JP5279750B2 - Temperature profile estimation method, temperature profile estimation device, and reflow device - Google Patents

Temperature profile estimation method, temperature profile estimation device, and reflow device Download PDF

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Description

本発明は、リフロー装置内を搬送される基板の温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定方法に関する。   The present invention relates to a temperature profile estimation method for estimating a temperature profile of a substrate transported in a reflow apparatus.

電子部品などの部品が実装された基板を加熱するリフロー装置は、予め定められた制約条件に適合するように基板を加熱することにより、部品の熱による損傷を回避しつつ、部品を基板にはんだ付けすることができる。   A reflow device that heats a substrate on which a component such as an electronic component is mounted heats the substrate to meet predetermined constraints, thereby avoiding damage to the component due to heat and soldering the component to the substrate. Can be attached.

例えば、リフロー装置は、基板の温度がはんだの溶融点未満の所定温度範囲に所定時間だけ保持されるように基板を予備加熱した後に、基板の温度がはんだの溶融点以上の所定温度範囲に所定時間だけ保持されるように基板をリフロー加熱する。このように基板の温度を所定温度範囲に所定時間だけ保持するという制約条件に基板の温度プロファイルを適合させることにより、リフロー装置は、部品の熱による損傷を回避しつつ、部品を基板にはんだ付けすることができる。   For example, the reflow apparatus pre-heats the substrate so that the substrate temperature is maintained in a predetermined temperature range below the melting point of the solder for a predetermined time, and then the substrate temperature is predetermined within a predetermined temperature range equal to or higher than the melting point of the solder. The substrate is reflow-heated so as to be held only for a time. By adapting the temperature profile of the board to the constraint that the board temperature is kept within a given temperature range for a given time in this way, the reflow device can solder the part to the board while avoiding damage due to the heat of the part. can do.

そこで、予め定められた制約条件に適合するように基板を加熱するためのリフロー装置の加熱条件(加熱室の設定温度など)を決定するために、基板の温度プロファイルを推定する方法が提案されている(例えば、特許文献1を参照)。   Therefore, a method for estimating the temperature profile of the substrate has been proposed in order to determine the heating conditions (such as the set temperature of the heating chamber) of the reflow apparatus for heating the substrate so as to meet predetermined constraints. (For example, refer to Patent Document 1).

特許文献1に記載の方法では、リフロー装置により所定の加熱条件で加熱された基板の温度プロファイルを測定し、測定した温度プロファイルを用いてリフロー装置に対する基板の加熱特性を示す加熱特性値(以下、単に「m値」という)を算出する。そして、算出されたm値を用いて、加熱条件を変更した場合における基板の温度プロファイルを推定する。これにより、測定された温度プロファイルから算出されるm値を用いて、加熱条件を変更した場合の基板の温度プロファイルを推定できる。   In the method described in Patent Document 1, a temperature profile of a substrate heated by a reflow apparatus under a predetermined heating condition is measured, and a heating characteristic value (hereinafter, referred to as a heating characteristic value of the substrate with respect to the reflow apparatus is measured using the measured temperature profile). Simply referred to as “m value”). And the temperature profile of the board | substrate in the case of changing heating conditions is estimated using the calculated m value. Accordingly, the temperature profile of the substrate when the heating condition is changed can be estimated using the m value calculated from the measured temperature profile.

特開2004−64002号公報JP 2004-64002 A

しかしながら、上記従来の方法では、推定された温度プロファイルと、実測された温度プロファイルとの差異が大きくなる場合がある。例えば、加熱室において加熱された大気あるいは窒素などの流体が、温度制御がなされていない加熱室外部に流出し、加熱室の上流側又は下流側の位置において基板が加熱されることにより、リフロー装置内を搬送される基板の温度プロファイルの推定精度が低下する。   However, in the above conventional method, the difference between the estimated temperature profile and the actually measured temperature profile may be large. For example, a fluid such as air or nitrogen heated in the heating chamber flows out of the heating chamber where temperature control is not performed, and the substrate is heated at a position upstream or downstream of the heating chamber, whereby the reflow apparatus The estimation accuracy of the temperature profile of the substrate transported inside decreases.

そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、リフロー装置内を搬送される基板の温度プロファイルを高精度に推定することができる温度プロファイル推定方法を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide a temperature profile estimation method capable of accurately estimating the temperature profile of a substrate transported in a reflow apparatus. To do.

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る温度プロファイル推定方法は、雰囲気温度を設定温度と一致するように制御可能な加熱室と、前記加熱室の上流側に位置する前室及び前記加熱室の下流側に位置する後室の少なくとも一方とを備えるリフロー装置内を搬送される基板の温度の時間変化を示す温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定方法であって、温度プロファイルを推定する際に用いられる、前記加熱室の設定温度を取得する設定温度取得ステップと、前記前室及び前記後室の少なくとも一方の雰囲気温度を代表する代表温度と、前記加熱室の設定温度との対応関係を示す代表温度情報を用いて、前記設定温度取得ステップにおいて取得された設定温度に対応する代表温度を特定する代表温度特定ステップと、前記代表温度特定ステップにおいて特定された代表温度と、前記設定温度取得ステップにおいて取得された設定温度とを用いて、前記前室及び前記後室の少なくとも一方と前記加熱室とを搬送される基板の温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定ステップとを含む。   In order to achieve the above object, a temperature profile estimation method according to an aspect of the present invention includes a heating chamber capable of controlling an atmospheric temperature to match a set temperature, a front chamber located upstream of the heating chamber, and A temperature profile estimation method for estimating a temperature profile indicating a temporal change in the temperature of a substrate transported in a reflow apparatus including at least one of a rear chamber located downstream of the heating chamber, wherein the temperature profile is estimated A correspondence relationship between a set temperature acquisition step for acquiring a set temperature of the heating chamber, a representative temperature representative of an atmosphere temperature of at least one of the front chamber and the rear chamber, and a set temperature of the heating chamber. A representative temperature specifying step for specifying a representative temperature corresponding to the set temperature acquired in the set temperature acquisition step, Using the representative temperature specified in the representative temperature specifying step and the set temperature acquired in the set temperature acquiring step, the temperature of the substrate transported in at least one of the front chamber and the rear chamber and the heating chamber A temperature profile estimation step for estimating the profile.

これにより、温度制御がなされていない前室又は後室の温度プロファイルを推定することができるので、リフロー装置内を搬送される基板の温度プロファイルをより高精度に推定することが可能となる。さらに、温度プロファイルを推定する際に用いる前室又は後室の代表温度を、加熱室の設定温度を用いて比較的高精度に特定することできるので、温度プロファイルを推定する際に作業者が代表温度を入力する必要がなく、作業者の負荷の増加を抑制することもできる。   As a result, the temperature profile of the front chamber or the rear chamber where temperature control is not performed can be estimated, so that the temperature profile of the substrate transported in the reflow apparatus can be estimated with higher accuracy. Furthermore, since the representative temperature of the front chamber or the rear chamber used when estimating the temperature profile can be specified with relatively high accuracy using the set temperature of the heating chamber, the operator represents the representative when the temperature profile is estimated. There is no need to input temperature, and an increase in the load on the operator can be suppressed.

また、前記加熱室は、それぞれが互いに独立して雰囲気温度を制御可能である、前記前室に隣接する第1加熱室と前記第1加熱室よりも搬送方向の下流側に設けられる第2加熱室とを少なくとも有し、前記代表温度情報は、前記前室の代表温度と前記第1加熱室の設定温度との対応関係を示し、前記代表温度特定ステップでは、前記設定温度取得ステップにおいて取得された前記第1加熱室の設定温度に対応する、前記前室の代表温度を特定することが好ましい。   In addition, the heating chamber is capable of controlling the ambient temperature independently of each other, and the first heating chamber adjacent to the front chamber and the second heating provided downstream of the first heating chamber in the transport direction. And the representative temperature information indicates a correspondence relationship between the representative temperature of the front chamber and the set temperature of the first heating chamber, and is acquired in the set temperature acquisition step in the representative temperature specifying step. It is preferable that the representative temperature of the front chamber corresponding to the set temperature of the first heating chamber is specified.

これにより、前室に隣接する第1加熱室の設定温度を用いて、前室の代表温度を高精度に特定することができるので、より高精度に温度プロファイルを推定することが可能となる。   Thereby, since the representative temperature of the front chamber can be specified with high accuracy using the set temperature of the first heating chamber adjacent to the front chamber, the temperature profile can be estimated with higher accuracy.

また、前記加熱室は、それぞれが互いに独立して雰囲気温度を制御可能である、第1加熱室と、前記第1加熱室よりも搬送方向の下流側に設けられ、前記後室に隣接する第2加熱室とを少なくとも有し、前記代表温度情報は、前記後室の代表温度と前記第2加熱室の設定温度との対応関係を示し、前記代表温度特定ステップでは、前記設定温度取得ステップにおいて取得された前記第2加熱室の設定温度に対応する前記後室の代表温度を特定することが好ましい。   Further, the heating chamber is provided on the downstream side in the transport direction from the first heating chamber and the first heating chamber, each of which can control the ambient temperature independently of each other, and adjacent to the rear chamber. At least two heating chambers, and the representative temperature information indicates a correspondence relationship between the representative temperature of the rear chamber and the set temperature of the second heating chamber. In the representative temperature specifying step, in the set temperature acquisition step, It is preferable to specify a representative temperature of the rear chamber corresponding to the acquired set temperature of the second heating chamber.

これにより、後室に隣接する第2加熱室の設定温度を用いて、後室の代表温度を高精度に特定することができるので、より高精度に温度プロファイルを推定することが可能となる。   Thereby, since the representative temperature of the rear chamber can be specified with high accuracy using the set temperature of the second heating chamber adjacent to the rear chamber, the temperature profile can be estimated with higher accuracy.

また、本発明の一態様に係る温度プロファイル推定装置は、雰囲気温度を設定温度と一致するように制御可能な加熱室と、前記加熱室の上流側に位置する前室及び前記加熱室の下流側に位置する後室の少なくとも一方とを備えるリフロー装置内を搬送される基板の温度の時間変化を示す温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定装置であって、前記前室及び前記後室の少なくとも一方の雰囲気温度を代表する代表温度と、前記加熱室の設定温度との対応関係を示す代表温度情報を記憶している記憶部と、温度プロファイルを推定する際に用いられる、前記加熱室の設定温度を取得する設定温度取得部と、前記記憶部に記憶されている代表温度情報を用いて、前記設定温度取得部によって取得された設定温度に対応する代表温度を特定する代表温度特定部と、前記代表温度特定部によって特定された代表温度と、前記設定温度取得部によって取得された設定温度とを用いて、前記前室及び前記後室の少なくとも一方と前記加熱室とを搬送される基板の温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定部とを備える。   Further, the temperature profile estimation device according to one aspect of the present invention includes a heating chamber that can be controlled so that the ambient temperature matches a set temperature, a front chamber positioned upstream of the heating chamber, and a downstream side of the heating chamber. A temperature profile estimation device for estimating a temperature profile indicating a temporal change in the temperature of a substrate transported in a reflow apparatus including at least one of a rear chamber located in the rear chamber, wherein the temperature profile estimation device estimates at least one of the front chamber and the rear chamber A storage unit storing representative temperature information indicating a correspondence relationship between a representative temperature representative of an ambient temperature and a set temperature of the heating chamber, and a set temperature of the heating chamber used for estimating a temperature profile. A representative temperature corresponding to the preset temperature acquired by the preset temperature acquisition unit is identified using the preset temperature acquisition unit to be acquired and the representative temperature information stored in the storage unit Using the representative temperature specifying unit, the representative temperature specified by the representative temperature specifying unit, and the set temperature acquired by the set temperature acquiring unit, and at least one of the front chamber and the rear chamber, and the heating chamber And a temperature profile estimation unit that estimates the temperature profile of the substrate being conveyed.

これにより、上記温度プロファイル推定方法と同様の効果を奏することができる。   Thereby, the same effect as the above-mentioned temperature profile estimation method can be produced.

また、本発明の一態様に係るリフロー装置は、上記温度プロファイル推定装置を備える。   Moreover, the reflow apparatus which concerns on 1 aspect of this invention is provided with the said temperature profile estimation apparatus.

これにより、上記温度プロファイル推定方法と同様の効果を奏することができる。   Thereby, the same effect as the above-mentioned temperature profile estimation method can be produced.

なお、本発明は、このような温度プロファイル推定方法として実現することができるだけでなく、温度プロファイル推定方法に含まれる各ステップをコンピュータに実行させるプログラムとして実現することもできる。そして、そのようなプログラムは、CD−ROM(Compact Disc Read Only Memory)等の記録媒体、あるいはインターネット等の伝送媒体を介して配信することができるのは言うまでもない。   The present invention can be realized not only as such a temperature profile estimation method but also as a program for causing a computer to execute each step included in the temperature profile estimation method. Such a program can be distributed via a recording medium such as a CD-ROM (Compact Disc Read Only Memory) or a transmission medium such as the Internet.

以上の説明から明らかなように、本発明の一態様に係る温度プロファイル推定方法は、温度制御がなされていない前室又は後室の温度プロファイルを推定することができるので、リフロー装置内を搬送される基板の温度プロファイルをより高精度に推定することが可能となる。さらに、温度プロファイルを推定する際に用いる前室又は後室の代表温度を、加熱室の設定温度を用いて比較的高精度に特定することできるので、温度プロファイルを推定する際に作業者が代表温度を入力する必要がなく、作業者の負荷の増加を抑制することもできる。   As is clear from the above description, the temperature profile estimation method according to one aspect of the present invention can estimate the temperature profile of the front chamber or the rear chamber that is not temperature-controlled, and is therefore transported in the reflow apparatus. It is possible to estimate the temperature profile of the substrate with higher accuracy. Furthermore, since the representative temperature of the front chamber or the rear chamber used when estimating the temperature profile can be specified with relatively high accuracy using the set temperature of the heating chamber, the operator represents the representative when the temperature profile is estimated. There is no need to input temperature, and an increase in the load on the operator can be suppressed.

本発明の実施の形態1に係るリフロー装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the reflow apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係るリフロー装置における温度プロファイルを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the temperature profile in the reflow apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る温度プロファイル推定システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the temperature profile estimation system which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る代表温度情報の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the representative temperature information which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る温度プロファイル推定処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the temperature profile estimation process which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る代表温度情報生成処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the representative temperature information generation process which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る代表温度の測定方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the measuring method of the representative temperature which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る計測値監視部における処理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process in the measured value monitoring part which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態2に係るリフロー装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the reflow apparatus which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2に係るリフロー装置における温度プロファイルを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the temperature profile in the reflow apparatus which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2に係る代表温度情報の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the representative temperature information which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2に係る代表温度の測定方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the measuring method of the representative temperature which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2に係る計測値監視部における処理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process in the measured value monitoring part which concerns on Embodiment 2 of this invention. コンピュータのハードウェア構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the hardware constitutions of a computer.

以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係るリフロー装置の構成を示す断面図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a reflow apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.

リフロー装置100は、クリームはんだが印刷された基板に電子部品などの部品が実装された基板300を加熱する。より具体的には、例えば、リフロー装置100は、いわゆる窒素リフロー炉であり、加熱室110内の酸素濃度を下げるために加熱室110等の内部に窒素を充満しながら基板300を加熱する。   The reflow apparatus 100 heats a substrate 300 on which a component such as an electronic component is mounted on a substrate on which cream solder is printed. More specifically, for example, the reflow apparatus 100 is a so-called nitrogen reflow furnace, and heats the substrate 300 while filling the inside of the heating chamber 110 or the like with nitrogen in order to reduce the oxygen concentration in the heating chamber 110.

なお、後述する温度プロファイル推定装置10は、このリフロー装置100内を搬送される基板300の温度プロファイルを推定する。   Note that the temperature profile estimation apparatus 10 described later estimates the temperature profile of the substrate 300 transported in the reflow apparatus 100.

図1に示すように、リフロー装置100は、前室101と、加熱室110と、冷却室107と、コンベア111とを備える。   As shown in FIG. 1, the reflow apparatus 100 includes a front chamber 101, a heating chamber 110, a cooling chamber 107, and a conveyor 111.

前室101は、加熱室110の搬送方向の上流側に設けられ、内部を基板300が搬送される。また、前室101は、内部に充満された窒素などの流体が上流側(外部)に流出することを抑制するために、ラビリンス構造を有する。具体的には、前室101には、コンベア111によって搬送される基板300と干渉しないように、複数の板材が搬送方向と交差する方向に配列される。   The front chamber 101 is provided on the upstream side of the heating chamber 110 in the transfer direction, and the substrate 300 is transferred therein. Further, the front chamber 101 has a labyrinth structure in order to prevent a fluid such as nitrogen filled inside from flowing out upstream (outside). Specifically, a plurality of plate materials are arranged in the front chamber 101 in a direction intersecting the transport direction so as not to interfere with the substrate 300 transported by the conveyor 111.

なお、前室101は、雰囲気温度を積極的に制御する手段を有さず、温度制御がなされない。したがって、前室101に対して、設定温度は設定されない。   The front chamber 101 does not have a means for positively controlling the ambient temperature, and is not temperature controlled. Therefore, the set temperature is not set for the front chamber 101.

加熱室110は、雰囲気温度を設定温度と一致するように制御することにより、基板300を加熱する。加熱室110は、搬送方向の上流側から下流側へ順に、予熱室108と、リフロー室109とを有する。   The heating chamber 110 heats the substrate 300 by controlling the atmospheric temperature so as to match the set temperature. The heating chamber 110 includes a preheating chamber 108 and a reflow chamber 109 in order from the upstream side to the downstream side in the transport direction.

予熱室108は、基板300の温度プロファイルが予熱部制約条件に適合するように、基板300を予備加熱する。つまり、予熱室108は、基板300の温度がはんだの溶融点未満の所定温度範囲(例えば、150〜180℃)に所定時間(例えば、120秒以下の時間)保持されるように、基板300を予備加熱する。   The preheating chamber 108 preheats the substrate 300 so that the temperature profile of the substrate 300 meets the preheating part constraint. That is, the preheating chamber 108 holds the substrate 300 so that the temperature of the substrate 300 is maintained in a predetermined temperature range (for example, 150 to 180 ° C.) below the melting point of the solder for a predetermined time (for example, a time of 120 seconds or less). Preheat.

予熱室108は、搬送方向の上流側から下流側へ順に、第1予熱室102と、第2予熱室103と、第3予熱室104とを有する。   The preheating chamber 108 includes a first preheating chamber 102, a second preheating chamber 103, and a third preheating chamber 104 in order from the upstream side to the downstream side in the transport direction.

第1予熱室102と、第2予熱室103と、第3予熱室104とは、それぞれ独立して雰囲気温度を制御することができる。具体的には、第1予熱室102と、第2予熱室103と、第3予熱室104とは、例えば、熱源(図示せず)と温度センサ(図示せず)とをそれぞれ備える。つまり、第1予熱室102、第2予熱室103及び第3予熱室104のそれぞれは、温度センサによって計測された温度に応じて熱源を制御することにより、雰囲気温度を設定温度と一致させる。   The first preheating chamber 102, the second preheating chamber 103, and the third preheating chamber 104 can independently control the ambient temperature. Specifically, the first preheating chamber 102, the second preheating chamber 103, and the third preheating chamber 104 include, for example, a heat source (not shown) and a temperature sensor (not shown). That is, each of the first preheating chamber 102, the second preheating chamber 103, and the third preheating chamber 104 controls the heat source according to the temperature measured by the temperature sensor, thereby matching the ambient temperature with the set temperature.

リフロー室109は、基板300の温度プロファイルがリフロー部制約条件に適合するように、基板300をリフロー加熱する。つまり、リフロー室109は、基板300の温度がはんだの溶融点以上の所定温度範囲(例えば、220〜240℃)に所定時間(40秒以上の時間)保持されるように、基板300をリフロー加熱する。   The reflow chamber 109 reflow-heats the substrate 300 so that the temperature profile of the substrate 300 meets the reflow part restriction condition. That is, the reflow chamber 109 reflow-heats the substrate 300 so that the temperature of the substrate 300 is maintained in a predetermined temperature range (for example, 220 to 240 ° C.) higher than the melting point of the solder for a predetermined time (40 seconds or more). To do.

リフロー室109は、搬送方向の上流側から下流側へ順に、第1リフロー室105と第2リフロー室106とを有する。   The reflow chamber 109 includes a first reflow chamber 105 and a second reflow chamber 106 in order from the upstream side to the downstream side in the transport direction.

第1リフロー室105と第2リフロー室106とは、第1予熱室102等と同様に、それぞれ独立して雰囲気温度を制御することができる。具体的には、第1リフロー室105と第2リフロー室106とは、例えば、熱源(図示せず)と温度センサ(図示せず)とをそれぞれ備える。つまり、第1リフロー室105及び第2リフロー室106のそれぞれは、温度センサによって計測された温度に応じて熱源を制御することにより、雰囲気温度を設定温度と一致させる。   The first reflow chamber 105 and the second reflow chamber 106 can control the ambient temperature independently, like the first preheating chamber 102 and the like. Specifically, the first reflow chamber 105 and the second reflow chamber 106 include, for example, a heat source (not shown) and a temperature sensor (not shown), respectively. That is, each of the first reflow chamber 105 and the second reflow chamber 106 controls the heat source in accordance with the temperature measured by the temperature sensor, thereby matching the ambient temperature with the set temperature.

冷却室107は、内部の雰囲気温度を設定温度と一致するように制御することにより、基板300を冷却する。具体的には、冷却室107は、例えば、冷却器(図示せず)と温度センサ(図示せず)とを備える。つまり、冷却室107は、温度センサによって計測された温度に応じて冷却器を制御することにより、雰囲気温度を設定温度と一致させる。   The cooling chamber 107 cools the substrate 300 by controlling the internal atmospheric temperature to coincide with the set temperature. Specifically, the cooling chamber 107 includes, for example, a cooler (not shown) and a temperature sensor (not shown). That is, the cooling chamber 107 matches the atmospheric temperature with the set temperature by controlling the cooler according to the temperature measured by the temperature sensor.

次に、リフロー装置100内を搬送される基板300の温度プロファイルについて説明する。   Next, the temperature profile of the substrate 300 conveyed in the reflow apparatus 100 will be described.

図2は、本発明の実施の形態1に係るリフロー装置における温度プロファイルを説明するための図である。具体的には、図2の(a)は、リフロー装置100に設定された設定温度を示す図である。また、図2の(b)は、上記設定温度を利用して従来の温度プロファイル推定方法により推定された推定温度プロファイル401と、上記設定温度において実際に計測された計測温度プロファイル402とを示すグラフである。   FIG. 2 is a diagram for explaining a temperature profile in the reflow apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. Specifically, FIG. 2A is a diagram showing the set temperature set in the reflow apparatus 100. FIG. 2B is a graph showing an estimated temperature profile 401 estimated by the conventional temperature profile estimation method using the set temperature, and a measured temperature profile 402 actually measured at the set temperature. It is.

図2に示すように、従来の推定方法では、温度制御がなされない前室101において温度プロファイルが推定されないので、予熱室108の入口における基板300の温度は、例えば、初期温度25℃と同一と設定される。そして、予熱室108、リフロー室109及び冷却室107を搬送される基板300の初期温度からの温度変化を推定することにより、推定温度プロファイルが推定される。   As shown in FIG. 2, in the conventional estimation method, since the temperature profile is not estimated in the front chamber 101 where temperature control is not performed, the temperature of the substrate 300 at the entrance of the preheating chamber 108 is, for example, the same as the initial temperature of 25 ° C. Is set. Then, the estimated temperature profile is estimated by estimating the temperature change from the initial temperature of the substrate 300 conveyed through the preheating chamber 108, the reflow chamber 109, and the cooling chamber 107.

しかし、計測温度プロファイル402から明らかなように、実際には、基板300の温度は、前室101において上昇する。これは、予熱室108において加熱された窒素などの流体が前室101に流出することにより、前室101の雰囲気温度が上昇していることなどが原因である。   However, as is apparent from the measured temperature profile 402, the temperature of the substrate 300 actually increases in the front chamber 101. This is because the fluid temperature such as nitrogen heated in the preheating chamber 108 flows out to the front chamber 101, and the ambient temperature of the front chamber 101 is increased.

その結果、推定温度プロファイル401と計測温度プロファイル402とでは、予熱室108の入口における温度差異に起因して誤差が生じる。つまり、推定温度プロファイル401が予熱部制約条件403に適合しても、実際には、計測温度プロファイル402は予熱部制約条件403に適合しない場合が発生する。   As a result, an error occurs between the estimated temperature profile 401 and the measured temperature profile 402 due to the temperature difference at the inlet of the preheating chamber 108. That is, even if the estimated temperature profile 401 conforms to the preheating part restriction condition 403, the measured temperature profile 402 may not actually conform to the preheating part restriction condition 403.

このような問題を解決し、温度プロファイルの推定精度を向上させることができる本実施の形態に係る温度プロファイル推定システムについて、以下に図面を用いて説明する。   A temperature profile estimation system according to the present embodiment that can solve such problems and improve the accuracy of estimation of a temperature profile will be described below with reference to the drawings.

図3は、本発明の実施の形態1に係る温度プロファイル推定システムの構成を示すブロック図である。   FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of the temperature profile estimation system according to Embodiment 1 of the present invention.

図3に示すように、温度プロファイル推定システムは、温度プロファイル推定装置10と、代表温度情報生成装置20とを備える。   As shown in FIG. 3, the temperature profile estimation system includes a temperature profile estimation device 10 and a representative temperature information generation device 20.

まず、温度プロファイル推定装置10について説明する。   First, the temperature profile estimation apparatus 10 will be described.

温度プロファイル推定装置10は、リフロー装置100内を搬送される基板300の温度の時間変化を示す温度プロファイルを推定する。温度プロファイル推定装置10は、設定温度取得部11と、記憶部12と、代表温度特定部13と、温度プロファイル推定部14とを備える。   The temperature profile estimation device 10 estimates a temperature profile indicating a time change of the temperature of the substrate 300 transported in the reflow device 100. The temperature profile estimation device 10 includes a set temperature acquisition unit 11, a storage unit 12, a representative temperature specifying unit 13, and a temperature profile estimation unit 14.

設定温度取得部11は、温度プロファイルを推定する際に用いられる、加熱室110等の設定温度を取得する。具体的には、設定温度取得部11は、例えば、推定後の温度プロファイルが制約条件に適合すると考えられる、加熱室110及び冷却室107の設定温度を取得する。   The set temperature acquisition unit 11 acquires a set temperature of the heating chamber 110 and the like used when estimating the temperature profile. Specifically, the set temperature acquisition unit 11 acquires set temperatures of the heating chamber 110 and the cooling chamber 107, for example, where the estimated temperature profile is considered to meet the constraint conditions.

より具体的には、設定温度取得部11は、例えば、図2の(a)に示すように、第1〜第3予熱室102〜104の設定温度180℃と、第1及び第2リフロー室105、106の設定温度240℃と、冷却室107の設定温度100℃とを取得する。   More specifically, for example, as shown in FIG. 2A, the set temperature acquisition unit 11 sets the set temperature 180 ° C. of the first to third preheating chambers 102 to 104, and the first and second reflow chambers. A set temperature 240 ° C. of 105 and 106 and a set temperature 100 ° C. of the cooling chamber 107 are acquired.

なお、設定温度取得部11は、前室101の設定温度を取得しない。これは、そもそも前室101は、雰囲気温度を設定温度と一致するように制御できないので、設定温度が存在しないからである。   Note that the set temperature acquisition unit 11 does not acquire the set temperature of the front chamber 101. This is because, in the first place, the front chamber 101 cannot be controlled so that the ambient temperature matches the set temperature, and therefore there is no set temperature.

記憶部12は、例えばメモリであり、代表温度情報12aを記憶している。代表温度情報12aは、前室101の雰囲気温度を代表する代表温度と、加熱室110の設定温度との対応関係を示す。具体的には、代表温度情報12aは、前室101の雰囲気温度を代表する代表温度と、前室101に隣接する第1予熱室102(第1加熱室に相当)の設定温度との対応関係を示す。代表温度情報12aの詳細は、図4を用いて後述する。   The storage unit 12 is a memory, for example, and stores representative temperature information 12a. The representative temperature information 12a indicates a correspondence relationship between the representative temperature representing the ambient temperature of the front chamber 101 and the set temperature of the heating chamber 110. Specifically, the representative temperature information 12a is a correspondence relationship between the representative temperature representative of the ambient temperature of the front chamber 101 and the set temperature of the first preheating chamber 102 (corresponding to the first heating chamber) adjacent to the front chamber 101. Indicates. Details of the representative temperature information 12a will be described later with reference to FIG.

代表温度特定部13は、代表温度情報12aを用いて、設定温度取得部11によって取得された設定温度に対応する代表温度を特定する。具体的には、代表温度特定部13は、記憶部12に記憶された代表温度情報12aを参照することにより、第1予熱室102の設定温度に対応する、前室101の代表温度を特定する。   The representative temperature specifying unit 13 specifies a representative temperature corresponding to the set temperature acquired by the set temperature acquiring unit 11 using the representative temperature information 12a. Specifically, the representative temperature specifying unit 13 specifies the representative temperature of the front chamber 101 corresponding to the set temperature of the first preheating chamber 102 by referring to the representative temperature information 12 a stored in the storage unit 12. .

温度プロファイル推定部14は、特定された代表温度と、取得された設定温度とを用いて、前室101と加熱室110とを搬送される基板300の温度プロファイルを推定する。つまり、温度プロファイル推定部14は、前室101の雰囲気温度が代表温度まで加熱されたと仮定して、前室101を搬送される基板300の温度プロファイルをm値を用いて推定する。   The temperature profile estimation unit 14 estimates the temperature profile of the substrate 300 transported between the front chamber 101 and the heating chamber 110 using the identified representative temperature and the acquired set temperature. That is, the temperature profile estimation unit 14 estimates the temperature profile of the substrate 300 transported in the front chamber 101 using the m value, assuming that the ambient temperature of the front chamber 101 is heated to the representative temperature.

具体的には、温度プロファイル推定部14は、例えば、以下のように、前室101、加熱室110及び冷却室107を順に搬送される基板300の温度プロファイルを推定する。   Specifically, for example, the temperature profile estimation unit 14 estimates the temperature profile of the substrate 300 that is transported through the front chamber 101, the heating chamber 110, and the cooling chamber 107 in order as follows.

まず、温度プロファイル推定部14は、各室(前室101、第1〜第3予熱室102〜104、第1リフロー室105、第2リフロー室106及び冷却室107)又は各室を搬送方向に細分化した各区分のm値を取得する。このm値は、例えば実際に計測された温度プロファイルを用いて、以下の式(1)のように算出される。   First, the temperature profile estimation unit 14 moves each chamber (the front chamber 101, the first to third preheating chambers 102 to 104, the first reflow chamber 105, the second reflow chamber 106, and the cooling chamber 107) or each chamber in the transport direction. Get the m value of each subdivision. The m value is calculated as in the following formula (1) using, for example, an actually measured temperature profile.

Figure 0005279750
Figure 0005279750

ここで、tは、各室又は各室を細分化した各区分を基板300が通過するのに要した時間である。   Here, t is the time required for the substrate 300 to pass through each room or each section into which each room is subdivided.

また、Taは、各室又は各室を細分化した各区分の代表温度又は設定温度である。具体的には、前室101又は前室101を細分化した各区分のm値を算出する際には、Taは、代表温度である。また、加熱室110及び冷却室107、又はそれらを細分化した各区分のm値を算出する際には、Taは、設定温度である。   Ta is the representative temperature or set temperature of each room or each section into which each room is subdivided. Specifically, when calculating the m value of each section obtained by subdividing the front chamber 101 or the front chamber 101, Ta is a representative temperature. Further, when calculating the m value of the heating chamber 110 and the cooling chamber 107, or the respective sections obtained by subdividing them, Ta is a set temperature.

また、Tintは、各室又は各室を細分化した各区分の入口境界における基板300の温度である。また、Tsは、各室又は各室を細分化した各区分の出口境界における基板300の温度である。   Further, Tint is the temperature of the substrate 300 at the entrance boundary of each chamber or each section into which each chamber is subdivided. Ts is the temperature of the substrate 300 at the exit boundary of each chamber or each section into which each chamber is subdivided.

次に、温度プロファイル推定部14は、取得したm値を用いて、以下の式(2)に従って、各室又は各室を細分化した各区分における基板300の温度Tsを算出することにより、基板300の温度プロファイルを推定する。   Next, the temperature profile estimation unit 14 uses the acquired m value to calculate the temperature Ts of the substrate 300 in each chamber or each segment into which each chamber is subdivided according to the following equation (2), thereby obtaining the substrate 300 temperature profiles are estimated.

Figure 0005279750
Figure 0005279750

このように、温度プロファイル推定部14は、前室101における基板300の温度変化も考慮して、基板300の温度プロファイルを推定する。   Thus, the temperature profile estimation unit 14 estimates the temperature profile of the substrate 300 in consideration of the temperature change of the substrate 300 in the front chamber 101.

次に、代表温度情報生成装置20について説明する。   Next, the representative temperature information generation device 20 will be described.

代表温度情報生成装置20は、温度プロファイル推定装置10の記憶部12に記憶される代表温度情報12aを生成する。代表温度情報生成装置20は、計測値取得部21と、代表温度情報生成部22と、計測値監視部23とを備える。   The representative temperature information generation device 20 generates representative temperature information 12a stored in the storage unit 12 of the temperature profile estimation device 10. The representative temperature information generation device 20 includes a measurement value acquisition unit 21, a representative temperature information generation unit 22, and a measurement value monitoring unit 23.

計測値取得部21は、前室101において計測された代表温度と、当該代表温度が計測されたときの第1予熱室102の設定温度との組み合わせを計測値として取得する。   The measured value acquisition unit 21 acquires a combination of the representative temperature measured in the front chamber 101 and the set temperature of the first preheating chamber 102 when the representative temperature is measured as a measured value.

代表温度情報生成部22は、計測値取得部21によって取得された少なくとも2つの計測値に基づいて、代表温度情報12aを生成する。そして、代表温度情報12aは、生成した代表温度情報12aを温度プロファイル推定装置10に送信することにより、代表温度情報12aを記憶部12に格納する。   The representative temperature information generation unit 22 generates the representative temperature information 12a based on at least two measurement values acquired by the measurement value acquisition unit 21. The representative temperature information 12 a stores the representative temperature information 12 a in the storage unit 12 by transmitting the generated representative temperature information 12 a to the temperature profile estimation device 10.

具体的には、代表温度情報生成部22は、例えば、少なくとも2つの計測値によって近似される一次関数を代表温度情報12aとして生成する。   Specifically, the representative temperature information generation unit 22 generates, for example, a linear function approximated by at least two measurement values as the representative temperature information 12a.

なお、代表温度情報生成部22は、例えば、少なくとも2つの計測値によって近似される二次関数又は指数関数などを代表温度情報12aとして生成してもよい。また、例えば、代表温度情報生成部22は、少なくとも2つの計測値が格納されたテーブルを代表温度情報12aとして生成してもよい。   Note that the representative temperature information generation unit 22 may generate, for example, a quadratic function or an exponential function approximated by at least two measurement values as the representative temperature information 12a. Further, for example, the representative temperature information generation unit 22 may generate a table in which at least two measurement values are stored as the representative temperature information 12a.

計測値監視部23は、取得された代表温度と、既に生成された代表温度情報12aによって特定される、取得された設定温度に対応する代表温度との差異が、予め定められた許容範囲内であるか否かを判定する。ここで、差異が許容範囲内でないと判定された場合、計測値監視部23は、代表温度情報生成部22に代表温度情報12aを再生成するように指示する。   The measured value monitoring unit 23 determines that the difference between the acquired representative temperature and the representative temperature corresponding to the acquired set temperature specified by the already generated representative temperature information 12a is within a predetermined allowable range. It is determined whether or not there is. Here, when it is determined that the difference is not within the allowable range, the measurement value monitoring unit 23 instructs the representative temperature information generation unit 22 to regenerate the representative temperature information 12a.

次に、記憶部12に記憶される代表温度情報12aについて説明する。   Next, the representative temperature information 12a stored in the storage unit 12 will be described.

図4は、本発明の実施の形態1に係る代表温度情報の一例を示す図である。図4に示すように、代表温度情報12aは、第1予熱室102の設定温度と前室101の代表温度との対応関係を示す。   FIG. 4 is a diagram showing an example of representative temperature information according to Embodiment 1 of the present invention. As shown in FIG. 4, the representative temperature information 12 a indicates a correspondence relationship between the set temperature of the first preheating chamber 102 and the representative temperature of the front chamber 101.

具体的には、代表温度情報12aは、計測値取得部21によって取得された第1計測値411と第2計測値412とを通る直線を示す一次関数である。なお、上述したように、代表温度情報12aは、必ずしも一次関数である必要はない。   Specifically, the representative temperature information 12 a is a linear function indicating a straight line passing through the first measurement value 411 and the second measurement value 412 acquired by the measurement value acquisition unit 21. As described above, the representative temperature information 12a is not necessarily a linear function.

また、第1計測値411の設定温度は、基板300の予備加熱のために、基板300を安定して加熱することができる雰囲気温度の下限値であることが好ましい。また、第2計測値412の設定温度は、基板300の予備加熱のために、基板300を安定して加熱することができる雰囲気温度の上限値であることが好ましい。   In addition, the set temperature of the first measurement value 411 is preferably a lower limit value of the atmospheric temperature at which the substrate 300 can be stably heated for the preliminary heating of the substrate 300. In addition, the set temperature of the second measured value 412 is preferably an upper limit value of the atmospheric temperature that can stably heat the substrate 300 for the preliminary heating of the substrate 300.

これにより、第1予熱室102の設定温度の上限値及び下限値に対応する前室101の代表温度が特定されるので、代表温度情報12aによって特定される代表温度の精度を向上させることができる。   Thereby, since the representative temperature of the front chamber 101 corresponding to the upper limit value and the lower limit value of the set temperature of the first preheating chamber 102 is specified, the accuracy of the representative temperature specified by the representative temperature information 12a can be improved. .

次に、以上のように構成された温度プロファイル推定装置10及び代表温度情報生成装置20において実行される温度プロファイル推定処理及び代表温度情報生成処理について、図5〜図8を用いて説明する。   Next, the temperature profile estimation process and the representative temperature information generation process executed in the temperature profile estimation apparatus 10 and the representative temperature information generation apparatus 20 configured as described above will be described with reference to FIGS.

まず、温度プロファイル推定処理について説明する。   First, the temperature profile estimation process will be described.

図5は、本発明の実施の形態1に係る温度プロファイル推定処理の流れを示すフローチャートである。   FIG. 5 is a flowchart showing a flow of temperature profile estimation processing according to Embodiment 1 of the present invention.

まず、設定温度取得部11は、温度プロファイルを推定する際に用いられる、加熱室110及び冷却室107の設定温度を取得する(S101)。具体的には、設定温度取得部11は、例えば、図2の(a)に示すような加熱室110及び冷却室107の設定温度を取得する。   First, the set temperature acquisition unit 11 acquires set temperatures of the heating chamber 110 and the cooling chamber 107 that are used when estimating the temperature profile (S101). Specifically, the set temperature acquisition unit 11 acquires set temperatures of the heating chamber 110 and the cooling chamber 107 as shown in FIG.

続いて、代表温度特定部13は、代表温度情報12aを用いて、設定温度取得部11によって取得された設定温度に対応する代表温度を特定する(S102)。具体的には、代表温度特定部13は、例えば、取得された第1予熱室102の設定温度が180℃である場合、図4に示す代表温度情報12aを用いて、前室101の代表温度を73.3℃と特定する。   Subsequently, the representative temperature specifying unit 13 specifies a representative temperature corresponding to the set temperature acquired by the set temperature acquiring unit 11 using the representative temperature information 12a (S102). Specifically, for example, when the acquired set temperature of the first preheating chamber 102 is 180 ° C., the representative temperature specifying unit 13 uses the representative temperature information 12a illustrated in FIG. Is identified as 73.3 ° C.

そして、温度プロファイル推定部14は、特定された代表温度と、取得された設定温度とを用いて、前室101と加熱室110とを搬送される基板300の温度プロファイルを推定する(S103)。   And the temperature profile estimation part 14 estimates the temperature profile of the board | substrate 300 conveyed by the front chamber 101 and the heating chamber 110 using the specified representative temperature and the acquired set temperature (S103).

このように、温度プロファイル推定装置10は、基板300の温度プロファイルを推定する。   As described above, the temperature profile estimation apparatus 10 estimates the temperature profile of the substrate 300.

次に、代表温度情報生成処理について説明する。   Next, the representative temperature information generation process will be described.

図6は、本発明の実施の形態1に係る代表温度情報生成処理の流れを示すフローチャートである。また、図7は、本発明の実施の形態1に係る代表温度の測定方法を説明するための図である。また、図8は、本発明の実施の形態1に係る計測値監視部における処理を説明するための図である。   FIG. 6 is a flowchart showing a flow of representative temperature information generation processing according to Embodiment 1 of the present invention. Moreover, FIG. 7 is a figure for demonstrating the measuring method of the representative temperature which concerns on Embodiment 1 of this invention. Moreover, FIG. 8 is a figure for demonstrating the process in the measured value monitoring part which concerns on Embodiment 1 of this invention.

まず、計測値取得部21は、前室101において計測された代表温度と、当該代表温度が計測されたときの第1予熱室102の設定温度との組み合わせを計測値として取得する(S201)。   First, the measured value acquisition unit 21 acquires a combination of the representative temperature measured in the front chamber 101 and the set temperature of the first preheating chamber 102 when the representative temperature is measured as a measured value (S201).

具体的には、計測値取得部21は、例えば、図7の(a)に示すように、前室101に設置された温度センサ301によって計測された温度を代表温度として取得する。   Specifically, for example, as illustrated in FIG. 7A, the measurement value acquisition unit 21 acquires the temperature measured by the temperature sensor 301 installed in the front chamber 101 as a representative temperature.

なお、温度センサ301は、基板300と干渉しない位置であって、かつ、前室101中央部のコンベア111近傍に設置されることが好ましい。これにより、計測値取得部21は、実際に前室101を搬送される基板300の周囲の雰囲気温度を、代表温度として取得することができる。   The temperature sensor 301 is preferably installed at a position where it does not interfere with the substrate 300 and in the vicinity of the conveyor 111 in the center of the front chamber 101. Thereby, the measurement value acquisition unit 21 can acquire the ambient temperature around the substrate 300 actually transported in the front chamber 101 as the representative temperature.

またさらに、温度センサ301は、コンベア111の上方に設置されることが好ましい。これにより、基板300に実装された部品が搬送中に落下しても、温度センサ301が損傷することを防止できる。   Furthermore, the temperature sensor 301 is preferably installed above the conveyor 111. This prevents the temperature sensor 301 from being damaged even if a component mounted on the board 300 falls during transportation.

また、計測値取得部21は、例えば、図7の(b)に示すように、基板300に設置され、かつ、基板300から搬送方向に所定距離離れて設置された温度センサ302によって、前室101の中央部において計測された温度を代表温度として取得してもよい。この場合、所定距離は、基板300の温度の影響を受けない距離であることが好ましく、例えば経験又は実験により決定されればよい。   Further, as shown in FIG. 7B, for example, the measurement value acquisition unit 21 is installed in the front chamber by a temperature sensor 302 that is installed on the substrate 300 and is installed a predetermined distance away from the substrate 300 in the transport direction. You may acquire the temperature measured in the center part of 101 as a representative temperature. In this case, the predetermined distance is preferably a distance that is not affected by the temperature of the substrate 300, and may be determined by experience or experiment, for example.

次に、計測値監視部23は、計測された前室101の代表温度と、現在の代表温度情報12aによって特定される、当該代表温度が計測されたときの第1予熱室102の設定温度に対応する前室101の代表温度との差異が、予め定められた許容範囲内であるか否かを判定する(S202)。なお、予め定められた許容範囲は、例えば、推定される温度プロファイルの精度に基づいて経験又は実験により決定されればよい。   Next, the measured value monitoring unit 23 sets the measured temperature of the front chamber 101 and the set temperature of the first preheating chamber 102 when the representative temperature is measured, which is specified by the current representative temperature information 12a. It is determined whether the difference from the corresponding representative temperature of the front chamber 101 is within a predetermined allowable range (S202). The predetermined allowable range may be determined by experience or experiment based on the accuracy of the estimated temperature profile, for example.

具体的には、例えば図8に示すように、計測値監視部23は、現在の代表温度情報12aによって特定される代表温度と、計測された代表温度との差異の絶対値が5%以内であるか否かを判定する。例えば、図8の(a)に示すように、計測値413が取得された場合、計測値監視部23は、現在の代表温度情報12aによって特定される代表温度と計測値413が示す代表温度との差異は、許容範囲外であると判定する。   Specifically, for example, as shown in FIG. 8, the measured value monitoring unit 23 has an absolute value of a difference between the representative temperature specified by the current representative temperature information 12a and the measured representative temperature within 5%. It is determined whether or not there is. For example, as shown in FIG. 8A, when the measured value 413 is acquired, the measured value monitoring unit 23 determines the representative temperature specified by the current representative temperature information 12a and the representative temperature indicated by the measured value 413. Is determined to be outside the allowable range.

ここで、差異が予め定められた許容範囲内である場合(S202のYes)、代表温度情報生成装置20は、代表温度情報生成処理を終了する。   Here, when the difference is within the predetermined allowable range (Yes in S202), the representative temperature information generation device 20 ends the representative temperature information generation process.

一方、差異が予め定められた許容範囲外である場合、又はまだ代表温度情報12aが一度も生成されていない場合(S202のNo)、計測値取得部21は、新たに計測された少なくとも2つの計測値(例えば、図8の(b)に示す第1計測値414及び第2計測値415)を取得する(S203)。そして、代表温度情報生成部22は、ステップS203において取得された少なくとも2つの計測値を用いて代表温度情報12aを新たに生成し(S204)、代表温度情報生成処理を終了する。具体的には、代表温度情報生成部22は、例えば、図8の(b)に示すように、第1計測値414及び第2計測値415を通る直線を示す一次関数を新たな代表温度情報12aとして生成する。   On the other hand, when the difference is outside the predetermined allowable range, or when the representative temperature information 12a has not been generated yet (No in S202), the measured value acquisition unit 21 receives at least two newly measured values. Measurement values (for example, the first measurement value 414 and the second measurement value 415 shown in FIG. 8B) are acquired (S203). Then, the representative temperature information generation unit 22 newly generates the representative temperature information 12a using at least two measurement values acquired in step S203 (S204), and ends the representative temperature information generation process. Specifically, the representative temperature information generation unit 22 uses, as shown in FIG. 8B, for example, a linear function indicating a straight line passing through the first measurement value 414 and the second measurement value 415, as new representative temperature information. 12a is generated.

このように、代表温度情報生成装置20は、取得された計測値が許容範囲外である場合に新たに代表温度情報12aを生成する。これにより、リフロー装置100の外部の温度(外気温度)の変化などによって第1予熱室102の設定温度と前室101の代表温度との対応関係が変化した場合であっても、代表温度情報生成装置20は、精度の高い代表温度情報12aを提供することができる。   As described above, the representative temperature information generation device 20 newly generates the representative temperature information 12a when the acquired measurement value is outside the allowable range. Thus, even when the correspondence between the set temperature of the first preheating chamber 102 and the representative temperature of the front chamber 101 changes due to a change in temperature outside the reflow apparatus 100 (outside air temperature) or the like, representative temperature information generation is performed. The device 20 can provide the representative temperature information 12a with high accuracy.

以上のように、本実施の形態に係る温度プロファイル推定装置10は、温度制御がなされていない前室101の温度プロファイルを推定することができるので、リフロー装置100内を搬送される基板300の温度プロファイルを、より高精度に推定することが可能となる。さらに、温度プロファイル推定装置10は、温度プロファイルを推定する際に用いる前室101の代表温度を、加熱室110の設定温度を用いて比較的高精度に特定することできるので、温度プロファイルを推定する際に作業者が代表温度を入力する必要がなく、作業者の負荷の増加を抑制することもできる。   As described above, the temperature profile estimation apparatus 10 according to the present embodiment can estimate the temperature profile of the front chamber 101 that is not temperature-controlled, and thus the temperature of the substrate 300 that is transported in the reflow apparatus 100. The profile can be estimated with higher accuracy. Furthermore, since the temperature profile estimation device 10 can specify the representative temperature of the front chamber 101 used when estimating the temperature profile with relatively high accuracy using the set temperature of the heating chamber 110, the temperature profile is estimated. At this time, it is not necessary for the operator to input the representative temperature, and an increase in the load on the operator can be suppressed.

またさらに、温度プロファイル推定装置10は、前室101の代表温度を、前室101に隣接する第1予熱室102の設定温度を用いて高精度に特定することができるので、より高精度に温度プロファイルを推定することが可能となる。   Furthermore, since the temperature profile estimation device 10 can specify the representative temperature of the front chamber 101 with high accuracy using the set temperature of the first preheating chamber 102 adjacent to the front chamber 101, the temperature can be determined with higher accuracy. The profile can be estimated.

(実施の形態2)
次に、本発明の実施の形態2について説明する。
(Embodiment 2)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.

本実施の形態では、温度プロファイルを推定する基板300を加熱するリフロー装置200の構成の一部が、実施の形態1に係るリフロー装置100の構成と異なる。以下、実施の形態1と異なる点を中心に、実施の形態2に係る温度プロファイル推定装置10について、図面を参照しながら説明する。   In the present embodiment, a part of the configuration of the reflow apparatus 200 that heats the substrate 300 for estimating the temperature profile is different from the configuration of the reflow apparatus 100 according to the first embodiment. Hereinafter, the temperature profile estimation apparatus 10 according to the second embodiment will be described with reference to the drawings, focusing on differences from the first embodiment.

図9は、本発明の実施の形態2に係るリフロー装置の構成を示す断面図である。図9において、図1と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。   FIG. 9 is a cross-sectional view showing a configuration of a reflow apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. 9, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

リフロー装置200は、例えば、いわゆる大気リフロー炉であり、加熱室110内に特に特別な気体を充満させない。リフロー装置200は、加熱室110に加えて、後室201を備える。なお、本実施の形態では、リフロー装置200は、前室101及び冷却室107を備えない。   The reflow apparatus 200 is, for example, a so-called atmospheric reflow furnace, and does not fill the heating chamber 110 with a special gas. The reflow apparatus 200 includes a rear chamber 201 in addition to the heating chamber 110. In the present embodiment, the reflow apparatus 200 does not include the front chamber 101 and the cooling chamber 107.

後室201は、加熱室110の搬送方向の下流側に設けられ、内部を基板300が搬送される。また、後室201は、雰囲気温度を高精度に制御する手段を有しない。したがって、後室201に対して設定温度は設定されない。   The rear chamber 201 is provided on the downstream side of the heating chamber 110 in the transport direction, and the substrate 300 is transported therein. Further, the rear chamber 201 does not have a means for controlling the atmospheric temperature with high accuracy. Accordingly, the set temperature is not set for the rear chamber 201.

後室201には、リフロー装置200の外部の空気を取り込み、取り込んだ空気を基板300に吹き付ける送風機が設けられる。これにより、後室201は、後室201を搬送される基板300の温度を低下させることができる。   The rear chamber 201 is provided with a blower that takes in air outside the reflow apparatus 200 and blows the taken-in air onto the substrate 300. As a result, the rear chamber 201 can reduce the temperature of the substrate 300 transported through the rear chamber 201.

次に、リフロー装置200内を搬送される基板300の温度プロファイルについて説明する。   Next, the temperature profile of the substrate 300 conveyed in the reflow apparatus 200 will be described.

図10は、本発明の実施の形態2に係るリフロー装置における温度プロファイルを説明するための図である。具体的には、図10の(a)は、リフロー装置200に設定された設定温度を示す図である。また、図10の(b)は、上記設定温度を利用して従来の温度プロファイル推定方法により推定された推定温度プロファイル451を示すグラフである。   FIG. 10 is a diagram for explaining a temperature profile in the reflow apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. Specifically, FIG. 10A is a diagram showing the set temperature set in the reflow apparatus 200. FIG. 10B is a graph showing an estimated temperature profile 451 estimated by the conventional temperature profile estimation method using the set temperature.

図10に示すように、従来の推定方法では、温度制御がなされない後室201において温度プロファイルが推定されない。つまり、図10の(b)において破線で示される温度プロファイルは推定されない。   As shown in FIG. 10, in the conventional estimation method, the temperature profile is not estimated in the rear chamber 201 where temperature control is not performed. That is, the temperature profile indicated by the broken line in FIG. 10B is not estimated.

ところで、リフロー部制約条件452は、例えば図10の(b)に示すように、第2リフロー室106と後室201とにまたがる基板300の温度がはんだの溶融点以上の220〜240℃に40秒以上の時間保持されることを示す。したがって、後室201における基板300の温度変化も、基板300の温度プロファイルがリフロー部制約条件452に適合するか否かに影響を及ぼす。   By the way, as shown in FIG. 10B, for example, the reflow part constraint condition 452 is that the temperature of the substrate 300 extending between the second reflow chamber 106 and the rear chamber 201 is 40 to 240 to 240 ° C. above the melting point of the solder. Indicates that it will be held for more than a second. Therefore, the temperature change of the substrate 300 in the rear chamber 201 also affects whether or not the temperature profile of the substrate 300 meets the reflow restriction condition 452.

つまり、従来の推定方法では、後室201における温度プロファイルが推定されないので、高精度に温度プロファイルを推定できない。その結果、温度プロファイルがリフロー部制約条件452に適合する最適な設定温度を探索することが難しい。   That is, in the conventional estimation method, since the temperature profile in the rear chamber 201 is not estimated, the temperature profile cannot be estimated with high accuracy. As a result, it is difficult to search for an optimal set temperature at which the temperature profile meets the reflow part restriction condition 452.

このような問題を解決し、温度プロファイルの推定精度を向上させることができる本実施の形態に係る温度プロファイル推定システムについて、以下に図面を用いて説明する。   A temperature profile estimation system according to the present embodiment that can solve such problems and improve the accuracy of estimation of a temperature profile will be described below with reference to the drawings.

なお、本実施の形態に係る温度プロファイル推定システムは、実施の形態1に係る温度プロファイル推定システムと構成が同一であるので図示を省略する。   Note that the temperature profile estimation system according to the present embodiment has the same configuration as the temperature profile estimation system according to the first embodiment, and therefore the illustration thereof is omitted.

本実施の形態に係る代表温度特定部13は、記憶部12に記憶された代表温度情報12bを参照することにより、第2リフロー室106(第2加熱室に相当)の設定温度に対応する、後室201の代表温度を特定する。   The representative temperature specifying unit 13 according to the present embodiment corresponds to the set temperature of the second reflow chamber 106 (corresponding to the second heating chamber) by referring to the representative temperature information 12b stored in the storage unit 12. The representative temperature of the rear chamber 201 is specified.

代表温度情報12bは、後室201の雰囲気温度を代表する代表温度と、加熱室110の設定温度との対応関係を示す。具体的には、代表温度情報12bは、後室201の雰囲気温度を代表する代表温度と、後室201に隣接する第2リフロー室106の設定温度との対応関係を示す。   The representative temperature information 12b indicates a correspondence relationship between the representative temperature representing the ambient temperature of the rear chamber 201 and the set temperature of the heating chamber 110. Specifically, the representative temperature information 12b indicates a correspondence relationship between the representative temperature that represents the ambient temperature of the rear chamber 201 and the set temperature of the second reflow chamber 106 adjacent to the rear chamber 201.

図11は、本発明の実施の形態2に係る代表温度情報の一例を示す図である。図11に示すように、代表温度情報12bは、第2リフロー室106の設定温度と後室201の代表温度との対応関係を示す。   FIG. 11 is a diagram showing an example of representative temperature information according to Embodiment 2 of the present invention. As shown in FIG. 11, the representative temperature information 12 b indicates a correspondence relationship between the set temperature of the second reflow chamber 106 and the representative temperature of the rear chamber 201.

具体的には、代表温度情報12bは、計測値取得部21によって取得された第1計測値461と第2計測値462とを通る直線を示す一次関数である。なお、上述したように、代表温度情報12bは、必ずしも一次関数である必要はない。   Specifically, the representative temperature information 12 b is a linear function indicating a straight line passing through the first measurement value 461 and the second measurement value 462 acquired by the measurement value acquisition unit 21. As described above, the representative temperature information 12b is not necessarily a linear function.

また、第1計測値461の設定温度は、基板300のリフロー加熱のために、基板300を安定して加熱することができる雰囲気温度の下限値であることが好ましい。また、第2計測値462の設定温度は、基板300のリフロー加熱のために、基板300を安定して加熱することができる雰囲気温度の上限値であることが好ましい。   In addition, the set temperature of the first measurement value 461 is preferably a lower limit value of the atmospheric temperature at which the substrate 300 can be stably heated for the reflow heating of the substrate 300. In addition, the set temperature of the second measurement value 462 is preferably an upper limit value of the ambient temperature that can stably heat the substrate 300 for reflow heating of the substrate 300.

これにより、第2リフロー室106の設定温度の上限値及び下限値に対応する後室201の代表温度が特定されるので、代表温度情報12bによって特定される代表温度の精度を向上させることができる。   Thereby, since the representative temperature of the rear chamber 201 corresponding to the upper limit value and the lower limit value of the set temperature of the second reflow chamber 106 is specified, the accuracy of the representative temperature specified by the representative temperature information 12b can be improved. .

図12は、本発明の実施の形態2に係る代表温度の測定方法を説明するための図である。   FIG. 12 is a diagram for explaining a representative temperature measuring method according to Embodiment 2 of the present invention.

図12に示すように、本実施の形態において、温度センサ303は、基板300と干渉しない位置であって、かつ、後室201中央部のコンベア111近傍に設置されることが好ましい。これにより、計測値取得部21は、実際に後室201を搬送される基板300の周囲の雰囲気温度を、代表温度として取得することができる。   As shown in FIG. 12, in the present embodiment, the temperature sensor 303 is preferably installed at a position where it does not interfere with the substrate 300 and in the vicinity of the conveyor 111 in the center of the rear chamber 201. Thereby, the measurement value acquisition unit 21 can acquire the ambient temperature around the substrate 300 that is actually transported through the rear chamber 201 as the representative temperature.

図13は、本発明の実施の形態2に係る計測値監視部における処理を説明するための図である。   FIG. 13 is a diagram for explaining processing in the measurement value monitoring unit according to Embodiment 2 of the present invention.

本実施の形態に係る計測値監視部23は、現在の代表温度情報12bによって特定される代表温度と、計測された代表温度との差異の絶対値が5%以内であるか否かを判定する。例えば、図13の(a)に示すように、計測値463が取得された場合、計測値監視部23は、現在の代表温度情報12bによって特定される代表温度と計測値463が示す代表温度との差異は、許容範囲外であると判定する。   The measured value monitoring unit 23 according to the present embodiment determines whether or not the absolute value of the difference between the representative temperature specified by the current representative temperature information 12b and the measured representative temperature is within 5%. . For example, as illustrated in FIG. 13A, when the measurement value 463 is acquired, the measurement value monitoring unit 23 determines the representative temperature specified by the current representative temperature information 12 b and the representative temperature indicated by the measurement value 463. Is determined to be outside the allowable range.

そこで、計測値取得部21は、新たに計測された少なくとも2つの計測値(例えば、図13の(b)に示す第1計測値464及び第2計測値465)を取得する。そして、代表温度情報生成部22は、例えば、図13の(b)に示すように、第1計測値464及び第2計測値465を通る直線を示す一次関数を新たな代表温度情報12bとして生成する。   Therefore, the measurement value acquisition unit 21 acquires at least two measurement values newly measured (for example, the first measurement value 464 and the second measurement value 465 shown in FIG. 13B). Then, for example, as shown in FIG. 13B, the representative temperature information generation unit 22 generates a linear function indicating a straight line passing through the first measurement value 464 and the second measurement value 465 as new representative temperature information 12b. To do.

このように、代表温度情報生成装置20は、取得された計測値が許容範囲外である場合に新たに代表温度情報12bを生成する。これにより、外気温度の変化などによって第2リフロー室106の設定温度と後室201の代表温度との対応関係が変化した場合であっても、代表温度情報生成装置20は、精度の高い代表温度情報12bを提供することができる。   As described above, the representative temperature information generation device 20 newly generates the representative temperature information 12b when the acquired measurement value is outside the allowable range. As a result, even if the correspondence between the set temperature of the second reflow chamber 106 and the representative temperature of the rear chamber 201 changes due to a change in the outside air temperature or the like, the representative temperature information generation device 20 can display the representative temperature with high accuracy. Information 12b can be provided.

以上のように、本実施の形態に係る温度プロファイル推定装置10は、温度制御がなされていない後室201の温度プロファイルを推定することができるので、より高精度にリフロー装置100内を搬送される基板300の温度プロファイルを推定することが可能となる。さらに、温度プロファイル推定装置10は、温度プロファイルを推定する際に用いる後室201の代表温度を、加熱室110の設定温度を用いて比較的高精度に特定することできるので、温度プロファイルを推定する際に作業者が代表温度を入力する必要がなく、作業者の負荷の増加を抑制することもできる。   As described above, the temperature profile estimation apparatus 10 according to the present embodiment can estimate the temperature profile of the rear chamber 201 that is not temperature-controlled, and therefore is transported in the reflow apparatus 100 with higher accuracy. The temperature profile of the substrate 300 can be estimated. Furthermore, since the temperature profile estimation device 10 can specify the representative temperature of the rear chamber 201 used when estimating the temperature profile with relatively high accuracy using the set temperature of the heating chamber 110, the temperature profile is estimated. At this time, it is not necessary for the operator to input the representative temperature, and an increase in the load on the operator can be suppressed.

またさらに、温度プロファイル推定装置10は、後室201の代表温度を、後室201に隣接する第2リフロー室106の設定温度を用いて高精度に特定することができるので、より高精度に温度プロファイルを推定することが可能となる。   Furthermore, since the temperature profile estimation device 10 can specify the representative temperature of the rear chamber 201 with high accuracy using the set temperature of the second reflow chamber 106 adjacent to the rear chamber 201, the temperature can be determined with higher accuracy. The profile can be estimated.

以上、本発明の一態様に係る温度プロファイル推定装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したもの、又は異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。   As described above, the temperature profile estimation device according to one aspect of the present invention has been described based on the embodiments, but the present invention is not limited to these embodiments. Unless it deviates from the meaning of this invention, the form which carried out the various deformation | transformation which those skilled in the art thought to this embodiment, or the structure constructed | assembled combining the component in a different embodiment is also contained in the scope of the present invention. .

例えば、上記実施の形態1又は2に係る温度プロファイル推定装置10は、代表温度情報生成装置20を備えてもよい。   For example, the temperature profile estimation device 10 according to the first or second embodiment may include the representative temperature information generation device 20.

また、上記実施の形態1及び2において、代表温度情報は、加熱室110の設定温度と、前室101又は後室201の代表温度との対応関係を示したが、このような対応関係に限らない。例えば、代表温度情報は、加熱室110の設定温度及び外気温度と、前室101又は後室201の代表温度との対応関係を示してもよい。これにより、代表温度特定部13は、前室101又は後室201の代表温度が外気温度にも依存する場合に、高精度に代表温度を特定することができる。   In the first and second embodiments, the representative temperature information indicates the correspondence between the set temperature of the heating chamber 110 and the representative temperature of the front chamber 101 or the rear chamber 201. However, the representative temperature information is not limited to such correspondence. Absent. For example, the representative temperature information may indicate a correspondence relationship between the set temperature and the outside air temperature of the heating chamber 110 and the representative temperature of the front chamber 101 or the rear chamber 201. Accordingly, the representative temperature specifying unit 13 can specify the representative temperature with high accuracy when the representative temperature of the front chamber 101 or the rear chamber 201 also depends on the outside air temperature.

また、上記実施の形態1又は2に係る温度プロファイル推定装置10は、リフロー装置100又は200に備えられてもよい。   Moreover, the temperature profile estimation apparatus 10 according to the first or second embodiment may be included in the reflow apparatus 100 or 200.

また、図1又は図9に示したリフロー装置100又は200は一例であり、異なる構成のリフロー装置であっても本発明は適用されうる。例えば、実施の形態1に係るリフロー装置100が冷却室107を備えずに、後室201を備えてもよい。この場合、代表温度特定部13は、実施の形態1に係る代表温度情報12aと実施の形態2に係る代表温度情報12bとを用いて、前室101及び後室201の代表温度を特定すればよい。このような場合であっても、温度プロファイル推定装置は、高精度に温度プロファイルを推定することができる。   Moreover, the reflow apparatus 100 or 200 shown in FIG. 1 or FIG. 9 is an example, and the present invention can be applied to a reflow apparatus having a different configuration. For example, the reflow apparatus 100 according to Embodiment 1 may include the rear chamber 201 without including the cooling chamber 107. In this case, if the representative temperature specifying unit 13 specifies the representative temperatures of the front chamber 101 and the rear chamber 201 using the representative temperature information 12a according to the first embodiment and the representative temperature information 12b according to the second embodiment. Good. Even in such a case, the temperature profile estimation device can estimate the temperature profile with high accuracy.

さらに、本発明は、このような温度プロファイル推定装置の特徴的な構成要素が行う処理を実行する温度プロファイル推定方法として実現することもできる。また、その温度プロファイル推定方法を図14に示すようなコンピュータに実行させるためのプログラムとして実現することもできる。そして、そのようなプログラムは、CD−ROM等の記録媒体、インターネット等の伝送媒体を介して配信することができる。   Furthermore, the present invention can also be realized as a temperature profile estimation method for executing processing performed by characteristic components of such a temperature profile estimation device. Also, the temperature profile estimation method can be realized as a program for causing a computer as shown in FIG. Such a program can be distributed via a recording medium such as a CD-ROM or a transmission medium such as the Internet.

図14は、コンピュータのハードウェア構成の一例を示す図である。温度プロファイル推定方法をコンピュータに実行させるためのプログラムは、例えば、コンピュータが読取可能な媒体であるCD−ROM515に記憶され、CD−ROM装置514を介して読み出される。また例えば、温度プロファイル推定方法をコンピュータに実行させるためのプログラムは、有線若しくは無線ネットワーク、又は放送などを介して伝送される。   FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a hardware configuration of a computer. A program for causing a computer to execute the temperature profile estimation method is stored in, for example, a CD-ROM 515 that is a computer-readable medium, and is read via the CD-ROM device 514. In addition, for example, a program for causing a computer to execute the temperature profile estimation method is transmitted via a wired or wireless network, broadcast, or the like.

コンピュータ500は、CPU(Central Processing Unit)501、ROM(Read Only Memory)502、RAM(Random Access Memory)503、ハードディスク504、通信インタフェース505等を備える。   The computer 500 includes a CPU (Central Processing Unit) 501, a ROM (Read Only Memory) 502, a RAM (Random Access Memory) 503, a hard disk 504, a communication interface 505, and the like.

CPU501は、CD−ROM装置514を介して読み出されたプログラム、又は通信インタフェース505を介して受信したプログラムを実行する。具体的には、CPU501は、CD−ROM装置514を介して読み出されたプログラム、又は通信インタフェース505を介して受信したプログラムをRAM503に展開する。そして、CPU501は、RAM503に展開されたプログラム中のコード化された各命令を実行する。   The CPU 501 executes a program read via the CD-ROM device 514 or a program received via the communication interface 505. Specifically, the CPU 501 expands a program read via the CD-ROM device 514 or a program received via the communication interface 505 in the RAM 503. The CPU 501 executes each coded instruction in the program expanded in the RAM 503.

ROM502は、コンピュータ500の動作に必要なプログラム及びデータを記憶する読み出し専用メモリである。RAM503は、CPU501がプログラムを実行するときにワークエリアとして使用される。具体的には、RAM503は、例えば、プログラム実行時のパラメータなどのデータを一時的に記憶する。ハードディスク504は、プログラム、データなどを記憶する。   The ROM 502 is a read-only memory that stores programs and data necessary for the operation of the computer 500. The RAM 503 is used as a work area when the CPU 501 executes a program. Specifically, the RAM 503 temporarily stores data such as parameters at the time of program execution, for example. The hard disk 504 stores programs, data, and the like.

通信インタフェース505は、ネットワークを介して他のコンピュータとの通信を行なう。バス506は、CPU501、ROM502、RAM503、ハードディスク504、通信インタフェース505、ディスプレイ511、キーボード512、マウス513及びCD−ROM装置514を相互に接続する。   The communication interface 505 communicates with other computers via a network. The bus 506 connects the CPU 501, ROM 502, RAM 503, hard disk 504, communication interface 505, display 511, keyboard 512, mouse 513 and CD-ROM device 514 to one another.

リフロー装置内を搬送される基板の温度の時間変化を示す温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定装置などとして利用することができる。   The present invention can be used as a temperature profile estimation device that estimates a temperature profile indicating a temporal change in the temperature of a substrate conveyed in the reflow apparatus.

10 温度プロファイル推定装置
11 設定温度取得部
12 記憶部
12a、12b 代表温度情報
13 代表温度特定部
14 温度プロファイル推定部
20 代表温度情報生成装置
21 計測値取得部
22 代表温度情報生成部
23 計測値監視部
100、200 リフロー装置
101 前室
102 第1予熱室
103 第2予熱室
104 第3予熱室
105 第1リフロー室
106 第2リフロー室
107 冷却室
108 予熱室
109 リフロー室
110 加熱室
201 後室
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Temperature profile estimation apparatus 11 Set temperature acquisition part 12 Storage part 12a, 12b Representative temperature information 13 Representative temperature specific | specification part 14 Temperature profile estimation part 20 Representative temperature information generation apparatus 21 Measurement value acquisition part 22 Representative temperature information generation part 23 Measurement value monitoring Part 100, 200 Reflow device 101 Front chamber 102 First preheating chamber 103 Second preheating chamber 104 Third preheating chamber 105 First reflow chamber 106 Second reflow chamber 107 Cooling chamber 108 Preheating chamber 109 Reflow chamber 110 Heating chamber 201 Rear chamber

Claims (6)

雰囲気温度を設定温度と一致するように制御可能な加熱室と、前記加熱室の上流側に位置する前室及び前記加熱室の下流側に位置する後室の少なくとも一方とを備えるリフロー装置内を搬送される基板の温度の時間変化を示す温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定方法であって、
温度プロファイルを推定する際に用いられる、前記加熱室の設定温度を取得する設定温度取得ステップと、
前記前室及び前記後室の少なくとも一方の雰囲気温度を代表する代表温度と、前記加熱室の設定温度との対応関係を示す代表温度情報を用いて、前記設定温度取得ステップにおいて取得された設定温度に対応する代表温度を特定する代表温度特定ステップと、
前記代表温度特定ステップにおいて特定された代表温度と、前記設定温度取得ステップにおいて取得された設定温度とを用いて、前記前室及び前記後室の少なくとも一方と前記加熱室とを搬送される基板の温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定ステップとを含む
温度プロファイル推定方法。
Inside a reflow apparatus comprising a heating chamber that can be controlled so that the atmospheric temperature matches a set temperature, and at least one of a front chamber located upstream of the heating chamber and a rear chamber located downstream of the heating chamber. A temperature profile estimation method for estimating a temperature profile indicating a temporal change in temperature of a substrate to be conveyed,
A set temperature acquisition step for acquiring a set temperature of the heating chamber, which is used when estimating a temperature profile;
The set temperature acquired in the set temperature acquisition step using the representative temperature information indicating the correspondence between the representative temperature representative of the atmosphere temperature of at least one of the front chamber and the rear chamber and the set temperature of the heating chamber A representative temperature specifying step for specifying a representative temperature corresponding to
Using the representative temperature specified in the representative temperature specifying step and the set temperature acquired in the set temperature acquiring step, at least one of the front chamber and the rear chamber and the heating chamber A temperature profile estimation method comprising: a temperature profile estimation step for estimating a temperature profile.
前記加熱室は、それぞれが互いに独立して雰囲気温度を制御可能である、前記前室に隣接する第1加熱室と前記第1加熱室よりも搬送方向の下流側に設けられる第2加熱室とを少なくとも有し、
前記代表温度情報は、前記前室の代表温度と前記第1加熱室の設定温度との対応関係を示し、
前記代表温度特定ステップでは、前記設定温度取得ステップにおいて取得された前記第1加熱室の設定温度に対応する、前記前室の代表温度を特定する
請求項1に記載の温度プロファイル推定方法。
The heating chamber is capable of controlling the ambient temperature independently of each other, a first heating chamber adjacent to the front chamber, and a second heating chamber provided downstream of the first heating chamber in the transport direction, Having at least
The representative temperature information indicates a correspondence relationship between the representative temperature of the front chamber and the set temperature of the first heating chamber,
The temperature profile estimation method according to claim 1, wherein in the representative temperature specifying step, a representative temperature of the front chamber corresponding to the set temperature of the first heating chamber acquired in the set temperature acquiring step is specified.
前記加熱室は、それぞれが互いに独立して雰囲気温度を制御可能である、第1加熱室と、前記第1加熱室よりも搬送方向の下流側に設けられ、前記後室に隣接する第2加熱室とを少なくとも有し、
前記代表温度情報は、前記後室の代表温度と前記第2加熱室の設定温度との対応関係を示し、
前記代表温度特定ステップでは、前記設定温度取得ステップにおいて取得された前記第2加熱室の設定温度に対応する前記後室の代表温度を特定する
請求項1又は2に記載の温度プロファイル推定方法。
The heating chamber is provided on the downstream side in the transport direction with respect to the first heating chamber and the first heating chamber, each of which can control the ambient temperature independently of each other, and the second heating adjacent to the rear chamber. And at least a chamber,
The representative temperature information indicates a correspondence relationship between the representative temperature of the rear chamber and the set temperature of the second heating chamber,
The temperature profile estimation method according to claim 1 or 2, wherein in the representative temperature specifying step, a representative temperature of the rear chamber corresponding to the set temperature of the second heating chamber acquired in the set temperature acquiring step is specified.
請求項1に記載の温度プロファイル推定方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。   A program for causing a computer to execute the temperature profile estimation method according to claim 1. 雰囲気温度を設定温度と一致するように制御可能な加熱室と、前記加熱室の上流側に位置する前室及び前記加熱室の下流側に位置する後室の少なくとも一方とを備えるリフロー装置内を搬送される基板の温度の時間変化を示す温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定装置であって、
前記前室及び前記後室の少なくとも一方の雰囲気温度を代表する代表温度と、前記加熱室の設定温度との対応関係を示す代表温度情報を記憶している記憶部と、
温度プロファイルを推定する際に用いられる、前記加熱室の設定温度を取得する設定温度取得部と、
前記記憶部に記憶されている代表温度情報を用いて、前記設定温度取得部によって取得された設定温度に対応する代表温度を特定する代表温度特定部と、
前記代表温度特定部によって特定された代表温度と、前記設定温度取得部によって取得された設定温度とを用いて、前記前室及び前記後室の少なくとも一方と前記加熱室とを搬送される基板の温度プロファイルを推定する温度プロファイル推定部とを備える
温度プロファイル推定装置。
Inside a reflow apparatus comprising a heating chamber that can be controlled so that the atmospheric temperature matches a set temperature, and at least one of a front chamber located upstream of the heating chamber and a rear chamber located downstream of the heating chamber. A temperature profile estimation device for estimating a temperature profile indicating a change in temperature of a substrate to be transported over time,
A storage unit that stores representative temperature information representing a correspondence relationship between a representative temperature representing the ambient temperature of at least one of the front chamber and the rear chamber, and a set temperature of the heating chamber;
A set temperature acquisition unit for acquiring a set temperature of the heating chamber, used when estimating a temperature profile;
Using the representative temperature information stored in the storage unit, a representative temperature specifying unit that specifies a representative temperature corresponding to the set temperature acquired by the set temperature acquiring unit,
Using the representative temperature specified by the representative temperature specifying unit and the set temperature acquired by the set temperature acquiring unit, at least one of the front chamber and the rear chamber and the heating chamber are conveyed. A temperature profile estimation device comprising: a temperature profile estimation unit that estimates a temperature profile.
請求項5に記載の温度プロファイル推定装置を備えるリフロー装置。   A reflow apparatus comprising the temperature profile estimation apparatus according to claim 5.
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