JP5327472B2 - Light bulb shaped lamp and lighting equipment - Google Patents
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Description
本発明は、半導体発光素子を用いた電球形ランプ、およびこの電球形ランプを用いた照明器具に関する。 The present invention relates to a light bulb shaped lamp using a semiconductor light emitting element and a lighting fixture using the light bulb shaped lamp.
従来、半導体発光素子としてLEDチップを用いた電球形ランプでは、金属製の基体の一端側にLEDチップを用いた発光モジュールが取り付けられているとともにこの発光モジュールを覆うグローブが取り付けられ、基体の他端側に絶縁部材を介して口金が取り付けられ、絶縁部材の内側に点灯回路が収容されている。 Conventionally, in a light bulb-type lamp using an LED chip as a semiconductor light emitting element, a light emitting module using an LED chip is attached to one end side of a metal base and a glove covering the light emitting module is attached. A base is attached to the end side via an insulating member, and a lighting circuit is accommodated inside the insulating member.
この電球形ランプの点灯時には、主に、LEDチップが発生する熱が基板から基体に熱伝導され、この基体の外部に露出する表面から空気中に放熱される。 When the light bulb shaped lamp is turned on, heat generated by the LED chip is mainly conducted from the substrate to the base, and is radiated into the air from the surface exposed to the outside of the base.
また、発光モジュールには、LEDチップが搭載された接続端子付きのSMD(Surface Mount Device)パッケージを基板上に実装したSMDモジュール、基板上に複数のLEDチップを密集配置して実装するCOB(Chip On Board)モジュールなどが用いられている(例えば、特許文献1参照。)。 The light emitting module includes an SMD module in which an SMD (Surface Mount Device) package with a connection terminal on which an LED chip is mounted is mounted on a substrate, and a COB (Chip) in which a plurality of LED chips are densely arranged on the substrate. On Board) module or the like is used (for example, see Patent Document 1).
COBモジュールの場合、単一の発光部を有して高出力発光が可能であるが、発光部に複数のLEDチップが密集配置されるために、LEDチップの温度が高くなりやすい。LEDチップの温度が高くなり過ぎると、寿命が短くなったり光出力の低下などに影響するため、LEDチップの熱を効率よく基体に熱伝導し、この基体の外部に露出する表面から空気中に効率よく放熱することにより、LEDチップの温度上昇を抑制することが重要である。 In the case of a COB module, a single light emitting unit is provided and high output light emission is possible. However, since a plurality of LED chips are densely arranged in the light emitting unit, the temperature of the LED chip tends to increase. If the temperature of the LED chip becomes too high, the life of the LED chip will be shortened or the light output will be reduced. Therefore, the heat of the LED chip is efficiently conducted to the base, and the surface exposed to the outside of the base enters the air. It is important to suppress the temperature rise of the LED chip by efficiently dissipating heat.
基体の外部に露出する表面から空気中に効率よく放熱するには、基体の外部に露出する表面積を増やすことが有用であるが、基体の外部に露出する表面積を大きくすることは電球形ランプの大形化につながり、一般照明電球を使用する照明器具への適合率が低下してしまう問題がある。 In order to efficiently dissipate heat into the air from the surface exposed to the outside of the substrate, it is useful to increase the surface area exposed to the outside of the substrate. This leads to an increase in size, and there is a problem that the conformity rate to a lighting fixture using a general lighting bulb is reduced.
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、基体が大形化せず、半導体発光素子の温度上昇を抑制するのに十分な放熱性を確保できる電球形ランプおよび照明器具を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and provides a light bulb shaped lamp and a lighting fixture that can ensure sufficient heat dissipation to suppress a temperature rise of a semiconductor light emitting element without increasing the size of a base. For the purpose.
請求項1記載の電球形ランプは、基板の一面に複数のチップ状の半導体発光素子が実装された発光部を有する発光モジュールと;中央に設けられた基体部およびこの基体部の周囲に一体形成された複数の放熱フィンを有し、前記基体部の一端側に中実部が設けられるとともに他端側に円筒部が設けられ、前記複数の放熱フィンが一端側から他端側に向って縮径され、前記基体部の一端側に前記発光モジュールが熱伝導可能に接触された基体と;前記基体の一端側に前記発光モジュールを覆って設けられたグローブと;前記基体の他端側に設けられた口金と;前記基体の前記円筒部と前記口金との間に収容された点灯回路と;を具備しており、前記グローブから前記口金までのランプ全長が70〜120mmであり、前記発光モジュールに投入する電力1W当たりの前記基体が外部に露出している表面積が20.5〜24.4cm2/Wの範囲内であるものである。 A light bulb shaped lamp according to claim 1 , comprising: a light emitting module having a light emitting part having a plurality of chip-like semiconductor light emitting elements mounted on one surface of a substrate; and a base part provided in the center and integrally formed around the base part A plurality of radiating fins , a solid portion is provided on one end side of the base portion and a cylindrical portion is provided on the other end side, and the radiating fins are contracted from one end side to the other end side. A base having a diameter that is in contact with one end of the base so that the light emitting module can conduct heat; a glove provided on one end of the base to cover the light emitting module; provided on the other end of the base And a lighting circuit accommodated between the cylindrical portion of the base and the base, and the total length of the lamp from the globe to the base is 70 to 120 mm, and the light emitting module Put into That the substrate per power 1W is of surface area that is exposed to the outside is in the range of 20.5~24.4cm 2 / W.
基板は、例えば、アルミニウムなどの熱伝導性に優れた金属材料、またはセラミックス材料やエポキシ樹脂などの絶縁材料などにて平板状に形成され、ねじ止めなどで基体に面接触して熱伝導可能とする。金属材料の場合には、半導体発光素子を実装する一面に絶縁層および導電パターンを順に形成し、この導電パターン上に半導体発光素子を実装する。 The substrate is formed in a flat plate shape using, for example, a metal material having excellent thermal conductivity such as aluminum, or an insulating material such as a ceramic material or an epoxy resin, and is capable of conducting heat by surface contact with the base by screwing or the like. To do. In the case of a metal material, an insulating layer and a conductive pattern are sequentially formed on one surface on which the semiconductor light emitting element is mounted, and the semiconductor light emitting element is mounted on the conductive pattern.
半導体発光素子は、例えば、LEDチップやELチップなどが含まれる。 Examples of the semiconductor light emitting element include an LED chip and an EL chip.
発光モジュールは、例えば、基板上に複数のLEDチップを密集配置して実装し、蛍光体を混合した透明樹脂を塗布して封止樹脂層を形成したCOB(Chip On Board)モジュールである。発光部は、複数のLEDチップおよび封止樹脂層などで構成される。 The light emitting module is, for example, a COB (Chip On Board) module in which a plurality of LED chips are densely arranged on a substrate and mounted, and a transparent resin mixed with a phosphor is applied to form a sealing resin layer. The light emitting unit includes a plurality of LED chips and a sealing resin layer.
基体は、例えば、アルミニウムなどの熱伝導性および放熱性がよい金属材料などで形成される。この基体の基体部は、少なくとも一端側に形成されていればよく、基体部の他端側は点灯回路を収容する空間部としてもよい。基体の放熱フィンは、例えば、基体部の周囲から放射状に突出されているものが含まれる。 The base is made of, for example, a metal material having good thermal conductivity and heat dissipation, such as aluminum. The base portion of the base body only needs to be formed on at least one end side, and the other end side of the base portion may be a space portion that houses the lighting circuit. Examples of the heat dissipating fins of the base include those protruding radially from the periphery of the base.
グローブは、光透過性および光拡散性を有する合成樹脂やガラスで、発光モジュールを覆うようにドーム状に形成されているものを含む。 The globe includes a synthetic resin or glass having a light transmitting property and a light diffusing property, which is formed in a dome shape so as to cover the light emitting module.
口金は、例えば、E17形やE26形などの一般照明電球用のソケットに接続可能なものが含まれる。 Examples of the cap include those that can be connected to a socket for general lighting bulbs such as E17 type and E26 type.
点灯回路は、例えば、定電流の直流電流を出力する電源回路を有し、配線などによって発光モジュールの基板に接続されて半導体発光素子に電力を供給する。 The lighting circuit has, for example, a power supply circuit that outputs a constant direct current, and is connected to the substrate of the light emitting module by wiring or the like to supply power to the semiconductor light emitting element.
グローブから口金までのランプ全長は70〜120mm、好ましくは98〜110mmの範囲内であり、40〜100Wの一般照明電球と同等の寸法の範囲である。 The total length of the lamp from the globe to the base is in the range of 70 to 120 mm, preferably 98 to 110 mm, and is in the same size range as a general lighting bulb of 40 to 100 W.
基体が外部に露出している表面積とは、グローブおよび口金などの別部品に覆われていない基体の外周面の表面積を示す。発光モジュールに投入する電力1W当たりの基体が外部に露出している表面積が、20.5cm2/Wより小さいと、十分な放熱性が確保されず、半導体発光素子の温度が所定の基準値を上回り、寿命の低下を招く。一方、24.4cm2/Wより大きいと、基体が大きくなって、電球形ランプが大形化し、一般照明電球を使用する照明器具への適合率が低下する。したがって、20.5〜24.4cm2/Wの範囲が、基体の外部に露出する表面積を大きくして十分な放熱性を確保できるとともに、基体の寸法が大きくなり過ぎることのない最適な範囲となる。 The surface area at which the substrate is exposed to the outside indicates the surface area of the outer peripheral surface of the substrate that is not covered with another component such as a globe or a base. If the surface area exposed to the outside of the substrate per 1 W of electric power input to the light emitting module is smaller than 20.5 cm 2 / W, sufficient heat dissipation is not ensured, and the temperature of the semiconductor light emitting element has a predetermined reference value. This leads to a decrease in service life. On the other hand, if it is larger than 24.4 cm 2 / W, the substrate becomes large, the size of the light bulb shaped lamp is increased, and the adaptability to a lighting fixture using a general lighting bulb is lowered. Therefore, the range of 20.5 to 24.4 cm 2 / W can increase the surface area exposed to the outside of the substrate to ensure sufficient heat dissipation, and the optimum range in which the size of the substrate does not become too large. Become.
請求項2記載の電球形ランプは、請求項1記載の電球形ランプにおいて、前記複数の放熱フィンは、前記基体の中心軸に沿って延在するとともに前記基体の中心軸から外側に向かうように放射状に複数形成されており、前記複数の放熱フィン間の間隔が7〜10mmの範囲内であるものである。 Self-ballasted lamp of claim 2, wherein, in the self-ballasted lamp of claim 1, wherein the plurality of heat dissipating fins, so as to be directed outward from the central axis of the substrate as well as extending along a central axis of the base body A plurality of radiating fins are formed, and a distance between the plurality of radiating fins is within a range of 7 to 10 mm.
放熱フィン間の間隔が7mmより小さいと、放熱フィン間での対流が阻害されやすくなり、放熱フィンの配設枚数が多くなる分だけ基体の表面積が増えるものの放熱性が低下する。一方、放熱フィン間の間隔が10mmより大きいと、必要な表面積を確保するために、基体を大形にする必要がある。したがって、放熱フィン間の間隔は7〜10mmの範囲内が、放熱フィン間での対流を阻害することなく、基体の外部に露出する表面積を大きくできる最適な範囲となる。 If the distance between the heat radiating fins is smaller than 7 mm, convection between the heat radiating fins is likely to be hindered, and although the surface area of the base increases as the number of the heat radiating fins increases, the heat radiating performance decreases. On the other hand, if the space between the heat dissipating fins is larger than 10 mm, it is necessary to make the base large in order to secure a necessary surface area. Therefore, the distance between the radiating fins within the range of 7 to 10 mm is an optimum range in which the surface area exposed to the outside of the substrate can be increased without hindering convection between the radiating fins.
請求項3記載の電球形ランプは、請求項1または2記載の電球形ランプにおいて、前記発光モジュールは、前記発光部の中心と前記グローブの内面との距離が最も離れる位置に配置されているものである。 Self-ballasted lamp of claim 3, wherein, in claim 1 or 2 self-ballasted lamp, wherein the light emitting module, which distance between the center and the glove inner surface of the light emitting portion is arranged farthest position It is.
一般的に、電球形ランプに用いられるグローブはドーム状であるため、グローブの内面との距離が最も離れる位置は基体の一端側における中央領域となり、この基体の一端側の中央領域に発光モジュールの発光部が配置される。 In general, since the globe used for the bulb-type lamp has a dome shape, the position farthest from the inner surface of the globe is the central region on one end side of the substrate, and the light emitting module is located in the central region on one end side of the substrate. A light emitting unit is arranged.
COBモジュールにおいては、基板に対するLEDチップの実装密度が0.8〜1.2個/mm2、LEDチップの実装数が50〜200個とするのが好ましい。 In the COB module, it is preferable that the mounting density of the LED chips on the substrate is 0.8 to 1.2 / mm 2 , and the number of LED chips mounted is 50 to 200.
基板に対するLEDチップの実装密度が0.8個/mm2より小さいと、基板にLEDチップを実装する設備の実装精度の限界を上回り、熱的にも集中し過ぎて放熱性が悪化することになり、また、1.2個/mm2より大きいと、LEDチップの密集配置の密度を高めて発光部を小さくすることができず、発光部とグローブの内面との間の距離を十分にとれず、点灯時においてはグローブに輝度むらが生じたり、消灯時においては発光部が有する色がグローブに映り込んでグローブが本来の色とは異なる色になる違和感を感じやすくなる。したがって、基板に対するLEDチップの実装密度が0.8〜1.2個/mm2の範囲が好ましい。 If the mounting density of the LED chips on the board is less than 0.8 / mm 2 , it will exceed the limit of the mounting accuracy of the equipment for mounting the LED chips on the board, and it will concentrate too much and heat dissipation will deteriorate. If the density is greater than 1.2 / mm 2 , the density of the LED chips is increased and the light emitting part cannot be reduced, and the distance between the light emitting part and the inner surface of the globe is sufficiently large. Accordingly, when the light is turned on, the brightness of the glove is uneven, and when the light is turned off, the color of the light emitting part is reflected on the glove, and it becomes easy to feel uncomfortable that the glove is different from the original color. Therefore, the mounting density of the LED chips on the substrate is preferably in the range of 0.8 to 1.2 pieces / mm 2 .
LEDチップの実装数が50個より少ないと、必要とする光束が得られず、また、200個より多いと、発光モジュールの大形化やLEDチップの放熱性の問題が生じる。したがって、LEDチップの実装数が50〜200個とするのが好ましい。 If the number of LED chips mounted is less than 50, the required light flux cannot be obtained, and if it is more than 200, there are problems of increasing the size of the light emitting module and the heat dissipation of the LED chip. Therefore, the number of LED chips mounted is preferably 50 to 200.
請求項4記載の照明器具は、ソケットを有する器具本体と;前記器具本体の前記ソケットに装着される請求項1ないし3いずれか一記載の電球形ランプと;を具備しているものである。 Luminaire according to claim 4 is an instrument body having a socket; those which comprises a; and the self-ballasted lamp of claims 1 is mounted on the socket 3 any one description of the instrument body.
請求項1記載の電球形ランプによれば、グローブから口金までのランプ全長が70〜120mmであり、発光モジュールに投入する電力1W当たりの基体の外部に露出する表面積が20.5〜24.4cm2/Wの範囲内であるため、基体の外部に露出する表面積を大きくして十分な放熱性を確保するとともに、基体の寸法を大きくなり過ぎることのない最適な範囲を規定でき、つまり、基体が大形化せず、半導体発光素子の温度上昇を抑制するのに十分な放熱性を確保できる。 According to the light bulb shaped lamp of claim 1, the total length of the lamp from the globe to the base is 70 to 120 mm, and the surface area exposed to the outside of the substrate per 1 W of electric power input to the light emitting module is 20.5 to 24.4 cm. Since it is within the range of 2 / W, the surface area exposed to the outside of the substrate can be increased to ensure sufficient heat dissipation, and the optimum range in which the size of the substrate does not become too large can be defined. However, it is possible to ensure sufficient heat dissipation to suppress the temperature rise of the semiconductor light emitting device.
請求項2記載の電球形ランプによれば、請求項1記載の電球形ランプの効果に加えて、放熱フィン間の間隔が7〜10mmの範囲内であるため、放熱フィン間での対流を阻害することなく、基体の外部に露出する表面積を大きくして放熱効率が最適となる範囲を規定でき、基体からの放熱性を向上させることができる。 According to the light bulb shaped lamp according to claim 2, in addition to the effect of the light bulb shaped lamp according to claim 1, since the interval between the heat radiating fins is within a range of 7 to 10 mm, the convection between the heat radiating fins is inhibited. Without this, it is possible to increase the surface area exposed to the outside of the substrate to define the range in which the heat radiation efficiency is optimum, and to improve the heat dissipation from the substrate.
請求項3記載の電球形ランプによれば、請求項1または2記載の電球形ランプの効果に加えて、発光モジュールの発光部を、グローブの内面との距離が最も離れる位置に配置するため、発光部が基体の一端側の中央に配置されることになって発光部から基体への熱伝導性が高くなり、放熱性を向上でき、また、点灯時のグローブの輝度むらを防止できるとともに、消灯時において発光部が有する色がグローブに映り込んでグローブが本来の色とは異なる色になる違和感を低減できる。 According to the light bulb shaped lamp according to claim 3, in addition to the effect of the light bulb shaped lamp according to claim 1 or 2, the light emitting part of the light emitting module is disposed at a position farthest from the inner surface of the globe, The light emitting part is arranged at the center of the one end side of the base, so that the thermal conductivity from the light emitting part to the base becomes high, heat dissipation can be improved, and uneven brightness of the globe at the time of lighting can be prevented, It is possible to reduce a sense of incongruity that the color of the light emitting unit is reflected in the globe when the light is turned off and the globe is different from the original color.
請求項4記載の照明器具によれば、電球形ランプの放熱性がよく、寿命を長くできる。 According to the lighting fixture of Claim 4, the heat dissipation of a light bulb shaped lamp is good and the life can be extended.
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1ないし図6に第1の実施の形態を示す。 1 to 6 show a first embodiment.
図1ないし図4において、11は電球形ランプで、この電球形ランプ11は、金属製の基体12、この基体12の一端側(電球形ランプ11のランプ軸の一端側)に取り付けられた発光モジュール13、基体12の他端側に取り付けられた絶縁性を有するカバー14、このカバー14の他端側に取り付けられた口金15、発光モジュール13を覆って基体12の一端側に取り付けられた透光性を有するグローブ16、および基体12と口金15との間でカバー14の内側に収納された点灯回路17を備えている。
1 to 4, reference numeral 11 denotes a light bulb shaped lamp. The light bulb shaped lamp 11 is a light emitting body attached to a
基体12は、熱伝導性が優れた例えばアルミニウムなどの金属材料によって一体形成されており、中央域に胴体部としての基体部21が形成され、この基体部21の周囲にランプ軸方向に沿った複数の放熱フィン22がランプ軸を中心として放射状に突出形成されている。
The
基体部21の一端側には円柱状の中実部23が形成され、他端側には他端側へ向けて開口する円筒部24が形成されている。基体12の基体部21の一端側の最大径W1は55〜65mm、基体部21の他端側の最大径W2は25〜30mmである。
A columnar
放熱フィン22は、基体12の他端側から一端側へと径方向の突出量が徐々に大きくなるように傾斜して形成されている。また、これら放熱フィン22は基体12の周方向に互いに略等間隔で放射状に形成され、これら放熱フィン22間に間隙25が形成されている。これら間隙25は、基体12の他端側および周囲へ向けて開口され、基体12の一端側には閉塞されている。放熱フィン22および間隙25の一端側には、中実部23の周囲にその中実部23に連続する環状の縁部26が形成されている。
The radiating
基体12の一端側の面には、中央域である基体部21の一端側の面に発光モジュール13が面接触して取り付けられる発光モジュール取付面27が形成されているとともにこの発光モジュール取付面27に発光モジュール13をねじ止めする複数の取付孔28が形成され、周辺域である縁部26の一端側の面にグローブ16を取り付ける環状のグローブ取付部29が突出形成されている。このグローブ取付部29の外周には一端側であるグローブ16側が小径となる傾斜部30が形成されている。
A light emitting
基体12の基体部21には、ランプ軸の中心から外れた位置に基体12の一端側の面と他端側である円筒部24の内面とを連通する孔部31がランプ軸方向に沿って形成され、基体12の一端側の面に孔部31の一端側から基体12の周辺域へ向けて溝部32が形成され、これら孔部31および溝部32によって点灯回路17と発光モジュール13とを配線接続するための配線孔33が形成されている。
The
そして、基体12は、基体12の一端側の面から見て、基体部21の容積が放熱フィンの部分の容積より大きく、つまり、基体部21で熱を吸熱可能とする熱容量が放熱フィン22の部分の熱容量より大きい関係を有している。
The
また、発光モジュール13は、例えば、アルミニウムなどの金属材料、あるいはセラミックスやエポキシ樹脂などの絶縁材料で形成された四角形平板状の基板41を有し、この基板41の一端側の面である実装面に配線パターン42が形成されていとともに、実装面の中央域に複数の半導体発光素子としてのLEDチップ43がマトリクス状に密集配置されて実装されている。すなわち、発光モジュール13は、COB(Chip On Board)モジュールであり、基板41に対するLEDチップ43の実装密度が0.8〜1.2個/mm2、LEDチップ43の実装数が50〜200個である。
The
複数のLEDチップ43の両側域に配置された配線パターン42の一対の電極パッド44間の方向に沿って複数のLEDチップ43がワイヤボンディングによって直列に接続されている。基板41の縁部であって、発光モジュール13が基体12に取り付けられた状態で基体12の溝部32に対向する基板41の縁部には、配線パターン42に電気的に接続されるコネクタ受45が配設されている。
The plurality of
LEDチップ43には、例えば、青色光を発するLEDチップが用いられる。基板41に実装された複数のLEDチップ43上には、例えばシリコーン樹脂など透明樹脂である封止樹脂が塗布形成されている。この封止樹脂には、LEDチップ43からの青色光の一部により励起されて黄色光を放射する黄色の蛍光体が混入されている。したがって、LEDチップ43および封止樹脂によって発光部46が構成され、この発光部46の表面である封止樹脂の表面が発光面47となり、この発光面47から白色系の照明光が放射される。
As the
基板41の四隅近傍には図示しない複数の挿通孔が形成され、これら挿通孔に挿通するねじ48を基体12の取付孔28に螺着することより、基板41の他端側の面が基体12の基体部21の一端側の面である発光モジュール取付面27に面接触した状態に取り付けられている。このとき、基板41の他端側の面と基体12の発光モジュール取付面27との間には、熱伝導性に優れたシートやグリスなどの熱伝導材が介在されている。そして、基板41を基体12の発光モジュール取付面27に取り付けた状態では、発光モジュール13の発光部46の中心部がグローブ16の内面との距離が最も離れる位置に配置されるように、発光部46の発光面47の中心がランプ軸の中心に対応して位置するとともに、基体12の一端側に描かれる基体部21の投影領域(図3および図4に点線で示す領域)内に発光モジュール13の発光部46が位置し、言い換えれば放熱フィン22が形成されていない領域に発光モジュール13の発光部46が位置されている。なお、この領域内に発光部46の90%以上、好ましくは95%以上が存在するように基板41が発光モジュール取付面27に面接触されていれば熱伝導は良好であり、所定の放熱効果も得られることを確認している。また、図3に示す発光部46からグローブ16の開口縁部の内面までの最短距離bを10〜20mm、好ましくは12〜18mmとすることにより、グローブ16への発光部46の映り込みを防止することができ、発光部46の点灯中におけるグローブ16の均斉度を向上させ、グローブ16の熱劣化を防止することができる。なお、基板41の縁部から配線孔33の溝部32の端部が露出して開口されている。
A plurality of insertion holes (not shown) are formed in the vicinity of the four corners of the
また、カバー14は、例えばPBT樹脂などの絶縁材料により、他端側へ向けて開口する円筒状に形成されている。カバー14の他端側の外周部には、基体12と口金15との間に介在して互いの間を絶縁する環状の鍔部51が形成されている。カバー14の一端側の面には、基体12の配線孔33に同軸に連通する配線孔52が形成されている。
Moreover, the
また、口金15は、例えば、E26形などの一般照明電球用のソケットに接続可能なもので、カバー14に嵌合されてかしめられて固定されるシェル55、このシェル55の他端側に設けられる絶縁部56、およびこの絶縁部56の頂部に設けられるアイレット57を有している。
The base 15 can be connected to, for example, a socket for a general lighting bulb such as E26 type, and is provided on the other end side of the
また、グローブ16は、光拡散性を有するガラスあるいは合成樹脂などで、発光モジュール13を覆うようにドーム状に形成されている。グローブ16の他端側は開口され、この開口縁部に基体12のグローブ取付部29の内周側に嵌合されるとともに接着剤などで固定される嵌合部60が形成されている。
Further, the
また、点灯回路17は、例えば、発光モジュール13のLEDチップ43に対して定電流を供給する回路であり、回路を構成する複数の回路素子が実装された回路基板を有し、この回路基板がカバー14内に収納されて固定されている。点灯回路17の入力側には、口金15のシェル55およびアイレット57が接続線で電気的に接続されている。点灯回路17の出力側には先端にコネクタ63を有する接続線64が接続され、このコネクタ63および接続線64がカバー14の配線孔52および基体12の配線孔33を通じて基体12の一端側に引き出され、コネクタ63が基板41のコネクタ受45に接続されている。なお、この発光モジュール13との接続作業は、発光モジュール13を基体12にねじ止めする前に行われる。
The lighting circuit 17 is, for example, a circuit that supplies a constant current to the
このように構成された電球形ランプ11は、グローブ16から口金15までのランプ全長hが70〜120mm、本実施の形態では約109mmであり、発光モジュール13に投入する電力1W当たりの基体12が外部に露出している表面積が20.5〜24.4cm2/Wの範囲内にある。ところで、放熱フィン22の数を多くして上記数値が24.4cm2/Wを超えるような基体12の構造を製作することも可能であるが、この場合には、放熱フィン22の厚みが1.0mmを下回る部分が多く発生することとなり、放熱フィン22の熱伝導性能が悪化するので好ましくない。基体12が外部に露出している表面積とは、グローブ16および口金15に覆われていない基体12の外周面の表面積を示す。本実施の形態では、発光モジュール13への投入電力が8.0〜9.5Wとなっている。また、放熱フィン22間の間隔aが7〜10mmである。
The bulb-shaped lamp 11 configured in this way has a lamp total length h from the
また、図6には、電球形ランプ11を使用するダウンライトである照明器具70を示し、この照明器具70は、器具本体71を有し、この器具本体71内にソケット72および反射体73が配設されている。
FIG. 6 shows a lighting fixture 70 that is a downlight using the light bulb shaped lamp 11. The lighting fixture 70 has a fixture main body 71, and a socket 72 and a
そうして、電球形ランプ11の口金15を照明器具70のソケット72に装着して通電すると、点灯回路17が動作し、発光モジュール13の複数のLEDチップ43に電力が供給され、複数のLEDチップ43が発光し、光がグローブ16を通じて拡散放射される。
Then, when the
発光モジュール13の複数のLEDチップ43の点灯時に発生する熱は、基板41に熱伝導されるとともにこの基板41から基体12に熱伝導され、この基体12の外部に露出する基体部21および複数の放熱フィン22の表面から空気中に効率よく放熱される。
The heat generated when the plurality of
図5には、電球形ランプ11の点灯時において、LEDチップ43のジャンクション温度と、発光モジュール13に投入する電力1W当たりの基体12の外部に露出する表面積との関係を実験により求めた結果を示す。ジャンクション温度は、例えば、LEDチップ43を構成するP型半導体とN型半導体との接合面の温度であるが、その値は接合面の温度を直接測定することなく、LEDチップ43の周辺温度から計算式により算出された値であってもよい。
FIG. 5 shows the result of an experiment to determine the relationship between the junction temperature of the
図5から分かるように、発光モジュール13に投入する電力1W当たりの基体12が外部に露出する表面積が20.5cm2/Wより小さいと、基体12から空気中への十分な放熱性が確保されず、LEDチップ43の温度が予め決められた所定の基準値を上回る。所定の基準値は、LEDチップ43の温度に応じた寿命を測定する実験から導き出されたもので、その基準値を超えるとLEDチップ43の寿命が短くなり、基準値内に抑えることでLEDチップ43の寿命を長くできることが確認されている。そのため、発光モジュール13に投入する電力1W当たりの基体12が外部に露出する表面積は20.5cm2/W以上とすることが、LEDチップ43の寿命を長くするうえで好ましい。
As can be seen from FIG. 5, when the surface area of the
一方、一般的には、発光モジュール13に投入する電力1W当たりの基体12が外部に露出する表面積が大きいほど、放熱性が高くなる。基体12が外部に露出する表面積を大きくする方法としては、放熱フィン22の間隙25を狭め、放熱フィン22の数を多くすることが考えられるが、放熱フィン22間の間隙25が小さくなり過ぎると、放熱フィン22間での対流が阻害されてしまうため、基体12が外部に露出する表面積が増えるものの放熱性が低下してしまう。そのため、放熱フィン22の間隙25を狭め、放熱フィン22の数を多くすることなく、基体12が外部に露出する表面積を大きくする必要があるが、そのためには、基体12を大形にする必要があり、それに伴って電球形ランプ11が大形化し、一般照明電球用の照明器具70への適合率が低下する。また、基体12を大形化せずに表面積だけを大きくした場合には、前述のとおり放熱フィン22の熱伝導効率が低下してしまう。そのため、基体12が外部に露出する表面積を大きくするうえで、基体12を大きくなり過ぎず、一般照明電球用の照明器具70への電球形ランプ11の十分な適合率が得られるように、実験により確認したところ、発光モジュール13に投入する電力1W当たりの基体12が外部に露出する表面積は24.4cm2/W以下とすることが好ましいことが確認された。
On the other hand, generally, the greater the surface area at which the
したがって、発光モジュール13に投入する電力1W当たりの基体12が外部に露出する表面積は、20.5〜24.4cm2/Wの範囲が、基体12の外部に露出する表面積を大きくして十分な放熱性を確保できるとともに、基体12の寸法が大きくなり過ぎることのない最適な範囲となる。
Therefore, the surface area of the
このように、グローブ16から口金15までのランプ全長hが70〜120mmであり、発光モジュール13に投入する電力1W当たりの基体12の外部に露出する表面積が20.5〜24.4cm2/Wの範囲内であるため、基体12の外部に露出する表面積を大きくして十分な放熱性を確保するとともに、基体12の寸法を大きくなり過ぎることのない最適な範囲を規定でき、つまり、基体12が大形化せず、LEDチップ43の温度上昇を抑制するのに十分な放熱性を確保できる。
Thus, the total length h of the lamp from the
また、放熱フィン22間の間隙25と放熱性との関係について実験により確認したところ、放熱フィン22間の間隙25が7mmより小さいと、放熱フィン22間での対流が阻害され、基体12の表面積が増えるものの放熱性が低下することが確認された。一方、放熱フィン22間の間隙25が10mmより大きいと、必要な表面積を確保するために、基体12を大形にする必要がある。したがって、放熱フィン22間の間隙25は7〜10mmの範囲が、放熱フィン22間での対流を阻害することなく、基体12の外部に露出する表面積を大きくできる最適な範囲となる。
Further, when the relationship between the
また、発光モジュール13の発光部46は、グローブ16の内面との距離が最も離れる位置に配置するため、発光部46が基体12の一端側の中央に配置されることになり、発光部46から基体12への熱伝導性が高くなり、放熱性を向上でき、また、発光部46が基体12の一端側の中央からずれた位置に配置されるとした場合に比べて、点灯時においては、グローブ16の輝度むらを防止でき、消灯時においては、発光部46が有する蛍光体の黄色がグローブ16に映り込んで、グローブ16が本来の乳白色とは異なった黄色になることの違和感を低減できる。
Further, since the
次に、図7に第2の実施の形態を示す。なお、第1の実施の形態と同様の構成については同一符号を用いてその説明を省略する。 Next, FIG. 7 shows a second embodiment. In addition, about the structure similar to 1st Embodiment, the description is abbreviate | omitted using the same code | symbol.
この第2の実施の形態の電球形ランプ11aは、第1の実施の形態の電球形ランプ11がE26形口金を使用する白熱電球タイプであったのに対して、E17形口金を使用するミニクリプトン電球タイプである。この電球形ランプ11aは、第1の実施の形態の電球形ランプ11と基本構成およびレイアウトなどが略同様となっている。 The light bulb shaped lamp 11a of the second embodiment is an incandescent light bulb type using the E26 type base while the light bulb shaped lamp 11 of the first embodiment is a miniature using the E17 type base. It is a krypton bulb type. The light bulb shaped lamp 11a has substantially the same basic configuration and layout as the light bulb shaped lamp 11 of the first embodiment.
そして、この電球形ランプ11aは、グローブ16から口金15までのランプ全長hが約72mm、基体部21の一端側の最大径W1が42〜45mm、基体12の基体部21の他端側の最大径W2が15〜20mm、放熱フィン22間の間隔aが7〜10mm、発光モジュール13への投入電力が2.2〜2.8Wである。この電球形ランプ11aの場合にも、発光モジュール13に投入する電力1W当たりの基体12が外部に露出している表面積が20.5〜24.4cm2/Wの範囲内にある。
The bulb-shaped lamp 11a has a lamp total length h from the
このように、E17形口金を使用するミニクリプトン電球タイプの電球形ランプ11aにおいても、発光モジュール13に投入する電力1W当たりの基体12の外部に露出する表面積が20.5〜24.4cm2/Wの範囲内であるため、基体12の外部に露出する表面積を大きくして十分な放熱性を確保するとともに、基体12の寸法を大きくなり過ぎることのない最適な範囲を規定でき、つまり、基体12が大形化せず、LEDチップ43の温度上昇を抑制するのに十分な放熱性を確保できる。
Thus, even in the mini krypton bulb type lamp 11a using the E17 type cap, the surface area exposed to the outside of the base 12 per 1 W of electric power to be input to the
11,11a 電球形ランプ
12 基体
13 発光モジュール
15 口金
16 グローブ
17 点灯回路
21 基体部
22 放熱フィン
23 中実部
24 円筒部
41 基板
43 半導体発光素子としてのLEDチップ
46 発光部
70 照明器具
71 器具本体
72 ソケット
11, 11a Light bulb lamp
12 substrate
13 Light emitting module
15 base
16 Globe
17 Lighting circuit
21 Base part
22 Radiation fin
23 Solid part
24 cylindrical part
41 Board
43 LED chips as semiconductor light emitting devices
46 Light emitter
70 Lighting equipment
71 Instrument body
72 socket
Claims (4)
中央に設けられた基体部およびこの基体部の周囲に一体形成された複数の放熱フィンを有し、前記基体部の一端側に中実部が設けられるとともに他端側に円筒部が設けられ、前記複数の放熱フィンが一端側から他端側に向って縮径され、前記基体部の一端側に前記発光モジュールが熱伝導可能に接触された基体と;
前記基体の一端側に前記発光モジュールを覆って設けられたグローブと;
前記基体の他端側に設けられた口金と;
前記基体の前記円筒部と前記口金との間に収容された点灯回路と;
を具備しており、
前記グローブから前記口金までのランプ全長が70〜120mmであり、前記発光モジュールに投入する電力1W当たりの前記基体が外部に露出している表面積が20.5〜24.4cm2/Wの範囲内である
ことを特徴とする電球形ランプ。 A light emitting module having a light emitting part on which a plurality of chip-like semiconductor light emitting elements are mounted on one surface of the substrate;
A base portion provided in the center and a plurality of heat dissipating fins integrally formed around the base portion; a solid portion is provided on one end side of the base portion and a cylindrical portion is provided on the other end side; A base body in which the plurality of radiating fins are reduced in diameter from one end side to the other end side, and the light emitting module is in contact with the one end side of the base body portion so as to be capable of conducting heat;
A glove provided on one end side of the base so as to cover the light emitting module;
A base provided on the other end of the base;
A lighting circuit accommodated between the cylindrical portion of the base and the base;
It has
The total length of the lamp from the globe to the base is 70 to 120 mm, and the surface area where the substrate is exposed to the outside per 1 W of electric power input to the light emitting module is in the range of 20.5 to 24.4 cm 2 / W. A light bulb shaped lamp characterized by
ことを特徴とする請求項1記載の電球形ランプ。 The plurality of radiating fins extend along the central axis of the base body and are formed radially so as to extend outward from the central axis of the base body, and the interval between the radiating fins is 7 to 10 mm. The light bulb shaped lamp according to claim 1, wherein the light bulb shaped lamp is within the range.
ことを特徴とする請求項1または2記載の電球形ランプ。 3. The light bulb shaped lamp according to claim 1, wherein the light emitting module is disposed at a position where a distance between a center of the light emitting unit and an inner surface of the globe is the longest.
前記器具本体の前記ソケットに装着される請求項1ないし3いずれか一記載の電球形ランプと;
を具備していることを特徴とする照明器具。 An instrument body having a socket;
The light bulb shaped lamp according to any one of claims 1 to 3, which is attached to the socket of the appliance body;
The lighting fixture characterized by comprising.
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