JP5189928B2 - Method for producing ceramic member and electrostatic chuck - Google Patents

Method for producing ceramic member and electrostatic chuck Download PDF

Info

Publication number
JP5189928B2
JP5189928B2 JP2008209752A JP2008209752A JP5189928B2 JP 5189928 B2 JP5189928 B2 JP 5189928B2 JP 2008209752 A JP2008209752 A JP 2008209752A JP 2008209752 A JP2008209752 A JP 2008209752A JP 5189928 B2 JP5189928 B2 JP 5189928B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sintered body
yttria
ceramic
conductive member
yttria sintered
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008209752A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2010042967A (en
Inventor
靖文 相原
正雄 西岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to JP2008209752A priority Critical patent/JP5189928B2/en
Publication of JP2010042967A publication Critical patent/JP2010042967A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5189928B2 publication Critical patent/JP5189928B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、導電部材を埋設したセラミックス部材及びセラミックス部材の作成方法及び静電チャックに関する。   The present invention relates to a ceramic member in which a conductive member is embedded, a method for producing the ceramic member, and an electrostatic chuck.

従来、半導体製造装置や液晶製造装置において、セラミックスに静電電極や抵抗発熱体等の導電部材を埋設させた、静電チャック(ESC)や高周波発生用サセプタ等のセラミックス部材が使用されている。このようなセラミックス部材は、一般的に、耐熱性や耐食性に優れた窒化アルミニウム(AlN)やアルミナ(Al23)等で構成されている。 Conventionally, ceramic members such as electrostatic chucks (ESC) and high frequency generating susceptors, in which conductive members such as electrostatic electrodes and resistance heating elements are embedded in ceramics, are used in semiconductor manufacturing apparatuses and liquid crystal manufacturing apparatuses. Such a ceramic member is generally made of aluminum nitride (AlN), alumina (Al 2 O 3 ) or the like having excellent heat resistance and corrosion resistance.

又、セラミックス部材として、腐食性ガス環境で使用する目的で高い耐食性を有するイットリア(Y23)を用いることが提案されている(例えば、特許文献1及び2参照。)。又、耐食性ガスに曝される部分にイットリアを使用し、他の部分にアルミナを使用したハイブリッドタイプのセラミックス部材が提案されている(例えば、特許文献3参照。)。ここで、埋設される導電部材は高融点金属であるW,Mo,Nb等を含み、これらの金属を含む導電部材を埋設したセラミックス部材の製造工程において、セラミックスの加工をするときの基準となる導電部材の形状を把握するためには、X線により透過像を撮影し埋設導電部材の位置を把握する(以下「X線ケガキ」という)必要があった。 Further, it has been proposed to use yttria (Y 2 O 3 ) having high corrosion resistance for use in a corrosive gas environment as a ceramic member (see, for example, Patent Documents 1 and 2). Further, a hybrid type ceramic member has been proposed in which yttria is used in a portion exposed to a corrosion-resistant gas and alumina is used in other portions (see, for example, Patent Document 3). Here, the conductive member to be embedded includes refractory metals such as W, Mo, Nb, and the like, and becomes a reference when processing ceramics in the manufacturing process of the ceramic member embedded with the conductive member including these metals. In order to grasp the shape of the conductive member, it was necessary to capture a transmission image with X-rays and grasp the position of the embedded conductive member (hereinafter referred to as “X-ray marking”).

しかしながら、セラミックス部材としてイットリア焼結体を用いる場合、イットリウムと埋設された金属は近い元素番号を有するため、X線に対して同等の透過率をもち、埋設した導電部材の位置がわからないという問題があった。導電部材の位置ずれは外周や穴部で絶縁破壊の原因となるが、イットリア焼結体は不透明であるため、目視による検査では導電部材の位置ずれを確認することが困難であった。   However, when using a yttria sintered body as a ceramic member, since the yttrium and the embedded metal have similar element numbers, there is a problem in that the position of the embedded conductive member is not known because it has the same transmittance with respect to X-rays. there were. The displacement of the conductive member causes dielectric breakdown at the outer periphery and the hole, but since the yttria sintered body is opaque, it is difficult to confirm the displacement of the conductive member by visual inspection.

又、イットリア焼結体の膜厚を測定する方法として、導電ゴムパッドを用いて導電部材との間の容量を測定し、測定値から膜厚を算出していた。しかしながら、導電ゴムパッドが小さいと測定値に占める誤差が大きくなるため、正確な測定ができないという問題があった。したがって、導電ゴムパッドの直径を50mm程度とする必要が有り、膜厚はその測定領域内の平均値しか得られなかった。   Moreover, as a method of measuring the film thickness of the yttria sintered body, the capacity between the conductive member was measured using a conductive rubber pad, and the film thickness was calculated from the measured value. However, if the conductive rubber pad is small, there is a problem that an error in the measurement value becomes large, so that accurate measurement cannot be performed. Therefore, the diameter of the conductive rubber pad needs to be about 50 mm, and the film thickness can only be obtained as an average value in the measurement region.

又、セラミックス部材がESCの場合、ESC上に載置した基板の温度を測定するには、ESCの下面から上面まで貫通する貫通孔(開口部)を形成し、光学式温度センサ等によりESCの下面側から開口部を通して基板の温度を測定していた。しかしながら、光学式温度センサ自体が開口部を介してプロセスガス雰囲気に曝されるために劣化するという問題があった。
特開2002−68838号公報 特開2002−255647号公報 特開2006−128603号公報
When the ceramic member is ESC, in order to measure the temperature of the substrate placed on the ESC, a through hole (opening) that penetrates from the lower surface to the upper surface of the ESC is formed, and the ESC is measured by an optical temperature sensor or the like. The temperature of the substrate was measured from the lower surface side through the opening. However, there is a problem that the optical temperature sensor itself deteriorates because it is exposed to the process gas atmosphere through the opening.
JP 2002-68838 A JP 2002-255647 A JP 2006-128603 A

本発明の目的は、セラミックス部材中に埋設された導電部材の位置ずれの確認、セラミックス部材の膜厚測定、及びセラミックス部材上に載置した基板の温度測定を容易に行うことができるセラミックス部材及びセラミックス部材の作成方法及び静電チャックを提供することである。   An object of the present invention is to provide a ceramic member capable of easily confirming the displacement of a conductive member embedded in the ceramic member, measuring the thickness of the ceramic member, and measuring the temperature of the substrate placed on the ceramic member. To provide a method for producing a ceramic member and an electrostatic chuck.

本願発明の一態様によれば、(イ)イットリアと同等の熱膨張係数を有するセラミックス焼結体と、(ロ)高融点金属を含む導電部材と、(ハ)前記導電部材上に配置された透光性のイットリア焼結体とを備え、前記セラミックス焼結体と前記イットリア焼結体は前記導電部材を挟んで一体に焼結されていることを特徴とするセラミックス部材が提供される。   According to one aspect of the present invention, (b) a ceramic sintered body having a thermal expansion coefficient equivalent to that of yttria, (b) a conductive member containing a refractory metal, and (c) disposed on the conductive member. There is provided a ceramic member comprising a translucent yttria sintered body, wherein the ceramic sintered body and the yttria sintered body are integrally sintered with the conductive member interposed therebetween.

本願発明の他の態様によれば、(イ)純度99.5%以上のイットリア粉末に炭素含有バインダーを混合しスラリーとし、噴霧造粒法により顆粒を得る工程と、(ロ)顆粒を、大気雰囲気中500〜1000℃で仮焼する工程と、(ハ)仮焼した顆粒を成形しイットリア成形体を得る工程と、(ニ)イットリア成形体を窒素雰囲気中1400〜1600℃でホットプレス法により焼成しイットリア焼結体を得る工程と、(ホ)イットリア焼結体上に導電部材を形成する工程と、(ヘ)導電部材上にセラミックス成形体を形成する工程と、(ト)イットリア焼結体、導電部材及びセラミックス成形体を、窒素雰囲気中、イットリア焼結体の焼成温度よりも50℃以上低い温度でホットプレス法により一体に焼成し、イットリア焼結体を2回窒素中で焼結する工程とを含むことを特徴とするセラミックス部材の作成方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, (i) a step of mixing a yttria powder having a purity of 99.5% or more with a carbon-containing binder to form a slurry and obtaining granules by a spray granulation method; A step of calcining at 500 to 1000 ° C. in an atmosphere; (c) a step of forming a calcined granule to obtain an yttria molded body; and (d) a yttria molded body at 1400 to 1600 ° C. in a nitrogen atmosphere by hot pressing. A step of firing to obtain an yttria sintered body, (e) a step of forming a conductive member on the yttria sintered body, (f) a step of forming a ceramic formed body on the conductive member, and (g) yttria sintering. The body, the conductive member, and the ceramic molded body were integrally fired in a nitrogen atmosphere by a hot press method at a temperature lower than the firing temperature of the yttria sintered body by 50 ° C., and the yttria sintered body was nitrogenated twice. In creating a ceramic member which comprises a step of sintering is provided.

本発明によれば、イットリアが透光性であることから、セラミックス部材中に埋設された導電部材の位置ずれの確認、セラミックス部材の膜厚測定、及びセラミックス部材上に載置した基板の温度測定を容易に行うことができるセラミックス部材及びセラミックス部材の作成方法を提供することができる。特に本セラミックス部材を半導体製造装置の静電チャックに好適に用いることができる。   According to the present invention, since yttria is translucent, confirmation of displacement of the conductive member embedded in the ceramic member, measurement of the film thickness of the ceramic member, and measurement of the temperature of the substrate placed on the ceramic member It is possible to provide a ceramic member and a method for producing the ceramic member that can be easily performed. In particular, the ceramic member can be suitably used for an electrostatic chuck of a semiconductor manufacturing apparatus.

次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。   Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between the thickness and the planar dimensions, the ratio of the thickness of each layer, and the like are different from the actual ones. Therefore, specific thicknesses and dimensions should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.

又、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。   Further, the following embodiments exemplify apparatuses and methods for embodying the technical idea of the present invention, and the technical idea of the present invention is the material, shape, structure, The layout is not specified as follows. The technical idea of the present invention can be variously modified within the scope of the claims.

本発明の実施の形態に係るセラミックス部材として静電チャック(ESC)を一例に説明する。本発明の実施の形態に係るセラミックス部材(ESC)10は、図1及び図2に示すように、イットリアと同等の熱膨張係数を有するセラミックス焼結体12と、セラミックス焼結体12上に配置され埋設される高融点金属を含む導電部材(静電電極)15と、静電電極15上に配置された透光性のイットリア焼結体13を備える基体11と、静電電極15に接続した接続端子14と、接続端子14に接続し電力を供給する電極端子16とを備える。セラミックス焼結体12とイットリア焼結体13は静電電極15を挟んで一体に焼結されている。   An electrostatic chuck (ESC) will be described as an example of the ceramic member according to the embodiment of the present invention. As shown in FIGS. 1 and 2, a ceramic member (ESC) 10 according to an embodiment of the present invention is disposed on a ceramic sintered body 12 having a thermal expansion coefficient equivalent to that of yttria, and the ceramic sintered body 12. The conductive member (electrostatic electrode) 15 including the refractory metal embedded therein, the base 11 including the translucent yttria sintered body 13 disposed on the electrostatic electrode 15, and the electrostatic electrode 15 are connected. A connection terminal 14 and an electrode terminal 16 connected to the connection terminal 14 and supplying power are provided. The ceramic sintered body 12 and the yttria sintered body 13 are integrally sintered with the electrostatic electrode 15 interposed therebetween.

基体11は、半導体基板や液晶基板等の基板を載置するためにその上面を基板載置面とする。基体11の基板載置面から基板載置面に対向する裏面までの厚さは、5mm以下であることが好ましく、1〜3mmであることがより好ましい。これによれば、熱抵抗を低減することができ、ESC10の熱的特性を向上できる。   The substrate 11 has an upper surface as a substrate mounting surface for mounting a substrate such as a semiconductor substrate or a liquid crystal substrate. The thickness from the substrate placement surface of the base 11 to the back surface facing the substrate placement surface is preferably 5 mm or less, and more preferably 1 to 3 mm. According to this, the thermal resistance can be reduced, and the thermal characteristics of the ESC 10 can be improved.

JISB0601に準じた方法で測定された基体11の基板載置面の中心線平均表面粗さ(Ra)は、0.6μm以下であることが好ましく、0.4μm以下であることがより好ましい。これによれば、基板を吸着するために十分な吸着力を得ることができ、更に、基板と基体11との摩擦によるパーティクル発生も抑えることができる。   The center line average surface roughness (Ra) of the substrate mounting surface of the base 11 measured by a method according to JISB0601 is preferably 0.6 μm or less, and more preferably 0.4 μm or less. According to this, sufficient adsorption force for adsorbing the substrate can be obtained, and furthermore, generation of particles due to friction between the substrate and the substrate 11 can be suppressed.

又、セラミックス焼結体12の下面からイットリア焼結体11の方向に向かって、接続端子14及び電極端子16を配置するための開口部18と、基板の温度測定等に使用する開口部17が形成されている。開口部18は、接続端子14の一端まで達している。開口部17は、セラミックス焼結体12を貫通し、イットリア焼結体13の下面まで達している。   Further, an opening 18 for arranging the connection terminals 14 and the electrode terminals 16 from the lower surface of the ceramic sintered body 12 toward the yttria sintered body 11 and an opening 17 used for measuring the temperature of the substrate are provided. Is formed. The opening 18 reaches one end of the connection terminal 14. The opening 17 penetrates the ceramic sintered body 12 and reaches the lower surface of the yttria sintered body 13.

イットリア焼結体13は、腐食性ガスに曝される部分を構成する。イットリア焼結体13は、非常に耐食性に優れている。イットリア焼結体13は、例えば、フッ化窒素(NF3)等のハロゲン系の腐食性ガスに対する耐食性だけでなく、プラズマ化された腐食性ガスに対する耐食性にも優れる。更に、イットリア焼結体13は、エッチングプロセスにおけるインシツ(In-situ)クリーニングに対しても十分に耐えるだけの耐食性を有する。 The yttria sintered body 13 constitutes a portion exposed to corrosive gas. The yttria sintered body 13 is very excellent in corrosion resistance. The yttria sintered body 13 is excellent not only in corrosion resistance against a halogen-based corrosive gas such as nitrogen fluoride (NF 3 ) but also in corrosion resistance against a plasma corrosive gas. Furthermore, the yttria sintered body 13 has corrosion resistance sufficient to withstand in-situ cleaning in the etching process.

イットリア焼結体13は、ESC10の少なくとも腐食性ガスに曝される部分を構成すればよい。例えば、基板載置面が腐食性ガスに曝される場合には、少なくとも基板載置面がイットリア焼結体13で構成されればよく、基板載置面以外の部分はイットリア焼結体で構成されなくてもよい。又、リング部材等が載置され、腐食性ガスに曝されない部分は、イットリア焼結体で構成されなくてもよい。もちろん、腐食性ガスに曝されない部分がイットリア焼結体で構成されても構わない。   The yttria sintered body 13 should just comprise the part exposed to at least corrosive gas of ESC10. For example, when the substrate placement surface is exposed to a corrosive gas, at least the substrate placement surface only needs to be composed of the yttria sintered body 13, and the portion other than the substrate placement surface is composed of the yttria sintered body. It does not have to be done. Further, the portion on which the ring member or the like is placed and is not exposed to the corrosive gas may not be formed of the yttria sintered body. Of course, the portion that is not exposed to the corrosive gas may be composed of a yttria sintered body.

イットリア焼結体13は、静電電極15上に形成され、静電吸着力としてクーロン力を利用するESC10の誘電体層として機能している。なお、クーロン力とは、静電電極15に電圧を印加することによって、誘電体層上(基板載置面上)に載置された基板と、静電電極15との間に発生する静電吸着力である。   The yttria sintered body 13 is formed on the electrostatic electrode 15 and functions as a dielectric layer of the ESC 10 that uses a Coulomb force as an electrostatic attraction force. The Coulomb force is the electrostatic force generated between the electrostatic electrode 15 and the substrate placed on the dielectric layer (on the substrate placement surface) by applying a voltage to the electrostatic electrode 15. Adsorption power.

この場合、日本工業規格(JIS)C2141に準じた方法で測定されたイットリア焼結体13の室温における体積抵抗率は、1×1015Ω・cm以上であることが好ましく、1×1016Ω・cm以上であることがより好ましい。更に、イットリア焼結体13の厚さは、0.3〜0.5mmであることが好ましく、0.3〜0.4mmであることがより好ましい。これによれば、高い吸着力を発現することができる。又、脱着応答性も向上できる。 In this case, the volume resistivity at room temperature of the yttria sintered body 13 measured by a method according to Japanese Industrial Standard (JIS) C2141 is preferably 1 × 10 15 Ω · cm or more, and preferably 1 × 10 16 Ω. -More preferably, it is cm or more. Furthermore, the thickness of the yttria sintered body 13 is preferably 0.3 to 0.5 mm, and more preferably 0.3 to 0.4 mm. According to this, high adsorption power can be expressed. Also, the desorption response can be improved.

イットリア焼結体13の純度は99.5%以上で、相対密度は99.9%以上であることが好ましい。又、イットリア焼結体13の平均粒子径は、2μm以上10μm以下であることが好ましい。これによれば、イットリア焼結体13は、高い透光性を得ることができる。   The purity of the yttria sintered body 13 is preferably 99.5% or more and the relative density is preferably 99.9% or more. The average particle size of the yttria sintered body 13 is preferably 2 μm or more and 10 μm or less. According to this, the yttria sintered body 13 can obtain high translucency.

イットリアと同等の熱膨張係数を有するセラミックス焼結体12には、アルミナ、イットリア、粒子分散強化イットリア、もしくはアルミナとイットリアの共晶体であるYAG(3Y23・5Al23:イットリウムアルミニウムガーネット)やYAM(2Y23・Al23)、YAL(Y23・Al23)の焼結体を用いることが好ましい。これらのセラミックス焼結体12は絶縁性であるとともにイットリア焼結体13と相溶性が良く、焼結によって、一体とすることができるからである。この中で、特にイットリアが好ましい。イットリアを用いれば、誘電体層のイットリア焼結体13と熱膨張係数を完全に一致させることができるので、製造工程中に反り等が生じないからである。さらに、セラミックス焼結体12には、Y23に、炭化珪素(SiC)、窒化珪素(Si34)等の微粉末を分散させた粒子分散強化イットリアを用いるのが好ましい。これによれば、セラミックス焼結体12の曲げ強度や破壊靱性等の機械的強度を向上させることができるばかりでなく、イットリア焼結体13と熱膨張係数が同等であるので、製造工程中に反りなどが生じにくい。従来、イットリア焼結体は非常に脆く、加工の際に細かい欠けが発生し、特に穴あけ加工が困難であったが、本発明の実施の形態においては、粒子分散強化イットリアをセラミックス焼結体12に用いることで、容易に静電チャックを加工できるようになる。特に粒子分散強化イットリアを透光性のイットリア焼結体13の支持体として用い、粒子分散強化イットリアに開口部18や開口部17を設けることで、従来歩留まり低下の原因となっていた加工中の欠けや破損を効果的に防止することができる。 The ceramic sintered body 12 having a thermal expansion coefficient equivalent to that of yttria includes alumina, yttria, particle dispersion strengthened yttria, or YAG (3Y 2 O 3 .5Al 2 O 3 : yttrium aluminum garnet) which is a eutectic of alumina and yttria. ), YAM (2Y 2 O 3 .Al 2 O 3 ), or YAL (Y 2 O 3 .Al 2 O 3 ) sintered body is preferably used. This is because these ceramic sintered bodies 12 are insulative and compatible with the yttria sintered body 13 and can be integrated by sintering. Among these, yttria is particularly preferable. This is because if yttria is used, the yttria sintered body 13 of the dielectric layer and the thermal expansion coefficient can be completely matched, so that no warp or the like occurs during the manufacturing process. Further, it is preferable to use a particle dispersion strengthened yttria in which fine powders such as silicon carbide (SiC) and silicon nitride (Si 3 N 4 ) are dispersed in Y 2 O 3 for the ceramic sintered body 12. According to this, not only the mechanical strength such as bending strength and fracture toughness of the ceramic sintered body 12 can be improved, but also the yttria sintered body 13 and the thermal expansion coefficient are equivalent, so that during the manufacturing process Less likely to warp. Conventionally, yttria sintered bodies have been very brittle and fine chips have occurred during processing, and in particular, drilling has been difficult. However, in the embodiment of the present invention, particle dispersion-strengthened yttria is made of ceramic sintered body 12. By using it, the electrostatic chuck can be easily processed. In particular, by using the particle dispersion-strengthened yttria as a support for the translucent yttria sintered body 13 and providing the opening 18 and the opening 17 in the particle dispersion-strengthened yttria, processing that has been the cause of lowering the yield in the past is currently being performed. Chipping and breakage can be effectively prevented.

静電電極15としては、WC、NbC、MoC、TiCといった高融点金属炭化物、もしくはこれらの粉末とアルミナ、イットリアの混合粉末をペーストにしてスクリーン印刷した印刷電極、もしくは、Mo、Nb等の高融点金属を細目の網目状に編んだメッシュ電極を用いることが好ましい。これらの高融点材料で静電電極15を形成することにより、ESC10の製造過程において、静電電極15が溶融したりセラミックスと反応することを防止できる。特にイットリアと高融点金属炭化物の混合粉末による印刷電極を用いることが好ましい。イットリア粉末はイットリア焼結体と同じ組成を有するので、共晶等の反応を起こすことなく、電極の導電性を高く維持できる。   As the electrostatic electrode 15, a high-melting point metal carbide such as WC, NbC, MoC, or TiC, or a printed electrode obtained by screen printing using a mixed powder of these powder and alumina and yttria as a paste, or a high-melting point such as Mo or Nb. It is preferable to use a mesh electrode in which metal is knitted into a fine mesh. By forming the electrostatic electrode 15 with these high melting point materials, it is possible to prevent the electrostatic electrode 15 from melting or reacting with ceramics during the manufacturing process of the ESC 10. It is particularly preferable to use a printed electrode made of a mixed powder of yttria and a refractory metal carbide. Since the yttria powder has the same composition as the yttria sintered body, the conductivity of the electrode can be maintained high without causing a reaction such as eutectic.

静電電極15は、セラミックス焼結体12とイットリア焼結体13との間に埋設する。これによれば、セラミックス焼結体12を予め作成して平坦な面を出してから静電電極15を印刷することができるので、イットリア焼結体13が、ESC10の誘電層として一定の厚みを有することができ、クーロン力を利用するESC10は均一な吸着力を発現できる。又、脱着応答性も向上できる。   The electrostatic electrode 15 is embedded between the ceramic sintered body 12 and the yttria sintered body 13. According to this, since the electrostatic electrode 15 can be printed after the ceramic sintered body 12 is prepared in advance and a flat surface is provided, the yttria sintered body 13 has a certain thickness as a dielectric layer of the ESC 10. The ESC 10 using the Coulomb force can exhibit a uniform adsorption force. Also, the desorption response can be improved.

静電電極15は、セラミックス焼結体12及びイットリア焼結体13との熱膨張係数の差が3×10−6/K以下であることが好ましい。これによれば、静電電極15と基体11との密着性を向上できる。又、基体11の静電電極15周辺部分にクラックが発生することも防止できる。 The electrostatic electrode 15 preferably has a difference in thermal expansion coefficient between the ceramic sintered body 12 and the yttria sintered body 13 of 3 × 10 −6 / K or less. According to this, the adhesion between the electrostatic electrode 15 and the substrate 11 can be improved. Further, it is possible to prevent cracks from occurring in the periphery of the electrostatic electrode 15 of the substrate 11.

静電電極15には、外部へ電気的接続を行うとともに製作工程を容易にするための接続端子14が接続されている。接続端子14には静電電極15と同じ材質の焼結体もしくは金属を用いることができる他、白金(Pt)やロジウム(Rh)を用いることができる。接続端子14はセラミックス焼結体12の原料粉末中に埋設されて同時に焼結されるため、セラミックス焼結体12および静電電極15と強固に接合している。接続端子14があることで、セラミックス焼結体12に開口部18を加工する際に薄い静電電極15に穴をあけてしまうのを防ぐことができる。そして接続端子14には、電力を供給する給電ケーブル等の給電部材に接続するための電極端子16が接合されている。電極端子16は、基体11の開口部18から挿入される。接続端子14と電極端子16とは、例えば、ろう付けにより接合されている。なお、接続端子14は静電電極15の相当部分のみ厚く形成することで代用することもできる。   The electrostatic electrode 15 is connected to a connection terminal 14 for making electrical connection to the outside and facilitating the manufacturing process. For the connection terminal 14, a sintered body or metal made of the same material as the electrostatic electrode 15 can be used, and platinum (Pt) or rhodium (Rh) can be used. Since the connection terminal 14 is embedded in the raw material powder of the ceramic sintered body 12 and sintered at the same time, the connection terminal 14 is firmly bonded to the ceramic sintered body 12 and the electrostatic electrode 15. By having the connection terminal 14, it is possible to prevent a hole from being formed in the thin electrostatic electrode 15 when the opening 18 is processed in the ceramic sintered body 12. The connection terminal 14 is joined with an electrode terminal 16 for connection to a power supply member such as a power supply cable for supplying power. The electrode terminal 16 is inserted from the opening 18 of the base body 11. The connection terminal 14 and the electrode terminal 16 are joined by brazing, for example. The connection terminal 14 can be substituted by forming only a substantial portion of the electrostatic electrode 15 thick.

セラミックス焼結体12とイットリア焼結体13は、熱膨張係数が近く、化学的な親和性にも優れている。そのため、セラミックス焼結体12とイットリア焼結体13は焼結により強固に接合される。よって、基体11をセラミックス焼結体12とイットリア焼結体13を用いて構成することにより、ESC10の機械的強度を向上させることができる。   The ceramic sintered body 12 and the yttria sintered body 13 are close in thermal expansion coefficient and excellent in chemical affinity. Therefore, the ceramic sintered body 12 and the yttria sintered body 13 are firmly joined by sintering. Therefore, the mechanical strength of the ESC 10 can be improved by configuring the base 11 using the ceramic sintered body 12 and the yttria sintered body 13.

特に、セラミックス焼結体12とイットリア焼結体13の熱膨張係数(CTE)の差を、0.50×10−6/K以下とすることが好ましく、0.30×10−6/K以下であることがより好ましく、0.10×10−6/K以下であることが更に好ましい。なお、熱膨張係数の差は、室温から1200℃までの温度範囲で測定した熱膨張係数の差である。これによれば、セラミックス焼結体12とイットリア焼結体13をより焼結により強固に接合できる。 In particular, the difference in coefficient of thermal expansion (CTE) between the ceramic sintered body 12 and the yttria sintered body 13 is preferably 0.50 × 10 −6 / K or less, and 0.30 × 10 −6 / K or less. It is more preferable that it is 0.10 × 10 −6 / K or less. The difference in thermal expansion coefficient is the difference in thermal expansion coefficient measured in the temperature range from room temperature to 1200 ° C. According to this, the ceramic sintered body 12 and the yttria sintered body 13 can be more firmly joined by sintering.

セラミックス焼結体12、イットリア焼結体13及び静電電極15は、一体焼結体である。これによれば、セラミックス焼結体12とイットリア焼結体13と静電電極15とをより強固に接合できる。更に、アーキング等の電気的不良を防止することができる、有機系の接着剤を用いて一体化する場合に比べて、熱伝導性に優れ、冷却能力の高い静電チャックを得ることができるといった利点もある。特に、ホットプレス法により一体焼結体に焼結されたものであることが好ましい。   The ceramic sintered body 12, the yttria sintered body 13, and the electrostatic electrode 15 are an integral sintered body. According to this, the ceramic sintered body 12, the yttria sintered body 13, and the electrostatic electrode 15 can be joined more firmly. Furthermore, it is possible to prevent an electrical failure such as arcing, and it is possible to obtain an electrostatic chuck having excellent thermal conductivity and high cooling capacity as compared with the case of integration using an organic adhesive. There are also advantages. In particular, it is preferably sintered into an integrally sintered body by a hot press method.

図3に示すように、図1及び図2に示したセラミックス部材(ESC)10は、冷却機能を有する保持部材27に接合され、プラズマエッチング装置の処理室21内に取り付けられる。静電電極15は、電極端子16を介して処理室21外部の高周波電源19に接続される。基板20は、イットリア焼結体13の上面に載置され、静電電極15に電圧を印加することにより吸着される。基板20と対向するように、対向電極22が設けられる。対向電極22の内部にはガス配管24より、エッチングガス等が導入される。対向電極22の基板と対向する面には、複数のガス導入孔23が設けられる。ガス導入孔23から処理室21内にエッチングガスを導入し、静電電極15に接続された直流電源および高周波電源19により、基板20を静電力で吸着し、基板20表面と接地された対向電極22との間にプラズマを励起する。   As shown in FIG. 3, the ceramic member (ESC) 10 shown in FIGS. 1 and 2 is bonded to a holding member 27 having a cooling function, and is attached in the processing chamber 21 of the plasma etching apparatus. The electrostatic electrode 15 is connected to a high-frequency power source 19 outside the processing chamber 21 via the electrode terminal 16. The substrate 20 is placed on the upper surface of the yttria sintered body 13 and is adsorbed by applying a voltage to the electrostatic electrode 15. A counter electrode 22 is provided so as to face the substrate 20. Etching gas or the like is introduced into the counter electrode 22 from the gas pipe 24. A plurality of gas introduction holes 23 are provided on the surface of the counter electrode 22 facing the substrate. An etching gas is introduced into the processing chamber 21 from the gas introduction hole 23, the substrate 20 is adsorbed by an electrostatic force by a DC power source and a high frequency power source 19 connected to the electrostatic electrode 15, and a counter electrode grounded from the surface of the substrate 20 22 to excite plasma.

従来のセラミックス部材では、可視光やX線に不透明なイットリア焼結体を用いていたため、セラミックス部材中に埋設された加工をするための基準となる静電電極の形状を把握することは困難であった。これに対して、本発明の実施の形態に係るESC10では、透光性のイットリア焼結体13を使用することで、イットリア焼結体13を透かして埋設された静電電極15を視認可能である。したがって、静電電極15の位置を確認し、加工をするときの基準を取ることができる。   In conventional ceramic members, an yttria sintered body that is opaque to visible light and X-rays is used, so it is difficult to grasp the shape of the electrostatic electrode that serves as a reference for processing embedded in the ceramic member. there were. On the other hand, in the ESC 10 according to the embodiment of the present invention, by using the translucent yttria sintered body 13, the electrostatic electrode 15 embedded through the yttria sintered body 13 can be visually recognized. is there. Therefore, it is possible to confirm the position of the electrostatic electrode 15 and take a reference for processing.

又、従来の検査ではイットリアがX線に対して不透明であるため、イットリア焼結体中の静電電極の位置ずれを確認することが困難であった。これに対して、本発明の実施の形態に係るESC10では、透光性のイットリア焼結体13を使用することで、光学装置で静電電極15とイットリア焼結体13の外周やイットリア焼結体13に形成された穴との距離を正確に測定可能となる。   Further, in the conventional inspection, since yttria is opaque to X-rays, it is difficult to confirm the displacement of the electrostatic electrode in the yttria sintered body. On the other hand, in the ESC 10 according to the embodiment of the present invention, by using the translucent yttria sintered body 13, the outer periphery of the electrostatic electrode 15 and the yttria sintered body 13 and the yttria sintering are used in the optical device. The distance to the hole formed in the body 13 can be accurately measured.

又、従来のイットリア焼結体の膜厚を測定する方法としては、導電ゴムパッドを用いてイットリア焼結体の上面と導電部材(静電電極)との間の静電容量を測定し、測定値からイットリア焼結体の膜厚を算出していた。しかしながら、導電ゴムパッドが小さいと測定される容量の値に占める誤差が大きくなるため、正確な測定ができない。したがって、導電ゴムパッドの直径を50mm程度とする必要が有り、膜厚はその測定領域内の平均値でしか得られなかった。これに対して、本発明の実施の形態に係るESC10によれば、イットリア焼結体13が透光性であることから、レーザー変位計による厚み測定装置を用いたφ300mm面内の多点測定等により、イットリア焼結体13の膜厚を容易に測定でき、非常に正確な膜厚分布を得ることが可能となる。   In addition, as a method of measuring the film thickness of a conventional yttria sintered body, the capacitance between the upper surface of the yttria sintered body and the conductive member (electrostatic electrode) is measured using a conductive rubber pad, and the measured value is measured. From this, the film thickness of the yttria sintered body was calculated. However, if the conductive rubber pad is small, an error in the measured capacitance value becomes large, so that accurate measurement cannot be performed. Accordingly, the diameter of the conductive rubber pad needs to be about 50 mm, and the film thickness can be obtained only by an average value in the measurement region. On the other hand, according to the ESC 10 according to the embodiment of the present invention, since the yttria sintered body 13 is translucent, multi-point measurement in a φ300 mm plane using a thickness measuring device using a laser displacement meter, etc. Thus, the film thickness of the yttria sintered body 13 can be easily measured, and a very accurate film thickness distribution can be obtained.

又、従来、セラミックス部材上に載置した基板の温度を測定するには、セラミックス部材の下面から上面まで貫通する貫通孔を形成し、光学式温度センサ等により開口部を通して基板の温度を測定していたが、光学式温度センサ自体がプロセスガス雰囲気に曝されるため、劣化するという問題があった。これに対して、本発明の実施の形態に係るESC10では、図3に示すように、温度測定器25により、セラミックス焼結体12を貫通する開口部17を通して、透光性のイットリア焼結体13を介して基板20の温度を測定可能となる。よって、温度測定器25は透光性のイットリア焼結体13により、プロセスガス雰囲気から隔離されるので、温度測定器25の劣化を防止できる。更に、光センサ(図示省略)により、開口部17を通して、基板20の位置ずれや基板20のイットリア焼結体13への吸着の有無を確認することもできる。   Conventionally, in order to measure the temperature of a substrate placed on a ceramic member, a through-hole penetrating from the lower surface to the upper surface of the ceramic member is formed, and the temperature of the substrate is measured through the opening by an optical temperature sensor or the like. However, since the optical temperature sensor itself is exposed to the process gas atmosphere, there has been a problem of deterioration. On the other hand, in the ESC 10 according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3, the translucent yttria sintered body is passed through the opening 17 penetrating the ceramic sintered body 12 by the temperature measuring device 25. The temperature of the substrate 20 can be measured via 13. Therefore, since the temperature measuring device 25 is isolated from the process gas atmosphere by the translucent yttria sintered body 13, it is possible to prevent the temperature measuring device 25 from deteriorating. Further, the optical sensor (not shown) can confirm whether the substrate 20 is misaligned or whether the substrate 20 is adsorbed to the yttria sintered body 13 through the opening 17.

次に、本発明の実施の形態に係るセラミックス部材(ESC)10の製造方法の一例を、図4〜7を用いて説明する。   Next, an example of a method for manufacturing the ceramic member (ESC) 10 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

(イ)まず、イットリア焼結体を形成する。原料のイットリア粉末の平均粒子径は、0.1〜3.5μmであることが好ましい。純度99.5%以上のイットリア原料粉末に、バインダー、水、分散剤等を添加して混合し、スラリーを作製する。バインダーとしては酸化により炭素成分を残存し難いものが良く、例としてポリビニールアルコールが挙げられる。分散剤は金属イオンを含まないものが良く、例として脂肪酸エステル系の分散剤がよい。次にスラリーを噴霧造粒法により造粒して造粒顆粒を得る。   (A) First, an yttria sintered body is formed. The average particle diameter of the raw material yttria powder is preferably 0.1 to 3.5 μm. To a yttria raw material powder having a purity of 99.5% or more, a binder, water, a dispersant and the like are added and mixed to prepare a slurry. As the binder, those which do not easily leave a carbon component by oxidation are good, and examples thereof include polyvinyl alcohol. The dispersant preferably does not contain metal ions. For example, a fatty acid ester dispersant is preferable. Next, the slurry is granulated by spray granulation to obtain granulated granules.

(ロ)次に、造粒顆粒を大気雰囲気中、400℃以上で仮焼する。この場合、500〜1000℃で仮焼することがより好ましい。これによれば、バインダーの炭素分が完全に除去できるのでイットリア焼結体が透光性を得やすくなる。   (B) Next, the granulated granule is calcined at 400 ° C. or higher in an air atmosphere. In this case, it is more preferable to calcine at 500 to 1000 ° C. According to this, since the carbon content of the binder can be completely removed, the yttria sintered body can easily obtain translucency.

(ハ)仮焼した造粒顆粒を用いて、金型成形法、冷間静水圧(CIP)成形法等によりセラミックス粉末成形体(イットリア成形体)を作製する。イットリア成形体は、その密度が2g/cc以下であることが好ましい。液相焼結のセラミックスの場合、焼成工程における昇温時にクラックが発生したとしても、その後の液相焼結において、そのクラックを消滅させることができる。これに対して、固相焼結により焼結するY23では、焼成工程における昇温時に収縮によりクラックが発生した場合、即ち、固相焼結前にクラックが発生した場合、その後の固相焼結においてそのクラックを消滅させることができない。イットリア成形体の密度を2g/cc以下としておくことにより、焼成工程における昇温時の熱応力や、外周部と中心部との収縮差等を吸収して、クラック発生を防止できる。その結果、クラックのないイットリア焼結体を得ることができる。例えば、イットリア成形体形成時の成形圧力を、50kg重/cm2以下とすることにより、イットリア成形体の密度を2g/cc以下に調整できる。これは、通常用いる成形圧力200kg重/cm2に比べて極めて低い成形圧力である。イットリア成形体形成時の成形圧力は、成形体がハンドリングできる強度を有するという点で、10〜50kg重/cm2であることがより好ましい。 (C) Using the calcined granulated granules, a ceramic powder compact (yttria compact) is produced by a mold molding method, a cold isostatic pressure (CIP) molding method, or the like. The yttria molded body preferably has a density of 2 g / cc or less. In the case of liquid phase sintered ceramics, even if cracks occur at the time of temperature rise in the firing step, the cracks can be eliminated in the subsequent liquid phase sintering. On the other hand, in Y 2 O 3 sintered by solid phase sintering, when cracks are generated due to shrinkage at the time of temperature rise in the firing process, that is, when cracks occur before solid phase sintering, The crack cannot be eliminated in phase sintering. By setting the density of the yttria molded body to 2 g / cc or less, it is possible to absorb the thermal stress at the time of temperature rise in the firing step, the shrinkage difference between the outer peripheral portion and the central portion, and the like to prevent the occurrence of cracks. As a result, a yttria sintered body free from cracks can be obtained. For example, the density of the yttria molded body can be adjusted to 2 g / cc or less by setting the molding pressure when forming the yttria molded body to 50 kgf / cm 2 or less. This is an extremely low molding pressure as compared with a normally used molding pressure of 200 kgf / cm 2 . The molding pressure at the time of forming the yttria molded body is more preferably 10 to 50 kg weight / cm 2 in that the molded body has a strength that can be handled.

(ニ)イットリア成形体を、黒鉛製のシリンダーおよび上下ダイ中に設置し、窒素ガス雰囲気中で、ホットプレス法により焼成し、図4に示すようにイットリア焼結体13を形成する。窒素ガス雰囲気中でホットプレスすることにより、過剰な酸素を除去でき、透光性を得やすくできる。イットリア成形体の焼成温度は1400〜1600℃とすることが好ましい。窒素ガス純度は5N以上が好ましい。又、焼成時の昇温速度については、緻密化が始まらない1000℃以下では時間短縮のために500〜1000℃/時間、それ以上の温度領域では、昇温速度100〜300℃/時間で昇温することが好ましい。更に、加える圧力は、50〜300kg/cm2が好ましく、100〜200kg/cm2で加圧することがより好ましい。この時点で得られる一次焼成したイットリア焼結体は透光性に乏しい。 (D) The yttria molded body is placed in a graphite cylinder and upper and lower dies, and fired in a nitrogen gas atmosphere by a hot press method to form an yttria sintered body 13 as shown in FIG. By hot pressing in a nitrogen gas atmosphere, excess oxygen can be removed, and translucency can be easily obtained. The firing temperature of the yttria molded body is preferably 1400 to 1600 ° C. The nitrogen gas purity is preferably 5N or higher. As for the heating rate at the time of firing, when the temperature is 1000 ° C. or less where densification does not start, the temperature is increased to 500 to 1000 ° C./hour for shortening the time, and in the temperature range higher than that, the temperature rising rate is 100 to 300 ° C./hour. It is preferable to warm. Furthermore, the pressure applied is preferably 50~300kg / cm 2, and more preferably pressurized with 100 to 200 kg / cm 2. The primary-fired yttria sintered body obtained at this point is poor in translucency.

(ホ)次に、図5に示すように、イットリア焼結体13上に静電電極15を形成する。イットリア焼結体13の静電電極を形成する面に研削加工を施し、平面度10μm以下の平滑面を形成しておく。例えば、イットリア焼結体13表面に、電極材料粉末(高融点材料粉末)を含む印刷ペーストを、スクリーン印刷法等を用いて印刷することにより静電電極15を形成できる。印刷ペーストにはモノテルペンアルコールをバインダーとして用いるのが好ましい。これによれば、静電電極15の平坦度を向上させることができ、様々な形状の静電電極15を容易に高精度に形成できる。この場合、電極材料粉末(高融点材料粉末)に、アルミナ粉末やイットリア粉末を混合した印刷ペーストを用いることがより好ましい。これによれば、静電電極15と、後述するセラミックス焼結体及びイットリア焼結体13との熱膨張係数を近づけることができ、静電電極15と、セラミックス焼結体及びイットリア焼結体13との密着性を向上できる。又、この後の焼成工程における印刷ペーストの熱収縮率を小さくできる。この場合、印刷ペーストに含まれるアルミナ粉末やイットリア粉末の総量は、5〜30質量%であることが好ましい。これによれば、静電電極15としての機能に影響を与えることなく、高い密着性向上効果を得ることができる。   (E) Next, as shown in FIG. 5, the electrostatic electrode 15 is formed on the yttria sintered body 13. The surface of the yttria sintered body 13 on which the electrostatic electrode is to be formed is ground to form a smooth surface with a flatness of 10 μm or less. For example, the electrostatic electrode 15 can be formed by printing a printing paste containing electrode material powder (high melting point material powder) on the surface of the yttria sintered body 13 using a screen printing method or the like. Monoterpene alcohol is preferably used as a binder in the printing paste. According to this, the flatness of the electrostatic electrode 15 can be improved, and various shapes of the electrostatic electrode 15 can be easily formed with high accuracy. In this case, it is more preferable to use a printing paste in which alumina powder or yttria powder is mixed with electrode material powder (high melting point material powder). According to this, the thermal expansion coefficients of the electrostatic electrode 15 and the ceramic sintered body and yttria sintered body 13 to be described later can be made closer, and the electrostatic electrode 15 and the ceramic sintered body and yttria sintered body 13 can be made closer to each other. Adhesion with can be improved. Moreover, the thermal contraction rate of the printing paste in the subsequent baking step can be reduced. In this case, the total amount of alumina powder and yttria powder contained in the printing paste is preferably 5 to 30% by mass. According to this, a high adhesion improvement effect can be obtained without affecting the function as the electrostatic electrode 15.

(ヘ)次に、セラミックス焼結体の原料を調製する。原料粉末は、Y23粉末、Al23粉末、Y23粉末にSiC粉末、Si34粉末等を、強化剤や焼結助剤として添加した混合粉末を用いることができる。このような混合粉末により、セラミックス焼結体の曲げ強度や破壊靱性等の機械的強度を向上させることができる。原料粉末にバインダー、水、分散剤等を添加して混合し、スラリーを作製する。バインダーとしてはポリビニールアルコールが例として挙げられる。分散剤は金属イオンを含まないものが良く、脂肪酸エステル系の分散剤が例として挙げられる。スラリーを噴霧造粒法等により造粒して造粒顆粒を得る。 (F) Next, a raw material for the ceramic sintered body is prepared. As the raw material powder, Y 2 O 3 powder, Al 2 O 3 powder, mixed powder obtained by adding SiC powder, Si 3 N 4 powder, etc. to Y 2 O 3 powder as a reinforcing agent or sintering aid can be used. . Such a mixed powder can improve mechanical strength such as bending strength and fracture toughness of the ceramic sintered body. A binder, water, a dispersant and the like are added to the raw material powder and mixed to prepare a slurry. An example of the binder is polyvinyl alcohol. The dispersant preferably does not contain metal ions, and examples thereof include fatty acid ester dispersants. The slurry is granulated by spray granulation or the like to obtain granulated granules.

(ト)次に、造粒顆粒を窒素雰囲気中、400℃以上で仮焼する。この場合、500〜1000℃で仮焼することがより好ましい。これによれば、焼成割れの原因となるバインダー成分を除去することができるとともに、セラミックス造粒顆粒中にバインダーが分解して生成した炭素分が残留するので、焼成時の雰囲気を若干、還元雰囲気とすることができると考えられる。   (G) Next, the granulated granule is calcined at 400 ° C. or higher in a nitrogen atmosphere. In this case, it is more preferable to calcine at 500 to 1000 ° C. According to this, the binder component that causes firing cracks can be removed, and the carbon generated by decomposition of the binder remains in the granulated ceramic granules, so that the atmosphere during firing is slightly reduced. It is thought that it can be.

(チ)静電電極15上にセラミックス粉末成形体を形成する。具体的には、収容部と蓋体部とを有する金型を用意する。金型の収容部に、静電電極15が形成されたイットリア焼結体13を収容する。イットリア焼結体13及び静電電極15上にセラミックス造粒顆粒を充填する。そして、蓋体部を用いて造粒顆粒の上方からプレスし、金型成型法によりセラミックス成形体を成形する。同時に、イットリア焼結体13と、静電電極15と、セラミックス成形体を一体化できる。   (H) A ceramic powder compact is formed on the electrostatic electrode 15. Specifically, a mold having a housing part and a lid part is prepared. The yttria sintered body 13 on which the electrostatic electrode 15 is formed is housed in the housing portion of the mold. Ceramic granulated granules are filled on the yttria sintered body 13 and the electrostatic electrode 15. And it presses from the upper direction of a granulation granule using a cover part, and shape | molds a ceramic molded body by the metal mold | die molding method. At the same time, the yttria sintered body 13, the electrostatic electrode 15, and the ceramic molded body can be integrated.

(リ)次に、イットリア焼結体13と、静電電極15と、セラミックス成形体とを一体に焼成する。即ち、イットリア焼結体13と、静電電極15と、セラミックス成形体とを、黒鉛シリンダー中に黒鉛ダイに挟んで設置し、ホットプレス法により窒素1.2気圧の雰囲気下で一体に焼成し、図6に示すように、セラミックス焼結体12と、静電電極15と、イットリア焼結体13の一体焼結体を焼結接合する。焼成時の昇温速度については、緻密化が始まらない1000℃以下では時間短縮のために500〜1000℃/時間、それ以上の温度領域では、昇温速度100〜300℃/時間で昇温することが好ましい。更に、加える圧力は、50〜300kg/cm2が好ましく、100〜200kg/cm2で加圧することがより好ましい。そして、焼成温度は最初のイットリア焼結体13の焼成温度よりも50℃以上低くするのが好ましい。このようにして2回焼成して得られたイットリア焼結体13は優れた透光性を有している。また、2回目の焼成温度が50℃以上低いので、セラミックス成形体の焼結に伴うイットリア焼結体13の変形を抑制することができる。 (I) Next, the yttria sintered body 13, the electrostatic electrode 15, and the ceramic molded body are integrally fired. That is, the yttria sintered body 13, the electrostatic electrode 15, and the ceramic molded body are placed between graphite graphite dies in a graphite cylinder, and fired integrally in an atmosphere of nitrogen at 1.2 atmospheres by a hot press method. As shown in FIG. 6, the ceramic sintered body 12, the electrostatic electrode 15, and the integrally sintered body of the yttria sintered body 13 are sintered and joined. Regarding the temperature increase rate during firing, the temperature is increased from 500 to 1000 ° C./hour to reduce the time at 1000 ° C. or less where densification does not start, and at a temperature increase rate of 100 to 300 ° C./hour in a temperature region higher than that. It is preferable. Furthermore, the pressure applied is preferably 50~300kg / cm 2, and more preferably pressurized with 100 to 200 kg / cm 2. The firing temperature is preferably lower by 50 ° C. or more than the firing temperature of the first yttria sintered body 13. The yttria sintered body 13 obtained by firing twice in this way has excellent translucency. Further, since the second firing temperature is lower by 50 ° C. or more, the deformation of the yttria sintered body 13 accompanying the sintering of the ceramic molded body can be suppressed.

(ヌ)次に、一体焼結体を加工して電極端子16を接合し、図7に示すような基体11に静電電極15が埋設されたESC10を得る。具体的には、透光性のイットリア焼結体13側から埋設された静電電極15の位置や深さを視認し記録する(けがく)。けがいた位置を基準として研削加工により、誘電体層となるイットリア焼結体13の厚さを0.3〜0.5mmに調整する。又、研磨加工により、基板載置面の中心線平均表面粗さ(Ra)を0.6μm以下に調整する。更に、穴あけ加工により、セラミックス焼結体12に電極端子16を挿入するための開口部18、及び基板の温度測定等を行うための開口部17を所定の位置に形成する。開口部17の先端はイットリア焼結体13とセラミックス焼結体12の界面になるべく近く且つイットリア焼結体13側にするのが好ましい。そして、電極端子16を開口部18から挿入し、静電電極15と電極端子16とをろう付けや溶接により接合する。このようにして、図1及び図2に示したESC10を得ることができる。   (N) Next, the integrated sintered body is processed to join the electrode terminals 16 to obtain the ESC 10 in which the electrostatic electrode 15 is embedded in the base 11 as shown in FIG. Specifically, the position and depth of the electrostatic electrode 15 embedded from the translucent yttria sintered body 13 side is visually recognized and recorded (scratched). The thickness of the yttria sintered body 13 to be a dielectric layer is adjusted to 0.3 to 0.5 mm by grinding with the scribed position as a reference. Further, the center line average surface roughness (Ra) of the substrate mounting surface is adjusted to 0.6 μm or less by polishing. Further, an opening 18 for inserting the electrode terminal 16 into the ceramic sintered body 12 and an opening 17 for measuring the temperature of the substrate are formed at predetermined positions by drilling. The tip of the opening 17 is preferably as close as possible to the interface between the yttria sintered body 13 and the ceramic sintered body 12 and on the yttria sintered body 13 side. And the electrode terminal 16 is inserted from the opening part 18, and the electrostatic electrode 15 and the electrode terminal 16 are joined by brazing or welding. In this way, the ESC 10 shown in FIGS. 1 and 2 can be obtained.

(ル)最終検査においては、静電電極15とイットリア焼結体13の外周やイットリア焼結体13に形成された穴との絶縁距離を目視で容易に測定することが可能となる。又、レーザーを用いた多点測定等により、イットリア焼結体13の膜厚を容易に測定でき、非常に正確な膜厚分布を得ることが可能となる。   (L) In the final inspection, the insulation distance between the electrostatic electrode 15 and the outer periphery of the yttria sintered body 13 and the hole formed in the yttria sintered body 13 can be easily measured visually. In addition, the film thickness of the yttria sintered body 13 can be easily measured by multipoint measurement using a laser, and a very accurate film thickness distribution can be obtained.

図4〜図7に示した製造方法によれば、図1及び図2に示したESC10を実現可能となる。   According to the manufacturing method shown in FIGS. 4 to 7, the ESC 10 shown in FIGS. 1 and 2 can be realized.

更に、ホットプレス法を用いて一体に焼成することにより、セラミックス焼結体12及び透光性のイットリア焼結体13を接着剤等を介さずに接合でき、その接合界面には気孔等が残存しないようにできる。よって、静電電極15を完全に外部雰囲気と遮断でき、ESC10の耐食性を向上できる。又、セラミックス焼結体12と、透光性のイットリア焼結体13と、静電電極15とを強固に接合したESC10を得ることができる。   Furthermore, by firing integrally using a hot press method, the ceramic sintered body 12 and the translucent yttria sintered body 13 can be joined without using an adhesive or the like, and pores and the like remain at the joining interface. You can avoid it. Therefore, the electrostatic electrode 15 can be completely shielded from the external atmosphere, and the corrosion resistance of the ESC 10 can be improved. Further, the ESC 10 in which the ceramic sintered body 12, the translucent yttria sintered body 13, and the electrostatic electrode 15 are firmly joined can be obtained.

更に、緻密なセラミックス焼結体12及び透光性のイットリア焼結体13を得ることができ、絶縁耐圧等を向上できる。特に、難焼結性のイットリアを窒素雰囲気下でホットプレス法により焼結することにより、クーロン力を利用するESC10に必要な高体積抵抗率を有するイットリア焼結体13を得ることができ、ESC10の脱着応答性や吸着性を向上できる。   Further, a dense ceramic sintered body 12 and a translucent yttria sintered body 13 can be obtained, and the withstand voltage can be improved. In particular, it is possible to obtain the yttria sintered body 13 having a high volume resistivity necessary for the ESC 10 using the Coulomb force by sintering the hardly sinterable yttria by a hot press method in a nitrogen atmosphere. It is possible to improve the desorption response and adsorbability.

上述の作成方法によって、1wt%の炭化珪素微粉末(平均粒径0.3μm)を分散させた99wt%イットリアのセラミックス焼結体と、WC85wt%、イットリア15wt%の静電電極と、99.5%純度の透光性イットリア焼結体からなる直径約340mm、厚み4mmの静電チャックを作成した。一次イットリア焼結体のホットプレス温度は1500℃、窒素雰囲気圧は1.2気圧であり、静電電極とセラミックス焼結体を含む静電チャック全体のホットプレス温度は1450℃とした。ホットプレスにより一体化した焼結体の基板載置面、すなわちイットリア焼結体側の表面を#400のダイヤモンド砥石で研削加工したのち、透光性のイットリア焼結体を透して静電電極の位置を確認記録し、又、レーザー膜厚測定装置にて、イットリア焼結体部分の厚みを測定した。これらの測定データを基準として、静電チャックを所定の形状に最終加工を施し、透光性イットリア焼結体部分からなる誘電体層(静電電極から基板載置面までの部分)の厚みは0.4mmとなるようにした。   99 wt% yttria ceramic sintered body in which 1 wt% silicon carbide fine powder (average particle size 0.3 μm) is dispersed by the above-described production method, WC 85 wt%, yttria 15 wt% electrostatic electrode, and 99.5 An electrostatic chuck having a diameter of about 340 mm and a thickness of 4 mm made of a translucent yttria sintered body of% purity was prepared. The hot press temperature of the primary yttria sintered body was 1500 ° C., the nitrogen atmosphere pressure was 1.2 atm, and the hot press temperature of the entire electrostatic chuck including the electrostatic electrode and the ceramic sintered body was 1450 ° C. After the substrate mounting surface of the sintered body integrated by hot pressing, that is, the surface on the yttria sintered body side is ground with a # 400 diamond grindstone, the electrostatic electrode is passed through the translucent yttria sintered body. The position was confirmed and recorded, and the thickness of the yttria sintered body was measured with a laser film thickness measuring device. Based on these measurement data, the electrostatic chuck is finally processed into a predetermined shape, and the thickness of the dielectric layer (the portion from the electrostatic electrode to the substrate mounting surface) consisting of the translucent yttria sintered body portion is It was set to 0.4 mm.

一方、比較例として、アルミナ焼結体の上にWC85wt%、アルミナ15wt%の静電電極を形成し、イットリア粉末を成形して、焼成した直径340mmの静電チャックを作成した。すなわち、1wt%アルミナ焼結体(直径340mm、厚み7mm)を用意し、この上にWC85wt%、アルミナ15wt%の静電電極を形成し、その上から99.5%純度のイットリア粉末を載せて成形し、1500℃でホットプレス焼成した。基板載置面側のイットリア焼結体は不透明であったため、静電電極の正確な位置がわからず、レーザー変位計による膜厚測定装置も適用できないため、エディカレント式の膜厚計にて静電電極の深さを測定した。これらの測定データを基準として、静電チャックを所定の形状に最終加工を施し、誘電体層の厚みを0.4mmとなるようにした。   On the other hand, as a comparative example, an electrostatic electrode of WC 85 wt% and alumina 15 wt% was formed on an alumina sintered body, an yttria powder was formed, and a fired electrostatic chuck having a diameter of 340 mm was produced. That is, a 1 wt% alumina sintered body (diameter 340 mm, thickness 7 mm) is prepared, an electrostatic electrode of WC 85 wt% and alumina 15 wt% is formed thereon, and a 99.5% purity yttria powder is placed thereon. Molded and hot-press fired at 1500 ° C. Since the yttria sintered body on the substrate mounting surface side was opaque, the exact position of the electrostatic electrode was not known, and a film thickness measuring device using a laser displacement meter was not applicable. The depth of the electrode was measured. Based on these measurement data, the electrostatic chuck was finally processed into a predetermined shape so that the thickness of the dielectric layer was 0.4 mm.

このようにして得られた実施例と比較例の静電チャックの吸着力分布を静電電極に800Vの電圧を印加して、直径5cmのシリコン金属プローブにより、19点測定した。実施例は2210±70Paの吸着力であり、比較例は1920±220Paの吸着力であり、実施例は非常にばらつきの少ない安定した吸着力分布を示していた。これは、実施例が静電電極の位置と誘電体層の厚みがより均一になっているためである。   The adsorption force distributions of the electrostatic chucks of the examples and comparative examples thus obtained were measured at 19 points with a silicon metal probe having a diameter of 5 cm by applying a voltage of 800 V to the electrostatic electrode. The example had an adsorption force of 2210 ± 70 Pa, the comparative example had an adsorption force of 1920 ± 220 Pa, and the example showed a stable adsorption force distribution with very little variation. This is because the position of the electrostatic electrode and the thickness of the dielectric layer are more uniform in the example.


(その他の実施の形態)
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。

(Other embodiments)
As described above, the present invention has been described according to the embodiment. However, it should not be understood that the description and drawings constituting a part of this disclosure limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.

本発明の実施の形態に係るセラミックス部材10として、ESCを一例に説明したが、セラミックス部材10の機能及び用途はESCに限定されない。導電部材を静電電極とすることにより、セラミックス部材10は静電チャックとして機能することができる。導電部材を抵抗発熱体とすることにより、セラミックス部材10はヒーターとして機能することができる。導電部材をRF電極とすることにより、セラミックス部材10はサセプタとして機能することができる。更に、導電部材を静電電極と抵抗発熱体、あるいは、RF電極と抵抗発熱体とすることにより、セラミックス部材10は加熱処理が可能な静電チャックやサセプタとして機能することができる。   Although the ESC has been described as an example of the ceramic member 10 according to the embodiment of the present invention, the function and application of the ceramic member 10 are not limited to the ESC. By using the conductive member as an electrostatic electrode, the ceramic member 10 can function as an electrostatic chuck. By using the conductive member as a resistance heating element, the ceramic member 10 can function as a heater. By using an RF electrode as the conductive member, the ceramic member 10 can function as a susceptor. Furthermore, the ceramic member 10 can function as an electrostatic chuck or a susceptor that can be heat-treated by using the conductive member as an electrostatic electrode and a resistance heating element, or an RF electrode and a resistance heating element.

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。   As described above, the present invention naturally includes various embodiments not described herein. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.

本発明の実施の形態に係るセラミックス部材の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the ceramic member which concerns on embodiment of this invention. 図1のA−A断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the AA cross section of FIG. 本発明の実施の形態に係るセラミックス部材をプラズマ処理装置に配置した一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example which has arrange | positioned the ceramic member which concerns on embodiment of this invention in the plasma processing apparatus. 本発明の実施の形態に係るセラミックス部材の製造方法の一例を示す工程断面図(その1)である。It is process sectional drawing (the 1) which shows an example of the manufacturing method of the ceramic member which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るセラミックス部材の製造方法の一例を示す工程断面図(その2)である。It is process sectional drawing (the 2) which shows an example of the manufacturing method of the ceramic member which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るセラミックス部材の製造方法の一例を示す工程断面図(その3)である。It is process sectional drawing (the 3) which shows an example of the manufacturing method of the ceramic member which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るセラミックス部材の製造方法の一例を示す工程断面図(その4)である。It is process sectional drawing (the 4) which shows an example of the manufacturing method of the ceramic member which concerns on embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10…セラミックス部材(静電チャック)
11…基体
12…セラミックス焼結体
13…イットリア焼結体
14…タブレット
15…導電部材(静電電極)
16…電極端子
17…開口部
18…開口部
19…高周波電源
20…基板
21…処理室
22…対向電極
23…ガス導入孔
24…ガス配管
25…温度測定器
27…保持部材
10 ... Ceramics member (electrostatic chuck)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Base | substrate 12 ... Ceramic sintered compact 13 ... Yttria sintered compact 14 ... Tablet 15 ... Conductive member (electrostatic electrode)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 16 ... Electrode terminal 17 ... Opening part 18 ... Opening part 19 ... High frequency power supply 20 ... Substrate 21 ... Processing chamber 22 ... Counter electrode 23 ... Gas introduction hole 24 ... Gas piping 25 ... Temperature measuring instrument 27 ... Holding member

Claims (2)

イットリアと同等の熱膨張係数を有するセラミックス焼結体と、
高融点金属を含む導電部材と、
前記導電部材上に配置された透光性のイットリア焼結体とを備え、
前記セラミックス焼結体と前記イットリア焼結体は前記導電部材を挟んで一体に焼結され
前記セラミックス焼結体は、イットリアからなるか又は炭化珪素もしくは窒化珪素の微粒子を分散させたイットリアからなり、
前記導電部材は、タングステン炭化物粉末とイットリア粉末の混合物からなる印刷電極であり、
前記透光性のイットリア焼結体は純度99.5%以上である、
静電チャック
A ceramic sintered body having a thermal expansion coefficient equivalent to that of yttria;
A conductive member containing a refractory metal;
A translucent yttria sintered body disposed on the conductive member,
The ceramic sintered body and the yttria sintered body are integrally sintered across the conductive member ,
The ceramic sintered body is made of yttria or yttria in which fine particles of silicon carbide or silicon nitride are dispersed,
The conductive member is a printed electrode made of a mixture of tungsten carbide powder and yttria powder,
The translucent yttria sintered body has a purity of 99.5% or more.
Electrostatic chuck .
純度99.5%以上のイットリア粉末に炭素含有バインダーを混合しスラリーとし、噴霧造粒法により顆粒を得る工程と、
前記顆粒を、大気雰囲気中500〜1000℃で仮焼する工程と、
前記仮焼した顆粒を成形しイットリア成形体を得る工程と、
前記イットリア成形体を窒素雰囲気中1400〜1600℃でホットプレス法により焼成しイットリア焼結体を得る工程と、
前記イットリア焼結体上に導電部材を形成する工程と、
前記導電部材上にセラミックス成形体を形成する工程と、
前記イットリア焼結体、前記導電部材及び前記セラミックス成形体を、窒素雰囲気中、前記イットリア焼結体の焼成温度よりも50℃以上低い温度でホットプレス法により一体に焼成し、前記イットリア焼結体に透光性を付与する工程
とを含むことを特徴とするセラミックス部材の作成方法。
Mixing a carbon-containing binder with yttria powder having a purity of 99.5% or more to form a slurry, and obtaining granules by spray granulation;
Calcining the granules at 500 to 1000 ° C. in an air atmosphere;
Molding the calcined granule to obtain a yttria molded body;
Firing the yttria molded body in a nitrogen atmosphere at 1400 to 1600 ° C. by a hot press method to obtain an yttria sintered body;
Forming a conductive member on the yttria sintered body;
Forming a ceramic molded body on the conductive member;
The yttria sintered body, the conductive member and the ceramic molded body are integrally fired in a nitrogen atmosphere by a hot press method at a temperature lower by 50 ° C. than the firing temperature of the yttria sintered body, and the yttria sintered body A process for imparting translucency to a ceramic member.
JP2008209752A 2008-08-18 2008-08-18 Method for producing ceramic member and electrostatic chuck Active JP5189928B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008209752A JP5189928B2 (en) 2008-08-18 2008-08-18 Method for producing ceramic member and electrostatic chuck

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008209752A JP5189928B2 (en) 2008-08-18 2008-08-18 Method for producing ceramic member and electrostatic chuck

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010042967A JP2010042967A (en) 2010-02-25
JP5189928B2 true JP5189928B2 (en) 2013-04-24

Family

ID=42014681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008209752A Active JP5189928B2 (en) 2008-08-18 2008-08-18 Method for producing ceramic member and electrostatic chuck

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5189928B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210257243A1 (en) * 2018-08-29 2021-08-19 Kyocera Corporation Electrostatic chuck and method for manufacturing electrostatic chuck

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5855402B2 (en) * 2010-09-24 2016-02-09 日本碍子株式会社 Susceptor and its manufacturing method
WO2012166256A1 (en) * 2011-06-02 2012-12-06 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck aln dielectric repair
JP2015088743A (en) * 2013-09-27 2015-05-07 Toto株式会社 Electrostatic chuck
JP7170745B2 (en) * 2018-10-30 2022-11-14 京セラ株式会社 Substrate-like structure and heater system
US20210400800A1 (en) * 2018-10-30 2021-12-23 Kyocera Corporation Board-like structure and heater system
JP7430489B2 (en) * 2019-01-16 2024-02-13 セメス株式会社 Electrostatic chuck, electrostatic chuck device
JP7143256B2 (en) * 2019-07-01 2022-09-28 日本碍子株式会社 Wafer mounting table and its manufacturing method

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0459658A (en) * 1990-06-29 1992-02-26 Sumitomo Electric Ind Ltd Light-transmitting sintered yttria and production thereof
JPH07115938B2 (en) * 1990-07-20 1995-12-13 日本碍子株式会社 Method for manufacturing silicon nitride sintered body
JP3007732B2 (en) * 1991-09-26 2000-02-07 守 大森 Silicon nitride-mixed oxide sintered body and method for producing the same
JP3554460B2 (en) * 1997-03-17 2004-08-18 日本碍子株式会社 Method of manufacturing ceramic member with built-in metal member
JP4231917B2 (en) * 1998-03-31 2009-03-04 独立行政法人物質・材料研究機構 Method for producing yttrium oxide fired body
JP2000239065A (en) * 1999-02-17 2000-09-05 Taiheiyo Cement Corp Light-transmissible corrosionproof material and its production
JP4548887B2 (en) * 1999-12-27 2010-09-22 京セラ株式会社 Corrosion-resistant ceramic member and manufacturing method thereof
JP2001219331A (en) * 2000-02-07 2001-08-14 Ibiden Co Ltd Electrostatic chuck
JP2002068838A (en) * 2000-08-23 2002-03-08 Toshiba Ceramics Co Ltd Plasma resistant member and method for manufacturing the same
JP2002255647A (en) * 2001-02-27 2002-09-11 Nihon Ceratec Co Ltd Yttrium oxide sintered body and wafer holding tool
JP2002329567A (en) * 2001-05-02 2002-11-15 Ibiden Co Ltd Ceramic substrate and method of manufacturing junction body
JP2003168726A (en) * 2001-11-30 2003-06-13 Toshiba Ceramics Co Ltd Electrostatic chuck for semiconductor manufacturing device and its manufacturing method
JP2005008482A (en) * 2003-06-19 2005-01-13 Toshiba Ceramics Co Ltd Yttrium oxide sintered compact and its producing method
JP2005126290A (en) * 2003-10-24 2005-05-19 Nihon Ceratec Co Ltd Light-transmitting yttrium oxide sintered compact, method for producing the same, semiconductor or liquid crystal production apparatus member
JP2005170728A (en) * 2003-12-10 2005-06-30 Toshiba Ceramics Co Ltd Yttrium oxide (y2o3) sintered compact and its producing method
JP4780932B2 (en) * 2004-05-25 2011-09-28 京セラ株式会社 Corrosion-resistant member, method for manufacturing the same, and member for semiconductor / liquid crystal manufacturing apparatus
JP2006069843A (en) * 2004-09-02 2006-03-16 Ibiden Co Ltd Ceramic member for semiconductor manufacturing apparatus
JP4467453B2 (en) * 2004-09-30 2010-05-26 日本碍子株式会社 Ceramic member and manufacturing method thereof
JP4648030B2 (en) * 2005-02-15 2011-03-09 日本碍子株式会社 Yttria sintered body, ceramic member, and method for producing yttria sintered body
JP4796354B2 (en) * 2005-08-19 2011-10-19 日本碍子株式会社 Electrostatic chuck and method for producing yttria sintered body
JP5005317B2 (en) * 2005-10-31 2012-08-22 コバレントマテリアル株式会社 Translucent yttrium oxide sintered body and method for producing the same
JP5016303B2 (en) * 2006-12-13 2012-09-05 日本特殊陶業株式会社 Electrostatic chuck and electrostatic chuck device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210257243A1 (en) * 2018-08-29 2021-08-19 Kyocera Corporation Electrostatic chuck and method for manufacturing electrostatic chuck

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010042967A (en) 2010-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5189928B2 (en) Method for producing ceramic member and electrostatic chuck
JP4476701B2 (en) Manufacturing method of sintered body with built-in electrode
JP4467453B2 (en) Ceramic member and manufacturing method thereof
JP4648030B2 (en) Yttria sintered body, ceramic member, and method for producing yttria sintered body
US7416793B2 (en) Electrostatic chuck and manufacturing method for the same, and alumina sintered member and manufacturing method for the same
JP5154871B2 (en) Electrostatic chuck and manufacturing method thereof
US9202718B2 (en) Electrostatic chuck
KR20080025012A (en) Electrostatic chuck with heater and manufacturing method thereof
KR101531726B1 (en) Electrostatic chuck and method for producing same
EP1801961A2 (en) Electrostatic chuck
KR100553444B1 (en) Susceptors and the methods of manufacturing them
WO2002042241A1 (en) Aluminum nitride sintered body, method for producing aluminum nitride sintered body, ceramic substrate and method for producing ceramic substrate
JP2005018992A (en) Electrode embedding member for plasma generator
KR20200133744A (en) Electrostatic chuck device and manufacturing method of electrostatic chuck device
JP5032444B2 (en) Substrate holder
JP2002110772A (en) Electrode built-in ceramic and its manufacturing method
JP2009043589A (en) Heater unit for semiconductor or flat panel display manufacturing-inspecting device, and device equipped with the same
KR100717109B1 (en) Yttria sintered body, electrostatic chuck, and manufacturing method of yttria sintered body
JP5085959B2 (en) Ceramic material
KR20210052250A (en) Composite sintered body and method of manufacturing composite sintered body
JP4789416B2 (en) Ceramic resistor, method for manufacturing the same, and electrostatic chuck
JP3228922B2 (en) Aluminum nitride sintered body containing carbon
JP2007201128A (en) Semiconductor manufacturing apparatus, and wafer holder therefor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110520

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121029

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121113

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130122

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130125

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160201

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5189928

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150