JP5278988B2 - Electroless tin plating bath and electroless tin plating method for electronic parts - Google Patents

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JP5278988B2 JP2007203214A JP2007203214A JP5278988B2 JP 5278988 B2 JP5278988 B2 JP 5278988B2 JP 2007203214 A JP2007203214 A JP 2007203214A JP 2007203214 A JP2007203214 A JP 2007203214A JP 5278988 B2 JP5278988 B2 JP 5278988B2
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve temporal stability of a mildly acidic or neutral electroless tin plating bath. <P>SOLUTION: The electroless tin plating bath has a pH of 2.5-7 and comprises (A) a soluble stannous salt, (B) at least one acid chosen from an inorganic salt and an organic salt, (C) thioureas, (D) a complexing agent comprising oxycarboxylic acid for stabilizing the bath and (E) a metal ion chosen from the group consisting of chromium, manganese, iron, aluminum, vanadium, zirconium and molybdenum, provided that the amount of the metal ion (E) is 0.01-6.0 mol/L. Due to the coexistence of a specific metal ion such as iron, manganese and chromium at a prescribed concentration with oxycarboxylic acid, the electroless tin plating bath becomes mildly acidic or neutral and shows an excellent temporal stability. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は弱酸性ないし中性域の無電解スズメッキ浴並びに当該メッキ浴を用いた電子部品の無電解スズメッキ方法に関して、浴の経時安定性に優れるとともに、メッキに際して電子部品の樹脂製保護皮膜の侵食を良好に防止できるものを提供する。   The present invention relates to a weakly acidic to neutral electroless tin plating bath and an electroless tin plating method for an electronic component using the plating bath, and has excellent bath aging stability and erosion of a resin protective coating on the electronic component during plating. Provide the one that can prevent the problem well.

スズメッキは、ハンダ付け性向上用、或はエッチングレジスト用の皮膜などとして弱電工業並びに電子工業部品等に広く利用されており、膜厚を均一にする観点では無電解スズメッキが有効である。
例えば、特許文献1〜5には酸性の無電解スズメッキ浴が開示されている。
上記特許文献1は、可溶性第一スズ塩と、有機スルホン酸、有機カルボン酸などの酸と、チオ尿素と、過塩素酸類とを含有し、さらに必要に応じて、均一で微細な粒子の皮膜を得るために水溶性ジルコニウム塩を添加できる無電解スズメッキ浴である(特許請求の範囲、第3頁左上欄)。上記カルボン酸としては酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、グルコン酸などを記載する(第2頁左下欄)。
Tin plating is widely used in weak electrical industry and electronic industry parts as a film for improving solderability or etching resist, and electroless tin plating is effective from the viewpoint of uniform film thickness.
For example, Patent Documents 1 to 5 disclose acidic electroless tin plating baths.
Patent Document 1 contains a soluble stannous salt, an acid such as organic sulfonic acid and organic carboxylic acid, thiourea, and perchloric acid, and if necessary, a coating of uniform and fine particles. An electroless tin plating bath to which a water-soluble zirconium salt can be added in order to obtain (Claims, upper left column on page 3). As said carboxylic acid, tartaric acid, malic acid, a citric acid, gluconic acid, etc. are described (the 2nd page lower left column).

上記特許文献2は、所定の酸化還元電位の範囲内の金属塩をスズ合金を形成しない範囲で添加することにより、析出速度とメッキ皮膜のボンディング性の向上に資する無電解スズメッキ浴であり(請求項1)、所定の金属として鉄、クロム、亜鉛、ビスマス、インジウムなどを例示する(段落13)。   The above-mentioned Patent Document 2 is an electroless tin plating bath that contributes to the improvement of the deposition rate and the bonding property of the plating film by adding a metal salt within a range of a predetermined oxidation-reduction potential within a range in which a tin alloy is not formed. Item 1), iron, chromium, zinc, bismuth, indium and the like are exemplified as the predetermined metal (paragraph 13).

上記特許文献3には、接合強度の向上とホイスカーの防止を目的として、ビスマス、インジウム、鉛、アンチモンよりなる群から選ばれた特定金属の可溶性塩を所定濃度で含有する無電解スズメッキ浴が記載されている(請求項1、実施例1〜5)。   Patent Document 3 describes an electroless tin plating bath containing a soluble salt of a specific metal selected from the group consisting of bismuth, indium, lead, and antimony at a predetermined concentration for the purpose of improving bonding strength and preventing whiskers. (Claim 1, Examples 1 to 5).

上記特許文献4には、スズなどの金属の化合物、銅化合物を含む無電解メッキ浴に、浴の分解を抑制するために鉄化合物(例えばフェロシアン化カリウム)を添加することが記載されている(段落19)。   Patent Document 4 describes that an iron compound (for example, potassium ferrocyanide) is added to an electroless plating bath containing a metal compound such as tin and a copper compound (paragraph potassium ferrocyanide) (paragraph). 19).

しかしながら、一般に、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フィルムキャリヤなどの微細パターン上に上記特許文献1〜4のような無電解スズ浴を用いて無電解メッキを行うと、酸性の無電解スズ浴であるため、上記電子部品のソルダレジストの端部付近が部分剥離して侵食が起こり、特に、プリント基板やフレキシブルプリント基板では侵食され易く、基材の銅を溶出させて製品の信頼性を低下させる恐れがある。
そこで、弱酸性ないし中性域の無電解スズメッキ浴を用いて上記電子部品に無電解メッキを行って、上記侵食性による弊害を回避することが考えられる。
However, in general, when electroless plating is performed using an electroless tin bath as described in Patent Documents 1 to 4 on a fine pattern such as a printed board, a flexible printed board, or a film carrier, an acidic electroless tin bath is obtained. Therefore, the vicinity of the edge of the solder resist of the electronic component is partly peeled off, and erosion occurs. In particular, the printed circuit board and the flexible printed circuit board are easily eroded, and the copper of the base material may be eluted to reduce the reliability of the product. There is.
Therefore, it is conceivable to avoid the adverse effects due to the erodibility by performing electroless plating on the electronic component using an electroless tin plating bath in a weakly acidic or neutral range.

特許文献5〜7には弱酸性或は中性の無電解スズメッキ浴が開示されている。
即ち、上記特許文献5は、ベース酸として有機スルホン酸に替えて、グルコン酸、テトロン酸、ペントン酸などのポリオキシカルボン酸又はその塩を用いて、より好ましいpH1.2〜1.9程度に調整した無電解スズメッキ浴である(請求項1、段落3〜4、7、12)。
Patent Documents 5 to 7 disclose weakly acidic or neutral electroless tin plating baths.
That is, the above-mentioned Patent Document 5 uses a polyoxycarboxylic acid such as gluconic acid, tetronic acid, or pentonic acid or a salt thereof instead of organic sulfonic acid as a base acid, to a more preferable pH of about 1.2 to 1.9. It is the adjusted electroless tin plating bath (Claim 1, paragraphs 3-4, 7, 12).

上記特許文献6は、3価のチタン塩(還元剤)、或はクエン酸を所定濃度で添加可能なpH6.5〜11の無電解スズメッキ浴である(請求項4〜6)。   Patent Document 6 is an electroless tin plating bath having a pH of 6.5 to 11 to which trivalent titanium salt (reducing agent) or citric acid can be added at a predetermined concentration (Claims 4 to 6).

上記特許文献7は、窒素原子を有する水溶性糖質を含有し、pH6〜12が好ましいスズなどの置換メッキ浴である(請求項2〜3、8、9、17、段落26)。   Patent Document 7 is a displacement plating bath of tin or the like that contains a water-soluble saccharide having a nitrogen atom and preferably has a pH of 6 to 12 (claims 2-3, 8, 9, 17, paragraph 26).

特開平2−217478号公報JP-A-2-217478 特開平10−36973号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-36973 特開平8−296050号公報JP-A-8-296050 特開平8−193275号公報JP-A-8-193275 特開平4−289178号公報JP-A-4-289178 特開平8−60376号公報JP-A-8-60376 特開2002−180259号公報JP 2002-180259 A

しかしながら、上記弱酸性ないし中性域の無電解スズメッキ浴はプリント基板などのソルダーレジストを侵食する弊害はないが、その反面、2価スズへの錯化作用を有するグルコン酸、クエン酸、酒石酸などのオキシカルボン酸を含有した場合でも経時安定性が低く、早期にスズ化合物の沈殿が発生し、メッキ浴が分解してしまう実情があり、例えば、組成によっては1日以内に分解してしまうことも多く、連続的なメッキ処理の観点から実用的でない。
本発明は弱酸性ないし中性域の無電解スズメッキ浴において、経時安定性を向上して実用性を向上することを技術的課題とする。
However, the electroless tin plating bath in the above weakly acidic to neutral range has no harmful effect of eroding the solder resist such as a printed circuit board, but on the other hand, gluconic acid, citric acid, tartaric acid, etc. having a complexing action to divalent tin. Even if the oxycarboxylic acid is contained, the stability over time is low, the precipitation of the tin compound occurs at an early stage, and the plating bath is decomposed. For example, depending on the composition, it may be decomposed within one day. In many cases, it is not practical from the viewpoint of continuous plating.
An object of the present invention is to improve practicability by improving stability over time in an electroless tin plating bath in a weakly acidic to neutral range.

本発明者らは、先ず、プリント基板などにスズメッキを施す際に、ソルダレジストへの影響を低減できる観点から弱酸性ないし中性域の無電解スズメッキ浴を使用することを前提として、この無電解スズ浴にグルコン酸、クエン酸、酒石酸などのオキシカルボン酸を添加しながら、さらに他の成分を併存させた場合の浴の安定性を鋭意研究した。
その結果、鉄、マンガン、クロム、アルミニウム、ジルコニウムなどの特定の金属イオンを所定の濃度で共存させると、弱酸性ないし中性域のメッキ浴の経時安定性が増して分解を良好に阻止できること、また、この金属イオンとオキシカルボン酸の濃度比率を特定範囲に限定し、或は3価以上のオキシカルボン酸を使用すると、浴の経時安定性の増進にさらに寄与できることなどを見い出して、本発明を完成した。
First of all, the present inventors presuppose that this electroless tin plating bath is used on the assumption that a weakly acidic or neutral electroless tin plating bath is used from the viewpoint of reducing the influence on the solder resist when tin plating is performed on a printed circuit board or the like. While adding oxycarboxylic acids such as gluconic acid, citric acid and tartaric acid to the tin bath, we studied the stability of the bath when other components coexist.
As a result, when a specific metal ion such as iron, manganese, chromium, aluminum, zirconium coexists at a predetermined concentration, the stability over time of the plating bath in a weakly acidic or neutral region can be increased, and decomposition can be satisfactorily prevented. Further, the present invention has found that the concentration ratio of the metal ion to the oxycarboxylic acid is limited to a specific range, or that the use of a trivalent or higher oxycarboxylic acid can further contribute to the improvement of the bath stability over time. Was completed.

即ち、本発明1は、(A)可溶性第一スズ塩と、
(B)無機酸及び有機酸の少なくともいずれかの酸と、
(C)チオ尿素類と、
(D)オキシカルボン酸よりなる浴安定用錯化剤と、
(E)クロム、マンガン、鉄、アルミニウム、バナジウム、ジルコニウム、モリブデンよりなる群から選ばれた金属のイオンの少なくとも一種とを含有し、
上記金属イオン(E)の含有量が0.01〜6.0モル/Lであり、且つ、pH2.5〜7であることを特徴とする無電解スズメッキ浴である。
That is, the present invention 1 includes (A) a soluble stannous salt,
(B) at least one of an inorganic acid and an organic acid;
(C) thioureas,
(D) a bath stabilizing complexing agent comprising oxycarboxylic acid;
(E) containing at least one metal ion selected from the group consisting of chromium, manganese, iron, aluminum, vanadium, zirconium, and molybdenum,
The electroless tin plating bath is characterized in that the content of the metal ion (E) is 0.01 to 6.0 mol / L and has a pH of 2.5 to 7.

本発明2は、上記本発明1において、浴安定用錯化剤(D)が3個以上の水酸基を有するオキシカルボン酸であることを特徴とする無電解スズメッキ浴である。 The present invention 2 is the electroless tin plating bath according to the present invention 1, wherein the bath stabilizing complexing agent (D) is an oxycarboxylic acid having 3 or more hydroxyl groups .

本発明3は、上記本発明1又は2において、金属イオン(E)と浴安定用錯化剤(D)との含有量のモル比率が、E:D=1:1〜30であることを特徴とする無電解スズメッキ浴である。   Invention 3 is that, in the Invention 1 or 2, the molar ratio of the content of the metal ion (E) and the complexing agent for bath stabilization (D) is E: D = 1: 1-30. This is an electroless tin plating bath.

本発明4は、上記本発明1〜3のいずれかにおいて、成分(A)と成分(B)と成分(D)の含有量の重量比率が、A:B:D=1:2〜8:2〜16であることを特徴とする無電解スズメッキ浴である。   Invention 4 is the composition of any one of Inventions 1 to 3, wherein the weight ratio of the component (A), the component (B), and the component (D) is A: B: D = 1: 2-8: It is an electroless tin plating bath characterized by being 2-16.

本発明5は、上記本発明1〜4のいずれかにおいて、酸(B)が有機スルホン酸であることを特徴とする無電解スズメッキ浴である。   Invention 5 is the electroless tin plating bath according to any one of Inventions 1 to 4, wherein the acid (B) is an organic sulfonic acid.

本発明6は、(A)可溶性第一スズ塩と、
(B)有機スルホンと、
(C)チオ尿素と、
(D)3個以上の水酸基を有するオキシカルボン酸と、
(E)鉄イオンとを含有し、
鉄イオン(E)の含有量が0.03〜3.0モル/Lであり、pH2.5〜6であることを特徴とする無電解スズメッキ浴である。
The present invention 6 comprises (A) a soluble stannous salt,
(B) an organic sulfone,
(C) thiourea,
(D) an oxycarboxylic acid having three or more hydroxyl groups ;
(E) contains iron ions,
The electroless tin plating bath is characterized in that the content of iron ions (E) is 0.03 to 3.0 mol / L and the pH is 2.5 to 6.

本発明7は、上記本発明1〜6のいずれかにおいて、さらに、酸化防止剤、界面活性剤、pH調整剤よりなる群から選ばれた添加剤を含有することを特徴とする無電解スズメッキ浴である。   Invention 7 is the electroless tin plating bath according to any one of Inventions 1 to 6, further comprising an additive selected from the group consisting of an antioxidant, a surfactant and a pH adjuster. It is.

本発明8は、上記本発明1〜7のいずれかの無電解スズメッキ浴を用いて、回路を樹脂製保護皮膜で被覆した形態の電子部品の当該回路上にスズ皮膜を形成することを特徴とする電子部品の無電解スズメッキ方法である。   Invention 8 is characterized in that a tin film is formed on the circuit of the electronic component in which the circuit is covered with a resin protective film using the electroless tin plating bath according to any one of Inventions 1 to 7 above. This is an electroless tin plating method for electronic parts.

本発明9は、上記本発明8において、電子部品がプリント基板であることを特徴とするプリント基板の無電解スズメッキ方法である。   The present invention 9 is the electroless tin plating method for a printed circuit board according to the present invention 8, wherein the electronic component is a printed circuit board.

(1)弱酸性ないし中性域の無電解スズメッキ浴にオキシカルボン酸を含有するとともに、鉄、マンガン、クロム、アルミニウム、ジルコニウムなどの特定の金属イオンを共存させるので、スズ浴の経時安定性が増して分解を長期に防止でき、無電解メッキの連続処理を円滑に行うことができる。
可溶性第一スズ塩と酸とチオ尿素を基本組成とする弱酸性ないし中性スズ浴においては、オキシカルボン酸のみを添加しても短時間でスズ化合物の沈殿が発生し、これは2価のスズイオンとチオ尿素の相互作用により発生したものと推定できるが、オキシカルボン酸と特定の金属イオンの共存下では、このような相互作用を阻止することで浴が安定化するものと思われる。
また、上記特定の金属はスズと共析化することはなく、本発明の無電解メッキ浴によりスズ皮膜を円滑に形成できる(後述の試験例参照)。
(1) Since the oxycarboxylic acid is contained in the electroless tin plating bath in the weakly acidic to neutral range, and specific metal ions such as iron, manganese, chromium, aluminum, and zirconium coexist, the stability of the tin bath over time is improved. In addition, decomposition can be prevented for a long time, and continuous processing of electroless plating can be performed smoothly.
In weakly acidic to neutral tin baths based on soluble stannous salts, acids and thioureas, tin compounds precipitate in a short time even when only oxycarboxylic acid is added. It can be presumed that it was generated by the interaction of tin ion and thiourea, but in the presence of oxycarboxylic acid and a specific metal ion, it seems that the bath is stabilized by preventing such interaction.
Moreover, the said specific metal does not eutect with tin, but can form a tin film smoothly with the electroless plating bath of this invention (refer the below-mentioned test example).

(2)本発明の無電解スズメッキ浴はpH2.5〜7の弱酸性ないし中性なので、回路を樹脂製保護皮膜で被覆した形態の電子部品(例えば、プリント基板)に本発明のスズ浴を適用しても、電子部品に被覆した樹脂(プリント基板のレジスト)を侵食することはなく、電子部品の信頼性を高く保持できる。   (2) Since the electroless tin plating bath of the present invention is weakly acidic or neutral having a pH of 2.5 to 7, the tin bath of the present invention is applied to an electronic component (for example, a printed circuit board) in which the circuit is coated with a resin protective film. Even if it is applied, the resin coated on the electronic component (resist of the printed circuit board) is not eroded and the reliability of the electronic component can be kept high.

本発明は、第一に、可溶性第一スズ塩(A)と酸(B)とチオ尿素類(C)を基本組成とする弱酸性ないし中性のスズ浴において、オキシカルボン酸(浴安定用錯化剤(D))と特定の金属イオン(E)を共存させた無電解スズメッキ浴であり、第二に、この弱酸性ないし中性の無電解スズ浴を、回路を樹脂製保護皮膜で被覆した形態の電子部品(プリント基板など)に適用した無電解スズメッキ方法である。   In the present invention, first, a weakly acidic to neutral tin bath having a basic composition of a soluble stannous salt (A), an acid (B), and a thiourea (C), an oxycarboxylic acid (for bath stabilization) Complexing agent (D)) and a specific metal ion (E) coexisting with electroless tin plating bath. Second, this weakly acidic or neutral electroless tin bath is made of a protective film made of resin. This is an electroless tin plating method applied to a coated electronic component (such as a printed circuit board).

上記可溶性第一スズ塩(A)は、水中でSn2+を発生する化合物であれば任意のものが使用でき、難溶性塩であっても排除するものではない。具体的には、ホウフッ化第一スズ、硫酸第一スズ、酸化第一スズ、塩化第一スズ、ピロリン酸スズ、スルファミン酸スズ、亜スズ酸塩などの無機系の可溶性塩、有機スルホン酸第一スズ、スルホコハク酸第一スズ、脂肪族カルボン酸第一スズなどの有機系の可溶性塩などが挙げられる。 Any soluble stannous salt (A) may be used as long as it is a compound capable of generating Sn 2+ in water, and even a sparingly soluble salt is not excluded. Specifically, stannous borofluoride, stannous sulfate, stannous oxide, stannous chloride, tin pyrophosphate, tin sulfamate, stannate and other inorganic soluble salts, organic sulfonic acid stannous Organic soluble salts such as stannous, stannous sulfosuccinate and stannous aliphatic carboxylic acid.

上記酸(B)としては、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、芳香族スルホン酸などの有機スルホン酸、脂肪族カルボン酸などの有機酸、塩酸、硫酸、ホウフッ化水素酸、ケイフッ化水素酸、過塩素酸などの無機酸が挙げられ、本発明5に示すように、有機スルホン酸が好ましい。   Examples of the acid (B) include alkane sulfonic acids, alkanol sulfonic acids, organic sulfonic acids such as aromatic sulfonic acids, organic acids such as aliphatic carboxylic acids, hydrochloric acid, sulfuric acid, borofluoric acid, hydrofluoric acid, peroxy acids, and the like. Examples thereof include inorganic acids such as chloric acid, and as shown in the present invention 5, organic sulfonic acids are preferable.

上記アルカンスルホン酸は、化学式Cn2n+1SO3H(例えば、n=1〜11)で示されるものであり、具体的には、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、1―プロパンスルホン酸、2―プロパンスルホン酸、1―ブタンスルホン酸、2―ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸などが挙げられる。 The alkane sulfonic acid is represented by the chemical formula C n H 2n + 1 SO 3 H (eg, n = 1 to 11), and specifically includes methane sulfonic acid, ethane sulfonic acid, and 1-propane sulfonic acid. Examples thereof include 2-propanesulfonic acid, 1-butanesulfonic acid, 2-butanesulfonic acid, pentanesulfonic acid and the like.

上記アルカノールスルホン酸は、化学式
m2m+1-CH(OH)-Cp2p-SO3H(例えば、m=0〜6、p=1〜5)
で示されるものであり、具体的には、2―ヒドロキシエタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシプロパン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシブタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシペンタン―1―スルホン酸などの外、1―ヒドロキシプロパン―2―スルホン酸、3―ヒドロキシプロパン―1―スルホン酸、4―ヒドロキシブタン―1―スルホン酸、2―ヒドロキシヘキサン―1―スルホン酸などが挙げられる。
The alkanol sulfonic acid has the formula C m H 2m + 1 -CH ( OH) -C p H 2p -SO 3 H ( e.g., m = 0~6, p = 1~5 )
Specifically, 2-hydroxyethane-1-sulfonic acid, 2-hydroxypropane-1-sulfonic acid, 2-hydroxybutane-1-sulfonic acid, 2-hydroxypentane-1-sulfone In addition to acids, 1-hydroxypropane-2-sulfonic acid, 3-hydroxypropane-1-sulfonic acid, 4-hydroxybutane-1-sulfonic acid, 2-hydroxyhexane-1-sulfonic acid and the like can be mentioned.

上記芳香族スルホン酸としては、フェノールスルホン酸、クレゾールスルホン酸、ナフトールスルホン酸、スルホサリチル酸、1−ナフタレンスルホン酸、2−ナフタレンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、ジフェニルアミン−4−スルホン酸等が挙げられる。   Examples of the aromatic sulfonic acid include phenolsulfonic acid, cresolsulfonic acid, naphtholsulfonic acid, sulfosalicylic acid, 1-naphthalenesulfonic acid, 2-naphthalenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, toluenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, and nitrobenzenesulfonic acid. , Sulfobenzoic acid, diphenylamine-4-sulfonic acid and the like.

上記脂肪族カルボン酸としては炭素水1〜6のカルボン酸が好ましく、具体的には、酢酸、プロピオン酸、酪酸、クエン酸、酒石酸、スルホンコハク酸などが挙げられる。   The aliphatic carboxylic acid is preferably a carboxylic acid having 1 to 6 carbon waters, and specific examples include acetic acid, propionic acid, butyric acid, citric acid, tartaric acid, and sulfosuccinic acid.

上記チオ尿素類(C)は、素地金属の銅、銅合金に配位して錯イオンを形成し、銅の電極電位を卑の方向に変移させて、スズとの化学置換反応を促進するために含有される。
このチオ尿素類には、チオ尿素、或は、1,3―ジメチルチオ尿素、トリメチルチオ尿素、ジエチルチオ尿素(例えば、1,3―ジエチル―2―チオ尿素)、N,N′―ジイソプロピルチオ尿素、アリルチオ尿素、アセチルチオ尿素、エチレンチオ尿素、1,3―ジフェニルチオ尿素、二酸化チオ尿素、チオセミカルバジド等のチオ尿素誘導体が挙げられる。
また、チオ尿素類と同様の錯化作用を奏する化合物としては、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム塩(EDTA・2Na)、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸(HEDTA)、ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)、トリエチレンテトラミン六酢酸(TTHA)、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、エチレンジアミンテトラメチレンリン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンリン酸、ニトリロ三酢酸(NTA)、イミノジ酢酸(IDA)、イミノジプロピオン酸(IDP)、アミノトリメチレンリン酸、アミノトリメチレンリン酸五ナトリウム塩、ベンジルアミン、2―ナフチルアミン、イソブチルアミン、イソアミルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ヘキサエチレンヘプタミン、シンナミルアミン、p―メトキシシンナミルアミン等も有効である。
The thioureas (C) are coordinated with the base metal copper or copper alloy to form complex ions, and the copper electrode potential is shifted in the base direction to promote the chemical substitution reaction with tin. Contained in
These thioureas include thiourea, or 1,3-dimethylthiourea, trimethylthiourea, diethylthiourea (for example, 1,3-diethyl-2-thiourea), N, N′-diisopropylthiourea, Examples include thiourea derivatives such as allylthiourea, acetylthiourea, ethylenethiourea, 1,3-diphenylthiourea, thiourea dioxide, and thiosemicarbazide.
Further, as a compound having a complexing action similar to thioureas, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), ethylenediaminetetraacetic acid disodium salt (EDTA · 2Na), hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid (HEDTA), diethylenetriaminepentaacetic acid (DTPA) ), Triethylenetetramine hexaacetic acid (TTHA), ethylenediaminetetrapropionic acid, ethylenediaminetetramethylenephosphoric acid, diethylenetriaminepentamethylenephosphoric acid, nitrilotriacetic acid (NTA), iminodiacetic acid (IDA), iminodipropionic acid (IDP), amino Trimethylene phosphate, aminotrimethylene phosphate pentasodium salt, benzylamine, 2-naphthylamine, isobutylamine, isoamylamine, methylenediamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, penta Methylenediamine, hexamethylenediamine, diethylenetriamine, tetraethylenepentamine, pentaethylenehexamine, hexaethyleneheptamine, cinnamylamine, p-methoxycinnamylamine and the like are also effective.

本発明は弱酸性ないし中性域の無電解スズメッキ浴であるため、オキシカルボン酸(D)を浴安定用錯化剤として含有する。
このオキシカルボン酸(D)としては、グルコン酸、クエン酸、酒石酸、グルコヘプトン酸、リンゴ酸、グリコール酸、乳酸、トリオキシ酪酸、アスコルビン酸、テトラオキシデカン酸、タルトロン酸、グリセリン酸、シトラマル酸、ロイシン酸、メバロン酸、パントイン酸、リシノール酸、リシネライジン酸、セレブロン酸、キナ酸、シキミ酸が挙げられ、糖類であるエリトロースなども有効であって、これらを単用又は併用できる。
本発明2に示すように、このオキシカルボン酸においては3個以上の水酸基を有するオキシカルボン酸が好ましく、このようなオキシカルボン酸としては、グルコン酸、トリオキシ酪酸、テトラオキシデカン酸、グルコノヘプトン酸、エリトロースなどが挙げられる。
尚、グルコノラクトンやアスコルビン酸は共に環状エステル構造を有し、加水分解するとオキシカルボン酸を生成するが、これらのグルコノラクトンやアスコルビン酸も本発明のオキシカルボン酸と同様に有効である。
Since the present invention is an electroless tin plating bath in a weakly acidic to neutral range, it contains oxycarboxylic acid (D) as a complexing agent for bath stabilization.
Examples of the oxycarboxylic acid (D) include gluconic acid, citric acid, tartaric acid, glucoheptonic acid, malic acid, glycolic acid, lactic acid, trioxybutyric acid, ascorbic acid, tetraoxydecanoic acid, tartronic acid, glyceric acid, citramalic acid, and leucine. Acids, mevalonic acid, pantoic acid, ricinoleic acid, ricinaleic acid, cerebronic acid, quinic acid, and shikimic acid are included, and saccharides such as erythrose are also effective, and these can be used alone or in combination.
As shown in the present invention 2 , in this oxycarboxylic acid, an oxycarboxylic acid having 3 or more hydroxyl groups is preferable . Examples of such oxycarboxylic acid include gluconic acid, trioxybutyric acid , tetraoxydecanoic acid, gluconoheptonic acid, Examples include erythrose.
Gluconolactone and ascorbic acid both have a cyclic ester structure and generate oxycarboxylic acid upon hydrolysis. These gluconolactone and ascorbic acid are also effective as in the oxycarboxylic acid of the present invention.

本発明はオキシカルボン酸(D)に特定の金属イオン(E)を所定濃度で共存させて、弱酸性ないし中性域の無電解スズメッキ浴の経時安定性を向上することを特徴とする。
上記金属イオン(E)は、クロム、マンガン、鉄、アルミニウム、バナジウム、ジルコニウム、モリブデンよりなる群から選ばれた金属のイオンである。
上記金属イオン(E)は単用又は併用でき、その含有量は0.01〜6.0モル/Lであることが必要で、好ましくは0.05〜1.0モル/L、より好ましくは0.1〜0.5モル/L前後である。
金属イオンの含有量が0.01モル/Lより少ないと浴の経時安定性が損なわれ、6.0モル/Lより多いと当該特定の金属塩の溶解性やメッキ速度が低下する恐れがある。
本発明4に示すように、上記金属イオン(E)とオキシカルボン酸(D)の含有量のモル比率は、E:D=1:1〜30であることが好ましく、より好ましくはE:D=1:1〜15である。成分(E)が適正量より少なく、或は成分(D)が多いと浴の経時安定性が低下し、成分(E)が適正量より多く、或は成分(D)が少ないと成分(E)の金属塩の溶解性やメッキ速度が低下する恐れがある。
The present invention is characterized in that the specific metal ion (E) is allowed to coexist in the oxycarboxylic acid (D) at a predetermined concentration to improve the temporal stability of the electroless tin plating bath in a weakly acidic to neutral range.
The metal ion (E) is a metal ion selected from the group consisting of chromium, manganese, iron, aluminum, vanadium, zirconium, and molybdenum.
The metal ion (E) can be used alone or in combination, and its content must be 0.01 to 6.0 mol / L, preferably 0.05 to 1.0 mol / L, more preferably It is about 0.1 to 0.5 mol / L.
If the content of metal ions is less than 0.01 mol / L, the stability with time of the bath is impaired, and if it is more than 6.0 mol / L, the solubility and plating rate of the specific metal salt may be reduced. .
As shown in the present invention 4, the molar ratio of the content of the metal ion (E) and the oxycarboxylic acid (D) is preferably E: D = 1: 1 to 30, more preferably E: D. = 1: 1 to 15. When component (E) is less than the proper amount or component (D) is large, the stability of the bath with time decreases, and when component (E) is more than the proper amount or component (D) is small, component (E ) Metal salt solubility and plating rate may be reduced.

また、本発明の無電解スズメッキ浴は、プリント基板などのソルダレジストの侵食を抑制する観点から、pHを弱酸性ないし中性域に保持する必要があり、具体的にはpH2.5〜7の領域にある無電解スズ浴であり、好ましくはpH2.5〜6.0である。
そして、本発明4に示す通り、弱酸性ないし中性域の無電解スズメッキ浴の経時安定性を良好に保持する見地から、上記可溶性第一スズ塩(A)と酸(B)とチオ尿素類(D)の含有量の重量比率は、A:B:D=1:2〜8:2〜16であることが好ましく、より好ましい重量比率はA:B:D=1:2〜8:2〜8である。
そこで、本発明6は当該無電解スズメッキ浴の代表的な組成を示したもので、(A)可溶性第一スズ塩と、(B)有機スルホンと、(C)チオ尿素と、(D)3個以上の水酸基を有するオキシカルボン酸と、(E)鉄イオンとを含有し、鉄イオン(E)の含有量が0.03〜3.0モル/Lであり、且つ、pH2.5〜6である無電解スズメッキ浴である。ちなみに、3個以上の水酸基を有するオキシカルボン酸(D)にはグルコン酸が好適である。
In addition, the electroless tin plating bath of the present invention needs to maintain the pH in a weakly acidic or neutral range from the viewpoint of suppressing the erosion of a solder resist such as a printed circuit board, specifically, a pH of 2.5-7. Electroless tin bath in the region, preferably pH 2.5-6.0.
And, as shown in the present invention 4, from the viewpoint of maintaining good stability over time of the electroless tin plating bath in the weakly acidic to neutral range, the above soluble stannous salt (A), acid (B) and thioureas The weight ratio of the content of (D) is preferably A: B: D = 1: 2 to 8: 2 to 16, more preferably A: B: D = 1: 2 to 8: 2. ~ 8.
Therefore, the present invention 6 shows a typical composition of the electroless tin plating bath. (A) a soluble stannous salt, (B) an organic sulfone, (C) thiourea, and (D) 3 It contains an oxycarboxylic acid having at least one hydroxyl group and (E) iron ion, the content of iron ion (E) is 0.03 to 3.0 mol / L, and pH 2.5 to 6 This is an electroless tin plating bath. Incidentally, gluconic acid is suitable for the oxycarboxylic acid (D) having three or more hydroxyl groups .

また、本発明の無電解スズメッキ浴には、上記成分以外にも、公知の界面活性剤、酸化防止剤、pH調整剤、光沢剤、半光沢剤等の各種添加剤を混合することができる。
上記界面活性剤には通常のノニオン系、アニオン系、両性、或はカチオン系などの各種界面活性剤が挙げられ、メッキ皮膜の外観、緻密性、平滑性、密着性などの改善に寄与する。
上記アニオン系界面活性剤としては、アルキル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩などが挙げられる。カチオン系界面活性剤としては、モノ〜トリアルキルアミン塩、ジメチルジアルキルアンモニウム塩、トリメチルアルキルアンモニウム塩などが挙げられる。
上記ノニオン系界面活性剤としては、C1〜C20アルカノール、フェノール、ナフトール、ビスフェノール類、C1〜C25アルキルフェノール、アリールアルキルフェノール、C1〜C25アルキルナフトール、C1〜C25アルコキシルリン酸(塩)、ソルビタンエステル、ポリアルキレングリコール、C1〜C22脂肪族アミドなどにエチレンオキシド(EO)及び/又はプロピレンオキシド(PO)を2〜300モル付加縮合させたものなどが挙げられる。
上記両性界面活性剤としては、カルボキシベタイン、イミダゾリンベタイン、スルホベタイン、アミノカルボン酸などが挙げられる。
In addition to the above components, various additives such as known surfactants, antioxidants, pH adjusters, brighteners and semi-brighteners can be mixed in the electroless tin plating bath of the present invention.
Examples of the surfactant include various nonionic, anionic, amphoteric, and cationic surfactants, which contribute to improving the appearance, denseness, smoothness, and adhesion of the plating film.
Examples of the anionic surfactant include alkyl sulfates, polyoxyethylene alkyl ether sulfates, polyoxyethylene alkyl phenyl ether sulfates, alkyl benzene sulfonates, and alkyl naphthalene sulfonates. Examples of the cationic surfactant include mono-trialkylamine salts, dimethyldialkylammonium salts, and trimethylalkylammonium salts.
Examples of the nonionic surfactant, C 1 -C 20 alkanols, phenol, naphthol, bisphenol, C 1 -C 25 alkyl phenols, aryl phenols, C 1 -C 25 alkyl naphthol, C 1 -C 25 alkoxyl phosphate ( Salt), sorbitan ester, polyalkylene glycol, C 1 -C 22 aliphatic amide and the like, and 2-300 mol addition-condensation of ethylene oxide (EO) and / or propylene oxide (PO).
Examples of the amphoteric surfactant include carboxybetaine, imidazoline betaine, sulfobetaine, and aminocarboxylic acid.

上記pH調整剤としては、塩酸、硫酸、シュウ酸、ホウ酸類、リン酸類等の各種の酸、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア、アミン等の各種の塩基などが挙げられ、上記弱酸性ないし中性域のpH領域にメッキ浴は良好に調整される。
上記酸化防止剤は、浴中のSn2+の酸化防止を目的としたもので、次亜リン酸又はその塩、アスコルビン酸又はその塩、ハイドロキノン、カテコール、レゾルシン、フロログルシン、クレゾールスルホン酸又はその塩、フェノールスルホン酸又はその塩、カテコールスルホン酸又はその塩、ハイドロキノンスルホン酸又はその塩、ヒドラジンなどが挙げられる。
Examples of the pH adjuster include various acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, oxalic acid, boric acids, and phosphoric acids, various bases such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, ammonia, and amine. The plating bath is well adjusted to a neutral pH range.
The above-mentioned antioxidant is intended to prevent Sn 2+ in the bath, and hypophosphorous acid or a salt thereof, ascorbic acid or a salt thereof, hydroquinone, catechol, resorcin, phloroglucin, cresolsulfonic acid or a salt thereof Phenolsulfonic acid or a salt thereof, catecholsulfonic acid or a salt thereof, hydroquinonesulfonic acid or a salt thereof, hydrazine, and the like.

上記光沢剤、或は半光沢剤としては、ベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、2,4,6−トリクロロベンズアルデヒド、m−クロロベンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、フルフラール、1−ナフトアルデヒド、2−ナフトアルデヒド、2−ヒドロキシ−1−ナフトアルデヒド、3−アセナフトアルデヒド、ベンジリデンアセトン、ピリジデンアセトン、フルフリルデンアセトン、シンナムアルデヒド、アニスアルデヒド、サリチルアルデヒド、クロトンアルデヒド、アクロレイン、グルタルアルデヒド、パラアルデヒド、バニリンなどの各種アルデヒド、トリアジン、イミダゾール、インドール、キノリン、2−ビニルピリジン、アニリン、フェナントロリン、ネオクプロイン、ピコリン酸、チオ尿素類、N―(3―ヒドロキシブチリデン)―p―スルファニル酸、N―ブチリデンスルファニル酸、N―シンナモイリデンスルファニル酸、2,4―ジアミノ―6―(2′―メチルイミダゾリル(1′))エチル―1,3,5―トリアジン、2,4―ジアミノ―6―(2′―エチル―4―メチルイミダゾリル(1′))エチル―1,3,5―トリアジン、2,4―ジアミノ―6―(2′―ウンデシルイミダゾリル(1′))エチル―1,3,5―トリアジン、サリチル酸フェニル、或は、ベンゾチアゾール、2―メチルベンゾチアゾール、2―アミノベンゾチアゾール、2―アミノ―6―メトキシベンゾチアゾール、2―メチル―5―クロロベンゾチアゾール、2―ヒドロキシベンゾチアゾール、2―アミノ―6―メチルベンゾチアゾール、2―クロロベンゾチアゾール、2,5―ジメチルベンゾチアゾール、5―ヒドロキシ―2―メチルベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール類などが挙げられる。   Examples of the brightener or semi-brightener include benzaldehyde, o-chlorobenzaldehyde, 2,4,6-trichlorobenzaldehyde, m-chlorobenzaldehyde, p-nitrobenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, furfural, 1-naphthaldehyde, 2-naphthaldehyde, 2-hydroxy-1-naphthaldehyde, 3-acenaphthaldehyde, benzylideneacetone, pyridideneacetone, furfuryldenacetone, cinnamaldehyde, anisaldehyde, salicylaldehyde, crotonaldehyde, acrolein, glutaraldehyde, para Various aldehydes such as aldehyde and vanillin, triazine, imidazole, indole, quinoline, 2-vinylpyridine, aniline, phenanthroline, neocuproin, pi Phosphoric acid, thioureas, N- (3-hydroxybutylidene) -p-sulfanilic acid, N-butylidenesulfanilic acid, N-cinnamoylidenesulfanilic acid, 2,4-diamino-6- (2'-methyl) Imidazolyl (1 ')) ethyl-1,3,5-triazine, 2,4-diamino-6- (2'-ethyl-4-methylimidazolyl (1')) ethyl-1,3,5-triazine, 2 , 4-diamino-6- (2′-undecylimidazolyl (1 ′)) ethyl-1,3,5-triazine, phenyl salicylate, or benzothiazole, 2-methylbenzothiazole, 2-aminobenzothiazole, 2-Amino-6-methoxybenzothiazole, 2-methyl-5-chlorobenzothiazole, 2-hydroxybenzothiazole, 2-amino-6-methylbenzothiazole, 2-chlorobenzo Azole, 2,5-dimethyl benzothiazole, benzothiazole such as 5-hydroxy-2-methyl-benzothiazole.

本発明8は本発明1〜7の無電解スズメッキ浴を用いて、回路を樹脂製保護皮膜で被覆した形態の電子部品の当該回路上にスズ皮膜を形成する電子部品の無電解スズメッキ方法である。
上記回路をカバーレイ、ドライフィルム或は液状レジストなどの樹脂製保護皮膜で被覆した形態の電子部品としては、プリント基板、TABのフィルムキャリアなどが挙げられる。上記プリント基板はリジッド型のプリント基板とフレキシブルプリント基板の両方を包含する概念である。
本発明の無電解スズメッキの条件としては任意であるが、浴温は45〜90℃が好ましく、析出速度を増す見地から50〜70℃がより好ましい。
This invention 8 is the electroless tin plating method of the electronic component which forms a tin film on the said circuit of the electronic component of the form which coat | covered the circuit with the resin protective film using the electroless tin plating bath of this invention 1-7. .
Examples of the electronic component in which the above circuit is covered with a resin protective film such as a cover lay, a dry film, or a liquid resist include a printed circuit board and a TAB film carrier. The printed board is a concept including both a rigid printed board and a flexible printed board.
Although the conditions for the electroless tin plating of the present invention are arbitrary, the bath temperature is preferably 45 to 90 ° C, and more preferably 50 to 70 ° C from the viewpoint of increasing the deposition rate.

以下、本発明の弱酸性ないし中性域の無電解スズメッキ浴の実施例、当該メッキ浴の経時安定性、プリント基板の侵食防止性の評価試験例などを順次説明する。
また、本発明は下記の実施例、試験例に拘束されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意の変形をなし得ることは勿論である。
Examples of the weakly acidic to neutral electroless tin plating bath according to the present invention, evaluation tests of the aging stability of the plating bath, and the corrosion resistance of the printed circuit board will be sequentially described below.
Further, the present invention is not limited to the following examples and test examples, and it is needless to say that arbitrary modifications can be made within the scope of the technical idea of the present invention.

《無電解スズメッキ浴の実施例》
下記の実施例1〜15のうち、実施例7〜8、12は特定の金属イオンを併用した例、それ以外は単用した例である。この単用例のうち、実施例1〜3は3価の鉄イオンの例、実施例11は2価の鉄イオンの例、実施例4、9〜10はマンガンイオンの例、実施例6、14〜15はアルミニウムイオンの例、実施例5はクロムイオンの例、実施例13はジルコニウムイオンの例である。
また、下記の比較例1〜5のうち、比較例1はオキシカルボン酸を含有しないブランク例、比較例2は特定の金属イオンを含有しないブランク例、比較例3は特定の金属イオンを適正量より少なく含有した例、比較例4は冒述の特許文献2に準拠して、特定以外の金属イオン(Zn2+)を含有した例、比較例5は通常の酸性無電解メッキ浴(pH1以下)の例である。
<< Example of electroless tin plating bath >>
Among Examples 1 to 15 below, Examples 7 to 8 and 12 are examples in which specific metal ions are used in combination, and other examples are single use examples. Among these single use examples, Examples 1-3 are examples of trivalent iron ions, Examples 11 are examples of divalent iron ions, Examples 4, 9-10 are examples of manganese ions, Examples 6, 14 -15 are examples of aluminum ions, Example 5 is an example of chromium ions, and Example 13 is an example of zirconium ions.
Moreover, among the following comparative examples 1-5, the comparative example 1 is a blank example which does not contain an oxycarboxylic acid, the comparative example 2 is a blank example which does not contain a specific metal ion, and the comparative example 3 is an appropriate amount of a specific metal ion. An example containing less, Comparative Example 4 is an example containing metal ions (Zn 2+ ) other than a specific one, and Comparative Example 5 is a normal acidic electroless plating bath (pH 1 or less) in accordance with Patent Document 2 described above. ).

(1)実施例1
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
メタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
グルコン酸 :0.30モル/L
Fe2(SO4)3・12H2O(Fe3+として) :0.22モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
本実施例1では、3価の鉄イオン(E)とグルコン酸(D)とのモル比率は、E:D=0.22:0.30=1:1.36である。また、可溶性第一スズ塩(A)とメタンスルホン酸(B)とグルコン酸(D)との重量比率は、A:B:D=0.13:0.50:0.30=1:3.85:2.36である。
(1) Example 1
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Methanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
Gluconic acid: 0.30 mol / L
Fe 2 (SO 4 ) 3 · 12H 2 O (as Fe 3+ ): 0.22 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0
In Example 1, the molar ratio of trivalent iron ions (E) to gluconic acid (D) is E: D = 0.22: 0.30 = 1: 1.36. The weight ratio of the soluble stannous salt (A), methanesulfonic acid (B), and gluconic acid (D) is as follows: A: B: D = 0.13: 0.50: 0.30 = 1: 3 .85: 2.36.

(2)実施例2
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
エタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
エタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
グルコン酸 :0.30モル/L
Fe2(SO4)3・12H2O(Fe3+として) :0.01モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(2) Example 2
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous ethanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Ethanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
Gluconic acid: 0.30 mol / L
Fe 2 (SO 4 ) 3 · 12H 2 O (as Fe 3+ ): 0.01 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(3)実施例3
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
pーフェノールスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
pーフェノールスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
グルコン酸 :0.30モル/L
Fe2(SO4)3・12H2O(Fe3+として) :1.00モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(3) Example 3
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
p-Phenol sulfonic acid stannous (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
p-phenolsulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
Gluconic acid: 0.30 mol / L
Fe 2 (SO 4 ) 3 · 12H 2 O (as Fe 3+ ): 1.00 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(4)実施例4
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
メタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
グルコン酸 :0.30モル/L
MnSO4・H2O(Mn2+として) :0.22モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(4) Example 4
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Methanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
Gluconic acid: 0.30 mol / L
MnSO 4 .H 2 O (as Mn 2+ ): 0.22 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(5)実施例5
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
メタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
クエン酸 :0.30モル/L
CrK(SO4)2・12H2O(Cr3+として) :0.22モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(5) Example 5
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Methanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
Citric acid: 0.30 mol / L
CrK (SO 4 ) 2 · 12H 2 O (as Cr 3+ ): 0.22 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(6)実施例6
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
メタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
クエン酸 :0.30モル/L
Al2(SO4)3・16H2O(Al3+として) :0.22モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(6) Example 6
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Methanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
Citric acid: 0.30 mol / L
Al 2 (SO 4 ) 3 · 16H 2 O (as Al 3+ ): 0.22 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(7)実施例7
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
メタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
リンゴ酸 :0.30モル/L
Fe2(SO4)3・12H2O(Fe3+として) :0.11モル/L
Al2(SO4)3・16H2O(Al3+として) :0.11モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(7) Example 7
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Methanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
Malic acid: 0.30 mol / L
Fe 2 (SO 4 ) 3 · 12H 2 O (as Fe 3+ ): 0.11 mol / L
Al 2 (SO 4 ) 3 · 16H 2 O (as Al 3+ ): 0.11 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(8)実施例8
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
メタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
テトラオキシデカン酸 :0.30モル/L
Fe2(SO4)3・12H2O(Fe3+として) :0.11モル/L
MnSO4・H2O(Mn2+として) :0.11モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(8) Example 8
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Methanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
Tetraoxydecanoic acid: 0.30 mol / L
Fe 2 (SO 4 ) 3 · 12H 2 O (as Fe 3+ ): 0.11 mol / L
MnSO 4 .H 2 O (as Mn 2+ ): 0.11 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(9)実施例9
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
メタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :0.50モル/L
グルコン酸 :0.30モル/L
MnSO4・H2O(Mn2+として) :0.22モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(9) Example 9
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Methanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 0.50 mol / L
Gluconic acid: 0.30 mol / L
MnSO 4 .H 2 O (as Mn 2+ ): 0.22 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(10)実施例10
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
メタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.50モル/L
グルコン酸 :0.30モル/L
MnSO4・H2O(Mn2+として) :0.22モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(10) Example 10
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Methanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.50 mol / L
Gluconic acid: 0.30 mol / L
MnSO 4 .H 2 O (as Mn 2+ ): 0.22 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(11)実施例11
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
メタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
クエン酸 :0.30モル/L
FeSO4(Fe2+として) :0.22モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(11) Example 11
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Methanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
Citric acid: 0.30 mol / L
FeSO 4 (as Fe 2+ ): 0.22 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(12)実施例12
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
メタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
酒石酸 :0.30モル/L
FeSO4(Fe2+として) :0.11モル/L
MnSO4・H2O(Mn2+として) :0.11モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(12) Example 12
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Methanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
Tartaric acid: 0.30 mol / L
FeSO 4 (as Fe 2+ ): 0.11 mol / L
MnSO 4 .H 2 O (as Mn 2+ ): 0.11 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(13)実施例13
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
メタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
酒石酸 :0.30モル/L
硫酸ジルコニウム(Zr2+として) :0.22モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(13) Example 13
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Methanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
Tartaric acid: 0.30 mol / L
Zirconium sulfate (as Zr 2+ ): 0.22 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(14)実施例14
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
ホウフッ化水素酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
ホウフッ化水素酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
クエン酸 :0.30モル/L
Al2(SO4)3・16H2O(Al3+として) :0.22モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(14) Example 14
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous borofluoride (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Borohydrofluoric acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
Citric acid: 0.30 mol / L
Al 2 (SO 4 ) 3 · 16H 2 O (as Al 3+ ): 0.22 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(15)実施例15
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
硫酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
硫酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
クエン酸 :0.30モル/L
Al2(SO4)3・16H2O(Al3+として) :0.22モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(15) Example 15
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous sulfate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Sulfuric acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
Citric acid: 0.30 mol / L
Al 2 (SO 4 ) 3 · 16H 2 O (as Al 3+ ): 0.22 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(16)比較例1
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
メタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
CrK(SO4)2・12H2O(Cr3+として) :0.22モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(16) Comparative Example 1
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Methanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
CrK (SO 4 ) 2 · 12H 2 O (as Cr 3+ ): 0.22 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(17)比較例2
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
メタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
クエン酸 :0.30モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(17) Comparative example 2
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Methanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
Citric acid: 0.30 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(18)比較例3
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
メタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
クエン酸 :0.30モル/L
CrK(SO4)2・12H2O(Cr3+として) :0.005モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(18) Comparative Example 3
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Methanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
Citric acid: 0.30 mol / L
CrK (SO 4 ) 2 · 12H 2 O (as Cr 3+ ): 0.005 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(19)比較例4
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
メタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
クエン酸 :0.30モル/L
ZnSO4・7H2O(Zn2+として) :0.22モル/L
pH(NaOHにより調整) :4.0
(19) Comparative Example 4
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Methanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
Citric acid: 0.30 mol / L
ZnSO 4 .7H 2 O (as Zn 2+ ): 0.22 mol / L
pH (adjusted with NaOH): 4.0

(20)比較例5
下記組成により無電解スズメッキ浴を建浴した。
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) :0.13モル/L
メタンスルホン酸 :0.50モル/L
チオ尿素 :1.00モル/L
pH :1.0以下
(20) Comparative Example 5
An electroless tin plating bath was constructed with the following composition.
Stannous methanesulfonate (as Sn 2+ ): 0.13 mol / L
Methanesulfonic acid: 0.50 mol / L
Thiourea: 1.00 mol / L
pH: 1.0 or less

そこで、上記実施例1〜15及び比較例1〜5で得られた各無電解スズメッキ浴について、経時安定性を評価した。
《無電解スズメッキ浴の経時安定性評価試験例》
上記各無電解メッキ浴を60℃に保持した後、メッキ浴の経時安定性の優劣を下記の基準に基づいて評価した。
◎:建浴後、1カ月経過した時点でも浴に変化はなかった。
○:建浴後、2週間経過した時点で浴に変化はなかった。
×:建浴後、1日以内に浴が分解した。
Therefore, the stability over time was evaluated for each electroless tin plating bath obtained in Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 5.
<< Example of evaluation test of electroless tin plating bath over time >>
After maintaining each electroless plating bath at 60 ° C., the superiority or inferiority of the stability over time of the plating bath was evaluated based on the following criteria.
A: There was no change in the bath even after one month had passed since the bathing.
○: There was no change in the bath when 2 weeks passed after the bathing.
X: The bath decomposed within 1 day after the bathing.

図1の左欄はその試験結果である。
オキシカルボン酸を含有しない比較例1及び特定の金属イオンを含有しない比較例2では、1日以内にメッキ浴は分解したのに対して、オキシカルボン酸と特定の金属イオンを併用した弱酸性の無電解スズ浴である実施例1〜15は2週間に亘り、或は1カ月以上に亘り、メッキ浴は安定であった。
これにより、弱酸性の無電解スズメッキ浴の経時安定性を担保するには、オキシカルボン酸と特定の金属イオンの共存が必要であることが確認できた。
The left column of FIG. 1 shows the test results.
In Comparative Example 1 that does not contain oxycarboxylic acid and Comparative Example 2 that does not contain a specific metal ion, the plating bath decomposed within one day, whereas weak acidity using a combination of oxycarboxylic acid and a specific metal ion. Examples 1-15, which are electroless tin baths, were stable over a period of 2 weeks or over a month.
This confirmed that the coexistence of oxycarboxylic acid and a specific metal ion was necessary to ensure the temporal stability of the weakly acidic electroless tin plating bath.

また、特定の金属イオンを含有するが、適正量より少ない濃度の比較例3の評価は×であったことから、この比較例3を実施例1〜15に対比すると、弱酸性の無電解スズメッキ浴の経時安定性の改善には、オキシカルボン酸と特定の金属イオンの共存だけでは充分でなく、当該金属イオンの濃度を適正化することの必要性が確認できた。
さらには、特定以外の金属イオン(Zn2+)を添加した比較例4の評価は×であったことから、弱酸性の無電解スズメッキ浴の経時安定性の改善には、オキシカルボン酸と共存させる金属イオンの種類を特定化する必要がある点が裏付けられた。
尚、酸性無電解スズメッキ浴(比較例5)は良好な経時安定性を示したが、本発明の弱酸性ないし中性域の無電解スズ浴(実施例1〜15)も、安定性の面でこの従来の酸性浴に対して遜色がないことが分かった。
Moreover, since the evaluation of Comparative Example 3 containing a specific metal ion but having a concentration less than the appropriate amount was x, when comparing Comparative Example 3 with Examples 1 to 15, weakly acidic electroless tin plating In order to improve the aging stability of the bath, the coexistence of the oxycarboxylic acid and a specific metal ion is not sufficient, and the necessity of optimizing the concentration of the metal ion has been confirmed.
Furthermore, since the evaluation of Comparative Example 4 in which a metal ion (Zn 2+ ) other than a specific one was added was x, the improvement with time of the weakly acidic electroless tin plating bath was coexistent with oxycarboxylic acid. It was confirmed that it was necessary to specify the type of metal ions to be used.
The acidic electroless tin plating bath (Comparative Example 5) showed good stability over time, but the weakly acidic to neutral electroless tin baths (Examples 1 to 15) of the present invention are also stable. It was found that this conventional acid bath is not inferior.

実施例1〜15の無電解スズ浴を詳細に検討すると、先ず、特定の金属イオンとしてFe3+、Cr3+、Al3+の3価イオンを含有する実施例1〜3、或は実施例5〜7では◎の評価であり、2価の金属イオンを含有する実施例に比べて経時安定性が勝ることが分かった。
実施例1〜3ではオキシカルボン酸の濃度と種類(グルコン酸)、金属イオンの種類(Fe3+)が同じで、金属イオンの濃度が変化しているが、経時安定性の評価は変わらなかった。Al3+を含有する実施例6、14〜15も同様に経時安定性は変わらなかった。
また、特定の金属イオンとしてMn2+、オキシカルボン酸としてグルコン酸を含有する点で共通する実施例4、9〜10ではチオ尿素の濃度だけが変化しているが、経時安定性の評価は変わらなかった。
When the electroless tin baths of Examples 1 to 15 are examined in detail, first, Examples 1 to 3 which contain trivalent ions of Fe 3+ , Cr 3+ and Al 3+ as specific metal ions, or In Examples 5 to 7, it was evaluated as 安定, and it was found that the stability over time was superior to that of Examples containing divalent metal ions.
In Examples 1 to 3, the concentration and type of oxycarboxylic acid (gluconic acid) and the type of metal ion (Fe 3+ ) were the same and the concentration of metal ion was changed, but the evaluation of stability over time did not change. It was. The stability over time was not changed in Examples 6 and 14 to 15 containing Al 3+ .
Further, in Examples 4 and 9 to 10 which are common in that Mn 2+ as a specific metal ion and gluconic acid as an oxycarboxylic acid are contained, only the concentration of thiourea is changed. It didn't change.

次いで、上記実施例1〜15及び比較例1〜5の各無電解スズメッキ浴にプリント基板を浸漬して、ソルダレジストの侵食防止性の度合を評価した。
《プリント基板の侵食防止評価試験例》
即ち、上記無電解スズ浴を建浴した後、60℃にて保持しながらFPC(フレキシブルプリント基板;回路形成したテスト基板)を10分間浸漬して、無電解メッキを施した。そして、FPCのソルダレジスト(特に端部)を目視観察し、下記の基準に基づいてソルダレジストの剥離の程度(侵食防止性)の優劣を評価した。
○:ソルダレジストに変化なし。
×:ソルダレジストが侵食され、レジストの端部が剥離した。
Subsequently, the printed circuit board was immersed in each of the electroless tin plating baths of Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 5, and the degree of erosion prevention of the solder resist was evaluated.
<< Example of evaluation test for prevention of erosion of printed circuit board >>
That is, after the above electroless tin bath was constructed, FPC (flexible printed circuit board; test board on which a circuit was formed) was immersed for 10 minutes while being held at 60 ° C. to perform electroless plating. And the solder resist (especially edge part) of FPC was visually observed, and the superiority or inferiority of the degree of peeling (erosion prevention) of the solder resist was evaluated based on the following criteria.
○: No change in solder resist.
X: The solder resist was eroded and the end portions of the resist were peeled off.

図1の右欄はその試験結果である。
酸性の無電解スズメッキ浴である比較例4ではソルダレジストの剥離が起こったが、弱酸性(pH4)の無電解スズ浴である実施例1〜15では、ソルダレジストに変化はなく、剥離は起こらなかった。
以上の通り、上記経時安定性や侵食防止性の評価試験の結果によれば、本発明の無電解スズメッキ浴はソルダレジストへの侵食がないとともに、浴を長期に安定化できるため、回路を樹脂製保護皮膜で被覆した形態の電子部品(プリント基板やフレキシブルプリント基板など)へのスズメッキの適用に好適である。
The right column of FIG. 1 shows the test results.
In Comparative Example 4 which is an acidic electroless tin plating bath, the solder resist was peeled off. However, in Examples 1 to 15 which were weakly acidic (pH 4) electroless tin baths, the solder resist was not changed and peeling was not caused. There wasn't.
As described above, according to the results of the evaluation tests for the stability over time and the erosion prevention, the electroless tin plating bath of the present invention has no erosion to the solder resist and can stabilize the bath for a long time. It is suitable for application of tin plating to electronic parts (printed circuit boards, flexible printed circuit boards, etc.) in a form covered with a protective film.

《無電解スズ皮膜の組成分析試験例》
次いで、本発明の無電解スズメッキ浴の代表例として実施例1を選択し、当該実施例1の無電解スズ浴を用いてFPC(回路形成したテスト基板)の微細パターン上に、浴温60℃、メッキ時間10分の条件(即ち、前記侵食防止性試験と同じ条件)で無電解メッキを施し、得られたスズ皮膜をエネルギー分散型X線分析装置(EDX)を用いて、皮膜組成の分析を行った。
その定量結果によると、Sn=100重量%、Fe=0重量%であった。また、図2はその分析チャートであり、皮膜にはSnの鋭いピークは認められるが、Feのピークは認められなかった。
従って、上記定量結果及びチャートによれば、メッキ浴に少量の所定濃度で含有したFeなどの特定金属のイオンに起因して、当該金属がスズと共析化することはなく、本発明の無電解メッキ浴によりスズ皮膜が円滑に得られることが確認できた。
<< Example of composition analysis test of electroless tin film >>
Next, Example 1 is selected as a representative example of the electroless tin plating bath of the present invention, and a bath temperature of 60 ° C. is formed on a fine pattern of an FPC (circuit-formed test substrate) using the electroless tin bath of Example 1. Then, electroless plating is performed under the condition of plating time of 10 minutes (that is, the same condition as the erosion prevention test), and the obtained tin film is analyzed for film composition using an energy dispersive X-ray analyzer (EDX). Went.
According to the quantitative results, Sn = 100 wt% and Fe = 0 wt%. FIG. 2 is an analysis chart thereof, and a sharp peak of Sn was observed in the film, but no peak of Fe was observed.
Therefore, according to the above quantitative results and chart, the metal does not co-deposit with tin due to ions of a specific metal such as Fe contained in a small amount in the plating bath. It was confirmed that the tin film could be obtained smoothly by the electrolytic plating bath.

実施例1〜15及び比較例1〜5の各無電解スズメッキ浴についての経時安定性並びに侵食防止性の評価試験結果を示す図表である。It is a graph which shows the evaluation test result of temporal stability about each electroless tin plating bath of Examples 1-15 and Comparative Examples 1-5, and erosion prevention property. 実施例1の無電解スズメッキ浴を用いて得られたスズ皮膜のEDX分析図である。1 is an EDX analysis diagram of a tin film obtained using the electroless tin plating bath of Example 1. FIG.

Claims (9)

(A)可溶性第一スズ塩と、
(B)無機酸及び有機酸の少なくともいずれかの酸と、
(C)チオ尿素類と、
(D)オキシカルボン酸よりなる浴安定用錯化剤と、
(E)クロム、マンガン、鉄、アルミニウム、バナジウム、ジルコニウム、モリブデンよりなる群から選ばれた金属のイオンの少なくとも一種とを含有し、
上記金属イオン(E)の含有量が0.01〜6.0モル/Lであり、且つ、pH2.5〜7であることを特徴とする無電解スズメッキ浴。
(A) a soluble stannous salt;
(B) at least one of an inorganic acid and an organic acid;
(C) thioureas,
(D) a bath stabilizing complexing agent comprising oxycarboxylic acid;
(E) containing at least one metal ion selected from the group consisting of chromium, manganese, iron, aluminum, vanadium, zirconium, and molybdenum,
An electroless tin plating bath, wherein the content of the metal ion (E) is 0.01 to 6.0 mol / L and has a pH of 2.5 to 7.
浴安定用錯化剤(D)が3個以上の水酸基を有するオキシカルボン酸であることを特徴とする請求項1に記載の無電解スズメッキ浴。 The electroless tin plating bath according to claim 1, wherein the complexing agent (D) for bath stabilization is an oxycarboxylic acid having 3 or more hydroxyl groups . 金属イオン(E)と浴安定用錯化剤(D)の含有量のモル比率が、E:D=1:1〜30であることを特徴とする請求項1又は2に記載の無電解スズメッキ浴。   3. The electroless tin plating according to claim 1, wherein the molar ratio of the content of the metal ion (E) and the complexing agent for bath stabilization (D) is E: D = 1: 1-30. bath. 成分(A)と成分(B)と成分(D)の含有量の重量比率が、A:B:D=1:2〜8:2〜16である事を特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の無電解スズメッキ浴。   The weight ratio of the content of component (A), component (B), and component (D) is A: B: D = 1: 2-8: 2-16, The electroless tin plating bath according to any one of the above. 酸(B)が有機スルホン酸であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の無電解スズメッキ浴。   The electroless tin plating bath according to any one of claims 1 to 4, wherein the acid (B) is an organic sulfonic acid. (A)可溶性第一スズ塩と、
(B)有機スルホンと、
(C)チオ尿素と、
(D)3個以上の水酸基を有するオキシカルボン酸と、
(E)鉄イオンとを含有し、
鉄イオン(E)の含有量が0.03〜3.0モル/Lであり、pH2.5〜6であることを特徴とする無電解スズメッキ浴。
(A) a soluble stannous salt;
(B) an organic sulfone,
(C) thiourea,
(D) an oxycarboxylic acid having three or more hydroxyl groups ;
(E) contains iron ions,
An electroless tin plating bath having a content of iron ions (E) of 0.03 to 3.0 mol / L and a pH of 2.5 to 6.
さらに、酸化防止剤、界面活性剤、pH調整剤よりなる群から選ばれた添加剤を含有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の無電解スズメッキ浴。   Furthermore, the additive selected from the group which consists of antioxidant, surfactant, and pH adjuster is contained, The electroless tin plating bath of any one of Claims 1-6 characterized by the above-mentioned. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の無電解スズメッキ浴を用いて、回路を樹脂製保護皮膜で被覆した形態の電子部品の当該回路上にスズ皮膜を形成することを特徴とする電子部品の無電解スズメッキ方法。   An electroless tin plating bath according to any one of claims 1 to 7, wherein a tin film is formed on the circuit of an electronic component in which the circuit is covered with a resin protective film. Electroless tin plating method for parts. 電子部品がプリント基板であることを特徴とする請求項8に記載のプリント基板の無電解スズメッキ方法。   9. The electroless tin plating method for a printed circuit board according to claim 8, wherein the electronic component is a printed circuit board.
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