JP5182133B2 - Composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device - Google Patents

Composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device Download PDF

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Description

本発明は、有機電界発光素子に用いられる組成物に関するものであり、詳しくは成膜性、湿式プロセス適性に優れた有機電界発光素子用組成物、さらには、それを用いた高効率、長寿命な有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を用いた有機ELディスプレイおよび有機EL照明に関するものである。   The present invention relates to a composition used for an organic electroluminescence device, and more specifically, a composition for an organic electroluminescence device excellent in film formability and wet process suitability, and further, high efficiency and long life using the composition. The present invention relates to an organic electroluminescent element, an organic EL display using the organic electroluminescent element, and organic EL illumination.

近年、薄膜型の電界発光素子としては、無機材料を使用したものに代わり、有機薄膜を用いた有機電界発光素子の開発が行われるようになっている。有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを有し、この各層に適した赤、緑、青などの発光素子の開発が進んでいる。   In recent years, as a thin film type electroluminescent element, an organic electroluminescent element using an organic thin film has been developed instead of using an inorganic material. The organic electroluminescent device usually has a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, etc. between the anode and the cathode, and suitable for each layer such as red, green, blue, etc. Development of light emitting devices is progressing.

また、有機電界発光素子の各層の形成方法としては、蒸着成膜法や湿式成膜法がある。蒸着成膜法では、テレビやモニタ用の中・大型フルカラーパネルなどを製作する場合、歩留まりの観点で課題を有する。そのため、中でもこれら大面積の用途には湿式成膜法が好適である。   In addition, as a method for forming each layer of the organic electroluminescent element, there are a vapor deposition film forming method and a wet film forming method. The vapor deposition method has a problem in terms of yield when manufacturing a medium or large full color panel for a television or a monitor. Therefore, the wet film-forming method is suitable for these large area applications.

しかしながら、湿式成膜法で有機電界発光素子の構成層を形成する場合、とりわけ、発光層を湿式成膜法で形成するには、発光層の材料を溶解してなる発光層形成用成膜組成物に対して耐性のある、すなわち発光層形成用成膜組成物に溶解しない下地層が必要となる。この下地層を発光層形成用組成物の溶剤に対して不溶なものとするためには、架橋反応により硬化させた溶剤不溶性のポリマー材料を用いることが好ましく、本出願人は先に、このような耐溶剤溶解性に優れたポリマーとして、特定の繰り返し単位を含む高分子化合物を見出し、この高分子化合物を架橋して得られる架橋型高分子化合物で、発光層の下層の正孔注入層または正孔輸送層を形成した有機電界発光素子を提案した(特許文献1)。   However, when forming a constituent layer of an organic electroluminescence device by a wet film-forming method, in particular, in order to form a light-emitting layer by a wet film-forming method, a film-forming composition for forming a light-emitting layer formed by dissolving the material of the light-emitting layer An underlayer that is resistant to the object, that is, does not dissolve in the film-forming composition for forming the light emitting layer, is required. In order to make the underlayer insoluble in the solvent of the composition for forming the light emitting layer, it is preferable to use a solvent-insoluble polymer material cured by a crosslinking reaction. As a polymer excellent in solvent solubility, a polymer compound containing a specific repeating unit is found, and a crosslinked polymer compound obtained by crosslinking this polymer compound. The organic electroluminescent element which formed the positive hole transport layer was proposed (patent document 1).

特許文献1に記載される架橋型高分子化合物によれば、湿式成膜法による有機電界発光素子の積層化が容易となり、良好な有機電界発光素子が得られるが、更なる性能の向上が望まれる。   According to the cross-linked polymer compound described in Patent Document 1, it is easy to stack organic electroluminescent elements by a wet film formation method, and a good organic electroluminescent element is obtained, but further improvement in performance is desired. It is.

特開2008−223012号公報JP 2008-2213012 A

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものである。
即ち、本発明は、有機電界発光素子の湿式成膜法で形成される有機層に有用な組成物であって、湿式成膜法により高効率、長寿命な有機電界発光素子を提供できる有機電界発光素子用組成物を提供することを課題とする。
本発明は、また、この有機電界発光素子用組成物を用いて、高効率、長寿命の有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を用いた有機ELディスプレイおよび有機EL照明を提供することを課題とする。
The present invention has been made in view of the above problems.
That is, the present invention is a composition useful for an organic layer formed by a wet film formation method of an organic electroluminescence device, and can provide an organic electroluminescence device having a high efficiency and a long life by the wet film formation method. It is an object to provide a composition for a light-emitting element.
The present invention also provides a high-efficiency, long-life organic electroluminescence device, and an organic EL display and organic EL illumination using the organic electroluminescence device, using the composition for organic electroluminescence device. Let it be an issue.

本発明者らが鋭意検討した結果、ポリマーを用いて、湿式成膜法で有機電界発光素子を作製する際に、ポリアリールアミン誘導体系ポリマーとともに所定量の遷移金属が存在すると、得られる有機電界発光素子の性能が著しく向上し、長寿命、高輝度かつ高効率な有機電界発光素子を提供できることを見出し、本発明に到達した。 As a result of intensive studies by the present inventors, when an organic electroluminescence device is produced by a wet film-forming method using a polymer, an organic electric field obtained when a predetermined amount of a transition metal is present together with a polyarylamine derivative-based polymer. The inventors have found that the performance of the light-emitting element is remarkably improved, and that an organic electroluminescent element having a long lifetime, high luminance and high efficiency can be provided, and the present invention has been achieved.

即ち、本発明(請求項1)の有機電界発光素子用組成物は、ポリアリールアミン誘導体系ポリマーと、該ポリマーに対して2001000ppmの遷移金属とを含有することを特徴とする。 That is, the composition for an organic electroluminescence device of the present invention (invention 1) is characterized by containing a polyarylamine derivative-based polymer and 200 to 1000 ppm of a transition metal with respect to the polymer.

請求項2の有機電界発光素子用組成物は、請求項1において、ポリアリールアミン誘導体系ポリマーが、電荷輸送性ポリマーであることを特徴とする。 The composition for an organic electroluminescent device according to claim 2 is characterized in that, in claim 1, the polyarylamine derivative-based polymer is a charge transporting polymer.

請求項3の有機電界発光素子用組成物は、請求項2において、ポリアリールアミン誘導体系ポリマーが、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体からなる正孔輸送性化合物であることを特徴とする。 The composition for an organic electroluminescent device according to claim 3 is characterized in that, in claim 2, the polyarylamine derivative-based polymer is a hole transporting compound comprising a polymer containing a repeating unit having a crosslinkable group. To do.

請求項4の有機電界発光素子用組成物は、請求項1ないし3のいずれか1項において、さらに溶剤を含有することを特徴とする。
請求項5の有機電界発光素子用組成物は、請求項1ないし4のいずれか1項において、遷移金属が、銅またはパラジウムであることを特徴とする。
A composition for an organic electroluminescent element according to a fourth aspect is characterized in that in any one of the first to third aspects, a solvent is further contained.
The composition for an organic electroluminescent element according to claim 5 is characterized in that in any one of claims 1 to 4, the transition metal is copper or palladium.

本発明(請求項)の有機電界発光素子は、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層が請求項1ないしのいずれか1項に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層であることを特徴とする。 The organic electroluminescent element of the present invention (Claim 6 ) is an organic electroluminescent element having an anode, a cathode, and an organic layer provided between both electrodes, and the organic layer is any one of Claims 1 to 5 . It is a layer formed using the composition for organic electroluminescent elements of 1 item | term.

本発明(請求項7)の有機電界発光素子は、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層として、ポリアールアミン誘導体系ポリマーと該ポリマーに対して200〜1000ppmの遷移金属とを含有する層を有することを特徴とする。 The organic electroluminescent device of the present invention (Claim 7), an anode, a cathode, and an organic electroluminescent device having an organic layer disposed between two electrodes, as the organic layer, and the polyamide re Ruamin derivative-based polymer It has a layer containing 200 to 1000 ppm of transition metal based on the polymer.

請求項の有機電界発光素子は、請求項またはにおいて、該有機層として、さらに発光層を有し、該発光層が湿式成膜法で形成された層であることを特徴とする。 The organic electroluminescent element of claim 8 is characterized in that, in claim 6 or 7 , the organic layer further has a light emitting layer, and the light emitting layer is a layer formed by a wet film forming method.

本発明(請求項)の有機ELディスプレイおよび本発明(請求項10)の有機EL照明は、この有機電界発光素子を有することを特徴とする。 The organic EL display of the present invention (invention 9 ) and the organic EL lighting of the present invention (invention 10 ) have the organic electroluminescence element.

本発明によれば、湿式成膜法に有用な有機電界発光素子用組成物を提供することができ、この有機電界発光素子用組成物を用いて、高効率、長寿命な有機電界発光素子を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the composition for organic electroluminescent elements useful for a wet film-forming method can be provided, and a highly efficient and long-life organic electroluminescent element is used using this composition for organic electroluminescent elements. Can be provided.

従って、本発明の湿式成膜用有機電界発光素子用組成物を用いた有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピューター用や壁掛けテレビ)、車載表示素子、携帯電話表示や、面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は高いものである。   Therefore, the organic electroluminescent device using the organic electroluminescent device composition for wet film formation of the present invention is a flat panel display (for example, for OA computer or wall-mounted television), an in-vehicle display device, a mobile phone display, and a surface emission. It can be applied to a light source (for example, a light source of a copying machine, a backlight light source of a liquid crystal display or an instrument), a display board, or a marker lamp utilizing its characteristics as a body, and its technical value is high.

本発明の有機電界発光素子の実施の形態を示す断面の模式図である。It is a schematic diagram of the cross section which shows embodiment of the organic electroluminescent element of this invention.

以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は本発明の実施態様の一例(代表例)であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。   Embodiments of the present invention will be described in detail below, but the description of the constituent elements described below is an example (representative example) of an embodiment of the present invention, and the present invention does not exceed the gist thereof. Not specific to the content.

[有機電界発光素子用組成物]
本発明の有機電界発光素子用組成物は、ポリマーと、該ポリマーに対して100〜2000ppmの遷移金属とを含有することを特徴とする。このポリマーは、電荷輸送性ポリマーであることが好ましく、この電荷輸送性ポリマーは正孔輸送性ポリマーであることがより好ましい。また、本発明の有機電界発光素子用組成物は更に溶剤を含むことが好ましい。
このような本発明の有機電界発光素子用組成物は、後述する有機電界発光素子の正孔注入層や正孔輸送層、特に正孔輸送層を形成するための湿式成膜用組成物として好適である。
[Composition for organic electroluminescence device]
The composition for organic electroluminescent elements of the present invention comprises a polymer and 100 to 2000 ppm of a transition metal based on the polymer. The polymer is preferably a charge transporting polymer, and the charge transporting polymer is more preferably a hole transporting polymer. Moreover, it is preferable that the composition for organic electroluminescent elements of this invention contains a solvent further.
Such a composition for an organic electroluminescence device of the present invention is suitable as a wet film-forming composition for forming a hole injection layer or a hole transport layer, particularly a hole transport layer, of an organic electroluminescence device described later. It is.

<遷移金属>
まず、本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される遷移金属の作用効果について説明する。
従来、有機電界発光素子に用いられる電荷輸送性材料は、蒸着法により成膜されるものが主流であり、純度の高い、不純物の少ない材料が理想的であるとされてきた。一方で、前述の如く、実用的には蒸着法よりも湿式成膜法により形成される方が大画面の発光素子を製造するにあたり有利であるため、湿式成膜法に適した材料が開発され始めたが、蒸着法により形成される膜が膜密度が高いのに対し、大気あるいは窒素存在下で湿式成膜法により形成される膜は低密度であることが知られている。しかして、このような低密度な膜の状態、すなわち、膜を構成する分子間に気体分子などが混入することにより、発光素子の性能が著しく低下することが問題となる。
<Transition metal>
First, the effect of the transition metal contained in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention will be described.
Conventionally, the charge transporting material used for the organic electroluminescence device is mainly formed by a vapor deposition method, and a material with high purity and few impurities has been considered ideal. On the other hand, as described above, practically, it is more advantageous to produce a light emitting device with a large screen by using a wet film formation method than a vapor deposition method, and therefore, a material suitable for the wet film formation method has been developed. Although it was started, it is known that a film formed by a vapor deposition method has a high film density, whereas a film formed by a wet film formation method in the presence of air or nitrogen has a low density. Thus, there is a problem that the performance of the light-emitting element is significantly deteriorated due to the state of such a low-density film, that is, gas molecules or the like are mixed between molecules constituting the film.

ポリマーに対して所定量の遷移金属を含む本発明の有機電界発光素子用組成物を用いることによる素子性能の向上効果の作用機構の詳細はさだかではないが、湿式成膜法により、低密度で、すなわち、分子間の相互作用が非常に弱く距離の離れた状態であり、種々の気体分子を取り込んだ形で形成される膜を、遷移金属が改質することにより、発光素子の性能を向上させているものと思われる。すなわち、遷移金属が原子あるいは錯体の状態で膜中に存在することにより、ポリマー鎖間の相互作用を部分的に強め、安定なセグメントを形成するものと推定され、そのようなセグメントの存在が通電に対する素子の耐久性を増強する要因になっているものと推測される。   Although the details of the mechanism of the effect of improving the device performance by using the composition for organic electroluminescence device of the present invention containing a predetermined amount of transition metal with respect to the polymer are not yet clear, the wet film formation method reduces the density. In other words, the interaction between molecules is very weak and the distance is long, and the transition metal improves the performance of the light emitting device by modifying the film formed by incorporating various gas molecules. It seems to be letting it. In other words, it is presumed that the presence of transition metals in the film in the form of atoms or complexes partially strengthens the interaction between the polymer chains and forms stable segments. It is presumed that this is a factor for enhancing the durability of the element against the above.

本発明において、遷移金属はどのような形で有機電界発光素子用組成物に添加してもよい。例えば、別途製造したポリマーを溶剤に溶解し、ここへ遷移金属や遷移金属含有化合物を加えて濃縮してもよいし、ポリマー製造時に遷移金属や遷移金属含有化合物を加え、製造されたポリマーの精製時に遷移金属含有量を好ましい量に調整してもよい。   In the present invention, the transition metal may be added to the organic electroluminescent element composition in any form. For example, a separately produced polymer may be dissolved in a solvent, and a transition metal or a transition metal-containing compound may be added and concentrated therein, or a transition metal or a transition metal-containing compound may be added at the time of polymer production to purify the produced polymer. Sometimes the transition metal content may be adjusted to a preferred amount.

用いられる遷移金属または遷移金属含有化合物としては、例えばCu、Fe、Co、Ni、Cr、V、Pd、Pt、Ag等の金属およびそれらの化合物が挙げられるが、安全性、コストの面で、銅およびパラジウムとそれらの化合物が好ましい。   Examples of the transition metal or the transition metal-containing compound used include metals such as Cu, Fe, Co, Ni, Cr, V, Pd, Pt, and Ag, and compounds thereof. In terms of safety and cost, Copper and palladium and their compounds are preferred.

銅化合物としては特に限定はなく、ほとんどの銅化合物が用いられるが、ヨウ化第一銅、塩化第一銅、酸化第一銅、臭化第一銅、シアン化第一銅、硫酸第一銅、硫酸第二銅、塩化第二銅、水酸化第二銅、酸化第二銅、臭化第二銅、リン酸第二銅、硝酸第一銅、硝酸第二銅、炭酸銅、酢酸第一銅、酢酸第二銅などが好ましい。その中でも特にCuCl、CuCl、CuBr、CuBr、CuI、CuO、CuO、CuSO、Cu(OCOCHは容易に入手可能である点で好適である。 The copper compound is not particularly limited, and most copper compounds are used, but cuprous iodide, cuprous chloride, cuprous oxide, cuprous bromide, cuprous cyanide, cuprous sulfate , Cupric sulfate, cupric chloride, cupric hydroxide, cupric oxide, cupric bromide, cupric phosphate, cuprous nitrate, cupric nitrate, copper carbonate, first acetic acid Copper, cupric acetate and the like are preferable. Among these, CuCl, CuCl 2 , CuBr, CuBr 2 , CuI, CuO, Cu 2 O, CuSO 4 , and Cu (OCOCH 3 ) 2 are particularly preferable because they are easily available.

パラジウム化合物としても、ハロゲン化物、硫酸塩、硝酸塩、有機酸塩などを用いることができる。パラジウム化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、ヘキサクロロパラジウム(IV)酸ナトリウム四水和物、ヘキサクロロパラジウム(IV)酸カリウム等の4価のパラジウム化合物;塩化パラジウム(II)、臭化パラジウム(II)、酢酸パラジウム(II)、パラジウムアセチルアセトナート(II)、ジクロロビス(ベンゾニトリル)パラジウム(II)、ジクロロビス(アセトニトリル)パラジウム(II)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロテトラアンミンパラジウム(II)、ジクロロ(シクロオクタ−1,5−ジエン)パラジウム(II)、パラジウムトリフルオロアセテート(II)等の2価パラジウム化合物;トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウム(0)、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウムクロロホルム錯体(0)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)等の0価パラジウム化合物を挙げることができる。   As the palladium compound, halides, sulfates, nitrates, organic acid salts and the like can be used. The palladium compound is not particularly limited, and examples thereof include tetravalent palladium compounds such as sodium hexachloropalladium (IV) tetrahydrate and potassium hexachloropalladium (IV); palladium (II) chloride, bromide Palladium (II), palladium acetate (II), palladium acetylacetonate (II), dichlorobis (benzonitrile) palladium (II), dichlorobis (acetonitrile) palladium (II), dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (II), dichloro Divalent palladium compounds such as tetraamminepalladium (II), dichloro (cycloocta-1,5-diene) palladium (II), palladium trifluoroacetate (II); tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0), tris (di Benzylideneace Emissions) dipalladium chloroform complex (0), it may be mentioned tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) 0-valent palladium compounds such as.

これらの遷移金属や遷移金属含有化合物は1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   These transition metals and transition metal-containing compounds may be used alone or in combination of two or more.

有機電界発光素子用組成物中の遷移金属含有量は、有機電界発光素子用組成物中のポリマーに対して、100ppm以上 好ましくは150ppm以上、さらに好ましくは200ppm以上で、2000ppm以下、好ましくは1500ppm以下、さらに好ましくは1000ppm以下である。遷移金属含有量が少な過ぎると遷移金属を含有させることによる上記効果が有効に発現されず、多過ぎると湿式成膜時に異物の発生などの問題を引き起こす可能性がある。   The transition metal content in the composition for organic electroluminescent elements is 100 ppm or more, preferably 150 ppm or more, more preferably 200 ppm or more, and 2000 ppm or less, preferably 1500 ppm or less, with respect to the polymer in the composition for organic electroluminescence elements. More preferably, it is 1000 ppm or less. If the transition metal content is too small, the above-described effects due to the inclusion of the transition metal are not effectively expressed. If the transition metal content is too large, there is a possibility that problems such as the generation of foreign substances may occur during wet film formation.

なお、ここで、遷移金属含有量とは、有機電界発光素子用組成物中に含まれる全ポリマー重量に対する全遷移金属の含有量であり、遷移金属含有化合物を用いた場合は、そのうちの遷移金属換算量で表される。   Here, the transition metal content is the content of the total transition metal with respect to the total polymer weight contained in the composition for organic electroluminescent elements, and when a transition metal-containing compound is used, the transition metal is included. Expressed in conversion amount.

なお、有機電界発光素子用組成物、或いは、有機層(ポリマー層)中の遷移金属含有量は、マイクロ波湿式分解法を用いてICP/MS測定により測定することができる。   The transition metal content in the organic electroluminescent element composition or the organic layer (polymer layer) can be measured by ICP / MS measurement using a microwave wet decomposition method.

<ポリマー>
本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれるポリマーは、前述の如く、電荷輸送性ポリマーであることが好ましく、中でも正孔輸送性ポリマーであることが好ましい。
特に正孔輸送性ポリマーとしては、後述の正孔注入層や正孔輸送層に用いられる正孔輸送性化合物として例示したポリマー(重合体)が好ましく、中でも架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体(架橋性重合体)が好ましい。
<Polymer>
As described above, the polymer contained in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is preferably a charge transporting polymer, and more preferably a hole transporting polymer.
In particular, the hole transporting polymer is preferably a polymer (polymer) exemplified as a hole transporting compound used in a hole injection layer or a hole transporting layer, which will be described later, and among them, a polymer containing a repeating unit having a crosslinkable group. A coalescence (crosslinkable polymer) is preferred.

本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれるポリマーは、重量平均分子量が10000以上であることが好ましく、15000以上であることがより好ましく、2000000以下であることが好ましく、1000000以下であることがより好ましい。また、数平均分子量が、3000以上であることが好ましく、6000以上であることがより好ましく、1000000以下であることが好ましく、500000以下であることがより好ましい。   The polymer contained in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention preferably has a weight average molecular weight of 10,000 or more, more preferably 15,000 or more, preferably 2000000 or less, and 1000000 or less. Is more preferable. The number average molecular weight is preferably 3000 or more, more preferably 6000 or more, preferably 1000000 or less, and more preferably 500000 or less.

本発明の有機電界発光素子用組成物には、これらポリマーが1種のみ含まれていてもよいし、2種以上が含まれていてもよい。2種以上が含まれる場合には、その合計量に対して、遷移金属が100〜2000ppmとなるように調整する。   Only 1 type of these polymers may be contained in the composition for organic electroluminescent elements of this invention, and 2 or more types may be contained. When 2 or more types are contained, it adjusts so that a transition metal may be 100-2000 ppm with respect to the total amount.

<溶剤>
本発明の有機電界発光素子用組成物は溶剤を含むことが好ましい。
本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる溶剤としては、有機電界発光素子用組成物中に含まれるポリマーや遷移金属含有化合物等の溶質が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されず、例えば、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル;シクロヘキサノン、シクロオクタノン等の脂環を有するケトン;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン;メチルエチルケトン、シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環を有するアルコール;ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル等が利用できる。これらのうち、水の溶解度が低い点、容易には変質しない点で、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素が好ましい。
<Solvent>
It is preferable that the composition for organic electroluminescent elements of the present invention contains a solvent.
The solvent contained in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is not particularly limited as long as it is a solvent that dissolves solutes such as polymers and transition metal-containing compounds contained in the composition for organic electroluminescent elements satisfactorily. For example, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene, tetralin; halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene, trichlorobenzene; 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, Aromatic ethers such as anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole; phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, benzoate Ethyl acetate, propyl benzoate, benzoic acid n Aromatic esters such as butyl; ketones having alicyclic rings such as cyclohexanone and cyclooctanone; aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; alcohols having alicyclic rings such as methyl ethyl ketone, cyclohexanol and cyclooctanol; butanol, hexanol and the like Aliphatic alcohols; aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); aliphatics such as ethyl acetate, n-butyl acetate, ethyl lactate, and n-butyl lactate Esters can be used. Of these, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene, tetralin and the like are preferable in that they have low water solubility and are not easily altered.

有機電界発光素子には、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、組成物中の水分の存在は、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。   Since organic electroluminescent devices use many materials such as cathodes that deteriorate significantly due to moisture, the presence of moisture in the composition causes moisture to remain in the dried film, degrading the device characteristics. The possibility is considered and it is not preferable.

組成物中の水分量を低減する方法としては、例えば、蒸留や乾燥剤の使用などにより溶剤を予め脱水する、窒素ガスシール、水の溶解度が低い溶剤を使用する等が挙げられる。なかでも、水の溶解度が低い溶剤を使用する場合は、湿式成膜工程中に、溶液膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。この様な観点からは、本実施の形態が適用される有機電界発光素子用組成物は、例えば、25℃における水の溶解度が1重量%以下、好ましくは0.1重量%以下である溶剤を、組成物中10重量%以上含有することが好ましい。   Examples of the method for reducing the amount of water in the composition include dehydration of the solvent in advance by distillation or use of a desiccant, nitrogen gas sealing, use of a solvent with low water solubility, and the like. In particular, it is preferable to use a solvent having low water solubility because the solution film can prevent whitening by absorbing moisture in the atmosphere during the wet film forming process. From such a viewpoint, the composition for organic electroluminescent elements to which the present embodiment is applied includes, for example, a solvent having a water solubility at 25 ° C. of 1% by weight or less, preferably 0.1% by weight or less. It is preferable to contain 10% by weight or more in the composition.

また、湿式成膜時における組成物からの溶剤蒸発による、成膜安定性の低下を低減するためには、有機電界発光素子用組成物の溶剤として、沸点が100℃以上、好ましくは沸点が150℃以上、より好ましくは沸点が200℃以上の溶剤を用いることが効果的である。また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが必要で、このためには通常沸点80℃以上、好ましくは沸点100℃以上、より好ましくは沸点120℃以上で、通常沸点270℃未満、好ましくは沸点250℃未満、より好ましくは沸点230℃未満の溶剤を用いることが有効である。   Further, in order to reduce a decrease in film formation stability due to evaporation of the solvent from the composition during wet film formation, the solvent of the composition for organic electroluminescent elements has a boiling point of 100 ° C. or higher, preferably a boiling point of 150. It is effective to use a solvent having a boiling point of 200 ° C. or higher, more preferably 200 ° C. or higher. In order to obtain a more uniform film, it is necessary for the solvent to evaporate from the liquid film immediately after the film formation at an appropriate rate. For this purpose, the boiling point is usually 80 ° C. or higher, preferably the boiling point is 100 ° C. or higher. It is effective to use a solvent having a boiling point of 120 ° C. or more, usually less than 270 ° C., preferably less than 250 ° C., more preferably less than 230 ° C.

上述の条件、即ち溶質の溶解性、蒸発速度、水の溶解度の条件を満足する溶剤を単独で用いてもよいが、すべての条件を満たす溶剤が選定できない場合は、2種類以上の溶剤を混合して用いることもできる。   A solvent that satisfies the above-mentioned conditions, ie, solute solubility, evaporation rate, and water solubility conditions, may be used alone. However, if a solvent that satisfies all the conditions cannot be selected, two or more solvents may be mixed. It can also be used.

<その他の成分>
本発明の有機電界発光素子用組成物中には、前述した溶剤およびポリマー、遷移金属以外にも、必要に応じて、各種の他の溶剤を含んでいてもよい。このような他の溶剤としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。
また、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
<Other ingredients>
In the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, various other solvents may be contained as necessary in addition to the above-mentioned solvent, polymer and transition metal. Examples of such other solvents include amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide, and dimethyl sulfoxide.
Moreover, various additives, such as a leveling agent and an antifoamer, may be included.

また、2層以上の層を湿式成膜法により積層する際に、これらの層が相溶することを防ぐため、成膜後に硬化させて不溶化させる目的で光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を含有させておくこともできる。   In addition, when two or more layers are laminated by a wet film formation method, in order to prevent these layers from being compatible with each other, a photocurable resin or a thermosetting resin is used for the purpose of curing and insolubilizing after film formation. Can also be contained.

<有機電界発光素子用組成物中の材料濃度>
本発明の有機電界発光素子用組成物中のポリマー、遷移金属、および必要に応じて添加可能な成分(レベリング剤など)などの固形分濃度は、通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、最も好ましくは1重量%以上であり、通常80重量%以下、好ましくは50重量%以下、より好ましくは40重量%以下、さらに好ましくは30重量%以下、最も好ましくは20重量%以下である。この濃度が下限を下回ると、薄膜を形成する場合、厚膜を形成するのが困難となり、上限を超えると、薄膜を形成するのが困難となる。
<Concentration of material in composition for organic electroluminescence device>
The solid content concentration of the polymer, transition metal, and components (leveling agents, etc.) that can be added as necessary in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.8%. 05% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, further preferably 0.5% by weight or more, most preferably 1% by weight or more, usually 80% by weight or less, preferably 50% by weight or less, more preferably Is 40% by weight or less, more preferably 30% by weight or less, and most preferably 20% by weight or less. When this concentration is below the lower limit, it is difficult to form a thick film when forming a thin film, and when it exceeds the upper limit, it is difficult to form a thin film.

<有機電界発光素子用組成物の調製方法>
本発明の有機電界発光素子用組成物は、ポリマーや遷移金属等の溶質を、適当な溶剤に溶解させることにより調製される。溶解工程に要する時間を短縮するため、および組成物中の溶質濃度を均一に保つため、通常、液を撹拌しながら溶質を溶解させる。溶解工程は常温で行ってもよいが、溶解速度が遅い場合は加熱して溶解させることもできる。溶解工程終了後、必要に応じて、フィルタリング等の濾過工程を経由してもよい。
<Method for Preparing Composition for Organic Electroluminescent Device>
The composition for organic electroluminescent elements of the present invention is prepared by dissolving solutes such as polymers and transition metals in a suitable solvent. In order to shorten the time required for the dissolution step and to keep the solute concentration in the composition uniform, the solute is usually dissolved while stirring the liquid. The dissolution step may be performed at room temperature, but when the dissolution rate is slow, it can be heated and dissolved. After completion of the dissolution step, a filtration step such as filtering may be performed as necessary.

[有機電界発光素子]
本発明の有機電界発光素子は、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層として上述の本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層を有すること、または、陽極と陰極との間に設けられた有機層として、ポリマーと該ポリマーに対して100〜2000ppmの遷移金属とを含有する層(以下、「遷移金属含有層」と称す場合がある。)を有することを特徴とする。
[Organic electroluminescence device]
The organic electroluminescent element of the present invention is an organic electroluminescent element having an anode, a cathode, and an organic layer provided between both electrodes, and the organic electroluminescent element composition of the present invention is used as the organic layer. Or a layer containing 100 to 2000 ppm of transition metal with respect to the polymer (hereinafter referred to as “transition metal”) as an organic layer provided between the anode and the cathode. It may be referred to as a “containing layer”).

該有機層としては、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層などが挙げられ、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成される層や遷移金属含有層は、いずれの層に用いてもよいが、その上に、発光層が形成される層、即ち、正孔注入層か正孔輸送層が好ましく、特に正孔輸送層であることが好ましい。また、この場合、発光層は湿式成膜法で形成されることが好ましい。   Examples of the organic layer include a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, and the like. A layer formed using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, The transition metal-containing layer may be used in any layer, but a layer on which a light emitting layer is formed, that is, a hole injection layer or a hole transport layer is preferable, and in particular, a hole transport layer. Is preferred. In this case, the light emitting layer is preferably formed by a wet film formation method.

尚、本発明において湿式成膜法とは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。これらの成膜方法の中でも、有機電界発光素子に用いられる本発明の有機電界発光素子用組成物特有の液性に合うため、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法が好ましい。   In the present invention, the wet film forming method includes, for example, spin coating method, dip coating method, die coating method, bar coating method, blade coating method, roll coating method, spray coating method, capillary coating method, ink jet method, screen printing. This method is a wet film formation method such as a method, a gravure printing method, or a flexographic printing method. Among these film forming methods, a spin coating method, a spray coating method, and an ink jet method are preferable because they are suitable for the liquid property specific to the composition for organic electroluminescence devices of the present invention used for organic electroluminescence devices.

以下に、本発明の有機電界発光素子の層構成およびその一般的形成方法等について、図1を参照にして説明する。   Below, the layer structure of the organic electroluminescent element of this invention, its general formation method, etc. are demonstrated with reference to FIG.

図1は本発明の有機電界発光素子10の構造例を示す断面の模式図であり、図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、6は正孔阻止層、7は電子輸送層、8は電子注入層、9は陰極を各々表す。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a structural example of an organic electroluminescent element 10 of the present invention. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, 4 is a hole transport layer, 5 Represents a light-emitting layer, 6 represents a hole blocking layer, 7 represents an electron transport layer, 8 represents an electron injection layer, and 9 represents a cathode.

{基板}
基板1は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
{substrate}
The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element, and a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film, a sheet, or the like is used. In particular, a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, polysulfone or the like is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.

{陽極}
陽極2は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
{anode}
The anode 2 serves to inject holes into the layer on the light emitting layer side.

この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび/またはスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。   This anode 2 is usually a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or It is composed of a conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, or polyaniline.

陽極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極2を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより陽極2を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。   In general, the anode 2 is often formed by a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like. In addition, when forming the anode 2 using fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, and conductive polymer fine powder, an appropriate binder resin solution It is also possible to form the anode 2 by dispersing it and applying it onto the substrate 1. Furthermore, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the anode 2 can be formed by applying a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys. Lett. 60, 2711, 1992).

陽極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。   The anode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.

陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが好ましい。この場合、陽極2の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は陽極2の厚みは任意であり、陽極2は基板1と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。   The thickness of the anode 2 varies depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode 2 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. When it may be opaque, the thickness of the anode 2 is arbitrary, and the anode 2 may be the same as the substrate 1. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2 described above.

陽極2に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極2表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。   For the purpose of removing impurities adhering to the anode 2 and adjusting the ionization potential to improve the hole injection property, the surface of the anode 2 is treated with ultraviolet (UV) / ozone, or with oxygen plasma or argon plasma. It is preferable to do.

{正孔注入層}
正孔注入層3は、陽極2から発光層5へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極2上に形成される。
{Hole injection layer}
The hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the light emitting layer 5, and is usually formed on the anode 2.

本発明に係る正孔注入層3の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層3を湿式成膜法により形成することが好ましい。   The method for forming the hole injection layer 3 according to the present invention may be a vacuum deposition method or a wet film formation method, and is not particularly limited, but the hole injection layer 3 is formed by a wet film formation method from the viewpoint of reducing dark spots. It is preferable.

正孔注入層3の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。   The thickness of the hole injection layer 3 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

<湿式成膜法による正孔注入層の形成>
湿式成膜により正孔注入層3を形成する場合、通常は、正孔注入層3を構成する材料を適切な溶剤(正孔注入層用溶剤)と混合して成膜用の組成物(正孔注入層形成用組成物)を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層3の下層に該当する層(通常は、陽極)上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層3を形成する。この正孔注入層形成用組成物は、所定量の遷移金属を含有する本発明の有機電界発光素子用組成物であってもよい。特に、有機電界発光素子が正孔輸送層を有さず、正孔注入層上に発光層が直接形成される場合は、正孔注入層形成用組成物は本発明の有機電界発光素子用組成物であることが好ましい。
<Formation of hole injection layer by wet film formation method>
When forming the hole injection layer 3 by wet film formation, the material for forming the hole injection layer 3 is usually mixed with an appropriate solvent (hole injection layer solvent) to form a film-forming composition (positive A composition for forming a hole injection layer), and applying the composition for forming a hole injection layer on a layer (usually an anode) corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 by an appropriate technique. The hole injection layer 3 is formed by coating and drying. The composition for forming a hole injection layer may be the composition for an organic electroluminescence device of the present invention containing a predetermined amount of a transition metal. In particular, when the organic electroluminescent device does not have a hole transport layer and the light emitting layer is directly formed on the hole injection layer, the composition for forming a hole injection layer is the composition for an organic electroluminescent device of the present invention. It is preferable that it is a thing.

(正孔輸送性化合物)
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物および溶剤を含有する。
(Hole transporting compound)
The composition for forming a hole injection layer usually contains a hole transporting compound and a solvent as constituent materials of the hole injection layer.

正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。   The hole transporting compound is a compound having a hole transporting property that is usually used in a hole injection layer of an organic electroluminescence device, and may be a polymer compound or the like, a monomer or the like. Although it may be a low molecular weight compound, it is preferably a high molecular weight compound.

正孔輸送性化合物としては、陽極2から正孔注入層3への電荷注入障壁の観点から4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で3級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。   The hole transporting compound is preferably a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV from the viewpoint of a charge injection barrier from the anode 2 to the hole injection layer 3. Examples of hole transporting compounds include aromatic amine derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene derivatives, polythiophene derivatives, benzylphenyl derivatives, compounds in which tertiary amines are linked by a fluorene group, hydrazone derivatives, silazane derivatives, silanamines Derivatives, phosphamine derivatives, quinacridone derivatives, polyaniline derivatives, polypyrrole derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polythienylene vinylene derivatives, polyquinoline derivatives, polyquinoxaline derivatives, carbon and the like.

尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのものおよび芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。   In the present invention, a derivative includes, for example, an aromatic amine derivative and includes an aromatic amine itself and a compound having an aromatic amine as a main skeleton. It may be a mer.

正孔注入層3の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。2種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物1種または2種以上と、その他の正孔輸送性化合物1種または2種以上とを併用することが好ましい。   The hole transporting compound used as the material for the hole injection layer 3 may contain any one of these compounds alone, or may contain two or more. When two or more hole transporting compounds are contained, the combination thereof is arbitrary, but one or more aromatic tertiary amine polymer compounds and one or two other hole transporting compounds are used. It is preferable to use the above in combination.

上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。   Among the above examples, an aromatic amine compound is preferable from the viewpoint of amorphousness and visible light transmittance, and an aromatic tertiary amine compound is particularly preferable. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.

芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型化合物)がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式(I)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。   The type of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but from the viewpoint of uniform light emission due to the surface smoothing effect, a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (a polymerizable compound in which repeating units are linked) is further included. preferable. Preferable examples of the aromatic tertiary amine polymer compound include a polymer compound having a repeating unit represented by the following formula (I).

Figure 0005182133
Figure 0005182133

(式(I)中、ArおよびArは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ar〜Arは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Yは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ar〜Arのうち、同一のN原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。

Figure 0005182133
(上記各式中、Ar〜Ar16は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。RおよびRは、それぞれ独立して、水素原子または任意の置換基を表す。)) (In Formula (I), Ar 1 and Ar 2 each independently represent an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. .Ar 3 to Ar 5 represent each independently, an aromatic optionally substituted hydrocarbon group or optionally substituted aromatic heterocyclic group .Y is the following Represents a linking group selected from the group of linking groups, and among Ar 1 to Ar 5 , two groups bonded to the same N atom may be bonded to each other to form a ring.
Figure 0005182133
(In said each formula, Ar < 6 > -Ar < 16 > represents each independently the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or the aromatic heterocyclic group which may have a substituent. R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent.))

Ar〜Ar16の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。 As the aromatic hydrocarbon group and the aromatic heterocyclic group of Ar 1 to Ar 16 , a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, a thiophene from the viewpoint of the solubility, heat resistance, hole injection / transport property of the polymer compound A group derived from a ring or a pyridine ring is preferred, and a group derived from a benzene ring or a naphthalene ring is more preferred.

Ar〜Ar16の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常400以下、中でも250以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。 The aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group of Ar 1 to Ar 16 may further have a substituent. The molecular weight of the substituent is usually 400 or less, preferably about 250 or less. As the substituent, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group and the like are preferable.

およびRが任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。 When R 1 and R 2 are optional substituents, examples of the substituent include an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, a silyl group, a siloxy group, an aromatic hydrocarbon group, and an aromatic heterocyclic group. .

式(I)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第2005/089024号パンフレットに記載のものが挙げられる。   Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the formula (I) include those described in International Publication No. 2005/089024.

また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である3,4-ethylenedioxythiophene(3,4−エチレンジオキシチオフェン)を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー(PEDOT/PSS)もまた好ましい。また、このポリマーの末端をメタクリレート等でキャップしたものであってもよい。   In addition, as a hole transporting compound, a conductive polymer (PEDOT / PSS) obtained by polymerizing 3,4-ethylenedioxythiophene (3,4-ethylenedioxythiophene), a polythiophene derivative, in high molecular weight polystyrene sulfonic acid. Is also preferred. Moreover, the end of this polymer may be capped with methacrylate or the like.

正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常0.01重量%以上、好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、また、通常70重量%以下、好ましくは60重量%以下、さらに好ましくは50重量%以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。   The concentration of the hole transporting compound in the composition for forming a hole injection layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.01% by weight or more, preferably in terms of film thickness uniformity. Is 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, and usually 70% by weight or less, preferably 60% by weight or less, more preferably 50% by weight or less. If this concentration is too high, film thickness unevenness may occur, and if it is too low, defects may occur in the formed hole injection layer.

(電子受容性化合物)
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
(Electron-accepting compound)
The composition for forming a hole injection layer preferably contains an electron accepting compound as a constituent material of the hole injection layer.

電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。   The electron-accepting compound is preferably a compound having an oxidizing power and the ability to accept one electron from the above-described hole transporting compound, specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and 5 eV or more. The compound which is the compound of these is further more preferable.

このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる1種または2種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンダフルオロフェニル)ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩(国際公開2005/089024号パンフレット);塩化鉄(III)(特開平11−251067号公報)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物;テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンダフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物;フラーレン誘導体;ヨウ素;ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。   Examples of such electron-accepting compounds include triarylboron compounds, metal halides, Lewis acids, organic acids, onium salts, salts of arylamines and metal halides, and salts of arylamines and Lewis acids. Examples thereof include one or more compounds selected from the group. More specifically, an onium salt substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate and triphenylsulfonium tetrafluoroborate (International Publication No. WO 2005/089024); High valent inorganic compounds such as iron (III) chloride (Japanese Patent Laid-Open No. 11-251067), ammonium peroxodisulfate; cyano compounds such as tetracyanoethylene, tris (pendafluorophenyl) borane (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31365) Aromatic boron compounds such as); fullerene derivatives; iodine; sulfonate ions such as polystyrene sulfonate ions, alkylbenzene sulfonate ions, camphor sulfonate ions, and the like.

これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。   These electron accepting compounds can improve the conductivity of the hole injection layer by oxidizing the hole transporting compound.

正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常0.1モル%以上、好ましくは1モル%以上である。但し、通常100モル%以下、好ましくは40モル%以下である。   The content of the electron-accepting compound in the hole-injecting layer or the composition for forming a hole-injecting layer with respect to the hole-transporting compound is usually 0.1 mol% or more, preferably 1 mol% or more. However, it is usually 100 mol% or less, preferably 40 mol% or less.

(その他の構成材料)
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
(Other components)
As a material for the hole injection layer, other components may be further contained in addition to the above-described hole transporting compound and electron accepting compound as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. Examples of other components include various light emitting materials, electron transporting compounds, binder resins, and coating property improving agents. In addition, only 1 type may be used for another component and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

(溶剤)
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも1種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常110℃以上、好ましくは140℃以上、中でも200℃以上、通常400℃以下、中でも300℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があし、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。
(solvent)
At least one of the solvents of the composition for forming a hole injection layer used in the wet film formation method is preferably a compound that can dissolve the constituent material of the hole injection layer. The boiling point of this solvent is usually 110 ° C. or higher, preferably 140 ° C. or higher, particularly 200 ° C. or higher, usually 400 ° C. or lower, and preferably 300 ° C. or lower. If the boiling point of the solvent is too low, the drying speed is too high and the film quality may be deteriorated. Further, if the boiling point of the solvent is too high, it is necessary to increase the temperature of the drying step, which may adversely affect other layers and the substrate.

溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。   Examples of the solvent include ether solvents, ester solvents, aromatic hydrocarbon solvents, amide solvents, and the like.

エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。   Examples of ether solvents include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole , Phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, aromatic ethers such as 2,4-dimethylanisole, and the like.

エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。   Examples of the ester solvent include aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate.

芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、3−イロプロピルビフェニル、1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、1,4−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。   Examples of the aromatic hydrocarbon solvent include toluene, xylene, cyclohexylbenzene, 3-isopropylpropylphenyl, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4-diisopropylbenzene, cyclohexylbenzene, and methylnaphthalene. Can be mentioned.

アミド系溶剤としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。   Examples of the amide solvent include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, and the like.

その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。   In addition, dimethyl sulfoxide and the like can also be used.

これらの溶剤は1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。   These solvent may use only 1 type and may use 2 or more types by arbitrary combinations and a ratio.

(成膜方法)
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層3の下層に該当する層(通常は、陽極2)上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層3を形成する。
(Film formation method)
After preparing the composition for forming the hole injection layer, the composition is applied on the layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 (usually the anode 2) by wet film formation, and dried. The hole injection layer 3 is formed.

成膜工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、10℃以上が好ましく、50℃以下が好ましくい。   The temperature in the film forming step is preferably 10 ° C. or higher, and preferably 50 ° C. or lower, in order to prevent film loss due to the formation of crystals in the composition.

成膜工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.01ppm以上、通常80%以下である。   Although the relative humidity in a film-forming process is not limited unless the effect of this invention is impaired remarkably, it is 0.01 ppm or more normally and 80% or less normally.

成膜後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブンおよびホットプレートが好ましい。   After the film formation, the film of the composition for forming a hole injection layer is usually dried by heating. Examples of the heating means used in the heating step include a clean oven, a hot plate, infrared rays, a halogen heater, microwave irradiation and the like. Among them, a clean oven and a hot plate are preferable in order to uniformly apply heat to the entire film.

加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が2種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも1種類がその溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは120℃以上、好ましくは410℃以下で加熱することが好ましい。   The heating temperature in the heating step is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent used in the composition for forming a hole injection layer as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. In the case of a mixed solvent containing two or more types of solvents used in the hole injection layer, at least one type is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent. In consideration of an increase in the boiling point of the solvent, the heating step is preferably performed at 120 ° C. or higher, preferably 410 ° C. or lower.

加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは10秒以上、通常180分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は2回に分けて行ってもよい。   In the heating step, the heating time is not limited as long as the heating temperature is not lower than the boiling point of the solvent of the composition for forming a hole injection layer and sufficient insolubilization of the coating film does not occur. Is less than a minute. If the heating time is too long, the components of the other layers tend to diffuse, and if it is too short, the hole injection layer tends to be inhomogeneous. Heating may be performed in two steps.

<真空蒸着法による正孔注入層の形成>
真空蒸着により正孔注入層3を形成する場合には、正孔注入層3の構成材料(前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等)の1種または2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度まで排気した後、るつぼを加熱して(2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して)、蒸発量を制御して蒸発させ(2種以上の材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極2上に正孔注入層3を形成させる。なお、2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層3を形成することもできる。
<Formation of hole injection layer by vacuum deposition>
When the hole injection layer 3 is formed by vacuum deposition, one or more of the constituent materials of the hole injection layer 3 (the aforementioned hole transporting compound, electron accepting compound, etc.) are placed in a vacuum container. Put in crucibles installed (in case of using two or more materials, put them in each crucible), evacuate the inside of the vacuum vessel to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump, and then heat the crucible (two types When using the above materials, heat each crucible) and evaporate by controlling the amount of evaporation (when using two or more materials, evaporate by independently controlling the amount of evaporation) and face the crucible Then, the hole injection layer 3 is formed on the anode 2 of the substrate placed on the substrate. In addition, when using 2 or more types of materials, the hole injection layer 3 can also be formed by putting those mixtures into a crucible, heating and evaporating.

蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.1×10−6Torr(0.13×10−4Pa)以上、通常9.0×10−6Torr(12.0×10−4Pa)以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.1Å/秒以上、通常5.0Å/秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは10℃以上で、好ましくは50℃以下で行われる。 The degree of vacuum at the time of vapor deposition is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.1 × 10 −6 Torr (0.13 × 10 −4 Pa) or more, usually 9.0 × 10 −6 Torr. (12.0 × 10 −4 Pa) or less. The deposition rate is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.1 Å / second or more and usually 5.0 Å / second or less. The film forming temperature at the time of vapor deposition is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is preferably 10 ° C. or higher, preferably 50 ° C. or lower.

{正孔輸送層}
正孔輸送層4は、正孔注入層がある場合には正孔注入層3の上に、正孔注入層3が無い場合には陽極2の上に形成することができる。また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層を省いた構成であってもよい。
{Hole transport layer}
The hole transport layer 4 can be formed on the hole injection layer 3 when there is a hole injection layer and on the anode 2 when there is no hole injection layer 3. The organic electroluminescent device of the present invention may have a configuration in which the hole transport layer is omitted.

本発明に係る正孔輸送層4の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層4を湿式成膜法により形成することが好ましい。   The method for forming the hole transport layer 4 according to the present invention may be a vacuum deposition method or a wet film formation method, and is not particularly limited, but the hole transport layer 4 is formed by a wet film formation method from the viewpoint of reducing dark spots. It is preferable.

正孔輸送層4を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層5に接するため、発光層5からの発光を消光したり、発光層5との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。   The material for forming the hole transport layer 4 is preferably a material having high hole transportability and capable of efficiently transporting injected holes. Therefore, it is preferable that the ionization potential is small, the transparency to visible light is high, the hole mobility is large, the stability is high, and impurities that become traps are not easily generated during manufacturing or use. In many cases, it is preferable not to quench the light emitted from the light emitting layer 5 or to form an exciplex with the light emitting layer 5 to reduce the efficiency because it is in contact with the light emitting layer 5.

このような正孔輸送層4の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層3に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などの正孔輸送性化合物が挙げられる。   Such a material for the hole transport layer 4 may be any material conventionally used as a constituent material for the hole transport layer. For example, the hole transport property used for the hole injection layer 3 described above. What was illustrated as a compound is mentioned. In addition, arylamine derivatives, fluorene derivatives, spiro derivatives, carbazole derivatives, pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, silole derivatives, oligothiophene derivatives, condensed polycyclic aromatics Hole transportable compounds such as group derivatives and metal complexes.

また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)誘導体等の正孔輸送性化合物が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体またはグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が3つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
In addition, for example, polyvinylcarbazole derivatives, polyarylamine derivatives, polyvinyltriphenylamine derivatives, polyfluorene derivatives, polyarylene derivatives, polyarylene ether sulfone derivatives containing tetraphenylbenzidine, polyarylene vinylene derivatives, polysiloxane derivatives, polythiophenes And hole transporting compounds such as derivatives and poly (p-phenylene vinylene) derivatives. These may be any of an alternating copolymer, a random polymer, a block polymer, or a graft copolymer. Further, it may be a polymer having a branched main chain and three or more terminal portions, or a so-called dendrimer.
Of these, polyarylamine derivatives and polyarylene derivatives are preferred.

ポリアリールアミン誘導体としては、下記式(II)で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式(II)で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、ArまたはArが異なっているものであってもよい。 The polyarylamine derivative is preferably a polymer containing a repeating unit represented by the following formula (II). In particular, a polymer composed of a repeating unit represented by the following formula (II) is preferable. In this case, Ar a or Ar b may be different in each repeating unit.

Figure 0005182133
Figure 0005182133

(式(II)中、ArおよびArは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。) (In formula (II), Ar a and Ar b each independently represent an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)

置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、6員環の単環または2〜5縮合環由来の基およびこれらの環が2環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。   Examples of the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent include, for example, a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, and acenaphthene. Examples thereof include a group derived from a 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring, such as a ring, a fluoranthene ring, and a fluorene ring, and a group in which two or more of these rings are linked by a direct bond.

置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、5または6員環の単環または2〜4縮合環由来の基およびこれらの環が2環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。   Examples of the aromatic heterocyclic group which may have a substituent include a furan ring, a benzofuran ring, a thiophene ring, a benzothiophene ring, a pyrrole ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, an oxadiazole ring, an indole ring, and a carbazole ring. , Pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzoisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine Ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring, etc. Or a group and the rings of from 2-4 fused rings include groups formed by connecting a direct bond or two or more rings.

溶解性、耐熱性の点から、ArおよびArは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が2環以上連結してなる基(例えば、ビフェニル基やターフェニル基)が好ましい。
中でも、ベンゼン環由来の基(フェニル基)、ベンゼン環が2環連結してなる基(ビフェニル基)およびフルオレン環由来の基(フルオレニル基)が好ましい。
From the viewpoints of solubility and heat resistance, Ar a and Ar b are each independently selected from the group consisting of a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, triphenylene ring, pyrene ring, thiophene ring, pyridine ring, and fluorene ring. A group derived from a selected ring or a group formed by linking two or more benzene rings (for example, a biphenyl group or a terphenyl group) is preferable.
Among these, a group derived from a benzene ring (phenyl group), a group formed by connecting two benzene rings (biphenyl group), and a group derived from a fluorene ring (fluorenyl group) are preferable.

ArおよびArにおける芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。 Examples of the substituent that the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group in Ar a and Ar b may have include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkoxycarbonyl group, and a dialkyl. Examples thereof include an amino group, a diarylamino group, an acyl group, a halogen atom, a haloalkyl group, an alkylthio group, an arylthio group, a silyl group, a siloxy group, a cyano group, an aromatic hydrocarbon ring group, and an aromatic heterocyclic group.

ポリアリーレン誘導体としては、前記式(II)におけるArやArとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
ポリアリーレン誘導体としては、下記式(III-1)および/または下記式(III-2)からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
As the polyarylene derivative, an arylene group such as an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent exemplified as Ar a or Ar b in the formula (II) is used as its repeating unit. The polymer which has is mentioned.
As the polyarylene derivative, a polymer having a repeating unit composed of the following formula (III-1) and / or the following formula (III-2) is preferable.

Figure 0005182133
Figure 0005182133

(式(III-1)中、R、R、RおよびRは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、またはカルボキシ基を表す。tおよびsは、それぞれ独立に、0〜3の整数を表す。tまたはsが2以上の場合、一分子中に含まれる複数のRまたはRは同一であっても異なっていてもよく、隣接するRまたはRどうしで環を形成していてもよい。) (In formula (III-1), R a , R b , R c and R d are each independently an alkyl group, an alkoxy group, a phenylalkyl group, a phenylalkoxy group, a phenyl group, a phenoxy group, an alkylphenyl group, Represents an alkoxyphenyl group, an alkylcarbonyl group, an alkoxycarbonyl group, or a carboxy group, and t and s each independently represent an integer of 0 to 3. When t or s is 2 or more, they are contained in one molecule. A plurality of R a or R b may be the same or different, and adjacent R a or R b may form a ring.)

Figure 0005182133
Figure 0005182133

(式(III-2)中、RおよびRは、それぞれ独立に、上記式(III-1)におけるR、R、RまたはRと同義である。rおよびuは、それぞれ独立に、0〜3の整数を表す。rまたはuが2以上の場合、一分子中に含まれる複数のRおよびRは同一であっても異なっていてもよく、隣接するRまたはRどうしで環を形成していてもよい。Xは、5員環または6員環を構成する原子または原子群を表す。) (In formula (III-2), R e and R f are each independently synonymous with R a , R b , R c or R d in formula (III-1). Independently, it represents an integer of 0 to 3. When r or u is 2 or more, a plurality of R e and R f contained in one molecule may be the same or different, and adjacent R e or R f may form a ring, and X represents an atom or a group of atoms constituting a 5-membered ring or a 6-membered ring.)

Xの具体例としては、酸素原子、置換基を有していてもよいホウ素原子、置換基を有していてもよい窒素原子、置換基を有していてもよいケイ素原子、置換基を有していてもよいリン原子、置換基を有していてもよいイオウ原子、置換基を有していてもよい炭素原子またはこれらが結合してなる基である。   Specific examples of X include an oxygen atom, a boron atom which may have a substituent, a nitrogen atom which may have a substituent, a silicon atom which may have a substituent, and a substituent. A phosphorus atom which may be substituted, a sulfur atom which may have a substituent, a carbon atom which may have a substituent, or a group formed by bonding these.

また、ポリアリーレン誘導体としては、記式(III-1)および/または記式(III-2)からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式(III-3)で表される繰り返し単位を有することが好ましい。 As the polyarylene derivative, in addition to the repeating unit composed of the above following formula (III-1) and / or the upper above formula (III-2), a further recurring unit represented by the following formula (III-3) It is preferable to have.

Figure 0005182133
Figure 0005182133

(式(III-3)中、Ar〜Arは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。xおよびyは、それぞれ独立に0または1を表す。) (In formula (III-3), Ar c to Ar j each independently represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Independently represents 0 or 1.)

Ar〜Arの具体例としては、前記式(II)における、ArおよびArと同様である。 Specific examples of Ar c to Ar j are the same as Ar a and Ar b in the formula (II).

上記式(III-1)〜(III-3)の具体例およびポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開2008−98619号公報に記載のものなどが挙げられる。   Specific examples of the above formulas (III-1) to (III-3) and specific examples of polyarylene derivatives include those described in JP-A-2008-98619.

湿式成膜法で正孔輸送層4を形成する場合は、上記正孔注入層3の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。   In the case of forming the hole transport layer 4 by a wet film formation method, a composition for forming a hole transport layer is prepared in the same manner as the formation of the hole injection layer 3 and then heated and dried after the wet film formation. .

正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層3の形成の場合と同様である。
この正孔輸送層形成用組成物は、所定量の遷移金属を含有する本発明の有機電界発光素子用組成物であることが好ましい。
The composition for forming a hole transport layer contains a solvent in addition to the above hole transport compound. The solvent used is the same as that used for the composition for forming a hole injection layer. The film forming conditions, heat drying conditions, and the like are the same as in the case of forming the hole injection layer 3.
This composition for forming a hole transport layer is preferably the composition for an organic electroluminescence device of the present invention containing a predetermined amount of a transition metal.

真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層3の形成の場合と同様である。   In the case where the hole transport layer is formed by the vacuum deposition method, the film forming conditions are the same as those in the case of forming the hole injection layer 3.

正孔輸送層4は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。   The hole transport layer 4 may contain various light emitting materials, electron transport compounds, binder resins, coating property improving agents, and the like in addition to the hole transport compound.

正孔輸送層4はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。   The hole transport layer 4 may also be a layer formed by crosslinking a crosslinkable compound. The crosslinkable compound is a compound having a crosslinkable group, and forms a network polymer compound by crosslinking.

この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基;ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基;ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。   Examples of this crosslinkable group include groups derived from cyclic ethers such as oxetane and epoxy; groups derived from unsaturated double bonds such as vinyl, trifluorovinyl, styryl, acrylic, methacryloyl and cinnamoyl; benzo Examples include groups derived from cyclobutene.

架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。 架橋性化合物は1種のみを有していてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で有していてもよい。   The crosslinkable compound may be any of a monomer, an oligomer, and a polymer. The crosslinkable compound may have only 1 type, and may have 2 or more types by arbitrary combinations and ratios.

架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物としては、上記の例示したものが挙げられ、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖または側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。また、特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、上記式(II)や式(III-1)〜(III-3)に架橋性基が直接または連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。   As the crosslinkable compound, a hole transporting compound having a crosslinkable group is preferably used. Examples of the hole transporting compound include those exemplified above, and those having a crosslinkable group bonded to the main chain or side chain with respect to these hole transporting compounds. In particular, the crosslinkable group is preferably bonded to the main chain via a linking group such as an alkylene group. In particular, the hole transporting compound is preferably a polymer containing a repeating unit having a crosslinkable group, and the above formula (II) and formulas (III-1) to (III-3) can be used as a crosslinkable group. Is preferably a polymer having a repeating unit bonded directly or via a linking group.

架橋性化合物として用いられる正孔輸送性化合物や架橋性基を有する繰り返し単位を構成する正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体;トリフェニルアミン誘導体;シロール誘導体;オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体;トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。   Examples of hole transporting compounds used as crosslinkable compounds and hole transporting compounds constituting repeating units having a crosslinkable group include pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives. Nitrogen-containing aromatic compound derivatives such as carbazole derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives; triphenylamine derivatives; silole derivatives; oligothiophene derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes, and the like. Among them, nitrogen-containing aromatic derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives; triphenylamine derivatives, silole derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes, etc. Particularly preferred are triphenylamine derivatives.

架橋性化合物を架橋して正孔輸送層4を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解または分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。   In order to form the hole transport layer 4 by crosslinking the crosslinkable compound, a composition for forming a hole transport layer in which the crosslinkable compound is dissolved or dispersed in a solvent is usually prepared and deposited by wet film formation. To crosslink.

正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤および重合促進剤;縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤;などが挙げられる。
また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤;電子受容性化合物;バインダー樹脂;などを含有していてもよい。
The composition for forming a hole transport layer may contain an additive for promoting a crosslinking reaction in addition to the crosslinking compound. Examples of additives that accelerate the crosslinking reaction include polymerization initiators and polymerization accelerators such as alkylphenone compounds, acylphosphine oxide compounds, metallocene compounds, oxime ester compounds, azo compounds, onium salts; condensed polycyclic hydrocarbons, And photosensitizers such as porphyrin compounds and diaryl ketone compounds.
Further, it may contain a coating property improving agent such as a leveling agent and an antifoaming agent; an electron accepting compound; a binder resin;

正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、さらに好ましくは0.1重量%以上、通常50重量%以下、好ましくは20重量%以下、さらに好ましくは10重量%以下含有する。   In the composition for forming a hole transport layer, the crosslinkable compound is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, usually 50% by weight or less, preferably 20%. It is contained in an amount of not more than wt%, more preferably not more than 10 wt%.

このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層(通常は正孔注入層3)上に成膜後、加熱および/または光などの電磁エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。   After forming a composition for forming a hole transport layer containing a crosslinkable compound at such a concentration on the lower layer (usually the hole injection layer 3), the composition is crosslinked by heating and / or irradiation with electromagnetic energy such as light. Are crosslinked to form a network polymer compound.

成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層3の湿式成膜時と同様である。
成膜後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常120℃以上、好ましくは400℃以下である。
加熱時間としては、通常1分以上、好ましくは24時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で120℃以上、1分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
Conditions such as temperature and humidity during film formation are the same as those during the wet film formation of the hole injection layer 3.
The heating method after film formation is not particularly limited. As heating temperature conditions, it is 120 degreeC or more normally, Preferably it is 400 degrees C or less.
The heating time is usually 1 minute or longer, preferably 24 hours or shorter. The heating means is not particularly limited, and means such as placing a laminated body having a deposited layer on a hot plate or heating in an oven is used. For example, conditions such as heating on a hot plate at 120 ° C. or more for 1 minute or more can be used.

光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、0.1秒以上、好ましくは10時間以下照射される。   In the case of irradiation with electromagnetic energy such as light, a method of irradiating directly using an ultraviolet / visible / infrared light source such as an ultra-high pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a halogen lamp or an infrared lamp, or the above-mentioned light source is incorporated. Examples include a mask aligner and a method of irradiation using a conveyor type light irradiation device. In electromagnetic energy irradiation other than light, for example, there is a method of irradiation using a device that irradiates a microwave generated by a magnetron, a so-called microwave oven. As the irradiation time, it is preferable to set conditions necessary for reducing the solubility of the film, but irradiation is usually performed for 0.1 seconds or longer, preferably 10 hours or shorter.

加熱および光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。   Heating and irradiation of electromagnetic energy such as light may be performed individually or in combination. When combined, the order of implementation is not particularly limited.

このようにして形成される正孔輸送層4の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。   The film thickness of the hole transport layer 4 thus formed is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

{発光層}
正孔注入層3の上、または正孔輸送層4を設けた場合には正孔輸送層4の上には発光層5が設けられる。発光層5は、電界を与えられた電極間において、陽極2から注入された正孔と、陰極9から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
{Light emitting layer}
When the hole injection layer 3 or the hole transport layer 4 is provided, the light emitting layer 5 is provided on the hole transport layer 4. The light emitting layer 5 is a layer that is excited by recombination of holes injected from the anode 2 and electrons injected from the cathode 9 between electrodes to which an electric field is applied, and becomes a main light emitting source.

<発光層の材料>
発光層5は、その構成材料として、少なくとも、発光の性質を有する材料(発光材料)を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する化合物(正孔輸送性化合物)、あるいは、電子輸送の性質を有する化合物(電子輸送性化合物)を含有する。発光材料をドーパント材料として使用し、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物などをホスト材料として使用してもよい。
<Light emitting layer material>
The light emitting layer 5 contains at least a material having a light emitting property (light emitting material) as a constituent material, and preferably a compound having a hole transporting property (hole transporting compound) or an electron transport. A compound (electron transporting compound) having the following properties: A light emitting material may be used as a dopant material, and a hole transporting compound, an electron transporting compound, or the like may be used as a host material.

<発光材料>
発光材料としては、任意の公知材料を適用可能であり、蛍光発光材料あるいは燐光発光材料を単独若しくは複数を混合して使用できるが、内部量子効率の観点から、好ましくは、燐光発光材料である。
<Light emitting material>
As the luminescent material, any known material can be applied, and a fluorescent luminescent material or a phosphorescent luminescent material can be used alone or in combination. A phosphorescent luminescent material is preferable from the viewpoint of internal quantum efficiency.

尚、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料分子の対称性や剛性を低下させたり、あるいはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも、重要である。   For the purpose of improving the solubility in a solvent, it is also important to reduce the symmetry and rigidity of the light emitting material molecule or to introduce a lipophilic substituent such as an alkyl group.

青色発光を与える蛍光発光材料としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光発光材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光発光材料としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光発光材料としては、DCM系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。   Examples of the fluorescent material that gives blue light emission include perylene, pyrene, anthracene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof. Examples of green fluorescent materials include quinacridone derivatives and coumarin derivatives. Examples of yellow fluorescent light-emitting materials include rubrene and perimidone derivatives. Examples of red fluorescent materials include DCM compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene and the like.

燐光発光材料としては、例えば周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。   Examples of the phosphorescent material include organometallic complexes containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.

周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における金属として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記一般式(V)または下記一般式(VI)で表される化合物が挙げられる。
ML(q−j)L’ (V)
(一般式(V)中、Mは金属を表し、qは上記金属の価数を表す。また、LおよびL’は二座配位子を表す。jは0、1または2を表す。)
Preferred examples of the metal in the phosphorescent organometallic complex containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold. Preferred examples of these organometallic complexes include compounds represented by the following general formula (V) or the following general formula (VI).
ML (q−j) L ′ j (V)
(In general formula (V), M represents a metal, q represents the valence of the metal, L and L ′ represent a bidentate ligand, and j represents 0, 1 or 2.)

Figure 0005182133
(一般式(VI)中、Mは金属を表し、Tは炭素または窒素を表す。R92〜R95は、それぞれ独立に置換基を表す。ただし、Tが窒素の場合は、R94およびR95は無い。)
Figure 0005182133
(In the general formula (VI), M d represents a metal, T represents carbon or nitrogen. R 92 to R 95 each independently represents a substituent. However, when T is nitrogen, R 94 and R 95 is not.)

以下、まず、一般式(V)で表される化合物について説明する。
一般式(V)中、Mは任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表7ないし11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。
Hereinafter, the compound represented by the general formula (V) will be described first.
In the general formula (V), M represents an arbitrary metal, and specific examples of preferable ones include the metals described above as the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.

また、一般式(V)中の二座配位子LおよびL’は、それぞれ、以下の部分構造を有する配位子を示す。   Moreover, the bidentate ligands L and L ′ in the general formula (V) each represent a ligand having the following partial structure.

Figure 0005182133
Figure 0005182133

Figure 0005182133
Figure 0005182133

L’として、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは、下記のものが挙げられる。   L ′ is particularly preferably the following from the viewpoint of the stability of the complex.

Figure 0005182133
Figure 0005182133

上記L,L’の部分構造において、環A1は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。また、環A2は、含窒素芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。   In the partial structures of L and L ′, the ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, and these may have a substituent. Ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group, and these may have a substituent.

環A1,A2が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基;フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。   When the rings A1 and A2 have a substituent, preferred substituents include halogen atoms such as fluorine atoms; alkyl groups such as methyl groups and ethyl groups; alkenyl groups such as vinyl groups; methoxycarbonyl groups and ethoxycarbonyl groups. Alkoxycarbonyl groups; alkoxy groups such as methoxy groups and ethoxy groups; aryloxy groups such as phenoxy groups and benzyloxy groups; dialkylamino groups such as dimethylamino groups and diethylamino groups; diarylamino groups such as diphenylamino groups; carbazolyl groups; An acyl group such as an acetyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; a cyano group; an aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a naphthyl group, and a phenanthyl group.

一般式(V)で表される化合物として、さらに好ましくは、下記一般式(Va)、(Vb)、(Vc)で表される化合物が挙げられる。   More preferable examples of the compound represented by the general formula (V) include compounds represented by the following general formulas (Va), (Vb), and (Vc).

Figure 0005182133
Figure 0005182133

(一般式(Va)中、MaはMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表し、環A2は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。) (In the general formula (Va), Ma represents the same metal as M, w represents the valence of the metal, and ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, Ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.

Figure 0005182133
Figure 0005182133

(一般式(Vb)中、MbはMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、環A2は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。) (In general formula (Vb), Mb represents the same metal as M, and w represents the valence of the metal. Ring A1 may have an aromatic hydrocarbon group or substituent which may have a substituent. And ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.

Figure 0005182133
Figure 0005182133

(一般式(Vc)中、McはMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、jは0、1または2を表す。さらに、環A1および環A1’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。また、環A2および環A2’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。) (In the general formula (Vc), Mc represents the same metal as M, w represents the valence of the metal, j represents 0, 1 or 2. Furthermore, ring A1 and ring A1 ′ are Each independently represents an optionally substituted aromatic hydrocarbon group or an optionally substituted aromatic heterocyclic group, and ring A2 and ring A2 ′ are each independently (It represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)

上記一般式(Va)、(Vb)、(Vc)において、環A1および環A1’の基としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。   In the above general formulas (Va), (Vb), and (Vc), the group of ring A1 and ring A1 ′ is preferably, for example, phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, anthryl group, thienyl group, furyl group, benzo Examples include thienyl group, benzofuryl group, pyridyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, carbazolyl group and the like.

また、環A2、環A2’の基としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。   In addition, the group of ring A2 and ring A2 ′ is preferably a pyridyl group, pyrimidyl group, pyrazyl group, triazyl group, benzothiazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, quinolyl group, isoquinolyl group, quinoxalyl group, A phenanthridyl group and the like can be mentioned.

さらに、一般式(Va)、(Vb)、(Vc)で表される化合物が有していてもよい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基等が挙げられる。   Furthermore, the substituents that the compounds represented by the general formulas (Va), (Vb), and (Vc) may have include a halogen atom such as a fluorine atom; an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group; vinyl Alkenyl groups such as methoxy groups; alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl groups and ethoxycarbonyl groups; alkoxy groups such as methoxy groups and ethoxy groups; aryloxy groups such as phenoxy groups and benzyloxy groups; dialkyls such as dimethylamino groups and diethylamino groups An amino group; a diarylamino group such as a diphenylamino group; a carbazolyl group; an acyl group such as an acetyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; a cyano group;

上記置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常1以上6以下である。さらに、置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常2以上6以下である。また、置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常2以上6以下である。さらに、置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常1以上6以下である。また、置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常6以上14以下である。さらに、置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常2以上24以下である。また、置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常12以上28以下である。さらに、置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常1以上14以下である。また、置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常1以上12以下である。   When the said substituent is an alkyl group, the carbon number is 1 or more and 6 or less normally. Furthermore, when the substituent is an alkenyl group, the carbon number is usually 2 or more and 6 or less. When the substituent is an alkoxycarbonyl group, the carbon number is usually 2 or more and 6 or less. Further, when the substituent is an alkoxy group, the carbon number is usually 1 or more and 6 or less. Moreover, when a substituent is an aryloxy group, the carbon number is 6 or more and 14 or less normally. Furthermore, when the substituent is a dialkylamino group, the carbon number is usually 2 or more and 24 or less. Further, when the substituent is a diarylamino group, the carbon number is usually 12 or more and 28 or less. Furthermore, when the substituent is an acyl group, the carbon number is usually 1 or more and 14 or less. Moreover, when a substituent is a haloalkyl group, the carbon number is 1 or more and 12 or less normally.

なお、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環A1が有する置換基と環A2が有する置換基とが結合するか、または、環A1’が有する置換基と環A2’が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環基としては、7,8−ベンゾキノリン基等が挙げられる。   These substituents may be connected to each other to form a ring. As a specific example, a substituent of the ring A1 and a substituent of the ring A2 are bonded, or a substituent of the ring A1 ′ and a substituent of the ring A2 ′ are bonded. Two fused rings may be formed. Examples of such a condensed ring group include a 7,8-benzoquinoline group.

中でも、環A1、環A1’、環A2および環A2’の置換基として、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。   Among them, as a substituent of ring A1, ring A1 ′, ring A2 and ring A2 ′, more preferably an alkyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, a cyano group, a halogen atom, a haloalkyl group, a diarylamino group, a carbazolyl group Is mentioned.

また、一般式(Va)、(Vb)、(Vc)におけるMa,Mb,Mcとして好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられる。   Further, Ma, Mb, and Mc in the general formulas (Va), (Vb), and (Vc) are preferably ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, or gold.

上記一般式(V)、(Va)、(Vb)または(Vc)で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない(以下において、Phはフェニル基を表す。)。   Specific examples of the organometallic complex represented by the general formula (V), (Va), (Vb) or (Vc) are shown below, but are not limited to the following compounds (in the following, Ph is phenyl Represents a group).

Figure 0005182133
Figure 0005182133

Figure 0005182133
Figure 0005182133

上記一般式(V)、(Va)、(Vb)、(Vc)で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Lおよび/またはL’として2−アリールピリジン系配位子、即ち、2−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、および、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。   Among the organometallic complexes represented by the general formulas (V), (Va), (Vb), and (Vc), in particular, as the ligand L and / or L ′, a 2-arylpyridine-based ligand, , 2-arylpyridine, a compound having an arbitrary substituent bonded thereto, and a compound having an arbitrary group condensed thereto are preferable.

次に、前記一般式(VI)で表される化合物について説明する。
一般式(VI)中、Mは金属を表し、具体例としては、周期表7ないし11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の2価の金属が挙げられる。
Next, the compound represented by the general formula (VI) will be described.
In the general formula (VI), M d represents a metal, and specific examples thereof include the metals described above as the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table. Among these, ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold is preferable, and divalent metals such as platinum and palladium are particularly preferable.

また、一般式(VI)において、R92およびR93は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。 In the general formula (VI), R 92 and R 93 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, or a carboxyl group. Represents an alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.

さらに、Tが炭素の場合、R94およびR95は、それぞれ独立に、R92およびR93と同様の例示物で表される置換基を表す。また、前述の如く、Tが窒素の場合はR94およびR95は無い。 Further, when T is carbon, R 94 and R 95 each independently represent a substituent represented by the same examples as R 92 and R 93 . Further, as described above, when T is nitrogen, there is no R 94 or R 95 .

また、R92〜R95はさらに置換基を有していてもよい。この場合のさらに有していてもよい置換基には特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
さらに、R92〜R95は互いに連結して環を形成してもよく、この環がさらに任意の置換基を有していてもよい。
R 92 to R 95 may further have a substituent. In this case, the substituent which may further be present is not particularly limited, and any group can be used as the substituent.
Furthermore, R 92 to R 95 may be connected to each other to form a ring, and this ring may further have an arbitrary substituent.

一般式(VI)で表される有機金属錯体の具体例(T−1,T−10〜T−15)を以下に示すが、下記の例示化合物に限定されるものではない。なお、以下において、Meはメチル基を表し、Etはエチル基を表す。   Specific examples (T-1, T-10 to T-15) of the organometallic complex represented by the general formula (VI) are shown below, but are not limited to the following exemplified compounds. In the following, Me represents a methyl group, and Et represents an ethyl group.

Figure 0005182133
Figure 0005182133

また、有機金属錯体としては、WO2005/019373号公報に記載の化合物も使用することができる。   Moreover, as an organometallic complex, the compounds described in WO2005 / 019373 can also be used.

更に、発光層5は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。なお、湿式成膜法で発光層5を形成する場合は、低分子量の材料(分子量通常10000以下、好ましくは5000以下)を使用することが好ましい。   Furthermore, the light emitting layer 5 may contain other components as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. In addition, when forming the light emitting layer 5 with a wet film-forming method, it is preferable to use a low molecular weight material (molecular weight is usually 10,000 or less, preferably 5000 or less).

<発光層の形成>
本発明の有機電界発光素子は、その発光層が、湿式成膜法で形成されることが好ましい。
湿式成膜法により発光層5を形成する場合は、発光層に用いる材料を適切な溶剤に溶解させて発光層形成用組成物を調製し、それを用いて成膜することにより形成する。
<Formation of light emitting layer>
As for the organic electroluminescent element of this invention, it is preferable that the light emitting layer is formed by the wet film-forming method.
In the case of forming the light emitting layer 5 by a wet film forming method, the light emitting layer forming composition is prepared by dissolving the material used for the light emitting layer in an appropriate solvent, and the film is formed using the composition.

発光層5を本発明に係る湿式成膜法で形成するための発光層形成用組成物に含有させる発光層用溶剤としては、前述の正孔注入層形成用組成物に含有される溶剤として説明したものと同様である。   The solvent for the light-emitting layer contained in the composition for forming a light-emitting layer for forming the light-emitting layer 5 by the wet film-forming method according to the present invention is described as the solvent contained in the composition for forming a hole injection layer described above. It is the same as what I did.

また、発光層形成用組成物中の発光材料、電荷輸送性化合物等の固形分濃度としては、通常0.01重量%以上、通常70重量%以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると膜に欠陥が生じる可能性がある。   The solid content concentration of the light emitting material, charge transporting compound, etc. in the composition for forming a light emitting layer is usually 0.01% by weight or more and usually 70% by weight or less. If this concentration is too large, film thickness unevenness may occur, and if it is too small, defects may occur in the film.

発光層形成用組成物を湿式成膜後、得られた塗膜を乾燥し、溶剤を除去することにより、発光層が形成される。具体的には、上記正孔注入層の形成において記載した方法と同様である。湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、前述のいかなる方式も用いることができる。   After wet-deposition of the composition for forming a light emitting layer, the resulting coating film is dried and the solvent is removed to form a light emitting layer. Specifically, it is the same as the method described in the formation of the hole injection layer. The method of the wet film forming method is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, and any of the methods described above can be used.

発光層5の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常3nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常200nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。発光層5の膜厚が、薄すぎると膜に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると駆動電圧が上昇する可能性がある。   The thickness of the light emitting layer 5 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 3 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less. If the thickness of the light emitting layer 5 is too thin, defects may occur in the film, and if it is too thick, the driving voltage may increase.

{正孔阻止層}
発光層5と後述の電子注入層8との間に、正孔阻止層6を設けてもよい。正孔阻止層6は、発光層5の上に、発光層5の陰極9側の界面に接するように積層される層である。
{Hole blocking layer}
A hole blocking layer 6 may be provided between the light emitting layer 5 and an electron injection layer 8 described later. The hole blocking layer 6 is a layer laminated on the light emitting layer 5 so as to be in contact with the interface of the light emitting layer 5 on the cathode 9 side.

この正孔阻止層6は、陽極2から移動してくる正孔を陰極9に到達するのを阻止する役割と、陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送する役割とを有する。   The hole blocking layer 6 has a role of blocking holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 9 and a role of efficiently transporting electrons injected from the cathode 9 toward the light emitting layer 5. Have

正孔阻止層6を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996号公報)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)などが挙げられる。更に、国際公開第2005−022962号公報に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も、正孔阻止層6の材料として好ましい。   The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer 6 include high electron mobility, low hole mobility, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet level (T1). Is high. Examples of the material for the hole blocking layer satisfying such conditions include bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum, and the like. Mixed metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, distyrylbiphenyl derivatives, etc. Triazole derivatives such as styryl compounds (JP-A-11-242996), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (JP-A-7 -41759), phenanthroline derivatives such as bathocuproine (JP-A-10-79297), and the like. That. Further, a compound having at least one pyridine ring substituted at positions 2, 4, and 6 described in International Publication No. 2005-022962 is also preferable as a material for the hole blocking layer 6.

なお、正孔阻止層6の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   In addition, the material of the hole-blocking layer 6 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and ratios.

正孔阻止層6の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。   There is no restriction | limiting in the formation method of the hole-blocking layer 6. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.

正孔阻止層6の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上、また、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。   The thickness of the hole blocking layer 6 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.

正孔阻止層にかえて、正孔緩和層を設けてもよい。   A hole relaxation layer may be provided in place of the hole blocking layer.

{電子輸送層}
発光層5と後述の電子注入層8の間に、電子輸送層7を設けてもよい。
{Electron transport layer}
An electron transport layer 7 may be provided between the light emitting layer 5 and an electron injection layer 8 described later.

電子輸送層7は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送することができる化合物より形成される。   The electron transport layer 7 is provided for the purpose of further improving the light emission efficiency of the device, and efficiently transports electrons injected from the cathode 9 between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer 5. Formed from a compound capable of

電子輸送層7に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極9または電子注入層8からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−ヒドロキシフラボン金属錯体、5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5645948号明細書)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。   As an electron transport compound used for the electron transport layer 7, usually, the electron injection efficiency from the cathode 9 or the electron injection layer 8 is high, and the injected electrons are transported efficiently with high electron mobility. The compound which can be used is used. Examples of the compound satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives , Distyrylbiphenyl derivatives, silole derivatives, 3-hydroxyflavone metal complexes, 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compounds ( JP-A-6-207169), phenanthroline derivative (JP-A-5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N'-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide , N-type zinc sulfide, n-type zinc Such as emissions of zinc, and the like.

なお、電子輸送層7の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   In addition, the material of the electron carrying layer 7 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

電子輸送層7の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。   There is no restriction | limiting in the formation method of the electron carrying layer 7. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.

電子輸送層7の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常1nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常300nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。   The thickness of the electron transport layer 7 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

{電子注入層}
電子注入層8は、陰極9から注入された電子を効率よく発光層5へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行うには、電子注入層8を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。例えばフッ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF)、酸化リチウム(LiO)、炭酸セシウム(II)(CsCO)等が挙げられる(Applied Physics Letters, 1997年, Vol.70, pp.152;特開平10−74586号公報;I有機ELディスプレイおよび有機EL照明 Transactions on Electron Devices, 1997年,Vol.44, pp.1245;SID 04 Digest, pp.154等参照)。その膜厚は通常0.1nm以上、5nm以下が好ましい。
{Electron injection layer}
The electron injection layer 8 plays a role of efficiently injecting electrons injected from the cathode 9 into the light emitting layer 5. In order to perform electron injection efficiently, the material for forming the electron injection layer 8 is preferably a metal having a low work function. Examples include alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium. Examples include lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), lithium oxide (Li 2 O), cesium carbonate (II) (CsCO 3 ), and the like (Applied Physics Letters, 1997, Vol. 70, pp. 152; Japanese Patent Laid-Open No. 10-74586; see I Organic EL Display and Organic EL Lighting Transactions on Electron Devices, 1997, Vol. 44, pp. 1245; SID 04 Digest, pp. 154, etc.). The film thickness is usually preferably from 0.1 nm to 5 nm.

更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常5nm以上、中でも10nm以上が好ましく、また、通常200nm以下、中でも100nm以下が好ましい。   Furthermore, an organic electron transport compound represented by a metal complex such as a nitrogen-containing heterocyclic compound such as bathophenanthroline or an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline is doped with an alkali metal such as sodium, potassium, cesium, lithium, or rubidium ( (As described in JP-A-10-270171, JP-A-2002-1000047, JP-A-2002-1000048, etc.), it is possible to improve the electron injection / transport properties and achieve excellent film quality. preferable. In this case, the film thickness is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.

なお、電子注入層8の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   In addition, the material of the electron injection layer 8 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

電子注入層8の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。   There is no restriction | limiting in the formation method of the electron injection layer 8. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.

{陰極}
陰極9は、発光層5側の層(電子注入層8または発光層5など)に電子を注入する役割を果たすものである。
{cathode}
The cathode 9 plays a role of injecting electrons into a layer (such as the electron injection layer 8 or the light emitting layer 5) on the light emitting layer 5 side.

陰極9の材料としては、前記の陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。   As the material of the cathode 9, the material used for the anode 2 can be used. However, in order to perform electron injection efficiently, a metal having a low work function is preferable. For example, tin, magnesium, indium, A suitable metal such as calcium, aluminum, silver, or an alloy thereof is used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.

なお、陰極9の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   In addition, the material of the cathode 9 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

陰極9の膜厚は、通常、陽極2と同様である。   The film thickness of the cathode 9 is usually the same as that of the anode 2.

さらに、低仕事関数金属から成る陰極9を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、1種のみで用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   Further, for the purpose of protecting the cathode 9 made of a low work function metal, it is preferable to further stack a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere because the stability of the device is increased. For this purpose, for example, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold and platinum are used. In addition, these materials may be used only by 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

{その他の層}
本発明の有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極2と陰極9との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
{Other layers}
The organic electroluminescent element of the present invention may have another configuration without departing from the gist thereof. For example, as long as the performance is not impaired, an arbitrary layer may be provided between the anode 2 and the cathode 9 in addition to the layers described above, and an arbitrary layer may be omitted. .

有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。
電子阻止層は、正孔注入層3または正孔輸送層4と発光層5との間に設けられ、発光層5から移動してくる電子が正孔注入層3に到達するのを阻止することで、発光層5内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層5内に閉じこめる役割と、正孔注入層3から注入された正孔を効率よく発光層5の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。
Examples of the layer that may be included include an electron blocking layer.
The electron blocking layer is provided between the hole injection layer 3 or the hole transport layer 4 and the light emitting layer 5 and prevents electrons moving from the light emitting layer 5 from reaching the hole injection layer 3. Thus, the probability of recombination of holes and electrons in the light emitting layer 5 is increased, the excitons generated are confined in the light emitting layer 5, and the holes injected from the hole injection layer 3 are efficiently collected. There is a role to transport in the direction of. In particular, when a phosphorescent material or a blue light emitting material is used as the light emitting material, it is effective to provide an electron blocking layer.

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層5を本発明に係る有機層として湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、F8−TFBに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体(国際公開第2004/084260号パンフレット)等が挙げられる。   The characteristics required for the electron blocking layer include high hole transportability, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet level (T1). Furthermore, in the present invention, when the light emitting layer 5 is formed as an organic layer according to the present invention by a wet film formation method, the electron blocking layer is also required to be compatible with the wet film formation. Examples of the material used for such an electron blocking layer include a copolymer of dioctylfluorene and triphenylamine typified by F8-TFB (International Publication No. 2004/084260).

なお、電子阻止層の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。   In addition, the material of an electron blocking layer may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。   There is no restriction | limiting in the formation method of an electron blocking layer. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.

また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図1の層構成であれば、基板1上に他の構成要素を陰極9、電子注入層8、電子輸送層7、正孔阻止層6、発光層5、正孔輸送層4、正孔注入層3、陽極2の順に設けてもよい。   Moreover, in the layer structure demonstrated above, it is also possible to laminate | stack components other than a board | substrate in reverse order. For example, in the case of the layer configuration of FIG. 1, the other components on the substrate 1 are the cathode 9, the electron injection layer 8, the electron transport layer 7, the hole blocking layer 6, the light emitting layer 5, the hole transport layer 4, the positive layer. The hole injection layer 3 and the anode 2 may be provided in this order.

更には、少なくとも一方が透明性を有する2枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。   Furthermore, it is also possible to constitute the organic electroluminescent element according to the present invention by laminating components other than the substrate between two substrates, at least one of which is transparent.

また、基板以外の構成要素(発光ユニット)を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。その場合には、各段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合は、それら2層)の代わりに、例えば五酸化バナジウム(V)等からなる電荷発生層(Carrier Generation Layer:CGL)を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。 In addition, a structure in which a plurality of components (light emitting units) other than the substrate are stacked in a plurality of layers (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked) may be employed. In that case, instead of the interface layer between the steps (between the light emitting units) (in the case where the anode is ITO and the cathode is Al, these two layers), for example, a charge made of vanadium pentoxide (V 2 O 5 ) or the like. When a generation layer (Carrier Generation Layer: CGL) is provided, a barrier between steps is reduced, which is more preferable from the viewpoint of light emission efficiency and driving voltage.

更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。   Furthermore, the organic electroluminescent device according to the present invention may be configured as a single organic electroluminescent device, or may be applied to a configuration in which a plurality of organic electroluminescent devices are arranged in an array. You may apply to the structure by which the cathode is arrange | positioned at XY matrix form.

また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。   Each layer described above may contain components other than those described as materials unless the effects of the present invention are significantly impaired.

[有機ELディスプレイおよび有機EL照明]
本発明の有機電界発光素子は、有機ELディスプレイや有機EL照明に使用される。本発明により得られる有機電界発光素子は、例えば、「有機ELディスプレイ」(オーム社,平成16年8月20日発行,時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような方法で有機ELディスプレイや有機EL照明を形成することができる。
[Organic EL display and organic EL lighting]
The organic electroluminescent element of the present invention is used for organic EL displays and organic EL lighting. The organic electroluminescent device obtained by the present invention is described in, for example, “Organic EL Display” (Ohm, August 20, 2004, written by Shizushi Tokito, Chiba Adachi, and Hideyuki Murata). An organic EL display and organic EL illumination can be formed by the method.

次に、本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。   EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to description of a following example, unless the summary is exceeded.

[合成例1:実施例に係るポリマー(架橋性重合体H3−A)の合成]

Figure 0005182133
[Synthesis Example 1: Synthesis of Polymer According to Example (Crosslinkable Polymer H3-A)]
Figure 0005182133

反応容器内に9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジボロン酸(3.0g、7.1mmol)、4−ブロモヨードベンゼン(4.42g、15.6mmol)、トルエン(45ml)、およびエタノール(45ml)を仕込み、減圧下、窒素置換を繰り返し系内を窒素雰囲気とした。さらに系内を十分に窒素置換して、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.54g、0.5mmol)を添加し、脱気処理をした炭酸ナトリウム(4.52g、43mmol)の水溶液(22ml)を添加し、6時間反応させた。反応終了後、反応液に水を加え、トルエンで抽出した。得られた有機層を2回水洗し、硫酸ナトリウムを加えて脱水乾燥し、濃縮した。粗生成物をn−ヘキサンで洗浄し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/塩化メチレン)にて精製し、さらに塩化メチレン/メタノール懸洗を行い、目的物1(3.15g)を得た。   In a reaction vessel, 9,9-dihexylfluorene-2,7-diboronic acid (3.0 g, 7.1 mmol), 4-bromoiodobenzene (4.42 g, 15.6 mmol), toluene (45 ml), and ethanol ( 45 ml), and nitrogen substitution was repeated under reduced pressure to create a nitrogen atmosphere in the system. Further, the system was sufficiently purged with nitrogen, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0.54 g, 0.5 mmol) was added, and degassed sodium carbonate (4.52 g, 43 mmol) in aqueous solution (22 ml) Was added and allowed to react for 6 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction solution and extracted with toluene. The obtained organic layer was washed twice with water, added with sodium sulfate, dehydrated and dried, and concentrated. The crude product was washed with n-hexane, purified by silica gel column chromatography (hexane / methylene chloride), and further washed with methylene chloride / methanol to obtain the desired product 1 (3.15 g).

Figure 0005182133
Figure 0005182133

アニリン(0.951g、10.2mmol)、化合物a(0.125g、0.642mmol)、上記目的物1(3.50g、5.43mmol)、tert−ブトキシナトリウム(3.34g、34.8mmol)、およびトルエン(25ml)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、50℃まで加温した(溶液A)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.11g、0.11mmol)のトルエン5ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.18g、0.87mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液B)。窒素気流中、溶液Aに溶液Bを添加し、1.5時間、加熱還流反応した。原料が消失したことを確認した後、さらに目的物1(3.22g、5.00mmol)を追添加した。2時間加熱還流した後、重合が始まったことを確認した後、さらに、目的物1(0.07g、0.11mmol)を追添加した。さらに2時間加熱還流し、反応液を放冷して、反応液をエタノール(250ml)中に滴下し、粗ポリマーを晶出させた。   Aniline (0.951 g, 10.2 mmol), Compound a (0.125 g, 0.642 mmol), the target product 1 (3.50 g, 5.43 mmol), tert-butoxy sodium (3.34 g, 34.8 mmol) And toluene (25 ml) were charged, the inside of the system was sufficiently purged with nitrogen, and the mixture was heated to 50 ° C. (solution A). Tri-t-butylphosphine (0.18 g, 0.87 mmol) was added to a 5 ml toluene solution of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium chloroform complex (0.11 g, 0.11 mmol) and heated to 50 ° C. ( Solution B). In a nitrogen stream, solution B was added to solution A and heated to reflux for 1.5 hours. After confirming disappearance of the raw material, the target product 1 (3.22 g, 5.00 mmol) was further added. After heating under reflux for 2 hours and confirming that the polymerization had started, the target product 1 (0.07 g, 0.11 mmol) was further added. The mixture was further heated under reflux for 2 hours, the reaction solution was allowed to cool, and the reaction solution was dropped into ethanol (250 ml) to crystallize the crude polymer.

得られた粗ポリマーをトルエン200mlに溶解させ、ブロモベンゼン(0.34g、2.1mmol)、およびtert−ブトキシナトリウム(3.34g、34.8mmol)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、50℃まで加温した(溶液C)。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.06g、0.06mmol)のトルエン5ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.09g、0.48mmol)を加え、50℃まで加温した(溶液D)。窒素気流中、溶液Cに溶液Dを添加し、2.5時間、加熱還流反応した。この反応液に、N,N−ジフェニルアミン(1.84g、10.9mmol)のトルエン(2ml)溶液、および、再度調製した溶液Dを添加し、さらに、6時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、トルエンを留去した後、エタノール(300ml)中に滴下し、粗ポリマーを得た。   The obtained crude polymer was dissolved in 200 ml of toluene, bromobenzene (0.34 g, 2.1 mmol) and tert-butoxy sodium (3.34 g, 34.8 mmol) were charged, and the system was sufficiently purged with nitrogen. And heated to 50 ° C. (solution C). Tri-t-butylphosphine (0.09 g, 0.48 mmol) was added to a 5 ml toluene solution of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium chloroform complex (0.06 g, 0.06 mmol) and heated to 50 ° C. ( Solution D). In a nitrogen stream, solution D was added to solution C, and heated to reflux for 2.5 hours. To this reaction solution, a toluene (2 ml) solution of N, N-diphenylamine (1.84 g, 10.9 mmol) and a solution D prepared again were added, and the mixture was further heated and refluxed for 6 hours. The reaction solution was allowed to cool and toluene was distilled off, followed by dropwise addition to ethanol (300 ml) to obtain a crude polymer.

この粗ポリマーをトルエンに溶解し、アセトンに再沈殿し、析出したポリマーを濾別した。得られたポリマーをトルエンに溶解させ、希塩酸にて洗浄し、アンモニア含有エタノールにて再沈殿した。濾取したポリマーをカラムクロマトグラフィーにより3回精製し、目的物2である架橋性重合体H3−Aを得た(3.59g)。この重合体の重量平均分子量(Mw)は67850、数平均分子量(Mn)は35400、分散度(Mw/Mn)=1.92であった。   This crude polymer was dissolved in toluene, reprecipitated in acetone, and the precipitated polymer was separated by filtration. The obtained polymer was dissolved in toluene, washed with dilute hydrochloric acid, and reprecipitated with ammonia-containing ethanol. The polymer collected by filtration was purified three times by column chromatography to obtain the crosslinkable polymer H3-A, which was the target product 2, (3.59 g). This polymer had a weight average molecular weight (Mw) of 67850, a number average molecular weight (Mn) of 35400, and a degree of dispersion (Mw / Mn) = 1.92.

この架橋性重合体H3−Aをマイクロ波湿式分解法を用いてICP/MS測定(Agilent Technologies社製、ICP質量分析装置HP4500型)したところ、遷移金属であるPdの含有量は400ppmであった。   When this crosslinkable polymer H3-A was subjected to ICP / MS measurement (manufactured by Agilent Technologies, ICP mass spectrometer HP4500 type) using a microwave wet decomposition method, the content of Pd as a transition metal was 400 ppm. .

[合成例2:比較例に係るポリマー(架橋性重合体H3−B)の合成]
合成例1で合成された架橋性重合体H3−Aを300mlのトルエンに溶解し、脱塩水を用いて5回洗浄を行った。洗浄を行った架橋性重合体H3−Bを合成例1と同様にして、マイクロ波湿式分解法を用いてICP/MS測定したところ、遷移金属であるPdの含有量は45ppmであった。
[Synthesis Example 2: Synthesis of Polymer According to Comparative Example (Crosslinkable Polymer H3-B)]
The crosslinkable polymer H3-A synthesized in Synthesis Example 1 was dissolved in 300 ml of toluene, and washed 5 times with demineralized water. When the crosslinkable polymer H3-B that had been washed was subjected to ICP / MS measurement using a microwave wet decomposition method in the same manner as in Synthesis Example 1, the content of Pd as a transition metal was 45 ppm.

[実施例1:有機電界発光素子の作製]
図1に示す有機電界発光素子を作製した。
[Example 1: Production of organic electroluminescent device]
The organic electroluminescent element shown in FIG. 1 was produced.

ガラス基板1上に、インジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を120nmの厚さに堆積したもの(三容真空社製、スパッタ成膜品)を、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。パターン形成したITO基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。   An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited on a glass substrate 1 with a thickness of 120 nm (manufactured by Sanyo Vacuum Co., Ltd., sputtered film product) using ordinary photolithography technology and hydrochloric acid etching Then, the anode 2 was formed by patterning into stripes having a width of 2 mm. The patterned ITO substrate is cleaned in the order of ultrasonic cleaning with an aqueous surfactant solution, water cleaning with ultrapure water, ultrasonic cleaning with ultrapure water, and water cleaning with ultrapure water, followed by drying with compressed air, and finally UV irradiation. Ozone cleaning was performed.

まず、下の構造式(P1)に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物(重量平均分子量:26500,数平均分子量:12000)、構造式(A1)に示す4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラートおよび溶剤として安息香酸エチルを含有する正孔注入層形成用組成物を調製した。この組成物を下記条件で陽極2上にスピンコートにより成膜して、膜厚30nmの正孔注入層3を得た。   First, a hole transporting polymer compound having a repeating structure represented by the following structural formula (P1) (weight average molecular weight: 26500, number average molecular weight: 12000), 4-isopropyl-4′- represented by the structural formula (A1) A composition for forming a hole injection layer containing methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate and ethyl benzoate as a solvent was prepared. This composition was formed into a film on the anode 2 by spin coating under the following conditions to obtain a hole injection layer 3 having a thickness of 30 nm.

Figure 0005182133
Figure 0005182133

<正孔注入層用組成物>
溶剤 安息香酸エチル
組成物濃度 (P1):2.0重量%
(A1):0.8重量%
<Composition for hole injection layer>
Solvent Ethyl benzoate Composition concentration (P1): 2.0% by weight
(A1): 0.8% by weight

<正孔注入層の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 大気中
加熱条件 大気中、230℃、3時間
<Film formation conditions for hole injection layer>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Spin coat atmosphere In air Heating conditions In air, 230 ° C, 3 hours

引き続き、正孔輸送性ポリマーとして、以下の構造式に示す合成例1で合成したPd含有量400ppmの架橋性重合体(H3−A)、および溶剤としてトルエンを含有する正孔輸送層形成用組成物(有機電界発光素子用組成物)を調製し、下記の条件でスピンコート法により成膜した後、加熱により架橋させて膜厚20nmの架橋膜(正孔輸送層4に相当)を形成した。   Subsequently, a composition for forming a hole transport layer containing a crosslinkable polymer (H3-A) having a Pd content of 400 ppm synthesized in Synthesis Example 1 represented by the following structural formula as a hole transporting polymer, and toluene as a solvent. The product (composition for organic electroluminescence device) was prepared, formed into a film by spin coating under the following conditions, and then crosslinked by heating to form a crosslinked film having a thickness of 20 nm (corresponding to the hole transport layer 4). .

Figure 0005182133
Figure 0005182133

<正孔輸送層形成用組成物>
溶剤 トルエン
固形分濃度 0.4重量%
<Composition for forming hole transport layer>
Solvent Toluene Solid concentration 0.4% by weight

<正孔輸送層の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 窒素中、230℃、1時間
<Hole transport layer deposition conditions>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Spin coating atmosphere In nitrogen Heating conditions In nitrogen, 230 ° C, 1 hour

次に、発光層5を形成するにあたり、ホスト材料として以下に示す有機化合物(C6)、ドーパント材料として以下の化合物(D3)、および溶剤としてトルエンを用いて、下記に示す発光層形成用組成物を調製し、以下に示す条件で正孔輸送層4上にスピンコートして膜厚40nmの発光層5を得た。   Next, in forming the light emitting layer 5, the organic compound (C6) shown below as a host material, the following compound (D3) as a dopant material, and toluene as a solvent, the following light emitting layer forming composition Was prepared and spin-coated on the hole transport layer 4 under the following conditions to obtain a light-emitting layer 5 having a thickness of 40 nm.

Figure 0005182133
Figure 0005182133

<発光層形成用組成物>
溶剤 トルエン
組成物濃度 C6:0.80重量%
D3:0.08重量%
<Composition for light emitting layer formation>
Solvent Toluene Composition concentration C6: 0.80% by weight
D3: 0.08% by weight

<発光層の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
加熱条件 減圧下(0.1MPa)、130℃、1時間
<Deposition conditions for light emitting layer>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Spin coat atmosphere In nitrogen Heating condition Under reduced pressure (0.1 MPa), 130 ° C., 1 hour

ここで、正孔注入層3、正孔輸送層4および発光層5を成膜した基板を真空蒸着装置内に移し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が5.1×10−4Pa以下になるまでクライオポンプを用いて排気した後、下記構造式(C−4)で表される化合物を真空蒸着法によって積層し正孔阻止層6を得た。このとき、蒸着速度は0.7〜1.0Å/秒の範囲で制御し、発光層5の上に積層して膜厚5nmの膜の正孔阻止層6を形成した。蒸着時の真空度は1.9〜2.0×10−4Paであった。 Here, after the substrate on which the hole injection layer 3, the hole transport layer 4 and the light emitting layer 5 are formed is transferred into a vacuum vapor deposition apparatus and the apparatus is roughly evacuated by an oil rotary pump, the degree of vacuum in the apparatus is increased. After evacuating using a cryopump until the pressure became 5.1 × 10 −4 Pa or less, a compound represented by the following structural formula (C-4) was stacked by a vacuum deposition method to obtain a hole blocking layer 6. At this time, the vapor deposition rate was controlled in the range of 0.7 to 1.0 kg / second, and the hole blocking layer 6 having a film thickness of 5 nm was formed by being laminated on the light emitting layer 5. The degree of vacuum during deposition was 1.9 to 2.0 × 10 −4 Pa.

Figure 0005182133
Figure 0005182133

続いて、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウムを加熱して蒸着を行い、電子輸送層7を成膜した。蒸着時の真空度は1.3×10−4Pa、蒸着速度は0.6〜1.0Å/秒の範囲で制御し、膜厚30nmの膜を正孔阻止層6の上に積層して電子輸送層7を形成した。 Subsequently, tris (8-hydroxyquinolinate) aluminum was heated and evaporated to form an electron transport layer 7. The degree of vacuum during vapor deposition is 1.3 × 10 −4 Pa, the vapor deposition rate is controlled in the range of 0.6 to 1.0 kg / sec, and a 30 nm thick film is laminated on the hole blocking layer 6. An electron transport layer 7 was formed.

ここで、電子輸送層7までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が2.1×10−4Pa以下になるまで排気した。 Here, the element that has been deposited up to the electron transport layer 7 is once taken out from the vacuum deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm wide striped shadow mask is used as a cathode deposition mask. The device was placed in close contact with each other so as to be orthogonal to each other, placed in another vacuum vapor deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus was 2.1 × 10 −4 Pa or less in the same manner as the organic layer.

電子注入層8として、先ずフッ化リチウム(LiF)を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度0.07〜0.17Å/秒、真空度2.3〜2.4×10−4Paで制御し、0.5nmの膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。次に、陰極9としてアルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.7〜6.1Å/秒、真空度2.3〜2.7×10−4Paで制御して膜厚80nmのアルミニウム層を形成した。以上の2層の蒸着時の基板温度は室温に保持した。 First, lithium fluoride (LiF) was controlled as the electron injection layer 8 at a deposition rate of 0.07 to 0.17 liters / second and a degree of vacuum of 2.3 to 2.4 × 10 −4 Pa using a molybdenum boat. A film having a thickness of 0.5 nm was formed on the electron transport layer 7. Next, aluminum is similarly heated by a molybdenum boat as the cathode 9 and controlled at a deposition rate of 0.7 to 6.1 liters / second and a degree of vacuum of 2.3 to 2.7 × 10 −4 Pa to a film thickness of 80 nm. An aluminum layer was formed. The substrate temperature during the above two-layer deposition was kept at room temperature.

引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行った。
真空蒸着装置に連結された窒素グローブボックス中で、23mm×23mmサイズのガラス板の外周部に、約1mmの幅で光硬化性樹脂(株式会社スリーボンド製30Y−437)を塗布し、中央部に水分ゲッターシート(ダイニック株式会社製)を設置した。この上に、陰極形成を終了した基板を、蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。
Subsequently, in order to prevent the element from being deteriorated by moisture in the atmosphere during storage, a sealing process was performed by the method described below.
In a nitrogen glove box connected to a vacuum vapor deposition device, a photocurable resin (30Y-437 manufactured by ThreeBond Co., Ltd.) with a width of about 1 mm is applied to the outer peripheral portion of a 23 mm × 23 mm size glass plate, and the central portion is applied. A moisture getter sheet (manufactured by Dynic Co., Ltd.) was installed. On this, the board | substrate which complete | finished cathode formation was bonded together so that the vapor-deposited surface might oppose a desiccant sheet. Then, only the area | region where the photocurable resin was apply | coated was irradiated with ultraviolet light, and resin was hardened.

以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性は以下の通りである。
輝度/電流:4.7[cd/A]@100cd/m
電圧:4.9[V]@100cd/m
発光効率:2.9[lm/W]@100cd/m
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The light emission characteristics of this element are as follows.
Luminance / current: 4.7 [cd / A] @ 100 cd / m 2
Voltage: 4.9 [V] @ 100 cd / m 2
Luminous efficiency: 2.9 [lm / W] @ 100 cd / m 2

素子の発光スペクトルの極大波長は465nmであり、化合物(D3)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.14,0.17)であった。   The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 465 nm, and it was identified as that from the compound (D3). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.14, 0.17).

得られた有機電界発光素子の初期輝度を1000cd/mとした際に、初期輝度の80%までの輝度減衰時間を、後掲の比較例1の値で規格化した規格化70%駆動寿命を表1に示す。表1に示す如く、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いることで、長寿命な素子が得られた。 When the initial luminance of the obtained organic electroluminescent element was set to 1000 cd / m 2 , the normalized 70% driving life in which the luminance decay time up to 80% of the initial luminance was normalized with the value of Comparative Example 1 described later. Is shown in Table 1. As shown in Table 1, by using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, an element having a long lifetime was obtained.

[比較例1]
正孔輸送層4を形成するに当たり、正孔輸送性ポリマーとして、合成例2で得られたPd含有量45ppmの比較例の架橋性重合体(H3−B)を用いる以外、実施例1と同様にして、有機電界発光素子を作製し、同様に駆動寿命の測定を行った。
[Comparative Example 1]
In forming the hole transport layer 4 , the same as Example 1 except that the crosslinkable polymer (H3-B) of Comparative Example having a Pd content of 45 ppm obtained in Synthesis Example 2 was used as the hole transport polymer. Thus, an organic electroluminescent element was produced, and the driving life was measured in the same manner.

その結果、駆動寿命は表1に示す通り、実施例1よりも著しく短かった。   As a result, the drive life was significantly shorter than that of Example 1 as shown in Table 1.

Figure 0005182133
Figure 0005182133

1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 電子注入層
9 陰極
10 有機電界発光素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Hole injection layer 4 Hole transport layer 5 Light emitting layer 6 Hole blocking layer 7 Electron transport layer 8 Electron injection layer 9 Cathode 10 Organic electroluminescent device

Claims (10)

ポリアリールアミン誘導体系ポリマーと、該ポリマーに対して200〜1000ppmの遷移金属とを含有することを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。   A composition for an organic electroluminescent device, comprising a polyarylamine derivative-based polymer and 200 to 1000 ppm of a transition metal based on the polymer. ポリアリールアミン誘導体系ポリマーが、電荷輸送性ポリマーであることを特徴とする、請求項1に記載の有機電界発光素子用組成物。   The composition for organic electroluminescent elements according to claim 1, wherein the polyarylamine derivative polymer is a charge transporting polymer. ポリアールアミン誘導体系ポリマーが、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体からなる正孔輸送性化合物であることを特徴とする、請求項2に記載の有機電界発光素子用組成物。 Polya Li Ruamin derivative-based polymer, characterized in that it is a hole transporting compound comprising a polymer containing a repeating unit having a crosslinking group, the composition for organic electroluminescence element according to claim 2. さらに溶剤を含有することを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の有機電界発光素子用組成物。   Furthermore, a solvent is contained, The composition for organic electroluminescent elements of any one of Claim 1 thru | or 3 characterized by the above-mentioned. 遷移金属が、銅またはパラジウムであることを特徴とする、請求項1ないし4のいずれか1項に記載の有機電界発光素子用組成物。   The composition for organic electroluminescent elements according to any one of claims 1 to 4, wherein the transition metal is copper or palladium. 陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層が請求項1ないし5のいずれか1項に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層であることを特徴とする、有機電界発光素子。   An organic electroluminescence device having an anode, a cathode, and an organic layer provided between the two electrodes, wherein the organic layer uses the composition for an organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 5. An organic electroluminescent element, characterized in that the organic electroluminescent element is a layer formed. 陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層として、ポリアールアミン誘導体系ポリマーと該ポリマーに対して200〜1000ppmの遷移金属とを含有する層を有することを特徴とする、有機電界発光素子。 An anode, a cathode, and an organic electroluminescent device having an organic layer disposed between two electrodes, as organic layers, containing a transition metal of 200~1000ppm against Poria Li Ruamin derivative polymer and the polymer An organic electroluminescent device comprising a layer for forming an organic electroluminescent device. 該有機層として、さらに発光層を有し、該発光層が湿式成膜法で形成された層であることを特徴とする、請求項6または7に記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescent element according to claim 6 or 7, further comprising a light emitting layer as the organic layer, wherein the light emitting layer is a layer formed by a wet film forming method. 請求項6ないし8のいずれか1項に記載の有機電界発光素子を有することを特徴とする、有機ELディスプレイ。   An organic EL display comprising the organic electroluminescent element according to claim 6. 請求項6ないし8のいずれか1項に記載の有機電界発光素子を有することを特徴とする、有機EL照明。   An organic EL illumination comprising the organic electroluminescent element according to claim 6.
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