JP5242647B2 - Organic EL device - Google Patents

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本発明の実施形態は、有機EL装置に関する。   Embodiments described herein relate generally to an organic EL device.

一般的な有機EL装置では、TFT(Thin Film Transistor)素子およびその配線上に、樹脂平坦層を全面に形成し、その上に陽極、有機物層および陰極を有する有機EL素子を形成する。また、有機EL素子間には、樹脂を材料とする格子状のリブが形成され、有機EL素子同士を分離している。   In a general organic EL device, a resin flat layer is formed on the entire surface of a TFT (Thin Film Transistor) element and its wiring, and an organic EL element having an anode, an organic material layer, and a cathode is formed thereon. In addition, lattice-like ribs made of a resin are formed between the organic EL elements to separate the organic EL elements from each other.

有機物層または陰極の形成工程でゴミ等の異物や汚れが発生すると、ピンホールが形成され、水分が浸入してダークスポット不良を引き起こしてしまう。特に、樹脂中では、水分の拡散速度は有機EL素子中の拡散速度より10倍程度大きいため、リブから水分が浸入すると、格子状のリブおよび樹脂平坦層を水分が拡散して、ピンホールが発生した領域のみならず、周囲の領域にまでダークスポット不良が拡散してしまうという問題がある。   When foreign matter such as dust or dirt is generated in the process of forming the organic layer or the cathode, pinholes are formed and moisture enters and causes dark spot defects. In particular, in the resin, the diffusion rate of moisture is about 10 times larger than the diffusion rate in the organic EL element. Therefore, when moisture enters from the ribs, the moisture diffuses in the lattice-like ribs and the resin flat layer, and pinholes are generated. There is a problem that the dark spot defect diffuses not only in the generated area but also in the surrounding area.

米国特許出願公開第2005/249972号US Patent Application Publication No. 2005/249972 米国特許第6853133号US Pat. No. 6,853,133 国際公開第97/43874号International Publication No. 97/43874 米国特許第6459199号US Pat. No. 6,459,199 米国特許出願公開第2005/280008号US Patent Application Publication No. 2005/280008

不良を抑制可能な有機EL装置を提供する。   An organic EL device capable of suppressing defects is provided.

一実施形態によれば、有機EL装置は、第1方向および前記第1方向と交差する第2方向に配置される複数の画素を備える。前記複数の画素のそれぞれは、絶縁膜と、前記絶縁膜上の少なくとも一部で平坦に形成される第1電極と、少なくとも前記第1電極上で平坦に形成される発光層と、前記発光層上に形成される第2電極と、を有する。前記画素が有する前記絶縁膜は、前記第1方向に隣接する少なくとも2つの画素に跨って形成されており、かつ、前記第2方向に隣接する前記画素が有する前記絶縁膜と分離されている。そして、前記第2電極は、前記絶縁膜の上方に形成され、前記絶縁膜が分離された領域の上方には形成されない。 According to one embodiment, the organic EL device includes a plurality of pixels arranged in a first direction and a second direction intersecting with the first direction. Each of the plurality of pixels includes an insulating film, a first electrode formed flat on at least a part of the insulating film, a light emitting layer formed flat on at least the first electrode, and the light emitting layer A second electrode formed thereon. The insulating film included in the pixel is formed across at least two pixels adjacent in the first direction and is separated from the insulating film included in the pixel adjacent in the second direction. The second electrode is formed above the insulating film and is not formed above the region where the insulating film is separated.

一実施形態に係る有機EL装置ODを含む有機EL表示システムの概略構成図。1 is a schematic configuration diagram of an organic EL display system including an organic EL device OD according to an embodiment. 有機EL装置ODの一例である有機EL装置OD1の平面図。The top view of organic electroluminescent apparatus OD1 which is an example of organic electroluminescent apparatus OD. 図2の第1方向のAA’断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 2. 図2の第2方向のBB’断面図。FIG. 3 is a BB ′ sectional view in a second direction of FIG. 2. 有機物層ORGr,ORGg,ORGbの断面図。Sectional drawing of organic substance layer ORGr, ORGg, ORGb. 有機EL装置OD1の製造工程図。The manufacturing process figure of organic electroluminescent apparatus OD1. 有機EL装置ODの別の一例である有機EL装置OD2の平面図。The top view of organic electroluminescent apparatus OD2 which is another example of organic electroluminescent apparatus OD. 図7の第1方向のCC’断面図。CC 'sectional drawing of the 1st direction of FIG. ダークスポット不良の発生数と経過時間との関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship between the occurrence number of dark spot defect, and elapsed time.

以下、有機EL装置の実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。   Hereinafter, embodiments of the organic EL device will be specifically described with reference to the drawings.

図1は、一実施形態に係る有機EL装置ODを含む有機EL表示システムの概略構成図である。図1の表示システムは、有機EL装置ODと、走査信号線ドライバYDRと、映像信号線ドライバXDRと、を備えている。これらは第1基板SUB上に形成される。また、有機EL装置ODは、走査線SL1,SL2と、映像信号線DLと、画素PXとを備えている。   FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an organic EL display system including an organic EL device OD according to an embodiment. The display system of FIG. 1 includes an organic EL device OD, a scanning signal line driver YDR, and a video signal line driver XDR. These are formed on the first substrate SUB. The organic EL device OD also includes scanning lines SL1 and SL2, a video signal line DL, and a pixel PX.

走査線SL1,SL2は第1方向(例えば水平方向)に形成される。走査線信号ドライバYDRは走査線SL1のうちの1つおよび走査線SL2のうちの1つを順繰りに選択する。映像信号線DLは、走査線SL1,SL2と交差するように、第2方向(例えば垂直方向)に形成される。映像信号線ドライバXDRは、映像信号を映像信号線DLに供給する。画素PXは走査線SL1,SL2と映像信号線DLとの交点に形成される。走査線信号ドライバYDRにより選択された走査線SL1,SL2に接続された画素PXには、映像信号線ドライバXDRからの映像信号が供給される。   The scanning lines SL1 and SL2 are formed in the first direction (for example, the horizontal direction). The scanning line signal driver YDR sequentially selects one of the scanning lines SL1 and one of the scanning lines SL2. The video signal line DL is formed in the second direction (for example, the vertical direction) so as to intersect the scanning lines SL1 and SL2. The video signal line driver XDR supplies a video signal to the video signal line DL. The pixel PX is formed at the intersection of the scanning lines SL1 and SL2 and the video signal line DL. The video signal from the video signal line driver XDR is supplied to the pixels PX connected to the scanning lines SL1 and SL2 selected by the scanning line signal driver YDR.

画素PXは、1つの有機EL素子OLEDと、TFT素子SWa〜SWc,DRと、画素容量Cと、を有する。有機EL素子OLEDは、赤(R)、緑(G)または青(B)に発光し、画素PXはそのいずれかの色に発光する。なお、本明細書では、赤、緑および青に発光する3つの有機EL素子OLEDを含むものを「画素」と呼ぶわけではなく、そのいずれか1つの有機EL素子OLEDを含むものを「画素」と呼ぶ。   The pixel PX includes one organic EL element OLED, TFT elements SWa to SWc, DR, and a pixel capacitor C. The organic EL element OLED emits light in red (R), green (G), or blue (B), and the pixel PX emits light in any one of the colors. In the present specification, a pixel including three organic EL elements OLED that emits red, green, and blue is not referred to as a “pixel”, and a pixel including any one of the organic EL elements OLED is referred to as a “pixel”. Call it.

TFT素子DR,SWaおよび有機EL素子OLEDは、正電源端子ND1と負電源端子ND2との間に縦続接続される。TFT素子SWaのゲートには走査線SL1が接続される。画素容量C、TFT素子SWc,SWbは、電源端子ND1’と映像信号線DLとの間に縦続接続される。画素容量CとTFT素子SWcとの接続ノードは、TFT素子DRのゲートに接続される。TFT素子SWc,SWbの接続ノードは、TFT素子DR,SWaの接続ノードに接続される。TFT素子SWb,SWcのゲートには、走査線SL2が接続される。   The TFT elements DR and SWa and the organic EL element OLED are connected in cascade between the positive power supply terminal ND1 and the negative power supply terminal ND2. A scanning line SL1 is connected to the gate of the TFT element SWa. The pixel capacitor C and the TFT elements SWc and SWb are connected in cascade between the power supply terminal ND1 'and the video signal line DL. A connection node between the pixel capacitor C and the TFT element SWc is connected to the gate of the TFT element DR. The connection node of the TFT elements SWc and SWb is connected to the connection node of the TFT elements DR and SWa. The scanning line SL2 is connected to the gates of the TFT elements SWb and SWc.

走査線SL2が選択されてロウに設定されるとTFT素子SWb,SWcがオンし、映像信号線DLに供給される、映像信号に対応する電荷が画素容量Cに蓄積される。また、走査線SL1が選択されてロウに設定されるとTFT素子SWaがオンし、TFT素子DRは画素容量Cに蓄積された電荷に応じた駆動電流を有機EL素子OLEDに供給する。有機EL素子OLEDは駆動電流の大きさに応じた輝度で発光する。   When the scanning line SL2 is selected and set to low, the TFT elements SWb and SWc are turned on, and charges corresponding to the video signal supplied to the video signal line DL are accumulated in the pixel capacitor C. When the scanning line SL1 is selected and set to low, the TFT element SWa is turned on, and the TFT element DR supplies a drive current corresponding to the electric charge accumulated in the pixel capacitor C to the organic EL element OLED. The organic EL element OLED emits light with a luminance corresponding to the magnitude of the drive current.

図2は、有機EL装置ODの一例である有機EL装置OD1の平面図である。同図では、赤、緑および青にそれぞれ発光する画素PXを3つずつ描いている。   FIG. 2 is a plan view of the organic EL device OD1 which is an example of the organic EL device OD. In the figure, three pixels PX each emitting red, green, and blue are drawn.

画素PX内の有機EL素子OLEDは、第1方向配線XWおよび第2方向配線YW上に形成される樹脂平坦層(絶縁膜)FLと、反射層(不図示)と、陽極ANDと、有機物層(不図示)と、陰極CTDとを有する。   The organic EL element OLED in the pixel PX includes a resin flat layer (insulating film) FL formed on the first direction wiring XW and the second direction wiring YW, a reflective layer (not shown), an anode AND, and an organic layer. (Not shown) and a cathode CTD.

樹脂平坦層FLは、全面に形成されるわけではなく、第1方向にストライプ状に形成される。すなわち、樹脂平坦層FLは第1方向に並ぶ複数の画素PXに跨って共通に形成され、かつ、第2方向に隣接する2つの画素PX間には樹脂平坦層FLが形成されないギャップGPが設けられ、第2方向に分離されている。   The resin flat layer FL is not formed on the entire surface, but is formed in stripes in the first direction. That is, the resin flat layer FL is formed in common across a plurality of pixels PX arranged in the first direction, and a gap GP is formed between the two pixels PX adjacent in the second direction so that the resin flat layer FL is not formed. And separated in the second direction.

陽極ANDは、例えばITO(Indium Tin Oxide)電極である。陽極ANDは、コンタクトホールCHを介して、第2方向配線YWと接続される。なお、同図の第1方向配線XWおよび第2方向配線YWはそれぞれ、図1のTFT素子SWaのゲートおよびドレインに対応する。簡略化のために、図1の他の配線やTFT素子SWa〜SWc,DRは、図2では省略している。   The anode AND is, for example, an ITO (Indium Tin Oxide) electrode. The anode AND is connected to the second direction wiring YW via the contact hole CH. Note that the first direction wiring XW and the second direction wiring YW in the figure correspond to the gate and drain of the TFT element SWa in FIG. 1, respectively. For the sake of simplification, the other wirings in FIG. 1 and the TFT elements SWa to SWc, DR are omitted in FIG.

陰極CTDは、例えばマグネシウムおよび銀の合金等、半透明な電極である。陰極CTDは、樹脂平坦層FLと同様に、第1方向にストライプ状に形成される。なお、図示していないが、例えば最右端の画素PXの外側で、ストライプ状の各陰極CTDを接続する配線が第2方向に形成される。   The cathode CTD is a translucent electrode such as an alloy of magnesium and silver. The cathode CTD is formed in a stripe shape in the first direction, like the resin flat layer FL. Although not shown in the figure, for example, on the outside of the rightmost pixel PX, a wiring connecting the striped cathodes CTD is formed in the second direction.

また、陰極CTDは、樹脂平坦層FLの上方で、その第2方向にはみ出ないように形成される。言い換えると、ギャップGPの上方には陰極CTDは形成されず、第2方向配線YWと陰極CTDとの間には必ず樹脂平坦層FLが形成される。そのため、仮に有機物層ORGに欠陥が生じたとしても、第2方向配線YWと陰極CTDとが短絡することはない。   Further, the cathode CTD is formed above the resin flat layer FL so as not to protrude in the second direction. In other words, the cathode CTD is not formed above the gap GP, and the resin flat layer FL is always formed between the second direction wiring YW and the cathode CTD. For this reason, even if a defect occurs in the organic layer ORG, the second direction wiring YW and the cathode CTD are not short-circuited.

なお、樹脂平坦層FLは、必ずしも、第1方向に並ぶ全ての画素PXに跨って共通して形成されなくてもよく、少なくとも2つの画素PXに跨って形成されればよい。例えば、赤、緑および青にそれぞれ発光する3つの画素PXに跨って樹脂平坦層FLを形成してもよい。さらに、第2方向に隣接する2列以上の画素PXに跨って形成されるストライプ状であってもよい。すなわち、樹脂平坦層FLは、全面に形成されるのではなく、少なくとも1つの画素PXと、第2方向に隣接する画素PXとの間にギャップGPが設けられ、分離されていればよい。   Note that the resin flat layer FL does not necessarily have to be formed in common across all the pixels PX arranged in the first direction, and may be formed over at least two pixels PX. For example, the resin flat layer FL may be formed across three pixels PX that respectively emit red, green, and blue. Further, it may be a stripe formed across two or more columns of pixels PX adjacent in the second direction. That is, the resin flat layer FL is not formed on the entire surface, and it is only necessary that the gap GP is provided and separated between at least one pixel PX and the pixel PX adjacent in the second direction.

図3は、図2の第1方向のAA’断面図である。第1方向配線XW上に絶縁層ILが形成され、その上に第2方向配線YWが形成される。第2方向配線YWが形成されていない絶縁層IL上および第2方向配線YW上に樹脂平坦層FLが形成される。樹脂平坦層FL上の一部に反射層RLが形成される。反射層RLは有機物層ORG中の発光層(不図示)が下方向に発した光を上方向に反射させて、発光効率を向上させるために設けられる。すなわち、図2および図3の有機EL素子OLEDは、光が上面から取り出される上面発光型である。   3 is a cross-sectional view taken along the line AA 'in the first direction of FIG. An insulating layer IL is formed on the first direction wiring XW, and a second direction wiring YW is formed thereon. A resin flat layer FL is formed on the insulating layer IL where the second direction wiring YW is not formed and on the second direction wiring YW. A reflective layer RL is formed on a part of the resin flat layer FL. The reflective layer RL is provided to reflect light emitted downward by a light emitting layer (not shown) in the organic layer ORG upward to improve luminous efficiency. That is, the organic EL element OLED in FIGS. 2 and 3 is a top emission type in which light is extracted from the top surface.

樹脂平坦層FLにはコンタクトホールCHが形成される。陽極ANDは、樹脂平坦層FL上の反射層RL上に平坦に形成される第1領域AND1と、コンタクトホールCHの側壁および底部を埋めるように形成される第2領域AND2とを有し、第2方向配線YWと電気的に接続される。   A contact hole CH is formed in the resin flat layer FL. The anode AND has a first region AND1 formed flat on the reflective layer RL on the resin flat layer FL, and a second region AND2 formed so as to fill the side wall and bottom of the contact hole CH. It is electrically connected to the two-way wiring YW.

さらに、陽極ANDを覆うように、有機物層ORGが形成される。有機物層ORGの一部はコンタクトホールCH中にも形成される。図3の構造では、画素PX間を分離するためのリブを設けないため、少なくとも陽極ANDの第1領域AND1上では有機物層ORGの上面は平坦に形成される。また、有機物層ORGは、反射層RLおよび陽極ANDが形成されない部分では、樹脂平坦層FLと接する。樹脂を材料とするリブを設けないため、水分が有機EL素子OLEDの上面から侵入するのを抑制できる。   Further, an organic layer ORG is formed so as to cover the anode AND. A part of the organic layer ORG is also formed in the contact hole CH. In the structure of FIG. 3, since the rib for separating the pixels PX is not provided, the upper surface of the organic layer ORG is formed flat at least on the first region AND1 of the anode AND. Further, the organic layer ORG is in contact with the resin flat layer FL in a portion where the reflective layer RL and the anode AND are not formed. Since the rib made of resin is not provided, it is possible to suppress moisture from entering from the upper surface of the organic EL element OLED.

有機物層ORGは、図示していないが、例えば正孔輸送層HTL、発光層EML、電子輸送層ETLを有する。陽極ANDから正孔輸送層HTLを介して発光層EMLに注入される正孔と、陰極CTDから電子輸送層ETLを介して発光層EMLに注入される電子とが再結合して、発光層EMLに含まれる不純物に応じた色で発光する。本明細書では、赤、緑および青に発光する有機物層をそれぞれ有機物層ORGr,ORGg,ORGbと表記し、これらのうちの任意の1つを有機物層ORGと表記している。   Although not shown, the organic layer ORG includes, for example, a hole transport layer HTL, a light emitting layer EML, and an electron transport layer ETL. The holes injected from the anode AND into the light emitting layer EML through the hole transport layer HTL and the electrons injected from the cathode CTD through the electron transport layer ETL into the light emitting layer EML are recombined to form the light emitting layer EML. It emits light with a color corresponding to the impurities contained in. In the present specification, organic layers emitting red, green, and blue are represented as organic layers ORGr, ORGg, and ORGb, respectively, and any one of these is represented as an organic layer ORG.

図4は、図2の第2方向のBB’断面図である。第2方向配線YW上に形成される樹脂平坦層FLには、コンタクトホールCHの他に、第2方向に隣接する2つの画素PX間にギャップGPが設けられる。ギャップGPには有機物層ORGが埋め込まれる。有機物層ORG内での水分の拡散速度は、樹脂平坦層FL中の拡散速度の1/10程度である。そのため、ギャップGPを設け、有機物層ORGを埋め込むことにより、有機EL素子OLEDの表面から侵入した水分が第2方向に拡散するのを抑制できる。結果として、水分が浸入したとしても、ダークスポット不良が第1方向に拡散するのを抑制できる。   FIG. 4 is a BB ′ sectional view in the second direction of FIG. 2. In the resin flat layer FL formed on the second direction wiring YW, in addition to the contact hole CH, a gap GP is provided between two pixels PX adjacent in the second direction. An organic layer ORG is embedded in the gap GP. The diffusion rate of moisture in the organic layer ORG is about 1/10 of the diffusion rate in the resin flat layer FL. Therefore, by providing the gap GP and embedding the organic material layer ORG, it is possible to suppress diffusion of moisture that has entered from the surface of the organic EL element OLED in the second direction. As a result, it is possible to suppress the dark spot defect from diffusing in the first direction even if moisture enters.

図5は、有機物層ORGr,ORGg,ORGbの断面図である。本実施形態ではリブを設けない。   FIG. 5 is a cross-sectional view of the organic layers ORGr, ORGg, and ORGb. In this embodiment, no rib is provided.

同図(a)に示すように、有機物層ORGrは、正孔輸送層HTLと、赤色発光層EMLrと、緑色発光層EMLgと、青色発光層EMLbと、電子輸送層ETLとを有する。同図の構造では、緑色発光層EMLgおよび青色発光層EMLbは発光せず、赤色発光層EMLrが発光することにより、有機物層ORGrを有する有機EL素子OLEDは赤色に発光する。   As shown in FIG. 4A, the organic layer ORGr includes a hole transport layer HTL, a red light emitting layer EMLr, a green light emitting layer EMLg, a blue light emitting layer EMLb, and an electron transport layer ETL. In the structure shown in the figure, the green light emitting layer EMLg and the blue light emitting layer EMLb do not emit light, and the red light emitting layer EMLr emits light, whereby the organic EL element OLED having the organic layer ORGr emits red light.

同図(b)に示すように、有機物層ORGrは、正孔輸送層HTLと、変質した赤色発光層EMLr’と、緑色発光層EMLgと、青色発光層EMLbと、電子輸送層ETLとを有する。変質した赤色発光層EMLr’は赤色発光層EMLrに紫外線を照射することにより形成される。同図の構造では、変質した赤色発光層EMLr’および青色発光層EMLbは発光せず、緑色発光層EMLgが発光することにより、有機物層ORGgを有する有機EL素子OLEDは緑色に発光する。   As shown in FIG. 4B, the organic layer ORGr has a hole transport layer HTL, a modified red light emitting layer EMLr ′, a green light emitting layer EMLg, a blue light emitting layer EMLb, and an electron transport layer ETL. . The altered red light emitting layer EMLr 'is formed by irradiating the red light emitting layer EMLr with ultraviolet rays. In the structure shown in the figure, the modified red light emitting layer EMLr 'and blue light emitting layer EMLb do not emit light, and the green light emitting layer EMLg emits light, whereby the organic EL element OLED having the organic layer ORGg emits green light.

同図(c)に示すように、有機物層ORGbは、正孔輸送層HTLと、変質した赤色発光層EMLr’と、変質した緑色発光層EMLg’と、青色発光層EMLbと、電子輸送層ETLとを有する。変質した赤色発光層EMLr’および緑色発光層EMLg’は、赤色発光層EMLrおよび緑色発光層EMLgにそれぞれ紫外線を照射することにより形成される。同図の構造では、変質した赤色発光層EMLr’および緑色発光層EMLg’は発光せず、青色発光層EMLbが発光することにより、有機物層ORGbを有する有機EL素子OLEDは青色に発光する。   As shown in FIG. 5C, the organic layer ORGb includes a hole transport layer HTL, a modified red light emitting layer EMLr ′, a modified green light emitting layer EMLg ′, a blue light emitting layer EMLb, and an electron transport layer ETL. And have. The altered red light emitting layer EMLr 'and green light emitting layer EMLg' are formed by irradiating the red light emitting layer EMLr and the green light emitting layer EMLg with ultraviolet rays, respectively. In the structure shown in the figure, the modified red light-emitting layer EMLr 'and green light-emitting layer EMLg' do not emit light, and the blue light-emitting layer EMLb emits light, whereby the organic EL element OLED having the organic layer ORGb emits blue light.

以上、有機EL装置OD1の構造について説明した。次に、有機EL装置OD1の製造工程について説明する。   The structure of the organic EL device OD1 has been described above. Next, a manufacturing process of the organic EL device OD1 will be described.

図6は、有機EL装置OD1の製造工程図である。まず、ガラス等の第1基板SUBにTFT素子SWa〜SWc,DRおよび配線を形成する(ステップS1)。各TFT素子は、例えば低温ポリシリコン技術により形成される。ここで、配線とは、走査線SL1,SL2および映像信号線DLの他、画素PX内でTFT素子同士やTFT素子と有機EL素子OLEDとを接続する第1方向配線XWや第2方向配線YW等を含む。また、第1方向配線XWと第2方向配線YWとの間には絶縁層ILを形成する。   FIG. 6 is a manufacturing process diagram of the organic EL device OD1. First, TFT elements SWa to SWc, DR and wirings are formed on a first substrate SUB such as glass (step S1). Each TFT element is formed by, for example, a low temperature polysilicon technique. Here, the wiring refers to the first direction wiring XW and the second direction wiring YW that connect the TFT elements and the TFT elements and the organic EL element OLED in the pixel PX, in addition to the scanning lines SL1 and SL2 and the video signal line DL. Etc. Further, an insulating layer IL is formed between the first direction wiring XW and the second direction wiring YW.

次に、最上層に形成される配線(本実施形態では第2方向配線YW)上および、第2方向配線YW上が形成されていない絶縁層IL上に樹脂平坦層FLを形成し、その上の一部に反射層RLを形成する(ステップS2)。上述のように、樹脂平坦層FLは第1方向にストライプ状に形成される。続いて、反射層RLおよび樹脂平坦層FLを貫通して第2方向配線YWに達するコンタクトホールCHを形成する(ステップS3)。さらに、反射層RL上およびコンタクトホールCHの側壁および底部を埋めるように、陽極AND(ステップS4)を形成する。   Next, a resin flat layer FL is formed on the wiring (the second direction wiring YW in the present embodiment) formed on the uppermost layer and on the insulating layer IL on which the second direction wiring YW is not formed. A reflective layer RL is formed on a part of (Step S2). As described above, the resin flat layer FL is formed in a stripe shape in the first direction. Subsequently, a contact hole CH that passes through the reflective layer RL and the resin flat layer FL and reaches the second direction wiring YW is formed (step S3). Further, an anode AND (step S4) is formed so as to fill the reflective layer RL and the side walls and bottom of the contact hole CH.

続いて、リブを形成することなく、以下のステップS5〜S11により、正孔輸送層HTL、発光層および電子輸送層ETLからなる有機物層ORGを形成する。   Subsequently, without forming a rib, the organic layer ORG composed of the hole transport layer HTL, the light emitting layer, and the electron transport layer ETL is formed by the following steps S5 to S11.

まず、抵抗加熱方式の有機EL成膜装置を用いて、全面に、正孔輸送層HTL(ステップS5)および赤色発光層EMLr(ステップS6)を順次形成し、第1基板SUBを有機EL成膜装置から取り出す。次に、有機物層ORGrが形成される領域上にフォトマスクを配置し、有機物層ORGg,ORGbが形成される領域の赤色発光層EMLrに、主波長が365nmの紫外線を照射する(ステップS7)。紫外線が照射されると、赤色発光層EMLrは変質した赤色発光層EMLr’になり、赤色に発光しなくなる。   First, using a resistance heating type organic EL film forming apparatus, a hole transport layer HTL (step S5) and a red light emitting layer EMLr (step S6) are sequentially formed on the entire surface, and the first substrate SUB is formed into an organic EL film. Remove from device. Next, a photomask is arranged on the region where the organic layer ORGr is formed, and the red light emitting layer EMLr in the region where the organic layers ORGg and ORGb are formed is irradiated with ultraviolet light having a dominant wavelength of 365 nm (step S7). When irradiated with ultraviolet rays, the red light-emitting layer EMLr becomes a modified red light-emitting layer EMLr 'and does not emit red light.

続いて、再び有機EL成膜装置を用いて、全面に、緑色発光層EMLgを形成し(ステップS8)、第1基板SUBを有機EL成膜装置から取り出す。次に、有機物層ORGr,ORGgが形成される領域上にフォトマスクを配置し、有機物層ORGbが形成される領域の緑色発光層EMLgに、主波長が365nmの紫外線を照射する(ステップS9)。紫外線が照射されると、緑色発光層EMLgは変質した緑色発光層EMLg’になり、緑色に発光しなくなる。   Subsequently, again using the organic EL film forming apparatus, a green light emitting layer EMLg is formed on the entire surface (step S8), and the first substrate SUB is taken out from the organic EL film forming apparatus. Next, a photomask is arranged on the region where the organic layers ORGr and ORGg are formed, and the green light emitting layer EMLg in the region where the organic layer ORGb is formed is irradiated with ultraviolet light having a dominant wavelength of 365 nm (step S9). When the ultraviolet ray is irradiated, the green light emitting layer EMLg becomes a modified green light emitting layer EMLg ′ and does not emit green light.

さらに、有機EL成膜装置を用いて、全面に、青色発光層EMLb(ステップS10)および電子輸送層ETL(ステップS11)を順次形成する。   Further, the blue light emitting layer EMLb (step S10) and the electron transport layer ETL (step S11) are sequentially formed on the entire surface using an organic EL film forming apparatus.

以上のようにして、有機物層ORGが形成される。このように、メタルマスクを用いて各色の発光層EMLr,EMLg,EMLbを塗り分けるのではなく、フォトマスクを用いて発光層EMLr,EMLgに紫外線を照射してこれらを変質させて有機物層ORGの発光色を制御する。そのため、リブを設けなくても、隣接する画素PXに発光層が混入することなく高精度に有機物層ORGを形成できる。   As described above, the organic layer ORG is formed. In this way, the light emitting layers EMLr, EMLg, and EMLb of each color are not separately applied using a metal mask, but the light emitting layers EMLr and EMLg are irradiated with ultraviolet rays using a photomask to change the properties of the organic layer ORG. Controls the emission color. For this reason, the organic layer ORG can be formed with high accuracy without mixing the light emitting layer into the adjacent pixel PX without providing a rib.

なお、本実施形態では、赤色発光層EMLrおよび緑色発光層EMLgをそれぞれ変質させる例を示したが、必ずしも変質させなくてもよく、これらが発光する能力を失うようにすればよい。   In the present embodiment, an example in which the red light emitting layer EMLr and the green light emitting layer EMLg are altered is shown. However, it is not always necessary to alter the quality of the red light emitting layer EMLr and the green light emitting layer EMLg.

その後、陰極CTDを蒸着により形成する(ステップS12)。より具体的には、まず、第1方向にストライプ状の陰極CTDを形成する。このとき、上述のように、樹脂平坦層FLの上方の一部に陰極CTDが形成され、樹脂平坦層FLのギャップGP上には陰極CTDが形成されないよう、位置を調整する。さらに、画素PXの外側に、ストライプ状の各陰極CTDを接続するよう、第2方向の配線を形成する。   Thereafter, a cathode CTD is formed by vapor deposition (step S12). More specifically, first, a striped cathode CTD is formed in the first direction. At this time, as described above, the position is adjusted so that the cathode CTD is formed in a part above the resin flat layer FL and the cathode CTD is not formed on the gap GP of the resin flat layer FL. Further, a wiring in the second direction is formed outside the pixel PX so as to connect the striped cathodes CTD.

その後、有機EL装置OD1が形成された第1基板SUBと、乾燥剤が貼り付けられた第2基板(不図示)とを接着する(ステップS13)。より具体的には、第1および第2基板の間に紫外線硬化型の接着剤を配置し、加圧しながら接着剤に紫外線を照射することにより、両基板を接着する。乾燥剤は、水分により有機EL素子OLEDが劣化するのを抑制するために設けられる。なお、紫外線硬化型の接着剤に代えて、熱硬化型の接着剤を用いてもよい。   Thereafter, the first substrate SUB on which the organic EL device OD1 is formed and the second substrate (not shown) on which the desiccant is attached are bonded (step S13). More specifically, an ultraviolet curable adhesive is disposed between the first and second substrates, and the two substrates are bonded by irradiating the adhesive with ultraviolet rays while applying pressure. The desiccant is provided to suppress the deterioration of the organic EL element OLED due to moisture. Note that a thermosetting adhesive may be used instead of the ultraviolet curable adhesive.

さらに、有機EL装置OD1毎に第1基板および第2基板を割断して、有機EL装置OD1が得られる。   Further, the organic EL device OD1 is obtained by cleaving the first substrate and the second substrate for each organic EL device OD1.

次に、図2〜図4の変形例を説明する。   Next, modified examples of FIGS. 2 to 4 will be described.

図7は、有機EL装置ODの別の一例である有機EL装置OD2の平面図である。図7では、図2と共通する構成部分には同一の符号を付しており、以下では相違点を中心に説明する。   FIG. 7 is a plan view of an organic EL device OD2 which is another example of the organic EL device OD. In FIG. 7, the same reference numerals are given to the components common to FIG. 2, and the differences will be mainly described below.

図7の有機EL装置OD2は、樹脂平坦層FLの形状が図2の有機EL装置OD1と異なり、島状に形成されて画素PX毎に分離されている。すなわち、第2方向に隣接する2つの画素PXの間にギャップGPが設けられ、第1方向に隣接する2つの画素PXの間にギャップGP2が設けられ、第2方向および第1方向の両方向に分離される。   The organic EL device OD2 of FIG. 7 is different from the organic EL device OD1 of FIG. 2 in the shape of the resin flat layer FL, and is formed in an island shape and separated for each pixel PX. In other words, a gap GP is provided between two pixels PX adjacent in the second direction, and a gap GP2 is provided between two pixels PX adjacent in the first direction, both in the second direction and the first direction. To be separated.

また、第2方向配線YWは、樹脂平坦層FLの下方で、その第1方向にはみ出ないように形成される。言い換えると、ギャップGP2の下方には第2方向配線YWは形成されず、第2方向配線YWと陰極CTDとの間には必ず樹脂平坦層FLまたは陽極AND2が介在する。そのため、仮に有機物層ORGに欠陥が生じたとしても、第2方向配線YWと陰極CTDとが短絡することはない。   The second direction wiring YW is formed below the flat resin layer FL so as not to protrude in the first direction. In other words, the second direction wiring YW is not formed below the gap GP2, and the resin flat layer FL or the anode AND2 is always interposed between the second direction wiring YW and the cathode CTD. For this reason, even if a defect occurs in the organic layer ORG, the second direction wiring YW and the cathode CTD are not short-circuited.

図8は、図7の第1方向のCC’断面図である。樹脂平坦層FLには、第1方向に隣接する2つの画素PX間にギャップGP2が設けられる。ギャップGP2には有機物層ORGが埋め込まれる。これにより、有機EL装置OD2の表面から侵入した水分が第2方向および第1方向に拡散するのを抑制できる。結果として、水分が浸入したとしても、ダークスポット不良が第2方向および第1方向に拡散するのを抑制できる。但し、ギャップGP2を設ける分、図2〜図4の有機EL装置OD1に比べて開口面積が小さくなり、発光輝度が低下する。   FIG. 8 is a CC ′ cross-sectional view in the first direction of FIG. 7. In the resin flat layer FL, a gap GP2 is provided between two pixels PX adjacent in the first direction. An organic layer ORG is embedded in the gap GP2. Thereby, it can suppress that the water | moisture content which penetrate | invaded from the surface of organic EL apparatus OD2 diffuses in a 2nd direction and a 1st direction. As a result, even if moisture permeates, it is possible to suppress the dark spot defect from diffusing in the second direction and the first direction. However, as the gap GP2 is provided, the opening area is smaller than that of the organic EL device OD1 shown in FIGS.

なお、図7の第2方向の断面図は図4と同様であるため、説明を省略する。   The sectional view in the second direction in FIG. 7 is the same as that in FIG.

本発明者は、従来の有機EL装置、図2の有機EL装置OD1および図7の有機EL装置OD2について、ダークスポット不良の発生数を比較する実験を行った。図9は、ダークスポット不良の発生数と経過時間との関係を示すグラフである。従来の有機EL装置とは、有機EL素子間を分離するためのリブを設け、さらに、樹脂平坦層を全面に形成した構成である。これら3つの有機EL装置を24台ずつ製造し、高温高湿層(温度85℃、湿度85%)中に放置し、所定時間経過後に表示確認を行って、ダークスポット不良数を目視にて確認した。なお、本実施形態の効果を確認するため、第2基板SUB2には乾燥剤を設けていない。   The inventor conducted an experiment to compare the number of occurrences of dark spot defects in the conventional organic EL device, the organic EL device OD1 in FIG. 2, and the organic EL device OD2 in FIG. FIG. 9 is a graph showing the relationship between the number of occurrences of dark spot defects and the elapsed time. The conventional organic EL device has a configuration in which ribs for separating organic EL elements are provided and a resin flat layer is formed on the entire surface. 24 units of these three organic EL devices are manufactured and left in a high-temperature and high-humidity layer (temperature 85 ° C, humidity 85%), the display is confirmed after a predetermined time, and the number of dark spot defects is visually confirmed. did. In order to confirm the effect of the present embodiment, no desiccant is provided on the second substrate SUB2.

図9に示すように、従来の有機EL装置では20時間経過後にダークスポット不良が発生し始め、30時間後に全ての有機EL装置にダークスポット不良が発生している。   As shown in FIG. 9, in the conventional organic EL device, the dark spot defect starts to occur after 20 hours, and the dark spot defect occurs in all the organic EL devices after 30 hours.

これに対し、有機EL装置OD1では、30時間後にダークスポット不良が発生し始め、50時間後に全ての有機EL装置OD1にダークスポット不良が発生している。有機EL装置OD1では、樹脂製のリブが形成されないため、従来の有機EL装置に比べて水分が侵入しにくい構造である。加えて、樹脂平坦層FLがストライプ状に形成されているため、水分の拡散が抑制される。そのため、従来の有機EL装置に比べてダークスポット不良が発生しにくい。   In contrast, in the organic EL device OD1, a dark spot defect starts to occur after 30 hours, and after 50 hours, a dark spot defect occurs in all the organic EL devices OD1. The organic EL device OD1 has a structure in which moisture does not easily enter compared to a conventional organic EL device because no resin rib is formed. In addition, since the resin flat layer FL is formed in a stripe shape, diffusion of moisture is suppressed. Therefore, dark spot defects are less likely to occur compared to conventional organic EL devices.

また、有機EL装置OD2では、40時間後にダークスポット不良が発生し始め、50時間後でも7つの有機EL装置OD2にダークスポット不良が発生しているのみである。有機EL装置OD2では、樹脂平坦層FLが縞状に形成されているため、有機EL装置OD1よりもさらに水分の拡散が抑制され、ダークスポット不良の発生を抑制できる。   Further, in the organic EL device OD2, dark spot defects start to occur after 40 hours, and only after 50 hours, dark spot defects occur in the seven organic EL devices OD2. In the organic EL device OD2, since the resin flat layer FL is formed in a stripe shape, the diffusion of moisture is further suppressed as compared with the organic EL device OD1, and the occurrence of dark spot defects can be suppressed.

このように、一実施形態では、画素PX間を分離するためのリブを設けないため、水分が有機EL装置ODに浸入しにくくなる。また、樹脂平坦層をストライプ状または島状に形成するため、仮に水分が有機EL装置に浸入しても水分の拡散を抑制でき、ダークスポット不良が広がるのを抑制できる。また、メタルマスクを用いて発光層を塗り分けるのではなく、フォトマスクを用いて発光層を変質させて発光色を制御する。そのため、リブを設けなくても、高精度に有機物層ORGを形成できる。さらに、樹脂平坦層FLの上方の一部に陰極を形成するため、樹脂平坦層FLを全面に形成しなくても、陰極と第2方向配線YWが短絡するのを防止できる。   As described above, in the embodiment, since the rib for separating the pixels PX is not provided, it is difficult for moisture to enter the organic EL device OD. Further, since the resin flat layer is formed in a stripe shape or an island shape, even if moisture enters the organic EL device, diffusion of moisture can be suppressed, and the spread of dark spot defects can be suppressed. In addition, instead of separately coating the light emitting layer using a metal mask, the light emitting color is controlled by altering the light emitting layer using a photomask. Therefore, the organic layer ORG can be formed with high accuracy without providing a rib. Furthermore, since the cathode is formed in a part above the resin flat layer FL, it is possible to prevent the cathode and the second direction wiring YW from being short-circuited without forming the resin flat layer FL over the entire surface.

なお、上述した実施形態では、有機EL装置ODを表示装置に用いる例を示したが、光源装置等他の用途に用いてもよい。   In the above-described embodiment, the example in which the organic EL device OD is used for the display device has been described.

上記の記載に基づいて、当業者であれば、実施形態の追加の効果や種々の変形を想到できるかもしれないが、実施形態の態様は、上述した個々の実施形態には限定されるものではない。特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される実施形態の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。   Based on the above description, those skilled in the art may be able to conceive additional effects and various modifications of the embodiments, but the aspects of the embodiments are not limited to the individual embodiments described above. Absent. Various additions, modifications, and partial deletions can be made without departing from the concept and spirit of the embodiments derived from the contents defined in the claims and equivalents thereof.

PX 画素
FL 樹脂平坦層
AND 陽極
EMLr,EMLg,EMLb 発光層
CTD 陰極
OD,OD1,OD2 有機EL装置
PX pixel FL resin flat layer AND anode EMLr, EMLg, EMLb Light emitting layer CTD cathode OD, OD1, OD2 Organic EL device

Claims (3)

第1方向および前記第1方向と交差する第2方向に配置される複数の画素を備え、
前記複数の画素のそれぞれは、
絶縁膜と、
前記絶縁膜上の少なくとも一部で平坦に形成される第1電極と、
少なくとも前記第1電極上で平坦に形成される発光層と、
前記発光層上に形成される第2電極と、を有し、
前記画素が有する前記絶縁膜は、
前記第1方向に隣接する少なくとも2つの画素に跨って形成され、かつ、
前記第2方向に隣接する前記画素が有する前記絶縁膜と分離されており、
前記第2電極は、前記絶縁膜の上方に形成され、前記絶縁膜が分離された領域の上方には形成されないことを特徴とする有機EL装置。
A plurality of pixels arranged in a first direction and a second direction intersecting the first direction;
Each of the plurality of pixels is
An insulating film;
A first electrode formed flat on at least part of the insulating film;
A light emitting layer formed flat on at least the first electrode;
A second electrode formed on the light emitting layer,
The insulating film of the pixel is
Formed across at least two pixels adjacent in the first direction, and
Separated from the insulating film of the pixel adjacent in the second direction ;
The organic EL device , wherein the second electrode is formed above the insulating film and is not formed above a region where the insulating film is separated .
第1方向および前記第1方向と交差する第2方向に配置され、第1発光色を発する複数の第1画素と、前記第1発光色の中心波長よりも短い中心波長の第2発光色を発する複数の第2画素と、前記第2発光色の中心波長よりも短い中心波長の第3発光色を発する複数の第3画素と、を備え、
前記第1乃至第3画素のそれぞれは、
絶縁膜と、
前記絶縁膜上の少なくとも一部で平坦に形成される第1電極と、
少なくとも前記第1電極上で平坦に形成される発光層と、
前記発光層上に形成される第2電極と、を有し、
前記第1画素の発光層は、前記第1および第2電極間に、
前記第1発光色を発する能力を持った第1発光層と、
前記第1発光層上に形成され、前記第2発光色を発する能力を持った第2発光層と、
前記第2発光層上に形成され、前記第3発光色を発する能力を持った第3発光層と、を有し、
前記第2画素の発光層は、前記第1および第2電極間に、
前記第1画素から延在し、発光能力を失った前記第1発光層と、
前記第1画素から延在し、前記発光能力を失った前記第1発光層上に形成される前記第2発光層と、
前記第1画素から延在し、前記第2発光層上に形成される前記第3発光層と、を有し、 前記第3画素の発光層は、前記第1および第2電極間に、
前記第2画素から延在し、発光能力を失った前記第1発光層と、
前記第2画素から延在し、前記発光能力を失った前記第1発光層上に形成される、発光能力を失った前記第2発光層と、
前記第2画素から延在し、前記発光能力を失った前記第2発光層上に形成される前記第3発光層と、を有し、
前記複数の第1乃至第3画素のうち前記第1方向に隣接する少なくとも2つの画素が有する前記絶縁膜は、
当該少なくとも2つの画素に跨って形成され、かつ、
前記第2方向に隣接する前記第1、第2または第3画素が有する前記絶縁膜と分離されており、
前記第2電極は、前記絶縁膜の上方に形成され、前記絶縁膜が分離された領域の上方には形成されないことを特徴とする有機EL装置。
A plurality of first pixels arranged in a first direction and a second direction intersecting the first direction and emitting a first emission color, and a second emission color having a shorter center wavelength than the center wavelength of the first emission color A plurality of second pixels that emit, and a plurality of third pixels that emit a third emission color having a shorter center wavelength than the center wavelength of the second emission color,
Each of the first to third pixels is
An insulating film;
A first electrode formed flat on at least part of the insulating film;
A light emitting layer formed flat on at least the first electrode;
A second electrode formed on the light emitting layer,
The light emitting layer of the first pixel is between the first and second electrodes.
A first light emitting layer having the ability to emit the first emission color;
A second light emitting layer formed on the first light emitting layer and capable of emitting the second light emitting color;
A third light emitting layer formed on the second light emitting layer and having the ability to emit the third light emitting color;
The light emitting layer of the second pixel is between the first and second electrodes.
The first light emitting layer extending from the first pixel and losing its light emitting capability;
The second light emitting layer formed on the first light emitting layer extending from the first pixel and losing the light emitting ability;
A third light emitting layer extending from the first pixel and formed on the second light emitting layer, wherein the light emitting layer of the third pixel is between the first and second electrodes,
The first light-emitting layer extending from the second pixel and losing its light-emitting ability;
The second light-emitting layer that has lost its light-emitting ability, is formed on the first light-emitting layer that extends from the second pixel and has lost its light-emitting ability;
The third light emitting layer formed on the second light emitting layer extending from the second pixel and losing the light emitting capability, and
The insulating film of at least two pixels adjacent in the first direction among the plurality of first to third pixels is:
Formed across the at least two pixels, and
Separated from the insulating film of the first, second, or third pixel adjacent in the second direction ;
The organic EL device , wherein the second electrode is formed above the insulating film and is not formed above a region where the insulating film is separated .
前記発光層の一部は、前記絶縁膜に接していることを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL装置。   The organic EL device according to claim 1, wherein a part of the light emitting layer is in contact with the insulating film.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4706401B2 (en) * 2005-03-23 2011-06-22 三菱電機株式会社 EL device and manufacturing method thereof
JP5207670B2 (en) * 2006-07-19 2013-06-12 キヤノン株式会社 Display device
US20080238297A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Masuyuki Oota Organic el display and method of manufacturing the same
JP4596000B2 (en) * 2007-12-07 2010-12-08 ソニー株式会社 Liquid crystal display device and electronic device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020124841A1 (en) * 2018-12-20 2020-06-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Organic light-emitting device and fabrication method therefor

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