JP5239610B2 - マッハツェンダ型光変調器 - Google Patents

Description

本発明は、マッハツェンダ型光変調器の駆動電圧低減技術に関する。

大容量の光伝送ネットワークの構築が進められる中、さらなる伝送容量の拡大や伝送距離の延長が課題となっている。その課題を克服する手段の一つとして、光のオンオフを用いてデータを伝送する光強度変調方式に代わり、ＤＰＳＫ（Differential Phase Shift Keying）などの光位相変調方式を用いた光伝送ネットワークの検討が進められている。このような位相変調方式を用いた光伝送ネットワークで使用されるＤＰＳＫ方式の光送信器について、図１０に示す。

図示の光送信器は、半導体レーザ１から出力されたＣＷ（Continuous Wave）光をマッハツェンダ型光位相変調器２に通して位相変調し、光信号として送出する構成を有する。その光位相変調器２は、ＤＰＳＫプリコーダ３に通したデータ信号に従いドライバ４から出力される駆動信号により、位相変調光信号を出力するもので、その仕組みについて図１１に示している。ＬｉＮｂＯ_３（以下ＬＮとする）に代表される電気光学結晶の基板２０にマッハツェンダ型の光導波路２１を形成してあり、当該基板２０の表面上には進行波電極２２，２３を形成してある。光導波路２１は、光を入力するため基板端面に臨んだ入力部と、該入力部から分岐して伸延している分岐変調部（アーム）と、該分岐変調部を結合して基板端面に臨む出力部と、を備えたマッハツェンダ型である。この光導波路２１における分岐変調部の部分に、電極２２，２３からの電界が作用することにより、その屈折率が変化し、位相変調が行われる。

電極２２，２３に印加する駆動信号の電圧は、光導波路２１の二つの分岐変調部を伝搬する光の位相差を半波長とする電圧がＶπのとき、一方の電極２２に電圧Ｖπ、他方の電極２３（反転）に電圧−Ｖπを与えることで、出力光の位相をπ変化させることができる。したがって、ドライバ４から出力される駆動信号は、一方の電極２２に対して０〜Ｖπで変化させ且つ他方の電極２３に対して０〜−Ｖπで変化させることで、データ信号に従った位相０，πの光位相変調を行うことができる（非特許文献１）。

"40-Gb/s RZ-Differential Phase Shift Keyed Transmission", A. Gnauck, ThE1, pp. 450-451, Vol. 2, OFC 2003

上記方式の光位相変調器２０の場合、両分岐変調部の電極２２，２３に対して逆相の電気信号を同時印加する必要があるため、４０Ｇｂ／ｓ等の高速伝送においては駆動信号のタイミング調整が難しいという解決課題がある。そこで、このようなデュアル駆動方式に対し、図１２（Ａ）に示すようなＸ−ｃｕｔのＬＮ基板を用いた光位相変調器や、図１２（Ｂ）に示すようなＺ−ｃｕｔのＬＮ基板に分極反転領域を形成した光位相変調器のように、駆動信号を印加する進行波電極を一つにしたシングル駆動方式のものも提案されている。

しかし、このシングル駆動方式とした場合、上記同様に分岐変調部における光位相差を半波長とする電圧をＶπとすると、位相０，πの光位相変調を行うためには、駆動信号を０〜２Ｖπで変化させねばならない。すなわち、シングル駆動方式では駆動信号の電圧が大きくなってしまい、高速伝送に適用するにあたって解決すべき課題となっている。

本発明は、このような技術背景に着目したもので、シングル駆動方式を適用したときに従来よりも低い電圧の駆動信号で位相変調を行うことの可能なマッハツェンダ型光変調器を提案するものである。

上記課題を解決するためにここで提案するマッハツェンダ型光変調器は、ＬＮなどの電気光学結晶基板内に形成されるその光導波路について、入力部と、該入力部から分岐して伸延する複数の分岐変調部と、複数の入力ポート及び複数の出力ポートを有し、その入力ポートが前記分岐変調部につながっており、当該入力ポートに入力される入力光に対し、当該出力ポートから出力される出力光にπ／４の位相シフトが生じる干渉光カプラ部と、該干渉光カプラ部の出力ポートにつながった複数の入力ポートを有すると共に複数の出力ポートを有し、当該入力ポートに入力される入力光に対し、当該出力ポートから出力される出力光にπ／４の位相シフトが生じる出力光カプラ部と、を備えた光導波路とする。

あるいは、複数の入力ポート及び複数の出力ポートを有し、当該入力ポートに入力される入力光に対し、当該出力ポートから出力される出力光にπ／４の位相シフトが生じる入力光カプラ部と、該入力光カプラ部の出力ポートから伸延した複数の分岐変調部と、複数の入力ポート及び複数の出力ポートを有し、その入力ポートが前記分岐変調部につながっており、当該入力ポートに入力される入力光に対し、当該出力ポートから出力される出力光にπ／４の位相シフトが生じる干渉光カプラ部と、を備えた光導波路とすることを提案する。

この提案に係るマッハツェンダ型光変調器は、入力端から出力端までの間の少なくとも二箇所に複数入力×複数出力の光カプラ部を設けている。このような光カプラは、入射光が干渉し合って出射される結果、出射光において位相シフトが発生する性質をもつ。この光カプラで起こる位相シフトを利用すれば、駆動信号の電圧が低くても、必要な光位相変化を得ることが可能となる。すなわち、光導波路中に光カプラ部を適切に設ければ、分岐変調部における光位相差を半波長とする電圧がＶπのとき、上述のようなシングル駆動方式の進行波電極に印加する駆動信号について、０〜Ｖπの電圧変化によって、データ信号に従った位相０，πの光位相変調を行うことができるようになる。あるいは、上述のような分岐変調部毎に進行波電極を設けたデュアル駆動方式であれば、分岐変調部における光位相差を半波長とする電圧がＶπのとき、各進行波電極に印加する駆動信号について、０〜Ｖπ／２の電圧変化によって、データ信号に従った位相０，πの光位相変調を行うことができるようになる。

したがって、マッハツェンダ型光変調器の駆動電圧を低減することができ、４０Ｇｂ／ｓ等の高速伝送に対応した光送信器の実現に寄与する。

まず最初に、複数入力×複数出力の光カプラに入出射される光の位相関係に関し説明する。図１に、上記提案の光導波路に設ける光カプラ部の一例として、２入力×２出力の光カプラについて入射光と出射光の位相関係を示してある。一方の図２には、２入力×１出力の光カプラについて入射光と出射光の位相関係を示している。

図２に示す２×１光カプラの場合、二つの入力ポートに入射する入射光Ａ，Ｂが結合されて一つの出力ポートから出射するので、その出射光Ｃにおいて入射光Ａ，Ｂに対する位相シフトは生じない。これに対し、図１に示す２×２光カプラの場合、二つの入力ポートに入射する入射光Ａ，Ｂが互いに干渉し合った後に二つの出力ポートから出射するので、その各出射光Ｃ，Ｄにおいて入射光Ａ，Ｂに対する±π／４の位相シフトが生じる。これは、図１のような２×２光カプラにおける入射光と出射光とが次式（１）の関係にあるからである（参考："Monolithic Demodulator for 40-Gb/s DQSP Using a Star Coupler", Christopher R. Doerr et al., Journal of Lightwave Technology, Vol. 24, No. 1, January 2006）。なお、式中、φ_Ｍは入射光に対する出射光の位相変化量、ｍ_ｌｅｆｔは入力ポート番号、ｍ_{ｒｉｇｈｔ}は出力ポート番号、Ｍは入出力のポート数。

φ_Ｍ（ｍ_ｌｅｆｔ，ｍ_{ｒｉｇｈｔ}）
＝（２π／Ｍ）｛ｍ_ｌｅｆｔ−（Ｍ＋１）／２｝｛ｍ_{ｒｉｇｈｔ}−（Ｍ＋１）／２｝・・・（１）

この位相関係を利用した本実施形態のマッハツェンダ型光変調器を図３に示している。当該光変調器は、電気光学結晶基板としてＺ−ｃｕｔのＬＮ基板１００を使用し、該基板１００内に、マッハツェンダ型の光導波路１０１を形成してある。光導波路１０１は、半導体レーザ等によるＣＷ光を入力するために、基板１００の一方の端面に臨んだ入力部１０２と、この入力部１０２から分岐して互いに平行に伸延する２本の分岐変調部１０３，１０４と、を備えている。そして、その分岐変調部１０３，１０４にそれぞれ入力ポートがつながっている２入力×２出力の干渉光カプラ部１０５が設けられている。さらに、この干渉光カプラ部１０５の二つの出力ポートそれぞれに入力ポートがつながり、且つ出力ポートが基板１００の他方の端面に臨んでいる２入力×２出力の出力光カプラ部１０６が設けられている。該出力光カプラ部１０６の出力ポートの片方から出力光信号を得ることができる。

当該光導波路１０１において、分岐変調部１０３，１０４を経た変調光は、図１に示したような２×２光カプラとなっている干渉光カプラ部１０５の入力ポートへ入力される。したがって、分岐変調部１０３，１０４の変調光（図１のＡ，Ｂ相当）に対し、干渉光カプラ部１０５の出力ポートから出力される干渉光（図１のＣ，Ｄ相当）には、±π／４の位相シフトが生じることになる。さらに、干渉光カプラ部１０５から出力された干渉光は、それぞれ出力光カプラ部１０６の入力ポートに入力される。この出力光カプラ部１０６も図１に示したような２×２光カプラとなっているので、入力ポートに入力される干渉光（図１のＡ，Ｂ相当）に対し、出力ポートから出力される出力光（図１のＣ，Ｄ相当）には±π／４の位相シフトが生じている。

このような基板１００内に形成された光導波路１０１における分岐変調部１０３，１０４に対し、そのうちの片方の分岐変調部１０３の屈折率を変化させるべく、一つの進行波電極１０７が基板１００の表面上に形成されている。図示の進行波電極１０７は、分岐変調部１０３の上方に重なるように形成され、例えば図１０に示したようなドライバによる駆動信号を受け、分岐変調部１０３に電界を加える。この進行波電極１０７に印加する駆動信号は、分岐変調部１０３，１０４における光位相差を半波長とする電圧がＶπのとき、０〜Ｖπの電圧変化で、データ信号に従った位相０，πの光位相変調を加え得る。

すなわち、図４の数式にも示しているように、片方の分岐変調部１０３の変調光に対してのみφ（０〜π）の位相変調を付与すれば、干渉光カプラ部１０５及び出力光カプラ部１０６を経ることによって位相シフトが発生し、出力光にはφ（０〜π）の位相変調が現れる。つまり、本実施形態の光導波路１０１によると、一つの進行波電極１０７に印加する駆動信号の電圧を０〜Ｖπで変化させれば、出力光カプラ部１０６から出力される出力光に位相０，πの位相変調が加えられる。図１１中の式に示すように、従来技術の光導波路では、一方の分岐変調部の変調光に＋φ、他方の分岐変調部の変調光に−φの位相変調をそれぞれ与えなければ、出力光にφの位相変調が現れない。したがって、駆動信号の電圧は、シングル駆動方式の場合で０〜２Ｖπ、デュアル駆動方式の場合で０〜Ｖπ及び０〜−Ｖπを必要としていた。これに比較すると、本実施形態の光導波路１０１によれば、駆動信号の電圧はシングル駆動方式で０〜Ｖπと、従来の半分のレベルで済むことが分かる。

なお、図示の光導波路１０１において、出力光を取り出す出力光カプラ部１０６の出力ポートは、正相又は逆相のどちらの出力光を得るかによって選択する。また、分岐変調部が入力部から２本に分岐する光導波路の例を示しているが、３本以上に分岐する場合でも光カプラ部を適用することができる。あるいは、入力部から分岐した各分岐変調部がそれぞれさらに分岐しているような多値変調方式の場合にも、光カプラ部を応用することができる。

図５に、シングル駆動方式の進行波電極を備えたマッハツェンダ型光変調器の他の実施形態を示している。図５（Ａ）はＸ−ｃｕｔのＬＮ基板、図５（Ｂ）はＺ−ｃｕｔのＬＮ基板を用いた実施形態である。

図５（Ａ）の実施形態において、ＬＮ基板２００内に形成された光導波路２０１は、入力部として２入力×２出力の入力光カプラ部２０２が設けられ、その入力ポートが基板２００の一方の端面に臨んでいる。該入力光カプラ部２０２の出力ポートからは、それぞれ分岐変調部２０３，２０４が伸延している。分岐変調部２０３，２０４には、２入力×２出力の干渉光カプラ部２０５の二つの入力ポートがつながる。そして、この干渉光カプラ部２０５の二つの出力ポートは、２入力×１出力とした出力光カプラ部２０６の入力ポートとつながっている。出力光カプラ部２０６の一つの出力ポートは、基板２００の他方の端面に臨んでいる。

この光導波路２０１においては、入力光カプラ部２０２の入力ポートのいずれか一方に光を入力すると、出力光カプラ部２０６の出力ポートから位相変調した出力光が得られる。進行波電極２０７は、分岐変調部２０３，２０４の中間位置に伸延するようにして基板表面上に形成されており、その両脇に所定の間隔をあけて沿うように２本の接地電極２０８，２０９が延設されている。これら進行波電極２０７及び各接地電極２０８，２０９の間で生じる電界により、各分岐変調部２０３，２０４の屈折率がそれぞれ変化することになる。

図５（Ｂ）の実施形態において、ＬＮ基板３００内に形成された光導波路３０１は、図５（Ａ）の光導波路２０１と同構造であり、入力部として２入力×２出力の入力光カプラ部３０２が設けられて、その入力ポートが基板３００の一方の端面に臨んでいる。該入力光カプラ部３０２の出力ポートからそれぞれ分岐変調部３０３，３０４が伸延し、これら分岐変調部３０３，３０４に、２入力×２出力の干渉光カプラ部３０５の二つの入力ポートがつながっている。そして、この干渉光カプラ部３０５の二つの出力ポートが、２入力×１出力とした出力光カプラ部３０６の入力ポートとつながり、該出力光カプラ部３０６の一つの出力ポートが基板３００の他方の端面に臨んでいる。

この光導波路３０１の場合も、入力光カプラ部３０２の入力ポートのいずれか一方に光を入力すると、出力光カプラ部３０６の出力ポートから位相変調した出力光が得られる。このような光導波路３０１を有する基板３００内には、その分岐変調部３０３，３０４を形成してある部位の一部に、分極反転領域３０７が形成されている。一つの進行波電極３０８は、分極反転領域３０７の外では一方の分岐変調部３０３上に重なり、分極反転領域３０７の内では他方の分岐変調部３０４の上に重なるようにして、基板３００上に延設されている。すなわち、進行波電極３０８は、分極反転領域３０７の内と外とで別の分岐変調部３０３，３０４の屈折率を変化させるように階段状に伸延している。

これら図５に示す実施形態の場合の位相シフトの説明図を図６に、その数式を図７に示す。入力光カプラ部２０２，３０２の性質により、一方の分岐変調部２０３，３０３を伝搬する光と他方の分岐変調部２０４，３０４を伝搬する光とには、図１で説明した±π／４の位相シフトが最初に生じる。当該光に対して分岐変調部２０３，３０３と分岐変調部２０４，３０４とでそれぞれ位相変調φ（０〜π／２，０〜−π／２）を付与する変調光が、干渉光カプラ部２０５，３０５に入力されると、該光カプラの性質により、図１で説明した±π／４の位相シフトが各干渉光に生じる。これら干渉光が出力光カプラ部２０６，３０６で結合される結果、出力光には位相０，πの位相変調が現れる。つまり、分岐変調部２０３，３０３，２０４，３０４における光位相差を半波長とする電圧がＶπのとき、進行波電極２０７，３０８に印加する駆動信号を０〜Ｖπで電圧変化させると、データ信号に従った位相０，πの光位相変調を加えることができる。

図８には、デュアル駆動方式の実施形態を示す。図示の実施形態は、Ｚ−ｃｕｔのＬＮ基板４００内に、図５の実施形態同様の光導波路４０１を形成したものである。すなわち、光導波路４０１は、２入力×２出力の入力光カプラ部４０２と、その出力ポートから伸延する分岐変調部４０３，４０４と、該分岐変調部４０３，４０４に入力ポートがつながっている２入力×２出力の干渉光カプラ部４０５と、該干渉光カプラ部４０５の出力ポートに入力ポートがつながっている２入力×１出力の出力光カプラ部４０６と、を備えている。そして、その分岐変調部４０３，４０４毎に、本実施形態の場合は計２本の進行波電極４０７，４０８が、各分岐変調部４０３，４０４の屈折率を変化させるように、それぞれ分岐変調部４０３，４０４の上に重なるようにして基板上に延設されている。

このデュアル駆動方式の場合、前述のように、両進行波電極４０７，４０８に対し相補信号を印加する必要がある。しかし、図４の数式を参考にするとわかるように、分岐変調部４０３，４０４における光位相差を半波長とする電圧がＶπのとき、駆動信号の電圧は、０〜Ｖπ／２と０〜−Ｖπ／２で変化させれば、出力光に位相０，πの光位相変調を与えることができる。つまり、相補関係の駆動信号を両進行波電極に印加する必要があるが、その電圧は１／２で済むので、従来よりも高周波に対応しやすい。

図９に、干渉光カプラ部を経た干渉光を一部取り出してモニタし、該モニタ結果に従ってドライバ（図１０参照）にフィードバックをかけることで、駆動信号を制御できるようにした実施形態を示す。

ＬＮ基板５００には、図３の実施形態と同様の光導波路５０１が形成されている。すなわち、図示の光導波路５０１は、光を入力するため基板端面に臨んだ入力部５０２と、該入力部５０２から２本に分岐して平行に伸延する分岐変調部５０３，５０４と、これら分岐変調部５０３，５０４に入力ポートがそれぞれつながった２入力×２出力の干渉光カプラ部５０５と、該干渉光カプラ部５０５の出力ポートに入力ポートがそれぞれつながった２入力×２出力の出力光カプラ部５０６と、を備えている。出力光カプラ部５０６の出力ポートが基板５００の端面に臨んでいる。ただし、光導波路の形態はこれに限らず、図５の実施形態と同様の光導波路などにすることもできる。

基板５００上に形成される進行波電極５０７は、一方の分岐変調部５０３の上に重なるように形成されたシングル駆動方式である。この進行波電極５０７には、上記で説明したとおりの駆動信号（０〜Ｖπ）が印加され、これにより出力光には位相０，πの位相変調が付与される。

本実施形態の場合、干渉光カプラ部５０５の出力ポートから、それぞれ基板５００内に形成したモニタ導波路５１０，５１１を通して、干渉光の一部がフォトダイオード５１２，５１３へ取り出されている。このフォトダイオード５１２，５１３も基板５００に作り込まれたものである。フォトダイオード５１２，５１３で光電変換されて出力される電気モニタ信号が電気回路のモニタ５１４へ提供され、該モニタ信号により得られるモニタ結果に従ってモニタ５１４がドライバ５１５へフィードバックをかける。これによりドライバ５１５から出力される駆動信号の周期や電圧等が制御される。

干渉光カプラ部５０５を経た後の干渉光は強度変調情報を有しているので、これを制御用モニタ光として利用することにより、光位相変調器の制御を行いやすいという利点がある。

以上の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。

（付記１） 電気光学結晶基板内に形成された光導波路であって、入力部と、該入力部から分岐して伸延する複数の分岐変調部と、複数の入力ポート及び複数の出力ポートを有し、その入力ポートが前記分岐変調部につながっている干渉光カプラ部と、該干渉光カプラ部の出力ポートにつながった複数の入力ポートを有すると共に複数の出力ポートを有する出力光カプラ部と、を備えた光導波路
を含んで構成されるマッハツェンダ型光変調器。

（付記２） 電気光学結晶基板内に形成された光導波路であって、複数の入力ポート及び複数の出力ポートを有する入力光カプラ部と、該入力光カプラ部の出力ポートから伸延した複数の分岐変調部と、複数の入力ポート及び複数の出力ポートを有し、その入力ポートが前記分岐変調部につながっている干渉光カプラ部と、該干渉光カプラ部の出力ポートにつながった複数の入力ポートを有すると共に一つの出力ポートを有する出力光カプラ部と、を備えた光導波路
を含んで構成されるマッハツェンダ型光変調器。

（付記３） 付記１又は付記２記載のマッハツェンダ型光変調器であって、
前記干渉光カプラ部の出力ポートから出力される光の一部を取り出してモニタするモニタ部をさらに含んで構成されるマッハツェンダ型光変調器。

（付記４） 付記３記載のマッハツェンダ型光変調器であって、
前記モニタ部が、前記基板に形成されたフォトダイオードを備えるマッハツェンダ型光変調器。

（付記５） 付記１又は付記２記載のマッハツェンダ型光変調器であって、
駆動信号を印加することにより少なくとも一つの前記分岐変調部の屈折率を変化させる、少なくとも一つの進行波電極をさらに含んで構成されるマッハツェンダ型光変調器。

（付記６） 付記５記載のマッハツェンダ型光変調器であって、
前記分岐変調部が形成されている部位の前記基板内に分極反転領域が部分的に形成されており、
前記進行波電極は、当該分極反転領域の内と外とで別の前記分岐変調部の屈折率を変化させるように形成されているマッハツェンダ型光変調器。

（付記７） 付記１又は付記２記載のマッハツェンダ型光変調器であって、
駆動信号をそれぞれ印加することにより前記各分岐変調部の屈折率を変化させる、前記分岐変調部毎の進行波電極をさらに含んで構成されるマッハツェンダ型光変調器。

（付記８） 付記５〜７のいずれかに記載のマッハツェンダ型光変調器であって、
前記干渉光カプラ部の出力ポートから出力される光の一部を取り出してモニタするモニタ部をさらに含み、
該モニタ部のモニタ結果に従って前記駆動信号が制御されるマッハツェンダ型光変調器。

（付記９） 付記８記載のマッハツェンダ型光変調器であって、
前記モニタ部が、前記基板に形成されたフォトダイオードを備えるマッハツェンダ型光変調器。

２×２光カプラにおける入力ポートと出力ポートの光位相関係を説明した図。 ２×１光カプラにおける入力ポートと出力ポートの光位相関係を説明した図。 第１実施形態に係るマッハツェンダ型光変調器を示した平面図及び位相変化説明図。 第１実施形態に係るマッハツェンダ型光変調器における光の位相変化を説明する数式。 （Ａ）は第２実施形態に係るマッハツェンダ型光変調器を示した平面図、（Ｂ）は第３実施形態に係るマッハツェンダ型光変調器を示した平面図。 第２及び第３実施形態に係るマッハツェンダ型光変調器における光の位相変化説明図。 第２及び第３実施形態に係るマッハツェンダ型光変調器における光の位相変化を説明する数式。 第４実施形態に係るマッハツェンダ型光変調器を示した平面図。 第５実施形態に係るマッハツェンダ型光変調器を示した平面図。 従来技術に係る光送信器を示したブロック図。 従来技術に係るマッハツェンダ型光変調器を示した平面図及び位相変化説明図。 従来技術に係る他のマッハツェンダ型光変調器を示した平面図。

符号の説明

１００，２００，３００，４００，５００ 電気光学結晶基板
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１ 光導波路
１０２，５０２ 入力部
２０２，３０２，４０２ 入力光カプラ部
１０３，２０３，３０３，４０３，５０３ 分岐変調部
１０４，２０４，３０４，４０４，５０４ 分岐変調部
１０５，２０５，３０５，４０５，５０５ 干渉光カプラ部
１０６，２０６，３０６，４０６，５０６ 出力光カプラ部
１０７，２０７，３０８，４０７，４０８，５０７ 進行波電極

Claims (8)

1. 電気光学結晶基板内に形成された光導波路であって、
   入力部と、
   該入力部から分岐して伸延する複数の分岐変調部と、
   複数の入力ポート及び複数の出力ポートを有し、その入力ポートが前記分岐変調部につながっており、当該入力ポートに入力される入力光に対し、当該出力ポートから出力される出力光にπ／４の位相シフトが生じる干渉光カプラ部と、
   該干渉光カプラ部の出力ポートにつながった複数の入力ポートを有すると共に複数の出力ポートを有し、当該入力ポートに入力される入力光に対し、当該出力ポートから出力される出力光にπ／４の位相シフトが生じる出力光カプラ部と、
   を備えた光導波路
   を含むマッハツェンダ型光変調器。
2. 電気光学結晶基板内に形成された光導波路であって、
   複数の入力ポート及び複数の出力ポートを有し、当該入力ポートに入力される入力光に対し、当該出力ポートから出力される出力光にπ／４の位相シフトが生じる入力光カプラ部と、
   該入力光カプラ部の出力ポートから伸延した複数の分岐変調部と、
   複数の入力ポート及び複数の出力ポートを有し、その入力ポートが前記分岐変調部につながっており、当該入力ポートに入力される入力光に対し、当該出力ポートから出力される出力光にπ／４の位相シフトが生じる干渉光カプラ部と、
   該干渉光カプラ部の出力ポートにつながった複数の入力ポートを有すると共に一つの出力ポートを有する出力光カプラ部と、
   を備えた光導波路
   を含むマッハツェンダ型光変調器。
3. 請求項１又は請求項２記載のマッハツェンダ型光変調器であって、
   前記分岐変調部のうちの一つの屈折率を変化させるべく進行波電極が形成されているマッハツェンダ型光変調器。
4. 請求項１又は請求項２記載のマッハツェンダ型光変調器であって、
   前記干渉光カプラ部の出力ポートから出力される光の一部を取り出してモニタするモニタ部をさらに含むマッハツェンダ型光変調器。
5. 請求項１又は請求項２記載のマッハツェンダ型光変調器であって、
   駆動信号を印加することにより少なくとも一つの前記分岐変調部の屈折率を変化させる、少なくとも一つの進行波電極を含むマッハツェンダ型光変調器。
6. 請求項５記載のマッハツェンダ型光変調器であって、
   前記分岐変調部が形成されている部位の前記基板内に分極反転領域が部分的に形成されており、
   前記進行波電極は、当該分極反転領域の内と外とで別の前記分岐変調部の屈折率を変化させるように形成されているマッハツェンダ型光変調器。
7. 請求項１又は請求項２記載のマッハツェンダ型光変調器であって、
   駆動信号をそれぞれ印加することにより前記各分岐変調部の屈折率を変化させる、前記分岐変調部毎の進行波電極を含むマッハツェンダ型光変調器。
8. 請求項５〜７のいずれか１項記載のマッハツェンダ型光変調器であって、
   前記干渉光カプラ部の出力ポートから出力される光の一部を取り出してモニタするモニタ部をさらに含み、
   該モニタ部のモニタ結果に従って前記駆動信号が制御されるマッハツェンダ型光変調器。

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