JP5210998B2 - Silicon wafer inspection equipment - Google Patents

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本発明は、シリコンウエハー、特に太陽電池製造用シリコンウエハーの透視像を撮影し、その画像に基づいてシリコンウエハーの欠陥(チッピング、クラック、ピンホールおよび微粒子の付着等)を検出するシリコンウエハー検査装置に関する。   The present invention is a silicon wafer inspection apparatus that takes a fluoroscopic image of a silicon wafer, particularly a silicon wafer for manufacturing a solar cell, and detects defects (such as chipping, cracks, pinholes, and adhesion of fine particles) of the silicon wafer based on the image. About.

太陽電池製造用シリコンウエハーに生じたチッピング、クラック、ピンホールおよび微粒子の付着等の欠陥を検出するための検査装置がこれまでに知られている。
このようなシリコンウエハー検査装置として、例えば、シリコンウエハーのエッジ部の下面を支持する微動台と、微動台に支持されたシリコンウエハーを挟んで上下に対向配置された赤外線カメラおよび赤外光源と、を備え、赤外光源からシリコンウエハーに対して赤外線を照射し、シリコンウエハーからの透過赤外線を赤外線カメラに取り込み、シリコンウエハーの透視像をモニタに表示し、この透視像に基づいて欠陥を検査するようにしたものがある(例えば、特許文献1参照)。
Inspection apparatuses for detecting defects such as chipping, cracks, pinholes, and adhesion of fine particles generated on a silicon wafer for solar cell production have been known so far.
As such a silicon wafer inspection apparatus, for example, a fine movement table that supports the lower surface of the edge portion of the silicon wafer, an infrared camera and an infrared light source that are vertically opposed to each other across the silicon wafer supported by the fine movement table, The infrared light source irradiates the silicon wafer with infrared light, the transmitted infrared light from the silicon wafer is taken into an infrared camera, and a fluoroscopic image of the silicon wafer is displayed on a monitor, and a defect is inspected based on the fluoroscopic image There is something like that (see, for example, Patent Document 1).

ところが、シリコンウエハーの欠陥はそのエッジ部において生じやすいにもかかわらず、この検査装置によれば、微動台がシリコンウエハーのエッジ部分を覆ってしまうので、シリコンウエハーのエッジ部分を透視することができず、そのため、エッジ部分の検査ができないという問題があった。   However, even though defects of the silicon wafer are likely to occur at the edge portion, according to this inspection apparatus, the fine movement table covers the edge portion of the silicon wafer, so that the edge portion of the silicon wafer can be seen through. Therefore, there is a problem that the edge portion cannot be inspected.

そこで、エッジ部を含むシリコンウエハーの全体を検査可能とするために、エッジ部を支持する微動台を複数の部分に分割するとともに、微動台の各部分を、エッジ部の下面に進入する支持位置と、エッジ部から後退する退避位置との間で移動可能にし、さらに、エッジ部の近傍に、赤外光源から赤外線カメラへの直接入射光を遮断するマスクを配置した検査装置が提案されている(例えば、特許文献2参照)。   Therefore, in order to be able to inspect the entire silicon wafer including the edge part, the fine movement table that supports the edge part is divided into a plurality of parts, and each part of the fine movement table enters the lower surface of the edge part. And a retreat position retracted from the edge portion, and an inspection apparatus has been proposed in which a mask for blocking direct incident light from the infrared light source to the infrared camera is disposed in the vicinity of the edge portion. (For example, refer to Patent Document 2).

しかし、この検査装置では、赤外線カメラによる撮影の間に、微動台全体としてはシリコンウエハーを支持した状態で、微動台の各部分を支持位置と退避位置との間で移動させる必要がある。このため、シリコンウエハーを検査位置において一時的に静止させねばならず、高速度で検査することができないという欠点を有していた。加えて、この検査装置では、微動台の各部分を移動させる機構を設ける必要があり、また、撮影した透視像中にフレアやゴーストが生じるのを防止するためにマスクの位置を微妙に調節しなければならず、装置の構造を複雑にしていた。   However, in this inspection apparatus, it is necessary to move each part of the fine movement table between the support position and the retreat position while the silicon wafer is supported as the whole fine movement table during imaging by the infrared camera. For this reason, the silicon wafer has to be temporarily stopped at the inspection position, and has a drawback that it cannot be inspected at a high speed. In addition, in this inspection apparatus, it is necessary to provide a mechanism for moving each part of the fine movement table, and the position of the mask is finely adjusted in order to prevent flare and ghost from occurring in the photographed fluoroscopic image. It had to be complicated and the structure of the device was complicated.

特開平8−220008号公報JP-A-8-220008 特開2007−303829号公報JP 2007-303829 A

したがって、本発明の課題は、太陽電池製造用シリコンウエハー、特にそのエッジ部に生じた欠陥を高速度で検出できる簡単な構造のシリコンウエハー検査装置を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a silicon wafer inspection apparatus having a simple structure that can detect a silicon wafer for manufacturing a solar cell, in particular, a defect generated in an edge portion thereof at high speed.

上記課題を解決するため、本発明は、太陽電池製造用シリコンウエハーの欠陥を検出するシリコンウエハー検査装置であって、前後に並んで配置され、検査すべきシリコンウエハーを1枚ずつ順次一定速度で搬送する一対のコンベヤベルトを備え、前記一対のコンベヤベルトは搬送方向を直角に横切る細長い間隔をあけて配置され、前記間隔の幅は、前記一対のコンベヤベルト間の前記シリコンウエハーの受渡しを妨げない大きさに設定され、さらに、前記一対のコンベヤベルトの前記間隔のエリアの上側または下側に配置されて、前記間隔のエリアを通過する前記シリコンウエハーに光を照射する光源と、前記間隔のエリアを間に挟んで前記光源に対向して配置されるとともに前記搬送方向に直角にのび、前記シリコンウエハーからの透過光を検出して、前記シリコンウエハーの透視像のビデオ信号を出力するラインセンサカメラと、前記光源および前記ラインセンサカメラの少なくとも一方の直前に配置された、前記シリコンウエハーと同じ材質のフィルターと、前記ラインセンサカメラの出力端子に接続されたA/D変換器と、前記A/D変換器から出力される画像データを順次記録するバッファメモリと、前記間隔のエリアの上流側に配置され、前記シリコンウエハーの前記間隔のエリアへの進入を検出するセンサーと、を備え、前記ラインセンサカメラは、前記シリコンウエハーが前記センサーによって検出されてから前記間隔のエリアを通過するまでの間動作するようになっており、さらに、前記ラインセンサカメラの動作の間に前記バッファメモリに記録された前記シリコンウエハーの1枚分の画像データを読み出し、読み出した画像データを画像処理することによって、前記シリコンウエハーの欠陥を検出する欠陥検出部を備えたことを特徴とするシリコンウエハー検査装置を構成したものである。   In order to solve the above-described problems, the present invention is a silicon wafer inspection apparatus for detecting defects in a silicon wafer for solar cell manufacture, which is arranged side by side, and sequentially inspects silicon wafers to be inspected one by one at a constant speed. A pair of conveyor belts are provided, and the pair of conveyor belts are arranged at long and narrow intervals across the conveying direction at right angles, and the width of the interval does not hinder delivery of the silicon wafer between the pair of conveyor belts. A light source that is set to a size and is disposed above or below the space area of the pair of conveyor belts to irradiate light to the silicon wafer passing through the space area; and the space area Is disposed opposite to the light source with a gap therebetween and extends perpendicularly to the transport direction, and transmits from the silicon wafer. A line sensor camera that outputs a video signal of a fluoroscopic image of the silicon wafer, a filter made of the same material as the silicon wafer, disposed immediately before at least one of the light source and the line sensor camera, An A / D converter connected to an output terminal of a line sensor camera; a buffer memory for sequentially recording image data output from the A / D converter; and the silicon disposed upstream of the space area. A sensor for detecting the entry of the wafer into the interval area, and the line sensor camera is operated until the silicon wafer is detected by the sensor and passes through the interval area. And recorded in the buffer memory during the operation of the line sensor camera. A silicon wafer inspection apparatus comprising a defect detection unit that detects image defects of the silicon wafer by reading image data of one recon wafer and processing the read image data. It is.

上記構成において、好ましくは、前記欠陥検出部は、前記シリコンウエハーの1枚分の画像データを構成する各画素の輝度を検出し、検出した輝度値を予め決定されたしきい値と比較することによって、前記シリコンウエハーの欠陥を検出する。
また好ましくは、前記ラインセンサカメラは、パルス発生器と、前記パルス発生器によって生成されるパルスの個数を計数するパルスカウンタと、を備え、前記パルスカウンタは、前記センサーによって前記シリコンウエハーが検出される毎に計数値をリセットして新たに動作を開始し、前記ラインセンサカメラは、前記センサーから検出信号を受けたときに動作を開始し、前記パルスカウンタの計数値が予め決定された値に達したときに動作を終了する。
また、前記光源は、赤外線を含む波長領域の光を照射することが好ましい。
In the above configuration, preferably, the defect detection unit detects the luminance of each pixel constituting the image data for one piece of the silicon wafer, and compares the detected luminance value with a predetermined threshold value. To detect defects in the silicon wafer.
Preferably, the line sensor camera includes a pulse generator and a pulse counter that counts the number of pulses generated by the pulse generator, and the pulse counter detects the silicon wafer by the sensor. Each time the count value is reset, a new operation is started, and the line sensor camera starts operation when receiving a detection signal from the sensor, and the count value of the pulse counter is set to a predetermined value. The operation ends when it is reached.
Moreover, it is preferable that the light source emits light in a wavelength region including infrared rays.

本発明によれば、一対のコンベヤベルトを前後に間隔をあけて配置し、その間隔のエリアを挟んでラインセンサカメラおよび光源を上下に対向配置し、一対のコンベヤベルトによってシリコンウエハーを順次搬送しながら、ラインセンサカメラによってシリコンウエハーの透視像を取り込み、その透視像に基づいて欠陥を検出するので、検査毎にシリコンウエハーを静止させることなく、高速度で検査を行うことができる。
また、本発明によれば、ラインセンサカメラおよび光源の少なくとも一方の直前にシリコンウエハーと同じ材質のフィルターを配置し、光源からラインセンサカメラに直接照射される光をシリコンウエハーからの透過光と同じ波長帯に制限したので、従来のようにマスクを用いなくても、フレアおよびゴーストのない明瞭なシリコンウエハーの透視像が得られる。さらに、本願発明によれば、シリコンウエハーを一対のコンベヤベルトによって搬送する間に検査をすることができ、よって従来のような複雑なシリコンウエハー支持台(微動台)を備える必要はない。
According to the present invention, a pair of conveyor belts are arranged at an interval in the front-rear direction, a line sensor camera and a light source are arranged opposite to each other across the area of the interval, and silicon wafers are sequentially conveyed by the pair of conveyor belts. However, since the perspective image of the silicon wafer is captured by the line sensor camera and the defect is detected based on the perspective image, the inspection can be performed at a high speed without stopping the silicon wafer for each inspection.
Further, according to the present invention, a filter made of the same material as that of the silicon wafer is disposed immediately before at least one of the line sensor camera and the light source, and the light directly irradiated from the light source to the line sensor camera is the same as the transmitted light from the silicon wafer. Since the wavelength band is limited, a clear fluoroscopic image of a silicon wafer without flare and ghost can be obtained without using a mask as in the prior art. Furthermore, according to the present invention, the inspection can be performed while the silicon wafer is being conveyed by the pair of conveyor belts, and thus it is not necessary to provide a conventional complicated silicon wafer support (fine movement).

本発明の1実施例によるシリコンウエハー検査装置の概略構成を示す図であり、(A)は正面図、(B)は(A)の一対のコンベヤベルト間の間隔のエリアの拡大図である。It is a figure which shows schematic structure of the silicon wafer inspection apparatus by one Example of this invention, (A) is a front view, (B) is an enlarged view of the area of the space | interval between a pair of conveyor belts of (A). 図1のシリコンウエハー検査装置を上方から見た平面図である。It is the top view which looked at the silicon wafer test | inspection apparatus of FIG. 1 from upper direction. 図1のシリコンウエハー検査装置の搬送方向上流側から見た側面図である。It is the side view seen from the conveyance direction upstream of the silicon wafer inspection apparatus of FIG. シリコンウエハーの透視像中に現われるシリコンウエハーの欠陥を例示する平面図である。It is a top view which illustrates the defect of the silicon wafer which appears in the fluoroscopic image of a silicon wafer.

以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施例を説明する。図1は、本発明の1実施例によるシリコンウエハー検査装置の概略構成を示す図であり、(A)は正面図、(B)は(A)の一対のコンベヤベルト間の間隔のエリアの拡大図である。また、図2は、図1のシリコンウエハー検査装置を上方から見た平面図であり、図3は、図1のシリコンウエハー検査装置の搬送方向上流側から見た側面図である。なお、図3では、明瞭のために、一部構成要素を省略した。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. 1A and 1B are diagrams showing a schematic configuration of a silicon wafer inspection apparatus according to one embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a front view and FIG. 1B is an enlargement of an area between a pair of conveyor belts in FIG. FIG. FIG. 2 is a plan view of the silicon wafer inspection apparatus of FIG. 1 as viewed from above, and FIG. 3 is a side view of the silicon wafer inspection apparatus of FIG. In FIG. 3, some components are omitted for the sake of clarity.

図1に示すように、本発明によれば、フレーム1と、フレーム1の上面に前後に並んで取り付けられ、シリコンウエハーWを1枚ずつ順次一定速度で搬送する一対の水平なコンベヤベルト2、3が備えられる。コンベヤベルト2、3は、搬送方向(矢印X)を直角に横切る細長い間隔4をあけて配置される。この場合、間隔4の幅は、一対のコンベヤベルト2、3間のシリコンウエハーWの受渡しを妨げない大きさに設定される。   As shown in FIG. 1, according to the present invention, a frame 1 and a pair of horizontal conveyor belts 2 that are attached to the upper surface of the frame 1 side by side and convey silicon wafers W one by one at a constant speed, 3 is provided. The conveyor belts 2 and 3 are arranged at an elongated interval 4 that intersects the conveyance direction (arrow X) at a right angle. In this case, the width of the interval 4 is set to a size that does not hinder delivery of the silicon wafer W between the pair of conveyor belts 2 and 3.

図2に示すように、この実施例では、コンベヤベルト2、3は、幅方向に間隔をあけて平行に配置された各一対のコンベヤベルトエレメント2a、2b;3a、3bから構成される。そして、シリコンウエハーWは、両側下面を各一対のコンベヤベルトエレメント2a、2b;3a、3bに支持されつつ搬送される。   As shown in FIG. 2, in this embodiment, the conveyor belts 2 and 3 are each composed of a pair of conveyor belt elements 2a and 2b; 3a and 3b arranged in parallel at intervals in the width direction. The silicon wafer W is transported while the lower surfaces of both sides are supported by the pair of conveyor belt elements 2a, 2b; 3a, 3b.

図1に示すように、一対のコンベヤベルト2、3の間隔4のエリアの下側には光源5が配置される。光源5は、L字状断面の固定板6を介してフレーム1に取付けられ、図2からわかるように、間隔4に沿って搬送方向(矢印X)を直角に横切る方向に、シリコンウエハーWの幅を超えてのびる。光源5は、間隔4のエリアを通過するシリコンウエハーWに光を照射する。   As shown in FIG. 1, a light source 5 is disposed below an area of a distance 4 between the pair of conveyor belts 2 and 3. The light source 5 is attached to the frame 1 via a fixed plate 6 having an L-shaped cross section. As can be seen from FIG. 2, the light source 5 extends along the interval 4 in a direction perpendicular to the transport direction (arrow X). Extend beyond the width. The light source 5 irradiates the silicon wafer W that passes through the area of the interval 4 with light.

図1および図3からわかるように、フレーム1は、コンベヤベルト2、3の間隔4のエリアの近傍に、コンベヤベルト2、3の搬送面を跨ぐ逆U字状断面の支柱部1aを有している。そして、支柱部1aの上面には、ラインセンサカメラ8が、XYZステージ9を介して取付けられる。ラインセンサカメラ8は、間隔4のエリアを間に挟んで光源5に対向して配置されるとともに搬送方向(矢印X)に直角にのび、シリコンウエハーWからの透過光を検出して、シリコンウエハーWの透視像のビデオ信号を出力する。   As can be seen from FIGS. 1 and 3, the frame 1 has a column portion 1 a having an inverted U-shaped cross section straddling the conveying surface of the conveyor belts 2 and 3 in the vicinity of the area of the interval 4 between the conveyor belts 2 and 3. ing. And the line sensor camera 8 is attached to the upper surface of the support | pillar part 1a via the XYZ stage 9. FIG. The line sensor camera 8 is disposed facing the light source 5 with an area of the interval 4 interposed therebetween, extends perpendicular to the transport direction (arrow X), detects transmitted light from the silicon wafer W, and detects the silicon wafer. The video signal of the W perspective image is output.

XYZステージ9は、ラインセンサカメラ8を上下方向に動かすための調節ネジ9aと、ラインセンサカメラ8を水平面内において搬送方向(矢印X)に動かすための調節ネジ9b並びに搬送方向(矢印X)に直角な方向に動かすための調節ネジ9cとを備えている。そして、これらの調節ネジ9a〜9cの操作によって、ラインセンサカメラ8が光源5に対して正確に位置合わせされる。   The XYZ stage 9 includes an adjustment screw 9a for moving the line sensor camera 8 in the vertical direction, an adjustment screw 9b for moving the line sensor camera 8 in the transport direction (arrow X) in the horizontal plane, and a transport direction (arrow X). And an adjusting screw 9c for moving in a perpendicular direction. The line sensor camera 8 is accurately positioned with respect to the light source 5 by operating these adjustment screws 9a to 9c.

光源5は、シリコンウエハーWを透過する波長領域の光を照射するものであればいずれも使用可能であるが、赤外線を含む波長領域の光を照射する光源を使用することが好ましい。なぜなら、赤外線はシリコンウエハーWを透過し易く、シリコンウエハーWの明瞭な透視像を得るのに適しているからである。   Any light source 5 can be used as long as it irradiates light in a wavelength region that transmits through the silicon wafer W. However, it is preferable to use a light source that emits light in a wavelength region including infrared rays. This is because infrared rays are easily transmitted through the silicon wafer W and are suitable for obtaining a clear perspective image of the silicon wafer W.

光源5の直前には、シリコンウエハーWと同じ材質のフィルター7が配置される。このフィルター7によって、光源5からラインセンサカメラ8に直接照射される光を、シリコンウエハーWからの透過光と同じ波長帯に制限することができる。したがって、従来のようにマスクを用いなくても、フレアおよびゴーストのない明瞭なシリコンウエハーWの透視像が得られる。   A filter 7 made of the same material as that of the silicon wafer W is disposed immediately before the light source 5. With the filter 7, the light directly irradiated from the light source 5 to the line sensor camera 8 can be limited to the same wavelength band as the transmitted light from the silicon wafer W. Therefore, a clear perspective image of the silicon wafer W without flare and ghost can be obtained without using a mask as in the prior art.

なお、この実施例では、光源5が間隔4のエリアの下側に配置される一方、ラインセンサカメラ8が間隔4のエリアの上側に配置されるが、光源5およびラインセンサカメラ8の位置関係が上下逆になっていてもよいことは言うまでもない。   In this embodiment, the light source 5 is arranged below the area of the interval 4 while the line sensor camera 8 is arranged above the area of the interval 4, but the positional relationship between the light source 5 and the line sensor camera 8 It goes without saying that may be upside down.

ラインセンサカメラ8の出力端子にはA/D変換器12が接続され、A/D変換器12から出力されるライン状の画像データは、順次、バッファメモリ13に記録される。また、間隔4のエリアの上流側には、シリコンウエハーWの間隔4のエリアへの進入を検出するセンサー10が配置される。センサー10は、固定部材11を介してフレーム1に取付けられる。図示しないが、この実施例では、センサー10は、公知の発光および受光素子を備えた光学センサーからなっている。   An A / D converter 12 is connected to the output terminal of the line sensor camera 8, and line-shaped image data output from the A / D converter 12 is sequentially recorded in the buffer memory 13. Further, a sensor 10 that detects the entry of the silicon wafer W into the area of the interval 4 is arranged upstream of the area of the interval 4. The sensor 10 is attached to the frame 1 via a fixing member 11. Although not shown, in this embodiment, the sensor 10 is composed of an optical sensor having a known light emitting and receiving element.

ラインセンサカメラ8は、パルス発生器16と、パルス発生器16によって生成されるパルスの個数を計数するパルスカウンタ17を備えている。パルスカウンタ17は、センサー10によってシリコンウエハーWが検出される毎に、計数値をゼロにリセットして新たに動作を開始する。   The line sensor camera 8 includes a pulse generator 16 and a pulse counter 17 that counts the number of pulses generated by the pulse generator 16. Each time the silicon wafer W is detected by the sensor 10, the pulse counter 17 resets the count value to zero and starts a new operation.

そして、ラインセンサカメラ8は、センサー10から検出信号を受けたときに動作を開始し、パルスカウンタ17の計数値が予め決定された値に達したときに動作を終了する。それによって、ラインセンサカメラ8は、シリコンウエハーWがセンサー10によって検出されてから間隔4のエリアを通過するまでの間動作する。
このラインセンサカメラ8による画像の取り込みに際しては、順次搬送されるシリコンウエハーWが常に間隔4のエリアの所定の位置を通過するように、図示しない適当な位置決め手段によって位置決めがなされる。
The line sensor camera 8 starts its operation when it receives a detection signal from the sensor 10 and ends its operation when the count value of the pulse counter 17 reaches a predetermined value. Thereby, the line sensor camera 8 operates from when the silicon wafer W is detected by the sensor 10 until it passes through the area of the interval 4.
When the image is captured by the line sensor camera 8, positioning is performed by appropriate positioning means (not shown) so that the silicon wafers W sequentially transferred always pass a predetermined position in the area of the interval 4.

シリコンウエハー検査装置は、さらに、ラインセンサカメラ8の動作の間にバッファメモリ13に記録されたシリコンウエハーWの1枚分の画像データを読み出し、読み出した画像データを画像処理することによって、シリコンウエハーWの欠陥を検出する欠陥検出部14を備えている。この場合、バッファメモリ13中に記録された全画像データ中には、シリコンウエハーWの画像だけでなく、その外側の余白部分の画像も含まれている。そして、欠陥検出部14は、全画像データ中の予め決定されたシリコンウエハーWの四隅の位置座標に基づき、全画像データからシリコンウエハーWの画像部分だけを切り取って読み出す。   The silicon wafer inspection apparatus further reads out the image data for one silicon wafer W recorded in the buffer memory 13 during the operation of the line sensor camera 8 and performs image processing on the read image data, thereby obtaining the silicon wafer. A defect detection unit 14 for detecting W defects is provided. In this case, the entire image data recorded in the buffer memory 13 includes not only the image of the silicon wafer W but also the image of the margin portion outside the silicon wafer W. Then, based on the predetermined position coordinates of the four corners of the silicon wafer W in the entire image data, the defect detection unit 14 cuts out and reads out only the image portion of the silicon wafer W from the entire image data.

欠陥検出部14は、シリコンウエハーWの1枚分の画像データを構成する各画素の輝度を検出し、検出した輝度値を予め決定されたしきい値と比較することによって、シリコンウエハーWの欠陥を検出する。
この実施例では、欠陥検出部14によるシリコンウエハーWの検出は次のようにしてなされる。
The defect detection unit 14 detects the luminance of each pixel constituting the image data for one silicon wafer W, and compares the detected luminance value with a predetermined threshold value to thereby detect defects in the silicon wafer W. Is detected.
In this embodiment, the detection of the silicon wafer W by the defect detection unit 14 is performed as follows.

まず、シリコンウエハーWの欠陥がシリコンウエハーWの透視像中に出現するときの形態が考慮される。図4は、シリコンウエハーWの透視像中に現われるシリコンウエハーWの欠陥を例示する平面図である。
例えば、シリコンウエハーW中に生じた大きなピンホールおよび気泡は、光を透過させるので、図4(A)に示すように、シリコンウエハーWの透視像中に白い点20として現われるのに対し、シリコンウエハーW中に生じた小さなピンホールおよび気泡は、光を散乱させるので、図4(B)に示すように、シリコンウエハーWの透視像中において黒い点21として現われる。また、シリコンウエハーW中に生じたクラックは、光を散乱させるので、図4(C)に示すように、シリコンウエハーWの透視像中において黒い線22として現われる。また、シリコンウエハーWの表面に付着した粒子は、光を透過しないので、図4(D)に示すように、シリコンウエハーWの透視像中に黒い点23として現われる。
First, the form when the defect of the silicon wafer W appears in the fluoroscopic image of the silicon wafer W is considered. FIG. 4 is a plan view illustrating a defect of the silicon wafer W that appears in a fluoroscopic image of the silicon wafer W. FIG.
For example, since large pinholes and bubbles generated in the silicon wafer W transmit light, they appear as white dots 20 in the perspective image of the silicon wafer W as shown in FIG. Since small pinholes and bubbles generated in the wafer W scatter light, they appear as black dots 21 in the fluoroscopic image of the silicon wafer W as shown in FIG. Further, since the crack generated in the silicon wafer W scatters light, it appears as a black line 22 in the fluoroscopic image of the silicon wafer W as shown in FIG. Further, since the particles adhering to the surface of the silicon wafer W do not transmit light, they appear as black dots 23 in the fluoroscopic image of the silicon wafer W as shown in FIG.

こうして、欠陥検出部14は、シリコンウエハーWの1枚分の画像データを複数の部分に分割し、分割した各部分について、当該部分を構成する画素の輝度を検出する。そして、画素の輝度値が予め決定された上限閾値を超えた場合は、当該部分に図4に示すような黒い点や線が存在するとしてシリコンウエハーWに欠陥が生じていると判定し、また、画素の輝度値が予め決定された下限閾値を下回った場合は、当該部分に図4に示すような白い点が存在するとしてシリコンウエハーWに欠陥が生じていると判定する。   In this way, the defect detection unit 14 divides the image data for one silicon wafer W into a plurality of parts, and detects the luminance of the pixels constituting the part for each of the divided parts. If the luminance value of the pixel exceeds a predetermined upper limit threshold, it is determined that a defect has occurred in the silicon wafer W because there are black dots or lines as shown in FIG. When the luminance value of the pixel falls below the predetermined lower threshold, it is determined that a defect has occurred in the silicon wafer W on the assumption that a white point as shown in FIG.

シリコンウエハー検査装置は、また、バッファメモリ13にシリコンウエハーWの1枚分の画像データが記録される毎に、記録された画像データを読み出し、当該シリコンウエハーWの透視像を表示するディスプレイ15を備えている。そして、ディスプレイ15に表示された透視像を目視することで、検査結果を確認することができる。   The silicon wafer inspection apparatus also reads the recorded image data each time image data for one silicon wafer W is recorded in the buffer memory 13 and displays a display 15 for displaying a fluoroscopic image of the silicon wafer W. I have. Then, by visually observing the fluoroscopic image displayed on the display 15, the inspection result can be confirmed.

本発明のシリコンウエハー検査装置によれば、一対のコンベヤベルト2、3を前後に間隔4をあけて配置し、その間隔4のエリアを挟んで光源5およびラインセンサカメラ8を上下に対向配置し、一対のコンベヤベルト2、3によってシリコンウエハーWを順次搬送しながら、ラインセンサカメラ8によってシリコンウエハーWの透視像を取り込み、その透視像に基づいて欠陥を検出するので、検査毎にシリコンウエハーを静止させることなく、高速度で検査を行うことができる。しかもこの場合、従来のようにマスクを用いなくても、フレアおよびゴーストのない明瞭なシリコンウエハーの透視像が得られ、さらに、従来のような複雑なシリコンウエハー支持台(微動台)を備える必要がなく、シリコンウエハー検査装置の構成が非常に簡単になる。   According to the silicon wafer inspection apparatus of the present invention, the pair of conveyor belts 2 and 3 are arranged with a gap 4 in the front and rear direction, and the light source 5 and the line sensor camera 8 are arranged opposite to each other across the area of the gap 4. While the silicon wafers W are sequentially conveyed by the pair of conveyor belts 2 and 3, the line sensor camera 8 captures a fluoroscopic image of the silicon wafer W and detects a defect based on the fluoroscopic image. Inspection can be performed at high speed without being stationary. Moreover, in this case, a clear perspective image of the silicon wafer without flare and ghost can be obtained without using a mask as in the prior art, and it is necessary to have a complicated silicon wafer support base (fine movement base) as in the prior art. Therefore, the configuration of the silicon wafer inspection apparatus becomes very simple.

1 フレーム
1a 支柱部
2、3 コンベヤベルト
2a、2b コンベヤベルトエレメント
3a、3b コンベヤベルトエレメント
4 間隔
5 光源
6 固定板
7 フィルター
8 ラインセンサカメラ
9 XYZステージ
9a〜9c 調節ネジ
10 センサー
11 固定部材
12 A/D変換器
13 バッファメモリ
14 欠陥検出部
15 ディスプレイ
16 パルス発生器
17 パルスカウンタ
W シリコンウエハー
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Frame 1a Support | pillar part 2, 3 Conveyor belt 2a, 2b Conveyor belt element 3a, 3b Conveyor belt element 4 Space | interval 5 Light source 6 Fixing plate 7 Filter 8 Line sensor camera 9 XYZ stage 9a-9c Adjustment screw 10 Sensor 11 Fixing member 12A / D converter 13 Buffer memory 14 Defect detection unit 15 Display 16 Pulse generator 17 Pulse counter W Silicon wafer

Claims (4)

太陽電池製造用シリコンウエハーの欠陥を検出するシリコンウエハー検査装置であって、
前後に並んで配置され、検査すべきシリコンウエハーを1枚ずつ順次一定速度で搬送する一対のコンベヤベルトを備え、前記一対のコンベヤベルトは搬送方向を直角に横切る細長い間隔をあけて配置され、前記間隔の幅は、前記一対のコンベヤベルト間の前記シリコンウエハーの受渡しを妨げない大きさに設定され、さらに、
前記一対のコンベヤベルトの前記間隔のエリアの上側または下側に配置されて、前記間隔のエリアを通過する前記シリコンウエハーに光を照射する光源と、
前記間隔のエリアを間に挟んで前記光源に対向して配置されるとともに前記搬送方向に直角にのび、前記シリコンウエハーからの透過光を検出して、前記シリコンウエハーの透視像のビデオ信号を出力するラインセンサカメラと、
前記光源および前記ラインセンサカメラの少なくとも一方の直前に配置された、前記シリコンウエハーと同じ材質のフィルターと、
前記ラインセンサカメラの出力端子に接続されたA/D変換器と、
前記A/D変換器から出力される画像データを順次記録するバッファメモリと、
前記間隔のエリアの上流側に配置され、前記シリコンウエハーの前記間隔のエリアへの進入を検出するセンサーと、を備え、
前記ラインセンサカメラは、前記シリコンウエハーが前記センサーによって検出されてから前記間隔のエリアを通過するまでの間動作するようになっており、さらに、
前記ラインセンサカメラの動作の間に前記バッファメモリに記録された前記シリコンウエハーの1枚分の画像データを読み出し、読み出した画像データを画像処理することによって、前記シリコンウエハーの欠陥を検出する欠陥検出部を備えたことを特徴とするシリコンウエハー検査装置。
A silicon wafer inspection apparatus for detecting defects in a silicon wafer for solar cell production,
A pair of conveyor belts arranged side by side and conveying silicon wafers to be inspected one by one at a constant speed one by one, the pair of conveyor belts being arranged at an elongated interval perpendicular to the conveying direction; The width of the interval is set to a size that does not hinder delivery of the silicon wafer between the pair of conveyor belts,
A light source that is disposed above or below the spacing area of the pair of conveyor belts and that irradiates light to the silicon wafer passing through the spacing area;
It is arranged opposite to the light source with the space area in between, and extends perpendicular to the transport direction, detects transmitted light from the silicon wafer, and outputs a video signal of a fluoroscopic image of the silicon wafer A line sensor camera to
A filter made of the same material as the silicon wafer, disposed immediately before at least one of the light source and the line sensor camera;
An A / D converter connected to the output terminal of the line sensor camera;
A buffer memory for sequentially recording image data output from the A / D converter;
A sensor disposed upstream of the spacing area and detecting entry of the silicon wafer into the spacing area; and
The line sensor camera is adapted to operate from when the silicon wafer is detected by the sensor until passing through the area of the interval,
Defect detection for detecting defects in the silicon wafer by reading out image data of one silicon wafer recorded in the buffer memory during the operation of the line sensor camera and performing image processing on the read image data Silicon wafer inspection apparatus characterized by comprising a section.
前記欠陥検出部は、前記シリコンウエハーの1枚分の画像データを構成する各画素の輝度を検出し、検出した輝度値を予め決定されたしきい値と比較することによって、前記シリコンウエハーの欠陥を検出することを特徴とする請求項1に記載のシリコンウエハー検査装置。   The defect detection unit detects the luminance of each pixel constituting the image data for one piece of the silicon wafer, and compares the detected luminance value with a predetermined threshold value to thereby detect the defect of the silicon wafer. The silicon wafer inspection apparatus according to claim 1, wherein: 前記ラインセンサカメラは、
パルス発生器と、
前記パルス発生器によって生成されるパルスの個数を計数するパルスカウンタと、を備え、
前記パルスカウンタは、前記センサーによって前記シリコンウエハーが検出される毎に計数値をリセットして新たに動作を開始し、前記ラインセンサカメラは、前記センサーから検出信号を受けたときに動作を開始し、前記パルスカウンタの計数値が予め決定された値に達したときに動作を終了することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシリコンウエハー検査装置。
The line sensor camera is
A pulse generator;
A pulse counter that counts the number of pulses generated by the pulse generator,
The pulse counter resets the count value every time the silicon wafer is detected by the sensor and starts a new operation. The line sensor camera starts operating when a detection signal is received from the sensor. 3. The silicon wafer inspection apparatus according to claim 1, wherein the operation is terminated when the count value of the pulse counter reaches a predetermined value.
前記光源は、赤外線を含む波長領域の光を照射することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載のシリコンウエハー検査装置。   The said light source irradiates the light of the wavelength range containing infrared rays, The silicon wafer inspection apparatus in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned.
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