JP5217844B2 - Surface emitting panel for lighting - Google Patents

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本発明は、照明用面発光パネルに関する。 The present invention relates to a surface emitting panel for illumination .

照明用あるいはディスプレイ用として、近年大サイズの発光パネルへの要請が高まってきている。大サイズの発光素子の開発は、特にその製造や装置コストの増大や、大面積における面内の輝度ムラ抑制が難しいなど、困難な課題を抱えていた。   In recent years, there has been an increasing demand for large-sized light-emitting panels for lighting or displays. The development of large-sized light-emitting elements has had difficult problems, such as an increase in manufacturing and device costs and difficulty in suppressing in-plane luminance unevenness in a large area.

一方で、小サイズ発光パネルを継ぎ合わせて大サイズの発光パネルを構成する検討が進められてきた。しかし、小サイズ発光パネル同士の継ぎ目が非発光部と存在する為、視認性に劣るとして、その繋ぎ目を目立たなくする技術検討が従来行われてきた。   On the other hand, studies have been made to construct a large light emitting panel by joining small light emitting panels together. However, since a joint between small-sized light emitting panels exists as a non-light emitting portion, it has been conventionally studied to make the joint inconspicuous because the visibility is poor.

接合する個々のEL素子の封止ヘリ部分で、EL層の端部に外側に向けた丸みをもたせ、封止のヘリ部分から接合部へ向けて斜め方向にも発光させるようにする素子構造が報告されて(例えば、特許文献1参照)いる。また、複数のEL素子の側面同士を貼り合わせた光出射面側に色変換フィルタを設置する構成が報告されて(例えば、特許文献2参照)いる。さらに側面の封止に薄膜の接合板を用いた発光パネルを複数接合し、個々の発光パネル間の距離を狭めた構成が報告されて(例えば、特許文献3参照)いる。接合部近傍のパネルを小サイズかつ高輝度発光として複数接続したディスプレイ構成も報告されて(例えば、特許文献4参照)いる。   There is an element structure in which the sealing helicopter part of each EL element to be joined has a roundness toward the outside at the end of the EL layer, and light is emitted in an oblique direction from the sealing helicopter part to the joining part. Has been reported (for example, see Patent Document 1). In addition, a configuration in which a color conversion filter is installed on the light emission surface side in which the side surfaces of a plurality of EL elements are bonded together has been reported (see, for example, Patent Document 2). Furthermore, a configuration has been reported in which a plurality of light-emitting panels using thin-film bonding plates for side sealing are joined to reduce the distance between the individual light-emitting panels (for example, see Patent Document 3). There has also been reported a display configuration in which a plurality of panels in the vicinity of the joint are connected as small-sized and high-luminance light emission (see, for example, Patent Document 4).

しかし、これらの従来技術は、いずれも継ぎ目が非発光部として存在したままであり、特に近年、開発が進んでいる有機EL素子を用いる場合には、個々の素子に封止を十分に施すことが必要で、隣接する素子同士の発光面間の間隔を確保する必要があり、素子を面内横方向に配列させる方法では依然として視認性の改良には限界があった。
特開2001−57288号公報 特開2006−164618号公報 特開2007−200627号公報 特開2007−304584号公報
However, in these conventional technologies, the seam remains as a non-light-emitting portion. In particular, when using an organic EL element that has been developed in recent years, each element must be sufficiently sealed. It is necessary to secure the interval between the light emitting surfaces of adjacent elements, and the method of arranging the elements in the in-plane lateral direction still has a limit in improving the visibility.
JP 2001-57288 A JP 2006-164618 A JP 2007-200267 A JP 2007-304584 A

本発明の目的は、複数の面発光素子で構成した大サイズの照明用発光パネルであって、面発光素子同士の境界が、視覚的に認識されにくい照明用発光パネルを提供することにある。また、複数の面発光素子で構成した大サイズの発光パネルであって、発光パネルの面内輝度むらを低減された照明用発光パネルを提供することにある。 An object of the present invention, there is provided a large size illumination light emitting panel which is composed of a plurality of surface light emitting element, the boundary between the surface light-emitting element is to provide a visually recognized hardly illumination light emitting panel. Further, a light-emitting panel of large size constituted by a plurality of surface-emitting devices, to provide a reduced illumination light emitting panel plane luminance unevenness of the light emitting panel.

本発明の上記目的は、以下の構成により達成することができる。   The above object of the present invention can be achieved by the following configuration.

1.トップエミッション型面発光素子と、ボトムエミッション型面発光素子とを有し、1方向に光を射出する面発光パネルであって、該トップエミッション型面発光素子と、該ボトムエミッション型面発光素子の光出射方向が、該面発光パネルの光出射方向となるよう配置され、かつ該面発光素子同士が直列接続され、前記面発光パネルが光透過性の素子支持基板を有し、該光透過性の素子支持基板の一方の面上にトップエミッション型面発光素子が配置され、該光透過性の素子支持基板の他方の面上にボトムエミッション型面発光素子が配置されていることを特徴とする照明用面発光パネル。 1. A surface emitting panel having a top emission type surface light emitting element and a bottom emission type surface light emitting element and emitting light in one direction, wherein the top emission type surface light emitting element and the bottom emission type surface light emitting element The light emitting direction is arranged to be the light emitting direction of the surface light emitting panel, the surface light emitting elements are connected in series , and the surface light emitting panel has a light transmissive element support substrate, A top emission type surface light emitting element is disposed on one surface of the element supporting substrate, and a bottom emission type surface light emitting element is disposed on the other surface of the light transmitting element supporting substrate. Surface emitting panel for lighting.

2.前記光透過性の素子支持基板がトップエミッション型面発光素子、及びボトムエミッション型面発光素子の各々を構成する共通の素子基板であることを特徴とする前記1に記載の照明用面発光パネル。 2. 2. The surface emitting panel for illumination according to 1 above, wherein the light-transmitting element supporting substrate is a common element substrate constituting each of a top emission type surface emitting element and a bottom emission type surface emitting element.

3.前記面発光パネルを光出射面垂直方向から見て、トップエミッション型面発光素子と、ボトムエミッション型面発光素子とが交互に配置され、かつトップエミッション型面発光素子の発光領域と、ボトムエミッション型面発光素子の発光領域とが接合して、もしくは重なりをもって配置されていることを特徴とする前記1または2に記載の照明用面発光パネル。 3. When the surface emitting panel is viewed from the vertical direction of the light emitting surface, a top emission type surface light emitting element and a bottom emission type surface light emitting element are alternately arranged, and a light emitting region of the top emission type surface light emitting element and a bottom emission type 3. The surface emitting panel for illumination according to 1 or 2, wherein the light emitting region of the surface light emitting element is joined or overlapped.

4.前記トップエミッション型面発光素子及びボトムエミッション型面発光素子から選ばれる少なくともいずれかが、有機EL素子であることを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の照明用面発光パネル。 4). 4. The lighting surface emitting panel according to any one of claims 1 to 3 , wherein at least one selected from the top emission type surface emitting element and the bottom emission type surface emitting element is an organic EL element.

本発明により、複数の面発光素子で構成した大サイズの発光パネルであって、面発光素子同士の境界が、視覚的に認識されにくい照明用発光パネルを提供し、複数の面発光素子で構成した大サイズの発光パネルであって、発光パネルの面内輝度むらを低減された照明用発光パネルを提供することができた。 The present invention provides a light-emitting panel of large size constituted by a plurality of surface light emitting element, the boundary between the surface-emitting element, provide a visually recognized hardly illumination light emitting panel, composed of a plurality of surface emitting element Thus, it is possible to provide an illumination light-emitting panel that has reduced in-plane luminance unevenness of the light-emitting panel.

本発明を更に詳しく説明する。本発明は、複数の面発光素子を配置して構成し、1方向に光を射出する大サイズの面発光パネルに関し、より詳しくは、トップエミッション型面発光素子と、ボトムエミッション型面発光素子とを有する面発光パネルであって、前記トップエミッション型面発光素子と、前記ボトムエミッション型面発光素子の光出射方向が前記面発光パネルの光出射方向となるよう配置されていることを特徴とする。   The present invention will be described in more detail. The present invention relates to a large-sized surface light-emitting panel configured by arranging a plurality of surface light-emitting elements and emitting light in one direction, and more specifically, a top emission type surface light-emitting element, a bottom emission type surface light-emitting element, A surface light emitting panel having a surface emitting panel, wherein the light emission direction of the top emission type surface light emitting element and the bottom emission type surface light emitting element is arranged to be the light emission direction of the surface light emitting panel. .

面発光パネルを光出射面垂直方向から見て、トップエミッション型面発光素子と、ボトムエミッション型面発光素子とが交互に配置され、かつトップエミッション型面発光素子の発光領域と、ボトムエミッション型面発光素子の発光領域とが接合して、もしくは重なりをもつように配置することで、面発光パネル面内の非発光領域を低減もしくは消失させ、このパネル構造により、発光時に面発光素子同士の境界を視覚的に認識されにくくすることができる。   When the surface emitting panel is viewed from the vertical direction of the light emitting surface, the top emission type surface light emitting device and the bottom emission type surface light emitting device are alternately arranged, and the light emitting region of the top emission type surface emitting device and the bottom emission type surface The non-light emitting area in the surface light emitting panel surface is reduced or eliminated by arranging the light emitting elements so that they are joined or overlapped with each other. This panel structure reduces the boundary between the surface light emitting elements during light emission. Can be made difficult to be visually recognized.

複数の面発光素子で構成される面発光パネルにおいて、素子同士を並列接続で接続すると、一部の素子が短絡した場合に、この個所に特に電流が流れやすくなり、面発光パネル自体が発光しなくなる可能性がある。この一部の短絡素子の個所のみを非発光部分に限定し、発光パネルへの影響を最小限に抑えるには、素子同士を直列接続することが好ましい。本発明の構成によれば、隣り合う面発光素子同士で、陰極と陽極とが交互に配置されるため、直列接続が容易となり、かつ面発光素子間の非発光領域を低減あるいは消失させた発光パネルを構成できる。   In a surface-emitting panel composed of a plurality of surface-emitting elements, when the elements are connected in parallel, when some of the elements are short-circuited, a current easily flows through this area, and the surface-emitting panel itself emits light. There is a possibility of disappearing. In order to limit only a part of the part of the short-circuiting element to the non-light-emitting portion and minimize the influence on the light-emitting panel, it is preferable to connect the elements in series. According to the configuration of the present invention, since the cathodes and the anodes are alternately arranged between the adjacent surface light emitting elements, the series connection is facilitated and the non-light emitting region between the surface light emitting elements is reduced or eliminated. Panels can be configured.

さらに面発光パネルが光透過性の素子支持基板を有し、該光透過性の素子支持基板の一方の面上にトップエミッション型面発光素子を配置し、該光透過性の素子支持基板の他方の面上にボトムエミッション型面発光素子を配置する構成によれば、面発光パネルを光出射面垂直方向から見て、素子の発光領域同士を接合して、もしくは重なりをもって配置させることができ、面発光素子間の非発光領域を低減あるいは消失させた発光パネルを容易に構成できる。   Further, the surface light emitting panel has a light transmissive element support substrate, a top emission type surface light emitting element is disposed on one surface of the light transmissive element support substrate, and the other of the light transmissive element support substrates is arranged. According to the configuration in which the bottom emission type surface emitting element is arranged on the surface of the element, the light emitting area of the element can be joined or overlapped with each other when the surface emitting panel is viewed from the light emitting surface vertical direction, A light emitting panel in which the non-light emitting area between the surface light emitting elements is reduced or eliminated can be easily configured.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。尚、本発明の実施形態はこれらに限定されない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, embodiment of this invention is not limited to these.

図1は、本発明の実施形態に関わる面発光パネルを光出射面側から示した一例を示す平面図である。トップエミッション型面発光素子とボトムエミッション型面発光素子とを交互に配置し構成している。図2は発光面が長方形である面発光素子を用いて面発光パネルを構成した例を示す平面図である。図1、及び図2において、Tはトップエミッション型面発光素子を、Bはボトムエミッション型面発光素子をそれぞれ表している。   FIG. 1 is a plan view showing an example of a surface light emitting panel according to an embodiment of the present invention as seen from the light emitting surface side. A top emission type surface light emitting device and a bottom emission type surface light emitting device are alternately arranged. FIG. 2 is a plan view showing an example in which a surface light-emitting panel is configured using a surface light-emitting element having a rectangular light-emitting surface. 1 and 2, T represents a top emission type surface light emitting device, and B represents a bottom emission type surface light emitting device.

図3〜図6は、図1及び図2に示した面発光パネルのX−X′部分を説明する側面図である。   3-6 is a side view explaining the XX 'part of the surface emitting panel shown in FIG.1 and FIG.2.

図3は、トップエミッション型面発光素子1とボトムエミッション型面発光素子2とを交互に同一面内に配置した例である。3は面発光素子の基板を示す。図4及び図5はそれぞれ光出射面方向から見たトップエミッション型面発光素子の光出射面の位置とボトムエミッション型面発光素子の光出射面の位置とをずらした例である。   FIG. 3 shows an example in which top emission type surface light emitting devices 1 and bottom emission type surface light emitting devices 2 are alternately arranged in the same plane. Reference numeral 3 denotes a substrate of the surface light emitting element. 4 and 5 are examples in which the position of the light emitting surface of the top emission type surface light emitting element and the position of the light emitting surface of the bottom emission type surface light emitting element as viewed from the direction of the light emitting surface are shifted.

図6(a)は、面発光パネルを光出射面垂直方向から見て、トップエミッション型面発光素子の発光領域と、ボトムエミッション型面発光素子の発光領域とを接合して、もしくは重なりをもたせて配置した例である。   FIG. 6A shows a surface emitting panel viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface, where the light emitting region of the top emission type surface light emitting device and the light emitting region of the bottom emission type surface light emitting device are joined or overlapped. This is an example of arrangement.

図6(b)は、図6(a)における、面発光パネルを光出射面垂直方向から見て、トップエミッション型面発光素子の発光領域と、ボトムエミッション型面発光素子の発光領域とを接合して配置した場合の接合部分の拡大図である。尚、本発明において、トップエミッション型面発光素子の発光領域と、ボトムエミッション型面発光素子の発光領域とが接合して配置されているとは、面発光パネルを光出射面垂直方向から見て、トップエミッション型面発光素子の発光領域と、ボトムエミッション型面発光素子の発光領域とが重なって観察されず、かつ発光領域同士の境界に隙間が観察されないことであり、必ずしも発光領域同士が物理的に接合していることを意味しない。   FIG. 6B shows a bonding of the light emitting region of the top emission type surface light emitting device and the light emitting region of the bottom emission type surface light emitting device when the surface emitting panel in FIG. It is an enlarged view of the junction part at the time of arrange | positioning. In the present invention, the fact that the light emitting region of the top emission type surface light emitting element and the light emitting region of the bottom emission type surface light emitting device are joined and arranged means that the surface emitting panel is viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface. The light emission region of the top emission type surface light emitting device and the light emission region of the bottom emission type surface light emitting device are not observed overlapping each other, and no gap is observed at the boundary between the light emission regions. It does not mean that they are joined together.

図6(c)は、図6(a)における、面発光パネルを光出射面垂直方向から見てトップエミッション型面発光素子の発光領域と、ボトムエミッション型面発光素子の発光領域とを重なりをもたせて配置した場合の重なり部分の拡大図である。尚、本発明において、トップエミッション型面発光素子の発光領域と、ボトムエミッション型面発光素子の発光領域とが重なりをもって配置されているとは、面発光パネルを光出射面垂直方向から見て、トップエミッション型面発光素子の発光領域と、ボトムエミッション型面発光素子の発光領域とが重なって観察されることであり、必ずしも発光領域同士が物理的に重なって接合していることを意味しない。   FIG. 6C shows the overlap of the light emission region of the top emission type surface light emitting device and the light emission region of the bottom emission type surface light emitting device when the surface light emitting panel in FIG. It is an enlarged view of the overlap part at the time of arrange | positioning. In the present invention, the light emitting region of the top emission type surface light emitting device and the light emitting region of the bottom emission type surface light emitting device are arranged so as to overlap each other. The light emitting region of the top emission type surface light emitting device and the light emitting region of the bottom emission type surface light emitting device are observed to overlap each other, and does not necessarily mean that the light emitting regions are physically overlapped and joined.

発光層を含む機能層5は、第1電極4、第2電極6を有する。尚、封止は図示していない。   The functional layer 5 including the light emitting layer has a first electrode 4 and a second electrode 6. Sealing is not shown.

図7は、本発明に関わる面発光パネルにおいて、面発光パネルが光透過性の素子支持基板7を有し、該光透過性の素子支持基板7の一方の面上にトップエミッション型面発光素子1が配置され、該光透過性の素子支持基板7の他方の面上にボトムエミッション型面発光素子2が、面発光パネルの光出射面方向から見て、トップエミッション型面発光素子1とボトムエミッション型面発光素子2とが交互となるように配置された面発光パネルの例を説明する側面図である。   FIG. 7 shows a surface emitting panel according to the present invention, in which the surface emitting panel has a light-transmitting element supporting substrate 7, and a top emission type surface emitting element is provided on one surface of the light transmitting element supporting substrate 7. 1 is disposed on the other surface of the light-transmitting element support substrate 7, and the bottom emission type surface light emitting element 2 and the bottom emission type surface light emitting element 1 are seen from the light emitting surface direction of the surface emitting panel. It is a side view explaining the example of the surface emitting panel arrange | positioned so that the emission type surface emitting element 2 may become alternate.

図8(a)は、図7に関わる面発光パネルにおいて、面発光パネルを光出射面垂直方向から見て、トップエミッション型面発光素子の発光領域と、ボトムエミッション型面発光素子の発光領域とを接合して、もしくは重なりをもたせて配置した例である。   FIG. 8A shows a light emitting region of a top emission type surface light emitting device and a light emitting region of a bottom emission type surface light emitting device in the surface light emitting panel related to FIG. This is an example in which these are joined together or overlapped.

図8(b)は、図8(a)における、面発光パネルを光出射面垂直方向から見て、トップエミッション型面発光素子の発光領域と、ボトムエミッション型面発光素子の発光領域とを接合して配置した場合の接合部分の拡大図である。   FIG. 8B shows a bonding of the light emitting region of the top emission type surface light emitting device and the light emitting region of the bottom emission type surface light emitting device when the surface emitting panel in FIG. It is an enlarged view of the junction part at the time of arrange | positioning.

図8(c)は、図8(a)における、面発光パネルを光出射面垂直方向から見て、トップエミッション型面発光素子の発光領域と、ボトムエミッション型面発光素子の発光領域とを重なりをもたせて配置した場合の重なり部分の拡大図である。尚、封止は図示していない。   FIG. 8 (c) shows that the light emitting region of the top emission type surface light emitting device overlaps the light emitting region of the bottom emission type surface light emitting device when the surface emitting panel in FIG. It is an enlarged view of the overlapping part at the time of arrange | positioning. Sealing is not shown.

本発明における前記光透過性の素子支持基板、及び本発明の面発光パネルを構成する面発光素子に用いられる支持基板としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はないが、好ましくは、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましくは、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。   The support substrate used in the light-transmitting element support substrate in the present invention and the surface light-emitting element constituting the surface light-emitting panel of the present invention is not particularly limited in the type of glass, plastic, etc. Examples thereof include glass, quartz, and a transparent resin film. Particularly preferred is a resin film capable of giving flexibility to the organic EL element.

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。   Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide, polyether Sulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones, polyether Examples include cycloolefin resins such as luimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Apel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals). It is done.

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド皮膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度(40℃、90%RH)が0.01g/m・day・atm以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更にはJIS K 7126−1992に準拠した方法で測定された酸素透過度(20℃、100%RH)が10−3g/m/day以下、水蒸気透過度が10−3g/m/day以下の高バリア性フィルムであることが好ましく、前記の水蒸気透過度、酸素透過度がいずれも10−5g/m/day以下であることが更に好ましい。 On the surface of the resin film, an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both may be formed. Water vapor permeability measured by a method in accordance with JIS K 7129-1992 (40 ° C., 90% RH) Is preferably a barrier film of 0.01 g / m 2 · day · atm or less, and further has an oxygen permeability (20 ° C., 100% RH) of 10 measured by a method according to JIS K 7126-1992. −3 g / m 2 / day or less and a water vapor transmission rate of 10 −3 g / m 2 / day or less are preferable, and both the water vapor transmission rate and the oxygen transmission rate are 10 −5. More preferably, it is g / m 2 / day or less.

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。   As a material for forming the barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing entry of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.

バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。   The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma weight A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, and the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.

本発明において、前記光透過性の素子支持基板に面発光素子を配置するには、粘着剤及び接着剤を用いることができる。粘着剤及び接着剤の種類は特に限定されないが、接着剤においては、塗布し、貼り合わせた後に、種々の化学反応により高分子量体または架橋構造を形成する硬化型接着剤が好適に用いられる。本発明で用いることのできる粘着剤及び接着剤の具体例としては、例えば、ウレタン系、エポキシ系、水性高分子−イソシアネート系、アクリル系等の硬化型接着剤及び粘着剤、湿気硬化ウレタン接着剤、ポリエーテルメタクリレート型、エステル系メタクリレート型、酸化型ポリエーテルメタクリレート等の嫌気性粘着剤、シアノアクリレート系の瞬間接着剤、アクリレートとペルオキシド系の2液型瞬間接着剤等が挙げられる。また、公知の方法を用いて粘着剤中に帯電防止剤や各種のフィラーを混ぜてもよい。   In the present invention, a pressure-sensitive adhesive and an adhesive can be used to dispose the surface light emitting element on the light transmissive element supporting substrate. The types of the pressure-sensitive adhesive and the adhesive are not particularly limited, and in the adhesive, a curable adhesive that forms a high molecular weight body or a crosslinked structure by various chemical reactions after being applied and bonded is preferably used. Specific examples of pressure-sensitive adhesives and adhesives that can be used in the present invention include, for example, urethane-based, epoxy-based, aqueous polymer-isocyanate-based, acrylic-based curable adhesives and pressure-sensitive adhesives, and moisture-cured urethane adhesives. And anaerobic pressure-sensitive adhesives such as polyether methacrylate type, ester type methacrylate type and oxidized type polyether methacrylate, cyanoacrylate type instantaneous adhesive, acrylate and peroxide type two-pack type instantaneous adhesive, and the like. Moreover, you may mix an antistatic agent and various fillers in an adhesive using a well-known method.

上記粘着剤及び接着剤の塗布方法としては特に限定されず、一般的方法、例えば、グラビアコーター、マイクログラビアコーター、コンマコーター、バーコーター、スプレー塗布、インクジェット法等の方法が挙げられる。   The method for applying the pressure-sensitive adhesive and the adhesive is not particularly limited, and examples thereof include general methods such as gravure coater, micro gravure coater, comma coater, bar coater, spray coating, and ink jet method.

図9は、本発明に関わる面発光パネルであって、面発光パネルが光透過性の素子支持基板を有し、該光透過性の素子支持基板の一方の面上にトップエミッション型面発光素子が配置され、該光透過性の素子支持基板の他方の面上にボトムエミッション型面発光素子が配置された面発光パネルにおいて、光透過性の素子支持基板がトップエミッション型面発光素子、及びボトムエミッション型面発光素子の各々を構成する共通の素子基板7である例を説明する側面図である。該共通の素子基板7の一方の面上にトップエミッション型面発光素子1が、該共通の素子基板7の他方の面上にボトムエミッション型面発光素子2が、面発光パネルの光出射面方向から見て、トップエミッション型面発光素子1とボトムエミッション型面発光素子2とが交互となるように形成されている。   FIG. 9 shows a surface light emitting panel according to the present invention, in which the surface light emitting panel has a light transmissive element support substrate, and a top emission type surface light emitting element is provided on one surface of the light transmissive element support substrate. In which a bottom emission type surface light emitting element is disposed on the other surface of the light transmissive element support substrate, the light transmissive element support substrate is a top emission type surface light emitting element, and a bottom surface. It is a side view explaining the example which is the common element substrate 7 which comprises each of an emission type surface light emitting element. The top emission type surface light emitting element 1 is disposed on one surface of the common element substrate 7, and the bottom emission type surface light emitting element 2 is disposed on the other surface of the common element substrate 7. , The top emission type surface light emitting device 1 and the bottom emission type surface light emitting device 2 are formed alternately.

図10(a)は、図9に関わる面発光パネルにおいて、面発光パネルを光出射面垂直方向から見て、トップエミッション型面発光素子の発光領域と、ボトムエミッション型面発光素子の発光領域とを接合して、もしくは重なりをもつように形成した例である。   FIG. 10A shows a light emitting region of the top emission type surface light emitting device and a light emitting region of the bottom emission type surface light emitting device when the surface light emitting panel is viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface. Are formed by joining or overlapping each other.

図10(b)は、図10(a)における、面発光パネルを光出射面垂直方向から見て、トップエミッション型面発光素子の発光領域と、ボトムエミッション型面発光素子の発光領域とを接合して配置した場合の接合部分の拡大図である。   FIG. 10B shows a bonding of the light emitting region of the top emission type surface light emitting device and the light emitting region of the bottom emission type surface light emitting device when the surface emitting panel in FIG. 10A is viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface. It is an enlarged view of the junction part at the time of arrange | positioning.

図10(c)は、図10(a)における、面発光パネルを光出射面垂直方向から見て、トップエミッション型面発光素子の発光領域と、ボトムエミッション型面発光素子の発光領域とを重なりをもたせて配置した場合の重なり部分の拡大図である。尚、封止は図示していない。   FIG. 10C shows the light emitting region of the top emission type surface light emitting element overlapped with the light emitting region of the bottom emission type surface light emitting device when the surface emitting panel in FIG. It is an enlarged view of the overlapping part at the time of arrange | positioning. Sealing is not shown.

上述の本発明に関わる面発光パネルに対して、複数の面発光素子を用いて構成される従来の一般的な面発光パネルを図11〜図13に示した。   A conventional general surface light emitting panel configured by using a plurality of surface light emitting elements with respect to the surface light emitting panel according to the present invention is shown in FIGS.

図11はその側面方向からの態様を図示している。面発光パネル8は、一般的に面発光素子9を同一面内に配置して構成される。面発光素子9の側面同士を接続部を介して接続する、あるいは共通の支持基板上に配列させる等の手段が用いられる。   FIG. 11 illustrates an aspect from the side surface direction. The surface light emitting panel 8 is generally configured by arranging the surface light emitting elements 9 in the same plane. Means such as connecting the side surfaces of the surface light emitting elements 9 via a connecting portion or arranging them on a common support substrate is used.

図12は光出射面方向からみた隣接する面発光素子同士の拡大図、図13は側面方向から見た面発光素子の接合部分の拡大図である。発光領域は11で示した。面発光パネル8を構成する面発光素子9の境界の接合部10は硬化性樹脂等によって形成されるが、通常2〜5mm程度の幅をもつため、非発光領域として視覚的に認識されやすい。   FIG. 12 is an enlarged view of adjacent surface light emitting elements viewed from the light emitting surface direction, and FIG. 13 is an enlarged view of a joint portion of the surface light emitting elements viewed from the side surface direction. The light emitting area is indicated by 11. The joint portion 10 at the boundary of the surface light emitting element 9 constituting the surface light emitting panel 8 is formed of a curable resin or the like, but usually has a width of about 2 to 5 mm, so that it is easily visually recognized as a non-light emitting region.

また、有機EL素子等の複数の面発光素子で構成される面発光パネルにおいて、素子同士を並列接続で接続すると、一部の素子が短絡した場合に、面発光パネル自体が発光しなくなる可能性がある。この一部の短絡素子の個所のみを非発光部分に限定し、発光パネル全体への影響を最小限に抑えるには、素子同士を直列接続することが好ましい。   In addition, in a surface light-emitting panel composed of a plurality of surface light-emitting elements such as organic EL elements, when the elements are connected in parallel, the surface light-emitting panel itself may not emit light when some of the elements are short-circuited. There is. In order to limit only a part of the part of the short-circuit elements to the non-light-emitting portion and minimize the influence on the entire light-emitting panel, it is preferable to connect the elements in series.

図11〜図13で示した従来の面発光素子においては、隣り合う面発光素子同士で陰極と陽極を交互に接続するには、例えば、面発光素子の出射面側の電極は隣接する面発光素子の出射面側とは反対側の電極と接続する必要がある為、この配線が煩雑となり、また配線の領域を十分に確保する必要がある。   In the conventional surface light emitting devices shown in FIGS. 11 to 13, in order to alternately connect the cathodes and anodes between adjacent surface light emitting devices, for example, the electrodes on the emission surface side of the surface light emitting device are adjacent surface emitting devices. Since it is necessary to connect to the electrode on the side opposite to the emission surface side of the element, this wiring becomes complicated and it is necessary to secure a sufficient area for the wiring.

図3〜図5、図7、及び図9に示した本発明に関わる面発光パネルを光出射面方向からみた隣接する面発光素子同士の拡大図の例を図14に示した。   FIG. 14 shows an example of an enlarged view of adjacent surface light emitting elements when the surface light emitting panel according to the present invention shown in FIGS. 3 to 5, 7, and 9 is viewed from the light emitting surface direction.

本発明に関わる面発光パネル8は、隣り合う面発光素子同士で、陰極と陽極とが交互に配置されることにより、直列接続が容易に形成できる為、図11〜図13に示した従来の一般的な面発光パネルに対して、面発光素子間の接合部10の間隔を狭めることができ、非発光領域を低減させた発光パネルを形成できる。   Since the surface emitting panel 8 according to the present invention can be easily formed in series by arranging the cathode and the anode alternately between adjacent surface emitting elements, the conventional surface emitting panel shown in FIGS. Compared to a general surface light emitting panel, the distance between the joints 10 between the surface light emitting elements can be reduced, and a light emitting panel with a reduced non-light emitting region can be formed.

また、図6(a)、図8(a)、及び図10(a)に示した本発明に関わる面発光パネルを光出射面方向からみた隣接する面発光素子同士の拡大図を図15に示した。図15に示した面発光パネル8においては、光出射面垂直方向から見て、面発光素子の発光領域同士を接合して、もしくは重なりをもって配置させるため、面発光素子間の接合部における非発光領域をさらに低減、もしくは消失させた発光パネルを形成できる。   FIG. 15 is an enlarged view of adjacent surface light emitting elements when the surface light emitting panel according to the present invention shown in FIGS. 6A, 8A, and 10A is viewed from the light emitting surface direction. Indicated. In the surface light emitting panel 8 shown in FIG. 15, since the light emitting regions of the surface light emitting elements are joined or overlapped when viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface, no light is emitted at the joint between the surface light emitting elements. A light-emitting panel in which the area is further reduced or eliminated can be formed.

図7、及び図9に示した本発明の形態である、面発光パネルが光透過性の素子支持基板を有し、該光透過性の素子支持基板の一方の面上にトップエミッション型面発光素子を配置し、該光透過性の素子支持基板の他方の面上にボトムエミッション型面発光素子を配置する構成によれば、それぞれの面上の面発光素子同士を直列接続させて、かつ面発光パネルを光出射面垂直方向から見て、素子の発光領域同士を接合して、もしくは重なりをもって配置させることができ、面発光素子間の非発光領域を消失させた発光パネルを構成できる。   7 and 9, the surface light-emitting panel includes a light-transmitting element supporting substrate, and a top emission type surface emitting light is provided on one surface of the light-transmitting element supporting substrate. According to the configuration in which the elements are disposed and the bottom emission type surface light emitting elements are disposed on the other surface of the light transmissive element supporting substrate, the surface light emitting elements on each surface are connected in series, and the surface When the light emitting panel is viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface, the light emitting areas of the elements can be joined or overlapped to form a light emitting panel in which the non-light emitting areas between the surface light emitting elements are eliminated.

本発明に係わる面発光パネルにおいて、複数配置した面発光素子の間隙部には、ガラス、シリカ等の無機材料、樹脂、粘着剤、接着剤等を充填してもよい。PET(ポリエチレンテレフタレート)やTAC(トリアセチルセルロース)やPC(ポリカーボネート)あるいはPMMA(ポリメチルメタクリレート)等のような透明樹脂や、ウレタン系、エポキシ系、水性高分子−イソシアネート系、アクリル系等の粘着剤、ポリエーテルメタクリレート型、エステル系メタクリレート型、酸化型ポリエーテルメタクリレート等の嫌気性粘着剤等、さらにウレタン系、エポキシ系、水性高分子−イソシアネート系、アクリル系等の硬化型接着剤等が挙げられ、さらに各種のUV硬化樹脂、熱硬化樹脂等を用いることができる。さらに、光散乱性、光反射性の材料を充填することもできる。   In the surface light emitting panel according to the present invention, gaps between a plurality of surface light emitting elements may be filled with an inorganic material such as glass or silica, a resin, an adhesive, an adhesive, or the like. Transparent resins such as PET (polyethylene terephthalate), TAC (triacetyl cellulose), PC (polycarbonate), or PMMA (polymethyl methacrylate), and adhesives such as urethane, epoxy, aqueous polymer-isocyanate, and acrylic Agents, anaerobic pressure-sensitive adhesives such as polyether methacrylate type, ester type methacrylate type, oxidized type polyether methacrylate and the like, and urethane type, epoxy type, aqueous polymer-isocyanate type, acrylic type curable adhesives, etc. Furthermore, various UV curable resins, thermosetting resins, and the like can be used. Further, a light scattering material and a light reflecting material can be filled.

さらに、図では省略しているが、必要に応じて封止、保護膜、補助電極等を設けてもよく、第1電極4及び第2電極6以外の電極が積層されていてもよい。また、第1電極4と第2電極6の配置は逆であってもよい。   Furthermore, although omitted in the drawing, sealing, a protective film, an auxiliary electrode, and the like may be provided as necessary, and electrodes other than the first electrode 4 and the second electrode 6 may be laminated. The arrangement of the first electrode 4 and the second electrode 6 may be reversed.

発光層を含む機能層5には、発光層以外に、電荷注入層、電荷輸送層、絶縁層、キャリアブロック層、中間層、光調整層、保護膜、バリア層、及びこれらの混合層などを任意に設けることができる。   In addition to the light emitting layer, the functional layer 5 including the light emitting layer includes a charge injection layer, a charge transport layer, an insulating layer, a carrier block layer, an intermediate layer, a light adjustment layer, a protective film, a barrier layer, and a mixed layer thereof. It can be arbitrarily provided.

本発明に関わる発光パネルに用いられる面発光素子に制限はないが、EL素子であることが好ましく、有機EL素子であることがより好ましい。   Although there is no restriction | limiting in the surface emitting element used for the light emission panel in connection with this invention, It is preferable that it is an EL element and it is more preferable that it is an organic EL element.

以下、本発明に関わる発光パネルを有機EL素子で構成する場合の好ましい態様を説明するが、本発明はこれに限定されない。   Hereinafter, although the preferable aspect in the case of comprising the light emission panel in connection with this invention with an organic EL element is demonstrated, this invention is not limited to this.

有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示す。
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
ここで、発光層は、少なくとも発光色の異なる2種以上の発光材料を含有していることが好ましく、単層でも複数の発光層からなる発光層ユニットを形成していてもよい。また、正孔輸送層には正孔注入層、電子阻止層も含まれる。
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
Preferred specific examples of the layer structure of the organic EL element are shown below.
(I) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (ii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (iii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron Transport layer / cathode (iv) anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (v) anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole Blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode Here, the light emitting layer preferably contains at least two kinds of light emitting materials having different emission colors, and a single layer or a light emitting layer comprising a plurality of light emitting layers A unit may be formed. The hole transport layer also includes a hole injection layer and an electron blocking layer.
<Light emitting layer>
The light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.

本発明に係る発光層は、含まれる発光材料が前記要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。   The light emitting layer according to the present invention is not particularly limited in its configuration as long as the contained light emitting material satisfies the above requirements.

また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。   Moreover, there may be a plurality of layers having the same emission spectrum and emission maximum wavelength.

各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。   It is preferable to have a non-light emitting intermediate layer between each light emitting layer.

本発明における発光層の膜厚の総和は1〜100nmの範囲にあることが好ましく、更に好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから30nm以下である。なお、本発明でいうところの発光層の膜厚の総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、該中間層も含む膜厚である。   The total thickness of the light emitting layers in the present invention is preferably in the range of 1 to 100 nm, and more preferably 30 nm or less because a lower driving voltage can be obtained. In addition, the sum total of the film thickness of the light emitting layer said by this invention is a film thickness also including this intermediate | middle layer, when a nonluminous intermediate | middle layer exists between light emitting layers.

個々の発光層の膜厚としては1〜50nmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは1〜20nmの範囲に調整することである。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はない。   The thickness of each light emitting layer is preferably adjusted to a range of 1 to 50 nm, more preferably adjusted to a range of 1 to 20 nm. There is no particular limitation on the relationship between the film thicknesses of the blue, green and red light emitting layers.

発光層の作製には、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。   For the production of the light emitting layer, a light emitting material or a host compound, which will be described later, is formed by forming a film by a known thinning method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, an ink jet method, or the like. it can.

本発明においては、各発光層には複数の発光材料を混合してもよく、また燐光発光材料と蛍光発光材料を同一発光層中に混合して用いてもよい。   In the present invention, a plurality of light emitting materials may be mixed in each light emitting layer, and a phosphorescent light emitting material and a fluorescent light emitting material may be mixed and used in the same light emitting layer.

本発明においては、発光層の構成として、ホスト化合物、発光材料(発光ドーパント化合物ともいう)を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。   In the present invention, the structure of the light-emitting layer preferably contains a host compound and a light-emitting material (also referred to as a light-emitting dopant compound) and emits light from the light-emitting material.

本発明の有機EL素子の発光層に含有されるホスト化合物としては、室温(25℃)における燐光発光の燐光量子収率が0.1未満の化合物が好ましい。更に好ましくは燐光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が50%以上であることが好ましい。   As a host compound contained in the light emitting layer of the organic EL device of the present invention, a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission at room temperature (25 ° C.) of less than 0.1 is preferable. More preferably, the phosphorescence quantum yield is less than 0.01. Moreover, it is preferable that the volume ratio in the layer is 50% or more among the compounds contained in a light emitting layer.

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。   As the host compound, known host compounds may be used alone or in combination of two or more. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient. Moreover, it becomes possible to mix different light emission by using multiple types of luminescent material mentioned later, and can thereby obtain arbitrary luminescent colors.

本発明に用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でもいい。   The host compound used in the present invention may be a conventionally known low molecular compound or a high molecular compound having a repeating unit, and a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (evaporation polymerizable light emitting host). )But it is good.

公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。ここで、ガラス転移点(Tg)とは、DSC(Differential Scanning Colorimetry:示差走査熱量法)を用いて、JIS−K−7121に準拠した方法により求められる値である。   As the known host compound, a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents the emission of light from being increased in wavelength, and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable. Here, the glass transition point (Tg) is a value obtained by a method based on JIS-K-7121 using DSC (Differential Scanning Colorimetry).

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。例えば、特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等が挙げられる。   Specific examples of known host compounds include compounds described in the following documents. For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860 Gazette, 2002-334787 gazette, 2002-15871 gazette, 2002-334788 gazette, 2002-43056 gazette, 2002-334789 gazette, 2002-75645 gazette, 2002-338579 gazette. No. 2002-105445, No. 2002-343568, No. 2002-141173, No. 2002-352957, No. 2002-203683, No. 2002-363227, No. 2002-231453. No. 2003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-286061, No. 2002-280183, No. 2002-299060. 2002-302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837, and the like.

次に、発光材料について説明する。   Next, the light emitting material will be described.

本発明に係る発光材料としては、蛍光性化合物、燐光発光材料(燐光性化合物、燐光発光性化合物等ともいう)を用いる。   As the light-emitting material according to the present invention, a fluorescent compound or a phosphorescent material (also referred to as a phosphorescent compound or a phosphorescent compound) is used.

本発明において、燐光発光材料とは励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温(25℃)にて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は0.1以上である。   In the present invention, a phosphorescent material is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, it is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and the phosphorescence quantum yield is 0 at 25 ° C. A preferred phosphorescence quantum yield is 0.1 or more, although it is defined as 0.01 or more compounds.

上記燐光量子収率は第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明において燐光発光材料を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記燐光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。   The phosphorescent quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition. The phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents. However, when a phosphorescent material is used in the present invention, the phosphorescence quantum yield (0.01 or more) is achieved in any solvent. Just do it.

燐光発光材料の発光は原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光発光材料に移動させることで燐光発光材料からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つは燐光発光材料がキャリアトラップとなり、燐光発光材料上でキャリアの再結合が起こり燐光発光材料からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、燐光発光材料の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。   There are two types of light emission of the phosphorescent material. In principle, the carrier recombination occurs on the host compound to which the carrier is transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is transferred to the phosphorescent material. Energy transfer type to obtain light emission from the phosphorescent light emitting material, and another one is that the phosphorescent light emitting material becomes a carrier trap, and recombination of carriers occurs on the phosphorescent light emitting material, and light emission from the phosphorescent light emitting material is obtained. Although it is a trap type, in any case, the excited state energy of the phosphorescent material is required to be lower than the excited state energy of the host compound.

燐光発光材料は、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で8〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。   The phosphorescent light-emitting material can be appropriately selected from known materials used for the light-emitting layer of the organic EL element, and is preferably a complex compound containing a group 8-10 metal in the periodic table of elements. More preferably, an iridium compound, an osmium compound, or a platinum compound (platinum complex compound), or a rare earth complex, and most preferably an iridium compound.

以下に燐光発光材料として用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.40巻、1704〜1711に記載の方法等により合成できる。   Specific examples of the compound used as the phosphorescent material are shown below, but the present invention is not limited to these. These compounds are described, for example, in Inorg. Chem. 40, 1704-1711, and the like.

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本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子には、蛍光発光体を用いることもできる。蛍光発光体(蛍光性ドーパント)の代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。   A fluorescent substance can also be used for the organic electroluminescent element of the present invention. Representative examples of fluorescent emitters (fluorescent dopants) include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes. Examples thereof include dyes, perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex phosphors.

また、従来公知のドーパントも本発明に用いることができ、例えば、国際公開第00/70655号パンフレット、特開2002−280178号公報、同2001−181616号公報、同2002−280179号公報、同2001−181617号公報、同2001−345183号公報、同2002−324679号公報、国際公開第02/15645号パンフレット、特開2002−332291号公報、同2002−50484号公報、同2002−332292号公報、同2002−83684号公報、特表2002−540572号公報、特開2002−117978号公報、同2002−338588号公報、同2002−170684号公報、同2002−352960号公報、国際公開第01/93642号パンフレット、特開2002−50483号公報、同2002−100476号公報、同2002−173674号公報、同2002−359082号公報、同2002−175884号公報、同2002−363552号公報、同2002−184582号公報、同2003−7469号公報、特表2002−525808号公報、特開2003−7471号公報、特表2002−525833号公報、特開2003−31366号公報、同2002−226495号公報、同2002−234894号公報、同2002−235076号公報、同2002−241751号公報、同2001−319779号公報、同2001−319780号公報、同2002−62824号公報、同2002−100474号公報、同2002−203679号公報、同2002−343572号公報、同2002−203678号公報等が挙げられる。   Conventionally known dopants can also be used in the present invention. For example, International Publication No. 00/70655 pamphlet, JP-A Nos. 2002-280178, 2001-181616, 2002-280179, 2001 181617, 2001-345183, 2002-324679, WO 02/15645, JP-A 2002-332291, 2002-50484, 2002-332292, 2002-83684, JP-T 2002-540572, JP-A 2002-117978, 2002-338588, 2002-170684, 2002-352960, International Publication No. 01/93642 No. Pamphlet G, JP 2002-50483 A, 2002-100476, 2002-173684, 2002-359082, 2002-17584, 2002-363552, 2002-184582. JP, 2003-7469, JP 2002-525808, JP 2003-7471, JP 2002-525833, JP 2003-31366, 2002-226495, 2002 No. 234894, No. 2002-235076, No. 2002-241771, No. 2001-31979, No. 2001-319780, No. 2002-62824, No. 2002-1000047, No. 2002. 203679 Publication, the 2002-343572 and JP Laid Nos. 2002-203678 and the like.

本発明においては、少なくとも一つの発光層に2種以上の発光材料を含有していてもよく、発光層における発光材料の濃度比が発光層の厚さ方向で変化していてもよい。
《中間層》
本発明において、各発光層間に非発光性の中間層(非ドープ領域等ともいう)を設ける場合について説明する。
In the present invention, at least one light emitting layer may contain two or more kinds of light emitting materials, and the concentration ratio of the light emitting materials in the light emitting layer may vary in the thickness direction of the light emitting layer.
《Middle layer》
In the present invention, a case where a non-light emitting intermediate layer (also referred to as an undoped region) is provided between the light emitting layers will be described.

非発光性の中間層とは、複数の発光層を有する場合、その発光層間に設けられる層である。   The non-light emitting intermediate layer is a layer provided between the light emitting layers in the case of having a plurality of light emitting layers.

非発光性の中間層の膜厚としては1〜20nmの範囲にあるのが好ましく、更には3〜10nmの範囲にあることが隣接発光層間のエネルギー移動等相互作用を抑制し、且つ素子の電流電圧特性に大きな負荷を与えないということから好ましい。   The film thickness of the non-light emitting intermediate layer is preferably in the range of 1 to 20 nm, and further in the range of 3 to 10 nm suppresses interaction such as energy transfer between adjacent light emitting layers, and the current of the device This is preferable because a large load is not applied to the voltage characteristics.

この非発光性の中間層に用いられる材料としては、発光層のホスト化合物と同一でも異なっていてもよいが、隣接する2つの発光層の少なくとも一方の発光層のホスト材料と同一であることが好ましい。   The material used for the non-light emitting intermediate layer may be the same as or different from the host compound of the light emitting layer, but may be the same as the host material of at least one of the adjacent light emitting layers. preferable.

非発光性の中間層は非発光層、各発光層と共通の化合物(例えば、ホスト化合物等)を含有していてもよく、各々共通ホスト材料(ここで、共通ホスト材料が用いられるとは、燐光発光エネルギー、ガラス転移点等の物理化学的特性が同一である場合やホスト化合物の分子構造が同一である場合等を示す。)を含有することにより、発光層−非発光層間の層間の注入障壁が低減され、電圧(電流)を変化させても正孔と電子の注入バランスが保ちやすいという効果を得ることができる。更に、非ドープ発光層に各発光層に含まれるホスト化合物と同一の物理的特性または同一の分子構造を有するホスト材料を用いることにより、従来の有機EL素子作製の大きな問題点である素子作製の煩雑さをも併せて解消することができる。   The non-light-emitting intermediate layer may contain a non-light-emitting layer, a compound common to each light-emitting layer (for example, a host compound), and each common host material (where a common host material is used) In the case where the physicochemical characteristics such as phosphorescence emission energy and glass transition point are the same, or the molecular structure of the host compound is the same, etc.) The barrier is reduced, and the effect of easily maintaining the injection balance of holes and electrons even when the voltage (current) is changed can be obtained. Furthermore, by using a host material having the same physical characteristics or the same molecular structure as the host compound contained in each light-emitting layer in the undoped light-emitting layer, device fabrication, which is a major problem in conventional organic EL device fabrication, is achieved. Complexity can also be eliminated.

本発明で有機EL素子を用いる場合、ホスト材料はキャリアの輸送を担うため、キャリア輸送能を有する材料が好ましい。キャリア輸送能を表す物性としてキャリア移動度が用いられるが、有機材料のキャリア移動度は一般的に電界強度に依存性が見られる。電界強度依存性の高い材料は正孔と電子注入・輸送バランスを崩しやすいため、中間層材料、ホスト材料は移動度の電界強度依存性の少ない材料を用いることが好ましい。   When the organic EL device is used in the present invention, since the host material is responsible for carrier transport, a material having carrier transport capability is preferable. Carrier mobility is used as a physical property representing carrier transport ability, but the carrier mobility of an organic material generally depends on the electric field strength. Since a material having a high electric field strength dependency easily breaks the balance between injection and transport of holes and electrons, it is preferable to use a material having a low electric field strength dependency of mobility for the intermediate layer material and the host material.

また、一方では正孔や電子の注入バランスを最適に調整するためには、非発光性の中間層は後述する阻止層、即ち正孔阻止層、電子阻止層として機能することも好ましい態様として挙げられる。   On the other hand, in order to optimally adjust the injection balance of holes and electrons, it is also preferable that the non-light emitting intermediate layer functions as a blocking layer described later, that is, a hole blocking layer and an electron blocking layer. It is done.

《注入層:電子注入層、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
<< Injection layer: electron injection layer, hole injection layer >>
The injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, it exists between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. May be.

注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。   An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce drive voltage and improve light emission luminance. “Organic EL element and its forefront of industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).

陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。   The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, copper phthalocyanine is used. Examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.

陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。   The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer typified by lithium, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc. . The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm although it depends on the material.

《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
<Blocking layer: hole blocking layer, electron blocking layer>
The blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film as described above. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258, 11-204359, and “Organic EL elements and their forefront of industrialization” (issued by NTT, Inc. on November 30, 1998). There is a hole blocking (hole blocking) layer.

正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。   The hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense, and is made of a hole blocking material that has a function of transporting electrons and has a remarkably small ability to transport holes. The probability of recombination of electrons and holes can be improved by blocking. Moreover, the structure of the electron carrying layer mentioned later can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed. The hole blocking layer is preferably provided adjacent to the light emitting layer.

一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては好ましくは3〜100nmであり、更に好ましくは5〜30nmである。   On the other hand, the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense, and is made of a material having a function of transporting holes while having a very small ability to transport electrons, and transporting electrons while transporting holes. By blocking, the recombination probability of electrons and holes can be improved. Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed. The film thickness of the hole blocking layer and the electron transport layer according to the present invention is preferably 3 to 100 nm, and more preferably 5 to 30 nm.

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
《Hole transport layer》
The hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。   The hole transport material has any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.

正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。   The above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.

芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノフェニル;N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N’,N’−テトラ−p−トリル−4,4’−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4’−ジアミノビフェニル;N,N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル;4,4’−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4’−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4’−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4’−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4’,4’’’−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。   Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl; N, N′-diphenyl-N, N′— Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N′-diphenyl-N, N ′ − (4-methoxyphenyl) -4,4′-diaminobiphenyl; N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminodiphenyl ether; 4,4′-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 ′-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, as well as two of those described in US Pat. No. 5,061,569 Having a condensed aromatic ring in the molecule, for example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-3086 4,4 ′, 4 ′ ″-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenyl in which three triphenylamine units described in No. 8 are linked in a starburst type An amine (MTDATA) etc. are mentioned.

更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used. In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.

また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような所謂、p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。   JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. A so-called p-type hole transport material described in a book (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used. In the present invention, it is preferable to use these materials because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained.

正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。   The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. it can. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5-200 nm. The hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。   Alternatively, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。   In the present invention, it is preferable to use a hole transport layer having such a high p property because a device with lower power consumption can be produced.

《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
《Electron transport layer》
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Conventionally, in the case of a single electron transport layer and a plurality of layers, an electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for an electron transport layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side is injected from the cathode. As long as it has a function of transferring electrons to the light-emitting layer, any material can be selected and used from among conventionally known compounds. For example, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives Thiopyrandioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives and the like. Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material. Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。 In addition, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq 3 ), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) Aluminum, tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc., and the central metals of these metal complexes are In, Mg Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as electron transport materials. In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material. Further, the distyrylpyrazine derivatives exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as the electron transport material, and inorganic semiconductors such as n-type-Si and n-type-SiC can be used as well as the hole injection layer and the hole transport layer. It can be used as an electron transport material.

電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。   The electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5-200 nm. The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。   Further, an electron transport layer having a high n property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。   In the present invention, it is preferable to use an electron transport layer having such a high n property because an element with lower power consumption can be manufactured.

《封止》
本発明の有機EL素子の封止に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
<Sealing>
Examples of the sealing means used for sealing the organic EL element of the present invention include a method of bonding a sealing member, an electrode, and a support substrate with an adhesive.

封止部材としては有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に限定されない。   The sealing member may be disposed so as to cover the display area of the organic EL element, and may be concave or flat. Moreover, transparency and electrical insulation are not particularly limited.

具体的には、ガラス板、ポリマー板、フィルム、金属板、フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。   Specifically, a glass plate, a polymer plate, a film, a metal plate, a film, etc. are mentioned. Examples of the glass plate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz. Examples of the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone. Examples of the metal plate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium, and tantalum.

本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更にはポリマーフィルムは酸素透過度10−3g/m/day以下、水蒸気透過度10−3g/m/day以下のものであることが好ましい。また、前記の水蒸気透過度、酸素透過度がいずれも10−5g/m/day以下であることが更に好ましい。 In the present invention, a polymer film and a metal film can be preferably used because the element can be thinned. Furthermore, the polymer film preferably has an oxygen permeability of 10 −3 g / m 2 / day or less and a water vapor permeability of 10 −3 g / m 2 / day or less. The water vapor permeability and oxygen permeability are more preferably 10 −5 g / m 2 / day or less.

封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。   For processing the sealing member into a concave shape, sandblasting, chemical etching, or the like is used. Specific examples of the adhesive include photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups such as acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curing adhesives such as 2-cyanoacrylates. be able to. Moreover, heat | fever and chemical curing types (two-component mixing), such as an epoxy type, can be mentioned. Moreover, hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned. Moreover, a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned.

なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。   In addition, since an organic EL element may deteriorate by heat processing, what can be adhesive-hardened from room temperature to 80 degreeC is preferable. A desiccant may be dispersed in the adhesive. Application | coating of the adhesive agent to a sealing part may use commercially available dispenser, and may print it like screen printing.

また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に、該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造をもたせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。   In addition, it is also preferable to coat the electrode and the organic layer on the outside of the electrode facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween, and form an inorganic or organic layer in contact with the support substrate to form a sealing film. it can. In this case, the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like may be used. it can. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials. The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure A plasma polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.

封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。   In the gap between the sealing member and the display area of the organic EL element, it is preferable to inject an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil in the gas phase and the liquid phase. . A vacuum can also be used. Moreover, a hygroscopic compound can also be enclosed inside.

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。   Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.), perchloric acids (eg perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, and the like), and anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.

《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
《Protective film, protective plate》
In order to increase the mechanical strength of the element, a protective film or a protective plate may be provided on the outer side of the sealing film on the side facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween or on the sealing film. In particular, when the sealing is performed by the sealing film, the mechanical strength is not necessarily high, and thus it is preferable to provide such a protective film and a protective plate. As a material that can be used for this, the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, and the like used for the sealing can be used, but the polymer film is light and thin. Is preferably used.

《電極》
本発明に関わる面発光素子においては、少なくとも第1電極と第2電極とを有する。有機EL素子を用いる場合、通常は一方が陽極、他方が陰極で構成される。以下に好ましい陽極、及び陰極の構成について述べる。
"electrode"
The surface light emitting device according to the present invention has at least a first electrode and a second electrode. When an organic EL element is used, one is usually composed of an anode and the other is a cathode. The preferred anode and cathode configurations are described below.

《陽極》
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO、ZnO等の導電性光透過性材料が挙げられる。また、IDIXO(In−ZnO)等非晶質で光透過性の導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式製膜法を用いることもできる。陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10〜1000nm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。
"anode"
As the anode in the organic EL element, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used. Specific examples of such an electrode material include metals such as Au, and conductive light transmissive materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO. Alternatively, a material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) that can form an amorphous light-transmitting conductive film may be used. For the anode, these electrode materials may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method. ), A pattern may be formed through a mask having a desired shape when the electrode material is deposited or sputtered. Or when using the substance which can be apply | coated like an organic electroconductivity compound, wet film forming methods, such as a printing system and a coating system, can also be used. The sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm.

《陰極》
一方、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
"cathode"
On the other hand, as the cathode, a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like.

これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。 Among these, from the point of durability against electron injection and oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this, for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 to 200 nm.

なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方は、光透過性となるよう、上記電極材料を適宜用いて構成することができる。陽極側を光反射性とする場合は、例えば、アルミニウム及びアルミニウム合金、銀及び銀化合物等を用いて、光反射性とすることができ、またこれら材料を用いた光反射層と、上記ITO、SnO、ZnO等の光透過性陽極とを組み合わせて用いることもできる。また、陰極側を光透過性とする場合は、例えば、アルミニウム及びアルミニウム合金、銀及び銀化合物等の導電性材料を薄く1〜20nm程度の膜厚で作製した後、上記陽極の説明で挙げた導電性光透過性材料の膜を設けることで、光透過性陰極とすることができる。 In addition, in order to transmit the emitted light, either the anode or the cathode of the organic EL element can be configured by appropriately using the electrode material so as to be light transmissive. When making the anode side light-reflective, for example, aluminum and aluminum alloy, silver and silver compounds can be used to make light-reflective, and the light-reflective layer using these materials, the ITO, A light-transmitting anode such as SnO 2 or ZnO can also be used in combination. When the cathode side is made light-transmitting, for example, a conductive material such as aluminum and an aluminum alloy, silver and a silver compound is made thin with a thickness of about 1 to 20 nm, and then mentioned in the description of the anode. By providing a film of a conductive light-transmitting material, a light-transmitting cathode can be obtained.

《有機EL素子の作製方法》
本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極からなる有機EL素子の作製法について説明する。
<< Method for producing organic EL element >>
As an example of the method for producing the organic EL device of the present invention, a method for producing an organic EL device comprising an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode will be described.

まず適当な支持基板上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10〜200nmの膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に有機EL素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層の有機化合物薄膜を形成させる。   First, a thin film made of a desired electrode material, for example, a material for an anode is formed on a suitable support substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 to 200 nm to produce an anode. . Next, an organic compound thin film of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, and an electron transport layer, which are organic EL element materials, is formed thereon.

この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス(スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法)等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法が特に好ましい。更に層毎に異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50〜450℃、真空度10−6〜10−2Pa、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、膜厚0.1nm〜5μm、好ましくは5〜200nmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。 As a method for thinning the organic compound thin film, there are a vapor deposition method and a wet process (spin coating method, casting method, ink jet method, printing method) as described above, but it is easy to obtain a uniform film and a pinhole. From the point of being difficult to form, a vacuum deposition method, a spin coating method, an ink jet method, and a printing method are particularly preferable. Further, different film forming methods may be applied for each layer. When employing a vapor deposition method for film formation, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally a boat heating temperature of 50 to 450 ° C., a degree of vacuum of 10 −6 to 10 −2 Pa, and a vapor deposition rate of 0.01 to It is desirable to select appropriately within the range of 50 nm / second, substrate temperature −50 to 300 ° C., film thickness 0.1 nm to 5 μm, preferably 5 to 200 nm.

これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下好ましくは50〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子が得られる。この有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。   After these layers are formed, a thin film made of a cathode material is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 to 200 nm, and a cathode is provided. Thus, a desired organic EL element can be obtained. The organic EL element is preferably produced from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but may be taken out halfway and subjected to different film forming methods. At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere.

また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の液晶表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。   In addition, it is also possible to reverse the production order and produce the cathode, the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode in this order. When a DC voltage is applied to the multicolor liquid crystal display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. An alternating voltage may be applied. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.

有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率1.6〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15〜20%程度の光しか取り出せないと一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は全反射を起こし、素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。   An organic EL element generally emits light within a layer having a refractive index higher than that of air (refractive index of about 1.6 to 2.1) and can extract only about 15 to 20% of light generated in the light emitting layer. It has been said. This is because light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle θ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be extracted outside the device, or between the transparent electrode or light emitting layer and the transparent substrate. This is because the light is totally reflected between the light and the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the direction of the element side surface.

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(例えば、米国特許第4,774,435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(例えば、特開昭63−314795号公報)、素子の側面等に反射面を形成する方法(例えば、特開平1−220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(例えば、特開昭62−172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(例えば、特開2001−202827号公報)、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)等がある。   As a method for improving the light extraction efficiency, for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate to prevent total reflection at the interface between the transparent substrate and the air (for example, US Pat. No. 4,774,435). ), A method of improving the efficiency by giving the substrate a light condensing property (for example, JP-A-63-314795), a method of forming a reflective surface on the side surface of the element (for example, JP-A-1-220394) Gazette), a method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between the substrate and the light emitter (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-172691), and a substrate between the substrate and the light emitter. A method of introducing a flat layer having a lower refractive index than that (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-202827), a diffraction grating between any one of the substrate, the transparent electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside). Method of forming There is 1-283751 JP), and the like.

本発明においては、これらの方法を本発明に関わる素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。   In the present invention, these methods can be used in combination with the element according to the present invention. However, a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate and a transparent electrode A method of forming a diffraction grating between any of the layers and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used. In the present invention, by combining these means, it is possible to obtain an element having higher luminance or durability.

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。   When a medium having a low refractive index is formed between the transparent electrode and the transparent substrate with a thickness longer than the wavelength of light, the light extracted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower.

低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。また更に1.35以下であることが好ましい。   Examples of the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Furthermore, it is preferable that it is 1.35 or less.

また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚みが光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。   The thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low-refractive index layer is reduced when the thickness of the low-refractive index medium is about the wavelength of light and the electromagnetic wave exuded by evanescent enters the substrate.

全反射を起こす界面またはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった、所謂ブラッグ回折により光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち、層間での全反射等により外に出ることができない光をいずれかの層間もしくは媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。   The method of introducing a diffraction grating into an interface or any medium that causes total reflection is characterized by a high effect of improving light extraction efficiency. This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction, such as first-order diffraction and second-order diffraction. Among them, light that cannot be emitted due to total reflection between layers, etc. is diffracted by introducing a diffraction grating into any layer or medium (in a transparent substrate or transparent electrode), and the light is emitted outside. I want to take it out.

導入する回折格子は二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。   It is desirable that the diffraction grating to be introduced has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. The light extraction efficiency does not increase so much. However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased.

回折格子を導入する位置としては、前述のとおりいずれかの層間もしくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。   The position where the diffraction grating is introduced may be in any one of the layers or in the medium (in the transparent substrate or the transparent electrode) as described above, but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated.

このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度が好ましい。回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。   At this time, the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium. The arrangement of the diffraction grating is preferably two-dimensionally repeated, such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.

本発明に関わる面発光素子は支持基板の光取出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。   The surface light emitting device according to the present invention is processed on the light extraction side of the support substrate, for example, so as to provide a structure on the microlens array, or in combination with a so-called condensing sheet, in a specific direction, for example, the device light emitting surface On the other hand, the brightness | luminance in a specific direction can be raised by condensing in a front direction.

マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10〜100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。   As an example of the microlens array, quadrangular pyramids having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are two-dimensionally arranged on the light extraction side of the substrate. One side is preferably 10 to 100 μm. If it becomes smaller than this, the effect of diffraction will generate | occur | produce and color, and if too large, thickness will become thick and is not preferable.

集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。   As the condensing sheet, for example, a sheet that is put into practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device can be used. As such a sheet, for example, a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used. As the shape of the prism sheet, for example, the base material may be formed by forming a △ -shaped stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 μm, or the vertex angle is rounded and the pitch is changed randomly. Other shapes may be used.

また、発光素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)等を用いることができる。   Moreover, in order to control the light emission angle from a light emitting element, you may use together a light diffusing plate and a film with a condensing sheet. For example, a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.

上記素子積層部への粘着剤層及び接着剤層の形成方法としては特に限定されず、一般的方法、例えば、グラビアコーター、マイクログラビアコーター、コンマコーター、バーコーター、スプレー塗布、インクジェット法等の方法が挙げられる。   The method for forming the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer on the element laminate is not particularly limited, and a general method such as a gravure coater, a micro gravure coater, a comma coater, a bar coater, a spray coating, an ink jet method, or the like. Is mentioned.

《用途》
本発明に関わる面発光体、及び発光パネルは、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特にカラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
<Application>
The surface light emitter and the light emitting panel according to the present invention can be used as a display device, a display, and various light emission sources. Examples of light sources include home lighting, interior lighting, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, and light sources for optical sensors. Although it is not limited to this, it can be effectively used for a backlight of a liquid crystal display device combined with a color filter and a light source for illumination.

カラーフィルターと組み合わせてディスプレイのバックライトとして用いる場合には、輝度を更に高めるため、集光シートと組み合わせて用いるのが好ましい。   When used as a backlight of a display in combination with a color filter, it is preferably used in combination with a light collecting sheet in order to further increase the luminance.

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

《面発光素子の作製》
〔面発光素子−201の作製〕
第1電極(陽極)として22mm×22mm、厚さ0.7mmのガラス基板上に、ITO(インジウムチンオキシド)を120nmの厚さで成膜した支持基板にパターニングを行った後、このITO透明電極を付けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った後、この透明支持基板を市販の真空蒸着装置に接続するプラズマ処理用チャンバー内の基板ホルダーに固定した。また、真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製またはタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
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[Fabrication of Surface Light Emitting Element-201]
After patterning a support substrate in which ITO (indium tin oxide) was formed to a thickness of 120 nm on a glass substrate of 22 mm × 22 mm and a thickness of 0.7 mm as a first electrode (anode), this ITO transparent electrode The transparent support substrate attached with is ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and after UV ozone cleaning for 5 minutes, this transparent support substrate is connected to a commercially available vacuum deposition apparatus in a plasma processing chamber. Fixed to the substrate holder. In addition, each of the vapor deposition crucibles in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with an optimum amount of the constituent material of each layer for device fabrication. The evaporation crucible used was made of a resistance heating material made of molybdenum or tungsten.

酸素圧力1Pa、電力100W(電極面積約450cm)で2分間、プラズマ処理を行った後、基板を大気に曝露することなく、有機層蒸着チャンバーに移送し、有機層の成膜を行った。 After performing plasma treatment for 2 minutes at an oxygen pressure of 1 Pa and an electric power of 100 W (electrode area of about 450 cm 2 ), the substrate was transferred to an organic layer deposition chamber without being exposed to the atmosphere, and an organic layer was formed.

まず、真空度1×10−4Paまで減圧した後、m−MTDATAの入った前記蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で透明支持基板に蒸着し、10nmの正孔注入層を設けた。次いで、α−NPDを同様にして蒸着し、30nmの正孔輸送層を設けた。 First, after reducing the vacuum to 1 × 10 −4 Pa, the deposition crucible containing m-MTDATA was energized and heated, and deposited on a transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 nm / second. A hole injection layer was provided. Next, α-NPD was vapor-deposited in the same manner to provide a 30 nm hole transport layer.

次いで、以下の手順で順次、各発光層を設けた。   Next, each light emitting layer was sequentially provided in the following procedure.

化合物D−3、及びH−1を、D−3が9質量%の濃度になるように蒸着速度0.1nm/秒で共蒸着し、発光極大波長が470nm、厚さ20nmの青色リン光発光層を形成した。次いで、化合物D−1及びCBPを、D−1が5質量%の濃度になるように蒸着速度0.1nm/秒で共蒸着し、発光極大波長が518nm、厚さ5nmの緑色リン光発光層を形成した。次いで、化合物D−2及びCBPを、D−2が8質量%の濃度になるように蒸着速度0.1nm/秒で共蒸着し、発光極大波長が622nm、厚さ5nmの赤色リン光発光層を形成した。その後、化合物M−1を膜厚10nmに蒸着して正孔阻止層を形成し、さらにCsFを膜厚比で10%になるように化合物M−1と共蒸着し、厚さ45nmの電子輸送層を形成した。さらに、アルミニウム110nmを蒸着して第2電極(陰極)を形成し、白色ボトムエミッション型有機EL素子を得た。光出射面垂直方向からみた発光領域は、20mm×20mmの正方形であり、ガラス基板の中心と発光領域の中心とは一致していた。次いで、有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、面発光素子201とした。   Compounds D-3 and H-1 were co-evaporated at a deposition rate of 0.1 nm / second so that D-3 would have a concentration of 9% by mass, and a blue phosphorescence emission having an emission maximum wavelength of 470 nm and a thickness of 20 nm. A layer was formed. Next, compounds D-1 and CBP were co-evaporated at a deposition rate of 0.1 nm / second so that D-1 would have a concentration of 5% by mass, and a green phosphorescent light emitting layer having an emission maximum wavelength of 518 nm and a thickness of 5 nm. Formed. Next, compounds D-2 and CBP were co-evaporated at a deposition rate of 0.1 nm / second so that D-2 had a concentration of 8% by mass, and a red phosphorescent emitting layer having an emission maximum wavelength of 622 nm and a thickness of 5 nm. Formed. Thereafter, Compound M-1 is vapor-deposited to a thickness of 10 nm to form a hole blocking layer, and CsF is co-deposited with Compound M-1 so that the film thickness ratio is 10%. A layer was formed. Furthermore, aluminum 110nm was vapor-deposited and the 2nd electrode (cathode) was formed, and the white bottom emission type organic EL element was obtained. The light emitting area viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface was a 20 mm × 20 mm square, and the center of the glass substrate coincided with the center of the light emitting area. Next, the non-light-emitting surface of the organic EL element was covered with a glass case to obtain a surface light-emitting element 201.

図16は面発光素子−201の断面図を示し、有機EL素子は、ガラスカバー103で覆われている。なお、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った。図16において、104はガラス基板、105は第2電極(光反射性)、106は有機EL発光層を含む機能層、107は第1電極(光透過性)を示す。なお、ガラスカバー103内には窒素ガス108が充填されている。ガラスカバー103は、UV硬化樹脂110を用いてガラス基板104に接着している。なお、図示していないが、複数の面発光素子を接続するための第1電極(陽極)、及び第2電極(陰極)の配線接続部をUV硬化樹脂110部分に設けている。   FIG. 16 is a cross-sectional view of the surface light emitting device 201, and the organic EL device is covered with a glass cover 103. The sealing operation with the glass cover was performed in a glove box (in an atmosphere of high-purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more) in a nitrogen atmosphere without bringing the organic EL element into contact with the atmosphere. In FIG. 16, 104 is a glass substrate, 105 is a second electrode (light reflective), 106 is a functional layer including an organic EL light emitting layer, and 107 is a first electrode (light transmissive). The glass cover 103 is filled with nitrogen gas 108. The glass cover 103 is bonded to the glass substrate 104 using a UV curable resin 110. Although not shown in the drawing, wiring connection portions of the first electrode (anode) and the second electrode (cathode) for connecting a plurality of surface light emitting elements are provided in the UV curable resin 110 portion.

Figure 0005217844
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〔発光パネル1の作製:比較例〕
面発光素子−201を5個作製し、これらを図18(a)、及び図18(b)に示すように共通のガラス基板113上に光透過性UV硬化樹脂で貼付し、発光パネル1を作製した。なお、図17は発光パネル1を構成する個々の面発光素子−201の簡易側面図であり、基板104上に面発光素子が形成されている。尚、図17には、ガラスカバー103、第2電極105、有機EL発光層を含む機能層106、第1電極107のみ図示した。図18(a)は、光出射面垂直方向から見た発光パネル1を示した図であり、発光領域は、111で示される。図18(b)は発光パネル1の側面図である。なお、各面発光素子は、図示していないが、電気的に直列接続されており、面発光素子間の配線確保のため、各面発光素子の間隔は5mmを必要とした。
[Production of Light-Emitting Panel 1: Comparative Example]
As shown in FIGS. 18A and 18B, five surface light-emitting elements-201 are prepared and pasted on a common glass substrate 113 with a light-transmitting UV curable resin. Produced. FIG. 17 is a simplified side view of the individual surface light emitting elements 201 constituting the light emitting panel 1, and the surface light emitting elements are formed on the substrate 104. FIG. 17 shows only the glass cover 103, the second electrode 105, the functional layer 106 including the organic EL light emitting layer, and the first electrode 107. FIG. 18A is a diagram showing the light emitting panel 1 as viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface, and the light emitting region is indicated by 111. FIG. 18B is a side view of the light-emitting panel 1. In addition, although not shown in figure, each surface light emitting element was electrically connected in series and the space | interval of each surface light emitting element needed 5 mm in order to ensure the wiring between surface light emitting elements.

〔面発光素子−202の作製〕
前記面発光素子−201の作製において、まずガラス基板上に光反射膜としてアルミニウムを110nm蒸着し、その上に絶縁膜としてSiOを20nm蒸着した後、ITO製膜し、かつ電子輸送層を形成した後、銀ペーストを10nm蒸着し、次いで、ITOを100nm蒸着することで光透過性の第2電極(陰極)を形成すること以外は同様にして、トップエミッション型有機EL素子を作製した。
[Fabrication of Surface Light Emitting Element-202]
In the fabrication of the surface light emitting device-201, first, aluminum is deposited as a light reflecting film on a glass substrate with a thickness of 110 nm, and then SiO 2 is deposited as an insulating film with a thickness of 20 nm, and then an ITO film is formed and an electron transport layer is formed. After that, a top emission type organic EL device was manufactured in the same manner except that a light transmissive second electrode (cathode) was formed by depositing a silver paste of 10 nm and then depositing ITO of 100 nm.

次いで、面発光素子−201と同様に、この有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、面発光素子−202とした。   Next, similarly to the surface light-emitting device-201, the non-light-emitting surface of the organic EL device was covered with a glass case to obtain a surface light-emitting device-202.

図19は面発光素子−202の断面図を示し、104はガラス基板、105は第2電極(光透過性)、106は有機EL発光層を含む機能層、107は第1電極(光反射性)、絶縁膜109、光反射膜112を示す。なお、ガラスカバー103内には窒素ガス108が充填されている。ガラスカバー103は、UV硬化樹脂110を用いてガラス基板104に接着している。なお、図示していないが、複数の面発光素子を接続するための第1電極(陽極)、及び第2電極(陰極)の配線接続部をUV硬化樹脂110部分に設けている。   FIG. 19 is a cross-sectional view of a surface light emitting device-202, 104 is a glass substrate, 105 is a second electrode (light transmissive), 106 is a functional layer including an organic EL light emitting layer, and 107 is a first electrode (light reflective). ), An insulating film 109, and a light reflecting film 112. The glass cover 103 is filled with nitrogen gas 108. The glass cover 103 is bonded to the glass substrate 104 using a UV curable resin 110. Although not shown in the drawing, wiring connection portions of the first electrode (anode) and the second electrode (cathode) for connecting a plurality of surface light emitting elements are provided in the UV curable resin 110 portion.

〔発光パネル2の作製:本発明〕
面発光素子−201を3個、及び面発光素子−202を2個作製し、これらを図21(a)、及び図21(b)に示すように共通のガラス基板113上に光透過性UV硬化樹脂で交互に貼付し、発光パネル2を作製した。なお、図20は、面発光素子−201とともに発光パネル2を構成する個々の面発光素子−202の簡易側面図であり、基板104上に面発光素子が形成されている。図20には、ガラスカバー103、第2電極105、有機EL発光層を含む機能層106を示し、また、第1電極107と、絶縁膜109、及び光反射膜112は、まとめて光反射性第1電極層114として図示した。なお、図21(a)は、光出射面垂直方向から見た発光パネル2を示した図であり、図21(b)は発光パネル2の側面図である。面発光素子−201においては、基板104と共通のガラス基板113とが貼付され、面発光素子−202においては、ガラスカバー103と共通のガラス基板103とが貼付されている。発光パネル2における光出射面は、共通のガラス基板113において面発光素子−201及び202が貼付されていない側の面である。また、隣接する各面発光素子同士は、電気的に直列接続されているが、陽極と陰極が互いに隣接する為、接続が容易で、各面発光素子の間隔は約1mmであった。なお、面発光素子と共通のガラス基板113との間隙には、光透過性UV硬化樹脂を充填し、各面発光素子は電気的に直列接続されている。
[Production of Light-Emitting Panel 2: Present Invention]
Three surface light-emitting elements-201 and two surface light-emitting elements-202 are manufactured, and these are formed on a common glass substrate 113 as shown in FIGS. 21 (a) and 21 (b). The light emitting panel 2 was produced by alternately pasting with a cured resin. FIG. 20 is a simplified side view of individual surface light emitting elements 202 constituting the light emitting panel 2 together with the surface light emitting elements 201, and the surface light emitting elements are formed on the substrate 104. FIG. 20 shows a functional layer 106 including a glass cover 103, a second electrode 105, and an organic EL light emitting layer. The first electrode 107, the insulating film 109, and the light reflecting film 112 are collectively light reflective. The first electrode layer 114 is illustrated. 21A is a diagram showing the light emitting panel 2 viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface, and FIG. 21B is a side view of the light emitting panel 2. FIG. In the surface light emitting element-201, the substrate 104 and the common glass substrate 113 are attached, and in the surface light emitting element-202, the glass cover 103 and the common glass substrate 103 are attached. The light emitting surface of the light emitting panel 2 is the surface on the side where the surface light emitting elements -201 and 202 are not attached to the common glass substrate 113. The adjacent surface light emitting elements are electrically connected in series. However, since the anode and the cathode are adjacent to each other, the connection is easy, and the distance between the surface light emitting elements is about 1 mm. The space between the surface light emitting element and the common glass substrate 113 is filled with a light transmissive UV curable resin, and the surface light emitting elements are electrically connected in series.

〔発光パネル3の作製:本発明〕
面発光素子−201を3個、及び面発光素子−202を2個作製し、これらを図22(a)、及び図22(b)に示すように、共通のガラス基板113の光出射面側の面に面発光素子−202を、ガラス基板113の光出射面とは反対側の面に面発光素子−201を、ガラス基板の光出射面側からみて、交互に配置されるように、各々の面発光素子の基板104と共通のガラス基板113とを光透過性UV硬化樹脂で貼付し、発光パネル3を作製した。図22(a)は、光出射面垂直方向から見た発光パネル3を示した図であり、図22(b)は発光パネル3の側面図である。ガラス基板113の光出射面垂直方向から見て、隣接する面発光素子−201の発光領域111と面発光素子−202の発光領域111とは間隙なく接合して配置されている。なおガラス基板113の光出射面側の面に配置された面発光素子−202同士が電気的に直列接続されており、ガラス基板113の光出射面とは反対側の面に配置された面発光素子−201同士が電気的に直列接続されている。
[Production of Light-Emitting Panel 3: Present Invention]
Three surface light-emitting elements-201 and two surface light-emitting elements-202 are manufactured, and as shown in FIGS. 22 (a) and 22 (b), the light emission surface side of the common glass substrate 113 is used. The surface light emitting element -202 is disposed on the surface of the glass substrate 113, and the surface light emitting element -201 is disposed on the surface opposite to the light emitting surface of the glass substrate 113 so as to be alternately arranged. The substrate 104 of the surface light emitting element and the common glass substrate 113 were pasted with a light transmissive UV curable resin, and the light emitting panel 3 was produced. FIG. 22A is a view showing the light emitting panel 3 viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface, and FIG. 22B is a side view of the light emitting panel 3. When viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface of the glass substrate 113, the light emitting region 111 of the adjacent surface light emitting element-201 and the light emitting region 111 of the surface light emitting element-202 are disposed to be joined without a gap. The surface light emitting elements -202 arranged on the light emitting surface side surface of the glass substrate 113 are electrically connected in series, and the surface light emission arranged on the surface of the glass substrate 113 opposite to the light emitting surface. The elements -201 are electrically connected in series.

〔発光パネル4の作製:本発明〕
面発光素子−201、及び202の作製方法を用いて、20mm×100mmのガラス基板を用い、一方の面に面発光素子−201と同様で、光出射面垂直方向からみた発光領域が20mm×20mmの正方形であるボトムエミッション型面発光素子2個を、ガラス基板の他方の面に面発光素子−202と同様と同様で、光出射面垂直方向からみた発光領域が20mm×20mmの正方形であるトップエミッション型面発光素子3個を、光出射面方向からみて交互に、発光領域が重なりをもつように形成したパネル4を構成した。図23(a)は、光出射面垂直方向から見た発光パネル4を示した図であり、図23(b)は発光パネル4の側面図である。ガラス基板113の光出射面側の面にトップエミッション型面発光素子−202が形成され、ガラス基板113の光出射面とは反対側の面にボトムエミッション型面発光素子−201が形成されており、ガラス基板113は、面発光素子−201と面発光素子−202とを構成する共通の素子基板である。ガラス基板113の光出射面垂直方向から見て、交互に配置された面発光素子−201の発光領域111と面発光素子−202の発光領域111とは、重なりをもつように形成されている。図23(b)において、115aは、ガラス基板113の光出射面側の面に形成されたトップエミッション型面発光素子の発光領域の縁部を示し、115bは、ガラス基板113の光出射面とは反対側の面に形成されたボトムエミッション型面発光素子の発光領域の縁部を示す。発光領域の重なりの巾wは1mmであった。なおガラス基板113の光出射面側の面に配置された面発光素子−202同士が電気的に直列接続されており、ガラス基板113の光出射面とは反対側の面に配置された面発光素子−201同士が電気的に直列接続されている。
[Production of Light-Emitting Panel 4: Present Invention]
Using the manufacturing method of the surface light emitting elements-201 and 202, a glass substrate of 20 mm × 100 mm was used, and the light emitting area as viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface was 20 mm × 20 mm, similar to the surface light emitting element-201 on one surface. Two bottom emission type surface light emitting elements which are squares of the same are the same as those of the surface light emitting element-202 on the other surface of the glass substrate, and the light emitting area viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface is a square having a square of 20 mm × 20 mm. A panel 4 was formed in which three emission type surface light emitting elements were alternately formed so that the light emitting regions overlapped when viewed from the light emitting surface direction. FIG. 23A is a view showing the light emitting panel 4 viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface, and FIG. 23B is a side view of the light emitting panel 4. A top emission type surface light emitting device -202 is formed on the light emitting surface side surface of the glass substrate 113, and a bottom emission type surface light emitting device -201 is formed on the surface opposite to the light emitting surface of the glass substrate 113. The glass substrate 113 is a common element substrate constituting the surface light emitting element-201 and the surface light emitting element-202. The light emitting regions 111 of the surface light emitting elements 201 and the light emitting regions 111 of the surface light emitting elements 202 that are alternately arranged are formed so as to overlap each other when viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface of the glass substrate 113. In FIG. 23 (b), 115a indicates the edge of the light emitting region of the top emission type surface light emitting device formed on the light emitting surface side surface of the glass substrate 113, and 115b indicates the light emitting surface of the glass substrate 113. Indicates the edge of the light emitting region of the bottom emission surface emitting device formed on the opposite surface. The overlap width w of the light emitting regions was 1 mm. The surface light emitting elements -202 arranged on the light emitting surface side surface of the glass substrate 113 are electrically connected in series, and the surface light emission arranged on the surface of the glass substrate 113 opposite to the light emitting surface. The elements -201 are electrically connected in series.

〔発光パネル1〜4の評価〕
発光パネル1〜4を並べて発光させ、目視比較した。
[Evaluation of light emitting panels 1 to 4]
The light emitting panels 1 to 4 were arranged side by side to emit light and compared visually.

発光パネル1は、隣接する発光領域の間に非発光領域が巾を持った領域として存在するため、明らかに、視認性が大きく劣っていた。これに対して発光パネル2は、素子接続部分における輝度低下がかなり改善されていた。発光パネル3及び発光パネル4は、素子接続部分における輝度低下がほとんど観察されず、最も視認性に優れていた。   The light-emitting panel 1 is clearly inferior in visibility because the non-light-emitting area exists as a wide area between adjacent light-emitting areas. On the other hand, in the light-emitting panel 2, the luminance reduction at the element connection portion is considerably improved. The light emission panel 3 and the light emission panel 4 were most excellent in visibility, with almost no luminance reduction observed at the element connection portion.

〔発光パネル5の作製:比較〕
面発光素子−201を25個作製し、これらを図24(a)、及び図24(b)に示すように面内における縦列方向に5個、横列方向に5個の5×5のマトリクス状に、共通のガラス基板113上に光透過性UV硬化樹脂で貼付し、発光パネル5を作製した。図24(a)は、光出射面垂直方向から見た発光パネル5を示した図であり、発光領域は、111で示される。図24(b)は発光パネル5の側面図である。なお、図示していないが、各面発光素子は、横列方向に各5個ずつが電気的に直列接続されており、次いで、これらを縦列方向に順次接続することで、面発光素子25個を直列に接続した。面発光素子間の配線確保のため、各面発光素子の間隔は5mmを必要とした。
[Production of light-emitting panel 5: comparison]
Twenty-five surface light-emitting elements-201 are manufactured, and these are shown in FIGS. 24A and 24B. As shown in FIGS. 24A and 24B, five 5 × 5 matrix forms in the vertical direction and five horizontal directions in the surface. In addition, the light-emitting panel 5 was manufactured by pasting on a common glass substrate 113 with a light transmissive UV curable resin. FIG. 24A is a diagram showing the light emitting panel 5 viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface, and the light emitting area is indicated by 111. FIG. 24B is a side view of the light emitting panel 5. Although not shown, five surface light emitting elements are electrically connected in series in the row direction, and then 25 surface light emitting elements are connected by sequentially connecting them in the column direction. Connected in series. In order to secure wiring between the surface light emitting elements, the interval between the surface light emitting elements required 5 mm.

〔発光パネル6の作製:本発明〕
面発光素子−201を12個、及び面発光素子−202を13個作製し、これらを図25(a)〜図25(c)に示すように共通のガラス基板113の光出射面側の面に、面発光素子−202を、ガラス基板113の光出射面とは反対側の面に面発光素子−201を、ガラス基板の光出射面側からみて、交互に面内における縦列方向に5個、横列方向に5個の5×5のマトリクス状に配置されるように、各々の面発光素子の基板104と共通のガラス基板113とを光透過性UV硬化樹脂で貼付し、発光パネル6を作製した。
[Production of Light-Emitting Panel 6: Present Invention]
Twelve surface light-emitting elements-201 and 13 surface light-emitting elements-202 are manufactured, and these are the surfaces on the light emission surface side of the common glass substrate 113 as shown in FIGS. 25 (a) to 25 (c). Further, five surface light emitting elements-202 are alternately arranged on the surface opposite to the light emitting surface of the glass substrate 113, and five surface light emitting elements-201 are alternately arranged in the vertical direction in the surface when viewed from the light emitting surface side of the glass substrate. Then, the substrate 104 of each surface light emitting element and the common glass substrate 113 are pasted with a light transmissive UV curable resin so as to be arranged in a 5 × 5 matrix in the row direction, and the light emitting panel 6 is attached. Produced.

図25(a)は、出射面垂直方向から見た発光パネル6を示した図であり、図25(b)は発光パネル6のA−A′部分、C−C′部分、E−E′部分、F−F′部分、H−H′部分、及びJ−J′部分の断面図であり、図25(c)は発光パネル6のB−B′部分、D−D′部分、G−G′部分、及びI−I′部分の断面図である。なおガラス基板113の光出射面側の面に配置された面発光素子−202同士が電気的に直列接続されており、ガラス基板113の光出射面とは反対側の面に配置された面発光素子−201同士が電気的に直列接続されている。図25(a)において、ガラス基板113の光出射面側の面に配置された面発光素子−202の素子基板116とガラス基板113の光出射面側とは反対側の面に配置された面発光素子−201の素子基板117とは、光出射面垂直方向からみて、隙間なく配置されている。   FIG. 25A is a view showing the light-emitting panel 6 viewed from the direction perpendicular to the emission surface, and FIG. 25B is an AA ′ portion, a CC ′ portion, and an EE ′ portion of the light-emitting panel 6. FIG. 25C is a cross-sectional view of the portion, the FF ′ portion, the HH ′ portion, and the JJ ′ portion, and FIG. 25C shows the BB ′ portion, DD ′ portion, G- It is sectional drawing of a G 'part and an II' part. The surface light emitting elements -202 arranged on the light emitting surface side surface of the glass substrate 113 are electrically connected in series, and the surface light emission arranged on the surface of the glass substrate 113 opposite to the light emitting surface. The elements -201 are electrically connected in series. In FIG. 25A, the surface of the surface light emitting element-202 disposed on the light emitting surface side surface of the glass substrate 113 and the surface disposed on the surface opposite to the light emitting surface side of the glass substrate 113. The element substrate 117 of the light emitting element-201 is arranged without a gap when viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface.

〔発光パネル5、及び6の評価〕
発光パネル5、及び6を並べて発光させ、目視比較した。
[Evaluation of the light-emitting panels 5 and 6]
The light emitting panels 5 and 6 were arranged side by side to emit light and compared visually.

発光パネル5は、隣接する発光領域との間の非発光領域が帯状に大きく存在するため、明らかに、視認性が大きく劣っていた。これに対して発光パネル6は、素子接続部分における輝度低下が小さく、視認性に優れていた。   The light emitting panel 5 has a large non-light emitting area between adjacent light emitting areas in a band shape, and thus clearly has poor visibility. On the other hand, the light emitting panel 6 had a small reduction in luminance at the element connection portion and was excellent in visibility.

本発明の実施形態に関わる面発光パネルを光出射面側から示した一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example which showed the surface emitting panel in connection with embodiment of this invention from the light-projection surface side. 発光面が長方形である面発光素子を用いて面発光パネルを構成した例を示す平面図である。It is a top view which shows the example which comprised the surface emitting panel using the surface emitting element whose light emission surface is a rectangle. 図1及び図2に示した面発光パネルのX−X′部分を説明する側面図である。It is a side view explaining the XX 'part of the surface emitting panel shown in FIG.1 and FIG.2. 図1及び図2に示した面発光パネルのX−X′部分を説明する別の形態の側面図である。It is a side view of another form explaining the XX 'part of the surface emitting panel shown in FIG.1 and FIG.2. 図1及び図2に示した面発光パネルのX−X′部分を説明する別の形態の側面図である。It is a side view of another form explaining the XX 'part of the surface emitting panel shown in FIG.1 and FIG.2. 図1及び図2に示した面発光パネルのX−X′部分を説明する別の形態の側面図(a)とその接合部分(b)及び重なり部分(c)の拡大図である。It is the side view (a) of another form explaining the XX 'part of the surface emitting panel shown in FIG.1 and FIG.2, and the enlarged view of the junction part (b) and the overlap part (c). 本発明に係る、トップエミッション型面発光素子とボトムエミッション型面発光素子とが交互となるように配置された面発光パネルの側面図である。FIG. 3 is a side view of a surface light emitting panel according to the present invention in which top emission type surface light emitting elements and bottom emission type surface light emitting elements are alternately arranged. トップエミッション型面発光素子とボトムエミッション型面発光素子とが交互となるように配置された面発光パネルの側面図(a)とその接合部分(b)及び重なり部分(c)の拡大図である。It is the side view (a) of the surface emitting panel arrange | positioned so that a top emission type surface emitting element and a bottom emission type surface emitting element may become alternate, and the enlarged view of the junction part (b) and the overlapping part (c). . 光透過性の素子支持基板がトップエミッション型面発光素子、及びボトムエミッション型面発光素子の各々を構成する共通の素子基板である面発光パネルの側面図である。It is a side view of the surface emitting panel which is a common element substrate in which the light-transmitting element supporting substrate constitutes each of the top emission type surface emitting element and the bottom emission type surface emitting element. 光透過性の素子支持基板がトップエミッション型面発光素子、及びボトムエミッション型面発光素子の各々を構成する共通の素子基板である面発光パネルの側面図(a)とその接合部分(b)及び重なり部分(c)の拡大図である。A side view (a) of a surface emitting panel, which is a common element substrate in which a light-transmitting element supporting substrate constitutes each of a top emission type surface emitting element and a bottom emission type surface emitting element, and a joint portion (b) thereof, It is an enlarged view of an overlap part (c). 複数の面発光素子を用いて構成される従来の一般的な面発光パネル側面図である。It is a side view of the conventional general surface emitting panel comprised using a some surface emitting element. 複数の面発光素子を用いて構成される従来の一般的な面発光パネルの光出射面方向からみた拡大図である。It is the enlarged view seen from the light-projection surface direction of the conventional common surface emitting panel comprised using a some surface emitting element. 複数の面発光素子を用いて構成される従来の一般的な面発光パネルの側面方向からみた拡大図である。It is the enlarged view seen from the side surface direction of the conventional common surface emitting panel comprised using a some surface emitting element. 本発明に関わる面発光パネルを光出射面方向からみた拡大図である。It is the enlarged view which looked at the surface emitting panel in connection with this invention from the light-projection surface direction. 本発明に関わる面発光パネルを光出射面方向からみた別の形態の拡大図である。It is the enlarged view of another form which looked at the surface emitting panel concerning this invention from the light-projection surface direction. 本発明に関わる面発光素子の側面図である。It is a side view of the surface light emitting element concerning this invention. 本発明に関わる面発光素子の側面図である。It is a side view of the surface light emitting element concerning this invention. 比較の発光パネルを示した図である。It is the figure which showed the comparative light emission panel. 本発明に関わる面発光素子の側面図である。It is a side view of the surface light emitting element concerning this invention. 本発明に関わる面発光素子の側面図である。It is a side view of the surface light emitting element concerning this invention. 本発明に関わる発光パネルを示した図である。It is the figure which showed the light emission panel in connection with this invention. 本発明に関わる別の発光パネルを示した図である。It is the figure which showed another light emission panel in connection with this invention. 本発明に関わる別の発光パネルを示した図である。It is the figure which showed another light emission panel in connection with this invention. 比較の発光パネルを示した図である。It is the figure which showed the comparative light emission panel. 本発明に関わる別の発光パネルを示した図である。It is the figure which showed another light emission panel in connection with this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 トップエミッション型面発光素子
2 ボトムエミッション型面発光素子
3 面発光素子の基板
4 第1電極
5 発光層を含む機能層
6 第2電極
7 光透過性の素子支持基板
8 面発光パネル
9 面発光素子
10 接合部
11 発光領域
103 ガラスカバー
104 ガラス基板
105 第2電極(光反射性)
106 機EL発光層を含む機能層
107 第1電極(光透過性)
108 窒素ガス
109 絶縁膜
110 UV硬化樹脂
111 発光領域
112 光反射膜
113 共通のガラス基板
114 光反射性第1電極層
115 発光領域の縁部
116 面発光素子−202の素子基板
117 面発光素子−201の素子基板
201 本発明の面発光素子−201
202 本発明の面発光素子−202
T トップエミッション型面発光素子
B トムエミッション型面発光素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Top emission type surface light emitting element 2 Bottom emission type surface light emitting element 3 Substrate of surface light emitting element 4 1st electrode 5 Functional layer containing a light emitting layer 6 2nd electrode 7 Light-transmitting element support substrate 8 Surface emitting panel 9 Surface light emission Element 10 Junction 11 Light-emitting area 103 Glass cover 104 Glass substrate 105 Second electrode (light reflectivity)
106 Functional layer including EL display layer 107 First electrode (light transmissive)
108 Nitrogen gas 109 Insulating film 110 UV curable resin 111 Light emitting region 112 Light reflecting film 113 Common glass substrate 114 Light reflective first electrode layer 115 Edge of light emitting region 116 Element substrate of surface light emitting element -202 117 Surface light emitting element- 201 element substrate 201 surface light-emitting element-201 of the present invention
202 surface light emitting device-202 of the present invention
T Top emission type surface light emitting element B Tom emission type surface light emitting element

Claims (4)

トップエミッション型面発光素子と、ボトムエミッション型面発光素子とを有し、1方向に光を射出する面発光パネルであって、該トップエミッション型面発光素子と、該ボトムエミッション型面発光素子の光出射方向が、該面発光パネルの光出射方向となるよう配置され、かつ該面発光素子同士が直列接続され、
前記面発光パネルが光透過性の素子支持基板を有し、該光透過性の素子支持基板の一方の面上にトップエミッション型面発光素子が配置され、該光透過性の素子支持基板の他方の面上にボトムエミッション型面発光素子が配置されていることを特徴とする照明用面発光パネル。
A surface emitting panel having a top emission type surface light emitting element and a bottom emission type surface light emitting element and emitting light in one direction, wherein the top emission type surface light emitting element and the bottom emission type surface light emitting element The light emitting direction is arranged to be the light emitting direction of the surface emitting panel, and the surface emitting elements are connected in series,
The surface-emitting panel has a light-transmitting element support substrate, a top emission type surface light-emitting element is disposed on one surface of the light-transmitting element support substrate, and the other of the light-transmitting element support substrates A surface emission panel for illumination , wherein a bottom emission type surface light emitting element is disposed on the surface of the surface.
前記光透過性の素子支持基板がトップエミッション型面発光素子、及びボトムエミッション型面発光素子の各々を構成する共通の素子基板であることを特徴とする請求項1に記載の照明用面発光パネル。 2. The surface emitting panel for illumination according to claim 1 , wherein the light transmissive element supporting substrate is a common element substrate constituting each of a top emission type surface emitting element and a bottom emission type surface emitting element. . 前記面発光パネルを光出射面垂直方向から見て、トップエミッション型面発光素子と、ボトムエミッション型面発光素子とが交互に配置され、かつトップエミッション型面発光素子の発光領域と、ボトムエミッション型面発光素子の発光領域とが接合して、もしくは重なりをもって配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の照明用面発光パネル。 When the surface emitting panel is viewed from the vertical direction of the light emitting surface, a top emission type surface light emitting element and a bottom emission type surface light emitting element are alternately arranged, and a light emitting region of the top emission type surface light emitting element and a bottom emission type The surface emitting panel for illumination according to claim 1 or 2, wherein the light emitting region of the surface light emitting element is joined or overlapped. 前記トップエミッション型面発光素子及びボトムエミッション型面発光素子から選ばれる少なくともいずれかが、有機EL素子であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の照明用面発光パネル。 The surface emitting panel for illumination according to any one of claims 1 to 3 , wherein at least one selected from the top emission type surface light emitting element and the bottom emission type surface light emitting element is an organic EL element. .
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