JP5143657B2 - Liquid processing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウエハなどからなる被処理体の端部を処理する液処理装置に関する。   The present invention relates to a liquid processing apparatus for processing an end portion of an object to be processed such as a semiconductor wafer.

従来から、基板(被処理体)上面に気体を供給すると同時に基板下面にエッチング液(処理液)を供給することにより、基板上面の周縁部および下面に対して選択的にエッチング処理を施すためのベベルエッチング装置(液処理装置)が知られている(特許文献1参照)。特許文献1に記載されているベベルエッチング装置(液処理装置)は、基板をほぼ水平に保持しつつ回転させる基板保持回転手段と、この基板保持回転手段により回転される基板の下面に向けてエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、基板の上面に対して所定間隔の隙間を空けて対向するように基板保持回転手段上に載置されて、基板保持回転手段により基板とともに回転され、基板の下面から上面への上記エッチング液の回り込みを制御するための気体を当該基板の上面に供給するための開口部がほぼ中央に形成された遮断板(トッププレート)と、を含んでいる。
特開2002−110626号公報
Conventionally, by supplying a gas to the upper surface of the substrate (object to be processed) and simultaneously supplying an etching solution (processing solution) to the lower surface of the substrate, it is possible to selectively etch the peripheral portion and the lower surface of the upper surface of the substrate. A bevel etching apparatus (liquid processing apparatus) is known (see Patent Document 1). A bevel etching apparatus (liquid processing apparatus) described in Patent Document 1 performs etching toward a lower surface of a substrate rotated by the substrate holding and rotating means that rotates while holding the substrate substantially horizontally. It is placed on the substrate holding and rotating means so as to face the upper surface of the substrate with a gap of a predetermined interval, and is rotated together with the substrate by the substrate holding and rotating means. And a shielding plate (top plate) having an opening for supplying a gas for controlling the flow of the etching solution from the lower surface to the upper surface to the upper surface of the substrate.
JP 2002-110626 A

一般に、エッチング液(処理液)は、基板(被処理体)を処理している間に様々な方向に跳びはねる。このため、エッチング液が遮断板(トッププレート)に付着することもある。この結果、特許文献1のような従来技術では、処理済みの基板が基板保持回転手段から取り外されて遮断板の下方を移動される際に、遮断板に付着されたエッチング液が基板上に落ちる可能性がある。また、このように遮断板にエッチング液が付着していると、次回以降に処理される基板に悪影響を及ぼすこともある。   In general, the etching solution (processing solution) jumps in various directions while the substrate (object to be processed) is processed. For this reason, the etching solution may adhere to the blocking plate (top plate). As a result, in the conventional technique such as Patent Document 1, when the processed substrate is removed from the substrate holding and rotating means and moved below the blocking plate, the etching solution attached to the blocking plate falls on the substrate. there is a possibility. In addition, if the etching solution adheres to the blocking plate in this way, it may adversely affect the substrate to be processed next time.

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、被処理体を処理している間にトッププレートに処理液が付着したとしても、当該処理液が処理済みの被処理体上に落ちたり、当該処理液によって次回以降に処理される被処理体に悪影響を及ぼされたりすることを防止する液処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and even if the processing liquid adheres to the top plate while the object to be processed is processed, the processing liquid remains on the object to be processed. It is an object of the present invention to provide a liquid processing apparatus that prevents an object from being dropped or having an adverse effect on an object to be processed after the next time.

本発明による液処理装置は、
被処理体の端部を処理する液処理装置において、
前記被処理体を支持する支持部と、
前記支持部によって支持された前記被処理体を回転させる回転駆動部と、
前記被処理体に処理液を供給する処理液供給機構と、
前記被処理体を処理した処理液を排出する排出機構と、
前記被処理体の周縁外方に設けられ、前記被処理体を処理した処理液を前記排出機構へと導く回転カップと、
前記被処理体の上面側に設けられ、該被処理体を覆うトッププレートと、を備え、
前記トッププレートが、前記回転カップの上方まで延びた周縁外方突出部を有し、
前記周縁外方突出部に、該周縁外方突出部に付着した処理液を吸引する吸引口を有する吸引機構が設けられている。
The liquid processing apparatus according to the present invention comprises:
In the liquid processing apparatus for processing the end of the object to be processed,
A support part for supporting the object to be processed;
A rotation drive unit for rotating the object to be processed supported by the support unit;
A processing liquid supply mechanism for supplying a processing liquid to the object to be processed;
A discharge mechanism for discharging the processing liquid that has processed the object to be processed;
A rotating cup that is provided outside the periphery of the object to be processed and guides the processing liquid that has processed the object to be processed to the discharge mechanism;
A top plate provided on the upper surface side of the object to be processed and covering the object to be processed;
The top plate has a peripheral outward protrusion that extends to above the rotating cup;
A suction mechanism having a suction port for sucking the processing liquid adhering to the outer peripheral protrusion is provided on the peripheral outer protrusion.

本発明による液処理装置において、
前記吸引口は、第一吸引口と、第二吸引口を有することが好ましい。
In the liquid processing apparatus according to the present invention,
The suction port preferably has a first suction port and a second suction port.

本発明による液処理装置において、
前記第一吸引口は、再利用する処理液を吸引し、
前記第二吸引口は、排液として処理する処理液を吸引することが好ましい。
In the liquid processing apparatus according to the present invention,
The first suction port sucks a processing liquid to be reused,
The second suction port preferably sucks a processing liquid to be processed as drainage.

本発明による液処理装置において、
前記処理液供給機構から前記被処理体に供給される前記処理液は、洗浄液とリンス液を含み、
前記第一吸引口は、洗浄液を吸引し、
前記第二吸引口は、リンス液を吸引することが好ましい。
In the liquid processing apparatus according to the present invention,
The processing liquid supplied from the processing liquid supply mechanism to the object to be processed includes a cleaning liquid and a rinsing liquid,
The first suction port sucks cleaning liquid,
The second suction port preferably sucks the rinse liquid.

本発明による液処理装置において、
前記被処理体の上面側に設けられ、前記被処理体と前記回転カップとの間の間隙に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構をさらに備えたことが好ましい。
In the liquid processing apparatus according to the present invention,
It is preferable that the apparatus further includes an inert gas supply mechanism that is provided on the upper surface side of the object to be processed and supplies an inert gas to a gap between the object to be processed and the rotating cup.

本発明による液処理装置において、
前記被処理体の上面側に設けられ、前記被処理体と前記回転カップとの間の間隙に、純水を供給する純水供給部をさらに備えたことが好ましい。
In the liquid processing apparatus according to the present invention,
It is preferable that the apparatus further includes a pure water supply unit that is provided on the upper surface side of the object to be processed and supplies pure water to a gap between the object to be processed and the rotating cup.

本発明によれば、トッププレートが回転カップの上方まで延びた周縁外方突出部を有し、当該周縁外方突出部に、周縁外方突出部に付着した処理液を吸引する吸引機構が設けられている。このため、被処理体を処理している間にトッププレートに処理液が付着したとしても、当該処理液を随時除去することができる。この結果、トッププレートに付着した処理液が処理済みの被処理体上に落ちたり、トッププレートに付着した処理液によって次回以降に処理される被処理体に悪影響を及ぼされたりすることを防止することができる。   According to the present invention, the top plate has a peripheral outer protrusion that extends to above the rotary cup, and the peripheral outer protrusion is provided with a suction mechanism that sucks the processing liquid adhering to the peripheral outer protrusion. It has been. For this reason, even if the processing liquid adheres to the top plate while the object to be processed is processed, the processing liquid can be removed at any time. As a result, the processing liquid adhering to the top plate is prevented from falling on the processed object to be processed, or the processing object adhering to the top plate is not adversely affected on the object to be processed next time. be able to.

発明を実施するための形態BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

実施の形態
以下、本発明に係る液処理装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図1乃至図8は本発明の実施の形態を示す図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a liquid processing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. Here, FIG. 1 to FIG. 8 are diagrams showing an embodiment of the present invention.

図1に示すように、本実施の形態の液処理装置は、被処理体である半導体ウエハW(以下、ウエハWと呼ぶ)の下面と側面(端部)に処理液を供給して、これらウエハWの下面と側面を洗浄して処理するものである。なお、本願で処理液とは、薬液や純水(リンス液)のことを意味している。そして、薬液としては、例えば、フッ酸、硝酸とフッ酸の混合溶液などを用いることができる。   As shown in FIG. 1, the liquid processing apparatus according to the present embodiment supplies a processing liquid to the lower surface and side surfaces (end portions) of a semiconductor wafer W (hereinafter referred to as a wafer W) that is an object to be processed. The lower surface and side surfaces of the wafer W are cleaned and processed. In the present application, the treatment liquid means a chemical solution or pure water (rinse solution). As the chemical solution, for example, hydrofluoric acid, a mixed solution of nitric acid and hydrofluoric acid, or the like can be used.

図1に示すように、液処理装置は、ウエハWの下面に処理液を供給する処理液供給機構37,39と、ウエハWを処理した処理液を排出する排出機構20,21と、ウエハWの周縁外方に設けられ、ウエハWを処理した処理液を排出機構20,21へと導く回転カップ10と、を備えている。   As shown in FIG. 1, the liquid processing apparatus includes processing liquid supply mechanisms 37 and 39 for supplying a processing liquid to the lower surface of the wafer W, discharge mechanisms 20 and 21 for discharging the processing liquid that has processed the wafer W, and a wafer W. , And a rotating cup 10 that guides the processing liquid that has processed the wafer W to the discharge mechanisms 20 and 21.

このうち、処理液供給機構37,39は、図1に示すように、処理液を供給する処理液供給部39と、処理液供給部39から供給された処理液をウエハWの下面側まで導く処理液供給管37とを有している。なお、処理液供給管37の上面は、処理液供給口37aを構成している。   Among these, the processing liquid supply mechanisms 37 and 39 guide the processing liquid supplied from the processing liquid supply section 39 and the processing liquid supplied from the processing liquid supply section 39 to the lower surface side of the wafer W, as shown in FIG. And a processing liquid supply pipe 37. The upper surface of the processing liquid supply pipe 37 constitutes a processing liquid supply port 37a.

また、排出機構20,21は、図1に示すように、回転カップ10によって導かれた処理液を受ける排液カップ20と、排液カップ20によって受けられた処理液を排出する排液管21と、を有している。また、排液カップ20の周りには、排気カップ26が設けられ、この排気カップ26には、排気カップ26内の窒素ガスなどの気体を吸引して排出する排気管25が設けられている。なお、この排気管25には、吸引力を付与する排出吸引部(図示せず)が連結されている。   As shown in FIG. 1, the discharge mechanisms 20 and 21 include a drain cup 20 that receives the processing liquid guided by the rotating cup 10, and a drain pipe 21 that discharges the processing liquid received by the drain cup 20. And have. An exhaust cup 26 is provided around the drain cup 20, and an exhaust pipe 25 that sucks and discharges a gas such as nitrogen gas in the exhaust cup 26 is provided in the exhaust cup 26. The exhaust pipe 25 is connected to a discharge / suction part (not shown) for applying a suction force.

また、図1、図4および図5に示すように、回転カップ10の下端には、周縁内方に突出し、ウエハWの周縁部の下面を支持する複数の支持ピン(支持部)15が設けられている。   As shown in FIGS. 1, 4, and 5, the lower end of the rotary cup 10 is provided with a plurality of support pins (support portions) 15 that protrude inward from the periphery and support the lower surface of the periphery of the wafer W. It has been.

また、図1に示すように、支持ピン15によって支持されたウエハWの上面側には、このウエハWを覆うようにしてトッププレート40が設けられている。また、このトッププレート40内部には、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス(本実施の形態では窒素ガス)を供給する不活性ガス供給部46に連結された不活性ガス供給管47が延在している。なお、不活性ガス供給管47は、トッププレート40の中心部で端部となっており、当該端部が不活性ガス供給口47aを構成している。また、図1に示すように、トッププレート40には、トッププレート40を上下方向に移動させるトッププレート駆動部49が連結されている。なお、トッププレート40が下方位置にあるときのトッププレート40と回転カップ10との間の距離は、回転カップ10が回転することによって、トッププレート40と回転カップ10との間に気流の流れが生じる程度のものになっている。   Further, as shown in FIG. 1, a top plate 40 is provided on the upper surface side of the wafer W supported by the support pins 15 so as to cover the wafer W. Further, an inert gas supply pipe 47 connected to an inert gas supply unit 46 for supplying an inert gas such as nitrogen gas or argon gas (nitrogen gas in the present embodiment) extends inside the top plate 40. Exist. The inert gas supply pipe 47 is an end at the center of the top plate 40, and the end constitutes an inert gas supply port 47a. As shown in FIG. 1, the top plate 40 is connected to a top plate driving unit 49 that moves the top plate 40 in the vertical direction. Note that the distance between the top plate 40 and the rotating cup 10 when the top plate 40 is in the lower position is that the flow of airflow between the top plate 40 and the rotating cup 10 is caused by the rotation of the rotating cup 10. It has become something that occurs.

また、図2に示すように、トッププレート40は、回転カップ10の上方まで延びた周縁外方突出部40pを有している。また、この周縁外方突出部40p内には、吸引力を付与する吸引部70に連結された吸引管75が延在しており、吸引管75の吸引部70と反対側の端部が、周縁外方突出部40pに付着した処理液を吸引する吸引口75aを構成している(図2および図3参照)。なお、これら吸引部70と吸引管75によって、吸引機構が構成されている。   As shown in FIG. 2, the top plate 40 has a peripheral outer protrusion 40 p that extends to above the rotating cup 10. In addition, a suction pipe 75 connected to the suction part 70 for applying a suction force extends in the peripheral outer protrusion 40p, and an end of the suction pipe 75 opposite to the suction part 70 is A suction port 75a for sucking the processing liquid adhering to the peripheral outer protrusion 40p is configured (see FIGS. 2 and 3). The suction unit 70 and the suction tube 75 constitute a suction mechanism.

また、図1に示すように、回転カップ10の下方側には、中空形状からなるベースプレート(ベース)30が設けられ、このベースプレート30には、下方に向かって延在する中空構造の回転軸31が設けられている。そして、回転軸31には、この回転軸31を回転させる回転駆動部60が連結されている。なお、このように回転軸31を回転させることによって、ベースプレート30および回転カップ10を回転させることができ、ひいては、回転カップ10に設けられた支持ピン15上のウエハWを回転させることができる。   As shown in FIG. 1, a hollow base plate (base) 30 is provided on the lower side of the rotary cup 10, and the base plate 30 has a hollow rotating shaft 31 extending downward. Is provided. The rotation shaft 31 is connected to a rotation drive unit 60 that rotates the rotation shaft 31. By rotating the rotary shaft 31 in this way, the base plate 30 and the rotary cup 10 can be rotated, and consequently the wafer W on the support pins 15 provided on the rotary cup 10 can be rotated.

回転駆動部60は、図1に示すように、回転軸31の周縁外方に配置されたプーリ62と、このプーリ62に巻きかけられた駆動ベルト63と、この駆動ベルト63に駆動力を付与することによって、プーリ62を介して回転軸31を回転させるモータ61とを有している。また、回転軸31の周縁外方にはベアリング32が配置されている。   As shown in FIG. 1, the rotary drive unit 60 includes a pulley 62 disposed outside the periphery of the rotary shaft 31, a drive belt 63 wound around the pulley 62, and a driving force applied to the drive belt 63. Thus, the motor 61 that rotates the rotary shaft 31 via the pulley 62 is provided. A bearing 32 is disposed on the outer periphery of the rotating shaft 31.

また、図1に示すように、回転カップ10と回転軸31の中空内には、リフトピン35aを有し、中空形状からなるリフトピンプレート35と、このリフトピンプレート35から下方に延在し、中空形状からなるリフト軸36が配置されている。また、図1に示すように、リフトピンプレート35およびリフト軸36の内部(中空空間内)には、処理液供給管37が上下方向に延在している。なお、リフト軸36には、このリフト軸36を上下方向に移動させるリフト軸駆動部(図示せず)が連結されている。   Further, as shown in FIG. 1, a lift pin 35a is provided in the hollow of the rotary cup 10 and the rotary shaft 31, and a lift pin plate 35 having a hollow shape, and extending downward from the lift pin plate 35, has a hollow shape. A lift shaft 36 is arranged. Further, as shown in FIG. 1, a processing liquid supply pipe 37 extends in the vertical direction inside the lift pin plate 35 and the lift shaft 36 (inside the hollow space). The lift shaft 36 is connected to a lift shaft driving unit (not shown) that moves the lift shaft 36 in the vertical direction.

また、図5に示すように、ベースプレート30と回転カップ10との間にはスペーサ11が配置されており、このスペーサ11内には、回転カップ10とベースプレート30とを締結するネジなどの締結部材12が設けられている。また、図4に示すように、回転カップ10には締結部材12を貫通させるための孔部10aが設けられている。なお、本実施の形態では、スペーサ11と回転カップ10は一体成形され、一体に構成されている。   Further, as shown in FIG. 5, a spacer 11 is disposed between the base plate 30 and the rotating cup 10, and a fastening member such as a screw for fastening the rotating cup 10 and the base plate 30 in the spacer 11. 12 is provided. As shown in FIG. 4, the rotary cup 10 is provided with a hole 10 a for allowing the fastening member 12 to pass therethrough. In the present embodiment, the spacer 11 and the rotary cup 10 are integrally formed and integrally configured.

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。   Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described.

まず、搬送ロボット(図示せず)によって、キャリア(図示せず)から取り出されたウエハWが、リフト軸駆動部(図示せず)により受け渡し位置(上方位置)に位置づけられたリフトピンプレート35のリフトピン35a上に載置される。このとき、トッププレート40は、トッププレート駆動部49によって、ウエハWの受け渡し位置よりも上方位置に位置づけられている。   First, a lift pin of a lift pin plate 35 in which a wafer W taken out from a carrier (not shown) by a transfer robot (not shown) is positioned at a delivery position (upper position) by a lift shaft driving unit (not shown). 35a. At this time, the top plate 40 is positioned above the transfer position of the wafer W by the top plate driving unit 49.

次に、リフト軸駆動部(図示せず)によって、リフトピンプレート35が下方に移動させられてウエハ処理位置に位置づけられる(図1参照)。このようにリフトピンプレート35が下方に移動させられている間に、回転カップ10に設けられた支持ピン15によって、ウエハWの下面が支持される。その後、トッププレート駆動部49によって、トッププレート40が下方位置に位置づけられる。なお、本実施の形態では、回転カップ10の内周面10fが下方に向かって傾斜している(図5参照)。このため、例えウエハWが誤って回転カップ10上に配置された場合であっても、ウエハWを下方へ滑らせることができ、ウエハWを支持ピン15によって確実に支持させることができる。   Next, the lift pin plate 35 is moved downward by the lift shaft driving unit (not shown) and positioned at the wafer processing position (see FIG. 1). Thus, while the lift pin plate 35 is moved downward, the lower surface of the wafer W is supported by the support pins 15 provided on the rotary cup 10. Thereafter, the top plate drive unit 49 positions the top plate 40 in the lower position. In the present embodiment, the inner peripheral surface 10f of the rotary cup 10 is inclined downward (see FIG. 5). For this reason, even if the wafer W is mistakenly placed on the rotating cup 10, the wafer W can be slid downward, and the wafer W can be reliably supported by the support pins 15.

次に、回転駆動部60により回転軸31が回転駆動されることによって、ベースプレート30および回転カップ10が回転され、この結果、回転カップ10に設けられた支持ピン15上のウエハWが回転される(図1参照)。ここで、回転軸31は、モータ61から駆動ベルト63を介してプーリ62に駆動力が付与されることによって、回転駆動される。   Next, when the rotation shaft 31 is rotationally driven by the rotation driving unit 60, the base plate 30 and the rotation cup 10 are rotated. As a result, the wafer W on the support pins 15 provided in the rotation cup 10 is rotated. (See FIG. 1). Here, the rotating shaft 31 is rotationally driven by applying a driving force from the motor 61 to the pulley 62 via the driving belt 63.

このとき、ウエハWの下面には、処理液供給部39から供給された処理液が供給される(図1参照)。そして、ウエハWの下面に供給された処理液は、ウエハWが回転することによって発生する遠心力によって周縁外方に向かって移動される。   At this time, the processing liquid supplied from the processing liquid supply unit 39 is supplied to the lower surface of the wafer W (see FIG. 1). Then, the processing liquid supplied to the lower surface of the wafer W is moved outwardly by the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W.

他方、トッププレート40の中心部に設けられた不活性ガス供給口47aからは窒素ガスが供給される(図1参照)。そして、この窒素ガスは、ウエハWの上面を経た後、ウエハWと回転カップ10との間の間隙に供給される(図5参照)。このため、ウエハWの周縁部に達した処理液が、毛細管現象によって、ウエハWと支持ピン15との間およびウエハWと回転カップ10との間から、ウエハWの上面側に回り込むことを防止することができる。   On the other hand, nitrogen gas is supplied from an inert gas supply port 47a provided at the center of the top plate 40 (see FIG. 1). The nitrogen gas passes through the upper surface of the wafer W and is then supplied to the gap between the wafer W and the rotating cup 10 (see FIG. 5). For this reason, the processing liquid reaching the peripheral edge of the wafer W is prevented from flowing into the upper surface side of the wafer W from between the wafer W and the support pins 15 and between the wafer W and the rotating cup 10 by capillary action. can do.

なお、本実施の形態によれば、スペーサ11と回転カップ10とも一体で構成されている。このため、支持ピン15で支持されたウエハWの高さ位置を、ベースプレート30の高さ位置に対して均一にすることができる。この結果、ウエハWの下面側を流れる窒素ガスの流れを均一にすることができるので、ウエハWの処理精度を向上させることができる。   In addition, according to this Embodiment, the spacer 11 and the rotating cup 10 are also comprised integrally. For this reason, the height position of the wafer W supported by the support pins 15 can be made uniform with respect to the height position of the base plate 30. As a result, since the flow of nitrogen gas flowing on the lower surface side of the wafer W can be made uniform, the processing accuracy of the wafer W can be improved.

ところで、本実施の形態において、処理液供給機構37,39からウエハWの下面に供給される処理液を、適宜変更することができる。処理液供給機構37,39は、例えば、まず、希フッ酸(SC1)を供給し、その後、純水(DIW)を供給することができる。   In the present embodiment, the processing liquid supplied from the processing liquid supply mechanisms 37 and 39 to the lower surface of the wafer W can be changed as appropriate. For example, the treatment liquid supply mechanisms 37 and 39 can supply dilute hydrofluoric acid (SC1) first, and then supply pure water (DIW).

上述のような処理液によるウエハWを洗浄する処理が終了すると、処理液供給部39からの処理液(例えば、純水)の供給が停止される。   When the process of cleaning the wafer W with the process liquid as described above is completed, the supply of the process liquid (for example, pure water) from the process liquid supply unit 39 is stopped.

次に、回転駆動部60によって回転軸31が高速回転される。この結果、支持ピン15上のウエハWが高速回転され、ウエハWが乾燥される(図1参照)。その後、回転駆動機構60のモータ61が停止され、支持ピン15上のウエハWの回転も停止される(図1参照)。   Next, the rotation shaft 31 is rotated at a high speed by the rotation driving unit 60. As a result, the wafer W on the support pins 15 is rotated at a high speed, and the wafer W is dried (see FIG. 1). Thereafter, the motor 61 of the rotation drive mechanism 60 is stopped, and the rotation of the wafer W on the support pins 15 is also stopped (see FIG. 1).

次に、トッププレート駆動部49によって、トッププレート40がウエハWの受け渡し位置よりも上方位置に位置づけられる。その後、リフト軸駆動部(図示せず)によって、リフトピンプレート35が上方位置に移動させられて、ウエハWが受け渡し位置(上方位置)に位置づけられる。   Next, the top plate drive unit 49 positions the top plate 40 at a position higher than the wafer W transfer position. Thereafter, the lift pin plate 35 is moved to the upper position by the lift shaft driving unit (not shown), and the wafer W is positioned at the delivery position (upper position).

次に、搬送ロボット(図示せず)によって、リフトピンプレート35上からウエハWが除去される。   Next, the wafer W is removed from the lift pin plate 35 by a transfer robot (not shown).

ここで、本実施の形態によれば、図2および図3に示すように、周縁外方突出部40pに、吸引部70に連結された吸引管75の吸引口75aが設けられている。そして、図3に示すように、トッププレート40の周縁外方突出部40pの下面や下方外側面40q(図2参照)に付着した処理液には、回転カップ10が回転することによって生じる気流の流れによって、回転力が付与される。このため、周縁外方突出部40pの下面や下方外側面40qに付着した処理液は、これら周縁外方突出部40pの下面や下方外側面40q上を移動し、吸引口75aから吸引されることとなる。   Here, according to the present embodiment, as shown in FIG. 2 and FIG. 3, the suction port 75 a of the suction pipe 75 connected to the suction part 70 is provided in the peripheral outer protrusion 40 p. As shown in FIG. 3, the treatment liquid adhering to the lower surface or the lower outer surface 40q (see FIG. 2) of the peripheral outer protrusion 40p of the top plate 40 is subjected to airflow generated by the rotation of the rotary cup 10. A rotational force is applied by the flow. For this reason, the processing liquid adhering to the lower surface and the lower outer surface 40q of the peripheral outer protrusion 40p moves on the lower surface and the lower outer surface 40q of the peripheral outer protrusion 40p and is sucked from the suction port 75a. It becomes.

なお、周縁外方突出部40pの周縁外方側(トッププレート40の半径方向において吸引口75aから離れた位置)に付着した処理液は、周縁外方突出部40pと回転カップ10との間に発生する気流の流れまたは窒素ガスと気流の流れによって、周縁外方突出部40pの周縁外方に向かって流れて除去されることとなる(図2および図3参照)。また、回転カップ10の上面に付着した処理液は、回転カップ10が回転することによって発生する遠心力によって、周縁外方突出部40pと回転カップ10との間から周縁外方に向かって流れて除去されることとなる。   The treatment liquid adhering to the outer peripheral edge of the peripheral outer protrusion 40p (position away from the suction port 75a in the radial direction of the top plate 40) is between the peripheral outer protrusion 40p and the rotary cup 10. By the flow of the generated air flow or the flow of nitrogen gas and the air flow, the air flows toward the outer periphery of the peripheral outer protrusion 40p and is removed (see FIGS. 2 and 3). Further, the processing liquid adhering to the upper surface of the rotating cup 10 flows toward the outer periphery from between the outer peripheral protrusion 40p and the rotating cup 10 due to the centrifugal force generated by the rotation of the rotating cup 10. It will be removed.

これらのことから、処理液が、回転カップ10の内周端とウエハWの外周端との間からウエハWの上方へと飛び散って、周縁外方突出部40pの下面、下方外側面40qおよび回転カップ10の上面に付着した場合であっても(図2参照)、当該処理液を確実に除去することができる。   For these reasons, the processing liquid scatters from between the inner peripheral end of the rotating cup 10 and the outer peripheral end of the wafer W to the upper side of the wafer W, and the lower surface, the lower outer surface 40q, and the rotation of the peripheral outer protrusion 40p Even when it adheres to the upper surface of the cup 10 (see FIG. 2), the treatment liquid can be reliably removed.

従って、搬送ロボット(図示せず)によって、処理済みのウエハWがトッププレート40の下方を移動されるときに、トッププレート40の周縁外方突出部40pの下面や下方外側面40qに付着した処理液が、当該ウエハW上に落ちることを防止することができる。また、周縁外方突出部40pの下面や下方外側面40qに付着した処理液によって、次回以降に処理されるウエハWに、悪影響を及ぼされることも防止することができる。   Accordingly, when the processed wafer W is moved below the top plate 40 by a transfer robot (not shown), the processing adhered to the lower surface and the lower outer surface 40q of the peripheral outer protrusion 40p of the top plate 40. The liquid can be prevented from falling on the wafer W. Moreover, it is possible to prevent the wafer W to be processed from the next time from being adversely affected by the processing liquid adhering to the lower surface or the lower outer surface 40q of the peripheral outer protrusion 40p.

ところで、上記では、周縁外方突出部40pに1個の吸引口75aが設けられている態様を用いて説明した(図3参照)。しかしながら、これに限られることなく、図6に示すように、周縁外方突出部40pに2個の吸引口(第一吸引口76aおよび第二吸引口77a)が設けられてもよい。   By the way, in the above, it demonstrated using the aspect by which the one suction port 75a was provided in the peripheral outward protrusion part 40p (refer FIG. 3). However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 6, two suction ports (first suction port 76a and second suction port 77a) may be provided in the peripheral outer protrusion 40p.

この場合には、吸引部70と反対側の端部が第一吸引口76aを構成する第一吸引管76に、開閉自在の第一バルブ71が設けられ、吸引部70と反対側の端部が第二吸引口77aを構成する第二吸引管77に、開閉自在の第二バルブ72が設けられている。   In this case, a first valve 71 that is openable and closable is provided in a first suction pipe 76 whose end opposite to the suction part 70 constitutes the first suction port 76a, and an end opposite to the suction part 70 is provided. The second suction pipe 77 constituting the second suction port 77a is provided with a second valve 72 that can be freely opened and closed.

このため、第一バルブ71および第二バルブ72の開閉状態を調整することによって、第一吸引口76aと第二吸引口77aで吸引される処理液の種類を代えることができる。例えば、第一吸引口76aを再利用する処理液を吸引するために利用し、第二吸引口77aは、排液として処理する処理液を吸引するために利用することができる。また、第一吸引口76aを薬液を吸引するために利用し、第二吸引口77aを純水を吸引するために利用することもできる。   For this reason, by adjusting the open / close state of the first valve 71 and the second valve 72, the type of the processing liquid sucked by the first suction port 76a and the second suction port 77a can be changed. For example, the first suction port 76a can be used for sucking the processing liquid to be reused, and the second suction port 77a can be used for sucking the processing liquid to be processed as drainage. Further, the first suction port 76a can be used for sucking the chemical solution, and the second suction port 77a can be used for sucking pure water.

なお、第一吸引口76aによって処理液を吸引する場合には、第一バルブ71が開状態となり第二バルブ72が閉状態となっている。他方、第二吸引口77aによって処理液を吸引する場合には、第一バルブ71が閉状態となり第二バルブ72が開状態となっている。   When the processing liquid is sucked through the first suction port 76a, the first valve 71 is open and the second valve 72 is closed. On the other hand, when the processing liquid is sucked through the second suction port 77a, the first valve 71 is closed and the second valve 72 is opened.

また、上記では、トッププレート40の中心部に不活性ガス供給口47aが設けられている態様を用いて説明した(図1参照)。しかしながら、これに限ることなく、例えば、図7に示すように、トッププレート40の周縁部であってウエハWの周縁部に対向する位置に、不活性ガス供給管47が設けられていてもよい。   Moreover, in the above, it demonstrated using the aspect by which the inert gas supply port 47a was provided in the center part of the top plate 40 (refer FIG. 1). However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 7, an inert gas supply pipe 47 may be provided at a position that is a peripheral portion of the top plate 40 and faces the peripheral portion of the wafer W. .

また、ウエハWの上面側に、ウエハWと回転カップ10との間の間隙に、純水を供給する純水供給部48をさらに設けてもよい。具体的には、例えば図7に示すように、トッププレート40の周縁部であってウエハWの周縁部に対向する位置に、純水を供給する純水供給部48が設けられてもよい。このように純水供給部48を設けることによって、ウエハWの周縁部の上面もリンスすることができる。   Further, a pure water supply unit 48 that supplies pure water may be further provided on the upper surface side of the wafer W in the gap between the wafer W and the rotary cup 10. Specifically, for example, as shown in FIG. 7, a pure water supply unit 48 that supplies pure water may be provided at a peripheral edge of the top plate 40 and facing the peripheral edge of the wafer W. By providing the pure water supply unit 48 in this manner, the upper surface of the peripheral portion of the wafer W can be rinsed.

なお、このように純水供給部48から供給された純水および処理液供給機構37,39から供給された純水は、周縁外方突出部40pの下面や下方外側面40q上を移動するので、これら周縁外方突出部40pの下面や下方外側面40qを洗浄することができる。このため、周縁外方突出部40pの下面および下方外側面40qを、清潔な状態で維持することができる。   The pure water supplied from the pure water supply unit 48 and the pure water supplied from the treatment liquid supply mechanisms 37 and 39 move on the lower surface of the outer peripheral protrusion 40p and the lower outer surface 40q. The lower surface and the lower outer surface 40q of these peripheral outer protrusions 40p can be cleaned. For this reason, the lower surface and the lower outer surface 40q of the peripheral outer protrusion 40p can be maintained in a clean state.

また、上記では、回転カップ10の下端に、周縁内方に突出し、ウエハWの周縁部の下面を支持する複数の支持ピン(支持部)15が設けられている態様を用いて説明した(図1、図4および図5参照)。しかしながら、これに限られることなく、例えば図8に示すように、ベースプレート30に設けられた複数(例えば3本)の支持ピン(支持部)15aによってウエハWを支持するものや、ベースプレート30に設けられたメカチャック(図示せず)によってウエハWの周縁部を把持することによってウエハWを支持するものも用いることができる。   In the above description, the rotating cup 10 has been described using an embodiment in which a plurality of support pins (supporting portions) 15 that protrude inward at the periphery and support the lower surface of the periphery of the wafer W are provided (see FIG. 1, see FIGS. 4 and 5). However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 8, the wafer W is supported by a plurality of (for example, three) support pins (support portions) 15 a provided on the base plate 30, or provided on the base plate 30. A device that supports the wafer W by holding the peripheral edge of the wafer W with a mechanical chuck (not shown) can also be used.

また、上記では、スペーサ11と回転カップ10とが一体で構成されている態様を用いて説明した。しかしながら、これに限られることなく、スペーサ11が回転カップ10と別体を構成し、スペーサ11が回転カップ10に取り付けられるような構成からなっていてもよい。   Moreover, in the above, it demonstrated using the aspect with which the spacer 11 and the rotating cup 10 were comprised integrally. However, the present invention is not limited to this, and the spacer 11 may be configured separately from the rotating cup 10 and the spacer 11 may be attached to the rotating cup 10.

ところで、上記では、ウエハWの下面の中心部に処理液が供給され、ウエハWの下面全体と側面が処理される態様を用いて説明したが、これに限られることなく、ウエハWの下面の周縁部に処理液が供給され、ウエハWの下面の周縁部と側面が処理されるものであってもよい。   In the above description, the processing liquid is supplied to the center of the lower surface of the wafer W and the entire lower surface and side surfaces of the wafer W are processed. However, the present invention is not limited to this. The processing liquid may be supplied to the peripheral portion, and the peripheral portion and the side surface of the lower surface of the wafer W may be processed.

本発明の実施の形態による液処理装置の構成を示す概略断面図。1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態による液処理装置の回転カップ近傍の処理液の流れを示した概略断面図。The schematic sectional drawing which showed the flow of the process liquid of the rotation cup vicinity of the liquid processing apparatus by embodiment of this invention. 本発明の実施の形態による液処理装置の回転カップと吸引機構の上方平面図。The upper side top view of the rotation cup and suction mechanism of the liquid processing apparatus by embodiment of this invention. 本発明の実施の形態による液処理装置の回転カップの斜視図。The perspective view of the rotation cup of the liquid processing apparatus by embodiment of this invention. 本発明の実施の形態による液処理装置の回転カップ近傍を拡大した概略断面図。The schematic sectional drawing which expanded the rotation cup vicinity of the liquid processing apparatus by embodiment of this invention. 本発明の実施の形態の変形例による液処理装置の回転カップと吸引機構の上方平面図。The upper top view of the rotating cup and suction mechanism of the liquid processing apparatus by the modification of embodiment of this invention. 本発明の実施の形態の変形例による液処理装置の回転カップ近傍を拡大した概略断面図。The schematic sectional drawing which expanded the rotation cup vicinity of the liquid processing apparatus by the modification of embodiment of this invention. 本発明の実施の形態の別の変形例による液処理装置の回転カップ近傍を拡大した概略断面図。The schematic sectional drawing which expanded the rotation cup vicinity of the liquid processing apparatus by another modification of embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

W ウエハ(被処理体)
10 回転カップ
11 スペーサ
15 支持ピン(支持部)
20 排液カップ
21 排液管
25 排気管
26 排気カップ
30 ベースプレート(ベース)
37 処理液供給管
39 処理液供給部
40 トッププレート
40p 周縁外方突出部
47 不活性ガス供給管
48 純水供給部
60 回転駆動部
70 吸引部
71 第一バルブ
72 第二バルブ
75,76,77 吸引管
W wafer (object to be processed)
10 Rotating cup 11 Spacer 15 Support pin (support part)
20 drain cup 21 drain pipe 25 exhaust pipe 26 exhaust cup 30 base plate (base)
37 treatment liquid supply pipe 39 treatment liquid supply section 40 top plate 40p peripheral outer protrusion 47 inert gas supply pipe 48 pure water supply section 60 rotation drive section 70 suction section 71 first valve 72 second valves 75, 76, 77 Suction tube

Claims (6)

被処理体の端部を処理する液処理装置において、
前記被処理体を支持する支持部と、
前記支持部によって支持された前記被処理体を回転させる回転駆動部と、
前記被処理体に処理液を供給する処理液供給機構と、
前記被処理体を処理した処理液を排出する排出機構と、
前記被処理体の周縁外方に回転可能に設けられ、前記被処理体を処理した処理液を前記排出機構へと導く回転カップと、
前記被処理体の上面側に設けられ、該被処理体を覆うトッププレートと、を備え、
前記トッププレートは、前記回転カップの上方まで延びた周縁外方突出部を有し、該周縁外方突出部と前記回転カップとの間に間隙が形成され、
前記周縁外方突出部に、該周縁外方突出部に付着した処理液を吸引する吸引口を有する吸引機構が設けられていることを特徴とする液処理装置。
In the liquid processing apparatus for processing the end of the object to be processed,
A support part for supporting the object to be processed;
A rotation drive unit for rotating the object to be processed supported by the support unit;
A processing liquid supply mechanism for supplying a processing liquid to the object to be processed;
A discharge mechanism for discharging the processing liquid that has processed the object to be processed;
The rotatably provided on the periphery outside of the object, a rotary cup for guiding the processing liquid processing the object to be processed to the discharge mechanism,
A top plate provided on the upper surface side of the object to be processed and covering the object to be processed;
The top plate has a peripheral outer protrusion that extends to above the rotating cup, and a gap is formed between the peripheral outer protrusion and the rotating cup.
The liquid processing apparatus, wherein a suction mechanism having a suction port for sucking the processing liquid adhering to the peripheral outer protrusion is provided in the peripheral outer protrusion.
前記吸引口は、第一吸引口と、第二吸引口を有することを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。   The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the suction port includes a first suction port and a second suction port. 前記第一吸引口は、再利用する処理液を吸引し、
前記第二吸引口は、排液として処理する処理液を吸引することを特徴とする請求項2に記載の液処理装置。
The first suction port sucks a processing liquid to be reused,
The liquid processing apparatus according to claim 2, wherein the second suction port sucks a processing liquid to be processed as waste liquid.
前記処理液供給機構から前記被処理体に供給される前記処理液は、洗浄液とリンス液を含み、
前記第一吸引口は、洗浄液を吸引し、
前記第二吸引口は、リンス液を吸引することを特徴とする請求項2に記載の液処理装置。
The processing liquid supplied from the processing liquid supply mechanism to the object to be processed includes a cleaning liquid and a rinsing liquid,
The first suction port sucks cleaning liquid,
The liquid processing apparatus according to claim 2, wherein the second suction port sucks a rinse liquid.
前記被処理体の上面側に設けられ、前記被処理体と前記回転カップとの間の間隙に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構をさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の液処理装置。   2. An inert gas supply mechanism that is provided on an upper surface side of the object to be processed and supplies an inert gas into a gap between the object to be processed and the rotating cup. 5. The liquid processing apparatus according to any one of 4 above. 前記被処理体の上面側に設けられ、前記被処理体と前記回転カップとの間の間隙に、純水を供給する純水供給部をさらに備えたことを特徴とする請求項5に記載の液処理装置。   The pure water supply part which is provided in the upper surface side of the said to-be-processed object, and supplies a pure water to the gap | interval between the said to-be-processed object and the said rotation cup is further provided. Liquid processing equipment.
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