JP5264282B2 - Light emitting diode lighting device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting diode lighting system capable of suppressing an increase of a time period for setting the luminance of a light-emitting diode by using ambient temperature. <P>SOLUTION: The light-emitting diode lighting system includes: light-emitting diodes 11-1n; a temperature measuring circuit 20 for measuring ambient temperature around the light-emitting diodes 11-1n in real time; a driving circuit 30 for driving the light-emitting diodes 11-1n; and a control circuit 40 for controlling the driving circuit 30 in accordance with ambient temperature and the time variation of the ambient temperature. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、発光ダイオードを光源とする発光ダイオード照明装置に関する。   The present invention relates to a light emitting diode illumination device using a light emitting diode as a light source.

近年、蛍光灯等に代えて発光ダイオード(LED)を光源とする照明装置の実用化が進められている。発光ダイオードを光源とすることにより、蛍光管を使用する場合に比べて長寿命、省エネルギー等の効果が得られる。   In recent years, an illuminating device using a light emitting diode (LED) as a light source instead of a fluorescent lamp or the like has been put into practical use. By using a light emitting diode as a light source, effects such as long life and energy saving can be obtained as compared with the case of using a fluorescent tube.

発光状態にある発光ダイオードは、発光ダイオード自身の発熱等により発光ダイオードの接合温度が上昇し、その結果発光ダイオードから出射される光の波長が変動して輝度が変化するという問題がある。このため、発光ダイオードの周囲温度を測定して発光ダイオードの輝度を制御する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2001−312249号公報
A light emitting diode in a light emitting state has a problem that the junction temperature of the light emitting diode rises due to heat generation of the light emitting diode itself, and as a result, the wavelength of light emitted from the light emitting diode fluctuates and the luminance changes. For this reason, a method has been proposed in which the ambient temperature of the light emitting diode is measured to control the luminance of the light emitting diode (see, for example, Patent Document 1).
JP 2001-31249 A

しかしながら、上記に提案されている方法は、測定した時点の発光ダイオードの周囲温度に応じて駆動電流を増減させて、発光ダイオードの輝度を調整する。このため、駆動電流を増やしすぎたり減らしすぎたりすることによって、発光ダイオードの輝度を所望の値に安定して設定するまでに要する時間が増大するという問題があった。   However, the method proposed above adjusts the luminance of the light emitting diode by increasing or decreasing the drive current according to the ambient temperature of the light emitting diode at the time of measurement. For this reason, there is a problem that the time required to stably set the luminance of the light emitting diode to a desired value increases by increasing or decreasing the drive current too much.

上記問題点を鑑み、本発明は、周囲温度を用いて発光ダイオードの輝度を設定する時間の増大を抑制できる発光ダイオード照明装置を提供することを目的とする。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a light-emitting diode illuminating device that can suppress an increase in time for setting the luminance of a light-emitting diode using ambient temperature.

本発明の一態様によれば、発光ダイオードと、前記発光ダイオードの周囲温度をリアルタイムで測定する温度測定回路と、前記発光ダイオードを駆動する駆動回路と、対象時刻の前記周囲温度および該対象時刻までの一定時間における前記周囲温度の時間変化量に応じて、前記発光ダイオードの発光状態を変化させるように前記駆動回路における駆動電流を制御する制御回路とを備え、前記制御回路は、前記対象時刻における対象周囲温度および該対象時刻までの所定時間における前記周囲温度の時間変化量の双方に応じて、前記対象時刻以降の前記駆動電流の大きさを設定する発光ダイオード照明装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, a light emitting diode, a temperature measurement circuit that measures the ambient temperature of the light emitting diode in real time, a drive circuit that drives the light emitting diode, the ambient temperature at a target time, and the target time A control circuit for controlling a drive current in the drive circuit so as to change a light emission state of the light emitting diode according to a time change amount of the ambient temperature in a certain time of the control circuit , the control circuit at the target time There is provided a light-emitting diode illuminating device that sets the magnitude of the drive current after the target time according to both the target ambient temperature and the amount of time change of the ambient temperature during a predetermined time until the target time .

本発明によれば、周囲温度を用いて発光ダイオードの輝度を設定する時間の増大を抑制できる発光ダイオード照明装置を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the light emitting diode illuminating device which can suppress the increase in the time which sets the brightness | luminance of a light emitting diode using ambient temperature can be provided.

次に、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各部の長さの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。   Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between the thickness and the planar dimensions, the ratio of the lengths of the respective parts, and the like are different from the actual ones. Therefore, specific dimensions should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.

又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。   The following embodiments exemplify apparatuses and methods for embodying the technical idea of the present invention, and the technical idea of the present invention includes the shape, structure, arrangement, etc. of components. It is not specified to the following. The technical idea of the present invention can be variously modified within the scope of the claims.

本発明の実施形態に係る発光ダイオード照明装置1は、図1に示すように、発光ダイオード11〜1nと、発光ダイオード11〜1nの周囲温度Tをリアルタイムで測定する温度測定回路20と、発光ダイオード11〜1nを駆動する駆動回路30と、周囲温度T及び周囲温度Tの時間変化量に応じて駆動回路30を制御する制御回路40とを備える(n:2以上の整数)。なお、図1では発光部10が発光ダイオード11〜1nを直列接続した発光ダイオード列を含む例を示したが、駆動回路30が駆動する発光ダイオードの個数は1個でもよい。   As shown in FIG. 1, a light-emitting diode illuminating apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes light-emitting diodes 11 to 1n, a temperature measurement circuit 20 that measures the ambient temperature T of the light-emitting diodes 11 to 1n in real time, and a light-emitting diode. A drive circuit 30 that drives 11 to 1n and a control circuit 40 that controls the drive circuit 30 according to the ambient temperature T and the amount of time change of the ambient temperature T are provided (n: an integer of 2 or more). Although FIG. 1 shows an example in which the light emitting unit 10 includes a light emitting diode array in which the light emitting diodes 11 to 1n are connected in series, the number of light emitting diodes driven by the drive circuit 30 may be one.

発光ダイオード11〜1nが出射する光の輝度は発光ダイオード11〜1nの接合温度に影響される。通常、接合温度が上昇すると発光ダイオード11〜1nが出射する光の輝度が上昇する。しかし、発光ダイオード11〜1nの接合温度を直接測定することは困難であるため、発光ダイオード照明装置1は、発光ダイオード11〜1nの周囲温度Tによって間接的に接合温度を検知する。   The luminance of light emitted from the light emitting diodes 11 to 1n is affected by the junction temperature of the light emitting diodes 11 to 1n. Usually, when the junction temperature increases, the luminance of light emitted from the light emitting diodes 11 to 1n increases. However, since it is difficult to directly measure the junction temperature of the light emitting diodes 11 to 1n, the light emitting diode illumination device 1 indirectly detects the junction temperature based on the ambient temperature T of the light emitting diodes 11 to 1n.

温度測定回路20には、例えば温度変化に依存して電気抵抗が変化するサーミスタ等を使用して周囲温度Tを測定可能である。温度測定回路20は、測定した周囲温度Tを測定信号SAで制御回路40に送信する。   The temperature measurement circuit 20 can measure the ambient temperature T using, for example, a thermistor whose electric resistance changes depending on the temperature change. The temperature measurement circuit 20 transmits the measured ambient temperature T to the control circuit 40 as a measurement signal SA.

制御回路40は、送信された周囲温度T及び周囲温度Tの時間変化に応じて、発光ダイオード11〜1nの出射光が所望の輝度になるように駆動回路30を制御する。具体的には、制御回路40は、任意の対象時刻の周囲温度T、及びその対象時刻までの一定時間における周囲温度Tの変化量に応じて、発光ダイオード11〜1nの発光状態を変化させるように駆動回路30を制御する。このため、制御回路40は、温度測定回路20から送信される過去の各時刻における周囲温度Tを記録する機能を有する。   The control circuit 40 controls the drive circuit 30 so that the emitted light of the light emitting diodes 11 to 1n has a desired luminance in accordance with the transmitted ambient temperature T and the temporal change of the ambient temperature T. Specifically, the control circuit 40 changes the light emission state of the light emitting diodes 11 to 1n according to the ambient temperature T at an arbitrary target time and the amount of change in the ambient temperature T in a certain time until the target time. The drive circuit 30 is controlled. Therefore, the control circuit 40 has a function of recording the ambient temperature T at each past time transmitted from the temperature measurement circuit 20.

制御回路40は、制御信号SBを駆動回路30に出力して、駆動回路30から発光ダイオード11〜1nに出力される駆動電流の大きさを設定する。例えば、発光ダイオード11〜1nの出射光の所望の輝度に応じてデューティ比を設定したパルス信号の制御信号SBにより、駆動回路30をパルス幅変調(PWM)制御する。或いは、直流電圧値等を制御信号SBで駆動回路30に送信することによって、駆動電流の大きさを設定してもよい。制御回路40が駆動電流の大きさを設定する方法の詳細は後述する。   The control circuit 40 outputs the control signal SB to the drive circuit 30 and sets the magnitude of the drive current output from the drive circuit 30 to the light emitting diodes 11 to 1n. For example, the drive circuit 30 is subjected to pulse width modulation (PWM) control by the control signal SB of the pulse signal in which the duty ratio is set according to the desired luminance of the light emitted from the light emitting diodes 11 to 1n. Alternatively, the magnitude of the drive current may be set by transmitting a DC voltage value or the like to the drive circuit 30 using the control signal SB. Details of how the control circuit 40 sets the magnitude of the drive current will be described later.

駆動回路30は、制御信号SBに応じて、発光ダイオード11〜1nの駆動電流を増減して発光ダイオード11〜1nの出射光の輝度を制御する。   The drive circuit 30 controls the luminance of the emitted light from the light emitting diodes 11 to 1n by increasing or decreasing the drive current of the light emitting diodes 11 to 1n according to the control signal SB.

発光ダイオード11〜1n及び温度測定回路20は、例えば図2に示すように基板100上に配置可能である。基板100は、アルミニウム(Al)板からなるプリント基板等が採用可能である。図2は、発光ダイオード11〜1nを基板100の第1の主面101上に配置し、温度測定回路20を第1の主面101に対向する基板100の第2の主面102上に配置した例である。図2に示すように温度測定回路20が基板100上に配置された場合、温度測定回路20は、基板100を伝導する発光ダイオード11〜1nの発熱による温度上昇を測定する。つまり、温度測定回路20が測定する周囲温度は基板100の基板温度である。   The light emitting diodes 11 to 1n and the temperature measurement circuit 20 can be arranged on the substrate 100 as shown in FIG. The substrate 100 may be a printed circuit board made of an aluminum (Al) plate. In FIG. 2, the light emitting diodes 11 to 1 n are arranged on the first main surface 101 of the substrate 100, and the temperature measurement circuit 20 is arranged on the second main surface 102 of the substrate 100 facing the first main surface 101. This is an example. As shown in FIG. 2, when the temperature measurement circuit 20 is disposed on the substrate 100, the temperature measurement circuit 20 measures a temperature rise due to heat generation of the light emitting diodes 11 to 1 n that are conducted through the substrate 100. That is, the ambient temperature measured by the temperature measurement circuit 20 is the substrate temperature of the substrate 100.

発光部10が複数の発光ダイオード11〜1nを含む場合は、一般的に、複数の発光ダイオード11〜1nの中心付近の発光ダイオード1iの接合温度が最も高くなる(1<i<n)。これは、各発光ダイオード11〜1nの接合温度が、周囲に配置された他の発光ダイオードの発熱の影響を受けるためである。そのため、温度測定回路20を発光ダイオード1iの近傍に配置することが好ましい。   When the light emitting unit 10 includes a plurality of light emitting diodes 11 to 1n, generally, the junction temperature of the light emitting diode 1i near the center of the plurality of light emitting diodes 11 to 1n is highest (1 <i <n). This is because the junction temperature of each of the light emitting diodes 11 to 1n is affected by the heat generated by other light emitting diodes arranged around the light emitting diode. Therefore, it is preferable to arrange the temperature measurement circuit 20 in the vicinity of the light emitting diode 1i.

なお、図2に示すように第2の主面102上に温度測定回路20を配置する場合は、発光ダイオード1iの周囲温度Tを高精度に測定するために、第1の主面101上に配置された発光ダイオード1iと対応する第2の主面102上の位置に温度測定回路20を配置することが好ましい。例えば、発光ダイオード1iの中心と対応する第2の主面102上の位置から半径5mm以内に温度測定回路20を配置する。   In the case where the temperature measuring circuit 20 is arranged on the second main surface 102 as shown in FIG. 2, in order to measure the ambient temperature T of the light emitting diode 1i with high accuracy, the first main surface 101 is provided. It is preferable to arrange the temperature measurement circuit 20 at a position on the second main surface 102 corresponding to the arranged light emitting diode 1i. For example, the temperature measurement circuit 20 is arranged within a radius of 5 mm from the position on the second main surface 102 corresponding to the center of the light emitting diode 1i.

また、基板100を貫通して発光ダイオード1iと接する熱伝導体の第2の主面102に露出した部分に隣接して温度測定回路20を配置することにより、発光ダイオード1iの周囲温度Tを高精度に測定することができる。この配置例を図3(a)〜図3(c)に示す。   Further, by arranging the temperature measurement circuit 20 adjacent to the portion exposed to the second main surface 102 of the heat conductor that penetrates the substrate 100 and contacts the light emitting diode 1i, the ambient temperature T of the light emitting diode 1i is increased. It can be measured with high accuracy. Examples of this arrangement are shown in FIGS. 3 (a) to 3 (c).

図3(a)は、発光ダイオード1iが配置された第1の主面101の上面図である。発光ダイオード1iの長手方向の端部はそれぞれアノード及びカソードであり、半田201及び半田202によりアノード及びカソードが第1の主面101上に形成される配線パターンと電気的に接続されると共に、発光ダイオード1iが第1の主面101上に固定される。   FIG. 3A is a top view of the first main surface 101 on which the light emitting diode 1i is arranged. The longitudinal ends of the light emitting diode 1i are an anode and a cathode, respectively, and the anode and the cathode are electrically connected to a wiring pattern formed on the first main surface 101 by the solder 201 and the solder 202, and light is emitted. The diode 1 i is fixed on the first main surface 101.

図3(b)は、図3(a)のI−I方向に沿った断面図である。図3(b)に示すように、熱伝導体301及び熱伝導体302がプリント基板である基板100を貫通して配置される。例えば、基板100に形成されるスルーホールに熱伝導体301及び熱伝導体302を埋め込み、熱伝導体301及び熱伝導体302の一部を第2の主面102に露出させる。熱伝導体301及び熱伝導体302の一部は第1の主面101に露出して、半田201及び半田202にそれぞれ接触する。或いは、熱伝導体301及び熱伝導体302を発光ダイオード1iに直接接触させ、半田201及び半田202により発光ダイオード1iを固定してもよい。   FIG. 3B is a cross-sectional view along the II direction of FIG. As shown in FIG. 3B, the thermal conductor 301 and the thermal conductor 302 are disposed through the substrate 100 which is a printed board. For example, the thermal conductor 301 and the thermal conductor 302 are embedded in a through hole formed in the substrate 100, and the thermal conductor 301 and a part of the thermal conductor 302 are exposed to the second main surface 102. A part of the heat conductor 301 and the heat conductor 302 are exposed on the first main surface 101 and come into contact with the solder 201 and the solder 202, respectively. Alternatively, the heat conductor 301 and the heat conductor 302 may be brought into direct contact with the light emitting diode 1 i and the light emitting diode 1 i may be fixed by the solder 201 and the solder 202.

図3(c)は、温度測定回路20が配置された第2の主面102の上面図である。図3(c)に示すように、熱伝導体301及び熱伝導体302の第2の主面102上に露出した部分に隣接して、温度測定回路20が配置される。   FIG. 3C is a top view of the second main surface 102 on which the temperature measurement circuit 20 is arranged. As shown in FIG. 3C, the temperature measurement circuit 20 is disposed adjacent to the heat conductor 301 and a portion of the heat conductor 302 exposed on the second main surface 102.

熱伝導体301及び熱伝導体302には、熱伝導率の高い物質が採用可能である。例えば銅(Cu)膜やシリコン(Si)膜等を熱伝導体301及び熱伝導体302に使用する。上記のように、基板100を貫通する熱伝導率の高い熱伝導体301及び熱伝導体302の一端を発光ダイオード1iに接触させ、第2の主面102上に露出させた熱伝導体301及び熱伝導体302の他端の近傍に温度測定回路20を配置することにより、温度測定回路20によって発光ダイオード1iの周囲温度Tを高精度に測定することができる。   For the heat conductor 301 and the heat conductor 302, a substance having high thermal conductivity can be used. For example, a copper (Cu) film, a silicon (Si) film, or the like is used for the heat conductor 301 and the heat conductor 302. As described above, the thermal conductor 301 having high thermal conductivity penetrating the substrate 100 and one end of the thermal conductor 302 are in contact with the light emitting diode 1i, and the thermal conductor 301 exposed on the second main surface 102 and By disposing the temperature measurement circuit 20 in the vicinity of the other end of the heat conductor 302, the ambient temperature T of the light emitting diode 1i can be measured with high accuracy by the temperature measurement circuit 20.

次に、温度測定回路20によって測定された周囲温度Tを用いて制御回路40が発光ダイオード11〜1nに流れる駆動電流の大きさを設定する方法の例を説明する。以下では、制御回路40が駆動回路30をPWM制御する場合を例示的に説明する。なお、駆動回路30は、デューティ比が高いほど駆動電流を大きく設定する。ここで、デューティ比はPWM制御に使用されるパルス信号の周期に対するハイレベルの比である。   Next, an example of a method in which the control circuit 40 sets the magnitude of the drive current flowing through the light emitting diodes 11 to 1n using the ambient temperature T measured by the temperature measurement circuit 20 will be described. Hereinafter, a case where the control circuit 40 performs PWM control of the drive circuit 30 will be described as an example. The drive circuit 30 sets the drive current larger as the duty ratio is higher. Here, the duty ratio is a ratio of a high level to the cycle of a pulse signal used for PWM control.

図4に示すように、一般的に、発光状態にある発光ダイオード11〜1nの周囲温度Tは時刻tの経過と共に上昇する。ここで、温度測定回路20によって測定された任意の対象時刻tCにおける周囲温度Tを対象周囲温度TC、対象時刻tCより一定時間Δtだけ過去の時刻である基準時刻t0における周囲温度Tを基準周囲温度T0とする。そして、対象周囲温度TCから基準周囲温度T0を引いた差「TC−T0」を、周囲温度Tの時間変化量ΔTとする。一定時間Δtは、例えば15秒程度に設定される。なお、図2や図3に示したように発光ダイオード11〜1n及び温度測定回路20が基板100上に配置されている場合、周囲温度Tは基板100の基板温度(ケース温度)である。 As shown in FIG. 4, generally, the ambient temperature T of the light emitting diodes 11 to 1n in the light emitting state rises with the passage of time t. Here, the ambient temperature T at any target time t C measured by the temperature measurement circuit 20 is the target ambient temperature T C , and the ambient temperature T at the reference time t 0 that is a time past the target time t C by a fixed time Δt. Is the reference ambient temperature T 0 . Then, a difference “T C −T 0 ” obtained by subtracting the reference ambient temperature T 0 from the target ambient temperature T C is set as a time change amount ΔT of the ambient temperature T. The fixed time Δt is set to about 15 seconds, for example. 2 and 3, when the light emitting diodes 11 to 1n and the temperature measuring circuit 20 are arranged on the substrate 100, the ambient temperature T is the substrate temperature (case temperature) of the substrate 100.

発光ダイオード11〜1nの輝度は駆動電流の大きさで決まるが、周囲温度Tの影響により発光ダイオード11〜1nの接合温度が変化すると、発光ダイオード11〜1nの出射光の波長が変動して輝度が変化する。このため、周囲温度Tを一定に維持するように駆動電流の大きさを調整することにより、発光ダイオード11〜1nの輝度を一定にできる。そして、周囲温度Tを所定の値に保つことによって、発光ダイオード11〜1nを最適な状態、例えば輝度が最も高い状態に保つことができる。   The luminance of the light emitting diodes 11 to 1n is determined by the magnitude of the drive current. However, when the junction temperature of the light emitting diodes 11 to 1n changes due to the influence of the ambient temperature T, the wavelength of the emitted light from the light emitting diodes 11 to 1n varies and the luminance is increased. Changes. For this reason, the brightness | luminance of the light emitting diodes 11-1n can be made constant by adjusting the magnitude | size of a drive current so that ambient temperature T may be maintained constant. Then, by keeping the ambient temperature T at a predetermined value, the light emitting diodes 11 to 1n can be kept in an optimum state, for example, in a state where the luminance is the highest.

制御回路40は、周囲温度Tが所定の最適温度になるように、対象周囲温度TCと時間変化量ΔTとを用いて、対象周囲温度TCが測定される対象時刻tC以降の駆動電流の大きさを設定する。具体的には、例えば図5に示すようなデューティ変更量テーブルを参照して設定されたデューティ比を制御信号SBで送信して、駆動回路30をPWM制御する。図5に示した変更量d11〜変更量d46は、対象時刻tCにおいて駆動回路30に送信されたデューティ比を増減するデューティ変更量である。つまり、対象時刻tCにおけるデューティ比を変更量d11〜変更量d46のいずれかだけ変更して、対象時刻tC以降の駆動電流の大きさが設定される。変更量d11〜変更量d46は、例えば対象時刻tCのデューティ比と対象時刻tC以降に設定するデューティ比との差としてもよいし、或いは対象時刻tCにおけるデューティ比に対する比率にしてもよい。 The control circuit 40 uses the target ambient temperature T C and the time variation ΔT so that the ambient temperature T becomes a predetermined optimum temperature, and the drive current after the target time t C when the target ambient temperature T C is measured. Set the size of. Specifically, for example, the duty ratio set with reference to the duty change amount table as shown in FIG. 5 is transmitted by the control signal SB, and the drive circuit 30 is PWM-controlled. The change amounts d11 to d46 illustrated in FIG. 5 are duty change amounts that increase or decrease the duty ratio transmitted to the drive circuit 30 at the target time t C. That is, the duty ratio at the target time t C is changed by any one of the change amount d11 to the change amount d46, and the magnitude of the drive current after the target time t C is set. Change amount d11~ change amount d46, for example may be used as the difference between the duty ratio to be set to the duty ratio and the target time t C after the target time t C, or at target time t C may be a percentage of the duty ratio .

図5においては、周囲温度Tが温度TC3より高く温度TC4以下であるときが、発光ダイオード11〜1nが最適な状態である。つまり、TC3<T≦TC4である周囲温度Tが発光ダイオード11〜1nを最適な状態にする、目標とする最適温度TBである。 In FIG. 5, when the ambient temperature T is higher than the temperature T C3 and equal to or lower than the temperature T C4 , the light emitting diodes 11 to 1n are in an optimal state. That is, the ambient temperature T satisfying T C3 <T ≦ T C4 is the target optimum temperature T B that brings the light emitting diodes 11 to 1 n into the optimum state.

このため、対象周囲温度TCが温度TC3以下の場合には、原則として制御回路40は駆動回路30に送信するデューティ比を増加させる。図5に示したデューティ変更量テーブルでは、対象周囲温度TCが温度TC3以下の場合を、「TC≦TC1」、「TC1<TC≦TC2」、「TC2<TC≦TC3」に分けてデューティ変更量が設定されている。 For this reason, when the target ambient temperature T C is equal to or lower than the temperature T C3 , the control circuit 40 increases the duty ratio transmitted to the drive circuit 30 in principle. In the duty change amount table shown in FIG. 5, when the target ambient temperature T C is equal to or lower than the temperature T C3 , “T C ≦ T C1 ”, “T C1 <T C ≦ T C2 ”, “T C2 <T C The duty change amount is set separately for “≦ T C3 ”.

一方、対象周囲温度TCが温度TC4より高い場合には、制御回路40は駆動回路30に送信するデューティ比を減少させる。図5に示したデューティ変更量テーブルでは、対象周囲温度TCが温度TC3より高い場合を、「TC4<TC≦TC5」、「TC5<TC」に分けてデューティ変更量が設定されている。 On the other hand, when the target ambient temperature T C is higher than the temperature T C4 , the control circuit 40 decreases the duty ratio transmitted to the drive circuit 30. In the duty change amount table shown in FIG. 5, when the target ambient temperature T C is higher than the temperature T C3 , the duty change amount is divided into “T C4 <T C ≦ T C5 ” and “T C5 <T C ”. Is set.

なお、対象周囲温度TCと最適温度TBとの差が大きいほど、デューティ変更量は大きく設定される。また、デューティ変更量テーブルにおいて、どのような区分の温度範囲でデューティ変更量を設定するかは任意である。 Incidentally, as the difference between the target surrounding temperature T C and the optimum temperature T B is large, the duty change amount is set large. In the duty change amount table, it is arbitrary in which temperature range the duty change amount is set.

また、図5に示すように、制御回路40は、対象時刻tCでの対象周囲温度TCのみでなく、対象時刻tCまでの一定時間Δtにおける周囲温度Tの時間変化量ΔTも用いて、対象時刻tC以降のデューティ比を設定する。 Further, as shown in FIG. 5, the control circuit 40, not only the subject ambient temperature T C at the target time t C, with the time variation ΔT of the ambient temperature T at a certain time Δt to the target time t C The duty ratio after the target time t C is set.

例えば、対象周囲温度TCが最適温度TBより低く、かつ対象周囲温度TCが基準周囲温度T0より低い場合(ΔT≦−ΔT1)に、制御回路40はデューティ比を増加させる。ここで、変化量ΔT1は例えば2℃程度である。また、対象周囲温度TCが最適温度TBより低く、かつ対象周囲温度TCが基準周囲温度T0より高い場合にもデューティ比を増大させるが、この場合は、時間変化量ΔTが大きいほどデューティ変更量が小さく設定される。これは、周囲温度Tの時間変化が大きい状態でデューティ変更量を大きく設定すると、駆動電流の変化が大きくなりすぎるためである。このため、図5に示した例では、対象周囲温度TCが最適温度TBより低い場合であっても、対象周囲温度TCが最適温度TBに近く、かつ時間変化量ΔTが大きい場合(ΔT3≦ΔT)には、制御回路40はデューティ比を減少させる。ここで、変化量ΔT3は例えば4℃程度である。 For example, when the target ambient temperature T C is lower than the optimum temperature T B and the target ambient temperature T C is lower than the reference ambient temperature T 0 (ΔT ≦ −ΔT 1 ), the control circuit 40 increases the duty ratio. Here, the change amount ΔT 1 is, for example, about 2 ° C. Further, the target lower than the ambient temperature T C is the optimum temperature T B, and it also increases the duty ratio if the target surrounding temperature T C is higher than the reference ambient temperature T 0, in this case, the larger the time variation ΔT The duty change amount is set small. This is because if the duty change amount is set large in a state where the time change of the ambient temperature T is large, the change in the drive current becomes too large. Therefore, in the example shown in FIG. 5, even when the subject ambient temperature T C is lower than the optimum temperature T B, close to the target ambient temperature T C is the optimum temperature T B, and is larger time variation ΔT For (ΔT 3 ≦ ΔT), the control circuit 40 decreases the duty ratio. Here, the change amount ΔT 3 is about 4 ° C., for example.

また、対象周囲温度TCが最適温度TBである場合にも、時間変化量ΔTが大きい場合には、デューティ比を減少させる。その結果、対象時刻tCまでの時間変化量ΔTが大きい場合に、対象時刻tC以降の周囲温度Tを最適温度TBに保つことができる。 Even when the target ambient temperature T C is the optimum temperature T B , the duty ratio is decreased if the time variation ΔT is large. As a result, it is possible to keep when the time variation amount ΔT to the target time t C is large, the ambient temperature T after the target time t C the optimum temperature T B.

一方、対象周囲温度TCが最適温度TBより高い場合には、デューティ比を減少させる。このとき、対象周囲温度TCと最適温度TBとの差が大きく、時間変化量ΔTが大きいほど、デューティ変更量が大きく設定される。 On the other hand, if the target surrounding temperature T C is higher than the optimum temperature T B reduces the duty ratio. In this case, the difference between the target surrounding temperature T C and the optimum temperature T B is large, the larger the amount of change in time [Delta] T, the duty change amount is set large.

上記のように、制御回路40は、対象周囲温度TC及び時間変化量ΔTを用いて、対象時刻tC以降のデューティ比を設定する。例えば、対象周囲温度TCと最適温度TBに差があっても、時間変化量ΔTが大きい場合には、デューティ比の変化量を小さく設定する。このため、例えば測定された対象周囲温度TCと最適温度TBとの差が小さくかつ時間変化量ΔTが大きい状態等において、駆動電流を大きく変化させてしまうことにより設定された周囲温度Tが所望の最適温度TBを超過してしまうという周囲温度Tのオーバーシュート現象の発生を抑制できる。周囲温度Tのオーバーシュート現象が発生すると、発光ダイオード11〜1nの輝度が安定するまでに要する時間が増大するという問題が生じる。一方、対象周囲温度TCと最適温度TBとの差が大きくかつ時間変化量ΔTが小さい状態においては、デューティ比の変化量を大きく設定することにより、発光ダイオード11〜1nの輝度が安定するまでに要する時間を短くできる。 As described above, the control circuit 40 sets the duty ratio after the target time t C using the target ambient temperature T C and the time change amount ΔT. For example, even if there is a difference in the target ambient temperature T C and the optimum temperature T B, when the time variation ΔT is large, setting a small variation of the duty ratio. Thus, for example, in the difference is small and the time of the measured object ambient temperature T C and the optimum temperature T B variation ΔT is large state such as ambient temperature T set by thus greatly changing the drive current overshooting phenomenon of the ambient temperature T that would exceed the desired optimum temperature T B can be suppressed. When the overshoot phenomenon of the ambient temperature T occurs, there arises a problem that the time required until the luminance of the light emitting diodes 11 to 1n is stabilized increases. On the other hand, in a state where the difference between the target ambient temperature T C and the optimum temperature T B is large and the time variation ΔT is small, the luminance of the light emitting diodes 11 to 1n is stabilized by setting the variation amount of the duty ratio large. The time required for the process can be shortened.

デューティ変更量テーブルに設定される変更量d11〜変更量d46は、基板100の温度特性や、発光ダイオード11〜1nの実装方法等に応じて、適宜設定される。例えば、発光ダイオード11〜1nを実装した基板100を用意し、周囲温度Tと発光ダイオード11〜1nの輝度を測定して、発光ダイオード11〜1nの輝度が安定するまでに要する時間が短くなるように変更量d11〜変更量d46を決定する。   The change amounts d11 to d46 set in the duty change amount table are appropriately set according to the temperature characteristics of the substrate 100, the mounting method of the light emitting diodes 11 to 1n, and the like. For example, the substrate 100 on which the light emitting diodes 11 to 1n are mounted is prepared, the ambient temperature T and the luminance of the light emitting diodes 11 to 1n are measured, and the time required until the luminance of the light emitting diodes 11 to 1n is stabilized is shortened. The change amount d11 to the change amount d46 are determined.

以上の説明では、制御回路40が駆動回路30をPWM制御する例を説明したが、直流電圧値等によって駆動回路30を制御してもよい。例えば、対象周囲温度TC及び時間変化量ΔTに応じて電圧値の調整量を設定する。そして、設定された調整量を用いて調整された直流電圧値を制御信号SBで駆動回路30に送信することによって、駆動電流の大きさを設定する。 In the above description, an example in which the control circuit 40 performs PWM control of the drive circuit 30 has been described, but the drive circuit 30 may be controlled by a DC voltage value or the like. For example, the adjustment amount of the voltage value is set according to the target ambient temperature T C and the time change amount ΔT. And the magnitude | size of a drive current is set by transmitting the direct-current voltage value adjusted using the set adjustment amount to the drive circuit 30 with the control signal SB.

また、上記では温度測定回路20を基板100の第2の主面102上に配置する例を説明したが、温度測定回路20を第1の主面101上に発光ダイオード1iと隣接して配置してもよい。例えば、図6に示すように、発光ダイオード1iの外縁部から距離aの範囲A内に温度測定回路20を配置する。周囲温度Tを高精度に測定するために、発光ダイオード1iと温度測定回路20との距離はできるだけ近いことが好ましい。距離aは、例えば5mm程度に設定される。   In the above description, the temperature measurement circuit 20 is disposed on the second main surface 102 of the substrate 100. However, the temperature measurement circuit 20 is disposed on the first main surface 101 adjacent to the light emitting diode 1i. May be. For example, as shown in FIG. 6, the temperature measurement circuit 20 is disposed within a range A at a distance a from the outer edge of the light emitting diode 1i. In order to measure the ambient temperature T with high accuracy, the distance between the light emitting diode 1i and the temperature measurement circuit 20 is preferably as short as possible. The distance a is set to about 5 mm, for example.

或いは、複数の温度測定回路20を使用して、発光ダイオード11〜1nの周囲温度Tを測定してもよい。例えば、発光ダイオード11〜1nが配置された基板100の第1の主面101と第2の主面102にそれぞれ温度測定回路20を配置する。そして、それぞれの温度測定回路20により測定された周囲温度Tのうちの例えば高い方の温度を使用して、制御回路40が駆動回路30を制御する。   Alternatively, the ambient temperature T of the light emitting diodes 11 to 1n may be measured using a plurality of temperature measurement circuits 20. For example, the temperature measurement circuit 20 is disposed on each of the first main surface 101 and the second main surface 102 of the substrate 100 on which the light emitting diodes 11 to 1n are disposed. The control circuit 40 controls the drive circuit 30 using, for example, the higher temperature of the ambient temperatures T measured by the respective temperature measurement circuits 20.

また、図7に示すように、照明カバー400によって発光ダイオード照明装置1が格納された発光ダイオード管(以下において、「LED管」という。)を照明装置として使用することができる。   In addition, as shown in FIG. 7, a light emitting diode tube (hereinafter referred to as “LED tube”) in which the light emitting diode illumination device 1 is stored by the illumination cover 400 can be used as the illumination device.

照明カバー400は、発光ダイオード11〜1nの出射光が透過する材料を用いて形成可能である。例えば、シリコン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等により照明カバー400は形成される。照明カバー400は、基板100上に配置された発光ダイオード11〜1n、駆動回路30、温度測定回路20及び制御回路40等を保護すると共に、発光ダイオード11〜1nの出射光を拡散して発光ダイオード照明装置1の外部に出力する。このため、発光ダイオード11〜1nからそれぞれ出射される指向性の高い光を、発光ダイオード照明装置1から広い面積に均一に照射できる。また、照明カバー400に蛍光体を塗布することにより、発光ダイオード照明装置1から出力する光を所望の色彩に調整できる。照明カバー400の外形は種々の形状が採用可能であり、例えば角形であっても円筒形であってもよい。   The illumination cover 400 can be formed using a material that transmits light emitted from the light emitting diodes 11 to 1n. For example, the illumination cover 400 is formed of silicon resin, acrylic resin, polycarbonate resin, or the like. The illumination cover 400 protects the light emitting diodes 11 to 1n, the driving circuit 30, the temperature measurement circuit 20, the control circuit 40, and the like disposed on the substrate 100, and diffuses the light emitted from the light emitting diodes 11 to 1n. Output to the outside of the lighting device 1. For this reason, light with high directivity emitted from each of the light emitting diodes 11 to 1n can be uniformly irradiated over a wide area from the light emitting diode illumination device 1. Moreover, the light output from the light-emitting diode illumination device 1 can be adjusted to a desired color by applying a phosphor to the illumination cover 400. Various shapes can be adopted as the outer shape of the illumination cover 400, and for example, it may be rectangular or cylindrical.

ここで、LED管の外形寸法を従来の蛍光管と同一にすることにより、このLED管を蛍光管の代わりに既存の蛍光管用照明器具に装着することが可能になる。ここで、「蛍光管用照明器具」とは、蛍光管を支持し、かつ蛍光管に電力を供給する電源として機能する器具である。LED管を蛍光管用照明器具によって支持し、蛍光管用照明器具からLED管に電源を供給するために、照明カバー400の長手方向の両端部である端子部410及び端子部420の外形寸法は、蛍光管の口金具の規格、例えばG13タイプと互換性を持たせる。その結果、蛍光管用照明器具の改造や特別な電気工事等を必要とせずに、容易に発光ダイオードを用いた照明装置を設置できる。   Here, by making the outer dimensions of the LED tube the same as that of a conventional fluorescent tube, the LED tube can be mounted on an existing fluorescent tube lighting fixture instead of the fluorescent tube. Here, the “lighting device for fluorescent tube” is a device that supports the fluorescent tube and functions as a power source for supplying power to the fluorescent tube. In order to support the LED tube with the fluorescent tube lighting fixture and supply power from the fluorescent tube lighting fixture to the LED tube, the outer dimensions of the terminal portion 410 and the terminal portion 420 which are both ends in the longitudinal direction of the lighting cover 400 are fluorescent. It is compatible with the standard of pipe fittings such as G13 type. As a result, it is possible to easily install an illuminating device using a light emitting diode without requiring modification of a lighting apparatus for a fluorescent tube or special electrical work.

端子部410が備える電極端子411〜電極端子412、及び端子部420が備える電極端子421〜電極端子422によってLED管が蛍光管用照明器具に支持され、電源に接続する。電極端子411〜電極端子412は端子部410を貫通して配置され、電極端子421〜電極端子422は端子部420を貫通して配置される。発光ダイオード照明装置1の各回路、即ち、発光ダイオード11〜1n、温度測定回路20、駆動回路30、及び制御回路40と電極端子411〜電極端子422とを電気的に接続することよって、電極端子411〜電極端子422を介して発光ダイオード11〜1n、駆動回路30、温度測定回路20、及び制御回路40に蛍光管用照明器具から電源が供給される。通常、発光ダイオード11〜1nは直流電力により駆動されるので、蛍光管用照明器具が例えば100Vの交流電力をLED管に供給する場合には、LED管内に交流直流コンバータを配置することが好ましい。   The LED tube is supported by the fluorescent tube lighting fixture by the electrode terminal 411 to the electrode terminal 412 provided in the terminal portion 410 and the electrode terminal 421 to the electrode terminal 422 provided in the terminal portion 420, and is connected to a power source. The electrode terminals 411 to 412 are disposed through the terminal portion 410, and the electrode terminals 421 to 422 are disposed through the terminal portion 420. By electrically connecting each circuit of the light-emitting diode illuminating device 1, that is, the light-emitting diodes 11 to 1n, the temperature measuring circuit 20, the drive circuit 30, and the control circuit 40 to the electrode terminals 411 to 422, electrode terminals Power is supplied to the light emitting diodes 11 to 1 n, the drive circuit 30, the temperature measurement circuit 20, and the control circuit 40 from the fluorescent tube lighting device via the 411 to electrode terminals 422. Usually, since the light emitting diodes 11 to 1n are driven by direct current power, it is preferable to arrange an alternating current direct current converter in the LED tube when the fluorescent lamp illuminator supplies, for example, 100V AC power to the LED tube.

以上に説明したように、本発明の実施形態に係る発光ダイオード照明装置1によれば、温度測定回路20によって測定された発光ダイオード11〜1nの周囲温度T及び周囲温度Tの時間変化量ΔTに応じて、発光ダイオード11〜1nの駆動電流の大きさが調整される。その結果、周囲温度Tのオーバーシュート現象の発生が抑制され、発光ダイオード11〜1nの輝度を設定する時間の増大を抑制できる発光ダイオード照明装置1が提供される。   As described above, according to the light-emitting diode illuminating device 1 according to the embodiment of the present invention, the ambient temperature T of the light-emitting diodes 11 to 1n measured by the temperature measurement circuit 20 and the time variation ΔT of the ambient temperature T are measured. Accordingly, the magnitude of the drive current of the light emitting diodes 11 to 1n is adjusted. As a result, the occurrence of the overshoot phenomenon of the ambient temperature T is suppressed, and the light-emitting diode illuminating device 1 that can suppress an increase in time for setting the luminance of the light-emitting diodes 11 to 1n is provided.

(その他の実施形態)
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
(Other embodiments)
As mentioned above, although this invention was described by embodiment, it should not be understood that the description and drawing which form a part of this indication limit this invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.

既に述べた実施形態の説明においては、直列接続された発光ダイオード11〜1nが基板100上に配置されていたが、直列或いは並列接続された複数の発光ダイオードがマトリクス状に配置された発光ダイオード照明装置を実現することができる。   In the description of the embodiment already described, the light emitting diodes 11 to 1n connected in series are arranged on the substrate 100. However, the light emitting diode illumination in which a plurality of light emitting diodes connected in series or in parallel is arranged in a matrix. An apparatus can be realized.

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。   As described above, the present invention naturally includes various embodiments not described herein. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.

本発明の実施形態に係る発光ダイオード照明装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the light emitting diode illuminating device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る発光ダイオード照明装置の発光ダイオード及び温度測定回路の配置方法の例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the example of the arrangement | positioning method of the light emitting diode of the light emitting diode illuminating device which concerns on embodiment of this invention, and a temperature measurement circuit. 本発明の実施形態に係る発光ダイオード照明装置の発光ダイオード及び温度測定回路の配置方法の例を示す模式図であり、図3(a)は基板の第1の主面の上方からみた図であり、図3(b)は図3(a)のI−I方向に沿った断面図であり、図3(c)は基板の第2の主面の上方からみた図である。It is a schematic diagram which shows the example of the arrangement | positioning method of the light emitting diode of the light emitting diode illuminating device which concerns on embodiment of this invention, and a temperature measurement circuit, and Fig.3 (a) is the figure seen from the upper direction of the 1st main surface of a board | substrate. FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the II direction in FIG. 3A, and FIG. 3C is a view seen from above the second main surface of the substrate. 本発明の実施形態に係る発光ダイオード照明装置の周囲温度と時刻との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between ambient temperature and time of the light emitting diode illuminating device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る発光ダイオード照明装置のデューティ変更量テーブルの例である。It is an example of the duty change amount table of the light emitting diode illuminating device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る発光ダイオード照明装置の発光ダイオード及び温度測定回路の配置方法の他の例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the other example of the arrangement | positioning method of the light emitting diode of the light emitting diode illuminating device which concerns on embodiment of this invention, and a temperature measurement circuit. 本発明の実施形態に係る発光ダイオード照明装置を用いたLED管の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the LED tube using the light emitting diode illuminating device which concerns on embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1…発光ダイオード照明装置
10…発光部
11〜1n…発光ダイオード
20…温度測定回路
30…駆動回路
40…制御回路
100…基板
101…第1の主面
102…第2の主面
201、202…半田
301、302…熱伝導体
400…照明カバー
410、420…端子部
411〜422…電極端子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light emitting diode illuminating device 10 ... Light emission part 11-1n ... Light emitting diode 20 ... Temperature measurement circuit 30 ... Drive circuit 40 ... Control circuit 100 ... Board | substrate 101 ... 1st main surface 102 ... 2nd main surface 201,202 ... Solder 301, 302 ... Thermal conductor 400 ... Illumination cover 410, 420 ... Terminal portion 411-422 ... Electrode terminal

Claims (5)

発光ダイオードと、
前記発光ダイオードの周囲温度をリアルタイムで測定する温度測定回路と、
前記発光ダイオードを駆動する駆動回路と、
対象時刻の前記周囲温度および該対象時刻までの一定時間における前記周囲温度の時間変化量に応じて、前記発光ダイオードの発光状態を変化させるように前記駆動回路における駆動電流を制御する制御回路と
を備え、
前記制御回路は、前記対象時刻における対象周囲温度および該対象時刻までの所定時間における前記周囲温度の時間変化量の双方に応じて、前記対象時刻以降の前記駆動電流の大きさを設定することを特徴とする発光ダイオード照明装置。
A light emitting diode;
A temperature measurement circuit for measuring the ambient temperature of the light emitting diode in real time;
A drive circuit for driving the light emitting diode;
A control circuit for controlling a drive current in the drive circuit so as to change a light emission state of the light emitting diode according to the ambient temperature at the target time and a temporal change amount of the ambient temperature in a certain time until the target time. Prepared,
The control circuit sets the magnitude of the drive current after the target time according to both the target ambient temperature at the target time and the amount of time change of the ambient temperature during a predetermined time until the target time. A light-emitting diode illumination device.
前記時間変化量は所定の範囲で複数に区分され、The time change amount is divided into a plurality of ranges within a predetermined range,
前記制御回路は、前記区分に応じてデューティ比の変更量を設定することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード照明装置。  The light emitting diode illuminating apparatus according to claim 1, wherein the control circuit sets a change amount of a duty ratio according to the classification.
前記発光ダイオード及び前記温度測定回路が配置された基板を更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光ダイオード照明装置。   The light emitting diode illuminating apparatus according to claim 1, further comprising a substrate on which the light emitting diode and the temperature measurement circuit are arranged. 前記発光ダイオードが前記基板の第1の主面上に配置され、前記温度測定回路が前記第1の主面と対向する前記基板の第2の主面上に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオード照明装置。   The light emitting diode is disposed on a first main surface of the substrate, and the temperature measuring circuit is disposed on a second main surface of the substrate opposite to the first main surface. The light-emitting diode illuminating device according to claim 3. 前記温度測定回路が、前記基板を貫通して前記発光ダイオードと接する熱伝導体の前記第2の主面に露出した部分に隣接して配置されていることを特徴とする請求項4に記載の発光ダイオード照明装置。   The temperature measuring circuit is disposed adjacent to a portion exposed to the second main surface of a heat conductor that penetrates the substrate and contacts the light emitting diode. Light emitting diode lighting device.
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