JP5211599B2 - Liquid crystal property evaluation system - Google Patents

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JP5211599B2 JP2007239251A JP2007239251A JP5211599B2 JP 5211599 B2 JP5211599 B2 JP 5211599B2 JP 2007239251 A JP2007239251 A JP 2007239251A JP 2007239251 A JP2007239251 A JP 2007239251A JP 5211599 B2 JP5211599 B2 JP 5211599B2
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Description

本発明は、液晶材料の物性評価装置および測定方法に関する。   The present invention relates to a liquid crystal material property evaluation apparatus and measurement method.

現在、液晶ディスプレイは薄型テレビ、パソコンモニターなどに幅広く使用されている。特に、テレビに使用される液晶ディバイスは、その応答性を良くすることが重要な課題となっている。   At present, liquid crystal displays are widely used in flat-screen TVs and personal computer monitors. In particular, improving the responsiveness of a liquid crystal device used in a television is an important issue.

液晶素子材料の開発には、それを構成する部材の設計が重要であり、応答性の改善には、液晶素子内の液晶材料分子の並びを解析する必要がある。従来、粘性係数測定装置(特許文献1、2参照)、誘電率測定装置(特許文献3,4参照)、弾性定数測定装置(特許文献5参照)、屈折率測定装置(特許文献6参照)などの物性測定装置が提案されている。その中でも、特許文献3、4および5には、液晶に対する印加電圧とそれによる誘電率の変化の関係についての記載がある。
特開2006−243638 特開2004−20255 特開平5−66376 特開平7−35797 特開2004−286485 特開2000−98314
In developing a liquid crystal element material, it is important to design a member constituting the material. To improve the response, it is necessary to analyze the arrangement of liquid crystal material molecules in the liquid crystal element. Conventionally, a viscosity coefficient measuring device (see Patent Literatures 1 and 2), a dielectric constant measuring device (see Patent Literatures 3 and 4), an elastic constant measuring device (see Patent Literature 5), a refractive index measuring device (see Patent Literature 6), etc. A physical property measuring apparatus has been proposed. Among them, Patent Documents 3, 4 and 5 describe the relationship between the voltage applied to the liquid crystal and the change in the dielectric constant caused thereby.
JP 2006-243638 A JP2004-20255 JP-A-5-66376 JP 7-35797 A JP 2004-286485 A JP 2000-98314 A

これらのように、誘電率、粘性係数、弾性率等を単独で測定する方法は従来から知られていたが、アドミッタンスの測定、特に粘性や弾性率等を含む分子の並びの変化を簡便に推測する評価方法および評価装置は提供されていない。   As described above, methods for independently measuring dielectric constant, viscosity coefficient, elastic modulus, etc. have been conventionally known, but admittance measurement, in particular, easy estimation of changes in the arrangement of molecules including viscosity, elastic modulus, etc. An evaluation method and an evaluation apparatus are not provided.

本発明は、これらの問題に鑑み、印加電圧による分子の並びの変化を簡便に測定する装置を提供することを目的とする。   In view of these problems, an object of the present invention is to provide an apparatus for simply measuring a change in the arrangement of molecules due to an applied voltage.

本発明は、以下の事項に関する。   The present invention relates to the following matters.

1. 2枚の対向する電極を有し、その間に液晶を挟持する液晶セルと、
前記2枚の対向する電極間に印加する電圧として、制御可能な掃引速度Rs(V/秒)で変化する掃引電圧成分Vsと、前記掃引電圧成分に重畳され、周波数fおよびピーク−ピーク振幅Vppを有する高周波交流成分が合成された信号電圧を、前記液晶セルに印加可能な信号発生手段と、
前記信号電圧の掃引電圧成分に対応するアドミッタンスを測定可能なアドミッタンス測定手段と、
を有することを特徴とする液晶物性評価装置。
1. A liquid crystal cell having two opposing electrodes and sandwiching a liquid crystal therebetween,
As a voltage to be applied between the two opposing electrodes, a sweep voltage component Vs that changes at a controllable sweep speed Rs (V / sec), and a frequency f and a peak-peak amplitude Vpp superimposed on the sweep voltage component. A signal generating means capable of applying a signal voltage obtained by synthesizing a high-frequency AC component having
Admittance measurement means capable of measuring an admittance corresponding to the sweep voltage component of the signal voltage;
A liquid crystal physical property evaluation apparatus comprising:

2. 前記アドミッタンスの絶対値を、前記掃引電圧成分Vsに対して表示可能な表示手段をさらに有する上記1記載の液晶物性評価装置。   2. 2. The liquid crystal physical property evaluation apparatus according to 1 above, further comprising display means capable of displaying the absolute value of the admittance with respect to the sweep voltage component Vs.

3. 前記掃引電圧成分Vsが、所定の電圧−Vmax〜+Vmaxの間で正方向および負方向に少なくとも1往復以上繰り返して掃引されることを特徴とする上記1または2記載の液晶物性評価装置。   3. 3. The liquid crystal property evaluation apparatus according to claim 1 or 2, wherein the sweep voltage component Vs is repeatedly swept at least once in the positive direction and the negative direction between a predetermined voltage -Vmax and + Vmax.

4. 前記掃引電圧成分Vs=0のときのアドミッタンスの絶対値をY0、
V2を、前記掃引電圧成分Vsの絶対値が大きくなる方向に掃引したときに、アドミッタンスの絶対値がY0から立ち上がるときの掃引電圧成分Vsの絶対値、
V1を、前記掃引電圧成分Vsの絶対値が小さくなる方向に掃引したときに、アドミッタンスの絶対値がY0に戻るときの掃引電圧成分Vsの絶対値、
ΔVを、ΔV=V2−V1
とそれぞれ定義したとき、
V2、V1およびΔVが、測定または決定されることを特徴とする上記3記載の液晶物性評価装置。
4). The absolute value of admittance when the sweep voltage component Vs = 0 is Y0,
The absolute value of the sweep voltage component Vs when the absolute value of the admittance rises from Y0 when V2 is swept in the direction in which the absolute value of the sweep voltage component Vs increases,
The absolute value of the sweep voltage component Vs when the absolute value of the admittance returns to Y0 when V1 is swept in the direction in which the absolute value of the sweep voltage component Vs decreases,
ΔV, ΔV = V2−V1
Are defined as
4. The liquid crystal physical property evaluation apparatus according to 3 above, wherein V2, V1 and ΔV are measured or determined.

5. 前記掃引電圧成分Vsの掃引速度Rsを変化させ、ΔV=0となる掃引速度v0が測定または決定されることを特徴とする上記4記載の液晶物性評価装置。   5. 5. The liquid crystal physical property evaluation apparatus according to claim 4, wherein a sweep speed v0 at which ΔV = 0 is measured or determined by changing a sweep speed Rs of the sweep voltage component Vs.

6. 前記アドミッタンスの位相を、前記掃引電圧成分Vsに対して表示可能な表示手段を有することを特徴とする上記1〜5のいずれかに記載の液晶物性評価装置。   6). The liquid crystal physical property evaluation apparatus according to any one of the above 1 to 5, further comprising display means capable of displaying the phase of the admittance with respect to the sweep voltage component Vs.

7. 前記高周波成分の周波数fおよびピーク−ピーク振幅Vppが変更可能であり、前記周波数fが、前記アドミッタンスの位相変化が最も鋭敏に観測されるように設定されることを特徴とする上記6記載の液晶物性評価装置。   7). 7. The liquid crystal according to claim 6, wherein a frequency f and a peak-peak amplitude Vpp of the high-frequency component can be changed, and the frequency f is set so that the phase change of the admittance is most sensitively observed. Physical property evaluation device.

8. 前記2つの電極は、その間に挟持する液晶の配向方向を決める配向手段を有することを特徴とする上記1〜7のいずれかに記載の液晶物性評価装置。   8). 8. The liquid crystal physical property evaluation apparatus according to any one of 1 to 7 above, wherein the two electrodes have alignment means for determining an alignment direction of liquid crystal sandwiched therebetween.

本発明によれば、印加電圧による分子の並びの変化を簡便に測定できる装置を提供することができる。本発明の装置では、印加電圧変化に伴うアドミッタンス変化を測定することが可能であり、好ましい態様では、粘性や弾性率を含めた液晶分子の配向の変化を簡便に測定できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the apparatus which can measure easily the change of the arrangement | sequence of the molecule | numerator by the applied voltage can be provided. In the apparatus of the present invention, it is possible to measure changes in admittance associated with changes in applied voltage, and in a preferred embodiment, changes in the orientation of liquid crystal molecules including viscosity and elastic modulus can be easily measured.

本発明のような、アドミッタンス電位依存性の測定は従来は知られておらず、特に、後述するV2、V1およびΔVは、従来提唱されていない新しいパラメータであり、液晶材料の物性および液晶の分子挙動の指標として使用が期待される。加えて配向膜の性能も簡便に評価可能である。   The measurement of admittance potential dependence as in the present invention has not been known so far. In particular, V2, V1 and ΔV described later are new parameters which have not been proposed so far. It is expected to be used as an indicator of behavior. In addition, the performance of the alignment film can be easily evaluated.

本発明の測定装置に使用される液晶セルは、図1に模式的に示すような公知の構造であって、2枚の対向する電極2を有し、その間に液晶層4を挟持できる構造を有する。一般に、2枚の電極は、2枚の基板1の対向する内側表面に形成される。   The liquid crystal cell used in the measuring apparatus of the present invention has a known structure as schematically shown in FIG. 1 and has a structure in which two opposing electrodes 2 are provided and a liquid crystal layer 4 can be sandwiched therebetween. Have. In general, the two electrodes are formed on opposite inner surfaces of the two substrates 1.

基板としては、従来液晶素子用の基板として用いられているものであれば特に限定されないが、ガラス基板であることが好ましい。電極層は、従来液晶素子用の電極として用いられているものであれば特に限定されず、例えばITO等を挙げることができる。   Although it will not specifically limit if it is a board | substrate conventionally used as a board | substrate for liquid crystal elements, A glass substrate is preferable. An electrode layer will not be specifically limited if it is conventionally used as an electrode for liquid crystal elements, For example, ITO etc. can be mentioned.

液晶セルは、測定対象の液晶(実用的には複数種類の化合物の混合物で与えられる)の分子の配向を制御する手段として、必要により配向膜3を備える。配向膜/配向方法としては、従来液晶素子用の配向膜/配向方法として用いられているものから適宜選択することができる。水平配向膜としては例えば、ポリイミド膜、ナイロン膜、ポリビニルアルコール膜などが挙げられる。これらは一般にラビング処理して使用される。また、垂直配向膜としては、例えば、界面活性剤、シラン化合物など(による電極表面の処理)が挙げられ、具体的には、トリメチルセチルアンモニウムブロマイド、オクタデシルトリエトキシシランなどが挙げられる。   The liquid crystal cell includes an alignment film 3 as necessary as means for controlling the alignment of molecules of the liquid crystal to be measured (practically given by a mixture of plural kinds of compounds). The alignment film / alignment method can be appropriately selected from those conventionally used as alignment films / alignment methods for liquid crystal elements. Examples of the horizontal alignment film include a polyimide film, a nylon film, and a polyvinyl alcohol film. These are generally used after being rubbed. Examples of the vertical alignment film include surfactants, silane compounds and the like (treatment of the electrode surface), and specific examples include trimethylcetylammonium bromide and octadecyltriethoxysilane.

対向する2枚の上下電極表面における配向は、同一でなくてもよく、例えば一方を水平配向として一方を垂直配向とすることも可能である。また、配向膜を使用しない構造も可能である。さらに、上下の配向方向を共に水平配向とした場合、そのツイスト角も適宜変更することができる。プレチルト角も適宜設定することができる。また、上下水平配向の角度を変化させることで液晶材料の旋回能(Helical Twisting Power)などの評価への応用が期待できる。   The orientations of the two upper and lower electrode surfaces facing each other need not be the same. For example, one can be horizontal and one can be vertical. Further, a structure without using an alignment film is also possible. Furthermore, when both the upper and lower alignment directions are horizontal alignment, the twist angle can be changed as appropriate. The pretilt angle can also be set as appropriate. In addition, by changing the angle of vertical alignment, it can be expected to be applied to the evaluation of the liquid crystal material's turning ability (helical twisting power).

液晶セルの構造を設定し、液晶材料(単独の化合物および複数の化合物の混合物のどちらも意味する。)を電極間に挟持して測定対象とする。この場合、液晶材料の使用が予定される液晶装置に対して、影響を与える物性の特徴がよく現れるように、測定に供する液晶セルを設定することが好ましい。例えば負の誘電異方性を有する液晶材料の評価、1例としてVAモードの液晶装置で使用可能な液晶材料の評価には、垂直配向を備えた液晶セルを使用することができる。また、例えば正の誘電異方性を有する液晶材料の評価、例えばTNモード、IPSモード等で使用可能な材料の評価には、水平配向を備えた液晶セルを使用することができる。   The structure of the liquid crystal cell is set, and a liquid crystal material (both a single compound and a mixture of a plurality of compounds) is sandwiched between the electrodes to be measured. In this case, it is preferable to set the liquid crystal cell to be used for measurement so that the characteristics of the physical properties that affect the liquid crystal device in which the use of the liquid crystal material is scheduled to appear well. For example, for evaluation of a liquid crystal material having negative dielectric anisotropy, for example, for evaluation of a liquid crystal material usable in a VA mode liquid crystal device, a liquid crystal cell having a vertical alignment can be used. For example, a liquid crystal cell having a horizontal alignment can be used for evaluating a liquid crystal material having positive dielectric anisotropy, for example, a material usable in a TN mode, an IPS mode, or the like.

本発明では、液晶材料の評価が可能であるばかりでなく、電極間に挟持する液晶材料を設定し、配向膜または配向方法を変更することで、配向膜/配向方法の評価を行うことも可能である。   In the present invention, not only the liquid crystal material can be evaluated, but also the alignment film / alignment method can be evaluated by setting the liquid crystal material sandwiched between the electrodes and changing the alignment film or the alignment method. It is.

本発明の測定装置は、液晶セルに対して信号電圧を印加可能な信号発生手段と、この信号発生手段と協働してアドミッタンスを測定するアドミッタンス測定手段を有する。   The measuring apparatus of the present invention includes signal generating means capable of applying a signal voltage to the liquid crystal cell, and admittance measuring means for measuring admittance in cooperation with the signal generating means.

測定のために液晶セルに印加する信号電圧は、変更可能な所定の掃引速度Rs(V/秒)で線形に電圧が変化する掃引電圧成分Vsに、アドミッタンス測定のためのプローブ信号として高周波交流成分が重畳された波形を有する。掃引電圧成分Vsは、一般に測定の対象の液晶材料の使用可能性のある(または興味の対象となる)電圧範囲または印加電界範囲を含むように設定される。   The signal voltage applied to the liquid crystal cell for measurement is a sweep voltage component Vs whose voltage changes linearly at a predetermined changeable sweep speed Rs (V / sec), and a high-frequency AC component as a probe signal for admittance measurement. Has a superimposed waveform. The sweep voltage component Vs is generally set to include a voltage range or an applied electric field range in which the liquid crystal material to be measured can be used (or is of interest).

掃引電圧成分Vsは、一定の掃引速度Rs(V/s)で変化することが好ましく、特に絶対値が等しい+|Rs|と−|Rs|(|Rs|は絶対値を示す。)により、最高電圧+Vmaxと最低電圧−Vmaxの間を繰り返して掃引するように変化することが好ましい。   The sweep voltage component Vs preferably changes at a constant sweep speed Rs (V / s), and in particular, + | Rs | and − | Rs | (where | Rs | indicates an absolute value) having the same absolute value. It is preferable to change so as to repeatedly sweep between the maximum voltage + Vmax and the minimum voltage −Vmax.

具体的には、電圧の掃引は、例えば0(ボルト)→+Vmax→−Vmax→0(ボルト)の1サイクルを少なくとも1回行うことが好ましい。一般に、初期の0(ボルト)→Vmaxの間では、その後のサイクルと異なる挙動を示す場合があるので、初期の0(ボルト)→Vmaxを除いて少なくとも1サイクルの掃引を行ってヒステリシスを観察することが好ましい。さらには、複数回の掃引を行ってヒステリシスを観察することが好ましい。   Specifically, the voltage sweep is preferably performed at least once in one cycle of, for example, 0 (volt) → + Vmax → −Vmax → 0 (volt). In general, the initial 0 (volt) → Vmax may behave differently from the subsequent cycles. Therefore, the hysteresis is observed by performing at least one cycle sweep except the initial 0 (volt) → Vmax. It is preferable. Furthermore, it is preferable to observe the hysteresis by performing multiple sweeps.

この掃引電圧のサイクルの中で、正方向の掃引速度と負方向の掃引速度を同一とすることが好ましい。また、Vmaxおよび−Vmaxにおいて、電圧を保持してもよいが、通常は直ちに掃引速度Rsを、+|Rs|から−|Rs|に反転させること、即ち、いわゆる三角波の交流信号が好ましい。   In this sweep voltage cycle, it is preferable that the positive sweep speed and the negative sweep speed be the same. Further, although the voltage may be held at Vmax and −Vmax, it is usually preferable to immediately reverse the sweep speed Rs from + | Rs | to − | Rs |, that is, a so-called triangular wave AC signal.

掃引速度の絶対値は、特に制限はないが、例えば50V/sまでの範囲であり、好ましくは10mV/s〜5V/sの範囲である。典型的な範囲としては、10mV/s〜1V/sの範囲が挙げられる。   The absolute value of the sweep speed is not particularly limited, but is, for example, in the range up to 50 V / s, and preferably in the range of 10 mV / s to 5 V / s. A typical range includes a range of 10 mV / s to 1 V / s.

掃引電圧成分Vsに重畳される高周波交流成分は、アドミッタンス測定のためのプローブ信号である。そのため、高周波交流成分は、正弦波を使用することが好ましく、その周波数は、掃引電圧成分のサイクル周波数よりも十分に高い周波数を有する必要があり、好ましくは10倍以上、より好ましくは50倍以上の周波数を有する。周波数が低い範囲での測定は、掃引電圧との対応が不正確になる。具体的には、好ましくは10Hz〜10kHzであり、より好ましくは10Hz〜1kHzである。   The high-frequency AC component superimposed on the sweep voltage component Vs is a probe signal for admittance measurement. Therefore, it is preferable to use a sine wave as the high-frequency AC component, and the frequency needs to have a frequency sufficiently higher than the cycle frequency of the sweep voltage component, preferably 10 times or more, more preferably 50 times or more. Have a frequency of Measurements in the low frequency range are inaccurate with the sweep voltage. Specifically, it is preferably 10 Hz to 10 kHz, and more preferably 10 Hz to 1 kHz.

また、高周波信号成分の振幅は、液晶分子の配向に影響を与えないように、小さな電圧振幅を採用することが好ましい。ピーク−ピーク振幅Vppとして、例えば1mV〜1Vであり、好ましくは0.5V以下、より好ましくは0.1V以下であり、典型的な例では0.05Vである。   Moreover, it is preferable to employ a small voltage amplitude so that the amplitude of the high-frequency signal component does not affect the alignment of the liquid crystal molecules. The peak-peak amplitude Vpp is, for example, 1 mV to 1 V, preferably 0.5 V or less, more preferably 0.1 V or less, and 0.05 V in a typical example.

さらに、本発明の測定装置では、
前記掃引電圧成分Vs=0のときのアドミッタンスの絶対値をY0、
V2を、前記掃引電圧成分Vsの絶対値が大きくなる方向に掃引したときに、アドミッタンスの絶対値がY0から立ち上がるときの掃引電圧成分Vsの絶対値、
V1を、前記掃引電圧成分Vsの絶対値が小さくなる方向に掃引したときに、アドミッタンスの絶対値がY0に戻るときの掃引電圧成分Vsの絶対値、
ΔVを、ΔV=V2−V1
とそれぞれ定義したとき、
V2、V1およびΔVの測定が可能であることが好ましい。
Furthermore, in the measuring apparatus of the present invention,
The absolute value of admittance when the sweep voltage component Vs = 0 is Y0,
The absolute value of the sweep voltage component Vs when the absolute value of the admittance rises from Y0 when V2 is swept in the direction in which the absolute value of the sweep voltage component Vs increases,
The absolute value of the sweep voltage component Vs when the absolute value of the admittance returns to Y0 when V1 is swept in the direction in which the absolute value of the sweep voltage component Vs decreases,
ΔV, ΔV = V2−V1
Are defined as
It is preferable that measurement of V2, V1 and ΔV is possible.

前述の測定信号電圧印加による液晶材料のアドミッタンス測定では、1例として図2に示すようなヒステリシスのある曲線(縦軸:アドミッタンスの絶対値、横軸:掃引電圧)が得られる。   In the admittance measurement of the liquid crystal material by applying the measurement signal voltage described above, a curve having hysteresis as shown in FIG. 2 (vertical axis: absolute value of admittance, horizontal axis: sweep voltage) is obtained as an example.

掃引電圧成分Vs=0ボルト付近では、アドミッタンス絶対値Y0を示しているが、掃引電圧を大きくしていくと、液晶分子は安定する方向(誘電率が大きくなる方向)に配向を変化させるために、アドミッタンスの絶対値が立ち上がる。この電圧をV2とする。また、電圧を下げて来たときに、アドミッタンスの絶対値がY0に落ちてくる電圧をV1とする。V2とV1の差が、ΔV(=V2−V1)である。   In the vicinity of the sweep voltage component Vs = 0 volts, the admittance absolute value Y0 is shown. However, as the sweep voltage is increased, the liquid crystal molecules change their orientation in a stable direction (direction in which the dielectric constant increases). The absolute value of admittance rises. This voltage is V2. Further, the voltage at which the absolute value of admittance drops to Y0 when the voltage is lowered is defined as V1. The difference between V2 and V1 is ΔV (= V2−V1).

本発明の装置では、掃引速度Rsを変更することが可能である。掃引速度Rsを大きくまたは小さく変えると、V2とV1が一致しΔV=0を満たす掃引速度Rsが見いだされる。このときのRsをv0と定義する。   In the apparatus of the present invention, the sweep speed Rs can be changed. When the sweep speed Rs is changed to be larger or smaller, a sweep speed Rs that matches V2 and V1 and satisfies ΔV = 0 is found. Rs at this time is defined as v0.

これらのV1、V2、ΔV、v0の値は、液晶材料の電圧応答性を表す物性評価のための指標として応用することができると期待される。従来のパラメータとの関連では、Δε、弾性定数、粘性係数などを複合して表していると理解される。   These values of V1, V2, ΔV, and v0 are expected to be applied as indices for evaluating physical properties that represent voltage responsiveness of liquid crystal materials. In relation to conventional parameters, it is understood that Δε, elastic constant, viscosity coefficient and the like are combined.

さらに本発明の装置は、アドミッタンスの位相を測定できることが好ましく、特に掃引電圧に対して、位相変化が最も鋭敏に現れるように、高周波成分の周波数fが調整可能であることが好ましい。アドミッタンスの90°からのずれは、導電率成分が存在することを意味し、液晶材料または配向膜等の長期安定性が問題になる。   Further, the apparatus of the present invention is preferably capable of measuring the phase of admittance, and in particular, the frequency f of the high frequency component is preferably adjustable so that the phase change appears most sensitively with respect to the sweep voltage. The deviation of admittance from 90 ° means that a conductivity component exists, and the long-term stability of the liquid crystal material or the alignment film becomes a problem.

以上のような本発明の液晶物性評価装置は、ハードウェアとともにハードウェアを機能させるソフトウェアを有することができる。従って、信号発生手段およびアドミッタンス測定手段は、それぞれ単独のハードウェアで構成されていてもよいし、複数のハードウェアで構成されていても、両方が一つのハードウェアで構成されてもよい。さらには、ハードウェアと組み合わせたソフトウェアまたは論理的な構成をその一部として有していてもよい。   The liquid crystal property evaluation apparatus of the present invention as described above can have software that causes hardware to function together with hardware. Therefore, the signal generation means and the admittance measurement means may each be configured by a single hardware, or may be configured by a plurality of hardware, or both may be configured by a single hardware. Furthermore, software or a logical configuration combined with hardware may be included as a part thereof.

図3に、液晶物性評価装置の構成の1例をブロック図により示す。この例では、定電位保持装置13および電位掃引装置12により掃引電圧成分Vsをつくり、交流発振器14により高周波交流成分をつくり、掃引電圧成分と高周波交流成分を合わせることで信号電圧を作り出して液晶セル11に印加する。交流振幅測定装置15により交流電流の振幅および位相を測定し、信号電圧を比較して、アドミッタンス(アドミッタンスの絶対値および位相)を得ることができる。さらに、XYレコーダ16を備えることで、掃引電圧を横軸として、縦軸にアドミッタンスの絶対値または位相をプロットすることが可能である。   FIG. 3 is a block diagram showing an example of the configuration of the liquid crystal physical property evaluation apparatus. In this example, a sweep voltage component Vs is generated by the constant potential holding device 13 and the potential sweep device 12, a high-frequency AC component is generated by the AC oscillator 14, and a signal voltage is generated by combining the sweep voltage component and the high-frequency AC component to generate a liquid crystal cell. 11 is applied. The AC amplitude measuring device 15 can measure the amplitude and phase of the AC current and compare the signal voltages to obtain an admittance (absolute value and phase of admittance). Furthermore, by providing the XY recorder 16, it is possible to plot the absolute value or phase of the admittance on the vertical axis with the sweep voltage as the horizontal axis.

次に、液晶材料を評価した実施例を示す。実験には、図3の構成に対応して次の装置を使用した。   Next, examples in which liquid crystal materials were evaluated are shown. In the experiment, the following apparatus was used corresponding to the configuration of FIG.

定電位保持装置は、株式会社東方技研製のポテンシオスタット・ガルバノスタット モデル2020(最大設定電圧±10V、を用いた。電流レンジ±1μA〜±1A 7レンジ、最小電流±1nA以下)を使用した。   Potentiostat and galvanostat model 2020 manufactured by Toho Giken Co., Ltd. (maximum set voltage ± 10 V was used. Current range ± 1 μA to ± 1 A, 7 ranges, minimum current ± 1 nA or less) was used as the constant potential holding device. .

交流発振器は、株式会社エヌエフ回路設計ブロック製 1941/1945マルチファンクションシンセサイザ(振幅 0 mVp−p〜20,000Vp−p、周波数 0.01μHz〜15MHz)を使用した。   As the AC oscillator, a 1941/1945 multifunction synthesizer (amplitude 0 mVp-p to 20,000 Vp-p, frequency 0.01 μHz to 15 MHz) manufactured by NF Circuit Design Block Co., Ltd. was used.

電位掃引装置は、北斗電工株式会社製 簡易関数発生器HB−111(設定電位範囲 −5.000V〜0〜+5.000V、掃引速度 0.1mV/s〜5kV/min)を使用した。   As a potential sweeping device, a simple function generator HB-111 (set potential range −5.000 V to 0 to +5.000 V, sweep speed 0.1 mV / s to 5 kV / min) manufactured by Hokuto Denko Co., Ltd. was used.

交流振幅測定装置には、株式会社エヌエフ回路設計ブロック製 シンクロトラック ロックイン・アンプ LI−575(感度レンジ 100nV〜500mV/F.S、周波数範囲 0.5Hz〜200kHz、入力電圧範囲 0.3V〜30Vp−p)を使用した。   The AC amplitude measuring device includes a synchro track lock-in amplifier LI-575 (sensitivity range 100 nV to 500 mV / FS, frequency range 0.5 Hz to 200 kHz, input voltage range 0.3 V to 30 Vp, manufactured by NF Circuit Design Block Co., Ltd. -P) was used.

XYレコーダは、グラフィック株式会社製 X−Yレコーダ WX1200−UM−101(ペン振れ幅 0.5〜5000mV/cm、最大ペン速度 800mm/s)を使用した。   As the XY recorder, XY Recorder WX1200-UM-101 (pen run width 0.5 to 5000 mV / cm, maximum pen speed 800 mm / s) manufactured by Graphic Co., Ltd. was used.

(実験例1)
セチルトリメチルアンモニウムブロマイドの配向膜を調整した2枚のガラス基板から、セルギャップ5μmであるVA素子を組み立てた。得られたVA素子に液晶材料として、MLC−6608(メルク)を注入し、200mV/sの掃引速度で、Vpp=0.05V、1kHzの交流信号を印加して−5V〜5Vのセル電極間電圧掃引を行った。得られたアドミッタンス電位依存性を図4に示す。
(Experimental example 1)
A VA device having a cell gap of 5 μm was assembled from two glass substrates prepared by adjusting alignment films of cetyltrimethylammonium bromide. As a liquid crystal material, MLC-6608 (Merck) was injected into the obtained VA element, and an AC signal of Vpp = 0.05V and 1 kHz was applied at a sweep rate of 200 mV / s between cell electrodes of -5V to 5V. A voltage sweep was performed. The obtained admittance potential dependence is shown in FIG.

また、アドミッタンス電位依存性と同時に、フェーズシフトの電位依存性を測定した。結果を図5に示す。   In addition, the potential dependence of the phase shift was measured simultaneously with the admittance potential dependence. The results are shown in FIG.

(実験例2)
掃引速度を50mV/sに変えた以外は実験例1と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図6に示す。
(Experimental example 2)
The admittance potential dependence was measured in the same manner as in Experimental Example 1 except that the sweep rate was changed to 50 mV / s. The results are shown in FIG.

(実験例3)
掃引速度を1V/sに変えた以外は実験例1と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図7に示す。
(Experimental example 3)
The admittance potential dependence was measured in the same manner as in Experimental Example 1 except that the sweep rate was changed to 1 V / s. The results are shown in FIG.

実験例1、2、3のVA素子におけるΔVの値を表1に示す。   Table 1 shows values of ΔV in the VA elements of Experimental Examples 1, 2, and 3.

Figure 0005211599
この結果から、掃引速度を大きくしていくにつれて、ΔVの値が大きくなり、この液晶材料およびセル構成の場合では、表の速度範囲ではΔVが−から+へ変化し、ΔV=0は0.2V/sより大きく1V/sより小さい掃引速度で現れる。
Figure 0005211599
From this result, as the sweep speed is increased, the value of ΔV increases, and in the case of this liquid crystal material and cell configuration, ΔV changes from − to + in the speed range shown in the table, and ΔV = 0 is 0. Appears at a sweep rate greater than 2 V / s and less than 1 V / s.

V2は電場エネルギーによって配向し誘電率の変化が起き始める電圧を意味し、V1は電場エネルギーから解放され配向膜のアンカリング力によって元に戻る電圧を意味している。したがって、ΔVは粘性にかかわる電場の影響と弾性にかかわる配向膜の影響の大小を示し、ΔV=0となる掃引速度v0は、粘性にかかわる電場の影響と弾性にかかわる配向膜の影響がつり合っている点であることを意味している。   V2 means a voltage that is oriented by the electric field energy and starts to change the dielectric constant, and V1 means a voltage that is released from the electric field energy and is restored by the anchoring force of the alignment film. Therefore, ΔV indicates the magnitude of the influence of the electric field related to the viscosity and the influence of the alignment film related to the elasticity, and the sweep speed v0 at which ΔV = 0 is balanced between the influence of the electric field related to the viscosity and the influence of the alignment film related to the elasticity. It means that there is a point.

(実験例4)
交流信号をVpp=0.05V、500Hzに変えた以外は実験例1と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図8に示す。
(Experimental example 4)
Admittance potential dependence was measured in the same manner as in Experimental Example 1 except that the AC signal was changed to Vpp = 0.05 V and 500 Hz. The results are shown in FIG.

(実験例5)
交流信号をVpp 0.05V、200Hzに変えた以外は実験例1と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図9に示す。
(Experimental example 5)
The admittance potential dependence was measured in the same manner as in Experimental Example 1 except that the AC signal was changed to Vpp 0.05 V and 200 Hz. The results are shown in FIG.

実験例1、4および5の結果から測定条件として交流信号の周波数を変化させた場合、V1、V2の電位は変化しないことが観測される。すなわち、V1、V2は漏れ電流にかかわらず一定の測定できることを意味している。   From the results of Experimental Examples 1, 4 and 5, it is observed that the potentials of V1 and V2 do not change when the frequency of the AC signal is changed as a measurement condition. That is, V1 and V2 mean that a constant measurement can be performed regardless of the leakage current.

(実験例6)
ポリイミドの配向膜を調整した2枚のガラス基板から、ツイスト角が右90度、セルギャップ5μmであるTN素子を組み立てた。得られたTN素子に液晶として、MLC−6601(メルク)を注入し、200mV/sの掃引速度で、Vpp=0.05V、1kHzの交流信号を印加して−10V〜10Vのセル電極間電圧掃引を行った。得られたアドミッタンス電位依存性を図10および表2に示す。
(Experimental example 6)
A TN device having a twist angle of 90 degrees to the right and a cell gap of 5 μm was assembled from two glass substrates prepared by adjusting polyimide alignment films. MLC-6601 (Merck) was injected as a liquid crystal into the obtained TN device, and an AC signal of Vpp = 0.05V and 1 kHz was applied at a sweep rate of 200 mV / s, and the voltage between the cell electrodes was −10 V to 10 V. A sweep was performed. The obtained admittance potential dependence is shown in FIG.

(実験例7)
ツイスト角を180度(アンチパラレル)に変えた以外は実験例6と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図11および表3に示す。
(Experimental example 7)
Admittance potential dependence was measured in the same manner as in Experimental Example 6 except that the twist angle was changed to 180 degrees (anti-parallel). The results are shown in FIG.

(実験例8)
ツイスト角を左90度に変えた以外は実験例6と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図12および表4に示す。
(Experimental example 8)
The admittance potential dependence was measured in the same manner as in Experimental Example 6 except that the twist angle was changed to 90 degrees to the left. The results are shown in FIG.

(実験例9)
ツイスト角を360度(パラレル)に変えた以外は実験例6と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図13および表5に示す。
(Experimental example 9)
Admittance potential dependence was measured in the same manner as in Experimental Example 6 except that the twist angle was changed to 360 degrees (parallel). The results are shown in FIG. 13 and Table 5.

(実験例10)
液晶として、カイラルドープ剤ZLI−4571(メルク)を0.5%添加したMLC−6601(メルク)に変えた以外は実験例6と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図14および表2に示す。
(Experimental example 10)
Admittance potential dependence was measured in the same manner as in Experimental Example 6 except that the liquid crystal was changed to MLC-6601 (Merck) to which 0.5% of chiral dopant ZLI-4571 (Merck) was added. The results are shown in FIG.

(実験例11〜13)
カイラルドープ剤ZLI−4571(メルク)を0.1%、0.2%、1%をそれぞれ添加したMLC−6601(メルク)に変えた以外は実験例6と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を表2に示す。
(Experimental Examples 11 to 13)
Except for changing the chiral dopant ZLI-4571 (Merck) to MLC-6601 (Merck) to which 0.1%, 0.2% and 1% were added, respectively, the same as in Experimental Example 6, It was measured. The results are shown in Table 2.

Figure 0005211599
Figure 0005211599

(実験例14〜17)
液晶として、カイラルドープ剤ZLI−4571(メルク)を0.1%、0.2%、0.5%、1%をそれぞれ添加したMLC−6601(メルク)に変えた以外は実験例7と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を表3に示す。
(Experimental Examples 14-17)
Except that the liquid crystal was changed to MLC-6601 (Merck) to which the chiral dopant ZLI-4571 (Merck) was added 0.1%, 0.2%, 0.5%, and 1%, respectively, the same as Experimental Example 7 The admittance potential dependence was measured. The results are shown in Table 3.

Figure 0005211599
Figure 0005211599

(実験例18〜21)
液晶として、カイラルドープ剤ZLI−4571(メルク)を0.1%、0.2%、0.5%、1%をそれぞれ添加したMLC−6601(メルク)に変えた以外は実験例8と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を表4に示す。
(Experimental Examples 18 to 21)
The same as Experimental Example 8 except that the liquid crystal was changed to MLC-6601 (Merck) to which 0.1%, 0.2%, 0.5% and 1% of the chiral dopant ZLI-4571 (Merck) was added, respectively. The admittance potential dependence was measured. The results are shown in Table 4.

Figure 0005211599
Figure 0005211599

(実験例22〜20)
液晶として、カイラルドープ剤ZLI−4571(メルク)を0.1%、0.2%、0.5%、1%をそれぞれ添加したMLC−6601(メルク)に変えた以外は実験例9と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を表5に示す。
(Experimental Examples 22 to 20)
The same as Experimental Example 9 except that the liquid crystal was changed to MLC-6601 (Merck) to which 0.1%, 0.2%, 0.5% and 1% of the chiral dopant ZLI-4571 (Merck) was added, respectively. The admittance potential dependence was measured. The results are shown in Table 5.

Figure 0005211599
Figure 0005211599

実験例6〜25の結果から、各ツイスト角についてカイラルドープ剤の添加量とΔVの関係を図15に示す。カイラルドープ剤の添加量が大きくなると、ヒステリシスが大きくなり配向に及ぼす影響が大きくなり、ある濃度以上では配向に及ぼす影響が飽和することがわかる。一方、添加量が小さすぎると、配向に及ぼす影響が小さくなる。したがって、ΔVはカイラルドープ剤の最適な添加量を決定する指標となることを意味している。   From the results of Experimental Examples 6 to 25, FIG. 15 shows the relationship between the addition amount of the chiral dopant and ΔV for each twist angle. It can be seen that as the amount of the chiral dopant is increased, the hysteresis is increased and the influence on the orientation is increased, and the influence on the orientation is saturated at a certain concentration or more. On the other hand, when the addition amount is too small, the influence on the orientation becomes small. Therefore, ΔV means that it becomes an index for determining the optimum addition amount of the chiral dopant.

(実験例26)
掃引速度を50mV/sに変えた以外は実験例6と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図16に示す。
(Experimental example 26)
The admittance potential dependence was measured in the same manner as in Experimental Example 6 except that the sweep rate was changed to 50 mV / s. The results are shown in FIG.

(実験例27)
掃引速度を1V/sに変えた以外は実験例6と同様に行い、アドミッタンス電位依存性を測定した。結果を図17に示す。
(Experiment 27)
The admittance potential dependence was measured in the same manner as in Experimental Example 6 except that the sweep rate was changed to 1 V / s. The results are shown in FIG.

実験例6、26,27のTN素子におけるΔVの値を表6に示す。   Table 6 shows values of ΔV in the TN elements of Experimental Examples 6, 26, and 27.

Figure 0005211599

この結果から、掃引速度を大きくしていくにつれて、表の速度範囲ではΔVが+の範囲で大きくなった。この液晶材料およびセル構成の場合では、外挿すると、ΔV=0は0.05V/sより小さな掃引速度で現れる。
Figure 0005211599

From this result, as the sweep speed was increased, ΔV increased in the + range in the speed range shown in the table. In the case of this liquid crystal material and cell configuration, when extrapolated, ΔV = 0 appears at a sweep rate less than 0.05 V / s.

尚、TNセル(実験例6で使用したセル)に誘電率異方性が負である液晶材料(実験例1で使用した液晶材料)を注入して測定した場合や、VA素子(実験例1で使用したセル)に誘電率異方性が正である液晶材料(実験例6で使用した液晶材料)を注入して測定した場合には、アドミッタンス電位依存性は見られなかった。   In addition, when a liquid crystal material (liquid crystal material used in Experimental Example 1) having a negative dielectric anisotropy is injected into a TN cell (the cell used in Experimental Example 6), a VA element (Experimental Example 1) is measured. When the liquid crystal material having a positive dielectric anisotropy (the liquid crystal material used in Experimental Example 6) was injected into the cell used in the above, the admittance potential dependence was not observed.

本発明に使用される液晶セルの構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the liquid crystal cell used for this invention. 掃引電圧に対するアドミッタンスの絶対値の依存性の1例を模式的に示すグラフである。It is a graph which shows typically an example of the dependence of the absolute value of admittance with respect to a sweep voltage. 本発明の液晶物性評価装置の1例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows one example of the liquid-crystal physical-property evaluation apparatus of this invention. 実験例1で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。It is a figure which shows the voltage dependence of the absolute value of the admittance measured in Experimental example 1. FIG. 実験例1で測定したアドミッタンスの位相の電圧依存性を示す図である。It is a figure which shows the voltage dependence of the phase of the admittance measured in Experimental example 1. FIG. 実験例2で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。It is a figure which shows the voltage dependence of the absolute value of the admittance measured in Experimental example 2. FIG. 実験例3で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。It is a figure which shows the voltage dependence of the absolute value of the admittance measured in Experimental example 3. FIG. 実験例4で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。It is a figure which shows the voltage dependence of the absolute value of the admittance measured in Experimental example 4. FIG. 実験例5で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。It is a figure which shows the voltage dependence of the absolute value of the admittance measured in Experimental example 5. FIG. 実験例6で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。It is a figure which shows the voltage dependence of the absolute value of the admittance measured in Experimental example 6. FIG. 実験例7で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。It is a figure which shows the voltage dependence of the absolute value of the admittance measured in Experimental example 7. FIG. 実験例8で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。It is a figure which shows the voltage dependence of the absolute value of the admittance measured in Experimental example 8. FIG. 実験例9で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。It is a figure which shows the voltage dependence of the absolute value of the admittance measured in Experimental example 9. FIG. 実験例10で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。It is a figure which shows the voltage dependence of the absolute value of the admittance measured in Experimental example 10. FIG. カイラルドープ剤の添加量とΔVの関係を示すグラフである。It is a graph which shows the addition amount of a chiral dopant, and the relationship of (DELTA) V. 実験例26で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。It is a figure which shows the voltage dependence of the absolute value of the admittance measured in Experimental example 26. 実験例27で測定したアドミッタンスの絶対値の電圧依存性を示す図である。It is a figure which shows the voltage dependence of the absolute value of the admittance measured in Experimental example 27.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2 電極
3 配向膜
4 液晶層
11 液晶セル
12 電位掃引装置
13 定電位保持装置
14 交流発振器
15 交流振幅測定装置
16 XYレコーダ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Electrode 3 Alignment film 4 Liquid crystal layer 11 Liquid crystal cell 12 Potential sweep device 13 Constant potential holding device 14 AC oscillator 15 AC amplitude measurement device 16 XY recorder

Claims (6)

2枚の対向する電極を有し、その間に液晶を挟持する液晶セルと、
前記2枚の対向する電極間に印加する電圧として、制御可能な掃引速度Rs(V/秒)で変化する掃引電圧成分Vsと、前記掃引電圧成分に重畳され、周波数fおよびピーク−ピーク振幅Vppを有する高周波交流成分が合成された信号電圧を、前記液晶セルに印加可能な信号発生手段と、
前記信号電圧の掃引電圧成分に対応するアドミッタンスを測定可能なアドミッタンス測定手段と、
を有し、
前記掃引電圧成分Vsが、所定の電圧−Vmax〜+Vmaxの間で正方向および負方向に少なくとも1往復以上繰り返して掃引され、
前記掃引電圧成分Vs=0のときのアドミッタンスの絶対値をY0、
V2を、前記掃引電圧成分Vsの絶対値が大きくなる方向に掃引したときに、アドミッタンスの絶対値がY0から立ち上がるときの掃引電圧成分Vsの絶対値、
V1を、前記掃引電圧成分Vsの絶対値が小さくなる方向に掃引したときに、アドミッタンスの絶対値がY0に戻るときの掃引電圧成分Vsの絶対値、
ΔVを、ΔV=V2−V1
とそれぞれ定義したとき、
V2、V1およびΔVが、測定または決定されること
を特徴とする液晶物性評価装置。
A liquid crystal cell having two opposing electrodes and sandwiching a liquid crystal therebetween,
As a voltage to be applied between the two opposing electrodes, a sweep voltage component Vs that changes at a controllable sweep speed Rs (V / sec), and a frequency f and a peak-peak amplitude Vpp superimposed on the sweep voltage component. A signal generating means capable of applying a signal voltage obtained by synthesizing a high-frequency AC component having
Admittance measurement means capable of measuring an admittance corresponding to the sweep voltage component of the signal voltage;
I have a,
The sweep voltage component Vs is repeatedly swept between a predetermined voltage −Vmax to + Vmax at least once in the positive direction and the negative direction,
The absolute value of admittance when the sweep voltage component Vs = 0 is Y0,
The absolute value of the sweep voltage component Vs when the absolute value of the admittance rises from Y0 when V2 is swept in the direction in which the absolute value of the sweep voltage component Vs increases,
The absolute value of the sweep voltage component Vs when the absolute value of the admittance returns to Y0 when V1 is swept in the direction in which the absolute value of the sweep voltage component Vs decreases,
ΔV, ΔV = V2−V1
Are defined as
A liquid crystal physical property evaluation apparatus , wherein V2, V1, and ΔV are measured or determined .
前記アドミッタンスの絶対値を、前記掃引電圧成分Vsに対して表示可能な表示手段をさらに有する請求項1記載の液晶物性評価装置。   The liquid crystal physical property evaluation apparatus according to claim 1, further comprising display means capable of displaying the absolute value of the admittance with respect to the sweep voltage component Vs. 前記掃引電圧成分Vsの掃引速度Rsを変化させ、ΔV=0となる掃引速度v0が測定または決定されることを特徴とする請求項1または2記載の液晶物性評価装置。 3. The liquid crystal physical property evaluation apparatus according to claim 1, wherein the sweep speed Rs of the sweep voltage component Vs is changed, and the sweep speed v <b> 0 at which ΔV = 0 is measured or determined. 前記アドミッタンスの位相を、前記掃引電圧成分Vsに対して表示可能な表示手段を有することを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載の液晶物性評価装置。 Liquid crystal physical property evaluation apparatus according to any one of claims 1 to 3, characterized in that a display means capable of displaying the phase of the admittance with respect to the sweeping voltage component Vs. 前記高周波交流成分の周波数fおよびピーク−ピーク振幅Vppが変更可能であり、前記周波数fが、前記アドミッタンスの位相変化が最も鋭敏に観測されるように設定されることを特徴とする請求項4記載の液晶物性評価装置。 5. The frequency f and peak-peak amplitude Vpp of the high-frequency AC component can be changed, and the frequency f is set so that the phase change of the admittance is observed most sensitively. Liquid crystal physical property evaluation device. 前記2つの電極は、その間に挟持する液晶の配向方向を決める配向手段を有することを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載の液晶物性評価装置。 The two electrodes, the liquid crystal physical property evaluation apparatus according to any one of claims 1 to 5, characterized in that it comprises an orientation means for determining the orientation of the liquid crystal to be sandwiched therebetween.
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