JP5337429B2 - 可変減衰器及び無線通信装置 - Google Patents
可変減衰器及び無線通信装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5337429B2 JP5337429B2 JP2008210314A JP2008210314A JP5337429B2 JP 5337429 B2 JP5337429 B2 JP 5337429B2 JP 2008210314 A JP2008210314 A JP 2008210314A JP 2008210314 A JP2008210314 A JP 2008210314A JP 5337429 B2 JP5337429 B2 JP 5337429B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- drain
- source
- variable attenuator
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/24—Frequency-independent attenuators
- H03H11/245—Frequency-independent attenuators using field-effect transistor
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Transceivers (AREA)
Description
図1Aは、本発明の第1の実施形態に係る可変減衰器10の構成例を示す図である。図1Aにおいて、入力信号は、DCカットのキャパシタ11を介して3−wellのNMOS12のソースに入力される。入力信号は、3−wellのNMOS12のドレイン・ソース間抵抗で減衰され、ドレインから出力される。出力信号は、DCカットのキャパシタ13を介して次段の回路(記載せず)に出力される。
Vth0が小さくなればボディ電位VBを低くすればよい。
図3に本発明の第2の実施形態に係る可変減衰器30の構成例を示す。図3は、3−wellのPMOSを用いた可変減衰器30の一例を示す図である。図3において、入力信号は、DCカットのキャパシタ31を介して3−wellのPMOS32のソースに入力される。入力信号は、3−wellのPMOS32のドレイン・ソース間抵抗で減衰され、ドレインから出力される。出力信号は、DCカットのキャパシタ33を介して次段の回路(記載せず)に出力される。
図5は、第1の実施形態に係る可変減衰器10に用いられる温度特性補償回路の他の構成例である。図5において、3−wellのNMOS51のソースは、抵抗52を介して接地されている。また、NMOS51のドレインは定電流源53に接続され、ドレイン電流idは一定に保たれている。NMOS51のゲートには定電圧源54に接続され、ゲート電圧Vrefgは一定に保たれている。
図7に、本発明の第4の実施形態に係る可変減衰器70の構成例を示す。図7において、入力信号は、DCカットのキャパシタ71を介して3−wellのNMOS72のソースに入力される。入力信号は、3−wellのNMOS72のドレイン・ソース間抵抗で減衰され、ドレインから出力される。出力信号は、DCカットのキャパシタ73を介して次段の回路(記載せず)に出力される。
図8は、本発明の第5の実施形態に係る可変減衰器90の構成例を示す。図8において、入力信号は、DCカットのキャパシタ91を介して3−wellのNMOS92のソースに入力される。入力信号は、3−wellのNMOS92のドレイン・ソース間抵抗で減衰され、ドレインから出力される。出力信号は、DCカットのキャパシタ93を介して次段の回路(記載せず)に出力される。
図9Aは、本発明の第6の実施形態に係る可変減衰器110の構成例を示す図である。図9Aに示す可変減衰器110は、NMOS及びPMOSを交互に3段接続した可変減衰器の一例である。具体的には、可変減衰器110には、直列に接続された2つの3−wellのNMOS112,113が接続されている。一方のNMOS112のドレインと、他方のNMOS113のソースの接続点に、2つのNMOSに対して並列に接続されたPMOS114から制御電圧を与えている。入力端子は、キャパシタ111を介してNMOS112のソースに接続されている。NMOS112のドレインは、NMOS113のソースとPMOS114のソースとに接続されている。NMOS113のドレインは、キャパシタ115を介して出力端子に接続されている。
図10Aは、本発明の第7の実施形態に係る無線通信装置200の構成例である。図10Aにおいて、振幅位相分離部201は、入力信号(デジタル信号)から振幅成分信号と位相成分信号とを生成する。電圧供給部203は、振幅成分信号に応じた電圧を電力増幅器204に供給する。位相変調部202は、位相成分信号から位相変調信号を生成する。位相変調部202は、例えば、PLL、VCO及び分周器(Divider)から構成される。位相変調信号は、可変減衰器205で減衰された後、電力増幅器204に入力される。可変減衰器205には、上述した第1〜6の実施形態のいずれかの可変減衰器が用いられる。電力増幅器204は、位相変調信号を電圧供給部203から供給される電圧に応じて増幅することで、位相振幅合成された信号を出力する。電力増幅器204から出力された信号は、デュプレクサ206を介して、アンテナ207から送信される。以上のような構成にすることにより、無線通信装置200からの出力信号レベルを大きく可変することができる。
11,13,15,18、31,33,35,38 キャパシタ
71,73,79,82,91,93,96,98 キャパシタ
111,117,120,123 キャパシタ
131,135,137,140,143 キャパシタ
12,23,51,112,113,134 NMOS
32,43,114,132,133 PMOS
14,34,74,94,95,116,136 減衰量制御回路
16,19,20,22,36,39,40,52 抵抗
77,80,83,97,99,100,118,119,121 抵抗
134,138,139 抵抗
17,37,78,80,122,142 反転増幅回路
21,41,84,101,124,144 温度特性補償回路
53 定電流源
54,55 定電圧源
56 比較器
57 積分器
58 フィードバック回路
59 ADコンバータ
60 DSP
61 DAコンバータ
200 無線通信装置
201 振幅位相分離部
202 位相変調部
203 電圧供給部
204 電力増幅器
205 可変減衰器
206 デュプレクサ
207 アンテナ
300 無線通信装置
301,302 変調器
303,304 ミキサ
305 位相分周回路
306 可変減衰器
307 電力増幅器
308 デュプレクサ
309 アンテナ
501,504,508,510 可変減衰器
Claims (10)
- ゲート、ソース、ドレイン及びボディを含むMOSFETと、
前記ゲートに供給される制御電圧の極性が反転されて所定の増幅率で増幅された制御電圧を前記ソース及び前記ドレインに供給する減衰量制御回路と、
前記MOSFETの動作温度に応じて、前記ボディに供給する電圧を制御してボディ電圧とゲート電圧との関係で前記ドレイン及び前記ソース間の抵抗値を調整する温度特性補償回路とを備えた、可変減衰器。 - 前記ソース又は前記ドレインのいずれか一方に接続された入力端子と、前記ソース又は前記ドレインのいずれか他方に接続された出力端子とを備え、
前記ドレイン及び前記ソース間の抵抗値は、前記入力端子及び前記出力端子間に流れる電流の抵抗値であることを特徴とする、請求項1に記載の可変減衰器。 - ゲート、ソース、ドレイン及びボディを含むMOSFETと、
前記ソース又は前記ドレインのいずれか一方に接続された入力端子と、
前記ソース又は前記ドレインのいずれか他方に接続された出力端子と、
前記ゲートに供給される制御電圧の極性が反転されて所定の増幅率で増幅された制御電圧を前記ソース及び前記ドレインに供給する減衰量制御回路と、
前記MOSFETの動作温度に応じて、前記ボディに供給する電圧を制御して、ボディ電圧とゲート電圧との関係で前記入力端子及び前記出力端子間に流れる電流の抵抗値を調整する温度特性補償回路とを備えた、可変減衰器。 - 前記温度特性補償回路は、トリプルウェルNMOSを備え、
前記トリプルウェルNMOSのゲートとドレインとは接続され、
前記トリプルウェルNMOSのソースとボディとは接続され、
前記トリプルウェルNMOSのドレインは、抵抗を介して第1の基準電位に接続され、ソースは前記第1の基準電位よりも電位が低い第2の基準電位に接続されており、
前記トリプルウェルNMOSのゲート及びドレインに印加される電圧を前記MOSFETのボディに供給して、前記MOSFETの閾値電圧を所定値に設定することを特徴とする、請求項2に記載の可変減衰器。 - 前記温度特性補償回路は、トリプルウェルNMOSと、比較器と、積分器とを備え、
前記トリプルウェルNMOSのゲートは第1の基準電位と接続され、ドレインは定電流源と接続され、ソースは抵抗を介して接地され、
前記比較器のプラス端子は第2の基準電位と接続され、マイナス端子は前記トリプルウェルNMOSのドレインと接続され、さらに前記比較器の出力が前記積分器に接続され、前記積分器の出力が前記MOSFET及び前記トリプルウェルNMOSのボディに接続されており、
前記トリプルウェルNMOSのドレイン電圧が前記第2の基準電位になるように、前記MOSFET及び前記トリプルウェルNMOSのボディに供給する電圧を調整して、前記MOSFETの閾値電圧を所定値に設定することを特徴とする、請求項2に記載の可変減衰器。 - 前記トリプルウェルNMOSのボディと、前記MOSFETのボディの間にADコンバータと、DSPと、DAコンバータとが直列に接続され、
前記ADコンバータは、前記トリプルウェルNMOSのボディ電圧をデジタル信号に変換し、
前記DSPは、前記デジタル信号と前記MOSFETのソース電圧に応じて出力デジタル電圧を出力し、
前記DAコンバータは、前記出力デジタル電圧をアナログ電圧に変換することを特徴とする、請求項5に記載の可変減衰器。 - 前記減衰量制御回路は、第1および第2の反転増幅器に接続され、
前記第1の反転増幅器の出力は、第1の容量を介して接地されると共に、第1の抵抗を介して前記MOSFETのドレインと接続され、
前記第2の反転増幅器の出力は、第2の容量を介して接地されると共に、第2の抵抗を介して前記MOSFETのソースに接続されていることを特徴とする、請求項1に記載の可変減衰器。 - ゲート、ソース、ドレイン及びボディを含む第1のMOSFETと、
ゲート、ソース、ドレイン及びボディを含む第2のMOSFETと、
前記第1及び前記第2のMOSFETのゲートに供給される制御電圧の極性が反転されて所定の増幅率で増幅された制御電圧を、前記第1及び前記第2のMOSFETのソースとドレインの少なくとも一方に供給する減衰量制御回路と、
前記第1及び前記第2のMOSFETの動作温度に応じて、前記第1及び前記第2のMOSFETの前記ボディに供給する電圧を制御してボディ電圧とゲート電圧との関係で前記ドレイン及び前記ソース間の抵抗値を調整する温度特性補償回路とを備えた、可変減衰器。 - 通信信号から振幅成分信号と位相成分信号を形成する振幅位相分離部と、
前記位相成分信号から位相変調信号を形成する位相変調部と、
前記位相変調部に接続され前記位相変調部から出力される位相変調信号を減衰させる請求項1に記載の可変減衰器と、
前記可変減衰器の出力端子に接続され、前記出力端子から出力される信号を前記振幅成分信号で位相振幅合成する増幅器と、
前記増幅器に前記振幅成分信号に応じた電圧を供給する電圧供給部と、
前記増幅器から出力された信号を送信するアンテナと、
前記増幅器の出力レベルを示す制御信号を所定の基地局から受信する受信部とを備え、
前記制御信号に応じた電圧値を前記可変減衰器の制御端子に与え、前記増幅器に出力する前記位相変調信号を減衰させることを特徴とする、無線通信装置。 - 通信信号を変調して出力する変調器と、
前記変調器に接続され、前記変調器から出力される信号をアップコンバートするアップコンバータと、
前記アップコンバータに接続され、前記アップコンバータから出力される信号を減衰させる請求項1に記載の可変減衰器と、
前記可変減衰器の出力端子に接続され、前記出力端子から出力される信号を増幅する増幅器と、
前記増幅器から出力された信号を送信するアンテナと、
前記増幅器の出力レベルを示す制御信号を所定の基地局から受信する受信部とを備え、
前記制御信号に応じた電圧値を前記可変減衰器の制御端子に与え、前記増幅器に出力する信号を減衰させることを特徴とする、無線通信装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008210314A JP5337429B2 (ja) | 2007-08-20 | 2008-08-19 | 可変減衰器及び無線通信装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007213820 | 2007-08-20 | ||
JP2007213820 | 2007-08-20 | ||
JP2008210314A JP5337429B2 (ja) | 2007-08-20 | 2008-08-19 | 可変減衰器及び無線通信装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009071812A JP2009071812A (ja) | 2009-04-02 |
JP2009071812A5 JP2009071812A5 (ja) | 2011-07-28 |
JP5337429B2 true JP5337429B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=40453837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008210314A Expired - Fee Related JP5337429B2 (ja) | 2007-08-20 | 2008-08-19 | 可変減衰器及び無線通信装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7710181B2 (ja) |
JP (1) | JP5337429B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5151145B2 (ja) * | 2006-12-26 | 2013-02-27 | ソニー株式会社 | スイッチ回路、可変コンデンサ回路およびそのic |
US8386986B2 (en) | 2009-12-23 | 2013-02-26 | Rf Micro Devices, Inc. | Temperature controlled attenuator |
JP5489937B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2014-05-14 | 株式会社沖データ | 駆動回路、光プリントヘッド、画像形成装置及び表示装置 |
WO2012144234A1 (ja) * | 2011-04-21 | 2012-10-26 | パナソニック株式会社 | 電圧発生回路、アナログ・デジタル変換回路、固体撮像装置、及び撮像装置 |
TWI482434B (zh) * | 2012-04-17 | 2015-04-21 | Realtek Semiconductor Corp | 切換式電容電路以及控制切換式電容電路的方法 |
CN103378805B (zh) * | 2012-04-25 | 2017-02-08 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 切换式电容电路以及控制切换式电容电路的方法 |
US9385687B2 (en) * | 2014-10-09 | 2016-07-05 | Rf Micro Devices, Inc. | Configurable radio frequency attenuator |
CN107238819B (zh) * | 2017-06-07 | 2023-07-04 | 成都振芯科技股份有限公司 | 一种具有温度补偿功能的信号幅度控制装置 |
CN109687841B (zh) * | 2018-12-21 | 2022-08-19 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 宽带温补衰减器 |
CN115242217B (zh) * | 2022-08-25 | 2023-11-17 | 无锡华睿芯微电子科技有限公司 | 一种基于fet开关管芯的超宽带温补压控衰减器芯片 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0946175A (ja) | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 可変抵抗回路、可変アッテネータ回路、利得可変回路及びトランジスタ回路 |
JP3216808B2 (ja) | 1999-03-30 | 2001-10-09 | 日本電気株式会社 | 可変減衰器 |
US6236259B1 (en) * | 1999-10-04 | 2001-05-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Active undershoot hardened fet switch |
US6320408B1 (en) * | 2001-03-02 | 2001-11-20 | Pericom Semiconductor Corp. | Dual-sided undershoot-isolating bus switch |
JP3784664B2 (ja) | 2001-05-29 | 2006-06-14 | 三菱電機株式会社 | 可変減衰器 |
JP4457294B2 (ja) | 2004-02-27 | 2010-04-28 | 株式会社村田製作所 | 可変減衰器及びそれを内蔵してなるモジュール並びに通信装置 |
US7205817B1 (en) * | 2004-03-30 | 2007-04-17 | Maxim Integrated Products, Inc. | Analog control integrated FET based variable attenuators |
-
2008
- 2008-08-18 US US12/193,114 patent/US7710181B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-19 JP JP2008210314A patent/JP5337429B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7710181B2 (en) | 2010-05-04 |
JP2009071812A (ja) | 2009-04-02 |
US20090072932A1 (en) | 2009-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5337429B2 (ja) | 可変減衰器及び無線通信装置 | |
JP2009071812A5 (ja) | ||
US7894772B2 (en) | Low distortion radio frequency (RF) limiter | |
US8340604B2 (en) | RF power amplifier controller circuit including calibrated phase control loop | |
US10859710B2 (en) | Systems and methods for frequency drift compensation for radio receivers | |
US8369802B2 (en) | Polar modulation transmission apparatus and polar modulation transmission method | |
KR101231316B1 (ko) | 임피던스 변조를 갖는 rf 전력 증폭기 시스템 | |
US20150236654A1 (en) | Envelope Tracking Apparatus and Method | |
US9094067B2 (en) | Method and apparatus for calibrating an envelope tracking system | |
US20160373069A1 (en) | Power amplifier module | |
US7936228B2 (en) | Frequency modulator and FM transmission circuit using the same | |
WO2007038388A2 (en) | Linear voltage controlled variable attenuator with linear db/v gain slope | |
US10224891B2 (en) | Radio frequency power amplifier with noise reduction feedback linearization | |
US20060040629A1 (en) | High frequency amplification circuit and mobile communication terminal using the same | |
US8063703B2 (en) | Output circuit of radio-frequency transmitter | |
US9444415B2 (en) | Power amplifier spurious cancellation | |
US9197176B2 (en) | Amplification device and transmitter | |
US9160379B2 (en) | Transmitter and transmitting method | |
US11990875B2 (en) | Bias circuit and power amplifier circuit | |
CA3009003A1 (en) | Systems and methods for frequency drift compensation for radio receivers | |
US9166542B2 (en) | High frequency module and portable terminal using same | |
CN106603097B (zh) | 一种电台用展宽频响的调制线性化电路 | |
US20110273217A1 (en) | Voltage generating circuit for an attenuator | |
JP2006087070A (ja) | 高周波増幅回路およびこれを用いた移動体通信端末 | |
JP2004343296A (ja) | ダイオードリニアライザを用いた歪補償回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110615 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110615 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110826 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121214 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130712 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130805 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5337429 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |