JP5232045B2 - Hydrogen sensor - Google Patents
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- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims description 54
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims description 54
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 title 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 61
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 30
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 8
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 21
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- -1 rare earth hydrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 2
- ATTFYOXEMHAYAX-UHFFFAOYSA-N magnesium nickel Chemical compound [Mg].[Ni] ATTFYOXEMHAYAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- QWYSJTTWCUXHQO-UHFFFAOYSA-N [F].OC(=O)C=C Chemical compound [F].OC(=O)C=C QWYSJTTWCUXHQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXSVTGQIXJXKJR-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Ti] Chemical compound [Mg].[Ti] SXSVTGQIXJXKJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
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Description
本発明は、雰囲気中の水素ガスを検出するための水素センサに関するものである。 The present invention relates to a hydrogen sensor for detecting hydrogen gas in an atmosphere.
近年、環境や資源問題に関する関心の高まりから、二酸化炭素の排出を防止するため、水素がエネルギー源として注目されている。しかし、水素ガスは、酸素がある雰囲気中に漏れると爆発するおそれがあるため、漏洩水素ガスを速やかに検出できる水素センサの開発が進められている。こうした水素センサとして酸化スズを用いたものが開発され、広く用いられている。しかし、動作温度が４００℃程度と高温であるため、防爆を考慮しなければならない。また、コストも高い。したがって、酸化スズを用いた水素センサはあまり実用的ではない。 In recent years, hydrogen has attracted attention as an energy source in order to prevent the emission of carbon dioxide due to increasing interest in environmental and resource issues. However, since hydrogen gas may explode if oxygen leaks into an atmosphere, development of a hydrogen sensor that can quickly detect leaked hydrogen gas is underway. A sensor using tin oxide has been developed and widely used as such a hydrogen sensor. However, since the operating temperature is as high as about 400 ° C., explosion protection must be considered. In addition, the cost is high. Therefore, a hydrogen sensor using tin oxide is not very practical.
そこで、ガラスやアクリル樹脂等の基板の表面にマグネシウム・ニッケル合金等の調光薄膜層（薄膜）を形成し、この調光薄膜層をパラジウム等の触媒層（触媒膜）の作用で速やかに水素化する（調光薄膜層の物性を変化させる）水素センサが開発された（例えば特許文献１参照）。この水素センサは、調光薄膜層の水素化にともなう光学的反射率（以下、「反射率」あるいは「光透過率」と表示することがある）の変化を検知することで、雰囲気中の漏洩水素ガスを検出することができ、また調光薄膜層が常温で可逆的に水素化するため、漏洩水素ガスを安全かつ迅速に検出することができるという特徴を有している。 Therefore, a light control thin film layer (thin film) such as magnesium / nickel alloy is formed on the surface of a substrate such as glass or acrylic resin, and this light control thin film layer is quickly hydrogenated by the action of a catalyst layer (catalyst film) such as palladium. Hydrogen sensors have been developed that change the physical properties of the light control thin film layer (see, for example, Patent Document 1). This hydrogen sensor detects changes in optical reflectivity (hereinafter sometimes referred to as “reflectance” or “light transmittance”) associated with hydrogenation of the light control thin film layer, thereby leaking in the atmosphere. Hydrogen gas can be detected, and since the light control thin film layer is reversibly hydrogenated at normal temperature, the leaked hydrogen gas can be detected safely and quickly.
しかしながら、調光薄膜層は非常に薄い薄膜形状であり、その厚さは１ｎｍ〜１００ｎｍ、より詳しくは数十ｎｍである。このようなナノレベルの薄い調光薄膜層が水素雰囲気中で水素を吸収すると、その水素分の体積も調光薄膜層に影響を与えることになる。すなわち、吸収した水素の体積分だけ調光薄膜層が膨らむ。具体的には、４０ｎｍの調光薄膜層が水素化された場合、１０ｎｍ位膨らむことがわかっている。この吸収された水素は、やがて調光薄膜層から抜けていくため、調光薄膜層は再び基の大きさに縮むことになる。そして再び水素を吸収して膨らみ、これが繰り返される。 However, the light control thin film layer has a very thin thin film shape, and the thickness thereof is 1 nm to 100 nm, more specifically, several tens of nm. When such a nano-level thin light control thin film layer absorbs hydrogen in a hydrogen atmosphere, the volume of the hydrogen content also affects the light control thin film layer. That is, the light control thin film layer swells by the volume fraction of absorbed hydrogen. Specifically, it is known that when the light control thin film layer of 40 nm is hydrogenated, it expands by about 10 nm. The absorbed hydrogen eventually escapes from the light control thin film layer, so that the light control thin film layer shrinks to the size of the base again. Then, it absorbs hydrogen again and swells, and this is repeated.
このような調光薄膜層の膨張及び収縮の繰り返し動作は、内部応力の変化を助長し、調光薄膜層の劣化を招いて、最終的には構造の破損状態を招くことになる。
上述した水素センサは、光透過率を変化させるため、調光ガラスとしても応用されている。以下、調光ガラスを基軸にして水素センサについて説明する。
一般に、建物において窓（開口部）はおおきな熱の出入り場所になっている。例えば、冬に暖房時の熱が窓から流出する割合は４８％程度であり、夏の冷房時に窓から熱が入る割合は７１％程度にも達すると言われている。したがって、窓における光・熱をうまくコントロールすることにより、膨大な省エネルギー効果を得ることができる。
Such repeated operation of expansion and contraction of the light control thin film layer promotes a change in internal stress, causes deterioration of the light control thin film layer, and eventually leads to a damaged state of the structure.
The hydrogen sensor described above is also applied as a light control glass in order to change the light transmittance. Hereinafter, the hydrogen sensor will be described based on the light control glass.
In general, windows (openings) in buildings are places where large heat enters and leaves. For example, it is said that the rate at which heat during heating flows out of the window in winter is about 48%, and the rate at which heat enters from the window during cooling in summer reaches about 71%. Therefore, enormous energy saving effect can be obtained by controlling light and heat in the window.
調光ガラスは、このような目的で開発されたものであり、光・熱の流入、流出をコントロールできる機能を有している。
このような調光ガラスの調光を行う方式には、いくつかの種類がある。例えば、電流、電圧の印可により可逆的に透過率の変化する材料からなるエレクトロクロミック材料を用いた方式と、雰囲気ガスの制御により透過率が変化する材料からなるガスクロミック材料を用いた方式等である。これらのうち、調光層に酸化タングステン薄膜を用いたエレクトロクロミック調光ガラスの研究が最も進んでおり、現在、ほぼ実用化段階に達しており、市販品も出されている。
The light control glass has been developed for such a purpose and has a function of controlling inflow and outflow of light and heat.
There are several types of light control methods for such light control glass. For example, a method using an electrochromic material made of a material whose transmittance changes reversibly by applying current and voltage, a method using a gas chromic material made of a material whose transmittance changes by controlling atmospheric gas, etc. is there. Of these, research on electrochromic light control glass using a tungsten oxide thin film as the light control layer is the most advanced, and it has almost reached the stage of practical use, and a commercial product is also available.
この酸化タングステンをはじめとして、これまで知られているエレクトロクロミック調光ガラスは、全て調光層で光を吸収することにより調光を行うことをその原理としている。この場合、この種の調光ガラスは、調光層が光を吸収することにより熱を持ち、それがまた室内に再放射されるため、省エネルギー効果が低くなってしまうという欠点を持っている。これをなくすためには、光を吸収することにより調光を行うのではなく、光を反射することにより調光を行う必要がある。つまり、鏡の状態と透明な状態が可逆的に変化するような特性を有する材料が望まれている。 The electrochromic light control glass known so far, including this tungsten oxide, is based on the principle that light control is performed by absorbing light in the light control layer. In this case, this type of light control glass has the disadvantage that the light control layer has heat by absorbing light and is re-radiated indoors, so that the energy saving effect is reduced. In order to eliminate this, it is necessary to adjust light by reflecting light, not by adjusting light by absorbing light. That is, a material having such a characteristic that the state of the mirror and the transparent state reversibly change is desired.
このような、鏡の状態と透明な状態で変化する材料は長らく見つかっていなかったが、１９９６年にオランダのグループにより、イットリウムやランタン等の希土類の水素化物が、水素により鏡の状態と透明な状態に変化することが発見され、このような材料が「調光ミラー」と命名された。(J.N.Huiberts, R.Griessen, J.H.Rector, R.J.Wijngaarden, J.P.Dekker, D.G.deGroot, N.J.Koeman, Nature 380 (1996) 231)。これらの希土類水素化物は、透過率の変化が大きく、調光ミラー特性に優れている。しかし、この調光ミラーは材料として希土類元素を用いるため、窓のコーティング等に用いる場合、資源やコストに問題があった。 Such a material that changes between a mirror state and a transparent state has not been found for a long time, but in 1996, a Dutch group made rare earth hydrides such as yttrium and lanthanum transparent by a hydrogen. It was discovered that it changed to a state, and such a material was named “dimming mirror”. (J.N.Huiberts, R.Griessen, J.H.Rector, R.J.Wijngaarden, J.P.Dekker, D.G.deGroot, N.J.Koeman, Nature 380 (1996) 231). These rare earth hydrides have a large change in transmittance and are excellent in light control mirror characteristics. However, since this light control mirror uses rare earth elements as a material, there are problems in resources and costs when used for window coating or the like.
その後、希土類金属とマグネシウムの合金薄膜の水素化物(Nagengast D.G, van Gogh A.T. M, Kooij E.S, Dam B, Griessen R. Appl. Phys. Lett. 75(1999) 2050)や、マグネシウム・ニッケル合金の水素化物(T.J.Richardson, J.L.Slack, R.D.Armitage, R.Kostecki, B.Farangis, and M.D.Rubin, Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 3047)も調光ミラー特性を持つことが発見された。本願出願人の研究では、マグネシウム・ニッケル合金の中でも、マグネシウム成分の多い、ＭｇＮｉｘ（０．１＜ｘ＜０．３）が優れた光学特性を示すことを見出している(K.Yoshimura, Y.Yamada and M.Okada: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 4709)。また、マグネシウム・チタン合金を用いると、透明時にはほとんど完全に無色にできることを見出している。 After that, hydrides of rare earth metal and magnesium alloy thin films (Nagengast DG, van Gogh AT M, Kooij ES, Dam B, Griessen R. Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 2050) and magnesium-nickel alloy hydrogen Chemicals (TJRichardson, JLSlack, RDArmitage, R. Kostecki, B. Farangis, and MDRubin, Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 3047) were also found to have dimming mirror properties. The applicant's research has found that MgNix (0.1 <x <0.3), which has many magnesium components among magnesium-nickel alloys, exhibits excellent optical properties (K. Yoshimura, Y. Yamada and M. Okada: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 4709). It has also been found that when a magnesium-titanium alloy is used, it can be almost completely colorless when transparent.
このように、これまで報告されている調光ミラー材料としては、イットリウムやランタン等の希土類金属の水素化物、希土類金属とマグネシウム合金薄膜の水素化物、及びマグネシウム・遷移金属合金の水素化物等があるが、この中で、資源やコストの観点から、窓ガラスのコーティングに適しているのはマグネシウム・ニッケル合金やマグネシウム・チタン合金を用いたものである。 Thus, the dimming mirror materials reported so far include hydrides of rare earth metals such as yttrium and lanthanum, hydrides of rare earth metal and magnesium alloy thin films, and hydrides of magnesium / transition metal alloys. However, among these, magnesium / nickel alloys and magnesium / titanium alloys are suitable for window glass coating from the viewpoint of resources and cost.
本発明は、上記従来技術を考慮したものであって、調光薄膜層が水素を吸収・放射して膨張、収縮を繰り返しても、内部応力の変化を緩和し、ひいては調光薄膜層自体の体積変化を抑制して耐久性を向上することができる水素センサを提供することを目的とする。 The present invention takes the above-mentioned conventional technology into consideration, and even if the light control thin film layer absorbs and emits hydrogen and repeats expansion and contraction, the internal stress is relieved, and thus the light control thin film layer itself It aims at providing the hydrogen sensor which can suppress a volume change and can improve durability.
前記目的を達成するため、請求項１の発明では、基板と、該基板上に設けられ、水素雰囲気中で水素化されて光透過率が変化する調光薄膜層と、該調光薄膜層上に設けられ、前記調光薄膜層の水素化を促進するための触媒層と、該触媒層上に設けられ、高分子ポリマーからなる弾性材料で形成された応力緩和層とを含み、前記調光薄膜層には、金属膜からなるバッファ層が挿入されていることを特徴とする水素センサを提供する。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, there is provided a substrate, a light control thin film layer provided on the substrate, the light control thin film layer changing in light transmittance by being hydrogenated in a hydrogen atmosphere, and the light control thin film layer. provided, and the dimming thin layer catalyst layer for promoting the hydrogenation of, is provided on the catalyst layer, viewed it contains a stress relieving layer formed of an elastic material made of high polymer, the tone Provided is a hydrogen sensor in which a buffer layer made of a metal film is inserted into the optical thin film layer .
請求項２の発明では、請求項１の発明において、前記高分子ポリマーからなる弾性材料は、フッ素系ポリマーであることを特徴としている。
The invention of
請求項１の発明によれば、触媒層上に応力緩和層が備わり、この応力緩和層は高分子ポリマーからなる弾性材料で形成されるため、調光薄膜層が水素を吸収、放射して膨張、収縮を繰り返しても、その弾性力により調光薄膜層自体の内部応力の変化が緩和される。したがって、調光薄膜層の体積変化を抑制でき、耐久性を向上させることができる。
請求項２の発明によれば、高分子ポリマーからなる弾性材料をフッ素系ポリマーで形成することにより、調光薄膜層の耐久性が向上することが確認されている。また、調光薄膜層の透明状態を良好にし、可視光の透過率を向上させることができる。このため、水素の測定効率が向上する。
According to the first aspect of the present invention, since the stress relaxation layer is provided on the catalyst layer, and the stress relaxation layer is formed of an elastic material made of a polymer, the light control thin film layer absorbs and radiates hydrogen and expands. Even if the shrinkage is repeated, the change in internal stress of the light control thin film layer itself is relieved by the elastic force. Therefore, the volume change of the light control thin film layer can be suppressed, and durability can be improved.
According to the second aspect of the present invention, it has been confirmed that the durability of the light control thin film layer is improved by forming the elastic material made of the polymer polymer with the fluorine-based polymer. Moreover, the transparent state of the light control thin film layer can be made favorable, and the transmittance | permeability of visible light can be improved. For this reason, the measurement efficiency of hydrogen improves.
図１は本発明に係る水素センサの概略図である。
図示したように、本発明に係る水素センサ１は、基板２と、調光薄膜層３と、触媒層４と、応力緩和層５で構成される。
基板２は、透明の板材からなる。例えば、アクリル、プラスチック、透明シート、ガラス等である。
FIG. 1 is a schematic view of a hydrogen sensor according to the present invention.
As illustrated, the hydrogen sensor 1 according to the present invention includes a
The
調光薄膜層３は、透明な状態と鏡の状態（金属状態）、若しくはその中間状態にスイッチングすることのできる材料で、基板２の上に蒸着される。調光薄膜層３としては、例えば、イットリウムやランタン等の希土類薄膜や、希土類金属とマグネシウム合金薄膜、マグネシウムの遷移金属の合金薄膜、あるいはマグネシウム薄膜等がある。このうち、材料コストの安さや、優れた光学特性等から、ＭｇＮｉｘ（０．１＜ｘ＜０．３）が好ましい。調光薄膜層３の基板２への蒸着は、スパッタリング法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）、めっき法等により行うことができる。なお、調光薄膜層の厚さは１０ｎｍ〜３００ｎｍが好ましい。
The light control thin film layer 3 is deposited on the
触媒層４は、パラジウム等が用いられる。この触媒層４は、調光薄膜層３の表面に０．５ｎｍ〜１０ｎｍの膜厚で蒸着される。この蒸着は、スパッタリング法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）、めっき法等により行うことができる。
以上の構成で、水素を測定することができる。すなわち、水素を含んだ雰囲気にさらすことで調光薄膜層３の水素化が起こり、金属状態から透明状態に変化する。一方で、水素を含まず酸素を含んだ雰囲気にさらすことで脱水素化が起こり、透明状態から金属状態に変化する。
For the
With the above structure, hydrogen can be measured. That is, exposure to an atmosphere containing hydrogen causes hydrogenation of the light control thin film layer 3 and changes from a metal state to a transparent state. On the other hand, dehydrogenation occurs when exposed to an oxygen-containing atmosphere that does not contain hydrogen, and changes from a transparent state to a metallic state.
応力緩和層５は、触媒層４に塗布される。塗布方法は、例えばスピンコーティング法やディップコーティング法、スパッタリング等が用いられる。この応力緩和層５は高分子ポリマーからなる弾性材料である。このため、調光薄膜層３が水素を吸収、放射して膨張、収縮を繰り返しても、その弾性力により調光薄膜層３自体の内部応力の変化が緩和される。したがって、調光薄膜層３の体積変化を抑制でき、耐久性、すなわちスイッチングに対する繰り返し寿命を向上させることができる。
The stress relaxation layer 5 is applied to the
また、水素センサ１による水素測定時には、水素を吸収したときの透明状態における可視光の透過率は水素測定効率の観点から高い方が望ましい。この可視光透過率の高いものとして、Ｍｇ６Ｎｉがあるが、その透過率は５０％程度である。これに対し、応力緩和層５としてフッ素系ポリマーを用いると、透明状態における可視光の透過率が１０％向上することがわかった。これは、多層薄膜の干渉効果により可視光領域における透過率が向上したものと考えられる。したがって、応力緩和層５として、フッ素系ポリマーを用いれば、耐久性の向上と、透過率の向上という、二重のメリットがあることになる。 Further, at the time of hydrogen measurement by the hydrogen sensor 1, it is desirable that the visible light transmittance in a transparent state when hydrogen is absorbed is higher from the viewpoint of hydrogen measurement efficiency. As this high visible light transmittance, there is Mg 6 Ni, and the transmittance is about 50%. On the other hand, it was found that when a fluoropolymer was used as the stress relaxation layer 5, the visible light transmittance in a transparent state was improved by 10%. This is considered that the transmittance in the visible light region is improved by the interference effect of the multilayer thin film. Therefore, when a fluorine-based polymer is used as the stress relaxation layer 5, there are double merits of improving durability and improving transmittance.
なお、本発明の水素センサ１は、その用途として、水素センサに限られたものではない。調光薄膜層５のスイッチングを利用して、例えばプライバシー保護を目的とした遮蔽物や、鏡状態と透明状態に変わることを利用した装飾物及び玩具等、種々の物品に適用可能である。
図２は水素センサの耐久性試験に用いた装置の概略図である。図３は水素センサの耐久性試験を行った結果を示すグラフである。
In addition, the hydrogen sensor 1 of this invention is not restricted to a hydrogen sensor as the use. By using the switching of the light control thin film layer 5, it can be applied to various articles such as a shield for the purpose of privacy protection, a decoration and a toy using a change between a mirror state and a transparent state.
FIG. 2 is a schematic view of an apparatus used for the durability test of the hydrogen sensor. FIG. 3 is a graph showing the results of a durability test of the hydrogen sensor.
耐久性試験は、以下のように行った。参照試料として、ガラス製の基板２上に、バッファ層なしのマグネシウム・ニッケル合金系の調光薄膜層３と、バッファ層ありのマグネシウム・ニッケル合金系の調光薄膜層３を成膜した。これらの成膜は、ターゲットとしてそれぞれ、金属マグネシウム、金属ニッケル、金属チタン、それに金属パラジウムをセットした４連のマグネトロンスパッタ装置で行った。なお、バッファ層とは、チタン等の薄い金属膜を挿入したものである。このバッファ層により、スイッチングの繰り返しによりパラジウム層（触媒層４）の下のマグネシウムが表面に析出してくることを防止することができる。
The durability test was performed as follows. As a reference sample, a magnesium / nickel alloy-based light control thin film layer 3 without a buffer layer and a magnesium / nickel alloy-based light control thin film layer 3 with a buffer layer were formed on a
大きさ３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚さ１ｍｍのガラス製基板を用い、これを洗浄後、真空装置の中にセットして真空排気を行った。成膜にあたっては、まず、マグネシウムとニッケルのターゲットを同時スパッタしてマグネシウム・ニッケル薄膜を作製した。スパッタ中のアルゴンガス圧は、０．８Ｐａであり、直流スパッタ法によりマグネシウムに３０Ｗ、ニッケルに１１Ｗのパワーを加えてスパッタを行い、ほぼＭｇ４Ｎｉに近い組成を持つ合金薄膜を作製した。 A glass substrate having a size of 30 mm × 30 mm and a thickness of 1 mm was used. After washing this, it was set in a vacuum apparatus and evacuated. In film formation, first, a magnesium / nickel thin film was produced by simultaneously sputtering a magnesium and nickel target. The argon gas pressure during sputtering was 0.8 Pa, and sputtering was performed by applying a power of 30 W to magnesium and 11 W to nickel by direct current sputtering to produce an alloy thin film having a composition almost similar to Mg 4 Ni.
一つの試料は、同じ真空条件下で、６Ｗのパワーを加えてパラジウム薄膜の蒸着を行った。ｍｇ４Ｎｉ層の膜厚は約４０ｎｍ、パラジウム層の厚さは約４ｎｍである。もう一つの試料は、Ｍｇ４Ｎｉの成膜と、４５Ｗのパワーを加えてチタン薄膜の蒸着を行い、引き続き６Ｗのパワーを加えてパラジウム薄膜の蒸着を行った。Ｍｇ４Ｎｉ層の膜厚は約４０ｎｍ、チタン層の厚さは約２ｎｍ、パラジウム層の厚さは約４ｎｍである。 One sample was subjected to vapor deposition of a palladium thin film by applying 6 W power under the same vacuum condition. The thickness of the mg 4 Ni layer is about 40 nm, and the thickness of the palladium layer is about 4 nm. As another sample, a Mg 4 Ni film was formed, a titanium thin film was deposited by applying a power of 45 W, and then a palladium thin film was deposited by applying a power of 6 W. The thickness of the Mg 4 Ni layer is about 40 nm, the thickness of the titanium layer is about 2 nm, and the thickness of the palladium layer is about 4 nm.
これらの試料のスイッチング特性を図２に示すような評価装置６を用いて評価した。評価装置６は、水素発生部７、マスフローコントローラ８、気体流路９、レーザー発生器１０、フォトダイオード１１で構成される。気体流路９は、その一方の面が水素センサ１の薄膜側で構成される。水素発生部７にて、アルゴンで４％に希釈した水素ガスを発生させ、これをマスフローコントローラ８にて水素センサ１がスイッチングするように流量調整し、気体流路９を流通させた。基板に対して蒸着直後のＰｄ／Ｍｇ４Ｎｉ薄膜は、金属光沢をもち鏡の状態になっているが、水素ガスを流すと、数秒で透明な状態に変わる。水素ガスを止めると端面から空気が入ってきて２〜３分で鏡の状態に戻る。このときの波長６７０ｎｍにおける透過率の変化を半導体レーザーを発生するレーザー発生器１０と、シリコンからなるフォトダイオード１１を用いて測定した。
The switching characteristics of these samples were evaluated using an evaluation apparatus 6 as shown in FIG. The evaluation device 6 includes a hydrogen generator 7, a mass flow controller 8, a gas flow path 9, a
図３において、（Ａ）はバッファ層がない水素センサを用いたときの試験結果であり、（Ｂ）はバッファ層を設けた水素センサを用いたときの試験結果である。いずれも、応力緩和層５は設けていない。バッファ層がない場合は、スイッチングの繰り返しとともに透過率の変化がだんだんと乏しくなり（グラフではスイッチング回数とともに透過率の幅が狭くなる）、１７０回程度で使用に耐えないものとなっている。バッファ層を設けた場合は、３００回程度までは全く劣化しないが、その後急激に劣化する。 In FIG. 3, (A) shows the test results when using a hydrogen sensor without a buffer layer, and (B) shows the test results when using a hydrogen sensor with a buffer layer. In either case, the stress relaxation layer 5 is not provided. When there is no buffer layer, the change in transmittance gradually decreases with repeated switching (in the graph, the width of transmittance decreases with the number of times of switching), and it cannot be used in about 170 times. When the buffer layer is provided, it does not deteriorate at all up to about 300 times, but deteriorates rapidly thereafter.
図３（Ｃ）は、上記バッファ層を設けた試料の表面に、フッ素系ポリマーを塗布したものを用いた結果を示す。フッ素系ポリマーとしては、フッ素アクリレートをハイドロフルオロカーボンで希釈した溶液を用いた。これを、バッファ層を有するマグネシウム・ニッケル調光薄膜層及びパラジウムからなる触媒層（Ｐｄ／Ｔｉ／Ｍｇ４Ｎｉ）上にスピンコート法により塗布した。図３（Ｃ）に示すように、（Ａ）、（Ｂ）に比し、スイッチングに対する耐久性が大幅に向上し、１０００回あたりまでほとんど劣化がみられていない。３０００回近くでもまだスイッチングを行うことができる。 FIG. 3C shows the result of using a sample in which a fluoropolymer was applied to the surface of the sample provided with the buffer layer. As the fluorine polymer, a solution obtained by diluting fluorine acrylate with hydrofluorocarbon was used. This was applied on a magnesium / nickel light control thin film layer having a buffer layer and a catalyst layer (Pd / Ti / Mg 4 Ni) made of palladium by a spin coating method. As shown in FIG. 3C, compared with (A) and (B), the durability against switching is greatly improved, and almost no deterioration is observed up to about 1000 times. Switching can still be performed even near 3000 times.
図４は時間に対する光学透過率の変化を示すグラフである。
図中点線で示したグラフは、本発明に係る水素センサ、すなわちフッ素系ポリマーからなる応力緩和層を設けたものを用いた結果を示し、実線で示したグラフは、応力緩和層が設けられていない水素センサを用いた結果を示している。図示したように、応力緩和層を設けたものは、設けていないものに比べて、透明になった際の透過率が１０％程度大きくなっている。このように、フッ素系ポリマーを用いた応力緩和層の塗布により、透明時の透過率が高くなっていることを実験にて確認できた。
FIG. 4 is a graph showing changes in optical transmittance with respect to time.
The graph shown by the dotted line in the figure shows the result of using the hydrogen sensor according to the present invention, that is, the one provided with the stress relaxation layer made of a fluorine-based polymer, and the graph shown by the solid line is provided with the stress relaxation layer. The results with no hydrogen sensor are shown. As shown in the figure, the transmittance when the stress relaxation layer is provided is about 10% higher than that when the stress relaxation layer is not provided. As described above, it was confirmed by experiments that the transmittance when transparent was increased by applying the stress relaxation layer using the fluorine-based polymer.
１ 水素センサ
２ 基板
３ 調光薄膜層
４ 触媒層
５ 応力緩和層
６ 評価装置
７ 水素発生部
８ マスフローコントローラ
９ 気体流路
１０ レーザー発生器
１１ フォトダイオード
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (2)
該基板上に設けられ、水素雰囲気中で水素化されて光透過率が変化する調光薄膜層と、
該調光薄膜層上に設けられ、前記調光薄膜層の水素化を促進するための触媒層と、
該触媒層上に設けられ、高分子ポリマーからなる弾性材料で形成された応力緩和層とを含み、
前記調光薄膜層には、金属膜からなるバッファ層が挿入されていることを特徴とする水素センサ。 A substrate,
A light control thin film layer provided on the substrate and hydrogenated in a hydrogen atmosphere to change light transmittance;
A catalyst layer provided on the light control thin film layer for promoting hydrogenation of the light control thin film layer;
The catalyst is provided on the layer, viewed contains a stress relieving layer formed of an elastic material made of high polymer,
A hydrogen sensor, wherein a buffer layer made of a metal film is inserted into the light control thin film layer .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009053342A JP5232045B2 (en) | 2009-03-06 | 2009-03-06 | Hydrogen sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009053342A JP5232045B2 (en) | 2009-03-06 | 2009-03-06 | Hydrogen sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010210243A JP2010210243A (en) | 2010-09-24 |
| JP5232045B2 true JP5232045B2 (en) | 2013-07-10 |
Family
ID=42970592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009053342A Active JP5232045B2 (en) | 2009-03-06 | 2009-03-06 | Hydrogen sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5232045B2 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017152132A (en) * | 2016-02-23 | 2017-08-31 | スタンレー電気株式会社 | Fuel battery system |
| CN105758800B (en) * | 2016-03-07 | 2019-07-05 | 复旦大学 | A kind of optics hydrogen detector and preparation method thereof based on curling film |
| JP6229986B1 (en) * | 2016-07-21 | 2017-11-15 | 国立大学法人東北大学 | Detector of hydrogen in steel materials |
| JP6697781B2 (en) * | 2016-09-23 | 2020-05-27 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | Hydrogen sensor and hydrogen sensor |
| CN116337784B (en) * | 2023-05-18 | 2023-08-18 | 深圳豪威显示科技有限公司 | Photoelectric test system for electrochromic functional film |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007248424A (en) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Atsumi Tec:Kk | Hydrogen sensor |
| JP2008261634A (en) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Mikuni Corp | Hydrogen sensor |
-
2009
- 2009-03-06 JP JP2009053342A patent/JP5232045B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010210243A (en) | 2010-09-24 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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