JP5274383B2 - Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium storing substrate processing program - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 150
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 181
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 167
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 86
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 54
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 28
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- DAFQZPUISLXFBF-UHFFFAOYSA-N tetraoxathiolane 5,5-dioxide Chemical compound O=S1(=O)OOOO1 DAFQZPUISLXFBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを格納した記憶媒体に関するものであり、特に、第1の薬液と第2の薬液とを反応させて生成した処理液を処理槽に接続した循環流路を用いて循環させながら処理槽の内部で基板を処理液で処理する基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを格納した記憶媒体に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium storing a substrate processing program, and in particular, connects a processing liquid generated by reacting a first chemical and a second chemical to a processing tank. The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium storing a substrate processing program for processing a substrate with a processing liquid inside a processing tank while being circulated using the circulation path.
従来より、半導体部品やフラットディスプレイや電子部品などの製造工程においては、半導体ウエハや液晶基板やディスク状記憶媒体などの基板の表面に生成された酸化膜やレジスト膜などを除去するために、基板を洗浄処理する基板処理装置が利用されている。 Conventionally, in the manufacturing process of semiconductor components, flat displays, electronic components, etc., in order to remove oxide films and resist films generated on the surface of substrates such as semiconductor wafers, liquid crystal substrates, and disk-shaped storage media, A substrate processing apparatus for cleaning the substrate is used.
この従来の基板処理装置においては、基板を処理液で処理するための処理槽と、処理槽に第1の薬液を供給するための第1薬液供給機構と、第1の薬液と反応して処理液を生成する第2の薬液を処理槽に供給するための第2薬液供給機構と、処理槽に接続した循環流路を用いて処理液を循環させるための処理液循環機構とを有しており、第1薬液供給機構及び第2薬液供給機構から処理槽の内部に第1及び第2の薬液をそれぞれ直接供給し、処理槽の内部において第1の薬液と第2の薬液とを反応させることによって処理液を生成し、その後、処理液を処理槽に接続した循環流路を用いて一定流量で循環させながら処理槽の内部で基板を処理液で処理するように構成していた(たとえば、特許文献1参照。)。 In this conventional substrate processing apparatus, a processing tank for processing a substrate with a processing liquid, a first chemical liquid supply mechanism for supplying a first chemical liquid to the processing tank, and a process that reacts with the first chemical liquid. A second chemical liquid supply mechanism for supplying a second chemical liquid for generating a liquid to the treatment tank, and a treatment liquid circulation mechanism for circulating the treatment liquid using a circulation channel connected to the treatment tank. The first and second chemical liquids are directly supplied from the first chemical liquid supply mechanism and the second chemical liquid supply mechanism to the inside of the processing tank, and the first chemical liquid and the second chemical liquid are reacted inside the processing tank. Then, the processing liquid is generated, and then the substrate is processed with the processing liquid inside the processing tank while circulating the processing liquid at a constant flow rate using a circulation channel connected to the processing tank (for example, , See Patent Document 1).
そして、特許文献1に開示された基板処理装置では、第1の薬液として硫酸を用いるとともに、第2の薬液として過酸化水素水を用い、硫酸と過酸化水素水とを処理槽の内部で混合することによって硫酸過酸化水素水(SPM:sulfric acid/hydrogen peroxide mixture)を生成するとともに、硫酸と過酸化水素水との反応によってカロ酸(H2SO5:ペルオキソ一硫酸)を生成し(H2SO4+H2O2→H2SO5+H2O)、このカロ酸の強い酸化力によって基板の表面を洗浄処理するようにしていた。
In the substrate processing apparatus disclosed in
上記従来の基板処理装置では、処理槽の内部で基板を処理する間、処理液循環機構によって処理槽の内部の処理液を常に一定流量で循環させていたために、基板の処理開始直後は第1の薬液と第2の薬液との反応が活発で高濃度の処理液で処理できるが、経時的に第1の薬液と第2の薬液との反応が鈍化して処理液の濃度が低減してしまい、基板の処理を良好に行えなくなるおそれがあった。 In the conventional substrate processing apparatus, the processing liquid inside the processing tank is always circulated at a constant flow rate by the processing liquid circulation mechanism while the substrate is processed inside the processing tank. The reaction between the first chemical solution and the second chemical solution is active and can be processed with a high-concentration treatment solution, but over time, the reaction between the first chemical solution and the second chemical solution slows down, reducing the concentration of the treatment solution. As a result, the substrate may not be processed well.
本発明では、基板を処理液で処理するための処理槽と、処理槽に第1の薬液を供給するための第1薬液供給機構と、第1の薬液と反応して処理液を生成する第2の薬液を処理槽に供給するための第2薬液供給機構と、処理槽に接続した循環流路を用いて処理液を所定の循環流量で循環させるための処理液循環機構と、第1及び第2の薬液の処理槽への供給を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記第2薬液供給機構に第2の薬液の供給開始を指令する信号を出力するとともに前記処理液循環機構を前記第2の薬液の供給開始を指令する信号に基いて制御して循環流量を低減させる。
In the present invention, the processing tank for processing the substrate with the processing liquid, the first chemical liquid supply mechanism for supplying the first chemical liquid to the processing tank, and the first chemical liquid that reacts with the first chemical liquid to generate the processing liquid. A second chemical solution supply mechanism for supplying the second chemical solution to the treatment tank, a treatment liquid circulation mechanism for circulating the treatment liquid at a predetermined circulation flow rate using a circulation channel connected to the treatment tank, A controller that controls the supply of the second chemical liquid to the processing tank, and the control section outputs a signal instructing the second chemical liquid supply mechanism to start the supply of the second chemical liquid, and the processing liquid circulation The mechanism is controlled based on a signal instructing the start of supply of the second chemical solution to reduce the circulation flow rate.
また、前記第2の薬液は、前記第1の薬液よりも自然劣化の速度が速い。 The second chemical solution has a natural degradation rate faster than that of the first chemical solution.
また、前記第1の薬液が硫酸を含み、前記第2の薬液が過酸化水素水を含む。 The first chemical solution contains sulfuric acid, and the second chemical solution contains hydrogen peroxide.
また、前記制御部は、前記第2の薬液の供給停止を指令する信号を出力するとともに前記処理液循環機構を前記第2の薬液の供給停止を指令する信号に基づいて制御して循環流量を増大させる。 In addition, the control unit outputs a signal instructing to stop the supply of the second chemical liquid and controls the processing liquid circulation mechanism based on the signal instructing to stop the supply of the second chemical liquid to control the circulation flow rate. Increase.
また、前記制御部は、前記第2薬液供給機構を制御して前記第2の薬液を複数回に分割して供給させる。 Further, the control unit controls the second chemical solution supply mechanism to supply the second chemical solution divided into a plurality of times.
また、前記第2薬液供給機構を前記循環流路の途中に接続した。 Further, the second chemical solution supply mechanism was connected in the middle of the circulation flow path.
また、第1の薬液と第2の薬液とを反応させて生成した処理液を処理槽に接続した循環流路を用いて所定の循環流量で循環させながら処理槽の内部で基板を処理液で処理する基板処理方法において、第2の薬液の供給を開始するとともに第2の薬液の供給開始に基づいて循環流量を低減させる。
Further, the substrate is treated with the treatment liquid inside the treatment tank while the treatment liquid produced by reacting the first chemical liquid and the second chemical liquid is circulated at a predetermined circulation flow rate using a circulation channel connected to the treatment tank. In the substrate processing method to be processed, the supply of the second chemical solution is started and the circulation flow rate is reduced based on the start of the supply of the second chemical solution.
また、前記第2の薬液の供給を停止するとともに第2の薬液の供給停止に基づいて循環流量を増大させる。 Further, the supply of the second chemical liquid is stopped and the circulation flow rate is increased based on the supply stop of the second chemical liquid.
また、前記第2の薬液の供給量を複数回に分割して供給する。 Further, the supply amount of the second chemical liquid is divided and supplied in a plurality of times.
また、基板を処理液で処理するための処理槽と、処理槽に第1の薬液を供給するための第1薬液供給機構と、第1の薬液と反応して処理液を生成する第2の薬液を処理槽に供給するための第2薬液供給機構と、処理槽に接続した循環流路を用いて処理液を循環させるための処理液循環機構とを有し、所定の循環流量で処理液を循環させて基板を処理する基板処理装置を用いて、処理液を所定の循環流量で循環させながら処理槽の内部で基板を処理液で処理するための基板処理プログラムを格納した記憶媒体において、第2の薬液の供給を開始するとともに第2の薬液の供給開始に基づいて循環流量を低減させる。
In addition, a processing tank for processing the substrate with the processing liquid, a first chemical liquid supply mechanism for supplying the first chemical liquid to the processing tank, and a second liquid that reacts with the first chemical liquid to generate the processing liquid. A second chemical solution supply mechanism for supplying the chemical solution to the treatment tank; and a treatment liquid circulation mechanism for circulating the treatment solution using a circulation channel connected to the treatment tank, and the treatment liquid at a predetermined circulation flow rate. In a storage medium storing a substrate processing program for processing a substrate with a processing liquid inside a processing tank while circulating a processing liquid at a predetermined circulation flow rate using a substrate processing apparatus that circulates the substrate, The supply of the second chemical liquid is started and the circulation flow rate is reduced based on the start of the supply of the second chemical liquid.
また、前記第2の薬液の供給を停止するとともに第2の薬液の供給停止に基づいて循環流量を増大させる。 Further, the supply of the second chemical liquid is stopped and the circulation flow rate is increased based on the supply stop of the second chemical liquid.
また、前記第2の薬液の供給量を複数回に分割して供給する。 Further, the supply amount of the second chemical liquid is divided and supplied in a plurality of times.
本発明では、第1の薬液と第2の薬液との反応によって生成した処理液の濃度を高い状態に維持することができ、基板の処理を良好に行うことができる。 In this invention, the density | concentration of the process liquid produced | generated by reaction of a 1st chemical | medical solution and a 2nd chemical | medical solution can be maintained in a high state, and a board | substrate can be processed favorably.
以下に、本発明の具体的な実施例について、半導体ウエハ(基板)の洗浄処理や乾燥処理を施す基板処理装置を例に挙げて図面を参照しながら説明する。 In the following, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, taking as an example a substrate processing apparatus for performing a cleaning process and a drying process on a semiconductor wafer (substrate).
図1に示すように、基板処理装置1は、複数枚の半導体ウエハ(以下、「基板2」という。)を収容したキャリア3の搬入及び搬出を行うキャリア搬入出ユニット4と、キャリア3に収容された基板2の搬入及び搬出を行う基板搬入出ユニット5と、基板2の洗浄処理及び乾燥処理を行う基板処理ユニット6とで構成している。
As shown in FIG. 1, a
キャリア搬入出ユニット4は、キャリア3を載置するキャリアステージ7に密閉状の開閉扉8を形成し、この開閉扉8の内側にキャリア搬送機構9とキャリアストック10とキャリア載置台11を配設している。
The carrier loading / unloading unit 4 forms a sealed opening / closing
そして、キャリア搬入出ユニット4では、キャリア搬送機構9によってキャリアステージ7に載置されたキャリア3を必要に応じてキャリアストック10に一時的に保管するとともに、キャリア載置台11に搬入するようにしている。また、キャリア搬入出ユニット4では、基板処理ユニット6で処理が完了した基板2が収容されたキャリア3に対し、搬入時とは逆に、キャリア載置台11に載置されたキャリア3を必要に応じてキャリア搬送機構9によってキャリアストック10に一時的に保管するとともに、キャリアステージ7に搬出するようにしている。
In the carrier loading / unloading unit 4, the
基板搬入出ユニット5は、キャリア搬入出ユニット4との間に密閉状の開閉扉12を形成するとともに、この開閉扉12の内側に基板搬入出機構13と基板搬送機構14の始端部とを配設している。
The substrate loading / unloading unit 5 forms a hermetic door 12 between the carrier loading / unloading unit 4 and a substrate loading /
そして、基板搬入出ユニット5では、キャリア搬入出ユニット4のキャリア載置台11に載置したキャリア3に収容された基板2を基板搬入出機構13によって基板搬送機構14に搬入するとともに、基板搬送機構14によって基板処理ユニット6に基板2を搬送し、一方、基板処理ユニット6で処理が完了した基板2を基板搬送機構14によって基板処理ユニット6から基板搬入出機構13に搬送するとともに、基板搬入出機構13によって基板搬送機構14からキャリア搬入出ユニット4のキャリア載置台11に載置したキャリア3に搬出するようにしている。
In the substrate carry-in / out unit 5, the
基板処理ユニット6は、基板2の洗浄処理及び乾燥処理を行う基板洗浄乾燥装置15と、基板2の洗浄処理を行う基板洗浄装置16,17,18と、基板搬送機構14に設けた基板2を保持する保持体19の洗浄を行う洗浄装置20とを並べて配設するとともに、これら各装置15,16,17,18,20に沿って基板搬送機構14を配設している。
The substrate processing unit 6 includes a substrate cleaning /
そして、基板処理ユニット6では、基板搬送機構14によって基板搬入出ユニット5から基板2を基板洗浄乾燥装置15や基板洗浄装置16,17,18に搬送して、基板2の洗浄処理や乾燥処理を行い、その後、処理後の基板2を基板搬送機構14によって基板搬入出ユニット5へ再び搬送するようにしている。
In the substrate processing unit 6, the
また、基板処理ユニット6では、基板搬送機構14の保持体19を洗浄装置20で洗浄して、保持体19に付着した汚染物質が基板2に転写しないようにしている。
In the substrate processing unit 6, the
次に、本発明の要部となる基板洗浄装置16(17,18)の具体的な構造について説明する。 Next, a specific structure of the substrate cleaning apparatus 16 (17, 18) which is a main part of the present invention will be described.
この基板洗浄装置16では、図2に示すように、第1の薬液21(ここでは、硫酸)と第2の薬液22(ここでは、第1の薬液21である硫酸よりも自然劣化の速度が速い過酸化水素水)とを反応させて生成した処理液23で基板2を処理するようにしており、基板2を処理液23で処理するための処理槽24と、処理槽24に第1の薬液21を供給するための第1薬液供給機構25と、処理槽24に第2の薬液22を供給するための第2薬液供給機構26と、処理液23を循環させるための処理液循環機構27と、これら処理槽24と第1及び第2薬液供給機構25,26と処理液循環機構27などを制御する制御部46で構成している。
In this
処理槽24は、処理液23を貯留する中空箱型状の内槽28の上端外周部に中空矩形環状の外槽29を取付けている。
In the
また、処理槽24は、内槽28に基板2を保持する保持具30を内槽28の内部と上方との間で昇降可能に設けるとともに、内槽28の底部に処理液23を吐出するための左右一対の吐出ノズル31,31を設けており、外槽29と吐出ノズル31,31との間に処理液循環機構27を設けている。
In addition, the
第1薬液供給機構25は、供給源から供給される第1の薬液21を貯留する貯留容器32にポンプ33を接続し、ポンプ33に流量調整弁34を接続し、流量調整弁34に供給ノズル35を接続しており、流量調整弁34で調整した流量の第1の薬液21を貯留容器32から供給ノズル35を介して処理槽24(内槽28)に供給するようにしている。
The first chemical
第2薬液供給機構26は、供給源から供給される第2の薬液22を貯留する貯留容器36にポンプ37を接続し、ポンプ37に流量調整弁38を接続し、流量調整弁38に供給パイプ39を接続し、この供給パイプ39を処理液循環機構27に接続しており、流量調整弁38で調整した流量の第2の薬液22を貯留容器36から供給パイプ39及び処理液循環機構27を介して処理槽24(吐出ノズル31,31)に供給するようにしている。
The second chemical
処理液循環機構27は、処理槽24の外槽29の底部に上流側循環パイプ40の始端部を接続し、上流側循環パイプ40の終端部にポンプ41とヒータ42とフィルタ43とを順に接続し、フィルタ43に下流側循環パイプ44の始端部を接続し、下流側循環パイプ44の終端部に吐出ノズル31,31を接続しており、これにより、処理槽24の外槽29の底部と吐出ノズル31,31とを連通連結する循環流路45を形成している。なお、第2薬液供給機構26は、供給パイプ39を処理液循環機構27を構成する循環流路45の下流側循環パイプ44の中途部に接続しているが、これに限られず、供給パイプ39を循環流路45の上流側循環パイプ40に接続してもよく、また、供給パイプ39を処理槽24の内槽28に直接接続してもよい。
The treatment
基板洗浄装置16は、以上に説明したように構成しており、処理槽24、第1薬液供給機構25、第2薬液供給機構26、処理液循環機構27などを制御部46の記憶媒体に格納した基板処理プログラムで適宜制御することによって、以下に説明するようにして基板2を洗浄する。
The
まず、図3及び図8に示すように、制御部46は、第1薬液供給機構25に第1の薬液21の供給開始を指令する信号を出力することによって第1薬液供給機構25のポンプ33を駆動して所定量(たとえば、40リットル)の第1の薬液21を処理槽24に供給するとともに、先の第1の薬液21の供給開始を指令する信号に基づいて処理液循環機構27を制御する信号を出力することによって処理液循環機構27のポンプ41を高速駆動して処理槽24に接続した循環流路45を用いて第1の薬液21を比較的高い流量(たとえば、35リットル/分)で循環(高速循環)させる。
First, as shown in FIG. 3 and FIG. 8, the
その後、制御部46は、所定時間(ここでは、40秒)経過後に、図4及び図8に示すように、第2薬液供給機構26に第2の薬液22の供給開始を指令する信号を出力することによって第2薬液供給機構26のポンプ37を駆動して所定量(たとえば、200cc)の第2の薬液22を循環流路45の下流側循環パイプ44に供給し、循環流路45や処理槽24の内部で第1の薬液21と第2の薬液22とを反応させて処理液23を生成するとともに、先の第2の薬液22の供給開始を指令する信号に基づいて処理液循環機構27を制御する信号を出力することによって処理液循環機構27のポンプ41を低速駆動に変更して処理槽24に接続した循環流路45を用いて処理液23を比較的低い流量(たとえば、10リットル/分)で循環(低速循環)させる。
Thereafter, the
その後、制御部46は、所定時間(ここでは、20秒)経過後に、図5及び図8に示すように、処理槽24を制御する信号を出力することによって処理槽24の保持具30を降下させて内槽28に基板2を投入して内槽28に貯留した処理液23に基板2を浸漬させ、基板2の洗浄処理を開始する。
Thereafter, the
そのまま制御部46は、図6及び図8に示すように所定時間(ここでは、20秒)継続して第2薬液供給機構26のポンプ37を駆動して第2の薬液22を循環流路45の下流側循環パイプ44に供給し、先の第2の薬液22の供給開始を指令する信号を出力してから所定時間(ここでは、40秒)経過後に第2の薬液22の供給停止を指令する信号を出力することによって第2薬液供給機構26のポンプ37の駆動を停止して第2の薬液22の供給を停止する。
As shown in FIGS. 6 and 8, the
また、制御部46は、図6及び図8に示すように所定時間(ここでは、60秒(低速駆動開始から80秒))継続して処理液循環機構27のポンプ41を低速駆動して処理槽24に接続した循環流路45を用いて処理液23を比較的低い流量(たとえば、10リットル/分)で循環(低速循環)させ、これにより、所定時間(ここでは、60秒)だけ処理液23を低速循環させた状態で基板2の洗浄処理を行う。
Further, as shown in FIGS. 6 and 8, the
その後、制御部46は、図7及び図8に示すように、、先の第2の薬液22の供給停止を指令する信号に基づいて処理液循環機構27を制御する信号を出力することによって処理液循環機構27のポンプ41を再び高速駆動に変更して処理槽24に接続した循環流路45を用いて処理液23を比較的高い流量(たとえば、35リットル/分)で循環(高速循環)させ、所定時間(ここでは、180秒)だけ処理液23を高速循環させた状態で基板2の洗浄処理を行う。
Thereafter, as shown in FIGS. 7 and 8, the
このように、基板洗浄装置16では、制御部46が基板処理プログラムに基づいて第1及び第2薬液供給機構25,26や処理液循環機構27を制御することによって、図8に示すように、第2薬液供給機構26で第2の薬液22を供給する前は、処理液循環機構27で第1の薬液21を比較的高速で循環させ、第2薬液供給機構26で第2の薬液22の供給を開始すると同時に処理液循環機構27で処理液23を比較的低速で循環させ、第2薬液供給機構26で第2の薬液22の供給を停止した後に処理液循環機構27で処理液23を比較的高速で循環させるようにしている。なお、図8において、処理時間は、内槽28に基板2を投入し、基板2を処理液23に浸漬させて洗浄処理を開始する時点を基準としている。
As described above, in the
これにより、内槽28の内部では、第2の薬液22の供給開始直後は第2の薬液22の濃度が急激に増大し、その後、比較的低速で循環している間は第2の薬液22の濃度が高い状態を維持し、さらにその後、比較的高速で循環している間は第2の薬液22の濃度が徐々に減少していく。
Thereby, in the
そのため、上記基板洗浄装置16では、基板2を処理液23で処理している間に処理液23を循環させる循環流量が増大することになり、基板2の処理開始直後は処理液23の循環流量が比較的小さく、第1の薬液21と第2の薬液22との反応によって生成した処理液23の濃度を処理中に第2の薬液22を補充しなくても高い状態に維持することができ、高濃度の処理液23で基板2の表面に付着した酸化膜やレジスト膜などの付着物を基板2の表面から浮かせた状態にすることができ、その後、処理途中で処理液23の循環流量を増大させることで、基板2の表面から付着物を剥離することができ、これにより、処理液23の使用量を増大させることなく基板2の処理を良好に行うことができる。
Therefore, in the
上記基板洗浄装置16では、基板2を処理液23で処理している間に低速循環から高速循環へ循環流量を段階的に増大させているが、循環流量を徐々に連続的に増大させてもよく、処理途中で一旦循環を停止するようにしてもよい。
In the
また、上記基板洗浄装置16では、制御部46が第2薬液供給機構26に第2の薬液22の供給開始を指令する信号に基づいて処理液循環機構27に循環流量を変化させるように制御すればよく、第2の薬液22の供給と同時に高速循環から低速循環に循環流量を低減させた場合に限られず、第2の薬液22の供給開始よりも所定時間前或いは所定時間後に循環流量を低減させてもよい。
In the
さらに、上記基板洗浄装置16では、制御部46が第2薬液供給機構26で所定量(たとえば、200cc)の第2の薬液22を連続して供給するように制御しているが、図9に示すように、第2薬液供給機構26で所定量の第2の薬液22を少量(たとえば、100ccづつ)に分割して所定時間(ここでは、20秒)経過後に供給するように制御してもよい。なお、第2の薬液22を同量に2分割して供給する場合に限られず、異なる量に多分割して供給するようにしてもよい。
Furthermore, in the
このように、所定量の第2の薬液22を分割して供給した場合(図9において濃度変化を実線で示す。)には、所定量の第2の薬液22を1度に供給した場合(図9において濃度変化を一点鎖線で示す。)に比べて、平均的に高濃度の状態を維持することができ、処理液23の洗浄効果を向上させることができる。
As described above, when the predetermined amount of the
1 基板処理装置 2 基板
3 キャリア 4 キャリア搬入出ユニット
5 基板搬入出ユニット 6 基板処理ユニット
7 キャリアステージ 8 開閉扉
9 キャリア搬送機構 10 キャリアストック
11 キャリア載置台 12 開閉扉
13 基板搬入出機構 14 基板搬送機構
15 基板洗浄乾燥装置 16,17,18 基板洗浄装置
19 保持体 20 洗浄装置
21 第1の薬液 22 第2の薬液
23 処理液 24 処理槽
25 第1薬液供給機構 26 第2薬液供給機構
27 処理液循環機構 28 内槽
29 外槽 30 保持具
31 吐出ノズル 32 貯留容器
33 ポンプ 34 流量調整弁
35 供給ノズル 36 貯留容器
37 ポンプ 38 流量調整弁
39 供給パイプ 40 上流側循環パイプ
41 ポンプ 42 ヒータ
43 フィルタ 44 下流側循環パイプ
45 循環流路 46 制御部
DESCRIPTION OF
11 Carrier mounting table 12 Open / close door
13 Board loading /
15 Substrate cleaning /
19
21
23
25 First
27 Treatment
29
31
33
35
37
39
41
43
45
Claims (12)
前記制御部は、前記第2薬液供給機構に第2の薬液の供給開始を指令する信号を出力するとともに前記処理液循環機構を前記第2の薬液の供給開始を指令する信号に基いて制御して循環流量を低減させることを特徴とする基板処理装置。 A processing tank for processing a substrate with a processing liquid, a first chemical liquid supply mechanism for supplying a first chemical liquid to the processing tank, and a second chemical liquid that reacts with the first chemical liquid to generate a processing liquid. A second chemical supply mechanism for supplying the treatment tank, a treatment liquid circulation mechanism for circulating the treatment liquid at a predetermined circulation flow rate using a circulation flow path connected to the treatment tank, and the first and second chemical liquids A control unit for controlling the supply to the treatment tank,
The control unit outputs a signal for instructing the second chemical liquid supply mechanism to start the supply of the second chemical liquid and controls the processing liquid circulation mechanism based on the signal for instructing the supply start of the second chemical liquid. The substrate processing apparatus is characterized by reducing the circulation flow rate.
第2の薬液の供給を開始するとともに第2の薬液の供給開始に基づいて循環流量を低減させることを特徴とする基板処理方法。 The substrate is treated with the treatment liquid inside the treatment tank while the treatment liquid produced by reacting the first chemical liquid and the second chemical liquid is circulated at a predetermined circulation flow rate using a circulation channel connected to the treatment tank. In the substrate processing method,
A substrate processing method characterized by starting the supply of the second chemical solution and reducing the circulation flow rate based on the start of the supply of the second chemical solution.
第2の薬液の供給を開始するとともに第2の薬液の供給開始に基づいて循環流量を低減させることを特徴とする基板処理プログラムを格納した記憶媒体。 A processing tank for processing a substrate with a processing liquid, a first chemical liquid supply mechanism for supplying a first chemical liquid to the processing tank, and a second chemical liquid that reacts with the first chemical liquid to generate a processing liquid. A second chemical solution supply mechanism for supplying the treatment tank and a treatment liquid circulation mechanism for circulating the treatment liquid using a circulation channel connected to the treatment tank, and circulates the treatment liquid at a predetermined circulation flow rate. In the storage medium storing the substrate processing program for processing the substrate with the processing liquid inside the processing tank while circulating the processing liquid at a predetermined circulation flow rate using the substrate processing apparatus for processing the substrate,
A storage medium storing a substrate processing program, wherein the supply of a second chemical liquid is started and the circulating flow rate is reduced based on the start of the supply of the second chemical liquid.
The storage medium storing the substrate processing program according to claim 10 or 11 , wherein the supply amount of the second chemical liquid is divided and supplied in a plurality of times.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009137560A JP5274383B2 (en) | 2009-06-08 | 2009-06-08 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium storing substrate processing program |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009137560A JP5274383B2 (en) | 2009-06-08 | 2009-06-08 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium storing substrate processing program |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010283297A JP2010283297A (en) | 2010-12-16 |
JP5274383B2 true JP5274383B2 (en) | 2013-08-28 |
Family
ID=43539756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009137560A Active JP5274383B2 (en) | 2009-06-08 | 2009-06-08 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium storing substrate processing program |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5274383B2 (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101297111B1 (en) | 2011-12-20 | 2013-08-21 | 비나텍주식회사 | Cleaning System For Cell And Method thereof |
JP6168271B2 (en) | 2012-08-08 | 2017-07-26 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP6371716B2 (en) * | 2014-04-01 | 2018-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer readable recording medium recording substrate liquid processing program |
JP6472726B2 (en) * | 2015-07-22 | 2019-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium |
JP7339044B2 (en) | 2019-07-19 | 2023-09-05 | 株式会社Screenホールディングス | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03107477A (en) * | 1989-09-22 | 1991-05-07 | Kawasaki Steel Corp | Method and device for wet-treating semiconductor material |
JP4695494B2 (en) * | 2005-11-01 | 2011-06-08 | 株式会社東芝 | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method |
JP4762822B2 (en) * | 2006-08-03 | 2011-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | Chemical liquid mixing method and chemical liquid mixing apparatus |
-
2009
- 2009-06-08 JP JP2009137560A patent/JP5274383B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010283297A (en) | 2010-12-16 |
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