JP5279750B2 - Temperature profile estimation method, temperature profile estimation device, and reflow device - Google Patents
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Description
本発明は、リフロー装置内を搬送される基板の温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定方法に関する。 The present invention relates to a temperature profile estimation method for estimating a temperature profile of a substrate transported in a reflow apparatus.
電子部品などの部品が実装された基板を加熱するリフロー装置は、予め定められた制約条件に適合するように基板を加熱することにより、部品の熱による損傷を回避しつつ、部品を基板にはんだ付けすることができる。 A reflow device that heats a substrate on which a component such as an electronic component is mounted heats the substrate to meet predetermined constraints, thereby avoiding damage to the component due to heat and soldering the component to the substrate. Can be attached.
例えば、リフロー装置は、基板の温度がはんだの溶融点未満の所定温度範囲に所定時間だけ保持されるように基板を予備加熱した後に、基板の温度がはんだの溶融点以上の所定温度範囲に所定時間だけ保持されるように基板をリフロー加熱する。このように基板の温度を所定温度範囲に所定時間だけ保持するという制約条件に基板の温度プロファイルを適合させることにより、リフロー装置は、部品の熱による損傷を回避しつつ、部品を基板にはんだ付けすることができる。 For example, the reflow apparatus pre-heats the substrate so that the substrate temperature is maintained in a predetermined temperature range below the melting point of the solder for a predetermined time, and then the substrate temperature is predetermined within a predetermined temperature range equal to or higher than the melting point of the solder. The substrate is reflow-heated so as to be held only for a time. By adapting the temperature profile of the board to the constraint that the board temperature is kept within a given temperature range for a given time in this way, the reflow device can solder the part to the board while avoiding damage due to the heat of the part. can do.
そこで、予め定められた制約条件に適合するように基板を加熱するためのリフロー装置の加熱条件(加熱室の設定温度など)を決定するために、基板の温度プロファイルを推定する方法が提案されている(例えば、特許文献1を参照)。 Therefore, a method for estimating the temperature profile of the substrate has been proposed in order to determine the heating conditions (such as the set temperature of the heating chamber) of the reflow apparatus for heating the substrate so as to meet predetermined constraints. (For example, refer to Patent Document 1).
特許文献1に記載の方法では、リフロー装置により所定の加熱条件で加熱された基板の温度プロファイルを測定し、測定した温度プロファイルを用いてリフロー装置に対する基板の加熱特性を示す加熱特性値(以下、単に「m値」という)を算出する。そして、算出されたm値を用いて、加熱条件を変更した場合における基板の温度プロファイルを推定する。これにより、測定された温度プロファイルから算出されるm値を用いて、加熱条件を変更した場合の基板の温度プロファイルを推定できる。
In the method described in
しかしながら、上記従来の方法では、推定された温度プロファイルと、実測された温度プロファイルとの差異が大きくなる場合がある。例えば、加熱室において加熱された大気あるいは窒素などの流体が、温度制御がなされていない加熱室外部に流出し、加熱室の上流側又は下流側の位置において基板が加熱されることにより、リフロー装置内を搬送される基板の温度プロファイルの推定精度が低下する。 However, in the above conventional method, the difference between the estimated temperature profile and the actually measured temperature profile may be large. For example, a fluid such as air or nitrogen heated in the heating chamber flows out of the heating chamber where temperature control is not performed, and the substrate is heated at a position upstream or downstream of the heating chamber, whereby the reflow apparatus The estimation accuracy of the temperature profile of the substrate transported inside decreases.
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、リフロー装置内を搬送される基板の温度プロファイルを高精度に推定することができる温度プロファイル推定方法を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide a temperature profile estimation method capable of accurately estimating the temperature profile of a substrate transported in a reflow apparatus. To do.
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る温度プロファイル推定方法は、雰囲気温度を設定温度と一致するように制御可能な加熱室と、前記加熱室の上流側に位置する前室及び前記加熱室の下流側に位置する後室の少なくとも一方とを備えるリフロー装置内を搬送される基板の温度の時間変化を示す温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定方法であって、温度プロファイルを推定する際に用いられる、前記加熱室の設定温度を取得する設定温度取得ステップと、前記前室及び前記後室の少なくとも一方の雰囲気温度を代表する代表温度と、前記加熱室の設定温度との対応関係を示す代表温度情報を用いて、前記設定温度取得ステップにおいて取得された設定温度に対応する代表温度を特定する代表温度特定ステップと、前記代表温度特定ステップにおいて特定された代表温度と、前記設定温度取得ステップにおいて取得された設定温度とを用いて、前記前室及び前記後室の少なくとも一方と前記加熱室とを搬送される基板の温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定ステップとを含む。 In order to achieve the above object, a temperature profile estimation method according to an aspect of the present invention includes a heating chamber capable of controlling an atmospheric temperature to match a set temperature, a front chamber located upstream of the heating chamber, and A temperature profile estimation method for estimating a temperature profile indicating a temporal change in the temperature of a substrate transported in a reflow apparatus including at least one of a rear chamber located downstream of the heating chamber, wherein the temperature profile is estimated A correspondence relationship between a set temperature acquisition step for acquiring a set temperature of the heating chamber, a representative temperature representative of an atmosphere temperature of at least one of the front chamber and the rear chamber, and a set temperature of the heating chamber. A representative temperature specifying step for specifying a representative temperature corresponding to the set temperature acquired in the set temperature acquisition step, Using the representative temperature specified in the representative temperature specifying step and the set temperature acquired in the set temperature acquiring step, the temperature of the substrate transported in at least one of the front chamber and the rear chamber and the heating chamber A temperature profile estimation step for estimating the profile.
これにより、温度制御がなされていない前室又は後室の温度プロファイルを推定することができるので、リフロー装置内を搬送される基板の温度プロファイルをより高精度に推定することが可能となる。さらに、温度プロファイルを推定する際に用いる前室又は後室の代表温度を、加熱室の設定温度を用いて比較的高精度に特定することできるので、温度プロファイルを推定する際に作業者が代表温度を入力する必要がなく、作業者の負荷の増加を抑制することもできる。 As a result, the temperature profile of the front chamber or the rear chamber where temperature control is not performed can be estimated, so that the temperature profile of the substrate transported in the reflow apparatus can be estimated with higher accuracy. Furthermore, since the representative temperature of the front chamber or the rear chamber used when estimating the temperature profile can be specified with relatively high accuracy using the set temperature of the heating chamber, the operator represents the representative when the temperature profile is estimated. There is no need to input temperature, and an increase in the load on the operator can be suppressed.
また、前記加熱室は、それぞれが互いに独立して雰囲気温度を制御可能である、前記前室に隣接する第1加熱室と前記第1加熱室よりも搬送方向の下流側に設けられる第2加熱室とを少なくとも有し、前記代表温度情報は、前記前室の代表温度と前記第1加熱室の設定温度との対応関係を示し、前記代表温度特定ステップでは、前記設定温度取得ステップにおいて取得された前記第1加熱室の設定温度に対応する、前記前室の代表温度を特定することが好ましい。 In addition, the heating chamber is capable of controlling the ambient temperature independently of each other, and the first heating chamber adjacent to the front chamber and the second heating provided downstream of the first heating chamber in the transport direction. And the representative temperature information indicates a correspondence relationship between the representative temperature of the front chamber and the set temperature of the first heating chamber, and is acquired in the set temperature acquisition step in the representative temperature specifying step. It is preferable that the representative temperature of the front chamber corresponding to the set temperature of the first heating chamber is specified.
これにより、前室に隣接する第1加熱室の設定温度を用いて、前室の代表温度を高精度に特定することができるので、より高精度に温度プロファイルを推定することが可能となる。 Thereby, since the representative temperature of the front chamber can be specified with high accuracy using the set temperature of the first heating chamber adjacent to the front chamber, the temperature profile can be estimated with higher accuracy.
また、前記加熱室は、それぞれが互いに独立して雰囲気温度を制御可能である、第1加熱室と、前記第1加熱室よりも搬送方向の下流側に設けられ、前記後室に隣接する第2加熱室とを少なくとも有し、前記代表温度情報は、前記後室の代表温度と前記第2加熱室の設定温度との対応関係を示し、前記代表温度特定ステップでは、前記設定温度取得ステップにおいて取得された前記第2加熱室の設定温度に対応する前記後室の代表温度を特定することが好ましい。 Further, the heating chamber is provided on the downstream side in the transport direction from the first heating chamber and the first heating chamber, each of which can control the ambient temperature independently of each other, and adjacent to the rear chamber. At least two heating chambers, and the representative temperature information indicates a correspondence relationship between the representative temperature of the rear chamber and the set temperature of the second heating chamber. In the representative temperature specifying step, in the set temperature acquisition step, It is preferable to specify a representative temperature of the rear chamber corresponding to the acquired set temperature of the second heating chamber.
これにより、後室に隣接する第2加熱室の設定温度を用いて、後室の代表温度を高精度に特定することができるので、より高精度に温度プロファイルを推定することが可能となる。 Thereby, since the representative temperature of the rear chamber can be specified with high accuracy using the set temperature of the second heating chamber adjacent to the rear chamber, the temperature profile can be estimated with higher accuracy.
また、本発明の一態様に係る温度プロファイル推定装置は、雰囲気温度を設定温度と一致するように制御可能な加熱室と、前記加熱室の上流側に位置する前室及び前記加熱室の下流側に位置する後室の少なくとも一方とを備えるリフロー装置内を搬送される基板の温度の時間変化を示す温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定装置であって、前記前室及び前記後室の少なくとも一方の雰囲気温度を代表する代表温度と、前記加熱室の設定温度との対応関係を示す代表温度情報を記憶している記憶部と、温度プロファイルを推定する際に用いられる、前記加熱室の設定温度を取得する設定温度取得部と、前記記憶部に記憶されている代表温度情報を用いて、前記設定温度取得部によって取得された設定温度に対応する代表温度を特定する代表温度特定部と、前記代表温度特定部によって特定された代表温度と、前記設定温度取得部によって取得された設定温度とを用いて、前記前室及び前記後室の少なくとも一方と前記加熱室とを搬送される基板の温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定部とを備える。 Further, the temperature profile estimation device according to one aspect of the present invention includes a heating chamber that can be controlled so that the ambient temperature matches a set temperature, a front chamber positioned upstream of the heating chamber, and a downstream side of the heating chamber. A temperature profile estimation device for estimating a temperature profile indicating a temporal change in the temperature of a substrate transported in a reflow apparatus including at least one of a rear chamber located in the rear chamber, wherein the temperature profile estimation device estimates at least one of the front chamber and the rear chamber A storage unit storing representative temperature information indicating a correspondence relationship between a representative temperature representative of an ambient temperature and a set temperature of the heating chamber, and a set temperature of the heating chamber used for estimating a temperature profile. A representative temperature corresponding to the preset temperature acquired by the preset temperature acquisition unit is identified using the preset temperature acquisition unit to be acquired and the representative temperature information stored in the storage unit Using the representative temperature specifying unit, the representative temperature specified by the representative temperature specifying unit, and the set temperature acquired by the set temperature acquiring unit, and at least one of the front chamber and the rear chamber, and the heating chamber And a temperature profile estimation unit that estimates the temperature profile of the substrate being conveyed.
これにより、上記温度プロファイル推定方法と同様の効果を奏することができる。 Thereby, the same effect as the above-mentioned temperature profile estimation method can be produced.
また、本発明の一態様に係るリフロー装置は、上記温度プロファイル推定装置を備える。 Moreover, the reflow apparatus which concerns on 1 aspect of this invention is provided with the said temperature profile estimation apparatus.
これにより、上記温度プロファイル推定方法と同様の効果を奏することができる。 Thereby, the same effect as the above-mentioned temperature profile estimation method can be produced.
なお、本発明は、このような温度プロファイル推定方法として実現することができるだけでなく、温度プロファイル推定方法に含まれる各ステップをコンピュータに実行させるプログラムとして実現することもできる。そして、そのようなプログラムは、CD−ROM(Compact Disc Read Only Memory)等の記録媒体、あるいはインターネット等の伝送媒体を介して配信することができるのは言うまでもない。 The present invention can be realized not only as such a temperature profile estimation method but also as a program for causing a computer to execute each step included in the temperature profile estimation method. Such a program can be distributed via a recording medium such as a CD-ROM (Compact Disc Read Only Memory) or a transmission medium such as the Internet.
以上の説明から明らかなように、本発明の一態様に係る温度プロファイル推定方法は、温度制御がなされていない前室又は後室の温度プロファイルを推定することができるので、リフロー装置内を搬送される基板の温度プロファイルをより高精度に推定することが可能となる。さらに、温度プロファイルを推定する際に用いる前室又は後室の代表温度を、加熱室の設定温度を用いて比較的高精度に特定することできるので、温度プロファイルを推定する際に作業者が代表温度を入力する必要がなく、作業者の負荷の増加を抑制することもできる。 As is clear from the above description, the temperature profile estimation method according to one aspect of the present invention can estimate the temperature profile of the front chamber or the rear chamber that is not temperature-controlled, and is therefore transported in the reflow apparatus. It is possible to estimate the temperature profile of the substrate with higher accuracy. Furthermore, since the representative temperature of the front chamber or the rear chamber used when estimating the temperature profile can be specified with relatively high accuracy using the set temperature of the heating chamber, the operator represents the representative when the temperature profile is estimated. There is no need to input temperature, and an increase in the load on the operator can be suppressed.
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係るリフロー装置の構成を示す断面図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a reflow apparatus according to
リフロー装置100は、クリームはんだが印刷された基板に電子部品などの部品が実装された基板300を加熱する。より具体的には、例えば、リフロー装置100は、いわゆる窒素リフロー炉であり、加熱室110内の酸素濃度を下げるために加熱室110等の内部に窒素を充満しながら基板300を加熱する。
The
なお、後述する温度プロファイル推定装置10は、このリフロー装置100内を搬送される基板300の温度プロファイルを推定する。
Note that the temperature
図1に示すように、リフロー装置100は、前室101と、加熱室110と、冷却室107と、コンベア111とを備える。
As shown in FIG. 1, the
前室101は、加熱室110の搬送方向の上流側に設けられ、内部を基板300が搬送される。また、前室101は、内部に充満された窒素などの流体が上流側(外部)に流出することを抑制するために、ラビリンス構造を有する。具体的には、前室101には、コンベア111によって搬送される基板300と干渉しないように、複数の板材が搬送方向と交差する方向に配列される。
The
なお、前室101は、雰囲気温度を積極的に制御する手段を有さず、温度制御がなされない。したがって、前室101に対して、設定温度は設定されない。
The
加熱室110は、雰囲気温度を設定温度と一致するように制御することにより、基板300を加熱する。加熱室110は、搬送方向の上流側から下流側へ順に、予熱室108と、リフロー室109とを有する。
The
予熱室108は、基板300の温度プロファイルが予熱部制約条件に適合するように、基板300を予備加熱する。つまり、予熱室108は、基板300の温度がはんだの溶融点未満の所定温度範囲(例えば、150〜180℃)に所定時間(例えば、120秒以下の時間)保持されるように、基板300を予備加熱する。
The preheating
予熱室108は、搬送方向の上流側から下流側へ順に、第1予熱室102と、第2予熱室103と、第3予熱室104とを有する。
The preheating
第1予熱室102と、第2予熱室103と、第3予熱室104とは、それぞれ独立して雰囲気温度を制御することができる。具体的には、第1予熱室102と、第2予熱室103と、第3予熱室104とは、例えば、熱源(図示せず)と温度センサ(図示せず)とをそれぞれ備える。つまり、第1予熱室102、第2予熱室103及び第3予熱室104のそれぞれは、温度センサによって計測された温度に応じて熱源を制御することにより、雰囲気温度を設定温度と一致させる。
The
リフロー室109は、基板300の温度プロファイルがリフロー部制約条件に適合するように、基板300をリフロー加熱する。つまり、リフロー室109は、基板300の温度がはんだの溶融点以上の所定温度範囲(例えば、220〜240℃)に所定時間(40秒以上の時間)保持されるように、基板300をリフロー加熱する。
The
リフロー室109は、搬送方向の上流側から下流側へ順に、第1リフロー室105と第2リフロー室106とを有する。
The
第1リフロー室105と第2リフロー室106とは、第1予熱室102等と同様に、それぞれ独立して雰囲気温度を制御することができる。具体的には、第1リフロー室105と第2リフロー室106とは、例えば、熱源(図示せず)と温度センサ(図示せず)とをそれぞれ備える。つまり、第1リフロー室105及び第2リフロー室106のそれぞれは、温度センサによって計測された温度に応じて熱源を制御することにより、雰囲気温度を設定温度と一致させる。
The
冷却室107は、内部の雰囲気温度を設定温度と一致するように制御することにより、基板300を冷却する。具体的には、冷却室107は、例えば、冷却器(図示せず)と温度センサ(図示せず)とを備える。つまり、冷却室107は、温度センサによって計測された温度に応じて冷却器を制御することにより、雰囲気温度を設定温度と一致させる。
The cooling
次に、リフロー装置100内を搬送される基板300の温度プロファイルについて説明する。
Next, the temperature profile of the
図2は、本発明の実施の形態1に係るリフロー装置における温度プロファイルを説明するための図である。具体的には、図2の(a)は、リフロー装置100に設定された設定温度を示す図である。また、図2の(b)は、上記設定温度を利用して従来の温度プロファイル推定方法により推定された推定温度プロファイル401と、上記設定温度において実際に計測された計測温度プロファイル402とを示すグラフである。
FIG. 2 is a diagram for explaining a temperature profile in the reflow apparatus according to
図2に示すように、従来の推定方法では、温度制御がなされない前室101において温度プロファイルが推定されないので、予熱室108の入口における基板300の温度は、例えば、初期温度25℃と同一と設定される。そして、予熱室108、リフロー室109及び冷却室107を搬送される基板300の初期温度からの温度変化を推定することにより、推定温度プロファイルが推定される。
As shown in FIG. 2, in the conventional estimation method, since the temperature profile is not estimated in the
しかし、計測温度プロファイル402から明らかなように、実際には、基板300の温度は、前室101において上昇する。これは、予熱室108において加熱された窒素などの流体が前室101に流出することにより、前室101の雰囲気温度が上昇していることなどが原因である。
However, as is apparent from the measured
その結果、推定温度プロファイル401と計測温度プロファイル402とでは、予熱室108の入口における温度差異に起因して誤差が生じる。つまり、推定温度プロファイル401が予熱部制約条件403に適合しても、実際には、計測温度プロファイル402は予熱部制約条件403に適合しない場合が発生する。
As a result, an error occurs between the estimated
このような問題を解決し、温度プロファイルの推定精度を向上させることができる本実施の形態に係る温度プロファイル推定システムについて、以下に図面を用いて説明する。 A temperature profile estimation system according to the present embodiment that can solve such problems and improve the accuracy of estimation of a temperature profile will be described below with reference to the drawings.
図3は、本発明の実施の形態1に係る温度プロファイル推定システムの構成を示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of the temperature profile estimation system according to
図3に示すように、温度プロファイル推定システムは、温度プロファイル推定装置10と、代表温度情報生成装置20とを備える。
As shown in FIG. 3, the temperature profile estimation system includes a temperature
まず、温度プロファイル推定装置10について説明する。
First, the temperature
温度プロファイル推定装置10は、リフロー装置100内を搬送される基板300の温度の時間変化を示す温度プロファイルを推定する。温度プロファイル推定装置10は、設定温度取得部11と、記憶部12と、代表温度特定部13と、温度プロファイル推定部14とを備える。
The temperature
設定温度取得部11は、温度プロファイルを推定する際に用いられる、加熱室110等の設定温度を取得する。具体的には、設定温度取得部11は、例えば、推定後の温度プロファイルが制約条件に適合すると考えられる、加熱室110及び冷却室107の設定温度を取得する。
The set
より具体的には、設定温度取得部11は、例えば、図2の(a)に示すように、第1〜第3予熱室102〜104の設定温度180℃と、第1及び第2リフロー室105、106の設定温度240℃と、冷却室107の設定温度100℃とを取得する。
More specifically, for example, as shown in FIG. 2A, the set
なお、設定温度取得部11は、前室101の設定温度を取得しない。これは、そもそも前室101は、雰囲気温度を設定温度と一致するように制御できないので、設定温度が存在しないからである。
Note that the set
記憶部12は、例えばメモリであり、代表温度情報12aを記憶している。代表温度情報12aは、前室101の雰囲気温度を代表する代表温度と、加熱室110の設定温度との対応関係を示す。具体的には、代表温度情報12aは、前室101の雰囲気温度を代表する代表温度と、前室101に隣接する第1予熱室102(第1加熱室に相当)の設定温度との対応関係を示す。代表温度情報12aの詳細は、図4を用いて後述する。
The
代表温度特定部13は、代表温度情報12aを用いて、設定温度取得部11によって取得された設定温度に対応する代表温度を特定する。具体的には、代表温度特定部13は、記憶部12に記憶された代表温度情報12aを参照することにより、第1予熱室102の設定温度に対応する、前室101の代表温度を特定する。
The representative
温度プロファイル推定部14は、特定された代表温度と、取得された設定温度とを用いて、前室101と加熱室110とを搬送される基板300の温度プロファイルを推定する。つまり、温度プロファイル推定部14は、前室101の雰囲気温度が代表温度まで加熱されたと仮定して、前室101を搬送される基板300の温度プロファイルをm値を用いて推定する。
The temperature
具体的には、温度プロファイル推定部14は、例えば、以下のように、前室101、加熱室110及び冷却室107を順に搬送される基板300の温度プロファイルを推定する。
Specifically, for example, the temperature
まず、温度プロファイル推定部14は、各室(前室101、第1〜第3予熱室102〜104、第1リフロー室105、第2リフロー室106及び冷却室107)又は各室を搬送方向に細分化した各区分のm値を取得する。このm値は、例えば実際に計測された温度プロファイルを用いて、以下の式(1)のように算出される。
First, the temperature
ここで、tは、各室又は各室を細分化した各区分を基板300が通過するのに要した時間である。
Here, t is the time required for the
また、Taは、各室又は各室を細分化した各区分の代表温度又は設定温度である。具体的には、前室101又は前室101を細分化した各区分のm値を算出する際には、Taは、代表温度である。また、加熱室110及び冷却室107、又はそれらを細分化した各区分のm値を算出する際には、Taは、設定温度である。
Ta is the representative temperature or set temperature of each room or each section into which each room is subdivided. Specifically, when calculating the m value of each section obtained by subdividing the
また、Tintは、各室又は各室を細分化した各区分の入口境界における基板300の温度である。また、Tsは、各室又は各室を細分化した各区分の出口境界における基板300の温度である。
Further, Tint is the temperature of the
次に、温度プロファイル推定部14は、取得したm値を用いて、以下の式(2)に従って、各室又は各室を細分化した各区分における基板300の温度Tsを算出することにより、基板300の温度プロファイルを推定する。
Next, the temperature
このように、温度プロファイル推定部14は、前室101における基板300の温度変化も考慮して、基板300の温度プロファイルを推定する。
Thus, the temperature
次に、代表温度情報生成装置20について説明する。
Next, the representative temperature
代表温度情報生成装置20は、温度プロファイル推定装置10の記憶部12に記憶される代表温度情報12aを生成する。代表温度情報生成装置20は、計測値取得部21と、代表温度情報生成部22と、計測値監視部23とを備える。
The representative temperature
計測値取得部21は、前室101において計測された代表温度と、当該代表温度が計測されたときの第1予熱室102の設定温度との組み合わせを計測値として取得する。
The measured
代表温度情報生成部22は、計測値取得部21によって取得された少なくとも2つの計測値に基づいて、代表温度情報12aを生成する。そして、代表温度情報12aは、生成した代表温度情報12aを温度プロファイル推定装置10に送信することにより、代表温度情報12aを記憶部12に格納する。
The representative temperature
具体的には、代表温度情報生成部22は、例えば、少なくとも2つの計測値によって近似される一次関数を代表温度情報12aとして生成する。
Specifically, the representative temperature
なお、代表温度情報生成部22は、例えば、少なくとも2つの計測値によって近似される二次関数又は指数関数などを代表温度情報12aとして生成してもよい。また、例えば、代表温度情報生成部22は、少なくとも2つの計測値が格納されたテーブルを代表温度情報12aとして生成してもよい。
Note that the representative temperature
計測値監視部23は、取得された代表温度と、既に生成された代表温度情報12aによって特定される、取得された設定温度に対応する代表温度との差異が、予め定められた許容範囲内であるか否かを判定する。ここで、差異が許容範囲内でないと判定された場合、計測値監視部23は、代表温度情報生成部22に代表温度情報12aを再生成するように指示する。
The measured
次に、記憶部12に記憶される代表温度情報12aについて説明する。
Next, the
図4は、本発明の実施の形態1に係る代表温度情報の一例を示す図である。図4に示すように、代表温度情報12aは、第1予熱室102の設定温度と前室101の代表温度との対応関係を示す。
FIG. 4 is a diagram showing an example of representative temperature information according to
具体的には、代表温度情報12aは、計測値取得部21によって取得された第1計測値411と第2計測値412とを通る直線を示す一次関数である。なお、上述したように、代表温度情報12aは、必ずしも一次関数である必要はない。
Specifically, the
また、第1計測値411の設定温度は、基板300の予備加熱のために、基板300を安定して加熱することができる雰囲気温度の下限値であることが好ましい。また、第2計測値412の設定温度は、基板300の予備加熱のために、基板300を安定して加熱することができる雰囲気温度の上限値であることが好ましい。
In addition, the set temperature of the
これにより、第1予熱室102の設定温度の上限値及び下限値に対応する前室101の代表温度が特定されるので、代表温度情報12aによって特定される代表温度の精度を向上させることができる。
Thereby, since the representative temperature of the
次に、以上のように構成された温度プロファイル推定装置10及び代表温度情報生成装置20において実行される温度プロファイル推定処理及び代表温度情報生成処理について、図5〜図8を用いて説明する。
Next, the temperature profile estimation process and the representative temperature information generation process executed in the temperature
まず、温度プロファイル推定処理について説明する。 First, the temperature profile estimation process will be described.
図5は、本発明の実施の形態1に係る温度プロファイル推定処理の流れを示すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing a flow of temperature profile estimation processing according to
まず、設定温度取得部11は、温度プロファイルを推定する際に用いられる、加熱室110及び冷却室107の設定温度を取得する(S101)。具体的には、設定温度取得部11は、例えば、図2の(a)に示すような加熱室110及び冷却室107の設定温度を取得する。
First, the set
続いて、代表温度特定部13は、代表温度情報12aを用いて、設定温度取得部11によって取得された設定温度に対応する代表温度を特定する(S102)。具体的には、代表温度特定部13は、例えば、取得された第1予熱室102の設定温度が180℃である場合、図4に示す代表温度情報12aを用いて、前室101の代表温度を73.3℃と特定する。
Subsequently, the representative
そして、温度プロファイル推定部14は、特定された代表温度と、取得された設定温度とを用いて、前室101と加熱室110とを搬送される基板300の温度プロファイルを推定する(S103)。
And the temperature
このように、温度プロファイル推定装置10は、基板300の温度プロファイルを推定する。
As described above, the temperature
次に、代表温度情報生成処理について説明する。 Next, the representative temperature information generation process will be described.
図6は、本発明の実施の形態1に係る代表温度情報生成処理の流れを示すフローチャートである。また、図7は、本発明の実施の形態1に係る代表温度の測定方法を説明するための図である。また、図8は、本発明の実施の形態1に係る計測値監視部における処理を説明するための図である。
FIG. 6 is a flowchart showing a flow of representative temperature information generation processing according to
まず、計測値取得部21は、前室101において計測された代表温度と、当該代表温度が計測されたときの第1予熱室102の設定温度との組み合わせを計測値として取得する(S201)。
First, the measured
具体的には、計測値取得部21は、例えば、図7の(a)に示すように、前室101に設置された温度センサ301によって計測された温度を代表温度として取得する。
Specifically, for example, as illustrated in FIG. 7A, the measurement
なお、温度センサ301は、基板300と干渉しない位置であって、かつ、前室101中央部のコンベア111近傍に設置されることが好ましい。これにより、計測値取得部21は、実際に前室101を搬送される基板300の周囲の雰囲気温度を、代表温度として取得することができる。
The
またさらに、温度センサ301は、コンベア111の上方に設置されることが好ましい。これにより、基板300に実装された部品が搬送中に落下しても、温度センサ301が損傷することを防止できる。
Furthermore, the
また、計測値取得部21は、例えば、図7の(b)に示すように、基板300に設置され、かつ、基板300から搬送方向に所定距離離れて設置された温度センサ302によって、前室101の中央部において計測された温度を代表温度として取得してもよい。この場合、所定距離は、基板300の温度の影響を受けない距離であることが好ましく、例えば経験又は実験により決定されればよい。
Further, as shown in FIG. 7B, for example, the measurement
次に、計測値監視部23は、計測された前室101の代表温度と、現在の代表温度情報12aによって特定される、当該代表温度が計測されたときの第1予熱室102の設定温度に対応する前室101の代表温度との差異が、予め定められた許容範囲内であるか否かを判定する(S202)。なお、予め定められた許容範囲は、例えば、推定される温度プロファイルの精度に基づいて経験又は実験により決定されればよい。
Next, the measured
具体的には、例えば図8に示すように、計測値監視部23は、現在の代表温度情報12aによって特定される代表温度と、計測された代表温度との差異の絶対値が5%以内であるか否かを判定する。例えば、図8の(a)に示すように、計測値413が取得された場合、計測値監視部23は、現在の代表温度情報12aによって特定される代表温度と計測値413が示す代表温度との差異は、許容範囲外であると判定する。
Specifically, for example, as shown in FIG. 8, the measured
ここで、差異が予め定められた許容範囲内である場合(S202のYes)、代表温度情報生成装置20は、代表温度情報生成処理を終了する。
Here, when the difference is within the predetermined allowable range (Yes in S202), the representative temperature
一方、差異が予め定められた許容範囲外である場合、又はまだ代表温度情報12aが一度も生成されていない場合(S202のNo)、計測値取得部21は、新たに計測された少なくとも2つの計測値(例えば、図8の(b)に示す第1計測値414及び第2計測値415)を取得する(S203)。そして、代表温度情報生成部22は、ステップS203において取得された少なくとも2つの計測値を用いて代表温度情報12aを新たに生成し(S204)、代表温度情報生成処理を終了する。具体的には、代表温度情報生成部22は、例えば、図8の(b)に示すように、第1計測値414及び第2計測値415を通る直線を示す一次関数を新たな代表温度情報12aとして生成する。
On the other hand, when the difference is outside the predetermined allowable range, or when the
このように、代表温度情報生成装置20は、取得された計測値が許容範囲外である場合に新たに代表温度情報12aを生成する。これにより、リフロー装置100の外部の温度(外気温度)の変化などによって第1予熱室102の設定温度と前室101の代表温度との対応関係が変化した場合であっても、代表温度情報生成装置20は、精度の高い代表温度情報12aを提供することができる。
As described above, the representative temperature
以上のように、本実施の形態に係る温度プロファイル推定装置10は、温度制御がなされていない前室101の温度プロファイルを推定することができるので、リフロー装置100内を搬送される基板300の温度プロファイルを、より高精度に推定することが可能となる。さらに、温度プロファイル推定装置10は、温度プロファイルを推定する際に用いる前室101の代表温度を、加熱室110の設定温度を用いて比較的高精度に特定することできるので、温度プロファイルを推定する際に作業者が代表温度を入力する必要がなく、作業者の負荷の増加を抑制することもできる。
As described above, the temperature
またさらに、温度プロファイル推定装置10は、前室101の代表温度を、前室101に隣接する第1予熱室102の設定温度を用いて高精度に特定することができるので、より高精度に温度プロファイルを推定することが可能となる。
Furthermore, since the temperature
(実施の形態2)
次に、本発明の実施の形態2について説明する。
(Embodiment 2)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
本実施の形態では、温度プロファイルを推定する基板300を加熱するリフロー装置200の構成の一部が、実施の形態1に係るリフロー装置100の構成と異なる。以下、実施の形態1と異なる点を中心に、実施の形態2に係る温度プロファイル推定装置10について、図面を参照しながら説明する。
In the present embodiment, a part of the configuration of the
図9は、本発明の実施の形態2に係るリフロー装置の構成を示す断面図である。図9において、図1と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。 FIG. 9 is a cross-sectional view showing a configuration of a reflow apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. 9, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
リフロー装置200は、例えば、いわゆる大気リフロー炉であり、加熱室110内に特に特別な気体を充満させない。リフロー装置200は、加熱室110に加えて、後室201を備える。なお、本実施の形態では、リフロー装置200は、前室101及び冷却室107を備えない。
The
後室201は、加熱室110の搬送方向の下流側に設けられ、内部を基板300が搬送される。また、後室201は、雰囲気温度を高精度に制御する手段を有しない。したがって、後室201に対して設定温度は設定されない。
The
後室201には、リフロー装置200の外部の空気を取り込み、取り込んだ空気を基板300に吹き付ける送風機が設けられる。これにより、後室201は、後室201を搬送される基板300の温度を低下させることができる。
The
次に、リフロー装置200内を搬送される基板300の温度プロファイルについて説明する。
Next, the temperature profile of the
図10は、本発明の実施の形態2に係るリフロー装置における温度プロファイルを説明するための図である。具体的には、図10の(a)は、リフロー装置200に設定された設定温度を示す図である。また、図10の(b)は、上記設定温度を利用して従来の温度プロファイル推定方法により推定された推定温度プロファイル451を示すグラフである。
FIG. 10 is a diagram for explaining a temperature profile in the reflow apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. Specifically, FIG. 10A is a diagram showing the set temperature set in the
図10に示すように、従来の推定方法では、温度制御がなされない後室201において温度プロファイルが推定されない。つまり、図10の(b)において破線で示される温度プロファイルは推定されない。
As shown in FIG. 10, in the conventional estimation method, the temperature profile is not estimated in the
ところで、リフロー部制約条件452は、例えば図10の(b)に示すように、第2リフロー室106と後室201とにまたがる基板300の温度がはんだの溶融点以上の220〜240℃に40秒以上の時間保持されることを示す。したがって、後室201における基板300の温度変化も、基板300の温度プロファイルがリフロー部制約条件452に適合するか否かに影響を及ぼす。
By the way, as shown in FIG. 10B, for example, the reflow
つまり、従来の推定方法では、後室201における温度プロファイルが推定されないので、高精度に温度プロファイルを推定できない。その結果、温度プロファイルがリフロー部制約条件452に適合する最適な設定温度を探索することが難しい。
That is, in the conventional estimation method, since the temperature profile in the
このような問題を解決し、温度プロファイルの推定精度を向上させることができる本実施の形態に係る温度プロファイル推定システムについて、以下に図面を用いて説明する。 A temperature profile estimation system according to the present embodiment that can solve such problems and improve the accuracy of estimation of a temperature profile will be described below with reference to the drawings.
なお、本実施の形態に係る温度プロファイル推定システムは、実施の形態1に係る温度プロファイル推定システムと構成が同一であるので図示を省略する。 Note that the temperature profile estimation system according to the present embodiment has the same configuration as the temperature profile estimation system according to the first embodiment, and therefore the illustration thereof is omitted.
本実施の形態に係る代表温度特定部13は、記憶部12に記憶された代表温度情報12bを参照することにより、第2リフロー室106(第2加熱室に相当)の設定温度に対応する、後室201の代表温度を特定する。
The representative
代表温度情報12bは、後室201の雰囲気温度を代表する代表温度と、加熱室110の設定温度との対応関係を示す。具体的には、代表温度情報12bは、後室201の雰囲気温度を代表する代表温度と、後室201に隣接する第2リフロー室106の設定温度との対応関係を示す。
The
図11は、本発明の実施の形態2に係る代表温度情報の一例を示す図である。図11に示すように、代表温度情報12bは、第2リフロー室106の設定温度と後室201の代表温度との対応関係を示す。
FIG. 11 is a diagram showing an example of representative temperature information according to Embodiment 2 of the present invention. As shown in FIG. 11, the
具体的には、代表温度情報12bは、計測値取得部21によって取得された第1計測値461と第2計測値462とを通る直線を示す一次関数である。なお、上述したように、代表温度情報12bは、必ずしも一次関数である必要はない。
Specifically, the
また、第1計測値461の設定温度は、基板300のリフロー加熱のために、基板300を安定して加熱することができる雰囲気温度の下限値であることが好ましい。また、第2計測値462の設定温度は、基板300のリフロー加熱のために、基板300を安定して加熱することができる雰囲気温度の上限値であることが好ましい。
In addition, the set temperature of the
これにより、第2リフロー室106の設定温度の上限値及び下限値に対応する後室201の代表温度が特定されるので、代表温度情報12bによって特定される代表温度の精度を向上させることができる。
Thereby, since the representative temperature of the
図12は、本発明の実施の形態2に係る代表温度の測定方法を説明するための図である。 FIG. 12 is a diagram for explaining a representative temperature measuring method according to Embodiment 2 of the present invention.
図12に示すように、本実施の形態において、温度センサ303は、基板300と干渉しない位置であって、かつ、後室201中央部のコンベア111近傍に設置されることが好ましい。これにより、計測値取得部21は、実際に後室201を搬送される基板300の周囲の雰囲気温度を、代表温度として取得することができる。
As shown in FIG. 12, in the present embodiment, the
図13は、本発明の実施の形態2に係る計測値監視部における処理を説明するための図である。 FIG. 13 is a diagram for explaining processing in the measurement value monitoring unit according to Embodiment 2 of the present invention.
本実施の形態に係る計測値監視部23は、現在の代表温度情報12bによって特定される代表温度と、計測された代表温度との差異の絶対値が5%以内であるか否かを判定する。例えば、図13の(a)に示すように、計測値463が取得された場合、計測値監視部23は、現在の代表温度情報12bによって特定される代表温度と計測値463が示す代表温度との差異は、許容範囲外であると判定する。
The measured
そこで、計測値取得部21は、新たに計測された少なくとも2つの計測値(例えば、図13の(b)に示す第1計測値464及び第2計測値465)を取得する。そして、代表温度情報生成部22は、例えば、図13の(b)に示すように、第1計測値464及び第2計測値465を通る直線を示す一次関数を新たな代表温度情報12bとして生成する。
Therefore, the measurement
このように、代表温度情報生成装置20は、取得された計測値が許容範囲外である場合に新たに代表温度情報12bを生成する。これにより、外気温度の変化などによって第2リフロー室106の設定温度と後室201の代表温度との対応関係が変化した場合であっても、代表温度情報生成装置20は、精度の高い代表温度情報12bを提供することができる。
As described above, the representative temperature
以上のように、本実施の形態に係る温度プロファイル推定装置10は、温度制御がなされていない後室201の温度プロファイルを推定することができるので、より高精度にリフロー装置100内を搬送される基板300の温度プロファイルを推定することが可能となる。さらに、温度プロファイル推定装置10は、温度プロファイルを推定する際に用いる後室201の代表温度を、加熱室110の設定温度を用いて比較的高精度に特定することできるので、温度プロファイルを推定する際に作業者が代表温度を入力する必要がなく、作業者の負荷の増加を抑制することもできる。
As described above, the temperature
またさらに、温度プロファイル推定装置10は、後室201の代表温度を、後室201に隣接する第2リフロー室106の設定温度を用いて高精度に特定することができるので、より高精度に温度プロファイルを推定することが可能となる。
Furthermore, since the temperature
以上、本発明の一態様に係る温度プロファイル推定装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したもの、又は異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。 As described above, the temperature profile estimation device according to one aspect of the present invention has been described based on the embodiments, but the present invention is not limited to these embodiments. Unless it deviates from the meaning of this invention, the form which carried out the various deformation | transformation which those skilled in the art thought to this embodiment, or the structure constructed | assembled combining the component in a different embodiment is also contained in the scope of the present invention. .
例えば、上記実施の形態1又は2に係る温度プロファイル推定装置10は、代表温度情報生成装置20を備えてもよい。
For example, the temperature
また、上記実施の形態1及び2において、代表温度情報は、加熱室110の設定温度と、前室101又は後室201の代表温度との対応関係を示したが、このような対応関係に限らない。例えば、代表温度情報は、加熱室110の設定温度及び外気温度と、前室101又は後室201の代表温度との対応関係を示してもよい。これにより、代表温度特定部13は、前室101又は後室201の代表温度が外気温度にも依存する場合に、高精度に代表温度を特定することができる。
In the first and second embodiments, the representative temperature information indicates the correspondence between the set temperature of the
また、上記実施の形態1又は2に係る温度プロファイル推定装置10は、リフロー装置100又は200に備えられてもよい。
Moreover, the temperature
また、図1又は図9に示したリフロー装置100又は200は一例であり、異なる構成のリフロー装置であっても本発明は適用されうる。例えば、実施の形態1に係るリフロー装置100が冷却室107を備えずに、後室201を備えてもよい。この場合、代表温度特定部13は、実施の形態1に係る代表温度情報12aと実施の形態2に係る代表温度情報12bとを用いて、前室101及び後室201の代表温度を特定すればよい。このような場合であっても、温度プロファイル推定装置は、高精度に温度プロファイルを推定することができる。
Moreover, the
さらに、本発明は、このような温度プロファイル推定装置の特徴的な構成要素が行う処理を実行する温度プロファイル推定方法として実現することもできる。また、その温度プロファイル推定方法を図14に示すようなコンピュータに実行させるためのプログラムとして実現することもできる。そして、そのようなプログラムは、CD−ROM等の記録媒体、インターネット等の伝送媒体を介して配信することができる。 Furthermore, the present invention can also be realized as a temperature profile estimation method for executing processing performed by characteristic components of such a temperature profile estimation device. Also, the temperature profile estimation method can be realized as a program for causing a computer as shown in FIG. Such a program can be distributed via a recording medium such as a CD-ROM or a transmission medium such as the Internet.
図14は、コンピュータのハードウェア構成の一例を示す図である。温度プロファイル推定方法をコンピュータに実行させるためのプログラムは、例えば、コンピュータが読取可能な媒体であるCD−ROM515に記憶され、CD−ROM装置514を介して読み出される。また例えば、温度プロファイル推定方法をコンピュータに実行させるためのプログラムは、有線若しくは無線ネットワーク、又は放送などを介して伝送される。
FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a hardware configuration of a computer. A program for causing a computer to execute the temperature profile estimation method is stored in, for example, a CD-
コンピュータ500は、CPU(Central Processing Unit)501、ROM(Read Only Memory)502、RAM(Random Access Memory)503、ハードディスク504、通信インタフェース505等を備える。
The
CPU501は、CD−ROM装置514を介して読み出されたプログラム、又は通信インタフェース505を介して受信したプログラムを実行する。具体的には、CPU501は、CD−ROM装置514を介して読み出されたプログラム、又は通信インタフェース505を介して受信したプログラムをRAM503に展開する。そして、CPU501は、RAM503に展開されたプログラム中のコード化された各命令を実行する。
The
ROM502は、コンピュータ500の動作に必要なプログラム及びデータを記憶する読み出し専用メモリである。RAM503は、CPU501がプログラムを実行するときにワークエリアとして使用される。具体的には、RAM503は、例えば、プログラム実行時のパラメータなどのデータを一時的に記憶する。ハードディスク504は、プログラム、データなどを記憶する。
The
通信インタフェース505は、ネットワークを介して他のコンピュータとの通信を行なう。バス506は、CPU501、ROM502、RAM503、ハードディスク504、通信インタフェース505、ディスプレイ511、キーボード512、マウス513及びCD−ROM装置514を相互に接続する。
The
リフロー装置内を搬送される基板の温度の時間変化を示す温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定装置などとして利用することができる。 The present invention can be used as a temperature profile estimation device that estimates a temperature profile indicating a temporal change in the temperature of a substrate conveyed in the reflow apparatus.
10 温度プロファイル推定装置
11 設定温度取得部
12 記憶部
12a、12b 代表温度情報
13 代表温度特定部
14 温度プロファイル推定部
20 代表温度情報生成装置
21 計測値取得部
22 代表温度情報生成部
23 計測値監視部
100、200 リフロー装置
101 前室
102 第1予熱室
103 第2予熱室
104 第3予熱室
105 第1リフロー室
106 第2リフロー室
107 冷却室
108 予熱室
109 リフロー室
110 加熱室
201 後室
DESCRIPTION OF
Claims (6)
温度プロファイルを推定する際に用いられる、前記加熱室の設定温度を取得する設定温度取得ステップと、
前記前室及び前記後室の少なくとも一方の雰囲気温度を代表する代表温度と、前記加熱室の設定温度との対応関係を示す代表温度情報を用いて、前記設定温度取得ステップにおいて取得された設定温度に対応する代表温度を特定する代表温度特定ステップと、
前記代表温度特定ステップにおいて特定された代表温度と、前記設定温度取得ステップにおいて取得された設定温度とを用いて、前記前室及び前記後室の少なくとも一方と前記加熱室とを搬送される基板の温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定ステップとを含む
温度プロファイル推定方法。 Inside a reflow apparatus comprising a heating chamber that can be controlled so that the atmospheric temperature matches a set temperature, and at least one of a front chamber located upstream of the heating chamber and a rear chamber located downstream of the heating chamber. A temperature profile estimation method for estimating a temperature profile indicating a temporal change in temperature of a substrate to be conveyed,
A set temperature acquisition step for acquiring a set temperature of the heating chamber, which is used when estimating a temperature profile;
The set temperature acquired in the set temperature acquisition step using the representative temperature information indicating the correspondence between the representative temperature representative of the atmosphere temperature of at least one of the front chamber and the rear chamber and the set temperature of the heating chamber A representative temperature specifying step for specifying a representative temperature corresponding to
Using the representative temperature specified in the representative temperature specifying step and the set temperature acquired in the set temperature acquiring step, at least one of the front chamber and the rear chamber and the heating chamber A temperature profile estimation method comprising: a temperature profile estimation step for estimating a temperature profile.
前記代表温度情報は、前記前室の代表温度と前記第1加熱室の設定温度との対応関係を示し、
前記代表温度特定ステップでは、前記設定温度取得ステップにおいて取得された前記第1加熱室の設定温度に対応する、前記前室の代表温度を特定する
請求項1に記載の温度プロファイル推定方法。 The heating chamber is capable of controlling the ambient temperature independently of each other, a first heating chamber adjacent to the front chamber, and a second heating chamber provided downstream of the first heating chamber in the transport direction, Having at least
The representative temperature information indicates a correspondence relationship between the representative temperature of the front chamber and the set temperature of the first heating chamber,
The temperature profile estimation method according to claim 1, wherein in the representative temperature specifying step, a representative temperature of the front chamber corresponding to the set temperature of the first heating chamber acquired in the set temperature acquiring step is specified.
前記代表温度情報は、前記後室の代表温度と前記第2加熱室の設定温度との対応関係を示し、
前記代表温度特定ステップでは、前記設定温度取得ステップにおいて取得された前記第2加熱室の設定温度に対応する前記後室の代表温度を特定する
請求項1又は2に記載の温度プロファイル推定方法。 The heating chamber is provided on the downstream side in the transport direction with respect to the first heating chamber and the first heating chamber, each of which can control the ambient temperature independently of each other, and the second heating adjacent to the rear chamber. And at least a chamber,
The representative temperature information indicates a correspondence relationship between the representative temperature of the rear chamber and the set temperature of the second heating chamber,
The temperature profile estimation method according to claim 1 or 2, wherein in the representative temperature specifying step, a representative temperature of the rear chamber corresponding to the set temperature of the second heating chamber acquired in the set temperature acquiring step is specified.
前記前室及び前記後室の少なくとも一方の雰囲気温度を代表する代表温度と、前記加熱室の設定温度との対応関係を示す代表温度情報を記憶している記憶部と、
温度プロファイルを推定する際に用いられる、前記加熱室の設定温度を取得する設定温度取得部と、
前記記憶部に記憶されている代表温度情報を用いて、前記設定温度取得部によって取得された設定温度に対応する代表温度を特定する代表温度特定部と、
前記代表温度特定部によって特定された代表温度と、前記設定温度取得部によって取得された設定温度とを用いて、前記前室及び前記後室の少なくとも一方と前記加熱室とを搬送される基板の温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定部とを備える
温度プロファイル推定装置。 Inside a reflow apparatus comprising a heating chamber that can be controlled so that the atmospheric temperature matches a set temperature, and at least one of a front chamber located upstream of the heating chamber and a rear chamber located downstream of the heating chamber. A temperature profile estimation device for estimating a temperature profile indicating a change in temperature of a substrate to be transported over time,
A storage unit that stores representative temperature information representing a correspondence relationship between a representative temperature representing the ambient temperature of at least one of the front chamber and the rear chamber, and a set temperature of the heating chamber;
A set temperature acquisition unit for acquiring a set temperature of the heating chamber, used when estimating a temperature profile;
Using the representative temperature information stored in the storage unit, a representative temperature specifying unit that specifies a representative temperature corresponding to the set temperature acquired by the set temperature acquiring unit,
Using the representative temperature specified by the representative temperature specifying unit and the set temperature acquired by the set temperature acquiring unit, at least one of the front chamber and the rear chamber and the heating chamber are conveyed. A temperature profile estimation device comprising: a temperature profile estimation unit that estimates a temperature profile.
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