JP5234835B2 - Ｉｃカード、移動端末、及びｉｃカードの加工検出方法 - Google Patents

Description

本発明は、移動端末に装着可能なＩＣカード、及びそれを装着した移動端末、並びに移動端末に装着可能なＩＣカードの加工検出方法に関する。

近年、携帯電話端末にはＳＩＭ（Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ Ｉｄｅｎｔｉｔｙ Ｍｏｄｕｌｅ）やＵＩＭ、ＵＳＩＭ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ ＳＩＭ）カード等と呼ばれる小型のＩＣカードが組み込まれている。例えばＳＩＭカードには、利用者の電話番号や契約している携帯電話会社（通信事業者）の情報等が記憶されており、ＳＩＭカードを携帯電話端末に装着することで、その携帯電話端末をＳＩＭカードに記録されている電話番号で利用できる。

又、携帯電話端末の購入において、利用者が望む場合には、携帯電話端末の価格を割賦し、月額契約料に上乗せして販売する場合がある。この場合、携帯電話端末の初期購入費は安価なものとなるが、不正な手段により海外へ転売される等のリスクがある。そこで、このようなリスクを減らすために、ＳＩＭロックという技術が導入されている。ＳＩＭロックは、例えば携帯電話端末とＳＩＭカードのそれぞれに通信事業者コードを記憶しておき、両者が一致する場合のみに、その通信事業者の携帯電話端末を使用できるようにするものである。

ところが、所謂ＳＩＭ下駄（別名：Ｈｙｐｅｒ ＳＩＭ、ＳＩＭアダプタ等）という、不正なＳＩＭロック解除を可能とする製品がインターネット等で販売されている。ＳＩＭ下駄は、携帯電話端末本体は加工せず、ＳＩＭカードを加工することにより、不正なＳＩＭロック解除を可能とする製品である。ＳＩＭ下駄は、例えばＳＩＭカード外周部を切り取り、別の回路基板を嵌め込むだけでＳＩＭロックが解除される仕組みとなっている。ＳＩＭカードの標準規格（ＥＴＳＩ１０２．２２０やＩＳＯ７８１６等）では、ＳＩＭカードの形状や金属からなる端子部についての寸法等は規定されているが、ＳＩＭカード外周部（端子部の外側の領域）については明確な規定がない。そのため、ＳＩＭカード外周部を切り取られてもＳＩＭカード側で検出することは難しい。

このように、ＳＩＭ下駄を使用することにより、不正なＳＩＭロック解除を容易に実現できる。ＳＩＭロックが解除されると、携帯電話端末からＳＩＭカードに格納された以外の情報を送出し、不正なネットワークアクセスやハッキング等が可能となる。

例えば、特許文献１に、不正なＳＩＭロック解除を防止する技術が開示されている。この技術は、携帯電話端末と、通信事業者の通信事業者網と、通信事業者網に接続された通信制御装置等から構成されるシステムに関するものである。具体的には、利用者が携帯電話端末に対してＳＩＭロック解除コードを入力すると、携帯電話端末の制御部は、入力されたＳＩＭロック解除コード及びＳＩＭロック解除に必要な情報を基に演算を実行する。そして、演算結果が特定の条件を満たすと判定された場合、携帯電話端末は、通信制御装置にＳＩＭロック解除要求メッセージを送信する。そして、通信制御装置は、携帯電話端末から送信されたＳＩＭロック解除要求メッセージに含まれる携帯電話端末の端末識別番号（ＩＭＥＩ）を基に、ＳＩＭロック解除の可否を判定し、この判定の結果を基に、ＳＩＭロック解除判定応答メッセージを携帯電話端末に送信するものである。

特開２００６−２６１９１８号公報

しかしながら、特許文献１に開示されている技術では、ＳＩＭ下駄等のＩＣカードが加工されたことは検出できない。そのため、ＳＩＭ下駄等の携帯電話端末本体は加工せずＩＣカードを加工する製品によるＩＣカードの不正なロック解除は防止できない。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、ＩＣカードが加工されたことを検出することを課題とする。

本発明の一形態は、移動端末に装着可能なＩＣカードであって、半導体素子と、前記半導体素子に接続された前記移動端末に接続可能な端子部と、前記端子部の周囲に配置された加工検出部と、を有し、前記加工検出部は、一端が前記半導体素子と接続され他端が開放されて、前記端子部の周囲を環状に埋めるように設けられ、前記半導体素子は、前記加工検出部にパルス電圧を印加するパルス電圧印加手段と、前記加工検出部からの前記パルス電圧の反射時間を測定し、測定した前記反射時間が予め設定された閾値より短い場合に前記加工検出部の一部が除去されたと判定し、前記端子部の周囲が加工されたことを検出する加工検出手段と、を有し、前記半導体素子は、前記加工検出部の一部が除去された場合に、前記端子部の周囲が加工されたことを検出するＩＣカードである。
又、移動端末に装着可能なＩＣカードであって、半導体素子と、前記半導体素子に接続された前記移動端末に接続可能な端子部と、前記端子部の周囲に配置された加工検出部と、を有し、前記加工検出部は、前記半導体素子と前記端子部とを接続する接続部の一部であり、前記半導体素子は、前記接続部と接続される前記半導体素子の端子の電位が異常値である場合に前記加工検出部の一部が除去されたと判定し、前記端子部の周囲が加工されたことを検出するＩＣカードである。

本発明の他の形態は、半導体素子と、前記半導体素子に接続された移動端末に接続可能な端子部と、を有する移動端末に装着可能なＩＣカードの加工検出方法であって、前記端子部の周囲に加工検出部を配置する第１ステップと、前記加工検出部の一部が除去されたか否かを判定する第２ステップと、前記第２ステップの判定結果に基づいて、前記端子部の周囲が加工されたことを検出する第３ステップと、を有し、前記第１ステップでは、一端が前記半導体素子と接続され他端が開放された前記加工検出部を、前記端子部の周囲を環状に埋めるように設け、前記第２ステップでは、前記加工検出部にパルス電圧を印加し、前記加工検出部からの前記パルス電圧の反射時間を測定し、測定した前記反射時間が予め設定された閾値より短い場合に前記加工検出部の一部が除去されたと判定するＩＣカードの加工検出方法である。
又、半導体素子と、前記半導体素子に接続された移動端末に接続可能な端子部と、を有する移動端末に装着可能なＩＣカードの加工検出方法であって、前記端子部の周囲に前記半導体素子と前記端子部とを接続する接続部の一部である加工検出部を配置する第１ステップと、前記加工検出部の一部が除去されたか否かを判定する第２ステップと、前記第２ステップの判定結果に基づいて、前記端子部の周囲が加工されたことを検出する第３ステップと、を有し、前記第２ステップでは、前記接続部と接続される前記半導体素子の端子の電位が異常値である場合に前記加工検出部の一部が除去されたと判定するＩＣカードの加工検出方法である。

開示の技術によれば、ＩＣカードが加工されたことを検出できる。

本実施の形態に係る携帯電話端末及びこの携帯電話端末に装着可能なＳＩＭカードを例示する模式図である。 本実施の形態に係るＳＩＭカードの内部回路を例示するブロック図である。 本実施の形態に係るＳＩＭカードを例示する平面図である。 本実施の形態に係るＳＩＭカードを例示する底面図である。 本実施の形態に係るＳＩＭカードを例示する底面透視図である。 不正ロック解除手段を例示する平面図である。 不正ロック解除手段を例示する底面図である。 従来のＳＩＭカードを例示する底面透視図である。 加工されたＳＩＭカードを例示する平面図である。 加工されたＳＩＭカードと不正ロック解除手段とを重ね合わせた状態を例示する平面図である。 本実施の形態の変形例１に係るＳＩＭカードの内部回路を例示するブロック図である。 本実施の形態の変形例１に係るＳＩＭカードを例示する底面透視図である。 本実施の形態の変形例１に係るＳＩＭカードをロックするためのフローチャートの一例である。 本実施の形態の変形例２に係るＳＩＭカードを例示する底面透視図である。 本実施の形態の変形例３に係るＳＩＭカードを例示する底面透視図である。 本実施の形態の変形例４に係るＳＩＭカードの内部回路を例示するブロック図である。 本実施の形態の変形例４に係るＳＩＭカードを例示する底面透視図である。 本実施の形態の変形例５に係るＳＩＭカードを例示する底面透視図である。

以下、図面を参照して、実施の形態を説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

なお、本実施の形態では、移動端末の一例として携帯電話端末を用いて説明するが、移動端末はこれに限定されず、通信事業者が提供する移動体通信網にアクセス可能な加入者側端末であれば良い。移動端末の他の例としては、ＩＣカードインターフェースを有するＰＨＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｈａｎｄｙｐｈｏｎｅ）、ＩＣカードインターフェースを有する携帯型情報端末（ＰＤＡ）等を挙げることができる。

又、本実施の形態では、ＩＣカードの一例としてＳＩＭカードを用いて説明するが、ＩＣカードはこれに限定されない。ＩＣカードの他の例としては、ＵＩＭカード、ＵＳＩＭカード等を挙げることができる。キャッシュカード、クレジットカード、交通乗車券、行政機関の発行する証明書、その他身分を証明する文書等にＩＣチップを埋め込んだＩＣカードであっても構わない。

図１は、本実施の形態に係る携帯電話端末及びこの携帯電話端末に装着可能なＳＩＭカードを例示する模式図である。図１を参照するに、携帯電話端末１は、自機が在圏する無線エリアをカバーする基地局（図示せず）と無線通信を行い、通話サービスあるいはパケット通信サービス等の移動通信サービスを受ける移端端末である。ＳＩＭカード１０は、携帯電話端末１に装着可能なＩＣカードであり、携帯電話端末１のユーザに関する加入者情報等が格納されている。

携帯電話端末１は、例えばＣＰＵ２と、ＲＯＭやＲＡＭ等のメモリ３と、外部と通信するための通信インターフェース４と、ＳＩＭカード１０と通信するためのＩＣインターフェース５とを有し、他の機器と通信可能に構成されている。ここで、他の機器とは、無線ネットワーク上の他の移動端末、有線ネットワーク上の他の移動端末等である。携帯電話端末１は、ＳＩＭカード１０を装着可能に構成されている。携帯電話端末１にＳＩＭカード１０が装着されると、ＩＣインターフェース５とＳＩＭカード１０との間でデータの通信が可能な状態となる。

図２は、本実施の形態に係るＳＩＭカードの内部回路を例示するブロック図である。図２を参照するに、ＳＩＭカード１０は、半導体素子１１と、端子部１２と、接続部１３とを有する。半導体素子１１と、端子部１２と、接続部１３とは、例えば、図示しない基板上に設けられている。ＳＩＭカード１０は、携帯電話端末１に装着可能に構成されている。以下、ＳＩＭカード１０の各構成要素について詳説する。

半導体素子１１は、図示しないＣＰＵ、ＲＯＭやＲＡＭ等のメモリ、ＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリ、携帯電話端末１と通信するためのインターフェース等を含む制御部１１ａと、論理回路部１１ｂとを有する。制御部１１ａのメモリには、携帯電話端末１の加入者を識別するための情報やＳＩＭカード１０のロック解除に必要な情報等が格納されている。又、制御部１１ａのメモリにはプログラムが記録されており、プログラムがＣＰＵにより実行されることで、制御部１１ａの各種機能が実現される。半導体素子１１は、単一の半導体素子でも良いし、複数の半導体素子から構成されていても良い。

端子部１２は、端子１２ａ（Ｖｐｐ）と、端子１２ｂ（ＧＮＤ）と、端子１２ｃ（Ｖｃｃ）と、端子１２ｄ（ＣＬＫ）と、端子１２ｅ（Ｉ／Ｏ）と、端子１２ｆ（ＲＳＴ）とを有する。端子１２ａ（Ｖｐｐ）は、携帯電話端末１から半導体素子１１に端子１２ｂ（ＧＮＤ）に対する所定の電圧を供給する電源端子である。端子１２ｂ（ＧＮＤ）は、回路動作時の基準電位となる端子である。端子１２ｃ（Ｖｃｃ）は、携帯電話端末１から半導体素子１１に端子１２ｂ（ＧＮＤ）に対する所定の電圧を供給する電源端子である。なお、端子１２ａ（Ｖｐｐ）及び端子１２ｃ（Ｖｃｃ）の何れか一方のみに所定の電圧を供給すれば良い。

端子１２ｄ（ＣＬＫ）は、携帯電話端末１から半導体素子１１にクロック信号を供給する端子である。端子１２ｄ（ＣＬＫ）は、抵抗Ｒ_ＣＬＫを介して端子１２ｃ（Ｖｃｃ）と接続され、コンデンサＣ_ＣＬＫを介して端子１２ｂ（ＧＮＤ）と接続されている。端子１２ｅ（Ｉ／Ｏ）は、携帯電話端末１と半導体素子１１との間で信号を入出力する端子である。端子１２ｅ（Ｉ／Ｏ）は、抵抗Ｒ_Ｉ／Ｏを介して端子１２ｃ（Ｖｃｃ）と接続され、コンデンサＣ_Ｉ／Ｏを介して端子１２ｂ（ＧＮＤ）と接続されている。端子１２ｆ（ＲＳＴ）は、携帯電話端末１から半導体素子１１にリセット信号を供給する端子である。端子１２ｆ（ＲＳＴ）は、抵抗Ｒ_ＲＳＴを介して端子１２ｃ（Ｖｃｃ）と接続され、コンデンサＣ_ＲＳＴを介して端子１２ｂ（ＧＮＤ）と接続されている。

接続部１３は、接続部１３ａ（Ｖｐｐ）と、接続部１３ｂ（ＧＮＤ）と、接続部１３ｃ（Ｖｃｃ）と、接続部１３ｄ（ＣＬＫ）と、接続部１３ｅ（Ｉ／Ｏ）と、接続部１３ｆ（ＲＳＴ）とを有する。接続部１３ａ〜１３ｆは、それぞれ端子１２ａ〜１２ｆと半導体素子１１の対応する端子（図示せず）とを接続している。接続部１３は、例えば、図示しない基板上に設けられたＣｕ等の導体を含む配線パターンである。但し、接続部１３は、例えば光ファイバ（プラスティックファイバ）等の光信号を用いる光導波路を含んでいても構わない。接続部１３ｆは、本発明に係る加工検出部の代表的な一例である。

ＳＩＭカード１０が携帯電話端末１に装着され、携帯電話端末１から端子１２ｆ（ＲＳＴ）を介して半導体素子１１にリセット信号が供給されると、半導体素子１１は初期化（リセット）される。そして、初期化後、携帯電話端末１から端子１２ｄ（ＣＬＫ）を介して半導体素子１１にクロック信号が供給され、携帯電話端末１と半導体素子１１との間で入出力信号を送受信することにより、携帯電話端末１とＳＩＭカード１０は通信できる。なお、図２の回路例では、端子１２ｆ（ＲＳＴ）の電位が所定の閾値電位以下になった場合に、半導体素子１１は初期化（リセット）される。

図３は、本実施の形態に係るＳＩＭカードを例示する平面図である。図４は、本実施の形態に係るＳＩＭカードを例示する底面図である。図３及び図４を参照するに、ＳＩＭカード１０において、半導体素子１１や接続部１３等は、絶縁樹脂等からなる封止部１４により封止されており、少なくとも端子部１２は封止部１４から露出している。端子部１２が封止部１４から露出しているので、ＳＩＭカード１０が携帯電話端末１に装着されると、端子部１２と携帯電話端末１の対応する端子部とが電気的に接続される。

図５は、本実施の形態に係るＳＩＭカードを例示する底面透視図である。図５を参照するに、半導体素子１１と端子１２ｆ（ＲＳＴ）とを接続する接続部１３ｆ（図２参照）を、端子１２ｆ（ＲＳＴ）から引き回し、端子部１２の周囲に張り巡らせている。前述のように、接続部１３ｆは例えば配線パターンであり、又、光導波路を含んでいても構わない。接続部１３ｆは、封止部１４により封止されていることが好ましい。なお、図５において半導体素子１１は図示していないが、接続部１３ｆの一端の破線部が半導体素子１１に接続されている。

このように、接続部１３ｆを引き回し、端子部１２の周囲に張り巡らせることにより、接続部１３ｆの少なくとも一部が除去された場合に、端子部１２の周囲が加工されたことを検出可能となり、ＳＩＭカード１０の不正なロック解除を防止できる。

ここで、図６〜図１０を参照しながら周知の不正ロック解除手段について説明し、その後、ＳＩＭカード１０が不正なロック解除を防止できる理由について詳説する。

図６は、不正ロック解除手段を例示する平面図である。図７は、不正ロック解除手段を例示する底面図である。なお、不正ロック解除手段は、例えば前述のＳＩＭ下駄等である。

図６を参照するに、不正ロック解除手段１００において、基板１４０の一方の面には、半導体素子１１０と、配線パターン１３０と、端子部２２０とが設けられている。基板１４０は、例えば極薄のプレキシブルプリント基板である。基板１４０の平面形状は、ＳＩＭカード１０と略同一か、又は、小さめに作製されている。半導体素子１１０は、ＳＩＭカード１０のロック（ＳＩＭロック）を不正に解除する機能を有する。

端子部２２０は、端子２２０ａ（Ｖｐｐ）と、端子２２０ｂ（ＧＮＤ）と、端子２２０ｃ（Ｖｃｃ）と、端子２２０ｄ（ＣＬＫ）と、端子２２０ｅ（Ｉ／Ｏ）と、端子２２０ｆ（ＲＳＴ）とを有する。配線パターン１３０は、配線パターン１３０ａ（Ｖｐｐ）と、配線パターン１３０ｂ（ＧＮＤ）と、配線パターン１３０ｃ（Ｖｃｃ）と、配線パターン１３０ｄ（ＣＬＫ）と、配線パターン１３０ｅ（Ｉ／Ｏ）と、配線パターン１３０ｆ（ＲＳＴ）とを有する。配線パターン１３０ａ〜１３０ｆは、それぞれ端子２２０ａ〜２２０ｆと半導体素子１１０の対応する端子（図示せず）とを接続している。

図７を参照するに、不正ロック解除手段１００において、基板１４０の他方の面には、端子部１２０が設けられている。端子部１２０は、端子１２０ａ（Ｖｐｐ）と、端子１２０ｂ（ＧＮＤ）と、端子１２０ｃ（Ｖｃｃ）と、端子１２０ｄ（ＣＬＫ）と、端子１２０ｅ（Ｉ／Ｏ）と、端子１２０ｆ（ＲＳＴ）とを有する。端子１２０ａ〜１２０ｆは、図示しないスルーホールを介して、それぞれ端子２２０ａ〜２２０ｆと接続されている。端子１２０ａ〜１２０ｆは、ＳＩＭカード１０の端子１２ａ〜１２ｆに対応する位置に設けられている。

ここで、従来のＳＩＭカードについて考える。図８は、従来のＳＩＭカードを例示する底面透視図である。図８を参照するに、従来のＳＩＭカード１０Ａは、接続部１３ｆを端子部１２の周囲に張り巡らせていない。つまり、従来のＳＩＭカード１０Ａにおいて、端子部１２の周囲には何も配置されていない。なお、ＳＩＭカード１０Ａは、接続部１３ｆを端子部１２の周囲に張り巡らせていない点以外はＳＩＭカード１０と同等である。

図９は、加工されたＳＩＭカードを例示する平面図である。図９を参照するに、ＳＩＭカード１０Ａは加工され、切り込み部１０ｘが設けられている。図１０は、加工されたＳＩＭカードと不正ロック解除手段とを重ね合わせた状態を例示する平面図である。図１０において、不正ロック解除手段１００の上には、半導体素子１１０が切り込み部１０ｘに対応する位置に来るように、ＳＩＭカード１０Ａが重ね合わされている。

基板１４０は極薄の基板であるから、不正ロック解除手段１００と重ねても、ＳＩＭカード１０Ａの総厚が極端に厚くなることはない。従って、ＳＩＭカード１０Ａと不正ロック解除手段１００とを重ねた状態で、携帯電話端末１に装着可能である。不正ロック解除手段１００の端子１２０ａ〜１２０ｆは、ＳＩＭカード１０Ａの端子１２ａ〜１２ｆに対応する位置に設けられているので、ＳＩＭカード１０Ａと不正ロック解除手段１００とを重ねた状態で携帯電話端末１と電気的に接続される。

ＳＩＭカード１０Ａと不正ロック解除手段１００とを重ねた状態で携帯電話端末１に装着すると、ＳＩＭカード１０Ａの半導体素子１１と携帯電話端末１のＩＣインターフェース５との間に、不正ロック解除手段１００の半導体素子１１０が挿入された状態となる。又、切り込み部１１ｘの部分には配線パターン等が配置されていないため、切り込み部１１ｘの存在はＳＩＭカード１０Ａの動作には影響を与えない。

従って、半導体素子１１０にＳＩＭカード１０Ａのロック（ＳＩＭロック）を不正に解除する機能を持たせることにより、半導体素子１１から携帯電話端末１に送受信される信号を不正に改ざんし、ＳＩＭカード１０Ａのロックを不正に解除できる。ＳＩＭカード１０Ａのロックが解除されると、携帯電話端末１からＳＩＭカード１０に格納された以外の情報を送出し、不正なネットワークアクセスやハッキング等が可能となる。

ここで、図９に示す切り込み部１０ｘを図５に示すＳＩＭカード１０に設けることを考える。前述のように、ＳＩＭカード１０では、半導体素子１１と端子１２ｆ（ＲＳＴ）とを接続する接続部１３ｆを、端子１２ｆ（ＲＳＴ）から引き回し、端子部１２の周囲に張り巡らせている。従って、ＳＩＭカード１０に切り込み部１０ｘを設けると、接続部１３ｆの一部が除去（切断）されるため、半導体素子１１と端子１２ｆ（ＲＳＴ）との導通がなくなる。その結果、端子１２ｆ（ＲＳＴ）と接続される半導体素子１１の端子の電位は異常値（ＧＮＤ電位（基準電位）又はそれに近い電位）になるため、半導体素子１１はリセットされたままの状態となり、半導体素子１１と携帯電話端末１との通信が不能となる。言い換えれば、半導体素子１１が、半導体素子１１の端子の電位が異常値であることにより、自動的に接続部１３ｆの一部が除去されたと判定し、端子部１２の周囲が加工されたことを検出したことになる。その結果、半導体素子１１の正常動作が不能となる。

すなわち、ＳＩＭカード１０に切り込み部１１ｘを設け、不正ロック解除手段１００と重ね合わせても、半導体素子１１は携帯電話端末１と通信ができない。従って、不正ロック解除手段１００を用いても、ＳＩＭカード１０のロックが解除されることはなく、携帯電話端末１からＳＩＭカード１０に格納された以外の情報を送出し、不正なネットワークアクセスやハッキング等を行うことができなくなる。

なお、接続部１３ｆとして配線パターンに代えて光ファイバ等の光導波路を端子部１２の周囲に張り巡らせた場合も、切り込み部１１ｘにより光導波路の一部が除去（切断）され光信号の送受信ができなくなるため、半導体素子１１と携帯電話端末１との通信が不能となる。その結果、接続部１３ｆとして配線パターンを用いた場合と同様の効果を奏する。

又、接続部１３ｆに代えて接続部１３ａ〜１３ｅを端子部１２の周囲に張り巡らせた場合も、切り込み部１１ｘにより接続部１３ａ〜１３ｅの何れかが除去（切断）されるため、半導体素子１１と携帯電話端末１との通信が不能となる。その結果、接続部１３ｆを端子部１２の周囲に張り巡らせた場合と同様の効果を奏する。もちろん、接続部１３ａ〜１３ｆのうちの幾つかを組み合わせて端子部１２の周囲に張り巡らせた場合も同様の効果を奏する。

なお、接続部１３ａ〜１３ｆが完全に除去（切断）されなくても、ある程度抵抗値が大きくなれば、半導体素子１１の端子には所定の電位を有する信号が供給されず、半導体素子１１の端子の電位が異常値となるため、半導体素子１１と携帯電話端末１との通信が不能となる。

又、本実施の形態における『加工』は、ＳＩＭカード１０の一部を除去することを意味する。従って、ＳＩＭカード１０の加工は切り込み部１１ｘを設けることには限定されず、例えば端子部１２の周囲に穴を空ける場合等も含む。端子部１２の周囲に穴を空ける場合等でも、接続部１３ｆ等が除去（切断）されるため、半導体素子１１と携帯電話端末１との通信が不能となる。

以上のように、本実施の形態に係るＳＩＭカードによれば、半導体素子と所定の端子とを接続する接続部を所定の端子から引き回し、端子部の周囲に張り巡らせる。これにより、接続部が除去（切断）された場合に、ＳＩＭカードの端子部周囲が加工されたことを検出できるため、半導体素子と携帯電話端末との通信を不能にできる。その結果、不正ロック解除手段を用いても、ＳＩＭカードのロックが解除されることはなく、不正なネットワークアクセスやハッキング等を防止可能となる。

〈本実施の形態の変形例１〉
上記では接続部が除去（切断）された場合に半導体素子の端子の電位が異常値になることにより、ＳＩＭカードが加工されたことを検出する例を示したが、本実施の形態の変形例１では、反射時間測定部からの反射時間に基づいてＳＩＭカードが加工されたことを検出する例を示す。

図１１は、本実施の形態の変形例１に係るＳＩＭカードの内部回路を例示するブロック図である。図１２は、本実施の形態の変形例１に係るＳＩＭカードを例示する底面透視図である。図１１及び図１２を参照するに、ＳＩＭカード２０は、加工検出手段２１ａ、ロック手段２１ｂ、パルス電圧印加手段２１ｃ、及び反射時間測定部２３が設けられた以外は、ＳＩＭカード１０（図１〜図５参照）と同様である。以下、ＳＩＭカード２０について、ＳＩＭカード１０と異なる部分を中心に説明する。

ＳＩＭカード２０において、端子１２ｆ（ＲＳＴ）には、端子１２ｆ（ＲＳＴ）と半導体素子１１とを接続する接続部１３ｆとは別に、反射時間測定部２３が設けられている。反射時間測定部２３は、例えば、図示しない基板上に設けられたＣｕ等の金属を含む配線パターンである。但し、反射時間測定部２３は、例えば光ファイバ（プラスティックファイバ）等の光信号を用いる光導波路を含んでいても構わない。一端が端子１２ｆ（ＲＳＴ）に接続された反射時間測定部２３は、端子１２ｆ（ＲＳＴ）から引き回され端子部１２の周囲に張り巡らされており、他端２３ｘは開放されている。反射時間測定部２３は、封止部１４により封止されていることが好ましい。反射時間測定部２３は、本発明に係る加工検出部の代表的な一例である。なお、本実施の形態の変形例１では、半導体素子１１と端子１２ｆ（ＲＳＴ）とを接続する接続部１３ｆは、端子部１２の周囲に張り巡らせていない。

論理回路部１１ｂ中に設けられたパルス電圧印加手段２１ｃは、反射時間測定部２３にパルス電圧を印加する機能を有する。制御部１１ａ中に設けられた加工検出手段２１ａは、反射時間測定部２３の他端２３ｘ（開放されている部分）からのパルス電圧の反射時間を測定する機能と、測定した反射時間が予め設定された閾値よりも短い場合に反射時間測定部２３の一部が除去されたと判定し、端子部１２の周囲が加工されたことを検出する機能を有する。制御部１１ａ中に設けられたロック手段２１ｂは、加工検出手段２１ａの判定結果に基づいて、ＳＩＭカード２０をロックする機能を有する。

パルス電圧印加手段２１ｃから反射時間測定部２３にパルス電圧を印加した場合の反射時間測定部２３の他端２３ｘからのパルス電圧の反射時間は、予め測定できる。そこで予め測定した反射時間に基づいて予め閾値を設定し記憶しておく。もし、ＳＩＭカード２０が加工されると、端子部１２の周囲に張り巡らせた反射時間測定部２３の少なくとも一部が除去される。その結果、測定される反射時間は予め設定された閾値よりも短くなる。

すなわち、パルス電圧印加手段２１ｃから反射時間測定部２３にパルス電圧を印加し、加工検出手段２１ａが反射時間測定部２３の他端２３ｘからのパルス電圧の反射時間を測定して反射時間が閾値よりも短いか否かを判定することにより、ＳＩＭカード２０が加工されたことを検出できる。更に、ＳＩＭカード２０が加工されたことが検出された場合に、ロック手段２１ｂがＳＩＭカード２０をロックすることにより、半導体素子１１の正常動作が不能となり、不正なネットワークアクセスやハッキング等を防止できる。

なお、反射時間測定部２３は、端子１２ｆ（ＲＳＴ）から引き回したが、端子１２ｄ（ＣＬＫ）や端子１２ｅ（Ｉ／Ｏ）から引き回しても構わないし、半導体素子１１に反射時間を測定するための専用の端子を設け、専用の端子から引き回しても構わない。

ここで、ＳＩＭカード２０をロックするためのフローについて更に詳しく説明する。図１３は、本実施の形態の変形例１に係るＳＩＭカードをロックするためのフローチャートの一例である。ここでは、一例として、ＳＩＭカード２０のロックの有無を示すフラグ（以降、ロックフラグとする）が予め用意され、制御部１１ａのメモリに記録されているプログラムにて書換可能な領域に当該ロックフラグを格納できるものとする。又、電源投入時の初期状態において、ロックフラグは立っていないものとする。

図１３を参照するに、始めにステップＳ１００において、ＳＩＭカード２０を携帯電話端末１に装着し、端子１２ｂ（ＧＮＤ）と端子１２ｃ（Ｖｃｃ）との間に所定の電源電圧を印加し電源を投入する。次いでステップＳ１０１において、パルス電圧印加手段２１ｃは、反射時間測定部２３にパルス電圧を印加する。次いでステップＳ１０２において、加工検出手段２１ａは、反射時間測定部２３の他端２３ｘからのパルス電圧の反射時間を測定する。

次いでステップＳ１０３において、加工検出手段２１ａは、ステップＳ１０２で測定した反射時間が予め記憶されている閾値よりも短いか否かを判定する。ステップＳ１０３で『反射時間が閾値よりも短い』と判定した場合（ＹＥＳの場合）には、反射時間測定部２３の一部が除去されたと判定し、端子部１２の周囲が加工されたことを検出する。そして、ロックフラグを立てた後、ステップＳ１０４に移行する。ステップＳ１０４において、ロック手段２１ｂは、ロックフラグが立っていることを確認し、ＳＩＭカード２０をロックする。

ステップＳ１０３で『反射時間が閾値よりも短い』と判定しなかった場合（ＮＯの場合）には、端子部１２の周囲が加工されたことを検出しないため、ロックフラグを立てずに、ステップＳ１０５に移行する。ステップＳ１０５において、ＳＩＭカード２０は正常に起動する。

なお、ステップＳ１０４においてロック手段２１ｂがＳＩＭカード２０をロックすることに代えて、ＳＩＭカード２０の起動シーケンスやネットワーク認証シーケンス等に使用するプログラムやパラメータの一部分を消去又は書き換えるようにしても構わない。プログラムやパラメータの一部分を消去又は書き換えることにより、プログラムにエラーやループが発生する。そのため、以降の動作が進まなくなり、半導体素子１１の正常動作が不能となる。その結果、不正なネットワークアクセスやハッキング等を防止できる。

以上のように、本実施の形態の変形例１に係るＳＩＭカードによれば、一端が半導体素子の所定の端子と接続された反射時間測定部を引き回し、端子部の周囲に張り巡らせ、他端を開放する。そして、反射時間測定部にパルス電圧を印加して反射時間測定部の他端からの反射時間を測定し、反射時間が閾値よりも短い場合には、反射時間測定部の一部が除去されたと判定し、端子部の周囲が加工されたことを検出する。そして、ＳＩＭカードのロック、プログラムやパラメータの一部分の消去又は書き換え等をする。その結果、不正ロック解除手段を用いても、ＳＩＭカードのロックが解除されることはなく、不正なネットワークアクセスやハッキング等を防止可能となる。

なお、反射時間測定部は、図２等に示す接続部のように半導体素子の一つの端子から引き回した配線を別の端子に接続する必要がないため、図２等に示す接続部に比べて端子部の周囲に張り巡らせることが容易である。

〈本実施の形態の変形例２〉
本実施の形態の変形例２では、反射時間測定部からの反射時間に基づいてＳＩＭカードが加工されたことを検出する他の例を示す。

図１４は、本実施の形態の変形例２に係るＳＩＭカードを例示する底面透視図である。図１４を参照するに、ＳＩＭカード３０は、反射時間測定部２３に代えて反射時間測定部３３が設けられた以外は、ＳＩＭカード２０（図１１及び図１２参照）と同様である。以下、ＳＩＭカード３０について、ＳＩＭカード２０と異なる部分を中心に説明する。

ＳＩＭカード３０において、反射時間測定部３３は、例えば、図示しない基板上に設けられたＣｕ等の金属箔であり、端子部１２の周囲を埋めるように設けられている（但し、反射時間測定部３３は、端子部１２とは絶縁されている）。反射時間測定部３３は、半導体素子１１に接続されている。反射時間測定部３３は、封止部１４により封止されていることが好ましい。反射時間測定部３３は、本発明に係る加工検出部の代表的な一例である。

パルス電圧印加手段２１ｃは反射時間測定部３３にパルス電圧を印加し、加工検出手段２１ａは反射時間測定部３３の外縁部からのパルス電圧の反射時間を測定する。もし、ＳＩＭカード３０が加工されると、端子部１２の周囲を埋めるように設けられた反射時間測定部３３の少なくとも一部が除去される。その結果、測定される反射時間は短くなる。そこで、加工検出手段２１ａが、測定した反射時間が閾値よりも短いか否かを判定することにより、ＳＩＭカード３０が加工されたことを検出できる。更に、ＳＩＭカード３０が加工されたことが検出された場合に、ロック手段２１ｂがＳＩＭカード３０をロックすることにより、半導体素子１１の正常動作が不能となり、不正なネットワークアクセスやハッキング等を防止できる。ＳＩＭカード３０をロックするまでのフローについては図１３に示したとおりであるため、ここでは説明を省略する。

以上のように、本実施の形態の変形例２に係るＳＩＭカードによれば、本実施の形態の変形例１に係るＳＩＭカードと同様の効果を奏する。

なお、図１４に示す反射時間測定部は、図５に示す接続部や図１２に示す反射時間測定部に比べて配置できる領域が広く、より確実にＳＩＭカードの加工を検出できる点で好適である。

〈本実施の形態の変形例３〉
本実施の形態の変形例３では、反射時間測定部からの反射時間に基づいてＳＩＭカードが加工されたことを検出する他の例を示す。

図１５は、本実施の形態の変形例３に係るＳＩＭカードを例示する底面透視図である。図１５を参照するに、ＳＩＭカード４０は、反射時間測定部３３に代えて反射時間測定部４３が設けられた以外は、ＳＩＭカード３０（図１４参照）と同様である。以下、ＳＩＭカード４０について、ＳＩＭカード３０と異なる部分を中心に説明する。

ＳＩＭカード４０において、反射時間測定部４３は、例えば、図示しない基板上に設けられたＣｕ等の金属からなる網であり、端子部１２の周囲を埋めるように設けられている（但し、反射時間測定部４３は、端子部１２とは絶縁されている）。反射時間測定部４３は、半導体素子１１に接続されている。反射時間測定部４３は、封止部１４により封止されていることが好ましい。反射時間測定部４３は、本発明に係る加工検出部の代表的な一例である。

このように、Ｃｕ等の金属からなる網である反射時間測定部４３を用いた場合にも、Ｃｕ等の金属箔である反射時間測定部３３を用いた場合と同様に反射時間を測定できるため、
端子部１２の周囲が加工されたことを検出可能である。その結果、半導体素子１１の正常動作を不能とし、不正なネットワークアクセスやハッキング等を防止できる。

以上のように、本実施の形態の変形例３に係るＳＩＭカードによれば、本実施の形態の変形例２に係るＳＩＭカードと同様の効果を奏する。

なお、図１５に示す反射時間測定部は、図５に示す接続部や図１２に示す反射時間測定部に比べて配置できる領域が広く、より確実にＳＩＭカードの加工を検出できる点で好適である。

〈本実施の形態の変形例４〉
本実施の形態の変形例４では、静電容量測定部の静電容量に基づいてＳＩＭカードが加工されたことを検出する例を示す。

図１６は、本実施の形態の変形例４に係るＳＩＭカードの内部回路を例示するブロック図である。図１７は、本実施の形態の変形例４に係るＳＩＭカードを例示する底面透視図である。図１６及び図１７を参照するに、ＳＩＭカード５０は、加工検出手段２１ａ、ロック手段２１ｂ、及びパルス電圧印加手段２１ｃに代えて、それぞれ加工検出手段５１ａ、ロック手段５１ｂ、及び電圧印加手段５１ｃが設けられ、反射時間測定部２３に代えて静電容量測定部５３が設けられた以外は、ＳＩＭカード２０（図１１及び図１２参照）と同様である。以下、ＳＩＭカード５０について、ＳＩＭカード２０と異なる部分を中心に説明する。

ＳＩＭカード５０において、静電容量測定部５３は、一対の電極５３ａ及び５３ｂを有する。電極５３ａ及び５３ｂは、例えば、図示しない基板上に設けられたＣｕ等の金属箔であり、端子部１２の周囲を埋めるように設けられている（但し、静電容量測定部５３は、端子部１２とは絶縁されている）。電極５３ａ及び５３ｂは、それぞれ半導体素子１１の別々の端子に接続されている。電極５３ａ及び５３ｂの何れか一方は、基準電位（ＧＮＤ）に接続しても良い。電極５３ａ及び５３ｂは、それぞれの一辺が対向するように配置されているため、電極５３ａ及び５３ｂ間には所定の静電容量が生じる。電極５３ａ及び５３ｂは、封止部１４により封止されていることが好ましい。静電容量測定部５３は、本発明に係る加工検出部の代表的な一例である。

論理回路部１１ｂ中に設けられた電圧印加手段５１ｃは、静電容量測定部５３にＤＣ電圧又はパルス電圧を印加して充電する機能を有する。制御部１１ａ中に設けられた加工検出手段５１ａは、静電容量を測定する機能と、測定した静電容量が予め設定された閾値より小さい場合に静電容量測定部５３の一部が除去されたと判定し、端子部１２の周囲が加工されたことを検出する機能を有する。ここでは、静電容量測定部５３の充電電圧が所定値になるまでの充電時間に基づいて静電容量を測定する例を示す。すなわち、制御部１１ａ中に設けられた加工検出手段５１ａは、静電容量測定部５３の充電電圧が所定の値になるまでの充電時間を測定する機能と、測定した充電時間が所定値よりも短い場合に静電容量測定部５３の一部が除去されたと判定し、端子部１２の周囲が加工されたことを検出する機能を有する。制御部１１ａ中に設けられたロック手段５１ｂは、加工検出手段５１ａの判定結果に基づいて、ＳＩＭカード５０をロックする機能を有する。

電圧印加手段５１ｃから静電容量測定部５３に電圧を印加した場合の静電容量測定部５３の充電時間は、予め測定できる。そこで予め測定した充電時間に基づいて予め閾値を設定し記憶しておく。もし、ＳＩＭカード５０が加工されると、端子部１２の周囲を埋めるように設けられた静電容量測定部５３の少なくとも一部が除去される。その結果、静電容量測定部５３の静電容量が小さくなり、測定される充電時間は予め設定された閾値よりも短くなる。

すなわち、電圧印加手段５１ｃから静電容量測定部５３に電圧を印加し、加工検出手段５１ａが静電容量測定部５３の充電時間を測定して充電時間が閾値よりも短いか否かを判定することにより、ＳＩＭカード５０が加工されたことを検出できる。更に、ＳＩＭカード５０が加工されたことが検出された場合に、ロック手段５１ｂがＳＩＭカード５０をロックすることにより、半導体素子１１の正常動作が不能となり、不正なネットワークアクセスやハッキング等を防止できる。

ＳＩＭカード５０をロックするまでのフローについては図１３に示したとおりであるため、ここでは説明を省略する。但し、図１２において、ステップＳ１０１の『パルス電圧印加』を『電圧印加』に、ステップＳ１０２の『反射時間測定』を『静電容量測定（充電時間測定）』に、ステップＳ１０３の『反射時間』を『静電容量（充電時間）』に読み替える必要がある。

以上のように、本実施の形態の変形例４に係るＳＩＭカードによれば、半導体素子の所定の端子と接続される一対の電極を有する静電容量測定部を、端子部の周囲を埋めるように設ける。そして、静電容量測定部に電圧を印加して静電容量測定部の静電容量（充電時間）を測定し、測定した静電容量（充電時間）が閾値よりも小さい場合（充電時間が短い場合）には、静電容量測定部の一部が除去されたと判定し、端子部の周囲が加工されたことを検出する。そして、ＳＩＭカードのロック、プログラムやパラメータの一部分の消去又は書き換え等をする。その結果、不正ロック解除手段を用いても、ＳＩＭカードのロックが解除されることはなく、不正なネットワークアクセスやハッキング等を防止可能となる。

なお、図１７に示す静電容量測定部は、図５に示す接続部や図１２に示す反射時間測定部に比べて配置できる領域が広く、より確実にＳＩＭカードの加工を検出できる点で好適である。

〈本実施の形態の変形例５〉
本実施の形態の変形例５では、静電容量測定部の静電容量に基づいてＳＩＭカードが加工されたことを検出する他の例を示す。

図１８は、本実施の形態の変形例５に係るＳＩＭカードを例示する底面透視図である。図１８を参照するに、ＳＩＭカード６０は、静電容量測定部５３に代えて静電容量測定部６３が設けられた以外は、ＳＩＭカード５０（図１７参照）と同様である。以下、ＳＩＭカード６０について、ＳＩＭカード５０と異なる部分を中心に説明する。

ＳＩＭカード６０において、静電容量測定部６３は、一対の電極６３ａ及び６３ｂを有する。電極６３ａ及び６３ｂは、例えば、図示しない基板上に設けられたＣｕ等の金属からなる網であり、端子部１２の周囲を埋めるように設けられている（但し、静電容量測定部６３は、端子部１２とは絶縁されている）。電極６３ａ及び６３ｂは、それぞれ半導体素子１１の別々の端子に接続されている。電極６３ａ及び６３ｂの何れか一方は、基準電位（ＧＮＤ）に接続しても良い。電極６３ａ及び６３ｂは、それぞれの一辺が対向するように配置されているため、電極６３ａ及び６３ｂ間には所定の静電容量が生じる。電極６３ａ及び６３ｂは、封止部１４により封止されていることが好ましい。静電容量測定部６３は、本発明に係る加工検出部の代表的な一例である。

このように、Ｃｕ等の金属からなる網である一対の電極６３ａ及び６３ｂを有する静電容量測定部６３を用いた場合にも、Ｃｕ等の金属箔である一対の電極５３ａ及び５３ｂを有する静電容量測定部５３を用いた場合と同様に充電時間等により静電容量測定部６３の静電容量を測定できるため、端子部１２の周囲が加工されたことを検出可能である。その結果、半導体素子１１の正常動作を不能とし、不正なネットワークアクセスやハッキング等を防止できる。

以上のように、本実施の形態の変形例５に係るＳＩＭカードによれば、本実施の形態の変形例４に係るＳＩＭカードと同様の効果を奏する。

なお、図１８に示す静電容量測定部は、図５に示す接続部や図１２に示す反射時間測定部に比べて配置できる領域が広く、より確実にＳＩＭカードの加工を検出できる点で好適である。

以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。

１ 携帯電話端末
２ ＣＰＵ
３ メモリ
４ 通信インターフェース
５ ＩＣインターフェース
１０、１０Ａ、２０、３０、４０、５０、６０ ＳＩＭカード
１０ｘ 切り込み部
１１ 半導体素子
１１ａ 制御部
１１ｂ 論理回路部
１２、１２０、２２０ 端子部
１２ａ〜１２ｆ、１２０ａ〜１２０ｆ、２２０ａ〜２２０ｆ 端子
１３、１３ａ〜１３ｆ 接続部
１４ 封止部
２１ａ、５１ａ 加工検出手段
２１ｂ、５１ｂ ロック手段
２１ｃ パルス電圧印加手段
２３、３３、４３ 反射時間測定部
２３ｘ 反射時間測定部の他端
５１ｃ 電圧印加手段
５３、６３ 静電容量測定部
５３ａ、５３ｂ、６３ａ、６３ｂ 電極
１００ 不正ロック解除手段
１１０ 半導体素子
１３０、１３０ａ〜１３０ｆ 配線パターン
１４０ 基板
Ｒ_ＣＬＫ、Ｒ_Ｉ／Ｏ、Ｒ_ＲＳＴ 抵抗
Ｃ_ＣＬＫ、Ｃ_Ｉ／Ｏ、Ｃ_ＲＳＴ コンデンサ

Claims (6)

1. 移動端末に装着可能なＩＣカードであって、
   半導体素子と、
   前記半導体素子に接続された前記移動端末に接続可能な端子部と、
   前記端子部の周囲に配置された加工検出部と、を有し、
   前記加工検出部は、一端が前記半導体素子と接続され他端が開放されて、前記端子部の周囲を環状に埋めるように設けられ、
   前記半導体素子は、
   前記加工検出部にパルス電圧を印加するパルス電圧印加手段と、
   前記加工検出部からの前記パルス電圧の反射時間を測定し、測定した前記反射時間が予め設定された閾値より短い場合に前記加工検出部の一部が除去されたと判定し、前記端子部の周囲が加工されたことを検出する加工検出手段と、を有し、
   前記半導体素子は、前記加工検出部の一部が除去された場合に、前記端子部の周囲が加工されたことを検出するＩＣカード。
2. 移動端末に装着可能なＩＣカードであって、
   半導体素子と、
   前記半導体素子に接続された前記移動端末に接続可能な端子部と、
   前記端子部の周囲に配置された加工検出部と、を有し、
   前記加工検出部は、前記半導体素子と前記端子部とを接続する接続部の一部であり、
   前記半導体素子は、
   前記接続部と接続される前記半導体素子の端子の電位が異常値である場合に前記加工検出部の一部が除去されたと判定し、前記端子部の周囲が加工されたことを検出するＩＣカード。
3. 前記半導体素子が前記端子部の周囲が加工されたことを検出した場合に、前記半導体素子の正常動作が不能となる請求項１又は２記載のＩＣカード。
4. 請求項１乃至３の何れか一項記載のＩＣカードが装着され、他の機器と通信可能な移動端末。
5. 半導体素子と、前記半導体素子に接続された移動端末に接続可能な端子部と、を有する移動端末に装着可能なＩＣカードの加工検出方法であって、
   前記端子部の周囲に加工検出部を配置する第１ステップと、
   前記加工検出部の一部が除去されたか否かを判定する第２ステップと、
   前記第２ステップの判定結果に基づいて、前記端子部の周囲が加工されたことを検出する第３ステップと、を有し、
   前記第１ステップでは、
   一端が前記半導体素子と接続され他端が開放された前記加工検出部を、前記端子部の周囲を環状に埋めるように設け、
   前記第２ステップでは、
   前記加工検出部にパルス電圧を印加し、
   前記加工検出部からの前記パルス電圧の反射時間を測定し、
   測定した前記反射時間が予め設定された閾値より短い場合に前記加工検出部の一部が除去されたと判定するＩＣカードの加工検出方法。
6. 半導体素子と、前記半導体素子に接続された移動端末に接続可能な端子部と、を有する移動端末に装着可能なＩＣカードの加工検出方法であって、
   前記端子部の周囲に前記半導体素子と前記端子部とを接続する接続部の一部である加工検出部を配置する第１ステップと、
   前記加工検出部の一部が除去されたか否かを判定する第２ステップと、
   前記第２ステップの判定結果に基づいて、前記端子部の周囲が加工されたことを検出する第３ステップと、を有し、
   前記第２ステップでは、
   前記接続部と接続される前記半導体素子の端子の電位が異常値である場合に前記加工検出部の一部が除去されたと判定するＩＣカードの加工検出方法。

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