provided to prevent the longitudinal bias application layer 20 from being removed during CMP used for removing the lift-off mask material, and is made of a material having a low CMP polishing rate, for example, C, Cr. , Rh, Ir, etc. are used. It is not always necessary to provide the process likelihood.

また、トラック幅方向絶縁層２２、縦バイアス印加層２０、トラック幅方向保護膜２３の成膜方法としては、上記では、一例としてイオンビームスパッタリング法を挙げたが、この他のＣＶＤ（Chemical vapor deposition）法や、ＤＣあるいはＲＦスパッタリング法などを用いることもできる。   In addition, as a method for forming the track width direction insulating layer 22, the longitudinal bias application layer 20, and the track width direction protective film 23, the ion beam sputtering method has been described as an example. However, other CVD (Chemical vapor deposition) methods are used. ) Method, DC or RF sputtering method, etc. can also be used.

トラック幅方向の形成が完了した後、素子高さ方向の磁気抵抗効果センサ部分となる領域にリフトマスク材を形成して、エッチングにより磁界を検知する磁気抵抗効果センサ部の必要な領域以外にある磁気抵抗効果センサ膜、及び、トラック幅方向絶縁層２２、縦バイアス印加層２０及びトラック幅方向保護膜２３を除去する。このとき、トラック幅方向と同様に、磁気抵抗効果センサ膜の端部に再付着物を極力残さないようにすることが重要である。この後、アルミナ、酸化シリコン、酸化タンタル、窒化アルミニウム、窒化シリコン、窒化タンタルなどの単層膜、混合膜及び積層膜からなる素子高さ方向絶縁膜を成膜し、リフトオフマスク材を除去して素子高さ方向の形成が完了する。   After the formation in the track width direction is completed, a lift mask material is formed in a region that becomes a magnetoresistive effect sensor portion in the element height direction, and is in a region other than the necessary region of the magnetoresistive effect sensor portion that detects a magnetic field by etching. The magnetoresistive effect sensor film, the track width direction insulating layer 22, the longitudinal bias application layer 20, and the track width direction protective film 23 are removed. At this time, as in the track width direction, it is important not to leave as much redeposition as possible at the end of the magnetoresistive sensor film. Thereafter, an element height direction insulating film composed of a single layer film, mixed film and laminated film of alumina, silicon oxide, tantalum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, tantalum nitride, etc. is formed, and the lift-off mask material is removed. The formation in the element height direction is completed.

次に、下部シールド層１１及び上部シールド層２１にセンス電流を供給するリード線を形成する。リード線の材料としては、Ｃｕ，Ａｕ，Ｔａ，Ｒｈ，Ｍｏなどの低抵抗金属を用い、必要に応じて、その下側、上側あるいは両側に他の金属層を設けてもよい。   Next, lead wires for supplying a sense current to the lower shield layer 11 and the upper shield layer 21 are formed. As a material for the lead wire, a low resistance metal such as Cu, Au, Ta, Rh, or Mo may be used, and another metal layer may be provided on the lower side, the upper side, or both sides as required.

必要に応じて絶縁保護膜を形成した後、磁気抵抗効果センサ膜やリード線などの最表面をクリーニングした後、上部シールド層２１の下地膜を兼ねて第２の上部ギャップ層１７２、及び、上部シールド層２１を形成し（図７（ｅ））、再生素子部の製造工程が完了する。   After forming an insulating protective film as necessary, after cleaning the outermost surface of the magnetoresistive sensor film, lead wire, etc., the second upper gap layer 172 that also serves as the base film of the upper shield layer 21 and the upper part The shield layer 21 is formed (FIG. 7E), and the manufacturing process of the reproducing element portion is completed.

この上に、再生素子部と記録素子部を分離するための分離層を介して記録用の誘導型磁気ヘッドを形成するが詳細は省略する。誘導型磁気ヘッドの形成終了後、再生素子のトラック幅方向に磁界を印加しながら熱処理を行い、固定層１４の磁化の方向を概ね素子高さ方向に保ったまま、自由層１６の磁化の方向をトラック幅方向に向け、ウェハ工程が完了する。   On this, an inductive magnetic head for recording is formed through a separation layer for separating the reproducing element portion and the recording element portion, but the details are omitted. After the formation of the inductive magnetic head, heat treatment is performed while applying a magnetic field in the track width direction of the reproducing element, and the magnetization direction of the free layer 16 is maintained while maintaining the magnetization direction of the fixed layer 14 substantially in the element height direction. Toward the track width direction to complete the wafer process.

さらに、所望の素子高さになるまで磁気ヘッド素子を機械研磨により削る研磨工程、磁気記録再生装置内で再生素子及び記録素子を保護するための保護膜形成工程、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間隔（浮上量）を制御するために媒体対向面に所定の溝形状を形成する工程、個々の磁気ヘッドをサスペンションに接着する組立て工程などを経て、ヘッド・ジンバル・アッセンブリが完成する。   Further, a polishing process in which the magnetic head element is shaved by mechanical polishing until a desired element height is achieved, a protective film forming process for protecting the reproducing element and the recording element in the magnetic recording / reproducing apparatus, and a magnetic head and a magnetic recording medium. The head gimbal assembly is completed through a process of forming a predetermined groove shape on the medium facing surface in order to control the spacing (flying amount), an assembly process of bonding individual magnetic heads to the suspension, and the like.

本実施例の磁気ヘッドの媒体対向面形状は、図１に示されているように、次のような特徴を有する。
(1) 縦バイアス印加層２０のセンサ膜に面する端部が自由層１６のトラック幅方向の端部よりトラック幅方向外側に位置すること
(2) センサ膜からトラック幅方向に離れた領域で、縦バイアス印加層２０の下面がセンサ膜の下面よりも下方に位置すること
(3) 縦バイアス印加層２０はセンサ膜近傍までほぼ同様な厚さを維持していること
(4) センサ膜のトラック幅方向側面は凹面形状を有し、下部シールド層１１とトラック幅方向絶縁層２２との界面は、そのセンサ膜側面の凹面形状と連続的につながる傾斜を有した緩やかな凹面形状を有すること
(5) 自由層のトラック幅方向端部のセンサ膜近傍の形状は、上部輪郭形状が上に凸形状で、下部輪郭形状が下に凸形状であること The medium facing surface shape of the magnetic head of the present embodiment has the following characteristics as shown in FIG.
(1) The end of the longitudinal bias applying layer 20 facing the sensor film is located outside the end of the free layer 16 in the track width direction.
(2) The lower surface of the longitudinal bias applying layer 20 is positioned below the lower surface of the sensor film in a region away from the sensor film in the track width direction.
(3) The longitudinal bias application layer 20 maintains substantially the same thickness up to the vicinity of the sensor film.
(4) The side surface in the track width direction of the sensor film has a concave shape, and the interface between the lower shield layer 11 and the insulating layer 22 in the track width direction has a gentle slope with a slope that is continuously connected to the concave shape on the side surface of the sensor film. Have a concave shape
(5) The shape near the sensor film at the end of the free layer in the track width direction is such that the upper contour is convex upward and the lower contour is convex downward

次に、中間層１５としてトンネル障壁層を用いた磁気ヘッドを作成して、ヘッド特性、特に再生特性の評価を行った。トラック幅（自由層１６の幾何学的な幅）は８０ｎｍ、再生ギャップ長は４０ｎｍで、縦バイアス印加層２０である硬磁性層は、その残留磁束密度Ｂrと膜厚ｔの積が自由層の飽和磁束密度Ｂsと膜厚ｔの積の８倍とし、素子高さは略８０ｎｍとした。ここで、下部シールド層１１は、再生トラック幅中心から２μｍ離れた位置では再生トラック幅中心に比べて１０ｎｍ掘り込まれており、縦バイアス印加層２０のトラック端部から４０ｎｍ離れた位置での膜厚は、トラック中心から２μｍ離れた位置における膜厚の８８％を維持していた。 Next, a magnetic head using a tunnel barrier layer as the intermediate layer 15 was prepared, and the head characteristics, particularly the reproduction characteristics were evaluated. The track width (the geometric width of the free layer 16) is 80 nm, the reproduction gap length is 40 nm, and the hard magnetic layer as the longitudinal bias applying layer 20 has a product of the residual magnetic flux density Br and the film thickness t. 8 times the product of the saturation magnetic flux density B s and the film thickness t, and the element height was about 80 nm. Here, the lower shield layer 11 is dug 10 nm compared to the reproduction track width center at a position 2 μm away from the reproduction track width center, and the film at a position 40 nm away from the track end of the longitudinal bias application layer 20. The thickness was maintained at 88% of the film thickness at a position 2 μm away from the track center.

比較のため、トラック幅方向を従来方法で形成した磁気ヘッドも作成した。このヘッドの媒体対向面における構造は、図２（ｂ）のような構造である。   For comparison, a magnetic head having a track width direction formed by a conventional method was also prepared. The structure of the head on the medium facing surface is as shown in FIG.

各々５００本のヘッドについて、スピンスタンドを用いて、所定の記録パターンを再生したときの出力Ｖppと、所定の記録電流のＯＮ及びＯＦＦを繰り返して観測した波形振幅変動ｄＶppとに着目し、比較した結果を表１に示す。ここで、波形振幅変動ｄＶppは、出力の最大値をＶmax、最小値をＶmin、平均値をＶaveとしたときに、ｄＶpp＝（Ｖmax−Ｖmin）／Ｖave×１００（％）で定義される。表において、出力Ｖppは４．５ｍＶ以上のものを、波形振幅変動ｄＶppは１０％以下のものを良品とした。 Focusing on the output V pp when a predetermined recording pattern is reproduced and the waveform amplitude fluctuation dV pp observed repeatedly by repeating ON and OFF of a predetermined recording current for each of 500 heads using a spin stand, The comparison results are shown in Table 1. Here, the waveform amplitude fluctuation dV pp is expressed as follows: dV pp = (V max −V min ) / V ave × 100 (V max , the minimum value is V min , and the average value is V ave ). %). In the table, the output V pp is 4.5 mV or more, and the waveform amplitude fluctuation dV pp is 10% or less.

Figure 0005355859
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出力Ｖppについては、本発明の磁気ヘッドの良品率が９５％、比較例では９８％と比較例の方が良くなっているが、波形振幅変動ｄＶppについては、本発明の磁気ヘッドが９０％であるのに対して、比較例は４３％と大きな違いが出た。これらの結果から、比較例の磁気ヘッドは、縦バイアス磁界が弱いために出力Ｖppの良品率が高く、再生特性の安定性を示す波形振幅変動ｄＶppの良品率が低くなっており、一方、本発明の磁気ヘッドは、適度な縦バイアス磁界が印加されているために、出力Ｖpp、波形振幅変動ｄＶppともに良好な良品率を示すものと考えられる。 Regarding the output V pp , the non-defective product ratio of the magnetic head of the present invention is 95%, and the comparative example is 98%, which is better than the comparative example. However, the waveform amplitude variation dV pp is 90% of the magnetic head of the present invention. %, While the comparative example showed a big difference of 43%. From these results, the magnetic head of the comparative example has a high yield rate of the output V pp because the longitudinal bias magnetic field is weak, and the yield rate of the waveform amplitude fluctuation dV pp indicating the stability of the reproduction characteristics is low. The magnetic head of the present invention is considered to exhibit a good yield rate for both the output V pp and the waveform amplitude fluctuation dV pp because an appropriate longitudinal bias magnetic field is applied.

さらに、本実施例の磁気ヘッドを作製した製造方法を用いて、トラック幅方向を形成する際の下部シールド層１１のエッチング量（掘込み量）を変えた磁気ヘッドも作製し、同様の評価を行った。その結果を表２に示す。   Furthermore, using the manufacturing method for manufacturing the magnetic head of the present example, a magnetic head in which the etching amount (digging amount) of the lower shield layer 11 when forming the track width direction was changed was manufactured, and the same evaluation was performed. went. The results are shown in Table 2.

Figure 0005355859
Figure 0005355859

ここで、下部シールド層１１の掘込み量は、エッチングされて掘り込まれている場合には正、逆に、掘り込まれずに、下部シールド層１１の上に下部ギャップ層１２などが残っている場合には負になるように定義した。その右の欄は、縦バイアス印加層２０の膜厚方向の中心の高さと、自由層１６のそれとの差であり、正の場合には、縦バイアス印加層２０の膜厚方向の中心の位置の方が高い位置にあることを示す。縦バイアス印加層２０の膜厚方向の中心の高さは、再生トラック幅中心から２μｍ離れた位置よりセンサ膜側の領域における縦バイアス印加層の平均的な高さをとった。下部シールド層１１の掘込み量を大きくすると、縦バイアス印加層２０の膜厚方向の中心の高さが自由層１６に近づき、それによって、縦バイアス磁界が大きくなるために、出力が抑えられるので、Ｖppの良品率は下がり、ｄＶppの良品率が向上することが分かる。下部シールド層１１を６ｎｍ掘込んだときに、縦バイアス印加層２０のトラック幅方向絶縁層２２との境界線の最も基板に近い境界線が、下部ギャップ層１２と下部シールド層１１の界面よりも下側に位置するようになるが、掘込み量を６ｎｍ以上とすることで、Ｖpp、ｄＶppの良品率がともに９０％以上の高い良品率が得られた。 Here, the amount of digging of the lower shield layer 11 is normal or reverse when the digging is performed by etching, and the lower gap layer 12 or the like remains on the lower shield layer 11 without being dug. It was defined to be negative in some cases. The right column shows the difference between the height of the center of the longitudinal bias application layer 20 in the film thickness direction and that of the free layer 16, and in the positive case, the position of the center of the longitudinal bias application layer 20 in the film thickness direction. Indicates that is higher. The height of the center in the film thickness direction of the longitudinal bias application layer 20 was the average height of the longitudinal bias application layer in the region on the sensor film side from the position 2 μm away from the reproduction track width center. When the digging amount of the lower shield layer 11 is increased, the height of the center in the film thickness direction of the vertical bias application layer 20 approaches the free layer 16, thereby increasing the vertical bias magnetic field, thereby suppressing the output. It can be seen that the non-defective rate of V pp decreases and the non-defective rate of dV pp improves. When the lower shield layer 11 is dug 6 nm, the boundary line between the longitudinal bias application layer 20 and the track width direction insulating layer 22 closest to the substrate is more than the interface between the lower gap layer 12 and the lower shield layer 11. Although it comes to be located on the lower side, by setting the digging amount to 6 nm or more, a non-defective product rate of 90% or higher was obtained for both non-defective products of V pp and dV pp .

高い記録密度は、幾何学トラック幅を狭くすることによって達成することができるが、実効的なトラック幅を狭くすることも重要である。そのためには、磁気抵抗効果センサ膜が配置されている位置での再生ギャップ長のみならず、その両脇のシールド間隔を狭くする必要がある。このような要求を満たす本発明の磁気抵抗効果ヘッドのトラック幅方向の構造を図６に、トラック幅方向の形成工程を図９に示す。   High recording density can be achieved by reducing the geometric track width, but it is also important to reduce the effective track width. For this purpose, it is necessary to narrow not only the reproduction gap length at the position where the magnetoresistive effect sensor film is disposed, but also the shield interval on both sides thereof. FIG. 6 shows the structure in the track width direction of the magnetoresistive head of the present invention that satisfies such requirements, and FIG. 9 shows the formation process in the track width direction.

実施例１においては、上部シールド層２１の下面は磁気抵抗効果センサ膜部分を底辺とする下に凸の構造となっており、磁気抵抗効果センサ膜の両脇の部分において、上部シールド層２１と下部シールド層１１の間隔が広くなっている。図９（ａ）に示すように磁気抵抗効果センサ膜プロセス保護膜１８を薄く形成し、図９（ｂ）のトラック幅方向を形成する際のエッチングにおいて下部シールド層１１の掘り込み量を若干多くし、図９（ｃ）のようにトラック幅方向保護膜２３を薄くして、リフトオフマスク材を除去するＣＭＰ工程の直前で、磁気抵抗効果センサ膜とその両脇の部分の高さの違いを小さくすることにより、ＣＭＰ工程での特に磁気抵抗効果センサ膜近傍における縦バイアス印加層２０の削れの防止を実現しつつ、ＣＭＰ工程後において磁気抵抗効果センサ膜の最上面と縦バイアス印加層２０の上面とをほぼ同じ高さにすることができる（図９（ｄ））。これにより、上部シールド層２１の下面を平坦にすることができ、磁気抵抗効果センサ膜の両脇の部分においてもシールド間隔を狭くできるため、実効的なトラック幅を狭くすることができる。なお、リフトオフマスク材を除去するＣＭＰの条件は、実施例１の構造を形成する条件から変える必要があり、磁気抵抗効果センサ膜プロセス保護膜１８あるいは第１の上部ギャップ層１７１が一部分残り、かつ、縦バイアス印加層２０とほぼ同じ高さになるように、最適化することが必要である。   In the first embodiment, the lower surface of the upper shield layer 21 has a downwardly convex structure with the magnetoresistive sensor film portion as the base, and the upper shield layer 21 and the upper shield layer 21 are formed on both sides of the magnetoresistive sensor film. The space | interval of the lower shield layer 11 is wide. As shown in FIG. 9A, the magnetoresistive effect sensor film process protective film 18 is formed thin, and the digging amount of the lower shield layer 11 is slightly increased in the etching for forming the track width direction in FIG. 9B. Then, as shown in FIG. 9C, just before the CMP process in which the track width direction protective film 23 is thinned and the lift-off mask material is removed, the difference in height between the magnetoresistive effect sensor film and the portions on both sides thereof is determined. By reducing the size, it is possible to prevent the longitudinal bias application layer 20 from being scraped particularly in the vicinity of the magnetoresistive effect sensor film in the CMP process, and the uppermost surface of the magnetoresistive effect sensor film and the longitudinal bias application layer 20 after the CMP process. The upper surface can be made substantially the same height (FIG. 9D). As a result, the lower surface of the upper shield layer 21 can be flattened, and the shield interval can be reduced at both sides of the magnetoresistive sensor film, so that the effective track width can be reduced. Note that the CMP conditions for removing the lift-off mask material need to be changed from the conditions for forming the structure of Example 1, the magnetoresistive effect sensor film process protective film 18 or the first upper gap layer 171 partially remains, and Therefore, it is necessary to optimize the vertical bias application layer 20 so that it is almost the same height.

さらに、図９（ｅ）のように、第２の上部ギャップ層１７２を薄くすることによって、磁気抵抗効果センサ膜部分における再生ギャップ長も狭くすることができるため、トラック幅方向のみならず、ビット方向についても高記録密度化が達成できる。   Further, as shown in FIG. 9E, by reducing the thickness of the second upper gap layer 172, the reproduction gap length in the magnetoresistive effect sensor film portion can be reduced, so that not only the track width direction but also the bit High recording density can also be achieved in the direction.

トラック幅（自由層１６の幾何学的な幅）が８０ｎｍ、再生ギャップ長が３０ｎｍ、縦バイアス印加層２０である硬磁性層の残留磁束密度Ｂrと膜厚ｔの積が自由層の飽和磁束密度Ｂsと膜厚ｔの積の８倍、素子高さが略８０ｎｍの諸元で、下部シールド層１１の掘込み量を変えた磁気ヘッドを作製し、実施例１において行った評価と同様の評価を行った。その結果を表３に示す。 The product of the residual magnetic flux density Br and the film thickness t of the hard magnetic layer as the longitudinal bias applying layer 20 is 80 nm, the reproduction gap length is 30 nm, the track width (the geometric width of the free layer 16), and the saturation magnetic flux of the free layer. A magnetic head in which the amount of digging of the lower shield layer 11 was changed with the dimensions of the product of the density B s and the film thickness t 8 times and the element height of about 80 nm, was the same as the evaluation performed in Example 1. Was evaluated. The results are shown in Table 3.

Figure 0005355859
縦バイアス印加層２０のトラック幅方向絶縁層２２との境界線の最も基板に近い境界線が、下部ギャップ層１２と下部シールド層１１の界面よりも下側に位置するようになるのは、掘込み量が６ｎｍ以上のときである。試作を行ったヘッドの再生ギャップ長が３０ｎｍと狭いので、縦バイアス印加層２０から発生する磁束が下部あるいは上部シールド層に漏れやすい状況にある。そのため、ｄＶppの良品率としては実施例１の評価結果（表２）よりも低い値になっているが、６ｎｍ以上の掘込み量において、ｄＶppの良品率が８０％以上の高い値が得られている。この値を９０％以上にするためには、下部シールド層１１の掘込み量を多くすることによって可能となることが分かる。
Figure 0005355859
 The boundary line closest to the substrate of the boundary line between the longitudinal bias application layer 20 and the track width direction insulating layer 22 is positioned below the interface between the lower gap layer 12 and the lower shield layer 11. This is when the amount of penetration is 6 nm or more. Since the reproduction gap length of the prototyped head is as narrow as 30 nm, the magnetic flux generated from the longitudinal bias application layer 20 is likely to leak to the lower or upper shield layer. Therefore, the non-defective product rate of dV pp is lower than the evaluation result of Example 1 (Table 2). However, when the digging amount is 6 nm or more, the non-defective product rate of dV pp is 80% or higher. Has been obtained. It can be seen that it is possible to increase this value to 90% or more by increasing the digging amount of the lower shield layer 11.

なお、上記において、磁気抵抗効果センサ膜として、中間層が障壁層であるＴＭＲ効果を利用したものや、導電層あるいは電流狭窄層を有する導電層であるＣＰＰ−ＧＭＲ効果を用いたものを取り上げたが、磁性半導体を用いたものや、偏極スピンの拡散や蓄積現象を利用したものなど、磁気抵抗効果センサ膜を構成する材料の膜面を貫くようにセンス電流が流れるデバイスであれば、本発明の効果は変わるものではない。磁気抵抗効果センサ膜は、磁性層と導電層を何層も重ねた多層構造ＣＰＰ−ＧＭＲ膜であってもよい。また、下部ギャップ層１２、第１の上部ギャップ層１７１、第２の上部ギャップ層１７２は、必須のものではなく、構造上あるいは製造工程上必要でなければ設けなくともよい。リフトオフマスク材を除去した後には、磁気抵抗効果センサ膜プロセス保護膜１８の除去を行っているが、金属材料を用いれば、磁気抵抗効果センサ膜へセンス電流を流すことが可能なので、必ずしも除去することは無く、残した状態でも構わない。   In the above, as the magnetoresistive effect sensor film, those using the TMR effect in which the intermediate layer is a barrier layer and those using the CPP-GMR effect which is a conductive layer having a conductive layer or a current confinement layer are taken up. However, if the device has a sense current that passes through the film surface of the material constituting the magnetoresistive sensor film, such as one using a magnetic semiconductor or one using the diffusion or accumulation phenomenon of polarized spin, The effect of the invention does not change. The magnetoresistive sensor film may be a multilayer structure CPP-GMR film in which a plurality of magnetic layers and conductive layers are stacked. Further, the lower gap layer 12, the first upper gap layer 171, and the second upper gap layer 172 are not essential, and may be omitted if they are not necessary in terms of structure or manufacturing process. After the lift-off mask material is removed, the magnetoresistive effect sensor film process protective film 18 is removed. However, if a metal material is used, a sense current can be passed through the magnetoresistive effect sensor film, so it is not necessarily removed. There is nothing, and it can be left.

さらに、上記では、トラック幅方向を先に作る製造方法を一例に説明したが、素子高さ方向を先に作る製造方法でも、本発明の効果に変わることは無い。さらにまた、磁気抵抗効果センサ膜が媒体対向面に露出するように配置された磁気抵抗効果型ヘッドについて述べたが、磁気抵抗効果センサ膜が媒体対向面から離れたところに配置されて、媒体対向面に全く露出していない、あるいは、一部のみ露出しているような磁気抵抗効果型ヘッドでも同様の効果が得られる。   Furthermore, in the above description, the manufacturing method for making the track width direction first is described as an example. However, the manufacturing method for making the element height direction first does not change the effect of the present invention. Furthermore, the magnetoresistive head is arranged so that the magnetoresistive sensor film is exposed to the medium facing surface. However, the magnetoresistive sensor film is arranged away from the medium facing surface, so that the medium facing The same effect can be obtained with a magnetoresistive head that is not exposed at all or only partially exposed.

本発明は、バルクハウゼンノイズなどの磁化の不安定な動作に起因する変動現象が抑制された、再生特性の安定性に優れた磁気抵抗効果型ヘッドを提供することができる。   The present invention can provide a magnetoresistive head with excellent reproduction characteristics in which fluctuation phenomenon caused by unstable magnetization operation such as Barkhausen noise is suppressed.

本発明のＣＰＰ構造磁気抵抗効果型ヘッドの媒体対向面の概略図。Schematic of the medium facing surface of the CPP structure magnetoresistive head of the present invention. 縦バイアス磁界の計算を行った本発明及び従来のＣＰＰ構造磁気抵抗効果型ヘッドの媒体対向面の概略図。FIG. 6 is a schematic view of the medium facing surface of the present invention and a conventional CPP structure magnetoresistive head in which a longitudinal bias magnetic field is calculated. 本発明及び従来のＣＰＰ構造磁気抵抗効果型ヘッドの縦バイアス磁界の計算結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the longitudinal bias magnetic field of this invention and the conventional CPP structure magnetoresistive head. 縦バイアス磁界の計算を行った本発明及び比較例のＣＰＰ構造磁気抵抗効果型ヘッドの媒体対向面の概略図。FIG. 6 is a schematic view of a medium facing surface of a CPP structure magnetoresistive head of the present invention and a comparative example in which a longitudinal bias magnetic field is calculated. 本発明及び比較例のＣＰＰ構造磁気抵抗効果型ヘッドの縦バイアス磁界の計算結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the longitudinal bias magnetic field of the CPP structure magnetoresistive head of this invention and a comparative example. 本発明の他のＣＰＰ構造磁気抵抗効果型ヘッドの媒体対向面の概略図。Schematic of the medium facing surface of another CPP structure magnetoresistive head of the present invention. 本発明の磁気ヘッドのトラック幅方向の形成プロセスを示す図。The figure which shows the formation process of the track width direction of the magnetic head of this invention. 従来構造のトラック幅方向の形成プロセスを示す図。The figure which shows the formation process of the track width direction of a conventional structure. 本発明の磁気ヘッドのトラック幅方向の形成プロセスを示す図。The figure which shows the formation process of the track width direction of the magnetic head of this invention. トラック端部における縦バイアス磁界の大きさと、縦バイアス印加層のカバレッジの関係を示す図。The figure which shows the relationship between the magnitude | size of the longitudinal bias magnetic field in a track edge part, and the coverage of a longitudinal bias application layer.

符号の説明Explanation of symbols

１０１：基板、１０２：絶縁膜、１１：下部シールド層、１２：下部ギャップ層、１３：ピニング層、１４：固定層、１５：中間層、１６：自由層、１７１：第１の上部ギャップ層、１７２：第２の上部ギャップ層、１８：磁気抵抗センサ膜プロセス保護膜、２０：縦バイアス印加層、２１：上部シールド層、２２：トラック幅方向絶縁層、２３：トラック幅方向保護膜、５０：リフトオフマスク材 101: substrate, 102: insulating film, 11: lower shield layer, 12: lower gap layer, 13: pinning layer, 14: fixed layer, 15: intermediate layer, 16: free layer, 171: first upper gap layer, 172: second upper gap layer, 18: magnetoresistive sensor film process protective film, 20: longitudinal bias application layer, 21: upper shield layer, 22: track width direction insulating layer, 23: track width direction protective film, 50: Lift-off mask material

Claims (13)

下部シールド層と、
上部シールド層と、
前記下部シールド層と上部シールド層の間に形成された、固定層と中間層と自由層の積層膜を含む磁気抵抗効果センサ膜と、
前記センサ膜のトラック幅方向両脇に絶縁層を介して形成された縦バイアス印加層とを有し、
前記縦バイアス印加層の前記センサ膜に面する端部が前記自由層のトラック幅方向の端部よりトラック幅方向外側に位置し、
前記センサ膜のトラック幅方向に離れた領域に位置する前記下部シールド層の上面は、前記センサ膜のトラック幅方向側面と連続的につながる傾斜形状を有し、
前記センサ膜からトラック幅方向に離れた領域で、前記縦バイアス印加層の下面が前記センサ膜の直下にある前記下部シールド層の上面よりも下方に位置し、
前記センサ膜の膜面に垂直方向にセンス電流を流すことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 A bottom shield layer,
An upper shield layer,
A magnetoresistive sensor film including a laminated film of a fixed layer, an intermediate layer, and a free layer formed between the lower shield layer and the upper shield layer;
A longitudinal bias application layer formed on both sides of the sensor film in the track width direction via an insulating layer;
The end of the longitudinal bias application layer facing the sensor film is located on the outer side in the track width direction than the end of the free layer in the track width direction,
The upper surface of the lower shield layer located in a region separated in the track width direction of the sensor film has an inclined shape continuously connected to the side surface of the sensor film in the track width direction,
In a region away from the sensor film in the track width direction, the lower surface of the vertical bias application layer is located below the upper surface of the lower shield layer immediately below the sensor film,
A magnetoresistive head characterized by passing a sense current in a direction perpendicular to the film surface of the sensor film. 請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記自由層のトラック幅中心から２μｍ離れた位置から、前記自由層のトラック幅方向端部から４０ｎｍ離れた位置までにおいて、前記縦バイアス印加層の厚さの最小値が最大値の７５％以上であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。   2. The magnetoresistive head according to claim 1, wherein the thickness of the longitudinal bias application layer is from a position 2 μm away from the track width center of the free layer to a position 40 nm away from the track width direction end of the free layer. A magnetoresistive head having a minimum value of 75% or more of the maximum value. 請求項２記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記自由層のトラック幅方向端部から４０ｎｍ離れた位置よりも前記センサ膜側において、前記縦バイアス印加層の上部輪郭形状が上に凸形状で、下部輪郭形状が下に凸形状であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 3. The magnetoresistive head according to claim 2 , wherein the upper contour shape of the longitudinal bias application layer is convex upward on the sensor film side than the position 40 nm away from the track width direction end of the free layer, A magnetoresistive head characterized in that the lower contour shape is convex downward. 請求項２記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記上部シールド層の下面が媒体対向面において略平坦な直線であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 3. The magnetoresistive head according to claim 2 , wherein the lower surface of the upper shield layer is a substantially flat straight line on the medium facing surface. 下部シールド層と、
上部シールド層と、
前記下部シールド層と上部シールド層の間に形成された、固定層と中間層と自由層の積層膜を含む磁気抵抗効果センサ膜と、
前記センサ膜のトラック幅方向両脇に絶縁層を介して形成された縦バイアス印加層とを有し、
前記センサ膜のトラック幅方向側面は凹面形状を有し、
前記縦バイアス印加層の前記センサ膜に面する端部が前記自由層のトラック幅方向の端部よりトラック幅方向外側に位置し、
前記センサ膜からトラック幅方向に離れた領域で、前記縦バイアス印加層の下面が前記センサ膜直下にある前記下部シールド層の上面よりも下方に位置し、
前記下部シールド層と前記絶縁層との界面は、前記センサ膜のトラック幅方向側面の凹面形状と連続的につながる傾斜形状を有し、
前記センサ膜の膜面に垂直方向にセンス電流を流すことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 A bottom shield layer,
An upper shield layer,
A magnetoresistive sensor film including a laminated film of a fixed layer, an intermediate layer, and a free layer formed between the lower shield layer and the upper shield layer;
A longitudinal bias application layer formed on both sides of the sensor film in the track width direction via an insulating layer;
The side surface of the sensor film in the track width direction has a concave shape,
The end of the longitudinal bias application layer facing the sensor film is located on the outer side in the track width direction than the end of the free layer in the track width direction,
In a region away from the sensor film in the track width direction, the lower surface of the longitudinal bias application layer is located below the upper surface of the lower shield layer immediately below the sensor film,
The interface between the lower shield layer and the insulating layer has an inclined shape continuously connected to the concave shape of the side surface in the track width direction of the sensor film,
A magnetoresistive head characterized by passing a sense current in a direction perpendicular to the film surface of the sensor film. 請求項５記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記自由層のトラック幅中心から２μｍ離れた位置から、前記自由層のトラック幅方向端部から４０ｎｍ離れた位置までにおいて、前記縦バイアス印加層の厚さの最小値が最大値の７５％以上であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 6. The magnetoresistive head according to claim 5 , wherein the thickness of the longitudinal bias applying layer is from a position 2 μm away from the track width center of the free layer to a position 40 nm away from an end in the track width direction of the free layer. A magnetoresistive head having a minimum value of 75% or more of the maximum value. 請求項６記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記自由層のトラック幅方向端部から４０ｎｍ離れた位置よりも前記センサ膜側において、前記縦バイアス印加層の上部輪郭形状が上に凸形状で、下部輪郭形状が下に凸形状であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 In the magnetoresistive head according to claim 6, the upper contour shape of the vertical bias application layer is convex upward on the sensor film side from the position 40 nm away from the track width direction end of the free layer, A magnetoresistive head characterized in that the lower contour shape is convex downward. 下部シールド層と、
上部シールド層と、
前記下部シールド層と上部シールド層の間に形成された、固定層と中間層と自由層の積層膜を含む磁気抵抗効果センサ膜と、
前記センサ膜のトラック幅方向両脇に絶縁層を介して形成された縦バイアス印加層とを有し、
前記縦バイアス印加層の前記センサ膜に面する端部が前記自由層のトラック幅方向の端部よりトラック幅方向外側に位置し、
前記センサ膜からトラック幅方向に離れた領域で、前記縦バイアス印加層の下面が前記センサ膜直下にある前記下部シールド層の上面よりも下方に位置し、
前記自由層のトラック幅方向端部から４０ｎｍの位置よりセンサ膜側の領域における前記縦バイアス印加層の平均的な高さと、前記自由層の平均的な高さとの差が８ｎｍ以下であり、
前記センサ膜の膜面に垂直方向にセンス電流を流すことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 A bottom shield layer,
An upper shield layer,
A magnetoresistive sensor film including a laminated film of a fixed layer, an intermediate layer, and a free layer formed between the lower shield layer and the upper shield layer;
A longitudinal bias application layer formed on both sides of the sensor film in the track width direction via an insulating layer;
The end of the longitudinal bias application layer facing the sensor film is located on the outer side in the track width direction than the end of the free layer in the track width direction,
In a region away from the sensor film in the track width direction, the lower surface of the longitudinal bias application layer is located below the upper surface of the lower shield layer immediately below the sensor film,
The difference between the average height of the longitudinal bias application layer and the average height of the free layer in the region closer to the sensor film than the position of 40 nm from the track width direction end of the free layer is 8 nm or less,
A magnetoresistive head characterized by passing a sense current in a direction perpendicular to the film surface of the sensor film. 請求項８記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記センサ膜のトラック幅方向に離れた領域に位置する前記下部シールド層の上面は、前記センサ膜のトラック幅方向側面と連続的につながる傾斜形状を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 9. The magnetoresistive head according to claim 8 , wherein an upper surface of the lower shield layer located in a region separated in the track width direction of the sensor film has an inclined shape continuously connected to a side surface of the sensor film in the track width direction. A magnetoresistive head characterized by comprising: 請求項８記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記センサ膜のトラック幅方向側面は凹面形状を有し、前記下部シールド層と前記絶縁層との界面は、前記凹面形状と連続的につながる傾斜形状を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 9. The magnetoresistive head according to claim 8 , wherein a side surface in the track width direction of the sensor film has a concave shape, and an interface between the lower shield layer and the insulating layer is an inclined shape continuously connected to the concave shape. A magnetoresistive head characterized by comprising: 請求項８記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記自由層のトラック幅中心から２μｍ離れた位置から、前記自由層のトラック幅方向端部から４０ｎｍ離れた位置までにおいて、前記縦バイアス印加層の厚さの最小値が最大値の７５％以上であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 9. The magnetoresistive head according to claim 8 , wherein the thickness of the longitudinal bias application layer is from a position 2 μm away from the track width center of the free layer to a position 40 nm away from the end of the free layer in the track width direction. A magnetoresistive head having a minimum value of 75% or more of the maximum value. 請求項１１記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記自由層のトラック幅方向端部から４０ｎｍ離れた位置よりも前記センサ膜側において、前記縦バイアス印加層の上部輪郭形状が上に凸形状で、下部輪郭形状が下に凸形状であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 In the magnetoresistive head according to claim 11, the upper contour shape of the vertical bias application layer is convex upward on the sensor film side from the position 40 nm away from the track width direction end of the free layer, A magnetoresistive head characterized in that the lower contour shape is convex downward. 請求項１１記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記上部シールド層の下面が媒体対向面において略平坦な直線であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 12. The magnetoresistive head according to claim 11 , wherein the lower surface of the upper shield layer is a substantially flat straight line on the medium facing surface.
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