JP5148976B2 - Multilayer compound semiconductor solar cell - Google Patents

Multilayer compound semiconductor solar cell Download PDF

Info

Publication number
JP5148976B2
JP5148976B2 JP2007316067A JP2007316067A JP5148976B2 JP 5148976 B2 JP5148976 B2 JP 5148976B2 JP 2007316067 A JP2007316067 A JP 2007316067A JP 2007316067 A JP2007316067 A JP 2007316067A JP 5148976 B2 JP5148976 B2 JP 5148976B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
type
solar cell
compound semiconductor
ingap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007316067A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2009141135A (en
Inventor
高明 安居院
達也 高本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2007316067A priority Critical patent/JP5148976B2/en
Publication of JP2009141135A publication Critical patent/JP2009141135A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5148976B2 publication Critical patent/JP5148976B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

本発明は、光電変換部を構成する太陽電池層が少なくとも化合物半導体からなる積層型化合物半導体太陽電池に関するものであり、特に、高効率の積層型化合物半導体太陽電池に関する。   The present invention relates to a stacked compound semiconductor solar battery in which a solar cell layer constituting a photoelectric conversion part is composed of at least a compound semiconductor, and particularly relates to a highly efficient stacked compound semiconductor solar battery.

従来、積層型化合物半導体太陽電池を高効率化する（光電変換効率を高くする）方法としては、半導体基板上に半導体基板と同程度の格子定数を有する化合物半導体層を成長させて複数個の太陽電池層を形成することによって結晶性に優れた積層型化合物半導体太陽電池を得る方法が用いられていた。   Conventionally, as a method for increasing the efficiency of a stacked compound semiconductor solar cell (increasing photoelectric conversion efficiency), a compound semiconductor layer having a lattice constant similar to that of a semiconductor substrate is grown on a semiconductor substrate, and a plurality of solar cells are grown. A method of obtaining a stacked compound semiconductor solar battery excellent in crystallinity by forming a battery layer has been used.

しかしながら、化合物半導体層を成長するための主な半導体基板となるＳｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓまたはＩｎＰ等と同程度の格子定数を有し、さらには好適な禁制帯幅を有する太陽電池層を用いた積層型化合物半導体太陽電池としては、ＧａＡｓ基板を用いたＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ太陽電池や、Ｇｅ基板を用いたＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ／Ｇｅ太陽電池等に限られていた。   However, a stack using a solar cell layer having a lattice constant comparable to that of Si, Ge, GaAs, InP, or the like, which is a main semiconductor substrate for growing a compound semiconductor layer, and further having a suitable forbidden band width The type compound semiconductor solar cell is limited to an InGaP / GaAs solar cell using a GaAs substrate, an InGaP / InGaAs / Ge solar cell using a Ge substrate, and the like.

また、これらの積層型化合物半導体太陽電池よりもさらに高効率化する方法として、ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ太陽電池に３つ目の太陽電池層として１ｅＶの禁制帯幅を有する太陽電池層を配置する方法もある。   Further, as a method for further improving the efficiency of these stacked compound semiconductor solar cells, there is a method of disposing a solar cell layer having a forbidden band width of 1 eV as a third solar cell layer in the InGaP / GaAs solar cell. .

しかしながら、ＧａＡｓと格子定数が同等で、禁制帯幅が１ｅＶ程度の適当な半導体が存在しない。ここで、ＧａＡｓと格子定数が約２．３％ずれているＩｎＧａＡｓは１ｅＶ程度の禁制帯幅を有しているが、ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ太陽電池の３つ目の太陽電池層としてＩｎＧａＡｓを用いた場合には、ＧａＡｓ基板上に格子不整合系半導体を成長した後に格子整合系半導体を成長させることになるため、格子整合系半導体の結晶性が悪くなって、積層型化合物半導体太陽電池全体の特性が悪化するおそれがある。   However, there is no suitable semiconductor having a lattice constant equivalent to GaAs and a forbidden band width of about 1 eV. Here, InGaAs having a lattice constant shifted by about 2.3% from GaAs has a forbidden band width of about 1 eV, but InGaAs is used as the third solar cell layer of the InGaP / GaAs solar cell. Since the lattice-matched semiconductor is grown after the lattice-mismatched semiconductor is grown on the GaAs substrate, the crystallinity of the lattice-matched semiconductor is deteriorated, and the characteristics of the stacked compound semiconductor solar cell as a whole are reduced. May get worse.

そこで、半導体基板上に半導体基板と格子定数が同等程度で、積層型化合物半導体太陽電池の受光面が半導体基板側となるように化合物半導体層を成長させ、そこからバッファ層を介して半導体基板と格子定数が異なる太陽電池層を成長する方法が研究されている。   Therefore, the compound semiconductor layer is grown on the semiconductor substrate so that the lattice constant is about the same as that of the semiconductor substrate and the light receiving surface of the stacked compound semiconductor solar cell is on the semiconductor substrate side, and the semiconductor substrate and the semiconductor substrate are then passed through the buffer layer. Methods for growing solar cell layers with different lattice constants have been studied.

積層型化合物半導体太陽電池は、通常、成長基板となる半導体基板の反対側に受光面が位置するように化合物半導体層を成長させて形成される（すなわち、受光面が化合物半導体層の成長方向に位置するように形成される）。   A stacked compound semiconductor solar cell is usually formed by growing a compound semiconductor layer so that the light receiving surface is located on the opposite side of the semiconductor substrate as the growth substrate (that is, the light receiving surface is in the growth direction of the compound semiconductor layer). To be positioned).

しかしながら、受光面が半導体基板側となるように化合物半導体層を成長させることによって、半導体基板と格子定数が同等程度の化合物半導体からなる太陽電池層においては良好な結晶性が得られ、さらに半導体基板と格子定数が異なる格子不整合系の化合物半導体からなる太陽電池層の特性も得られることから、高効率の積層型化合物半導体太陽電池が得られる。   However, by growing the compound semiconductor layer so that the light receiving surface is on the semiconductor substrate side, good crystallinity can be obtained in a solar cell layer made of a compound semiconductor having the same lattice constant as that of the semiconductor substrate. Since the characteristics of a solar cell layer made of a lattice-mismatched compound semiconductor having a lattice constant different from that of the compound semiconductor solar cell layer can be obtained, a highly efficient stacked compound semiconductor solar cell can be obtained.

たとえば、非特許文献１には、ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓと格子整合したＩｎＧａＰ太陽電池層とＧａＡｓ太陽電池層の受光面をＧａＡｓ基板側にして成長し、その上にＩｎＧａＰバッファ層のＧａＡｓ基板に対する格子定数の相対値が階段状に変化するように成長させた後、ＩｎＧａＡｓ太陽電池層の受光面をＧａＡｓ基板側に成長させる方法が開示されている。
Mark Wanlass et al., “MONOLITHIC，ULTRA-THIN GaInP/GaAs/GaInAs TANDEM SOLAR CELLS”, 2006 IEEE, p.729-p.732 M.W.Wanlass et al., “LATTICE-MISMATCHED APROACHES FOR HIGH-PERFORMANCE, III-V PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERTERS”, 2005 IEEE, p.530-p.535 D.J.Friedman, “0.7-eV GaInAs JUNCTION FOR A GaInP/GaAs/GaInAs(1eV)/GaInAs(0.7eV) FOUR-JUNCTION SOLAR CELL”, 2006 IEEE, p.598-p.602 For example, in Non-Patent Document 1, an InGaP solar cell layer lattice-matched with GaAs on a GaAs substrate and a light-receiving surface of the GaAs solar cell layer are grown with the GaAs substrate side, and a lattice of the InGaP buffer layer with respect to the GaAs substrate is formed thereon. A method is disclosed in which the light-receiving surface of the InGaAs solar cell layer is grown on the GaAs substrate side after growing so that the relative value of the constant changes stepwise.
Mark Wanlass et al., “MONOLITHIC, ULTRA-THIN GaInP / GaAs / GaInAs TANDEM SOLAR CELLS”, 2006 IEEE, p.729-p.732 MWWanlass et al., “LATTICE-MISMATCHED APROACHES FOR HIGH-PERFORMANCE, III-V PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERTERS”, 2005 IEEE, p.530-p.535 DJFriedman, “0.7-eV GaInAs JUNCTION FOR A GaInP / GaAs / GaInAs (1eV) / GaInAs (0.7eV) FOUR-JUNCTION SOLAR CELL”, 2006 IEEE, p.598-p.602

しかしながら、非特許文献１の方法においては、ＩｎＧａＰバッファ層の成長速度が遅く、Ｖ族元素／ＩＩＩ族元素の比率を高くすることからＶ族元素の原料ガスを多量に用いる必要があり、装置のランニングコストが上昇する等の問題があった。   However, in the method of Non-Patent Document 1, since the growth rate of the InGaP buffer layer is slow and the ratio of group V element / group III element is increased, it is necessary to use a large amount of group V element source gas. There were problems such as increased running costs.

また、図１５に示すように、ｐ型ＧａＡｓ基板２１上に、ｐ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層２２を積層する。そして、ｐ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層２２上に、ｐ型Ｉｎ0.45Ｇａ0.55Ｐ層２３、ｐ型Ｉｎ0.42Ｇａ0.58Ｐ層２４、ｐ型Ｉｎ0.39Ｇａ0.61Ｐ層２５、ｐ型Ｉｎ0.36Ｇａ0.64Ｐ層２６、ｐ型Ｉｎ0.33Ｇａ0.67Ｐ層２７、ｐ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ｐ層２８、ｐ型Ｉｎ0.27Ｇａ0.73Ｐ層２９およびｐ型Ｉｎ0.24Ｇａ0.76Ｐ層３０をこの順に積層することによってＩｎ組成を階段状に変化させたＩｎＧａＰバッファ層４１を形成し、その後、ｐ型Ｉｎ0.24Ｇａ0.76ＰからなるＢＳＦ（Back Surface Field）層３１、ｐ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるベース層３２、ｎ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるエミッタ層３３、ｎ型Ｉｎ0.24Ｇａ0.76Ｐからなる窓層３４およびｎ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるコンタクト層３５を成長させてｐ型ＧａＡｓ基板２１側と反対側に受光面が位置する積層型化合物半導体太陽電池を作製した。ここで、ｐ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるベース層３２とｎ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるエミッタ層３３とからＩｎＧａＡｓ太陽電池層４０が形成されている。 Further, as shown in FIG. 15, a p-type In 0.48 Ga 0.52 P layer 22 is laminated on a p-type GaAs substrate 21. Then, on the p-type In 0.48 Ga 0.52 P layer 22, the p-type In 0.45 Ga 0.55 P layer 23, the p-type In 0.42 Ga 0.58 P layer 24, the p-type In 0.39 Ga 0.61 P layer 25, the p-type In 0.36 Ga 0.64. By laminating the P layer 26, the p-type In 0.33 Ga 0.67 P layer 27, the p-type In 0.3 Ga 0.7 P layer 28, the p-type In 0.27 Ga 0.73 P layer 29 and the p-type In 0.24 Ga 0.76 P layer 30 in this order. After forming an InGaP buffer layer 41 with the In composition changed stepwise, a BSF (Back Surface Field) layer 31 made of p-type In 0.24 Ga 0.76 P, a base layer 32 made of p-type In 0.3 Ga 0.7 As, An emitter layer 33 made of n-type In 0.3 Ga 0.7 As, a window layer 34 made of n-type In 0.24 Ga 0.76 P, and a contact layer 35 made of n-type In 0.3 Ga 0.7 As are grown to oppose the p-type GaAs substrate 21 side. ~ side A laminated compound semiconductor solar cell having a light receiving surface located on the surface was prepared. Here, InGaAs solar cell layer 40 is formed from a p-type an In 0.3 Ga 0.7 consisting As the base layer 32 and the n-type an In 0.3 Ga 0.7 emitter layer 33 made of As.

そして、上記のようにして作製した積層型化合物半導体太陽電池の電流−電圧特性について評価した。その結果を図１６に示す。   And the current-voltage characteristic of the laminated compound semiconductor solar cell produced as mentioned above was evaluated. The result is shown in FIG.

しかしながら、図１６に示すように、上記のようにＩｎＧａＰバッファ層４１を用いた場合には、高効率の積層型化合物半導体太陽電池を得ることができないという問題があった。   However, as shown in FIG. 16, when the InGaP buffer layer 41 is used as described above, there is a problem that a highly efficient stacked compound semiconductor solar cell cannot be obtained.

上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、高効率の積層型化合物半導体太陽電池を提供することにある。   In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a highly efficient stacked compound semiconductor solar cell.

本発明は、ＩｎＧａＡｓからなる第１の太陽電池層と、第１の太陽電池層上に形成された、Ｖ族元素としてヒ素を含有するＡｌＧａＩｎＡｓからなるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層と、バッファ層上に形成されたＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓからなる第２の太陽電池層と、第２の太陽電池層上に形成されたＩｎＧａＰからなる第３の太陽電池層とを含み、第１の太陽電池層が、バッファ層側からｎ型ＩｎＧａＡｓからなる第１のエミッタ層およびｐ型ＩｎＧａＡｓからなる第１のベース層をこの順に含み、第２の太陽電池層が、バッファ層側からｐ型ＧａＡｓまたはｐ型ＩｎＧａＡｓからなる第２のベース層およびｎ型ＧａＡｓまたはｎ型ＩｎＧａＡｓからなる第２のエミッタ層をこの順に含み、第３の太陽電池層が、第２の太陽電池層側からｐ型ＩｎＧａＰからなる第３のベース層およびｎ型ＩｎＧａＰからなる第３のエミッタ層をこの順に含み、各ベース層の禁制帯幅は、第１のベース層、第２のベース層、第３のベース層の順に大きくなるように位置しており、第１の太陽電池層の格子定数は、第２の太陽電池層の格子定数と異なり、第２の太陽電池層および第３の太陽電池層の格子定数は同等程度であり、バッファ層の格子定数が、第１の太陽電池層の格子定数と第２の太陽電池層の格子定数との間の値であるか、または第１の太陽電池層側から第２の太陽電池層側に向けて、第１の太陽電池層の格子定数と同一またはそれに近い値から第２の太陽電池層の格子定数に近づくように変化している積層型化合物半導体太陽電池である。また、本発明の積層型化合物半導体太陽電池においては、第２のエミッタ層がｎ型ＧａＡｓからなり、第２のベース層がｐ型ＧａＡｓからなっていてもよい。 The present invention includes a first solar cell layer made of InGaAs , and a buffer layer made of a III-V group compound semiconductor made of AlGaInAs containing arsenic as a group V element formed on the first solar cell layer, A first solar cell layer including a second solar cell layer made of GaAs or InGaAs formed on the buffer layer and a third solar cell layer made of InGaP formed on the second solar cell layer; Includes a first emitter layer made of n-type InGaAs and a first base layer made of p-type InGaAs in this order from the buffer layer side, and the second solar cell layer is p-type GaAs or p-type from the buffer layer side. A second base layer made of InGaAs and a second emitter layer made of n-type GaAs or n-type InGaAs in this order, and a third solar cell layer comprising: Includes a third emitter layer made of the third base layer and the n-type InGaP made of p-type InGaP from the solar cell layer side in this order, the forbidden band width of each base layer, first base layer, second base The lattice constant of the first solar cell layer is different from the lattice constant of the second solar cell layer, and the second solar cell layer and the third base layer The lattice constants of the solar cell layers are approximately the same, and the lattice constant of the buffer layer is a value between the lattice constant of the first solar cell layer and the lattice constant of the second solar cell layer, or From the solar cell layer side of the first solar cell layer side to the second solar cell layer side, the value is the same as or close to the lattice constant of the first solar cell layer so as to approach the lattice constant of the second solar cell layer. It is a laminated compound semiconductor solar cell. In the stacked compound semiconductor solar battery of the present invention, the second emitter layer may be made of n-type GaAs, and the second base layer may be made of p-type GaAs.

本発明によれば、高効率の積層型化合物半導体太陽電池を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a highly efficient laminated compound semiconductor solar cell can be provided.

以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。   Embodiments of the present invention will be described below. In the drawings of the present invention, the same reference numerals represent the same or corresponding parts.

本発明は、半導体基材上に、半導体基材と異なる格子定数を有する太陽電池層を形成して積層型化合物半導体太陽電池を作製する場合に、半導体基材と太陽電池層との間に、Ｖ族元素としてヒ素（Ａｓ）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層を形成し、そのバッファ層の格子定数が半導体基材の格子定数と太陽電池層の格子定数との間の値となるように形成されていることを特徴としている。   The present invention, when forming a stacked compound semiconductor solar cell by forming a solar cell layer having a lattice constant different from that of the semiconductor substrate on the semiconductor substrate, between the semiconductor substrate and the solar cell layer, A buffer layer made of a III-V compound semiconductor containing arsenic (As) as a group V element is formed, and the lattice constant of the buffer layer is a value between the lattice constant of the semiconductor substrate and the lattice constant of the solar cell layer It is characterized by being formed.

このような構成とすることにより、半導体基板と格子定数が大きく異なる格子不整合の化合物半導体からなる太陽電池層の特性が良好となり、高効率の積層型化合物半導体太陽電池を実現することができるのである。   By adopting such a configuration, the characteristics of the solar cell layer made of a compound semiconductor having a lattice mismatch greatly different from that of the semiconductor substrate can be improved, and a highly efficient stacked compound semiconductor solar cell can be realized. is there.

本発明の効果を確かめるために、図１に示すように、ｐ型ＧａＡｓ基板１１上に、ｐ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層１２、ｐ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.24Ｉｎ0.76Ａｓバッファ層１３、ｐ型Ｉｎ0.24Ｇａ0.76ＰからなるＢＳＦ層１４、ｐ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるベース層１５、ｎ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるエミッタ層１６、ｎ型Ｉｎ0.24Ｇａ0.76Ｐからなる窓層１７およびｎ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるコンタクト層１８を成長させてｐ型ＧａＡｓ基板１１側と反対側に受光面が位置する積層型化合物半導体太陽電池を作製した。ここで、ｐ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるベース層１５とｎ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるエミッタ層１６とからＩｎＧａＡｓ太陽電池層４０が形成された。 In order to confirm the effect of the present invention, a p-type In 0.48 Ga 0.52 P layer 12, a p-type (Al 0.5 Ga 0.5 ) 0.24 In 0.76 As buffer layer 13, on a p-type GaAs substrate 11, as shown in FIG. window layer made of p-type In 0.24 Ga 0.76 BSF layer 14 made of P, p-type an In 0.3 Ga 0.7 emitter layer 16 made of base layer 15, n-type In 0.3 Ga 0.7 As made of As, n-type In 0.24 Ga 0.76 P A contact layer 18 made of 17 and n-type In 0.3 Ga 0.7 As was grown to produce a stacked compound semiconductor solar cell having a light receiving surface located on the side opposite to the p-type GaAs substrate 11 side. Here, InGaAs solar cell layer 40 is formed from a p-type an In 0.3 Ga 0.7 consisting As the base layer 15 and the n-type an In 0.3 Ga emitter layer 16. composed of 0.7 As.

そして、上記のようにして作製した積層型化合物半導体太陽電池の電流−電圧特性について評価した。その結果を図２に示す。   And the current-voltage characteristic of the laminated compound semiconductor solar cell produced as mentioned above was evaluated. The result is shown in FIG.

本発明の効果を確かめるために作製された上記の積層型化合物半導体太陽電池は、図１５に示す積層型化合物半導体太陽電池のＩｎＧａＰバッファ層４１に代えて、ｐ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層１２の格子定数とＩｎＧａＡｓ太陽電池層４０の格子定数との間の格子定数を有するｐ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.24Ｉｎ0.76Ａｓバッファ層１３を形成した点で異なっているが、図２と図１６とを比較すればわかるように、その電流−電圧特性は、Ｖ族元素としてリンを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＩｎＧａＰバッファ層４１を用いた場合よりは、Ｖ族元素としてヒ素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるｐ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.24Ｉｎ0.76Ａｓバッファ層１３を用いた場合の方が優れていた。 The above stacked compound semiconductor solar cell fabricated to confirm the effect of the present invention has a p-type In 0.48 Ga 0.52 P layer 12 instead of the InGaP buffer layer 41 of the stacked compound semiconductor solar cell shown in FIG. The difference is that a p-type (Al 0.5 Ga 0.5 ) 0.24 In 0.76 As buffer layer 13 having a lattice constant between the lattice constant and the lattice constant of the InGaAs solar cell layer 40 is formed. As can be seen from the above, the current-voltage characteristic is higher in III-V containing arsenic as a group V element than in the case of using an InGaP buffer layer 41 which is a group III-V compound semiconductor containing phosphorus as a group V element. The case where the p-type (Al 0.5 Ga 0.5 ) 0.24 In 0.76 As buffer layer 13 which is a V group compound semiconductor was used was superior.

なお、上記においては、バッファ層として、単一組成のｐ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.24Ｉｎ0.76Ａｓバッファ層１３を用いた場合について説明したが、バッファ層は、バッファ層の格子定数が半導体基材側から太陽電池層側にかけて半導体基材の格子定数と同等程度の値から太陽電池の格子定数と同等程度の値に変化するようにバッファ層の組成を変更しながら形成されてもよい。このとき、バッファ層は、バッファ層の格子定数が半導体基材側から太陽電池層側にかけて、直線状または指数関数状（たとえば１／２乗等）等に連続的に変化するようにその組成を変更して形成されてもよく、たとえば階段状のように不連続的に変化するようにその組成を変更して形成されてもよく、またこれらの連続的な変化と不連続的な変化とが組み合わさって変化するようにその組成を変更して形成されてもよい。 In the above description, the case where the p-type (Al 0.5 Ga 0.5 ) 0.24 In 0.76 As buffer layer 13 having a single composition is used as the buffer layer has been described. It may be formed while changing the composition of the buffer layer from the material side to the solar cell layer side so as to change from a value approximately equal to the lattice constant of the semiconductor substrate to a value approximately equal to the lattice constant of the solar cell. At this time, the composition of the buffer layer is such that the lattice constant of the buffer layer continuously changes linearly or exponentially (for example, 1/2 power) from the semiconductor substrate side to the solar cell layer side. For example, it may be formed by changing its composition so that it changes discontinuously like a stepped shape, and these continuous changes and discontinuous changes It may be formed by changing the composition so as to change in combination.

＜実施の形態１＞
図３に、本発明の積層型化合物半導体太陽電池の一例の模式的な断面構成図を示す。この積層型化合物半導体太陽電池において、支持基板１０１上には、金属層１０２、ｐ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるコンタクト層１０３、ｐ型Ｉｎ0.24Ｇａ0.76ＰからなるＢＳＦ層１０４、ｐ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるベース層１０５、ｎ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるエミッタ層１０６およびｎ型Ｉｎ0.24Ｇａ0.76Ｐからなる窓層１０７がこの順序で積層されている。ここで、ｐ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるベース層１０５とｎ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるエミッタ層１０６とから太陽電池層４０ａが形成されており、ＢＳＦ層１０４、ベース層１０５、エミッタ層１０６および窓層１０７の積層体からボトムセルが構成されている。 <Embodiment 1>
In FIG. 3, the typical cross-sectional block diagram of an example of the lamination type compound semiconductor solar cell of this invention is shown. In this stacked compound semiconductor solar cell, on a support substrate 101, a metal layer 102, a contact layer 103 made of p-type In 0.3 Ga 0.7 As, a BSF layer 104 made of p-type In 0.24 Ga 0.76 P, a p-type In 0.3. base layer 105, n-type an in 0.3 Ga 0.7 emitter layer made of As 106 and an n-type an in 0.24 Ga 0.76 window layer 107 made of P consisting of Ga 0.7 As are laminated in this order. Here, p-type an In 0.3 Ga 0.7 and the solar cell layer 40a is formed from the base layer 105 and the n-type an In 0.3 Ga emitter layer 106. consisting 0.7 As consisting As, BSF layer 104, base layer 105, the emitter layer A bottom cell is composed of a laminate of 106 and the window layer 107.

また、ｎ型Ｉｎ0.24Ｇａ0.76Ｐからなる窓層１０７上には、ｎ型ＡｌＩｎＧａＡｓからなるバッファ層１０８が積層されている。ここで、バッファ層１０８は、窓層１０７から離れるにしたがってＩｎの組成が徐々に低下するように構成されており、ｎ+型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層１０９との界面近傍においてはＩｎの組成はほぼゼロとなっている。 On the window layer 107 made of n-type In 0.24 Ga 0.76 P, a buffer layer 108 made of n-type AlInGaAs is stacked. Here, the buffer layer 108 is configured such that the In composition gradually decreases as the distance from the window layer 107 increases. In the vicinity of the interface with the n + -type In 0.48 Ga 0.52 P layer 109, the In composition is It is almost zero.

また、バッファ層１０８上には、ｎ+型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層１０９、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層１１０、ｎ+型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層１１１、ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層１１２およびｐ+型ＡｌＩｎＰ層１１３がこの順に積層されてトンネル接合層５０ａを構成している。 On the buffer layer 108, an n + type In 0.48 Ga 0.52 P layer 109, an n + type AlInP layer 110, an n + type In 0.48 Ga 0.52 P layer 111, a p + type AlGaAs layer 112, and a p + type AlInP layer. 113 are laminated in this order to form the tunnel junction layer 50a.

また、ｐ+型ＡｌＩｎＰ層１１３上には、ｐ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52ＰからなるＢＳＦ層１１４、ｐ型ＧａＡｓからなるベース層１１５、ｎ型ＧａＡｓからなるエミッタ層１１６およびｎ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐからなる窓層１１７がこの順序で積層されている。ここで、ｐ型ＧａＡｓからなるベース層１１５とｎ型ＧａＡｓからなるエミッタ層１１６とから太陽電池層４０ｂが形成されており、ＢＳＦ層１１４、ベース層１１５、エミッタ層１１６および窓層１１７の積層体からミドルセルが構成されている。 On the p + -type AlInP layer 113, a BSF layer 114 made of p-type In 0.48 Ga 0.52 P, a base layer 115 made of p-type GaAs, an emitter layer 116 made of n-type GaAs, and an n-type In 0.48 Ga 0.52 P A window layer 117 made of is laminated in this order. Here, a solar cell layer 40b is formed of a base layer 115 made of p-type GaAs and an emitter layer 116 made of n-type GaAs, and a laminate of the BSF layer 114, the base layer 115, the emitter layer 116, and the window layer 117. Middle cell is composed of

また、ｎ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐからなる窓層１１７上には、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層１１８、ｎ+型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層１１９、ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層１２０およびｐ+型ＡｌＩｎＰ層１２１がこの順に積層されてトンネル接合層５０ｂを構成している。 On the window layer 117 made of n-type In 0.48 Ga 0.52 P, an n + -type AlInP layer 118, an n + -type In 0.48 Ga 0.52 P layer 119, a p + -type AlGaAs layer 120, and a p + -type AlInP layer 121 are formed. The tunnel junction layer 50b is formed by stacking in this order.

また、ｐ+型ＡｌＩｎＰ層１２１上には、ｐ型ＡｌＩｎＰからなるＢＳＦ層１２２、ｐ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐからなるベース層１２３、ｎ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐからなるエミッタ層１２４およびｎ型ＡｌＩｎＰからなる窓層１２５がこの順に積層されている。ここで、ｐ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐからなるベース層１２３とｎ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐからなるエミッタ層１２４とから太陽電池層４０ｃが形成されており、ＢＳＦ層１２２、ベース層１２３、エミッタ層１２４および窓層１２５の積層体からトップセルが構成されている。 Further, on the p + -type AlInP layer 121, p-type BSF layer 122 made of AlInP, p-type an In 0.48 Ga 0.52 composed of a P base layer 123, n-type an In 0.48 Ga emitter layer 124 and the n-type AlInP consisting 0.52 P A window layer 125 made of is laminated in this order. Here, p-type an In 0.48 Ga 0.52 and the base layer 123 and the n-type an In 0.48 Ga emitter layer 124. consisting 0.52 P consisting of P is a solar cell layer 40c is formed, BSF layer 122, base layer 123, the emitter layer A top cell is composed of a laminated body of 124 and the window layer 125.

また、ｎ型ＡｌＩｎＰからなる窓層１２５上に、ｎ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１２６および反射防止膜１２７が形成され、コンタクト層１２６上に電極層１２８が形成されている。   A contact layer 126 and an antireflection film 127 made of n-type GaAs are formed on the window layer 125 made of n-type AlInP, and an electrode layer 128 is formed on the contact layer 126.

なお、図３に示す積層型化合物半導体太陽電池においては、太陽電池層４０ａ、４０ｂ、４０ｃのベース層１０５、１１５、１２３の禁制帯幅が、半導体基材側に位置する太陽電池層４０ａから積層型化合物半導体太陽電池の受光面側に位置する太陽電池層４０ｃにかけて順に大きくなっている。すなわち、ベース層１０５、ベース層１１５およびベース層１２３の順に禁制帯幅が大きくなっている。   In the stacked compound semiconductor solar cell shown in FIG. 3, the forbidden band widths of the base layers 105, 115, and 123 of the solar cell layers 40a, 40b, and 40c are stacked from the solar cell layer 40a positioned on the semiconductor substrate side. It increases in order toward the solar cell layer 40c located on the light receiving surface side of the type compound semiconductor solar cell. That is, the forbidden band width increases in the order of the base layer 105, the base layer 115, and the base layer 123.

以下、図４〜図６の断面構成図を参照して、図３に示す積層型化合物半導体太陽電池の製造方法の一例について説明する。   Hereinafter, an example of a method for manufacturing the stacked compound semiconductor solar cell shown in FIG. 3 will be described with reference to the cross-sectional configuration diagrams of FIGS.

まず、図４に示すように、たとえば直径５０ｍｍのｎ型ＧａＡｓ基板１３０をＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）装置内に設置し、このｎ型ＧａＡｓ基板１３０上に、ｎ型ＧａＡｓと選択エッチングが可能なエッチングストップ層となるｎ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐからなるエッチングストップ層１３１、ｎ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１２６、ｎ型ＡｌＩｎＰからなる窓層１２５、ｎ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐからなるエミッタ層１２４、ｐ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐからなるベース層１２３およびｐ型ＡｌＩｎＰからなるＢＳＦ層１２２をこの順にＭＯＣＶＤ法により成長させる。 First, as shown in FIG. 4, for example, an n-type GaAs substrate 130 having a diameter of 50 mm is placed in a MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) apparatus, and n-type GaAs and selective etching can be performed on the n-type GaAs substrate 130. N-type In 0.48 Ga 0.52 P etching stop layer 131, n-type GaAs contact layer 126, n-type AlInP window layer 125, n-type In 0.48 Ga 0.52 P emitter layer 124 The base layer 123 made of p-type In 0.48 Ga 0.52 P and the BSF layer 122 made of p-type AlInP are grown in this order by the MOCVD method.

次に、ｐ型ＡｌＩｎＰからなるＢＳＦ層１２２上に、ｐ+型ＡｌＩｎＰ層１２１、ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層１２０、ｎ+型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層１１９およびｎ+型ＡｌＩｎＰ層１１８をこの順にＭＯＣＶＤ法により成長させる。 Next, a p + type AlInP layer 121, a p + type AlGaAs layer 120, an n + type In 0.48 Ga 0.52 P layer 119, and an n + type AlInP layer 118 are formed in this order on the BSF layer 122 made of p type AlInP. To grow.

次に、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層１１８上に、ｎ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐからなる窓層１１７、ｎ型ＧａＡｓからなるエミッタ層１１６、ｐ型ＧａＡｓからなるベース層１１５およびｐ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52ＰからなるＢＳＦ層１１４をこの順にＭＯＣＶＤ法により成長させる。 Next, on the n + -type AlInP layer 118, a window layer 117 made of n-type In 0.48 Ga 0.52 P, an emitter layer 116 made of n-type GaAs, a base layer 115 made of p-type GaAs, and a p-type In 0.48 Ga 0.52 P A BSF layer 114 is grown in this order by the MOCVD method.

次に、ｐ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52ＰからなるＢＳＦ層１１４上に、ｐ+型ＡｌＩｎＰ層１１３、ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層１１２、ｎ+型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層１１１、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層１１０およびｎ+型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層１０９をこの順にＭＯＣＶＤ法により成長させる。 Next, on the BSF layer 114 made of p-type In 0.48 Ga 0.52 P, a p + -type AlInP layer 113, a p + -type AlGaAs layer 112, an n + -type In 0.48 Ga 0.52 P layer 111, an n + -type AlInP layer 110, and An n + -type In 0.48 Ga 0.52 P layer 109 is grown in this order by the MOCVD method.

次に、ｎ+型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層１０９上に、ＡｌＧａＡｓを成長しながら徐々にＩｎの組成を増加させて、成長終了時にＩｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓと格子定数が同一になるようにＡｌＩｎＧａＡｓからなるバッファ層１０８をＭＯＣＶＤ法により成長させる。 Next, the composition of In is gradually increased while growing AlGaAs on the n + -type In 0.48 Ga 0.52 P layer 109, and AlInGaAs is made to have the same lattice constant as In 0.3 Ga 0.7 As at the end of the growth. A buffer layer 108 is grown by MOCVD.

次に、バッファ層１０８上に、ｎ型Ｉｎ0.24Ｇａ0.76Ｐからなる窓層１０７、ｎ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるエミッタ層１０６、ｐ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるベース層１０５、ｐ型Ｉｎ0.24Ｇａ0.76ＰからなるＢＳＦ層１０４およびｐ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるコンタクト層１０３をこの順にＭＯＣＶＤ法により成長させる。 Next, on the buffer layer 108, base layer 105, p-type of n-type an In 0.24 Ga 0.76 window layer 107 made of P, n-type an In 0.3 Ga emitter layer 106 made of 0.7 As, p-type In 0.3 Ga 0.7 As A BSF layer 104 made of In 0.24 Ga 0.76 P and a contact layer 103 made of p-type In 0.3 Ga 0.7 As are grown in this order by MOCVD.

ここで、ＧａＡｓの形成にはＡｓＨ3（アルシン）およびＴＭＧ（トリメチルガリウム）を用い、ＩｎＧａＰの形成にはＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＴＭＧおよびＰＨ3（ホスフィン）を用い、ＩｎＧａＡｓの形成にはＴＭＩ、ＴＭＧおよびＡｓＨ3を用い、ＡｌＩｎＰの形成にはＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＩおよびＰＨ3を用い、ＡｌＧａＡｓの形成には、ＴＭＡ、ＴＭＧおよびＡｓＨ3を用い、ＡｌＩｎＧａＡｓの形成には、ＴＭＡ、ＴＭＩ、ＴＭＧおよびＡｓＨ3を用いることができる。 Here, AsH 3 (arsine) and TMG (trimethylgallium) are used for the formation of GaAs, TMI (trimethylindium), TMG and PH 3 (phosphine) are used for the formation of InGaP, and TMI, Using TMG and AsH 3 , TMA (trimethylaluminum), TMI and PH 3 are used to form AlInP, TMA, TMG and AsH 3 are used to form AlGaAs, and TMA, TMI, TMG and AsH 3 can be used.

その後、図５に示すように、ｐ型Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなるコンタクト層１０３の表面上にたとえばＡｕ(たとえば厚さ０．１μｍ)／Ａｇ(たとえば厚さ３μｍ)の積層体からなる金属層１０２により支持基板１０１を貼り付ける。 Thereafter, as shown in FIG. 5, a metal layer made of a laminate of, for example, Au (for example, 0.1 μm thick) / Ag (for example, 3 μm thick) on the surface of the contact layer 103 made of p-type In 0.3 Ga 0.7 As. A support substrate 101 is attached by 102.

次に、図６に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１３０をアルカリ水溶液にてエッチングした後に、ｎ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐからなるエッチングストップ層１３１を酸水溶液にてエッチングする。 Next, as shown in FIG. 6, after etching the n-type GaAs substrate 130 with an alkaline aqueous solution, the etching stop layer 131 made of n-type In 0.48 Ga 0.52 P is etched with an acid aqueous solution.

次に、ｎ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１２６上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成した後、コンタクト層１２６の一部をアルカリ水溶液を用いたエッチングにより除去する。そして、残されたコンタクト層１２６の表面上に再度フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、抵抗加熱蒸着装置およびＥＢ（Electron Beam）蒸着装置を用いて、たとえばＡｕＧｅ（１２％）(たとえば厚さ０．１μｍ)／Ｎｉ(たとえば厚さ０．０２μｍ)／Ａｕ(たとえば厚さ０．１μｍ)／Ａｇ(たとえば厚さ５μｍ)の積層体からなる電極層１２８を形成する。   Next, after forming a resist pattern on the contact layer 126 made of n-type GaAs by photolithography, a part of the contact layer 126 is removed by etching using an alkaline aqueous solution. Then, a resist pattern is formed again on the surface of the remaining contact layer 126 by photolithography, and, for example, AuGe (12%) (for example, a thickness of 0.1 mm) is formed using a resistance heating vapor deposition apparatus and an EB (Electron Beam) vapor deposition apparatus. An electrode layer 128 made of a laminate of 1 μm) / Ni (for example, thickness 0.02 μm) / Au (for example, thickness 0.1 μm) / Ag (for example, thickness 5 μm) is formed.

次に、メサエッチングパターンを形成した後、アルカリ水溶液および酸溶液を用いてメサエッチングを行なう。そして、ＥＢ蒸着法により、たとえばＴｉＯ2膜（たとえば厚さ５５ｎｍ）およびＡｌ2Ｏ3膜（たとえば厚さ８５ｎｍ）の積層体を形成して反射防止膜１２７を形成する。これにより、積層型化合物半導体太陽電池の受光面が化合物半導体の成長方向と反対側に位置する図３に示す構成の積層型化合物半導体太陽電池を得ることができる。 Next, after a mesa etching pattern is formed, mesa etching is performed using an alkaline aqueous solution and an acid solution. Then, an antireflection film 127 is formed by forming a laminated body of, for example, a TiO 2 film (for example, a thickness of 55 nm) and an Al 2 O 3 film (for example, a thickness of 85 nm) by EB vapor deposition. Thereby, the stacked compound semiconductor solar battery having the configuration shown in FIG. 3 in which the light receiving surface of the stacked compound semiconductor solar battery is located on the side opposite to the growth direction of the compound semiconductor can be obtained.

上述した積層型化合物半導体太陽電池においては、ＡｓをＶ族元素として含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層１０８の格子定数が、ｎ+型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層１０９側からｎ型Ｉｎ0.24Ｇａ0.76Ｐからなる窓層１０７側にかけて、ｎ+型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層１０９の格子定数と同一またはそれに近い値から太陽電池層４０ａのベース層１０５およびエミッタ層１０６を構成するＩｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓの格子定数に近づくように形成されている。したがって、上述した積層型化合物半導体太陽電池は、非特許文献１に記載された従来の積層型化合物半導体太陽電池と比較して高効率になるものと考えられる。 In the stacked compound semiconductor solar cell described above, the lattice constant of the buffer layer 108 made of a III-V compound semiconductor containing As as a group V element is such that the n + type In 0.48 Ga 0.52 P layer 109 side has an n type In 0.24. In 0.3 Ga 0.7 constituting the base layer 105 and the emitter layer 106 of the solar cell layer 40a from the value close to or close to the lattice constant of the n + -type In 0.48 Ga 0.52 P layer 109 toward the window layer 107 side made of Ga 0.76 P. It is formed so as to approach the lattice constant of As. Therefore, it is considered that the above-described stacked compound semiconductor solar cell is more efficient than the conventional stacked compound semiconductor solar cell described in Non-Patent Document 1.

＜実施の形態２＞
図７に、本発明の積層型化合物半導体太陽電池の他の一例の模式的な断面構成図を示す。この積層型化合物半導体太陽電池において、支持基板２０１上には、金属層２０２、ｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層２０３、ｐ型ＩｎＧａＰからなるＢＳＦ層２０４、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなるベース層２０５、ｎ型ＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層２０６およびｎ型ＩｎＧａＰからなる窓層２０７がこの順序で積層されている。ここで、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなるベース層２０５とｎ型ＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層２０６とから太陽電池層４０ａが形成されており、ＢＳＦ層２０４、ベース層２０５、エミッタ層２０６および窓層２０７の積層体からボトムセルが構成されている。 <Embodiment 2>
In FIG. 7, the typical cross-sectional block diagram of another example of the laminated type compound semiconductor solar cell of this invention is shown. In this stacked compound semiconductor solar cell, on a support substrate 201, a metal layer 202, a contact layer 203 made of p-type GaAs, a BSF layer 204 made of p-type InGaP, a base layer 205 made of p-type InGaAs, an n-type InGaAs. The emitter layer 206 made of and the window layer 207 made of n-type InGaP are stacked in this order. Here, a solar cell layer 40a is formed from a base layer 205 made of p-type InGaAs and an emitter layer 206 made of n-type InGaAs, and a laminated body of a BSF layer 204, a base layer 205, an emitter layer 206, and a window layer 207. The bottom cell is constructed from the above.

ｎ型ＩｎＧａＰからなる窓層２０７上には、ｎ型ＡｌＩｎＧａＡｓからなるバッファ層２０８が積層されている。ここで、バッファ層２０８は、窓層２０７から離れるにしたがってＩｎの組成が徐々に低下するように構成されており、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層２０９との界面近傍においてはＩｎの組成はほぼゼロとなっている。   A buffer layer 208 made of n-type AlInGaAs is stacked on the window layer 207 made of n-type InGaP. Here, the buffer layer 208 is configured such that the In composition gradually decreases as the distance from the window layer 207 increases, and the In composition is substantially zero in the vicinity of the interface with the n + -type AlInP layer 209. ing.

また、バッファ層２０８上には、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層２０９、ｎ+型ＩｎＧａＰ層２１０、ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層２１１およびｐ+型ＡｌＩｎＰ層２１２がこの順に積層されてトンネル接合層５０ａを構成している。   On the buffer layer 208, an n + -type AlInP layer 209, an n + -type InGaP layer 210, a p + -type AlGaAs layer 211, and a p + -type AlInP layer 212 are stacked in this order to form the tunnel junction layer 50a. Yes.

また、ｐ+型ＡｌＩｎＰ層２１２上には、ｐ型ＩｎＧａＰからなるＢＳＦ層２１３、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなるベース層２１４、ｎ型ＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層２１５およびｎ型ＩｎＧａＰからなる窓層２１６がこの順序で積層されている。ｐ型ＩｎＧａＡｓからなるベース層２１４とｎ型ＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層２１５とから太陽電池層４０ｂが形成されており、ＢＳＦ層２１３、ベース層２１４、エミッタ層２１５および窓層２１６の積層体からミドルセルが構成されている。   On the p + -type AlInP layer 212, a BSF layer 213 made of p-type InGaP, a base layer 214 made of p-type InGaAs, an emitter layer 215 made of n-type InGaAs, and a window layer 216 made of n-type InGaP are arranged in this order. Are stacked. A solar cell layer 40b is formed from a base layer 214 made of p-type InGaAs and an emitter layer 215 made of n-type InGaAs, and a middle cell is formed from a laminate of the BSF layer 213, the base layer 214, the emitter layer 215, and the window layer 216. It is configured.

また、ｎ型ＩｎＧａＰからなる窓層２１６上には、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層２１７、ｎ+型ＩｎＧａＰ層２１８、ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層２１９およびｐ+型ＡｌＩｎＰ層２２０がこの順に積層されてトンネル接合層５０ｂを構成している。   On the window layer 216 made of n-type InGaP, an n + -type AlInP layer 217, an n + -type InGaP layer 218, a p + -type AlGaAs layer 219, and a p + -type AlInP layer 220 are laminated in this order to form a tunnel junction layer. 50b is constituted.

また、ｐ+型ＡｌＩｎＰ層２２０上には、ｐ型ＡｌＩｎＰからなるＢＳＦ層２２１、ｐ型ＩｎＧａＰからなるベース層２２２、ｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層２２３およびｎ型ＡｌＩｎＰからなる窓層２２４がこの順に積層されている。ここで、ｐ型ＩｎＧａＰからなるベース層２２２とｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層２２３とから太陽電池層４０ｃが形成されており、ＢＳＦ層２２１、ベース層２２２、エミッタ層２２３および窓層２２４の積層体からトップセルが構成されている。   On the p + -type AlInP layer 220, a BSF layer 221 made of p-type AlInP, a base layer 222 made of p-type InGaP, an emitter layer 223 made of n-type InGaP, and a window layer 224 made of n-type AlInP are arranged in this order. Are stacked. Here, a solar cell layer 40c is formed from a base layer 222 made of p-type InGaP and an emitter layer 223 made of n-type InGaP, and a laminate of a BSF layer 221, a base layer 222, an emitter layer 223, and a window layer 224. The top cell is composed of

また、ｎ型ＡｌＩｎＰからなる窓層２２４上に、ｎ型ＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層２２５および反射防止膜２２６が形成され、コンタクト層２２５上に電極層２２７が形成されている。   A contact layer 225 and an antireflection film 226 made of n-type InGaAs are formed on the window layer 224 made of n-type AlInP, and an electrode layer 227 is formed on the contact layer 225.

以下、図８〜図１０の断面構成図を参照して、図７に示す積層型化合物半導体太陽電池の製造方法の一例について説明する。   Hereinafter, an example of a method for manufacturing the stacked compound semiconductor solar battery shown in FIG. 7 will be described with reference to the cross-sectional configuration diagrams of FIGS.

まず、図８に示すように、たとえば直径５０ｍｍのｎ型Ｇｅ基板２２８をＭＯＣＶＤ装置内に設置し、このｎ型Ｇｅ基板２２８上に、ｎ型ＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層２２５、ｎ型ＡｌＩｎＰからなる窓層２２４、ｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層２２３、ｐ型ＩｎＧａＰからなるベース層２２２およびｐ型ＡｌＩｎＰからなるＢＳＦ層２２１をこの順にＭＯＣＶＤ法により成長させる。   First, as shown in FIG. 8, for example, an n-type Ge substrate 228 having a diameter of 50 mm is placed in an MOCVD apparatus, and a contact layer 225 made of n-type InGaAs and a window made of n-type AlInP are formed on the n-type Ge substrate 228. The layer 224, the emitter layer 223 made of n-type InGaP, the base layer 222 made of p-type InGaP, and the BSF layer 221 made of p-type AlInP are grown in this order by the MOCVD method.

次に、ｐ型ＡｌＩｎＰからなるＢＳＦ層２２１上に、ｐ+型ＡｌＩｎＰ層２２０、ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層２１９、ｎ+型ＩｎＧａＰ層２１８およびｎ+型ＡｌＩｎＰ層２１７をこの順にＭＯＣＶＤ法により成長させる。   Next, a p + type AlInP layer 220, a p + type AlGaAs layer 219, an n + type InGaP layer 218 and an n + type AlInP layer 217 are grown in this order on the BSF layer 221 made of p type AlInP.

次に、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層２１７上に、ｎ型ＩｎＧａＰからなる窓層２１６、ｎ型ＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層２１５、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなるベース層２１４およびｐ型ＩｎＧａＰからなるＢＳＦ層２１３をこの順にＭＯＣＶＤ法により成長させる。   Next, a window layer 216 made of n-type InGaP, an emitter layer 215 made of n-type InGaAs, a base layer 214 made of p-type InGaAs, and a BSF layer 213 made of p-type InGaP on the n + -type AlInP layer 217 in this order. Growing by MOCVD method.

次に、ｐ型ＩｎＧａＰからなるＢＳＦ層２１３上に、ｐ+型ＡｌＩｎＰ層２１２、ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層２１１、ｎ+型ＩｎＧａＰ層２１０およびｎ+型ＡｌＩｎＰ層２０９をこの順にＭＯＣＶＤ法により成長させる。   Next, a p + type AlInP layer 212, a p + type AlGaAs layer 211, an n + type InGaP layer 210 and an n + type AlInP layer 209 are grown in this order on the BSF layer 213 made of p type InGaP.

次に、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層２０９上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓを成長しながら徐々にＩｎの組成を増加させて、成長終了時に太陽電池層４０ａを構成するＩｎＧａＡｓと格子定数が同一になるようにｎ型ＡｌＩｎＧａＡｓからなるバッファ層２０８をＭＯＣＶＤ法により成長させる。   Next, the composition of In is gradually increased while growing n-type AlGaAs on the n + -type AlInP layer 209, so that the lattice constant becomes the same as that of InGaAs constituting the solar cell layer 40a at the end of the growth. A buffer layer 208 made of type AlInGaAs is grown by MOCVD.

次に、バッファ層２０８上に、ｎ型ＩｎＧａＰからなる窓層２０７、ｎ型ＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層２０６、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなるベース層２０５、ｐ型ＩｎＧａＰからなるＢＳＦ層２０４およびｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層２０３をこの順にＭＯＣＶＤ法により成長させる。   Next, a window layer 207 made of n-type InGaP, an emitter layer 206 made of n-type InGaAs, a base layer 205 made of p-type InGaAs, a BSF layer 204 made of p-type InGaP, and p-type GaAs are formed on the buffer layer 208. The contact layer 203 is grown in this order by the MOCVD method.

その後、図９に示すように、ｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層２０３の表面上にたとえばＡｕ(たとえば厚さ０．１μｍ)／Ａｇ(たとえば厚さ３μｍ)の積層体からなる金属層２０２により支持基板２０１を貼り付ける。   Thereafter, as shown in FIG. 9, a support substrate is formed on the surface of the contact layer 203 made of p-type GaAs by a metal layer 202 made of a laminate of, for example, Au (eg, thickness 0.1 μm) / Ag (eg, thickness 3 μm) 201 is pasted.

次に、図１０に示すように、ｎ型Ｇｅ基板２２８をフッ化水素水溶液にてエッチングする。そして、ｎ型ＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層２２５上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成した後、コンタクト層２２５の一部をアルカリ水溶液を用いたエッチングにより除去する。   Next, as shown in FIG. 10, the n-type Ge substrate 228 is etched with an aqueous hydrogen fluoride solution. Then, after forming a resist pattern on the contact layer 225 made of n-type InGaAs by photolithography, a part of the contact layer 225 is removed by etching using an alkaline aqueous solution.

次に、残されたコンタクト層２２５の表面上に再度フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、抵抗加熱蒸着装置およびＥＢ蒸着装置を用いて、たとえばＡｕＧｅ（１２％）(たとえば厚さ０．１μｍ)／Ｎｉ(たとえば厚さ０．０２μｍ)／Ａｕ(たとえば厚さ０．１μｍ)／Ａｇ(たとえば厚さ５μｍ)の積層体からなる電極層２２７を形成する。   Next, a resist pattern is formed again by photolithography on the surface of the remaining contact layer 225 and, for example, AuGe (12%) (for example, thickness 0.1 μm) / An electrode layer 227 made of a laminate of Ni (for example, thickness 0.02 μm) / Au (for example, thickness 0.1 μm) / Ag (for example, thickness 5 μm) is formed.

次に、メサエッチングパターンを形成した後、アルカリ水溶液および酸溶液を用いてメサエッチングを行なう。そして、ＥＢ蒸着法により、たとえばＴｉＯ2膜（たとえば厚さ５５ｎｍ）およびＡｌ2Ｏ3膜（たとえば厚さ８５ｎｍ）の積層体を形成して反射防止膜２２６を形成する。これにより、積層型化合物半導体太陽電池の受光面が化合物半導体の成長方向と反対側に位置する図７に示す構成の積層型化合物半導体太陽電池を得ることができる。 Next, after a mesa etching pattern is formed, mesa etching is performed using an alkaline aqueous solution and an acid solution. Then, an antireflection film 226 is formed by forming a laminated body of, for example, a TiO 2 film (for example, a thickness of 55 nm) and an Al 2 O 3 film (for example, a thickness of 85 nm) by EB vapor deposition. Thereby, the laminated compound semiconductor solar cell of the structure shown in FIG. 7 in which the light-receiving surface of the laminated compound semiconductor solar cell is located on the side opposite to the growth direction of the compound semiconductor can be obtained.

上述した積層型化合物半導体太陽電池においても、ＡｓをＶ族元素として含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層２０８の格子定数が、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層２０９側からｎ型ＩｎＧａＰからなる窓層２０７側にかけて、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層２０９の格子定数と同一またはそれに近い値から太陽電池層４０ａのベース層２０５およびエミッタ層２０６を構成するＩｎＧａＡｓの格子定数に近づくように形成されている。したがって、上述した積層型化合物半導体太陽電池は、非特許文献１に記載された従来の積層型化合物半導体太陽電池と比較して高効率になるものと考えられる。   Also in the stacked compound semiconductor solar cell described above, the lattice constant of the buffer layer 208 made of a III-V compound semiconductor containing As as a group V element is such that the window layer 207 made of n-type InGaP from the n + -type AlInP layer 209 side. On the side, it is formed so as to approach the lattice constant of InGaAs constituting the base layer 205 and the emitter layer 206 of the solar cell layer 40a from a value that is the same as or close to the lattice constant of the n + -type AlInP layer 209. Therefore, it is considered that the above-described stacked compound semiconductor solar cell is more efficient than the conventional stacked compound semiconductor solar cell described in Non-Patent Document 1.

＜実施の形態３＞
図１１に、本発明の積層型化合物半導体太陽電池のさらに他の一例の模式的な断面構成図を示す。この積層型化合物半導体太陽電池において、支持基板３０１上には、金属層３０２、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層３０３、ｐ型ＩｎＧａＰからなるＢＳＦ層３０４、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなるベース層３０５、ｎ型ＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層３０６およびｎ型ＩｎＧａＰからなる窓層３０７がこの順序で積層されている。ここで、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなるベース層３０５とｎ型ＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層３０６とから太陽電池層４０ａが形成されており、ＢＳＦ層３０４、ベース層３０５、エミッタ層３０６および窓層３０７の積層体からボトムセルが構成されている。 <Embodiment 3>
In FIG. 11, the typical cross-sectional block diagram of another example of the laminated type compound semiconductor solar cell of this invention is shown. In this stacked compound semiconductor solar cell, on a support substrate 301, a metal layer 302, a contact layer 303 made of p-type InGaAs, a BSF layer 304 made of p-type InGaP, a base layer 305 made of p-type InGaAs, and an n-type InGaAs. The emitter layer 306 made of and the window layer 307 made of n-type InGaP are stacked in this order. Here, a solar cell layer 40a is formed of a base layer 305 made of p-type InGaAs and an emitter layer 306 made of n-type InGaAs, and a stacked body of a BSF layer 304, a base layer 305, an emitter layer 306, and a window layer 307. The bottom cell is constructed from the above.

ｎ型ＩｎＧａＰからなる窓層３０７上には、ｎ型ＡｌＩｎＧａＡｓからなるバッファ層３０８が積層されている。ここで、バッファ層３０８は、窓層３０７から離れるにしたがってＩｎの組成が徐々に低下するように構成されており、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層３０９との界面近傍においてはＩｎの組成はほぼゼロとなっている。   A buffer layer 308 made of n-type AlInGaAs is stacked on the window layer 307 made of n-type InGaP. Here, the buffer layer 308 is configured such that the In composition gradually decreases as the distance from the window layer 307 increases, and the In composition is substantially zero in the vicinity of the interface with the n + -type AlInP layer 309. ing.

また、バッファ層３０８上には、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層３０９、ｎ+型ＩｎＧａＰ層３１０、ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層３１１およびｐ+型ＡｌＩｎＰ層３１２がこの順に積層されてトンネル接合層５０ａを構成している。   On the buffer layer 308, an n + -type AlInP layer 309, an n + -type InGaP layer 310, a p + -type AlGaAs layer 311 and a p + -type AlInP layer 312 are stacked in this order to form the tunnel junction layer 50a. Yes.

また、ｐ+型ＡｌＩｎＰ層３１２上には、ｐ型ＩｎＧａＰからなるＢＳＦ層３１３、ｐ型ＧａＡｓからなるベース層３１４、ｎ型ＧａＡｓからなるエミッタ層３１５およびｎ型ＩｎＧａＰからなる窓層３１６がこの順序で積層されている。ｐ型ＧａＡｓからなるベース層３１４とｎ型ＧａＡｓからなるエミッタ層３１５とから太陽電池層４０ｂが形成されており、ＢＳＦ層３１３、ベース層３１４、エミッタ層３１５および窓層３１６の積層体からミドルセルが構成されている。   On the p + -type AlInP layer 312, a BSF layer 313 made of p-type InGaP, a base layer 314 made of p-type GaAs, an emitter layer 315 made of n-type GaAs, and a window layer 316 made of n-type InGaP are arranged in this order. Are stacked. A solar cell layer 40b is formed from a base layer 314 made of p-type GaAs and an emitter layer 315 made of n-type GaAs, and a middle cell is formed from a laminate of the BSF layer 313, the base layer 314, the emitter layer 315, and the window layer 316. It is configured.

また、ｎ型ＩｎＧａＰからなる窓層３１６上には、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層３１７、ｎ+型ＩｎＧａＰ層３１８、ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層３１９およびｐ+型ＡｌＩｎＰ層３２０がこの順に積層されてトンネル接合層５０ｂを構成している。   On the window layer 316 made of n-type InGaP, an n + -type AlInP layer 317, an n + -type InGaP layer 318, a p + -type AlGaAs layer 319, and a p + -type AlInP layer 320 are stacked in this order to form a tunnel junction layer. 50b is constituted.

また、ｐ+型ＡｌＩｎＰ層３２０上には、ｐ型ＡｌＩｎＰからなるＢＳＦ層３２１、ｐ型ＩｎＧａＰからなるベース層３２２、ｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層３２３およびｎ型ＡｌＩｎＰからなる窓層３２４がこの順に積層されている。ここで、ｐ型ＩｎＧａＰからなるベース層３２２とｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層３２３とから太陽電池層４０ｃが形成されており、ＢＳＦ層３２１、ベース層３２２、エミッタ層３２３および窓層３２４の積層体からトップセルが構成されている。   On the p + -type AlInP layer 320, a BSF layer 321 made of p-type AlInP, a base layer 322 made of p-type InGaP, an emitter layer 323 made of n-type InGaP, and a window layer 324 made of n-type AlInP are arranged in this order. Are stacked. Here, a solar cell layer 40c is formed from a base layer 322 made of p-type InGaP and an emitter layer 323 made of n-type InGaP, and a stacked body of a BSF layer 321, a base layer 322, an emitter layer 323, and a window layer 324. The top cell is composed of

また、ｎ型ＡｌＩｎＰからなる窓層３２４上に、ｎ型ＧａＡｓからなるコンタクト層３２５および反射防止膜３２６が形成され、コンタクト層３２５上に電極層３２７が形成されている。   Further, a contact layer 325 and an antireflection film 326 made of n-type GaAs are formed on the window layer 324 made of n-type AlInP, and an electrode layer 327 is formed on the contact layer 325.

なお、図１１に示す積層型化合物半導体太陽電池においては、太陽電池層４０ａ、４０ｂ、４０ｃのベース層３０５、３１４、３２２の禁制帯幅が、半導体基材側に位置する太陽電池層４０ａから積層型化合物半導体太陽電池の受光面側に位置する太陽電池層４０ｃにかけて順に大きくなっている。すなわち、ベース層３０５、ベース層３１４およびベース層３２２の順に禁制帯幅が大きくなっている。   In the stacked compound semiconductor solar cell shown in FIG. 11, the forbidden band widths of the base layers 305, 314, and 322 of the solar cell layers 40a, 40b, and 40c are stacked from the solar cell layer 40a positioned on the semiconductor substrate side. It increases in order toward the solar cell layer 40c located on the light receiving surface side of the type compound semiconductor solar cell. That is, the forbidden band width increases in the order of the base layer 305, the base layer 314, and the base layer 322.

以下、図１２〜図１４の断面構成図を参照して、図１１に示す積層型化合物半導体太陽電池の製造方法の一例について説明する。   Hereinafter, an example of a method for manufacturing the stacked compound semiconductor solar battery shown in FIG. 11 will be described with reference to the cross-sectional configuration diagrams of FIGS.

まず、図１２に示すように、たとえば直径５０ｍｍのｎ型ＧａＡｓ基板３２８をＭＯＣＶＤ装置内に設置し、このｎ型ＧａＡｓ基板３２８上に、ｎ型ＩｎＧａＰからなるエッチングストップ層３３１、ｎ型ＧａＡｓからなるコンタクト層３２５、ｎ型ＡｌＩｎＰからなる窓層３２４、ｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層３２３、ｐ型ＩｎＧａＰからなるベース層３２２およびｐ型ＡｌＩｎＰからなるＢＳＦ層３２１をこの順にＭＯＣＶＤ法により成長させる。   First, as shown in FIG. 12, for example, an n-type GaAs substrate 328 having a diameter of 50 mm is placed in an MOCVD apparatus, and an etching stop layer 331 made of n-type InGaP is formed on the n-type GaAs substrate 328 and made of n-type GaAs. The contact layer 325, the window layer 324 made of n-type AlInP, the emitter layer 323 made of n-type InGaP, the base layer 322 made of p-type InGaP, and the BSF layer 321 made of p-type AlInP are grown in this order by the MOCVD method.

次に、ｐ型ＡｌＩｎＰからなるＢＳＦ層３２１上に、ｐ+型ＡｌＩｎＰ層３２０、ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層３１９、ｎ+型ＩｎＧａＰ層３１８およびｎ+型ＡｌＩｎＰ層３１７をこの順にＭＯＣＶＤ法により成長させる。   Next, a p + type AlInP layer 320, a p + type AlGaAs layer 319, an n + type InGaP layer 318, and an n + type AlInP layer 317 are grown in this order on the BSF layer 321 made of p type AlInP.

次に、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層３１７上に、ｎ型ＩｎＧａＰからなる窓層３１６、ｎ型ＧａＡｓからなるエミッタ層３１５、ｐ型ＧａＡｓからなるベース層３１４およびｐ型ＩｎＧａＰからなるＢＳＦ層３１３をこの順にＭＯＣＶＤ法により成長させる。   Next, on the n + -type AlInP layer 317, a window layer 316 made of n-type InGaP, an emitter layer 315 made of n-type GaAs, a base layer 314 made of p-type GaAs, and a BSF layer 313 made of p-type InGaP are arranged in this order. Growing by MOCVD method.

次に、ｐ型ＩｎＧａＰからなるＢＳＦ層３１３上に、ｐ+型ＡｌＩｎＰ層３１２、ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層３１１、ｎ+型ＩｎＧａＰ層３１０およびｎ+型ＡｌＩｎＰ層３０９をこの順にＭＯＣＶＤ法により成長させる。   Next, a p + type AlInP layer 312, a p + type AlGaAs layer 311, an n + type InGaP layer 310 and an n + type AlInP layer 309 are grown in this order on the BSF layer 313 made of p type InGaP.

次に、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層３０９上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓを成長しながら徐々にＩｎの組成を増加させて、成長終了時に太陽電池層４０ａを構成するＩｎＧａＡｓと格子定数が同一になるようにｎ型ＡｌＩｎＧａＡｓからなるバッファ層３０８をＭＯＣＶＤ法により成長させる。   Next, the composition of In is gradually increased while growing n-type AlGaAs on the n + -type AlInP layer 309, so that the lattice constant becomes the same as that of InGaAs constituting the solar cell layer 40a at the end of the growth. A buffer layer 308 made of type AlInGaAs is grown by MOCVD.

次に、バッファ層３０８上に、ｎ型ＩｎＧａＰからなる窓層３０７、ｎ型ＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層３０６、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなるベース層３０５、ｐ型ＩｎＧａＰからなるＢＳＦ層３０４およびｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層３０３をこの順にＭＯＣＶＤ法により成長させる。   Next, on the buffer layer 308, a window layer 307 made of n-type InGaP, an emitter layer 306 made of n-type InGaAs, a base layer 305 made of p-type InGaAs, a BSF layer 304 made of p-type InGaP, and p-type GaAs. The contact layer 303 is grown in this order by the MOCVD method.

その後、図１３に示すように、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層３０３の表面上にたとえばＡｕ(たとえば厚さ０．１μｍ)／Ａｇ(たとえば厚さ３μｍ)の積層体からなる金属層３０２により支持基板３０１を貼り付ける。   After that, as shown in FIG. 13, a support substrate is formed on the surface of the contact layer 303 made of p-type InGaAs by a metal layer 302 made of a laminate of, for example, Au (eg, 0.1 μm thick) / Ag (eg, 3 μm thick) 301 is pasted.

次に、図１４に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板３２８をアルカリ水溶液にてエッチングした後に、ｎ型ＩｎＧａＰからなるエッチングストップ層３３１を酸水溶液にてエッチングする。   Next, as shown in FIG. 14, after the n-type GaAs substrate 328 is etched with an alkaline aqueous solution, the etching stop layer 331 made of n-type InGaP is etched with an acid aqueous solution.

そして、ｎ型ＧａＡｓからなるコンタクト層３２５上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成した後、コンタクト層３２５の一部をアルカリ水溶液を用いたエッチングにより除去する。   Then, after forming a resist pattern on the contact layer 325 made of n-type GaAs by photolithography, a part of the contact layer 325 is removed by etching using an alkaline aqueous solution.

次に、残されたコンタクト層３２５の表面上に再度フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、抵抗加熱蒸着装置およびＥＢ蒸着装置を用いて、たとえばＡｕＧｅ（１２％）(たとえば厚さ０．１μｍ)／Ｎｉ(たとえば厚さ０．０２μｍ)／Ａｕ(たとえば厚さ０．１μｍ)／Ａｇ(たとえば厚さ５μｍ)の積層体からなる電極層３２７を形成する。   Next, a resist pattern is formed again by photolithography on the surface of the remaining contact layer 325, and, for example, AuGe (12%) (for example, thickness 0.1 μm) / An electrode layer 327 made of a laminate of Ni (for example, thickness 0.02 μm) / Au (for example, thickness 0.1 μm) / Ag (for example, thickness 5 μm) is formed.

次に、メサエッチングパターンを形成した後、アルカリ水溶液および酸溶液を用いてメサエッチングを行なう。そして、ＥＢ蒸着法により、たとえばＴｉＯ2膜（たとえば厚さ５５ｎｍ）およびＡｌ2Ｏ3膜（たとえば厚さ８５ｎｍ）の積層体を形成して反射防止膜３２６を形成する。これにより、積層型化合物半導体太陽電池の受光面が化合物半導体の成長方向と反対側に位置する図１１に示す構成の積層型化合物半導体太陽電池を得ることができる。 Next, after a mesa etching pattern is formed, mesa etching is performed using an alkaline aqueous solution and an acid solution. Then, an antireflection film 326 is formed by forming a stacked body of, for example, a TiO 2 film (for example, 55 nm thick) and an Al 2 O 3 film (for example, 85 nm thick) by EB vapor deposition. Thereby, the stacked compound semiconductor solar battery having the structure shown in FIG. 11 in which the light receiving surface of the stacked compound semiconductor solar battery is located on the opposite side to the growth direction of the compound semiconductor can be obtained.

上述した積層型化合物半導体太陽電池においても、ＡｓをＶ族元素として含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層３０８の格子定数が、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層３０９側からｎ型ＩｎＧａＰからなる窓層３０７側にかけて、ｎ+型ＡｌＩｎＰ層３０９の格子定数と同一またはそれに近い値から太陽電池層４０ａのベース層３０５およびエミッタ層３０６を構成するＩｎＧａＡｓの格子定数に近づくように形成されている。したがって、上述した積層型化合物半導体太陽電池は、非特許文献１に記載された従来の積層型化合物半導体太陽電池と比較して高効率になるものと考えられる。   Also in the stacked compound semiconductor solar cell described above, the lattice constant of the buffer layer 308 made of a III-V compound semiconductor containing As as a group V element is such that the window layer 307 made of n-type InGaP from the n + -type AlInP layer 309 side. On the side, it is formed so as to approach the lattice constant of InGaAs constituting the base layer 305 and the emitter layer 306 of the solar cell layer 40a from a value that is the same as or close to the lattice constant of the n + -type AlInP layer 309. Therefore, it is considered that the above-described stacked compound semiconductor solar cell is more efficient than the conventional stacked compound semiconductor solar cell described in Non-Patent Document 1.

＜その他＞
本発明においては、半導体基材として、ＩＶ族半導体またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いることができる。ここで、ＩＶ族半導体としてはたとえばＧｅ等を用いることができ、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体としてはたとえばＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓまたはＡｌＩｎＧａＡｓ等を用いることができる。 <Others>
In the present invention, a group IV semiconductor or a group III-V compound semiconductor can be used as the semiconductor substrate. Here, for example, Ge or the like can be used as the IV group semiconductor, and for example, GaAs, InGaP, InGaAs, AlInP, AlGaAs, or AlInGaAs can be used as the III-V group compound semiconductor.

また、本発明においては、バッファ層の禁制帯幅を、バッファ層よりも積層型化合物半導体太陽電池の受光面側に位置する太陽電池層のベース層の禁制帯幅よりも大きくすることもできる。   In the present invention, the forbidden band width of the buffer layer can be made larger than the forbidden band width of the base layer of the solar cell layer located on the light receiving surface side of the stacked compound semiconductor solar cell with respect to the buffer layer.

また、本発明においては、バッファ層は、ＡｌＧａＡｓ層、ＡｌＩｎＧａＡｓ層およびＩｎＡｌＡｓ層からなる群から選択される少なくとも１種を有していてもよい。   In the present invention, the buffer layer may have at least one selected from the group consisting of an AlGaAs layer, an AlInGaAs layer, and an InAlAs layer.

なお、本明細書において、化合物の化学式において化合物を構成する元素の組成比が記載されていないものについては、その組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能であることを意味している。   In the present specification, the composition ratio of elements constituting the compound in the chemical formula of the compound is not particularly limited, meaning that the composition ratio can be set as appropriate. Yes.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

本発明によれば、高効率の積層型化合物半導体太陽電池を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a highly efficient laminated compound semiconductor solar cell can be provided.

本発明の積層型化合物半導体太陽電池の製造途中のウエハの一例の模式的な断面構成図である。It is a typical section lineblock diagram of an example of a wafer in the middle of manufacture of a lamination type compound semiconductor solar cell of the present invention. 図１に示すウエハから作製される積層型化合物半導体太陽電池の電流−電圧特性を示す図である。It is a figure which shows the current-voltage characteristic of the lamination type compound semiconductor solar cell produced from the wafer shown in FIG. 本発明の積層型化合物半導体太陽電池の一例の模式的な断面構成図である。It is a typical section lineblock diagram of an example of a lamination type compound semiconductor solar cell of the present invention. 図３に示す積層型化合物半導体太陽電池の製造方法の一例の工程の一部を図解する模式的な断面構成図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional configuration diagram illustrating a part of an example of the manufacturing method of the stacked compound semiconductor solar battery shown in FIG. 3. 図３に示す積層型化合物半導体太陽電池の製造方法の一例の他の工程の一部を図解する模式的な断面構成図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional configuration diagram illustrating a part of another process of the example of the method for manufacturing the stacked compound semiconductor solar battery illustrated in FIG. 3. 図３に示す積層型化合物半導体太陽電池の製造方法の一例のさらに他の工程の一部を図解する模式的な断面構成図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional configuration diagram illustrating a part of still another process of the example of the method for manufacturing the stacked compound semiconductor solar battery illustrated in FIG. 3. 本発明の積層型化合物半導体太陽電池の他の一例の模式的な断面構成図である。It is a typical section lineblock diagram of other examples of the lamination type compound semiconductor solar cell of the present invention. 図７に示す積層型化合物半導体太陽電池の製造方法の一例の工程の一部を図解する模式的な断面構成図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional configuration diagram illustrating a part of an example of the manufacturing method of the stacked compound semiconductor solar battery illustrated in FIG. 7. 図７に示す積層型化合物半導体太陽電池の製造方法の一例の他の工程の一部を図解する模式的な断面構成図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional configuration diagram illustrating a part of another process of the example of the method for manufacturing the stacked compound semiconductor solar battery illustrated in FIG. 7. 図７に示す積層型化合物半導体太陽電池の製造方法の一例のさらに他の工程の一部を図解する模式的な断面構成図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional configuration diagram illustrating a part of still another process of the example of the method for manufacturing the stacked compound semiconductor solar battery illustrated in FIG. 7. 本発明の積層型化合物半導体太陽電池のさらに他の一例の模式的な断面構成図である。It is a typical section lineblock diagram of other examples of the lamination type compound semiconductor solar cell of the present invention. 図１１に示す積層型化合物半導体太陽電池の製造方法の一例の工程の一部を図解する模式的な断面構成図である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional configuration diagram illustrating a part of an example of the manufacturing method of the stacked compound semiconductor solar battery illustrated in FIG. 11. 図１１に示す積層型化合物半導体太陽電池の製造方法の一例の他の工程の一部を図解する模式的な断面構成図である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional configuration diagram illustrating a part of another process of the example of the method for manufacturing the stacked compound semiconductor solar battery illustrated in FIG. 11. 図１１に示す積層型化合物半導体太陽電池の製造方法の一例のさらに他の工程の一部を図解する模式的な断面構成図である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional configuration diagram illustrating a part of still another process of the example of the method for manufacturing the stacked compound semiconductor solar battery illustrated in FIG. 11. 従来の積層型化合物半導体太陽電池の製造途中のウエハの模式的な断面構成図である。It is a typical section lineblock diagram of a wafer in the middle of manufacture of the conventional lamination type compound semiconductor solar cell. 図１５に示すウエハから作製される従来の積層型化合物半導体太陽電池の電流−電圧特性を示す図である。It is a figure which shows the current-voltage characteristic of the conventional lamination type compound semiconductor solar cell produced from the wafer shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１１ ｐ型ＧａＡｓ基板、１２ ｐ型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層、１３ ｐ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.24Ｉｎ0.76Ａｓバッファ層、１４，１０４，１１４，１２２，２０４，２１３，２２１，３０４，３１３，３２１ ＢＳＦ層、１５，１０５，１１５，１２３，２０５，２１４，２２２，３０５，３１４，３２２ ベース層、１６，１０６，１１６，１２４，２０６，２１５，２２３，３０６，３１５，３２３ エミッタ層、１７，１０７，１１７，１２５，２０７，２１６，２２４，３０７，３１６，３２４ 窓層、１８，１０３，１２６，２０３，２２５，３０３，３２５ コンタクト層、４０ ＩｎＧａＡｓ太陽電池層、４０ａ，４０ｂ，４０ｃ 太陽電池層、５０ａ，５０ｂ トンネル接合層、１０１，２０１，３０１ 支持基板、１０２，２０２，３０２ 金属層、１０８，２０８，３０８ バッファ層、１０９ ｎ+型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層、１１０ ｎ+型ＡｌＩｎＰ層、１１１ ｎ+型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層、１１２ ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層、１１３ ｐ+型ＡｌＩｎＰ層、１１８ ｎ+型ＡｌＩｎＰ層、１１９ ｎ+型Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ層、１２０ ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層、１２１ ｐ+型ＡｌＩｎＰ層、１２７，２２６，３２６ 反射防止膜、１２８，２２７，３２７ 電極層、１３０ ｎ型ＧａＡｓ基板、１３１，３３１ エッチングストップ層、２０９ ｎ+型ＡｌＩｎＰ層、２１０ ｎ+型ＩｎＧａＰ層、２１１ ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層、２１２ ｐ+型ＡｌＩｎＰ層、２１７ ｎ+型ＡｌＩｎＰ層、２１８ ｎ+型ＩｎＧａＰ層、２１９ ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層、２２０ ｐ+型ＡｌＩｎＰ層、２２８ ｎ型Ｇｅ基板、３０９ ｎ+型ＡｌＩｎＰ層、３１０ ｎ+型ＩｎＧａＰ層、３１１ ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層、３１２ ｐ+型ＡｌＩｎＰ層、３１７ ｎ+型ＡｌＩｎＰ層、３１８ ｎ+型ＩｎＧａＰ層、３１９ ｐ+型ＡｌＧａＡｓ層、３２０ ｐ+型ＡｌＩｎＰ層、３２８ ｎ型ＧａＡｓ基板。 11 p-type GaAs substrate, 12 p-type In 0.48 Ga 0.52 P layer, 13 p-type (Al 0.5 Ga 0.5 ) 0.24 In 0.76 As buffer layer, 14, 104, 114, 122, 204, 213, 221, 304, 313 321 BSF layer, 15, 105, 115, 123, 205, 214, 222, 305, 314, 322 Base layer, 16, 106, 116, 124, 206, 215, 223, 306, 315, 323 Emitter layer, 17, 107, 117, 125, 207, 216, 224, 307, 316, 324 Window layer, 18, 103, 126, 203, 225, 303, 325 Contact layer, 40 InGaAs solar cell layer, 40a, 40b, 40c Solar cell layer 50a, 50b Tunnel junction layer, 101, 201, 301 Support substrate, 102, 202, 30 2 metal layer, 108, 208, 308 buffer layer, 109 n + type In 0.48 Ga 0.52 P layer, 110 n + type AlInP layer, 111 n + type In 0.48 Ga 0.52 P layer, 112 p + type AlGaAs layer, 113 p + Type AlInP layer, 118 n + type AlInP layer, 119 n + type In 0.48 Ga 0.52 P layer, 120 p + type AlGaAs layer, 121 p + type AlInP layer, 127,226,326 antireflection film, 128,227, 327 electrode layer, 130 n-type GaAs substrate, 131,331 etching stop layer, 209 n + type AlInP layer, 210 n + type InGaP layer, 211 p + type AlGaAs layer, 212 p + type AlInP layer, 217 n + type AlInP Layer, 218 n + type InGaP layer, 219 p + type AlGaAs layer, 220 p + type AlInP layer, 228 n type Ge substrate, 309 n + type AlInP layer, 310 n + type InGaP layer, 311 p + type AlGaAs layer, 312 p + type AlInP layer, 317 n + type AlInP layer, 318 n + type InGaP layer, 319 p + type AlGaAs layer, 320 p + type AlInP Layer, 328 n-type GaAs substrate.

Claims (2)

ＩｎＧａＡｓからなる第１の太陽電池層と、
前記第１の太陽電池層上に形成された、Ｖ族元素としてヒ素を含有するＡｌＧａＩｎＡｓからなるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層と、
前記バッファ層上に形成されたＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓからなる第２の太陽電池層と、
前記第２の太陽電池層上に形成されたＩｎＧａＰからなる第３の太陽電池層とを含み、
前記第１の太陽電池層が、前記バッファ層側からｎ型ＩｎＧａＡｓからなる第１のエミッタ層およびｐ型ＩｎＧａＡｓからなる第１のベース層をこの順に含み、
前記第２の太陽電池層が、前記バッファ層側からｐ型ＧａＡｓまたはｐ型ＩｎＧａＡｓからなる第２のベース層およびｎ型ＧａＡｓまたはｎ型ＩｎＧａＡｓからなる第２のエミッタ層をこの順に含み、
前記第３の太陽電池層が、前記第２の太陽電池層側からｐ型ＩｎＧａＰからなる第３のベース層およびｎ型ＩｎＧａＰからなる第３のエミッタ層をこの順に含み、
前記各ベース層の禁制帯幅は、前記第１のベース層、前記第２のベース層、前記第３のベース層の順に大きくなるように位置しており、
前記第１の太陽電池層の格子定数は、前記第２の太陽電池層の格子定数と異なり、
前記第２の太陽電池層および前記第３の太陽電池層の格子定数は同等程度であり、
前記バッファ層の格子定数が、前記第１の太陽電池層の格子定数と前記第２の太陽電池層の格子定数との間の値であるか、または前記第１の太陽電池層側から前記第２の太陽電池層側に向けて、前記第１の太陽電池層の格子定数と同一またはそれに近い値から前記第２の太陽電池層の格子定数に近づくように変化していることを特徴とする、積層型化合物半導体太陽電池。 A first solar cell layer made of InGaAs ;
A buffer layer made of a III-V group compound semiconductor made of AlGaInAs containing arsenic as a group V element, formed on the first solar cell layer;
A second solar cell layer made of GaAs or InGaAs formed on the buffer layer;
A third solar cell layer made of InGaP formed on the second solar cell layer,
The first solar cell layer includes a first emitter layer made of n-type InGaAs and a first base layer made of p-type InGaAs in this order from the buffer layer side,
The second solar cell layer includes a second base layer made of p-type GaAs or p-type InGaAs and a second emitter layer made of n-type GaAs or n-type InGaAs in this order from the buffer layer side,
The third solar cell layer comprises a third emitter layer made of the third base layer and the n-type InGaP made of p-type InGaP from said second solar cell layer side in this order,
The forbidden band width of each base layer is positioned so as to increase in the order of the first base layer, the second base layer, and the third base layer,
The lattice constant of the first solar cell layer is different from the lattice constant of the second solar cell layer,
The lattice constants of the second solar cell layer and the third solar cell layer are comparable.
The lattice constant of the buffer layer is a value between the lattice constant of the first solar cell layer and the lattice constant of the second solar cell layer, or the first solar cell layer side 2 toward the solar cell layer side, and the lattice constant of the second solar cell layer is changed from a value that is the same as or close to the lattice constant of the first solar cell layer. , Laminated compound semiconductor solar cells. 前記第２のエミッタ層がｎ型ＧａＡｓからなり、前記第２のベース層がｐ型ＧａＡｓからなる、請求項１に記載の積層型化合物半導体太陽電池。   2. The stacked compound semiconductor solar cell according to claim 1, wherein the second emitter layer is made of n-type GaAs and the second base layer is made of p-type GaAs.
JP2007316067A 2007-12-06 2007-12-06 Multilayer compound semiconductor solar cell Expired - Fee Related JP5148976B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007316067A JP5148976B2 (en) 2007-12-06 2007-12-06 Multilayer compound semiconductor solar cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007316067A JP5148976B2 (en) 2007-12-06 2007-12-06 Multilayer compound semiconductor solar cell

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009141135A JP2009141135A (en) 2009-06-25
JP5148976B2 true JP5148976B2 (en) 2013-02-20

Family

ID=40871470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007316067A Expired - Fee Related JP5148976B2 (en) 2007-12-06 2007-12-06 Multilayer compound semiconductor solar cell

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5148976B2 (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5570736B2 (en) * 2009-02-06 2014-08-13 シャープ株式会社 Method for producing compound semiconductor solar cell
US8633097B2 (en) 2009-06-09 2014-01-21 International Business Machines Corporation Single-junction photovoltaic cell
US8802477B2 (en) 2009-06-09 2014-08-12 International Business Machines Corporation Heterojunction III-V photovoltaic cell fabrication
US8703521B2 (en) 2009-06-09 2014-04-22 International Business Machines Corporation Multijunction photovoltaic cell fabrication
US20110048517A1 (en) * 2009-06-09 2011-03-03 International Business Machines Corporation Multijunction Photovoltaic Cell Fabrication
JP5215284B2 (en) * 2009-12-25 2013-06-19 シャープ株式会社 Multi-junction compound semiconductor solar cell
KR20120119807A (en) * 2011-04-22 2012-10-31 삼성전자주식회사 Solar cell
JP2013115414A (en) * 2011-12-01 2013-06-10 Sharp Corp Compound semiconductor solar cell
CN102651417B (en) * 2012-05-18 2014-09-03 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 Three-knot cascading solar battery and preparation method thereof
US9559237B2 (en) * 2013-04-10 2017-01-31 The Boeing Company Optoelectric devices comprising hybrid metamorphic buffer layers
KR101931712B1 (en) * 2016-12-28 2018-12-24 엘지전자 주식회사 Compound semiconductor solar cell

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6300557B1 (en) * 1998-10-09 2001-10-09 Midwest Research Institute Low-bandgap double-heterostructure InAsP/GaInAs photovoltaic converters
US8536445B2 (en) * 2006-06-02 2013-09-17 Emcore Solar Power, Inc. Inverted metamorphic multijunction solar cells

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009141135A (en) 2009-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5148976B2 (en) Multilayer compound semiconductor solar cell
JP5570736B2 (en) Method for producing compound semiconductor solar cell
JP5215284B2 (en) Multi-junction compound semiconductor solar cell
JP3657143B2 (en) Solar cell and manufacturing method thereof
US8039291B2 (en) Demounting of inverted metamorphic multijunction solar cells
JP6582591B2 (en) Compound semiconductor solar cell and method of manufacturing compound semiconductor solar cell
EP2790234B1 (en) Optoelectric devices comprising hybrid metamorphic buffer layers
CN108493284B (en) Lattice mismatched multi-junction solar cell and manufacturing method thereof
US9324911B2 (en) Methods of fabricating dilute nitride semiconductor materials for use in photoactive devices and related structures
JP2003218374A (en) Group iii-v solar battery
US20140116494A1 (en) High-Efficiency Four-Junction Solar Cells and Fabrication Methods Thereof
JP4868820B2 (en) Compound solar cell and manufacturing method
US20170069782A1 (en) Four-Junction Solar Cell and Fabrication Method
JP5758257B2 (en) Laminate for producing compound semiconductor solar cell, compound semiconductor solar cell and method for producing the same
CN109285908B (en) Lattice mismatched multi-junction solar cell and manufacturing method thereof
JP6536220B2 (en) Compound semiconductor solar cell and method of manufacturing the same
JP5634955B2 (en) III-V compound semiconductor film manufacturing method and compound semiconductor solar cell manufacturing method
US20190035965A1 (en) Group iii-v compound semiconductor solar cell, method of manufacturing group iii-v compound semiconductor solar cell, and artificial satellite
JP2013183125A (en) Compound semiconductor device epitaxial growth substrate
JP2014086654A (en) Compound semiconductor solar cell and method of manufacturing compound semiconductor solar cell
JP5980826B2 (en) Compound semiconductor solar cell and method for producing compound semiconductor solar cell
JP2013115415A (en) Compound semiconductor solar cell
JP2001085712A (en) Solar battery
CN117497627A (en) Three-junction quantum well solar cell, preparation method thereof and electronic equipment
CN112563354A (en) Four-junction solar cell and preparation method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100817

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101012

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110628

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110922

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20110930

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120314

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20120601

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121004

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121129

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5148976

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151207

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees