JP5315382B2 - Display device - Google Patents

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Description

本発明は、有機発光素子を用いた表示装置及びその駆動方法に関する。より詳細には有機発光素子を交流で駆動する表示装置及びその駆動方法に関する。   The present invention relates to a display device using an organic light emitting element and a driving method thereof. More specifically, the present invention relates to a display device that drives an organic light emitting element with an alternating current and a driving method thereof.

近年、基板上にトランジスタ、たとえばTFT(Thin Film Transistor : 薄膜トランジスタ)を形成する技術が大幅に進歩し、アクティブマトリクス型の表示装置の開発が進められている。アクティブマトリクス型は、単純マトリクス型にみられるクロストークの問題を解決できるため、単純マトリクス型に比べて高精細、高コントラストな表示が実現できる。   In recent years, a technology for forming a transistor, for example, a TFT (Thin Film Transistor) on a substrate has greatly advanced, and an active matrix display device has been developed. Since the active matrix type can solve the problem of crosstalk seen in the simple matrix type, display with higher definition and higher contrast than the simple matrix type can be realized.

とくに、ポリシリコンを活性層に用いたTFTは、従来のアモルファスシリコンを用いたTFTよりも電界効果移動度が高いので、高速動作が可能である。このため、従来、基板に駆動回路を外付けして行っていた画素の輝度の制御を、画素と同一の基板上に形成した駆動回路で行うことができる。このようなアクティブマトリクス型の表示装置は、同一基板上にさまざまな回路や素子を作りこむことでき表示装置を小型化することができる。   In particular, a TFT using polysilicon as an active layer has a higher field effect mobility than a conventional TFT using amorphous silicon, and can operate at high speed. For this reason, it is possible to control the luminance of a pixel, which has been conventionally performed by attaching a drive circuit to the substrate, using a drive circuit formed on the same substrate as the pixel. In such an active matrix display device, various circuits and elements can be formed over the same substrate, and the display device can be downsized.

さらに近年、有機発光素子を用いた表示装置(有機発光ディスプレイと以下に称する)の開発が盛んになっている。有機発光素子は自発光型であり、液晶表示装置と違いバックライト等の光源を必要としない。このため表示装置の軽量化や薄型化を実現する手段として有望視されており、携帯電話や個人向け携帯型情報端末(Personal Digital Assistant : PDA)などに用いることが期待されている。   Further, in recent years, development of display devices using organic light-emitting elements (hereinafter referred to as organic light-emitting displays) has become active. The organic light-emitting element is self-luminous and does not require a light source such as a backlight unlike a liquid crystal display device. For this reason, it is considered promising as a means for realizing a lighter and thinner display device, and is expected to be used for a mobile phone, a personal digital assistant (PDA) for personal use, and the like.

有機発光素子とは、有機化合物層が二つの電極に挟まれたダイオード構造を有し、一方の電極から正孔が注入されるとともに、他方の電極から電子が注入されることにより、有機化合物層の内部で電子と正孔とが再結合して発光をする発光体をいう。有機発光素子は、エレクトロルミネッセンス(EL: electroluminescence)、例えば蛍光(fluorescence)、燐光(phosphorescence)などを発光する。有機発光素子は、そのダイオード構造から有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode : OLED)ともよばれている。   An organic light-emitting device has a diode structure in which an organic compound layer is sandwiched between two electrodes, and holes are injected from one electrode and electrons are injected from the other electrode, whereby an organic compound layer A light emitter that emits light by recombination of electrons and holes inside. The organic light emitting device emits electroluminescence (EL), for example, fluorescence, phosphorescence, and the like. An organic light emitting element is also called an organic light emitting diode (OLED) because of its diode structure.

有機発光素子の素子構成は、陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極となっているものが多い。この構成は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められている有機発光素子はほとんどこの構成を採用している。正孔注入層、電子注入層は片方または両方を設けない場合もある。ただし、発光層は、ここに電流が流れることによってキャリヤーが再結合して発光するため、有機発光層に不可欠の構成要素である。   In many cases, the organic light emitting device has an anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode structure. This configuration has a very high luminous efficiency, and almost all organic light emitting devices that are currently under research and development employ this configuration. One or both of the hole injection layer and the electron injection layer may not be provided. However, the light-emitting layer is an indispensable component for the organic light-emitting layer because carriers are recombined when a current flows therethrough to emit light.

有機化合物層とは、電子、正孔といったキャリヤーの輸送層や、高い量子収率を有する材料からなる発光層などを総称した名称である。よって上述した発光層、正孔注入層、電子注入層は有機化合物層に含まれる。   The organic compound layer is a generic name for a carrier transport layer such as electrons and holes, and a light emitting layer made of a material having a high quantum yield. Therefore, the light emitting layer, the hole injection layer, and the electron injection layer described above are included in the organic compound layer.

有機発光素子は高い整流特性を有しており、陽極を陰極より高電位にすると、有機化合物層に電流が流れ、キャリヤーの再結合による発光が起こる。逆に、陽極を陰極より低電位にすると、有機化合物層には電流は流れず発光は起こらない。有機発光素子のようなダイオード構造では、電流の流れやすい方向に加える電圧を順バイアス、流れにくい方向に加える電圧を逆バイアスという。   The organic light emitting element has high rectification characteristics. When the anode is set to a higher potential than the cathode, a current flows through the organic compound layer, and light emission occurs due to recombination of carriers. Conversely, when the anode is at a lower potential than the cathode, no current flows through the organic compound layer and no light emission occurs. In a diode structure such as an organic light emitting element, a voltage applied in a direction in which current easily flows is referred to as forward bias, and a voltage applied in a direction in which current does not easily flow is referred to as reverse bias.

図19に従来のアクティブマトリクス型の有機発光ディスプレイの画素部の等価回路を示す。   FIG. 19 shows an equivalent circuit of a pixel portion of a conventional active matrix organic light emitting display.

ゲート信号線(G1〜Gn)は各画素900が有するスイッチング用TFT901のゲート電極に接続されている。また、スイッチング用TFTのソース、ドレインとはそれぞれ、一方がデータ信号を入力するソース信号線(S1〜Sn)に、他方が各画素が有する電流制御用TFT902のゲート電極および各画素が有するコンデンサー903の一方の電極にそれぞれ接続されている。コンデンサーの他方の電極は電源供給線(V1〜Vm)に接続されている。 The gate signal lines (G 1 to G n ) are connected to the gate electrode of the switching TFT 901 included in each pixel 900. The source of the switching TFT, and drains and is the one of the source signal line for inputting a data signal (S 1 ~S n), a gate electrode and each pixel of the current control TFT902 the other has each pixel Each is connected to one electrode of the capacitor 903. The other electrode of the capacitor is connected to a power supply line (V 1 to V m ).

電流制御用TFTのソースとドレインとはそれぞれ、一方が電源供給線に、他方が各画素が有する有機発光素子905の画素電極に接続されている。有機発光素子の対向電極は、有機発光素子の画素電極と対向して設けられ画素電極の基準電位となる電極である。   One of the source and the drain of the current control TFT is connected to the power supply line, and the other is connected to the pixel electrode of the organic light emitting element 905 included in each pixel. The counter electrode of the organic light emitting element is an electrode that is provided facing the pixel electrode of the organic light emitting element and serves as a reference potential of the pixel electrode.

対向電極は、説明の便宜上対向電源906に接続しているとする。電源供給線と対向電源との電位差は、有機発光素子が発光を行う電圧程度に設定されている。   It is assumed that the counter electrode is connected to the counter power source 906 for convenience of explanation. The potential difference between the power supply line and the counter power supply is set to about the voltage at which the organic light emitting element emits light.

有機発光素子905の陽極と陰極とはそれぞれ、一方が画素電極であり、他方が対向電極である。有機発光素子の陽極が電流制御用TFTのソースまたはドレインに接続されている場合には、有機発光素子の陽極が画素電極になり、有機発光素子の陰極が対向電極になる。逆に、陰極が電流制御用TFTのソースまたはドレインに接続されている場合には、有機発光素子の陰極が画素電極に、有機発光素子の陽極が対向電極になる。   One of the anode and the cathode of the organic light emitting element 905 is a pixel electrode, and the other is a counter electrode. When the anode of the organic light emitting element is connected to the source or drain of the current control TFT, the anode of the organic light emitting element serves as a pixel electrode, and the cathode of the organic light emitting element serves as a counter electrode. On the other hand, when the cathode is connected to the source or drain of the current control TFT, the cathode of the organic light emitting element is the pixel electrode, and the anode of the organic light emitting element is the counter electrode.

有機発光素子が発光する光の輝度は次のように決定される。ゲート信号線からスイッチング用TFT901のゲート電極に選択信号が入力されスイッチング用TFTがオンの状態(導通状態)になる。すると、ソース信号線に入力されるデータ信号は、スイッチング用TFTを介して電流制御用TFT902のゲート電極に入力される。電流制御用TFTのゲート電極の電位は、コンデンサー903により保持される。よって、次に画素にデータ信号が入力されるまで電流制御用TFT902のゲート電極と電源供給線(V1〜Vm)との電位の差、つまり電流制御用TFTのゲート電圧は一定の値に維持される。 The luminance of the light emitted from the organic light emitting device is determined as follows. A selection signal is input from the gate signal line to the gate electrode of the switching TFT 901, and the switching TFT is turned on (conductive state). Then, the data signal input to the source signal line is input to the gate electrode of the current control TFT 902 via the switching TFT. The potential of the gate electrode of the current control TFT is held by the capacitor 903. Therefore, the potential difference between the gate electrode of the current control TFT 902 and the power supply line (V 1 to V m ), that is, the gate voltage of the current control TFT is kept constant until a data signal is input to the pixel next time. Maintained.

電流制御用TFTがオンの状態になると、電流制御用TFTの半導体層から、電流制御用TFTの半導体層に直列に接続されている有機発光素子へと電流が流れる。有機発光素子に流れる電流の量に応じて有機発光素子が発光する光の強度が決まる。電流制御用TFTに流れる電流の量は各画素に入力されるデータ信号によって制御されるため、データ信号の電位によって各画素の発光の輝度を制御できる。   When the current control TFT is turned on, a current flows from the semiconductor layer of the current control TFT to the organic light emitting element connected in series to the semiconductor layer of the current control TFT. The intensity of light emitted from the organic light emitting device is determined according to the amount of current flowing through the organic light emitting device. Since the amount of current flowing through the current control TFT is controlled by a data signal input to each pixel, the luminance of light emission of each pixel can be controlled by the potential of the data signal.

一般に、有機発光素子を直流で駆動するということは、対向電極、画素電極のいずれか一方の電極を陰極とし、他方の電極を陽極としたときに陽極を陰極より高電位に維持して直流電流を流して発光を持続させることをいう。   In general, driving an organic light-emitting element with a direct current means that when either the counter electrode or the pixel electrode is a cathode and the other electrode is an anode, the anode is maintained at a higher potential than the cathode and the direct current is applied. This means that the light emission is sustained by flowing the light.

しかしながら有機発光素子を直流で駆動すると、有機発光素子が発光する光の輝度は経時的に低下する。直流で駆動すると輝度が劣化する原因は、有機化合物層の界面にイオン性不純物が蓄積すること、有機化合物層を構成する分子が電界に沿って一様な方向に分極することなどにより、有機発光素子の画素電極、対向電極から加わる電界と逆方向の電界が有機化合物層の内部に発生するためなどと考えられている。   However, when the organic light emitting device is driven with a direct current, the luminance of light emitted from the organic light emitting device decreases with time. The causes of luminance degradation when driven by direct current are due to the accumulation of ionic impurities at the interface of the organic compound layer and the organic light emission due to the molecules that make up the organic compound layer being polarized in a uniform direction along the electric field. It is considered that an electric field opposite to the electric field applied from the pixel electrode and the counter electrode of the element is generated inside the organic compound layer.

とくに、有機発光素子の陰極と、陽極との間に加える電圧を常に一定にして有機発光素子を駆動する場合(以降、定電圧方式と称する)は、時間が経過するにつれて著しく有機発光素子の発光する光の輝度が低下する。定電圧方式では、陽極、陰極に加える電圧の強度は常に一定であるため、有機発光層の内部にできる電界の強度が増大するにつれて、有機化合物層に実効的に加わる電圧が低下して、有機発光素子が発光する光の輝度が低下する。   In particular, when the organic light emitting device is driven with a constant voltage applied between the cathode and the anode of the organic light emitting device (hereinafter, referred to as a constant voltage method), the light emission of the organic light emitting device is remarkably increased as time passes. The brightness of the light is reduced. In the constant voltage method, the strength of the voltage applied to the anode and the cathode is always constant, so that the effective voltage applied to the organic compound layer decreases as the electric field strength generated inside the organic light emitting layer increases, and the organic The luminance of light emitted from the light emitting element is reduced.

この輝度劣化を抑えるためには、有機発光素子を交流で駆動する必要がある。
有機発光素子を交流で駆動するとは、有機発光素子に極性の異なる電圧を交互に加えることをいう。すなわち、発光に必要な順バイアスの他に、逆バイアスを加えることをいう。順バイアスと逆バイアスとは、強さや印加時間が必ずしも等しくなくてもよい。ごくわずかな逆バイアスしか印加しない場合であっても、交流と称することにする。
In order to suppress this luminance deterioration, it is necessary to drive the organic light emitting element with an alternating current.
Driving the organic light emitting element with alternating current means that voltages having different polarities are alternately applied to the organic light emitting element. That is, in addition to the forward bias necessary for light emission, it means adding a reverse bias. The forward bias and the reverse bias are not necessarily equal in strength and application time. Even if only a slight reverse bias is applied, it will be referred to as alternating current.

しかしながら、上述した従来の回路では、たとえ交流電源を有機発光素子の対向電極、電源供給線に接続して設けたとしても、有機発光素子に充分な逆バイアスをかけられないことがある。以下、その説明をする。   However, in the conventional circuit described above, even if an AC power supply is provided connected to the counter electrode of the organic light emitting element and the power supply line, the organic light emitting element may not be sufficiently reverse-biased. This will be described below.

図19に示した回路は、対向電源906と電源供給線(V1〜Vm)との間に電流制御用TFT902のソース又は、ドレインと有機発光素子905とが直列に接続されている閉回路を構成する。この閉回路において、交流で電圧を有機発光素子に加えたときの動作を説明する。説明を簡便にするため、電流制御用TFTは以下、pチャネル型としておく。pチャネル型のTFTは、ゲートの電位をソース、すなわち電源供給線の電位よりもしきい値を超える値だけ低くするとオン状態になる。 The circuit shown in FIG. 19 is a closed circuit in which the source or drain of the current control TFT 902 and the organic light emitting element 905 are connected in series between the counter power supply 906 and the power supply lines (V 1 to V m ). Configure. In this closed circuit, the operation when a voltage is applied to the organic light emitting element by alternating current will be described. In order to simplify the description, the current control TFT is hereinafter referred to as a p-channel type. A p-channel TFT is turned on when the gate potential is lowered by a value exceeding a threshold value than the potential of the source, that is, the power supply line.

そこで、有機発光素子に順バイアスをかけるときは、有機発光素子905の対向電極の電位をLoのレベルにして、電源供給線の電位をHiのレベルにして、電源供給線(電流制御用TFTのソース)の電位よりも電流制御用TFTのゲートの電位をしきい値を超える値だけ低くする。すると、電流制御用TFTがオンの状態、つまり導通状態になり、有機発光素子905に電流が流れ有機発光素子は発光する。   Therefore, when forward biasing is applied to the organic light emitting element, the potential of the counter electrode of the organic light emitting element 905 is set to Lo level, the potential of the power supply line is set to Hi level, and the power supply line (of the current control TFT) is set. The potential of the gate of the current control TFT is made lower than the potential of the source by a value exceeding the threshold value. Then, the current control TFT is turned on, that is, in a conductive state, a current flows through the organic light emitting element 905, and the organic light emitting element emits light.

そして、電源供給線及び対向電極の電位を変えずに有機発光素子に流れる電流を止めるときには、電流制御用TFTのゲートの電位をソースの電位よりも高くして電流用TFTをオフの状態にする。   When stopping the current flowing through the organic light emitting element without changing the potentials of the power supply line and the counter electrode, the gate potential of the current control TFT is made higher than the source potential to turn off the current TFT. .

いま、電流制御用TFTがオンの状態として、有機発光素子に逆バイアスをかけるために、電源供給線と対向電極の電位を反転させたとする。すなわち、有機発光素子905の対向電極の電位をHiのレベルにして、電源供給線の電位をLoのレベルにする。このとき、対向電極、有機発光素子、電流制御用TFT、電源供給線よりなる直列回路は、ソースフォロワと等価である。したがって、電流制御用TFTのゲート電位は低い値であることから、ここで大きな電圧降下が生じ、有機発光素子には十分な逆バイアスがかからない。   It is assumed that the current control TFT is turned on and the potentials of the power supply line and the counter electrode are inverted in order to reverse bias the organic light emitting element. That is, the potential of the counter electrode of the organic light emitting element 905 is set to the Hi level, and the potential of the power supply line is set to the Lo level. At this time, a series circuit including the counter electrode, the organic light emitting element, the current control TFT, and the power supply line is equivalent to a source follower. Therefore, since the gate potential of the current control TFT is a low value, a large voltage drop occurs here, and the organic light emitting element is not sufficiently reverse-biased.

このように、対向電源906と電源供給線との間に交流波形を出力しても有機発光素子に充分な逆バイアスがかからないことがある。これは、有機発光素子の画素電極を陰極とし、対向電極を陽極としたときに、有機発光素子に陽極から陰極に電流が流れるように電流制御用TFTをnチャネル型とした場合でも同様である。 As described above, even if an AC waveform is output between the counter power source 906 and the power supply line, the organic light emitting element may not be sufficiently reverse-biased. This is the same even when the current control TFT is an n-channel type so that current flows from the anode to the cathode of the organic light emitting device when the pixel electrode of the organic light emitting device is the cathode and the counter electrode is the anode. .

このように上述した従来の回路構成では、有機発光素子を交流で駆動することは困難であり、直流電圧の印加によって有機発光素子の輝度は経時的に大きく低下するという問題点が生じていた。   As described above, in the conventional circuit configuration described above, it is difficult to drive the organic light emitting element with an alternating current, and there is a problem in that the luminance of the organic light emitting element is significantly decreased with time by application of a direct current voltage.

そこで本発明は、有機発光素子に交流電圧を加えて駆動を行い、有機発光素子の輝度の低下を防止して、表示品位の向上を図る構成の表示装置及びその駆動方法を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a display device configured to drive an organic light emitting element by applying an alternating voltage, prevent a decrease in luminance of the organic light emitting element, and improve display quality, and a driving method thereof. And

整流特性を有する素子(以降、整流素子と称する)を、従来の回路に付加することで有機発光素子を交流で駆動することができる。   By adding an element having a rectifying characteristic (hereinafter referred to as a rectifying element) to a conventional circuit, the organic light emitting element can be driven with an alternating current.

整流素子と電流制御用TFTの半導体層とが並列に接続されている回路であれば、整流素子と電流制御用TFTの半導体層との一方が高抵抗化しても、他方が低抵抗であれば、この低抵抗な抵抗に応じた電圧を有機発光素子にかけることができる。   If the circuit in which the rectifier element and the semiconductor layer of the current control TFT are connected in parallel, even if one of the rectifier element and the semiconductor layer of the current control TFT has a high resistance, the other has a low resistance. The voltage corresponding to the low resistance can be applied to the organic light emitting device.

整流素子とは、印加電圧と整流素子に流れる電流との関係を表わす特性曲線が原点に関して非対称な整流特性を有する素子をいう。一方の極性の電圧を整流素子に加えると電流が流れるが、他方の極性の電圧を整流素子に加えると電流がほとんど流れない。電流の流れやすい方向を順方向、流れにくい方向を逆方向という。   The rectifying element is an element having a rectifying characteristic in which a characteristic curve representing a relationship between an applied voltage and a current flowing through the rectifying element is asymmetric with respect to the origin. When a voltage with one polarity is applied to the rectifying element, current flows, but when a voltage with the other polarity is applied to the rectifying element, almost no current flows. The direction in which current flows easily is called the forward direction, and the direction in which current does not flow easily is called the reverse direction.

図17を参照しながら、本発明を適用した回路の一例を説明する。図17は画素100の等価回路である。本発明は、交流電源106に電流制御用TFT102の半導体層と有機発光素子105が直列に接続している従来の閉回路に、整流素子109を電流制御用TFT102の半導体層と並列に設ける構成である。説明の便宜上、電流制御用TFTの導電型はpチャネル型としておく。   An example of a circuit to which the present invention is applied will be described with reference to FIG. FIG. 17 is an equivalent circuit of the pixel 100. The present invention has a configuration in which a rectifying element 109 is provided in parallel with the semiconductor layer of the current control TFT 102 in a conventional closed circuit in which the semiconductor layer of the current control TFT 102 and the organic light emitting element 105 are connected in series to the AC power source 106. is there. For convenience of explanation, the conductivity type of the current control TFT is a p-channel type.

図17で交流電源106と電源供給線(Vi)、交流電源106と有機発光素子105を点線で結んでいる。これは、画素100がマトリクス状に配置されている画素部の外部に交流電源が配置され、交流電源と画素部とを接続する接続配線113を経由して交流電源から画素100に交流波形を供給することを意味している。 In FIG. 17, the AC power supply 106 and the power supply line (V i ) are connected, and the AC power supply 106 and the organic light emitting element 105 are connected by a dotted line. This is because an AC power supply is arranged outside the pixel portion where the pixels 100 are arranged in a matrix, and an AC waveform is supplied from the AC power source to the pixel 100 via a connection wiring 113 that connects the AC power supply and the pixel portion. Is meant to do.

有機発光素子に順バイアスをかけるのは次のようにする。有機発光素子105の対向電極の電位をLoのレベルにして、電源供給線(Vi)の電位をHiのレベルにした上で、電流制御用TFT102のゲートの電位を電源供給線の電位よりもしきい値以上低くする。すると、電流制御用TFTがオンの状態、つまり導通状態になる。その結果、順バイアスが有機発光素子にかかり、整流素子109には、逆方向に電圧が加わる。 The forward bias is applied to the organic light emitting device as follows. The potential of the counter electrode of the organic light emitting element 105 is set to the Lo level, the potential of the power supply line (V i ) is set to the Hi level, and the potential of the gate of the current control TFT 102 is made higher than the potential of the power supply line. Lower the threshold or more. Then, the current control TFT is turned on, that is, becomes conductive. As a result, a forward bias is applied to the organic light emitting element, and a voltage is applied to the rectifying element 109 in the reverse direction.

有機発光素子に逆バイアスをかけるのは次のようにする。有機発光素子105の対向電極の電位をHiのレベルにして、電源供給線(Vi)の電位をLoのレベルにする。このとき、電流制御用TFTのゲート電位の高低いかんにかかわず、整流素子109に順方向に電圧がかかり、有機発光素子に逆バイアスがかかる。 The reverse bias is applied to the organic light emitting device as follows. The potential of the counter electrode of the organic light emitting element 105 is set to the Hi level, and the potential of the power supply line (V i ) is set to the Lo level. At this time, regardless of whether the gate potential of the current control TFT is high or low, a voltage is applied to the rectifying element 109 in the forward direction, and a reverse bias is applied to the organic light emitting element.

このように、整流素子109と電流制御用TFT102の半導体層とが並列に接続している回路では、交流電源106が出力する電圧の極性によって、整流素子または電流制御用TFTの半導体層の少なくとも一方がそこに電流が流れるくらいに低抵抗化する。こうして、順バイアス、逆バイアスのいずれであっても交流電源により有機発光素子に加えることができる。   As described above, in a circuit in which the rectifier element 109 and the semiconductor layer of the current control TFT 102 are connected in parallel, at least one of the rectifier element and the semiconductor layer of the current control TFT depends on the polarity of the voltage output from the AC power source 106. However, the resistance becomes low enough to allow current to flow there. In this way, either forward bias or reverse bias can be applied to the organic light emitting element by the AC power supply.

交流駆動を可能とするために整流素子109の順方向は、電流制御用TFT102がオンの状態に流れる電流の方向と逆の方向とする。換言すれば、整流素子109の順方向を、ダイオード構造を有する有機発光素子105の順方向と互いに逆の方向にする。   In order to enable AC driving, the forward direction of the rectifying element 109 is opposite to the direction of the current flowing when the current control TFT 102 is turned on. In other words, the forward direction of the rectifying element 109 is opposite to the forward direction of the organic light emitting element 105 having a diode structure.

図17に示す回路は本発明の一例であり、電流制御用TFT102の導電型、整流素子109の整流方向、ダイオード構造を有する有機発光素子105の整流方向は、本発明の効果を発現する範囲で自由に決定することができる。   The circuit shown in FIG. 17 is an example of the present invention, and the conductivity type of the current control TFT 102, the rectifying direction of the rectifying element 109, and the rectifying direction of the organic light emitting element 105 having a diode structure are within the range where the effects of the present invention are exhibited. It can be decided freely.

図18(A)〜(B)は交流で有機発光素子を駆動するときの波形図の例を示す。横軸は時間を、縦軸は電圧を示す。交流電源から信号を入力して駆動するときに、対向電極の電位(Vc)を一定にして電源供給線の電位(VVi)を変える図18(A)に示す駆動方法、対向電極の電位(Vc)と電源供給線の電位(VVi)の双方の電位を変える図18(B)に示す駆動方法のいずれを採用することもできる。 18A to 18B show examples of waveform diagrams when the organic light emitting element is driven by alternating current. The horizontal axis represents time, and the vertical axis represents voltage. The driving method shown in FIG. 18A, in which the potential (V c ) of the counter electrode is made constant and the potential (V Vi ) of the power supply line is changed when driving by inputting a signal from the AC power source, the potential of the counter electrode Any of the driving methods shown in FIG. 18B for changing both the potential (V c ) and the potential (V Vi ) of the power supply line can be employed.

ただし、一般には対向電極と電源供給線の双方の電位を変える図18(B)に示す駆動方法を採用する方がより好ましい。図18(B)は、図18(A)の駆動方法に比べて交流電源から出力される電圧の振幅が小さくなるため、低電圧駆動の交流電源を用いることができ交流電源の低コスト化が可能になる。交流電源の電圧の振幅を小さくすると、交流電源を構成する回路にかかる負荷が低減し交流電源の信頼性が向上する。さらに、電源系の総数が少なくなることも低コストの点からみて有利である。   However, in general, it is more preferable to adopt the driving method shown in FIG. 18B in which the potentials of both the counter electrode and the power supply line are changed. In FIG. 18B, since the amplitude of the voltage output from the AC power supply is smaller than that in the driving method of FIG. 18A, a low-voltage driven AC power supply can be used, and the cost of the AC power supply can be reduced. It becomes possible. When the amplitude of the voltage of the AC power supply is reduced, the load applied to the circuit constituting the AC power supply is reduced and the reliability of the AC power supply is improved. Furthermore, it is advantageous from the viewpoint of low cost that the total number of power supply systems is reduced.

本発明の表示装置の構成を以下に説明する。
複数の画素を備えた表示装置であって、前記画素の各々はトランジスタと、有機発光素子と、整流特性を有する素子とが設けられており、前記トランジスタのソース又はドレインは一方が前記有機発光素子の画素電極に接続されており、他方が前記交流電源の一方に接続されており、前記整流特性を有する素子は前記交流電源の前記一方と、前記有機発光素子の前記画素電極とに接続されており、前記有機発光素子の対向電極は前記交流電源の他方に接続されており、前記整流特性を有する素子の順方向と、前記有機発光素子の順バイアスとが逆向きであることを特徴とする表示装置。
The configuration of the display device of the present invention will be described below.
A display device including a plurality of pixels, wherein each of the pixels includes a transistor, an organic light emitting element, and an element having a rectifying characteristic, and one of the source and drain of the transistor is the organic light emitting element. And the other is connected to one of the AC power supplies, and the element having the rectifying characteristic is connected to the one of the AC power supplies and the pixel electrode of the organic light emitting element. The counter electrode of the organic light emitting element is connected to the other side of the AC power supply, and the forward direction of the element having the rectifying characteristic and the forward bias of the organic light emitting element are opposite to each other. Display device.

複数の画素を備えた表示装置であって、前記画素の各々は、スイッチング用トランジスタと、電流制御用トランジスタと、整流用トランジスタと、有機発光素子とが設けられており、前記スイッチング用トランジスタのゲートはゲート信号線に、ソースまたはドレインは一方がソース信号線に、他方が前記電流制御用トランジスタのゲートに接続されており、前記電流制御用トランジスタのソースまたはドレインは一方が交流電源の一方に、他方が前記有機発光素子の画素電極に接続されており、前記整流用トランジスタのゲートは前記交流電源の一方に、ソースまたはドレインは一方が前記交流電源の一方に他方が前記有機発光素子の画素電極に接続されており、前記有機発光素子の対向電極は前記交流電源の他方に接続されており、前記電流制御用トランジスタと前記整流用トランジスタとは、導電型が同じであることを特徴とする表示装置。   A display device including a plurality of pixels, each of which includes a switching transistor, a current control transistor, a rectifying transistor, and an organic light emitting element, and a gate of the switching transistor. Is connected to the gate signal line, one of the source and drain is connected to the source signal line, and the other is connected to the gate of the current control transistor, and one of the source and drain of the current control transistor is connected to one of the AC power supplies, The other is connected to the pixel electrode of the organic light emitting element, the gate of the rectifying transistor is one of the AC power supplies, the source or drain is one of the AC power supplies, and the other is the pixel electrode of the organic light emitting element. The counter electrode of the organic light emitting element is connected to the other of the AC power supply, The flow control transistor and the rectifier transistor, a display device conductivity type, characterized in that the same.

前記構成において、前記有機発光素子の前記画素電極が陽極、前記対向電極が陰極であり、前記電流制御用トランジスタ及び前記整流用トランジスタの導電型がpチャネル型であることを特徴とする表示装置。あるいは、前記有機発光素子の前記画素電極が陰極、前記対向電極が陽極であり、前記電流制御用トランジスタ及び前記整流用トランジスタの導電型がnチャネル型であることを特徴とする表示装置。   In the above structure, the pixel electrode of the organic light emitting element is an anode, the counter electrode is a cathode, and the conductivity type of the current control transistor and the rectifying transistor is a p-channel type. Alternatively, the pixel electrode of the organic light emitting element is a cathode and the counter electrode is an anode, and the conductivity type of the current control transistor and the rectifying transistor is an n-channel type.

前記各構成において、前記トランジスタあるいは、前記スイッチング用トランジスタ、前記電流制御用トランジスタ、及び前記整流用トランジスタは薄膜トランジスタであることを特徴とする表示装置。   In each of the above structures, the transistor or the switching transistor, the current control transistor, and the rectification transistor are thin film transistors.

前記各構成において、前記複数の画素は、ガラス基板上に前記画素の駆動回路とともに一体形成されていることを特徴とする表示装置。   In each of the above structures, the plurality of pixels are integrally formed with a driving circuit for the pixels on a glass substrate.

または、複数の画素を備え、前記画素の各々はトランジスタ、整流特性を有する素子、及び有機発光素子を有し、前記トランジスタのソースまたはドレインは一方が交流電源の一方に、他方が前記有機発光素子の画素電極に接続されており、前記整流特性を有する素子は一方が前記交流電源の一方に他方が前記有機発光素子の画素電極に接続されており、前記有機発光素子の対向電極は前記交流電源の他方に接続されている表示装置の駆動方法であって、前記交流電源で前記整流特性を有する素子の順方向に電圧をかけるときは前記有機発光素子に逆バイアスがかかり、前記整流特性を有する素子の逆方向に電圧をかけるときは前記有機発光素子にかかる前記逆バイアスが除去されることを特徴とする表示装置の駆動方法。   Alternatively, each pixel includes a transistor, an element having a rectifying characteristic, and an organic light emitting element, and one of the source and drain of the transistor is one of an AC power supply and the other is the organic light emitting element. One of the elements having the rectifying characteristic is connected to one of the AC power supplies and the other is connected to the pixel electrode of the organic light emitting element, and the counter electrode of the organic light emitting element is connected to the AC power supply. A driving method of a display device connected to the other of the above, wherein when a voltage is applied in the forward direction of the element having the rectification characteristic with the AC power source, a reverse bias is applied to the organic light emitting element, and the rectification characteristic is obtained. A driving method of a display device, wherein the reverse bias applied to the organic light emitting element is removed when a voltage is applied in the reverse direction of the element.

複数の画素を備え、前記画素の各々はスイッチング用トランジスタ、電流制御用トランジスタ、整流用トランジスタ、及び有機発光素子を有し、前記スイッチング用トランジスタのゲートはゲート信号線に、ソースまたはドレインは一方がソース信号線に、他方が前記電流制御用トランジスタのゲートに接続されており、前記電流制御用トランジスタのソースまたはドレインは一方が交流電源の一方に、他方が前記有機発光素子の画素電極に接続されており、前記整流用トランジスタのゲートは前記交流電源の一方に、ソースまたはドレインは一方が前記交流電源の一方に他方が前記有機発光素子の画素電極に接続されており、前記有機発光素子の対向電極は前記交流電源の他方に接続されている表示装置の駆動方法であって、前記交流電源から前記整流用トランジスタの順方向に電圧をかけるときは前記有機発光素子に逆バイアスがかかり、前記整流用トランジスタの逆方向に電圧をかけるときは前記有機発光素子にかかる前記逆バイアスが除去されることを特徴とする表示装置の駆動方法。   Each of the pixels includes a switching transistor, a current control transistor, a rectifying transistor, and an organic light emitting element. The gate of the switching transistor is a gate signal line, and one of the source and drain is The other is connected to the source signal line and the other is connected to the gate of the current control transistor. One of the source and drain of the current control transistor is connected to one of the AC power supplies, and the other is connected to the pixel electrode of the organic light emitting element. The rectifying transistor has a gate connected to one of the AC power supplies, a source or drain connected to one of the AC power supplies and the other connected to a pixel electrode of the organic light emitting element, and facing the organic light emitting element. An electrode is a driving method of a display device connected to the other side of the AC power source, and the AC power source The reverse bias is applied to the organic light emitting device when a voltage is applied in the forward direction of the rectifying transistor, and the reverse bias applied to the organic light emitting device is removed when a voltage is applied in the reverse direction of the rectifying transistor. A driving method of a display device.

前記各構成において、前記有機発光素子にデータ信号を入力するアドレス期間と、前記データ信号に応じて前記有機発光素子が発光または非発光の状態になるサステイン期間とを有し、前記アドレス期間から前記サステイン期間へと変化するときに、前記交流電源から出力される電圧の極性が変わることを特徴とする表示装置の駆動方法。   In each of the above configurations, an address period in which a data signal is input to the organic light emitting element, and a sustain period in which the organic light emitting element emits light or does not emit light according to the data signal. A method for driving a display device, characterized in that the polarity of a voltage output from the AC power supply changes when changing to a sustain period.

前記各構成において、前記アドレス期間と、前記サステイン期間との間に前記アドレス期間と極性の等しい電圧が交流電源から出力される待機期間があることを特徴とする表示装置の駆動方法。   In each of the above structures, there is a standby period in which a voltage having the same polarity as the address period is output from an AC power source between the address period and the sustain period.

前記各構成において、前記アドレス期間と、長さの異なる前記サステイン期間とを複数設けて一つのフレーム期間を構成し、時分割階調表示を行うことを特徴とする表示装置の駆動方法。   In each of the above-described structures, a driving method of a display device, characterized in that a plurality of the address periods and the sustain periods having different lengths are provided to form one frame period and time-division gray scale display is performed.

前記各構成において、前記交流電源で前記逆バイアスと前記順バイアスとを前記有機発光素子にかけるときに、前記有機発光素子の前記画素電極の電位と、前記対向電極の電位とが同時に変わることを特徴とする表示装置の駆動方法。   In each configuration, when the reverse bias and the forward bias are applied to the organic light emitting element with the AC power supply, the potential of the pixel electrode of the organic light emitting element and the potential of the counter electrode change simultaneously. A display device driving method.

以上の構成からなる本発明を、以下に示す実施形態、実施例にて詳細に説明する。なお、実施形態、実施例は適宜に組み合わせて用いることが可能である。また、本発明の構成は、以下に示す実施形態、実施例に限定的に使われるものではない。   The present invention having the above configuration will be described in detail in the following embodiments and examples. Note that the embodiments and examples can be used in appropriate combinations. Further, the configuration of the present invention is not limited to the following embodiments and examples.

本発明の有機発光ディスプレイの画素では、整流素子を使用することで有機発光素子に容易に逆バイアスを加えることができる。その結果、直流駆動によって発生する有機発光素子の輝度の低下を抑制し、良好な表示品位を確保することができる。   In the pixel of the organic light emitting display of the present invention, a reverse bias can be easily applied to the organic light emitting element by using a rectifying element. As a result, it is possible to suppress a decrease in the luminance of the organic light emitting element that is generated by direct current driving and to ensure good display quality.

また、有機発光素子を交流で駆動するときに、有機発光素子の対向電極、電源供給線の電位の双方を変える駆動を用いれば、交流波形を出力する交流電源を低電圧で駆動することができ、交流電源の長期動作の安定性、交流電源の低コスト化を実現することが可能となる。   In addition, when driving the organic light emitting element with an alternating current, if the driving that changes both the counter electrode of the organic light emitting element and the potential of the power supply line is used, the alternating current power source that outputs an alternating current waveform can be driven with a low voltage. It is possible to realize stability of long-term operation of the AC power supply and cost reduction of the AC power supply.

本発明の有機発光ディスプレイの画素、画素部の回路図の一例。An example of the circuit diagram of the pixel of the organic light emitting display of this invention, and a pixel part. 実施形態1の時分割階調表示をする駆動のタイミングチャート。3 is a timing chart of driving for performing time-division gradation display according to the first embodiment. 実施形態1の時分割階調表示をする駆動のタイミングチャート。3 is a timing chart of driving for performing time-division gradation display according to the first embodiment. 実施形態2の有機発光素子の交流駆動の方法を示す波形図の一例。An example of the wave form diagram which shows the method of alternating current drive of the organic light emitting element of Embodiment 2. FIG. 実施形態3の時分割階調表示をする駆動のタイミングチャート。10 is a timing chart of driving for performing time-division gradation display according to the third embodiment. 実施形態4の有機発光ディスプレイの画素、画素部の回路図の一例。FIG. 6 is an example of a circuit diagram of a pixel and a pixel unit of the organic light emitting display according to the fourth embodiment. 実施形態4のアナログ階調表示をする駆動のタイミングチャート。10 is a timing chart of driving for analog gradation display according to the fourth embodiment. 実施形態4のアナログ階調表示をする駆動のタイミングチャート。10 is a timing chart of driving for analog gradation display according to the fourth embodiment. 実施形態5のアナログ階調表示をする駆動のタイミングチャート。10 is a timing chart of driving for analog gradation display according to the fifth embodiment. 実施例1の有機発光ディスプレイの画素部、駆動回路部の断面図。Sectional drawing of the pixel part of the organic light emitting display of Example 1, and a drive circuit part. 実施例1の有機発光ディスプレイの画素部の上面図。FIG. 3 is a top view of a pixel portion of the organic light emitting display according to the first embodiment. 実施例1の有機発光ディスプレイの画素部の上面図。FIG. 3 is a top view of a pixel portion of the organic light emitting display according to the first embodiment. 実施例1の有機発光ディスプレイの画素の回路図。FIG. 3 is a circuit diagram of a pixel of the organic light emitting display according to the first embodiment. 実施例3の有機発光ディスプレイの外観を示す斜視図。FIG. 6 is a perspective view showing an appearance of an organic light emitting display according to Example 3. 実施例5の電子機器の一例を示す斜視図。FIG. 10 is a perspective view illustrating an example of an electronic apparatus according to a fifth embodiment. 実施例5の電子機器の一例を示す斜視図。FIG. 10 is a perspective view illustrating an example of an electronic apparatus according to a fifth embodiment. 本発明の有機発光ディスプレイの画素の回路図の一例。An example of the circuit diagram of the pixel of the organic light emitting display of this invention. 本発明の交流駆動の方法を示す波形図の一例。An example of the wave form diagram which shows the method of the alternating current drive of this invention. 従来の有機発光ディスプレイの画素の回路図の一例。An example of the circuit diagram of the pixel of the conventional organic light emitting display.

[実施形態1] 本発明の構成を時分割駆動による階調表示を行う有機発光ディスプレイに適用した例を説明する。時分割駆動による階調表示とは、発光時間の異なる期間を複数組み合わせて、各画素の階調を制御する階調の表示方法である。 [Embodiment 1] An example in which the configuration of the present invention is applied to an organic light emitting display that performs gradation display by time division driving will be described. Gradation display by time-division driving is a gradation display method for controlling the gradation of each pixel by combining a plurality of periods with different light emission times.

図1(A)は画素の等価回路である。各画素100にゲート信号線(Gj)、ソース信号線(Si)から信号が入力される。各画素はスイッチング用TFT101、電流制御用TFT102、コンデンサー103、整流用TFT104、有機発光素子105を有する。交流電源106は電源供給線(Vi)と有機発光素子105の対向電極に電位を与えている。 FIG. 1A is an equivalent circuit of a pixel. Signals are input to each pixel 100 from the gate signal line (G j ) and the source signal line (S i ). Each pixel includes a switching TFT 101, a current control TFT 102, a capacitor 103, a rectifying TFT 104, and an organic light emitting element 105. The AC power supply 106 applies a potential to the power supply line (V i ) and the counter electrode of the organic light emitting element 105.

スイッチング用TFT101のゲート電極は、選択信号を入力するゲート信号線(Gj)に接続されている。スイッチング用TFTのソースとドレインとは、一方が「0」または「1」の情報を有するデジタルの画像データ信号(以降、デジタルデータ信号と称する)を入力するソース信号線(Si)に、他方が電流制御用TFT102のゲート電極及び各画素が有するコンデンサー103の一方の電極にそれぞれ接続されている。コンデンサーの他方の電極は電源供給線(Vi)に接続されている。コンデンサー103は、スイッチング用TFT102が非選択状態にあるとき、電流制御用TFT102のゲート電圧を保持するために設けられている。 The gate electrode of the switching TFT 101 is connected to a gate signal line (Gj) for inputting a selection signal. One of the source and the drain of the switching TFT is connected to the source signal line (S i ) for inputting a digital image data signal (hereinafter referred to as a digital data signal) having information “0” or “1”. Are connected to the gate electrode of the current control TFT 102 and one electrode of the capacitor 103 of each pixel. The other electrode of the capacitor is connected to the power supply line (V i ). The capacitor 103 is provided to hold the gate voltage of the current control TFT 102 when the switching TFT 102 is in a non-selected state.

電流制御用TFT102は、ソースとドレインとが、一方は電源供給線(Vi)に、他方は有機発光素子105の画素電極にそれぞれ接続されている。 The current control TFT 102 has a source and a drain, one connected to the power supply line (V i ) and the other connected to the pixel electrode of the organic light emitting element 105.

整流用TFT104のソースとドレインとは、一方が電源供給線(Vi)に、他方が有機発光素子106の画素電極にそれぞれ接続されている。整流用TFT104のゲート電極は電源供給線(Vi)に接続されている。整流用TFT104は、そのゲート電極とソースまたはドレインの一方が接続されているため、一方向へのみ電流が流れる整流特性を有する One of the source and the drain of the rectifying TFT 104 is connected to the power supply line (V i ), and the other is connected to the pixel electrode of the organic light emitting element 106. The gate electrode of the rectifying TFT 104 is connected to the power supply line (V i ). The rectifying TFT 104 has a rectifying characteristic in which current flows only in one direction because the gate electrode and one of the source and the drain are connected.

整流用TFT104と、電流制御用TFT102とは導電型を等しくすることが望ましい。本実施の形態では、電流制御用TFTと整流用TFTの導電型はpチャネル型とする。なお、スイッチング用TFT101の導電型はnチャネル型にしてもよいしpチャネル型にしてもよい。   It is desirable that the rectifying TFT 104 and the current control TFT 102 have the same conductivity type. In this embodiment mode, the conductivity type of the current control TFT and the rectification TFT is a p-channel type. Note that the conductivity type of the switching TFT 101 may be an n-channel type or a p-channel type.

整流用TFT104の整流特性は、整流用TFTがpチャネル型であり、そのゲートとソースまたはドレインの一方が接続されているため、有機発光素子の側から電源供給線の側へのみ電流が流れやすい特性である。   The rectifying characteristic of the rectifying TFT 104 is that the rectifying TFT is a p-channel type, and one of the gate and the source or drain is connected, so that current easily flows only from the organic light emitting element side to the power supply line side. It is a characteristic.

有機発光素子105は、有機化合物層と、有機化合物層を挟む陰極と陽極とからなる。本実施の形態では電流制御用TFT102と整流用TFT104とに接続する有機発光素子の画素電極を陽極とし、有機発光素子の対向電極を陰極とし、画素電極から対向電極へと電流を流し、有機発光素子を発光させる構成とする。   The organic light emitting element 105 includes an organic compound layer, and a cathode and an anode that sandwich the organic compound layer. In this embodiment, the pixel electrode of the organic light emitting element connected to the current control TFT 102 and the rectifying TFT 104 is used as an anode, the counter electrode of the organic light emitting element is used as a cathode, and a current flows from the pixel electrode to the counter electrode. The element is configured to emit light.

交流電源106は、有機発光素子105の対向電極と、電源供給線(Vi)とに接続されている。本実施の形態では、対向電極の電位と、電源供給線の電位とは双方の電位を同時に変えて交流駆動を行う。対向電極の電位と、電源供給線の電位とは電流制御用TFTがオンの状態になったときに有機発光素子が発光する程度に電位差が設けられている。 The AC power source 106 is connected to the counter electrode of the organic light emitting element 105 and the power supply line (V i ). In this embodiment mode, AC driving is performed by simultaneously changing the potential of the counter electrode and the potential of the power supply line. A potential difference is provided between the counter electrode and the power supply line so that the organic light emitting element emits light when the current control TFT is turned on.

本実施の形態とは逆に、電流制御用TFTと整流用TFTをnチャネル型として用い、有機発光素子の画素電極を陰極とし、対向電極を陽極として対向電極から画素電極へと有機発光素子に電流を流して発光させてもよい。   Contrary to this embodiment, the current control TFT and the rectifying TFT are used as an n-channel type, the pixel electrode of the organic light emitting element is used as a cathode, the counter electrode is used as an anode, and the organic light emitting element is formed from the counter electrode to the pixel electrode. You may make it light-emit and to light-emit.

図1(B)は画素部の等価回路である。画素部110は画素100がマトリクス状に配置されており、ゲート信号線(G1〜Gn)、ソース信号線(S1〜Sm
と、交流電源(図示しない)とから各画素に信号を入力して、各画素の輝度を制御する。
FIG. 1B is an equivalent circuit of the pixel portion. The pixel unit 110 includes pixels 100 arranged in a matrix, and includes gate signal lines (G 1 to G n ) and source signal lines (S 1 to S m ).
In addition, a signal is input to each pixel from an AC power source (not shown) to control the luminance of each pixel.

ゲート信号線(G1〜Gn)は、各画素が有するスイッチング用TFTのゲート電極に接続されている。スイッチング用TFTのソースとドレインとは、一方がソース信号線(S1〜Sm)に、他方がコンデンサーと電流制御用TFTのゲート電極とに接続されている。 The gate signal lines (G 1 to G n ) are connected to the gate electrode of the switching TFT included in each pixel. One of the source and drain of the switching TFT is connected to the source signal line (S 1 to S m ), and the other is connected to the capacitor and the gate electrode of the current control TFT.

電流制御用TFTのソースまたはドレインのうち、一方が電源供給線(V1〜Vm)に、他方が有機発光素子の画素電極に接続されている。整流用TFTのゲート電極は電源供給線(V1〜Vm)に接続されている。整流用TFTのソースまたはドレインは一方が電源供給線(V1〜Vm)に、他方が有機発光素子の画素電極に接続されている。有機発光素子の対向電極と電源供給線(V1〜Vm)とは交流電源に接続されている。 One of the source or drain of the current control TFT is connected to the power supply line (V 1 to V m ), and the other is connected to the pixel electrode of the organic light emitting element. The gate electrode of the rectifying TFT is connected to a power supply line (V 1 to V m ). One of the source or drain of the rectifying TFT is connected to the power supply line (V 1 to V m ), and the other is connected to the pixel electrode of the organic light emitting element. The counter electrode of the organic light emitting element and the power supply line (V 1 to V m ) are connected to an AC power source.

本実施の形態では、簡明にするため、単色画素とした上で、画素部にマトリクス状に配置されたすべての画素で有機発光素子に加える電圧と有機発光素子の発光強度の関係が同じであるとして説明する。このため、電源供給線(V1〜Vm
の電位は画素部に設けられているすべての画素で共通の電位となっている。対向電極も画素部に設けられているすべての画素で共通の電位となっている。
In the present embodiment, for the sake of simplicity, a single color pixel is used, and the relationship between the voltage applied to the organic light emitting element and the light emission intensity of the organic light emitting element is the same in all pixels arranged in a matrix in the pixel portion. Will be described. Therefore, the power supply line (V 1 ~V m)
Is a common potential for all the pixels provided in the pixel portion. The counter electrode also has a common potential in all the pixels provided in the pixel portion.

次に、図1の画素部の回路を有する有機発光ディスプレイの駆動方法について説明する。まず、図2を用いて本実施の形態の時分割駆動による階調表示の一例について説明する。   Next, a driving method of the organic light emitting display having the circuit of the pixel portion of FIG. 1 will be described. First, an example of gradation display by time division driving according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

1フレーム期間(F)は、n個のサブフレーム期間(SF1〜SFn)に分割される。説明を簡略にするため、第1のサブフレーム期間(F1)と第2のサブフレーム期間(F2)だけを図示する。1フレーム期間とは、階調制御された1つの画像を形成する期間をいう。本実施形では、1秒間に60以上のフレーム期間が設けられている。1秒間に表示される画像の数が60より少なくなると、視覚的にフリッカ等の画像が目立ち始める。 One frame period (F) is divided into n subframe periods (SF 1 to SF n ). For simplicity, only the first subframe period (F 1 ) and the second subframe period (F 2 ) are shown. One frame period refers to a period during which one image whose gradation is controlled is formed. In this embodiment, 60 or more frame periods are provided per second. When the number of images displayed per second is less than 60, images such as flicker visually start to stand out.

サブフレーム期間(SF1〜SFn)は、1フレーム期間をさらに分割した期間である。階調数が多くなるにつれて1フレーム期間の分割数も増え、駆動回路を高い周波数で駆動しなければならない。 The subframe period (SF 1 to SF n ) is a period obtained by further dividing one frame period. As the number of gradations increases, the number of divisions in one frame period also increases, and the drive circuit must be driven at a high frequency.

1つのサブフレーム期間はアドレス期間(Ta)とサブフレーム期間(Ts)
とに分けられる。アドレス期間とは、1つのサブフレーム期間において全画素にデータを入力するのに要する期間であり、サステイン期間とは、画素に入力されたデータに応じて有機発光素子に一定の電流を流して表示を行う期間である。
One subframe period includes an address period (Ta) and a subframe period (Ts).
And divided. The address period is a period required to input data to all the pixels in one subframe period, and the sustain period is displayed by flowing a constant current through the organic light emitting element according to the data input to the pixels. It is a period to perform.

n個のサブフレーム期間(SF1〜SFn)がそれぞれ有するアドレス期間(Ta1〜Tan)の長さは一定である。n個のサブフレーム期間(SF1〜SFn)がそれぞれ有するサステイン期間(Ts)の長さは異なる。サブフレーム期間(SF1〜SFn)の長さはそれぞれTs1〜Tsnである。 The lengths of the address periods (Ta 1 to Tan) included in the n subframe periods (SF 1 to SF n ) are constant. The lengths of the sustain periods (Ts) included in the n subframe periods (SF 1 to SF n ) are different. The lengths of the subframe periods (SF 1 to SF n ) are Ts 1 to Ts n , respectively.

サステイン期間の長さは、Ts1:Ts2:Ts3:…:Ts(n-2):Ts(n-1):Tsn=21:22:23:…:2(n-2):2(n-1)となるように設定する。サブフレーム期間によってサステイン期間の長さが異なるが、サブフレーム期間(SF1〜SFn)を出現させる順序はどのようにしてもよい。このサステイン期間の組み合わせで2n階調のうち所望の階調表示を行うことができる。 The length of the sustain period is as follows: Ts 1 : Ts 2 : Ts 3 :...: Ts (n−2) : Ts (n−1) : Ts n = 2 1 : 2 2 : 2 3 :. 2) : Set to 2 (n-1) . Although the length of the sustain period varies depending on the subframe period, the order in which the subframe periods (SF 1 to SF n ) appear may be any way. A desired gradation display among 2 n gradations can be performed by combining the sustain periods.

次に、図2に示されたタイミングで時分割階調の表示を行うために画素に入力する信号を図3のタイミングチャートを用いて説明する。説明を簡単にするために、1フレーム期間のうち、第1のサブフレーム期間と第2のサブフレーム期間だけが図示されている。   Next, a signal input to the pixel in order to perform time-division gradation display at the timing shown in FIG. 2 will be described with reference to the timing chart of FIG. In order to simplify the description, only the first subframe period and the second subframe period are illustrated in one frame period.

第1のサブフレーム期間(SF1)は、第1のアドレス期間(Ta1)と第1のサステイン期間(Ts1)とからなる。アドレス期間は、第1のライン期間(L1)〜第nのライン期間(Ln)に分割される。 The first subframe period (SF 1 ) includes a first address period (Ta 1 ) and a first sustain period (Ts 1 ). The address period is divided into a first line period (L 1 ) to an nth line period (L n ).

第1のライン期間(L1)は、ゲート信号線(G1)に選択信号が入力され、ゲート信号線(G1)に接続されているスイッチング用TFTのすべてがオンの状態になる期間である。 The first line period (L 1) is supplied with the selection signal to the gate signal line (G 1), a period in which all of the switching TFT is turned on, which is connected to the gate signal line (G 1) is there.

ゲート信号線(G1)に接続されているスイッチング用TFTがオンの状態で、ソース信号線(S1〜Sm)に順にデジタルデータ信号が入力される。デジタルデータ信号は、オン状態になったスイッチング用TFTを介して電流制御用TFTのゲート電極に入力される。 With the switching TFT connected to the gate signal line (G 1 ) turned on, digital data signals are sequentially input to the source signal lines (S 1 to S m ). The digital data signal is input to the gate electrode of the current control TFT through the switching TFT that is turned on.

そして、ソース信号線(S1〜Sm)に入力されたデジタルデータ信号は、オンの状態のスイッチング用TFTを介して電流制御用TFTのゲート電極に入力される。また、コンデンサーにもデジタルデータ信号が入力され保持される。 Then, the digital data signal input to the source signal lines (S 1 to S m ) is input to the gate electrode of the current control TFT via the switching TFT in the ON state. In addition, a digital data signal is input and held in the capacitor.

コンデンサーにデジタルデータ信号が保持されているため、電流制御用TFTのゲート電極の電位は、ゲート信号線(G1)に接続されているスイッチング用TFTがオフの状態になっても保持される。 Since the digital data signal is held in the capacitor, the potential of the gate electrode of the current control TFT is held even when the switching TFT connected to the gate signal line (G 1 ) is turned off.

m列目のソース信号線(Sm)にデジタルデータ信号が入力されると、第1のライン期間(L1)が終了する。なお、ソース信号線(S1〜Sm)へのデジタルデータ信号の入力が終了するまでの期間と水平帰線期間とを合わせて1つのライン期間としてもよい。 When a digital data signal is input to the m-th column source signal line (S m ), the first line period (L 1 ) ends. The period until the input of the digital data signal to the source signal lines (S 1 to S m ) and the horizontal blanking period may be combined into one line period.

第2のライン期間(L2)は、ゲート信号線(G2)に選択信号が入力され、ゲート信号線G2に接続されているスイッチング用TFTがすべてオンの状態になる期間である。そしてスイッチング用TFTをオンにした状態で、信号線(S1〜Sn)に順にデジタルデータ信号が入力される。デジタルデータ信号は、スイッチング用TFTを介して電流制御用TFTのゲート電極に入力される。また、コンデンサーにもデジタルデータ信号が入力され保持される。 The second line period (L 2 ) is a period in which a selection signal is input to the gate signal line (G 2 ) and all the switching TFTs connected to the gate signal line G 2 are in an on state. Then, digital data signals are sequentially input to the signal lines (S 1 to S n ) with the switching TFT turned on. The digital data signal is input to the gate electrode of the current control TFT via the switching TFT. In addition, a digital data signal is input and held in the capacitor.

上述した動作を第nのライン期間まで繰り返し、すべての画素にデジタルデータ信号が入力される。すなわち、すべての画素にデジタルデータ信号が入力されるまでの期間が、アドレス期間である。なお、すべての画素にデジタルデータ信号が入力される期間と垂直帰線期間とを合わせてアドレス期間としてもよい。   The above-described operation is repeated until the n-th line period, and digital data signals are input to all pixels. That is, the period until the digital data signal is input to all the pixels is the address period. Note that a period in which digital data signals are input to all pixels and a vertical blanking period may be combined to form an address period.

アドレス期間は電源供給線(V1〜Vn)の電位が、電流制御用TFTのゲート電極の電位に比べて低電位に保たれている。このため、電流制御用TFTはオフの状態となる。しかし、整流用TFTには順方向に電圧がかかり、整流用TFTを介して、有機発光素子には逆バイアスがかかる。このとき、有機発光素子には電流が流れないため、有機発光素子は非発光の状態に保たれる。 During the address period, the potential of the power supply lines (V 1 to V n ) is kept lower than the potential of the gate electrode of the current control TFT. For this reason, the current control TFT is turned off. However, a voltage is applied in the forward direction to the rectifying TFT, and a reverse bias is applied to the organic light emitting element through the rectifying TFT. At this time, since no current flows through the organic light emitting device, the organic light emitting device is kept in a non-light emitting state.

第1のアドレス期間(Ta1)が終了すると第1のサステイン期間(Ts1)が始まる。サステイン期間が始まると、交流電源から出力される電圧の極性が変わる。交流電源から入力される波形が変わることで、電源供給線の電位(V1〜Vn)が対向電極の電位(C)に比べて高電位になる。 When the first address period (Ta 1 ) ends, the first sustain period (Ts 1 ) starts. When the sustain period starts, the polarity of the voltage output from the AC power supply changes. By changing the waveform input from the AC power supply, the potential (V 1 to V n ) of the power supply line becomes higher than the potential (C) of the counter electrode.

サステイン期間に電流制御用TFTがオンの状態になり、有機発光素子にしきい値以上の電圧がかかると有機発光素子は発光する。ただし、電流制御用TFTのゲートに非発光のデジタルデータ信号が書きこまれていた画素においてはオフの状態が維持される。いずれにしても、アドレス期間に印加されていた有機発光素子の逆バイアスは除かれる。   When the current control TFT is turned on during the sustain period and a voltage higher than the threshold is applied to the organic light emitting element, the organic light emitting element emits light. However, the off state is maintained in the pixel in which the non-light-emitting digital data signal is written in the gate of the current control TFT. In any case, the reverse bias of the organic light emitting element applied during the address period is removed.

こうして、有機発光素子が発光する任意のサブフレーム期間においてアドレス期間とサステイン期間とで極性の異なる電圧が有機発光素子にかかる交流の駆動がされる。なお、本発明の回路を用いた交流の駆動の方法は、これに限定されるものではない。   In this manner, in an arbitrary sub-frame period in which the organic light emitting element emits light, voltages having different polarities in the address period and the sustain period are driven by alternating current applied to the organic light emitting element. Note that the AC driving method using the circuit of the present invention is not limited to this.

第1のサステイン期間が終わると、交流電源から出力される電圧の極性が変わり、第1のサブフレーム期間が終わる。第1のサブフレーム期間が終わると、第2のサブフレーム期間が始まる。   When the first sustain period ends, the polarity of the voltage output from the AC power supply changes, and the first subframe period ends. When the first subframe period ends, the second subframe period begins.

第1のサステイン期間が終わり、交流電源から出力される電圧の極性が変わると、電源供給線の電位より電流制御用TFTのゲートの電位がしきい値以上低くなり、オフの状態になる。すると、整流用TFTがオンの状態になり、すべての画素の有機発光素子は逆バイアスがかかることで非発光の状態になる。   When the polarity of the voltage output from the AC power supply is changed after the first sustain period is over, the potential of the gate of the current control TFT becomes lower than the threshold value by the potential of the power supply line, and the transistor is turned off. Then, the rectifying TFT is turned on, and the organic light emitting elements of all the pixels are in a non-light emitting state due to reverse bias.

第2のサブフレーム期間において、第2のアドレス期間が始まり、第1のライン期間から第nのライン期間にかけて、順次、画素にデジタルデータ信号を入力し、全画素にデジタルデータ信号を入力したら第2のアドレス期間が終わり、第2のサステイン期間に入る。第2のサステイン期間が終了すると第2のサブフレーム期間が終了する。   In the second subframe period, the second address period starts, and when the digital data signal is sequentially input to the pixels and the digital data signal is input to all the pixels from the first line period to the nth line period, the second address period starts. 2 address period ends, and the second sustain period starts. When the second sustain period ends, the second subframe period ends.

以下、第3のサブフレームから第nのサブフレームまで同様の動作を繰り返し、順次、アドレス期間とサステイン期間を設定し、それぞれのサステイン期間で表示を行う。   Thereafter, the same operation is repeated from the third subframe to the nth subframe, an address period and a sustain period are sequentially set, and display is performed in each sustain period.

第nのサブフレーム期間が終了したら第1のフレーム期間が終了する。このとき、画素が発光していたサステイン期間の長さを積算することによって、その画素の階調が決まる。   When the nth subframe period ends, the first frame period ends. At this time, the gradation of the pixel is determined by integrating the length of the sustain period during which the pixel is emitting light.

以上のように、有機発光ディスプレイを駆動しながら、有機発光素子を交流で駆動することができる。本発明は時分割駆動の有機発光ディスプレイに適用することができる。   As described above, the organic light emitting element can be driven with an alternating current while driving the organic light emitting display. The present invention can be applied to a time-division driven organic light emitting display.

本実施の形態によれば、整流用TFTを各画素に設け、交流電源を用いて電源供給線、対向電極の電位の双方を変えるだけの簡便な手段で、有機発光素子に加える電圧の極性を変えて、交流駆動をすることができる。 According to the present embodiment, the polarity of the voltage applied to the organic light-emitting element can be set by simple means by simply providing a rectifying TFT in each pixel and changing both the power supply line and the potential of the counter electrode using an AC power supply. It can be changed and AC driven.

[実施形態2] カラー有機発光ディスプレイにおいて赤、青、緑の光を表示する画素で発光層の材料が異なり、各色の画素によって、有機発光素子にかかる電圧と有機発光素子の発光強度の関係が異なるときは、電源供給線、または対向電極の電位の片方を画素が表示する色毎に変えてもよい。 [Embodiment 2] In a color organic light-emitting display, the material of the light-emitting layer is different for pixels that display red, blue, and green light. When they are different, one of the potentials of the power supply line or the counter electrode may be changed for each color displayed by the pixel.

例えば、図4の波形図に示す有機発光ディスプレイの駆動方法を用いることができる。交流電源から、電源供給線、有機発光素子の対向電極に与える電位が示されている。画素が表示する色によって電源供給線の電位を変える。横軸が時間を、縦軸が電圧を示す。簡単のため、第1のサブフレーム(SF1)と、第2のサブフレーム(SF2)だけが図示されている。第1のフレーム期間を構成する複数のサブフレーム期間は、アドレス期間(Ta1〜Ta2)とサステイン期間(Ts1〜Ts2)とに分けられる。アドレス期間からサステイン期間へと変わるときに、交流電源から出力される波形が変わる。対向電極の電位(Vc)を基準とした電源供給線の電位は、赤色を発光する画素の電源供給線の電位(VViR)、青色を発光する画素の電源供給線の電位(VViB)、緑色を発光する画素の電源供給線の電位(VViG)でそれぞれ変わる。 For example, the driving method of the organic light emitting display shown in the waveform diagram of FIG. 4 can be used. The potential applied from the AC power source to the power supply line and the counter electrode of the organic light emitting element is shown. The potential of the power supply line is changed depending on the color displayed by the pixel. The horizontal axis represents time, and the vertical axis represents voltage. For simplicity, only the first subframe (SF 1 ) and the second subframe (SF 2 ) are shown. The plurality of subframe periods constituting the first frame period are divided into an address period (Ta 1 to Ta 2 ) and a sustain period (Ts 1 to Ts 2 ). When changing from the address period to the sustain period, the waveform output from the AC power supply changes. The potential of the counter electrode potential of (V c) power supply line relative to the, the potential (V ViR) of the power supply line of the pixel for emitting red light, the potential of the power supply line of the pixel that emits blue (V ViB) , And varies depending on the potential (V ViG ) of the power supply line of the pixel emitting green light.

また、有機発光素子の発光する色が白色で、カラーフィルターを透過することでカラー表示を行う場合や、モノカラー表示の場合は、有機発光素子の発光層の材料がすべての画素で共通である。この場合は、すべての画素で対向電極の電位、電源供給線の電位をそれぞれ共通にするとよい。この電源供給線(V1m)、対向電極(C)の電位をそれぞれ共通にした例は実施形態1で、図3を用いてすでに説明した。 In addition, when the organic light emitting element emits white light and performs color display by passing through a color filter, or in the case of monocolor display, the material of the light emitting layer of the organic light emitting element is common to all pixels. . In this case, it is preferable that the potential of the counter electrode and the potential of the power supply line are common to all the pixels. An example in which the potentials of the power supply lines (V 1 to m ) and the counter electrode (C) are made common is Embodiment 1 and has already been described with reference to FIG.

[実施形態3] 本実施の形態では、アドレス期間が終わってから一定の待機期間をおいて、交流電源から出力される交流電圧の極性を変えて、サステイン期間を始める。 [Embodiment 3] In the present embodiment, the sustain period is started by changing the polarity of the AC voltage output from the AC power supply after a certain waiting period after the address period ends.

本実施の形態の有機発光ディスプレイの画素部の回路は実施形態1と同じである。有機発光ディスプレイの駆動方法が実施形態1と異なる。そこで、有機発光ディスプレイの駆動を示す図5のタイミングチャートを参照しながら実施形態1との違いを説明する。図3と同等機能を有する部位に同じ符号を付し異なる部分を中心に説明する。説明の便宜上、第1のサブフレーム期間(SF1)と、第2のサブフレーム期間(SF2)だけを図示する。サブフレーム期間(SF)はアドレス期間(Ta)と、待機期間(Tw)と、サステイン期間(Ts)とに分けられる。 The circuit of the pixel portion of the organic light emitting display of the present embodiment is the same as that of the first embodiment. The driving method of the organic light emitting display is different from that of the first embodiment. Therefore, a difference from the first embodiment will be described with reference to a timing chart of FIG. 5 showing driving of the organic light emitting display. The parts having the same functions as those in FIG. For convenience of explanation, only the first subframe period (SF 1 ) and the second subframe period (SF 2 ) are illustrated. The subframe period (SF) is divided into an address period (Ta), a standby period (Tw), and a sustain period (Ts).

例えば、第1のアドレス期間(Ta1)、第1の待機期間(Tw1)では、整流用TFTに順方向に電圧がかかるため有機発光素子に逆バイアスがかかる。したがって、有機発光素子は発光しない。 For example, in the first address period (Ta 1 ) and the first standby period (Tw 1 ), a voltage is applied in the forward direction to the rectifying TFT, so that a reverse bias is applied to the organic light emitting element. Therefore, the organic light emitting device does not emit light.

第1の待機期間(Tw1)が終了した後に、交流電源から出力される波形を変えて、第1のサステイン期間(Ts1)が始まる。交流電源から出力される波形が変わると、有機発光素子の対向電極(C)、電源供給線(V1〜Vm)の電位が変わる。 After the first standby period (Tw 1 ) ends, the waveform output from the AC power supply is changed to start the first sustain period (Ts 1 ). When the waveform output from the AC power supply changes, the potentials of the counter electrode (C) and the power supply lines (V 1 to V m ) of the organic light emitting element change.

第1のサステイン期間では、画素に入力されたデジタルデータ信号に応じて電流制御用TFTのオン、オフが決まる。電流制御用TFTがオンの状態ならば有機発光素子が発光、オフの状態ならば非発光となる。いずれにしても、有機発光素子にかかる逆バイアスは除去される。 In the first sustain period, ON / OFF of the current control TFT is determined according to the digital data signal input to the pixel. The organic light emitting device emits light when the current control TFT is on, and does not emit light when the current control TFT is off. In any case, the reverse bias applied to the organic light emitting element is removed.

本実施の形態により待機期間の長さを調節することで、一つのサブフレーム期間において、有機発光素子に逆バイアスがかかる時間を調節することができる。
待機期間からサステイン期間への切り換えは、交流電源から出力される波形を変更するだけでよく、複雑な回路を要しない。
By adjusting the length of the standby period according to the present embodiment, it is possible to adjust the time during which reverse bias is applied to the organic light emitting element in one subframe period.
Switching from the standby period to the sustain period only requires changing the waveform output from the AC power supply, and does not require a complicated circuit.

[実施形態4] 本実施形態ではアナログ駆動により階調を表示する有機発光ディスプレイの駆動の方法の一例を説明する。アナログ駆動とは、有機発光素子に流れる電流の量をアナログ的に変化させることで有機発光素子が発光する光の強度を制御して階調表示を行う方法をいう。 [Embodiment 4] In this embodiment, an example of a method of driving an organic light emitting display that displays gradation by analog driving will be described. The analog drive is a method of performing gradation display by controlling the intensity of light emitted from the organic light emitting element by changing the amount of current flowing through the organic light emitting element in an analog manner.

本実施例の画素部の回路を図6(A)〜図6(B)に示す。ゲート信号線(G1〜Gn)は、各画素が有するスイッチング用TFT101のゲート電極に接続されている。スイッチング用TFTのソースとドレインとは、一方がソース信号線(S1〜Sm)に、他方が各画素が有する電流制御用TFT102のゲート電極とコンデンサー103とに接続されている。電流制御用TFTのソースとドレインとは、一方が電源供給線(V1〜Vm)に、他方が各画素が有する有機発光素子105に接続されている。電源供給線は整流用TFT104のゲート電極と、コンデンサー103とに接続されている。整流用TFTのソースとドレインとは、一方が電源供給線に、他方が有機発光素子の画素電極に接続されている。 A circuit of the pixel portion of this embodiment is shown in FIGS. The gate signal lines (G 1 to G n ) are connected to the gate electrode of the switching TFT 101 included in each pixel. One of the source and drain of the switching TFT is connected to the source signal lines (S 1 to S m ), and the other is connected to the gate electrode of the current control TFT 102 and the capacitor 103 included in each pixel. One of the source and drain of the current control TFT is connected to the power supply line (V 1 to V m ), and the other is connected to the organic light emitting element 105 of each pixel. The power supply line is connected to the gate electrode of the rectifying TFT 104 and the capacitor 103. One of the source and drain of the rectifying TFT is connected to the power supply line, and the other is connected to the pixel electrode of the organic light emitting element.

本実施の形態では有機発光素子は画素電極が陰極、対向電極が陽極となる。有機発光素子に順方向に電流を流すために、電流制御用TFTはnチャネル型とする。整流用TFTも、電流制御用TFTと同様に、nチャネル型として電流制御用TFTがオン状態のときに流れる電流の方向と逆方向の整流作用を持たせる。
スイッチング用TFTはnチャネル型、pチャネル型のいずれの導電型でも構わない。
In the present embodiment, the organic light emitting element has a pixel electrode as a cathode and a counter electrode as an anode. The current control TFT is an n-channel type in order to allow a current to flow through the organic light emitting element in the forward direction. Similarly to the current control TFT, the rectification TFT is an n-channel type and has a rectification action in the direction opposite to the direction of the current flowing when the current control TFT is in the ON state.
The switching TFT may be either an n-channel type or a p-channel type.

電流制御用TFTはnチャネル型のため、電流制御用TFTのゲートの電位がしきい値以上に電源供給線の電位よりも高いときは、電流制御用TFTがオンの状態になる。   Since the current control TFT is an n-channel type, when the potential of the gate of the current control TFT is higher than the threshold value and higher than the potential of the power supply line, the current control TFT is turned on.

整流用TFTはnチャネル型であり、そのゲート電極が電源供給線と同電位になっているため、順方向電流の向きは有機発光素子の側から電源供給線の側へと電流が流れる向きになる。   Since the rectifying TFT is an n-channel type and its gate electrode is at the same potential as the power supply line, the direction of the forward current is such that the current flows from the organic light emitting element side to the power supply line side. Become.

図6に示される回路を有する有機発光ディスプレイをアナログ階調で駆動させるためのタイミングチャートを図7〜図8を参照しながら説明する。   A timing chart for driving an organic light emitting display having the circuit shown in FIG. 6 with analog gradation will be described with reference to FIGS.

図7のタイミングチャートに示すように、それぞれのフレーム期間は、一つのアドレス期間(Ta)と一つのサステイン期間(Ts)とに分割される。アドレス期間は、すべての画素に、順次、アナログ信号を入力する期間である。サステイン期間は、画素に入力されたアナログ信号の電位に応じて有機発光素子に電流が流れ、画素に入力されたアナログ信号の電位に応じて階調表示をする期間である。   As shown in the timing chart of FIG. 7, each frame period is divided into one address period (Ta) and one sustain period (Ts). The address period is a period in which analog signals are sequentially input to all pixels. The sustain period is a period in which a current flows through the organic light emitting element in accordance with the potential of the analog signal input to the pixel and gradation display is performed in accordance with the potential of the analog signal input to the pixel.

図8に各画素に入力する信号を示す。第1のフレーム(F1)のアドレス期間(Ta1)が始まると同時に、第1のライン期間(L1)が始まる。第1のライン期間とはゲート信号線(G1)が選択されている期間である。 FIG. 8 shows signals input to each pixel. The first line period (L 1 ) starts simultaneously with the start of the address period (Ta 1 ) of the first frame (F 1 ). The first line period is a period during which the gate signal line (G 1 ) is selected.

なお、ゲート信号線はn本あるので、アドレス期間中にn個のライン期間が設けられている。解像度が高くなるにつれて、ライン期間の数も増えて、駆動回路を高い周波数で駆動しなければならない。   Since there are n gate signal lines, n line periods are provided in the address period. As the resolution increases, the number of line periods also increases and the drive circuit must be driven at a high frequency.

第1のライン期間において、ゲート信号線に選択信号が入力される。ソース信号線(S1〜Sm)にはアナログ的に電位が変わるデータ信号(アナログデータ信号)が入力される。ゲート信号線に選択信号が入力されスイッチング用TFTがオンの状態になっているため、スイッチング用TFTを介してソース信号線から電流制御用TFTのゲート電極にアナログデータ信号が入力される。アナログデータ信号の電位は、電流制御用TFTのソースまたはドレインの一方と、電源供給線とに接続されているコンデンサーによって保持される。 In the first line period, a selection signal is input to the gate signal line. A data signal (analog data signal) whose potential is changed in an analog manner is input to the source signal lines (S 1 to S m ). Since the selection signal is input to the gate signal line and the switching TFT is turned on, an analog data signal is input from the source signal line to the gate electrode of the current control TFT via the switching TFT. The potential of the analog data signal is held by a capacitor connected to one of the source and drain of the current control TFT and the power supply line.

ソース信号線(Sm)から画素に信号が入力されたら、第1のライン期間(L1)が終了する。なお、ソース信号線(S1〜Sm)へのアナログのビデオ信号の入力が終了するまでの期間と水平帰線期間とを合わせて1つのライン期間としても良い。第1のライン期間が終了すると同時に、第2のライン期間が始まる。 When a signal is input from the source signal line (S m ) to the pixel, the first line period (L 1 ) ends. The period until the input of the analog video signal to the source signal lines (S 1 to Sm) and the horizontal blanking period may be combined into one line period. Simultaneously with the end of the first line period, the second line period begins.

第2のライン期間(L2)が始まるとゲート信号線(G2)に選択信号が入力される。そして第1のライン期間(L1)と同様にソース信号線(S1〜Sm)に順にアナログのビデオ信号が入力される。 When the second line period (L 2 ) starts, a selection signal is input to the gate signal line (G 2 ). Similarly to the first line period (L 1 ), analog video signals are sequentially input to the source signal lines (S 1 to Sm).

そしてすべてのゲート信号線(G1〜Gn)に選択信号が入力されると、すべてのライン期間(L1〜Ln)が終了する。すべてのライン期間が終了するとアドレス期間が終了する。なおすべてのライン期間(L1〜Ln)と垂直帰線期間とを合わせてアドレス期間としてもよい。 When selection signals are input to all the gate signal lines (G 1 to Gn), all the line periods (L 1 to L n ) are finished. When all the line periods are finished, the address period is finished. All the line periods (L 1 to L n ) and the vertical blanking period may be combined as an address period.

アドレス期間では、整流特性を有する整流用TFTに、順方向に電圧が印加されているため、有機発光素子には逆バイアスが印加される。したがって、有機発光素子は非発光の状態である。   In the address period, since a voltage is applied in the forward direction to the rectifying TFT having the rectifying characteristics, a reverse bias is applied to the organic light emitting element. Therefore, the organic light emitting device is in a non-light emitting state.

アドレス期間が終わるとサステイン期間が始まる。サステイン期間が始まると、交流電源から出力される電圧の極性が反転する。   When the address period ends, the sustain period begins. When the sustain period begins, the polarity of the voltage output from the AC power supply is reversed.

交流電源から出力される電圧の極性が反転すると、電流制御用TFTのゲート電圧の大きさに応じて電流制御用TFTに電流が流れる。電流制御用TFTを流れる電流の量は、アドレス期間にそのゲートに入力されたアナログデータ信号の電位の高さによって制御される。   When the polarity of the voltage output from the AC power supply is reversed, a current flows through the current control TFT according to the magnitude of the gate voltage of the current control TFT. The amount of current flowing through the current control TFT is controlled by the height of the potential of the analog data signal input to the gate during the address period.

電流制御用TFTに流れる電流の量に応じて有機発光素子が発光する光の強度が制御される。再びアドレス期間に入ると有機発光素子には逆バイアスが加わり、サステイン期間とアドレス期間とで極性の異なる電圧が有機発光素子に加わり交流の駆動がされる。   The intensity of light emitted from the organic light emitting element is controlled in accordance with the amount of current flowing through the current control TFT. When the address period starts again, a reverse bias is applied to the organic light emitting element, and voltages having different polarities are applied to the organic light emitting element during the sustain period and the address period, thereby driving alternating current.

整流用TFTは整流特性を有し、サステイン期間では整流特性の逆方向に電圧がかかっているため、サステイン期間に整流用TFTには電流が流れない。   Since the rectifying TFT has a rectifying characteristic and a voltage is applied in the reverse direction of the rectifying characteristic during the sustain period, no current flows through the rectifying TFT during the sustain period.

サステイン期間が終わると、交流電源から出力される電圧の極性が変わる。第1のフレームのサステイン期間が終わると同時に、第2のフレーム期間が始まり、第2のフレーム期間のアドレス期間が始まる。以降、同様の動作を繰り返して、1フレーム期間ごとに階調制御された画像を表示する。   When the sustain period ends, the polarity of the voltage output from the AC power supply changes. Simultaneously with the end of the sustain period of the first frame, the second frame period begins and the address period of the second frame period begins. Thereafter, the same operation is repeated to display an image whose gradation is controlled for each frame period.

なお本実施形態では、以上でアドレス期間において有機発光素子に逆バイアスをかける例を説明したがこれに限定されるものではない。交流電源から出力される波形を適宜に変えてアドレス期間と、サステイン期間は有機発光素子に順バイアスをかけて、待機期間は逆バイアスをかけることも可能である。   In the present embodiment, the example in which the organic light emitting element is reverse-biased in the address period has been described above, but the present invention is not limited to this. It is also possible to apply a forward bias to the organic light emitting element during the address period and the sustain period and reverse bias during the standby period by appropriately changing the waveform output from the AC power supply.

[実施形態5] 本発明は、アナログ駆動をするときに電源供給線と有機発光素子の対向電極の電位とを反転させるときを変えることで、自由に有機発光素子に極性の異なる電圧をかける時間を変えることができる。 [Embodiment 5] The present invention provides a time for freely applying voltages having different polarities to an organic light emitting element by changing the time of inverting the potential of the power supply line and the counter electrode of the organic light emitting element when performing analog driving. Can be changed.

本実施の形態の画素部の回路は、図6を用いて説明したものと同じにつき説明を省略する。   The circuit of the pixel portion in this embodiment is the same as that described with reference to FIG.

本発明の一実施の形態につき図面を参照して説明する。図9は、本実施の形態の駆動方法のタイミングチャートである。図8と同等機能を有する部分は同じ符号を付し、図8と異なる部分について説明する。   An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 9 is a timing chart of the driving method of the present embodiment. Portions having functions equivalent to those in FIG. 8 are denoted by the same reference numerals, and portions different from those in FIG. 8 are described.

アドレス期間(Ta)が終わると待機期間(Tw)が始まり、待機期間が終わるとサステイン期間(Ts)が始まる。電源供給線と有機発光素子の対向電極の電位とは、アドレス期間、待機期間では一定の電位を維持し、待機期間が終わりサステイン期間が始まると反転する。   When the address period (Ta) ends, the waiting period (Tw) starts, and when the waiting period ends, the sustain period (Ts) starts. The potential of the power supply line and the counter electrode of the organic light emitting element is maintained at a constant potential during the address period and the standby period, and is inverted when the standby period ends and the sustain period starts.

アドレス期間と待機期間とにおいては、ダイオード構造の有機発光素子に逆バイアスがかかるため、有機発光素子は非発光の状態である。サステイン期間においては、ダイオード構造の有機発光素子に順バイアスがかかる。こうして、アドレス期間および待機期間と、サステイン期間とで有機発光素子にかかる電圧の極性を変えることができる。   In the address period and the standby period, the organic light emitting element is in a non-light emitting state because a reverse bias is applied to the organic light emitting element having a diode structure. During the sustain period, a forward bias is applied to the organic light emitting device having a diode structure. Thus, the polarity of the voltage applied to the organic light emitting element can be changed between the address period, the standby period, and the sustain period.

整流用TFTに逆方向に電圧がかかり、有機発光素子に順バイアスがかかる場合と、整流用TFTに順方向に電圧がかかり、有機発光素子に逆バイアスがかかる場合とは、電源供給線の電位、対向電極の電位を交流電源を用いて変えることで制御できる。つまり、交流電源から出力される電圧の極性によって、有機発光素子にかかる電圧の極性が定まる。   A voltage is applied to the rectifying TFT in the reverse direction and a forward bias is applied to the organic light emitting element, and a case in which a voltage is applied in the forward direction to the rectifying TFT and the organic light emitting element is applied with a reverse bias. It can be controlled by changing the potential of the counter electrode using an AC power source. That is, the polarity of the voltage applied to the organic light emitting element is determined by the polarity of the voltage output from the AC power supply.

本実施の例では待機期間の長さを定めることで、有機発光素子に異なる極性の電圧をかける時間を自由に定めることができる。 In this example, by setting the length of the standby period, it is possible to freely determine the time for applying voltages of different polarities to the organic light emitting elements.

本発明は有機発光素子を用いたあらゆる表示装置に適用することができる。図10はその一例であり、TFTを用いて作製されるアクティブマトリクス型の表示装置の例を示す。   The present invention can be applied to any display device using an organic light emitting element. FIG. 10 shows an example thereof, which shows an example of an active matrix display device manufactured using TFTs.

実施例のTFTはチャネル形成領域を形成する半導体層の材質により、アモルファスシリコンTFTやポリシリコンTFTと区別されることがあるが、本発明はそのどちらにも適用することができる。ただし、電界移動度の高いポリシリコンTFTを用いる方が、有機発光素子の発光強度を高めることができるため、本実施例のTFTはポリシリコンTFTを用いることが好ましい。   The TFT of the embodiment may be distinguished from an amorphous silicon TFT or a polysilicon TFT depending on the material of the semiconductor layer forming the channel formation region, but the present invention can be applied to either of them. However, since it is possible to increase the light emission intensity of the organic light emitting device when using a polysilicon TFT having a high electric field mobility, it is preferable to use a polysilicon TFT as the TFT of this embodiment.

基板401は、石英やコーニング社の#7059ガラスや#1737ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板を用いる。   As the substrate 401, a substrate made of glass such as quartz, barium borosilicate glass typified by Corning # 7059 glass or # 1737 glass, or aluminoborosilicate glass is used.

次いで、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜からなる下地膜402が設けられる。例えば、プラズマCVD法でSiH4、NH3、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜402aを10〜200nm(好ましくは50〜100nm)形成し、同様にSiH4、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜402bを50〜200nm(好ましくは100〜150nm)の厚さに積層形成する。本実施例では下地膜402を2層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または2層以上積層させた構造として形成してもよい。 Next, a base film 402 made of an insulating film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film is provided. For example, a silicon oxynitride film 402a formed from SiH 4 , NH 3 , and N 2 O by plasma CVD is formed to a thickness of 10 to 200 nm (preferably 50 to 100 nm), and similarly formed from SiH 4 and N 2 O. A silicon oxynitride film 402b is formed to a thickness of 50 to 200 nm (preferably 100 to 150 nm). Although the base film 402 is shown as a two-layer structure in this embodiment, it may be formed as a single-layer film of the insulating film or a structure in which two or more layers are stacked.

次いで、半導体層を成膜し、パターニングして、第1の半導体層403、第2の半導体層404、第3の半導体層405、第4の半導体層406、第5の半導体層407、第6の半導体層408を形成する。   Next, a semiconductor layer is formed and patterned, and the first semiconductor layer 403, the second semiconductor layer 404, the third semiconductor layer 405, the fourth semiconductor layer 406, the fifth semiconductor layer 407, and the sixth semiconductor layer are patterned. The semiconductor layer 408 is formed.

さらにこれら半導体層を覆ってゲート絶縁膜409を形成する。ゲート絶縁膜は、SiH4、N2Oとから作製される窒化酸化シリコン膜であり、ここでは10〜200nm、好ましくは50〜150nmの厚さで形成する。 Further, a gate insulating film 409 is formed so as to cover these semiconductor layers. The gate insulating film is a silicon nitride oxide film manufactured from SiH 4 and N 2 O, and is formed here with a thickness of 10 to 200 nm, preferably 50 to 150 nm.

さらに、スパッタ法により窒化タンタル(TaN)を形成し、続いて、アルミニウム(Al)を主成分とするアルミ合金を形成する。この二層に積層された導電膜をパターニングして、ゲート信号線410、島状のゲート電極411、容量電極412、ゲート電極413を形成し、これら電極をマスクとして自己整合的に不純物元素を添加する。   Further, tantalum nitride (TaN) is formed by sputtering, and then an aluminum alloy containing aluminum (Al) as a main component is formed. The conductive film stacked in the two layers is patterned to form a gate signal line 410, an island-shaped gate electrode 411, a capacitor electrode 412, and a gate electrode 413, and an impurity element is added in a self-aligning manner using these electrodes as a mask. To do.

次いで、プラズマCVD法でSiH4、NH3、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜を第1の層間絶縁膜414として10〜200nm(好ましくは50〜100nm)形成する。第1の層間絶縁膜として酸化窒化膜を形成することも可能である。さらに、有機樹脂膜からなる第2の層間絶縁膜415を0.5〜10μm(好ましくは1〜3μm)形成する。第2の層間絶縁膜はアクリル樹脂膜、ポリイミド樹脂膜などを好適に用いることができる。第2の層間絶縁膜は半導体層、ゲート電極等に起因する凹凸を平坦化するに充分な厚さとすることが望ましい。 Next, a silicon oxynitride film formed from SiH 4 , NH 3 , and N 2 O is formed by plasma CVD as a first interlayer insulating film 414 with a thickness of 10 to 200 nm (preferably 50 to 100 nm). It is also possible to form an oxynitride film as the first interlayer insulating film. Further, a second interlayer insulating film 415 made of an organic resin film is formed to 0.5 to 10 μm (preferably 1 to 3 μm). As the second interlayer insulating film, an acrylic resin film, a polyimide resin film, or the like can be preferably used. It is desirable that the second interlayer insulating film has a thickness sufficient to flatten unevenness caused by the semiconductor layer, the gate electrode, and the like.

さらに、プラズマCVD法でSiH4、NH3、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜を保護膜416として10〜200nm(好ましくは50〜100nm)
の厚さで形成する。後述する有機発光素子を構成する電極材料である陰極はアルカリ成分を含有するが、保護膜はこのアルカリ成分が流出し、TFTの電気特性を劣化させることを防ぐ。本実施例では保護膜を酸化窒化シリコン膜で形成したが、酸化窒化シリコン膜の代わりに窒化シリコン膜を用いてもよい。
Further, a silicon oxynitride film manufactured from SiH 4 , NH 3 , and N 2 O by plasma CVD is used as a protective film 416 to have a thickness of 10 to 200 nm (preferably 50 to 100 nm)
The thickness is formed. The cathode, which is an electrode material constituting the organic light-emitting element described later, contains an alkali component, but the protective film prevents the alkali component from flowing out and degrading the electrical characteristics of the TFT. In this embodiment, the protective film is formed of a silicon oxynitride film, but a silicon nitride film may be used instead of the silicon oxynitride film.

次いで、第1の層間絶縁膜、第2の層間絶縁膜、保護膜、ゲート絶縁膜を選択的にエッチングして、コンタクトホールを形成し、さらにこのコンタクトホールを覆うように導電体膜を成膜して、パターニングする。この導電体膜は、膜厚50nmのTi膜と、膜厚500nmの合金膜(AlとTiとの合金膜)との積層構造とする。   Next, the first interlayer insulating film, the second interlayer insulating film, the protective film, and the gate insulating film are selectively etched to form a contact hole, and a conductor film is formed so as to cover the contact hole. Then, patterning is performed. This conductor film has a laminated structure of a Ti film having a thickness of 50 nm and an alloy film (alloy film of Al and Ti) having a thickness of 500 nm.

そして、駆動回路部438においては、配線417〜420を形成する。画素部においては、ソース信号線421、接続電極422、ドレイン側の電極423、電源供給線424を形成する。スイッチング用TFT434のソースにソース信号線421が接続しており、ドレインに接続電極422が接続している。図示してはいないが接続電極422は電流制御用TFT436のゲート電極412と接続する。電流制御用TFT436のソースに電源供給配線424が接続しており、ドレインにドレイン側の電極423が接続している。整流用TFTのゲート電極412とドレインとが電源供給線424に接続しており、ソースがドレイン側の電極423に接続している。なお、スイッチング用TFTはnチャネル型TFTであり、電流制御用TFTと、整流用TFTはpチャネル型TFTである。   In the driver circuit portion 438, wirings 417 to 420 are formed. In the pixel portion, a source signal line 421, a connection electrode 422, a drain side electrode 423, and a power supply line 424 are formed. A source signal line 421 is connected to the source of the switching TFT 434, and a connection electrode 422 is connected to the drain. Although not shown, the connection electrode 422 is connected to the gate electrode 412 of the current control TFT 436. A power supply wiring 424 is connected to the source of the current control TFT 436, and a drain-side electrode 423 is connected to the drain. The gate electrode 412 and the drain of the rectifying TFT are connected to the power supply line 424, and the source is connected to the drain-side electrode 423. Note that the switching TFT is an n-channel TFT, and the current control TFT and the rectifying TFT are p-channel TFTs.

電源供給線は、有機発光素子が発光する赤、青、緑の画素毎に共通の電極である。すなわち、電源供給線は画素部において、有機発光素子の発光する色毎に設けられている。   The power supply line is a common electrode for each of red, blue, and green pixels from which the organic light emitting element emits light. That is, the power supply line is provided for each color emitted by the organic light emitting element in the pixel portion.

以上のようにして、nチャネル型TFT432、pチャネル型TFT433を有する駆動回路部438と、スイッチング用TFT434、整流用TFT435、電流制御用TFT436、保持容量437を有する画素部439とを同一基板上に形成することができる。   As described above, the driver circuit portion 438 including the n-channel TFT 432 and the p-channel TFT 433, the switching TFT 434, the rectifying TFT 435, the current control TFT 436, and the pixel portion 439 including the storage capacitor 437 are formed over the same substrate. Can be formed.

次いで、ITO(Indium Tin Oxide:酸化インジウム錫)膜を真空スパッタ法で成膜して、このITO膜をドレイン側の電極423に接するように画素毎にパターニングして有機発光素子の陽極(画素電極)426を形成する。ITOは仕事関数が4.5〜5.0eVと高く、正孔を効率良く有機発光層に注入することができる。   Next, an ITO (Indium Tin Oxide) film is formed by a vacuum sputtering method, and this ITO film is patterned for each pixel so as to be in contact with the drain-side electrode 423 to form an anode (pixel electrode) of the organic light emitting device. ) 426 is formed. ITO has a high work function of 4.5 to 5.0 eV, and can efficiently inject holes into the organic light emitting layer.

次いで、感光性樹脂膜を成膜して、陽極の周縁部の内側にあるこの感光性樹脂膜をパターニングにより除去して、バンク425を形成する。バンクは後述する有機化合物層をバンクの滑らかな傾斜面に沿って形成することで、有機発光素子の画素電極の周縁部において有機化合物層が断線し、この断線箇所で画素電極と対向電極とが短絡することを防いでいる。   Next, a photosensitive resin film is formed, and this photosensitive resin film inside the peripheral edge of the anode is removed by patterning to form a bank 425. The bank forms an organic compound layer, which will be described later, along the smooth inclined surface of the bank, so that the organic compound layer is disconnected at the peripheral edge of the pixel electrode of the organic light emitting element, and the pixel electrode and the counter electrode are disconnected at the disconnected portion. Preventing short circuit.

次いで、有機発光素子の有機化合物層427を蒸着法で成膜する。有機化合物層は、単層又は積層構造で用いられるが、積層構造で用いた方が発光効率は良い。一般的には陽極上に正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層の順に形成されるが、正孔輸送層/発光層/電子輸送層、または正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層のような構造でも良い。本発明では公知のいずれの構造を用いても良い。   Next, an organic compound layer 427 of the organic light emitting element is formed by an evaporation method. The organic compound layer is used in a single layer or a stacked structure, but the light emission efficiency is better when used in a stacked structure. Generally, the hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer are formed on the anode in this order, but the hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer, or hole injection layer / hole are formed. A structure such as a transport layer / a light emitting layer / an electron transport layer / an electron injection layer may be used. In the present invention, any known structure may be used.

なお、本実施例ではRGBに対応した三種類の発光層を蒸着する方式でカラー表示を行う。具体的な発光層としては、赤色に発光する発光層にはシアノポリフェニレン、緑色に発光する発光層にはポリフェニレンビニレン、青色に発光する発光層にはポリフェニレンビニレンまたはポリアルキルフェニレンを用いれば良い。発光層の厚さは30〜150nmとすれば良い。上記の例は発光層として用いることのできる有機化合物の一例であり、これに限定されるものではない。   In this embodiment, color display is performed by depositing three types of light emitting layers corresponding to RGB. As a specific light emitting layer, cyanopolyphenylene may be used for a light emitting layer that emits red light, polyphenylene vinylene may be used for a light emitting layer that emits green light, and polyphenylene vinylene or polyalkylphenylene may be used for a light emitting layer that emits blue light. The thickness of the light emitting layer may be 30 to 150 nm. The above example is an example of an organic compound that can be used as the light emitting layer, and is not limited thereto.

次いで、有機発光素子の陰極(対向電極)428を蒸着法で形成する。陰極は、MgAgやLiFなどのアルカリ成分を少量含有する光反射性の材料を用いる。陰極の厚さは100nm〜200nmとする。対向電極は、各画素に共通の電極として画素部の全面を覆うように形成され、配線を経由してFPC(Flexible Print Circuit:フレキシブルプリント配線板)に電気的に接続されている。   Next, a cathode (counter electrode) 428 of the organic light emitting element is formed by vapor deposition. For the cathode, a light reflective material containing a small amount of an alkali component such as MgAg or LiF is used. The thickness of the cathode is 100 nm to 200 nm. The counter electrode is formed as an electrode common to each pixel so as to cover the entire surface of the pixel portion, and is electrically connected to an FPC (Flexible Print Circuit) via a wiring.

こうして陽極、陰極に有機化合物層が挟まれた構成の有機発光素子が形成される。有機発光素子429の画素電極は透明電極であり、陽極に重ねて光反射性の対向電極を形成している。このため、図10の矢印に示す側から有機発光素子の発光する光を放射させることができる。   Thus, an organic light emitting device having a structure in which the organic compound layer is sandwiched between the anode and the cathode is formed. The pixel electrode of the organic light emitting element 429 is a transparent electrode, and a light reflective counter electrode is formed on the anode. For this reason, the light which an organic light emitting element light-emits can be radiated | emitted from the side shown by the arrow of FIG.

次いで、保護膜430としてDLC(Diamond Like Carbon)膜を形成し、有機発光ディスプレイの封止領域に浸入する水蒸気や酸素などによって、有機発光素子が劣化することを防ぐ。   Next, a DLC (Diamond Like Carbon) film is formed as the protective film 430 to prevent the organic light emitting element from being deteriorated by water vapor, oxygen or the like entering the sealing region of the organic light emitting display.

上述の構成で形成される基板を本明細書ではアクティブマトリクス基板と称する。   The substrate formed with the above structure is referred to as an active matrix substrate in this specification.

次いで、充填材440を画素部439、駆動回路部438を覆うように形成する。この充填材は、接着性があり封止基板を接着する機能を有するものを用いる。充填材としては、PVC(ポリビニルクロライド)、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEVA(エチレンビニルアセテート)を用いることができる。この充填材の内部に乾燥剤を設けておくと、吸湿効果を保持できるので好ましい。   Next, a filler 440 is formed so as to cover the pixel portion 439 and the driver circuit portion 438. As this filler, an adhesive having a function of adhering the sealing substrate is used. As the filler, PVC (polyvinyl chloride), epoxy resin, silicone resin, PVB (polyvinyl butyral) or EVA (ethylene vinyl acetate) can be used. It is preferable to provide a desiccant inside the filler because the moisture absorption effect can be maintained.

さらに、封止基板431が接着性を有する充填材によりアクティブマトリクス基板と貼り合わせられ、有機発光素子の封入が終了する。   Further, the sealing substrate 431 is bonded to the active matrix substrate with an adhesive filler, and the encapsulation of the organic light emitting element is completed.

さらに、公知の方法でFPC(Flexible Print Circuit : フレキシブルプリント配線板)が異方性導電樹脂を用いて接続配線に接続される。接続配線は外部機器との接続端子となるFPCから信号を受け取り、画素、駆動回路に信号を伝達する。   Further, an FPC (Flexible Print Circuit) is connected to the connection wiring using an anisotropic conductive resin by a known method. The connection wiring receives a signal from the FPC serving as a connection terminal with an external device, and transmits the signal to the pixel and the driving circuit.

図11〜図12は、このようにして作製された本実施例の有機発光ディスプレイの画素部の上面図である。図11〜図12を参照しながら本実施例の画素部の構成を説明する。   FIGS. 11 to 12 are top views of the pixel portion of the organic light emitting display of this example fabricated as described above. The configuration of the pixel portion of this embodiment will be described with reference to FIGS.

図11〜図12は、図10と共通する要素は同じ符号を用いて示している。図11〜図12を鎖線A−A'、鎖線B−B'、 鎖線C−C'、鎖線D−D'で切断した断面が図10において示されている。   In FIG. 11 to FIG. 12, elements common to FIG. 10 are denoted by the same reference numerals. FIG. 10 shows a cross section obtained by cutting FIGS. 11 to 12 along a chain line AA ′, a chain line BB ′, a chain line CC ′, and a chain line DD ′.

基板上の各画素に第1の半導体層403と、第2の半導体層404と、第3の半導体層405、第4の半導体層406が形成されている。   A first semiconductor layer 403, a second semiconductor layer 404, a third semiconductor layer 405, and a fourth semiconductor layer 406 are formed in each pixel on the substrate.

これらの半導体層上に形成されたゲート絶縁膜(図示せず)に接して行方向に配置されたゲート信号線410と、島状のゲート電極411と、列方向に島状に配置された容量電極412とが形成されている。   A gate signal line 410 arranged in the row direction in contact with a gate insulating film (not shown) formed on these semiconductor layers, an island-shaped gate electrode 411, and a capacitor arranged in an island shape in the column direction An electrode 412 is formed.

これらのゲート信号線、島状のゲート電極、容量電極をマスクとして自己整合的に半導体層に不純物元素が添加され、半導体層にソースまたはドレインが形成されている。   An impurity element is added to the semiconductor layer in a self-aligning manner using these gate signal lines, island-shaped gate electrodes, and capacitor electrodes as a mask, and a source or drain is formed in the semiconductor layer.

これらの配線、電極等を覆って無機材料からなる第1の層間絶縁膜、有機材料からなる第2の層間絶縁膜、保護膜(いずれも図示せず)が成膜されている(図11)。   A first interlayer insulating film made of an inorganic material, a second interlayer insulating film made of an organic material, and a protective film (both not shown) are formed so as to cover these wirings, electrodes and the like (FIG. 11). .

コンタクトホール501〜509が形成されている。保護膜に接して導電膜を形成し、この導電膜をパターニングしてソース信号線421、接続電極422、ドレイン側の電極423、電源供給線424が形成されている。   Contact holes 501 to 509 are formed. A conductive film is formed in contact with the protective film, and the conductive film is patterned to form a source signal line 421, a connection electrode 422, a drain-side electrode 423, and a power supply line 424.

列方向に配置されるソース信号線421は、コンタクトホール501を介して第1の半導体層403に接している。接続電極422は、コンタクトホール502を介して第1の半導体層401に接しており、さらにコンタクトホール503を介して容量電極412に接している。列方向に配置される電源供給線424は、コンタクトホール504を介して島状のゲート電極411に接しており、さらにコンタクトホール505を介して第2の半導体層404に接しており、さらにコンタクトホール506を介して第4の半導体層406に接している。ドレイン側の電極423は、コンタクトホール508を介して第2の半導体層404に接しており、さらにコンタクトホール412を介して第3の半導体層405に接している。   The source signal line 421 arranged in the column direction is in contact with the first semiconductor layer 403 through the contact hole 501. The connection electrode 422 is in contact with the first semiconductor layer 401 through the contact hole 502 and is further in contact with the capacitor electrode 412 through the contact hole 503. The power supply line 424 arranged in the column direction is in contact with the island-shaped gate electrode 411 through the contact hole 504, is further in contact with the second semiconductor layer 404 through the contact hole 505, and is further in contact with the contact hole. It is in contact with the fourth semiconductor layer 406 through 506. The drain-side electrode 423 is in contact with the second semiconductor layer 404 through the contact hole 508 and is further in contact with the third semiconductor layer 405 through the contact hole 412.

スイッチング用TFTは、そのゲート電極であるゲート信号線410から選択信号が入力されると、ソース信号線421に入力されたデータ信号を第1の半導体層に形成されるチャネルを経由して接続電極422へと入力する。   When a selection signal is input from the gate signal line 410 that is the gate electrode of the switching TFT, the data signal input to the source signal line 421 is connected to the connection electrode via a channel formed in the first semiconductor layer. 422 is entered.

スイッチング用TFTを介してソース信号線から接続電極422へと入力されるデータ信号は接続電極と接続する容量電極412に入力される。   A data signal input from the source signal line to the connection electrode 422 through the switching TFT is input to the capacitor electrode 412 connected to the connection electrode.

電流制御用TFTは、そのゲート電極である容量電極412にデータ信号が入力されると、このデータ信号の電位の高さに応じて電源供給線424とドレイン側の電極423とのあいだに電流が流れ、この電流が電流制御用TFTに直列に接続している有機発光素子へと流れる。   When a data signal is input to the capacitor electrode 412 that is the gate electrode of the current control TFT, a current flows between the power supply line 424 and the drain-side electrode 423 in accordance with the potential of the data signal. This current flows to the organic light emitting device connected in series with the current control TFT.

整流用TFTは、そのゲート電極である島状のゲート電極411と、ソースまたはドレインの一方が電源供給線424に接続されており、順方向に電流が流れやすい整流特性を有する。   The rectifying TFT has an island-shaped gate electrode 411 as its gate electrode and one of a source and a drain connected to the power supply line 424 and has a rectifying characteristic in which a current easily flows in the forward direction.

コンデンサーは、一方の電極である第4の半導体層406に電源供給線の電位が付与され、他方の電極である容量電極412とゲート絶縁膜(図示せず)を挟んで重なる領域で容量を形成する。   In the capacitor, the potential of the power supply line is applied to the fourth semiconductor layer 406 which is one electrode, and a capacitor is formed in a region overlapping with the capacitor electrode 412 which is the other electrode and a gate insulating film (not shown) therebetween. To do.

ITO膜がドレイン側の電極423に接するように画素毎にパターニングされて有機発光素子の画素電極(陽極)426が形成されている。感光性樹脂膜からなるバンクは、図12の点線に囲まれた領域の外側に形成されている。   A pixel electrode (anode) 426 of the organic light emitting element is formed by patterning for each pixel so that the ITO film is in contact with the drain side electrode 423. The bank made of the photosensitive resin film is formed outside the region surrounded by the dotted line in FIG.

有機発光素子の有機化合物層は発光層だけからなり、図12の点線で囲まれた領域の内側に赤色、緑色、青色の画素に対応した発光色を発光する発光層が形成されている。   The organic compound layer of the organic light emitting element is composed only of a light emitting layer, and a light emitting layer that emits light emission colors corresponding to red, green, and blue pixels is formed inside a region surrounded by a dotted line in FIG.

有機発光素子の陰極は、各画素に共通の電極として画素部の全面を覆うように形成され、配線を経由してFPCに電気的に接続されている。   The cathode of the organic light emitting element is formed as an electrode common to each pixel so as to cover the entire surface of the pixel portion, and is electrically connected to the FPC via a wiring.

このような画素の等価回路は図13に示され、図10と共通する要素は同じ符号を用いて示している。スイッチング用TFT434をマルチゲート構造とし、電流制御用TFT436にはゲート電極とオーバーラップするLDDを設けている。ポリシリコンを用いたTFTは、高い動作速度を示すが故にホットキャリア注入などの劣化も起こりやすい。そのため、画素内において機能に応じて構造の異なるTFT(オフ電流の十分に低いスイッチング用TFTと、ホットキャリア注入に強い電流制御用TFT)を形成することは、高い信頼性を有し、且つ、良好な画像表示が可能な(動作性能の高い)表示装置を作製する上で非常に有効である。   An equivalent circuit of such a pixel is shown in FIG. 13, and elements common to those in FIG. 10 are denoted by the same reference numerals. The switching TFT 434 has a multi-gate structure, and the current control TFT 436 is provided with an LDD overlapping the gate electrode. Since a TFT using polysilicon exhibits a high operation speed, deterioration such as hot carrier injection is likely to occur. Therefore, it is highly reliable to form TFTs with different structures (switching TFTs with sufficiently low off-state current and TFTs for current control strong against hot carrier injection) having different structures depending on functions in the pixels, and This is very effective in manufacturing a display device capable of displaying a good image (high operation performance).

本発明において、有機発光素子の有機化合物層として用いる有機物質は低分子系有機物質であっても、高分子系有機物質であってもよい。低分子系有機物質はAlq3(トリ−8−キノリライト−アルミニウム)、TPD(トリフェニレルアミン誘導体)等を中心とした材料が知られている。高分子系有機物質として、π共役ポリマー系の物質が挙げられる。代表的には、PPV(ポリフェニレンビニレン)、PVK(ポリビニルカルバゾール)、ポリカーボネート等が挙げられる。 In the present invention, the organic material used as the organic compound layer of the organic light emitting device may be a low molecular weight organic material or a high molecular weight organic material. As the low molecular weight organic materials, materials centering on Alq 3 (tri-8-quinolinite-aluminum), TPD (triphenyleramine derivative) and the like are known. Examples of the high molecular weight organic material include a π-conjugated polymer material. Typically, PPV (polyphenylene vinylene), PVK (polyvinyl carbazole), polycarbonate, and the like can be given.

高分子系有機物質は、スピンコーティング法、ディッピング法、ディスペンス法、印刷法またはインクジェット法など簡易な薄膜形成方法で形成でき、低分子系有機物質に比べて耐熱性が高い。   The high molecular weight organic material can be formed by a simple thin film forming method such as a spin coating method, a dipping method, a dispensing method, a printing method, or an ink jet method, and has higher heat resistance than a low molecular weight organic material.

また、本発明の有機発光ディスプレイが有する有機発光素子において、その有機発光素子が有する有機化合物層が電子輸送層と正孔輸送層とを有している場合、電子輸送層と成功輸送層とを無機の材料、例えば非晶質のSiまたは非晶質のSi1-xx等の非晶質半導体層で構成してもよい。 In the organic light-emitting device of the organic light-emitting display of the present invention, when the organic compound layer of the organic light-emitting device has an electron transport layer and a hole transport layer, an electron transport layer and a successful transport layer are provided. inorganic materials, for example may be constituted by an amorphous semiconductor layer such as amorphous Si or amorphous Si 1-x C x.

非晶質半導体には多数のトラップ準位が存在し、かつ非晶質半導体が他の層と接する界面において多量の界面準位を形成する。そのため、有機発光素子は低い電圧で発光させることができるとともに、高輝度化を図ることもできる。   Many trap states exist in an amorphous semiconductor, and a large amount of interface states are formed at the interface where the amorphous semiconductor is in contact with other layers. Therefore, the organic light emitting device can emit light at a low voltage and can also increase the luminance.

また有機化合物層にドーパントを添加し、有機発光素子の発光の色を変化させてもよい。ドーパントとして、DCM1、ナイルレッド、ルブレン、クマリン6、TPB、キナクリドン等が挙げられる。   Further, a dopant may be added to the organic compound layer to change the light emission color of the organic light emitting element. Examples of the dopant include DCM1, Nile red, rubrene, coumarin 6, TPB, quinacridone and the like.

本実施例では、本発明の有機発光ディスプレイの外観図の一例を図14を用いて説明する。図14は、有機発光素子の形成されたアクティブマトリクス基板において、有機発光素子の封入まで行い、さらにFPC(Flexible Print Circuit :フレキシブルプリント配線板)を設けた状態を示す斜視図である。図9と同等機能を有する部分は同じ符号を付す。点線で囲まれた438aはゲート信号側駆動回路部、438bはソース信号側駆動回路部、439は画素部である。また、431は封止基板である。図示してはいないが、封止基板と基板401との間隙に充填材を設けてもよい。   In this embodiment, an example of an external view of the organic light emitting display of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 14 is a perspective view showing a state where an organic light emitting element is encapsulated and an FPC (Flexible Print Circuit) is further provided in an active matrix substrate on which the organic light emitting element is formed. Parts having the same functions as those in FIG. 438a surrounded by a dotted line is a gate signal side driver circuit portion, 438b is a source signal side driver circuit portion, and 439 is a pixel portion. Reference numeral 431 denotes a sealing substrate. Although not illustrated, a filler may be provided in a gap between the sealing substrate and the substrate 401.

なお、441はゲート信号側駆動回路部438a、ソース信号側駆動回路部438b、画素部439に入力される信号を伝達するための接続配線であり、外部機器との接続端子となるFPC442から信号を受け取る。   Note that reference numeral 441 denotes a connection wiring for transmitting a signal input to the gate signal side driver circuit portion 438a, the source signal side driver circuit portion 438b, and the pixel portion 439, and a signal is transmitted from the FPC 442 serving as a connection terminal with an external device. receive.

ソース信号側駆動回路部、ゲート信号側駆動回路部はnチャネル型TFTとpチャネル型TFTとを相補的に組み合わせたCMOS回路を用いて形成される。   The source signal side driver circuit portion and the gate signal side driver circuit portion are formed using a CMOS circuit in which an n-channel TFT and a p-channel TFT are complementarily combined.

ソース信号側駆動回路部、ゲート信号側駆動回路部は時分割駆動、アナログ駆動など有機発光ディスプレイの駆動方式に応じて公知の回路を採用する。   For the source signal side drive circuit unit and the gate signal side drive circuit unit, a known circuit is adopted according to the driving method of the organic light emitting display such as time division driving and analog driving.

本発明を実施して形成された発光装置は様々な電気器具に内蔵され、画素部は映像表示部として用いられる。本発明の電子装置としては、携帯電話、PDA、電子書籍、ビデオカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置、例えばDVD(Digital Versatile Disc)プレーヤー、デジタルカメラ、などが挙げられる。それら電子装置の具体例を図15、図16に示す。   A light-emitting device formed by implementing the present invention is incorporated in various electric appliances, and a pixel portion is used as an image display portion. Examples of the electronic device of the present invention include a mobile phone, a PDA, an electronic book, a video camera, a notebook personal computer, and an image reproducing device provided with a recording medium, such as a DVD (Digital Versatile Disc) player and a digital camera. Specific examples of these electronic devices are shown in FIGS.

図15(A)は携帯電話であり、表示用パネル9001、操作用パネル9002、接続部9003からなり、表示用パネル9001には表示装置9004、音声出力部9005、アンテナ9009などが設けられている。操作パネル9002には操作キー9006、電源スイッチ9007、音声入力部9008などが設けられている。本発明は表示装置9004に適用することができる。   FIG. 15A illustrates a mobile phone, which includes a display panel 9001, an operation panel 9002, and a connection portion 9003. The display panel 9001 is provided with a display device 9004, an audio output portion 9005, an antenna 9009, and the like. . The operation panel 9002 is provided with operation keys 9006, a power switch 9007, a voice input unit 9008, and the like. The present invention can be applied to the display device 9004.

図15(B)はモバイルコンピュータ或いは携帯型情報端末であり、本体9201、カメラ部9202、受像部9203、操作スイッチ9204、表示装置9205で構成されている。本発明は表示装置9205に適用することができる。
このような電子装置には、3インチから5インチクラスの表示装置が用いられるが、本発明の表示装置を用いることにより、携帯型情報端末の軽量化を図ることができる。
FIG. 15B illustrates a mobile computer or a portable information terminal, which includes a main body 9201, a camera portion 9202, an image receiving portion 9203, operation switches 9204, and a display device 9205. The present invention can be applied to the display device 9205.
For such an electronic device, a 3 inch to 5 inch class display device is used; however, by using the display device of the present invention, the weight of the portable information terminal can be reduced.

図15(C)は携帯書籍であり、本体9301、表示装置9202〜9303、記憶媒体9304、操作スイッチ9305、アンテナ9306から構成されており、ミニディスク(MD)やDVDに記憶されたデータや、アンテナで受信したデータを表示するものである。本発明は表示装置9302〜9303に用いることができる。携帯書籍は、4インチから12インチクラスの表示装置が用いられるが、本発明の表示装置を用いることにより、携帯書籍の軽量化と薄型化を図ることができる。   FIG. 15C illustrates a portable book, which includes a main body 9301, display devices 9202 to 9303, a storage medium 9304, operation switches 9305, and an antenna 9306, and data stored in a minidisc (MD) or DVD, The data received by the antenna is displayed. The present invention can be used for the display devices 9302 to 9303. A portable book uses a 4-inch to 12-inch class display device, but by using the display device of the present invention, the portable book can be reduced in weight and thickness.

図15(D)はビデオカメラであり、本体9401、表示装置9402、音声入力部9403、操作スイッチ9404、バッテリー9405、受像部9406などで構成されている。本発明は表示装置9402に適用することができる。   FIG. 15D illustrates a video camera which includes a main body 9401, a display device 9402, an audio input portion 9403, operation switches 9404, a battery 9405, an image receiving portion 9406, and the like. The present invention can be applied to the display device 9402.

図16(A)はパーソナルコンピュータであり、本体9601、画像入力部9602、表示装置9603、キーボード9604で構成される。本発明は表示装置9603に適用することができる。   FIG. 16A illustrates a personal computer which includes a main body 9601, an image input portion 9602, a display device 9603, and a keyboard 9604. The present invention can be applied to the display device 9603.

図16(B)はプログラムを記録した記録媒体(以下、記録媒体と呼ぶ)を用いるプレーヤーであり、本体9701、表示装置9702、スピーカ部9703、記録媒体9704、操作スイッチ9705で構成される。なお、この装置は記録媒体としてDVD(Digital Versatile Disc)、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。本発明は表示装置9702に適用することができる。   FIG. 16B shows a player using a recording medium (hereinafter referred to as a recording medium) in which a program is recorded. The player includes a main body 9701, a display device 9702, a speaker portion 9703, a recording medium 9704, and operation switches 9705. This apparatus uses a DVD (Digital Versatile Disc), CD, or the like as a recording medium, and can perform music appreciation, movie appreciation, games, and the Internet. The present invention can be applied to the display device 9702.

図16(C)はデジタルカメラであり、本体9801、表示装置9802、接眼部9803、操作スイッチ9804、受像部(図示しない)で構成される。本発明は表示装置9802に適用することができる。   FIG. 16C illustrates a digital camera which includes a main body 9801, a display device 9802, an eyepiece unit 9803, an operation switch 9804, and an image receiving unit (not shown). The present invention can be applied to the display device 9802.

本発明の表示装置は図15(A)の携帯電話、図15(B)のモバイルコンピュータ或いは携帯型情報端末、図15(C)の携帯書籍、図16(A)のパーソナルコンピュータに用い、スタンバイモードにおいて黒色の背景を表示することで機器の消費電力を抑えることができる。   The display device of the present invention is used for the mobile phone shown in FIG. 15A, the mobile computer or portable information terminal shown in FIG. 15B, the portable book shown in FIG. 15C, and the personal computer shown in FIG. By displaying a black background in the mode, the power consumption of the device can be suppressed.

また、図15(A)で示す携帯電話操作において、操作キーを使用している時に輝度を下げ、操作スイッチの使用が終わったら輝度を上げることで低消費電力化することができる。また、着信した時に表示装置の輝度を上げ、通話中は輝度を下げることによっても低消費電力化することができる。また、継続的に使用している場合に、リセットしない限り時間制御で表示がオフになるような機能を持たせることで低消費電力化を図ることもできる。なお、これらはマニュアル制御であっても良い。   In the cellular phone operation shown in FIG. 15A, the power consumption can be reduced by decreasing the luminance when the operation key is used and increasing the luminance when the operation switch is used. Further, the power consumption can be reduced by increasing the brightness of the display device when an incoming call is received and decreasing the brightness during a call. Further, in the case of continuous use, it is possible to reduce power consumption by providing a function that turns off display by time control unless resetting. Note that these may be manual control.

ここでは図示しなかったが、本発明はその他にもナビゲーションシステムをはじめ冷蔵庫、洗濯機、電子レンジ、固定電話機、ファクシミリなどに組み込む表示装置としても適用することも可能である。このように本発明の適用範囲はきわめて広く、さまざまな製品に適用することができる。   Although not shown here, the present invention can also be applied to a display device incorporated in a navigation system, a refrigerator, a washing machine, a microwave oven, a fixed telephone, a facsimile, and the like. Thus, the application range of the present invention is very wide and can be applied to various products.

100 画素
101 スイッチング用TFT
102 電流制御用TFT
103 コンデンサー
104 整流用TFT
105 有機発光素子
106 交流電源
109 整流素子
100 pixel 101 switching TFT
102 Current control TFT
103 Capacitor 104 Rectifying TFT
105 Organic Light Emitting Element 106 AC Power Supply 109 Rectifier

Claims (2)

画素に、第1のトランジスタと、有機発光素子と、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、を有し
前記第3のトランジスタのゲートはゲート信号線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方はソース信号線に電気的に接続され、他方は前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は第1の配線電気的に接続され、他方は前記有機発光素子の画素電極に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第1の配線電気的に接続されるとともに前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、前記第2のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は前記画素電極に電気的に接続され、
前記有機発光素子の対向電極は第2の配線電気的に接続され、
前記第1の配線は、第1の電源の一端の電位を供給する機能を有し、
前記第2の配線は、前記第1の電源の他端の電位を供給する機能を有し、
前記第1の電源は、極性の異なる電圧を交互に供給する機能を有し、
記対向電極高電位が供給され、前記第2のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの一方低電位が供給されると、前記有機発光素子に逆方向バイアスが印加されることを特徴とする表示装置。
The pixel has a first transistor, and an organic light emitting element, a second transistor, a third transistor, a,
A gate of the third transistor is electrically connected to a gate signal line; one of a source and a drain is electrically connected to the source signal line; the other is electrically connected to a gate of the first transistor;
Wherein one of a source and a drain of the first transistor is electrically connected to the first wiring, the other is electrically connected to the pixel electrode of the organic light emitting element,
The gate of the second transistor is electrically connected to one of a source and a drain of the second transistor is electrically connected to said first wiring, said source and said drain of said second transistor Is electrically connected to the pixel electrode,
The counter electrode of the organic light emitting element is electrically connected to the second wiring ,
The first wiring has a function of supplying a potential of one end of a first power source,
The second wiring has a function of supplying a potential of the other end of the first power source,
The first power source has a function of alternately supplying voltages having different polarities,
A high potential is supplied before Symbol counter electrode, when a low potential is supplied to one of said source and said drain of said second transistor, a reverse bias is characterized in that it is applied to the organic light emitting element Display device.
請求項において、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタが同じ導電型のトランジスタであることを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 1 , wherein the first transistor and the second transistor are transistors of the same conductivity type.
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