JP5273148B2 - Luminescent panel - Google Patents

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Description

本発明は、発光パネルに関する。より詳しくは、少なくとも一方の面に凹凸構造を有する基板上に複数の面発光素子を配置した発光パネルに関する。 The present invention relates to a light-emitting panel. More specifically, the present invention relates to a light-emitting panel in which a plurality of surface light-emitting elements are arranged on a substrate having an uneven structure on at least one surface.

照明用あるいはディスプレイ用として、近年、大サイズの発光パネルへの要請が高まってきている。大サイズの発光素子の開発は、特にその製造や装置コストの増大や、大面積における面内の輝度ムラ抑制が難しいなど、困難な問題を抱えていた。   In recent years, there has been an increasing demand for large-sized light-emitting panels for lighting or displays. The development of large-sized light-emitting elements has had difficult problems such as an increase in manufacturing and device costs and difficulty in suppressing in-plane luminance unevenness in a large area.

一方で、小サイズ発光パネルを継ぎ合わせて大サイズの発光パネルを構成する検討が進められてきた。しかし、小サイズ発光パネル同士の継ぎ目が非発光部と存在するため、視認性に劣るとして、その繋ぎ目を目立たなくする技術検討が従来行われてきた。   On the other hand, studies have been made to construct a large light emitting panel by joining small light emitting panels together. However, since a joint between small-sized light-emitting panels exists as a non-light-emitting portion, it has been conventionally studied to make the joint inconspicuous because it is inferior in visibility.

接合する個々のエレクトロルミネッセンス素子(以下「EL素子」ともいう。)の封止ヘリ部分で、EL層の端部に外側に向けた丸みをもたせ、封止のヘリ部分から接合部へ向けて斜め方向にも発光させるようにする素子構造が報告されている(例えば特許文献1参照)。また、複数のEL素子の側面同士を貼り合わせた光出射面側に色変換フィルタを設置する構成が報告されている(例えば特許文献2参照)。さらに側面の封止に薄膜の接合板を用いた発光パネルを複数接合し、個々の発光パネル間の距離を狭めた構成が報告されている(例えば特許文献3参照)。接合部近傍のパネルを小サイズかつ高輝度発光として複数接続したディスプレイ構成も報告されている(例えば特許文献4参照)。   In the sealing helicopter part of each electroluminescent element (hereinafter also referred to as “EL element”) to be joined, the end of the EL layer is rounded outward and slanted from the sealing helicopter part to the joining part. An element structure that emits light in the direction has been reported (see, for example, Patent Document 1). Moreover, the structure which installs a color conversion filter in the light-projection surface side which bonded the side surfaces of several EL element has been reported (for example, refer patent document 2). Furthermore, a configuration has been reported in which a plurality of light-emitting panels using thin-film bonding plates for side sealing are joined to reduce the distance between the individual light-emitting panels (see, for example, Patent Document 3). There has also been reported a display configuration in which a plurality of panels in the vicinity of the joint are connected as small-sized and high-luminance light emission (for example, see Patent Document 4).

しかし、これらの従来技術は、いずれも継ぎ目が非発光部として存在したままであり、特に近年、開発が進んでいる有機エレクトロルミネッセンス素子(以下「有機EL素子」ともいう。)を用いる場合には、個々の素子に封止を十分に施すことが必要で、隣接する素子同士の発光面間の間隔を確保する必要があり、素子を面内横方向に配列させる方法では依然として視認性の改良には限界があった。   However, in all of these conventional techniques, the seam remains as a non-light-emitting portion, and particularly in the case of using an organic electroluminescence element (hereinafter also referred to as “organic EL element”) that has been developed in recent years. It is necessary to sufficiently seal each element, and it is necessary to secure the interval between the light emitting surfaces of adjacent elements, and the method of arranging the elements in the in-plane lateral direction still improves the visibility. There was a limit.

また、複数の面発光素子を配置して大サイズ発光パネルを構成する際、通常は同一面内に面発光素子を並置する構成が用いられるが、当該構成は、素子間を電気的に接続する配線領域を確保する必要があり、この配線領域が発光パネルにおける非発光部分として視覚的に認識されやすいという難点を有していた。   Further, when a large size light emitting panel is configured by arranging a plurality of surface light emitting elements, a structure in which surface light emitting elements are juxtaposed in the same plane is usually used, but this configuration electrically connects the elements. It is necessary to secure a wiring area, and this wiring area has a drawback that it is easily recognized visually as a non-light emitting portion in the light emitting panel.

特開2001−57288号公報JP 2001-57288 A 特開2006−164618号公報JP 2006-164618 A 特開2007−200627号公報JP 2007-200267 A 特開2007−304584号公報JP 2007-304584 A

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、複数の面発光素子で構成した大サイズの発光パネルであって、面発光素子同士の境界が、視覚的に認識されにくい発光パネルを提供することである。また、複数の面発光素子で構成した大サイズの発光パネルであって、発光パネルの面内輝度むらを低減できる発光パネルを提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems and situations, and a solution to the problem is a large-sized light-emitting panel composed of a plurality of surface light-emitting elements, where the boundary between the surface light-emitting elements is visually It is to provide a light-emitting panel that is difficult to recognize. Further, a light-emitting panel of large size constituted by a plurality of surface light emitting element, Ru der to provide a light-emitting panel which can reduce the in-plane luminance unevenness of the light emitting panel.

本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。   The above-mentioned problem according to the present invention is solved by the following means.

1.少なくとも一方の面に凹凸構造を有する基板上に複数の面発光素子を配置した発光パネルであって、当該凹凸構造の凹部内及び凸部上に面発光素子が配置され、光出射面垂直方向から発光パネルを見た際に、凹部底面上の素子と凸部上の素子とが、部分的に重なりをもって配置されていることを特徴とする発光パネル。 1. A light-emitting panel in which a plurality of surface light-emitting elements are disposed on a substrate having a concavo-convex structure on at least one surface, wherein the surface light-emitting elements are disposed in and on the concave portions of the concavo-convex structure, from a light emitting surface vertical direction A light emitting panel characterized in that, when the light emitting panel is viewed, the element on the bottom surface of the concave portion and the element on the convex portion are partially overlapped .

2.前記凹部及び凸部の面積が、配置される前記面発光素子の発光面積の1〜3倍であることを特徴とする前記1に記載の発光パネル。   2. 2. The light emitting panel according to 1 above, wherein the area of the concave portion and the convex portion is 1 to 3 times the light emitting area of the surface light emitting element disposed.

3.前記凹部内に配置された面発光素子が、当該凹部内に埋没していることを特徴とする前記1又は前記2に記載の発光パネル。   3. 3. The light emitting panel as described in 1 or 2 above, wherein the surface light emitting element arranged in the recess is buried in the recess.

4.前記面発光素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする前記1から前記3までのいずれか一項に記載の発光パネル。   4). The light-emitting panel according to any one of 1 to 3, wherein the surface light-emitting element is an organic electroluminescence element.

5.前記凹部内に配置された面発光素子と、前記凸部上に配置された面発光素子とが、交互に電気的に直列接続されていることを特徴とする前記1から前記4までのいずれか一項に記載の発光パネル。   5. Any one of 1 to 4 above, wherein the surface light emitting elements arranged in the concave portions and the surface light emitting elements arranged on the convex portions are alternately electrically connected in series. The light-emitting panel according to one item.

本発明の上記手段により、複数の面発光素子で構成した大サイズの発光パネルであって、面発光素子同士の境界が、視覚的に認識されにくい発光パネルを提供することができる。また、複数の面発光素子で構成した大サイズの発光パネルであって、発光パネルの面内輝度むらを低減できる発光パネルを提供することができる。 By the above means of the present invention, it is possible to provide a light-emitting panel that is a large-sized light-emitting panel composed of a plurality of surface light-emitting elements and in which the boundary between the surface light-emitting elements is not easily recognized visually. Further, a light-emitting panel of large size constituted by a plurality of surface light emitting element, Ru can provide a light emitting panel that can reduce the in-plane luminance unevenness of the light emitting panel.

すなわち、本発明の発光パネルによれば、素子間を電気的に接続する配線領域を光出射面垂直方向に傾斜させて設けることができるため、光出射面垂直方向から発光パネルを見た際に、素子間の間隔を低減させることができ、面発光素子同士の境界を視覚的に認識され難くすることができる。また凹部の開口部を狭めた形状とすると、光出射面垂直方向から発光パネルを見た際に、凹部上の素子と、凸部上の素子とが、部分的に重なりを持つ配置をとることができ、面発光素子同士の境界をさらに視覚的に認識され難くすることができる。   That is, according to the light emitting panel of the present invention, since the wiring region for electrically connecting the elements can be provided to be inclined in the light emitting surface vertical direction, when the light emitting panel is viewed from the light emitting surface vertical direction, The space between the elements can be reduced, and the boundary between the surface light emitting elements can be made difficult to be visually recognized. In addition, when the shape of the opening of the recess is narrowed, the elements on the recess and the elements on the protrusion should partially overlap when the light-emitting panel is viewed from the direction perpendicular to the light emission surface. The boundary between the surface light emitting elements can be further prevented from being visually recognized.

なお、複数の面発光素子で構成される発光パネルにおいて、素子同士を並列接続で接続すると、一部の素子が短絡した場合に、この個所に特に電流が流れやすくなり、発光パネル自体が発光しなくなる可能性がある。この一部の短絡素子の個所のみを非発光部分に限定し、発光パネルへの影響を最小限に抑えるには、素子同士を直列接続することが好ましい。この点に関し、本発明の発光パネルは、凹部に配置された面発光素子と、凸部に配置された面発光素子とにより、面発光素子同士の境界を視覚的に認識され難くしたうえで、これら面発光素子を交互に電気的に直列接続する構成を容易にとることができる。   Note that in a light-emitting panel composed of a plurality of surface light-emitting elements, when the elements are connected in parallel, when some of the elements are short-circuited, a current easily flows through this portion, and the light-emitting panel itself emits light. There is a possibility of disappearing. In order to limit only a part of the part of the short-circuiting element to the non-light-emitting portion and minimize the influence on the light-emitting panel, it is preferable to connect the elements in series. In this regard, the light-emitting panel according to the present invention makes it difficult to visually recognize the boundary between the surface light-emitting elements by the surface light-emitting element disposed in the concave portion and the surface light-emitting element disposed in the convex portion. It is possible to easily adopt a configuration in which these surface light emitting elements are alternately electrically connected in series.

本発明の発光パネルに用いられる基板の断面図の一例An example of a cross-sectional view of a substrate used in the light-emitting panel of the present invention 本発明の発光パネルに用いられる基板の断面図の一例An example of a cross-sectional view of a substrate used in the light-emitting panel of the present invention 本発明の発光パネルに用いられる基板の断面図の一例An example of a cross-sectional view of a substrate used in the light-emitting panel of the present invention 本発明の発光パネルに用いられる基板の断面図の一例An example of a cross-sectional view of a substrate used in the light-emitting panel of the present invention 本発明の発光パネルに用いられる基板の断面図の一例An example of a cross-sectional view of a substrate used in the light-emitting panel of the present invention 本発明の発光パネルに用いられる基板の断面図の一例An example of a cross-sectional view of a substrate used in the light-emitting panel of the present invention 本発明の発光パネルの断面図の例Example of sectional view of light emitting panel of the present invention 本発明の発光パネルを光出射面垂直方向からみた図の一例Example of the figure which saw the light emission panel of this invention from the light emission surface perpendicular | vertical direction 図8のA−A’部分の断面図Sectional drawing of the A-A 'part of FIG. 本発明の発光パネルの断面図の一例;凹部及び凸部の縁が丸みを帯びているか、欠けている形状の場合An example of a cross-sectional view of the light-emitting panel of the present invention; in the case where the edges of the concave and convex portions are rounded or missing 従来の発光パネルを光出射面垂直方向から見た図の一例An example of a conventional light emitting panel viewed from the direction perpendicular to the light exit surface 図11に示した発光パネルのB−B’部分の断面図Sectional drawing of the B-B 'part of the light emission panel shown in FIG. 従来の発光パネルを光出射面垂直方向から見た図の一例An example of a conventional light emitting panel viewed from the direction perpendicular to the light exit surface 図13に示した発光パネルのC−C’部分の断面図Sectional drawing of the C-C 'part of the light emission panel shown in FIG. 図11及び図12で示される発光パネルにおいて、パネルを構成する複数の面発光素子を電気的接続した模式図の一例In the light emitting panel shown in FIGS. 11 and 12, an example of a schematic diagram in which a plurality of surface light emitting elements constituting the panel are electrically connected. 図13及び図14で示される従来の発光パネルにおいて、パネルを構成する複数の面発光素子を電気的接続した模式図の一例In the conventional light emitting panel shown in FIGS. 13 and 14, an example of a schematic view in which a plurality of surface light emitting elements constituting the panel are electrically connected. 図9で示される本発明の発光パネルを構成する複数の面発光素子を電気的接続した模式図の一例;凹部内に配置された面発光素子が、当該凹部内に埋没していない場合An example of a schematic diagram in which a plurality of surface light emitting elements constituting the light emitting panel of the present invention shown in FIG. 9 are electrically connected; in the case where the surface light emitting elements arranged in the recesses are not buried in the recesses 図9で示される本発明に係る発光パネルを構成する複数の面発光素子を電気的接続した模式図の一例;凹部の底部に配置された面発光素子が、当該凹部内に埋没している場合FIG. 9 shows an example of a schematic diagram in which a plurality of surface light-emitting elements constituting the light-emitting panel according to the present invention shown in FIG. 9 are electrically connected; in the case where the surface light-emitting element disposed at the bottom of the recess is buried in the recess 図17の拡大図の例Example of enlarged view of FIG. 図18の拡大図の例Example of enlarged view of FIG.

本発明の発光パネルは、少なくとも一方の面に凹凸構造を有する基板上に複数の面発光素子を配置した発光パネルであって、当該凹凸構造の凹部内及び凸部上に面発光素子が配置されていることを特徴とする。この特徴は、請求項1から請求項6までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。   The light-emitting panel of the present invention is a light-emitting panel in which a plurality of surface light-emitting elements are disposed on a substrate having a concavo-convex structure on at least one surface, and the surface light-emitting elements are disposed in and on the concave portions of the concavo-convex structure. It is characterized by. This feature is a technical feature common to the inventions according to claims 1 to 6.

本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、前記凹部及び凸部の面積が、配置される前記面発光素子の発光面積の1〜3倍であることが好ましい。また、前記凹部内に配置された面発光素子が、当該凹部内に埋没していることが好ましい。   As an embodiment of the present invention, from the viewpoint of manifesting the effects of the present invention, it is preferable that the area of the concave portion and the convex portion is 1 to 3 times the light emitting area of the surface light emitting element to be arranged. Moreover, it is preferable that the surface emitting element arrange | positioned in the said recessed part is embed | buried in the said recessed part.

本発明においては、当該面発光素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)であることが好ましい。また、前記凹部内に配置された面発光素子と、前記凸部上に配置された面発光素子とが、交互に電気的に直列接続されている態様であることが好ましい。   In this invention, it is preferable that the said surface emitting element is an organic electroluminescent element (organic EL element). Moreover, it is preferable that the surface light emitting element arrange | positioned in the said recessed part and the surface light emitting element arrange | positioned on the said convex part are the aspects electrically connected in series alternately.

従って、本発明の発光パネルに用いる発光パネル用基板としては、少なくとも一方の面に、その内部に面発光素子を配置するための複数の凹部と、その上部に面発光素子を配置するための複数の凸部とを交互に有することを要する。   Accordingly, the light-emitting panel substrate used in the light-emitting panel of the present invention has a plurality of recesses for disposing a surface light-emitting element therein and a plurality of portions for disposing a surface light-emitting element above the surface. It is necessary to alternately have the convex portions.

なお、本願でいう「面発光素子」とは、面形態の光学分布を有する光を発生する素子(光源)をいう。また、当該面発光素子の「発光面積」とは、発光させた面発光素子を光出射面垂直方向から見た面内において発光している領域が占める面積をいう。   In addition, the “surface light emitting element” in the present application refers to an element (light source) that generates light having an optical distribution of a surface form. In addition, the “light emitting area” of the surface light emitting element refers to an area occupied by a region emitting light in a plane when the surface emitting element that has emitted light is viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface.

一方、凹凸構造を有する基板の「凹部及び凸部の」面積とは、基板を光出射面垂直方向から見た面内において、各凹部及び各凸部がそれぞれ占める面積のことである。前記「発光面積」及び、「凹部及び凸部の」面積は、例えば画像をスキャナーで取り込み、画像処理装置を用いる等の方法を用いて測定することができる。   On the other hand, the “area of the concave and convex portions” of the substrate having a concavo-convex structure is the area occupied by each concave and convex portion in the plane when the substrate is viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface. The “light emission area” and the “area of the concave and convex portions” can be measured using a method such as capturing an image with a scanner and using an image processing apparatus.

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための最良の形態・態様について詳細な説明をする。   Hereinafter, the present invention, its components, and the best mode and mode for carrying out the present invention will be described in detail.

(基板と発光パネルの構造)
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。尚、本発明の実施形態はこれらに限定されない。
〈基板の構造〉
図1は、本発明の発光パネルに用いられる基板の断面図の一例である。基板の面発光素子形成側に凹部1及び凸部2が交互に形成されている。凹部1及び凸部2の断面の形状は四角形、台形、及びこれらの一部に曲線を含む形状など様々の形状をとることができる。図2〜図6に凹部1及び凸部2の形状の例を示す。
(Structure of substrate and light-emitting panel)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, embodiment of this invention is not limited to these.
<Substrate structure>
FIG. 1 is an example of a cross-sectional view of a substrate used in the light-emitting panel of the present invention. Concave portions 1 and convex portions 2 are alternately formed on the surface light emitting element forming side of the substrate. The cross-sectional shape of the concave portion 1 and the convex portion 2 can take various shapes such as a quadrangle, a trapezoid, and a shape including a curve in a part thereof. 2 to 6 show examples of the shapes of the concave portion 1 and the convex portion 2.

本発明に係る少なくとも一方の面に凹凸構造を有する基板の形成方法としては、例えば、
(1)基板に設ける凹部及び凸部の形状を反転させた形状を有する金型に溶融樹脂を注入し射出成型により成形する方法。
(2)シート状に成形した樹脂を加熱した状態で、基板に設ける凹部及び凸部の形状を反転させた形状を有する金型と金属板との間でプレスして、あるいは加熱した金型を用いてプレスすることにより凹凸形状を転写する方法。
(3)基板に設ける凹部及び凸部の形状を反転させた形状を構成したシート型に樹脂を充填し、基板上に貼り付け、その後、シート型を剥離することで基板の表面に凹凸部を成形する方法、
(4)基板に設ける凹部及び凸部の形状を反転させた形状をその周面に有するロールを用い、他のロールとの間に溶融状態のシート状の樹脂を通し、押し出すことにより、凹凸形状を転写する方法。
As a method for forming a substrate having a concavo-convex structure on at least one surface according to the present invention, for example,
(1) A method of injecting molten resin into a mold having a shape obtained by inverting the shape of the concave portion and the convex portion provided on the substrate and molding by injection molding.
(2) In a state where the resin molded into a sheet shape is heated, pressing between the mold having a shape obtained by inverting the shape of the concave portion and the convex portion provided on the substrate and the metal plate, or a heated die A method of transferring the concavo-convex shape by using and pressing.
(3) Fill a resin into a sheet mold having a shape obtained by inverting the shape of the concave and convex portions provided on the substrate, affix the resin on the substrate, and then peel the sheet mold to provide an uneven portion on the surface of the substrate. Molding method,
(4) Using a roll having a shape obtained by inverting the shape of the concave and convex portions provided on the substrate on its peripheral surface, passing the molten sheet-shaped resin between the rolls and extruding it, thereby forming the concave and convex shape How to transfer.

等が挙げられる。その他、フォトリソグラフィー、レーザー加工等、当業界において、樹脂、ガラス等のシート、あるいは基板の表面にパターンを形成、転写する各種の方法を適宜用いることができるが、特に樹脂基板の場合は、前記(1)〜(4)の方法が好ましい。   Etc. In addition, in the industry such as photolithography, laser processing, etc., various methods for forming and transferring a pattern on a surface of a sheet of resin, glass or the like or a substrate can be appropriately used. The methods (1) to (4) are preferred.

〈発光パネルの構造〉
図1に示した基板を用いて構成した本発明の発光パネルの断面図の例を図7に示す。凹凸構造の凹部内及び凸部上に交互に面発光素子3が形成されている。各凹部及び各凸部に面発光素子は1つずつ配置されることが好ましい。凹部及び凸部において、面発光素子が配置される面は平面であることが好ましい。
<Structure of light-emitting panel>
FIG. 7 shows an example of a cross-sectional view of the light-emitting panel of the present invention configured using the substrate shown in FIG. The surface light emitting elements 3 are alternately formed in the concave and convex portions of the concavo-convex structure. It is preferable that one surface light emitting element is disposed in each recess and each protrusion. In the concave and convex portions, the surface on which the surface light emitting element is disposed is preferably a flat surface.

図8は、本発明の発光パネルを光出射面垂直方向からみた図の一例である。凹凸構造の凹部1内部及び凸部2上に交互に面発光素子3が交互に配置されている。本発明において、発光パネルを光出射面垂直方向から見た凹部1及び凸部2の形状は、例えば三角形や五角形等、他の形状であってもよい。   FIG. 8 is an example of a view of the light-emitting panel of the present invention as viewed from the direction perpendicular to the light exit surface. The surface light emitting elements 3 are alternately arranged inside the concave portion 1 and the convex portion 2 of the concavo-convex structure. In the present invention, the shape of the concave portion 1 and the convex portion 2 when the light emitting panel is viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface may be other shapes such as a triangle and a pentagon.

図9は、図8のA−A’部分の断面図である。基板7は、配置される面発光素子を構成する共通の基板であり、基板7の凹部及び凸部上に第1電極4、発光層を含む機能層5、第2電極6がそれぞれ形成され、面発光素子が形成される。図示していないが、通常はこの上に封止膜または封止層が設けられる。   FIG. 9 is a cross-sectional view of the A-A ′ portion of FIG. 8. The substrate 7 is a common substrate constituting the surface light emitting element to be arranged, and the first electrode 4, the functional layer 5 including the light emitting layer, and the second electrode 6 are formed on the concave and convex portions of the substrate 7, respectively. A surface light emitting element is formed. Although not shown, usually a sealing film or a sealing layer is provided thereon.

本発明において、各凹部1及び各凸部2の面積は、配置される面発光素子の発光面積の1〜3倍であることが好ましく、1〜2倍であることがより好ましく、1〜1.5倍であることが好ましい。   In this invention, it is preferable that the area of each recessed part 1 and each convex part 2 is 1-3 times the light emission area of the surface emitting element arrange | positioned, It is more preferable that it is 1-2 times, 1-1. .5 times is preferable.

本発明の発光パネルにおいて、凹部1及び凸部2の面積が、配置される面発光素子3の発光面積に近いほど、素子間を電気的に接続する配線領域をより光出射面垂直方向に傾斜させて設けることができ、光出射面垂直方向から発光パネルを見た際に、素子間の間隔を低減させて、面発光素子同士の境界を視覚的に認識され難くする効果が大きい。また基板7が、図3に示すように開口部を凹部底面より狭めた断面形状であるとより一層効果的である。   In the light emitting panel of the present invention, the closer the area of the concave portion 1 and the convex portion 2 is to the light emitting area of the surface light emitting element 3 to be arranged, the more the wiring region that electrically connects the elements is inclined in the direction perpendicular to the light emitting surface. When the light emitting panel is viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface, the distance between the elements is reduced, and the boundary between the surface light emitting elements is hardly visually recognized. Further, it is more effective that the substrate 7 has a cross-sectional shape in which the opening is narrower than the bottom of the recess as shown in FIG.

本発明においては、凹部内に配置された面発光素子が、当該凹部内に埋没していることが好ましい。本発明において、凹部内に配置された面発光素子が、当該凹部内に埋没しているとは、凹部に配置された面発光素子の厚さをLとし、前記凹部の深さをHとしたとき、L/H<1であることであり、面発光素子同士を接続する配線抵抗も考慮すると、0.1<L/H<0.8であることが好ましい。   In this invention, it is preferable that the surface emitting element arrange | positioned in a recessed part is embed | buried in the said recessed part. In the present invention, the fact that the surface light emitting element disposed in the recess is buried in the recess means that the thickness of the surface light emitting element disposed in the recess is L and the depth of the recess is H. When L / H <1, it is preferable that 0.1 <L / H <0.8, considering the wiring resistance connecting the surface light emitting elements.

本発明において、前記Lは下部電極の下端から上部電極の上端までの長さであり、図9においては、第1電極の下端から第2電極の上端までの長さである。本発明の発光パネルにおいて、L/H<1であると、凹部内に配置された面発光素子と隣接する凸部上に配置された面発光素子間での短絡の危険を低減させた絶縁構造を構成しやすい。   In the present invention, L is the length from the lower end of the lower electrode to the upper end of the upper electrode, and in FIG. 9, is the length from the lower end of the first electrode to the upper end of the second electrode. In the light emitting panel of the present invention, when L / H <1, the insulating structure that reduces the risk of short circuit between the surface light emitting element disposed in the concave portion and the surface light emitting element disposed on the adjacent convex portion Easy to configure.

凹部、凸部の縁が丸みを帯びているか、欠けている形状の場合、図10に示すように前記Hは凹部内に配置された面発光素子の下部電極の下端から凸部上に配置された面発光素子の下部電極の下端までの高さとする。   In the case where the edge of the concave portion or convex portion is rounded or chipped, the H is arranged on the convex portion from the lower end of the lower electrode of the surface light emitting element arranged in the concave portion as shown in FIG. The height to the lower end of the lower electrode of the surface light emitting element.

図11に基板7の同一面上に複数の面発光素子3を配置した従来の発光パネルを光出射面垂直方向から見た図の1例を示す。図12は、図11に示した発光パネルのB−B’部分の断面図である。   FIG. 11 shows an example of a diagram in which a conventional light emitting panel in which a plurality of surface light emitting elements 3 are arranged on the same surface of the substrate 7 is viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface. 12 is a cross-sectional view of the B-B ′ portion of the light emitting panel shown in FIG. 11.

図13は、障壁構造を設けた基板8の障壁間に各々面発光素子3を形成した従来の発光パネルを光出射面垂直方向から見た図の1例を示す。図14は、図13に示した発光パネルのC−C’部分の断面図である。基板8上には隔壁9が設けられ、その間に各々第1電極4、発光層を含む機能層5、第2電極6が形成され、面発光素子3が配置されている。   FIG. 13 shows an example of a view of a conventional light emitting panel in which the surface light emitting elements 3 are formed between the barriers of the substrate 8 provided with the barrier structure, as viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface. FIG. 14 is a cross-sectional view of the C-C ′ portion of the light emitting panel shown in FIG. 13. A partition wall 9 is provided on the substrate 8, and a first electrode 4, a functional layer 5 including a light emitting layer, and a second electrode 6 are formed therebetween, and the surface light emitting element 3 is disposed.

図15は、図11及び図12で示される従来の発光パネルにおいて、パネルを構成する複数の面発光素子を電気的接続した模式図である。複数の面発光素子3の間を導電膜を用いた配線10で接続しているが、面発光素子間の基板上に素子間の絶縁領域と配線領域とを面内方向に確保する必要があり、素子間の間隔を通常2〜5mm以上確保する必要があり、この配線領域が発光パネルにおける非発光部分として視覚的に認識されやすい。   FIG. 15 is a schematic view in which a plurality of surface light emitting elements constituting the panel are electrically connected in the conventional light emitting panel shown in FIGS. 11 and 12. A plurality of surface light emitting elements 3 are connected by wiring 10 using a conductive film, but it is necessary to secure an insulating region and a wiring region between the elements on the substrate between the surface light emitting elements in the in-plane direction. The spacing between the elements usually needs to be 2 to 5 mm or more, and this wiring area is easily visually recognized as a non-light emitting portion in the light emitting panel.

図16は、図13及び図14で示される従来の発光パネルにおいて、パネルを構成する複数の面発光素子を電気的接続した模式図である。複数の面発光素子3の間を導電膜を用いた配線10で接続しているが、面発光素子間の隔壁上に配線領域を面内方向に確保する必要があり、この配線領域が発光パネルにおける非発光部分として視覚的に認識されやすい。   FIG. 16 is a schematic view in which a plurality of surface light emitting elements constituting the panel are electrically connected in the conventional light emitting panel shown in FIGS. 13 and 14. The plurality of surface light emitting elements 3 are connected by wiring 10 using a conductive film. However, it is necessary to secure a wiring area in the in-plane direction on the partition between the surface light emitting elements, and this wiring area is a light emitting panel. It is easy to be visually recognized as a non-light emitting part.

本発明のように有機EL素子等の複数の面発光素子で構成される発光パネルにおいて、素子同士を電気的に並列接続で接続すると、一部の素子が短絡した場合に、発光パネル自体が発光しなくなる可能性がある。この一部の短絡素子の個所のみを非発光部分に限定し、発光パネル全体への影響を最小限に抑えるには、素子同士を電気的に直列接続することが好ましい。   In a light emitting panel composed of a plurality of surface light emitting elements such as organic EL elements as in the present invention, when the elements are electrically connected in parallel, the light emitting panel itself emits light when some of the elements are short-circuited. There is a possibility that it will not. In order to limit only a part of the part of the short-circuit elements to the non-light-emitting portion and minimize the influence on the entire light-emitting panel, it is preferable to electrically connect the elements to each other in series.

図17及び図18は、図9で示される本発明の発光パネルを構成する複数の面発光素子を電気的接続した模式図である。複数の面発光素子3の間を配線10で接続しているが、配線方向が基板面内方向に対してほぼ垂直方向となる為、配線領域が発光パネルにおける非発光部分として視覚的に認識されにくい。図17は、凹部内に配置された面発光素子が、当該凹部内に埋没していない場合を示し、図18は凹部の底部に配置された面発光素子が、当該凹部内に埋没している場合を示す。   17 and 18 are schematic views in which a plurality of surface light emitting elements constituting the light emitting panel of the present invention shown in FIG. 9 are electrically connected. A plurality of surface light emitting elements 3 are connected by wiring 10, but the wiring direction is substantially perpendicular to the in-plane direction of the substrate, so that the wiring area is visually recognized as a non-light emitting portion in the light emitting panel. Hateful. FIG. 17 shows a case where the surface light emitting device arranged in the recess is not buried in the recess, and FIG. 18 shows the surface light emitting device arranged in the bottom of the recess buried in the recess. Show the case.

図19は、図17の拡大図の例である。基板7の凹凸に各々、複数の面発光素子3が配置されている。各々の面発光素子3は、基板7上に第1電極4、発光層を含む機能層5、第2電極6で構成されている。隣接する面発光素子3は、第1電極4と第2電極6とが交互に導電膜を用いた配線10で接続されている。第1電極4と第2電極6との短絡防止の為、絶縁部11が設けられている。尚、図示していないが、凹凸に各々配置された複数の面発光素子3は、第2電極6の上を封止膜で覆われている。図18の構成においては、光出射垂直方向から見て、隣接する面発光素子間の間隔は、配線10や絶縁部11の厚さを考慮しても2mm以下が好ましく、1mm以下がより好ましい。   FIG. 19 is an example of an enlarged view of FIG. A plurality of surface light emitting elements 3 are arranged on the unevenness of the substrate 7. Each surface light emitting element 3 includes a first electrode 4, a functional layer 5 including a light emitting layer, and a second electrode 6 on a substrate 7. In the adjacent surface light emitting elements 3, the first electrodes 4 and the second electrodes 6 are alternately connected by wirings 10 using conductive films. An insulating portion 11 is provided to prevent a short circuit between the first electrode 4 and the second electrode 6. Although not shown, the plurality of surface light emitting elements 3 respectively arranged in the unevenness are covered with a sealing film on the second electrode 6. In the configuration of FIG. 18, the distance between adjacent surface light emitting elements is preferably 2 mm or less, more preferably 1 mm or less even when considering the thickness of the wiring 10 and the insulating portion 11 when viewed from the light emitting vertical direction.

図20は、図18の拡大図の例である。基板7の凹凸に各々、複数の面発光素子3が配置されている。各々の面発光素子3は、基板7上に第1電極4、発光層を含む機能層5、第2電極6で構成されている。隣接する面発光素子3は、第1電極4と第2電極6とが交互に導電幕を用いた配線10で接続されている。第1電極4と第2電極6との短絡防止の為、絶縁部11が設けられている。尚、図示していないが、凹凸に各々配置された複数の面発光素子3は、第2電極6の上を封止膜で覆われている。図20の構成においては、凹部の底部に配置された面発光素子の厚さが、前記凹部の深さより小さい為、図19で示される構成に対して、絶縁部11の一部を省略することができ、面発光素子間の間隔をさらに狭めることが可能である。   FIG. 20 is an example of an enlarged view of FIG. A plurality of surface light emitting elements 3 are arranged on the unevenness of the substrate 7. Each surface light emitting element 3 includes a first electrode 4, a functional layer 5 including a light emitting layer, and a second electrode 6 on a substrate 7. In the adjacent surface light emitting elements 3, the first electrodes 4 and the second electrodes 6 are alternately connected by wirings 10 using conductive curtains. An insulating portion 11 is provided to prevent a short circuit between the first electrode 4 and the second electrode 6. Although not shown, the plurality of surface light emitting elements 3 respectively arranged in the unevenness are covered with a sealing film on the second electrode 6. In the configuration of FIG. 20, since the thickness of the surface light emitting element disposed at the bottom of the concave portion is smaller than the depth of the concave portion, a part of the insulating portion 11 is omitted from the configuration shown in FIG. It is possible to further reduce the interval between the surface light emitting elements.

尚、図18及び図20に示した発光パネルにおいては、基板7の凹凸に各々、複数の面発光素子3の第1電極4、発光層を含む機能層5、第2電極6を直接形成する例を示しているが、本発明においては、予め支持基板上に電極や発光層を含む機能層等を積層して作製した複数の面発光素子を用い、これらの面発光素子を基板7の凹凸に各々、接着剤や粘着剤等を用いて配置、貼付することにより発光パネルを構成することもできる。   In the light emitting panel shown in FIGS. 18 and 20, the first electrode 4, the functional layer 5 including the light emitting layer, and the second electrode 6 of the plurality of surface light emitting elements 3 are directly formed on the unevenness of the substrate 7, respectively. Although an example is shown, in the present invention, a plurality of surface light-emitting elements prepared by previously laminating functional layers including electrodes and light-emitting layers on a support substrate are used, and these surface light-emitting elements are formed on the uneven surface of the substrate 7. In addition, the light-emitting panel can be configured by arranging and sticking each using an adhesive or a pressure-sensitive adhesive.

以上の説明から分かるように、本発明の発光パネルによれば、素子間を電気的に接続する配線領域を光出射面垂直方向に傾斜させて設けることができる為、光出射面垂直方向から発光パネルを見た際に、素子間の間隔を低減させることができ、面発光素子同士の境界を視覚的に認識され難くすることができる。また、凹部の開口部を狭めた形状とすると、光出射面垂直方向から発光パネルを見た際に、凹部上の素子と、凸部上の素子とが、部分的に重なりを持つ配置をとることができ、面発光素子同士の境界をさらに視覚的に認識され難くすることができる。   As can be seen from the above description, according to the light emitting panel of the present invention, since the wiring region for electrically connecting the elements can be provided inclining in the light emitting surface vertical direction, light is emitted from the light emitting surface vertical direction. When the panel is viewed, the distance between the elements can be reduced, and the boundary between the surface light emitting elements can be hardly visually recognized. In addition, when the opening of the concave portion is narrowed, the elements on the concave portion and the elements on the convex portion are partially overlapped when the light emitting panel is viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface. It is possible to make it difficult to visually recognize the boundary between the surface light emitting elements.

複数の面発光素子で構成される発光パネルにおいて、素子同士を並列接続で接続すると、一部の素子が短絡した場合に、この個所に特に電流が流れやすくなり、発光パネル自体が発光しなくなる可能性がある。この一部の短絡素子の個所のみを非発光部分に限定し、発光パネルへの影響を最小限に抑えるには、素子同士を直列接続することが好ましい。   In a light-emitting panel composed of multiple surface light-emitting elements, when the elements are connected in parallel, when some of the elements are short-circuited, current can easily flow through this area, and the light-emitting panel itself can no longer emit light. There is sex. In order to limit only a part of the part of the short-circuiting element to the non-light-emitting portion and minimize the influence on the light-emitting panel, it is preferable to connect the elements in series.

本発明の発光パネルは、凹部に配置された面発光素子と、凸部に配置された面発光素子とにより、面発光素子同士の境界を視覚的に認識され難くしたうえで、これら面発光素子を交互に電気的に直列接続する構成を容易にとることができる。   The light emitting panel according to the present invention makes it difficult to visually recognize the boundary between the surface light emitting elements by using the surface light emitting elements disposed in the concave portions and the surface light emitting elements disposed in the convex portions. It is possible to easily adopt a configuration in which these are alternately electrically connected in series.

(有機EL素子)
本発明の発光パネルに用いられる面発光素子に制限はないが、EL素子であることが好ましく、有機EL素子であることがより好ましい。
(Organic EL device)
Although there is no restriction | limiting in the surface emitting element used for the light emission panel of this invention, It is preferable that it is an EL element and it is more preferable that it is an organic EL element.

以下、本発明の発光パネルを有機EL素子で構成する場合の好ましい態様を説明するが、本発明はこれに限定されない。   Hereinafter, although the preferable aspect in the case of comprising the light emission panel of this invention by an organic EL element is demonstrated, this invention is not limited to this.

有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示す。
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
ここで、発光層は、少なくとも発光色の異なる2種以上の発光材料を含有していることが好ましく、単層でも複数の発光層からなる発光層ユニットを形成していてもよい。また、正孔輸送層には正孔注入層、電子阻止層も含まれる。
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
Preferred specific examples of the layer structure of the organic EL element are shown below.
(I) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (ii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (iii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron Transport layer / cathode (iv) anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (v) anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole Blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode Here, the light emitting layer preferably contains at least two kinds of light emitting materials having different emission colors, and a single layer or a light emitting layer comprising a plurality of light emitting layers A unit may be formed. The hole transport layer also includes a hole injection layer and an electron blocking layer.
<Light emitting layer>
The light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.

本発明に係る発光層は、含まれる発光材料が前記要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。   The light emitting layer according to the present invention is not particularly limited in its configuration as long as the contained light emitting material satisfies the above requirements.

また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。   Moreover, there may be a plurality of layers having the same emission spectrum and emission maximum wavelength.

各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。   It is preferable to have a non-light emitting intermediate layer between each light emitting layer.

本発明における発光層の膜厚の総和は1〜100nmの範囲にあることが好ましく、更に好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから30nm以下である。なお、本発明でいうところの発光層の膜厚の総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む膜厚である。   The total thickness of the light emitting layers in the present invention is preferably in the range of 1 to 100 nm, and more preferably 30 nm or less because a lower driving voltage can be obtained. In addition, the sum total of the film thickness of the light emitting layer as used in the field of this invention is a film thickness also including the said intermediate | middle layer, when a nonluminous intermediate | middle layer exists between light emitting layers.

個々の発光層の膜厚としては1〜50nmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは1〜20nmの範囲に調整することである。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はない。   The thickness of each light emitting layer is preferably adjusted to a range of 1 to 50 nm, more preferably adjusted to a range of 1 to 20 nm. There is no particular limitation on the relationship between the film thicknesses of the blue, green and red light emitting layers.

発光層の作製には、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。   For the production of the light emitting layer, a light emitting material or a host compound, which will be described later, is formed by forming a film by a known thinning method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, an ink jet method, or the like. it can.

本発明においては、各発光層には複数の発光材料を混合してもよく、また燐光発光材料と蛍光発光材料を同一発光層中に混合して用いてもよい。   In the present invention, a plurality of light emitting materials may be mixed in each light emitting layer, and a phosphorescent light emitting material and a fluorescent light emitting material may be mixed and used in the same light emitting layer.

本発明においては、発光層の構成として、ホスト化合物、発光材料(発光ドーパント化合物ともいう)を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。   In the present invention, the structure of the light-emitting layer preferably contains a host compound and a light-emitting material (also referred to as a light-emitting dopant compound) and emits light from the light-emitting material.

本発明に係る有機EL素子の発光層に含有されるホスト化合物としては、室温(25℃)における燐光発光の燐光量子収率が0.1未満の化合物が好ましい。更に好ましくは燐光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が50%以上であることが好ましい。   As the host compound contained in the light emitting layer of the organic EL device according to the present invention, a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission at room temperature (25 ° C.) of less than 0.1 is preferable. More preferably, the phosphorescence quantum yield is less than 0.01. Moreover, it is preferable that the volume ratio in the layer is 50% or more among the compounds contained in a light emitting layer.

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。   As the host compound, known host compounds may be used alone or in combination of two or more. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient. Moreover, it becomes possible to mix different light emission by using multiple types of luminescent material mentioned later, and can thereby obtain arbitrary luminescent colors.

本発明に用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でもいい。   The host compound used in the present invention may be a conventionally known low molecular compound or a high molecular compound having a repeating unit, and a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (evaporation polymerizable light emitting host). )But it is good.

公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。ここで、ガラス転移点(Tg)とは、DSC(Differential Scanning Colorimetry:示差走査熱量法)を用いて、JIS−K−7121に準拠した方法により求められる値である。   As the known host compound, a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents the emission of light from being increased in wavelength, and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable. Here, the glass transition point (Tg) is a value obtained by a method based on JIS-K-7121 using DSC (Differential Scanning Colorimetry).

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。例えば、特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等が挙げられる。   Specific examples of known host compounds include compounds described in the following documents. For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860 Gazette, 2002-334787 gazette, 2002-15871 gazette, 2002-334788 gazette, 2002-43056 gazette, 2002-334789 gazette, 2002-75645 gazette, 2002-338579 gazette. No. 2002-105445, No. 2002-343568, No. 2002-141173, No. 2002-352957, No. 2002-203683, No. 2002-363227, No. 2002-231453. No. 2003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-286061, No. 2002-280183, No. 2002-299060. 2002-302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837, and the like.

次に、発光材料について説明する。   Next, the light emitting material will be described.

本発明に係る発光材料としては、蛍光性化合物、燐光発光材料(燐光性化合物、燐光発光性化合物等ともいう)を用いる。   As the light-emitting material according to the present invention, a fluorescent compound or a phosphorescent material (also referred to as a phosphorescent compound or a phosphorescent compound) is used.

本発明において、燐光発光材料とは励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温(25℃)にて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は0.1以上である。   In the present invention, a phosphorescent material is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, it is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and the phosphorescence quantum yield is 0 at 25 ° C. A preferred phosphorescence quantum yield is 0.1 or more, although it is defined as 0.01 or more compounds.

上記燐光量子収率は第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明において燐光発光材料を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記燐光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。   The phosphorescent quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition. The phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents. However, when a phosphorescent material is used in the present invention, the phosphorescence quantum yield (0.01 or more) is achieved in any solvent. Just do it.

燐光発光材料の発光は原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光発光材料に移動させることで燐光発光材料からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つは燐光発光材料がキャリアトラップとなり、燐光発光材料上でキャリアの再結合が起こり燐光発光材料からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、燐光発光材料の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。   There are two types of light emission of the phosphorescent material. In principle, the carrier recombination occurs on the host compound to which the carrier is transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is transferred to the phosphorescent material. Energy transfer type to obtain light emission from the phosphorescent light emitting material, and another one is that the phosphorescent light emitting material becomes a carrier trap, and recombination of carriers occurs on the phosphorescent light emitting material, and light emission from the phosphorescent light emitting material is obtained. Although it is a trap type, in any case, the excited state energy of the phosphorescent material is required to be lower than the excited state energy of the host compound.

燐光発光材料は、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で8〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。   The phosphorescent light-emitting material can be appropriately selected from known materials used for the light-emitting layer of the organic EL element, and is preferably a complex compound containing a group 8-10 metal in the periodic table of elements. More preferably, an iridium compound, an osmium compound, or a platinum compound (platinum complex compound), or a rare earth complex, and most preferably an iridium compound.

以下に燐光発光材料として用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.40巻、1704〜1711に記載の方法等により合成できる。   Specific examples of the compound used as the phosphorescent material are shown below, but the present invention is not limited to these. These compounds are described, for example, in Inorg. Chem. 40, 1704-1711, and the like.

本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子には、蛍光発光体を用いることもできる。蛍光発光体(蛍光性ドーパント)の代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。   A fluorescent substance can also be used for the organic electroluminescent element according to the present invention. Representative examples of fluorescent emitters (fluorescent dopants) include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes. Examples thereof include dyes, perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex phosphors.

また、従来公知のドーパントも本発明に用いることができ、例えば、国際公開第00/70655号パンフレット、特開2002−280178号公報、同2001−181616号公報、同2002−280179号公報、同2001−181617号公報、同2002−280180号公報、同2001−247859号公報、同2002−299060号公報、同2001−313178号公報、同2002−302671号公報、同2001−345183号公報、同2002−324679号公報、国際公開第02/15645号パンフレット、特開2002−332291号公報、同2002−50484号公報、同2002−332292号公報、同2002−83684号公報、特表2002−540572号公報、特開2002−117978号公報、同2002−338588号公報、同2002−170684号公報、同2002−352960号公報、国際公開第01/93642号パンフレット、特開2002−50483号公報、同2002−100476号公報、同2002−173674号公報、同2002−359082号公報、同2002−175884号公報、同2002−363552号公報、同2002−184582号公報、同2003−7469号公報、特表2002−525808号公報、特開2003−7471号公報、特表2002−525833号公報、特開2003−31366号公報、同2002−226495号公報、同2002−234894号公報、同2002−235076号公報、同2002−241751号公報、同2001−319779号公報、同2001−319780号公報、同2002−62824号公報、同2002−100474号公報、同2002−203679号公報、同2002−343572号公報、同2002−203678号公報等が挙げられる。   Conventionally known dopants can also be used in the present invention. For example, International Publication No. 00/70655 pamphlet, JP-A Nos. 2002-280178, 2001-181616, 2002-280179, 2001 181617, 2002-280180, 2001-247859, 2002-299060, 2001-313178, 2002-302671, 2001-345183, 2002. No. 324679, International Publication No. 02/15645, JP 2002-332291 A, 2002-50484, 2002-332292, 2002-83684, JP 2002-540572, JP 2 No. 02-117978, No. 2002-338588, No. 2002-170684, No. 2002-352960, Pamphlet of International Publication No. 01/93642, JP 2002-50483, No. 2002-1000047. No. 2002-173684, No. 2002-359082, No. 2002-17584, No. 2002-363552, No. 2002-184582, No. 2003-7469, No. 2002-525808. JP-A 2003-7471, JP-T 2002-525833, JP-A 2003-31366, JP-A 2002-226495, JP-A 2002-234894, JP-A 2002-2335076, JP-A 2002-24175 Gazette, 2001-319779, 2001-319780, 2002-62824, 2002-1000047, 2002-203679, 2002-343572, 2002-203678. A gazette etc. are mentioned.

本発明においては、少なくとも一つの発光層に2種以上の発光材料を含有していてもよく、発光層における発光材料の濃度比が発光層の厚さ方向で変化していてもよい。
《中間層》
本発明において、各発光層間に非発光性の中間層(非ドープ領域等ともいう)を設ける場合について説明する。
In the present invention, at least one light emitting layer may contain two or more kinds of light emitting materials, and the concentration ratio of the light emitting materials in the light emitting layer may vary in the thickness direction of the light emitting layer.
《Middle layer》
In the present invention, a case where a non-light emitting intermediate layer (also referred to as an undoped region) is provided between the light emitting layers will be described.

非発光性の中間層とは、複数の発光層を有する場合、その発光層間に設けられる層である。   The non-light emitting intermediate layer is a layer provided between the light emitting layers in the case of having a plurality of light emitting layers.

非発光性の中間層の膜厚としては1〜20nmの範囲にあるのが好ましく、更には3〜10nmの範囲にあることが隣接発光層間のエネルギー移動等相互作用を抑制し、且つ素子の電流電圧特性に大きな負荷を与えないということから好ましい。   The film thickness of the non-light emitting intermediate layer is preferably in the range of 1 to 20 nm, and further in the range of 3 to 10 nm suppresses interaction such as energy transfer between adjacent light emitting layers, and the current of the device This is preferable because a large load is not applied to the voltage characteristics.

この非発光性の中間層に用いられる材料としては、発光層のホスト化合物と同一でも異なっていてもよいが、隣接する2つの発光層の少なくとも一方の発光層のホスト材料と同一であることが好ましい。   The material used for the non-light emitting intermediate layer may be the same as or different from the host compound of the light emitting layer, but may be the same as the host material of at least one of the adjacent light emitting layers. preferable.

非発光性の中間層は非発光層、各発光層と共通の化合物(例えば、ホスト化合物等)を含有していてもよく、各々共通ホスト材料(ここで、共通ホスト材料が用いられるとは、燐光発光エネルギー、ガラス転移点等の物理化学的特性が同一である場合やホスト化合物の分子構造が同一である場合等を示す。)を含有することにより、発光層−非発光層間の層間の注入障壁が低減され、電圧(電流)を変化させても正孔と電子の注入バランスが保ちやすいという効果を得ることができる。更に、非ドープ発光層に各発光層に含まれるホスト化合物と同一の物理的特性または同一の分子構造を有するホスト材料を用いることにより、従来の有機EL素子作製の大きな問題点である素子作製の煩雑さをも併せて解消することができる。   The non-light-emitting intermediate layer may contain a non-light-emitting layer, a compound common to each light-emitting layer (for example, a host compound), and each common host material (where a common host material is used) In the case where the physicochemical characteristics such as phosphorescence emission energy and glass transition point are the same, or the molecular structure of the host compound is the same, etc.) The barrier is reduced, and the effect of easily maintaining the injection balance of holes and electrons even when the voltage (current) is changed can be obtained. Furthermore, by using a host material having the same physical characteristics or the same molecular structure as the host compound contained in each light-emitting layer in the undoped light-emitting layer, device fabrication, which is a major problem in conventional organic EL device fabrication, is achieved. Complexity can also be eliminated.

本発明で有機EL素子を用いる場合、ホスト材料はキャリアの輸送を担うため、キャリア輸送能を有する材料が好ましい。キャリア輸送能を表す物性としてキャリア移動度が用いられるが、有機材料のキャリア移動度は一般的に電界強度に依存性が見られる。電界強度依存性の高い材料は正孔と電子注入・輸送バランスを崩しやすいため、中間層材料、ホスト材料は移動度の電界強度依存性の少ない材料を用いることが好ましい。   When the organic EL device is used in the present invention, since the host material is responsible for carrier transport, a material having carrier transport capability is preferable. Carrier mobility is used as a physical property representing carrier transport ability, but the carrier mobility of an organic material generally depends on the electric field strength. Since a material having a high electric field strength dependency easily breaks the balance between injection and transport of holes and electrons, it is preferable to use a material having a low electric field strength dependency of mobility for the intermediate layer material and the host material.

また、一方では正孔や電子の注入バランスを最適に調整するためには、非発光性の中間層は後述する阻止層、即ち正孔阻止層、電子阻止層として機能することも好ましい態様として挙げられる。
《注入層:電子注入層、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
On the other hand, in order to optimally adjust the injection balance of holes and electrons, it is also preferable that the non-light emitting intermediate layer functions as a blocking layer described later, that is, a hole blocking layer and an electron blocking layer. It is done.
<< Injection layer: electron injection layer, hole injection layer >>
The injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, it exists between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. May be.

注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。   An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce drive voltage and improve light emission luminance. “Organic EL element and its forefront of industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).

陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。   The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, copper phthalocyanine is used. Examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.

陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。
《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer typified by lithium, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc. . The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm although it depends on the material.
<Blocking layer: hole blocking layer, electron blocking layer>
The blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film as described above. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258, 11-204359, and “Organic EL elements and their forefront of industrialization” (issued by NTT, Inc. on November 30, 1998). There is a hole blocking (hole blocking) layer.

正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。   In a broad sense, the hole blocking layer has a function of an electron transport layer and is composed of a hole blocking material having a function of transporting electrons and having a remarkably small ability to transport holes, while transporting electrons. By blocking holes, the recombination probability of electrons and holes can be improved. Moreover, the structure of the electron carrying layer mentioned later can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed. The hole blocking layer is preferably provided adjacent to the light emitting layer.

一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては好ましくは3〜100nmであり、更に好ましくは5〜30nmである。
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
On the other hand, the electron blocking layer, in a broad sense, has a function of a hole transport layer, and is made of a material having a function of transporting holes while having a remarkably small ability to transport electrons, while transporting holes. By blocking electrons, the probability of recombination of electrons and holes can be improved. Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed. The film thickness of the hole blocking layer and the electron transport layer according to the present invention is preferably 3 to 100 nm, and more preferably 5 to 30 nm.
《Hole transport layer》
The hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。   The hole transport material has any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.

正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。   The above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.

芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。   Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl-N, N'- Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and also two of those described in US Pat. No. 5,061,569. Having a condensed aromatic ring in the molecule, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-3086 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 8 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.

更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used. In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.

また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような所謂、p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。   JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. A so-called p-type hole transport material described in a book (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used. In the present invention, it is preferable to use these materials because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained.

正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。   The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. it can. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5-200 nm. The hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。   Alternatively, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
《電子輸送層》
電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
In the present invention, it is preferable to use a hole transport layer having such a high p property because a device with lower power consumption can be produced.
《Electron transport layer》
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Conventionally, in the case of a single electron transport layer and a plurality of layers, an electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for an electron transport layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side is injected from the cathode. As long as it has a function of transferring electrons to the light-emitting layer, any material can be selected and used from among conventionally known compounds. For example, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives Thiopyrandioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives and the like. Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material. Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。In addition, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq 3 ), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) Aluminum, tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc., and the central metals of these metal complexes are In, Mg Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as electron transport materials. In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material. Further, the distyrylpyrazine derivatives exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as the electron transport material, and inorganic semiconductors such as n-type-Si and n-type-SiC can be used as well as the hole injection layer and the hole transport layer. It can be used as an electron transport material.

電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。   The electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5-200 nm. The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。   Further, an electron transport layer having a high n property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
《支持基板》
本発明に係る有機EL素子に係る支持基板(以下、基板、基体、基盤、基材、支持体等ともいう。)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
In the present invention, it is preferable to use an electron transport layer having such a high n property because an element with lower power consumption can be manufactured.
《Support substrate》
The support substrate (hereinafter also referred to as substrate, substrate, substrate, substrate, support, etc.) according to the organic EL device of the present invention is not particularly limited in the type of glass, plastic, etc., and is transparent. It may be opaque. When extracting light from the support substrate side, the support substrate is preferably transparent. Examples of the transparent support substrate preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film. A particularly preferable support substrate is a resin film capable of giving flexibility to the organic EL element.

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。   Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide, polyether Sulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones, polyether Examples include cycloolefin resins such as luimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Apel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals). It is done.

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド皮膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度(40℃、90%RH)が0.01g/m・day・atm以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更にはJIS K 7126−1992に準拠した方法で測定された酸素透過度(20℃、100%RH)が10−3g/m/day以下、水蒸気透過度が10−3g/m/day以下の高バリア性フィルムであることが好ましく、前記の水蒸気透過度、酸素透過度がいずれも10−5g/m/day以下であることが更に好ましい。On the surface of the resin film, an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both may be formed. Water vapor permeability measured by a method in accordance with JIS K 7129-1992 (40 ° C., 90% RH) Is preferably a barrier film of 0.01 g / m 2 · day · atm or less, and further has an oxygen permeability (20 ° C., 100% RH) of 10 measured by a method according to JIS K 7126-1992. −3 g / m 2 / day or less and a water vapor transmission rate of 10 −3 g / m 2 / day or less are preferable, and both the water vapor transmission rate and the oxygen transmission rate are 10 −5. More preferably, it is g / m 2 / day or less.

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に当該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
《バリア膜の形成方法》
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
As a material for forming the barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing entry of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used. Furthermore, in order to improve the brittleness of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and organic material layers. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.
<Method for forming barrier film>
The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma weight A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, and the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.

不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板・フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
《封止》
本発明に係る有機EL素子の封止に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
Examples of the opaque support substrate include metal plates / films such as aluminum and stainless steel, opaque resin substrates, ceramic substrates, and the like.
<Sealing>
Examples of the sealing means used for sealing the organic EL element according to the present invention include a method of bonding a sealing member, an electrode, and a support substrate with an adhesive.

封止部材としては有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に限定されない。   The sealing member may be disposed so as to cover the display area of the organic EL element, and may be concave or flat. Moreover, transparency and electrical insulation are not particularly limited.

具体的には、ガラス板、ポリマー板、フィルム、金属板、フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。   Specifically, a glass plate, a polymer plate, a film, a metal plate, a film, etc. are mentioned. Examples of the glass plate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz. Examples of the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone. Examples of the metal plate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium, and tantalum.

本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更にはポリマーフィルムは酸素透過度10−3g/m/day以下、水蒸気透過度10−3g/m/day以下のものであることが好ましい。また、前記の水蒸気透過度、酸素透過度がいずれも10−5g/m/day以下であることが更に好ましい。In the present invention, a polymer film and a metal film can be preferably used because the element can be thinned. Furthermore, the polymer film preferably has an oxygen permeability of 10 −3 g / m 2 / day or less and a water vapor permeability of 10 −3 g / m 2 / day or less. The water vapor permeability and oxygen permeability are more preferably 10 −5 g / m 2 / day or less.

封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。   For processing the sealing member into a concave shape, sandblasting, chemical etching, or the like is used. Specific examples of the adhesive include photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups such as acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curing adhesives such as 2-cyanoacrylates. be able to. Moreover, heat | fever and chemical curing types (two-component mixing), such as an epoxy type, can be mentioned. Moreover, hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned. Moreover, a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned.

なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。   In addition, since an organic EL element may deteriorate by heat processing, what can be adhesive-hardened from room temperature to 80 degreeC is preferable. A desiccant may be dispersed in the adhesive. Application | coating of the adhesive agent to a sealing part may use commercially available dispenser, and may print it like screen printing.

また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に、当該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、当該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に当該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造をもたせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。   In addition, it is also preferable to coat the electrode and the organic layer on the outside of the electrode facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween, and form an inorganic or organic layer in contact with the support substrate to form a sealing film. it can. In this case, the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like may be used. it can. Furthermore, in order to improve the brittleness of the film, it is preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials. The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure A plasma polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.

封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。   In the gap between the sealing member and the display area of the organic EL element, it is preferable to inject an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil in the gas phase and the liquid phase. . A vacuum can also be used. Moreover, a hygroscopic compound can also be enclosed inside.

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
《電極》
本発明に係る面発光素子においては、少なくとも第1電極と第2電極とを有する。有機EL素子を用いる場合、通常は一方が陽極、他方が陰極で構成される。以下に好ましい陽極、及び陰極の構成について述べる。
《陽極》
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO、ZnO等の導電性光透過性材料が挙げられる。また、IDIXO(In−ZnO)等非晶質で光透過性の導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式製膜法を用いることもできる。陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10〜1000nm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。《陰極》
一方、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.), perchloric acids (eg perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, and the like), and anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.
《Protective film, protective plate》
In order to increase the mechanical strength of the element, a protective film or a protective plate may be provided on the outer side of the sealing film on the side facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween or on the sealing film. In particular, when the sealing is performed by the sealing film, the mechanical strength is not necessarily high, and thus it is preferable to provide such a protective film and a protective plate. As a material that can be used for this, the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, and the like used for the sealing can be used, but the polymer film is light and thin. Is preferably used.
"electrode"
The surface light emitting device according to the present invention has at least a first electrode and a second electrode. When an organic EL element is used, one is usually composed of an anode and the other is a cathode. The preferred anode and cathode configurations are described below.
"anode"
As the anode in the organic EL element, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used. Specific examples of such an electrode material include metals such as Au, and conductive light transmissive materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO. Alternatively, a material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) that can form an amorphous light-transmitting conductive film may be used. For the anode, these electrode materials may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method. ), A pattern may be formed through a mask having a desired shape when the electrode material is deposited or sputtered. Or when using the substance which can be apply | coated like an organic electroconductivity compound, wet film forming methods, such as a printing system and a coating system, can also be used. The sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm. "cathode"
On the other hand, as the cathode, a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like.

これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。Among these, from the point of durability against electron injection and oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this, for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 to 200 nm.

なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方は、光透過性となるよう構成される。
《有機EL素子の作製方法》
本発明に係る有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極からなる有機EL素子の作製法について説明する。
In order to transmit the emitted light, either the anode or the cathode of the organic EL element is configured to be light transmissive.
<< Method for producing organic EL element >>
As an example of the method for producing an organic EL device according to the present invention, a method for producing an organic EL device comprising an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode will be described. .

まず適当な支持基板上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10〜200nmの膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に有機EL素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層の有機化合物薄膜を形成させる。   First, a thin film made of a desired electrode material, for example, a material for an anode is formed on a suitable support substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 to 200 nm to produce an anode. . Next, an organic compound thin film of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, and an electron transport layer, which are organic EL element materials, is formed thereon.

この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス(スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法)等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法が特に好ましい。更に層毎に異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50〜450℃、真空度10−6〜10−2Pa、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、膜厚0.1nm〜5μm、好ましくは5〜200nmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。As a method for thinning the organic compound thin film, there are a vapor deposition method and a wet process (spin coating method, casting method, ink jet method, printing method) as described above, but it is easy to obtain a uniform film and a pinhole. From the point of being difficult to form, a vacuum deposition method, a spin coating method, an ink jet method, and a printing method are particularly preferable. Further, different film forming methods may be applied for each layer. When employing a vapor deposition method for film formation, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally a boat heating temperature of 50 to 450 ° C., a degree of vacuum of 10 −6 to 10 −2 Pa, and a vapor deposition rate of 0.01 to It is desirable to select appropriately within the range of 50 nm / second, substrate temperature −50 to 300 ° C., film thickness 0.1 nm to 5 μm, preferably 5 to 200 nm.

これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下好ましくは50〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子が得られる。この有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。   After these layers are formed, a thin film made of a cathode material is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 to 200 nm, and a cathode is provided. Thus, a desired organic EL element can be obtained. The organic EL element is preferably produced from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but may be taken out halfway and subjected to different film forming methods. At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere.

また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の液晶表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。   In addition, it is also possible to reverse the production order and produce the cathode, the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode in this order. When a DC voltage is applied to the multicolor liquid crystal display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. An alternating voltage may be applied. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.

有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率1.6〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15〜20%程度の光しか取り出せないと一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は全反射を起こし、素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。   An organic EL element generally emits light within a layer having a refractive index higher than that of air (refractive index of about 1.6 to 2.1) and can extract only about 15 to 20% of light generated in the light emitting layer. It has been said. This is because light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle θ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be extracted outside the device, or between the transparent electrode or light emitting layer and the transparent substrate. This is because the light is totally reflected between the light and the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the direction of the element side surface.

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(例えば、米国特許第4,774,435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(例えば、特開昭63−314795号公報)、素子の側面等に反射面を形成する方法(例えば、特開平1−220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(例えば、特開昭62−172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(例えば、特開2001−202827号公報)、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)等がある。   As a method for improving the light extraction efficiency, for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate to prevent total reflection at the interface between the transparent substrate and the air (for example, US Pat. No. 4,774,435). ), A method of improving the efficiency by giving the substrate a light condensing property (for example, JP-A-63-314795), a method of forming a reflective surface on the side surface of the element (for example, JP-A-1-220394) Gazette), a method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between the substrate and the light emitter (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-172691), and a substrate between the substrate and the light emitter. A method of introducing a flat layer having a lower refractive index than that (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-202827), a diffraction grating between any one of the substrate, the transparent electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside). Method of forming There is 1-283751 JP), and the like.

本発明においては、これらの方法を本発明に係る面発光素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。   In the present invention, these methods can be used in combination with the surface light emitting device according to the present invention, but a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate, A method of forming a diffraction grating between any layers of the transparent electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used. In the present invention, by combining these means, it is possible to obtain an element having higher luminance or durability.

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚さで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。   When a medium with a low refractive index is formed between the transparent electrode and the transparent substrate with a thickness longer than the wavelength of light, the light extracted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower. .

低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。また更に1.35以下であることが好ましい。   Examples of the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Furthermore, it is preferable that it is 1.35 or less.

また、低屈折率媒質の厚さは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚さが光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。   Further, the thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium becomes about the wavelength of light and the electromagnetic wave that has exuded by evanescent enters the substrate.

全反射を起こす界面またはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった、所謂ブラッグ回折により光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち、層間での全反射等により外に出ることができない光をいずれかの層間もしくは媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。   The method of introducing a diffraction grating into an interface or any medium that causes total reflection is characterized by a high effect of improving light extraction efficiency. This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction, such as first-order diffraction and second-order diffraction. Among them, light that cannot be emitted due to total reflection between layers, etc. is diffracted by introducing a diffraction grating into any layer or medium (in a transparent substrate or transparent electrode), and the light is emitted outside. I want to take it out.

導入する回折格子は二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。   It is desirable that the diffraction grating to be introduced has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. The light extraction efficiency does not increase so much. However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased.

回折格子を導入する位置としては、前述のとおりいずれかの層間もしくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。   The position where the diffraction grating is introduced may be in any one of the layers or in the medium (in the transparent substrate or the transparent electrode) as described above, but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated.

このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度が好ましい。回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。   At this time, the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium. The arrangement of the diffraction grating is preferably two-dimensionally repeated, such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.

本発明に係る面発光素子は支持基板の光取出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。   The surface light-emitting device according to the present invention is processed on the light extraction side of the support substrate, for example, so as to provide a structure on the microlens array, or in combination with a so-called condensing sheet, in a specific direction, for example, the device light-emitting surface. On the other hand, the brightness | luminance in a specific direction can be raised by condensing in a front direction.

マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10〜100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚さが厚くなり好ましくない。   As an example of the microlens array, quadrangular pyramids having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are two-dimensionally arranged on the light extraction side of the substrate. One side is preferably 10 to 100 μm. If it becomes smaller than this, the effect of diffraction will generate | occur | produce and color, and if too large, thickness will become thick and is not preferable.

集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。   As the condensing sheet, for example, a sheet that is put into practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device can be used. As such a sheet, for example, a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used. As the shape of the prism sheet, for example, the base material may be formed by forming a △ -shaped stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 μm, or the vertex angle is rounded and the pitch is changed randomly. Other shapes may be used.

また、発光素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)等を用いることができる。   Moreover, in order to control the light emission angle from a light emitting element, you may use together a light diffusing plate and a film with a condensing sheet. For example, a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.

本発明に係る面発光素子を、光出射面垂直方向から見た面発光素子の発光領域の一部が互いに重なる素子積層部をもつように複数配置して発光パネルを構成する際、素子積層部に粘着剤及び接着剤を用いることができる。   When the light emitting panel is configured by arranging a plurality of the surface light emitting elements according to the present invention so that the light emitting areas of the surface light emitting elements as viewed from the light emitting surface vertical direction have a plurality of element laminated portions, the element laminated portion An adhesive and an adhesive can be used.

本発明における粘着剤とは、広く工業分野において、粘着剤、接着剤、或いは粘着材、接着材等の呼称で用いられる剤或いは材のうち、加圧により接着しその際に接着部分の硬化を伴わないものを意味する。   The pressure-sensitive adhesive in the present invention is widely used in the industrial field, and is bonded by pressurization among agents or materials used in designations such as pressure-sensitive adhesives, adhesives, pressure-sensitive adhesives, adhesives, etc. It means something that is not accompanied.

粘着剤及び接着剤の種類は特に限定されないが、光透過性にすぐれた粘着剤及び接着剤を用いることが好ましい。接着剤においては塗布し、貼り合わせた後に、種々の化学反応により高分子量体または架橋構造を形成する硬化型接着剤が好適に用いられる。本発明で用いることのできる粘着剤及び接着剤の具体例としては、例えば、ウレタン系、エポキシ系、水性高分子−イソシアネート系、アクリル系等の硬化型接着剤及び粘着剤、湿気硬化ウレタン接着剤、ポリエーテルメタクリレート型、エステル系メタクリレート型、酸化型ポリエーテルメタクリレート等の嫌気性粘着剤、シアノアクリレート系の瞬間接着剤、アクリレートとペルオキシド系の2液型瞬間接着剤等が挙げられる。   Although the kind of adhesive and adhesive is not specifically limited, It is preferable to use the adhesive and adhesive excellent in light transmittance. As the adhesive, a curable adhesive that forms a high molecular weight body or a crosslinked structure by various chemical reactions after being applied and bonded is suitably used. Specific examples of pressure-sensitive adhesives and adhesives that can be used in the present invention include, for example, urethane-based, epoxy-based, aqueous polymer-isocyanate-based, acrylic-based curable adhesives and pressure-sensitive adhesives, and moisture-cured urethane adhesives. And anaerobic pressure-sensitive adhesives such as polyether methacrylate type, ester type methacrylate type and oxidized type polyether methacrylate, cyanoacrylate type instantaneous adhesive, acrylate and peroxide type two-pack type instantaneous adhesive, and the like.

上記素子積層部への粘着剤層及び接着剤層の形成方法としては特に限定されず、一般的方法、例えば、グラビアコーター、マイクログラビアコーター、コンマコーター、バーコーター、スプレー塗布、インクジェット法等の方法が挙げられる。
《用途》
本発明に係る面発光体、及び発光パネルは、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特にカラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
The method for forming the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer on the element laminate is not particularly limited, and a general method such as a gravure coater, a micro gravure coater, a comma coater, a bar coater, a spray coating, an ink jet method, or the like. Is mentioned.
<Application>
The surface light emitter and the light emitting panel according to the present invention can be used as a display device, a display, and various light emitting sources. Examples of light sources include home lighting, interior lighting, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, and light sources for optical sensors. Although it is not limited to this, it can be effectively used for a backlight of a liquid crystal display device combined with a color filter and a light source for illumination.

カラーフィルターと組み合わせてディスプレイのバックライトとして用いる場合には、輝度を更に高めるため、集光シートと組み合わせて用いるのが好ましい。   When used as a backlight of a display in combination with a color filter, it is preferably used in combination with a light collecting sheet in order to further increase the luminance.

1 凹部
2 凸部
3 面発光素子
4 第1電極
5 発光層を含む機能層
6 第2電極
7 基板
8 基板
9 隔壁
10 導電膜を用いた配線
11 絶縁部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Concave part 2 Convex part 3 Surface light emitting element 4 1st electrode 5 Functional layer containing a light emitting layer 6 2nd electrode 7 Substrate 8 Substrate 9 Partition 10 Wiring using a conductive film 11 Insulation part

Claims (7)

少なくとも一方の面に凹凸構造を有する基板上に複数の面発光素子を配置した発光パネルであって、当該凹凸構造の凹部内及び凸部上に面発光素子が配置され、光出射面垂直方向から前記発光パネルを見た際に、前記凹部底面上の素子と前記凸部上の素子とが、部分的に重なりをもって配置されていることを特徴とする発光パネル。   A light-emitting panel in which a plurality of surface light-emitting elements are disposed on a substrate having a concavo-convex structure on at least one surface, wherein the surface light-emitting elements are disposed in and on the concave portions of the concavo-convex structure, from a light emitting surface vertical direction When the light emitting panel is viewed, the element on the bottom surface of the concave portion and the element on the convex portion are partially overlapped and arranged. 前記凹部及び前記凸部の面積が、配置される前記面発光素子の発光面積の1〜3倍であることを特徴とする請求項1に記載の発光パネル。   The area of the said recessed part and the said convex part is 1-3 times the light emission area of the said surface emitting element arrange | positioned, The light emission panel of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 前記凹部内に配置された面発光素子が、当該凹部内に埋没していることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光パネル。   The light emitting panel according to claim 1, wherein the surface light emitting element disposed in the concave portion is buried in the concave portion. 前記面発光素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の発光パネル。   The said surface emitting element is an organic electroluminescent element, The light emission panel as described in any one of Claim 1- Claim 3 characterized by the above-mentioned. 前記凹部内に配置された面発光素子と、前記凸部上に配置された面発光素子とが、交互に電気的に直列接続されていることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の発光パネル。   5. The surface light emitting element disposed in the concave portion and the surface light emitting element disposed on the convex portion are alternately electrically connected in series. The light emission panel as described in any one. 前記基板は開口部が凹部底面よりも狭い断面形状を有することを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の発光パネル。   The light emitting panel according to any one of claims 1 to 5, wherein the substrate has a cross-sectional shape in which an opening is narrower than a bottom surface of the recess. 前記凹部及び前記凸部は、前記基板において行列方向で交互に配置されていることを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の発光パネル。   The light emitting panel according to claim 1, wherein the concave portions and the convex portions are alternately arranged in a matrix direction on the substrate.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100557A (en) * 1998-09-18 2000-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electroluminescent display panel and its manufacture
JP2004111391A (en) * 2002-09-17 2004-04-08 General Electric Co <Ge> Article having raised form, and method for making it
WO2007052432A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic el light emitting device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100557A (en) * 1998-09-18 2000-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electroluminescent display panel and its manufacture
JP2004111391A (en) * 2002-09-17 2004-04-08 General Electric Co <Ge> Article having raised form, and method for making it
WO2007052432A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic el light emitting device

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