JP5344570B2 - Method for purifying 3,4-dialkoxythiophene derivatives - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of purification to give a high purity 3,4-dialkoxythiophene derivative. <P>SOLUTION: This method for purifying the 3,4-dialkoxythiophene derivative comprises (A) a process of mixing for making a contact of an organic layer containing the dialkoxythiophene derivative with an aqueous layer containing an acid, (B) a process of separating the organic layer and aqueous layer, and recovering the organic layer and (C) a process of extracting the 3,4-dialkoxythiophene derivative from the recovered organic layer, and an electroconductive polymer obtained by using the obtained 3,4-dialkoxythiophene derivative as a raw material can be suitably used as a solid electrolytic capacitor, electroconductivity-imparting agent or the like, since it has high transparency in addition to the high electroconductivity. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体の精製方法に関する。   The present invention relates to a method for purifying 3,4-dialkoxythiophene derivatives.

ピロール誘導体、アニリン誘導体、チオフェン誘導体等に代表される芳香族モノマーは導電性高分子の製造に供され、実用化に向けさまざまな研究がなされてきた。特にチオフェン誘導体を原料とする高分子は高導電性に加えて高透明性を有することから、チオフェン誘導体は重要な芳香族モノマーである。   Aromatic monomers represented by pyrrole derivatives, aniline derivatives, thiophene derivatives and the like have been used for the production of conductive polymers, and various studies have been conducted for practical use. In particular, a polymer using a thiophene derivative as a raw material has high transparency in addition to high conductivity, so that the thiophene derivative is an important aromatic monomer.

チオフェン誘導体の中でも3,4−エチレンジオキシチオフェンは固体電解コンデンサや導電性付与剤等の原料として実用化されている。   Among thiophene derivatives, 3,4-ethylenedioxythiophene has been put into practical use as a raw material for solid electrolytic capacitors, conductivity imparting agents and the like.

この3,4−エチレンジオキシチオフェンの製造方法として、3,4−ジメトキシチオフェンをパラトルエンスルホン酸の存在下、エチレングリコールと共にトルエン中で加熱還流させる製造方法が知られている(非特許文献1)。   As a method for producing this 3,4-ethylenedioxythiophene, a production method is known in which 3,4-dimethoxythiophene is heated to reflux in toluene together with ethylene glycol in the presence of paratoluenesulfonic acid (Non-patent Document 1). ).

一方、3,4−ジメトキシチオフェンは、3,4−ジブロモチオフェンをメタノール溶液中でヨウ化カリウム及び酸化銅の存在下に金属ナトリウムと反応させる製造方法により得られることも知られている(非特許文献2)。   On the other hand, 3,4-dimethoxythiophene is also known to be obtained by a production method in which 3,4-dibromothiophene is reacted with metallic sodium in the presence of potassium iodide and copper oxide in a methanol solution (non-patent document). Reference 2).

この様に、3,4−ジメトキシチオフェンに代表されるジアルコキシチオフェンは前記チオフェン誘導体の重要な原料となる。   Thus, dialkoxythiophene represented by 3,4-dimethoxythiophene is an important raw material for the thiophene derivative.

しかしながら、先の製造方法により得られた3,4−ジメトキシチオフェンは低純度であり、この3,4−ジメトキシチオフェンを原料として3,4−エチレンジオキチシチオフェンを製造すると低純度の3,4−エチレンジオキシチオフェンが得られ、精製が非常に困難である。そのため、3,4−ジメトキシチオフェンの製造のときに精製する必要がある。   However, 3,4-dimethoxythiophene obtained by the previous production method has a low purity, and when 3,4-ethylenedioxythiophene is produced from this 3,4-dimethoxythiophene as a raw material, the low-purity 3,4 -Ethylenedioxythiophene is obtained and is very difficult to purify. Therefore, it is necessary to purify when producing 3,4-dimethoxythiophene.

公知となっているチオフェン誘導体等の芳香族モノマーの精製法としては、蒸留、再結晶、クロマトグラフィー、抽出等が挙げられる。   Known methods for purifying aromatic monomers such as thiophene derivatives include distillation, recrystallization, chromatography, extraction and the like.

得られた3,4−ジメトキシチオフェンを蒸留精製することで副生成物を減少でき、例えば、3,4−ジメトキシチオフェンにおいては96.5%程度まで純度を向上させることができる。主な副生成物は2,4−ジメトキシチオフェンである。   By-product can be reduced by purifying the obtained 3,4-dimethoxythiophene by distillation. For example, the purity of 3,4-dimethoxythiophene can be improved to about 96.5%. The main by-product is 2,4-dimethoxythiophene.

蒸留精製によって、さらに高純度化させようとしても副生成物が構造異性体であるため、沸点差が非常に小さいものとなり分離は極めて困難である。   Even if it is attempted to further increase the purity by distillation purification, the by-product is a structural isomer, so that the difference in boiling point is very small and separation is extremely difficult.

Synthetic Communications,28(12),2237−2244(1998)Synthetic Communications, 28 (12), 2237-2244 (1998) Tetrahedron Letters,45,6049−6050(2004)Tetrahedron Letters, 45, 6049-6050 (2004)

本発明の目的は、高純度の3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体を与える精製方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a purification method which gives a highly pure 3,4-dialkoxythiophene derivative.

上記課題を解決するため発明者らが鋭意検討した結果、ジアルコキシチオフェン誘導体を含む有機層と酸を含む水層とを混合接触する工程(A)、前記有機層と前記水層とを分離し、有機層を回収する工程(B)、回収した有機層から下記一般式(1)で示される3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体を抽出する工程(C)を含む3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体の精製方法によれば、2,4−ジアルコキシチオフェン誘導体等の副生成物を取り除くことができ、高純度の3,4−ジメトキシチオフェン誘導体が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。   As a result of intensive studies by the inventors in order to solve the above problems, the step of mixing and contacting the organic layer containing the dialkoxythiophene derivative and the aqueous layer containing the acid (A), separating the organic layer and the aqueous layer, A step of recovering the organic layer (B), and a step of extracting the 3,4-dialkoxythiophene derivative represented by the following general formula (1) from the recovered organic layer (C) 3,4-dialkoxythiophene derivative According to this purification method, it was found that by-products such as 2,4-dialkoxythiophene derivatives can be removed, and that high-purity 3,4-dimethoxythiophene derivatives can be obtained, thereby completing the present invention. It was.

第一の発明は、ジアルコキシチオフェン誘導体を含む有機層と酸を含む水層とを混合接触する工程(A)、前記有機層と前記水層とを分離し、有機層を回収する工程(B)、回収した有機層を溶媒除去し下記一般式(1)により表される3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体を取り出す工程(C)を含む3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体の精製方法である。   The first invention is a step of mixing and contacting an organic layer containing a dialkoxythiophene derivative and an aqueous layer containing an acid, and a step of separating the organic layer and the aqueous layer and recovering the organic layer (B ), A method of purifying the 3,4-dialkoxythiophene derivative, which includes a step (C) of removing the recovered organic layer and removing the 3,4-dialkoxythiophene derivative represented by the following general formula (1).

Figure 0005344570
(式(1)中のR、Rは互いに同じであっても異なっていてもよい炭素数1〜20の鎖状又は分岐鎖状のアルキル基又はアリール基を表す。)
Figure 0005344570
(R 1 and R 2 in Formula (1) represent a linear or branched alkyl group or aryl group having 1 to 20 carbon atoms that may be the same or different from each other.)

第二の発明は、前記ジアルコキシチオフェン誘導体が、一般式(2)により表されるハロゲン化チオフェンとアルカリ金属アルコキシドとを、アルコール系溶媒で反応させて得られたジアルコキシチオフェン誘導体であることを特徴とする第一の発明に記載の3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体の精製方法である。   In a second invention, the dialkoxythiophene derivative is a dialkoxythiophene derivative obtained by reacting a halogenated thiophene represented by the general formula (2) with an alkali metal alkoxide in an alcohol solvent. A method for purifying a 3,4-dialkoxythiophene derivative according to the first aspect of the invention.

Figure 0005344570
(式(2)中のXは互いに独立であっても異なってもよいフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子のいずれかを表す。)
Figure 0005344570
(X in Formula (2) represents either a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom which may be independent or different from each other.)

第三の発明は、酸が、塩酸、パラトルエンスルホン酸、硫酸であることを特徴とする第一又は第二の発明に記載の3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体の精製方法である。   A third invention is a method for purifying a 3,4-dialkoxythiophene derivative according to the first or second invention, wherein the acid is hydrochloric acid, paratoluenesulfonic acid, or sulfuric acid.

第四の発明は、水層の酸の濃度が、前記ジアルコキシチオフェン誘導体に対し0.1〜30モル%である水層を用いることを特徴とする第一から第三の発明のいずれかに記載の3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体の精製方法である。   A fourth invention uses any one of the first to third inventions characterized in that the aqueous layer has an acid concentration of 0.1 to 30 mol% with respect to the dialkoxythiophene derivative. It is a purification method of the described 3,4-dialkoxythiophene derivative.

第五の発明は、少なくとも99.00%の純度を有することを特徴とする第一から第四のいずれかに記載の3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体の精製方法によって得られた3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体である。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a 3,4-dialkoxythiophene derivative purified according to any one of the first to fourth aspects, which has a purity of at least 99.00%. Dialkoxythiophene derivatives.

本発明の精製方法によれば、前記一般式(1)により表される3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体が高純度で得られる。   According to the purification method of the present invention, the 3,4-dialkoxythiophene derivative represented by the general formula (1) can be obtained with high purity.

まず、ジアルコキシチオフェン誘導体を含む有機層と酸を含む水層とを混合接触する工程(A)について説明する。   First, the step (A) in which an organic layer containing a dialkoxythiophene derivative and an aqueous layer containing an acid are mixed and contacted will be described.

本発明は、下記一般式(1)により表される3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体を少なくとも含んでいるジアルコキシチオフェン誘導体を用いることを特徴とする。   The present invention is characterized by using a dialkoxythiophene derivative containing at least a 3,4-dialkoxythiophene derivative represented by the following general formula (1).

Figure 0005344570
Figure 0005344570

前記一般式(1)中のR、Rは互いに同じであっても異なっていてもよい鎖状又は分岐鎖状の炭素数1〜20のアルキル基又はアリール基を表すものである。 R 1 and R 2 in the general formula (1) represent a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group which may be the same or different from each other.

、Rは、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、イソプロピル基、イソブチル基等が挙げられる。これらの中でも反応性や取扱性の面からメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が好ましく挙げられ、メチル基がより好ましく挙げられる。 Examples of R 1 and R 2 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a phenyl group, an isopropyl group, and an isobutyl group. Among these, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group are preferable from the viewpoint of reactivity and handleability, and a methyl group is more preferable.

上記一般式(1)により表される3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体としては、例えば、3,4−ジメトキシチオフェン、3−メトキシ−4−エトキシチオフェン、3,4−ジエトキシチオフェン、3−メトキシ−4−プロポキシチオフェン、3−エトキシ−4−プロポキシチオフェン、3,4−ジプロポキシチオフェン、3−ブトキシ−4−メトキシチオフェン、3−ブトキシ−4−エトキシチオフェン、3−ブトキシ−4−プロポキシチオフェン、3,4−ジブトキシチオフェン等が挙げられる。   Examples of the 3,4-dialkoxythiophene derivative represented by the general formula (1) include 3,4-dimethoxythiophene, 3-methoxy-4-ethoxythiophene, 3,4-diethoxythiophene, and 3-methoxy. -4-propoxythiophene, 3-ethoxy-4-propoxythiophene, 3,4-dipropoxythiophene, 3-butoxy-4-methoxythiophene, 3-butoxy-4-ethoxythiophene, 3-butoxy-4-propoxythiophene, Examples include 3,4-dibutoxythiophene.

本発明に使用する酸としては、蟻酸、酢酸、メタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸、塩酸、リン酸、硝酸、硫酸等の無機酸が挙げられる。
これらの中でも取扱面からパラトルエンスルホン酸、塩酸、硫酸が好ましく挙げられ、パラトルエンスルホン酸、塩酸がより好ましく挙げられる。
Examples of the acid used in the present invention include organic acids such as formic acid, acetic acid, methanesulfonic acid and paratoluenesulfonic acid, and inorganic acids such as hydrochloric acid, phosphoric acid, nitric acid and sulfuric acid.
Among these, paratoluenesulfonic acid, hydrochloric acid, and sulfuric acid are preferable from the viewpoint of handling, and paratoluenesulfonic acid and hydrochloric acid are more preferable.

酸は一種類若しくは二種類以上使用することができる。   One type or two or more types of acids can be used.

水層の酸の濃度は、ジアルコキシ誘導体に対し0.1〜30モル%が好ましく、10〜20モル%がより好ましく挙げられる。酸の濃度が0.1モル%未満である場合2,4−ジアルコキシチオフェン誘導体等を完全に除去しきれないことがあり、また30モル%を超える場合回収率が低下する欠点がある。   0.1-30 mol% is preferable with respect to the dialkoxy derivative, and the concentration of the acid in the aqueous layer is more preferably 10-20 mol%. When the acid concentration is less than 0.1 mol%, the 2,4-dialkoxythiophene derivative or the like may not be completely removed, and when it exceeds 30 mol%, there is a drawback that the recovery rate is lowered.

酸を加えた水層のpHは、0.05〜3.0が好ましく、0.1〜1.0がより好ましい。pHが0.05未満である場合回収率が低下し、pHが3.0を超える場合は2,4−ジアルコキシチオフェン誘導体等を完全に除去しきれない欠点がある。   0.05-3.0 are preferable and, as for pH of the water layer which added the acid, 0.1-1.0 are more preferable. When the pH is less than 0.05, the recovery rate decreases, and when the pH exceeds 3.0, there is a drawback that 2,4-dialkoxythiophene derivatives and the like cannot be completely removed.

有機層に用いる有機溶媒は芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素等が挙げられる。   Examples of the organic solvent used in the organic layer include aromatic hydrocarbons and aliphatic hydrocarbons.

前記芳香族炭化水素として、トルエン、キシレン等が挙げられ、前記脂肪族炭化水素として、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等が挙げられる。取扱の面からヘキサンが好ましく挙げられる。   Examples of the aromatic hydrocarbon include toluene and xylene, and examples of the aliphatic hydrocarbon include pentane, hexane, and heptane. Hexane is preferable from the viewpoint of handling.

前記有機溶媒の使用量はジアルコキシチオフェン誘導体の重量に対し0.01〜100倍が好ましく、0.1〜30倍がより好ましく、1.0〜10倍が特に好ましい。有機溶媒が0.01倍未満である場合回収率が低下し、100倍を超える場合費用が掛かってしまう欠点がある。   The amount of the organic solvent used is preferably 0.01 to 100 times, more preferably 0.1 to 30 times, and particularly preferably 1.0 to 10 times the weight of the dialkoxythiophene derivative. When the organic solvent is less than 0.01 times, the recovery rate is lowered, and when it exceeds 100 times, there is a disadvantage that costs are increased.

ジアルコキシチオフェン誘導体の酸に対する溶解度は、pH1.0の塩酸の水溶液(25℃)に対する溶解度は、3,4−ジアルコキシチオフェンは1.0〜10g/Lであるのに対し、2,4−ジアルコキシチオフェンは50〜100g/Lである。本発明はこのジアルコキシチオフェン誘導体の酸に対する溶解度差を利用して精製する方法である。すなわち、前記有機層と前記水層を接触混合させることで、酸に対する溶解度の差より、酸に溶解しにくい3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体と、酸に溶解しやすい2,4−ジアルコキシチオフェン誘導体等を分離することができる。   The solubility of the dialkoxythiophene derivative in acid is such that the solubility in aqueous solution of hydrochloric acid having a pH of 1.0 (25 ° C.) is 1.0 to 10 g / L for 3,4-dialkoxythiophene, while 2,4- Dialkoxythiophene is 50 to 100 g / L. The present invention is a method for purification using the difference in solubility of the dialkoxythiophene derivative in acid. That is, by contacting and mixing the organic layer and the aqueous layer, a 3,4-dialkoxythiophene derivative that is difficult to dissolve in an acid due to a difference in solubility in acid, and a 2,4-dialkoxythiophene that is easily soluble in acid. Derivatives and the like can be separated.

ジアルコキシチオフェン誘導体を含む有機層と酸を含む水層とを混合接触する際の温度は特に限定されず、室温でも容易に抽出できる。
また、混合接触させる時間は1〜120分が好ましく、2〜60分がより好ましく、5〜30分が特に好ましい。1分未満では、十分に2,4−ジメトキシチオフェン誘導体等の副生成物を水層に溶解させることができず、120分を超えると3,4−ジメトキシチオフェン誘導体まで水層に溶解する欠点を有するためである。
The temperature at which the organic layer containing the dialkoxythiophene derivative and the aqueous layer containing the acid are mixed and contacted is not particularly limited, and can be easily extracted even at room temperature.
Further, the mixing contact time is preferably 1 to 120 minutes, more preferably 2 to 60 minutes, and particularly preferably 5 to 30 minutes. If less than 1 minute, by-products such as 2,4-dimethoxythiophene derivatives cannot be sufficiently dissolved in the aqueous layer, and if over 120 minutes, 3,4-dimethoxythiophene derivatives are dissolved in the aqueous layer. It is for having.

有機層と水層を混合接触させるときの割合は、有機層100mlに対し、pH1.0に調製した水層10〜300mlが好ましく、50〜200mlがより好ましく、100mlが特に好ましい。10ml未満では、十分に2,4−ジメトキシチオフェン誘導体等の副生成物を水層に溶解させることができず、300mlを超えると3,4−ジメトキシチオフェン誘導体まで水層に溶解し、かつ、費用が掛かってしまう欠点がある。   The ratio when the organic layer and the aqueous layer are mixed and contacted is preferably 10 to 300 ml of the aqueous layer adjusted to pH 1.0, more preferably 50 to 200 ml, and particularly preferably 100 ml with respect to 100 ml of the organic layer. If it is less than 10 ml, a by-product such as a 2,4-dimethoxythiophene derivative cannot be sufficiently dissolved in the aqueous layer. If it exceeds 300 ml, the 3,4-dimethoxythiophene derivative is dissolved in the aqueous layer, and the cost is low. There is a disadvantage that will be applied.

有機層と水層を混合接触させる方法は、具体的には、試料を有機溶媒に溶解又は分散させた状態で水層と撹拌する方法である。撹拌する方法は、特に限定されず、例えば、フラスコを用いて攪拌子又は攪拌棒により撹拌させる方法、超音波振動装置を用いて振動させて撹拌する方法、分液漏斗等で振とうさせて撹拌する方法等が挙げられ、撹拌効率や量産化の面から、フラスコを用いて攪拌子又は攪拌棒により撹拌させる方法が好ましく挙げられる。   The method of mixing and contacting the organic layer and the aqueous layer is specifically a method of stirring the aqueous layer in a state where the sample is dissolved or dispersed in an organic solvent. The stirring method is not particularly limited. For example, the stirring method using a stirring bar or a stirring rod using a flask, the stirring method using an ultrasonic vibration device, the stirring by shaking with a separatory funnel or the like. From the viewpoint of stirring efficiency and mass production, a method of stirring with a stirrer or a stirring bar using a flask is preferable.

次に、前記有機層と前記水層を分離し、有機層を回収する工程(B)について説明する。   Next, the process (B) which isolate | separates the said organic layer and the said water layer, and collect | recovers an organic layer is demonstrated.

工程(A)より得られた前記有機層と前記水層の混合物は室温で容易に分離でき、分液漏斗により分離し有機層のみを回収することができる。また、分離した有機層に無水硫酸ナトリウムを加えて脱水させてもよい。   The mixture of the organic layer and the aqueous layer obtained in step (A) can be easily separated at room temperature, and can be separated by a separatory funnel to recover only the organic layer. Further, anhydrous sodium sulfate may be added to the separated organic layer for dehydration.

次に、回収した有機層から溶媒を除去し前記一般式(1)により表される3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体を取り出す工程(C)について説明する。   Next, the step (C) of removing the solvent from the collected organic layer and taking out the 3,4-dialkoxythiophene derivative represented by the general formula (1) will be described.

溶媒を除去する方法としては、減圧濃縮による方法が挙げられる。減圧濃縮とは、加熱又は常温で減圧しながら溶媒成分を抽出することで溶液を濃縮する工程のことである。減圧濃縮によれば、多量の溶液を濃縮することができ、また、溶媒を回収し、再利用することができる。   Examples of the method for removing the solvent include a method using vacuum concentration. Concentration under reduced pressure is a step of concentrating a solution by extracting a solvent component while heating or depressurizing at room temperature. According to the vacuum concentration, a large amount of solution can be concentrated, and the solvent can be recovered and reused.

本発明のジアルコキシチオフェン誘導体の製造方法について説明する。   The manufacturing method of the dialkoxythiophene derivative of this invention is demonstrated.

下記一般式(2)により表されるハロゲン化チオフェンとアルカリ金属アルコキシドとを、アルコール溶媒中で反応させることよりジアルコキシチオフェン誘導体を製造することができる。   A dialkoxythiophene derivative can be produced by reacting a halogenated thiophene represented by the following general formula (2) with an alkali metal alkoxide in an alcohol solvent.

Figure 0005344570
Figure 0005344570

前記一般式(2)中のXは互いに独立であっても異なってもよいフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子のいずれかを表す。   X in the general formula (2) represents a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom which may be independent or different from each other.

一般式(2)により表されるハロゲン化チオフェンとしては、例えば、3,4−ジフルオロチオフェン、3,4−ジクロロチオフェン、3,4−ジブロモチオフェン、3,4−ジヨードチオフェン、3−クロロ−4−フルオロチオフェン、3−ブロモ−4−フルオロチオフェン、3−ヨード−4−フルオロチオフェン、3−ブロモ−4−クロロチオフェン、3−クロロ−4−ヨードチオフェン、3−ブロモ−4−ヨードチオフェン等を挙げることができる。   Examples of the halogenated thiophene represented by the general formula (2) include 3,4-difluorothiophene, 3,4-dichlorothiophene, 3,4-dibromothiophene, 3,4-diiodothiophene, 3-chloro- 4-fluorothiophene, 3-bromo-4-fluorothiophene, 3-iodo-4-fluorothiophene, 3-bromo-4-chlorothiophene, 3-chloro-4-iodothiophene, 3-bromo-4-iodothiophene, etc. Can be mentioned.

これらの中でも価格や取扱の面で3,4−ジフルオロチオフェン、3,4−ジクロロチオフェン、3,4−ジブロモチオフェン、3,4−ジヨードチオフェン等が好ましく挙げられ、3,4−ジブロモチオフェンがより好ましく挙げられる。   Among these, 3,4-difluorothiophene, 3,4-dichlorothiophene, 3,4-dibromothiophene, 3,4-diiodothiophene and the like are preferable in terms of price and handling, and 3,4-dibromothiophene is More preferably.

ハロゲン化チオフェンは一種類若しくは二種類を使用することができる。   One kind or two kinds of halogenated thiophenes can be used.

前記アルカリ金属アルコキシドとしては、例えば、リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチウムプロポキシド、リチウムブトキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムプロポキシド、ナトリウムブトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムプロポキシド、カリウムブロキシド、リチウムフェノキシド、ナトリウムフェノキシド、カリウムフェノキシド等を挙げることができる。
これらの中でも取扱の面でナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムプロポキシド、ナトリウムブトキシドが好ましく挙げられ、ナトリウムメトキシドであればより好ましく挙げられる。
Examples of the alkali metal alkoxide include lithium methoxide, lithium ethoxide, lithium propoxide, lithium butoxide, sodium methoxide, sodium ethoxide, sodium propoxide, sodium butoxide, potassium methoxide, potassium ethoxide, and potassium propoxide. , Potassium bromide, lithium phenoxide, sodium phenoxide, potassium phenoxide and the like.
Among these, sodium methoxide, sodium ethoxide, sodium propoxide, and sodium butoxide are preferable in terms of handling, and sodium methoxide is more preferable.

アルカリ金属アルコキシドは一種類若しくは二種類を使用することができる。   One or two alkali metal alkoxides can be used.

アルコール系溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクチノール、メトキシメタノール、メトキシエタノール、メトキシプロパノール、メトキシブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等を挙げることができる。
これらの中でもメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等が好ましく挙げられ、メタノールがより好ましく挙げられる。
Examples of the alcohol solvent include methanol, ethanol, propanol, butanol, pentanol, hexanol, heptanol, octynol, methoxymethanol, methoxyethanol, methoxypropanol, methoxybutanol, ethylene glycol, and propylene glycol.
Among these, methanol, ethanol, propanol, butanol and the like are preferable, and methanol is more preferable.

前記アルコール系溶媒は一種類若しくは二種類を使用することができる。   One or two kinds of the alcohol solvent can be used.

前記一般式(1)により表されるハロゲン化チオフェンと前記アルカリ金属アルコキシドとをアルコール系溶媒中で混合する際には、触媒を使用することができる。   When the halogenated thiophene represented by the general formula (1) and the alkali metal alkoxide are mixed in an alcohol solvent, a catalyst can be used.

前記触媒としては、例えば、フッ化銅、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等のハロゲン化銅、酸化銅等の銅触媒を挙げることができる。   Examples of the catalyst include copper halides such as copper fluoride, copper chloride, copper bromide, and copper iodide, and copper catalysts such as copper oxide.

反応終了後、例えば、水等を加えてろ過した後、粗生成物を有機溶媒により抽出し、得られた有機溶媒層を水洗し、乾燥させる。   After completion of the reaction, for example, after adding water and filtering, the crude product is extracted with an organic solvent, and the resulting organic solvent layer is washed with water and dried.

前記有機溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族系溶媒が挙げられる。   Examples of the organic solvent include aromatic solvents such as toluene and xylene, and aliphatic solvents such as pentane, hexane, and heptane.

前記粗生成物の有機溶液の乾燥としては、例えば、前記粗生成物の有機溶液を減圧下に加熱還流させ、共沸する水を分離除去する等の操作により実施することができる。   The organic solution of the crude product can be dried by, for example, an operation of heating and refluxing the organic solution of the crude product under reduced pressure to separate and remove azeotropic water.

反応後、例えば、水等を加えてろ過した後、有機溶媒により抽出し、得られた有機層を水洗し乾燥させて、前記一般式(1)より表されるジアルコキシチオフェン誘導体を少なくとも含む粗生成物を得ることができる。主な副生成物としては2,4−ジアルコキシチオフェン誘導体が挙げられる。   After the reaction, for example, after adding water or the like and filtering, the mixture is extracted with an organic solvent, and the obtained organic layer is washed with water and dried to give a crude containing at least the dialkoxythiophene derivative represented by the general formula (1). A product can be obtained. Main by-products include 2,4-dialkoxythiophene derivatives.

前記一般式(1)より表されるジアルコキシチオフェン誘導体を少なくとも含む粗生成物を、例えば減圧蒸留する等の蒸留操作により、純度を向上させることもできる。   Purity can also be improved by a distillation operation such as distillation under reduced pressure of the crude product containing at least the dialkoxythiophene derivative represented by the general formula (1).

本発明の3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体の精製方法は、上記製造方法により得られたジアルコキシチオフェン誘導体によらず、あらゆる製造方法により得られたジアルコキシチオフェン誘導体の精製方法として用いることが可能である。   The method for purifying 3,4-dialkoxythiophene derivatives of the present invention can be used as a method for purifying dialkoxythiophene derivatives obtained by any production method, regardless of the dialkoxythiophene derivatives obtained by the above production methods. It is.

次に本発明について実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、実施例中の「%」は「重量%」を表す。   EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited at all by these Examples. In the examples, “%” represents “% by weight”.

純度はガスクロマトグラフィー(GC)により測定した。装置はAglient Technologies社のAgilent 6890NネットワークGC(カラム:DB−35)を使用した。FIDによる検出装置を用いて得られたピーク面積比により純度を算出した。   Purity was measured by gas chromatography (GC). The apparatus used was an Agilent 6890N network GC (column: DB-35) manufactured by Agilent Technologies. Purity was calculated from the peak area ratio obtained using a detection device by FID.

(実施例1)
[3,4−ジメトキシチオフェンの製造]
500ml四つ口フラスコにナトリウムメトキシド63g、メタノール120gを入れ(ナトリウムメトキシドのメタノール溶媒に対する濃度は、反応前のナトリウムメトキシドの全量を基準として35.0重量%)、アルゴン雰囲気下で70℃にて溶解させた。
臭化第一銅2.49gを入れた後、3,4−ジブロモチオフェン45gを滴下する。滴下後、反応液を88℃にて5時間加熱還流させた。反応後、水を加えてろ過した後、トルエンを用いて抽出し、減圧濃縮した後、減圧蒸留を行い3,4−ジメトキシチオフェンの粗生成物(2,4−ジメトキシチオフェン含有量2.8%、3,4−ジメトキシチオフェン含有量96.5%)22.0gを得た。
Example 1
[Production of 3,4-dimethoxythiophene]
A 500 ml four-necked flask was charged with 63 g of sodium methoxide and 120 g of methanol (the concentration of sodium methoxide in the methanol solvent was 35.0% by weight based on the total amount of sodium methoxide before the reaction), and 70 ° C. under an argon atmosphere. And dissolved.
After adding 2.49 g of cuprous bromide, 45 g of 3,4-dibromothiophene is added dropwise. After the dropping, the reaction solution was heated to reflux at 88 ° C. for 5 hours. After the reaction, water was added, the mixture was filtered, extracted with toluene, concentrated under reduced pressure, and then distilled under reduced pressure to obtain a crude product of 3,4-dimethoxythiophene (2,4-dimethoxythiophene content 2.8%). 22.0 g of 3,4-dimethoxythiophene content 96.5%).

[3,4−ジメトキシチオフェンの精製]
得られた3,4−ジメトキシチオフェンの粗生成物20.0gをヘキサン100mlに希釈し、13.7モル%の塩酸100mlで10分攪拌(室温)した。ヘキサン層を抽出し、減圧濃縮して3,4−ジメトキシチオフェンを得た。得られた3,4−ジメトキシチオフェンの純度は99.1%で回収量は18.8g(回収率:94.0%)あった。得られた生成物に2,4−ジメトキシチオフェンは含有していなかった。
[Purification of 3,4-dimethoxythiophene]
The obtained crude product of 3,4-dimethoxythiophene (20.0 g) was diluted with 100 ml of hexane, and stirred with 100 ml of 13.7 mol% hydrochloric acid for 10 minutes (room temperature). The hexane layer was extracted and concentrated under reduced pressure to obtain 3,4-dimethoxythiophene. The purity of the obtained 3,4-dimethoxythiophene was 99.1%, and the recovered amount was 18.8 g (recovery rate: 94.0%). The resulting product did not contain 2,4-dimethoxythiophene.

(実施例2)
[3,4−ジメトキシチオフェンの精製]
実施例1と同様にして得られた3,4−ジメトキシチオフェンの粗生成物20.0gをヘキサン100mlに希釈し27.4モル%塩酸100mlで10分攪拌(室温)した。ヘキサン層を抽出し、減圧濃縮して3,4−ジメトキシチオフェンを得た。得られた3,4−ジメトキシチオフェンの純度は99.2%で回収量は17.8g(回収率:89.0%)あった。得られた生成物に2,4−ジメトキシチオフェンは含有していなかった。
(Example 2)
[Purification of 3,4-dimethoxythiophene]
20.0 g of a crude product of 3,4-dimethoxythiophene obtained in the same manner as in Example 1 was diluted with 100 ml of hexane and stirred with 100 ml of 27.4 mol% hydrochloric acid for 10 minutes (room temperature). The hexane layer was extracted and concentrated under reduced pressure to obtain 3,4-dimethoxythiophene. The purity of 3,4-dimethoxythiophene obtained was 99.2% and the recovered amount was 17.8 g (recovery rate: 89.0%). The resulting product did not contain 2,4-dimethoxythiophene.

(実施例3)
[3,4−ジメトキシチオフェンの精製]
実施例1と同様にして得られた3,4−ジメトキシチオフェンの粗生成物20.0gをヘキサン100mlに希釈し8.2モル%塩酸100mlで10分攪拌(室温)した。ヘキサン層を抽出し、減圧濃縮して3,4−ジメトキシチオフェンを得た。得られた3,4−ジメトキシチオフェンの純度は98.5%で回収量は19.3g(回収率:96.5%)あった。得られた生成物中に2,4−ジメトキシチオフェンは0.6%含有していた。
(Example 3)
[Purification of 3,4-dimethoxythiophene]
A crude product of 3,4-dimethoxythiophene obtained in the same manner as in Example 1 (20.0 g) was diluted with 100 ml of hexane and stirred with 100 ml of 8.2 mol% hydrochloric acid for 10 minutes (room temperature). The hexane layer was extracted and concentrated under reduced pressure to obtain 3,4-dimethoxythiophene. The purity of 3,4-dimethoxythiophene obtained was 98.5% and the recovered amount was 19.3 g (recovery rate: 96.5%). The obtained product contained 0.6% of 2,4-dimethoxythiophene.

(実施例4)
[3,4−ジメトキシチオフェンの精製]
実施例1と同様にして得られた3,4−ジメトキシチオフェンの粗生成物20.0gをヘキサン100mlに希釈し40.0モル%塩酸100mlで10分攪拌(室温)した。ヘキサン層を抽出し、減圧濃縮して3,4−ジメトキシチオフェンを得た。3,4−ジメトキシチオフェンの純度は99.2%で回収量は16.0g(回収率:80.0%)あった。得られた生成物中に2,4−ジメトキシチオフェンは含有していなかった。
Example 4
[Purification of 3,4-dimethoxythiophene]
A crude product of 3,4-dimethoxythiophene obtained in the same manner as in Example 1 (20.0 g) was diluted with 100 ml of hexane and stirred with 100 ml of 40.0 mol% hydrochloric acid for 10 minutes (room temperature). The hexane layer was extracted and concentrated under reduced pressure to obtain 3,4-dimethoxythiophene. The purity of 3,4-dimethoxythiophene was 99.2%, and the recovered amount was 16.0 g (recovery rate: 80.0%). The resulting product did not contain 2,4-dimethoxythiophene.

(実施例5)
[3,4−ジメトキシチオフェンの精製]
実施例1と同様にして得られた3,4−ジメトキシチオフェンの粗生成物20.0gをヘキサン100mlに希釈し17.8モル%パラトルエンスルホン酸100mlで10分攪拌(室温)した。ヘキサン層を抽出し、減圧濃縮して3,4−ジメトキシチオフェンを得た。3,4−ジメトキシチオフェンの純度は99.2%で回収量は17.9g(回収率:89.5%)あった。得られた生成物中に2,4−ジメトキシチオフェンは含有していなかった。
(Example 5)
[Purification of 3,4-dimethoxythiophene]
20.0 g of a crude product of 3,4-dimethoxythiophene obtained in the same manner as in Example 1 was diluted with 100 ml of hexane and stirred with 100 ml of 17.8 mol% paratoluenesulfonic acid for 10 minutes (room temperature). The hexane layer was extracted and concentrated under reduced pressure to obtain 3,4-dimethoxythiophene. The purity of 3,4-dimethoxythiophene was 99.2% and the recovered amount was 17.9 g (recovery rate: 89.5%). The resulting product did not contain 2,4-dimethoxythiophene.

(実施例6)
[3,4−ジメトキシチオフェンの精製]
実施例1と同様にして得られた3,4−ジメトキシチオフェンの粗生成物20.0gをヘキサン100mlに希釈し14.2モル%硫酸100mlで10分攪拌(室温)した。ヘキサン層を抽出し、減圧濃縮して3,4−ジメトキシチオフェンを得た。3,4−ジメトキシチオフェンの純度は99.0%で回収量は18.2g(回収率:91.0%)あった。得られた生成物中に2,4−ジメトキシチオフェンは0.3%含有していた。
(Example 6)
[Purification of 3,4-dimethoxythiophene]
A crude product of 3,4-dimethoxythiophene obtained in the same manner as in Example 1 (20.0 g) was diluted with 100 ml of hexane, and stirred with 100 ml of 14.2 mol% sulfuric acid for 10 minutes (room temperature). The hexane layer was extracted and concentrated under reduced pressure to obtain 3,4-dimethoxythiophene. The purity of 3,4-dimethoxythiophene was 99.0% and the recovered amount was 18.2 g (recovery rate: 91.0%). The obtained product contained 0.3% of 2,4-dimethoxythiophene.

(比較例1)
[3,4−ジメトキシチオフェンの精製]
実施例1と同様にして得られた3,4−ジメトキシチオフェンの粗生成物20.0gをヘキサン100mlに水100mlを加え10分攪拌(撹拌)した。ヘキサン層を抽出し、減圧濃縮して3,4−ジメトキシチオフェンを得た。得られた3,4−ジメトキシチオフェンの純度は96.5%で回収量は19.7g(回収率:98.5%)あった。得られた生成物中に2,4−ジメトキシチオフェンは2.8%含有していた。
(Comparative Example 1)
[Purification of 3,4-dimethoxythiophene]
100 ml of water was added to 100 ml of hexane, and 20.0 g of a crude product of 3,4-dimethoxythiophene obtained in the same manner as in Example 1 was stirred (stirred) for 10 minutes. The hexane layer was extracted and concentrated under reduced pressure to obtain 3,4-dimethoxythiophene. The purity of the obtained 3,4-dimethoxythiophene was 96.5%, and the recovered amount was 19.7 g (recovery rate: 98.5%). The obtained product contained 2.8% of 2,4-dimethoxythiophene.

(比較例2)
[3,4−ジメトキシチオフェンの精製]
実施例1と同様にして得られた3,4−ジメトキシチオフェンの粗生成物20.0gを減圧蒸留して、3,4−ジメトキシチオフェンを得た。得られた3,4−ジメトキシチオフェンの純度は96.5%で回収量は19.7g(回収率:97.2%)あった。得られた生成物中に2,4−ジメトキシチオフェンは2.8%含有していた。
(Comparative Example 2)
[Purification of 3,4-dimethoxythiophene]
20.0 g of a crude product of 3,4-dimethoxythiophene obtained in the same manner as in Example 1 was distilled under reduced pressure to obtain 3,4-dimethoxythiophene. The purity of the obtained 3,4-dimethoxythiophene was 96.5%, and the recovered amount was 19.7 g (recovery rate: 97.2%). The obtained product contained 2.8% of 2,4-dimethoxythiophene.

実施例1〜6及び比較例1、2で得られた3,4−ジメトキシチオフェンの純度、2,4−ジメトキシチオフェンの含有率、回収量を表1に示す。   Table 1 shows the purity of 3,4-dimethoxythiophene, the content of 2,4-dimethoxythiophene obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2, and the recovered amount.

Figure 0005344570
Figure 0005344570

比較例1,2と比べ、実施例1〜6では、2,4−ジメトキシチオフェンの含有率が減り、高純度の3,4−ジメトキシチオフェンが得られた。これより、本発明である3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体の精製方法を用いることで、高純度のジアルコキシチオフェンを得られることがわかる。   Compared with Comparative Examples 1 and 2, in Examples 1 to 6, the content of 2,4-dimethoxythiophene decreased, and high-purity 3,4-dimethoxythiophene was obtained. From this, it can be seen that high-purity dialkoxythiophene can be obtained by using the method for purifying a 3,4-dialkoxythiophene derivative according to the present invention.

このように、本発明の3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体の精製方法を用いることで、高純度の3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体を得ることができ、得られた3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体を原料とする導電性高分子は、高導電性に加えて高透明性を有することから、固体電解コンデンサや導電性付与剤等に好適に使用することができる。   Thus, by using the method for purifying a 3,4-dialkoxythiophene derivative of the present invention, a high-purity 3,4-dialkoxythiophene derivative can be obtained, and the obtained 3,4-dialkoxythiophene is obtained. A conductive polymer using a derivative as a raw material has high transparency in addition to high conductivity, and therefore can be suitably used for a solid electrolytic capacitor, a conductivity imparting agent, and the like.

Claims (4)

ジアルコキシチオフェン誘導体を含む有機層と酸を含む水層とを混合接触する工程(A)、前記有機層と前記水層とを分離し、有機層を回収する工程(B)、回収した有機層を溶媒除去し下記一般式(1)により表される3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体を取り出す工程(C)を含む3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体の精製方法。
Figure 0005344570
(式(1)中のR、Rは互いに同じであっても異なっていてもよい炭素数1〜20の鎖状又は分岐鎖状のアルキル基又はアリール基を表す。)
A step (A) of mixing and contacting an organic layer containing a dialkoxythiophene derivative and an aqueous layer containing an acid, a step (B) of separating the organic layer and the aqueous layer and recovering the organic layer, and the recovered organic layer A method for purifying a 3,4-dialkoxythiophene derivative, which includes a step (C) of removing a solvent and removing a 3,4-dialkoxythiophene derivative represented by the following general formula (1).
Figure 0005344570
(R 1 and R 2 in Formula (1) represent a linear or branched alkyl group or aryl group having 1 to 20 carbon atoms that may be the same or different from each other.)
前記ジアルコキシチオフェン誘導体が、一般式(2)により表されるハロゲン化チオフェンとアルカリ金属アルコキシドとを、アルコール系溶媒で反応させて得られたジアルコキシ誘導体であることを特徴とする請求項1に記載の3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体の精製方法。
Figure 0005344570
(式(2)中のXは互いに独立であっても異なってもよいフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子のいずれかを表す。)
The dialkoxythiophene derivative is a dialkoxy derivative obtained by reacting a halogenated thiophene represented by the general formula (2) with an alkali metal alkoxide in an alcohol solvent. A method for purifying the described 3,4-dialkoxythiophene derivative.
Figure 0005344570
(X in Formula (2) represents either a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom which may be independent or different from each other.)
酸が、塩酸、パラトルエンスルホン酸、硫酸であることを特徴とする請求項1又は2に記載の3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体の精製方法。   The method for purifying a 3,4-dialkoxythiophene derivative according to claim 1 or 2, wherein the acid is hydrochloric acid, paratoluenesulfonic acid, or sulfuric acid. 水層の酸の濃度が、前記ジアルコキシチオフェン誘導体に対し0.1〜30モル%である水層を用いることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の3,4−ジアルコキシチオフェン誘導体の精製方法。   The 3,4-dialkoxy according to any one of claims 1 to 3, wherein the aqueous layer has an acid concentration of 0.1 to 30 mol% with respect to the dialkoxythiophene derivative. Purification method for thiophene derivatives.
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