JP5249553B2 - 電気光学プローブ - Google Patents

Description

この発明は、高誘電率媒質内部の電界分布を測定する際に用いる電気光学プローブに関する。

携帯電話等の無線端末を使用した際に人体へ吸収される電力量を評価するための指標の１つとして、比吸収率（ＳＡＲ:Specific Absorption Rate、以下ＳＡＲと称する）が用いられている。ＳＡＲは、式（１）に示されるように電界の２乗に比例した値である。（非特許文献１参照）
ここで、σは媒質の導電率（Ｓ/ｍ）、ρは媒質の密度（ｋｇ/ｍ^３）、ＳＡＲの単位は（Ｗ/ｋｇ）である。通常ＳＡＲを測定する際には、人体の電気定数を模擬した誘電性媒質内に生じる電界を電界検出用プローブにより検出し、測定した電界値を式（１）を用いてＳＡＲ値に変換する。

図１２に電気光学結晶を用いた電界検出用プローブ（以降、電気光学プローブと称する）を用いたＳＡＲ測定システムの一例を示す。１０１は電気光学プローブ、１０２は人体の電気定数を模擬した擬似液体（以降、ファントムと称する）、１０３はファントム容器、１０４はプローブ操作装置、１０５は光ファイバケーブル、１０６は処理装置である。この測定システムは、被測定携帯電話１０７を支持装置１０８を用いて設置し、ファントム１０２内に生じる電界を測定する。プローブ操作装置１０４により電気光学プローブ１０１を３次元的に走査し３次元ＳＡＲ分布を取得する。非特許文献２の標準化文書に規定されているＳＡＲ測定手順に従って測定を行った場合、電気光学プローブ１０１の電界検出位置がファントム容器１０３の外郭から数ミリメートル以内である必要がある。したがって、電気光学プローブ１０１とファントム容器１０３が非常に近接した状態で測定が行われる。

図１３に従来の電気光学プローブの一例を示す。主に、電気光学結晶の入出射光を調整するために用いられ、光を透過する光学素子１３０の先端に電気光学結晶１３１が取り付けられている。光学素子１３０は、電気光学結晶１３１の先端面に形成された誘電体反射膜１３１ａからの反射光を平行光に変換するコリメータレンズ１３２と、コリメータレンズ１３２に光を入出射するフェルール１３３と、フェルール１３３に挿通される光ファイバ１３４等から構成される。光ファイバ１３４の他端には、光ファイバコネクタ１３５が設けられ、光ファイバーケーブル（図１２の１０５）で処理装置（図１２の１０６）に接続される。特許文献１に開示された他の電気光学プローブの例を図１４に示す。この例の電気光学プローブの光学素子３は、石英で構成される。その光学素子３の先端部に電気光学結晶１が取り付けられて電気光学プローブを構成する。このようにコリメータレンズやフェルールを持たないものある。

図１３を参照して測定原理を簡単に説明する。電気光学結晶１３１は、印加された電界に線形比例して屈折率が変化する１次の電気光学効果を有する結晶である。電界が印加されないとき、電気光学結晶１３１に入射した光は偏光状態を保ったまま電気光学結晶１３１の端面に形成された誘電体反射膜１３１ａで反射される。電界が印加されると、電気光学結晶１３１の屈折率が変化し、誘電体反射膜１３１ａで反射される光の偏光状態が変化する。この偏光状態の変化を電気信号に変換することにより電界強度に比例した信号を得る。

電気光学プローブを構成する光学素子１３０及び電気光学結晶１３１の大きさは、ミリメートルオーダーであり、非常に微細な構成であるため、空間分解能が高く、ファントム内部の電界を精度よく測定することが可能である。しかし、光学素子は石英やガラス等で構成されるので非常に脆弱であり、取り扱いが難しかった。
特開平８−１９４０３６号公報、図１ Thomas Schmid, oliver Egger, and Niels Kuster, "Automated E-Field Scanning System for Dosimetric Assessment," IEEE Trans. Microwave Theory and Tech.,Vol.44,No.1,pp.105-113, Jan. 1996. IEC 62209-1, "Procedure to determine the specific absorption rate(SAR) for hand-held devices used in close proximity to the ear (frequency range of 300 MHz to 3 GHz),"Feb. 2005.

そこで電気光学プローブの取り扱いを容易にする目的で、光学素子及び電気光学結晶をカバーで保護する方法が考えられる。しかし、カバーで電気光学プローブを保護しようとすると、電気光学結晶とカバーとの間に、比誘電率の小さな空気の層が介在するため、電気光学結晶内部に入射する電界値が小さくなり、十分な電界検出感度が得られないという課題がある。
この発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、取り扱いを容易にすると共に、電界検出感度を低下させない電気光学プローブを提供することを目的とする。

この発明による電気光学プローブは、電界が生じている空間の電界強度を測定する電気光学プローブであって、光を透過する光学素子と、その光学素子の先端に固定され、電界によって屈折率が変化する電気光学結晶を有する電界検出部と、光学素子と電界検出部とを収納する保護カバーと、保護カバーと電界検出部との空間に充填される誘電性媒質とを具備し、電気光学結晶の比誘電率ε _ｒ０ をε _ｒ０ ≦１５、上記誘電性媒質の比誘電率ε _ｒｄ をε _ｒｄ ＞１５とした。

この発明の電気光学プローブは、電界検出部を保護する保護カバーを有し、電界検出部と保護カバーとの間に誘電性媒質を充填させる。したがって、保護カバーで電界検出部を保護するので電気光学プローブの取り扱いを容易にすることができる。また、保護カバーと電界検出部との間に誘電性媒質を充填することで、電界検出感度の低下を小さくすることができる。

以下、この発明の実施の形態を図面を参照して説明する。複数の図面中同一のものには同じ参照符号を付し、説明は繰り返さない。

図１にこの発明の電気光学プローブの実施例１の構成例を示す。図１（ａ）は電気光学プローブ５０の平面図、図１（ｂ）は正面図、図１（ｃ）は底面図、図１（ｄ）は断面図である。光を透過する光学素子１０の先端に、電界によって屈折率が変化する電気光学結晶１２が固定される。この電気光学結晶１２は、電界を検出する電界検出部を構成するので、以降、電界検出部１２と称することもある。光学素子１０と電界検出部１２は、保護カバー１４内に収納される。光学素子１０と電界検出部１２と、保護カバー１４との間には誘電性媒質１６が充填されている。

光学素子１０と電界検出部１２と、保護カバー１４との間の空間に比誘電率の大きな誘電性媒質１６が充填されるため、電気光学結晶１２内に入射する電界値を大きくすることができ、電気光学プローブ５０の電界検出感度を向上させることができる。なお、図１における光学素子１０の電気光学結晶１２と反対側の構造については、この発明の主要部で無いことと、背景技術で述べたようにいくつかの構造があることから省略している。また、誘電性媒質１６が光学素子１０と保護カバー１４との間にも充填されているが、電界検出部１２と保護カバー１４との間だけに誘電性媒質１６が充填される構成でもよい。

保護カバー１４の形状については、例えば四角柱などの形状でも構わないが、電界分布への擾乱を減らすためには円筒形状が好ましい。保護カバー１４の形状を円筒、四角柱の２種類について電磁界シミュレーションを行った結果を図２に示す。電磁界シミュレーションは、半波長ダイポールアンテナ２０の給電点からアンテナと平行に１０ｍｍ離れた位置に平板状のファントムを配置し、ファントム表面から５ｍｍ離れた位置に、電気光学結晶１２の中心を配置する条件で行った。その他のシミュレーション条件は次の通りである。円筒形状の保護カバー１４ａの内径ｒ_１は１.５ｍｍ、厚みｒ_２＝０.５ｍｍである。四角柱形状の保護カバー１４ｂは４．０ｍｍ角、厚み０．５ｍｍであり、両者の材料は比誘電率ε_ｒｃ＝２.５のプラスチックである。電気光学結晶１２の比誘電率ε_ｒ０＝９.４、誘電性媒質１６の比誘電率ε_ｒｄ＝１０．０であり、周波数は１,９５０ＭＨｚである。

図２（ｂ）に四角柱形状の保護カバー１４ｂの電界分布を示す。電界値が大きな部分が、より明るく示されている。半波長ダイポールアンテナ２０のエレメント方向の保護カバー１４ｂの２つの側面に電界が集中していることが分かる。図２（ａ）に円筒形状の保護カバー１４ａの電界分布を示す。四角柱に比べて円筒形状の保護カバー全周に渡って、一様に電界が分布している様子が分かる。このようにプローブによる電界分布への擾乱を小さくするためには、円筒形状の保護カバーの方が好ましい。なお、図中の２本の矢印は、座標軸を示す矢印であり、ここでの説明では特に意味を持たない。

〔電気光学結晶の比誘電率ε_ｒ０と誘電性媒質の比誘電率ε_ｒｄとの関係〕
誘電性媒質の比誘電率ε_ｒｄをパラメータとして、電気光学結晶の比誘電率ε_ｒ０と電気光学結晶の中心における電界値との関係について電磁界シミュレーションを行った結果を図３に示す。横軸は電気光学結晶１２の比誘電率ε_ｒ０、縦軸は電気光学結晶の中心における電界値（Ｖ/ｍ）である。シミュレーション条件は図２と同じである。但し、保護カバーは外径が４ｍｍの円筒形状であり、半波長ダイポールアンテナ２０には１Ｗの電力を給電した。図３に記入されている電界値データは、保護カバー１４内の電気光学結晶１２の中心における電界値である。

図３中の電界値１７５Ｖ/ｍを示す実線は、プローブが無い場合の同一場所における電界値である。電気光学結晶１２の比誘電率ε_ｒ０が小さいほど、電気光学結晶の中心における電界値が大きくなる特性を示す。

電気光学結晶の材料には、例えば、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、有機非線形光学結晶ＤＡＳＴなどの比誘電率ε_ｒ０が１５以下のものがある。その範囲では、誘電性媒質１６の比誘電率ε_ｒｄが１０以上で（□と△のデータ）、電気光学結晶の中心における電界値をプローブが無い状態よりも大きくすることができる。また、電気光学結晶１２の比誘電率ε_ｒ０を１０以下とすると、誘電性媒質１６の比誘電率ε_ｒｄが５以上で（□と△と◇のデータ）、電気光学結晶の中心における電界値をプローブが無い状態よりも大きくすることができる。

このように、保護カバー１４を設けても誘電性媒質１６を備えることで電気光学結晶の中心における電界値を大きくする、つまり、プローブの電界検出感度を向上させることが可能である。プローブは測定前に校正され、そうすることで測定範囲を拡大できると共に、電磁界の正確な測定が可能になる。

〔電気光学結晶の比誘電率ε_ｒ０が２０以上の場合〕
図３に示した特性によれば、電気光学結晶の比誘電率ε_ｒ０が大きくなるにしたがって、電気光学結晶の中心における電界値は小さくなる。電気光学結晶の材料としては、比誘電率ε_ｒ０≧２０の範囲に、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）やタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）等が存在する。これら比誘電率ε_ｒ０≧２０以上の電気光学結晶材料を用いた場合の誘電性媒質１６の比誘電率ε_ｒｄについて検討する。

比誘電率ε_ｒ０＝２８と４５の電気光学結晶１２を用いた場合に、誘電性媒質１６の比誘電率ε_ｒｄを可変して検出される電界値をシミュレーションした結果を図４に示す。電気光学結晶１２の比誘電率ε_ｒｄ以外のシミュレーション条件は図３と同じである。横軸は誘電性媒質１６の比誘電率ε_ｒｄ、縦軸は電気光学結晶の中心における電界値（Ｖ/ｍ）である。パラメータとして電気光学結晶の比誘電率ε_ｒ０＝４５で、保護カバー１４の比誘電率ε_ｒｃ＝２．５とした特性を○実線で、および、ε_ｒｃ＝１０．０の特性を●破線で示す。さらに、比誘電率ε_ｒ０＝４５でε_ｒｃ＝１０．０の特性を△一点鎖線で示す。

図４から、比誘電率ε_ｒ０≦４５の電気光学結晶１２を用いた電気光学プローブ５０は、誘電性媒質１６の比誘電率ε_ｒｄ≧２０の範囲で電気光学結晶の中心における電界値が飽和する特性を示すことが分かる。つまり、比誘電率ε_ｒ０の大きな電気光学結晶材料を用いた場合には、誘電性媒質１６の比誘電率ε_ｒｄを大きくしても電気光学結晶の中心における電界値がプローブが無い状態の電界値よりも小さくなる場合がある。しかし、比誘電率ε_ｒ０≦４５の電気光学結晶材料を用いた場合、誘電性媒質１６の比誘電率ε_ｒｄ≧２０とすれば、その電気光学結晶材料を用いた場合に、電気光学結晶の中心における電界値を最も大きくすることができる。図３の特性から電気光学結晶１２の比誘電率ε_ｒ０は小さいほど大きな電界値を示すので、ε_ｒ０≦４５の範囲においては図４に示す電界値よりも大きな電界値が得られる。つまり、比誘電率ε_ｒ０≦４５の電気光学結晶材料を用いた場合、誘電性媒質１６の比誘電率ε_ｒｄ≧２０の範囲でプローブの電界検出感度を最も高くすることができる。

〔保護カバーの内径ｒ_１と厚みｒ_２の検討〕
上記した検討は、保護カバー１４の材質を比誘電率ε_ｒｃ＝２．５のプラスチックで、その形状が内径ｒ_１＝１．５ｍｍ、厚みｒ_２＝０．５ｍｍの条件で行った。ここでは、保護カバー１４の内径ｒ_１と厚みｒ_２が、電界検出感度に与える影響について検討する。保護カバー１４の形状をパラメータとして、誘電性媒質１６の比誘電率ε_ｒｄを可変して電気光学結晶の中心における電界値をシミュレーションした結果を図５に示す。横軸は誘電性媒質１６の比誘電率ε_ｒｄ、縦軸は電気光学結晶の中心における電界値（Ｖ/ｍ）である。保護カバー１４の内径ｒ_１≧２．０ｍｍで、厚みｒ_２≦０．５ｍｍ、誘電性媒質１６の比誘電率ε_ｒｄ≧５．０以上の条件で、電気光学結晶の中心における電界値をプローブの無い状態よりも大きくすることができる（△と○のデータ）。つまり、プローブの電界検出感度を大きくするためには、電気光学結晶１２の中心点から１.５ｍｍ以上離して厚み０.５ｍｍ以下の保護カバーを用いればよいことが分かる。逆に、電気光学結晶１２の中心点から１.５ｍｍ以内で厚み０.５ｍｍ以上の保護カバーを用いると、誘電性媒質１６の比誘電率ε_ｒｄ≧１０．０では電界検出感度が改善されないことが分かる。

〔電気光学結晶の比誘電率ε_ｒ０と保護カバーの比誘電率ε_ｒＣとの関係〕
電気光学プローブによる電界分布測定を精度よく行なうためには、電気光学プローブによる被測定電界分布への擾乱が小さいほうがよい。そこで、保護カバー１４の比誘電率ε_ｒｃを電気光学結晶１２の比誘電率ε_ｒ０よりも小さくした場合（ε_ｒｃ≦ε_ｒ０）と、逆に大きくした場合（ε_ｒｃ≧ε_ｒ０）とについて電磁界シミュレーションを行った結果を図６に示す。電気光学結晶１２と誘電性媒質１６のそれぞれの比誘電率は同一の条件とした。

電気光学結晶１２の比誘電率ε_ｒ０＝９.４、保護カバー１４の比誘電率ε_ｒｃ＝２.５としたε_ｒｃ≦ε_ｒ０の場合の電界分布を図６（ａ）に、ε_ｒ０＝９.４、ε_ｒｃ＝５０としたε_ｒｃ≧ε_ｒ０の場合の電界分布を図６（ｂ）に示す。保護カバー１４の比誘電率ε_ｒｃを電気光学結晶１２の比誘電率ε_ｒ０よりも大きくした方が、プローブによる電界分布への擾乱が少ない。これは、ファントム１０２の比誘電率ε_ｒＰに保護カバー１４の比誘電率ε_ｒｃの値が近い方が、保護カバー１４による電界分布への擾乱が小さくなるからだと考えられる。ファントム１０２の比誘電率ε_ｒＰは、周波数帯によって異なるが概ね３０乃至６０といった高い誘電率の値である。この検討では、周波数１,９５０ＭＨｚで比誘電率＝４０のファントム１０２を用いた。

電気光学結晶中心での電界値も図６（ａ）で２０９Ｖ/ｍ（図５のｒ_１＝１．０ｍｍ、ｒ_２＝０．５ｍｍ、ε_ｒｄ＝３０.０での値）、図６（ｂ）で２７５Ｖ/ｍと、保護カバー１４の比誘電率ε_ｒｃを電気光学結晶１２の比誘電率ε_ｒ０よりも大きくした方が電気光学結晶の中心における電界値が大きくなる。このように、保護カバー１４の比誘電率ε_ｒｃを電気光学結晶１２の比誘電率ε_ｒ０よりも大きくすると、電界分布の擾乱が少なく、また、電界検出感度も向上させることができる。

以上述べた実施例１では、保護カバー１４と電界検出部１２との間に比誘電率ε_ｒｄの大きな誘電性媒質１６を設けることでプローブの電界検出感度をできる限り高くする考えを示した。保護カバー１４に開口部を設け、誘電性媒質１６を外部から導入することで実施例１と同じ効果が得られるようにした実施例２を次に説明する。

保護カバーに開口部を設けて、外部から誘電性媒質１６を保護カバー内に導入するようにした実施例２の電気光学プローブ１５０の構成例を図７に示す。図７は、実施例１を示した図１と同様に図７（ａ）が平面図、図７（ｂ）が正面図、図７（ｃ）が底面図、図７８ｄ）が断面図である。電気光学プローブ１５０は、プローブの電界検出方向の保護カバー７０の両端面に開口部７０ａ、７０ｂが設けられている点のみが実施例１と異なる。この開口部７０ａ、７０ｂを設けたことで、電界測定時に図１２に示したファントム１０２を保護カバー７０内に導入することができる。また、プローブの電界検出方向の保護カバー７０が存在しなくなるので、そこへの電界の集中を低減できるため、被測定電界分布への擾乱を小さくする効果が期待できる。

実施例２に示したプローブの電界検出方向の保護カバーに開口部を設ける技術思想は、つまるところ保護カバーの比誘電率ε_ｒＣと、プローブの外側の媒質の比誘電率ε_ｒＰと、誘電性媒質１６の比誘電率ε_ｒｄのそれぞれを等しくすることに帰着する。

以上述べた実施例１と２は、電界分布の擾乱をなるべく少なくしつつ、プローブの電界検出感度の低下を低減させる考えである。この考えと異なり、電界分布の擾乱が大きくなってもできる限り電界検出感度を大きくする考えもある。その考えに基づく実施例３と４を次に示して説明する。

実施例３の電気光学プローブ２５０の構成例を図８に示す。電気光学プローブ２５０は、電気光学結晶１２の先端に電気光学結晶の比誘電率ε_ｒ０より小さな比誘電率ε_ｒ１の誘電性素子８０を配置したものである。他の構成は実施例１と同じである。よく知られているように比誘電率の小さい部分に電界は集中するため、電界検出部１２の傍に比誘電率の小さな誘電性素子８０を配置することにより、誘電性素子８０およびその近傍の電界強度が大きくなる。それに伴い、電界検出部１２における電界値を大きくする効果が期待できる。図９に誘電性素子８０を設けた場合の電界分布のシミュレーション結果を示す。誘電性素子８０に電界が集中している様子が分かる。この結果、電界検出部１２の電界強度も大きくなるのでプローブの電界検出感度を向上させることができる。なお、図８では誘電性素子８０の大きさを、電気光学結晶１２と同じ大きさの立方体の例で示したが、両者を同じ形状、同じ大きさにする必要はない。

実施例４の電気光学プローブ３５０の構成例を図１０に示す。電気光学プローブ３５０は、電気光学結晶１２を中心に、保護カバー１４内の電気光学結晶１２の電界検出方向の両外側に、金属素子２００ａ、２００ｂを配置したものである。他の構成は、実施例１に示した電気光学プローブ５０と同じである。よく知られているように、金属間の微小なギャップに電磁界は集中する。実施例４はその効果を電界検出感度の向上に利用したものである。棒状の金属素子２００ａ、２００ｂは、図１１に示すような板状の金属素子２１０ａ、２１０ｂ等でも同様な効果が期待できる。

この発明の電気光学プローブの実施例１の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は底面図、（ｄ）は断面図である。 保護カバー１４の形状を円筒と四角柱の２種類について、電磁界シミュレーションを行った結果を示す図であり、（ａ）は円筒形状の結果を示す、（ｂ）は四角柱形状の結果を示す図である。 電気光学結晶１２の比誘電率ε_ｒ０と電気光学結晶の中心における電界値との関係を示す図。 保護カバー１４の比誘電率ε_ｒｃをパラメータとして、誘電性媒質の比誘電率ε_ｒｄと電気光学結晶の中心における電界値との関係を示す図。 保護カバー１４の形状をパラメータとして、誘電性媒質の比誘電率ε_ｒｄと電気光学結晶の中心における電界値との関係を示す図。 電気光学結晶１２の比誘電率ε_ｒ０に対して保護カバー１４の比誘電率ε_ｒｃを変えた場合の電磁界シミュレーションの結果を示す図であり、（ａ）は保護カバー１４の比誘電率ε_ｒｃが小さい場合を示す図であり、（ｂ）は比誘電率ε_ｒｃが大きい場合を示す図である。 この発明の電気光学プローブの実施例２の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は底面図、（ｄ）は断面図である。 この発明の電気光学プローブの実施例３の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は底面図、（ｄ）は断面図である。 実施例３の電気光学プローブの誘電性素子８０に電界が集中する様子を示すシミュレーション結果を示す図。 この発明の電気光学プローブの実施例４の構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は底面図、（ｄ）は断面図である。 実施例４の金属素子の他の形状を示す図。 電気光学結晶を用いた電界検出用プローブを用いたＳＡＲ測定システムの一例を示す図。 従来の電気光学プローブの一例を示す図。 特許文献１に開示された従来の電気光学プローブを示す図。

Claims (9)

1. 電界が生じている空間の電界強度を測定する電気光学プローブであって、
   電界によって屈折率が変化する電気光学結晶を有する電界検出部と、
   光を透過する光学素子と、
   上記電界検出部と上記光学素子とを収納し、上記電気光学結晶の電界検出方向の両端面に開口部が設けられた保護カバーと、
   上記電界検出部と、上記保護カバーとの空間に充填される誘電性媒質と、
   を具備し、
   上記電気光学結晶の比誘電率ε_ｒ０をε_ｒ０≦１５、上記誘電性媒質の比誘電率ε_ｒｄをε_ｒｄ＞１５としたことを特徴とする電気光学プローブ。
2. 電界が生じている空間の電界強度を測定する電気光学プローブであって、
   電界によって屈折率が変化する電気光学結晶を有する電界検出部と、
   光を透過する光学素子と、
   上記電界検出部と上記光学素子とを収納し、上記電気光学結晶の電界検出方向の両端面に開口部が設けられた保護カバーと、
   上記電界検出部と、上記保護カバーとの空間に充填される誘電性媒質と、
   を具備し、
   上記電気光学結晶の比誘電率ε_ｒ０をε_ｒ０≦１０、上記誘電性媒質の比誘電率ε_ｒｄをε_ｒｄ＞１０としたことを特徴とする電気光学プローブ。
3. 電界が生じている空間の電界強度を測定する電気光学プローブであって、
   電界によって屈折率が変化する電気光学結晶を有する電界検出部と、
   光を透過する光学素子と、
   上記電界検出部と上記光学素子とを収納し、上記電気光学結晶の電界検出方向の両端面に開口部が設けられた保護カバーと、
   上記電界検出部と、上記保護カバーとの空間に充填される誘電性媒質と、
   を具備し、
   上記電気光学結晶の比誘電率ε_ｒ０をε_ｒ０≦２０、上記誘電性媒質の比誘電率ε_ｒｄをε_ｒｄ＞２０としたことを特徴とする電気光学プローブ。
4. 請求項１乃至３の何れかに記載の電気光学プローブにおいて、
   上記保護カバーが円筒形状であることを特徴とする電気光学プローブ。
5. 請求項４記載の電気光学プローブにおいて、
   上記保護カバーの内径ｒ_１をｒ_１≧１．５ｍｍ、保護カバーの厚さｒ_２をｒ_２≦０．５ｍｍとしたことを特徴とする電気光学プローブ。
6. 請求項１乃至５の何れかに記載の電気光学プローブにおいて、
   上記電気光学結晶の比誘電率ε_ｒ０、上記保護カバーの比誘電率ε_ｒＣをε_ｒＣ≧ε_ｒ０としたことを特徴とする電気光学プローブ。
7. 請求項６に記載した電気光学プローブにおいて、
   上記保護カバーの比誘電率ε_ｒＣ、上記誘電性媒質の比誘電率ε_ｒｄ、当該電界プローブの外側の媒質の比誘電率ε_ｒＰ、とした場合に、ε_ｒＣ＝ε_ｒｄ＝ε_ｒＰであることを特徴とする電気光学プローブ。
8. 請求項１乃至７の何れかに記載した電気光学プローブにおいて、
   上記比誘電率ε_ｒ０の電気光学結晶の上記光学素子側の端面と反対側の端面側に、上記電気光学結晶の比誘電率ε_ｒ０より小さな比誘電率ε_ｒ１の誘電性素子を配置したことを特徴とする電気光学プローブ。
9. 請求項１乃至８の何れかに記載の電気光学プローブにおいて、
   上記電気光学結晶を中心として、上記保護カバー内の上記電気光学結晶の電界検出方向の両外側に、金属素子が配置されたことを特徴とする電気光学プローブ。