JP5184394B2 - Electro-optic crystal support, electro-optic crystal support method, and electric field detection optical apparatus - Google Patents

Electro-optic crystal support, electro-optic crystal support method, and electric field detection optical apparatus Download PDF

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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Description

本発明は、電気光学結晶支持台、電気光学結晶支持方法および電界検出光学装置に関するものである。   The present invention relates to an electro-optic crystal support, an electro-optic crystal support method, and an electric field detection optical device.

電界通信は、例えば体の表面を伝送経路とするものである。通信時には微弱な電界の変化が測定され、このようにして情報が電界により伝達される。電界通信には、電気光学結晶(以下、結晶という)の光学的性質が電界により変化するのを利用して、この変化をレーザ光で検出する検出装置が用いられる。例えば、検出装置としては、特許文献1に記載のものが知られている。   Electric field communication uses, for example, the body surface as a transmission path. During communication, a weak electric field change is measured, and thus information is transmitted by the electric field. For electric field communication, a detecting device is used that detects the change with laser light by utilizing the fact that the optical property of an electro-optic crystal (hereinafter referred to as a crystal) changes with an electric field. For example, a detection device described in Patent Document 1 is known.

結晶は、元々はミリメートルオーダーのサイズを有する比較的大きな直方体である。図16に示すように、結晶10は、例えば、直方体の結晶の上部を手作業で薄く削り、その薄い部分(リッジ)を電極11,12で挟持してなるものである。信号検出の際には、レーザ光がリッジを通過する。このような結晶は、特許文献2に開示されている。   Crystals are originally relatively large cuboids having a size on the order of millimeters. As shown in FIG. 16, the crystal 10 is formed by, for example, manually thinning an upper part of a rectangular parallelepiped crystal and sandwiching the thin portion (ridge) between the electrodes 11 and 12. During signal detection, laser light passes through the ridge. Such a crystal is disclosed in Patent Document 2.

特開2005−277719号公報JP 2005-277719 A 特開2007−183517号公報JP 2007-183517 A

ところで、結晶は高価なため、薄型および小型化によるコスト低減の試みがなされている。薄型、小型の結晶自体は扱いにくいが、図17に示すように、そのような薄型、小型の結晶100を大きな支持台200で支持すれば、支持台200を持つことで結晶100を扱え、しかも扱い易い。   By the way, since crystals are expensive, attempts have been made to reduce costs by reducing the thickness and size. Although thin and small crystals themselves are difficult to handle, as shown in FIG. 17, if such a thin and small crystal 100 is supported by a large support base 200, the crystal 100 can be handled by having the support base 200, and Easy to handle.

しかしながら、結晶は堅くもろいので、例えば、小型の結晶を支持台に半田付けやボンディングで固定する場合、その工程において、誤って結晶に大きな応力(衝撃)が加わり、その一部が欠損したり、応力により結晶の特性が劣化する可能性がある。   However, since the crystal is hard and brittle, for example, when a small crystal is fixed to a support base by soldering or bonding, a large stress (impact) is accidentally applied to the crystal in the process, and a part of it is lost, There is a possibility that the characteristics of the crystal deteriorate due to the stress.

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、欠損や特性の劣化が生じないように電気光学結晶を支持できる電気光学結晶支持台、電気光学結晶支持方法、電気光学結晶支持台を用いた電界検出光学装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an electro-optic crystal support base and an electro-optic crystal support method that can support the electro-optic crystal so that defects and deterioration of characteristics do not occur. An object of the present invention is to provide an electric field detection optical device using an electro-optic crystal support.

本発明の電気光学結晶支持台は、2つの電極に挟持される電気光学結晶を支持する電気光学結晶支持台であって、前記電気光学結晶支持台は、前記各電極に接触する金属体を有し、且つ、前記各金属体に電気信号を印加するための電極が接続され、且つ、前記電気光学結晶支持台は、前記電気光学結晶に光を入射させる手段と、前記電気光学結晶から出射する光により前記電気信号を検出する手段とともに用いられ、前記電気光学結晶支持台は、少なくとも一方の当該金属体が変形しようとすることにより前記電気光学結晶に応力を加えるようになっている。 Electrooptic crystal support table of the present invention is an electro-optic crystal support table for supporting the electro-optic crystal that is sandwiched between two electrodes, the electro-optical crystal support base, have a metal body in contact with the respective electrodes And an electrode for applying an electric signal to each of the metal bodies is connected, and the electro-optic crystal support base emits light to the electro-optic crystal and emits from the electro-optic crystal. The electro-optic crystal support is used together with a means for detecting the electrical signal by light, and applies stress to the electro-optic crystal when at least one of the metal bodies is deformed.

例えば、前記電気光学結晶に応力を加える金属体は、形状記憶合金であり、前記形状記憶合金を応力により変形させ、前記形状記憶合金を加熱した場合、前記形状記憶合金が加熱により逆方向に変形し、逆方向への変形の際に、前記形状記憶合金が前記電気光学結晶に応力を加えるようになっている。   For example, the metal body that applies stress to the electro-optic crystal is a shape memory alloy. When the shape memory alloy is deformed by stress and the shape memory alloy is heated, the shape memory alloy is deformed in the reverse direction by heating. However, the shape memory alloy applies stress to the electro-optic crystal during deformation in the reverse direction.

例えば、前記電気光学結晶に応力を加える金属体は、バイメタルであり、前記バイメタルを加熱した場合、前記バイメタルが加熱の際に変形し、前記バイメタルが冷却されて逆方向に変形し、逆方向への変形の際に、前記バイメタルが前記電気光学結晶に応力を加えるようになっている。   For example, the metal body that applies stress to the electro-optic crystal is a bimetal, and when the bimetal is heated, the bimetal is deformed when heated, the bimetal is cooled and deformed in the reverse direction, and in the reverse direction. During the deformation, the bimetal applies stress to the electro-optic crystal.

例えば、前記電気光学結晶に応力を加える金属体は、複数の屈曲箇所を有する。   For example, the metal body that applies stress to the electro-optic crystal has a plurality of bent portions.

例えば、前記電気光学結晶に応力を加える金属体は、板状を有する板状金属体であり、前記板状金属体を変形させた場合、前記板状金属体が逆方向に変形しようとすることにより前記電気光学結晶に応力を加えるようになっている。   For example, the metal body that applies stress to the electro-optic crystal is a plate-like metal body having a plate shape, and when the plate-like metal body is deformed, the plate-like metal body tends to deform in the reverse direction. Thus, stress is applied to the electro-optic crystal.

本発明の電気光学結晶支持方法は、2つの電極に挟持される電気光学結晶を支持する電気光学結晶支持台による電気光学結晶支持方法であって、前記電気光学結晶支持台は、前記各電極に接触する金属体を有し、且つ、前記各金属体に電気信号を印加するための電極が接続され、且つ、前記電気光学結晶支持台は、前記電気光学結晶に光を入射させる手段と、前記電気光学結晶から出射する光により前記電気信号を検出する手段とともに用いられ、前記電気光学結晶支持方法は、少なくとも一方の当該金属体が変形しようとすることにより前記電気光学結晶に応力を加えることを特徴とする。 The electro-optical crystal support method of the present invention is an electro-optical crystal support method using an electro-optical crystal support base that supports an electro-optical crystal sandwiched between two electrodes , and the electro-optical crystal support base is attached to each electrode. An electrode for applying an electric signal to each of the metal bodies is connected, and the electro-optic crystal support is configured to make light incident on the electro-optic crystal; The electro-optic crystal supporting method is used together with a means for detecting the electrical signal by light emitted from the electro-optic crystal, and the electro-optic crystal supporting method applies stress to the electro-optic crystal by trying to deform at least one of the metal bodies. Features.

例えば、前記電気光学結晶に応力を加える金属体は、形状記憶合金であり、前記電気光学結晶支持方法は、前記形状記憶合金を変形させる工程と、前記形状記憶合金を加熱する工程とを含み、前記形状記憶合金が加熱の際に逆方向に変形し、逆方向の変形の際に、前記形状記憶合金が前記電気光学結晶に応力を加える。   For example, the metal body that applies stress to the electro-optic crystal is a shape memory alloy, and the electro-optic crystal support method includes a step of deforming the shape memory alloy and a step of heating the shape memory alloy, The shape memory alloy is deformed in the reverse direction upon heating, and the shape memory alloy applies stress to the electro-optic crystal during the deformation in the reverse direction.

例えば、前記電気光学結晶に応力を加える金属体は、バイメタルであり、前記電気光学結晶支持方法は、前記バイメタルを加熱する工程を含み、前記バイメタルが加熱の際に変形し、前記バイメタルが冷却されて逆方向に変形し、逆方向への変形の際に、前記バイメタルが前記電気光学結晶に応力を加える。   For example, the metal body that applies stress to the electro-optic crystal is a bimetal, and the electro-optic crystal support method includes a step of heating the bimetal, and the bimetal is deformed when heated, and the bimetal is cooled. The bimetal applies stress to the electro-optic crystal during deformation in the reverse direction.

例えば、前記電気光学結晶に応力を加える金属体は、複数の屈曲箇所を有する。   For example, the metal body that applies stress to the electro-optic crystal has a plurality of bent portions.

例えば、前記電気光学結晶に応力を加える金属体は、板状を有する板状金属体であり、前記電気光学結晶支持方法は、前記板状金属体を変形させる工程を含み、前記変形した板状金属体が逆方向に変形しようとすることにより前記電気光学結晶に応力を加える。   For example, the metal body that applies stress to the electro-optic crystal is a plate-like metal body having a plate shape, and the electro-optic crystal support method includes a step of deforming the plate-like metal body, Stress is applied to the electro-optic crystal by the metal body trying to deform in the opposite direction.

本発明の電界検出光学装置は、前記電気光学結晶支持台と、前記電気光学結晶と前記電気光学結晶に光を入射させる前記手段と、前記電気信号を印加するための前記各電極間に電気信号を印加する手段と、前記電気光学結晶から出射する光により前記電気信号を検出する前記手段とを備える。 Field detecting optical system of the present invention includes the electro-optic crystal support table, and said means for entering light into the electro-optic crystal and the electro-optic crystal, an electrical signal between the respective electrodes for applying said electric signal and means for applying, and said means for detecting the electrical signal by the light emitted from the electro-optical crystals.

本発明によれば、金属体が変形することにより電気光学結晶に応力を加えるので、電気光学結晶に衝撃を与えず、欠損や特性の劣化が生じないように電気光学結晶を支持することができる。   According to the present invention, since the stress is applied to the electro-optic crystal by the deformation of the metal body, the electro-optic crystal can be supported so as not to give an impact to the electro-optic crystal and to cause no defect or deterioration of characteristics. .

本発明の第1の実施の形態に係る電気光学結晶支持台と電気光学結晶を示す斜視図および側面図である。1A and 1B are a perspective view and a side view showing an electro-optic crystal support base and an electro-optic crystal according to a first embodiment of the present invention. 図1に示す電気光学結晶支持台の金属体を変形させる様子を示す斜視図および側面図である。It is the perspective view and side view which show a mode that the metal body of the electro-optic crystal support stand shown in FIG. 1 is deformed. 図1に示す電気光学結晶支持台に電気光学結晶が配置される様子を示す斜視図および側面図である。FIG. 2 is a perspective view and a side view showing a state in which an electro-optic crystal is arranged on the electro-optic crystal support shown in FIG. 図1に示す電気光学結晶支持台の金属体が逆方向に変形する様子を示す斜視図および側面図である。It is the perspective view and side view which show a mode that the metal body of the electro-optic crystal support stand shown in FIG. 1 deform | transforms in a reverse direction. 図1に示す電気光学結晶支持台を含む電界検出光学装置の構成例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structural example of the electric field detection optical apparatus containing the electro-optic crystal support stand shown in FIG. 図1に示す電気光学結晶支持台を含む電界検出光学装置の別な構成例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows another structural example of the electric field detection optical apparatus containing the electro-optic crystal support stand shown in FIG. 本発明の第3の実施の形態に係る電気光学結晶支持台と電気光学結晶を示す斜視図および側面図である。It is the perspective view and side view which show the electro-optic crystal support stand and electro-optic crystal which concern on the 3rd Embodiment of this invention. 図7に示す電気光学結晶支持台の金属体を変形させる様子を示す斜視図および側面図である。It is the perspective view and side view which show a mode that the metal body of the electro-optic crystal support stand shown in FIG. 7 is deformed. 図7に示す電気光学結晶支持台に電気光学結晶が配置される様子を示す斜視図および側面図である。It is the perspective view and side view which show a mode that an electro-optic crystal is arrange | positioned on the electro-optic crystal support stand shown in FIG. 図7に示す電気光学結晶支持台の金属体が逆方向に変形する様子を示す斜視図および側面図である。It is the perspective view and side view which show a mode that the metal body of the electro-optic crystal support stand shown in FIG. 7 deform | transforms in a reverse direction. 本発明の第5の実施の形態に係る電気光学結晶支持台と電気光学結晶を示す斜視図および側面図である。It is the perspective view and side view which show the electro-optic crystal support stand and electro-optic crystal which concern on the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第6の実施の形態に係る電気光学結晶支持台と電気光学結晶を示す斜視図および側面図である。It is the perspective view and side view which show the electro-optic crystal support stand and electro-optic crystal which concern on the 6th Embodiment of this invention. 図12に示す電気光学結晶支持台に電気光学結晶が配置される様子を示す斜視図および側面図である。FIG. 13 is a perspective view and a side view showing a state in which an electro-optic crystal is arranged on the electro-optic crystal support shown in FIG. 12. 図12に示す電気光学結晶支持台の金属体を変形させる前の様子を示す斜視図および側面図である。It is the perspective view and side view which show a mode before deforming the metal body of the electro-optic crystal support stand shown in FIG. 図12に示す電気光学結晶支持台の金属体が変形した様子を示す斜視図および側面図である。It is the perspective view and side view which show a mode that the metal body of the electro-optic crystal support stand shown in FIG. 12 deform | transformed. 従来の電気光学結晶を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the conventional electro-optic crystal. 小型化された電気光学結晶と電気光学結晶支持台を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the electro-optic crystal reduced in size and the electro-optic crystal support stand.

[第1の実施の形態(第2の実施の形態)]
図1に示すように、電気光学結晶(以下、結晶という)1は、2つの電極11,12に挟持されたものである。結晶1は、例えば、平板状であり、その材料は、ZnTeまたは閃亜鉛鋼型を有する化合物半導体結晶(GaAs、InP、CdTeなど)またはシレナイト化合物(Bi12GeO20、Bi12SiO20、Bi12TiO20など)である。電極は、例えば、金と銅の合金であり、スパッタリングによって、結晶1に蒸着される。例えば、結晶1の幅、高さ、長さはそれぞれ0.2mm、0.5mm、7.0mmである。
[First Embodiment (Second Embodiment)]
As shown in FIG. 1, an electro-optic crystal (hereinafter referred to as a crystal) 1 is sandwiched between two electrodes 11 and 12. The crystal 1 is, for example, a flat plate, and the material thereof is a compound semiconductor crystal (GaAs, InP, CdTe, etc.) having a ZnTe or zinc flash steel type or a sillenite compound (Bi 12 GeO 20 , Bi 12 SiO 20 , Bi 12). TiO 20 etc.). The electrode is, for example, an alloy of gold and copper, and is deposited on the crystal 1 by sputtering. For example, the width, height, and length of the crystal 1 are 0.2 mm, 0.5 mm, and 7.0 mm, respectively.

電気光学結晶支持台(以下、支持台という)2は、結晶1と一体となることで、結晶1を支持するものである。支持台2の材料は、例えば、プラスチックなどの絶縁体である。例えば、支持台2の幅、高さ、長さはそれぞれ1.5mm、1.5mm、7.0mmである。   An electro-optic crystal support base (hereinafter referred to as a support base) 2 is integrated with the crystal 1 to support the crystal 1. The material of the support base 2 is an insulator such as plastic. For example, the width, height, and length of the support base 2 are 1.5 mm, 1.5 mm, and 7.0 mm, respectively.

支持台2は、電極11に接触する金属体21,21と、電極21に接触する金属体22,22とを備える。金属体22は、金属体22自体が変形しようとすることにより電気光学結晶に応力を加えるようになっている。金属体21は、例えば、電極の材料と同じものからなり、金属体22からの応力を受けるべく、結晶1を挟んで、金属体22の反対側に配置されている。   The support base 2 includes metal bodies 21 and 21 that are in contact with the electrode 11, and metal bodies 22 and 22 that are in contact with the electrode 21. The metal body 22 applies a stress to the electro-optic crystal when the metal body 22 itself tries to deform. The metal body 21 is made of, for example, the same material as the electrode, and is disposed on the opposite side of the metal body 22 with the crystal 1 interposed therebetween so as to receive stress from the metal body 22.

第1の実施の形態では、金属体22は形状記憶合金(例えば、ニッケルチタン合金)である。ニッケルチタン合金である結晶記憶合金の変態温度は、ニッケルの組成により定まる。例えば、ニッケル組成が46.8〜47.0%の場合、変態温度は50〜80℃となり、ニッケル組成が54〜56%の場合は、変態温度は70〜100℃となる。第1の実施の形態では、形状記憶合金である金属体22に応力を加えて変形させるのだが、前者の組成の場合、弾性係数は常温で0に近いため、必要な応力を小さくすることができる。   In the first embodiment, the metal body 22 is a shape memory alloy (for example, nickel titanium alloy). The transformation temperature of the crystal memory alloy, which is a nickel titanium alloy, is determined by the nickel composition. For example, when the nickel composition is 46.8 to 47.0%, the transformation temperature is 50 to 80 ° C., and when the nickel composition is 54 to 56%, the transformation temperature is 70 to 100 ° C. In the first embodiment, the metal body 22 which is a shape memory alloy is deformed by applying stress. However, in the case of the former composition, since the elastic modulus is close to 0 at room temperature, the necessary stress can be reduced. it can.

一方、本発明の第2の実施の形態に係る支持台は、支持台2に類似した構成を有し、金属体22がバイメタルであることのみが異なる。バイメタルとは、熱膨張率の異なる2つの金属を貼り合わせたものである。バイメタルとしては、例えば、低い熱膨張率を有する金属であるNi−Fe合金(Ni36%)と、高い熱膨張率を有する金属であるCu、Ni等の合金とを貼り合わせたものがある。第2の実施の形態では、バイメタルである金属体22を加熱や冷却により変形させるのだが、2つの金属の種類は、どの程度変形させるかに鑑みて選択すればよく、上記例の組み合わせでなくてもよい。   On the other hand, the support base according to the second embodiment of the present invention has a configuration similar to that of the support base 2, except that the metal body 22 is a bimetal. Bimetal is a laminate of two metals having different coefficients of thermal expansion. As the bimetal, for example, a Ni—Fe alloy (Ni 36%) which is a metal having a low coefficient of thermal expansion and an alloy such as Cu and Ni which are metals having a high coefficient of thermal expansion are bonded. In the second embodiment, the metal body 22 that is a bimetal is deformed by heating or cooling, but the two types of metal may be selected in view of how much the metal is deformed, not the combination of the above examples. May be.

まず、第1の実施の形態つまり金属体22が形状記憶合金の場合における電気光学結晶支持方法(以下、電気光学結晶支持方法を単に支持方法という)を説明し、次に、第2の実施の形態つまり金属体22がバイメタルの場合における支持方法を説明する。   First, an electro-optic crystal supporting method (hereinafter, the electro-optic crystal supporting method is simply referred to as a supporting method) when the metal body 22 is a shape memory alloy will be described, and then the second embodiment A form, that is, a supporting method in the case where the metal body 22 is a bimetal will be described.

(金属体22が形状記憶合金の場合)
まず、金属体22に形状を記憶させる。金属体22がニッケルチタン合金の場合、例えば、400〜500℃で焼き入れをするなどして、形状を記憶させる。そして、金属体22を、図1に示すように支持台2に配置する。この時点で、金属体22と電極12の間隔が狭くて、結晶1が配置できないようになっている。
(When the metal body 22 is a shape memory alloy)
First, the shape is stored in the metal body 22. When the metal body 22 is a nickel titanium alloy, the shape is memorized, for example, by quenching at 400 to 500 ° C. And the metal body 22 is arrange | positioned to the support stand 2 as shown in FIG. At this point, the distance between the metal body 22 and the electrode 12 is so narrow that the crystal 1 cannot be arranged.

次に、図2に示すように金属体22を外部からの応力により、例えば手で、変形させる。金属体22はV字になっており、つまり、金属体22には屈曲箇所が1箇所だけあるので、この屈曲箇所だけが変形する。この変形により、結晶1を配置する空間が生じる。屈曲箇所の変形が大きすぎると金属体22は形状を記憶しておけないので、例えば、屈曲箇所の変形は10%程度とするのが好ましい。   Next, as shown in FIG. 2, the metal body 22 is deformed by an external stress, for example, by hand. The metal body 22 is V-shaped. That is, since the metal body 22 has only one bent portion, only the bent portion is deformed. By this deformation, a space for arranging the crystal 1 is generated. If the deformation of the bent portion is too large, the metal body 22 cannot store the shape. For example, the deformation of the bent portion is preferably about 10%.

次に、図3に示すように結晶1を支持台2に配置する。金属体22の変態温度が常温より高い場合、ここまでの工程は、例えば、常温で行われる。   Next, the crystal 1 is placed on the support base 2 as shown in FIG. When the transformation temperature of the metal body 22 is higher than room temperature, the steps so far are performed at room temperature, for example.

次に、金属体22をランプヒータ、加熱コテ、温風等で加熱する。金属体22が変態温度に達すると、図4に示すように金属体22は逆方向に変形する。   Next, the metal body 22 is heated with a lamp heater, a heating iron, hot air, or the like. When the metal body 22 reaches the transformation temperature, the metal body 22 is deformed in the reverse direction as shown in FIG.

図1のように、予め結晶1を配置できる空間をなくしておけば、金属体22は元の形状に戻る前に電極12に当接する。金属体22はさらに変形しようとするので、結晶1に応力が加わる。   If the space where the crystal 1 can be placed is eliminated in advance as shown in FIG. 1, the metal body 22 contacts the electrode 12 before returning to its original shape. Since the metal body 22 tends to further deform, stress is applied to the crystal 1.

次に、加熱を止める。金属体22は常温まで冷却される。冷却された金属体22は電極12を介して結晶1に応力を加え続ける。   Next, the heating is stopped. The metal body 22 is cooled to room temperature. The cooled metal body 22 continues to apply stress to the crystal 1 through the electrode 12.

(金属体22がバイメタルの場合)
まず、図1に示すように、金属体22を支持台2に配置する。この時点で、金属体22と電極12の間隔が狭くて、結晶1が配置できないようになっている。
(When the metal body 22 is bimetal)
First, as shown in FIG. 1, the metal body 22 is disposed on the support base 2. At this point, the distance between the metal body 22 and the electrode 12 is so narrow that the crystal 1 cannot be arranged.

次に、金属体22をランプヒータ等で加熱する。加熱により金属体22は、図2に示すように変形する。金属体22には屈曲箇所が1箇所だけあり、この屈曲箇所だけが変形する。この変形により、結晶1を配置する空間が生じる。   Next, the metal body 22 is heated with a lamp heater or the like. The metal body 22 is deformed by heating as shown in FIG. The metal body 22 has only one bent portion, and only this bent portion is deformed. By this deformation, a space for arranging the crystal 1 is generated.

次に、図3に示すように結晶1を支持台2に配置する。この配置に先立ち、または、配置後に加熱を止める。図4に示すように、金属体22は冷却されて逆方向に変形する。   Next, the crystal 1 is placed on the support base 2 as shown in FIG. Heating is stopped prior to or after this placement. As shown in FIG. 4, the metal body 22 is cooled and deformed in the reverse direction.

図1のように、予め結晶1を配置する空間をなくしておけば、金属体22は元の形状に戻る前に電極12に当接する。金属体22はさらに変形しようとするので、電極12を介して結晶1に応力を加え続ける。   As shown in FIG. 1, if the space for arranging the crystal 1 is eliminated in advance, the metal body 22 contacts the electrode 12 before returning to its original shape. Since the metal body 22 tends to be further deformed, stress is continuously applied to the crystal 1 through the electrode 12.

図5に示すように電界検出光学装置は、例えば、結晶1に光を入射させる手段3と、金属体21,22間に電気信号を印加するための電極41,42と、結晶1から出射する光により電気信号を検出する手段5とを備える。例えば、一方の金属体21は電極41に接続されている。また、例えば、一方の金属体22は電極42に接続されている。電極41,42間には電気信号が印加される。レーザダイオード31から出射したレーザ光はレンズ32、偏光ビームスプリッタ33、波長板34を通過する。レーザ光は一方の端面から結晶1に入射する。結晶1には電気信号により電界が生じている。電界によりレーザ光は変調され、他方の端面から出射する。レーザ光は、偏光ビームスプリッタ51により、P波成分およびS波成分に分離される。フォトダイオード52,52はP波成分およびS波成分を電気信号に変換する。   As shown in FIG. 5, the electric field detection optical device emits light from the crystal 1, for example, means 3 for making light incident on the crystal 1, electrodes 41 and 42 for applying an electric signal between the metal bodies 21 and 22. And means 5 for detecting an electrical signal by light. For example, one metal body 21 is connected to the electrode 41. For example, one metal body 22 is connected to the electrode 42. An electric signal is applied between the electrodes 41 and 42. Laser light emitted from the laser diode 31 passes through the lens 32, the polarization beam splitter 33, and the wave plate 34. Laser light is incident on the crystal 1 from one end face. An electric field is generated in the crystal 1 by an electric signal. The laser light is modulated by the electric field and emitted from the other end face. The laser beam is separated into a P wave component and an S wave component by the polarization beam splitter 51. The photodiodes 52 and 52 convert the P wave component and the S wave component into electric signals.

図6に示す電界検出光学装置は、同様の原理で動作するもので、結晶1の評価に用いられる。交流電源6は交流信号を電極41,42間に印加する。交流信号による結晶1内の電界は、通過するレーザ光を偏光させる。評価装置7は、レーザ光の偏光の割合を評価し、評価結果を表示装置8に表示する。   The electric field detection optical device shown in FIG. 6 operates on the same principle, and is used for evaluating the crystal 1. The AC power source 6 applies an AC signal between the electrodes 41 and 42. The electric field in the crystal 1 due to the AC signal polarizes the laser beam passing therethrough. The evaluation device 7 evaluates the polarization ratio of the laser light and displays the evaluation result on the display device 8.

[第3の実施の形態(第4の実施の形態)]
図7に示すように支持台2Aは、図1等に示した第1の実施の形態に係る支持台2に類似した構成を有し、形状記憶合金である金属体22が、複数の屈曲箇所を有することのみが異なる。金属体22は湾曲しているのである。
[Third Embodiment (Fourth Embodiment)]
As shown in FIG. 7, the support base 2 </ b> A has a configuration similar to that of the support base 2 according to the first embodiment shown in FIG. 1 and the like, and the metal body 22 that is a shape memory alloy has a plurality of bent portions. It differs only in having. The metal body 22 is curved.

ここで、第1の実施の形態を顧みれば、図2に示す金属体22では、例えば、結晶1を配置する空間を広くすべく、金属体22を大きく変形させると、唯一の屈曲箇所に大きな変形が生じる。形状記憶合金の特性上、屈曲箇所の変形が大きすぎると元の形状(記憶している形状)に戻らなくなってしまう。場合によっては、図4において、金属体22が電極21に当接せず、結晶1に応力が加わらない。   Here, in consideration of the first embodiment, in the metal body 22 shown in FIG. 2, for example, if the metal body 22 is greatly deformed so as to widen the space in which the crystal 1 is arranged, the metal body 22 has a large bent portion. Deformation occurs. Due to the characteristics of the shape memory alloy, if the deformation of the bent portion is too large, it will not return to the original shape (the memorized shape). In some cases, in FIG. 4, the metal body 22 does not contact the electrode 21, and no stress is applied to the crystal 1.

これに対し、第3の実施の形態では、図8に示すように金属体22を大きく変形させた場合であっても、変形の量が分散され、各屈曲箇所での変形は小さい。よって、金属体22を大きく変形させても、元の形状に戻り、結晶1に応力を確実に加えることができる。また、金属体22を大きく変形させることで、結晶1を配置する空間を広くできるので、結晶1の出し入れが容易であり、結晶1を配置しやすくすることができる。   On the other hand, in the third embodiment, even when the metal body 22 is largely deformed as shown in FIG. 8, the amount of deformation is dispersed, and the deformation at each bent portion is small. Therefore, even if the metal body 22 is greatly deformed, the original shape is restored and stress can be applied to the crystal 1 reliably. Further, by greatly deforming the metal body 22, the space for arranging the crystal 1 can be widened, so that the crystal 1 can be easily taken in and out and the crystal 1 can be easily arranged.

すなわち、第3の実施の形態でも、図9に示すように結晶1を支持台2Aに配置し、金属体22を加熱すると、図10に示すように金属体22は逆方向に変形する。図7のように、予め結晶1を配置する空間をなくしておけば、金属体22は電極12に当接する。金属体22はさらに変形しようとするので、結晶1に応力が加わる。加熱を止めると、金属体22は常温まで冷却される。冷却された金属体22は電極12を介して結晶1に応力を加え続ける。   That is, also in the third embodiment, when the crystal 1 is arranged on the support 2A as shown in FIG. 9 and the metal body 22 is heated, the metal body 22 is deformed in the opposite direction as shown in FIG. As shown in FIG. 7, if the space for arranging the crystal 1 is eliminated in advance, the metal body 22 contacts the electrode 12. Since the metal body 22 tends to further deform, stress is applied to the crystal 1. When the heating is stopped, the metal body 22 is cooled to room temperature. The cooled metal body 22 continues to apply stress to the crystal 1 through the electrode 12.

本発明の第4の実施の形態に係る支持台は、支持台2Aに類似した構成を有し、金属体22がバイメタルであることのみが異なる。   The support base according to the fourth embodiment of the present invention has a configuration similar to the support base 2A, except that the metal body 22 is a bimetal.

形状記憶合金と同様にバイメタルでも、その特性上、変形が大きすぎると元の形状に戻らず、結晶1に応力が加わらないことがある。   Similarly to shape memory alloys, bimetals do not return to their original shape due to their characteristics, and the crystal 1 may not be stressed due to its characteristics.

これに対し、第4の実施の形態では、形状記憶合金と同様に、金属体22を同じように変形させた場合であっても、各屈曲箇所での変形は小さい。よって、元の形状に戻りやすく、結晶1に応力を確実に加えることができる。また、結晶1を配置する空間を広くでき、結晶1を配置しやすくすることができる。   On the other hand, in the fourth embodiment, similarly to the shape memory alloy, even when the metal body 22 is deformed in the same manner, the deformation at each bent portion is small. Therefore, it is easy to return to the original shape, and stress can be reliably applied to the crystal 1. Further, the space for arranging the crystal 1 can be widened, and the crystal 1 can be easily arranged.

[第5の実施の形態]
図11に示すように支持台2Bは、図7等に示した支持台2Aに類似した構成を有し、金属体22の数が1であることのみが異なる。すなわち、本発明では金属体22の数は任意である。また、金属体22は図11に示すように湾曲せず、一箇所で屈曲していてもよい。また、金属体21を金属体22と同様に構成してもよい。第5の実施の形態における支持方法、作用効果は、第1の実施の形態等のものと同様である。
[Fifth Embodiment]
As shown in FIG. 11, the support base 2 </ b> B has a configuration similar to the support base 2 </ b> A shown in FIG. 7 and the like, except that the number of metal bodies 22 is one. That is, in the present invention, the number of the metal bodies 22 is arbitrary. Further, the metal body 22 may be bent at one place without being bent as shown in FIG. Further, the metal body 21 may be configured similarly to the metal body 22. The support method and effects in the fifth embodiment are the same as those in the first embodiment.

[第6の実施の形態]
図12に示すように支持台2Cの金属体22は、板状を有する板状金属体である。金属体22には貫通孔22aとその周囲の切り込み22bが形成されている。金属体22は、貫通孔22aを中心にして対称に湾曲している。金属体22の各端部は逆方向に湾曲している。支持台2Cには、固定球2aを貫通した軸棒2bの一方端が固定されている。
[Sixth Embodiment]
As shown in FIG. 12, the metal body 22 of the support base 2C is a plate-shaped metal body having a plate shape. The metal body 22 is formed with a through hole 22a and a surrounding notch 22b. The metal body 22 is curved symmetrically about the through hole 22a. Each end of the metal body 22 is curved in the opposite direction. One end of a shaft rod 2b penetrating the fixed ball 2a is fixed to the support base 2C.

まず、図13に示すように結晶1を支持台3Cに配置する。次に、図14に示すように軸棒2bを貫通孔22aに貫通させる。次に、金属体22を固定球2aの方に押しつける。すると、固定球2aが切り込み22bを広げ、図15に示すように、固定球2aが貫通孔22aを貫通する。固定球2aが切り込み22bを広げているときに金属体22が電極12に接触するようにしておけば、固定球2aが貫通孔22aを貫通したときの金属体22は固定球2aから応力を受けて変形している。金属体22は逆方向に変形しようとするので、結晶1に応力が加わる。   First, as shown in FIG. 13, the crystal 1 is placed on the support 3C. Next, as shown in FIG. 14, the shaft 2b is passed through the through hole 22a. Next, the metal body 22 is pressed toward the fixed sphere 2a. Then, the fixed sphere 2a widens the cut 22b, and the fixed sphere 2a penetrates the through hole 22a as shown in FIG. If the metal body 22 is in contact with the electrode 12 when the fixed sphere 2a extends the notch 22b, the metal body 22 when the fixed sphere 2a penetrates the through hole 22a receives stress from the fixed sphere 2a. Is deformed. Since the metal body 22 tends to deform in the opposite direction, stress is applied to the crystal 1.

なお、軸棒2bは、ネジ式などにして、後から支持台2Cに固定してもよい。また、そのような軸棒2bにボルトを通し、そのボルトにより金属体22を所望の位置に固定してもよい。   The shaft 2b may be fixed to the support base 2C later using a screw type or the like. Further, a bolt may be passed through such a shaft rod 2b, and the metal body 22 may be fixed at a desired position by the bolt.

以上説明したように、各実施の形態に係る支持台は、各電極11,12に接触する金属体21,22を有し、少なくとも一方の金属体が変形しようとすることにより結晶1に応力を加えるようになっているので、結晶1に衝撃を与えず、欠損や特性の劣化が生じないように結晶1を支持することができる。よって、結晶と支持台からなる素子の歩留まりを向上でき、また、半田付けやボンディングが不要なので、コスト低減を図れる。もちろん、支持台を持てるので、結晶の扱いが容易である。また、従来の素子(図16参照)と形状的に互換性があり、代替可能な安価な素子として使用可能である。   As described above, the support base according to each embodiment has the metal bodies 21 and 22 that are in contact with the respective electrodes 11 and 12, and stress is applied to the crystal 1 when at least one of the metal bodies tries to deform. Since it is added, the crystal 1 can be supported so as not to give an impact to the crystal 1 and to prevent defects and deterioration of characteristics. Therefore, the yield of the element composed of the crystal and the support base can be improved, and the cost can be reduced because soldering and bonding are unnecessary. Of course, since the support can be held, it is easy to handle crystals. Further, it is compatible in shape with a conventional element (see FIG. 16), and can be used as an inexpensive alternative element.

1 電気光学結晶
2,2A,2B,2C 電気光学結晶支持台
11,12 電極
21,22 金属体
2a 固定球
2b 軸棒
22a 貫通孔
22b 切り込み
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electro-optic crystal 2, 2A, 2B, 2C Electro-optic crystal support stand 11, 12 Electrode 21, 22 Metal body 2a Fixed ball 2b Axle rod 22a Through-hole 22b Notch

Claims (11)

2つの電極に挟持される電気光学結晶を支持する電気光学結晶支持台であって、
前記電気光学結晶支持台は、前記各電極に接触する金属体を有し、且つ、前記各金属体に電気信号を印加するための電極が接続され、且つ、前記電気光学結晶支持台は、前記電気光学結晶に光を入射させる手段と、前記電気光学結晶から出射する光により前記電気信号を検出する手段とともに用いられ、
前記電気光学結晶支持台は、少なくとも一方の当該金属体が変形しようとすることにより前記電気光学結晶に応力を加えるようになっている
ことを特徴とする電気光学結晶支持台。
An electro-optic crystal support that supports an electro-optic crystal sandwiched between two electrodes,
The electro-optic crystal support has a metal body that is in contact with each of the electrodes, and an electrode for applying an electric signal to each of the metal bodies is connected. Used together with means for making light incident on the electro-optic crystal and means for detecting the electric signal by light emitted from the electro-optic crystal,
The electro-optic crystal support is configured to apply stress to the electro-optic crystal when at least one of the metal bodies is deformed.
前記電気光学結晶に応力を加える金属体は、形状記憶合金であり、
前記形状記憶合金を応力により変形させ、前記形状記憶合金を加熱した場合、前記形状記憶合金が加熱により逆方向に変形し、逆方向への変形の際に、前記形状記憶合金が前記電気光学結晶に応力を加えるようになっている
ことを特徴とする請求項1記載の電気光学結晶支持台。
The metal body that applies stress to the electro-optic crystal is a shape memory alloy,
When the shape memory alloy is deformed by stress and the shape memory alloy is heated, the shape memory alloy is deformed in the reverse direction by heating, and when deformed in the reverse direction, the shape memory alloy is transformed into the electro-optic crystal. The electro-optic crystal support table according to claim 1, wherein stress is applied to the electrode.
前記電気光学結晶に応力を加える金属体は、バイメタルであり、
前記バイメタルを加熱した場合、前記バイメタルが加熱の際に変形し、前記バイメタルが冷却されて逆方向に変形し、逆方向への変形の際に、前記バイメタルが前記電気光学結晶に応力を加えるようになっている
ことを特徴とする請求項1記載の電気光学結晶支持台。
The metal body that applies stress to the electro-optic crystal is a bimetal,
When the bimetal is heated, the bimetal is deformed when heated, the bimetal is cooled and deformed in the reverse direction, and the bimetal applies stress to the electro-optic crystal when deformed in the reverse direction. The electro-optic crystal support base according to claim 1, wherein:
前記電気光学結晶に応力を加える金属体は、複数の屈曲箇所を有する
ことを特徴とする請求項2または3記載の電気光学結晶支持台。
The electro-optic crystal support base according to claim 2 or 3, wherein the metal body that applies stress to the electro-optic crystal has a plurality of bent portions.
前記電気光学結晶に応力を加える金属体は、板状を有する板状金属体であり、
前記板状金属体を変形させた場合、前記板状金属体が逆方向に変形しようとすることにより前記電気光学結晶に応力を加えるようになっている
ことを特徴とする請求項1記載の電気光学結晶支持台。
The metal body that applies stress to the electro-optic crystal is a plate-shaped metal body having a plate shape,
2. The electricity according to claim 1, wherein when the plate-like metal body is deformed, stress is applied to the electro-optic crystal when the plate-like metal body tries to deform in a reverse direction. Optical crystal support.
2つの電極に挟持される電気光学結晶を支持する電気光学結晶支持台による電気光学結晶支持方法であって、
前記電気光学結晶支持台は、前記各電極に接触する金属体を有し、且つ、前記各金属体に電気信号を印加するための電極が接続され、且つ、前記電気光学結晶支持台は、前記電気光学結晶に光を入射させる手段と、前記電気光学結晶から出射する光により前記電気信号を検出する手段とともに用いられ、
前記電気光学結晶支持方法は、少なくとも一方の当該金属体が変形しようとすることにより前記電気光学結晶に応力を加える
ことを特徴とする電気光学結晶支持方法。
An electro-optic crystal support method using an electro-optic crystal support that supports an electro-optic crystal sandwiched between two electrodes,
The electro-optic crystal support has a metal body that is in contact with each of the electrodes, and an electrode for applying an electric signal to each of the metal bodies is connected. Used together with means for making light incident on the electro-optic crystal and means for detecting the electric signal by light emitted from the electro-optic crystal,
The electro-optical crystal supporting method is characterized in that stress is applied to the electro-optical crystal when at least one of the metal bodies is deformed.
前記電気光学結晶に応力を加える金属体は、形状記憶合金であり、
前記電気光学結晶支持方法は、前記形状記憶合金を変形させる工程と、前記形状記憶合金を加熱する工程とを含み、
前記形状記憶合金が加熱の際に逆方向に変形し、逆方向の変形の際に、前記形状記憶合金が前記電気光学結晶に応力を加える
ことを特徴とする請求項6記載の電気光学結晶支持方法。
The metal body that applies stress to the electro-optic crystal is a shape memory alloy,
The electro-optic crystal support method includes a step of deforming the shape memory alloy, and a step of heating the shape memory alloy,
The electro-optic crystal support according to claim 6, wherein the shape memory alloy is deformed in a reverse direction when heated, and the shape memory alloy applies stress to the electro-optic crystal when deformed in the reverse direction. Method.
前記電気光学結晶に応力を加える金属体は、バイメタルであり、
前記電気光学結晶支持方法は、前記バイメタルを加熱する工程を含み、
前記バイメタルが加熱の際に変形し、前記バイメタルが冷却されて逆方向に変形し、逆方向への変形の際に、前記バイメタルが前記電気光学結晶に応力を加える
ことを特徴とする請求項6記載の電気光学結晶支持方法。
The metal body that applies stress to the electro-optic crystal is a bimetal,
The electro-optic crystal support method includes a step of heating the bimetal,
The bimetal deforms when heated, the bimetal cools and deforms in the reverse direction, and the bimetal applies stress to the electro-optic crystal when deformed in the reverse direction. The electro-optic crystal supporting method as described.
前記電気光学結晶に応力を加える金属体は、複数の屈曲箇所を有することを特徴とする請求項7または8記載の電気光学結晶支持方法。   9. The electro-optic crystal supporting method according to claim 7, wherein the metal body that applies stress to the electro-optic crystal has a plurality of bent portions. 前記電気光学結晶に応力を加える金属体は、板状を有する板状金属体であり、
前記電気光学結晶支持方法は、前記板状金属体を変形させる工程を含み、
前記変形した板状金属体が逆方向に変形しようとすることにより前記電気光学結晶に応力を加える
ことを特徴とする請求項6記載の電気光学結晶支持方法。
The metal body that applies stress to the electro-optic crystal is a plate-shaped metal body having a plate shape,
The electro-optic crystal support method includes a step of deforming the plate-like metal body,
The electro-optic crystal supporting method according to claim 6, wherein stress is applied to the electro-optic crystal when the deformed plate-like metal body is deformed in a reverse direction.
請求項1ないし5のいずれかに記載の電気光学結晶支持台と、
前記電気光学結晶と
前記電気光学結晶に光を入射させる前記手段と、
前記電気信号を印加するための前記各電極間に電気信号を印加する手段と、
前記電気光学結晶から出射する光により前記電気信号を検出する前記手段と
を備えることを特徴とする電界検出光学装置。
An electro-optic crystal support table according to any one of claims 1 to 5,
And said means for entering light into the electro-optic crystal and the electro-optic crystal,
Means for applying an electrical signal between the electrodes for applying the electrical signal;
An electric field detecting optical device comprising: the means for detecting the electric signal by light emitted from the electro-optic crystal.
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