JP5333582B2 - Method for producing aluminum electrode plate for electrolytic capacitor - Google Patents

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Description

本発明は、アルミニウム板に電解エッチングを行なう電解コンデンサ用アルミニウム電極板の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing an aluminum electrode plate for electrolytic capacitors, in which electrolytic etching is performed on an aluminum plate.

近年、パーソナルコンピュータや情報機器等の電子機器のデジタル化、高周波化が進むにつれて、固体アルミニウム電解コンデンサには、低背化、低インピーダンス化、低ＥＳＲに加えて、高容量化が求められている。   In recent years, as electronic devices such as personal computers and information devices have been digitized and increased in frequency, solid aluminum electrolytic capacitors are required to have higher capacities in addition to lower height, lower impedance, and lower ESR. .

固体アルミニウム電解コンデンサを製造するにあたっては、従来、図７（ａ）に示すように、アルミニウム箔１０ｘの全面に電解エッチングを行った後、陽極酸化を行ない、しかる後に、図７（ｂ）、（ｃ）に示すように、アルミニウム箔１０ｘをプレス等により打ち抜いて陽極１５ｘを得る。陽極１５ｘには、陰極（図示せず）が形成される部分１５１ｘと端子１９の接続部分１５２ｘとの間にマスクキング材１８が設けられている。かかる陽極１５ｘでは、陰極（図示せず）が形成される部分１５１ｘ、および端子１９の接続部分１５２ｘの双方が海綿状のエッチング部位１３になっている。   In manufacturing a solid aluminum electrolytic capacitor, conventionally, as shown in FIG. 7A, after the entire surface of the aluminum foil 10x is subjected to electrolytic etching, anodic oxidation is performed, and thereafter, FIGS. As shown in c), the aluminum foil 10x is punched out by pressing or the like to obtain the anode 15x. A masking material 18 is provided on the anode 15 x between a portion 151 x where a cathode (not shown) is formed and a connection portion 152 x of the terminal 19. In the anode 15x, both the portion 151x where the cathode (not shown) is formed and the connection portion 152x of the terminal 19 are spongy etching portions 13.

一方、アルミニウム箔の強度を確保することを目的に、エッチングの際、アルミニウム箔の表面に、エッチング領域を規定する開孔部を備えたマスキング材を設けておく技術が開示されている（特許文献１）。   On the other hand, for the purpose of ensuring the strength of the aluminum foil, a technique is disclosed in which a masking material provided with an opening for defining an etching region is provided on the surface of the aluminum foil during etching (Patent Document). 1).

特許文献１に記載の方法を用いて固体アルミニウム電解コンデンサを製造する場合、図８（ａ）に示すように、エッチング前のアルミニウム箔１５ｙの表面において端子１９の接続部分１５２ｙ等にマスク３０ｙを設けた状態で電解エッチングを行なう。次に、アルミニウム箔１０ｙに陽極酸化を行なった後、マスク３０ｙを除去し、しかる後に、図８（ｂ）、（ｃ）に示すように、アルミニウム箔１０ｙをプレス等により打ち抜いて陽極１５ｙを得る。かかる陽極１５ｙにおいては、陰極が形成される部分１５１ｙは海綿状のエッチング部位１３であるが、端子１９の接続部分１５２ｙは未エッチング部位１２である。   When a solid aluminum electrolytic capacitor is manufactured using the method described in Patent Document 1, as shown in FIG. 8A, a mask 30y is provided on the connection portion 152y of the terminal 19 on the surface of the aluminum foil 15y before etching. Electrolytic etching is performed in the state. Next, after anodizing the aluminum foil 10y, the mask 30y is removed, and thereafter, as shown in FIGS. 8B and 8C, the aluminum foil 10y is punched out by pressing or the like to obtain the anode 15y. . In the anode 15 y, the portion 151 y where the cathode is formed is the spongy etching portion 13, but the connection portion 152 y of the terminal 19 is the unetched portion 12.

特開昭６０−３１２１７号公報JP-A-60-31217

しかしながら、図７および図８に示す方法には以下の問題点がある。まず、図７に示す形態では、端子１９の接続部分１５２ｘも海綿状のエッチング部位１３であるため、端子１９の接続不良が発生しやすいという問題点がある。また、端子１９の接続部分１５２ｘ等といったエッチングを必要としない領域まで電解エッチングされているため、無駄な電気量が発生しているという問題点がある。さらに、エッチングを必要としない領域まで電解エッチングされている分、エッチング液中のアルミニウム濃度が短時間のうちに上昇する等、エッチング液が劣化しやすいという問題点がある。   However, the methods shown in FIGS. 7 and 8 have the following problems. First, in the form shown in FIG. 7, since the connection part 152x of the terminal 19 is also the spongy etching site | part 13, there exists a problem that the connection defect of the terminal 19 tends to generate | occur | produce. In addition, there is a problem that a wasteful amount of electricity is generated because electrolytic etching is performed up to a region that does not require etching, such as the connection portion 152x of the terminal 19. Further, there is a problem that the etching solution is likely to deteriorate, for example, the aluminum concentration in the etching solution increases within a short time because the electrolytic etching is performed up to the region that does not require etching.

これに対して、図８に示す形態では、電解エッチングの際にマスク３０ｙ近傍に電流が集中する結果、マスク３０ｙに沿って過エッチング部位１３ｓが発生し、静電容量が低下するという問題点がある。   On the other hand, in the embodiment shown in FIG. 8, as a result of current concentration in the vicinity of the mask 30y during electrolytic etching, an over-etched portion 13s is generated along the mask 30y, and the capacitance is lowered. is there.

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、電流集中に起因する過エッチング部位を発生させることなく、必要な領域に選択的にエッチングを行なうことのできる電解コンデンサ用アルミニウム電極板の製造方法を提供することにある。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an aluminum electrode plate for an electrolytic capacitor capable of selectively etching a necessary region without generating an overetching site due to current concentration. Is to provide.

上記課題を解決するために、本発明では、エッチング液中で対向配置された第１電極と第２電極の間に前記第１電極および前記第２電極に対向するようにアルミニウム板を配置した状態で前記アルミニウム板に電解エッチングを行なう電解コンデンサ用アルミニウム電極板の製造方法において、前記電解エッチングを行なうにあたって、前記アルミニウム板の両面に当該アルミニウム板に対するエッチング領域を規定する第１開孔部を複数、備えた第１マスクを設けるとともに、前記第１電極および前記第２電極において前記アルミニウム板に対向する面に、前記第１開孔部を投影した領域が第２開孔部になっている第２マスクを設け、前記第２開孔部の面積を、前記第１開孔部の面積の0.7倍から1.15倍とすることを特徴とする。   In order to solve the above-described problem, in the present invention, an aluminum plate is disposed between the first electrode and the second electrode that are opposed to each other in the etching solution so as to face the first electrode and the second electrode. In the method of manufacturing an aluminum electrode plate for an electrolytic capacitor in which electrolytic etching is performed on the aluminum plate, a plurality of first opening portions that define etching regions for the aluminum plate on both surfaces of the aluminum plate, when performing the electrolytic etching, A first mask provided, and a region in which the first aperture is projected on a surface of the first electrode and the second electrode facing the aluminum plate is a second aperture. A mask is provided, and the area of the second aperture is 0.7 to 1.15 times the area of the first aperture.

本発明では、電解エッチングを行なう際、アルミニウム板において、エッチングする必要のない領域は第１マスクで覆われているため、アルミニウム板において、第１マスクによって未エッチング部位とされた領域に端子を接続することができる。それ故、電解コンデンサ用アルミニウム電極板と端子とを確実に接続できるので、端子の接続部分の信頼性が高い。また、エッチングを必要としない領域については電解エッチングを行なわないため、無駄な電気量が発生しない。さらに、エッチング液中への無駄なアルミニウム溶解が発生しないので、エッチング液の劣化を抑制することができる。また、第１電極および第２電極には第２マスクが設けられており、かかる第２マスクは、第１開孔部を投影した領域に第２開孔部を備えている。このため、第２開孔部は第１開孔部と同一形状である。しかも、第２開孔部の面積は第１開孔部の面積の0.7倍から1.15倍に限定されている。従って、アルミニウム板において第１開孔部で露出している領域と、第１電極および第２電極において第２開孔部で露出している領域との間には適正な電位分布が形成されるので、アルミニウム板には、過エッチング部位やエッチング不足部位が発生しにくい。即ち、第２開孔部の面積が第１開孔部の面積の0.7倍未満である場合、アルミニウム板において第１開孔部で露出している領域の端部にはエッチング不足部位が発生し、電解コンデンサ用アルミニウム電極板の静電容量が低下してしまう。これに対して、第２開孔部の面積が第１開孔部の面積の1.15倍を超える場合、アルミニウム板において第１開孔部で露出している領域の端部には過エッチング部位が発生し、電解コンデンサ用アルミニウム電極板の静電容量が低下してしまう。しかるに本発明では、第２開孔部と第１開孔部との面積比を適正化してあるので、エッチング不足部位や過エッチング部位が発生しない。それ故、静電容量の高い電解コンデンサ用アルミニウム電極板を製造することができる。   In the present invention, when the electrolytic etching is performed, a region that does not need to be etched in the aluminum plate is covered with the first mask. Therefore, the terminal is connected to a region that is not etched by the first mask in the aluminum plate. can do. Therefore, since the aluminum electrode plate for electrolytic capacitors and the terminal can be reliably connected, the reliability of the connecting portion of the terminal is high. In addition, since the electrolytic etching is not performed in the region that does not require etching, a wasteful amount of electricity is not generated. Furthermore, since unnecessary aluminum dissolution does not occur in the etching solution, deterioration of the etching solution can be suppressed. The first electrode and the second electrode are provided with a second mask, and the second mask has a second aperture in a region where the first aperture is projected. For this reason, the 2nd opening part is the same shape as the 1st opening part. In addition, the area of the second aperture is limited to 0.7 to 1.15 times the area of the first aperture. Therefore, an appropriate potential distribution is formed between the region exposed at the first aperture in the aluminum plate and the region exposed at the second aperture in the first electrode and the second electrode. Therefore, it is difficult for the aluminum plate to have an over-etched portion or an insufficiently etched portion. That is, when the area of the second aperture is less than 0.7 times the area of the first aperture, an insufficiently etched portion is generated at the end of the region exposed in the first aperture in the aluminum plate. The electrostatic capacity of the aluminum electrode plate for electrolytic capacitors is reduced. On the other hand, when the area of the second aperture exceeds 1.15 times the area of the first aperture, an over-etched site is present at the end of the region exposed in the first aperture in the aluminum plate. And the capacitance of the aluminum electrode plate for electrolytic capacitors is reduced. However, in the present invention, since the area ratio between the second aperture portion and the first aperture portion is optimized, an etching deficient site or an over-etched site does not occur. Therefore, an aluminum electrode plate for electrolytic capacitors having a high capacitance can be manufactured.

本発明において、前記第１マスクにおいて前記第１開孔部によって挟まれた部分には、幅寸法が1mm以上の帯状部分が含まれていることが好ましい。かかる構成によれば、幅寸法が1mm以上の未エッチング部分をアルミニウム板に形成することができ、かかる未エッチング部分に端子を接続することができる。   In the present invention, it is preferable that a portion sandwiched between the first aperture portions in the first mask includes a strip-shaped portion having a width dimension of 1 mm or more. According to this configuration, an unetched portion having a width dimension of 1 mm or more can be formed on the aluminum plate, and a terminal can be connected to the unetched portion.

本発明において、前記第１マスクの厚さが0.1mm以下であることが好ましい。かかる構成によれば、エッチングの際、気泡が第１マスクに起因する段部に引っ掛かってアルミニウム板表面を覆うということがない。このため、アルミニウム板において第１開孔部で露出している領域に対する電流密度がアルミニウム板表面の気泡によって変動することを防止することができる。   In the present invention, the thickness of the first mask is preferably 0.1 mm or less. According to such a configuration, during etching, bubbles do not get caught on the step caused by the first mask and cover the surface of the aluminum plate. For this reason, it can prevent that the current density with respect to the area | region exposed in the 1st aperture part in an aluminum plate changes with the bubbles on the surface of an aluminum plate.

本発明において、前記第１マスクが、前記アルミニウム板の両面に固着された樹脂製マスキング材からなる構成を採用することができる。   In the present invention, it is possible to employ a configuration in which the first mask is made of a resin masking material fixed to both surfaces of the aluminum plate.

本発明において、前記第１開孔部は、四角形の角部を円弧状に切り欠いた形状、あるいは円形であることが好ましい。第１開孔部が四角形である場合には、エッチングの際、四角形の角部分に電流が集中してエッチングが進行しやすいという傾向にあるが、第１開孔部が、四角形の角部を円弧状に切り欠いた形状、あるいは円形である場合には、このような電流集中を防止することができる。本発明において、四角形としては正方形あるいは長方形のいずれの形状であってもよい。また、円形としては正円、長円、楕円のいずれの形状であってもよい。   In the present invention, it is preferable that the first opening portion has a quadrangular corner portion cut out in an arc shape or a circular shape. When the first aperture is a quadrangle, during etching, current tends to concentrate on the corners of the quadrangle and the etching tends to proceed. However, the first aperture has a square corner. Such current concentration can be prevented when the shape is notched in an arc shape or is circular. In the present invention, the quadrangular shape may be either square or rectangular. Further, the circular shape may be any shape of a perfect circle, an ellipse, and an ellipse.

本発明において、前記電解エッチングは交流エッチングであり、前記アルミニウム板におけるエッチング部位の厚さが片面当たり75μm以上となるように前記電解エッチングを行なうことが好ましい。本発明によれば、電流集中が発生しないので、過エッチング部位を発生させずに、片面当たり75μm以上といった深い位置までエッチングすることができる。それ故、静電容量が高い電解コンデンサ用アルミニウム電極板を得ることができる。   In the present invention, the electrolytic etching is AC etching, and it is preferable that the electrolytic etching is performed so that the thickness of the etched portion in the aluminum plate is 75 μm or more per side. According to the present invention, since current concentration does not occur, etching can be performed up to a deep position of 75 μm or more per side without generating an over-etched portion. Therefore, an aluminum electrode plate for electrolytic capacitors having a high capacitance can be obtained.

本発明を適用した電解コンデンサ用アルミニウム電極板は、電解質として機能性高分子が用いられるアルミニウム電解コンデンサの陽極として用いられる。即ち、本発明を適用した電解コンデンサ用アルミニウム電極板は、表面に誘電体膜が形成され、当該誘電体膜上に機能性高分子層が形成されて、電解コンデンサに用いられる。   The aluminum electrode plate for an electrolytic capacitor to which the present invention is applied is used as an anode of an aluminum electrolytic capacitor in which a functional polymer is used as an electrolyte. That is, the aluminum electrode plate for electrolytic capacitors to which the present invention is applied has a dielectric film formed on the surface and a functional polymer layer formed on the dielectric film, and is used for an electrolytic capacitor.

本発明では、電解エッチングを行なう際、アルミニウム板において、エッチングする必要のない領域は第１マスクで覆われているため、アルミニウム板において、第１マスクによって未エッチング部位とされた領域に端子を接続することができる。それ故、電解コンデンサ用アルミニウム電極板と端子との接続部分の信頼性が高い。また、エッチングを必要としない領域については電解エッチングを行なわないため、無駄な電気量が発生しない。さらに、エッチング液中への無駄なアルミニウム溶解が発生しないので、エッチング液の劣化を抑制することができる。また、第２開孔部の面積は第１開孔部の面積の0.7倍から1.15倍に限定されているので、アルミニウム板には、過エッチング部位やエッチング不足部位が発生しにくい。それ故、静電容量の高い電解コンデンサ用アルミニウム電極板を製造することができる。   In the present invention, when the electrolytic etching is performed, a region that does not need to be etched in the aluminum plate is covered with the first mask. Therefore, the terminal is connected to a region that is not etched by the first mask in the aluminum plate. can do. Therefore, the reliability of the connection part between the aluminum electrode plate for electrolytic capacitors and the terminal is high. In addition, since the electrolytic etching is not performed in the region that does not require etching, a wasteful amount of electricity is not generated. Furthermore, since unnecessary aluminum dissolution does not occur in the etching solution, deterioration of the etching solution can be suppressed. In addition, since the area of the second aperture is limited to 0.7 to 1.15 times the area of the first aperture, an overetched site or an insufficiently etched site is unlikely to occur on the aluminum plate. Therefore, an aluminum electrode plate for electrolytic capacitors having a high capacitance can be manufactured.

本発明を適用した電解コンデンサ用アルミニウム電極板の製造装置の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing apparatus of the aluminum electrode plate for electrolytic capacitors to which this invention is applied. 本発明を適用した電解コンデンサ用アルミニウム電極板の製造方法においてアルミニウム板に形成したマスクの説明図である。It is explanatory drawing of the mask formed in the aluminum plate in the manufacturing method of the aluminum electrode plate for electrolytic capacitors to which this invention is applied. 本発明を適用した電解コンデンサ用アルミニウム電極板を用いた固体アルミニウム電解コンデンサ用の陽極を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the anode for solid aluminum electrolytic capacitors using the aluminum electrode plate for electrolytic capacitors to which this invention is applied. 本発明を適用した電解コンデンサ用アルミニウム電極板の製造方法において、第１開孔部と第２開孔部との面積比と、静電容量値との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the area ratio of a 1st aperture part and a 2nd aperture part, and an electrostatic capacitance value in the manufacturing method of the aluminum electrode plate for electrolytic capacitors to which this invention is applied. 本発明の実施例および比較例に係る電解コンデンサ用アルミニウム電極板の平面的な構成および断面構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the planar structure and cross-sectional structure of the aluminum electrode plate for electrolytic capacitors which concern on the Example and comparative example of this invention. 本発明の他の実施の形態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows other embodiment of this invention. 従来の電解コンデンサ用アルミニウム電極板の説明図である。It is explanatory drawing of the conventional aluminum electrode plate for electrolytic capacitors. 参考例に係る電解コンデンサ用アルミニウム電極板の説明図である。It is explanatory drawing of the aluminum electrode plate for electrolytic capacitors which concerns on a reference example.

以下、本発明の実施の形態として、本発明を適用した電解コンデンサ用アルミニウム電極板（エッチド板）の製造方法、および製造装置を説明する。   Hereinafter, as an embodiment of the present invention, a method for manufacturing an aluminum electrode plate (etched plate) for an electrolytic capacitor to which the present invention is applied, and a manufacturing apparatus will be described.

［エッチング装置の説明］
図１は、本発明を適用した電解コンデンサ用アルミニウム電極板の製造装置（エッチング装置）におけるアルミニウム板および電極の構成を示す説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は、２つの電極のうちの一方側からみた斜視図および他方側からみた斜視図に相当する。図２は、本発明を適用した電解コンデンサ用アルミニウム電極板の製造方法においてアルミニウム板に形成した第１マスクの説明図である。[Description of Etching Equipment]
FIG. 1 is an explanatory view showing a configuration of an aluminum plate and an electrode in an apparatus for manufacturing an aluminum electrode plate for an electrolytic capacitor (etching apparatus) to which the present invention is applied. FIGS. 1 (a) and 1 (b) show two electrodes. It is equivalent to the perspective view seen from one side and the perspective view seen from the other side. FIG. 2 is an explanatory diagram of a first mask formed on an aluminum plate in the method for manufacturing an aluminum electrode plate for electrolytic capacitors to which the present invention is applied.

図１に示すように、本発明を適用した電解コンデンサ用アルミニウム電極板の製造装置（以下、エッチング装置１００という）は、塩酸系のエッチング液９０が貯留されたエッチング槽（図示せず）と、エッチング液９０中で対向するように配置された複数の電極２０と、電源装置８０とを有している。電極２０は、カーボンや白金等、エッチング液中での電解に溶解しない導電体からなり、エッチング液９０中に互いに対向するように配置される。以下の説明では、対向する２つの電極２０のうちの一方を第１電極２０ａとし、他方を第２電極２０ｂとして説明する。   As shown in FIG. 1, an apparatus for manufacturing an aluminum electrode plate for an electrolytic capacitor to which the present invention is applied (hereinafter referred to as an etching apparatus 100) includes an etching tank (not shown) in which a hydrochloric acid-based etching solution 90 is stored, A plurality of electrodes 20 arranged to face each other in the etching solution 90 and a power supply device 80 are provided. The electrode 20 is made of a conductor such as carbon or platinum that does not dissolve in electrolysis in the etchant, and is disposed in the etchant 90 so as to face each other. In the following description, one of the two opposing electrodes 20 will be described as the first electrode 20a, and the other will be described as the second electrode 20b.

第１電極２０ａと第２電極２０ｂとの間には、電解コンデンサ用アルミニウム電極板を製造するためのアルミニウム板１０が配置されており、アルミニウム板１０と第１電極２０ａとの間隔、およびアルミニウム板１０と第２電極２０ｂとの間隔は、25mm以下、好ましくは20mm以下である。以下の説明では、アルミニウム板１０において第１電極２０ａと対向する面を第１面１０ａとし、第２電極２０ｂと対向する面を第２面１０ｂとして説明する。   An aluminum plate 10 for manufacturing an aluminum electrode plate for electrolytic capacitors is disposed between the first electrode 20a and the second electrode 20b, and the distance between the aluminum plate 10 and the first electrode 20a and the aluminum plate The distance between 10 and the second electrode 20b is 25 mm or less, preferably 20 mm or less. In the following description, the surface facing the first electrode 20a in the aluminum plate 10 will be described as the first surface 10a, and the surface facing the second electrode 20b will be described as the second surface 10b.

アルミニウム板１０は、後述する固体アルミニウム電解コンデンサ用の陽極を複数、形成可能なサイズであり、図２に点線Ｌ１で囲んだ領域がプレス等により打ち抜かれて固体アルミニウム電解コンデンサ用の陽極１５として用いられる。   The aluminum plate 10 has a size capable of forming a plurality of anodes for a solid aluminum electrolytic capacitor, which will be described later, and is used as an anode 15 for a solid aluminum electrolytic capacitor by punching a region surrounded by a dotted line L1 in FIG. It is done.

（マスクの説明）
図１および図２に示すように、本形態では、電解エッチングを行なうにあたって、アルミニウム板１０において第１電極２０ａに対向する第１面１０ａには、アルミニウム板１０に対するエッチング領域を規定する四角形の第１開孔部３１ａを複数、備えた第１マスク３０ａが設けられている。また、アルミニウム板１０において第２電極２０ｂに対向する第２面１０ｂにも、第１面１０ａと同様、アルミニウム板１０に対するエッチング領域を規定する四角形の第１開孔部３１ｂを複数、備えた第１マスク３０ｂが設けられている。第１マスク３０ａと第１マスク３０ｂとは平面視で重なるように形成されており、第１開孔部３１ａと第１開孔部３１ｂとは同一形状および同一寸法を有している。(Description of mask)
As shown in FIGS. 1 and 2, in this embodiment, when performing electrolytic etching, the first surface 10 a facing the first electrode 20 a in the aluminum plate 10 has a rectangular shape defining an etching region for the aluminum plate 10. A first mask 30a having a plurality of one opening portions 31a is provided. Further, the second surface 10b of the aluminum plate 10 facing the second electrode 20b is provided with a plurality of quadrangular first opening portions 31b that define an etching region for the aluminum plate 10 as in the first surface 10a. One mask 30b is provided. The first mask 30a and the first mask 30b are formed so as to overlap with each other in plan view, and the first opening portion 31a and the first opening portion 31b have the same shape and the same dimensions.

また、本形態では、図１に示すように、第１電極２０ａにおいて、アルミニウム板１０の第１面１０ａに対向する電極面２１ａには第２マスク４０ａが設けられており、第２マスク４０ａにおいて第１マスク３０ａの第１開孔部３１ａと対向する領域には四角形の第２開孔部４１ａが形成されている。また、第２電極２０ｂにおいて、アルミニウム板１０の第２面１０ｂに対向する電極面２１ｂにも、電極面２１ａと同様、第２マスク４０ｂが設けられており、第２マスク４０ｂにおいて第１マスク３０ｂの第１開孔部３１ｂと対向する領域には四角形の第２開孔部４１ｂが形成されている。   In this embodiment, as shown in FIG. 1, in the first electrode 20a, a second mask 40a is provided on the electrode surface 21a facing the first surface 10a of the aluminum plate 10, and the second mask 40a A quadrangular second opening 41a is formed in a region facing the first opening 31a of the first mask 30a. Further, in the second electrode 20b, a second mask 40b is provided on the electrode surface 21b facing the second surface 10b of the aluminum plate 10 as well as the electrode surface 21a, and the first mask 30b is provided in the second mask 40b. A square second opening 41b is formed in a region facing the first opening 31b.

第２開孔部４１ａは、第１開孔部３１ａを所定の倍率をもって電極面２１ａに向けて垂直に投影した領域に形成されており、第２開孔部４１ａと第１開孔部３１ａとは相似形状をもって対向している。また、第２開孔部４１ｂも、第２開孔部４１ａと同様、第１開孔部３１ｂを電極面２１ｂに向けて垂直に投影した領域に形成されており、第２開孔部４１ｂと第１開孔部３１ｂとは相似形状をもって対向している。   The second aperture 41a is formed in a region in which the first aperture 31a is vertically projected toward the electrode surface 21a with a predetermined magnification. The second aperture 41a, the first aperture 31a, Are facing each other with a similar shape. Similarly to the second opening portion 41a, the second opening portion 41b is formed in a region in which the first opening portion 31b is vertically projected toward the electrode surface 21b. It is opposed to the first opening 31b with a similar shape.

ここで、第２開孔部４１ａと第２開孔部４１ｂとは面積が等しい。また、第２開孔部４１ａ、４１ｂの面積は、第１開孔部３１ａ、３１ｂの面積の0.7倍から1.15倍である。従って、第２開孔部４１ａ、４１ｂは、第１開孔部３１ａ、３１ｂを電極面２１ｂに向けて0.7倍から1.15倍の縮尺をもって垂直に投影した領域に形成されていることになる。   Here, the second aperture 41a and the second aperture 41b have the same area. Moreover, the area of the 2nd opening parts 41a and 41b is 0.7 to 1.15 times the area of the 1st opening parts 31a and 31b. Accordingly, the second opening portions 41a and 41b are formed in regions vertically projected from the first opening portions 31a and 31b toward the electrode surface 21b with a scale of 0.7 to 1.15 times.

第１マスク３０ａ、３０ｂにおいて第１開孔部３１ａ、３１ｂによって挟まれた部分には、幅寸法が1mm以上の帯状部分３２ａ、３２ｂが含まれている。本形態において、第１マスク３０ａ、３０ｂは、アルミニウム板１０の両面に固着された樹脂製マスキング材からなり、厚さは0.1mm以下である。かかる第１マスク３０ａ、３０ｂは、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂材料を塗布法やスクリーン印刷等により塗布した後、固化させてなる構成を採用することができる。   The portions of the first masks 30a and 30b sandwiched between the first opening portions 31a and 31b include strip portions 32a and 32b having a width dimension of 1 mm or more. In this embodiment, the first masks 30a and 30b are made of a resin masking material fixed to both surfaces of the aluminum plate 10 and have a thickness of 0.1 mm or less. The first masks 30a and 30b may adopt a configuration in which a resin material such as an epoxy resin, a polyester resin, or a silicone resin is applied and solidified after being applied by a coating method or screen printing.

第２マスク４０ａ、４０ｂについては、例えば、第１電極２０ａおよび第２電極２０ｂの電極面２１ａ、２１ｂを覆う樹脂板を用い、かかる樹脂板に第２開孔部４１ａ、４１ｂとしての穴を設けた構成を採用することができる。   For the second masks 40a and 40b, for example, resin plates that cover the electrode surfaces 21a and 21b of the first electrode 20a and the second electrode 20b are used, and holes as the second opening portions 41a and 41b are provided in the resin plates. Can be adopted.

なお、第２マスク４０ａ、４０ｂについても、第１マスク３０ａ、３０ｂと同様、第１電極２０ａおよび第２電極２０ｂに固着されたエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂等といった樹脂製マスキング材を用いることができる。また、第１マスク３０ａ、３０ｂについても、第２マスク４０ａ、４０ｂと同様、第１面１０ａおよび第２面１０ｂを覆う樹脂板を用い、かかる樹脂板に第１開孔部３１ａ、３１ｂとしての穴を設けた構成を採用することができる。   As with the first masks 30a and 30b, the second masks 40a and 40b are also made of a resin masking material such as an epoxy resin, a polyester resin, or a silicone resin fixed to the first electrode 20a and the second electrode 20b. Can do. Moreover, also about the 1st mask 30a, 30b, similarly to the 2nd mask 40a, 40b, the resin board which covers the 1st surface 10a and the 2nd surface 10b is used, and this resin board is used as 1st opening part 31a, 31b. A configuration in which holes are provided can be employed.

（電解コンデンサ用アルミニウム電極板の説明）
図３は、本発明を適用した電解コンデンサ用アルミニウム電極板を用いた固体アルミニウム電解コンデンサ用の陽極を模式的に示す説明図である。図１を参照して説明したエッチング装置１００を用いて電解コンデンサ用アルミニウム電極板を製造するには、まず、電源装置８０によって第１電極２０ａと第２電極２０ｂとの間に交流電流を印加する。その結果、図２に示すように、アルミニウム板１０の第１面１０ａおよび第２面１０ｂにおいて、第１マスク３０ａ、３０ｂの第１開孔部３１ａ、３１ｂから露出していた部分は、交流エッチングされ、拡面化されたエッチング部位１３となる。また、第１マスク３０ａ、３０ｂで覆われていた部分は未エッチング部位１２となる。このようにして、電解コンデンサ用アルミニウム電極（エッチド板１４）が得られる。(Description of aluminum electrode plate for electrolytic capacitors)
FIG. 3 is an explanatory view schematically showing an anode for a solid aluminum electrolytic capacitor using an aluminum electrode plate for an electrolytic capacitor to which the present invention is applied. In order to manufacture an aluminum electrode plate for an electrolytic capacitor using the etching apparatus 100 described with reference to FIG. 1, first, an alternating current is applied between the first electrode 20a and the second electrode 20b by the power supply apparatus 80. . As a result, as shown in FIG. 2, the portions exposed from the first openings 31a and 31b of the first masks 30a and 30b on the first surface 10a and the second surface 10b of the aluminum plate 10 are AC etched. As a result, the etched portion 13 is enlarged. Further, the portion covered with the first masks 30a and 30b becomes the unetched portion 12. Thus, an aluminum electrode for electrolytic capacitors (etched plate 14) is obtained.

次に、エッチド板１４に陽極酸化を行なった後、第１マスク３０ａ、３０ｂを除去する。次に、陽極酸化を行なったエッチド板１４からプレス等の方法で、点線Ｌ１で示す領域を切り抜き、図３に示す固体アルミニウム電解コンデンサ用の陽極１５を得る。   Next, after the anodic oxidation is performed on the etched plate 14, the first masks 30a and 30b are removed. Next, the region indicated by the dotted line L1 is cut out from the anodized etched plate 14 by a method such as pressing to obtain the anode 15 for the solid aluminum electrolytic capacitor shown in FIG.

図３に示す陽極１５において陰極（図示せず）が形成される部分１５１と端子１９の接続部分１５２との間にマスクキング材１８を形成し、マスキング材１８より一方側に位置する端部（接続部分１５２）にスポット溶接等の方法により端子１９を接続する。ここで、端子１９の接続部分１５２は、第１マスク３０ａ、３０ｂの帯状部分３２ａ、３２ｂで覆われていた領域であり、未エッチング部位１２である。   In the anode 15 shown in FIG. 3, a masking material 18 is formed between a portion 151 where a cathode (not shown) is formed and a connection portion 152 of the terminal 19, and an end portion located on one side of the masking material 18 ( The terminal 19 is connected to the connecting portion 152) by a method such as spot welding. Here, the connection portion 152 of the terminal 19 is a region covered with the band-like portions 32 a and 32 b of the first masks 30 a and 30 b and is the unetched portion 12.

次に、固体アルミニウム電解コンデンサ用の陽極１５では、陽極酸化を行なったエッチド板１４の表面のうち、エッチング部位１３に、常法に従ってポリピロールを含浸して機能性高分子層を形成した後、機能性高分子層の表面にカーボンペーストや銀ペースト等を用いて陰極を形成する。ポリピロールを含浸するにあたっては、例えば、エッチング部位１３にピロールモノマーのエタノール溶液を滴下した後、過硫酸アンモニウムおよび2-ナフタレンスルホン酸ナトリウム水溶液を滴下することにより、ピロールモノマーを化学重合させて、ポリピロールからなるプレコート層を形成する。次いで、エッチド板１４をピロールモノマーおよび2-ナフタレンスルホン酸ナトリウムを含有するアセトニトリル電解液中に浸漬し、先に形成させた化学重合ポリピロール層の一部にステンレスワイヤーを接触させて陽極とする一方、ステンレス板を陰極として電解重合を行い、機能性高分子層となる電解重合ポリピロールを形成する。なお、ポリピロールに代えて、ポリチオフェンを用いてもよい。しかる後に機能性高分子層を覆うように陰極を形成すれば、固体アルミニウム電解コンデンサが完成する。   Next, in the anode 15 for a solid aluminum electrolytic capacitor, a functional polymer layer is formed by impregnating polypyrrole in accordance with a conventional method at the etching site 13 in the anodized etched plate 14 surface. The cathode is formed on the surface of the conductive polymer layer using carbon paste, silver paste or the like. When impregnating with polypyrrole, for example, an ethanol solution of a pyrrole monomer is dropped onto the etching site 13 and then an aqueous solution of ammonium persulfate and an aqueous solution of sodium 2-naphthalene sulfonate are dropped to chemically polymerize the pyrrole monomer, thereby comprising polypyrrole. A precoat layer is formed. Next, the etched plate 14 is immersed in an acetonitrile electrolyte containing a pyrrole monomer and sodium 2-naphthalenesulfonate, and a stainless steel wire is brought into contact with a part of the previously formed chemically polymerized polypyrrole layer to form an anode, Electropolymerization is performed using a stainless steel plate as a cathode to form an electropolymerized polypyrrole that becomes a functional polymer layer. In place of polypyrrole, polythiophene may be used. Thereafter, if a cathode is formed so as to cover the functional polymer layer, a solid aluminum electrolytic capacitor is completed.

（エッチド板１４の詳細構成）
本形態において、エッチド板１４は、厚さが150μm以上と厚く、エッチング部位１３の厚さが両面の合計で150μm以上となるように深い位置までエッチングされている。より具体的にいえば、エッチング部位１３が片面で75μm以上、あるいは100μm以上、さらには120μm以上となるように深い位置までエッチングされている。それでも、エッチド板１４の厚さ方向の中央には芯部１６が残っている。(Detailed configuration of etched plate 14)
In this embodiment, the etched plate 14 is etched to a deep position so that the thickness is as thick as 150 μm or more, and the thickness of the etching portion 13 is 150 μm or more in total on both surfaces. More specifically, the etching site 13 is etched to a deep position so as to be 75 μm or more, 100 μm or more, and further 120 μm or more on one side. Nevertheless, the core 16 remains in the center of the etched plate 14 in the thickness direction.

また、本形態では、アルミニウム板１０におけるアルミニウム純度が99.98質量％以上からなる。このため、エッチド板１４は、靭性が高く、固体アルミニウム電解コンデンサを製造する際の取り扱いが容易である。ここで、アルミニウム板１０のアルミニウム純度が下限値未満であると、硬度が増して靭性が低下し、取り扱い中に割れ等の損傷が生じる虞があり、好ましくない。また、アルミニウム板１０の厚さは目的によって種々の厚さとすればよいが、例えば、150μm乃至1mm、通常は300〜400μmのものが用いられる。   In this embodiment, the aluminum purity of the aluminum plate 10 is 99.98% by mass or more. For this reason, the etched plate 14 has high toughness and is easy to handle when manufacturing a solid aluminum electrolytic capacitor. Here, if the aluminum purity of the aluminum plate 10 is less than the lower limit value, the hardness increases, the toughness decreases, and damage such as cracking may occur during handling, which is not preferable. The aluminum plate 10 may have various thicknesses depending on the purpose. For example, a thickness of 150 μm to 1 mm, usually 300 to 400 μm is used.

本形態において、アルミニウム板１０に対するエッチング工程としては、少なくとも、アルミニウム板１０にエッチングピットを発生させるエッチング工程（以下、第１エッチング工程という）と、エッチングピットを成長させるエッチング工程（以下、第２エッチング工程という）とを行う場合があり、第１エッチング工程と第２エッチング工程との間に補助的なエッチング工程を行う場合もある。さらに、１回のエッチング工程によって、エッチングピットの発生とエッチングピットの成長とを行なう場合もある。   In this embodiment, the etching process for the aluminum plate 10 includes at least an etching process for generating etching pits in the aluminum plate 10 (hereinafter referred to as a first etching process) and an etching process for growing etching pits (hereinafter referred to as second etching). Process), and an auxiliary etching process may be performed between the first etching process and the second etching process. Furthermore, the etching pits may be generated and the etching pits may be grown by one etching process.

エッチング工程を複数回、行う場合、いずれのエッチング工程でも、図１を参照して説明したように、アルミニウム板１０に第１マスク３０ａ、３０ｂを形成しておき、第１電極２０ａおよび第２電極２０ｂに第２マスク４０ａ、４０ｂを形成しておく。   In the case where the etching process is performed a plurality of times, as described with reference to FIG. 1, the first masks 30 a and 30 b are formed on the aluminum plate 10 and the first electrode 20 a and the second electrode are formed in any etching process. Second masks 40a and 40b are formed on 20b.

アルミニウム板１０に対するエッチング工程として、第１エッチング工程と第２エッチング工程とを行う場合、第１エッチング工程（一次電解処理）では、低濃度塩酸水溶液で交流エッチングを施す。また、前処理としてアルミニウム板を脱脂洗浄や軽度のエッチングにより、表面酸化膜の除去を施すと好ましい。一次電解処理において、エッチング液として用いる低濃度塩酸水溶液は、例えば、割合として1.5〜3.0モル／リッタの塩酸と0.05〜0.5モル／リッタの硫酸とを含有する水溶液であり、液温度は40〜55℃である。交流エッチング条件としては、周波数が10〜50Hzの交流波形を用い、かかる交流波形としては正弦波形、四角形波形、交直重畳波形等を用いることができる。その際の電流密度は0.4〜0.5A／cm2であり、かかるエッチングの条件によれば、アルミニウム板１０表面に多数のピットを穿孔することができる。When the first etching process and the second etching process are performed as the etching process for the aluminum plate 10, in the first etching process (primary electrolytic treatment), AC etching is performed with a low concentration hydrochloric acid aqueous solution. Moreover, it is preferable to remove the surface oxide film as a pretreatment by degreasing and light etching the aluminum plate. In the primary electrolytic treatment, the low concentration hydrochloric acid aqueous solution used as an etching solution is, for example, an aqueous solution containing 1.5 to 3.0 mol / liter hydrochloric acid and 0.05 to 0.5 mol / liter sulfuric acid as a ratio, and the solution temperature is 40 to 55. ° C. As an AC etching condition, an AC waveform having a frequency of 10 to 50 Hz is used. As the AC waveform, a sine waveform, a square waveform, an AC / DC superimposed waveform, or the like can be used. The current density at that time is 0.4 to 0.5 A / cm 2 , and according to the etching conditions, a large number of pits can be drilled on the surface of the aluminum plate 10.

一次電解処理を施した後、第２エッチング工程（主電解処理）では、ピットを海綿状に成長させながらエッチングを進行させる。この主電解処理で用いるエッチング液は、例えば、割合として4〜7モル／リッタの塩酸と0.05〜0.5モル／リッタの硫酸を含有する水溶液中で、液温度は一次処理より低い温度、25℃以下、好ましくは15〜25℃が好ましい。交流エッチング条件としては、周波数が20〜60Hzの交流波形を用い、かかる交流波形としては正弦波形、四角形波形、交直重畳波形等を用いることができる。その際の電流密度は一次電解処理より低い0.2〜0.3A／cm2、処理時間は所定のエッチング部位厚さまで処理できる時間に設定し、一次電解処理で穿孔したピットを更に穿孔する。After the primary electrolytic treatment, in the second etching step (main electrolytic treatment), the etching proceeds while growing the pits in a spongy manner. The etching solution used in this main electrolytic treatment is, for example, in an aqueous solution containing 4 to 7 mol / liter hydrochloric acid and 0.05 to 0.5 mol / liter sulfuric acid as a ratio, and the solution temperature is lower than the primary treatment, 25 ° C. or less. The temperature is preferably 15 to 25 ° C. As an AC etching condition, an AC waveform having a frequency of 20 to 60 Hz is used. As the AC waveform, a sine waveform, a square waveform, an AC / DC superimposed waveform, or the like can be used. At that time, the current density is set to 0.2 to 0.3 A / cm 2 lower than that of the primary electrolytic treatment, the treatment time is set to a time during which treatment can be performed up to a predetermined etching site thickness, and pits drilled by the primary electrolytic treatment are further drilled.

一次電解処理を行った後、主電解処理を行う前に主電解処理が確実に進行するように交直重畳波形を用い、一次電解処理で穿孔したピット表面を活性化させてから主電解処理に移行させてもよい。かかる処理では、デューティー比が約0.7〜0.9で、電流密度が0.12〜0.17A／cm2の条件で60秒程度、エッチング処理する。After performing the primary electrolytic treatment, use the AC / DC superimposed waveform to ensure that the main electrolytic treatment proceeds before the main electrolytic treatment, and activate the pit surface drilled by the primary electrolytic treatment before moving to the main electrolytic treatment You may let them. In this process, the etching process is performed for about 60 seconds under the conditions of a duty ratio of about 0.7 to 0.9 and a current density of 0.12 to 0.17 A / cm 2 .

このような条件でエッチングすると、エッチング部位１３の嵩比重が0.6〜1.2であり、以下に説明するピット径やピット数を有するエッチング部位１３が形成される。ピットの径や数については画像解析装置により測定することができる。また、エッチングされた表面を深さ方向に所定の間隔毎に研磨した後、各研磨面の孔径と数を画像解析装置で測定し、ピット径が0.01〜1μmφのピット数の占める割合を算出すると、各層における特定サイズ径のピットの占める割合を測定することができる。かかる判定において、エッチド板１４は、エッチング部位１３の各平面断面において0.01〜1μmφのピット数が全ピット数の70％以上、好ましくは75％以上存在することが好ましい。このようなエッチド板１４を陽極酸化して陽極１５として用いれば、静電容量が大きくてESRの低い固体アルミニウム電解コンデンサを実現することができる。なお、0.001μmφ未満のピットは静電容量の向上に寄与しないから、画像解析装置で測定する径は0.001μmφ以上とする。   When etching is performed under such conditions, the bulk specific gravity of the etching site 13 is 0.6 to 1.2, and the etching site 13 having the pit diameter and the number of pits described below is formed. The diameter and number of pits can be measured by an image analyzer. Also, after polishing the etched surface at predetermined intervals in the depth direction, measure the hole diameter and number of each polished surface with an image analyzer, and calculate the proportion of pits with a pit diameter of 0.01 to 1 μmφ The proportion of pits having a specific size diameter in each layer can be measured. In this determination, it is preferable that the etched plate 14 has a pit number of 0.01 to 1 μmφ in each planar cross section of the etching site 13 by 70% or more, preferably 75% or more of the total pit number. If such an etched plate 14 is anodized and used as the anode 15, a solid aluminum electrolytic capacitor having a large capacitance and a low ESR can be realized. In addition, since the pit less than 0.001 μmφ does not contribute to the improvement of the capacitance, the diameter measured by the image analysis apparatus is set to 0.001 μmφ or more.

エッチング部位１３の厚さに関しては、好ましくは両面の合計が150μm以上であって、少なくとも、片面が表面から深さ方向に75μm以上、好ましくは100μm以上、さらに好ましくは120μm以上のエッチング部位１３が形成されていることが好ましい。エッチング部位１３の厚さが上記の値未満である場合、十分な静電容量を得ることができないため、固体アルミニウム電解コンデンサの小型化や電極の積層枚数の削減が期待できない。   Regarding the thickness of the etching site 13, the total of both surfaces is preferably 150 μm or more, and at least one side of the etching site 13 is 75 μm or more, preferably 100 μm or more, more preferably 120 μm or more in the depth direction from the surface. It is preferable that When the thickness of the etching site 13 is less than the above value, a sufficient electrostatic capacity cannot be obtained, so that a reduction in the size of the solid aluminum electrolytic capacitor and a reduction in the number of stacked electrodes cannot be expected.

また、ピット径が0.01〜1μmφのピット数の占める割合が重要である。ピット径が1μmφを超えたピットが多数存在すると静電容量を低下させる。好ましくは0.1μmφ以下である。このようなサイズのピットの存在量は各面における全ピット数の70％以上、好ましくは75％以上存在することによって、静電容量が高くてESRの低い電解コンデンサを製作できる。上記サイズのピットの存在量は、80％以上であると更に好ましい。ピットサイズの測定位置は、表面近くは電解エッチング時に表面積拡大に寄与しない溶解があり、ピットとピットを連結させピット径を徒に大きくするので、表面から20μmより深い位置とする。また、エッチング部位１３と芯部１６との境界面は凹凸があって一定しないので、エッチング深さを定めた位置（エッチング部位１３と芯部１６との境界）から表面に10μm浅い位置とする。   Further, the ratio of the number of pits having a pit diameter of 0.01 to 1 μmφ is important. If there are many pits with a pit diameter exceeding 1 μmφ, the capacitance is lowered. Preferably it is 0.1 μmφ or less. The presence of such sized pits is 70% or more, preferably 75% or more of the total number of pits on each surface, so that an electrolytic capacitor having a high capacitance and a low ESR can be manufactured. The amount of pits of the above size is more preferably 80% or more. The measurement position of the pit size is a position deeper than 20 μm from the surface because there is dissolution that does not contribute to surface area expansion during electrolytic etching near the surface, and the pit diameter is increased by connecting the pits. Further, since the boundary surface between the etching site 13 and the core portion 16 has irregularities and is not constant, the etching depth is set to a position 10 μm shallower than the surface from the position where the etching depth is determined (the boundary between the etching site 13 and the core portion 16).

また、本発明で用いるアルミニウム板１０は、アルミニウム純度が99.98質量％以上からなり、粒径が球相当で0.1〜1.0μmφのFe含有金属間化合物の数が1×107〜1010／cm3を含有するものであることが好ましい。かかる構成によれば、特定サイズ径のピットの占める割合を高くできるとともに、ESRがより低いコンデンサを製作できる。これは金属間化合物が多い割には粒径が小さいので、化成皮膜がピット表面に均等な厚さで形成され、固体電解質が含浸され易くなるためと考えられる。The aluminum plate 10 used in the present invention has an aluminum purity of 99.98% by mass or more, and the number of Fe-containing intermetallic compounds having a particle diameter equivalent to a sphere of 0.1 to 1.0 μmφ is 1 × 10 7 to 10 10 / cm 3. It is preferable that it contains. According to this configuration, it is possible to increase the proportion of pits having a specific size diameter, and it is possible to manufacture a capacitor having a lower ESR. This is presumably because the chemical conversion film is formed with a uniform thickness on the pit surface and is easily impregnated with the solid electrolyte because the particle size is small for a large amount of intermetallic compounds.

アルミニウム純度が99.98質量％以上からなるアルミニウム板１０は、Al以外の元素として、例えば、Fe5〜50ppm、Cu30ppm未満であることが好ましく、Si60ppm以下、好ましくは40ppm以下とするのがよい。これはFe、Siが上限値を超えると、Fe、Siを含有する粗大な金属間化合物の晶出物および析出物が生じ、漏れ電流が大きくなるからである。Siの場合は単体Siも生じるので、同様の理由で好ましくない。Cuが上限値を超えるとマトリックスの腐食電位を大きく貴に変移させるので、好ましいエッチングができなくなる虞がある。   The aluminum plate 10 having an aluminum purity of 99.98% by mass or more preferably includes, for example, Fe5 to 50 ppm and Cu less than 30 ppm as elements other than Al, Si 60 ppm or less, preferably 40 ppm or less. This is because when Fe and Si exceed the upper limit values, crystallized substances and precipitates of coarse intermetallic compounds containing Fe and Si are generated, and the leakage current increases. In the case of Si, simple Si is also generated, which is not preferable for the same reason. If Cu exceeds the upper limit value, the corrosion potential of the matrix is greatly changed and no good etching may be performed.

これに対して、Feの5〜50ppmの含有は、周知の値でAlmFe、Al6Fe、Al3Fe、Al-Fe-Si、Al-(Fe、M)-Si(Mはその他の金属)等の金属間化合物を生じさせ、交流エッチングのピット起点になりやすいので好ましい。Cuの30ppm未満の含有は、Feの存在のもとでマトリックスの腐食電位を安定化でき、特定サイズのピットを穿孔し易くなって好ましい。Cuの好ましい含有量は25ppm以下、下限は2ppm以上、さらに好ましくは3ppm以上である。下限値未満では、エッチド板の加熱工程で結晶粒の異常成長が生じて機械的強度が低下する。これに対して、Cu含有量が30ppmを超えると、エッチング時の溶解が異常促進されるため、好ましくない。その他の元素としては、Ni、Ti、Zrは夫々10ppm以下、好ましくは3ppm以下とするのがよい。更に、その他の不純物は3ppm以下が好ましい。これにより前記の交流エッチング方法でピットの起点となるため海綿状に特定サイズの径のピットを穿孔し易くなる。On the other hand, the content of 5 to 50 ppm of Fe is a well-known value, and Al m Fe, Al 6 Fe, Al 3 Fe, Al-Fe-Si, Al- (Fe, M) -Si (M is other This is preferable because an intermetallic compound such as (metal) is generated and tends to be a pit starting point for AC etching. Containing less than 30 ppm of Cu is preferable because the corrosion potential of the matrix can be stabilized in the presence of Fe, and pits of a specific size can be easily formed. The preferable content of Cu is 25 ppm or less, and the lower limit is 2 ppm or more, more preferably 3 ppm or more. If it is less than the lower limit, abnormal growth of crystal grains occurs in the etching process of the etched plate, and the mechanical strength decreases. On the other hand, if the Cu content exceeds 30 ppm, dissolution during etching is accelerated abnormally, which is not preferable. As other elements, Ni, Ti and Zr are each 10 ppm or less, preferably 3 ppm or less. Further, other impurities are preferably 3 ppm or less. As a result, since the pit starts in the above-described AC etching method, it becomes easy to drill pits having a specific size in a spongy shape.

このような高純度のアルミニウムは電解一次地金を精製して製造される。このとき用いる精製方法としては三層式電解法や結晶分別法が広く採用され、これらの精製法により、アルミニウム以外の元素の大半が除去される。しかしながら、FeおよびCuに関しては、不純物としてではなく微量合金元素として利用できるため、精製後の各元素の含有量を測定し、FeおよびCuの含有量が所定量未満の場合は、スラブ鋳造時、溶湯中にAl-Fe、Al- Cu母合金等を添加することによってFeあるいはCuの含有量を調節することができる。   Such high-purity aluminum is produced by refining electrolytic primary metal. As a purification method used at this time, a three-layer electrolytic method or a crystal fractionation method is widely employed, and most of elements other than aluminum are removed by these purification methods. However, for Fe and Cu, since it can be used as a trace alloy element rather than as an impurity, the content of each element after purification is measured, and when the content of Fe and Cu is less than a predetermined amount, during slab casting, The content of Fe or Cu can be adjusted by adding Al—Fe, Al—Cu master alloy or the like to the molten metal.

前記の粒径が球相当で0.01〜1.0μmφのFe含有金属間化合物の数が1×107〜1010／cm3を含有するアルミニウム板１０を得るには、以下の方法を例示することができる。まず、アルミニウム純度が99.98質量％以上で、Fe含有量を調整したアルミニウム溶湯を半連続鋳造してスラブを得る。次に、スラブを530℃以上の温度で均質化処理し、板温度領域がFe含有金属間化合物の析出し易い範囲（300〜400℃）に相当するパス回数を3回以上、あるいは30分以上60分以下保持して熱間圧延板を得、かかる熱間圧延板を冷間圧延のみで所定の厚さとする。前記組成のアルミニウム溶湯を前記のように鋳造、圧延すると、好ましい大きさで、かつ所定数のFeを含む金属間化合物が容易に得られる。Feを含む金属間化合物の大きさと数は、画像解析装置で測定できる。In order to obtain the aluminum plate 10 containing 1 × 10 7 to 10 10 / cm 3 of Fe-containing intermetallic compounds having a particle size equivalent to a sphere and having a diameter of 0.01 to 1.0 μmφ, the following method may be exemplified. it can. First, a slab is obtained by semi-continuously casting a molten aluminum having an aluminum purity of 99.98% by mass or more and an Fe content adjusted. Next, the slab is homogenized at a temperature of 530 ° C or higher, and the number of passes corresponding to the range in which the temperature range of the plate easily precipitates Fe-containing intermetallic compounds (300 to 400 ° C) is 3 times or more, or 30 minutes or more. Hold for 60 minutes or less to obtain a hot-rolled sheet, and the hot-rolled sheet has a predetermined thickness only by cold rolling. When the molten aluminum having the above composition is cast and rolled as described above, an intermetallic compound having a preferable size and containing a predetermined number of Fe can be easily obtained. The size and number of intermetallic compounds containing Fe can be measured with an image analyzer.

Feを含む金属間化合物の粒径が球相当で0.01μmφ未満では公知の方法でエッチングピットの核になり難い傾向がある。また、1.0μmφを超えると固体アルミニウム電解コンデンサを組み立てたときに、漏電流に影響し易くなる。また、粒径が球相当で0.01〜1.0μmφのFeを含む金属間化合物の数が1×107／cm3未満では、特定サイズのピットの占める割合が少なく、1×1010／cm3を超えると過剰な溶解が多くなる。If the particle size of the intermetallic compound containing Fe is equivalent to a sphere and is less than 0.01 μmφ, it tends not to be the core of etching pits by a known method. On the other hand, if it exceeds 1.0 μmφ, it becomes easy to affect the leakage current when a solid aluminum electrolytic capacitor is assembled. Also, if the number of intermetallic compounds containing Fe with a particle size equivalent to a sphere of 0.01 to 1.0 μmφ is less than 1 × 10 7 / cm 3 , the proportion of pits of a specific size is small, and 1 × 10 10 / cm 3 If it exceeds, excessive dissolution increases.

（エッチング結果）
まず、アルミニウム純度が99.99質量％以上で、鉄を30ppm、シリコンを40ppm含有し、残部がその他の不可避不純物からなるスラブから所定の圧延を経て、厚さが0.40mmのアルミニウム板１０を得る。(Etching result)
First, an aluminum plate 10 having a thickness of 0.40 mm is obtained from a slab having an aluminum purity of 99.99% by mass or more, containing 30 ppm of iron and 40 ppm of silicon, and the balance of other inevitable impurities, and a predetermined rolling.

次に、このアルミニウム板１０に以下の条件
１段目エッチング（第１エッチング工程）
エッチング液組成：3モル／リッタ塩酸＋0.5モル／リッタ硫酸の混合水溶液
エッチング液温度：50℃
電解波形：正弦波交流、周波数50Hz
電流密度：0.5A／cm2
電解時間：75秒
２段目エッチング（第２エッチング工程）
エッチング液組成：7モル／リッタ塩酸＋0.5モル／リッタ硫酸の混合水溶液
エッチング液温度：17℃
電解波形：正弦波交流、周波数20Hz
電流密度：0.3A／cm2
電解時間：2700秒
で交流エッチングを行ない、エッチド板１４を得る。Next, this aluminum plate 10 is subjected to the following conditions: First stage etching (first etching process)
Etching solution composition: 3 mol / liter of hydrochloric acid + 0.5 mol / liter of sulfuric acid mixed solution Etching solution temperature: 50 ° C
Electrolytic waveform: sine wave AC, frequency 50Hz
Current density: 0.5A / cm 2
Electrolysis time: 75 seconds Second stage etching (second etching process)
Etching solution composition: 7 mol / liter of hydrochloric acid + 0.5 mol / liter of sulfuric acid mixed solution Etching solution temperature: 17 ° C
Electrolytic waveform: sinusoidal alternating current, frequency 20Hz
Current density: 0.3A / cm 2
Electrolytic time: AC etching is performed in 2700 seconds to obtain an etched plate 14.

その際、第１エッチング工程および第２エッチング工程のいずれにおいても、図１を参照して説明したように、アルミニウム板１０に第１マスク３０ａ、３０ｂを形成しておき、第１電極２０ａおよび第２電極２０ｂに第２マスク４０ａ、４０ｂを形成しておく。ここでは、第２開孔部４１ａ、４１ｂの面積を、第１開孔部３１ａ、３１ｂの面積の1.20倍（比較例１）、1.15倍（実施例１）、1.00倍（実施例２）、0.70倍（実施例３）、0.65倍（比較例２）、0.50倍（比較例３）に変化させてエッチングを行なった。なお、参考例として、アルミニウム板１０に第１マスク３０ａ、３０ｂを形成するが、第１電極２０ａおよび第２電極２０ｂに第２マスク４０ａ、４０ｂを形成しない条件でも行なった。   At that time, in both the first etching step and the second etching step, as described with reference to FIG. 1, the first masks 30a and 30b are formed on the aluminum plate 10, and the first electrode 20a and the second etching step are performed. Second masks 40a and 40b are formed on the two electrodes 20b. Here, the area of the second aperture 41a, 41b is 1.20 times (Comparative Example 1), 1.15 times (Example 1), 1.00 (Example 2) of the area of the first aperture 31a, 31b, Etching was performed by changing the ratio to 0.70 times (Example 3), 0.65 times (Comparative Example 2), and 0.50 times (Comparative Example 3). As a reference example, the first masks 30a and 30b are formed on the aluminum plate 10, but the second masks 40a and 40b are not formed on the first electrode 20a and the second electrode 20b.

次に、アジピン酸アンモニウム中でエッチド板１４に6Vの化成電圧で陽極酸化を行ない、静電容量を測定した。静電容量の測定結果を表１に示す。静電容量および皮膜耐電圧の測定はEIAJに規定されている方法で行なった。   Next, anodization was performed on the etched plate 14 with an formation voltage of 6 V in ammonium adipate, and the capacitance was measured. The capacitance measurement results are shown in Table 1. Capacitance and film withstand voltage were measured by the methods specified in EIAJ.

Figure 0005333582
Figure 0005333582

また、第１開孔部３１ａ、３１ｂに対する第２開孔部４１ａ、４１ｂの面積比を横軸とし、静電容量値（ＣＶ積）を縦軸にプロットした結果を図４に示す。また、図５には、各試料の平面的な構成と断面構成との関係を模式的に示してある。なお、図５（ａ）は、比較例１に係るエッチド板の平面図およびＡ−Ａ′断面図の説明図であり、図５（ｂ）は、実施例２に係るエッチド板の平面図およびＢ−Ｂ′断面図の説明図であり、図５（ｃ）は、参考例に係るエッチド板の平面図およびＣ−Ｃ′断面図の説明図である。   Further, FIG. 4 shows the result of plotting the capacitance value (CV product) on the vertical axis with the area ratio of the second hole portions 41a and 41b to the first hole portions 31a and 31b on the horizontal axis. FIG. 5 schematically shows the relationship between the planar configuration and the cross-sectional configuration of each sample. 5A is a plan view of the etched plate according to Comparative Example 1 and an explanatory view of the AA ′ cross-sectional view. FIG. 5B is a plan view of the etched plate according to Example 2. FIG. 5C is an explanatory view of the etched plate according to the reference example, and FIG. 5C is an explanatory view of the CC ′ cross-sectional view.

表１および図４に示すように、第２開孔部４１ａ、４１ｂの面積を、第１開孔部３１ａ、３１ｂの面積の1.15倍（実施例１）、1.00倍（実施例２）、0.70倍（実施例３）に設定すれば、参考例と比較して静電容量（ＣＶ積）を約１０％以上、高くすることができる。   As shown in Table 1 and FIG. 4, the areas of the second opening portions 41 a and 41 b are 1.15 times (Example 1), 1.00 times (Example 2), and 0.70 times the area of the first opening portions 31 a and 31 b. If set to double (Example 3), the capacitance (CV product) can be increased by about 10% or more compared to the reference example.

これに対して、第２開孔部４１ａ、４１ｂの面積を、第１開孔部３１ａ、３１ｂの面積の1.20倍（比較例１）、0.65倍（比較例２）、0.50倍（比較例３）に設定した場合、参考例と比較したときの静電容量（ＣＶ積）の増加率は、６％未満であった。その理由は、以下のとおりである。   On the other hand, the areas of the second apertures 41a and 41b are 1.20 times (Comparative Example 1), 0.65 times (Comparative Example 2), and 0.50 times (Comparative Example 3) of the areas of the first apertures 31a and 31b. ), The rate of increase in capacitance (CV product) when compared with the reference example was less than 6%. The reason is as follows.

まず、第２開孔部４１ａ、４１ｂの面積を、第１開孔部３１ａ、３１ｂの面積の1.25倍（比較例１）とすると、第１開孔部３１ａ、３１ｂの面積に比較して第２開孔部４１ａ、４１ｂの面積が広すぎるため、図５（ａ）に示すように、第１開孔部３１ａ、３１ｂで露出する部分の端部（第１マスク３０ａ、３０ｂの近傍）に過エッチング部位１３ｓが発生し、静電容量を向上することができない。また、第２開孔部４１ａ、４１ｂの面積を、第１開孔部３１ａ、３１ｂの面積の0.50倍（比較例３）とすると、第１開孔部３１ａ、３１ｂの面積に比較して第２開孔部４１ａ、４１ｂの面積が狭すぎるため、図５（ｃ）に示すように第１開孔部３１ａ、３１ｂで露出する部分にエッチング不足部位１３ｔが発生し、静電容量を向上することができない。   First, when the area of the second opening portions 41a and 41b is 1.25 times the area of the first opening portions 31a and 31b (Comparative Example 1), the second opening portions 41a and 41b are compared with the areas of the first opening portions 31a and 31b. Since the area of the two opening portions 41a and 41b is too large, as shown in FIG. 5A, at the end portion of the portion exposed in the first opening portions 31a and 31b (in the vicinity of the first masks 30a and 30b). Overetching site 13s is generated, and the capacitance cannot be improved. Further, when the area of the second opening portions 41a and 41b is 0.50 times the area of the first opening portions 31a and 31b (Comparative Example 3), the second opening portions 41a and 41b are compared with the areas of the first opening portions 31a and 31b. Since the area of the two opening portions 41a and 41b is too small, as shown in FIG. 5C, an insufficient etching portion 13t is generated in the portion exposed at the first opening portions 31a and 31b, thereby improving the capacitance. I can't.

これに対して、第２開孔部４１ａ、４１ｂの面積を、第１開孔部３１ａ、３１ｂの面積の1.00倍（実施例３）とすると、図５（ｂ）に示すように、過エッチング部位１３ｓやエッチング不足部位１３ｔが発生しないので、静電容量を向上することができるのである。なお、第２開孔部４１ａ、４１ｂの面積を、第１開孔部３１ａ、３１ｂの面積の0.7倍から1.15倍にしておけば、過エッチング部位１３ｓやエッチング不足部位１３ｔが発生しないことが確認された。それ故、第２開孔部４１ａ、４１ｂの面積については、第１開孔部３１ａ、３１ｂの面積の0.7倍から1.15倍とすることが好ましい。   On the other hand, if the area of the second apertures 41a and 41b is 1.00 times the area of the first apertures 31a and 31b (Example 3), as shown in FIG. Since the portion 13s and the insufficient etching portion 13t do not occur, the capacitance can be improved. Note that it is confirmed that if the area of the second opening portions 41a and 41b is 0.7 to 1.15 times the area of the first opening portions 31a and 31b, the overetched portion 13s and the insufficiently etched portion 13t are not generated. It was done. Therefore, the area of the second opening portions 41a and 41b is preferably 0.7 to 1.15 times the area of the first opening portions 31a and 31b.

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、電解エッチングを行なう際、アルミニウム板１０において、エッチングする必要のない領域は第１マスク３０ａ、３０ｂで覆われているため、アルミニウム板１０において、第１マスク３０ａ、３０ｂによって未エッチング部位１２とされた接続領域５１２に端子１９を接続することができる。それ故、電解コンデンサ用アルミニウム電極板（エッチド板１４）と端子１９との接続部分の信頼性が高い。(Main effects of this form)
As described above, in this embodiment, when electrolytic etching is performed, regions that do not need to be etched in the aluminum plate 10 are covered with the first masks 30a and 30b. , 30b, the terminal 19 can be connected to the connection region 512 that is the unetched portion 12. Therefore, the reliability of the connection portion between the aluminum electrode plate for electrolytic capacitors (etched plate 14) and the terminal 19 is high.

また、エッチングを必要としない領域については電解エッチングを行なわないため、無駄な電気量が発生しない。さらに、エッチング液中への無駄なアルミニウム溶解が発生しないので、エッチング液の劣化を抑制することができる。   In addition, since the electrolytic etching is not performed in the region that does not require etching, a wasteful amount of electricity is not generated. Furthermore, since unnecessary aluminum dissolution does not occur in the etching solution, deterioration of the etching solution can be suppressed.

また、第１電極２０ａおよび第２電極２０ｂには第２マスク４０ａ、４０ｂが設けられており、かかる第２マスク４０ａ、４０ｂは、第１開孔部３１ａ、３１ｂを垂直に投影した領域に第２開孔部４１ａ、４１ｂを備えている。このため、第２開孔部４１ａ、４１ｂは第１開孔部３１ａ、３１ｂと同一形状である。しかも、第２開孔部４１ａ、４１ｂの面積は第１開孔部３１ａ、３１ｂの面積の0.7倍から1.15倍に限定されている。従って、アルミニウム板１０において第１開孔部３１ａ、３１ｂで露出している領域と、第１電極２０ａおよび第２電極２０ｂにおいて第２開孔部４１ａ、４１ｂで露出している領域との間には適正な電位分布が形成されるので、アルミニウム板１０には、過エッチング部位１３ｓやエッチング不足部位１３ｔが発生しない。即ち、第２開孔部４１ａ、４１ｂの面積が第１開孔部３１ａ、３１ｂの面積の0.7倍未満である場合、アルミニウム板１０において第１開孔部３１ａ、３１ｂで露出している領域の端部にはエッチング不足部位１３ｔが発生し、電解コンデンサ用アルミニウム電極板の静電容量が低下してしまう。これに対して、第２開孔部４１ａ、４１ｂの面積が第１開孔部３１ａ、３１ｂの面積の1.15倍を超える場合、アルミニウム板１０において第１開孔部３１ａ、３１ｂで露出している領域の端部には過エッチング部位１３ｓが発生し、電解コンデンサ用アルミニウム電極板の静電容量が低下してしまう。しかるに本形態では、第２開孔部４１ａ、４１ｂと第１開孔部３１ａ、３１ｂとの面積比を適正化してあるので、静電容量の高い電解コンデンサ用アルミニウム電極板を製造することができる。   Further, second masks 40a and 40b are provided on the first electrode 20a and the second electrode 20b, and the second masks 40a and 40b are formed on the first projections 31a and 31b in a region projected vertically. Two opening portions 41a and 41b are provided. For this reason, the 2nd opening parts 41a and 41b are the same shapes as the 1st opening parts 31a and 31b. Moreover, the area of the second opening portions 41a and 41b is limited to 0.7 to 1.15 times the area of the first opening portions 31a and 31b. Therefore, between the area | region exposed by the 1st aperture part 31a, 31b in the aluminum plate 10, and the area | region exposed by the 2nd aperture part 41a, 41b in the 1st electrode 20a and the 2nd electrode 20b. Since an appropriate potential distribution is formed, the overetched portion 13s and the insufficiently etched portion 13t do not occur in the aluminum plate 10. That is, when the area of the second opening portions 41a and 41b is less than 0.7 times the area of the first opening portions 31a and 31b, the area of the aluminum plate 10 exposed by the first opening portions 31a and 31b. Etching-deficient sites 13t are generated at the ends, and the capacitance of the aluminum electrode plate for electrolytic capacitors is reduced. In contrast, when the area of the second opening portions 41a and 41b exceeds 1.15 times the area of the first opening portions 31a and 31b, the aluminum plate 10 is exposed at the first opening portions 31a and 31b. An over-etched portion 13s is generated at the end of the region, and the capacitance of the aluminum electrode plate for electrolytic capacitors is reduced. However, in this embodiment, since the area ratio between the second opening portions 41a and 41b and the first opening portions 31a and 31b is optimized, an aluminum electrode plate for an electrolytic capacitor having a high capacitance can be manufactured. .

特に、アルミニウム板１０におけるエッチング部位１３の厚さが片面当たり75μm以上となるように電解エッチングを深くまで行なう場合、電位分布が乱れて電流集中が発生すると、過エッチング部位１３ｓが発生しやすいが、本形態によれば、かかる電流集中が発生しにくい。それ故、電解エッチングを深くまで行なった分だけ、静電容量の高い電解コンデンサ用アルミニウム電極板を製造することができる。   In particular, when electrolytic etching is performed deeply so that the thickness of the etched portion 13 in the aluminum plate 10 is 75 μm or more per side, if the potential distribution is disturbed and current concentration occurs, an overetched portion 13s is likely to occur. According to this embodiment, such current concentration is unlikely to occur. Therefore, an aluminum electrode plate for an electrolytic capacitor having a high electrostatic capacity can be produced as much as electrolytic etching is performed deeply.

また、第１マスク３０ａ、３０ｂにおいて第１開孔部３１ａ、３１ｂによって挟まれた部分には、幅寸法が1mm以上の帯状部分３２ａ、３２ｂが含まれている。このため、幅寸法が1mm以上の帯状の未エッチング部分１２を形成することができ、かかる帯状の未エッチング部分１２であれば、端子１９を確実に接続することができる。   Further, the portions sandwiched between the first aperture portions 31a and 31b in the first masks 30a and 30b include belt-like portions 32a and 32b having a width dimension of 1 mm or more. For this reason, the strip-shaped unetched portion 12 having a width dimension of 1 mm or more can be formed, and the terminal 19 can be reliably connected to the strip-shaped unetched portion 12.

また、第１マスク３０ａ、３０ｂの厚さが0.1mm以下であるため、エッチングの際、エッチング中に発生した気泡が第１マスク３０ａ、３０ｂに起因する段部に引っ掛かってアルミニウム板１０表面を覆うということがない。このため、アルミニウム板１０において第１開孔部３１ａ、３１ｂで露出している領域に対する電流密度がアルミニウム板１０表面の気泡によって変動することを防止することができる。   In addition, since the thickness of the first masks 30a and 30b is 0.1 mm or less, during the etching, bubbles generated during the etching are caught by the step portions caused by the first masks 30a and 30b to cover the surface of the aluminum plate 10. There is no such thing. For this reason, it can prevent that the current density with respect to the area | region exposed in the 1st aperture parts 31a and 31b in the aluminum plate 10 is fluctuate | varied by the bubble on the aluminum plate 10 surface.

（他の実施の形態）
図６は、本発明の他の実施の形態を示す説明図である。上記実施の形態において、第１開孔部３１ａ、３１ｂの形状が四角形であったが、図６（ａ）に示すように、第１開孔部３１ａ、３１ｂの形状は、四角形の角部を円弧状に切り欠いた形状であることが好ましい。また、図６（ｂ）に示すように、第１開孔部３１ａ、３１ｂの形状は、真円、長円、楕円等の円形であることが好ましい。第１開孔部３１ａ、３１ｂが四角形である場合には、エッチングの際、四角形の角部分に電流が集中してエッチングが進行しやすいという傾向にあるが、第１開孔部３１ａ、３１ｂが、四角形の角部を円弧状に切り欠いた形状、あるいは円形である場合には、このような電流集中を防止することができる。それ故、静電容量の高いエッチド板１４を安定して製造することができる。なお、かかる形状を採用した場合でも、点線Ｌ１で示す四角形領域をプレス等により打ち抜けば、四角形の陽極１５を得ることができる。(Other embodiments)
FIG. 6 is an explanatory view showing another embodiment of the present invention. In the above embodiment, the first opening portions 31a and 31b have a quadrangular shape. However, as shown in FIG. 6A, the first opening portions 31a and 31b have square corner portions. The shape is preferably cut out in an arc shape. Further, as shown in FIG. 6B, the shape of the first opening portions 31a and 31b is preferably a circle such as a perfect circle, an ellipse, or an ellipse. In the case where the first opening portions 31a and 31b are square, during etching, current tends to concentrate on the corner portions of the square and the etching tends to proceed, but the first opening portions 31a and 31b Such current concentration can be prevented when the corners of the quadrilateral are notched in an arc shape or are circular. Therefore, the etched plate 14 having a high capacitance can be manufactured stably. Even when such a shape is adopted, a rectangular anode 15 can be obtained by punching out the rectangular region indicated by the dotted line L1 by pressing or the like.

本発明では、電解エッチングを行なう際、アルミニウム板において、エッチングする必要のない領域は第１マスクで覆われているため、アルミニウム板において、第１マスクによって未エッチング部位とされた領域に端子を接続することができる。それ故、電解コンデンサ用アルミニウム電極板と端子との接続部分の信頼性が高い。また、エッチングを必要としない領域については電解エッチングを行なわないため、無駄な電気量が発生しない。さらに、エッチング液中への無駄なアルミニウム溶解が発生しないので、エッチング液の劣化を抑制することができる。また、第２開孔部の面積は第１開孔部の面積の0.7倍から1.15倍に限定されているので、アルミニウム板には、過エッチング部位やエッチング不足部位が発生しない。それ故、静電容量の高い電解コンデンサ用アルミニウム電極板を製造することができる。   In the present invention, when the electrolytic etching is performed, a region that does not need to be etched in the aluminum plate is covered with the first mask. Therefore, the terminal is connected to a region that is not etched by the first mask in the aluminum plate. can do. Therefore, the reliability of the connection part between the aluminum electrode plate for electrolytic capacitors and the terminal is high. In addition, since the electrolytic etching is not performed in the region that does not require etching, a wasteful amount of electricity is not generated. Furthermore, since unnecessary aluminum dissolution does not occur in the etching solution, deterioration of the etching solution can be suppressed. In addition, since the area of the second aperture is limited to 0.7 to 1.15 times the area of the first aperture, no overetched site or insufficiently etched site occurs in the aluminum plate. Therefore, an aluminum electrode plate for electrolytic capacitors having a high capacitance can be manufactured.

１０ アルミニウム板
１２ 未エッチング部位
１３ エッチング部位
１３ｓ 過エッチング部位
１３ｔ エッチング不足部位
１４ エッチド板
１５ 陽極
２０ａ、２０ｂ 電極
３０ａ、３０ｂ 第１マスク
３１ａ、３１ｂ 第１開孔部
４０ａ、４０ｂ 第２マスク
４１ａ、４１ｂ 第２開孔部10 Aluminum plate 12 Unetched portion 13 Etched portion 13s Overetched portion 13t Unetched portion 14 Etched plate 15 Anode 20a, 20b Electrode 30a, 30b First mask 31a, 31b First aperture portion 40a, 40b Second mask 41a, 41b Second aperture

Claims (6)

エッチング液中で対向配置された第１電極と第２電極の間に前記第１電極および前記第２電極に対向するようにアルミニウム板を配置した状態で当該アルミニウム板に電解エッチングを行なう電解コンデンサ用アルミニウム電極板の製造方法において、
前記電解エッチングを行なうにあたって、
前記アルミニウム板の両面に当該アルミニウム板に対するエッチング領域を規定する第１開孔部を複数、備えた第１マスクを設け、
前記第１電極および前記第２電極において前記アルミニウム板に対向する面側には、前記第１開孔部を投影した領域が第２開孔部になっている第２マスクを設け、
前記第２開孔部の面積を、前記第１開孔部の面積の0.7倍から1.15倍とすることを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム電極板の製造方法。For an electrolytic capacitor that performs electrolytic etching on an aluminum plate in a state in which the aluminum plate is disposed so as to face the first electrode and the second electrode between a first electrode and a second electrode that are opposed to each other in an etching solution In the method for producing an aluminum electrode plate,
In performing the electrolytic etching,
A first mask provided with a plurality of first apertures defining an etching region for the aluminum plate is provided on both surfaces of the aluminum plate,
On the surface side facing the aluminum plate in the first electrode and the second electrode, a second mask in which a region where the first aperture is projected is a second aperture is provided,
The method for producing an aluminum electrode plate for an electrolytic capacitor, wherein the area of the second aperture is 0.7 to 1.15 times the area of the first aperture. 前記第１マスクにおいて前記第１開孔部によって挟まれた部分には、幅寸法が1mm以上の帯状部分が含まれていることを特徴とする請求項１に記載の電解コンデンサ用アルミニウム電極板の製造方法。   2. The aluminum electrode plate for an electrolytic capacitor according to claim 1, wherein a portion sandwiched between the first apertures in the first mask includes a band-shaped portion having a width dimension of 1 mm or more. Production method. 前記第１マスクの厚さが0.1mm以下であることを特徴とする請求項１に記載の電解コンデンサ用アルミニウム電極板の製造方法。   The method for manufacturing an aluminum electrode plate for electrolytic capacitors according to claim 1, wherein the thickness of the first mask is 0.1 mm or less. 前記第１マスクは、前記アルミニウム板の両面に固着された樹脂製マスキング材からなることを特徴とする請求項１に記載の電解コンデンサ用アルミニウム電極板の製造方法。   2. The method of manufacturing an aluminum electrode plate for an electrolytic capacitor according to claim 1, wherein the first mask is made of a resin masking material fixed to both surfaces of the aluminum plate. 前記第１開孔部は、四角形の角部を円弧状に切り欠いた形状、あるいは円形であることを特徴とする請求項１に記載の電解コンデンサ用アルミニウム電極板の製造方法。   2. The method of manufacturing an aluminum electrode plate for an electrolytic capacitor according to claim 1, wherein the first opening has a shape in which a square corner is cut out in an arc shape or a circle. 前記電解エッチングは交流エッチングであり、
前記アルミニウム板におけるエッチング部位の厚さが片面当たり75μm以上となるように前記電解エッチングを行なうことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電解コンデンサ用アルミニウム電極板の製造方法。The electrolytic etching is alternating current etching;
6. The method for producing an aluminum electrode plate for an electrolytic capacitor according to claim 1, wherein the electrolytic etching is performed so that a thickness of an etching site in the aluminum plate is 75 μm or more per side. .
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5872213B2 (en) * 2011-09-08 2016-03-01 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー Method for manufacturing surface-expanded foil
CN108292567B (en) * 2015-11-30 2020-04-21 松下知识产权经营株式会社 Method for manufacturing electrode foil and method for manufacturing capacitor
WO2017154374A1 (en) * 2016-03-10 2017-09-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same
CN106971851B (en) * 2017-04-10 2018-11-06 福建国光电子科技股份有限公司 A method of preparing the chip-type laminated solid aluminum electrolytic capacitor of polymer
WO2022009799A1 (en) * 2020-07-07 2022-01-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Solid electrolytic capacitor element, solid electrolytic capacitor and method for producing same

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59161808A (en) * 1983-03-04 1984-09-12 長井電子工業協同組合 Method of producing electrolytic condenser
JPH11508090A (en) * 1996-06-21 1999-07-13 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ Method for producing aluminum foil for electrolytic capacitor and product obtained therefrom
JPH11307400A (en) * 1998-04-21 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of electrode foil for solid electrolytic capacitor
JP2002260969A (en) * 2001-02-28 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing method for anode foil for aluminum electrolytic capacitor
JP2002541324A (en) * 1999-04-01 2002-12-03 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング Electrochemical etching apparatus and method for etching an etching body
JP2003096599A (en) * 2001-02-08 2003-04-03 Showa Denko Kk Method of producing aluminum foil for capacitor, and solid electrolytic capacitor
JP2004319795A (en) * 2003-04-16 2004-11-11 Japan Carlit Co Ltd:The Aluminum solid electrolytic capacitor and its manufacturing method

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10031906B4 (en) * 2000-06-30 2006-05-24 Becromal S.P.A. Process for producing electrodes and electrodes produced therewith
JP4605361B2 (en) * 2004-10-29 2011-01-05 独立行政法人科学技術振興機構 Foil and manufacturing method thereof

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59161808A (en) * 1983-03-04 1984-09-12 長井電子工業協同組合 Method of producing electrolytic condenser
JPH11508090A (en) * 1996-06-21 1999-07-13 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ Method for producing aluminum foil for electrolytic capacitor and product obtained therefrom
JPH11307400A (en) * 1998-04-21 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of electrode foil for solid electrolytic capacitor
JP2002541324A (en) * 1999-04-01 2002-12-03 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング Electrochemical etching apparatus and method for etching an etching body
JP2003096599A (en) * 2001-02-08 2003-04-03 Showa Denko Kk Method of producing aluminum foil for capacitor, and solid electrolytic capacitor
JP2002260969A (en) * 2001-02-28 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing method for anode foil for aluminum electrolytic capacitor
JP2004319795A (en) * 2003-04-16 2004-11-11 Japan Carlit Co Ltd:The Aluminum solid electrolytic capacitor and its manufacturing method

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