JP5271019B2 - Conductive fine particles, anisotropic conductive material, and connection structure - Google Patents
Conductive fine particles, anisotropic conductive material, and connection structure Download PDFInfo
- Publication number
- JP5271019B2 JP5271019B2 JP2008251049A JP2008251049A JP5271019B2 JP 5271019 B2 JP5271019 B2 JP 5271019B2 JP 2008251049 A JP2008251049 A JP 2008251049A JP 2008251049 A JP2008251049 A JP 2008251049A JP 5271019 B2 JP5271019 B2 JP 5271019B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fine particles
- conductive
- resin
- metal layer
- conductive fine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、信頼性が高い電気接続ができる導電性微粒子に関する。また、該導電性微粒子を含有する異方性導電材料、及び、該導電性微粒子又は該異方性導電材料によって接続された接続構造体に関する。 The present invention relates to conductive fine particles that can be electrically connected with high reliability. The present invention also relates to an anisotropic conductive material containing the conductive fine particles, and a connection structure connected by the conductive fine particles or the anisotropic conductive material.
絶縁性のバインダー樹脂に導電性微粒子が分散されている異方性導電材料は、電極接続材料として使用されている。異方性導電材料は、異方性導電フィルム、異方性導電シート、異方性導電接着剤等が挙げられる。例えば、異方性導電材料は、基板に形成されている電極を電気的に接続するために、基板や電子部品の電極間に挟み込んで使用される。特に、異方性導電材料は液晶ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、携帯電話等の電子機器に広く用いられている。 An anisotropic conductive material in which conductive fine particles are dispersed in an insulating binder resin is used as an electrode connecting material. Examples of the anisotropic conductive material include an anisotropic conductive film, an anisotropic conductive sheet, and an anisotropic conductive adhesive. For example, an anisotropic conductive material is used by being sandwiched between electrodes of a substrate or an electronic component in order to electrically connect electrodes formed on the substrate. In particular, anisotropic conductive materials are widely used in electronic devices such as liquid crystal displays, personal computers, and mobile phones.
従来、導電性微粒子として、表面に金めっき層が形成された導電性微粒子が用いられている。特許文献1には、非金属材料の芯材粉体の表面に無電解めっき層が形成され、無電解めっき層として、最上層に位置する金めっき層と該層に隣接するニッケル層とを含む多層構造が形成された導電性無電解めっき粉体が開示されている。このような導電性無電解めっき粉体を用いれば、対向する電極間を導通させることができることが開示されている。 Conventionally, conductive fine particles having a gold plating layer formed on the surface have been used as the conductive fine particles. In Patent Document 1, an electroless plating layer is formed on the surface of a non-metallic material core material powder, and the electroless plating layer includes a gold plating layer positioned at the uppermost layer and a nickel layer adjacent to the gold plating layer. A conductive electroless plating powder having a multilayer structure is disclosed. It is disclosed that the use of such a conductive electroless plating powder allows electrical conduction between opposing electrodes.
しかしながら、表面に金めっき層が形成された導電性微粒子が分散した異方性導電材料を用いて基板や電子部品の電極間を接続すると、導電性微粒子と電極との間に絶縁性のバインダー樹脂が残留するという問題があった。また、表面に金めっき層が形成された導電性微粒子は、電極の表面に形成された酸化被膜を突き破ることができず、電極間の接続抵抗値が高くなることがあるという問題があった。これらの問題は、金が比較的柔らかい金属であるためと考えられる。 However, when an anisotropic conductive material in which conductive fine particles having a gold plating layer formed on the surface are dispersed is used to connect between electrodes of a substrate or an electronic component, an insulating binder resin is formed between the conductive fine particles and the electrodes. There was a problem that remained. Further, the conductive fine particles having the gold plating layer formed on the surface cannot break through the oxide film formed on the surface of the electrode, and there is a problem that the connection resistance value between the electrodes may be increased. These problems are considered because gold is a relatively soft metal.
導電性に優れた金属としてパラジウムが知られている。金めっき層の代わりにパラジウムめっき層を設けることが検討されたが、パラジウムも比較的柔らかい金属であることから、金めっき層と同様の問題があった。 Palladium is known as a metal having excellent conductivity. Although it has been studied to provide a palladium plating layer instead of the gold plating layer, since palladium is a relatively soft metal, there is a problem similar to that of the gold plating layer.
そこで、金、パラジウムよりも硬い金属で形成された導電層を有する導電性微粒子が検討されている。特許文献2には、芯材粉体の表面に無電解めっき法により、ニッケル被膜を形成した導電性無電解めっき粉体が開示されている。しかしながら、ニッケルは金より酸化されやすいため、このような導電性無電解めっき粉体は信頼性が高い電気接続ができないという問題があった。
本発明は、信頼性が高い電気接続ができる導電性微粒子を提供することを目的とする。また、本発明は、該導電性微粒子を含有する異方性導電材料、及び、該導電性微粒子又は該異方性導電材料によって接続された接続構造体を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the electroconductive fine particles which can perform electrical connection with high reliability. Another object of the present invention is to provide an anisotropic conductive material containing the conductive fine particles, and a connection structure connected by the conductive fine particles or the anisotropic conductive material.
本発明は、基材微粒子の表面に、ニッケルを含有する金属層と、金又はパラジウムを含有する導電層とが順次積層されている導電性微粒子であって、前記導電層の厚さが10nm以下であり、かつ、表面に炭素数6〜22のアルキル基を有する導電性微粒子である。
以下に本発明を詳述する。
The present invention is a conductive fine particle in which a metal layer containing nickel and a conductive layer containing gold or palladium are sequentially laminated on the surface of the substrate fine particle, and the thickness of the conductive layer is 10 nm or less And conductive fine particles having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms on the surface.
The present invention is described in detail below.
本発明者は、導電性微粒子と電極との間に絶縁性のバインダー樹脂が残留したり、電極の表面に形成された酸化被膜を突き破ることができなかったりするという問題を解決するために、基材微粒子の表面に、ニッケルを含有する金属層を形成し、更に該金属層の表面に金又はパラジウムからなる厚さが10nm以下である導電層を積層した導電性微粒子を作製した。金又はパラジウムからなる導電層の厚さが10nm以下であると、実質的な導電性微粒子の表面硬さは硬いニッケルからなる金属層と同様となり、金又はパラジウムの柔らかさに起因する問題点を解消できる。
しかしながら、このような導電性微粒子は、電気接続の信頼性の点で問題があった。導電層の厚さを10nm以下にしようとすると、均一な被覆は困難となり、ニッケルを含有する金属層の一部が導電層により被覆されずに露出してしまう。また、衝撃等によって導電層が剥離した場合にも、ニッケルを含有する金属層の一部が露出する。このように露出した金属層が酸化されてしまうために、電気接続の信頼性が低下すると考えられた。
本発明者は、このような導電性微粒子の表面に、炭素数6〜22のアルキル基を導入することにより、電気接続の信頼性が著しく向上することを見出し、本発明を完成した。
In order to solve the problem that the insulating binder resin remains between the conductive fine particles and the electrode, or the oxide film formed on the surface of the electrode cannot be broken, Conductive fine particles were produced by forming a nickel-containing metal layer on the surface of the material fine particles and further laminating a conductive layer made of gold or palladium on the surface of the metal layer with a thickness of 10 nm or less. When the thickness of the conductive layer made of gold or palladium is 10 nm or less, the surface hardness of the substantially conductive fine particles becomes the same as that of the metal layer made of hard nickel, and there is a problem caused by the softness of gold or palladium. Can be resolved.
However, such conductive fine particles have a problem in terms of reliability of electrical connection. If the thickness of the conductive layer is set to 10 nm or less, uniform coating becomes difficult, and a part of the metal layer containing nickel is exposed without being covered with the conductive layer. Further, even when the conductive layer is peeled off by impact or the like, a part of the metal layer containing nickel is exposed. It was thought that the reliability of the electrical connection was lowered because the exposed metal layer was oxidized.
The present inventor has found that the reliability of electrical connection is remarkably improved by introducing an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms into the surface of such conductive fine particles, thus completing the present invention.
本発明の導電性微粒子は、基材微粒子の表面に、ニッケルを含有する金属層と、金又はパラジウムを含有する導電層とが順次積層されている。 In the conductive fine particles of the present invention, a metal layer containing nickel and a conductive layer containing gold or palladium are sequentially laminated on the surface of the substrate fine particles.
上記基材微粒子は特に限定されず、例えば、樹脂微粒子、無機微粒子、有機無機ハイブリッド微粒子、金属微粒子等が挙げられる。
上記樹脂微粒子は特に限定されず、例えば、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリアルキレンテレフタレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等で構成される樹脂微粒子が挙げられる。
上記ポリオレフィン樹脂は特に限定されず、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリイソブチレン樹脂、ポリブタジエン樹脂等が挙げられる。上記アクリル樹脂は特に限定されず、例えば、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリメチルアクリレート樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いられてもよいし、2種以上が併用されてもよい。
The substrate fine particles are not particularly limited, and examples thereof include resin fine particles, inorganic fine particles, organic-inorganic hybrid fine particles, and metal fine particles.
The resin fine particles are not particularly limited, and include, for example, polyolefin resin, acrylic resin, polyalkylene terephthalate resin, polysulfone resin, polycarbonate resin, polyamide resin, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, and the like. Resin fine particles.
The polyolefin resin is not particularly limited, and examples thereof include polyethylene resin, polypropylene resin, polystyrene resin, polyisobutylene resin, and polybutadiene resin. The acrylic resin is not particularly limited, and examples thereof include polymethyl methacrylate resin and polymethyl acrylate resin. These resins may be used alone or in combination of two or more.
上記無機微粒子は特に限定されず、例えば、シリカ、アルミナ等の金属酸化物で構成される微粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド微粒子は特に限定されず、例えば、オルガノシロキサン骨格の中にアクリルポリマーを含有するハイブリッド微粒子が挙げられる。上記金属微粒子は特に限定されず、例えば、銅を含有する金属微粒子等が挙げられる。 The inorganic fine particles are not particularly limited, and examples thereof include fine particles composed of metal oxides such as silica and alumina. The organic-inorganic hybrid fine particles are not particularly limited, and examples thereof include hybrid fine particles containing an acrylic polymer in an organosiloxane skeleton. The metal fine particles are not particularly limited, and examples thereof include metal fine particles containing copper.
上記樹脂微粒子の10%K値の好ましい下限は1000MPa、好ましい上限は15000MPaである。上記10%K値が1000MPa未満であると、樹脂微粒子を圧縮変形させると、樹脂微粒子が破壊されることがある。上記10%K値が15000MPaを超えると、導電性微粒子が電極を傷つけることがある。上記10%K値のより好ましい下限は2000MPa、より好ましい上限は10000MPaである。 The preferable lower limit of the 10% K value of the resin fine particles is 1000 MPa, and the preferable upper limit is 15000 MPa. If the 10% K value is less than 1000 MPa, the resin fine particles may be destroyed when the resin fine particles are compressed and deformed. When the 10% K value exceeds 15000 MPa, the conductive fine particles may damage the electrode. The more preferable lower limit of the 10% K value is 2000 MPa, and the more preferable upper limit is 10,000 MPa.
なお、上記10%K値は、微小圧縮試験器(例えば、島津製作所社製「PCT−200」)を用い、樹脂微粒子を直径50μmのダイアモンド製円柱の平滑圧子端面で、圧縮速度2.6mN/秒、最大試験荷重10gの条件下で圧縮した場合の圧縮変位(mm)を測定し、下記式により求めることができる。
K値(N/mm2)=(3/√2)・F・S−3/2・R−1/2
F:樹脂微粒子の10%圧縮変形における荷重値(N)
S:樹脂微粒子の10%圧縮変形における圧縮変位(mm)
R:樹脂微粒子の半径(mm)
The 10% K value is obtained by using a micro compression tester (for example, “PCT-200” manufactured by Shimadzu Corporation), and using a smooth indenter end face of a diamond cylinder having a diameter of 50 μm and a compression speed of 2.6 mN / The compression displacement (mm) when compressed under conditions of seconds and a maximum test load of 10 g can be measured and determined by the following equation.
K value (N / mm 2) = ( 3 / √2) · F · S -3/2 · R -1/2
F: Load value at 10% compression deformation of resin fine particles (N)
S: Compression displacement (mm) in 10% compression deformation of resin fine particles
R: radius of resin fine particles (mm)
上記基材微粒子の平均粒子径は特に限定されないが、好ましい下限は0.5μm、好ましい上限は100μmである。上記基材微粒子の平均粒子径が0.5μm未満であると、基材微粒子が凝集しやすいため、凝集した基材微粒子の表面に金属層、導電層を形成した導電性微粒子は、隣接する電極間を短絡させることがある。上記基材微粒子の平均粒子径が100μmを超えると、基材微粒子の表面から金属層や導電層が剥がれやすくなるため、接続信頼性が低下することがある。上記基材微粒子の平均粒子径のより好ましい下限は1μm、より好ましい上限は20μmである。
なお、上記基材微粒子の平均粒子径は、光学顕微鏡又は電子顕微鏡を用いて無作為に選んだ50個の基材微粒子の粒子径を測定し、測定した粒子径を算術平均することにより求めることができる。
The average particle diameter of the substrate fine particles is not particularly limited, but a preferable lower limit is 0.5 μm and a preferable upper limit is 100 μm. When the average particle diameter of the base material particles is less than 0.5 μm, the base material particles are likely to aggregate. May cause short circuit. When the average particle diameter of the substrate fine particles exceeds 100 μm, the metal layer and the conductive layer are easily peeled off from the surface of the substrate fine particles, so that the connection reliability may be lowered. The more preferable lower limit of the average particle diameter of the substrate fine particles is 1 μm, and the more preferable upper limit is 20 μm.
The average particle size of the above-mentioned substrate fine particles is obtained by measuring the particle size of 50 randomly selected substrate fine particles using an optical microscope or an electron microscope and arithmetically averaging the measured particle sizes. Can do.
上記基材微粒子の平均粒子径の変動係数は特に限定されないが、10%以下であることが好ましい。上記変動係数が10%を超えると、導電性微粒子の接続信頼性が低下することがある。なお、上記変動係数とは、粒子径分布から得られる標準偏差を平均粒子径で除して得られる値を百分率(%)で示した数値である。 The coefficient of variation of the average particle diameter of the substrate fine particles is not particularly limited, but is preferably 10% or less. If the coefficient of variation exceeds 10%, the connection reliability of the conductive fine particles may be lowered. The coefficient of variation is a numerical value obtained by dividing the standard deviation obtained from the particle size distribution by the average particle size and expressed as a percentage (%).
上記基材微粒子の形状は、対向する電極の間隔を維持できる形状であれば特に限定されないが、真球形状であることが好ましい。また、上記基材微粒子の表面は平滑であってもよいし、突起を有していてもよい。 The shape of the substrate fine particles is not particularly limited as long as the distance between the opposing electrodes can be maintained, but a true spherical shape is preferable. Further, the surface of the substrate fine particles may be smooth or may have a protrusion.
本発明の導電性微粒子は、上記基材微粒子の表面に、ニッケルを含有する金属層を有する。
上記金属層は、上記基材微粒子の表面に直接形成されていてもよい。また、上記金属層は、上記金属層と上記基材微粒子との間に、下地金属層が形成されていてもよい。
上記下地金属層を構成する金属は特に限定されず、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウム等が挙げられる。
The conductive fine particles of the present invention have a metal layer containing nickel on the surface of the above-mentioned substrate fine particles.
The metal layer may be directly formed on the surface of the substrate fine particles. In the metal layer, a base metal layer may be formed between the metal layer and the base particle.
The metal constituting the base metal layer is not particularly limited. For example, gold, silver, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, indium, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium, cadmium, etc. Is mentioned.
上記金属層のニッケル含有率は96重量%以上であることが好ましい。上記ニッケル含有率が96重量%以上であると、金属層の一部が露出していても酸化されにくくなり、電気接続の信頼性が向上する。上記ニッケル含有率は97重量%以上であることが好ましく、99重量%以上であることがより好ましい。なお、上記金属層のニッケル含有率とは、金属層に含有される元素の合計に占めるニッケルの割合を意味する。
なお、上記金属層のニッケル含有率は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置(堀場製作所社製「ICP−AES」)、蛍光X線分析装置(島津製作所社製「EDX−800HS」)等を用いて測定することができる。
The nickel content of the metal layer is preferably 96% by weight or more. When the nickel content is 96% by weight or more, even if a part of the metal layer is exposed, it is difficult to be oxidized, and the reliability of electrical connection is improved. The nickel content is preferably 97% by weight or more, and more preferably 99% by weight or more. In addition, the nickel content rate of the said metal layer means the ratio of nickel which occupies for the sum total of the element contained in a metal layer.
The nickel content of the metal layer is determined using a high frequency inductively coupled plasma emission spectrometer (“ICP-AES” manufactured by Horiba, Ltd.), a fluorescent X-ray analyzer (“EDX-800HS” manufactured by Shimadzu), or the like. Can be measured.
上記金属層は、ニッケル以外の元素を含有してもよい。上記ニッケル以外の元素は特に限定されず、例えば、リン、ホウ素、コバルト、タングステン等が挙げられる。 The metal layer may contain an element other than nickel. The elements other than nickel are not particularly limited, and examples thereof include phosphorus, boron, cobalt, tungsten, and the like.
上記金属層の厚さは特に限定されないが、好ましい下限は0.005μm、好ましい上限は3μmである。上記金属層の厚さが0.005μm未満であると、導電性微粒子の接続抵抗値が高くなることがある。上記金属層の厚さが3μmを超えると、導電性微粒子の柔軟性が損なわれることがある。上記金属層の厚さのより好ましい下限は0.08μm、より好ましい上限は0.3μmである。
なお、上記金属層の厚さは、無作為に選んだ10個の導電性微粒子の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察して測定し、測定値を算術平均した厚さである。
Although the thickness of the said metal layer is not specifically limited, A preferable minimum is 0.005 micrometer and a preferable upper limit is 3 micrometers. When the thickness of the metal layer is less than 0.005 μm, the connection resistance value of the conductive fine particles may increase. When the thickness of the metal layer exceeds 3 μm, the flexibility of the conductive fine particles may be impaired. A more preferable lower limit of the thickness of the metal layer is 0.08 μm, and a more preferable upper limit is 0.3 μm.
The thickness of the metal layer is a thickness obtained by observing and measuring a cross section of 10 randomly selected conductive fine particles with a scanning electron microscope (SEM) and arithmetically averaging the measured values.
本発明の導電性微粒子は、上記ニッケルを含有する金属層に、金又はパラジウムを含有する導電層が積層されている。 In the conductive fine particles of the present invention, a conductive layer containing gold or palladium is laminated on the metal layer containing nickel.
上記導電層の厚さの上限は10nmである。上記導電層の厚さが10nmを超えると、導電性微粒子の表面の硬さが不充分となって、導電性微粒子と電極との間に絶縁性のバインダー樹脂が残留したり、電極の表面に形成された酸化被膜を突き破ることができなかったりする。上記導電層の厚さの好ましい上限は7nmである。上記導電層の厚さの好ましい下限は、3nmである。上記導電層の厚さが3nm未満であると、導電層を設ける効果が得られないことがある。また、上記導電層の厚さを3nm未満とすることは技術的にも困難である。
なお、上記金属層の厚さは、無作為に選んだ10個の導電性微粒子の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察して測定したときの、最大厚さの平均値を意味する。
The upper limit of the thickness of the conductive layer is 10 nm. If the thickness of the conductive layer exceeds 10 nm, the surface hardness of the conductive fine particles becomes insufficient, and an insulating binder resin remains between the conductive fine particles and the electrode, or on the surface of the electrode. The formed oxide film cannot be broken through. A preferable upper limit of the thickness of the conductive layer is 7 nm. A preferable lower limit of the thickness of the conductive layer is 3 nm. If the thickness of the conductive layer is less than 3 nm, the effect of providing the conductive layer may not be obtained. Further, it is technically difficult to make the thickness of the conductive layer less than 3 nm.
In addition, the thickness of the said metal layer means the average value of the maximum thickness when the cross section of ten electroconductive fine particles selected at random is observed and measured with a scanning electron microscope (SEM).
上記導電層は、上記金属層の全体を覆っていることが好ましいが、上記金属層の一部が上記導電層により被覆されずに露出していてもかまわない。上記金属層の一部が露出していても、表面に炭素数6〜22のアルキル基を導入することにより、その酸化を抑制することができる。 The conductive layer preferably covers the entire metal layer, but a part of the metal layer may be exposed without being covered with the conductive layer. Even if a part of the metal layer is exposed, the oxidation can be suppressed by introducing an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms on the surface.
本発明の導電性微粒子は、表面に炭素数が6〜22のアルキル基を有する。炭素数が6〜22のアルキル基を有することにより、導電性微粒子の表面が疎水性となる。従って、上記ニッケルを含有する金属層が露出していても、金属層は腐食されにくくなり、導電性微粒子の接続抵抗値が高くなることが防止される。
なお、上記表面には、最表面層である金又はパラジウムを含有する導電層と、導電層によって被覆されずに露出したニッケルを含有する金属層との両方が含まれる。
The conductive fine particles of the present invention have an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms on the surface. By having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms, the surface of the conductive fine particles becomes hydrophobic. Therefore, even if the metal layer containing nickel is exposed, the metal layer is hardly corroded, and the connection resistance value of the conductive fine particles is prevented from increasing.
The surface includes both a conductive layer containing gold or palladium which is the outermost surface layer and a metal layer containing nickel exposed without being covered with the conductive layer.
上記アルキル基の炭素数は、下限が6であり、上限が22である。上記アルキル基の炭素数が6未満であると、表面を疎水性とすることができない。上記アルキル基の炭素数が22を超えると、導電性微粒子の接続抵抗値が高くなることがある。上記アルキル基の炭素数の好ましい上限は16である。
上記アルキル基は直鎖構造のアルキル基であってもよいし、分岐構造のアルキル基であってもよいが、直鎖構造のアルキル基であることが好ましい。
The lower limit of the carbon number of the alkyl group is 6 and the upper limit is 22. If the alkyl group has less than 6 carbon atoms, the surface cannot be made hydrophobic. When the carbon number of the alkyl group exceeds 22, the connection resistance value of the conductive fine particles may be increased. The upper limit with preferable carbon number of the said alkyl group is 16.
The alkyl group may be a linear alkyl group or a branched alkyl group, but is preferably a linear alkyl group.
上記アルキル基を付与する方法は特に限定されないが、導電性微粒子の表面にアルキル基を有するリン酸エステルを反応させる方法、導電性微粒子の表面をアルキル基を有するアルコキシシランで被覆する方法、導電性微粒子の表面にアルキルチオールを反応させる方法、導電性微粒子の表面にジアルキルジスルフィドを反応させる方法等が挙げられる。 The method for imparting the alkyl group is not particularly limited, but the method of reacting the surface of the conductive fine particles with a phosphate ester having an alkyl group, the method of coating the surface of the conductive fine particles with an alkoxysilane having an alkyl group, and conductivity Examples thereof include a method of reacting alkylthiol on the surface of the fine particles, a method of reacting dialkyl disulfide on the surface of the conductive fine particles, and the like.
上記リン酸エステルは、アルキル基を有するリン酸エステル又はリン酸エステルモノナトリウム塩であれば特に限定されないが、例えば、リン酸モノヘキシルエステル、リン酸モノヘプチルエステル、リン酸モノオクチルエステル、リン酸モノノニルエステル、リン酸モノデシルエステル、リン酸モノウンデシルエステル、リン酸モノドデシルエステル、リン酸モノトリデシルエステル、リン酸モノテトラデシルエステル、リン酸モノペンタデシルエステル、リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。 The phosphate ester is not particularly limited as long as it is a phosphate ester or phosphate monosodium salt having an alkyl group. For example, phosphate monohexyl ester, phosphate monoheptyl ester, phosphate monooctyl ester, phosphate Monononyl ester, phosphate monodecyl ester, phosphate monoundecyl ester, phosphate monododecyl ester, phosphate monotridecyl ester, phosphate monotetradecyl ester, phosphate monopentadecyl ester, phosphate monohexyl ester mono Sodium salt, monoheptyl phosphate monosodium salt, monooctyl phosphate monosodium salt, monononyl phosphate monosodium salt, monodecyl phosphate monosodium salt, monoundecyl phosphate mononatriate Unsalted, phosphoric acid monododecyl ester monosodium salt, monocalcium phosphate tridecyl ester monosodium salt, phosphate acid mono tetradecyl ester monosodium salt, monocalcium phosphate pentadecyl ester monosodium salt.
上記導電性微粒子の表面にアルキル基を有するリン酸エステルを反応させる方法は特に限定されないが、例えば、上記金属層と導電層とが形成された基材微粒子を、リン酸エステル水溶液に付着させる方法等が挙げられる。上記金属層と導電層とが形成された基材微粒子を、上記リン酸エステル水溶液に付着させることにより、表面のニッケル、金、パラジウムと、上記リン酸エステルとが反応し、表面にアルキル基が付与される。
上記リン酸エステル水溶液のリン酸エステルの濃度は特に限定されないが、リン酸エステルの濃度の好ましい下限は0.5重量%、好ましい上限は3重量%である。
なお、上記リン酸エステル水溶液は、テトラヒドロフランや、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール等の有機溶剤を含有してもよい。
The method for reacting the phosphoric acid ester having an alkyl group on the surface of the conductive fine particles is not particularly limited. For example, the method is a method in which the substrate fine particles on which the metal layer and the conductive layer are formed are attached to an aqueous phosphate ester solution. Etc. By attaching the substrate fine particles formed with the metal layer and the conductive layer to the phosphate ester aqueous solution, nickel, gold, palladium on the surface reacts with the phosphate ester, and an alkyl group is formed on the surface. Is granted.
The concentration of the phosphate ester in the aqueous phosphate ester solution is not particularly limited, but the preferred lower limit of the phosphate ester concentration is 0.5% by weight, and the preferred upper limit is 3% by weight.
In addition, the said phosphate ester aqueous solution may contain organic solvents, such as alcohol, such as tetrahydrofuran and methanol, ethanol, and propanol.
上記アルコキシシランはアルキル基を有するアルコキシシランであれば特に限定されないが、例えば、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ノニルトリメトキシシラン、ノニルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ウンデシルトリメトキシシラン、ウンデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、トリデシルトリメトキシシラン、トリデシルトリエトキシシラン、テトラデシルトリメトキシシラン、テトラデシルトリエトキシシラン、ペンタデシルトリメトキシシラン、ペンタデシルトリエトキシシラン等が挙げられる。 The alkoxysilane is not particularly limited as long as it is an alkoxysilane having an alkyl group. For example, hexyltrimethoxysilane, hexyltriethoxysilane, heptyltrimethoxysilane, heptyltriethoxysilane, octyltrimethoxysilane, octyltriethoxysilane, Nonyltrimethoxysilane, nonyltriethoxysilane, decyltrimethoxysilane, decyltriethoxysilane, undecyltrimethoxysilane, undecyltriethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane, dodecyltriethoxysilane, tridecyltrimethoxysilane, tridecyl Triethoxysilane, tetradecyltrimethoxysilane, tetradecyltriethoxysilane, pentadecyltrimethoxysilane, pentadecyltriethoxysilane And the like.
上記導電性微粒子の表面を、アルキル基を有するアルコキシシランで被覆する方法は特に限定されないが、上記金属層と導電層とが形成された基材微粒子を、アルコキシシラン水溶液に付着させる方法等が挙げられる。上記金属層と導電層とが形成された基材微粒子を、上記アルコキシシラン水溶液に付着させることにより、表面が上記アルコキシシランで被覆され、アルキル基が付与される。
上記アルコキシシラン水溶液のアルコキシシランの濃度は特に限定されないが、アルコキシシランの濃度の好ましい下限は0.5重量%、好ましい上限は3重量%である。
なお、上記アルコキシシラン水溶液は、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール等の有機溶剤を含有してもよい。
The method of coating the surface of the conductive fine particles with an alkoxysilane having an alkyl group is not particularly limited, and examples thereof include a method of attaching the substrate fine particles on which the metal layer and the conductive layer are formed to an alkoxysilane aqueous solution. It is done. By attaching the substrate fine particles on which the metal layer and the conductive layer are formed to the alkoxysilane aqueous solution, the surface is coated with the alkoxysilane and an alkyl group is imparted.
The concentration of alkoxysilane in the aqueous alkoxysilane solution is not particularly limited, but the preferred lower limit of the alkoxysilane concentration is 0.5% by weight, and the preferred upper limit is 3% by weight.
In addition, the said alkoxysilane aqueous solution may contain organic solvents, such as alcohol, such as methanol, ethanol, and propanol.
上記アルキルチオールは特に限定されないが、例えば、ヘキシルチオール、ヘプチルチオール、オクチルチオール、ノニルチオール、デシルチオール、ウンデシルチオール、ドデシルチオール、トリデシルチオール、テトラデシルチオール、ペンタデシルチオール、ヘキサデシルチオール等が挙げられる。上記アルキルチオールは、アルキル鎖の末端にチオール基が存在することが好ましい。 Although the alkylthiol is not particularly limited, for example, hexylthiol, heptylthiol, octylthiol, nonylthiol, decylthiol, undecylthiol, dodecylthiol, tridecylthiol, tetradecylthiol, pentadecylthiol, hexadecylthiol, etc. Can be mentioned. The alkyl thiol preferably has a thiol group at the end of the alkyl chain.
上記導電性微粒子の表面にアルキルチオールを反応させる方法は特に限定されないが、上記金属層と導電層とが形成された基材微粒子を、アルキルチオールが溶解している溶液に付着させる方法等が挙げられる。上記金属層と導電層とが形成された基材微粒子を、上記アルキルチオールが溶解している溶液に付着させることにより、表面のニッケル、金、パラジウムと、上記アルキルチオールとが反応し、表面にアルキル基が付与される。
上記アルキルチオールが溶解している溶液の上記アルキルチオールの濃度は特に限定されないが、アルキルチオールの濃度の好ましい下限は0.5重量%、好ましい上限は3重量%である。
なお、上記アルキルチオールが溶解している溶液は、アルキルチオールが溶解すれば特に限定されず、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール等の有機溶剤を含有してもよい。
The method for reacting the alkyl thiol on the surface of the conductive fine particles is not particularly limited, and examples thereof include a method of attaching the substrate fine particles on which the metal layer and the conductive layer are formed to a solution in which the alkyl thiol is dissolved. It is done. By attaching the substrate fine particles on which the metal layer and the conductive layer are formed to a solution in which the alkylthiol is dissolved, nickel, gold, palladium on the surface reacts with the alkylthiol, An alkyl group is provided.
The concentration of the alkylthiol in the solution in which the alkylthiol is dissolved is not particularly limited, but the preferred lower limit of the alkylthiol concentration is 0.5% by weight, and the preferred upper limit is 3% by weight.
The solution in which the alkyl thiol is dissolved is not particularly limited as long as the alkyl thiol is dissolved, and may contain an organic solvent such as alcohol such as methanol, ethanol, and propanol.
上記ジアルキルジスルフィドは特に限定されないが、例えば、ジヘキシルジスルフィド、ジヘプチルジスルフィド、ジオクチルジスルフィド、ジノニルジスルフィド、ジデシルジスルフィド、ジウンデシルジスルフィド、ジドデシルジスルフィド、ジトリデシルジスルフィド、ジテトラデシルジスルフィド、ジペンタデシルジスルフィド、ジヘキサデシルジスルフィド等が挙げられる。 The dialkyl disulfide is not particularly limited. And dihexadecyl disulfide.
上記導電性微粒子の表面にジアルキルジスルフィドを反応させる方法は特に限定されないが、上記金属層と導電層とが形成された基材微粒子を、ジアルキルジスルフィドが溶解している溶液に付着させる方法等が挙げられる。上記金属層と導電層とが形成された基材微粒子を、上記ジアルキルジスルフィドが溶解している溶液に付着させることにより、表面のニッケル、金、パラジウムと、上記ジアルキルジスルフィドとが反応し、表面にアルキル基が付与される。
上記ジアルキルジスルフィドが溶解している溶液の上記ジアルキルジスルフィドの濃度は特に限定されないが、ジアルキルジスルフィドの濃度の好ましい下限は0.5重量%、好ましい上限は3重量%である。
なお、上記ジアルキルジスルフィドが溶解している溶液は、ジアルキルジスルフィドが溶解すれば特に限定されず、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール等の有機溶剤を含有してもよい。
A method of reacting the dialkyl disulfide on the surface of the conductive fine particles is not particularly limited, and examples thereof include a method of attaching the substrate fine particles on which the metal layer and the conductive layer are formed to a solution in which the dialkyl disulfide is dissolved. It is done. By attaching the substrate fine particles on which the metal layer and the conductive layer are formed to a solution in which the dialkyl disulfide is dissolved, nickel, gold, palladium on the surface reacts with the dialkyl disulfide, and the surface is exposed to the surface. An alkyl group is provided.
The concentration of the dialkyl disulfide in the solution in which the dialkyl disulfide is dissolved is not particularly limited, but the preferred lower limit of the dialkyl disulfide concentration is 0.5% by weight, and the preferred upper limit is 3% by weight.
The solution in which the dialkyl disulfide is dissolved is not particularly limited as long as the dialkyl disulfide is dissolved, and may contain an organic solvent such as alcohol such as methanol, ethanol, and propanol.
上記アルキル基を付与する方法として、上記導電性微粒子の表面にアルキル基を有するリン酸エステルを反応させる方法、上記導電性微粒子の表面にアルキルチオールを反応させる方法、及び上記導電性微粒子の表面にジアルキルジスルフィドを反応させる方法が好ましく、上記導電性微粒子の表面にアルキル基を有するリン酸エステルを反応させる方法、及び上記導電性微粒子の表面にアルキルチオールを反応させる方法がより好ましく、上記導電性微粒子の表面にアルキル基を有するリン酸エステルを反応させる方法が更に好ましい。 As a method for imparting the alkyl group, a method of reacting a phosphate ester having an alkyl group on the surface of the conductive fine particles, a method of reacting an alkyl thiol on the surface of the conductive fine particles, and a surface of the conductive fine particles A method of reacting a dialkyl disulfide is preferable, a method of reacting a phosphate ester having an alkyl group on the surface of the conductive fine particles, and a method of reacting an alkylthiol on the surface of the conductive fine particles are more preferable. A method of reacting a phosphate ester having an alkyl group on the surface thereof is more preferable.
本発明の導電性微粒子の製造方法は特に限定されず、例えば、以下の方法により製造することができる。 The manufacturing method of the electroconductive fine particles of this invention is not specifically limited, For example, it can manufacture with the following method.
まず、基材微粒子の表面に、ニッケルを含有する金属層を形成させる。基材微粒子の表面に、ニッケルを含有する金属層を形成させる方法は特に限定されず、例えば、電解めっき法、無電解めっき法等の方法が挙げられる。
電解めっき法を用いて基材微粒子の表面に、ニッケルを含有する金属層を形成すると、ニッケル含有率が高い金属層が形成できる。しかし、電解めっき法を用いて、平均粒子径が100μm未満の基材微粒子の表面に、金属層を形成させると、基材微粒子が凝集してしまうことがあった。
First, a metal layer containing nickel is formed on the surface of the substrate fine particles. A method for forming a nickel-containing metal layer on the surface of the substrate fine particles is not particularly limited, and examples thereof include an electrolytic plating method and an electroless plating method.
When a metal layer containing nickel is formed on the surface of the substrate fine particles using the electrolytic plating method, a metal layer having a high nickel content can be formed. However, when the metal layer is formed on the surface of the substrate fine particles having an average particle diameter of less than 100 μm using the electrolytic plating method, the substrate fine particles sometimes aggregate.
また、従来の無電解めっき法を用いて、基材微粒子の表面に、ニッケルを含有する金属層を形成すると、無電解めっき浴に含まれる還元剤由来のリンやホウ素等が、金属層に含まれてしまうことがあった。リンやホウ素が金属層に含まれてしまうと、導電性微粒子の接続抵抗値が高くなってしまう。
従来の無電解めっき法では、基材微粒子が分散している懸濁液に、還元剤を含有する無電解ニッケルめっき液を滴下していたため、懸濁液中の還元剤濃度が高くなる。還元剤由来のリンやホウ素等が金属層に含まれるため、金属層のニッケル含有率が低くなることがあった。また、このような無電解めっき法では、懸濁液のpHや、液温を調整しても、金属層のニッケル含有率を高くすることは困難であった。
したがって、本発明では、ニッケル含有率が高い金属層を形成するために、無電解めっき浴中の還元剤の濃度を低く保ちながら、前期めっき工程と、後期めっき工程とを行うことが好ましい。このような工程で無電解めっきを行うことにより、ニッケル含有率が高い金属層を得ることができる。
In addition, when a metal layer containing nickel is formed on the surface of the substrate fine particles using the conventional electroless plating method, phosphorus, boron, etc. derived from the reducing agent contained in the electroless plating bath are included in the metal layer. There were times when it was. If phosphorus or boron is contained in the metal layer, the connection resistance value of the conductive fine particles is increased.
In the conventional electroless plating method, since the electroless nickel plating solution containing the reducing agent is dropped into the suspension in which the base particles are dispersed, the reducing agent concentration in the suspension is increased. Since phosphorus, boron, etc. derived from a reducing agent are contained in the metal layer, the nickel content of the metal layer may be lowered. Further, in such an electroless plating method, it is difficult to increase the nickel content of the metal layer even if the pH of the suspension or the liquid temperature is adjusted.
Therefore, in the present invention, in order to form a metal layer having a high nickel content, it is preferable to perform the first plating step and the second plating step while keeping the concentration of the reducing agent in the electroless plating bath low. By performing electroless plating in such a process, a metal layer having a high nickel content can be obtained.
本発明では、無電解めっき法において、一般にエッチング工程、触媒化工程を行った後、無電解めっき工程を行うことが好ましい。
上記エッチング工程は、クロム酸、硫酸−クロム酸混液、過マンガン酸溶液等の酸化剤や、塩酸、硫酸等の強酸や、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の強アルカリの水溶液等を用いて基材微粒子の表面に微小な凹凸を形成させ、金属層の密着をよくするための工程である。
In the present invention, in the electroless plating method, it is generally preferable to perform an electroless plating step after performing an etching step and a catalytic step.
The etching process is based on an oxidizing agent such as chromic acid, sulfuric acid-chromic acid mixture, permanganic acid solution, strong acid such as hydrochloric acid or sulfuric acid, or strong alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide or potassium hydroxide. This is a process for forming minute irregularities on the surface of the material fine particles and improving the adhesion of the metal layer.
上記触媒化工程は、基材微粒子の表面に無電解めっきの起点となる触媒を付与する工程である。上記触媒化工程では、例えば、センシタイジング工程と、アクチベイジング工程とが行われる。上記センシタイジング工程として、エッチングされた基材微粒子を二塩化錫溶液に浸漬させることにより、基材微粒子の表面にSn2+イオンが吸着される。上記アクチベイジング工程として、Sn2+イオンが吸着した基材微粒子を、二塩化パラジウム溶液に浸漬させることにより、基材微粒子の表面にパラジウム触媒が付与される。なお、上記アクチベイジング工程では、基材微粒子の表面で、Sn2++Pd2+→Sn4++Pd0で示される反応が行われる。 The catalyzing step is a step of imparting a catalyst serving as a starting point of electroless plating to the surface of the substrate fine particles. In the catalyzing step, for example, a sensitizing step and an activating step are performed. As the sensitizing step, Sn 2+ ions are adsorbed on the surface of the substrate fine particles by immersing the etched substrate fine particles in a tin dichloride solution. As the above-mentioned activating step, the base material fine particles adsorbed with Sn 2+ ions are immersed in a palladium dichloride solution, whereby a palladium catalyst is imparted to the surface of the base material fine particles. In the activating process, a reaction represented by Sn 2+ + Pd 2+ → Sn 4+ + Pd 0 is performed on the surface of the base particle.
上記無電解めっき工程は、パラジウム触媒が付与された基材微粒子を還元剤の存在下で、無電解めっき浴中に浸漬し、付与されたパラジウム触媒を起点として基材微粒子の表面にめっき金属を析出させる工程である。上記無電解めっき工程では、前期めっき工程と、後期めっき工程とを有することが好ましい。
例えば、上記無電解めっき工程において、前期めっき工程の反応が停止した後、金属層が形成された基材微粒子を洗浄する。洗浄された基材微粒子を還元剤が含まれないイオン交換水等に分散させ、後期めっき工程を行なうことが好ましい。このようなめっき工程を有することで、金属層に含まれるリンやホウ素等の含有率を低減できる。
The electroless plating step involves immersing the substrate fine particles provided with a palladium catalyst in an electroless plating bath in the presence of a reducing agent, and depositing a plating metal on the surface of the substrate fine particles using the provided palladium catalyst as a starting point. It is the process of making it precipitate. In the electroless plating process, it is preferable to have an early plating process and a late plating process.
For example, in the electroless plating step, after the reaction in the previous plating step is stopped, the substrate fine particles on which the metal layer is formed are washed. It is preferable to disperse the cleaned substrate fine particles in ion-exchanged water or the like that does not contain a reducing agent, and perform the late plating step. By having such a plating step, the content of phosphorus, boron, etc. contained in the metal layer can be reduced.
次いで、金属層が形成された基材微粒子の表面に、金又はパラジウムを含有する導電層を形成させる。上記導電層を形成させる方法は特に限定されず、例えば、電解めっき法、無電解めっき法等の方法が挙げられる。 Next, a conductive layer containing gold or palladium is formed on the surface of the substrate fine particles on which the metal layer is formed. The method for forming the conductive layer is not particularly limited, and examples thereof include an electrolytic plating method and an electroless plating method.
上記導電層の厚さを10nm以下とする方法として、例えば、無電解めっき液に含まれる金塩又はパラジウム塩の含有量を調整する方法や、無電解めっきを行う時間を調整する方法等が挙げられる。 Examples of the method of setting the thickness of the conductive layer to 10 nm or less include a method of adjusting the content of gold salt or palladium salt contained in the electroless plating solution, a method of adjusting the time for performing electroless plating, and the like. It is done.
最後に、金属層と導電層とが順次積層された基材微粒子の表面に、上述の方法によって炭素数6〜22のアルキル基を導入することにより、本発明の導電性微粒子が得られる。 Finally, the conductive fine particles of the present invention are obtained by introducing an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms into the surface of the base fine particles on which the metal layer and the conductive layer are sequentially laminated by the above-described method.
本発明の導電性微粒子をバインダー樹脂に分散させることにより異方性導電材料を製造することができる。本発明の導電性微粒子と、バインダー樹脂とを含有する異方性導電材料もまた、本発明の1つである。 An anisotropic conductive material can be produced by dispersing the conductive fine particles of the present invention in a binder resin. An anisotropic conductive material containing the conductive fine particles of the present invention and a binder resin is also one aspect of the present invention.
本発明の異方性導電材料として、例えば、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電接着剤、異方性導電フィルム、異方性導電シート等が挙げられる。 Examples of the anisotropic conductive material of the present invention include anisotropic conductive paste, anisotropic conductive ink, anisotropic conductive adhesive, anisotropic conductive film, and anisotropic conductive sheet.
上記バインダー樹脂は特に限定されないが、絶縁性の樹脂が用いられ、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体、エラストマー等が挙げられる。
上記ビニル樹脂は特に限定されないが、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂等が挙げられる。
上記熱可塑性樹脂は特に限定されないが、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂等が挙げられる。
上記硬化性樹脂は特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂、湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は硬化剤と併用してもよい。
上記熱可塑性ブロック共重合体は特に限定されないが、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。
上記エラストマーは特に限定されないが、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、アクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。
これらの樹脂は、単独で用いられてもよいし、2種以上が併用されてもよい。
The binder resin is not particularly limited, but an insulating resin is used, and examples thereof include a vinyl resin, a thermoplastic resin, a curable resin, a thermoplastic block copolymer, and an elastomer.
Although the said vinyl resin is not specifically limited, For example, a vinyl acetate resin, an acrylic resin, a styrene resin etc. are mentioned.
Although the said thermoplastic resin is not specifically limited, For example, polyolefin resin, ethylene-vinyl acetate copolymer, a polyamide resin etc. are mentioned.
Although the said curable resin is not specifically limited, For example, an epoxy resin, a urethane resin, a polyimide resin, an unsaturated polyester resin etc. are mentioned. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent.
The thermoplastic block copolymer is not particularly limited. For example, styrene-butadiene-styrene block copolymer, styrene-isoprene-styrene block copolymer, hydrogenated product of styrene-butadiene-styrene block copolymer, styrene -Hydrogenated product of isoprene-styrene block copolymer.
The elastomer is not particularly limited, and examples thereof include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.
These resins may be used alone or in combination of two or more.
本発明の異方性導電材料は、本発明の導電性微粒子、及び、上記バインダー樹脂の他に、本発明の課題達成を阻害しない範囲で、例えば、増量剤、可塑剤、粘接着性向上剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、着色剤、難燃剤、有機溶媒等を含有してもよい。 In addition to the conductive fine particles of the present invention and the above-mentioned binder resin, the anisotropic conductive material of the present invention is, for example, an extender, a plasticizer, and improved adhesiveness within a range that does not hinder the achievement of the present invention. Agents, antioxidants, heat stabilizers, light stabilizers, ultraviolet absorbers, colorants, flame retardants, organic solvents, and the like.
本発明の異方性導電材料の製造方法は特に限定されず、例えば、上記バインダー樹脂に本発明の導電性微粒子を添加し、均一に混合して分散させ、例えば、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電接着剤等を製造する方法が挙げられる。また、上記バインダー樹脂に本発明の導電性微粒子を添加し、均一に分散させるか、又は、加熱溶解させて、離型紙や離型フィルム等の離型材の離型処理面に所定のフィルム厚さとなるように塗工し、例えば、異方性導電フィルム、異方性導電シート等を製造する方法も挙げられる。
また、上記バインダー樹脂と、本発明の導電性微粒子とを混合することなく、別々に用いて異方性導電材料としてもよい。
The method for producing the anisotropic conductive material of the present invention is not particularly limited. For example, the conductive fine particles of the present invention are added to the binder resin, and the mixture is uniformly mixed and dispersed. Examples thereof include a method for producing an anisotropic conductive ink, an anisotropic conductive adhesive, and the like. Further, the conductive fine particles of the present invention are added to the binder resin and uniformly dispersed or dissolved by heating, and a predetermined film thickness is applied to a release treatment surface of a release material such as release paper or release film. For example, a method for producing an anisotropic conductive film, an anisotropic conductive sheet or the like by coating may be used.
Moreover, it is good also as an anisotropic conductive material by using separately the said binder resin and the electroconductive fine particles of this invention, without mixing.
本発明の導電性微粒子、又は、本発明の異方性導電材料によって接続されている接続構造体もまた、本発明の1つである。
本発明の接続構造体は、一対の回路基板間に、本発明の導電性微粒子又は本発明の異方性導電材料を充填することにより、一対の回路基板間を電気接続させた接続構造体である。
A connection structure connected by the conductive fine particles of the present invention or the anisotropic conductive material of the present invention is also one aspect of the present invention.
The connection structure of the present invention is a connection structure in which a pair of circuit boards are electrically connected by filling the conductive fine particles of the present invention or the anisotropic conductive material of the present invention between a pair of circuit boards. is there.
本発明によれば、信頼性が高い電気接続ができる導電性微粒子を提供することができる。また、本発明によれば、該導電性微粒子を含有する異方性導電材料、及び、該導電性微粒子又は該異方性導電材料によって接続された接続構造体を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the electroconductive fine particles which can perform electrical connection with high reliability can be provided. Further, according to the present invention, it is possible to provide an anisotropic conductive material containing the conductive fine particles, and a connection structure connected by the conductive fine particles or the anisotropic conductive material.
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
(実施例1)
(1)樹脂微粒子の作製
ポリビニルアルコールを3重量%含む水溶液800重量部に、ジビニルベンゼン70重量部と、トリメチロールプロパントリメタクリレート30重量部と、過酸化ベンゾイル2重量部とを加え、混合物を攪拌した。窒素気流下にて、混合物を撹拌しながら80℃で、15時間重合し、樹脂微粒子を得た。
得られた樹脂微粒子を蒸留水及びメタノールで洗浄した後、分級操作を行った。樹脂微粒子の平均粒子径は4.1μm、変動係数は5.0%であった。
得られた樹脂微粒子10gをエッチング処理し水洗した。パラジウムイオンを吸着させた樹脂微粒子を0.5重量%のジメチルアミンボラン水溶液に添加し、パラジウムが付与された樹脂微粒子を得た。
Example 1
(1) Preparation of resin fine particles To 800 parts by weight of an aqueous solution containing 3% by weight of polyvinyl alcohol, 70 parts by weight of divinylbenzene, 30 parts by weight of trimethylolpropane trimethacrylate and 2 parts by weight of benzoyl peroxide are added, and the mixture is stirred. did. Under a nitrogen stream, the mixture was polymerized at 80 ° C. with stirring for 15 hours to obtain resin fine particles.
The obtained resin fine particles were washed with distilled water and methanol, and then classified. The average particle size of the resin fine particles was 4.1 μm, and the coefficient of variation was 5.0%.
10 g of the obtained resin fine particles were etched and washed with water. Resin fine particles adsorbed with palladium ions were added to a 0.5% by weight dimethylamine borane aqueous solution to obtain resin fine particles to which palladium was imparted.
(2)金属層の形成
パラジウムが付与された樹脂微粒子10gを、イオン交換水1200mLに分散させ、めっき安定剤4mLを添加し、懸濁液Aを作製した。次いで、硫酸ニッケル450g/Lと、次亜リン酸ナトリウム150g/Lと、クエン酸ナトリウム116g/Lと、めっき安定剤6mLとの混合溶液120mLをアンモニアでpH8.5に調整し、前期めっき液を作製した。懸濁液Aに、81mL/分の添加速度で定量ポンプを通して、前期めっき液を添加した。その後、水溶液のpHが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するまで、前期めっき工程を行った。前期めっき工程が終了した後、めっき液をろ過し、粒子を蒸留水及びメタノールで洗浄した。洗浄した粒子を、イオン交換水1200mLに分散させ、懸濁液Bを作製した。
(2) Formation of metal layer 10 g of resin fine particles provided with palladium were dispersed in 1200 mL of ion-exchanged water, and 4 mL of a plating stabilizer was added to prepare a suspension A. Next, 120 mL of a mixed solution of 450 g / L of nickel sulfate, 150 g / L of sodium hypophosphite, 116 g / L of sodium citrate, and 6 mL of a plating stabilizer was adjusted to pH 8.5 with ammonia. Produced. The plating solution was added to the suspension A through a metering pump at an addition rate of 81 mL / min. Thereafter, stirring was performed until the pH of the aqueous solution was stabilized, and the previous plating step was performed until hydrogen foaming stopped. After the previous plating process was completed, the plating solution was filtered, and the particles were washed with distilled water and methanol. The washed particles were dispersed in 1200 mL of ion exchange water to prepare a suspension B.
次いで、硫酸ニッケル450g/Lと、次亜リン酸ナトリウム150g/Lと、クエン酸ナトリウム116g/Lと、めっき安定剤35mLとの混合溶液650mLをアンモニアでpH9.5に調整し、後期めっき液を作製した。懸濁液Bに、27mL/分の添加速度で定量ポンプを通して、後期めっき液を添加した。その後、pHが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するまで、後期めっき工程を行った。
次いで、めっき液をろ過し、粒子を蒸留水及びメタノールで洗浄した後、80℃の真空乾燥機で乾燥させ、ニッケルを含有する金属層が形成された樹脂微粒子を得た。
なお、蛍光X線分析装置(島津製作所社製「EDX−800HS」)により測定すると、金属層のニッケル含有率は97重量%であった。また、金属層の厚さは、0.1μmであった。
Next, 650 mL of a mixed solution of 450 g / L of nickel sulfate, 150 g / L of sodium hypophosphite, 116 g / L of sodium citrate, and 35 mL of a plating stabilizer is adjusted to pH 9.5 with ammonia. Produced. Late plating solution was added to suspension B through a metering pump at an addition rate of 27 mL / min. Then, it stirred until pH was stabilized and the latter plating process was performed until hydrogen foaming stopped.
Next, the plating solution was filtered, and the particles were washed with distilled water and methanol, and then dried with a vacuum dryer at 80 ° C. to obtain resin fine particles on which a metal layer containing nickel was formed.
In addition, the nickel content of the metal layer was 97% by weight as measured by a fluorescent X-ray analyzer (“EDX-800HS” manufactured by Shimadzu Corporation). The thickness of the metal layer was 0.1 μm.
(3)導電層の形成
次に、塩化金ナトリウム3gを含むイオン交換水1000mLに金属層が形成された樹脂微粒子10gを加えて水性懸濁液を調製した。
得られた水性懸濁液に、錯化剤としてメルカプトコハク酸を20g、2−アミノピリジン0.5g、還元剤としてチオ尿素を3g、緩衝剤としてリン酸水素アンモニウム40gを添加し、還元型無電解金メッキ液を調製した。
金メッキ液に更にヒドロキシルアミン10gを添加した後、アンモニアを用いてpH10に調整した。次いでメッキ液の温度を60℃に上げ20分攪拌することにより表面に金を含有する導電層が形成された樹脂微粒子を得た。
なお、導電層が形成された樹脂微粒子50個を電子顕微鏡で観察し、導電層の最大厚さを測定し、導電層の最大厚さの平均値を算出した。導電層の最大厚さの平均値は、10nmであった。また、一部の金属層は、導電層で完全に被覆されていなかった。
(3) Formation of conductive layer Next, 10 g of resin fine particles having a metal layer formed thereon were added to 1000 mL of ion-exchanged water containing 3 g of sodium gold chloride to prepare an aqueous suspension.
To the obtained aqueous suspension, 20 g of mercaptosuccinic acid as a complexing agent, 0.5 g of 2-aminopyridine, 3 g of thiourea as a reducing agent, and 40 g of ammonium hydrogenphosphate as a buffering agent are added. An electrolytic gold plating solution was prepared.
After further adding 10 g of hydroxylamine to the gold plating solution, the pH was adjusted to 10 using ammonia. Next, the temperature of the plating solution was raised to 60 ° C. and stirred for 20 minutes to obtain resin fine particles having a conductive layer containing gold on the surface.
In addition, 50 resin fine particles on which the conductive layer was formed were observed with an electron microscope, the maximum thickness of the conductive layer was measured, and the average value of the maximum thickness of the conductive layer was calculated. The average value of the maximum thickness of the conductive layer was 10 nm. Moreover, some metal layers were not completely covered with the conductive layer.
(4)アルキル基の導入
リン酸モノドデシルエステル1gを、テトラヒドロフラン水溶液(水:テトラヒドロフラン=50重量%:50重量%)1Lに溶解させた。導電層が形成された樹脂微粒子10gを、テトラヒドロフラン水溶液に添加し、水溶液の液温を50℃に保ちながら、1時間攪拌した。テトラヒドロフラン水溶液をろ過し、粒子を蒸留水で洗浄した後、80℃の真空乾燥機で乾燥させ、表面にドデシル基(炭素数12)を有する導電性微粒子を作製した。
なお、飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)により分析すると、導電性微粒子の表面に、ドデシル基が形成されていることが確認された。
(4) Introduction of alkyl group 1 g of phosphoric acid monododecyl ester was dissolved in 1 L of an aqueous tetrahydrofuran solution (water: tetrahydrofuran = 50 wt%: 50 wt%). 10 g of resin fine particles on which a conductive layer was formed were added to an aqueous tetrahydrofuran solution and stirred for 1 hour while keeping the temperature of the aqueous solution at 50 ° C. The aqueous tetrahydrofuran solution was filtered, and the particles were washed with distilled water, and then dried with a vacuum dryer at 80 ° C. to produce conductive fine particles having a dodecyl group (carbon number 12) on the surface.
In addition, when analyzed by a time-of-flight secondary ion mass spectrometer (TOF-SIMS), it was confirmed that dodecyl groups were formed on the surface of the conductive fine particles.
(実施例2)
リン酸モノドデシルエステルを、リン酸オクチル(アルキル:炭素数8)エステルとしたこと以外は、実施例1と同様に導電性微粒子を作製した。
(Example 2)
Conductive fine particles were produced in the same manner as in Example 1, except that monododecyl phosphate was changed to octyl phosphate (alkyl: carbon number 8) ester.
(実施例3)
リン酸モノドデシルエステルを、リン酸ヘキシル(アルキル:炭素数6)エステルとしたこと以外は、実施例1と同様に導電性微粒子を作製した。
(Example 3)
Conductive fine particles were produced in the same manner as in Example 1, except that monododecyl phosphate was changed to hexyl phosphate (alkyl: carbon number 6) ester.
(実施例4)
金メッキ液の条件を塩化金ナトリウム2.4gとしたこと以外は、実施例1と同様に導電性微粒子を作製した。なお、導電層の最大厚さの平均値は、7nmであった。
Example 4
Conductive fine particles were prepared in the same manner as in Example 1 except that the condition of the gold plating solution was 2.4 g of sodium gold chloride. The average value of the maximum thickness of the conductive layer was 7 nm.
(実施例5)
金メッキ液の条件を塩化金ナトリウム2.4gとしたこと以外は、実施例2と同様に導電性微粒子を作製した。なお、導電層の最大厚さの平均値は、7nmであった。
(Example 5)
Conductive fine particles were produced in the same manner as in Example 2 except that the condition of the gold plating solution was 2.4 g of sodium gold chloride. The average value of the maximum thickness of the conductive layer was 7 nm.
(実施例6)
金メッキ液の条件を塩化金ナトリウム2.4gとしたこと以外は、実施例3と同様に導電性微粒子を作製した。なお、導電層の最大厚さの平均値は、7nmであった。
(Example 6)
Conductive fine particles were prepared in the same manner as in Example 3 except that the condition of the gold plating solution was 2.4 g of sodium gold chloride. The average value of the maximum thickness of the conductive layer was 7 nm.
(実施例7)
実施例で作製した金属層が形成された樹脂微粒子10gを、イオン交換水500mLに添加し、超音波処理機により充分に分散させ、粒子懸濁液を得た。この懸濁液を50℃で攪拌しながら、硫酸パラジウム0.003mol/L、錯化剤としてエチレンジアミン0.04mol/L、還元剤として蟻酸ナトリウム0.06mol/L及び結晶調整剤を含むpH10.0の無電解メッキ液を徐々に添加し、無電解パラジウムめっきを行った。次に、洗浄し、真空乾燥することにより、金属層の表面にパラジウムを含有する導電層が形成された樹脂微粒子を得た。なお、導電層の最大厚さの平均値は、10nmであった。
得られたパラジウムを含有する導電層が形成された樹脂微粒子を用いた以外は実施例1と同様に導電性微粒子を得た。
(Example 7)
10 g of resin fine particles formed with the metal layer produced in the example were added to 500 mL of ion-exchanged water and sufficiently dispersed by an ultrasonic treatment machine to obtain a particle suspension. While stirring this suspension at 50 ° C., 0.003 mol / L of palladium sulfate, 0.04 mol / L of ethylenediamine as a complexing agent, 0.06 mol / L of sodium formate as a reducing agent, and pH 10.0 containing a crystal modifier. The electroless plating solution was gradually added to perform electroless palladium plating. Next, by washing and vacuum drying, resin fine particles in which a conductive layer containing palladium was formed on the surface of the metal layer were obtained. The average value of the maximum thickness of the conductive layer was 10 nm.
Conductive fine particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the resin fine particles on which the obtained conductive layer containing palladium was formed were used.
(実施例8)
リン酸モノドデシルエステルを、リン酸オクチル(アルキル:炭素数8)エステルとしたこと以外は、実施例7と同様に導電性微粒子を作製した。
(Example 8)
Conductive fine particles were produced in the same manner as in Example 7 except that the monododecyl phosphate was changed to octyl phosphate (alkyl: carbon number 8) ester.
(実施例9)
リン酸モノドデシルエステルを、リン酸ヘキシル(アルキル:炭素数6)エステルとしたこと以外は、実施例1と同様に導電性微粒子を作製した。
Example 9
Conductive fine particles were produced in the same manner as in Example 1, except that monododecyl phosphate was changed to hexyl phosphate (alkyl: carbon number 6) ester.
(実施例10)
パラジウムメッキ液の条件において、硫酸パラジウムの濃度を0.002mol/Lとしたこと以外は、実施例7と同様に導電性微粒子を作製した。なお、導電層の最大厚さの平均値は、7nmであった。
(Example 10)
Conductive fine particles were produced in the same manner as in Example 7 except that the concentration of palladium sulfate was 0.002 mol / L under the conditions of the palladium plating solution. The average value of the maximum thickness of the conductive layer was 7 nm.
(実施例11)
パラジウムメッキ液の条件において、硫酸パラジウムの濃度を0.002mol/Lとしたこと以外は、実施例8と同様に導電性微粒子を作製した。なお、導電層の最大厚さの平均値は、7nmであった。
(Example 11)
Conductive fine particles were produced in the same manner as in Example 8 except that the concentration of palladium sulfate was 0.002 mol / L under the conditions of the palladium plating solution. The average value of the maximum thickness of the conductive layer was 7 nm.
(実施例12)
パラジウムメッキ液の条件において、硫酸パラジウムの濃度を0.002mol/Lとしたこと以外は、実施例9と同様に導電性微粒子を作製した。なお、導電層の最大厚さの平均値は、7nmであった。
(Example 12)
Conductive fine particles were produced in the same manner as in Example 9 except that the concentration of palladium sulfate was 0.002 mol / L under the conditions of the palladium plating solution. The average value of the maximum thickness of the conductive layer was 7 nm.
(実施例13)
リン酸モノドデシルエステルを、リン酸モノヘキサドデシル(アルキル:炭素数16)エステルとしたこと以外は、実施例1と同様に導電性微粒子を作製した。
(Example 13)
Conductive fine particles were prepared in the same manner as in Example 1 except that monohexododecyl phosphate (alkyl: carbon number 16) ester was used instead of monododecyl phosphate.
(実施例14)
リン酸モノドデシルエステルを、リン酸モノヘキサドデシル(アルキル:炭素数16)エステルとしたこと以外は、実施例7と同様に導電性微粒子を作製した。
(Example 14)
Conductive fine particles were produced in the same manner as in Example 7 except that monohexodecyl phosphate (alkyl: carbon number 16) ester was used instead of monododecyl phosphate.
(比較例1)
(1)樹脂微粒子の作製
ポリビニルアルコールを3重量%含む水溶液800重量部に、ジビニルベンゼン70重量部、トリメチロールプロパントリメタクリレート30重量部、過酸化ベンゾイル2重量部を加え、混合物を攪拌した。窒素気流下にて、混合物を撹拌しながら80℃で、15時間重合し、樹脂微粒子を得た。
得られた樹脂微粒子を蒸留水及びメタノールで洗浄した後、分級操作を行った。樹脂微粒子の平均粒子径は4.1μm、変動係数は5.0%であった。
得られた樹脂微粒子10gをエッチング処理し水洗した。パラジウムイオンを吸着させた樹脂微粒子を0.5重量%のジメチルアミンボラン水溶液に添加し、パラジウムが付与された樹脂微粒子を得た。
(Comparative Example 1)
(1) Preparation of resin fine particles 70 parts by weight of divinylbenzene, 30 parts by weight of trimethylolpropane trimethacrylate and 2 parts by weight of benzoyl peroxide were added to 800 parts by weight of an aqueous solution containing 3% by weight of polyvinyl alcohol, and the mixture was stirred. Under a nitrogen stream, the mixture was polymerized at 80 ° C. with stirring for 15 hours to obtain resin fine particles.
The obtained resin fine particles were washed with distilled water and methanol, and then classified. The average particle size of the resin fine particles was 4.1 μm, and the coefficient of variation was 5.0%.
10 g of the obtained resin fine particles were etched and washed with water. Resin fine particles adsorbed with palladium ions were added to a 0.5% by weight dimethylamine borane aqueous solution to obtain resin fine particles to which palladium was imparted.
(2)金属層の形成
パラジウムが付与された樹脂微粒子10gを、イオン交換水1200mLに分散させ、めっき安定剤4mLを添加し、水溶液を調整した。この水溶液に硫酸ニッケル450g/Lと、次亜リン酸ナトリウム150g/Lと、クエン酸ナトリウム116g/Lと、めっき安定剤6mLとの混合溶液120mLを81mL/分の添加速度で定量ポンプを通して添加した。その後、水溶液のpHが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するまで、前期めっき工程を行った。
次いで、前期めっき工程が終了した水溶液に、硫酸ニッケル450g/Lと、次亜リン酸ナトリウム150g/Lと、クエン酸ナトリウム116g/Lと、めっき安定剤35mLとの混合溶液650mLを27mL/分の添加速度で定量ポンプを通して添加した。その後、pHが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するまで、後期めっき工程を行った。次いで、めっき液をろ過し、粒子を蒸留水及びメタノールで洗浄した後、80℃の真空乾燥機で乾燥させ、導電性微粒子を得た。
なお、蛍光X線分析装置(島津製作所社製「EDX−800HS」)により測定すると、金属層のニッケル含有率は94重量%であった。また、金属層の厚さは、0.1μmであった。
(2) Formation of metal layer 10 g of resin fine particles provided with palladium were dispersed in 1200 mL of ion-exchanged water, and 4 mL of a plating stabilizer was added to prepare an aqueous solution. To this aqueous solution, 120 mL of a mixed solution of nickel sulfate 450 g / L, sodium hypophosphite 150 g / L, sodium citrate 116 g / L, and plating stabilizer 6 mL was added at a rate of 81 mL / min through a metering pump. . Thereafter, stirring was performed until the pH of the aqueous solution was stabilized, and the previous plating step was performed until hydrogen foaming stopped.
Next, 650 mL of a mixed solution of 450 g / L of nickel sulfate, 150 g / L of sodium hypophosphite, 116 g / L of sodium citrate, and 35 mL of a plating stabilizer was added to the aqueous solution after the previous plating step was 27 mL / min. It was added through a metering pump at an addition rate. Then, it stirred until pH was stabilized and the latter plating process was performed until hydrogen foaming stopped. Next, the plating solution was filtered, and the particles were washed with distilled water and methanol, and then dried with a vacuum dryer at 80 ° C. to obtain conductive fine particles.
In addition, when measured with a fluorescent X-ray analyzer (“EDX-800HS” manufactured by Shimadzu Corporation), the nickel content of the metal layer was 94% by weight. The thickness of the metal layer was 0.1 μm.
(比較例2)
金メッキ液の条件を塩化金ナトリウム6gとし、アルキル基の形成を行わなかったこと以外は、実施例1と同様に導電性微粒子を作製した。なお、導電層の最大厚さの平均値は、20nmであった。
(Comparative Example 2)
Conductive fine particles were prepared in the same manner as in Example 1 except that the condition of the gold plating solution was 6 g of sodium gold chloride and no alkyl group was formed. The average value of the maximum thickness of the conductive layer was 20 nm.
(比較例3)
パラジウムメッキ液の条件において、硫酸パラジウムの濃度を0.005mol/Lとし、アルキル基の形成を行わなかったこと以外は、実施例7と同様に導電性微粒子を作製した。なお、導電層の最大厚さの平均値は、20nmであった。
(Comparative Example 3)
Conductive fine particles were produced in the same manner as in Example 7, except that the concentration of palladium sulfate was 0.005 mol / L under the conditions of the palladium plating solution, and no alkyl group was formed. The average value of the maximum thickness of the conductive layer was 20 nm.
(比較例4)
アルキル基の導入を行わなかったこと以外は、実施例1と同様に導電性微粒子を作製した。
(Comparative Example 4)
Conductive fine particles were produced in the same manner as in Example 1 except that no alkyl group was introduced.
(比較例5)
アルキル基の導入を行わなかったこと以外は、実施例7と同様に導電性微粒子を作製した。
(Comparative Example 5)
Conductive fine particles were produced in the same manner as in Example 7 except that no alkyl group was introduced.
(比較例6)
リン酸モノドデシルエステルを、リン酸ブチル(アルキル:炭素数4)エステルとしたこと以外は、実施例1と同様に導電性微粒子を作製した。
(Comparative Example 6)
Conductive fine particles were produced in the same manner as in Example 1 except that monododecyl phosphate was changed to butyl phosphate (alkyl: carbon number 4) ester.
(比較例7)
リン酸モノドデシルエステルを、リン酸ブチル(アルキル:炭素数4)エステルとしたこと以外は、実施例7と同様に導電性微粒子を作製した。
(Comparative Example 7)
Conductive fine particles were produced in the same manner as in Example 7 except that monododecyl phosphate was changed to butyl phosphate (alkyl: carbon number 4) ester.
<評価>
実施例1〜14及び比較例1〜7で得られた導電性微粒子について以下の評価を行った。結果を表1に示した。
<Evaluation>
The following evaluation was performed about the electroconductive fine particles obtained in Examples 1-14 and Comparative Examples 1-7. The results are shown in Table 1.
(1)異方性導電フィルムの作製
バインダー樹脂としてエポキシ樹脂(油化シェルエポキシ社製「エピコート828」)100重量部、トリスジメチルアミノエチルフェノール2重量部、及び、トルエン100重量部を、遊星式攪拌機を用いて充分に混合し、混合物を得た。得られた混合物を、離型フィルム上に乾燥後の厚さが10μmとなるように塗布し、トルエンを揮発させて接着性フィルム1を得た。
次いで、バインダー樹脂としてエポキシ樹脂(油化シェルエポキシ社製「エピコート828」)100重量部、トリスジメチルアミノエチルフェノール2重量部、及び、トルエン100重量部に、導電性微粒子を添加し、遊星式攪拌機を用いて充分に混合し、混合物を得た。得られた混合物を、離型フィルム上に乾燥後の厚さが7μmとなるように塗布し、トルエンを揮発させて導電性微粒子を含有する接着性フィルム2を得た。なお、接着性フィルム2における導電性微粒子の含有量は5万個/cm2となるように調整した。
得られた接着性フィルム1と接着性フィルム2とを常温でラミネートし、2層構造を有する厚さ17μmの異方性導電フィルムを得た。
(1) Production of anisotropic conductive film 100 parts by weight of an epoxy resin (“Epicoat 828” manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), 2 parts by weight of trisdimethylaminoethylphenol, and 100 parts by weight of toluene as a binder resin The mixture was sufficiently mixed using a stirrer to obtain a mixture. The obtained mixture was applied onto a release film so that the thickness after drying was 10 μm, and toluene was volatilized to obtain an adhesive film 1.
Next, conductive fine particles were added to 100 parts by weight of an epoxy resin (“Epicoat 828” manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), 2 parts by weight of trisdimethylaminoethylphenol, and 100 parts by weight of toluene as a binder resin, and a planetary stirrer Was mixed well to obtain a mixture. The obtained mixture was applied onto a release film so that the thickness after drying was 7 μm, and toluene was volatilized to obtain an adhesive film 2 containing conductive fine particles. In addition, the content of the conductive fine particles in the adhesive film 2 was adjusted to be 50,000 / cm 2 .
The obtained adhesive film 1 and adhesive film 2 were laminated at room temperature to obtain a 17 μm thick anisotropic conductive film having a two-layer structure.
(2)接続構造体の作製
得られた異方性導電フィルムを5mm×5mmの大きさに切断した。切断した異方性導電フィルムを、一方に抵抗測定用の引き回し線を有するアルミニウム電極(高さ0.2μm、L/S=20μm/20μm)が形成されたガラス基板のアルミニウム電極側のほぼ中央に貼り付けた。次いで、同じアルミニウム電極が形成されたガラス基板を、電極同士が重なるように位置合わせをしてから貼り合わせた。このガラス基板の積層体を、10N、180℃の圧着条件で熱圧着し、接続構造体を得た。
(2) Preparation of connection structure The obtained anisotropic conductive film was cut into a size of 5 mm × 5 mm. At the center of the glass substrate on which the aluminum electrode (height 0.2 μm, L / S = 20 μm / 20 μm) having a resistance measurement lead wire formed on one side is formed on the cut anisotropic conductive film. Pasted. Next, the glass substrates on which the same aluminum electrodes were formed were bonded together after being aligned so that the electrodes overlap each other. The laminated body of the glass substrates was thermocompression bonded under pressure bonding conditions of 10N and 180 ° C. to obtain a connection structure.
(3)接続抵抗値の測定
得られた接続構造体の対向する電極間の接続抵抗値を4端子法により測定した。また、PCT試験後の接続構造体の接続抵抗値を同様に測定した。なお、PCT試験とは、得られた接続構造体を85℃、相対湿度85%の恒温恒湿器内に100時間保管する加速試験を意味する。
(3) Measurement of connection resistance value The connection resistance value between the opposing electrodes of the obtained connection structure was measured by a four-terminal method. Moreover, the connection resistance value of the connection structure after a PCT test was measured similarly. The PCT test means an accelerated test in which the obtained connection structure is stored in a constant temperature and humidity chamber at 85 ° C. and a relative humidity of 85% for 100 hours.
本発明によれば、信頼性が高い電気接続ができる導電性微粒子を提供することができる。また、本発明によれば、該導電性微粒子を含有する異方性導電材料、及び、該導電性微粒子又は該異方性導電材料によって接続された接続構造体を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the electroconductive fine particles which can perform electrical connection with high reliability can be provided. Further, according to the present invention, it is possible to provide an anisotropic conductive material containing the conductive fine particles, and a connection structure connected by the conductive fine particles or the anisotropic conductive material.
Claims (6)
前記導電層の厚さが10nm以下であり、かつ、表面に炭素数6〜22のアルキル基を有する
ことを特徴とする導電性微粒子。 Conductive fine particles in which a metal layer containing nickel and a conductive layer containing gold or palladium are sequentially laminated on the surface of the substrate fine particles,
Conductive fine particles, wherein the conductive layer has a thickness of 10 nm or less and has an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms on the surface.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008251049A JP5271019B2 (en) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | Conductive fine particles, anisotropic conductive material, and connection structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008251049A JP5271019B2 (en) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | Conductive fine particles, anisotropic conductive material, and connection structure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010086664A JP2010086664A (en) | 2010-04-15 |
JP5271019B2 true JP5271019B2 (en) | 2013-08-21 |
Family
ID=42250443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008251049A Active JP5271019B2 (en) | 2008-09-29 | 2008-09-29 | Conductive fine particles, anisotropic conductive material, and connection structure |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5271019B2 (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5410387B2 (en) * | 2010-08-31 | 2014-02-05 | デクセリアルズ株式会社 | Conductive particles, method for producing the same, anisotropic conductive film, joined body, and connection method |
JP6357347B2 (en) * | 2013-05-14 | 2018-07-11 | 積水化学工業株式会社 | Conductive particles, conductive materials, and connection structures |
JP6491446B2 (en) * | 2013-09-30 | 2019-03-27 | 積水化学工業株式会社 | Conductive particles, conductive materials, and connection structures |
JP6392617B2 (en) * | 2013-10-02 | 2018-09-19 | 積水化学工業株式会社 | Conductive particles, conductive materials, and connection structures |
JP6453032B2 (en) * | 2013-10-21 | 2019-01-16 | 積水化学工業株式会社 | Conductive particles, conductive materials, and connection structures |
JP6445833B2 (en) * | 2013-10-21 | 2018-12-26 | 積水化学工業株式会社 | Conductive particles, conductive materials, and connection structures |
JP6411194B2 (en) * | 2013-12-05 | 2018-10-24 | 積水化学工業株式会社 | Conductive particle, method for producing conductive particle, conductive material, and connection structure |
JP6500583B2 (en) * | 2015-05-11 | 2019-04-17 | 日立化成株式会社 | Conductive particle and semiconductor package using conductive particle |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5549069B2 (en) * | 2008-04-22 | 2014-07-16 | 日立化成株式会社 | Particulate conductive material for anisotropic conductive adhesive, method for producing the same, and anisotropic conductive adhesive |
-
2008
- 2008-09-29 JP JP2008251049A patent/JP5271019B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010086664A (en) | 2010-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5271019B2 (en) | Conductive fine particles, anisotropic conductive material, and connection structure | |
JP4563110B2 (en) | Method for producing conductive fine particles | |
CN102089832B (en) | Conductive particle, anisotropic conductive film, joined body, and connecting method | |
JP4860163B2 (en) | Method for producing conductive fine particles | |
JP4052832B2 (en) | Conductive fine particles, method for producing conductive fine particles, and anisotropic conductive material | |
JP5485575B2 (en) | Conductive fine particles, anisotropic conductive material, and connection structure | |
JP6155651B2 (en) | Conductive particles, insulating coated conductive particles, and anisotropic conductive adhesive | |
JP4936678B2 (en) | Conductive particles and anisotropic conductive materials | |
JP2007242307A (en) | Conductive particulate and anisotropic conductive material | |
JP2011029180A (en) | Coated conductive particle | |
JP2020095966A (en) | Conductive particle, conductive material, and connecting structure | |
JP5529431B2 (en) | Conductive fine particles, anisotropic conductive material, and connection structure | |
JP2013214511A (en) | Conductive particle, conductive material, and connection structure | |
JP6453032B2 (en) | Conductive particles, conductive materials, and connection structures | |
JP4715969B1 (en) | Conductive particles | |
JP4217271B2 (en) | Conductive fine particles and anisotropic conductive materials | |
JP6431411B2 (en) | Conductive particles with insulating particles, conductive material, and connection structure | |
JP2009032397A (en) | Conductive fine particle | |
JP5529901B2 (en) | Conductive particles and anisotropic conductive materials | |
JP4714719B2 (en) | Method for producing conductive fine particles | |
KR102609199B1 (en) | Manufacturing method of bonded structure, conductive particles, conductive film, and bonded structure | |
JP5368611B1 (en) | Conductive fine particles | |
JP6577723B2 (en) | Conductive particles with insulating particles, conductive material, and connection structure | |
JP5368613B1 (en) | Conductive fine particles | |
JP5323147B2 (en) | Conductive fine particles and anisotropic conductive materials |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110707 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120615 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130416 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130510 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5271019 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |