JP5308135B2 - RFID inlet manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、ＲＦＩＤ用インレット及びその製造技術に関し、特に、ＲＦＩＤ用チップがフリップチップ接続されるＲＦＩＤ用インレットに関する。   The present invention relates to an RFID inlet and a manufacturing technique thereof, and more particularly to an RFID inlet in which an RFID chip is flip-chip connected.

ポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁フィルムの一面に接着したＣｕ箔からなるアンテナと、このアンテナに接続された半導体チップとを備えた電子タグ用インレットにおいて、半導体チップの主面上に、Ａｕバンプ９ａ、９ｂとダミーのＡｕバンプ９ｃ、９ｄとが形成された構造を有する技術がある（例えば、特許文献１参照）。   In an electronic tag inlet provided with an antenna made of Cu foil adhered to one surface of an insulating film made of a polyimide resin film and a semiconductor chip connected to the antenna, Au bumps 9a and 9b are formed on the main surface of the semiconductor chip. And a technique of forming dummy Au bumps 9c and 9d (see, for example, Patent Document 1).

ポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁フィルムの一面に接着したＣｕ膜からなるアンテナと、このアンテナに接続された半導体チップとを備えた電子タグ用インレットにおいて、半導体チップのＡｕバンプ（９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ）がＡｕ−Ｓｎ共晶合金層を介してリードパターンに接続された構造を有する技術がある（例えば、特許文献２参照）。
特開２００４−８６６４４号公報 特開２００４−３５５４６９号公報 In an electronic tag inlet having an antenna made of a Cu film adhered to one surface of an insulating film made of a polyimide resin film and a semiconductor chip connected to the antenna, Au bumps (9a, 9b, 9c, 9d) of the semiconductor chip ) Is connected to a lead pattern through an Au—Sn eutectic alloy layer (see, for example, Patent Document 2).
JP 2004-86644 A JP 2004-355469 A

近年、非接触型の電子タグやＲＦＩＤ（Radio Frequency IDentification)用タグ等に搭載されるＲＦＩＤ用インレットが開発されている。このＲＦＩＤ用インレットの薄型化を実現するためには、ＲＦＩＤ用インレットに搭載されるＲＦＩＤ用チップ（以降、単にチップともいう）をフィルム等の上に設けられた金属パターンにフリップチップ接続して実装することが有効である。   In recent years, RFID inlets mounted on non-contact type electronic tags, RFID (Radio Frequency IDentification) tags, and the like have been developed. In order to reduce the thickness of the RFID inlet, an RFID chip (hereinafter simply referred to as a chip) mounted on the RFID inlet is flip-chip connected to a metal pattern provided on a film or the like. It is effective to do.

ここで、ＲＦＩＤ用チップの主面には、入力用とＧＮＤ用のパッドの合計２パッドが形成されているが、フリップチップ接続する際にバンプ電極が２つしかチップの主面に配置されていない場合、安定してチップを実装することが困難であることから、前記特許文献１及び２に示すように、チップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）も意図的に設けることが有効である。   Here, a total of two pads for input and GND are formed on the main surface of the RFID chip, but only two bump electrodes are arranged on the main surface of the chip for flip chip connection. If not, it is difficult to stably mount the chip. Therefore, as shown in Patent Documents 1 and 2, it is effective to intentionally provide a bump electrode (dummy bump electrode) for supporting the chip.

しかしながら、このようなダミーバンプ電極を有するＲＦＩＤ用チップをフリップチップ接続した場合、本願発明者は以下の問題を発見した。   However, when the RFID chip having such a dummy bump electrode is flip-chip connected, the inventor of the present application has found the following problem.

すなわち、チップは、超音波を用いてバンプ電極と金属パターンとの接合が行われるが、チップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）が形成されていると、チップ支持用のバンプ電極と金属パターンとの接合も同時に行われるため、後の工程で、入力用のバンプ電極及びＧＮＤ用のバンプ電極の接合強度を検査する際、入力用のバンプ電極及びＧＮＤ用のバンプ電極のみの接合強度を測定できないことが問題である。   That is, in the chip, the bump electrode and the metal pattern are bonded using ultrasonic waves, but when the bump electrode for supporting the chip (dummy bump electrode) is formed, the bump electrode for supporting the chip and the metal pattern are In the subsequent process, when the bonding strength of the input bump electrode and the GND bump electrode is inspected, the bonding strength of only the input bump electrode and the GND bump electrode cannot be measured. That is a problem.

また、チップ支持用のバンプ電極が確実にアンテナ部と接合していても、本来接合しておく必要がある入力用のバンプ電極及びＧＮＤ用のバンプ電極の接合信頼性を向上できないことが問題である。   In addition, even if the bump electrode for supporting the chip is securely bonded to the antenna portion, it is a problem that the reliability of bonding of the bump electrode for input and the bump electrode for GND that should be bonded cannot be improved. is there.

本発明の目的は、ＲＦＩＤ用インレットにおいて入力用のバンプ電極及びＧＮＤ用のバンプ電極のみの接合強度を測定することができる技術を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a technique capable of measuring the bonding strength of only an input bump electrode and a GND bump electrode in an RFID inlet.

また、本発明の他の目的は、ＲＦＩＤ用インレットにおいて入力用のバンプ電極及びＧＮＤ用のバンプ電極の接合信頼性を向上することができる技術を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a technique capable of improving the bonding reliability of the bump electrode for input and the bump electrode for GND in the RFID inlet.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。   Of the inventions disclosed in this application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.

すなわち、本発明は、以下の工程を含むものである。（ａ）整合回路部、及び前記整合回路部と一体に形成されたアンテナ部を有する金属パターンが貼り付けられた支持部材を準備する工程；（ｂ）回路素子及び複数のバンプ電極が形成された主面、及び前記主面と反対側の裏面を有するＲＦＩＤ用チップを、前記主面が前記金属パターンと対向するように、前記複数のバンプ電極を介して前記整合回路部のチップ搭載領域に配置する工程。さらに、（ｃ）前記ＲＦＩＤ用チップの前記裏面側から治具を介して超音波を印加し、前記複数のバンプ電極と前記金属パターンとを接合する工程；ここで、前記ＲＦＩＤ用チップの前記複数のバンプ電極は、前記回路素子と電気的に接続された入力用のバンプ電極と、前記回路素子と電気的に接続されたＧＮＤ用のバンプ電極と、前記回路素子と電気的に接続されないチップ支持用のバンプ電極とを有している。また、前記チップ搭載領域は、前記入力用のバンプ電極と接続される第１パターンと、前記ＧＮＤ用のバンプ電極と接続される第２パターンと、前記チップ支持用のバンプ電極と接続される第３パターンとを有し、前記第３パターンは、前記第１及び第２パターンから分離されている。さらに、（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１パターンと前記第２パターンの上に跨がって配置される前記ＲＦＩＤ用チップの側面に対して、前記第１パターン側から前記第３パターン側に向かう荷重を付与して前記入力用のバンプ電極及び前記ＧＮＤ用のバンプ電極の接合強度を検査する工程。 That is, the present invention includes the following steps. (A) a step of preparing a support member to which a metal pattern having a matching circuit portion and an antenna portion formed integrally with the matching circuit portion is attached; (b) a circuit element and a plurality of bump electrodes are formed. An RFID chip having a main surface and a back surface opposite to the main surface is arranged in the chip mounting region of the matching circuit portion via the plurality of bump electrodes so that the main surface faces the metal pattern. Process. And (c) a step of applying ultrasonic waves from the back side of the RFID chip via a jig to join the plurality of bump electrodes and the metal pattern; wherein the plurality of RFID chips The bump electrode is composed of an input bump electrode electrically connected to the circuit element, a GND bump electrode electrically connected to the circuit element, and a chip support not electrically connected to the circuit element. And a bump electrode. The chip mounting region includes a first pattern connected to the input bump electrode, a second pattern connected to the GND bump electrode, and a second pattern connected to the chip support bump electrode. And the third pattern is separated from the first and second patterns. Furthermore, (d) after the step (c), the first pattern side from the first pattern side with respect to the side surface of the RFID chip disposed over the first pattern and the second pattern. A step of inspecting the bonding strength of the bump electrode for input and the bump electrode for GND by applying a load toward the three pattern side.

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。   Of the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.

ＲＦＩＤ用インレットにおいて、整合回路部のチップ搭載領域の第３パターンが第１及び第２パターンから分離されていることにより、超音波印加によるフリップチップ接続時のチップ支持用のバンプ電極の接合力を、入力用のバンプ電極の接合力やＧＮＤ用のバンプ電極の接合力に比べて弱くすることができ、バンプ電極の接合強度検査において入力用のバンプ電極及びＧＮＤ用のバンプ電極のみの接合強度を測定することができる。   In the RFID inlet, the third pattern of the chip mounting area of the matching circuit portion is separated from the first and second patterns, so that the bonding force of the bump electrode for supporting the chip at the time of flip chip connection by applying ultrasonic waves is increased. The bonding strength of the bump electrode for input and the bonding strength of the bump electrode for GND can be weakened, and in the bonding strength inspection of the bump electrode, the bonding strength of only the bump electrode for input and the bump electrode for GND is reduced. Can be measured.

入力用のバンプ電極とＧＮＤ用のバンプ電極のみの接合だけを管理すればよいため、入力用のバンプ電極やＧＮＤ用のバンプ電極の接合の品質維持を容易に行うことができ、ＲＦＩＤ用インレットにおける入力用のバンプ電極及びＧＮＤ用のバンプ電極の接合信頼性を向上することができる。   Since it is only necessary to manage the bonding of only the bump electrode for input and the bump electrode for GND, the quality of the bonding of the bump electrode for input and the bump electrode for GND can be easily maintained. The bonding reliability of the bump electrode for input and the bump electrode for GND can be improved.

以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。   In the following embodiments, the description of the same or similar parts will not be repeated in principle unless particularly necessary.

さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。   Further, in the following embodiment, when it is necessary for the sake of convenience, the description will be divided into a plurality of sections or embodiments, but they are not irrelevant to each other unless otherwise specified. The other part or all of the modifications, details, supplementary explanations, and the like are related.

また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。   Also, in the following embodiments, when referring to the number of elements (including the number, numerical value, quantity, range, etc.), particularly when clearly indicated and when clearly limited to a specific number in principle, etc. Except, it is not limited to the specific number, and it may be more or less than the specific number.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiments, and the repetitive description thereof will be omitted.

（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１のＲＦＩＤ用インレットの構造の一例を示す平面図、図２は図１のＡ部の構造を拡大して示す部分拡大平面図、図３は図２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す拡大部分断面図である。また、図４は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立て手順の一例を示す製造フロー図、図５は図１に示すＲＦＩＤ用インレットに搭載されるＲＦＩＤ用チップの主面側の構造の一例を示す平面図、図６は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てで用いられるベースフィルム上の金属パターンの一例を示す平面図である。さらに、図７は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおけるフリップチップボンディング時の構造の一例を示す部分平面図、図８は図７のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す拡大断面図、図９は図７のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造を示す拡大断面図、図１０は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおけるフリップチップボンディング後の接合強度測定の状態の一例を示す断面図である。 (Embodiment 1)
1 is a plan view showing an example of the structure of an RFID inlet according to Embodiment 1 of the present invention, FIG. 2 is a partially enlarged plan view showing the structure of part A in FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram in FIG. It is an expanded partial sectional view which shows the structure cut | disconnected along the -A line. 4 is a manufacturing flow diagram showing an example of the assembly procedure of the RFID inlet shown in FIG. 1, and FIG. 5 shows an example of the structure on the main surface side of the RFID chip mounted on the RFID inlet shown in FIG. FIG. 6 is a plan view showing an example of a metal pattern on a base film used in assembling the RFID inlet shown in FIG. 7 is a partial plan view showing an example of the structure at the time of flip chip bonding in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. 1, and FIG. 8 is an enlarged sectional view showing the structure cut along the line AA in FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view showing a structure cut along the line BB in FIG. 7, and FIG. 10 shows an example of a state of bonding strength measurement after flip chip bonding in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. It is sectional drawing.

また、図１１は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける保護用樹脂塗布時の構造の一例を示す部分平面図、図１２は図１１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す拡大断面図、図１３は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける保護用樹脂硬化時の構造の一例を示す部分平面図、図１４は図１３のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す拡大断面図である。さらに、図１５は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける通信特性検査時の構造の一例を示す部分平面図、図１６は図１５の通信特性検査時の構造の一例を示す部分側面図、図１７は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける金属パターン付きベースフィルムの流れ方向の一例を示す部分平面図、図１８は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける保護用樹脂硬化後のベースフィルムの流れ方向の一例を示す部分平面図である。また、図１９は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける製品巻き取り構造（外巻き）の一例を示す平面図、図２０は図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける製品巻き取り構造（内巻き）の一例を示す平面図、図２１は本発明の実施の形態１の第１変形例のＲＦＩＤ用インレットの内部構造を示す部分平面図、図２２は本発明の実施の形態１の第２変形例のＲＦＩＤ用インレットの内部構造を示す部分平面図である。   11 is a partial plan view showing an example of a structure when a protective resin is applied in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. 1, and FIG. 12 is an enlarged cross section showing the structure cut along the line AA in FIG. FIG. 13, FIG. 13 is a partial plan view showing an example of the structure when the protective resin is cured in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. 1, and FIG. 14 is an enlarged cross section showing the structure cut along the line AA in FIG. FIG. 15 is a partial plan view showing an example of the structure at the time of communication characteristic inspection in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. 1, and FIG. 16 is a partial side view showing an example of the structure at the time of communication characteristic inspection of FIG. 17 is a partial plan view showing an example of the flow direction of the base film with a metal pattern in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. 1, and FIG. 18 is a view of the base film after curing the protective resin in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. It is a partial top view which shows an example of a flow direction. 19 is a plan view showing an example of a product winding structure (outer winding) in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. 1, and FIG. 20 is a product winding structure (inner winding in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. FIG. 21 is a partial plan view showing the internal structure of the RFID inlet according to the first modification of the first embodiment of the present invention, and FIG. 22 is a second modification of the first embodiment of the present invention. It is a partial top view which shows the internal structure of the inlet for RFID of an example.

本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレットは、非接触型のＲＦＩＤタグ用のインレットであり、例えば、通信回路を備えたＲＦＩＤ用チップ１と、金属箔等からなる小型アンテナとを有するものである。なお、本実施の形態１で使用する周波数帯域は、８６０ＭＨｚから９６０ＭＨｚのＵＨＦ帯域であるが、もちろんこの周波数帯域以外のものであっても良い。   The RFID inlet according to the first embodiment is an inlet for a non-contact type RFID tag, and has, for example, an RFID chip 1 having a communication circuit and a small antenna made of metal foil or the like. Note that the frequency band used in the first embodiment is the UHF band from 860 MHz to 960 MHz, but of course, other frequency bands may be used.

図１〜図３に示すＲＦＩＤ用インレット７の構成について説明すると、細長い長方形の絶縁性のベースフィルム（支持部材）３と、その表面に貼り付けられた金属箔からなる金属パターン４と、複数のバンプ電極２を介してフリップチップボンディングで金属パターン４に電気的に接続されたＲＦＩＤ用チップ１と、ＲＦＩＤ用チップ１の外周部に塗布された保護用樹脂８とからなる。保護用樹脂８は、ＲＦＩＤ用チップ１と金属パターン４の間、及びＲＦＩＤ用チップ１とベースフィルム３の間にも充填されている（図１２参照）。   The configuration of the RFID inlet 7 shown in FIGS. 1 to 3 will be described. An elongated rectangular insulating base film (supporting member) 3, a metal pattern 4 made of a metal foil attached to the surface thereof, and a plurality of The RFID chip 1 is electrically connected to the metal pattern 4 by flip chip bonding via the bump electrode 2 and the protective resin 8 is applied to the outer periphery of the RFID chip 1. The protective resin 8 is also filled between the RFID chip 1 and the metal pattern 4 and between the RFID chip 1 and the base film 3 (see FIG. 12).

なお、図２及び図３では接合部等の構造説明のために、保護用樹脂８は省略して示している。   In FIGS. 2 and 3, the protective resin 8 is omitted for the description of the structure of the joint and the like.

また、ベースフィルム３は、樹脂シート等であってもよく、例えば、ポリエチレン・テレフタレートあるいはポリエチレン・ナフタレート等を主要な成分とする絶縁性の樹脂からなる。   The base film 3 may be a resin sheet or the like, and is made of, for example, an insulating resin containing polyethylene terephthalate or polyethylene naphthalate as a main component.

さらに、ベースフィルム３上に接着、かつ配置された金属パターン４は、メタル薄膜パターン（金属箔）であり、例えば、アルミニウムを主要な成分とする薄膜からなる。金属パターン４は、図１に示すように、ＲＦＩＤ用チップ１が電気的に接続されたループ（枠）状の整合回路部４ａと、この整合回路部４ａと一体に形成され、かつ整合回路部４ａの両側に配置されたアンテナ部４ｂを有している。   Furthermore, the metal pattern 4 adhered and arranged on the base film 3 is a metal thin film pattern (metal foil), for example, made of a thin film containing aluminum as a main component. As shown in FIG. 1, the metal pattern 4 is formed integrally with the matching circuit unit 4a and a matching circuit unit 4a having a loop (frame) shape to which the RFID chip 1 is electrically connected. It has the antenna part 4b arrange | positioned at the both sides of 4a.

また、ＲＦＩＤ用チップ（半導体素子、ＲＦＩＤタグ・チップ）１は、図５に示すように、回路素子１ｃ及び複数のバンプ電極２が形成された主面１ａ、及び主面１ａと反対側の裏面１ｂを有している。そこで、ＲＦＩＤ用チップ１は、主面１ａが金属パターン４と対向するように、図２に示すように整合回路部４ａのチップ搭載領域４ｃに複数のバンプ電極２を介して搭載されている。すなわち、ＲＦＩＤ用チップ１は、フリップチップボンディングによって金属パターン４に接続されている。   Further, as shown in FIG. 5, an RFID chip (semiconductor element, RFID tag chip) 1 includes a main surface 1a on which a circuit element 1c and a plurality of bump electrodes 2 are formed, and a back surface opposite to the main surface 1a. 1b. Therefore, the RFID chip 1 is mounted via a plurality of bump electrodes 2 on the chip mounting region 4c of the matching circuit portion 4a as shown in FIG. 2 so that the main surface 1a faces the metal pattern 4. That is, the RFID chip 1 is connected to the metal pattern 4 by flip chip bonding.

なお、図１に示すように金属パターン４のアンテナ部４ｂは、ＲＦＩＤ用チップ１を中心として、その両側にほぼ対称に配置されている。また、アンテナ部４ｂの形状は、例えば、ダイポール・アンテナ（単一ダイポール・アンテナ（Single Dipole Antenna)）であり、２つの極（又は電極）を有している。   As shown in FIG. 1, the antenna portion 4b of the metal pattern 4 is disposed substantially symmetrically on both sides of the RFID chip 1 as a center. The shape of the antenna unit 4b is, for example, a dipole antenna (Single Dipole Antenna) and has two poles (or electrodes).

本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレット７では、図５に示すようにＲＦＩＤ用チップ１の主面１ａに４つのバンプ電極２が設けられているが、これらは、回路素子１ｃと電気的に接続された入力用のバンプ電極２ａと、回路素子１ｃと電気的に接続されたＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと、回路素子１ｃと電気的に接続されないチップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃである。つまり、ＲＦＩＤ用チップ１には、１つの入力用のバンプ電極２ａ（入力端子）と、１つのＧＮＤ用のバンプ電極２ｂ（ＧＮＤ端子）と、２つのチップ支持用のバンプ電極２ｃが設けられている。   In the RFID inlet 7 of the first embodiment, as shown in FIG. 5, four bump electrodes 2 are provided on the main surface 1a of the RFID chip 1, and these are electrically connected to the circuit element 1c. The input bump electrode 2a, the GND bump electrode 2b electrically connected to the circuit element 1c, and the chip support bump electrode (dummy bump electrode) 2c not electrically connected to the circuit element 1c. . That is, the RFID chip 1 is provided with one bump electrode 2a (input terminal) for input, one bump electrode 2b for GND (GND terminal), and two bump electrodes 2c for supporting the chip. Yes.

ただし、ＲＦＩＤ用チップ１では前記入力端子と前記ＧＮＤ端子とにおいて、例えば、前記入力端子は、出力端子に切り換わってもよく、あるいは、前記入力端子と前記ＧＮＤ端子の双方が、同時に入出力の機能を担ってもよい。また、チップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃは、チップ支持構造の安定性を保つために配置されたバンプである。   However, in the RFID chip 1, for example, the input terminal may be switched to the output terminal in the input terminal and the GND terminal, or both the input terminal and the GND terminal are input / output simultaneously. It may take on a function. Further, the chip support bump electrode (dummy bump electrode) 2c is a bump disposed in order to maintain the stability of the chip support structure.

これらのバンプ電極２に対応してフリップチップボンディングが可能なように、図２に示す金属パターン４におけるチップ搭載領域４ｃは、入力用のバンプ電極２ａと電気的に接続される第１パターン４ｄと、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと電気的に接続される第２パターン４ｅと、チップ支持用のバンプ電極２ｃと接続される第３パターン４ｆとを有しており、第３パターン４ｆは円形であるとともに、第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅから分離されている。   The chip mounting area 4c in the metal pattern 4 shown in FIG. 2 has a first pattern 4d electrically connected to the input bump electrode 2a so that flip chip bonding can be performed corresponding to these bump electrodes 2. The second pattern 4e is electrically connected to the GND bump electrode 2b, and the third pattern 4f is connected to the chip supporting bump electrode 2c. The third pattern 4f is circular. At the same time, it is separated from the first pattern 4d and the second pattern 4e.

すなわち、図６に示すように、金属パターン４から成る整合回路部４ａのチップ搭載領域４ｃには、ＲＦＩＤ用チップ１のバンプ電極２と接続するための第１パターン４ｄ、第２パターン４ｅ及び第３パターン４ｆが設けられており、それらのうち、第１パターン４ｄと第２パターン４ｅは、開口部４ｇを挟んでその両側に配置され、それぞれが開口部４ｇと反対側の端部で整合回路部４ａに接続されている。言い換えれば、第1パターン４ｄと第２パターン４ｅのそれぞれは、整合回路部４ａの一部であり、この整合回路部４ａと一体に形成されている。なお、図１及び図２に示すように、チップ搭載領域（チップ・ボンディング部）４ｃ内で見れば、第１パターン４ｄと第２パターン４ｅも互いに分離されているが、整合回路部４ａの領域内で見れば、第１パターン４ｄと第２パターン４ｅは一体に形成されている。つまり、チップ搭載領域４ｃの外側で第１パターン４ｄと第２パターン４ｅは一体に形成されている。また、チップ搭載領域４ｃ内において、第１パターン４ｄの面積は、第２パターン４ｅの面積とほぼ同じ大きさである。   That is, as shown in FIG. 6, in the chip mounting region 4c of the matching circuit portion 4a made of the metal pattern 4, the first pattern 4d, the second pattern 4e, and the second pattern 4a are connected to the bump electrode 2 of the RFID chip 1. 3 patterns 4f are provided, and among them, the first pattern 4d and the second pattern 4e are arranged on both sides of the opening 4g, and each of them is a matching circuit at the end opposite to the opening 4g. It is connected to the part 4a. In other words, each of the first pattern 4d and the second pattern 4e is a part of the matching circuit unit 4a, and is formed integrally with the matching circuit unit 4a. As shown in FIGS. 1 and 2, the first pattern 4d and the second pattern 4e are separated from each other when viewed in the chip mounting region (chip bonding portion) 4c, but the region of the matching circuit portion 4a. If seen inside, the 1st pattern 4d and the 2nd pattern 4e are formed in one. That is, the first pattern 4d and the second pattern 4e are integrally formed outside the chip mounting area 4c. In the chip mounting area 4c, the area of the first pattern 4d is almost the same as the area of the second pattern 4e.

また、ダミーバンプ電極となるチップ支持用のバンプ電極２ｃと接続する２つの第３パターン４ｆは、それぞれ第１パターン４ｄ、第２パターン４ｅ及び整合回路部４ａから分離しており、それぞれは浮島状に形成されている。また、２つの第３パターン４ｆのそれぞれの面積は、第１パターン４ｄ（又は、第２パターン４ｅ）の面積、第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅを有する整合回路部４ａの面積、又はこの整合回路部４ａとアンテナ部４ｂの総面積よりも小さい。   Further, the two third patterns 4f connected to the chip supporting bump electrodes 2c to be the dummy bump electrodes are separated from the first pattern 4d, the second pattern 4e, and the matching circuit portion 4a, respectively, and each has a floating island shape. Is formed. The area of each of the two third patterns 4f is the area of the first pattern 4d (or the second pattern 4e), the area of the matching circuit unit 4a having the first pattern 4d and the second pattern 4e, or this matching. It is smaller than the total area of the circuit part 4a and the antenna part 4b.

ここで、ベースフィルム３上への金属パターン４の形成方法について説明する。   Here, a method for forming the metal pattern 4 on the base film 3 will be described.

本実施の形態１の金属パターン４は、例えば、グラビア印刷と呼ばれる印刷方式でベースフィルム３上に形成される。この方式は、ベースフィルム３上に接着剤を介して金属箔を貼り付け、その後、所望のパターンにインクを塗布し、エッチング液に浸すことで、インクが塗布されたパターンの周囲の金属箔が削り取られ、最後に残ったインクを薬液によって除去することで、所望のパターンの金属箔（金属パターン４）を形成できる。   The metal pattern 4 of the first embodiment is formed on the base film 3 by a printing method called gravure printing, for example. In this method, a metal foil is pasted on the base film 3 via an adhesive, and then the ink is applied to a desired pattern and immersed in an etching solution, so that the metal foil around the pattern to which the ink is applied can be obtained. A desired pattern of metal foil (metal pattern 4) can be formed by removing the ink that has been scraped off and finally left with a chemical solution.

なお、グラビア印刷の場合、エッチングにより不要な金属箔を除去するため、金属パターン４を形成する際、四角形よりも、円形や楕円の方が形成し易い。   In the case of gravure printing, unnecessary metal foil is removed by etching. Therefore, when forming the metal pattern 4, a circle or an ellipse is easier to form than a quadrangle.

また、本実施の形態１では、ＲＦＩＤ用チップ１をフリップチップボンディングによって金属パターン４に接合する際に、超音波と熱（例えば、８０℃程度）をＲＦＩＤ用チップ１に印加して接合している。つまり、接合ツールを介して印加された超音波を用いて、金属パターン４にＲＦＩＤ用チップ１のバンプ電極２を擦り付け、これにより金属パターン４とバンプ電極２を金属間接合させるのであるが、その際、適度な加熱も行うことで接合の安定度を高める（プロセスマージンを大きくする）ことができる。   In the first embodiment, when the RFID chip 1 is bonded to the metal pattern 4 by flip chip bonding, ultrasonic waves and heat (for example, about 80 ° C.) are applied to the RFID chip 1 and bonded. Yes. That is, the bump electrode 2 of the RFID chip 1 is rubbed against the metal pattern 4 using ultrasonic waves applied through the bonding tool, and thereby the metal pattern 4 and the bump electrode 2 are bonded between the metals. At this time, the stability of bonding can be increased (process margin can be increased) by performing appropriate heating.

しかしながら、本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレット７は、上記したように、金属パターン４のチップ搭載領域４ｃのダミーバンプ電極に接合する第３パターン４ｆを、第１パターン４ｄ、第２パターン４ｅ及び整合回路部４ａから分離している。すなわち、梁となるようなパターンによって第３パターン４ｆを支持していない。そのため超音波を用いてバンプ電極２を金属パターン４に接続する際に、第３パターン４ｆを超音波の振動方向（第1方向９）６に沿って動かすことができる。   However, as described above, the RFID inlet 7 according to the first embodiment has the third pattern 4f bonded to the dummy bump electrode in the chip mounting region 4c of the metal pattern 4, the first pattern 4d, the second pattern 4e, and the alignment. It is separated from the circuit part 4a. That is, the third pattern 4f is not supported by a pattern that becomes a beam. Therefore, when the bump electrode 2 is connected to the metal pattern 4 using ultrasonic waves, the third pattern 4 f can be moved along the ultrasonic vibration direction (first direction 9) 6.

これにより、チップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃと第３パターン４ｆの接合力を、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力やＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力に比べて弱くすることができる。   As a result, the bonding force between the chip support bump electrode (dummy bump electrode) 2c and the third pattern 4f, the bonding force between the input bump electrode 2a and the first pattern 4d, or the GND bump electrode 2b and the second pattern 4e. It can be made weaker than the bonding force.

その結果、図１０に示すようなフリップチップ接続後のバンプ電極２の接続強度検査において、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力やＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力における本来の接合力を知ることができる。   As a result, in the connection strength inspection of the bump electrode 2 after the flip-chip connection as shown in FIG. 10, the bonding force between the bump electrode 2a for input and the first pattern 4d or the bump electrode 2b for GND and the second pattern 4e. It is possible to know the original bonding force in the bonding force.

さらに、入力用のバンプ電極２ａやＧＮＤ用のバンプ電極２ｂそれぞれの本来の接合力を知ることができるため、入力用のバンプ電極２ａとＧＮＤ用のバンプ電極２ｂのみの接合だけを管理すればよく、したがって、入力用のバンプ電極２ａやＧＮＤ用のバンプ電極２ｂの接合の品質維持を容易に行うことができる。   Further, since the original bonding force of each of the input bump electrode 2a and the GND bump electrode 2b can be known, it is only necessary to manage the bonding of only the input bump electrode 2a and the GND bump electrode 2b. Therefore, it is possible to easily maintain the bonding quality of the bump electrode 2a for input and the bump electrode 2b for GND.

これにより、ＲＦＩＤ用インレット７における入力用のバンプ電極２ａ及びＧＮＤ用のバンプ電極２ｂの接合信頼性を向上することができる。   As a result, the bonding reliability of the bump electrode 2a for input and the bump electrode 2b for GND in the RFID inlet 7 can be improved.

さらに、本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレット７においては、第３パターン４ｆが第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅから分離していることに加えて、図２に示すように、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第１パターン４ｄの面積が、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第３パターン４ｆの面積よりも大きく形成されている。同様に、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第２パターン４ｅの面積は、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第３パターン４ｆの面積よりも大きく形成されている。   Furthermore, in the RFID inlet 7 according to the first embodiment, in addition to the third pattern 4f being separated from the first pattern 4d and the second pattern 4e, as shown in FIG. The area of the first pattern 4d that overlaps with the RFID chip 1 is larger than the area of the third pattern 4f that overlaps the RFID chip 1 in a plane. Similarly, the area of the second pattern 4e that planarly overlaps the RFID chip 1 is formed larger than the area of the third pattern 4f that planarly overlaps the RFID chip 1.

これにより、チップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃと第３パターン４ｆの接合力を、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力や、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力に比べてより確実に弱くすることができる。   As a result, the bonding force between the chip supporting bump electrode (dummy bump electrode) 2c and the third pattern 4f, the bonding force between the input bump electrode 2a and the first pattern 4d, and the GND bump electrode 2b and the second pattern are combined. Compared to the bonding force of 4e, it can be weakened more reliably.

その結果、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力やＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力における本来の接合力をより確実に知ることができる。   As a result, it is possible to know the bonding force between the input bump electrode 2a and the first pattern 4d and the bonding force between the GND bump electrode 2b and the second pattern 4e more reliably.

次に、第３パターン４ｆの面積（大きさ）とは別に、超音波の振動方向６（第１方向９）に沿った方向の第３パターン４ｆの幅に着目する。ＲＦＩＤ用チップ１は、第１方向９に沿った一対の辺である第１辺１ｄと、第１方向９と交差する第２方向１０に沿った一対の他の辺である第２辺１ｅを有している。その際、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第１パターン４ｄの第１方向９に沿った方向の幅（ａ）は、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第３パターン４ｆの第１方向９に沿った方向の幅（ｂ）よりも大きく形成されている（ａ＞ｂ）。なお、第２パターン４ｅと第３パターン４ｆの関係についても同様である。   Next, apart from the area (size) of the third pattern 4f, attention is focused on the width of the third pattern 4f in the direction along the ultrasonic vibration direction 6 (first direction 9). The RFID chip 1 includes a first side 1d that is a pair of sides along the first direction 9 and a second side 1e that is a pair of other sides along the second direction 10 that intersects the first direction 9. Have. At this time, the width (a) in the direction along the first direction 9 of the first pattern 4d that planarly overlaps the RFID chip 1 is the first direction 9 of the third pattern 4f that planarly overlaps the RFID chip 1. Is larger than the width (b) in the direction along (a> b). The same applies to the relationship between the second pattern 4e and the third pattern 4f.

このように第３パターン４ｆが第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅから分離していることに加えて、第３パターン４ｆの超音波の振動方向６（第１方向９）の幅を第１パターン４ｄより狭くすることでも、前記面積を小さくするのと同様に、チップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃと第３パターン４ｆの接合力を、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力や、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力に比べてより確実に弱くすることができる。   Thus, in addition to the third pattern 4f being separated from the first pattern 4d and the second pattern 4e, the width of the ultrasonic vibration direction 6 (first direction 9) of the third pattern 4f is set to the first pattern. Even if the width is smaller than 4d, the bonding force between the chip-supporting bump electrode (dummy bump electrode) 2c and the third pattern 4f is set to be equal to that of the input bump electrode 2a and the first pattern 4d. The bonding force and the bonding force between the GND bump electrode 2b and the second pattern 4e can be reduced more reliably.

その結果、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力やＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力における本来の接合力をより確かに知ることができる。   As a result, it is possible to more surely know the original bonding force of the bonding force between the input bump electrode 2a and the first pattern 4d and the bonding force between the GND bump electrode 2b and the second pattern 4e.

次に、本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレットの製造方法を図４に示す製造フローを用いて説明する。   Next, a method for manufacturing the RFID inlet according to the first embodiment will be described with reference to a manufacturing flow shown in FIG.

まず、図４のステップＳ１に示すダイシングを行う。ここでは、図示しないウエハに対してダイシングを行って図５に示すＲＦＩＤ用チップ１を取得する。ＲＦＩＤ用チップ１は、回路素子１ｃ及び複数のバンプ電極２が形成された主面１ａ、及び主面１ａと反対側の裏面１ｂを有している。すなわち、ＲＦＩＤ用チップ１には、その主面１ａ側の内部に通信回路等の回路素子１ｃが形成されており、さらに主面１ａの４つの角部には、それぞれめっき等で形成されたバンプ電極２が設けられている。これら４つのバンプ電極２のうち、１つは回路素子１ｃと電気的に接続された入力用のバンプ電極２ａであり、他の１つは回路素子１ｃと電気的に接続されたＧＮＤ用のバンプ電極２ｂである。さらに残りの２つは回路素子１ｃと電気的に接続されないチップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃである。   First, dicing shown in step S1 of FIG. 4 is performed. Here, dicing is performed on a wafer (not shown) to obtain the RFID chip 1 shown in FIG. The RFID chip 1 has a main surface 1a on which a circuit element 1c and a plurality of bump electrodes 2 are formed, and a back surface 1b opposite to the main surface 1a. That is, the RFID chip 1 has circuit elements 1c such as communication circuits formed inside the main surface 1a, and bumps formed by plating or the like at four corners of the main surface 1a. An electrode 2 is provided. Of these four bump electrodes 2, one is an input bump electrode 2a electrically connected to the circuit element 1c, and the other is a GND bump electrically connected to the circuit element 1c. This is the electrode 2b. Furthermore, the remaining two are chip supporting bump electrodes (dummy bump electrodes) 2c that are not electrically connected to the circuit element 1c.

その後、ステップＳ２に示すフリップチップボンディングを行う。まず、図１７に示す金属パターン付きベースフィルム２０を準備する。ここで、図１及び図６に示すように、支持部材であるベースフィルム３の表面には、ループ状の整合回路部４ａと、整合回路部４ａと一体に形成され、かつ整合回路部４ａの両側に配置されたアンテナ部４ｂとを有する金属パターン４が貼り付けられている。   Thereafter, flip chip bonding shown in step S2 is performed. First, the base film 20 with a metal pattern shown in FIG. 17 is prepared. Here, as shown in FIGS. 1 and 6, a loop-shaped matching circuit portion 4 a and a matching circuit portion 4 a are integrally formed on the surface of the base film 3 that is a support member, and the matching circuit portion 4 a A metal pattern 4 having antenna portions 4b arranged on both sides is attached.

さらに、ループ状の整合回路部４ａの一部は、図６に示すように、開口部４ｇによって金属パターン４が途切れており、ここの領域がチップ搭載領域４ｃとなっている。チップ搭載領域４ｃには、入力用のバンプ電極２ａと電気的に接続される第１パターン４ｄと、この第１パターン４ｄと開口部４ｇを挟んで配置され、かつＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと電気的に接続される第２パターン４ｅと、チップ支持用のバンプ電極２ｃと電気的に接続される第３パターン４ｆとが形成されており、第３パターン４ｆは円形であり、第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅから分離されて浮島状に形成されている。   Furthermore, as shown in FIG. 6, a part of the loop matching circuit portion 4a has the metal pattern 4 cut off by the opening 4g, and this region is a chip mounting region 4c. In the chip mounting area 4c, a first pattern 4d electrically connected to the input bump electrode 2a, and the first pattern 4d and the opening 4g are disposed, and the GND bump electrode 2b is electrically connected to the chip mounting area 4c. The second pattern 4e to be electrically connected and the third pattern 4f electrically connected to the bump electrode 2c for supporting the chip are formed, the third pattern 4f is circular, and the first pattern 4d and It is separated from the second pattern 4e and formed in a floating island shape.

図１７に示す金属パターン付きベースフィルム２０を準備した後、図８及び図９に示すように、ＲＦＩＤ用チップ１を、その主面１ａがベースフィルム３上の金属パターン４と対向するように、複数のバンプ電極２を介して整合回路部４ａのチップ搭載領域４ｃに配置する。その際、図７に示すように、第１パターン４ｄ上に入力用のバンプ電極２ａを配置し、第２パターン４ｅ上にＧＮＤ用のバンプ電極２ｂを配置し、さらに第３パターン４ｆ上にチップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃを配置する。   After preparing the base film 20 with the metal pattern shown in FIG. 17, as shown in FIGS. 8 and 9, the RFID chip 1 is arranged so that the main surface 1 a faces the metal pattern 4 on the base film 3. It arrange | positions in the chip | tip mounting area | region 4c of the matching circuit part 4a via the several bump electrode 2. FIG. At that time, as shown in FIG. 7, the bump electrode 2a for input is disposed on the first pattern 4d, the bump electrode 2b for GND is disposed on the second pattern 4e, and further the chip is disposed on the third pattern 4f. A supporting bump electrode (dummy bump electrode) 2c is disposed.

この状態で、図８に示すように、ＲＦＩＤ用チップ１の裏面１ｂ側から接合ツール（治具）５を介して超音波を印加し、複数のバンプ電極２と金属パターン４とを接合する。   In this state, as shown in FIG. 8, an ultrasonic wave is applied from the back surface 1 b side of the RFID chip 1 through a bonding tool (jig) 5 to bond the plurality of bump electrodes 2 and the metal pattern 4.

なお、本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレット７では、ベースフィルム３上に貼り付けられた金属パターン４のうち、図２に示すようにチップ搭載領域４ｃにおいて、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第１パターン４ｄの面積が、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第３パターン４ｆの面積よりも大きくなるように形成されている。さらに、第３パターン４ｆは、第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅから分離されて浮島状に形成されている。   In the RFID inlet 7 according to the first embodiment, among the metal patterns 4 attached on the base film 3, as shown in FIG. 2, the chip mounting area 4c overlaps the RFID chip 1 in a plane. The area of the first pattern 4d is formed to be larger than the area of the third pattern 4f that overlaps the RFID chip 1 in plan view. Further, the third pattern 4f is separated from the first pattern 4d and the second pattern 4e and formed in a floating island shape.

この状態で、図７及び図８に示すように、ＲＦＩＤ用チップ１の裏面１ｂ側から接合ツール５によってＲＦＩＤ用チップ１に超音波を印加してフリップチップボンディングを行う。その際、超音波の振動方向６が図２に示す第１方向９と沿った方向となるように接合ツール５によって超音波を印加する。なお、第１方向９は、ＲＦＩＤ用チップ１の主面１ａの４つの辺のうちの少なくとも何れか１辺に沿った方向であり、本実施の形態１では、第１パターン４ｄと第２パターン４ｅが並んでいる方向である。   In this state, as shown in FIGS. 7 and 8, flip chip bonding is performed by applying ultrasonic waves to the RFID chip 1 by the bonding tool 5 from the back surface 1 b side of the RFID chip 1. At that time, ultrasonic waves are applied by the bonding tool 5 so that the vibration direction 6 of the ultrasonic waves is in a direction along the first direction 9 shown in FIG. The first direction 9 is a direction along at least one of the four sides of the main surface 1a of the RFID chip 1, and in the first embodiment, the first pattern 4d and the second pattern It is the direction where 4e is located in a line.

この第１方向９を振動方向６として超音波を印加すると、第３パターン４ｆは第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅから分離して浮島状に形成されていることにより、図９に示すように、２つの第３パターン４ｆは両者とも梁となるようにパターンによって支持されていないため、超音波の振幅に合わせて第１方向９に動く（Ｃ矢印のように動く）。超音波印加時に金属パターン４（この場合、第３パターン４ｆ）が動くと、超音波が伝わりにくくなるため、その結果、バンプ電極２と金属パターン４の接合力が弱まるという現象が起こる。   When an ultrasonic wave is applied with the first direction 9 as the vibration direction 6, the third pattern 4f is separated from the first pattern 4d and the second pattern 4e and formed in a floating island shape, as shown in FIG. Since the two third patterns 4f are not supported by the patterns so as to be both beams, they move in the first direction 9 according to the amplitude of the ultrasonic wave (moves as indicated by arrow C). If the metal pattern 4 (in this case, the third pattern 4f) moves during application of ultrasonic waves, the ultrasonic waves are not easily transmitted. As a result, a phenomenon occurs in which the bonding force between the bump electrode 2 and the metal pattern 4 is weakened.

したがって、チップ支持用のバンプ電極２ｃと第３パターン４ｆの接合力を、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力や、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力に比べて弱くすることができる。   Accordingly, the bonding force between the bump electrode 2c for supporting the chip and the third pattern 4f is changed to the bonding force between the bump electrode 2a for input and the first pattern 4d, or the bonding force between the bump electrode 2b for GND and the second pattern 4e. It can be weakened.

すなわち、チップ支持用のバンプ電極２ｃの接合力を、入力用のバンプ電極２ａやＧＮＤ用のバンプ電極２ｂの接合力に比べて確実に弱くすることができる。   That is, the bonding force of the bump electrode 2c for supporting the chip can be surely made weaker than the bonding force of the bump electrode 2a for input or the bump electrode 2b for GND.

なお、超音波印加時には、熱（例えば、８０℃程度）も併用してＲＦＩＤ用チップ１に印加して接合することが望ましい。   When applying ultrasonic waves, it is desirable to apply heat (for example, about 80 ° C.) in combination to the RFID chip 1 for bonding.

また、図２に示すように本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレット７においては、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第１パターン４ｄの面積が、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第３パターン４ｆの面積よりも大きく形成されている。同様に、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第２パターン４ｅの面積は、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第３パターン４ｆの面積よりも大きく形成されている。   As shown in FIG. 2, in the RFID inlet 7 according to the first embodiment, the area of the first pattern 4 d that planarly overlaps the RFID chip 1 is the third pattern that planarly overlaps the RFID chip 1. It is formed larger than the area of 4f. Similarly, the area of the second pattern 4e that planarly overlaps the RFID chip 1 is formed larger than the area of the third pattern 4f that planarly overlaps the RFID chip 1.

これによっても、チップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃと第３パターン４ｆの接合力を、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力や、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力に比べてより確実に弱くすることができる。   Also by this, the bonding force between the bump electrode (dummy bump electrode) 2c for supporting the chip and the third pattern 4f, the bonding force between the bump electrode 2a for input and the first pattern 4d, and the bump electrode 2b for GND and the second pattern The bonding force of the pattern 4e can be weakened more reliably.

さらに、超音波の振動方向６（第１方向９）に沿った方向の第３パターン４ｆの幅に着目した場合、ＲＦＩＤ用チップ１は、第１方向９に沿った一対の辺である第１辺１ｄと、第１方向９と交差する第２方向１０に沿った一対の他の辺である第２辺１ｅを有しており、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第１パターン４ｄの第１方向９に沿った方向の幅（ａ）は、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第３パターン４ｆの第１方向９に沿った方向の幅（ｂ）よりも大きく形成されている（ａ＞ｂ）。なお、第２パターン４ｅと第３パターン４ｆの関係についても同様である。   Further, when focusing on the width of the third pattern 4 f in the direction along the ultrasonic vibration direction 6 (first direction 9), the RFID chip 1 is a first pair of sides along the first direction 9. The first pattern 4d has a side 1d and a second side 1e that is a pair of other sides along the second direction 10 intersecting the first direction 9, and overlaps the RFID chip 1 in plan view. The width (a) in the direction along the first direction 9 is formed larger than the width (b) in the direction along the first direction 9 of the third pattern 4f that overlaps the RFID chip 1 in plan (a). > B). The same applies to the relationship between the second pattern 4e and the third pattern 4f.

このように第３パターン４ｆの超音波の振動方向６（第１方向９）に沿った方向の幅を第１パターン４ｄより狭くすることでも、前記面積を小さくするのと同様に、チップ支持用のバンプ電極（ダミーバンプ電極）２ｃと第３パターン４ｆの接合力を、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力や、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力に比べてより確実に弱くすることができる。   In this manner, the width of the third pattern 4f in the direction along the ultrasonic vibration direction 6 (first direction 9) is narrower than that of the first pattern 4d, as in the case of reducing the area. The bonding force between the bump electrode (dummy bump electrode) 2c and the third pattern 4f is compared with the bonding force between the input bump electrode 2a and the first pattern 4d and the bonding force between the GND bump electrode 2b and the second pattern 4e. Can be weakened more reliably.

次に、フリップチップボンディングを完了した組み立て途中の製品について、抜き取り検査として行うバンプ電極２の接合状態の品質検査について説明する。   Next, the quality inspection of the bonding state of the bump electrode 2 performed as a sampling inspection for a product in the process of being assembled that has completed flip chip bonding will be described.

前記バンプ電極２の接合状態の品質検査では、図１０に示すように、ＲＦＩＤ用チップ１を接合強度測定治具１３で押し付けて、金属パターン４からバンプ電極２が剥がれた時の強度を、接合強度測定計１２の値から読み取る。この値は、バンプ電極２が破断する際の、各バンプ電極２に加えられるせん断力の合計値である。一般的にバンプ電極２の数が４つの場合、測定値が、例えば１００ｇ以上であったら安定した接合であると考えられる。   In the quality inspection of the bonding state of the bump electrode 2, as shown in FIG. 10, the RFID chip 1 is pressed with a bonding strength measuring jig 13, and the strength when the bump electrode 2 is peeled off from the metal pattern 4 is determined. Read from the value of the strength meter 12. This value is the total value of the shearing force applied to each bump electrode 2 when the bump electrode 2 breaks. In general, when the number of bump electrodes 2 is four, if the measured value is, for example, 100 g or more, it is considered that the bonding is stable.

接合強度の具体的な測定方法は、金属パターン４の第１パターン４ｄと第２パターン４ｅの上に跨がって配置されるＲＦＩＤ用チップ１の側面１ｆに対して、接合強度測定治具１３により第１パターン４ｄ側から第３パターン４ｆ側に向かう荷重を付与する。すなわち、図１０に示す荷重付与方向１４に沿ってＲＦＩＤ用チップ１の側面１ｆに対して所定の荷重を付与する。そして、金属パターン４から入力用のバンプ電極２ａとＧＮＤ用のバンプ電極２ｂが剥がれた時の接合強度測定計１２の値を読み取り、これにより、入力用のバンプ電極２ａとＧＮＤ用のバンプ電極２ｂの接合強度を知ることができる。   A specific method for measuring the bonding strength is that the bonding strength measuring jig 13 is applied to the side surface 1f of the RFID chip 1 disposed over the first pattern 4d and the second pattern 4e of the metal pattern 4. Thus, a load is applied from the first pattern 4d side to the third pattern 4f side. That is, a predetermined load is applied to the side surface 1f of the RFID chip 1 along the load applying direction 14 shown in FIG. Then, the values of the bonding strength measuring meter 12 when the bump electrode 2a for input and the bump electrode 2b for GND are peeled off from the metal pattern 4 are read, whereby the bump electrode 2a for input and the bump electrode 2b for GND are read. It is possible to know the bonding strength.

つまり、本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレット７の組み立てにおいて、金属パターン４の整合回路部４ａのチップ搭載領域４ｃの第３パターン４ｆが第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅから分離されていることにより、超音波を印加してバンプ電極２を金属パターン４に擦り付けて接続する際に、第３パターン４ｆは梁となるようなパターンによって支持されていないため、支持形態が弱く超音波の振動に合わせて動く。つまり、第３パターン４ｆは、独立した形態であるため、超音波の振動に対してベースフィルム３とともに揺れ動いてしまい、金属同士の擦りが発生しにくい。これに対して、第１パターン４ｄ及び第２パターン４ｅは、それぞれ梁となる支持パターン４ｈによって支えられているため、支持形態が強く超音波の振動に合わせて揺れ動く量は第３パターン４ｆに比べて遥かに小さい。   That is, in the assembly of the RFID inlet 7 of the first embodiment, the third pattern 4f in the chip mounting area 4c of the matching circuit portion 4a of the metal pattern 4 is separated from the first pattern 4d and the second pattern 4e. Accordingly, when the bump electrode 2 is rubbed and connected to the metal pattern 4 by applying an ultrasonic wave, the third pattern 4f is not supported by the pattern that becomes a beam, and thus the support form is weak and the ultrasonic vibration is generated. Move together. That is, since the third pattern 4f is an independent form, the third pattern 4f sways together with the base film 3 with respect to the vibration of the ultrasonic wave, and the metal does not easily rub. On the other hand, since the first pattern 4d and the second pattern 4e are supported by the support pattern 4h, which is a beam, the support form is strong and the amount of swinging according to the vibration of the ultrasonic wave is larger than that of the third pattern 4f. Much smaller.

したがって、チップ支持用のバンプ電極２ｃと第３パターン４ｆの接合力を、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力や、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力に比べて弱くすることができる。   Accordingly, the bonding force between the bump electrode 2c for supporting the chip and the third pattern 4f is changed to the bonding force between the bump electrode 2a for input and the first pattern 4d, or the bonding force between the bump electrode 2b for GND and the second pattern 4e. It can be weakened.

その結果、フリップチップ接続後のバンプ電極２の接合強度検査において、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力や、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力の本来の接合力を知ることができる。   As a result, in the bonding strength inspection of the bump electrode 2 after flip-chip connection, the bonding force between the bump electrode 2a for input and the first pattern 4d and the bonding force between the bump electrode 2b for GND and the second pattern 4e are inherent. We can know joining force.

すなわち、ＲＦＩＤ用インレット７の組み立てにおいて、入力用のバンプ電極２ａ及びＧＮＤ用のバンプ電極２ｂのみの接合強度を測定することができる。   That is, in assembling the RFID inlet 7, it is possible to measure the bonding strength of only the bump electrode 2a for input and the bump electrode 2b for GND.

また、入力用のバンプ電極２ａやＧＮＤ用のバンプ電極２ｂのみの接合力を知ることができるため、入力用のバンプ電極２ａとＧＮＤ用のバンプ電極２ｂのみの接合だけを管理すればよく、したがって、管理項目を少なくすることができ、入力用のバンプ電極２ａやＧＮＤ用のバンプ電極２ｂの接合の品質維持を容易に行うことができる。   Further, since it is possible to know the bonding force of only the input bump electrode 2a and the GND bump electrode 2b, it is only necessary to manage the bonding of only the input bump electrode 2a and the GND bump electrode 2b. The number of management items can be reduced, and the quality of bonding of the bump electrode 2a for input and the bump electrode 2b for GND can be easily maintained.

なお、接合の品質維持を容易に行えるため、接合不良等が発生しても迅速に不良原因を把握して不良を改善させることができ、ＲＦＩＤ用インレット７における入力用のバンプ電極２ａ及びＧＮＤ用のバンプ電極２ｂの接合信頼性を向上することができる。   In addition, since the quality of the bonding can be easily maintained, the cause of the defect can be quickly grasped and the defect can be improved even if a bonding defect or the like occurs. The input bump electrode 2a in the RFID inlet 7 and the GND The bonding reliability of the bump electrode 2b can be improved.

また、入力用のバンプ電極２ａとＧＮＤ用のバンプ電極２ｂのみに対して超音波印加時のパラメータ（超音波出力や時間等）を管理すればよいため、ダミーバンプ電極を含む４つのバンプ電極全てを略均一に接合させる場合に比べてマシンタクトの低下を抑制することができる。   Further, since it is only necessary to manage parameters (ultrasonic wave output, time, etc.) at the time of applying an ultrasonic wave only to the bump electrode 2a for input and the bump electrode 2b for GND, all four bump electrodes including the dummy bump electrode can be managed. A reduction in machine tact can be suppressed as compared with the case of bonding substantially uniformly.

さらに、入力用のバンプ電極２ａとＧＮＤ用のバンプ電極２ｂのみに対して超音波印加時のパラメータ（超音波出力や時間等）を管理すればよいため、ダミーバンプ電極を含む４つのバンプ電極全てを略均一に接合させる場合に比べて接合ツール５の長寿命化を図ることができる。   Furthermore, since it is only necessary to manage the parameters (ultrasonic wave output, time, etc.) at the time of applying the ultrasonic wave only to the bump electrode 2a for input and the bump electrode 2b for GND, all four bump electrodes including the dummy bump electrode are The life of the joining tool 5 can be increased compared to the case of joining substantially uniformly.

次に、フリップチップボンディング完了後、図４に示すステップＳ３の保護用樹脂塗布を行う。ここでは、図１１及び図１２に示すように、第１パターン４ｄと第２パターン４ｅに跨がるＲＦＩＤ用チップ１の第１辺１ｄの近傍に対して、ノズル１１を介して保護用樹脂８を滴下し、金属パターン４とＲＦＩＤ用チップ１の間、及びベースフィルム３とＲＦＩＤ用チップ１の間に保護用樹脂８を浸透させて充填する。   Next, after completion of the flip chip bonding, the protective resin application in step S3 shown in FIG. 4 is performed. Here, as shown in FIGS. 11 and 12, the protective resin 8 is provided via the nozzle 11 to the vicinity of the first side 1 d of the RFID chip 1 straddling the first pattern 4 d and the second pattern 4 e. The protective resin 8 is infiltrated and filled between the metal pattern 4 and the RFID chip 1 and between the base film 3 and the RFID chip 1.

その後、図４に示すステップＳ４の保護用樹脂硬化を行う。ここでは、図１３及び図１４に示す保護用樹脂８を紫外線１５または熱によって硬化させる。すなわち、ＲＦＩＤ用チップ１の各側面１ｆの周囲と、ＲＦＩＤ用チップ１の下部（フリップチップ接続部）に充填した保護用樹脂８に対して、紫外線１５または熱を印加して保護用樹脂８を硬化させる。   Thereafter, the protective resin curing in step S4 shown in FIG. 4 is performed. Here, the protective resin 8 shown in FIGS. 13 and 14 is cured by ultraviolet rays 15 or heat. That is, the protective resin 8 is applied by applying ultraviolet rays 15 or heat to the protective resin 8 filled in the periphery of each side surface 1f of the RFID chip 1 and the lower part (flip chip connecting portion) of the RFID chip 1. Harden.

その後、図４に示すステップＳ５の通信特性検査を行う。ここでは、図１５及び図１６に示すように、ベースフィルム３上に並んで形成された複数のＲＦＩＤ用インレット７のうちの１つずつと、これらＲＦＩＤ用インレット７の下方に配置された検査用アンテナ１６との間で、所定の検査用の信号１７を相互に送受信してＲＦＩＤ用インレット７の通信特性検査を行う。すなわち、検査用アンテナ１６の上方に複数のＲＦＩＤ用インレット７が形成されたベースフィルム３を配置して、このベースフィルム３を流れ方向１８に移動させてベースフィルム３上のＲＦＩＤ用インレット７を順次移動させて検査用アンテナ１６上に配置されたＲＦＩＤ用インレット７と検査用アンテナ１６との間で信号１７を送受信して通信特性検査を行う。   Thereafter, the communication characteristic inspection in step S5 shown in FIG. 4 is performed. Here, as shown in FIG. 15 and FIG. 16, one of the plurality of RFID inlets 7 formed side by side on the base film 3, and the inspection arranged below these RFID inlets 7. A predetermined inspection signal 17 is transmitted to and received from the antenna 16 to inspect the communication characteristics of the RFID inlet 7. That is, the base film 3 on which a plurality of RFID inlets 7 are formed is disposed above the inspection antenna 16, and the base film 3 is moved in the flow direction 18 so that the RFID inlets 7 on the base film 3 are sequentially moved. A signal 17 is transmitted and received between the RFID inlet 7 and the inspection antenna 16 which are moved and placed on the inspection antenna 16 to perform a communication characteristic inspection.

その後、図４に示すステップＳ６の梱包及びステップＳ７の出荷を行う。ここでは、ステップＳ５の通信特性検査で合格と判定された図１８に示すようなベースフィルム３上のＲＦＩＤ用インレット７を、図１９に示す外巻き方法または図２０に示す内巻き方法でリール１９に巻き取り、このリール１９に巻き取った状態で図示しない梱包箱等に収納してステップＳ７の出荷を行う。   Thereafter, the packing in step S6 and the shipping in step S7 shown in FIG. 4 are performed. Here, the RFID inlet 7 on the base film 3 as shown in FIG. 18 that has been determined to pass in the communication characteristic inspection in step S5 is reel 19 by the outer winding method shown in FIG. 19 or the inner winding method shown in FIG. In step S7, the product is stored in a packing box (not shown) in the state of being wound on the reel 19.

次に、図２１に示す本実施の形態１のＲＦＩＤ用インレット７の第１変形例と、図２２に示す第２変形例について説明する。   Next, a first modification of the RFID inlet 7 according to the first embodiment shown in FIG. 21 and a second modification shown in FIG. 22 will be described.

まず、図２１に示す第１変形例のＲＦＩＤ用インレット７は、金属パターン４のチップ搭載領域４ｃにおいて、第１パターン４ｄ、第２パターン４ｅ及び整合回路部４ａから分離した第３パターン４ｆが、第１方向９に交差する第２方向１０に沿って細長い形状に形成されている。   First, in the RFID inlet 7 of the first modified example shown in FIG. 21, the third pattern 4f separated from the first pattern 4d, the second pattern 4e, and the matching circuit portion 4a in the chip mounting region 4c of the metal pattern 4 is It is formed in an elongated shape along a second direction 10 that intersects the first direction 9.

すなわち、ＲＦＩＤ用インレット７は、矩形（長方形）に形成された第３パターン４ｆを有しており、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第１パターン４ｄの第１方向９に沿った方向の幅（ａ）が、ＲＦＩＤ用チップ１と平面的に重なる第３パターン４ｆの第１方向９に沿った方向の幅（ｂ）よりも大きく形成されている（ａ＞ｂ）とともに、第２方向１０に沿って細長く形成されている。つまり、第３パターン４ｆは、細長い長方形を成し、この長方形の長手方向が第２方向１０に沿うように配置されている。なお、第２パターン４ｅと第３パターン４ｆの関係についても同様である。   That is, the RFID inlet 7 has a third pattern 4f formed in a rectangular shape (rectangular shape), and the width in the direction along the first direction 9 of the first pattern 4d that planarly overlaps the RFID chip 1. (A) is formed larger than the width (b) in the direction along the first direction 9 of the third pattern 4f that planarly overlaps the RFID chip 1 (a> b) and the second direction 10 It is formed elongated along. That is, the third pattern 4 f forms a long and narrow rectangle, and is arranged so that the longitudinal direction of the rectangle is along the second direction 10. The same applies to the relationship between the second pattern 4e and the third pattern 4f.

このように第３パターン４ｆを長方形で形成し、かつその長手方向が第２方向１０に沿うように配置することで、ＲＦＩＤ用チップ１のチップ支持用のバンプ電極２ｃとこの第３パターン４ｆをフリップチップボンディングで接続する際のバンプ電極２の位置ずれのマージンを増やすことができる。もし、バンプ電極２に位置ずれが生じ、第３パターン４ｆから脱落した場合には、ＲＦＩＤ用チップ１が傾いてしまい、実装性が低下してしまう。しかしながら、本変形例では第３パターン４ｆの面積を、図６に示す円形よりも大きくしているため、バンプ電極２が脱落する問題を抑制できるため、図６の形状に比べ、ＲＦＩＤ用チップ１の実装性の向上を図ることができる。また、第３パターン４ｆの第1方向９に沿った幅（ｂ）を、第１パターン４ｄの第１方向９に沿った方向の幅（ａ）よりも細く形成しているため、チップ支持用のバンプ電極２ｃと第３パターン４ｆとの接合強度を低下させることができる。これにより、フリップチップ接続後のバンプ電極２の接合強度検査において、入力用のバンプ電極２ａと第１パターン４ｄの接合力や、ＧＮＤ用のバンプ電極２ｂと第２パターン４ｅの接合力の本来の接合力を知ることができる。   Thus, the third pattern 4f is formed in a rectangular shape and the longitudinal direction thereof is arranged along the second direction 10, so that the bump electrode 2c for supporting the chip of the RFID chip 1 and the third pattern 4f are formed. It is possible to increase a margin of positional deviation of the bump electrode 2 when connecting by flip chip bonding. If the bump electrode 2 is displaced and falls off from the third pattern 4f, the RFID chip 1 is tilted and the mountability is lowered. However, in this modification, the area of the third pattern 4f is made larger than the circular shape shown in FIG. 6, so that the problem of the bump electrode 2 falling off can be suppressed. Therefore, compared with the shape of FIG. The mounting property can be improved. Further, since the width (b) along the first direction 9 of the third pattern 4f is formed narrower than the width (a) along the first direction 9 of the first pattern 4d, it is used for chip support. The bonding strength between the bump electrode 2c and the third pattern 4f can be reduced. Thus, in the bonding strength inspection of the bump electrode 2 after the flip chip connection, the bonding force between the bump electrode 2a for input and the first pattern 4d and the bonding force between the bump electrode 2b for GND and the second pattern 4e are inherent. We can know joining force.

さらに、グラビア印刷によってベースフィルム３上に金属パターン４を形成する際に、第３パターン４ｆを長方形（矩形）にすることにより、第３パターン４ｆの形成を容易に行うことができる。   Furthermore, when the metal pattern 4 is formed on the base film 3 by gravure printing, the third pattern 4f can be easily formed by making the third pattern 4f rectangular (rectangular).

次に、図２２に示す第２変形例のＲＦＩＤ用インレット７は、金属パターン４のチップ搭載領域４ｃにおいて長方形の第３パターン４ｆが１つだけ設けられているものである。すなわち、図２１に示す第１変形例のＲＦＩＤ用チップ１のチップ支持用のバンプ電極２ｃは、ＲＦＩＤ用チップ１の角部に対応して２つ設けられていたが、図２２に示す第２変形例のＲＦＩＤ用チップ１のチップ支持用のバンプ電極２ｃは、１つだけが設けられているものである。すなわち、チップ支持用のバンプ電極２ｃが入力用のバンプ電極２ａとＧＮＤ用のバンプ電極２ｂの両方と略等しい距離の位置に設けられており、このチップ支持用のバンプ電極２ｃに対応して１つの第３パターン４ｆが設けられているものである。   Next, the RFID inlet 7 of the second modified example shown in FIG. 22 is provided with only one rectangular third pattern 4 f in the chip mounting region 4 c of the metal pattern 4. That is, two bump electrodes 2c for supporting the chip of the RFID chip 1 of the first modification shown in FIG. 21 are provided corresponding to the corners of the RFID chip 1, but the second bump electrode 2c shown in FIG. Only one bump supporting electrode 2c for supporting the chip of the RFID chip 1 of the modification is provided. That is, the bump electrode 2c for chip support is provided at a position substantially equal to the distance between both the bump electrode 2a for input and the bump electrode 2b for GND, and 1 corresponding to the bump electrode 2c for chip support. One third pattern 4f is provided.

なお、ＲＦＩＤ用チップ１におけるダミーバンプ電極となるチップ支持用のバンプ電極２ｃの設置数は、ＲＦＩＤ用チップ１の支持における安定度が維持可能な範囲であれば、１つであっても、２つであっても、あるいは３つ以上であってもよい。   Note that the number of chip-supporting bump electrodes 2c that serve as dummy bump electrodes in the RFID chip 1 is one, as long as the stability in supporting the RFID chip 1 can be maintained. Or three or more.

（実施の形態２）
図２３は本発明の実施の形態２のＲＦＩＤ用インレットのベースフィルム上の金属パターンの一例を示す部分平面図、図２４は本発明の実施の形態２の変形例のＲＦＩＤ用インレットの内部構造を示す部分断面図である。 (Embodiment 2)
FIG. 23 is a partial plan view showing an example of a metal pattern on the base film of the RFID inlet according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 24 shows the internal structure of the RFID inlet according to the modification of the second embodiment of the present invention. It is a fragmentary sectional view shown.

本実施の形態２のＲＦＩＤ用インレット７は、ベースフィルム３のチップ搭載領域４ｃにおいて、図２３のＤ部に示すように、図２に示すような第３パターン４ｆが一切設けられていないものである。   The RFID inlet 7 of the second embodiment is not provided with any third pattern 4f as shown in FIG. 2 in the chip mounting area 4c of the base film 3 as shown in part D of FIG. is there.

つまり、第３パターン４ｆを設けないことで、フリップチップボンディングの際の超音波印加時に、ＲＦＩＤ用チップ１側のチップ支持用のバンプ電極２ｃは何れのパターンとも接続することはない。   That is, by not providing the third pattern 4f, the bump electrode 2c for supporting the chip on the RFID chip 1 side is not connected to any pattern when an ultrasonic wave is applied during flip chip bonding.

したがって、バンプ電極２の接合強度測定（検査）の際には、入力用のバンプ電極２ａやＧＮＤ用のバンプ電極２ｂのみの接合強度を測定することができる。   Therefore, when measuring (inspecting) the bonding strength of the bump electrode 2, only the bonding strength of the bump electrode 2a for input or the bump electrode 2b for GND can be measured.

なお、図２３に示す構造では、第３パターン４ｆが設けられていないため、その分、フリップチップボンディング後のＲＦＩＤ用チップ１の支持状態の安定度が低下することが懸念される。そこで、図２４に示すＲＦＩＤ用インレット７では、チップ支持用のバンプ電極２ｃに、さらに第３パターン４ｆの厚さに相当する高さのスタッドバンプ２ｄを接合して不足分のバンプ高さを補っている。これにより、フリップチップボンディング後のＲＦＩＤ用チップ１の支持状態の安定度を高めることができる。すなわち、ＲＦＩＤ用チップ１をベースフィルム３に対して略水平になるように支持することができる。さらに、超音波接合時の品質の安定化を図ることができる。   In the structure shown in FIG. 23, since the third pattern 4f is not provided, there is a concern that the stability of the support state of the RFID chip 1 after the flip chip bonding is lowered accordingly. Therefore, in the RFID inlet 7 shown in FIG. 24, a stud bump 2d having a height corresponding to the thickness of the third pattern 4f is further joined to the chip-supporting bump electrode 2c to compensate for the insufficient bump height. ing. Thereby, the stability of the support state of the RFID chip 1 after flip chip bonding can be increased. That is, the RFID chip 1 can be supported so as to be substantially horizontal with respect to the base film 3. Furthermore, the quality at the time of ultrasonic bonding can be stabilized.

本実施の形態２のＲＦＩＤ用インレット７及びその製造方法によって得られるその他の効果については、前記実施の形態１で説明したものと同様であるため、その重複説明は省略する。   The other effects obtained by the RFID inlet 7 and the manufacturing method thereof according to the second embodiment are the same as those described in the first embodiment, and a duplicate description thereof will be omitted.

以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。   As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments of the invention. However, the present invention is not limited to the embodiments of the invention, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. It goes without saying that it is possible.

例えば、前記実施の形態１では、第３パターン４ｆが円形や長方形の場合を取り上げて説明したが、第３パターン４ｆの形状は、楕円や正方形、あるいは他の多角形であってもよい。なお、楕円の場合は、図２１又は図２２のように、金属パターン４の長辺が第２方向１０に沿うように、金属パターン４を形成することが好ましい。   For example, in the first embodiment, the case where the third pattern 4f is circular or rectangular has been described, but the shape of the third pattern 4f may be an ellipse, a square, or another polygon. In the case of an ellipse, the metal pattern 4 is preferably formed so that the long side of the metal pattern 4 is along the second direction 10 as shown in FIG.

本発明は、ＲＦＩＤ用チップを有する電子装置の製造技術に好適である。   The present invention is suitable for a technique for manufacturing an electronic device having an RFID chip.

本発明の実施の形態１のＲＦＩＤ用インレットの構造の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the structure of the RFID inlet of Embodiment 1 of this invention. 図１のＡ部の構造を拡大して示す部分拡大平面図である。It is a partial enlarged plan view which expands and shows the structure of the A section of FIG. 図２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す拡大部分断面図である。FIG. 3 is an enlarged partial cross-sectional view showing a structure cut along line AA in FIG. 2. 図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立て手順の一例を示す製造フロー図である。It is a manufacturing flowchart which shows an example of the assembly procedure of the RFID inlet shown in FIG. 図１に示すＲＦＩＤ用インレットに搭載されるＲＦＩＤ用チップの主面側の構造の一例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an example of the structure on the main surface side of the RFID chip mounted on the RFID inlet shown in FIG. 1. 図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てで用いられるベースフィルム上の金属パターンの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the metal pattern on the base film used by the assembly of the RFID inlet shown in FIG. 図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおけるフリップチップボンディング時の構造の一例を示す部分平面図である。FIG. 2 is a partial plan view showing an example of a structure at the time of flip chip bonding in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. 1. 図７のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the structure cut | disconnected along the AA line of FIG. 図７のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the structure cut | disconnected along the BB line of FIG. 図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおけるフリップチップボンディング後の接合強度測定の状態の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the state of the joint strength measurement after flip chip bonding in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. 図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける保護用樹脂塗布時の構造の一例を示す部分平面図である。It is a partial top view which shows an example of the structure at the time of application | coating of protective resin in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. 図１１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the structure cut | disconnected along the AA line of FIG. 図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける保護用樹脂硬化時の構造の一例を示す部分平面図である。It is a partial top view which shows an example of the structure at the time of resin hardening for protection in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. 図１３のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the structure cut | disconnected along the AA line of FIG. 図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける通信特性検査時の構造の一例を示す部分平面図である。FIG. 2 is a partial plan view showing an example of a structure at the time of communication characteristic inspection in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. 1. 図１５の通信特性検査時の構造の一例を示す部分側面図である。It is a partial side view which shows an example of the structure at the time of the communication characteristic test | inspection of FIG. 図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける金属パターン付きベースフィルムの流れ方向の一例を示す部分平面図である。It is a partial top view which shows an example of the flow direction of the base film with a metal pattern in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. 図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける保護用樹脂硬化後のベースフィルムの流れ方向の一例を示す部分平面図である。It is a partial top view which shows an example of the flow direction of the base film after protection resin hardening in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. 図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける製品巻き取り構造（外巻き）の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the product winding structure (outer winding) in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. 図１に示すＲＦＩＤ用インレットの組み立てにおける製品巻き取り構造（内巻き）の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the product winding structure (inner winding) in the assembly of the RFID inlet shown in FIG. 本発明の実施の形態１の第１変形例のＲＦＩＤ用インレットの内部構造を示す部分平面図である。It is a fragmentary top view which shows the internal structure of the inlet for RFID of the 1st modification of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１の第２変形例のＲＦＩＤ用インレットの内部構造を示す部分平面図である。It is a fragmentary top view which shows the internal structure of the inlet for RFID of the 2nd modification of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態２のＲＦＩＤ用インレットのベースフィルム上の金属パターンの一例を示す部分平面図である。It is a fragmentary top view which shows an example of the metal pattern on the base film of the RFID inlet of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態２の変形例のＲＦＩＤ用インレットの内部構造を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the internal structure of the inlet for RFID of the modification of Embodiment 2 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ ＲＦＩＤ用チップ
１ａ 主面
１ｂ 裏面
１ｃ 回路素子
１ｄ 第１辺
１ｅ 第２辺
１ｆ 側面
２ バンプ電極
２ａ 入力用のバンプ電極
２ｂ ＧＮＤ用のバンプ電極
２ｃ チップ支持用のバンプ電極
２ｄ スタッドバンプ
３ ベースフィルム（支持部材）
４ 金属パターン
４ａ 整合回路部
４ｂ アンテナ部
４ｃ チップ搭載領域
４ｄ 第１パターン
４ｅ 第２パターン
４ｆ 第３パターン
４ｇ 開口部
４ｈ 支持パターン
５ 接合ツール（治具）
６ 振動方向
７ ＲＦＩＤ用インレット
８ 保護用樹脂
９ 第１方向
１０ 第２方向
１１ ノズル
１２ 接合強度測定計
１３ 接合強度測定治具
１４ 荷重付与方向
１５ 紫外線
１６ 検査用アンテナ
１７ 信号
１８ 流れ方向
１９ リール
２０ 金属パターン付きベースフィルム DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 RFID chip | tip 1a Main surface 1b Back surface 1c Circuit element 1d 1st edge 1e 2nd edge 1f Side face 2 Bump electrode 2a Bump electrode for input 2b Bump electrode for GND 2c Bump electrode for chip support 2d Stud bump 3 Base film (Support member)
4 Metal pattern 4a Matching circuit part 4b Antenna part 4c Chip mounting area 4d 1st pattern 4e 2nd pattern 4f 3rd pattern 4g Opening part 4h Support pattern 5 Joining tool (jig)
6 Vibration direction 7 RFID inlet 8 Protective resin 9 1st direction 10 2nd direction 11 Nozzle 12 Bond strength meter 13 Bond strength measuring jig 14 Load application direction 15 Ultraviolet ray 16 Inspection antenna 17 Signal 18 Flow direction 19 Reel 20 Base film with metal pattern

Claims (6)

以下の工程を含むことを特徴とするＲＦＩＤ用インレットの製造方法：
（ａ）整合回路部、及び前記整合回路部と一体に形成されたアンテナ部を有する金属パターンが貼り付けられた支持部材を準備する工程；
（ｂ）回路素子及び複数のバンプ電極が形成された主面、及び前記主面と反対側の裏面を有するＲＦＩＤ用チップを、前記主面が前記金属パターンと対向するように、前記複数のバンプ電極を介して前記整合回路部のチップ搭載領域に配置する工程；
（ｃ）前記ＲＦＩＤ用チップの前記裏面側から治具を介して超音波を印加し、前記複数のバンプ電極と前記金属パターンとを接合する工程；
ここで、
前記ＲＦＩＤ用チップの前記複数のバンプ電極は、前記回路素子と電気的に接続された入力用のバンプ電極と、前記回路素子と電気的に接続されたＧＮＤ用のバンプ電極と、前記回路素子と電気的に接続されないチップ支持用のバンプ電極とを有し、
前記チップ搭載領域は、前記入力用のバンプ電極と接続される第１パターンと、前記ＧＮＤ用のバンプ電極と接続される第２パターンと、前記チップ支持用のバンプ電極と接続される第３パターンとを有し、
前記第３パターンは、前記第１及び第２パターンから分離されており、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１パターンと前記第２パターンの上に跨がって配置される前記ＲＦＩＤ用チップの側面に対して、前記第１パターン側から前記第３パターン側に向かう荷重を付与して前記入力用のバンプ電極及び前記ＧＮＤ用のバンプ電極の接合強度を検査する工程。 RFID inlet manufacturing method characterized by including the following steps:
(A) preparing a supporting member to which a metal pattern having a matching circuit portion and an antenna portion formed integrally with the matching circuit portion is attached;
(B) An RFID chip having a main surface on which a circuit element and a plurality of bump electrodes are formed, and a back surface opposite to the main surface, and the plurality of bumps so that the main surface faces the metal pattern. Disposing the chip on the matching circuit section via the electrode;
(C) a step of applying an ultrasonic wave from the back side of the RFID chip via a jig to join the plurality of bump electrodes and the metal pattern;
here,
The plurality of bump electrodes of the RFID chip include an input bump electrode electrically connected to the circuit element, a GND bump electrode electrically connected to the circuit element, and the circuit element. A bump electrode for supporting the chip that is not electrically connected;
The chip mounting area includes a first pattern connected to the input bump electrode, a second pattern connected to the GND bump electrode, and a third pattern connected to the chip support bump electrode. And
The third pattern is separated from the first and second patterns ;
(D) After the step (c), the third pattern from the first pattern side to the side surface of the RFID chip disposed over the first pattern and the second pattern. A step of inspecting the bonding strength of the bump electrode for input and the bump electrode for GND by applying a load toward the side. 請求項１記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法において、前記ＲＦＩＤ用チップと平面的に重なる前記第１パターンの面積は、前記ＲＦＩＤ用チップと平面的に重なる前記第３パターンの面積よりも大きいことを特徴とするＲＦＩＤ用インレットの製造方法。   2. The method for manufacturing an RFID inlet according to claim 1, wherein an area of the first pattern that planarly overlaps the RFID chip is larger than an area of the third pattern that planarly overlaps the RFID chip. A method for manufacturing an RFID inlet, which is characterized. 請求項１記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法において、前記治具は、前記超音波の印加により、第１方向に沿って振動し、前記ＲＦＩＤ用チップと平面的に重なる前記第１パターンの前記第１方向に沿った方向の幅は、前記ＲＦＩＤ用チップと平面的に重なる前記第３パターンの前記第１方向に沿った方向の幅よりも大きいことを特徴とするＲＦＩＤ用インレットの製造方法。   2. The RFID inlet manufacturing method according to claim 1, wherein the jig vibrates along a first direction by application of the ultrasonic wave, and the first pattern of the first pattern that overlaps the RFID chip in a planar manner. A method for manufacturing an RFID inlet, wherein a width in a direction along one direction is larger than a width in a direction along the first direction of the third pattern overlapping the RFID chip in a planar manner. 請求項３記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法において、前記第３パターンは、前記第１方向に交差する第２方向に沿って細長く形成されていることを特徴とするＲＦＩＤ用インレットの製造方法。   4. The RFID inlet manufacturing method according to claim 3, wherein the third pattern is formed in an elongated shape along a second direction intersecting the first direction. 請求項３記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法において、前記第１方向は、前記ＲＦＩＤ用チップの前記主面の４つの辺のうちの少なくとも何れか１辺に沿った方向であることを特徴とするＲＦＩＤ用インレットの製造方法。   4. The method for manufacturing an RFID inlet according to claim 3, wherein the first direction is a direction along at least one of the four sides of the main surface of the RFID chip. RFID inlet manufacturing method. 請求項１記載のＲＦＩＤ用インレットの製造方法において、前記第３パターンを２つ有しており、前記２つの第３パターンは、それぞれ前記第１及び第２パターンから分離して浮島状に形成されていることを特徴とするＲＦＩＤ用インレットの製造方法。   2. The RFID inlet manufacturing method according to claim 1, comprising two of the third patterns, wherein the two third patterns are separated from the first and second patterns, respectively, and are formed in a floating island shape. 3. A method for manufacturing an RFID inlet, wherein:
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