JP3183646B2 - Splay - bend transition time of the evaluation device - Google Patents

Splay - bend transition time of the evaluation device

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【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は,光学補償ベンドモード(OCBモード)の液晶表示素子において、スプレイ配向からベンド配向への転移の容易性を評価するための評価法に関するものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention provides a liquid crystal display device of the optical compensation bend mode (OCB mode), to an evaluation method for evaluating the ease of transition from splay alignment to bend alignment.

【0002】 [0002]

【従来の技術】液晶表示素子は薄型で軽量、かつ低消費電力のディスプレイ素子であり、テレビやビデオなどの画像表示装置や、モニター、ワープロ、パーソナルコンピュータなどのOA機器に広く用いられている。 A liquid crystal display element is a display element of the light weight, and low power consumption in flat-panel, and an image display device such as a television or a video monitor, a word processor, are widely used in OA equipment such as personal computers.

【0003】従来、液晶表示素子として例えば、ネマティック液晶を用いたツイステッドネマティック(TN) Conventionally, twisted nematic used as a liquid crystal display device for example, a nematic liquid crystal (TN)
モ−ドの液晶表示素子が実用化されているが、応答が遅い、視野角が狭いなどの欠点を有している。 Mode - the liquid crystal display device of the de has been put to practical use, the response is slow, the viewing angle has a disadvantage of such narrow. また、応答が速く、視野角が広い強誘電性液晶(FLC)、あるいは反強誘電性液晶(AFLC)などの表示モ−ドもあるが耐ショック性、温度特性など大きな欠点があり、広く実用化されるまでには至っていない。 Moreover, fast response, display mode, such as wide viewing angle ferroelectric liquid crystal (FLC), or anti-ferroelectric liquid crystal (AFLC) - de also has shock resistance, there are significant drawbacks such as temperature characteristics, widely used It has yet to until they are of. また、光散乱を利用する高分子分散型液晶表示モ−ドは偏光板を必要とせず、高輝度表示が可能であるが、本質的に位相板による視角制御が出来ないうえ、応答特性課題を有しており、 The polymer dispersion type liquid crystal display utilizing the light scattering mode - de does not require a polarizing plate, it is capable of high luminance display, upon which is essentially able viewing angle control by the phase plate, the response characteristic problems has,
TNモードに対する優位性は少ない。 Superiority over TN mode is small.

【0004】一方、最近応答が速く視野角が広い表示モードとして光学補償ベンド(OCB)モ−ドが提案されている(特開平7−84254号公報)。 On the other hand, recent responses faster Optically Compensated Bend (OCB) as a viewing angle is wide display mode mode - de has been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 7-84254). このモ−ドの液晶表示素子は、図22に示すように、透明電極2が形成されているガラス基板1と、透明電極7が形成されているガラス基板8と、基板1,8間に配置される液晶層4とを有する。 This mode - de liquid crystal display element, as shown in FIG. 22, the glass substrate 1, the transparent electrode 2 is formed, a glass substrate 8 transparent electrode 7 is formed, disposed between the substrates 1 and 8 and a liquid crystal layer 4. 電極2,7上には、配向膜3,6が形成され、この配向膜3,6には、液晶分子を平行且つ同一方向に配向させるべく、配向処理がなされている。 On the electrode 2 and 7 is formed an alignment film 3 and 6, the alignment film 3 and 6, to align the liquid crystal molecules parallel and in the same direction, the alignment treatment is performed. また、基板1,8の外側には、偏向板10,12がクロスニコルに配設されており、この偏向板10,12と基板1,8間には、透過光に負の位相差を与える位相補償板11,13が介在している。 Further, on the outer side of the substrate 1 and 8, the deflection plates 10 and 12 are arranged in a cross nicol state, between the deflection plates 10, 12 and the substrate 1 and 8, provide a negative retardation in transmitted light phase compensation plates 11 and 13 is interposed. このような構造の液晶セルは、電圧印加により、セル中央部にベンド配向あるいはねじれ配向を含んだベンド配向を誘起させることと、低電圧駆動と視野角拡大のために位相補償板11,13を配設することを特徴としたものであり、性能的には中間調表示域においても高速応答が可能であると同時に広い視野角特性を有している。 A liquid crystal cell having such a structure, a voltage is applied, and thereby induce a bend alignment including a bend alignment or twisted to the cell central portion, the phase compensating plates 11 and 13 for larger low-voltage driving and the viewing angle it is obtained by, characterized in that arranged, and has a wide viewing angle characteristics at the same time as the performance manner is also capable of high-speed response in halftone display area.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】上記OCBモードでは、図22に示すように、スプレイ配向状態5aから、 In the OCB mode [0005] As shown in FIG. 22, from a splay alignment state 5a,
30V程度の電圧印加によりベンド配向状態5bにする初期化処理を行い、その後、数V程度の電圧駆動により、液晶表示を行っている。 Performs initialization of the bend alignment state 5b by applying a voltage of about 30 V, then the voltage drive of several V, is carried out a liquid crystal display. 従って、OCBモードでは、初期化処理が必要不可欠である。 Thus, in the OCB mode, it is essential initialization process.

【0006】しかしながら、現状のOCBモードの液晶表示素子では、数V程度の電圧印加により初期化を行う場合に、分単位の時間が必要であり、OCBモードの課題の一つになっている。 However, in the liquid crystal display device of the current OCB mode, when performing initialization by applying a voltage of several V, requires time in minutes, it has become one of the OCB mode problems. そのため、数V程度の電圧印加により容易にベンド配向が形成される、転移速度の速い液晶材料が望まれている。 Therefore, easily bend alignment by applying a voltage of several V is formed, fast transition speed liquid crystal material is desired.

【0007】ところで、上記OCBモードの液晶表示素子をTFT駆動しようとすれば、低電圧で、スプレイ配向からベンド配向へより速く転移する液晶材料が必要となる。 By the way, if an attempt TFT driving liquid crystal display device of the OCB mode, a low voltage, the liquid crystal material to transition faster from splay alignment to bend alignment is required. 従って、OCBモードの液晶表示素子の研究開発の過程において、液晶材料を選定する際に、当該転移時間の測定が必要となり、この転移時間の測定により、液晶材料の選定の際の順位づけが可能となる。 Thus, in the course of research and development of liquid crystal display device of the OCB mode, when selecting the liquid crystal material, requires measurement of the transition time, the measurement of the transition time, possible ranking upon selection of the liquid crystal material to become.

【0008】そして、当該転移時間は、従来、目視観察により電極面積の全領域がスプレイ配向からベンド配向になるのに要する時間を測定し、その値でもって定義していた。 [0008] Then, the transition time is conventionally entire region of the electrode area is measured the time required to become from splay alignment to bend alignment by visual observation, it has been defined with its value. 具体的に説明すれば、測定用液晶セルの両外方にそれぞれ偏光軸方向が直交する偏光板を設け、測定用液晶セルに電圧を印加して、偏光板を介して、色変化(黒色・灰色等の無彩色の濃淡の状態)を目視観察して、ベンド配向に達したことを認識した時点までの時間により、転移時間と定義していた。 In detail, the polarizing plate, each polarization axis direction on both outward perpendicular to the liquid crystal cell for measurement provided by applying a voltage to the liquid crystal cell for measurement, through a polarizing plate, the color change (black- state) of achromatic shade of gray or the like was visually observed and the time until the time it is recognized that reaches the bend alignment was defined as metastasis time.

【0009】しかしながら、上記評価法では、人間による目視観察に基づくため、転移時間に個人差が生じ、バラツキのあるものとなる。 However, in the above evaluation method, based on the visual observation by a human, individual differences occur in the transition time, and some of the variations. 従って、再現性に乏しく、また、自動計測に適していない。 Thus, poor reproducibility, and not suitable for automatic measurement. 特に、スプレイ配向からベンド配向への転移においては、液晶分子の殆どが立つている状態のため、クロスニコルの下、色変化が黒色・ In particular, in the transition from splay alignment to bend alignment, because a state in which most of the liquid crystal molecules are standing under crossed nicols, color change black &
灰色等の無彩色の濃淡状態として表れ、電極面積の全領域がベンド配向となる時点を確定しにくく、より一層評価を困難にものとしている。 Appears as shading state of achromatic gray etc., difficult to determine the time when the entire region of the electrode area becomes bend alignment, it is difficult to stuff the more evaluation.

【0010】尚、参考までに述べると、上記の目視観察による評価法を用いた場合において、配向転移に影響するチルト角、温度等の種々のパラメータを変えて、多数のサンプルについて評価を行えば、上記測定のバラツキを全体として緩和することはできる。 [0010] When discussed for reference, in the case of using the evaluation method by the visual observation, the tilt angle that affect alignment transition, changing various parameters such as temperature, by performing the evaluation for a large number of samples , it is possible to relax the overall variation of the measurement. しかし、このような評価法であれば、サンプル数が多くなり、評価のための測定の工程が多くなると共に、評価に長時間を要するという問題が生じる。 However, if such an evaluation method, the number of number of samples, process with increases in measurement for evaluation, it takes a long time to evaluate results.

【0011】本発明の目的は、上記課題に鑑み、スプレイ配向からベンド配向への転移時間を容易で、しかも信頼性の高い評価することができるようにしたスプレイ− An object of the present invention has been made in view of the above problems, it is easy to transfer time from splay alignment to bend alignment, moreover spray was to be able to reliable evaluation -
ベンド転移時間(スプレイ配向からベンド配向への転移時間を意味する。)の評価法を提供することである。 Bend transition time (meaning the transition time from splay alignment to bend alignment.) Is to provide an evaluation method of.

【0012】 [0012]

【0013】 [0013]

【0014】 [0014]

【0015】 [0015]

【0016】 [0016]

【0017】 [0017]

【0018】 [0018]

【0019】 [0019]

【0020】 [0020]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため、本発明のうち請求項1記載の発明は、設定電圧を段階的に上昇させながら、スプレイ配向を示すホモジニアス液晶セルに電圧を印加する手段と、前記電圧上昇時における設定電圧と同一設定電圧を段階的に下降させながら、ベンド配向を示す液晶セルに電圧を印加する手段と、前記印加電圧の上昇及び下降時における各設定電圧値毎のセル容量の時間変化をモニターする手段と、前記モニター手段のモニター結果に基づき電圧−セル容量曲線上のヒステリシスの大きさを算出する手段と、を含むことを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評価装置である。 Means for Solving the Problems] To solve the above problems, the invention according to claim 1 of the present invention, while stepwise increasing the set voltage, a voltage is applied to the homogeneous liquid crystal cell showing a splay alignment means and, while stepwise lowers the setting voltage and the same set voltage when the voltage rises, and means for applying a voltage to the liquid crystal cell showing a bend alignment, each set voltage value at the time of rise and fall of the applied voltage the means for monitoring the temporal change in cell volume, the monitoring means monitors results based voltage - bend transition time - spray, characterized in that it comprises means for calculating the magnitude of hysteresis on the cell capacity curves, evaluation is a device.

【0021】上記構成により、評価指標としての電圧− [0021] According to the above configuration, the voltage of as an evaluation index -
セル容量曲線のヒステリシスの大きさを自動的に計測することができる。 It is possible to measure the magnitude of the hysteresis of the cell capacitance curve automatically.

【0022】 [0022]

【0023】 [0023]

【0024】 [0024]

【0025】本発明のうち請求項2記載の発明は、設定電圧を段階的に上昇させながら、スプレイ配向を示すホモジニアス液晶セルに電圧を印加する手段と、前記印加電圧の上昇時における各設定電圧値毎のセル容量の時間変化をモニターする手段と、前記モニター手段のモニター結果に基づき、前記複数の設定電圧値のうち容量値が増加していく電圧値を求め、この電圧値に関してセル容量が一定値に飽和するまでの時間を算出する算出手段と、を含むことを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評価装置である。 The invention described in claim 2 of the present invention, while stepwise increasing the set voltage, means for applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell showing a splay alignment, the set voltage during rise of the applied voltage means for monitoring a time change of a cell capacity of each value based on the monitoring result of said monitoring means determines a voltage value capacitance value increases among the plurality of setting voltage values, the cell capacitance with respect to the voltage value spray, characterized in that it comprises a calculating means for calculating a time to saturation at a constant value - an evaluation of the bend transition time.

【0026】上記構成により、評価指標としての設定電圧の上昇時における飽和時間を自動的に計測することができる。 [0026] With this configuration, it is possible to automatically measure the saturation time at elevated set voltage as an evaluation index.

【0027】 [0027]

【0028】 [0028]

【0029】 [0029]

【0030】本発明のうち請求項3記載の発明は、設定電圧を段階的に下降させながら、ベンド配向を示す液晶セルに電圧を印加する手段と、前記印加電圧の下降時における各設定電圧値毎のセル容量の時間変化をモニターする手段と、前記モニター手段のモニター結果に基づき、前記複数の設定電圧値のうち容量値が減少していく電圧値を求め、この電圧値に関してセル容量が一定値に飽和するまでの時間を算出する手段と、を含むことを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評価装置である。 The invention of claim 3, wherein one of the present invention, while stepwise lowers the set voltage, means for applying a voltage to the liquid crystal cell showing a bend alignment, the set voltage value at the time of falling of the applied voltage means for monitoring a time change of a cell capacity of each, based on the monitoring result of said monitoring means determines a voltage value capacitance value decreases among the plurality of setting voltage values, the cell capacity is constant with respect to this voltage value spray, characterized in that it comprises means for calculating the time until saturation value, a - an evaluation of the bend transition time.

【0031】上記構成により、評価指標としての設定電圧の下降時における飽和時間を自動的に計測することができる。 [0031] With this configuration, it is possible to automatically measure the saturation time during the descent of the set voltage as an evaluation index.

【0032】 [0032]

【0033】 [0033]

【0034】本発明のうち請求項4記載の発明は、設定電圧を段階的に上昇させながら、スプレイ配向を示すホモジニアス液晶セルに電圧を印加する手段と、前記印加電圧の上昇時における各設定電圧値毎のセル容量の時間変化をモニターする手段と、前記モニター手段のモニター結果に基づき、前記複数の設定電圧値のうち容量値が増加していく電圧値を求め、この電圧値に関するセル容量の変化率を算出する手段と、を含むことを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評価装置である。 The invention described in claim 4 of the present invention, while stepwise increasing the set voltage, means for applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell showing a splay alignment, the set voltage during rise of the applied voltage means for monitoring a time change of a cell capacity of each value based on the monitoring result of said monitoring means determines a voltage value capacitance value increases among the plurality of setting voltage values, the cell capacity for this voltage value an evaluation of the bend transition time - means for calculating a change rate, spray, which comprises a.

【0035】上記構成により、評価指標としての設定電圧の上昇時におけるセル容量の変化率を自動的に計測することができる。 [0035] With this configuration, it is possible to automatically measure the rate of change of the cell capacity during increase of the set voltage as an evaluation index.

【0036】 [0036]

【0037】 [0037]

【0038】本発明のうち請求項5記載の発明は、設定電圧を段階的に下降させながら、ベンド配向を示す液晶セルに電圧を印加する手段と、前記印加電圧の下降時における各設定電圧値毎のセル容量の時間変化をモニターする手段と、前記モニター手段のモニター結果に基づき、前記複数の設定電圧値のうち容量値が減少していく電圧値を求め、この電圧値に関するセル容量の変化率を算出する手段と、を含むことを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評価装置である。 The invention of claim 5, wherein out of the present invention, while stepwise lowers the set voltage, means for applying a voltage to the liquid crystal cell showing a bend alignment, the set voltage value at the time of falling of the applied voltage means for monitoring a time change of a cell capacity of each, based on the monitoring result of said monitoring means determines a voltage value capacitance value decreases among the plurality of setting voltage values, changes in cell capacitance on this voltage value spray, characterized in that it comprises means for calculating the rate, the - an evaluation of the bend transition time.

【0039】上記構成により、評価指標としての設定電圧の下降時におけるセル容量の変化率を自動的に計測することができる。 [0039] With this configuration, it is possible to automatically measure the rate of change of the cell capacity during downward movement of the set voltage as an evaluation index.

【0040】 [0040]

【0041】 [0041]

【0042】 [0042]

【0043】 [0043]

【0044】 [0044]

【発明の実施の形態】(実施の形態1)実施の形態1に係るスプレイ−ベンド転移時間の評価法は、以下の DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (Embodiment 1) spray according to the first embodiment - Evaluation of bend transition time, the following
〜 の工程により行う。 Carried out by the process of ~. スプレイ配向を示すホモジニアスセルに電圧を印加する。 Applying a voltage to a homogeneous cell showing a splay alignment. 電圧印加後のセル容量の時間変化をモニターする。 Monitoring the temporal change of the cell capacity after voltage application. モニターの結果より、電圧印加時から容量変化の屈曲点に到達するまでの時間T From the results of monitoring, time T from the time of voltage application to reach the inflection point of the capacitance change
1、又は電圧印加時から容量変化の飽和点に到達するまでの時間T2を求める。 1, or determining the time T2 from the time of voltage application to reach the saturation point of capacitance change. 上記の時間T1又は時間T2 The above-mentioned time T1 or time T2
を評価指標として、スプレイ−ベンド転移時間を評価する。 As an evaluation index, splay - to evaluate the bend transition time.

【0045】このような実施の形態1に係る評価法により、容易で且つ信頼性の高い転移時間の評価を行うことができる。 [0045] The evaluation method according to Embodiment 1 of this embodiment, it is possible to evaluate the easy and reliable transition time. 以下に、その理由及び評価法の詳細を、本発明者の実験結果に基づき説明する。 Hereinafter, the details of the reasons and the evaluation method will be described based on the inventor's experimental results.

【0046】図1は実施の形態1に係るスプレイ−ベンド転移時間の評価法に使用したテスト用の液晶セルの構成図である。 [0046] Figure 1 is sprayed according to the first embodiment - is a configuration diagram of a liquid crystal cell for testing using the evaluation method of the bend transition time. この液晶セルは、電圧無印加時にはスプレイ配向を示すホモジニアスセルであり、電圧印加によりベンド配向に配向転移がなされるベンド配向モードの液晶セルである。 The liquid crystal cell, at the time of no voltage application is homogeneous cell showing a splay alignment, a liquid crystal cell of bend alignment mode alignment transition to the bend orientation is performed by applying a voltage. 上記液晶セルを、以下の方法で製造した。 The liquid crystal cell was manufactured by the following method.

【0047】先ず、透明電極2、7を有する2枚のガラス基板1、8上に日産化学工業製配向膜塗料SE−74 Firstly, manufactured by Nissan Chemical Industries orientation on the two glass substrates 1 and 8 of a transparent electrode 2 and 7 film coating SE-74
92をスピンコート法にて塗布し、恒温槽中180℃、 92 was applied by spin-coating method, 180 ℃ in a constant temperature bath,
1時間硬化させ配向膜3、6を形成する。 Cured for 1 hour to form the alignment film 3 and 6. その後、レーヨン製ラビング布を用いて、配向膜3、6の表面に、図2に示す方向にラビング処理を施す。 Then, using a rayon rubbing cloth, to the surface of the alignment film 3 and 6, it rubbed in the direction shown in FIG. 尚、図2において、15は基板1側のラビング方向、16は基板8側のラビング方向を示す。 In FIG. 2, 15 is the rubbing direction of the substrate 1 side, 16 denotes the rubbing direction of the substrate 8 side.

【0048】次いで、積水ファインケミカル(株)製スペーサ5、およびストラクトボンド352A(三井東圧化学(株)製シール樹脂の商品名)を用いて基板間隔が5.3μmとなるように貼り合わせ、空セル9を2ヶ作成した。 [0048] Next, bonded to substrate spacing is 5.3μm using Sekisui Fine Chemical Co. spacer 5, and strike lacto Bond 352A (tradename Mitsui Toatsu Chemicals Co., Ltd. seal resin), Check the cell 9 was 2 months creating. 次に、液晶層4を構成すべく、表1に示す物性値を有する液晶材料LC2、LC4を真空注入法にて各空セル9にそれぞれ注入して、テストセルA、Bを作製した。 Next, in order to form the liquid crystal layer 4, the liquid crystal material LC2, LC4 having the following physical data shown in Table 1 were respectively injected into each empty cells 9 by a vacuum filling method to prepare test cells A, a B.

【表1】 [Table 1]

【0049】次に、上記テストセルA、Bを用いて、本実施の形態1に係る評価法を行った。 Next, the test cell A, with B, were evaluated method according to the first embodiment.

【0050】テストセルA、Bに10Vを印加して、セル容量の時間変化を測定した。 The test cell A, by applying a 10V to B, to measure the time variation of the cell capacity. 測定結果を、図3に示す。 The measurement results are shown in Figure 3. 尚、セル容量の測定は、精密LCRメータ(ヒューレット・パッカード社製品番HP−4284A)を用いて行い、印加電圧波形は正弦波1kHzであった。 The measurement of the cell capacity was carried out using a precision LCR meter (Hewlett-Packard product number HP-4284A), the applied voltage waveform was a sine wave 1 kHz.

【0051】図3において、点a、a'はスプレイ配向中にベンド配向の核が発生し始めたポイントであり、線分ab、及び線分a'b'の各傾きは核成長の速度に対応している。 [0051] In FIG. 3, the points a, a 'is a point where nuclei began to occur in the bend alignment in the spray orientation, a line segment ab, and the line segment a'b' each slope of the speed of nucleation It is compatible. また、点c、c'はセル全域にわたってベンド配向が形成されたポイントである。 A point c, c 'is a point at which the bend alignment over entire cell is formed. この図3より、 From this Figure 3,
電圧印加時から容量変化の屈曲点に到達するまでの時間T1、電圧印加時から容量変化の飽和点に到達するまでの時間T2のいずれも、セルBよりもセルAの方が、短いことが認められる。 Time T1 from the time of voltage application to reach the inflection point of the capacitance change, none of the time T2 from the time of voltage application to reach the saturation point of capacitance change, the direction of the cell A than the cell B, short it is Is recognized. よって、セルBよりもセルAの方が、転移が容易であると評価することができる。 Therefore, it is possible to better the cell A than cell B, it evaluates the transition is easy.

【0052】このような時間T1又はT2を用いることにより、スプレイ配向からベンド配向への転移時間を評価できるのは、以下の理由による。 [0052] By using such a time T1 or T2, you can evaluate the transition time from splay alignment to bend alignment for the following reasons.

【0053】即ち、図4(a)に示すように、スプレイ配向20を示す液晶セルに、一定電圧を印加すると、一定時間経過後に図4(b)に示すように、スプレイ配向20の全領域のうちの一部にベンド配向の核21が生じる。 [0053] That is, as shown in FIG. 4 (a), the liquid crystal cell showing a splay alignment 20, upon application of a constant voltage, as shown in FIG. 4 (b) after a predetermined time has elapsed, the entire region of the splay alignment 20 the nucleus 21 of bend alignment occurs in the part of the. そして、このベンド配向の核21がセル全領域に成長していき(図4(c))、ベンド配向が形成されることが知られている。 The nucleus 21 of the bend orientation grows in the cell the entire area (FIG. 4 (c)), are known to bend alignment is formed. 従って、ベンド核の発生が速いこと、及び核成長速度が速いことが、配向転移が速いことを意味すると考えられる。 Therefore, the occurrence of the bend nucleus is fast, and it is faster nucleation rate is believed to mean that fast alignment transition.

【0054】一方、上記配向の変化は、その変化に応じてセルの容量変化として表れる。 On the other hand, the change in the orientation, appears as the capacitance change of the cell according to the change. そして、ベンド配向の核が生じる時点は、容量変化曲線上では、容量が変化する屈曲点に対応することになる。 Then, when the bend alignment of nuclei occurs, on the capacitance change curve will correspond to the inflection point of capacitance changes. また、セル全領域がベンド配向になる時点は、容量変化曲線上では、容量変化後に容量変化が増加して一定値に飽和する飽和点に対応することになる。 Also, when the cell total area is bend alignment, on the capacitance change curve will correspond to the saturation point of capacitance change after change in capacitance is saturated to a constant value increases. 従って、スプレイ配向からベンド配向への転移時間につき、電圧印加時から屈曲点に至るまでの時間T1、又は電圧印加時から飽和点に至までの時間T2を、転移時間の評価指標とすることができる。 Therefore, per the transition time from splay alignment to bend alignment, be a time T2 of time T1 from when a voltage is applied up to the bending point, or from the time of voltage application until reached a saturation point, as an evaluation index of metastasis time it can.

【0055】尚、図3から明らかなように、本実施の形態1によれば、ベンド配向の核発生に要する時間、核成長の速度、ベンド配向に要する時間をそれぞれ別個に測定することができ、その実用的価値は極めて大きい。 [0055] As is apparent from FIG. 3, according to the first embodiment, the time required for nucleation of the bend alignment can be measured rate of nucleation, the time required for the bend alignment each independently , its practical value is extremely large.

【0056】上記の例では、印加電圧として10V、1 [0056] In the above example, 10V as the applied voltage, 1
kHz正弦波を印加したが、他の電圧値、波形の電圧を印加しても良いことは言うまでもない。 Although applying a kHz sine wave, the other voltage value, it may of course be applied a voltage waveform. また、本実施の形態1の測定結果は、目視観察結果と一致していることを確認している。 The measurement results of Embodiment 1, it was confirmed that it matches the visual observation.

【0057】次いで、上記実施の形態に係る評価指標を自動的に計測する評価装置30について説明する。 [0057] Next, a description will be given evaluation apparatus 30 that automatically measures the evaluation indices according to the above embodiment. 図5 Figure 5
は本実施の形態に係る評価装置の構成を示すブロック図である。 Is a block diagram showing a configuration of an evaluation apparatus according to the present embodiment. この評価装置30は、キーボードやマウス等の入力操作手段31と、液晶セルの容量を測定する容量測定装置32と、プリンタやプロッタ等の印字手段33 The evaluation apparatus 30 includes an input operation unit 31 such as a keyboard or a mouse, a capacitance measuring device 32 for measuring the capacitance of the liquid crystal cell, the printing of the printer or plotter unit 33
と、CRTや液晶ディスプレイ等の表示手段34と、C If, CRT and a display means 34 such as a liquid crystal display, C
PU(中央処理回路)35とを有する。 PU (central processing unit) and a 35. 容量測定装置3 Capacity measuring device 3
2は、例えば精密LCRメータ(ヒューレット・パッカード社製品番HP−4284A)であり、液晶セルに所定の電圧を印加する電圧印加手段36と、液晶セルの容量変化を測定するセル容量測定手段37とを有する。 2, for example a precision LCR a meter (Hewlett-Packard product number HP-4284A), and voltage applying means 36 for applying a predetermined voltage to the liquid crystal cell, the cell capacitance measuring means 37 for measuring a capacitance change of the liquid crystal cell having. また、前記CPU35には、システムプログラムや演算プログラム等が予め記憶されたROM(リードオンリメモリ)38、RAM(ランダムアクセスメモリ)39、図6に示すように液晶セルへの電圧印加時からの測定時間tiとセル容量値ciとを関連づけして記憶するテーブル40、タイマTM1及びタイマTM2が接続されている。 Further, the CPU35, the measurement from when a voltage is applied to the system programs, calculation programs and the like previously stored ROM (read only memory) 38, RAM (random access memory) 39, a liquid crystal cell as shown in FIG. 6 table 40 and stores the time associated with each ti and cell capacitance value ci, the timer TM1 and the timer TM2 is connected. タイマTM1は、期間W1毎にセル容量読み出し期間を示す信号をCPU25に導出するセル容量サンプリング告知用のタイマである。 Timer TM1 is a timer for cell volume sampling announcement to derive the signals indicating the cell capacity readout period for each period W1 to CPU 25. また、タイマTM2は、テストセルへの電圧印加時からの現在時間の告知用のタイマである。 In addition, the timer TM2 is a timer for the current time announcement from when a voltage is applied to the test cell.

【0058】図7〜図9は評価装置の動作を示すフローチャートである。 [0058] FIGS. 7 to 9 are flowcharts showing the operation of the evaluation device. この図7〜図9を参照して、評価装置の評価動作について説明する。 Referring to FIG. 7 to FIG. 9, illustrating evaluation operation of the evaluation device. 先ず、ステップs1において、モード1〜モード7のいずれかのモードの入力があったか否かが判断される。 First, in step s1, whether there is an input of any of the modes of modes 1 to 7 are determined. ここで、モード1は実施の形態1に対応するモードであり、モード2は後述する実施の形態2に対応するモードであり、モード3は後述する実施の形態3のうち配向緩和時間T3に対応するモードであり、モード4は後述する実施の形態3のうち配向緩和時間T4に対応するモードであり、モード5は後述する実施の形態3のうち電圧上昇時におけるセル容量変化率Eに対応するモードであり、モード6は後述する実施の形態3のうち電圧下降時におけるセル容量変化率E Here, the mode 1 is a mode corresponding to the first embodiment, the mode 2 is a mode corresponding to the second embodiment described below, mode 3 corresponds to the orientation relaxation time T3 of the third embodiment to be described later a mode for the mode 4 is a mode corresponding to the alignment relaxation time T4 of the third embodiment to be described later, the mode 5 corresponds to a cell capacitance change rate E in the time of voltage rise of the third embodiment to be described later a mode, mode 6 cell capacitance change rate E at voltage drop of the third embodiment to be described later
に対応するモードであり、モード7は後述する実施の形態4に対応するモードである。 In a corresponding mode, mode 7 is a mode corresponding to the fourth embodiment to be described later.

【0059】なお、モードの設定は、入力操作手段31 [0059] In addition, the mode is set, input operation means 31
を操作して予め定めたコード信号を入力すればよい。 May input a predetermined code signal by operating the.

【0060】モード入力があったときは、ステップs2 [0060] when a mode input is, step s2
に移り、モード1か否かが判断され、Yesであれば、 Move to, or the mode 1 or not is judged, if Yes, the
モード1の処理が実行される。 Processing of mode 1 is executed. Noであれば、ステップs3に移ってモード2か否かが判断され、Yesであれば、モード2の処理が実行される。 If No, mode 2 whether proceeds to step s3 is determined, if Yes, the processing in mode 2 is executed. 以下、同様にしてモード入力に応じた処理が実行される。 Hereinafter, processing according to the mode input in the same manner is performed.

【0061】次いで、本実施の形態1に対応するモード1の処理について説明する。 [0061] Next, a description will be given of a process of mode 1 corresponding to the first embodiment. このモード1の具体的な処理動作は、図8及び図9に示されている。 Specific processing operation in mode 1 is illustrated in FIGS. 先ず、ステップn1において、液晶セルに一定電圧Vaを印加する。 First, in step n1, applying a constant voltage Va to the liquid crystal cell.
具体的にはCPU35は電圧印加手段36に一定電圧V Constant Specifically CPU35 to the voltage applying unit 36 ​​voltage V
aを示す指令信号を導出する。 Deriving a command signal indicating a. これにより、電圧印加手段36は液晶セルに一定電圧Vaを印加する。 Accordingly, the voltage applying unit 36 ​​applies a constant voltage Va to the liquid crystal cell. これと共に、セル容量測定手段37は液晶セルの容量変化の測定を開始する。 Simultaneously, the cell capacitance measuring means 37 starts measuring the capacitance change in the liquid crystal cell. 尚、セル容量測定手段37は、測定開始前に電圧無印加時における液晶セルの容量値を予め測定しており、このときの容量値はCPU35に読み出され、 The cell capacitance measuring means 37 is measured in advance capacitance value of the liquid crystal cell before measurement starts when no voltage is applied, the capacitance value at this time is read out to the CPU 35,
テーブル40に記憶されている。 Stored in the table 40. なお、一定電圧値Va Incidentally, a constant voltage value Va
は、一般的に液晶セルがスプレイ配向からベンド配向に転移可能な電圧値として考えられている範囲内の電圧値である。 Generally the liquid crystal cell is a voltage value within a range which is considered as a transposable voltage value from splay alignment to bend alignment. これは、例えば1[V]程度の小さい電圧値を液晶セルに長時間に亘って印加してもスプレイ配向からベンド配向に転移しない。 This example does not transition from splay alignment to bend alignment be applied for a long time to 1 [V] around a small voltage value to the liquid crystal cell. よって、ある程度大きな電圧値を印加する必要がある。 Therefore, it is necessary to apply a relatively large voltage value. 本実施の形態1では、一定電圧Vaとしては10[V]とした。 In the first embodiment, the constant voltage Va was set to 10 [V]. また、印加電圧波形は1kHzの正弦波のものを使用した。 Further, the applied voltage waveform used was of 1kHz sine wave.

【0062】次いで、ステップn2に移ってタイマTM [0062] Then, the timer TM proceeds to step n2
1,TM2をセットし、ステップn3で一定期間W1経過したか否かが判断される。 1, TM2 sets, whether a predetermined period W1 has elapsed in step n3 are determined. この期間W1は、セル容量測定手段37により測定されたアナログ容量値をサンプリングするための期間である。 The period W1 is a period for sampling the analog capacitance value measured by the cell capacitance measuring means 37. そして、一定期間W1経過すると、ステップn4において、セル容量測定手段3 When the predetermined period W1 elapses, in step n4, a cell capacitance measuring means 3
7からセル容量値c1が読み出され、ステップn5でタイマTM2から現在時間t1(電圧印加時から第1回目のサンプリング時に至るまでの期間に相当する。)が読み出され、ステップn6においてテーブル40のアドレス「1」にセル容量値c1及び時間t1が書き込まれる。 7 cell capacitance value c1 is read out from, (corresponding to a period from when a voltage is applied up to the time of the first sampling.) Current time t1 from the timer TM2 at step n5 is read, the table 40 in step n6 cell capacitance value c1 and the time t1 is written in the address "1". そして、タイマTM1をリセットする。 Then, to reset the timer TM1. そしてステップn8で一定期間W2経過したか否かが判断される。 And whether a predetermined period W2 has elapsed in step n8 is determined.
ここで期間W2は一般的に液晶セルに電圧Vaを印加したときにスプレイ配向からベンド配向へ転移することができる十分な時間に設定されている。 Here the period W2 is set to a sufficient time to be transferred from splay alignment to bend alignment when the general application of a voltage Va to the liquid crystal cell.

【0063】ステップn8において一定期間W2経過していないときは、ステップn3に戻る。 [0063] when you are not after a certain period of time W2 in step n8, the process returns to step n3. こうして、ステップn3→ステップn4→ステップn5→ステップn6 In this way, step n3 → step n4 → step n5 → step n6
→ステップn7→ステップn8→ステップn3までの処理が期間W2経過するまで行われ、電圧印加時から期間W2経過するまでの容量変化がモニターされ、モニター結果としての容量値ciと測定時間tiがテーブル40 → Step n7 → processing from step n8 → step n3 is performed until the age W2, the change in capacitance monitor until the period W2 has elapsed from the time of voltage application, capacitance value ci and a measurement time ti of the resulting monitor table 40
に書き込まれる。 It is written to.

【0064】一定期間W2経過したときは、ステップn [0064] When a lapse of a certain period of time W2 is, step n
8から図9に示す評価指標演算処理ルーチンに移行する。 Shifts from 8 to evaluation index computing routine shown in FIG. 評価指標演算処理ルーチンでは、先ずステップn9 In the evaluation index computing routine, at first step n9
で変数kを1に設定する。 In sets the variable k to one. 次いで、ステップn10でテーブル40のアドレス「k」「k+1」を指定してc Then, c designates an address of the table 40, "k", "k + 1" in step n10
k,ck+1を読み出し、ステップn11でck+1> k, read the ck + 1, ck + 1 in step n11>
ckであるか否かが判断される。 Whether ck is determined. 例えばk=1のときは、c1とc2が読み出され、c2がc1より大きいか否かが判断される。 For example, when k = 1, c1 and c2 are read out, c2 whether greater than c1 or not. ここで、ck+1>ckであるときは、容量増加の変化があったことを意味する。 Here, when a ck + 1> ck is meant that there has been a change in the capacity increase.

【0065】ステップn11においてck+1>ckでないときは、ステップn10に戻る。 [0065] If it is not a ck + 1> ck in step n11, the process returns to step n10. このステップn1 This step n1
0→ステップn11→ステップn12→ステップn10 0 → step n11 → step n12 → step n10
の閉ループ処理により、容量増加が開始する屈曲点の容量値が求められる。 The closed-loop process, the capacitance value of the inflection point where increased capacity is started is determined.

【0066】ck+1>ckであるときは、ステップn [0066] ck + 1> is when a ck is, step n
13に移り、テーブル40のアドレス「k+1」が指定されて、ck+1に対応する測定時間tk+1が読み出され、ステップn14でRAM39に記憶される。 Moves to 13, the address of the table 40 "k + 1" is designated, ck + measurement time tk + 1 corresponding to 1 is read and stored, at step n14 RAM 39. ここで、測定時間tk+1は、電圧印加時から容量変化の屈曲点に到達するまでの時間T1に相当する。 Here, the measurement time tk + 1 corresponds to the time T1 from the time of voltage application to reach the inflection point of the capacitance change.

【0067】次いで、ステップn15で変数kをmに設定し、ステップn16でmを1インクリメントする。 [0067] Then, set the variable k to m at step n15, to 1 m is incremented in step n16. そして、ステップn17でテーブル40のアドレス「m」,「m+1」を指定して、cm,cm+1を読み出して、ステップn18でcm=cm+1か否かが判断される。 The address of the table 40 "m" in step n17, by specifying the "m + 1", cm, reads cm + 1, cm = cm + 1 it is determined whether or not at step n18. ここで、前記屈曲点以降の一定時間、容量値は増加変化していく。 Here, a predetermined time after the inflection point, the capacitance value increases changed. 従って、ステップn18ではNoと判断される。 Therefore, it is determined as No at step n18. そして、一定時間後に容量値が飽和する。 Then, the capacitance value after a predetermined time is saturated.
従って、かかる飽和容量値に達したときは、cm=cm Thus, upon reaching such a saturation capacitance value, cm = cm
+1となり、容量値が飽和した時点での容量値が求められる。 +1, and the capacitance value at the time the capacitance value is saturated is determined. そして、処理はステップn19に移り、このときのm+1をアドレス指定してテーブル40からこのm+ Then, the process proceeds to step n19, from this table 40 the m + 1 at this time by addressing m +
1に対応する測定時間tm+1を読み出す。 Read the measurement time tm + 1 corresponding to the 1. そして、ステップn20で、この時間tm+1がRAM39に記憶される。 Then, at step n20, the time tm + 1 is stored in the RAM 39. この測定時間tm+1は、電圧印加時から容量が飽和するに至るまでに要した時間T2に相当する。 The measurement time tm + 1, the capacitance from when voltage is applied corresponding to the time T2 taken for up to saturation. こうして、電圧印加時から容量変化の屈曲点に至るまでの時間T1、及び電圧印加時から飽和点に至までの時間T Thus, the time T of the time T1 from when a voltage is applied up to the bending point of capacitance change, and when a voltage is applied to the optimum saturation point
2が、それぞれ自動的に算出され、RAM39に記憶されたことになる。 2, is automatically calculated, so that the stored in the RAM 39.

【0068】次いで、かかる評価指標を目視するため、 [0068] Next, in order to visually such metrics,
印字或いは表示入力操作により、時間T1、T2が表示され(ステップn21,n22)、またプリントされる(ステップn23,n24)。 The print or display input operation, displays the time T1, T2 (step n21, n22), also is printed (step n23, n24).

【0069】こうして、本実施の形態1に係る評価指標を自動的に計測することが可能となる。 [0069] Thus, it is possible to automatically measure the evaluation indices according to the first embodiment.

【0070】(実施の形態2)実施の形態2に係るスプレイ−ベンド転移時間の評価法は、以下の〜の工程により行う。 [0070] Spray according to Embodiment 2 (Embodiment 2) - Evaluation of bend transition time is performed by the steps of - below. 設定電圧を段階的に上昇させながら、スプレイ配向を示すホモジニアスセル液晶セルに電圧を印加する。 While stepwise increasing the set voltage, a voltage is applied to the homogeneous cell liquid crystal cell showing a splay alignment. 上記電圧上昇時における各設定電圧毎のセル容量の時間変化をモニターする。 Monitoring the temporal change in cell capacitance at each predetermined voltage during the voltage rise. 電圧上昇時における設定電圧と同一設定電圧を段階的に下降させながら、ベンド配向を示す液晶セルに電圧を印加する。 While stepwise lowers the setting voltage and the same set voltage when the voltage is increased, a voltage is applied to the liquid crystal cell showing the bend alignment. 上記電圧下降時における各設定電圧毎のセル容量の時間変化をモニターする。 Monitoring the temporal change in cell capacitance at each predetermined voltage when the voltage drops. 上記の及びのモニター結果より、電圧−セル容量曲線のヒステリシスの大きさSを求める。 From the above Oyobi results of monitoring, the voltage - determine the magnitude S of the cell capacity curve hysteresis. 上記のヒステリシスの大きさSを評価指標として、スプレイ−ベンド転移時間を評価する。 As an evaluation index the size S of the hysteresis, spray - evaluating the bend transition time. ここでヒステリシスの大きさSは、後述するC−Vヒステリシス曲線で囲まれる領域の面積で表される。 Here the size S of the hysteresis is represented by the area of ​​the region surrounded by C-V hysteresis curve, which will be described later.

【0071】このような実施の形態2に係る評価法により、容易で且つ信頼性の高い転移時間の評価を行うことができる。 [0071] The evaluation method according to Embodiment 2 of this embodiment, it is possible to evaluate the easy and reliable transition time. 以下に、その理由及び評価法の詳細を、本発明者の実験結果に基づき説明する。 Hereinafter, the details of the reasons and the evaluation method will be described based on the inventor's experimental results.

【0072】先ず、基板間隔が5.2μmであること以外は実施の形態1と同様の構成の液晶セルを2ケ作成し、前記表1に示す物性値を有する液晶材料LC5及びLC6を真空注入法にて注入し、テストセルC、Dを製造した。 [0072] First, the vacuum injecting a liquid crystal material LC5 and LC6 substrate spacing is the liquid crystal cells of the same configuration as that of the first embodiment creates two positions except that the 5.2 .mu.m, having the following physical properties indicated in Table 1 It was injected at law, the test cell C, to produce a D.

【0073】その後、それぞれのセルC、Dに対して、 [0073] Thereafter, each cell C, with respect to D,
図10に示すように階段状に印加電圧を上昇させ、各設定電圧に対するセル容量の時間変化を測定した。 Increasing the applied voltage as stepwise shown in FIG. 10, the time was measured changes in cell capacitance for each set voltage.

【0074】また、電圧を降下させて、セル容量の時間変化を測定した。 [0074] Further, by lowering the voltage, the time was measured changes in cell capacitance. 尚、電圧を降下させる場合には、一旦30V(確実にベンド配向に転移する電圧値)を印加し、ベンド配向を目視で確認してから、図10の割合で電圧を階段状に降下させた。 In the case where lowering the voltage is once applied to 30 V (voltage value transferred to reliably bend alignment), after confirming bend alignment was visually lowers the voltage at a rate of 10 in a stepwise manner . 各設定電圧に対するセルC Cell C for each set voltage
の容量の時間変化は、図11及び図12に示す。 Time changes in capacity are shown in FIGS. 11 and 12. 尚、図11は設定電圧の上昇の場合、図12は設定電圧の下降の場合である。 Incidentally, FIG. 11 in the case of increase of the set voltage, FIG. 12 shows the case of a lowering of the set voltage.

【0075】次に、各設定電圧値での容量を、電圧印加後595秒〜600秒間の平均容量でもって定義し、容量−電圧(C−V)特性を求めた。 Next, a capacitance at each predetermined voltage value, defined with an average volume of 595 seconds to 600 seconds after the application of a voltage, capacity - was determined voltage (C-V) characteristics. このような容量−電圧(C−V)特性をグラフ化したものが図13に示されている。 Such capacity - voltage (C-V) which properties were graphed is shown in Figure 13. ここで、595秒〜600秒としたのは、特定設定電圧値(図11中の2.6V、2.7V)を除いて、電圧印加後に完全に容量変化が完了しており、容量が安定した時間として、例えば595秒〜600を選んだものである。 Here, was 595 seconds to 600 seconds, the particular set voltage value (in FIG. 11 2.6V, 2.7V) except has completed fully capacitance change after the voltage application, capacitance stability as the time, for example, those that chose the 595 seconds to 600. 尚、特定設定電圧値の場合に、容量が増加しているのは、最大スプレイ配向からベンド配向への飛び越し、いわゆる配向の緩和が生じているためである。 In the case of a particular set voltage value, what capacity is increased, jump from the maximum splay alignment to bend alignment, because the so-called orientation relaxation occurs. 図12に示すように、電圧降下時においても、59 As shown in FIG. 12, even when a voltage drop, 59
5秒〜600秒の平均容量値としたのは、上記電圧上昇時における理由と同様である。 5 seconds was an average capacitance value of 600 seconds is the same reason when the voltage rises. 但し、図12において、 However, in FIG. 12,
容量が減少する特定設定電圧値(図12中の1.8V、 Certain set voltage value capacity decreases (1.8V in FIG. 12,
1.6V)の場合に、容量が減少しているのは、ベンド配向からスプレイ配向への飛び越し、いわゆる配向の緩和が生じているためである。 In the case of 1.6V), the capacity is decreasing, jump from bend alignment to splay alignment, because the so-called orientation relaxation occurs.

【0076】次いで、セルDについて、上記のセルCと同様な手順でC−V特性を求める。 [0076] Then, the cells D, obtains the C-V characteristics in the above cell C a similar procedure. 図14は、セルDのC−V特性をグラフ化したものである。 Figure 14 is a graph of the C-V characteristics of the cell D. 尚、セルCの容量の時間変化を示す図6及び図7に対応する図は省略するが、セルDのC−V特性を求める際にも、セルDの容量の時間変化は予め求めている。 Note that FIG. Are omitted corresponding to FIG 6 and FIG 7 shows a time variation of the capacity of cell C, even when obtaining the C-V characteristics of the cell D, the time variation of the capacitance of the cell D is determined in advance .

【0077】尚、特定設定電圧値は、電圧上昇時においては図13及び図14のヒステリシスの上限付近の電圧値に相当し、電圧降下時においては図13及び図14のヒステリシスの下限付近の電圧値に相当する。 [0077] Incidentally, the specific set voltage value, at the time of voltage rise corresponds to a voltage value near the upper limit of the hysteresis in FIGS. 13 and 14, a hysteresis voltage near the lower limit of 13 and 14 at the time of voltage drop It corresponds to the value. このことは、スプレイ配向とベンド配向との間には、エネルギー差があることを意味する。 This means that between the splay alignment and bend alignment, means that there is an energy difference.

【0078】図13及び図14より明らかなように、ヒステリシスが存在している。 [0078] Figure 13 and as is clear from FIG. 14, a hysteresis is present. この点に関して、従来は一般的にはベンド配向モードの液晶表示素子では、ヒステリシスが存在していないと考えられていた。 In this regard, conventional in the liquid crystal display device is generally bend alignment mode, it has been considered that hysteresis does not exist. しかし、本発明者が容量変化に着目して、上記の実施の形態1に述べた実験中において、ヒステリシスが存在していることを発見した。 However, the present inventors have been focusing on the change in capacitance during the experiment described in the first embodiment described above, and found that hysteresis is present. よって、本発明者は、このヒステリシスに着目して、実施の形態2の評価法を得るに至ったものである。 Accordingly, the present inventors, in view of the hysteresis, which has led to obtain the evaluation method according to the second embodiment.

【0079】ここで、図13及び図14におけるC−V [0079] Here, C-V in FIGS. 13 and 14
ヒステリシス曲線で囲まれる領域の広さは、スプレイ配向のエネルギーとベンド配向のエネルギーとの差に対応しており、スプレイ−ベンド転移の容易性に対応している。 Size of the area enclosed by the hysteresis curve corresponds to the difference between the energy of the energy and bend alignment splay alignment, splay - corresponds to the ease of the bend transition. これは、ベンド配向からスプレイ配向への転移の場合、本来的には電圧を0Vにすれば自動的に転移する。 This is because, in the case from the bend orientation of the transition to the splay orientation, is inherently automatically transferred if the voltage to 0V.
このことは、それぞれの自由エネルギーの大きさを考慮すると、ベンド配向からスプレイ配向への転移は、電圧を0Vにすると急激に転移が生じるものと考えられ、図13において、ラインL2は急激に低下していることが分かる。 This is, considering the size of the respective free energy, transition from the bend alignment to the splay alignment is believed to rapidly transition when the voltage 0V occurs, 13, the line L2 is sharply reduced and it can be seen that. よって、スプレイ配向とベンド配向間における転移は、ラインL2が理想である。 Thus, the transition between the splay alignment and bend alignment, line L2 is ideal. 従って、スプレイ配向からベンド配向への転移を示すラインL1は、本来的にはラインL2と同様となるべきである。 Therefore, the line L1 indicating the transition from splay alignment to bend alignment should be similar to the line L2 is inherently. しかしながら、スプレイ配向からベンド配向への転移に要するエネルギーと、ベンド配向からスプレイ配向への転移に要するエネルギーとに差があるため、ラインL1は緩やかに立ち上がる。 However, due to differences and energy required for the transition from splay alignment to bend alignment, the energy required for the transition from the bend alignment to the splay alignment, the line L1 gradually rises. よって、ラインL1がラインL2に近づく方が、スプレイ配向からベンド配向への転移が容易であると考えられる。 Therefore, it is preferable to the line L1 approaches the line L2, is considered to transition from splay alignment to bend alignment is easy.

【0080】このような推論の基に、セルCとセルDのそれぞれのヒステリシス領域の面積比を比較すると、1 [0080] Based such inference, when comparing the area ratio of the respective hysteresis region of the cell C and the cell D, 1
5:8であり、液晶材料LC5に比べ液晶材料LC6がより高速なベンド転移を示すことが分かる。 5: 8, the liquid crystal material LC6 compared with the liquid crystal material LC5 can be seen that a faster bend transition.

【0081】尚、セルC及びセルDに10Vを印加し、 [0081] Incidentally, the 10V was applied to the cell C and cell D,
スプレイ配向からベンド配向に要する時間を目視観察により別途測定した結果では、それぞれ150秒、85秒であり、上記推論の有効性、ひいては本発明の有効性が立証されている。 The result of separately measured by visual observation time required from splay alignment to bend alignment, 150 seconds, respectively, was 85 seconds, the effectiveness of the inference, efficacy has been demonstrated in the present invention thus.

【0082】また、本実施の形態2のスプレイ−ベンド転移時間評価法におけるC−Vヒステリシス領域の大きさは、(配向膜のアンカリングエネルギーA/弾性定数K)の関数であるため、配向膜の異なったセル同士を比較する場合や、シアノ系とフッ素系のように異なった系の液晶材料を含むセル同士を比較する場合には、アンカリングエネルギーの測定も併せて行う必要がある。 [0082] Further, the present embodiment 2 spray - for the magnitude of C-V hysteresis region in the bend transition time evaluation method is a function of (anchoring energy A / elastic constant K of the alignment film), orientation films different or when comparing between cells was, when comparing between cells, including different based liquid crystal material as cyano-based and fluorine-based, it is necessary to also performs measurements of anchoring energy.

【0083】次いで、上記実施の形態2に係る評価指標を自動的に計測する評価装置について説明する。 [0083] Next, automatic evaluation device will be described for measuring the evaluation index according to the second embodiment. 本実施の形態2に係る評価装置は、上記実施の形態1における評価装置30を用いて、且つモード2が選択された場合に評価指標を自動的に計測するように構成されている。 Evaluation apparatus according to the second embodiment, by using the evaluation device 30 in the first embodiment, is configured to and mode 2 is automatically measures the evaluation index when selected.

【0084】図15はモード2が選択された場合の処理動作を示すフローチャートである。 [0084] Figure 15 is a flowchart showing a processing operation when the mode 2 is selected. 以下に、図15を参照してヒステリシスの大きさSを自動的に計測する動作について説明する。 The following describes with reference to automatically operate to measure the size S of the hysteresis Figure 15.

【0085】先ず、ステップm1において、初期電圧V [0085] First, in step m1, the initial voltage V
1が設定され、ステップm2で液晶セルに電圧V1が印加され、ステップm3でセル容量値測定処理が実行される。 1 is set, the voltage V1 is applied to the liquid crystal cell at step m2, the cell capacitance measurement process is executed in step m3. このステップm3でのセル容量値測定処理は、基本的には前記ステップn1〜ステップn9と同様の処理である。 Cell capacitance measurement process in step m3 is basically the same process as the step n1~ step n9. そして、ステップm4で一定期間W3経過したか否かが判断され、期間W3経過していないときにはステップm3に戻る。 Then, it is determined whether the elapse of a predetermined period W3 is in step m4, the process returns to step m3 when not elapsed period W3. ここで、期間W3は各設定電圧毎のセル容量測定時間を示す。 Here, the period W3 denotes a cell capacitance measurement time of each set voltage. そして、ステップm4で設定印加電圧Vが最大設定電圧30[V]であるか否かが判断され、30[V]に達していないときは、ステップm6 Then, set the applied voltage V in step m4 is determined whether the maximum set voltage 30 [V], when it does not reach the 30 [V], the step m6
で設定印加電圧Vを所定値だけ増加し、ステップm2に戻る。 In setting the applied voltage V is increased by a predetermined value, the flow returns to step m @ 2. こうして、ステップm2〜ステップm6の閉ループ処理により、初期設定電圧V1から最大設定電圧30 Thus, the closed loop processing of step m2~ step m6, the maximum set voltage 30 from the initial setting voltage V1
[V]までの複数の設定電圧毎のセル容量変化が測定され、設定電圧毎の容量変化としての測定時間tiとその時の容量値ciがテーブル40に記憶される。 Cell capacitance change in each of a plurality of predetermined voltage to the [V] is measured, the capacitance value ci at that time and the measurement time ti as capacitance change each setting voltage is stored in the table 40. これにより、電圧上昇時における複数の設定電圧におけるセル容量変化がモニターされ、テーブル40に記憶されたことになる。 Thus, cell capacitance changes at a plurality of predetermined voltage when the voltage is increased is monitored, so that the stored in the table 40.

【0086】次いで、ステップm7〜ステップm11の閉ループ処理により最大設定電圧30[V]から0 [0086] Next, the maximum set voltage 30 by a closed loop processing of step m7~ step m11 from [V] 0
[V]までの複数の設定電圧毎のセル容量変化が測定され、設定電圧毎の容量変化としての測定時間とその時の容量値がテーブル40に記憶される。 Cell capacitance change in each of a plurality of predetermined voltage to the [V] is measured, the capacitance value of the measurement time and at that time as a capacitance change each setting voltage is stored in the table 40. 具体的に説明すると、ステップm7で設定電圧を所定値減少させる。 Specifically, the predetermined value to reduce the set voltage in step m7. このときの減少値は上記設定電圧上昇時における増加値と同様であり、これにより、電圧上昇時と電圧下降時とは同一の設定電圧値が印加されることになる。 Decrease value in this case is the same as the increase value at the set voltage increase, by this, so that the same set voltage value is applied to the time when voltage increases and the voltage drops. そして、ステップm8で設定電圧が液晶セルに印加され、容量変化がステップm9で測定され、テーブル40に記憶され、ステップm10で設定電圧の測定時間W3が経過したか否かが判断され、時間W3が経過していないときはステップm9に戻る。 The set voltage at step m8 is applied to the liquid crystal cell capacitance change is measured at step m9, stored in the table 40, whether it is determined measurement time W3 set voltage in step m10 has elapsed, time W3 It returns to step m9 when but not passed. 時間W3経過したときは、ステップm1 When you have time W3 elapses, step m1
1に移り、設定電圧が0[V]か否かが判断され、0 Move to 1, whether the setting voltage is 0 [V] is determined, 0
[V]に達していないときは、ステップm7に戻り、設定電圧を減少させて、その設定電圧を液晶セルに印加する。 When it does not reach the [V], the process returns to step m7, decrease the set voltage, and applies the set voltage to the liquid crystal cell.

【0087】こうして、設定電圧を上昇させて液晶セルの容量変化をモニターし、且つ設定電圧を下降させて液晶セルの容量変化をモニターし、これらの結果はテーブル40に記憶することができる。 [0087] Thus, by increasing the set voltage to monitor the change in capacitance of the liquid crystal cell, to monitor the change in capacitance of the liquid crystal cell and lowers the set voltage, these results may be stored in a table 40.

【0088】次いで、テーブル40に記憶されているデータに基づいて、本実施の形態2に係る評価指標を算出する。 [0088] Then, based on the data stored in the table 40, and calculates an evaluation index according to the second embodiment. 具体的には、ステップm11で電圧印加後の一定期間内での容量変化の平均値が算出される。 Specifically, the average value of the capacitance change within a certain period after the voltage application in step m11 is calculated. この一定期間は、特定設定電圧値(電圧上昇時には2.6V、2. This certain period of time, 2.6V during certain set voltage value (voltage rise, 2.
7V、電圧下降時には1.8V、1.6V)を除いて、 7V, when a voltage is lowered except 1.8V, 1.6V), and
電圧印加後に完全に容量変化が完了しており、容量が安定した時間であり、本実施の形態2では595秒〜60 Are completely capacitance change after the voltage application is completed, the capacitance is stable time, in the second embodiment 595 second to 60
0秒とした。 It was 0 seconds. これは容量−電圧曲線(C−V曲線)の算出の便宜を考慮したものである。 This capacity - is taken into consideration for the convenience of calculation of the voltage curve (C-V curve). なお、算出された平均容量値Cmは、テーブル40に記憶される。 The average capacitance value Cm calculated is stored in the table 40. 次いで、ステップm13に移りC−V曲線上のヒステリシスの大きさが算出される。 Then, the magnitude of the hysteresis on the C-V curve is calculated proceeds to step m13. 具体的には、図13または図14に示すC−V曲線上の面積Sを算出する。 Specifically, it calculates the area S on the C-V curve shown in FIG. 13 or 14. そして、ステップm14に移り、算出された面積Sを印字し、また表示する。 Then, the flow proceeds to step m14, printing the calculated area S, also displays.

【0089】こうして、評価装置により、本実施の形態2に係る評価指標が自動的に計測されて表示・印字されることになる。 [0089] Thus, by the evaluation apparatus, so that the evaluation index according to the second embodiment is automatically measured by the display-printing.

【0090】(実施の形態3)実施の形態3に係るスプレイ−ベンド転移時間の評価法は、実施の形態2の評価法と類似する。 [0090] (Embodiment 3) spray according to the third embodiment - Evaluation of bend transition time is similar to the evaluation method of the second embodiment. 但し、実施の形態2では、ヒステリシスの大きさを評価指標としたけれども、本実施の形態3では、実施の形態2で説明した配向緩和に要する時間(以下、配向緩和時間と称する)T3、あるいは測定の便宜のため配向緩和時間T3を規格化したセル容量変化率E However, in the second embodiment, although the magnitude of the hysteresis and the evaluation index, in the third embodiment, the time required for orientation relaxation described in the second embodiment (hereinafter, referred to as the orientation relaxation time) T3 or, cell capacitance change rate E in which the alignment relaxation time T3 is normalized for convenience of measurement
を、評価指標としてスプレイ−ベンド転移時間を評価する。 A spray as an evaluation index - to evaluate the bend transition time.

【0091】このような実施の形態3に係る評価法により、容易で且つ信頼性の高い転移時間の評価を行うことができる。 [0091] The evaluation method according to Embodiment 3 of this embodiment, it is possible to evaluate the easy and reliable transition time. 以下に、その理由及び評価法の詳細を、本発明者の実験結果に基づき説明する。 Hereinafter, the details of the reasons and the evaluation method will be described based on the inventor's experimental results.

【0092】(1)配向緩和時間T3の場合 上記実施の形態2におけるのと同一のセルC,Dについて同一実験を行い、図11を得た。 [0092] (1) carried out the same experiment for the same cell C, D as in Embodiment 2 when the above-described alignment relaxation time T3, to obtain a 11. ここで、配向緩和現象について、既に実施の形態2において簡単に説明しているけれども、図11を参照して更に詳細に説明する。 Here, the orientation relaxation phenomenon, already Although briefly described in the second embodiment will be described in more detail with reference to FIG. 11.
スプレイ配向の状態において電圧印加されると、初期のスプレイ配向から一気にベンド配向に転移するのではなく、先ず、スプレイ配向の程度が大きくなっていき、スプレイ配向の最大変形状態に達し、このスプレイ配向の最大変形状態から、ベンド配向に飛び越していくことが知られている。 When voltage is applied in the state of splay alignment, rather than transferred to a stretch bend alignment from the initial splay alignment, first, the degree of splay alignment gradually increased, it reached a maximum deformation state of splay alignment, the spray orientation from the maximum deformation state of, it is known that will jump to the bend orientation. そして、このような配向転移により、図11に示すように、特定設定電圧値(2.6V、2.7 By such alignment transition, as shown in FIG. 11, a specific set voltage value (2.6V, 2.7
V)に関して、容量が増加していくことになる。 With respect to V), so that the capacity increases. 即ち、 In other words,
設定電圧1.0Vから電圧を上昇させていくと、電圧切り替え直後に、液晶分子が立つ上がり、通常は、2〜3 As you increase the voltage from the set voltage 1.0V, immediately after the voltage switching, up which the liquid crystal molecules stand, usually, 2-3
秒以内に一定の容量値に到達する。 It reaches a certain capacitance value within seconds. このような容量変化が、特定設定電圧に達するまで起こる。 Such capacitance change occurs until a specific predetermined voltage. この設定電圧1.0Vから、特定設定電圧印加の間において、前記スプレイ配向の最大変形状態が電極全面にわたって伝播すると考えられる。 From this set voltage 1.0 V, between the particular setting voltage application, the maximum deformation of the splay alignment is considered to propagate over the electrode the entire surface.

【0093】そして、特定設定電圧に達すると、2〜3 [0093] Then, when reaching a certain set voltage, 2-3
秒以内に一定の容量値まで急激に上昇した後、一定の傾斜角度でもって、容量が増加していき、容量値が飽和するまでに長時間を要する。 After rapidly increases to a certain capacitance value within seconds, with a constant inclination angle, capacity continue to increase, the capacitance value takes a long time until saturation. これは、スプレイ配向からベンド配向への配向の緩和、即ち、スプレイ配向の最大変形状態から、ベンド配向への飛び越し現象が生じているものと考えられる。 This relaxation of the orientation from splay alignment to bend alignment, i.e., the maximum deformation state of splay alignment, it is believed that jump phenomenon to bend alignment occurs. よって、この配向緩和時間T3が短ければ短い程、スプレイ配向からベンド配向に転移が容易に起こるものと考えられる。 Thus, the shorter if the alignment relaxation time T3 is short, it is believed that occur to facilitate transition from splay alignment to bend alignment. 従って、この配向緩和時間T3を、転移時間の評価指標とすることができる。 Therefore, the alignment relaxation time T3, it can be an evaluation index for transition time.
尚、設定電圧が2.7V以上では、特定設定電圧に達する以前と同様に、2〜3秒以内に一定の容量値に到達する。 The setting voltage in 2.7V or more, as before reaching the specified setting voltage reaches a constant capacitance value within 2-3 seconds. これは、液晶セルがベンド配向状態を維持したまま、更に基板界面近傍の液晶分子が立ち上がるためである。 This remains a liquid crystal cell was maintained bend alignment state, is to further rise the liquid crystal molecules in the substrate near the interface.

【0094】上記の例では、設定電圧が上昇していく場合について説明したけれども、図12に示すように、設定電圧が下降していく場合におけるベンド配向からスプレイ配向への配向緩和時間T4を評価指標としてもよい。 [0094] In the above example, but has been described a case where the setting voltage rises, as shown in FIG. 12, evaluate the alignment relaxation time T4 from the bend alignment to the splay alignment when the setting voltage is gradually lowered it may be used as an indicator. 但し、この場合は、配向緩和時間T4が長い程、スプレイ配向からベンド配向に転移が容易に起こるものと考えられる。 However, in this case, the longer the orientation relaxation time T4, it is believed that occur to facilitate transition from splay alignment to bend alignment. これは、上記ヒステリシスに関する説明において述べたように、スプレイ配向からベンド配向への転移容易性と、ベンド配向からスプレイ配向への転移容易性とは、反対の関係となるからである。 This is because, as mentioned in the description of the hysteresis, and metastatic ease from splay alignment to bend alignment, the transition ease from the bend alignment to the splay alignment, because the opposite relationship.

【0095】(2)セル容量変化率Eの場合 配向緩和時間T3の測定には、長時間を要するため、測定の便宜を考慮して、配向緩和時間T3を規格化した値としてセル容量変化率Eを評価指標とする。 [0095] (2) Measurement of cell capacity change rate when the alignment relaxation time T3 E, because it takes a long time, considering the convenience of the measurement, the cell capacitance change rate alignment relaxation time T3 as normalized value E and the evaluation index.

【0096】ここで、セル容量変化率Eは、測定時間内での配向緩和に起因する実質的な容量変化値を、測定範囲内における最大セル容量と最小セル容量の差で除した値を意味する。 [0096] Here, the cell capacitance change rate E is meant a substantial change in capacitance value, divided by the difference between the maximum cell capacity and the minimum capacity of the cell within the measurement range due to orientation relaxation in the measurement time to. 具体的には、以下の式で定義される。 Specifically, it is defined by the following equation.

【0097】セル容量変化率E=(配向緩和時間の最大測定時間経過時でのセル容量−電圧印加5秒後でのセル容量)/(設定電圧のうちの最大電圧を印加した時のセル容量−電圧無印加時のセル容量) 尚、上記の式の分子において、配向緩和時間の最大測定時間経過時でのセル容量から、電圧印加5秒後でのセル容量分を引いているのは、電圧印加5秒後でのセル容量は配向緩和に起因する容量変化でないからである。 [0097] Cell capacitance change rate E = (Cell capacitance at the time elapsed up to the measurement time of the alignment relaxation time - Cell capacitance at a voltage applied after 5 seconds) / (Cell capacitance when applying a maximum voltage of the set voltage - no voltage application cell capacity during) in the molecule of the above formula, the a cell capacity at the time elapsed up to the measurement time of the alignment relaxation time has attracted cell capacity of the voltage application 5 seconds after, cell capacity at the voltage application after 5 seconds is because not capacitance changes due to orientation relaxation. また、セル容量変化率が大きい方が、スプレイ−ベンド転移が容易である。 Also, the larger the cell capacitance change rate, spray - bend transition is easy.

【0098】図11に示す実験においては、セル容量変化率Eは、以下の式で定義した。 [0098] In the experiment shown in Figure 11, the cell capacitance change rate E was defined by the following equation.

【0099】即ち、セル容量変化率=(電圧印加10分後でのセル容量−電圧印加5秒後でのセル容量)/(2 [0099] That is, the cell capacitance change rate = (cell capacity after voltage application 10 minutes - cell capacity at the voltage application after 5 seconds) / (2
0Vの電圧を印加した時のセル容量−電圧無印加時のセル容量)と定義した。 Cell capacity at the time of applying a voltage of 0V - was defined as voltage cell capacity during non-application).

【0100】セルCおよびセルDについて、前記容量変化率を求めたところ、それぞれ0.00299、0.0 [0100] The cell C and the cell D, was determined the rate of change in capacitance, respectively 0.00299,0.0
0588であった。 It was 0588. よって、セルDの方が、セルCよりもスプレイ−ベンド転移が容易と評価でき、実施の形態2における評価とも一致している。 Thus, towards the cell D it is than the cell C splay - can be evaluated bend transition easily, is consistent with ratings in the second embodiment.

【0101】上記例では、設定電圧の上昇時の場合について説明したけれども、設定電圧の下降時の場合についてセル容量変化率を算出して、これを評価指標してもよい。 [0102] In the above example, although described for the case of ascent of the set voltage, and calculates the cell capacitance change rate for the case when lowering the set voltage may be evaluation index it. 但し、この場合のベンド−スプレイのセル容量変化率では、上記のスプレイ−ベンドのセル容量変化率とは逆になり、容量変化率は小さい方が、スプレイ配向からベンド配向への転移が容易となる。 However, the bend in this case - a cell capacitance change rate of the spray, said spray - is reversed to the cell capacitance change rate in bend found the rate of change in capacitance is small, easy to transition from splay alignment to bend alignment Become.

【0102】(3)その他の規格化した値の場合 上記のセル容量変化率をセルギャップで除した値を、評価指標として用いてもよい。 [0102] (3) a value if obtained by dividing the cell capacitance change rate of the in cell gap other normalized value may be used as the evaluation index.

【0103】次いで、本実施の形態3に係る評価指標(配向緩和時間T3,T4、セル容量変化率E)を自動的に計測する評価装置について説明する。 [0103] Then, an evaluation index according to the third embodiment (alignment relaxation time T3, T4, cell capacitance change rate E) automatically evaluation apparatus for measuring explained. 本実施の形態3に係る評価装置は、上記実施の形態1における評価装置30を用いて、且つモード3、モード4、モード5、 The evaluation apparatus according to the third embodiment, by using an evaluation device 30 in the first embodiment, and mode 3, mode 4, mode 5,
モード6が選択された場合に評価指標を自動的に計測するように構成されている。 And it is configured to automatically measure the evaluation index when the mode 6 is selected. モード3は設定電圧上昇時における配向緩和時間T3を求めるものであり、モード4 Mode 3 is intended to determine the orientation relaxation time T3 when the set voltage rises, mode 4
は設定電圧下降時における配向緩和時間T4を求めるものであり、モード5は設定電圧上昇時におけるセル容量変化率Eを求めるものであり、モード6は設定電圧下降時におけるセル容量変化率Eを求めるものである。 Is intended to determine the orientation relaxation time T4 when the set voltage lowering mode 5 is intended to determine the cell capacitance change rate E in the setting voltage rises, mode 6 finds a cell capacitance change rate E in the setting voltage falling it is intended.

【0104】先ず、モード3が選択された場合の処理動作について、図16を参照して説明する。 [0104] First, the processing operation when the mode 3 is selected, will be described with reference to FIG. 16.

【0105】このモード3の処理は、基本的にはモード2と類似するものである。 [0105] processing of mode 3 is to basically similar to mode 2. 即ち、ステップp1〜ステップp6の処理は、前記ステップm1〜ステップm6と同様の処理であり、これにより、複数の設定電圧の上昇時に関する液晶セルの容量変化が測定される。 That is, the process of step p1~ step p6, the step m1~ is similar to the processing of step m6, thereby, the capacitance change in the liquid crystal cell relative ascent of the plurality of setting voltage is measured.

【0106】次いで、ステップp7では容量値が増加する特定電圧Vupが求められる。 [0106] Then, a specific voltage Vup determined capacitance value at step p7 increases. なお、電圧印加時から5秒程度までの容量変化は無視し、例えば10秒以降の測定時間に関する容量の増加を求める。 Incidentally, ignored capacitance change from the time of voltage application to about 5 seconds, for example, determine the increase in volume relating to the 10 seconds after the measurement time. 具体的には、印加電圧V1,V2,V3…のそれぞれの或る時間例えば10秒における容量値Cとその次の測定時の容量値とを比較して増加しているか否かを判断する。 Specifically, the applied voltage V1, V2, V3 ... is determined whether each of the certain time, for example, the capacitance value C in 10 seconds is increasing by comparing the capacitance value at the next measurement of. そして、増加している特定電圧Vupを求める。 Then, a specific voltage Vup has increased.

【0107】次いで、ステップp8において、その増加する特定電圧Vupに関するセル容量の飽和時間T(配向緩和時間T3に相当する)を求める。 [0107] Then, in step p8, determine the saturation time of the cell capacitance for a particular voltage Vup T (corresponding to the alignment relaxation time T3) of the increase. 具体的には、ステップp7で求められた特定電圧Vupに関して、容量値ciと容量値ci+1が等しくなる容量値を求め、このときの「i+1」でテーブル40をアドレス指定することにより、配向緩和時間T3が求められる。 Specifically, with respect to specific voltage Vup obtained in step p7, obtains a capacitance value that the capacitance value ci and the capacitance value ci + 1 is equal, by addressing a table 40 with "i + 1" at this time, the alignment relaxation time T3 is required. この配向緩和時間T3はRAM39記憶される。 The alignment relaxation time T3 is RAM39 stores.

【0108】次いで、かかる配向緩和時間T3を目視するため、印字又は表示入力操作により、配向緩和時間T [0108] Then, for viewing such alignment relaxation time T3, by printing or display input operation, the alignment relaxation time T
3が表示され、また、プリントされる(ステップp 3 appears, also, is printed (step p
9)。 9). こうして、評価装置により、自動的に配向緩和時間T3を計測することが可能となる。 Thus, by the evaluation apparatus, it is possible to measure automatically oriented relaxation time T3.

【0109】次いで、モード4が選択された場合の処理動作について、図17を参照して説明する。 [0109] Then, the processing operation in the case where mode 4 is selected, will be described with reference to FIG. 17. このモード4の処理は、基本的にはモード2と類似するものである。 Processing of mode 4 is for basically similar to mode 2. 即ち、ステップr1〜ステップr6の処理は、前記ステップm1〜ステップm6と同様の処理であり、これにより、複数の設定電圧の下降時に関するセル容量変化が測定される。 That is, the process of step r1~ step r6, the step m1~ is similar to the processing of step m6, thereby, a cell capacitance change related to time lowering the plurality of setting voltage is measured.

【0110】次いで、ステップp7では容量値が減少する特定電圧Vdownが求められる。 [0110] Then, a specific voltage Vdown determined capacitance value at step p7 decreases. なお、電圧印加時から5秒程度までの容量変化は無視し、例えば10秒以降の測定時間に関する容量の増加を求める。 Incidentally, ignored capacitance change from the time of voltage application to about 5 seconds, for example, determine the increase in volume relating to the 10 seconds after the measurement time. 具体的には、印加設定電圧Vr(Vr=30)、Vr−1、Vr Specifically, the applied setting voltage Vr (Vr = 30), Vr-1, Vr
−2,…、のそれぞれの或る時間例えば10秒後における容量値cとその次の測定時の容量値c+1とを比較して減少しているか否かを判断する。 -2, ..., to the determination whether each certain time for example, a capacitance value c after 10 seconds is reduced compared to the next and the capacitance value c + 1 at the time of measurement. そして、設定電圧のうち減少している特定電圧Vdownを求める。 Then, a specific voltage Vdown which has decreased among the setting voltage.

【0111】次いで、ステップp8において、その減少する特定電圧Vdownに関するセル容量の飽和時間T [0111] Then, in step p8, saturation time of the cell capacity for a particular voltage Vdown to the decrease T
(配向緩和時間T4に相当する)を求める。 Seek (corresponding to the alignment relaxation time T4). 具体的には、ステップr7で求められた特定電圧Vdownに関して、容量値ciと容量値ci+1が等しくなる容量値を求め、このときの「i+1」でテーブル40をアドレス指定することにより、配向緩和時間T4が求められる。 Specifically, with respect to specific voltage Vdown obtained in step r7, obtains a capacitance value that the capacitance value ci and the capacitance value ci + 1 is equal, by addressing a table 40 with "i + 1" at this time, the alignment relaxation time T4 is required.
この配向緩和時間T4はRAM39に記憶される。 The alignment relaxation time T4 is stored in the RAM39.

【0112】次いで、かかる配向緩和時間T4を目視するため、印字又は表示入力操作により、配向緩和時間T [0112] Then, for viewing such alignment relaxation time T4, the print or display input operation, the alignment relaxation time T
4が表示され、また、プリントされる(ステップp 4 appears, also, is printed (step p
9)。 9). こうして、評価装置により、自動的に配向緩和時間T4を計測することが可能となる。 Thus, by the evaluation apparatus, it is possible to measure automatically oriented relaxation time T4.

【0113】次いで、モード5が選択された場合の処理動作について、図18を参照して説明する。 [0113] Then, the processing operation when the mode 5 is selected is described with reference to FIG. 18. このモード5の処理は、基本的にはモード3と類似するものである。 Processing of mode 5 is analogous with mode 3 is basically. 但し、モード3では予め定められた測定時間W3 However, measurement time predetermined in mode 3 W3
(飽和時間T2よりも十分に大きい時間)でセル容量変化を測定したけれども、モード5では任意の時間W4を設定することが可能となっている点において相違する。 Although measured cell capacitance changes at (a sufficiently large time than saturation time T2), differs in that it is possible to set the mode 5 arbitrary time W4 in.
これにより、測定時間の短縮化を図ることができる。 Thus, it is possible to shorten the measurement time. また、モード5では最大設定電圧Vmaxを任意に指定することが可能となっている。 Further, it is possible to arbitrarily specify the maximum set voltage Vmax in mode 5. かかる点からも、モード5 From this point also, mode 5
では、測定時間の短縮化を図ることができる。 So it is possible to shorten the measurement time.

【0114】先ず、測定に際しては、測定者は測定時間W4及び最大設定電圧Vmaxを入力する。 [0114] First, in the measurement, the measuring person inputs the measurement time W4 and a maximum predetermined voltage Vmax. これにより、処理はステップq1、ステップq2を経て、ステップq3に移る。 Thus, the process through step q1, step q2, the procedure proceeds to step q3. 次いで、ステップq4→ステップq5→ Next, step q4 → step q5 →
ステップq6→ステップq7→ステップq8→ステップq4の閉ループ処理により、0[V]から最大設定電圧Vmaxまでの複数の設定電圧の上昇時に関するセル容量変化が測定される。 The closed loop processing of step q6 → Step q7 → step q8 → step q4, the cell capacitance change is measured about ascent of the plurality of setting voltage from 0 [V] to the maximum specified voltage Vmax. 尚、ステップq3〜ステップq8 In addition, step q3~ step q8
の閉ループ処理は、測定時間と最大設定電圧に関する処理を除いて基本的には前記ステップp1〜ステップp6 Closed-loop process, the basically except for processing related to the measurement time and the maximum set voltage step p1~ step p6
の閉ループ処理と同様である。 Is the same as the closed-loop process.

【0115】次いで、ステップq9において、セル容量変化率Eが算出される。 [0115] Then, in step q9, a cell capacitance change rate E is computed. なお、ステップq9では、セル容量変化率E算出の前提として、容量値が増加する特定電圧Vupが前記ステップp7と同様の処理により求められている。 In step q9, as a premise of the cell capacitance change rate E calculated, the specific voltage Vup capacitance value increases is obtained by the same processing as in step p7. そして、テーブル40に記憶されているデータを読み出して、上記第1式の演算処理を行う。 Then, by reading the data stored in the table 40, performs arithmetic processing of the first formula. そして、演算処理により算出されたセル容量変化率Eが印字・表示される(ステップq10)。 The calculated cell capacitance change rate E is printed and displayed by the arithmetic processing (step q10). こうして、評価装置により、自動的に設定電圧上昇時におけるセル容量変化率Eを計測することが可能となる。 Thus, by the evaluation apparatus, it is possible to measure the cell capacitance change rate E in the time automatically set the voltage increase.

【0116】次いで、モード6が選択された場合の処理動作について、図19を参照して説明する。 [0116] Then, the processing operation when the mode 6 is selected will be described with reference to FIG. 19. このモード6の処理は、基本的にはモード3と類似するものである。 Processing of mode 6 is analogous with mode 3 is basically. 但し、モード3では予め定められた測定時間W3 However, measurement time predetermined in mode 3 W3
(飽和時間T2よりも十分に大きい時間)でセル容量変化を測定したけれども、モード6では任意の時間W4を設定することが可能となっている点において相違する。 Although measured cell capacitance changes at (a sufficiently large time than saturation time T2), differs in that it is possible to set an arbitrary time W4 in mode 6.
これにより、測定時間の短縮化を図ることができる。 Thus, it is possible to shorten the measurement time. また、モード6では最大設定電圧Vmaxを任意に指定することが可能となっている。 Further, it is possible to arbitrarily specify the maximum set voltage Vmax in mode 6. かかる点からも、モード6 From this point also, mode 6
では、測定時間の短縮化を図ることができる。 So it is possible to shorten the measurement time.

【0117】先ず、測定に際しては、測定者は測定時間W4及び最大設定電圧Vmaxを入力する。 [0117] First, in the measurement, the measuring person inputs the measurement time W4 and a maximum predetermined voltage Vmax. これにより、処理はステップd1、ステップd2を経て、ステップd3及びステップd4において液晶セルに30[V] Thus, the process through step d1, step d2, 30 to the liquid crystal cell in step d3 and step d4 [V]
を所定時間印加する。 And it applies a predetermined time. これにより、液晶セルが全領域においてベンド配向状態となる。 Thus, the liquid crystal cell is a bend orientation state in the entire region.

【0118】次いで、ステップd5で印加電圧を最大設定電圧Vmaxに設定する。 [0118] Then, set the maximum set voltage Vmax applied voltage at step d5. そして、ステップd6〜ステップd10の閉ループ処理により、最大設定電圧Vm By a closed loop processing of step d6~ step d10, the maximum set voltage Vm
axから0[V]までの複数の設定電圧の下降時に関するセル容量変化が測定される。 Cell capacitance change related to time lowering the plurality of setting voltage from ax to 0 [V] is measured. 尚、ステップd6→ステップd7→ステップd8→ステップd9→ステップd1 In addition, step d6 → step d7 → step d8 → step d9 → step d1
0→ステップd6の閉ループ処理は、測定時間と最大設定電圧に関する処理を除いて基本的には前記ステップr 0 → closed loop processing of step d6, the step r is basically except for processing related to the measurement time and the maximum set voltage
2→ステップr3→ステップr4→ステップr5→ステップr6→ステップr2の閉ループ処理と同様である。 2 → is the same as the closed loop processing of step r3 → step r4 → step r5 → step r6 → step r2.

【0119】次いで、ステップd11において、セル容量変化率Eが算出される。 [0119] Then, in step d11, a cell capacitance change rate E is computed. なお、ステップd11では、 In step d11,
セル容量変化率E算出の前提として、容量値が減少する特定電圧Vdownが前記ステップr7と同様の処理により求められている。 Given the cell capacitance change rate E calculated, the specific voltage Vdown the capacitance value decreases is obtained by the same processing as in step r7. そして、テーブル40に記憶されているデータを読み出して、上記第1式の演算処理を行う。 Then, by reading the data stored in the table 40, performs arithmetic processing of the first formula. そして、演算処理により算出されたセル容量変化率Eが印字・表示される(ステップd12)。 The calculated cell capacitance change rate E is printed and displayed by the arithmetic processing (step d12). こうして、 In this way,
評価装置により、自動的に設定電圧下降時におけるセル容量変化率を計測することが可能となる。 The evaluation apparatus, it is possible to measure the cell capacitance change rate at the time of automatically setting voltage drop.

【0120】なお、上記評価装置では、配向緩和時間の規格化した値としてセル容量変化率を算出するようにしたけれども、セルギャップを入力しておき、セル容量変化率をセルギャップで除した値を算出するようにしてもよい。 [0120] Incidentally, in the evaluation device, but were to calculate the cell capacitance change rate as a normalized value of the alignment relaxation time and then enter the cell gap, by dividing the cell capacitance change rate by the cell gap value it may be calculated.

【0121】このようにして、上記構成の評価装置を使用することにより、本実施の形態3に係る評価指標(配向緩和時間T3,T4、セル容量変化率E)を自動的に計測することができる。 [0121] Thus, by using an evaluation device having the above structure, metrics according to the third embodiment (alignment relaxation time T3, T4, cell capacitance change rate E) can be automatically measured it can.

【0122】(実施の形態4)実施の形態4に係るスプレイ−ベンド転移時間の評価法は、以下の〜 の工程により行う。 [0122] Spray according to Embodiment 4 Embodiment 4 - Evaluation of bend transition time is performed by the steps of - below. スプレイ配向を示すホモジニアスセルに電圧を印加し、ベンド配向を形成する。 A voltage is applied to the homogeneous cell showing a splay alignment, to form a bend alignment. 印加電圧低減によりスプレイ配向を形成する。 By applying voltage reduction to form a splay alignment. 目視観察により、 By visual observation,
ベンド配向からスプレイ配向に転移したことを確認して、この転移に要する時間T4を求める。 Make sure that you have transferred to the splay alignment from the bend alignment, determine the time T4 required for this transition. 上記時間T The above-mentioned time T
4を評価指標とし、スプレイ−ベンド転移時間を評価する。 4 and an evaluation index, splay - to evaluate the bend transition time.

【0123】このような実施の形態4に係る評価法により、容易で且つ信頼性の高い転移時間の評価を行うことができる。 [0123] The evaluation method according to Embodiment 4 of this embodiment, it is possible to evaluate the easy and reliable transition time. 以下に、その理由及び評価法の詳細を、本発明者の実験結果に基づき説明する。 Hereinafter, the details of the reasons and the evaluation method will be described based on the inventor's experimental results.

【0124】基板間隔が5.5μmであること以外は実施の形態1と同様の構成の液晶セルを4ケ作成し、LC [0124] except that the substrate interval is 5.5μm creates 4 Ke liquid crystal cell having the same structure as in the first embodiment, LC
4、LC3、LC2及びLC1を真空注入法にて注入し、テストセルE、F、G、Hとした。 4, LC3, the LC2 and LC1 injected by a vacuum injection method, and test cells E, F, G, and H.

【0125】その後、セルに20V矩形波を2分印加し完全にベンド配向とした後、20mVに電圧を降下させ、電極部全面がスプレイ配向となるのに要する時間を測定したところ、それぞれ20秒、30秒、43秒及び65秒であった。 [0125] Then, after a 20V square wave is applied for 2 minutes completely bend alignment cell, the voltage is lowered to 20 mV, where the electrode portions entire surface was measured the time required for the splay alignment, respectively 20 seconds was 30 seconds, 43 seconds and 65 seconds.

【0126】上記実施の形態2で述べたように、スプレイ配向からベンド配向への転移が容易(高速)な系では、両者のエネルギー差が小さいため、逆にベンド配向からスプレイ配向への転移は遅くなる。 [0126] As described in the second embodiment, the transition from splay alignment to bend alignment is easy (high speed) systems, the energy difference between the two is small, transition from bend alignment to splay alignment conversely Become slow. よって、スプレイ配向への転移時間を評価指標として、ベンド配向への転移の容易性を評価することができる。 Therefore, as an evaluation index the transition time to splay alignment, it is possible to evaluate the ease of transition to bend alignment. 上記実験例の場合は、セルH、G、F、Eの順序でベンド配向への転移が容易となる。 For the experiment, cells H, G, F, transition to bend alignment is facilitated in the order of E.

【0127】また、本実施の形態4に係る評価法では、 [0127] Further, the evaluation method according to the fourth embodiment,
評価が容易である。 Evaluation is easy. なぜなら、スプレイ配向からベンド配向への転移を目視観察する場合には、従来の技術の項で説明したように、クロスニコル下では、色変化が少なく転移の確認が容易ではない。 This is because, when visually observed transition from splay alignment to bend alignment, as described in the prior art section, in a crossed Nicol state, is not easy confirmation of the color change is small metastases. 一方、ベンド配向からスプレイ配向への転移を目視観察する場合には、クロスニコル下での色変化(例えば、青色・黄色等の有彩色の変化)が大きく、測定が非常に容易だからである。 On the other hand, in the case of visual observation of the transition from the bend alignment to the splay alignment, the color change under crossed Nicols (for example, chromatic variation of color, such as blue, yellow) is large, the measurement is because very easy.

【0128】尚、ここで20mVの電圧を印加するのは、通常ベンド配向からスプレイ配向に転移させるためには、ベンド配向状態において電圧の印加を停止すればよい。 [0128] Here, the application of the voltage of 20mV, in order to transfer from the normal bend alignment splay alignment may be stopping the application of voltage in a bend alignment state. しかし、このように電圧印加を停止しても、直ちスプレイ配向に転移しない。 However, even if stopping such a voltage application, not transferred immediately splay alignment. なぜなら、ベンド配向状態において、液晶層が充電された状態となっているため、 This is because the in bend alignment state, in a state of the liquid crystal layer is charged,
電圧の印加を停止してもスプレイ配向に転移するまで相当の時間を要する。 Stopping the application of voltage takes a considerable time until the transition to splay alignment. これでは、実験を行うには、適切でない。 This is, to do the experiment, not appropriate. よって、数mV程度の微小電圧を印加して、充電量がほぼ0と見なせる程度の状態とするためである。 Thus, by applying a small voltage of about several mV, in order to state a degree that the amount charged can be regarded as substantially zero.

【0129】セルE、セルF、セルG及びセルHに10 [0129] Cell E, Cell F, the cell G and cell H 10
Vを印加し、スプレイ配向からベンド配向に要する時間を目視観察により別途測定した結果では、それぞれ70 Applying a V, the result of separately measured by visual observation of the time required from splay alignment to bend alignment, respectively 70
秒、20秒、3秒、1秒となった。 Seconds, 20 seconds, 3 seconds, has become one second. よって、ベンド配向への転移に関する目視観察とも、本実施の形態4の評価法は一致しており、本発明の有効性は明らかである。 Therefore, both the visual observation regarding transition to bend alignment, the evaluation method of the fourth embodiment are consistent, the effectiveness of the present invention are apparent.

【0130】尚、本実施の形態4に係る評価法は、スプレイ−ベンド転移とは異なり、その速度は配向膜の表面状態に大きく依存する。 [0130] The evaluation method according to the fourth embodiment, the spray - unlike bend transition, the speed greatly depends on the surface condition of the alignment film. 従って、均質な膜表面が保証されれば、本実施の形態4に係る評価法はスプレイ配向からベンド配向への転移容易性の評価に極めて有効な方法である。 Therefore, if it is ensured uniform film surface, evaluation method according to the fourth embodiment is an extremely effective method for evaluation of metastatic ease from splay alignment to bend alignment.

【0131】次いで、上記実施の形態に係る評価指標を自動的に計測する評価装置について説明する。 [0131] Next, a description will be given evaluation apparatus that automatically measures the evaluation indices according to the above embodiment. 図20は本実施の形態に係る評価装置の構成を示すブロック図である。 Figure 20 is a block diagram showing a configuration of an evaluation apparatus according to the present embodiment. この評価装置50は前記評価装置30に類似し、 The evaluation device 50 is similar to the evaluation device 30,
対応する部分には同一の参照符号を付す。 And corresponding portions are denoted by the same reference numerals. この評価装置50では、評価装置30に使用されていた容量測定装置32に代えて、顕微鏡51及び画像解析装置52が使用される。 In the evaluation device 50, in place of the capacitance measuring device 32 which is used to evaluate system 30, a microscope 51 and an image analyzer 52 is used. また、CPU35には電圧印加手段53接続されており、この電圧印加手段53により液晶セルに電圧が印加されるように構成されている。 Also connected the voltage applying unit 53 to the CPU 35, and is configured such that a voltage to the liquid crystal cell is applied by the voltage applying means 53. 尚、この評価装置50では、液晶セルの両外側に偏光板10,11がクロスニコルに配置されている。 Incidentally, in the evaluation device 50, a polarizer 10, 11 on both outer sides of the liquid crystal cells are arranged in a cross nicol state. 計測に際しては、光源(図示せず)により、一方の偏光板10側から光を照射し、 In measurement by a light source (not shown), it is irradiated with light from one of the polarizing plate 10 side,
他方の偏光板11側に設けた顕微鏡51により転移状態を観察して、観察された画像を画像解析装置52で解析して、解析データをCPU35に伝達するように構成されている。 By observing the transition state by a microscope 51 which is provided on the other polarizing plate 11 side, by analyzing the observed image by the image analysis device 52, it is configured to transmit the analyzed data to the CPU 35.

【0132】図21は評価装置50の処理動作を示すフローチャートである。 [0132] Figure 21 is a flowchart showing the processing operation of the evaluation device 50. 先ず、液晶セルに例えば30 First, for example, 30 to the liquid crystal cell
[V]を一定期間印加して、液晶セルの全領域をベンド配向状態とする(ステップe1,e2)。 And [V] a certain period is applied to the entire region of the liquid crystal cell and the bend alignment state (step e1, e2). 次いで、ステップe3で液晶セルに例えば20mV程度の微小電圧を印加し(ステップe3)、これと同時にタイマTM3をセットする(ステップe4)。 Then, a small voltage of, for example, about 20mV to the liquid crystal cell is applied at step e3 (step e3), which to set the timer TM3 simultaneously (step e4). 次いで、ステップe5で顕微鏡51からの画像を取り込み、画像の色変化の範囲を解析し、色変化の範囲が全電極面に及んだときはステップe6からステップe7に移り、タイマTM3より現在時間を読み出す。 Then, capture images from the microscope 51 at step e5, analyzes the range of color change in the image, when the range of color change ranged total electrode surface moves from step e6 to step e7, the current time from the timer TM3 a read. これにより、ベンドからスプレイへの転移時間が測定されたことになる。 As a result, the transition time from the bend to the spray was measured. 次いで、ステップe8で転移時間が表示・印字される。 Then, the transition time is displayed and printed in step e8. こうして、評価装置50により、本実施の形態4に係る評価指標であるベンドからスプレイへの転移時間を自動的に測定することが可能となる。 Thus, the evaluation device 50, the transition time from the evaluation is an index bend according to the fourth embodiment to the splay the it is possible to automatically measure.

【0133】 [0133]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、容易で、 According to the present invention as described above, according to the present invention, easy,
しかも信頼性の高いスプレイ−ベンド転移時間の評価が可能となる。 Moreover, reliable spray - it is possible to evaluate the bend transition time.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】実施の形態1〜4に係るスプレイ−ベンド転移時間評価法に用いたテストセルの構成図である。 [1] spray according to Embodiments 1 to 4 - is a configuration diagram of a test cell used in bend transition time evaluation method.

【図2】図1のテストセル基板のラビング方向を示す図である。 2 is a diagram showing the rubbing direction of the test cell substrate of FIG.

【図3】実施の形態1で用いたテストセルA、Bに10 [3] Test cell A used in the first embodiment, 10 in B
Vを印加した時のセル容量の時間変化を示す図である。 It is a graph showing a temporal change of cell capacitance upon application of a V.

【図4】スプレイ配向からベンド配向への転移の過程を説明するための図である。 4 is a diagram for explaining a process of transition from splay alignment to bend alignment.

【図5】実施の形態1に係る評価装置30の構成を示すブロック図である。 5 is a block diagram showing a configuration of an evaluation apparatus 30 according to the first embodiment.

【図6】テーブル40のストア領域の模式図である。 6 is a schematic diagram of a storage area of ​​the table 40. 評価装置の動作を示すフローチャートである。 Is a flowchart showing the operation of the evaluation device.

【図7】評価装置30によるモード入力時の判断処理を示すフローチャートである。 7 is a flowchart showing a determination process at a time mode input by the evaluation device 30.

【図8】評価装置30によるモード1の処理を示すフローチャートである。 8 is a flowchart showing the processing in mode 1 by the evaluation device 30.

【図9】評価装置30によるモード1の処理を示すフローチャートである。 9 is a flowchart showing the processing in mode 1 by the evaluation device 30.

【図10】実施の形態2のテストセルに印加した電圧の時間変化を表すタイミングチャートである。 10 is a timing chart showing the time variation of the voltage applied to the test cell of the second embodiment.

【図11】実施の形態2に用いたテストセルCに、図1 The test cell C used in [11] Embodiment 2, FIG. 1
0のタイミングで電圧を印加した時の、各電圧値切換後の容量の時間変化を示す図である。 Upon application of a voltage at the timing of 0, which is a graph showing a temporal change in the volume of 換後 each voltage value switching.

【図12】実施の形態2に用いたテストセルCに、図1 The test cell C used in Figure 12 embodiment 2, FIG. 1
0と同様のタイミングで電圧を降下させた時の、各電圧値切換後の容量の時間変化を示す図である。 0 when lowering the voltage at the same timing as a diagram showing the time variation of the capacitance of 換後 each voltage value switching.

【図13】実施の形態2に用いたテストセルCの容量− [13] capacity of the test cell C used in the second embodiment -
電圧(C−V)ヒステリシス特性を示す図である。 It is a diagram showing the voltage (C-V) hysteresis characteristic.

【図14】実施の形態2に用いたテストセルDの容量− [14] capacity of the test cell D used in the second embodiment -
電圧(C−V)ヒステリシス特性を示す図である。 It is a diagram showing the voltage (C-V) hysteresis characteristic.

【図15】評価装置30によるモード2の処理を示すフローチャートである。 15 is a flowchart showing the processing in mode 2 by the evaluation device 30.

【図16】評価装置30によるモード3の処理を示すフローチャートである。 16 is a flowchart showing a process of mode 3 by the evaluation device 30.

【図17】評価装置30によるモード4の処理を示すフローチャートである。 17 is a flowchart showing the processing of mode 4 by the evaluation device 30.

【図18】評価装置30によるモード5の処理を示すフローチャートである。 18 is a flowchart showing a process of mode 5 by the evaluation device 30.

【図19】評価装置30によるモード6の処理を示すフローチャートである。 19 is a flowchart showing the processing of mode 6 by the evaluation device 30.

【図20】実施の形態4に係る評価装置50の構成を示すブロック図である。 FIG. 20 is a block diagram showing a configuration of an evaluation apparatus 50 according to the fourth embodiment.

【図21】評価装置50による処理を示すフローチャートである。 21 is a flowchart showing the processing by the evaluation device 50.

【図22】光学補償ベンド(OCB)モードセルのパネル構成、および液晶ダイレクタの配列を説明するための図である。 [22] Panel configuration of the optical compensation bend (OCB) mode cell, and is a diagram for explaining the arrangement of the liquid crystal director.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1,8………ガラス基板 2,7………透明電極 3,6………配向膜 4……………液晶層 5……………スペーサ 5a…………電圧無印加時の液晶配向(スプレイ配向) 5b…………電圧印加時の液晶配向(ベンド配向) 9……………テストセル 10,12…偏光板 11,13…位相補償板 30,50…評価装置 31…入力操作手段 32…容量測定装置 33…印字手段 34…表示手段 35…CPU 36,53…電圧印加手段 38…ROM 39…RAM 40…テーブル 51…顕微鏡 52…画像解析装置 1,8 ......... glass substrate 2, 7 ......... transparent electrodes 3 and 6 ......... orientation film 4 ............... liquid crystal layer 5 ............... spacer 5a ............ no voltage is applied when the liquid crystal is orientation (splay alignment) 5b ............ liquid crystal alignment (bend alignment) when a voltage is applied 9 ............... test cells 10, 12 ... polarization plate 11, 13 ... phase compensating plate 30, 50 ... evaluation device 31 ... input operating means 32 ... capacitance measuring device 33 ... printing means 34 ... display means 35 ... CPU 36 and 53 ... voltage applying means 38 ... ROM 39 ... RAM 40 ... table 51 ... microscope 52 ... image analyzer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) G02F 1/13 G01N 27/22 G02F 1/139 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (58) investigated the field (Int.Cl. 7, DB name) G02F 1/13 G01N 27/22 G02F 1/139

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】設定電圧を段階的に上昇させながら、スプレイ配向を示すホモジニアス液晶セルに電圧を印加する手段と、前記電圧上昇時における設定電圧と同一設定電圧を段階的に下降させながら、ベンド配向を示す液晶セルに電圧を印加する手段と、前記印加電圧の上昇及び下降時における各設定電圧値毎のセル容量の時間変化をモニターする手段と、前記モニター手段のモニター結果に基づき電圧−セル容量曲線上のヒステリシスの大きさを算出する手段と、を含むことを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評価装置。 While increased stepwise to 1. A set voltage, means for applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell showing a splay alignment while stepwise lowers the setting voltage and the same set voltage when the voltage rises, Bend means for applying a voltage to the liquid crystal cell indicating the orientation, and means for monitoring the time variation in cell capacity for each set voltage value at the time of rise and fall of the applied voltage, the voltage on the basis of the monitoring result of said monitoring means - cells bend transition time of the evaluation device - spray which comprises means for calculating the magnitude of hysteresis on the volume curve, the.
  2. 【請求項2】設定電圧を段階的に上昇させながら、スプレイ配向を示すホモジニアス液晶セルに電圧を印加する手段と、前記印加電圧の上昇時における各設定電圧値毎のセル容量の時間変化をモニターする手段と、前記モニター手段のモニター結果に基づき、前記複数の設定電圧値のうち容量値が増加していく電圧値を求め、この電圧値に関してセル容量が一定値に飽和するまでの時間を算出する算出手段と、を含むことを特徴とするスプレイ− While wherein stepwise increasing the set voltage, the monitor means for applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell showing a splay alignment, the time variation of the cell capacity of each set voltage value at the time of rise of the applied voltage calculating means, based on the monitoring result of said monitoring means, said plurality of determined voltage value capacitance value increases among the setting voltage value, the time until the cell capacitance with respect to this voltage value is saturated to a constant value spray, characterized in that it comprises calculating means for, the -
    ベンド転移時間の評価装置。 Bend transition time of the evaluation device.
  3. 【請求項3】設定電圧を段階的に下降させながら、ベンド配向を示す液晶セルに電圧を印加する手段と、前記印加電圧の下降時における各設定電圧値毎のセル容量の時間変化をモニターする手段と、前記モニター手段のモニター結果に基づき、前記複数の設定電圧値のうち容量値が減少していく電圧値を求め、この電圧値に関してセル容量が一定値に飽和するまでの時間を算出する手段と、 3. While stepwise lowers the setting voltage, monitoring means for applying a voltage to the liquid crystal cell, a time change of a cell capacity of each set voltage value at the time of falling of the applied voltage showing a bend alignment and means, based on the monitoring result of said monitoring means determines a voltage value capacitance value decreases among the plurality of setting voltage values, the cell capacitance with respect to the voltage value to calculate the time until saturation at a constant value and means,
    を含むことを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評価装置。 Spray characterized in that it comprises a - bend transition time of the evaluation device.
  4. 【請求項4】設定電圧を段階的に上昇させながら、スプレイ配向を示すホモジニアス液晶セルに電圧を印加する手段と、前記印加電圧の上昇時における各設定電圧値毎のセル容量の時間変化をモニターする手段と、前記モニター手段のモニター結果に基づき、前記複数の設定電圧値のうち容量値が増加していく電圧値を求め、この電圧値に関するセル容量の変化率を算出する手段と、を含むことを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評価装置。 While wherein increasing the set voltage stepwise, monitoring means for applying a voltage to a homogeneous liquid crystal cell showing a splay alignment, the time variation of the cell capacity of each set voltage value at the time of rise of the applied voltage and means for, based on the monitoring result of said monitoring means determines a voltage value capacitance value increases among the plurality of setting voltage values, and means for calculating a change rate of the cell capacity on this voltage value, the spray, characterized in that - bend transition time of the evaluation device.
  5. 【請求項5】設定電圧を段階的に下降させながら、ベンド配向を示す液晶セルに電圧を印加する手段と、前記印加電圧の下降時における各設定電圧値毎のセル容量の時間変化をモニターする手段と、前記モニター手段のモニター結果に基づき、前記複数の設定電圧値のうち容量値が減少していく電圧値を求め、この電圧値に関するセル容量の変化率を算出する手段と、を含むことを特徴とするスプレイ−ベンド転移時間の評価装置。 5. While stepwise lowers the setting voltage, monitoring means for applying a voltage to the liquid crystal cell, a time change of a cell capacity of each set voltage value at the time of falling of the applied voltage showing a bend alignment and means, based on the monitoring result of said monitoring means determines a voltage value capacitance value decreases among the plurality of setting voltage values, include means for calculating a change rate of the cell capacity on this voltage value, the bend transition time of the evaluation device - spray according to claim.
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