JP5171495B2 - Electrode material for cold cathode fluorescent lamp - Google Patents
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Description
本発明は、照明用光源や、パソコンのモニタ、液晶テレビ、カーナビゲイションシステム用の液晶ディスプレイ等のバックライト等に用いられる冷陰極蛍光ランプに好適な冷陰極蛍光ランプ用電極材料に関する。 The present invention relates to an electrode material for a cold cathode fluorescent lamp suitable for a cold cathode fluorescent lamp used for an illumination light source, a backlight of a personal computer monitor, a liquid crystal television, a liquid crystal display for a car navigation system, or the like.
冷陰極蛍光ランプは、図1に示すように、ガラス管1内に、端子2で外部に接続された電極3が両端に配置された構造をしており、このガラス管1の内面に蛍光体4を塗布するとともに、希ガスと微量の水銀からなる封入ガス5を封入して構成されている。この両端の電極3に高電界を加えて低圧の水銀蒸気中でグロー放電を発生させ、この放電により励起された水銀が紫外線を発生するとともに、この紫外線によりガラス管1内面の蛍光体4を励起して発光させるものである。ここで用いられる電極は、近年ではホローカソード効果が得られる有底円筒状に形成したものが用いられている。この場合、端子2は有底円筒状電極3の底部にろう付け等で接着される。 As shown in FIG. 1, the cold cathode fluorescent lamp has a structure in which electrodes 3 connected to the outside by terminals 2 are arranged at both ends in a glass tube 1. 4 and a sealed gas 5 composed of a rare gas and a small amount of mercury are sealed. A high electric field is applied to the electrodes 3 at both ends to generate a glow discharge in a low-pressure mercury vapor. The mercury excited by the discharge generates ultraviolet rays, and the ultraviolet rays on the inner surface of the glass tube 1 are excited by the ultraviolet rays. To emit light. In recent years, the electrodes used here are formed in a bottomed cylindrical shape capable of obtaining a hollow cathode effect. In this case, the terminal 2 is bonded to the bottom of the bottomed cylindrical electrode 3 by brazing or the like.
このような仕組みの冷陰極蛍光ランプは、近年、液晶ディスプレイのバックライト用光源として用いられている。また、最近では、液晶テレビやカーナビゲイションシステムの液晶ディスプレイ等にも適用され、ますますその需要が拡大している。さらに、1製品に使用される冷陰極蛍光ランプの本数も15インチ以下の液晶ディスプレイ等では概ね1本であるが、大型モニタやテレビ用では必要な輝度が得られないことから複数本の冷陰極蛍光ランプが使用されている。このような冷陰極蛍光ランプは、特に、大画面・高解像度が求められる液晶テレビや、高信頼性が要求される医療用・産業用液晶ディスプレイ等においては、高輝度化が重要となっている。また、光学シートの削減やバックライトユニットの使用部品点数の削減の観点からも、高輝度化が強く求められている。 In recent years, the cold cathode fluorescent lamp having such a structure has been used as a light source for backlight of a liquid crystal display. In recent years, it has been applied to liquid crystal televisions and liquid crystal displays for car navigation systems, and the demand for the liquid crystal displays is increasing. Furthermore, the number of cold cathode fluorescent lamps used in one product is approximately one for a liquid crystal display or the like of 15 inches or less, but a plurality of cold cathodes cannot be obtained because the required brightness cannot be obtained for large monitors and televisions. A fluorescent lamp is used. In such cold cathode fluorescent lamps, it is important to increase the brightness particularly in liquid crystal televisions that require a large screen and high resolution, and medical and industrial liquid crystal displays that require high reliability. . Further, from the viewpoint of reducing the number of optical sheets and the number of parts used in the backlight unit, higher brightness is strongly demanded.
冷陰極蛍光ランプの高輝度化のためには、電極の電子放出量を増加させるために(1)放電電流を大きくすることや、(2)管内ガス圧を低くする必要がある。放電電流が6mA程度の比較的低い場合は、冷陰極蛍光ランプ用の電極材料として加工が容易で安価なNiが従来用いられてきた。Ni電極は、放電電流を10mA程度まで上昇させると管内の気体イオンにより容易にスパッタされるため電極の損耗が大きい。このため、放電電流を大きくすると、電極や冷陰極蛍光ランプに穴が空いて冷陰極蛍光ランプの寿命が短くなるという問題が生じる。このような状況の下、耐スパッタ性の高いW基地中に耐スパッタ性が高く仕事関数の低いWCを分散させた冷陰極蛍光ランプ用電極が特許文献1において開示されている。特許文献1に記載の冷陰極蛍光ランプ用電極によると、10mA程度の放電電流の下でも電極の損耗が抑制され、高輝度化に対応した冷陰極蛍光ランプが得られる。 In order to increase the brightness of the cold cathode fluorescent lamp, it is necessary to (1) increase the discharge current and (2) reduce the gas pressure in the tube in order to increase the amount of electron emission from the electrode. When the discharge current is relatively low, such as about 6 mA, Ni that has been easily processed and inexpensive has been conventionally used as an electrode material for a cold cathode fluorescent lamp. Since the Ni electrode is easily sputtered by the gas ions in the tube when the discharge current is increased to about 10 mA, the electrode wears greatly. For this reason, when the discharge current is increased, there arises a problem that a hole is formed in the electrode or the cold cathode fluorescent lamp and the life of the cold cathode fluorescent lamp is shortened. Under such circumstances, Patent Document 1 discloses an electrode for a cold cathode fluorescent lamp in which WC having high sputtering resistance and low work function is dispersed in a W base having high sputtering resistance. According to the electrode for a cold cathode fluorescent lamp described in Patent Document 1, wear of the electrode is suppressed even under a discharge current of about 10 mA, and a cold cathode fluorescent lamp corresponding to high luminance can be obtained.
しかしながら、近年では、機器のコスト低減が求められており、放電電流を20mA程度まで増加させることにより冷陰極蛍光ランプをよりいっそう高輝度化させて、機器に使用するランプの本数を低減する試みがなされている。このような高い放電電流の下では、特許文献1等に記載の冷陰極蛍光ランプ用電極を用いた冷陰極蛍光ランプにおいては、電極の損耗量は抑制されているもののスパッタが僅かに起こり、これに伴い管内のアルゴンガスが消費されて不点灯に至る。これは、W等の耐スパッタ性の高い元素を用いた場合に起きる特有の現象であり、1〜数原子単位でスパッタされた原子が管内のアルゴンガスを巻き込みながら堆積することにより生じる。なお、Niを電極に用いた場合は、10〜100原子程度の塊でスパッタされ、W等のスパッタ原子に比べて比表面積が小さくなるため管内のアルゴンガスを枯渇し難い。 However, in recent years, there has been a demand for reducing the cost of equipment, and attempts have been made to further increase the brightness of cold cathode fluorescent lamps by increasing the discharge current to about 20 mA, thereby reducing the number of lamps used in the equipment. Has been made. Under such a high discharge current, in the cold cathode fluorescent lamp using the cold cathode fluorescent lamp electrode described in Patent Document 1, etc., although the amount of wear of the electrode is suppressed, a slight amount of sputtering occurs. As a result, the argon gas in the tube is consumed, leading to non-lighting. This is a peculiar phenomenon that occurs when an element having high sputtering resistance such as W is used, and is generated when atoms sputtered in units of one to several atoms are deposited while involving argon gas in the tube. When Ni is used for the electrode, it is sputtered in a lump of about 10 to 100 atoms, and the specific surface area is smaller than that of sputtered atoms such as W, so that it is difficult to exhaust the argon gas in the tube.
そこで、本発明は、放電電流を20mA程度まで増加させても管内のアルゴンガスの枯渇が生じ難い冷陰極蛍光ランプ用電極材料を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide an electrode material for a cold cathode fluorescent lamp which is unlikely to be depleted of argon gas in the tube even when the discharge current is increased to about 20 mA.
本発明の冷陰極蛍光ランプ用電極材料は、WBが50体積%以上、Ni、Ni合金、Coのうちの少なくとも1種が0.8体積%以上であり、残部がWとWCのうちの少なくとも1種と不可避不純物からなる組成であることを特徴とし、好ましくはWおよび/またはWCは5体積%以下であることを特徴としている。また、最良の態様として、WおよびWCを含有せず、WBが50〜99.2体積%であり、残部がNi、Ni合金、Coのうちの少なくとも1種と不可避不純物からなる組成であることを特徴としている。これらの本発明の冷陰極蛍光ランプ用電極材料においては、焼結により密度比が80%以上となることが好ましい。 In the electrode material for a cold cathode fluorescent lamp of the present invention, WB is 50% by volume or more, at least one of Ni, Ni alloy, and Co is 0.8% by volume or more, and the balance is at least of W and WC. It is characterized by a composition comprising one kind and inevitable impurities, and preferably W and / or WC is 5% by volume or less. Further, as the best mode, it does not contain W and WC, WB is 50 to 99.2% by volume, and the balance is a composition composed of at least one of Ni, Ni alloy, Co and inevitable impurities. It is characterized by. In these electrode materials for cold cathode fluorescent lamps of the present invention, the density ratio is preferably 80% or more by sintering.
本発明の冷陰極蛍光ランプ用電極材料では、共有結合を有する結合エネルギーの高いWBを用いている。このため、本発明の電極材料からなる電極は、共有結合を有していないW等を用いた従来の電極よりも耐スパッタ性が高くなり損耗し難くなるため、電極のスパッタ量が低減されてスパッタに伴って起きる管内のガスの枯渇が抑制される。したがって、本発明の冷陰極蛍光ランプ用電極材料によれば、放電電流を20mA程度まで増加させても損耗が少なく管内のガスを枯渇し難い電極が得られ、電極の製品寿命を向上することができる。 In the electrode material for a cold cathode fluorescent lamp of the present invention, WB having a covalent bond and high binding energy is used. For this reason, the electrode made of the electrode material of the present invention has higher sputter resistance and less wear than conventional electrodes using W or the like that do not have a covalent bond, so that the amount of sputtering of the electrode is reduced. The exhaustion of gas in the tube caused by sputtering is suppressed. Therefore, according to the electrode material for a cold cathode fluorescent lamp of the present invention, even when the discharge current is increased to about 20 mA, an electrode that is less worn and hardly exhausts the gas in the tube can be obtained, and the product life of the electrode can be improved. it can.
本発明の冷陰極蛍光ランプ用電極材料においては、耐スパッタ性を向上させるため、共有結合により高い結合エネルギーを有するWBを主に用いている。WCも共有結合であるものの結合エネルギーがWBに比して低く、比較的スパッタされ易い。その点WBは結合エネルギーが高くスパッタされ難い。WBは粉末の形態で使用し、WBを含有する粉末を焼結することで冷陰極蛍光ランプ用電極を得る。得られる冷陰極蛍光ランプ用電極は、原料が金属粉末であることに由来する気孔と凹凸を表面に有し、圧延板からの打ち抜き−深絞りにより造形したものに比して表面積が大きいため、電子放出性が向上する。なお、電極の密度が80%以上では、電極を外部に接続するために電極に端子を接合する際に必要な熱的・機械的強度が得られるため、本発明の冷陰極蛍光ランプ用電極材料は、焼結により密度比が80%以上となる組成であることが望ましい。 In the electrode material for a cold cathode fluorescent lamp of the present invention, in order to improve the sputtering resistance, WB having a high binding energy by a covalent bond is mainly used. Although WC is also a covalent bond, its binding energy is lower than that of WB, and it is relatively easily sputtered. At that point, WB has high binding energy and is difficult to be sputtered. WB is used in the form of a powder, and a cold cathode fluorescent lamp electrode is obtained by sintering a powder containing WB. The resulting cold cathode fluorescent lamp electrode has pores and irregularities derived from the fact that the raw material is a metal powder on the surface, and has a larger surface area than that formed by punching from a rolled plate-deep drawing, Electron emission properties are improved. When the electrode density is 80% or more, the thermal / mechanical strength necessary for joining the terminal to the electrode in order to connect the electrode to the outside can be obtained. Therefore, the electrode material for the cold cathode fluorescent lamp of the present invention The composition preferably has a density ratio of 80% or more by sintering.
本発明においては、WB粉末に低融点のNiを添加することにより、電極の放電特性および耐スパッタ性をほとんど低下させずに、焼結温度を低下させることが可能となる。Niは、粉末の形態で添加することが簡便である。特にNi粉末は焼結を活性化させる作用を有し、焼結を促進させて焼結体を緻密化させる効果を有する。さらに、電極を外部に接続するために電極に端子を接合する際、Niは電極の熱的・機械的破損を抑制する。最少のNi粉末添加量は0.8体積%程度であり、それ以下では、1300℃付近で焼結を行った場合に80%以上の密度を有する焼結体が得られないため好ましくない。Ni粒子はWB粒子の隙間に存在することになるが、耐スパッタ性の低いNi粒子が優先的にスパッタされるため、放電が進むにつれて耐スパッタ性の高いWB粒子が残って表面を覆うようになる。したがって、Niは放電初期のみスパッタされ、Niのさらなるスパッタは抑制されると考えられる。また、残されたWBにより比表面積が大きくなるため電子放出性が大きくなる。ただし、Ni量が増加するとWBの割合が小さくなり、Ni粒子に衝突するガスイオンの数が増大し、Niのスパッタ量が増加して電極の寿命が短くなる。特に、Niの含有量が50体積%を超えると、WBによる耐スパッタ性向上効果が効果的に得られなくなる。以上のことから、Niの添加量は0.8〜50体積%の範囲であることが望ましい。 In the present invention, by adding Ni having a low melting point to the WB powder, the sintering temperature can be lowered without substantially reducing the discharge characteristics and sputtering resistance of the electrode. Ni is easy to add in the form of a powder. In particular, the Ni powder has an action of activating the sintering, and has an effect of promoting the sintering and densifying the sintered body. Furthermore, when joining a terminal to an electrode in order to connect the electrode to the outside, Ni suppresses thermal and mechanical damage of the electrode. The minimum amount of Ni powder added is about 0.8% by volume, and below that, it is not preferable because a sintered body having a density of 80% or more cannot be obtained when sintering is performed at around 1300 ° C. Ni particles are present in the gaps between the WB particles, but Ni particles with low spatter resistance are preferentially sputtered, so that WB particles with high spatter resistance remain and cover the surface as discharge progresses. Become. Therefore, it is considered that Ni is sputtered only at the initial stage of discharge, and further sputtering of Ni is suppressed. Further, since the specific surface area is increased by the remaining WB, the electron emission property is increased. However, as the amount of Ni increases, the proportion of WB decreases, the number of gas ions colliding with Ni particles increases, the amount of Ni sputtering increases, and the life of the electrode is shortened. In particular, when the Ni content exceeds 50% by volume, the effect of improving the sputtering resistance by WB cannot be obtained effectively. From the above, the amount of Ni added is desirably in the range of 0.8 to 50% by volume.
なお、Ni以外にNi合金やCoを添加して用いても同様な効果が得られる。このとき、これらの添加量が0.8体積%未満であると焼結による緻密化の効果が小さくなり、密度比が80%以上の電極が得られなくなる。一方、これらの添加量が50体積%を超えるとWBによる耐スパッタ性の向上効果が小さくなり、電極の耐スパッタ性が低下する。このため、Ni、Ni合金、またはCoのうちの少なくとも1種を0.8〜50体積%の範囲で粉末の形態でWBに添加する。 The same effect can be obtained even if Ni alloy or Co is used in addition to Ni. At this time, if the amount of addition is less than 0.8% by volume, the effect of densification by sintering is reduced, and an electrode having a density ratio of 80% or more cannot be obtained. On the other hand, when the added amount exceeds 50% by volume, the effect of improving the sputtering resistance by WB is reduced, and the sputtering resistance of the electrode is lowered. Therefore, at least one of Ni, Ni alloy, and Co is added to WB in the form of powder in the range of 0.8 to 50% by volume.
さらに、本発明においては、上記のWBを従来のWとWCのうちの少なくとも1種に添加して用いることもできる。しかしながら、従来のWやWCはスパッタされ易いものであるから、20mA程度の放電電流の下で良好な耐スパッタ性を得るためには、Wおよび/またはWCの含有量は5体積%以下とすることが好ましい。 Furthermore, in the present invention, the above WB can be added to at least one of conventional W and WC. However, since conventional W and WC are easily sputtered, the content of W and / or WC is 5% by volume or less in order to obtain good sputtering resistance under a discharge current of about 20 mA. It is preferable.
また、本発明の冷陰極蛍光ランプ用電極は、従来公知の方法により製造することができるが、例えば、原料粉末に通常の押型法で与える以上の多量のバインダー等を与えた原料を用いて押型成形する方法により、好適に製造することができる。以下、この方法による製造工程について具体的に説明する。 In addition, the cold cathode fluorescent lamp electrode of the present invention can be produced by a conventionally known method. For example, a mold using a raw material in which a raw material powder is provided with a larger amount of binder or the like than that provided by a normal pressing method is used. It can manufacture suitably by the method to shape | mold. Hereinafter, the manufacturing process by this method will be specifically described.
上記のような製造方法では、微小な金型を用い、この金型の隙間にWB粉末を含有する金属粉末を流動させることが求められるため、金属粉末をタップした時の空隙率以上のバインダーを金属粉末に添加し混練することが好ましい。バインダーの添加量としては、40体積%以上が好適である。バインダー量が40体積%に満たないと、原料の流動性が不十分となり、均一な金属粉末の充填が行えなくなる。一方、60体積%を超えてバインダーを添加すると、後の脱バインダー工程が長時間となって製造コストの増加を招くこととなる。また、成形体中に過剰なバインダー分を含むため、かえって金属粉末の均一な充填が行えなくなるとともに、脱バインダー工程および焼結工程における形状安定性が損なわれて、型くずれが生じやすくなる。したがって、バインダーの添加量は40〜60体積%であることが好ましい。 In the manufacturing method as described above, it is required to flow a metal powder containing a WB powder in a gap between the molds, so that a binder having a porosity higher than that when tapping the metal powder is used. It is preferable to add to the metal powder and knead. The amount of the binder added is preferably 40% by volume or more. If the amount of the binder is less than 40% by volume, the fluidity of the raw material becomes insufficient and uniform metal powder filling cannot be performed. On the other hand, if the binder is added in excess of 60% by volume, the subsequent debinding process takes a long time and causes an increase in production cost. In addition, since the molded body contains an excessive amount of binder, the metal powder cannot be uniformly filled, and shape stability in the debinding process and the sintering process is impaired, and the mold is likely to be deformed. Therefore, it is preferable that the addition amount of a binder is 40-60 volume%.
このようなバインダーは、熱可塑性樹脂とワックスからなるとさらに好適である。熱可塑性樹脂は、原料に可塑性を付与するために用いられ、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアセタール、ポリエチレンビニルアセテート等が用いられる。ワックスは原料、特に金属粉末と金型(ダイスおよびパンチを含む)との間の金属接触を防止して加圧成形時に金属粉末の均一な流動を実現するとともに、抜き出し時の成形体と金型間の摩擦を低減して抜き出しやすくするために添加され、パラフィンワックス、ウレタンワックス、カルナバワックス等が用いられる。このような作用を有する熱可塑性樹脂とワックスは、20:80〜60:40の範囲で構成すると好適なバインダーとなる。 Such a binder is more preferably composed of a thermoplastic resin and a wax. The thermoplastic resin is used for imparting plasticity to the raw material, and polystyrene, polyethylene, polypropylene, polyacetal, polyethylene vinyl acetate, and the like are used. Wax prevents metal contact between raw materials, especially metal powder and molds (including dies and punches) to achieve uniform flow of metal powder during pressure molding, and molded body and mold during extraction It is added in order to reduce the friction between them and facilitate extraction, and paraffin wax, urethane wax, carnauba wax and the like are used. The thermoplastic resin and wax having such an action are suitable binders when configured in the range of 20:80 to 60:40.
上記のバインダーを上記のWB粉末を含有する金属粉末に添加し混練することで原料Mが得られる。この原料Mを図2(a)〜(f)に示す金型によって成形する。まず、所定量の原料Mをダイ14の型孔14a内に充填した後(図2(a))、図2(b),(c)に示すように、型孔14a内の原料を電極形状成形体の底部を形成する第1パンチ11と、電極形状成形体の内径部を形成する第2パンチ12と、電極形状成形体の開口端面を加圧する第3パンチ13とを用い、第1パンチ11をダイ14に対して固定し、かつ、第2パンチ12を原料に押し込むように加圧するとともに、第3パンチ13により原料に背圧を加えながら成形する。得られた電極形状成形体15を抜き出すには、まず、第1パンチ11、第2パンチ12および第3パンチ13を電極形状成形体15とともにダイ14から上方へ抜き出し(図2(d))、次いで、第2パンチ12を電極形状成形体15から上方へ抜き出す(e)。次いで、第2、第3パンチ12,13を上昇させて電極形状成形体15から離間させる(f)。なお、図2(b),(c)に記載したものは、後方押し出しによる成形であるが、第1パンチ11を上昇させて前方押し出しとしてもかまわない。ただし、いずれの場合も第3パンチ13により原料に背圧を加えながら成形すると、電極形状成形体の端部の高さが均一に成形できるとともに、原料の密度が成形体中で均一となるため好ましい。
The raw material M is obtained by adding and kneading the binder to the metal powder containing the WB powder. This raw material M is formed by a mold shown in FIGS. First, after a predetermined amount of raw material M is filled in the
上記の成形工程において、原料は流動して微小な金型の隙間を充填する必要があることから、原料は加圧に先立ちバインダーに含まれる熱可塑性樹脂の軟化点以上の温度に加熱されている必要がある。加熱なし、あるいは加熱しても熱可塑性樹脂の軟化点に満たない温度であれば、原料の流動性が乏しく、原料を微小な金型の隙間に均一かつ緻密に充填することができない。また、原料の流動性が最大となる熱可塑性樹脂の融点以上の温度に加熱するとより好ましい。この加熱は金型内部にヒータを設置する等して、原料を金型に充填した後に加熱してもよく、原料を予め加熱して供給してもよい。 In the above molding step, since the raw material needs to flow and fill the gaps in the minute mold, the raw material is heated to a temperature equal to or higher than the softening point of the thermoplastic resin contained in the binder prior to pressurization. There is a need. If the temperature is not heated, or even if heated, the temperature does not reach the softening point of the thermoplastic resin, the flowability of the raw material is poor, and the raw material cannot be uniformly and densely filled in the gaps of the minute mold. Moreover, it is more preferable to heat to a temperature equal to or higher than the melting point of the thermoplastic resin that maximizes the fluidity of the raw material. This heating may be performed after a raw material is filled in the mold by installing a heater inside the mold, or the raw material may be heated and supplied in advance.
原料は、一般の押型法で扱えるように、ある程度の大きさの造粒粉末として、フィーダ(粉箱)等の粉末供給装置による充填方法を用いて供給してもよい。しかしながら、目標とする冷陰極蛍光ランプ用電極を成形するための押型の型孔が微小であるため、一般の押型法で用いる粉末供給装置に適した粉末の大きさに造粒すると均一かつ緻密に造粒粉末を充填することが難しい。一方、造粒粉末の粒径を小さくすると、原料粉末の流動性が低下することとなり、好適な大きさの造粒粉末に調整することが難しい。このため原料は図2(a)に示すように、1回の充填量に相当する量を、型孔に入る大きさの1個のペレットとしてまとめておき、ペレット単位で原料を供給することが好ましい。また原料をペレット単位で供給する場合、原料を予め加熱しておいても供給が容易であるため、この点からも好ましい。 The raw material may be supplied as a granulated powder of a certain size so as to be handled by a general stamping method using a filling method using a powder supply device such as a feeder (powder box). However, since the mold cavity of the mold for forming the target cold cathode fluorescent lamp electrode is very small, it is uniform and dense when granulated to a powder size suitable for a powder feeder used in a general mold method. It is difficult to fill the granulated powder. On the other hand, when the particle size of the granulated powder is reduced, the fluidity of the raw material powder is lowered, and it is difficult to adjust the granulated powder to a suitable size. For this reason, as shown in FIG. 2 (a), the raw material is packed in a single pellet of a size that fits into the mold cavity, and the raw material is supplied in pellet units. preferable. Moreover, when supplying a raw material by a pellet unit, since supply is easy even if it heats a raw material previously, it is preferable also from this point.
上記のようにして得られた電極形状成形体は、バインダー成分が40〜60体積%含まれるため、これを除去するため電極形状成形体をバインダー成分の熱分解温度に加熱して脱バインダー工程を行う。バインダーは、熱可塑性樹脂とワックスからなるが、熱可塑性樹脂およびワックスの熱分解温度近傍の昇温速度が速いと、熱可塑性樹脂およびワックスが急激にガス化して膨張し、成形体の型くずれを引き起こすので、少なくとも熱可塑性樹脂およびワックスの熱分解温度近傍の昇温はゆっくり行う必要がある。この観点から脱バインダー工程は、第1段階としてワックスの昇華温度近辺で一旦保持してバインダー成分中のワックス分を除去した後、第2段階として熱可塑性樹脂の熱分解温度近辺で再度保持して熱可塑性樹脂分を除去する、2段階の加熱保持工程とすることが好ましい。また、熱分解にともなうガス発生を徐々に行うため、熱可塑性樹脂およびワックスは熱分解温度の異なる複数のものを配合して用いることが好ましい。 Since the electrode-shaped molded body obtained as described above contains 40-60% by volume of the binder component, the electrode-shaped molded body is heated to the thermal decomposition temperature of the binder component in order to remove the binder component. Do. The binder is composed of a thermoplastic resin and a wax. However, if the temperature rise rate near the thermal decomposition temperature of the thermoplastic resin and the wax is high, the thermoplastic resin and the wax are rapidly gasified to expand and cause the molded product to lose its shape. Therefore, it is necessary to slowly increase the temperature at least near the thermal decomposition temperature of the thermoplastic resin and wax. From this point of view, the debinding step is temporarily held near the sublimation temperature of the wax as the first stage to remove the wax content in the binder component, and then held again near the thermal decomposition temperature of the thermoplastic resin as the second stage. It is preferable to use a two-stage heating and holding step for removing the thermoplastic resin component. Further, in order to gradually generate gas accompanying thermal decomposition, it is preferable to mix and use a plurality of thermoplastic resins and waxes having different thermal decomposition temperatures.
ただし、この工程において全てのバインダー成分が除去されると、その時点では金属粉末どうしの結合が始まっていないため角部等の金属粉末が脱落する。したがって、バインダー成分のごく一部は残留させる必要がある。残留させたバインダー成分は、後述するように焼結体に残留し、残留したバインダー成分に含まれるCが含有成分となる。したがって、Cの含有量を測定することにより、残留したバインダーの量を同定することができる。焼結体中に残留するC量が0.01質量%に満たない場合は、残留するバインダー成分が乏しく金属粉末の脱落が生じる。このため、焼結体中のC量が0.01質量%以上となるようバインダー成分を残留させる必要がある。一方、焼結体中のC量の上限は0.5質量%とする必要がある。このようなC量の調整は、例えば上記2段階の加熱保持工程における保持時間を調整することにより制御することができ、各々の段階での保持時間を30〜180分の範囲とすることで達成することができる。 However, when all the binder components are removed in this step, the metal powders such as the corners fall off because the bonding between the metal powders has not started at that time. Therefore, a very small part of the binder component needs to remain. The remaining binder component remains in the sintered body as will be described later, and C contained in the remaining binder component becomes a contained component. Therefore, by measuring the C content, the amount of the remaining binder can be identified. When the amount of C remaining in the sintered body is less than 0.01% by mass, the remaining binder component is insufficient and the metal powder falls off. For this reason, it is necessary to make a binder component remain so that C amount in a sintered compact may be 0.01 mass% or more. On the other hand, the upper limit of the amount of C in the sintered body needs to be 0.5% by mass. Such adjustment of the amount of C can be controlled, for example, by adjusting the holding time in the two-stage heating and holding process, and is achieved by setting the holding time in each stage to a range of 30 to 180 minutes. can do.
上記のバインダーの除去を行った後の電極形状成形体では、金属粉末どうしは未だ拡散しておらず、金属的に結合していない状態であり、極めて脆いものである。そこで金属粉末どうしを金属的に拡散結合させるため焼結を行う。焼結温度は1500℃以上が適当である。なお、NiまたはNi合金を含有した態様においては、焼結温度は1300℃以上が好ましい。焼結工程では、金属粉末として上記のように微細でかつ凹凸の少ないものを用いていることから金属粉末の接触面積が大きく、そのため焼結による緻密化が進行しやすく、上記温度で密度比が80%以上の緻密な焼結体が得られる。しかしながら、焼結温度が上記温度を下回ると焼結による緻密化が進行せず、低密度かつ強度の低い焼結体しか得られなくなる。一方、焼結温度が1800℃を超えると炉の損耗が激しくなるため、焼結温度上限は上記の温度とすることが望ましい。焼結雰囲気は、酸素あるいは炭素を含有すると金属粉末表面が酸化あるいは炭化して焼結が進行しにくくなるため、これらを含有しない不活性ガス、水素ガスあるいは真空雰囲気(減圧雰囲気)を用いる必要がある。 In the electrode-shaped molded body after the binder is removed, the metal powders are not yet diffused and are not metallicly bonded, and are extremely brittle. Therefore, sintering is performed in order to diffusely bond metal powders in a metallic manner. The sintering temperature is suitably 1500 ° C. or higher. In the embodiment containing Ni or Ni alloy, the sintering temperature is preferably 1300 ° C. or higher. In the sintering process, since the metal powder is fine and has less unevenness as described above, the contact area of the metal powder is large, so that densification by sintering is likely to proceed, and the density ratio is increased at the above temperature. A dense sintered body of 80% or more can be obtained. However, if the sintering temperature is lower than the above temperature, densification by sintering does not proceed, and only a sintered body with low density and low strength can be obtained. On the other hand, if the sintering temperature exceeds 1800 ° C., the furnace will be worn away. Therefore, the upper limit of the sintering temperature is preferably set to the above temperature. If the sintering atmosphere contains oxygen or carbon, the surface of the metal powder is oxidized or carbonized, making it difficult for the sintering to proceed. Therefore, it is necessary to use an inert gas, hydrogen gas or a vacuum atmosphere (reduced pressure atmosphere) that does not contain these. is there.
WB、Ni、Co、NiB、およびWの粉末を用意し、表1に示す割合で配合、混練して原料を調製し、さらにバインダーとしてポリアセタール(軟化点:110℃、融点:180℃)とパラフィンワックス(軟化点:39℃、融点61℃)を4:6の比で混合したものを添加して、ペレットに形成した。このペレットを200℃に加熱し、予め140℃に加熱した金型に供給して圧粉成形を行い、40℃に冷却した後、抜き出しを行って有底円筒の電極形状の圧粉体を作製した。得られた圧粉体を250℃まで加熱して120分間保持した後、さらに昇温し450℃で120分間保持して脱バインダーを行った。次いで、アルゴンガス雰囲気中、1350℃において60分保持して焼結を行った。得られた焼結体を電極として用いて冷陰極蛍光ランプを組み立て、アルゴンガスおよびネオンガスを封入して、放電電圧DC3kV、放電電流15mA、電極間距離50mmとして電極にスパッタ放電を連続して与え、アルゴンガスが枯渇するまでの時間を測定した。また、アルゴンガスが枯渇した時点における電極のスパッタ量を、ランプ内に付着した堆積物の重量より求めた。また、比較としてNi100%の電極、および主にWからなる電極を同様に作製し、上記と同様に試験を行った結果を表1に伴わせて示す。アルゴンガスが枯渇するまでの時間および電極のスパッタ量は、ニッケル100%の電極の場合を100として、ガス枯渇指数および耐スパッタ指数として評価した。なお、焼結性の評価として、ニッケル100%の電極の場合を100として各試料の密度比を求めた。これらの結果を表1に示す。 Prepare powders of WB, Ni, Co, NiB, and W, and blend and knead them in the proportions shown in Table 1 to prepare raw materials. Further, polyacetal (softening point: 110 ° C., melting point: 180 ° C.) and paraffin as binders A mixture of waxes (softening point: 39 ° C., melting point 61 ° C.) in a ratio of 4: 6 was added to form pellets. This pellet is heated to 200 ° C., supplied to a mold heated in advance to 140 ° C., compacted, cooled to 40 ° C., and then extracted to produce a bottomed cylindrical electrode compact. did. The obtained green compact was heated to 250 ° C. and held for 120 minutes, and then further heated and held at 450 ° C. for 120 minutes to remove the binder. Subsequently, sintering was performed by holding at 1350 ° C. for 60 minutes in an argon gas atmosphere. Using the obtained sintered body as an electrode, a cold cathode fluorescent lamp was assembled, and argon gas and neon gas were sealed, and a sputter discharge was continuously applied to the electrodes with a discharge voltage of DC 3 kV, a discharge current of 15 mA, and a distance between the electrodes of 50 mm, The time until the argon gas was exhausted was measured. Further, the sputtering amount of the electrode at the time when the argon gas was exhausted was obtained from the weight of the deposit adhered in the lamp. For comparison, an electrode made of 100% Ni and an electrode mainly made of W were produced in the same manner, and the results of tests performed in the same manner as described above are shown in Table 1. The time until the argon gas was exhausted and the sputtering amount of the electrode were evaluated as a gas depletion index and a sputtering resistance index, assuming that the case of an electrode made of 100% nickel was 100. In addition, as evaluation of sinterability, the density ratio of each sample was calculated | required by setting the case of a 100% nickel electrode to 100. These results are shown in Table 1.
表1において、ガス枯渇指数および耐スパッタ指数が高いほどガスを枯渇しにくくスパッタされ難い良好な電極であることを示す。また、密度比が80%以上かつ耐スパッタ指数およびガス枯渇指数が優れているものを「○」、密度比は80%以上であるが、スパッタ指数またはガス枯渇指数が低いものを「△」、密度比が80%未満、または耐スパッタ指数またはガス枯渇指数が著しく低いものを「×」として評価を行った。 In Table 1, it is shown that the higher the gas depletion index and the sputtering resistance index, the better the electrode which is less likely to be depleted of gas and difficult to be sputtered. Further, “◯” indicates that the density ratio is 80% or more and the sputtering resistance index and gas depletion index are excellent, and “△” indicates that the density ratio is 80% or more but the sputtering index or gas depletion index is low. Evaluation was made with a density ratio of less than 80%, or a spatter resistance index or a gas depletion index that was remarkably low.
表1の試料番号1〜6の試料は、Niの含有量を変化させ、残部をWBとして電極材料中のNi量の影響について調べたものである。WBのみからなる試料番号1の試料は、Niを含有していないため焼結性が低く、密度比が80%未満と低い。一方、Niを0.8〜70体積%含有する試料番号2〜6の試料では、Niの含有量の増加につれて焼結性が向上し、密度比は80%以上と良好な値を示している。WBを含有する試料番号2〜6の試料は、Ni100%からなる比較例1の試料と比べて耐スパッタ指数が非常に向上しており、また、主にWからなる比較例2の試料よりもガス枯渇指数が著しく向上している。このことから、WBを用いることにより耐スパッタ指数およびガス枯渇指数を非常に向上させることができることがわかる。ただし、Niの含有量が増加するとWBの割合は減少するため、Niを70体積%含有する試料番号6の試料においては、WBによる耐スパッタ性向上の効果が小さくなり、主にWからなる比較例2の試料よりも耐スパッタ指数が小さい。これらの結果から、電極材料において、Niを0.8〜50体積%の範囲で添加し、WBを50〜99.2体積%とすれば、密度比が80%以上の焼結体が得られ、耐スパッタ指数やガス枯渇指数が良好な電極が得られることが確認された。 Samples Nos. 1 to 6 in Table 1 were obtained by examining the influence of the amount of Ni in the electrode material by changing the Ni content and using the remainder as WB. The sample of sample number 1 consisting only of WB has low sinterability because it does not contain Ni, and the density ratio is as low as less than 80%. On the other hand, in the samples of sample numbers 2 to 6 containing 0.8 to 70% by volume of Ni, the sinterability is improved as the Ni content is increased, and the density ratio shows a good value of 80% or more. . Samples Nos. 2 to 6 containing WB have significantly improved anti-sputtering index as compared with the sample of Comparative Example 1 made of 100% Ni, and more than the sample of Comparative Example 2 mainly made of W. The gas depletion index is significantly improved. From this, it can be seen that the use of WB can greatly improve the spatter resistance index and the gas depletion index. However, since the ratio of WB decreases as the Ni content increases, the effect of improving the sputtering resistance by WB is reduced in the sample of Sample No. 6 containing 70% by volume of Ni. Spatter resistance index is smaller than the sample of Example 2. From these results, in the electrode material, if Ni is added in the range of 0.8 to 50% by volume and WB is set to 50 to 99.2% by volume, a sintered body having a density ratio of 80% or more can be obtained. It was confirmed that an electrode having a good sputtering resistance index and gas depletion index was obtained.
表1の試料番号7および8の試料は、Niの代わりにCoまたはNi合金(NiB)を30体積%添加した場合の、電極への影響を調べたものである。試料番号7および8の試料では、密度比は80%以上と良好であり、耐スパッタ指数やガス枯渇指数はNiを同量添加した試料番号4の場合と同程度を示している。このため、Niを添加した場合と比べ、CoまたはNi合金(NiB)を添加しても同等の効果が得られ、密度比、耐スパッタ指数、およびガス枯渇指数が同程度の焼結体が得られることが確認された。 Samples Nos. 7 and 8 in Table 1 were examined for the influence on the electrode when Co or Ni alloy (NiB) was added in an amount of 30% by volume instead of Ni. Samples Nos. 7 and 8 have a good density ratio of 80% or more, and the spatter resistance index and gas depletion index are similar to those of Sample No. 4 to which the same amount of Ni is added. Therefore, compared with the case of adding Ni, the same effect can be obtained even when Co or Ni alloy (NiB) is added, and a sintered body having the same density ratio, spatter resistance index, and gas depletion index is obtained. It was confirmed that
表1の試料番号9および10の試料は、WBおよびNiを含有する粉末にW粉末を添加してWの影響を調べたものである。Niを同量含有し、Wを含有していない試料番号4の試料と比べ、Wを5体積%含有する試料番号9の試料では、WBよりもスパッタされ易いWを含有しているため耐スパッタ指数およびガス枯渇指数が若干低下している。さらに、Wを10体積%含有する試料番号10の試料では、Wの含有量が増加したため耐スパッタ指数およびガス枯渇指数が低下し、特にガス枯渇指数は低い値を示している。したがって、WBを従来用いられているWとWCのうちの少なくとも1種に添加して用いることもできるが、この場合、Wおよび/またはWCの含有量は5体積%以下とすることが好ましい。
Samples Nos. 9 and 10 in Table 1 were obtained by adding W powder to a powder containing WB and Ni and examining the influence of W. Compared with the sample of
11…第1パンチ、12…第2パンチ、13…第3パンチ、14…金型 11 ... 1st punch, 12 ... 2nd punch, 13 ... 3rd punch, 14 ... Die
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