JP5155597B2 - Method for producing ceramic thin film - Google Patents

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Description

本発明は、緻密なセラミック薄膜の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a dense ceramic thin film.

従来、耐蝕性などの機能性を有するセラミック薄膜や、電磁気的性質、光学的性質などを与えるセラミック薄膜が開発されている。たとえば、有機錯体反応によりクエン酸錯体を作製し、共沈法、水熱法、燃焼法などによって得られたナノパーティクルを仮焼し、複合酸化物仮焼粉を得て、これを分散させたゾルを用い基材上に成膜する方法が知られている。そして、仮焼や粉末のゾル化を行うことなく、クエン酸錯体水溶液を用いて成膜する方法も知られている。また、このような方法以外にも重合体先駆物質や高分子の前駆体を用いて成膜する方法が知られている(特許文献1、特許文献2参照)。   Conventionally, ceramic thin films having functions such as corrosion resistance, and ceramic thin films that give electromagnetic properties and optical properties have been developed. For example, a citric acid complex was prepared by an organic complex reaction, and nanoparticles obtained by a coprecipitation method, a hydrothermal method, a combustion method, etc. were calcined to obtain a complex oxide calcined powder, which was dispersed. A method of forming a film on a substrate using a sol is known. And the method of forming into a film using a citric acid complex aqueous solution, without performing calcination and sol-formation of powder is also known. In addition to such a method, a method of forming a film using a polymer precursor or a polymer precursor is known (see Patent Document 1 and Patent Document 2).

たとえば、特許文献1記載のセラミック膜を作製する方法は、セラミック粉末のコロイド懸濁液および重合体先駆物質を用意し、それらを混合し、混合物を膜支持体に被覆して複合構造体を形成し、そして複合構造体を加熱して、支持体上に高密度膜を形成する。このように、多孔質の支持体上に薄いセラミック膜を作製する方法が提案されている。   For example, in the method for producing a ceramic membrane described in Patent Document 1, a colloidal suspension of ceramic powder and a polymer precursor are prepared, mixed, and the mixture is coated on a membrane support to form a composite structure. The composite structure is then heated to form a high density film on the support. Thus, a method for producing a thin ceramic film on a porous support has been proposed.

また、特許文献2記載の金属酸化膜の製造方法によれば、高分子の前駆体を用いて、多結晶の金属酸化膜でコーティングされた基板を得ることができる。特許文献2記載の方法で作製された金属酸化膜は、比較的クラックやピンホールが少なく、たとえば中間的温度固体の酸化物の燃料電池(SOFCs)の電解質、電極または、ガス分離膜の用途に使用される。一方、近年過酷な環境において耐蝕性に優れた部材が求められている。特に、緻密なセラミック部材は腐食性ガスに対する耐蝕性に優れているため、様々な場面で使用されてきた。
特開2000−128545号公報 米国特許第5494700号明細書
Moreover, according to the method for producing a metal oxide film described in Patent Document 2, a substrate coated with a polycrystalline metal oxide film can be obtained using a polymer precursor. The metal oxide film produced by the method described in Patent Document 2 has relatively few cracks and pinholes. For example, it can be used for electrolytes, electrodes, or gas separation membranes of intermediate temperature solid oxide fuel cells (SOFCs). used. On the other hand, in recent years, a member excellent in corrosion resistance in a harsh environment has been demanded. In particular, dense ceramic members have been used in various situations because they have excellent corrosion resistance against corrosive gases.
JP 2000-128545 A US Pat. No. 5,494,700

しかしながら、近年、耐蝕性に対する要求がさらに高まり、単一材料の緻密なセラミック部材でも耐触性が不十分となりつつある。そのため、さらに耐蝕性に優れた部材が研究されているが、部材の加工性が悪かったり、高価であったりする場合も多く、単に従来使用されてきた部材を耐蝕性に優れた材料の部材に置き換えればよいというものではない。   However, in recent years, the demand for corrosion resistance has further increased, and even a dense ceramic member made of a single material has become insufficient in touch resistance. For this reason, members that are further excellent in corrosion resistance have been studied, but there are many cases where the workability of the members is poor or expensive, and the members that have been used in the past are simply made into members with excellent corrosion resistance. It's not that you just have to replace it.

このような課題に対しては、従来の部材の表面に、耐蝕性の高い新たなセラミック薄膜を設けることで、加工性やコストの面で優れ、かつ耐蝕性も高い部材を作製することができる。上記の特許文献に記載されているようなセラミック薄膜を耐蝕部材のコーティングとして用いる場合には、その表面上のわずかなクラックやピンホールからも耐蝕性が低減しパーティクル等が発生する。上記のようなセラミック薄膜の製造方法では、薄膜の緻密度が十分でないために、十分な耐蝕性を得られない。   For such problems, a new ceramic thin film having high corrosion resistance is provided on the surface of a conventional member, so that a member excellent in workability and cost and having high corrosion resistance can be produced. . When a ceramic thin film as described in the above-mentioned patent document is used as a coating for a corrosion-resistant member, the corrosion resistance is reduced even from slight cracks and pinholes on the surface, and particles are generated. In the method of manufacturing a ceramic thin film as described above, sufficient corrosion resistance cannot be obtained because the density of the thin film is not sufficient.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、耐蝕性部材等に応用可能であり、表面にクラックやピンホール等がほとんどない緻密なセラミック薄膜の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and is intended to provide a method for producing a dense ceramic thin film that can be applied to a corrosion-resistant member or the like and has almost no cracks or pinholes on the surface. And

(1)上記の目的を達成するため、本発明に係るセラミック薄膜の製造方法は、被膜対象となる基材の表面に、無水クエン酸錯体溶液を用いて成膜処理する成膜工程を備えることを特徴としている。   (1) In order to achieve the above object, the method for producing a ceramic thin film according to the present invention includes a film forming step of forming a film using an anhydrous citric acid complex solution on the surface of a base material to be coated. It is characterized by.

このように、本発明のセラミック薄膜の製造方法は、金属イオンの分散性を高めた無水クエン酸錯体溶液を用いて成膜処理をすることにより、クラックやピンホールのない緻密なセラミック薄膜を作製することができる。その結果、たとえば加工性や費用の面で優れ、かつ耐蝕性の高い部材を製造することができる。   As described above, the method for producing a ceramic thin film according to the present invention produces a dense ceramic thin film free from cracks and pinholes by performing a film forming process using an anhydrous citric acid complex solution having enhanced dispersibility of metal ions. can do. As a result, for example, a member that is excellent in workability and cost and that has high corrosion resistance can be manufactured.

(2)また、本発明に係るセラミック薄膜の製造方法は、無水クエン酸錯体ゲルとアルコール溶媒とを混合することで、前記無水クエン酸錯体ゲルをエステル化し、前記無水クエン酸錯体溶液を作製する溶液作製工程を備えることを特徴としている。このように無水クエン酸錯体ゲルをエステル化することにより、金属イオンの分散性を高めた無水クエン酸錯体溶液を作製することができる。   (2) Moreover, the manufacturing method of the ceramic thin film which concerns on this invention esterifies the said anhydrous citric acid complex gel by mixing an anhydrous citric acid complex gel and alcohol solvent, and produces the said anhydrous citric acid complex solution. It is characterized by comprising a solution preparation step. By esterifying the anhydrous citrate complex gel in this way, an anhydrous citrate complex solution with improved dispersibility of metal ions can be produced.

(3)また、本発明に係るセラミック薄膜の製造方法は、金属塩とクエン酸水溶液とを混合し、前記無水クエン酸錯体ゲルを作製するゲル作製工程を備えることを特徴としている。これにより、容易に無水クエン酸錯体溶液の作製に用いる無水クエン酸錯体ゲルを作製することができる。   (3) Moreover, the manufacturing method of the ceramic thin film based on this invention is equipped with the gel preparation process which mixes a metal salt and a citric acid aqueous solution, and produces the said anhydrous citric acid complex gel. Thereby, the anhydrous citrate complex gel used for preparation of an anhydrous citrate complex solution can be produced easily.

(4)また、本発明に係るセラミック薄膜の製造方法は、前記ゲル作製工程において、少なくとも金属硝酸塩または金属塩化物のいずれか一方を前記金属塩として混合することを特徴としている。これにより、金属が化合されたネットワークを有する高分子を作製することができ、金属イオンの分散性を高めることができる。そして、分散性の向上により、緻密なセラミック薄膜を作製することができる。   (4) Moreover, the method for producing a ceramic thin film according to the present invention is characterized in that, in the gel preparation step, at least one of metal nitrate or metal chloride is mixed as the metal salt. Thereby, a polymer having a network in which metals are combined can be produced, and the dispersibility of metal ions can be improved. A dense ceramic thin film can be produced by improving the dispersibility.

(5)また、本発明に係るセラミック薄膜の製造方法は、前記ゲル作製工程において、周期律表の2〜6族元素、12〜14族元素、およびランタノイドの群から選択された一種の金属または二種以上の金属の組み合わせの塩を前記金属塩として混合することを特徴としている。このような成分を含む金属酸化膜を作製することで、耐蝕性に優れた薄膜を製造することができる。   (5) Moreover, the manufacturing method of the ceramic thin film which concerns on this invention WHEREIN: In the said gel preparation process, 1 type of metal selected from the group of 2-6 group element of a periodic table, 12-14 group element, and a lanthanoid, or A salt of a combination of two or more metals is mixed as the metal salt. By producing a metal oxide film containing such components, a thin film having excellent corrosion resistance can be produced.

(6)また、本発明に係るセラミック薄膜の製造方法は、前記成膜工程は、前記無水クエン酸錯体溶液を前記基材の表面に塗布する塗布処理と、前記塗布された無水クエン酸錯体溶液を250℃以上1100℃以下で加熱する加熱処理と、を含むことを特徴としている。このように比較的低温で熱処理して固体電解質膜を生成することで、20nm以下の結晶子を有するナノ構造を得ることができる。その結果、セラミック薄膜の緻密性を高めることができる。   (6) Further, in the method for producing a ceramic thin film according to the present invention, the film forming step includes a coating treatment in which the anhydrous citrate complex solution is applied to the surface of the substrate, and the applied anhydrous citrate complex solution. And heat treatment for heating at 250 ° C. or higher and 1100 ° C. or lower. Thus, the nanostructure which has a crystallite of 20 nm or less can be obtained by heat-processing at comparatively low temperature and producing | generating a solid electrolyte membrane. As a result, the denseness of the ceramic thin film can be increased.

本発明に係るセラミック薄膜の製造方法によれば、金属イオンの分散性を高め、クラックやピンホールのない緻密なセラミック薄膜を作製することができる。その結果、加工性や費用の面で優れ、かつ耐蝕性の高い部材等を製造することができる。   According to the method for producing a ceramic thin film according to the present invention, it is possible to improve the dispersibility of metal ions and produce a dense ceramic thin film free from cracks and pinholes. As a result, it is possible to manufacture a member having excellent workability and cost and having high corrosion resistance.

以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。また、説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, in order to facilitate understanding of the description, the same reference numerals are given to the same components in the respective drawings, and duplicate descriptions are omitted.

(セラミック薄膜の構成)
本発明に係るセラミック薄膜は、無水クエン酸錯体ゲルにアルコール溶媒を加えエステル化して得られた無水クエン酸錯体溶液を用いて作製される。作製されたセラミック薄膜は、セラミックスまたは金属の基材上に形成され、ピンホールやクラック等をほとんど有さず、極めて緻密である。
(Configuration of ceramic thin film)
The ceramic thin film according to the present invention is produced using an anhydrous citric acid complex solution obtained by esterifying an anhydrous citric acid complex gel with an alcohol solvent. The produced ceramic thin film is formed on a ceramic or metal base material, has almost no pinholes or cracks, and is extremely dense.

本発明に係るセラミック薄膜は、金属塩をもとに無水クエン酸錯体ゲルのエステル化を経て作製されるため、主に金属酸化物により形成される。セラミック薄膜は、たとえば、イットリア(Y)、アルミナ(Al)、サマリウムをドープしたセリア(SDC)、酸化ニッケル(NiO)等の金属酸化物により形成される。 Since the ceramic thin film according to the present invention is produced through esterification of an anhydrous citric acid complex gel based on a metal salt, it is mainly formed of a metal oxide. The ceramic thin film is formed of a metal oxide such as yttria (Y 2 O 3 ), alumina (Al 2 O 3 ), samarium-doped ceria (SDC), nickel oxide (NiO), or the like.

本発明に係るセラミック薄膜の膜厚は、サブμmから数百μmの範囲で調整可能である。塗布、乾燥、熱処理の各処理が行われる成膜工程を繰り返すことにより、上記の範囲で望みの厚さを形成することが可能である。セラミック薄膜の純度は、望ましくは99%以上、より好ましくは99.9%以上であり、その程度の高純度のセラミック薄膜を得ることができる。このようにセラミック薄膜の純度を高くすることで、その耐蝕性を向上させることができる。平均粒径は、10〜50nmであり、セリア薄膜については熱処理の温度を500℃〜1100℃とすることで、20nm以下の粒径を有するナノ構造を得ることができる。   The film thickness of the ceramic thin film according to the present invention can be adjusted in the range of sub μm to several hundred μm. It is possible to form a desired thickness within the above range by repeating the film forming process in which each of coating, drying, and heat treatment is performed. The purity of the ceramic thin film is desirably 99% or higher, more preferably 99.9% or higher, and a ceramic thin film having such high purity can be obtained. Thus, the corrosion resistance can be improved by increasing the purity of the ceramic thin film. An average particle diameter is 10-50 nm, and about the ceria thin film, the nanostructure which has a particle size of 20 nm or less can be obtained by making the temperature of heat processing into 500 to 1100 degreeC.

なお、上記の純度は、主成分の他に意図的にドープした微量添加物を全て主成分に含んだ総含有量の比率をいう。また、仮に意図しない他の元素の含有量が意図的にドープした微量添加物よりも多量となった場合でも、全て不純物として純度を算出する。この場合、意図しない他の元素の特性への影響の有無とは関係なく純度が決められる。また、ここでいう純度は無水クエン酸錯体の純度では無く、熱処理後のセラミック薄膜の純度である。   In addition, said purity means the ratio of the total content which included the trace amount additive intentionally doped other than the main component in the main component. Further, even when the content of other elements not intended is larger than the intentionally doped trace additive, the purity is calculated as an impurity. In this case, the purity is determined regardless of the presence or absence of unintended effects on the characteristics of other elements. The purity here is not the purity of the anhydrous citric acid complex, but the purity of the ceramic thin film after the heat treatment.

本発明に係るセラミック薄膜を作製する基材は、セラミックスまたは金属等で形成される。たとえばニッケルを複合化したセリア(NiO−CeO)、Si、Al、Al、AlN、SiC、SiO、SUS304、NiO−SDC、Al系化合物、Y、Y系化合物等の基材上にセラミック薄膜を形成することが可能である。基材には、平板等の成膜が容易な形状のものを用いることができる。成膜には溶液系の原料を用いるため、本発明の成膜方法は、他の成膜方法と比較してより複雑な形状の基材に対しても良好な成膜性を有する。セラミックスの基材は焼結体である必要はなく、CVDや溶射により成膜した膜を基材としてもよい。 The base material for producing the ceramic thin film according to the present invention is formed of ceramic or metal. For example, nickel-combined ceria (NiO—CeO 2 ), Si, Al, Al 2 O 3 , AlN, SiC, SiO 2 , SUS304, NiO—SDC, Al-based compound, Y 2 O 3 , Y-based compound, etc. It is possible to form a ceramic thin film on a substrate. As the substrate, a plate or the like having a shape that can be easily formed can be used. Since a solution-type raw material is used for film formation, the film formation method of the present invention has good film formability even on a substrate having a more complicated shape as compared with other film formation methods. The ceramic substrate need not be a sintered body, and a film formed by CVD or thermal spraying may be used as the substrate.

このように構成される基材およびその基材上に設けられるセラミック薄膜は、両者の結合した被膜部材を形成する。この被膜部材は、様々な用途に用いられる。たとえば、セラミック薄膜の材料として耐蝕性の高い金属酸化物を採用すれば、被膜部材を腐食性ガス雰囲気中で用いられる耐蝕部材に用いることができる。その場合には、耐蝕性の高い材料のみで耐蝕部材を作製するのに比較して、コストや加工上の制約を受けずにすむという有利な点がある。このような用途以外にも、セラミック薄膜は絶縁被膜された金属や、導電性被膜を形成された絶縁体や燃料電池に利用することも可能である。以下に本発明に係るセラミック薄膜の製造方法を説明する。   The base material constituted in this way and the ceramic thin film provided on the base material form a coating member in which both are combined. This coating member is used for various applications. For example, when a metal oxide having high corrosion resistance is employed as the material for the ceramic thin film, the coating member can be used as a corrosion resistant member used in a corrosive gas atmosphere. In this case, there is an advantage that it is possible to avoid the cost and processing restrictions as compared with the case where the corrosion-resistant member is manufactured using only the material having high corrosion resistance. In addition to such applications, the ceramic thin film can also be used for metals with insulating coatings, insulators with conductive coatings, and fuel cells. The method for producing a ceramic thin film according to the present invention will be described below.

(セラミック薄膜の製造方法)
図1は、本発明に係るセラミック薄膜の製造方法を示すフローチャートである。図1に示すように、まず、あらかじめ準備しておいた金属塩とクエン酸水溶液とを混合して加熱する(ステップS1)。加熱温度は、たとえば100℃〜300℃程度とする。金属塩を用いることで、三次元のネットワークを有する高分子を作製したとき、金属イオンを均一に分散させることができる。金属塩としては、たとえば硝酸セリウム、硝酸イットリウム、硝酸アルミニウム等の金属硝酸塩、塩化セリウム、塩化イットリウム、塩化アルミニウム等の金属塩化物を用いることができる。ゲル作製工程においては、周期律表の2〜6族元素、12〜14族元素、およびランタノイドの群から選択された一種の金属または二種以上の金属の組み合わせの塩を金属塩として混合するのが好ましい。このような成分を含む金属酸化膜を作製することで、耐蝕性に優れた薄膜を製造することができる。このとき、加熱により含有される水分を十分に取り除く。このような混合および加熱を行うゲル作製工程により、無水クエン酸錯体ゲルが生成される。
(Manufacturing method of ceramic thin film)
FIG. 1 is a flowchart showing a method for producing a ceramic thin film according to the present invention. As shown in FIG. 1, first, a metal salt prepared in advance and an aqueous citric acid solution are mixed and heated (step S1). The heating temperature is, for example, about 100 ° C to 300 ° C. By using a metal salt, metal ions can be uniformly dispersed when a polymer having a three-dimensional network is produced. Examples of the metal salt include metal nitrates such as cerium nitrate, yttrium nitrate, and aluminum nitrate, and metal chlorides such as cerium chloride, yttrium chloride, and aluminum chloride. In the gel preparation process, a salt of one kind of metal selected from the group of Group 2-6 elements, Group 12-14 elements and lanthanoids of the periodic table or a combination of two or more metals is mixed as a metal salt. Is preferred. By producing a metal oxide film containing such components, a thin film having excellent corrosion resistance can be produced. At this time, moisture contained by heating is sufficiently removed. An anhydrous citrate complex gel is produced | generated by the gel preparation process which performs such mixing and a heating.

次に、生成された無水クエン酸錯体ゲルにアルコール溶媒を混合し加熱する(ステップS2)。この混合および加熱による溶液作製工程で、エステル化の反応がなされ、透明な無水クエン酸錯体溶液が生成される。加熱温度は、たとえば50℃〜120℃の範囲とする。アルコール溶媒としては、たとえばエタノールまたはIPAを用いることができる。エステル化が進行することで、錯体は高分子化し、金属イオンは溶媒中に分散する。これにより、クラックやピンホールのない緻密なセラミック薄膜を作製することができる。その結果、たとえば加工性や費用の面で優れ、かつ耐蝕性の高い部材を製造することができる。また、エステル化して高分子化することで後の成膜工程において、乾燥したグリーンフィルムの強度が向上する。なお、グリーンフィルムの強度を向上させるために、アルコール溶媒とともにポリエチレングリコールを無水クエン酸錯体ゲルに混合することができる。また、ポリエチレングリコール(PEG)に代えて、エチレングリコール、ポリビニルピロリドン等を添加しても同等の効果を得ることができる。   Next, an alcohol solvent is mixed with the produced anhydrous citric acid complex gel and heated (step S2). In the solution preparation step by mixing and heating, esterification reaction is performed, and a transparent anhydrous citric acid complex solution is generated. The heating temperature is, for example, in the range of 50 ° C to 120 ° C. As the alcohol solvent, for example, ethanol or IPA can be used. As the esterification proceeds, the complex is polymerized and the metal ions are dispersed in the solvent. Thereby, a dense ceramic thin film free from cracks and pinholes can be produced. As a result, for example, a member that is excellent in workability and cost and that has high corrosion resistance can be manufactured. In addition, the strength of the dried green film is improved in the subsequent film formation step by esterifying into a polymer. In addition, in order to improve the intensity | strength of a green film, polyethyleneglycol can be mixed with anhydrous citric acid complex gel with an alcohol solvent. Further, the same effect can be obtained by adding ethylene glycol, polyvinyl pyrrolidone or the like instead of polyethylene glycol (PEG).

そして、このようにして得られた無水クエン酸錯体溶液を基材表面に塗布する(ステップS3)。塗布の方法としては、スプレー法(spraying)、ディップ法(dip),スピンコーティング法(Spin coating)、スクリーン印刷法(screen printing)等の湿式法が挙げられる。次いで、このようにして形成されたグリーンフィルムを乾燥させる(ステップS4)。乾燥は、無水クエン酸錯体溶液の性質や塗布方法を考慮して自然乾燥を選択してもよいし、温度等を管理した室内で乾燥させてもよい。   Then, the anhydrous citric acid complex solution thus obtained is applied to the substrate surface (step S3). Examples of the coating method include wet methods such as spraying, dip, dip coating, spin coating, and screen printing. Next, the green film thus formed is dried (step S4). For drying, natural drying may be selected in consideration of the properties of the anhydrous citrate complex solution and the coating method, or drying may be performed in a room where the temperature is controlled.

このようにしてグリーンフィルムが乾燥したら、乾燥して生成された膜を基材とともに炉に入れて、所定の温度で熱処理を行う(ステップS5)。この熱処理により、乾燥した膜の有機成分が燃焼し、セラミック薄膜が焼成される。熱処理の焼成温度は、250℃以上1100℃以下が好ましい。このように比較的低温で熱処理を行うことにより、セラミック薄膜内で50nm以下の結晶子が形成される。その結果、ナノ構造を有するセラミック薄膜が形成され、セラミック薄膜の緻密性が高められる。このようにして、ステップS3〜S5に示す成膜工程を進める。   When the green film is dried in this manner, the dried film is placed in a furnace together with the base material, and heat treatment is performed at a predetermined temperature (step S5). By this heat treatment, the organic component of the dried film burns and the ceramic thin film is fired. The firing temperature of the heat treatment is preferably 250 ° C. or higher and 1100 ° C. or lower. By performing heat treatment at a relatively low temperature in this way, crystallites of 50 nm or less are formed in the ceramic thin film. As a result, a ceramic thin film having a nanostructure is formed, and the denseness of the ceramic thin film is enhanced. In this way, the film forming process shown in steps S3 to S5 is performed.

熱処理を終え、セラミック薄膜が形成されたら、成膜工程を終えるか否かを判断する(ステップS6)。成膜工程を繰り返し行う場合には、ステップS3に戻り、再度、無水クエン酸溶液を形成されたセラミック薄膜上に塗布し、乾燥、熱処理を行う。成膜工程を終了する場合には、セラミック薄膜を製造するための一連の製造工程を終了する。   When the heat treatment is finished and the ceramic thin film is formed, it is determined whether or not the film forming process is finished (step S6). When the film forming process is repeatedly performed, the process returns to step S3, and the anhydrous citric acid solution is again applied onto the formed ceramic thin film, followed by drying and heat treatment. When the film forming process is completed, a series of manufacturing processes for manufacturing the ceramic thin film is completed.

(金属塩化物の準備)
上記の製造工程のために、あらかじめ金属塩化物を準備する場合には、以下のような処理を行う。まず、金属または金属の酸化物を塩酸溶液で溶解させ、余分な塩酸を取り除いて濃縮させる。そして、濃縮された溶液中に析出した塩化物結晶を取り出し、水に溶かすことで塩化物水溶液を生成することができる。
(Preparation of metal chloride)
When preparing a metal chloride in advance for the above manufacturing process, the following treatment is performed. First, a metal or metal oxide is dissolved in a hydrochloric acid solution, and excess hydrochloric acid is removed and concentrated. Then, the chloride crystals precipitated in the concentrated solution are taken out and dissolved in water, whereby an aqueous chloride solution can be generated.

たとえば、イットリアの薄膜を作製する場合には、イットリアを塩酸溶液で溶解させ、溶解させたものを濃縮させ、析出した結晶を水に溶かすことでイットリウム塩化物水溶液を生成することができる。また、セリアの薄膜を作製する場合には、セリウムを塩酸溶液で溶解させ、溶解させたものを濃縮させ、析出した結晶を水に溶かすことでセリウム塩化物水溶液を生成することができる。また、アルミナの薄膜を作製する場合には、金属アルミ板を塩酸溶液で溶解させて、同様の処理を行い、アルミ塩化物水溶液を生成することができる。   For example, when producing a thin film of yttria, an aqueous solution of yttrium chloride can be produced by dissolving yttria in a hydrochloric acid solution, concentrating the dissolved material, and dissolving the precipitated crystals in water. When a ceria thin film is prepared, an aqueous cerium chloride solution can be produced by dissolving cerium with a hydrochloric acid solution, concentrating the dissolved cerium, and dissolving the precipitated crystals in water. When an alumina thin film is produced, an aluminum chloride aqueous solution can be generated by dissolving a metal aluminum plate with a hydrochloric acid solution and performing the same treatment.

(エステル化)
上記の製造工程のうち、特に無水クエン酸錯体ゲルをエステル化する工程は本発明において重要である。この工程では、以下の式に示すように、クエン酸のカルボキシル基(COOH)とアルコール溶媒(分散用アルコールまたは結合剤PEG)のヒドロキシル基(OH)との間で脱水エステル反応が進む。その結果、透明な無水クエン酸溶液が得られる。
(Esterification)
Among the above production steps, the step of esterifying the anhydrous citrate complex gel is particularly important in the present invention. In this step, as shown in the following formula, a dehydrating ester reaction proceeds between the carboxyl group (COOH) of citric acid and the hydroxyl group (OH) of an alcohol solvent (dispersing alcohol or binder PEG). As a result, a transparent anhydrous citric acid solution is obtained.

このようにして、無水クエン酸錯体の高分子化が進行する。図2は、無水クエン酸錯体ゲルを構成する高分子を模式的に示す図である。図に示すように、金属イオンMが均一に分散した三次元ネットワークが形成される。その結果、金属イオンの分散性が向上し、セラミック膜が緻密化する。また、高分子化によりグリーンフィルムが乾燥したときの膜の強度が高まる。   In this way, polymerization of the anhydrous citrate complex proceeds. FIG. 2 is a diagram schematically showing a polymer constituting the anhydrous citrate complex gel. As shown in the figure, a three-dimensional network in which metal ions M are uniformly dispersed is formed. As a result, dispersibility of metal ions is improved and the ceramic film is densified. In addition, the strength of the film when the green film is dried is increased by the polymerization.

上記の製造工程により緻密なセラミック薄膜が得られることを実証するために実験を行った。なお、実験では、走査型電子顕微鏡(HITACHI製FE−SEM(S−4300E))、X線回折装置(Rigaku製(RotaflexRU−200B))を用いた。X線回折装置を使用する際には、CuKα線を用い、入射角θ=1.5°の条件において薄膜法で回折ピークを得た。   An experiment was conducted to demonstrate that a dense ceramic thin film can be obtained by the above manufacturing process. In the experiment, a scanning electron microscope (HITACHI FE-SEM (S-4300E)) and an X-ray diffractometer (Rigaku (Rotaflex RU-200B)) were used. When using an X-ray diffractometer, a diffraction peak was obtained by a thin film method using CuKα rays under the condition of an incident angle θ = 1.5 °.

(実験1)
まず、イットリアの薄膜をシリコンウエハ基材上に作製した。イットリウムを塩酸溶液で溶解させ、溶解させたものを濃縮させ、析出した結晶を水に溶かすことでイットリウム塩化物水溶液を生成した。0.2モル%のイットリウム塩化物水溶液に0.2モル%のクエン酸水溶液を混合した。そして、混合した水溶液を200℃に加熱し水分を取り除いた。そして、得られた無水クエン酸錯体ゲルの一部を用いて成膜を行った。一方、残った無水クエン酸錯体ゲルには、エタノールおよびポリエチレングリコールを混合し、50℃でエステル反応を進行させた。このようにして得られた無水クエン錯体溶液を用いて成膜を行った。
(Experiment 1)
First, a yttria thin film was formed on a silicon wafer substrate. Yttrium was dissolved in a hydrochloric acid solution, the dissolved one was concentrated, and the precipitated crystals were dissolved in water to produce an aqueous yttrium chloride solution. A 0.2 mol% aqueous citric acid solution was mixed with a 0.2 mol% aqueous yttrium chloride solution. And the mixed aqueous solution was heated at 200 degreeC, and the water | moisture content was removed. And it formed into a film using a part of obtained anhydrous citric acid complex gel. On the other hand, ethanol and polyethylene glycol were mixed with the remaining anhydrous citric acid complex gel, and the ester reaction was allowed to proceed at 50 ° C. Film formation was performed using the anhydrous citric complex solution thus obtained.

成膜工程では、スプレー法で無水クエン酸錯体溶液をシリコンウエハ基材の表面に塗布した。形成されたグリーンフィルムを自然乾燥させ、乾燥して生成された膜をシリコンウエハ基材とともに炉に入れて、500℃で熱処理を行った。そして、数回成膜工程を繰り返した。1回の成膜工程で、約200nmの厚さを有する膜を作製することができた。   In the film forming step, the anhydrous citric acid complex solution was applied to the surface of the silicon wafer substrate by a spray method. The formed green film was naturally dried, and the film formed by drying was placed in a furnace together with the silicon wafer substrate, and heat treatment was performed at 500 ° C. And the film-forming process was repeated several times. A film having a thickness of about 200 nm could be produced in one film formation step.

図3(a)は、無水クエン錯体溶液を用いて成膜したイットリア膜を示すSEM写真である。表面に孔が形成されておらず、イットリア膜が緻密化していることが実証された。一方、図3(b)は、エステル化を行わずに無水クエン酸錯体ゲルから形成したイットリア膜を示すSEM写真である。図3(b)に示される膜の表面には孔が形成されており、イットリア膜が十分に緻密化していないことが分かる。   FIG. 3A is an SEM photograph showing an yttria film formed using an anhydrous citric complex solution. No holes were formed on the surface, and it was demonstrated that the yttria film was densified. On the other hand, FIG.3 (b) is a SEM photograph which shows the yttria film | membrane formed from the anhydrous citric acid complex gel, without performing esterification. It can be seen that holes are formed on the surface of the film shown in FIG. 3B, and the yttria film is not sufficiently densified.

(実験2)
次に、サマリウムをドープしたセリアの薄膜をシリコンウエハ基材上に作製した。硝酸セリウム溶液および硝酸サマリウム溶液を濃度4:1の比で混合して0.2モル%硝酸塩溶液とし、さらに0.2モル%のクエン酸水溶液を混合した。そして、混合した水溶液を200℃に加熱し水分を取り除いた。そして、得られた無水クエン酸錯体ゲルの一部を用いて成膜を行った。一方、残った無水クエン酸錯体ゲルには、エタノールおよびポリエチレングリコールを混合し、溶液を50℃に維持してエステル反応を進行させた。そして得られた無水クエン錯体溶液を用いて、上記の実験1と同様に成膜を行った。
(Experiment 2)
Next, a thin film of ceria doped with samarium was produced on a silicon wafer substrate. A cerium nitrate solution and a samarium nitrate solution were mixed at a ratio of 4: 1 to obtain a 0.2 mol% nitrate solution, and a 0.2 mol% citric acid aqueous solution was further mixed. And the mixed aqueous solution was heated at 200 degreeC, and the water | moisture content was removed. And it formed into a film using a part of obtained anhydrous citric acid complex gel. On the other hand, ethanol and polyethylene glycol were mixed into the remaining anhydrous citric acid complex gel, and the ester reaction was allowed to proceed while maintaining the solution at 50 ° C. Then, using the obtained anhydrous citric complex solution, a film was formed in the same manner as in Experiment 1 above.

図4(a)は、無水クエン錯体溶液を用いて成膜したセリア膜を示すSEM写真である。表面に孔が形成されておらず、セリア膜が緻密化していることが実証された。一方、図4(b)は、エステル化を行わずに無水クエン酸錯体ゲルから形成したセリア膜を示すSEM写真である。図4(b)に示される膜の表面には孔が形成されており、セリア膜が十分に緻密化していないことが分かる。   FIG. 4A is an SEM photograph showing a ceria film formed using an anhydrous citric complex solution. No pores were formed on the surface, demonstrating that the ceria film was densified. On the other hand, FIG.4 (b) is a SEM photograph which shows the ceria film | membrane formed from the anhydrous citrate complex gel, without performing esterification. It can be seen that holes are formed on the surface of the film shown in FIG. 4B, and the ceria film is not sufficiently densified.

(実験3)
また、無水クエン酸錯体ゲルの作製工程において、金属イオンとクエン酸とのモル比を変えてサマリウムをドープしたセリア膜をシリコンウエハ上に成膜した。金属イオンとクエン酸とのモル比R=1:2、1:1、1、0.5のそれぞれで、金属塩とクエン酸水溶液とを混合し成膜を行った。図5は、金属イオン対クエン酸のモル比率とX線回折ピーク(結晶化度)との関係を示す図である。図5に示すように、R<1では、高い結晶度が得られることが実証された。
(Experiment 3)
In addition, in the process of preparing the anhydrous citric acid complex gel, a ceria film doped with samarium was formed on a silicon wafer by changing the molar ratio of metal ions to citric acid. A metal salt and an aqueous citric acid solution were mixed at a molar ratio of metal ion to citric acid R = 1: 2, 1: 1, 1, 0.5 to form a film. FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the molar ratio of metal ion to citric acid and the X-ray diffraction peak (crystallinity). As shown in FIG. 5, it was demonstrated that high crystallinity can be obtained when R <1.

(実験4)
次に、サマリウムをドープしたセリア膜について成膜工程における熱処理温度と結晶粒径との関係を調べた。セリウムの無水クエン錯体溶液をシリコンウエハ基材に塗布したものを7つ準備し、そのうちの一つを25℃に維持し、その他の6つのものをそれぞれ、110℃、300℃、500℃、700℃、900℃、1100℃で熱処理した。そして、X線回折を用いて得られた膜を分析した。図6は、熱処理温度と結晶による回折ピークとの関係を調べた実験結果を示す図である。図7は、熱処理温度と結晶の平均粒径との関係を調べた実験結果を示す図である。
(Experiment 4)
Next, for the ceria film doped with samarium, the relationship between the heat treatment temperature and the crystal grain size in the film forming process was examined. Prepare seven cerium anhydrous citric complex solutions coated on a silicon wafer substrate, one of which is maintained at 25 ° C. and the other six are 110 ° C., 300 ° C., 500 ° C., 700 ° C., respectively. Heat treatment was performed at ℃, 900 ℃, and 1100 ℃. And the film | membrane obtained using X-ray diffraction was analyzed. FIG. 6 is a diagram showing the experimental results of examining the relationship between the heat treatment temperature and the diffraction peak due to crystals. FIG. 7 is a diagram showing the experimental results of examining the relationship between the heat treatment temperature and the average crystal grain size.

図6に示すように、500℃以上で熱処理したものについて、結晶化が測定されている。したがって、低結晶化温度は500℃付近であることが実証された。また、図7に示すように、少なくとも500℃以上1100℃以下の温度範囲で、20nm以下の粒径をもつ結晶子が生成され、膜にナノ構造が形成されていることが分かった。   As shown in FIG. 6, crystallization is measured for those heat-treated at 500 ° C. or higher. Therefore, it was demonstrated that the low crystallization temperature is around 500 ° C. Further, as shown in FIG. 7, it was found that crystallites having a particle size of 20 nm or less were generated in a temperature range of at least 500 ° C. and 1100 ° C., and nanostructures were formed in the film.

なお、250℃以上500℃以下で熱処理した場合には、アモルファスを含む緻密薄膜が得られた。したがって、得られた膜の構造は異なるものの、250℃以上で熱処理した膜は緻密薄膜としては十分な耐蝕性を示すことが分かった。用途によってはアモルファスを含む膜の方が明確な結晶粒界を持つ膜よりも耐蝕性が高くなる場合も有る。なお、本発明においては250℃以上500℃以下で熱処理した場合の膜を含めて、セラミック薄膜と呼ぶ。   In addition, when it heat-processed at 250 degreeC or more and 500 degrees C or less, the dense thin film containing an amorphous was obtained. Therefore, although the structure of the obtained film | membrane differs, it turned out that the film | membrane heat-processed above 250 degreeC shows sufficient corrosion resistance as a dense thin film. Depending on the application, a film containing amorphous may have higher corrosion resistance than a film having a clear crystal grain boundary. In addition, in this invention, the film | membrane when heat-processed at 250 degreeC or more and 500 degrees C or less is called a ceramic thin film.

本発明に係るセラミック薄膜の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the ceramic thin film which concerns on this invention. 無水クエン酸錯体ゲルを構成する高分子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the polymer which comprises an anhydrous citrate complex gel. (a)実施例のイットリア膜を示すSEM写真である。(b)比較例のイットリア膜を示すSEM写真である。(A) It is a SEM photograph which shows the yttria film | membrane of an Example. (B) It is a SEM photograph which shows the yttria film | membrane of a comparative example. (a)実施例のセリア膜を示すSEM写真である。(b)比較例のセリア膜を示すSEM写真である。(A) It is a SEM photograph which shows the ceria film of an Example. (B) It is a SEM photograph which shows the ceria film of a comparative example. 金属イオン対クエン酸のモル比率と結晶化特性との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the molar ratio of a metal ion to a citric acid, and a crystallization characteristic. 熱処理温度と回折ピークとの関係を調べた実験結果を示す図である。It is a figure which shows the experimental result which investigated the relationship between heat processing temperature and a diffraction peak. 熱処理温度と結晶粒径との関係を調べた実験結果を示す図である。It is a figure which shows the experimental result which investigated the relationship between heat processing temperature and a crystal grain diameter.

符号の説明Explanation of symbols

M 金属イオン
R モル比
M Metal ion R Molar ratio

Claims (4)

無水クエン酸錯体ゲルとアルコール溶媒とを混合することで、前記無水クエン酸錯体ゲルをエステル化し、無水クエン酸錯体溶液を作製する溶液作製工程と、
被膜対象となる基材の表面に、前記無水クエン酸錯体溶液を塗布し、前記塗布された無水クエン酸錯体溶液を250℃以上1100℃以下で加熱することで成膜処理する成膜工程と、を備えることを特徴とするセラミック薄膜の製造方法。
A solution preparation step of esterifying the anhydrous citric acid complex gel by mixing an anhydrous citric acid complex gel and an alcohol solvent, and preparing an anhydrous citric acid complex solution;
A film forming step in which the anhydrous citric acid complex solution is applied to the surface of a substrate to be coated, and the applied anhydrous citric acid complex solution is heated at 250 ° C. or higher and 1100 ° C. or lower ; A method for producing a ceramic thin film comprising:
金属塩とクエン酸水溶液とを混合し、無水クエン酸錯体ゲルを作製するゲル作製工程を備えることを特徴とする請求項1記載のセラミック薄膜の製造方法。 The method for producing a ceramic thin film according to claim 1, further comprising a gel preparation step of mixing a metal salt and an aqueous citric acid solution to prepare an anhydrous citrate complex gel. 前記ゲル作製工程において、少なくとも金属硝酸塩または金属塩化物のいずれか一方を前記金属塩として混合することを特徴とする請求項2記載のセラミック薄膜の製造方法。 3. The method for producing a ceramic thin film according to claim 2 , wherein in the gel preparation step, at least one of metal nitrate or metal chloride is mixed as the metal salt. 前記ゲル作製工程において、周期律表の2〜6族元素、12〜14族元素、およびランタノイドの群から選択された一種の金属または二種以上の金属の組み合わせの塩を前記金属塩として混合することを特徴とする請求項2または請求項3記載のセラミック薄膜の製造方法。
In the gel preparation step, a salt of one kind of metal selected from the group of Group 2-6 elements, Group 12-14 elements and lanthanoids of the periodic table, or a combination of two or more metals is mixed as the metal salt. The method for producing a ceramic thin film according to claim 2 or claim 3, wherein
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