JP5141288B2 - Optical semiconductor package - Google Patents

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Description

本発明は、面発光型半導体レーザ(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser diode:以下VCSELと呼ぶ)等の半導体レーザ素子からのレーザ光を光ファイバに結合する光半導体パッケージに関し、特に、温度変化による光出力の低下を抑制する技術に関する。   The present invention relates to an optical semiconductor package that couples laser light from a semiconductor laser element such as a surface-emitting semiconductor laser (Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser diode: hereinafter referred to as VCSEL) to an optical fiber. The present invention relates to a technique for suppressing a decrease in output.

VCSELなど半導体レーザ素子を通信分野の光源に用いる場合、光源の信頼性や安定性を高めるため、半導体レーザ素子をパッケージ内に収容している。図10は、従来の光半導体パッケージの典型的な構成を示す概略断面図である。同図に示す光半導体パッケージ200は、ハウジング212とレンズ214とを一体化したレセプタクル210を有している。ハウジング212の一方の端部には、キャンパッケージ220が結合され、他方の端部には、光ファイバ230が挿入されている。このように、キャンパッケージ220とレセプタクル210とを固定した光半導体パッケージ200は、TOSA(Transmitter Optical Subassembly)と呼ばれている。   When a semiconductor laser element such as a VCSEL is used as a light source in the communication field, the semiconductor laser element is accommodated in a package in order to improve the reliability and stability of the light source. FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a typical configuration of a conventional optical semiconductor package. The optical semiconductor package 200 shown in the figure has a receptacle 210 in which a housing 212 and a lens 214 are integrated. A can package 220 is coupled to one end of the housing 212, and an optical fiber 230 is inserted into the other end. As described above, the optical semiconductor package 200 in which the can package 220 and the receptacle 210 are fixed is called TOSA (Transmitter Optical Subassembly).

キャンパッケージ220は、その内部にVCSEL222を含み、VCSEL222から出射されたレーザ光は、レンズ214により集光され、光ファイバ230のコアに入射され、VCSEL222と光ファイバ230とが光結合される。   The can package 220 includes a VCSEL 222 therein, and the laser light emitted from the VCSEL 222 is collected by the lens 214 and is incident on the core of the optical fiber 230, and the VCSEL 222 and the optical fiber 230 are optically coupled.

この他にも、VCSELを用いた光半導体パッケージに関する技術は、いくつかの特許文献により開示されている。特許文献1は、レンズと、ハウジングと、光電変換素子とを含み、レンズの一方が入射光をコリメートする機能を有し、他方が意図的に収差をつけて光ファイバを結合するサブアセンブリに関する技術を開示している。意図的にZ方向に収差をつけ、Z方向の調芯を省くことで、アライメント工程を簡略化している。   In addition to this, technologies relating to an optical semiconductor package using a VCSEL are disclosed in several patent documents. Patent Document 1 includes a lens, a housing, and a photoelectric conversion element. One of the lenses has a function of collimating incident light, and the other is a technique related to a subassembly in which an optical fiber is coupled with intentional aberration. Is disclosed. By intentionally giving aberration in the Z direction and omitting alignment in the Z direction, the alignment process is simplified.

特許文献2は、レンズとハウジングとを一体化し、光デバイスを収納する空間が形成されたサブアセンブリに関する技術を開示している。これにより、小型化、低コスト化を可能にしている。   Patent Document 2 discloses a technique related to a subassembly in which a lens and a housing are integrated and a space for storing an optical device is formed. This enables downsizing and cost reduction.

特許文献3は、レンズを樹脂によりインサート成形した一次成形ピースを作製した後、さらにインサート成形してハウジング形状となるように二次成形するような二段階成形の製造方法を開示している。レンズとハウジングを同一の材料により形成することで、低コスト化を図っている。   Patent Document 3 discloses a manufacturing method of two-stage molding in which a primary molded piece in which a lens is insert-molded with a resin is manufactured, and then insert-molded to be secondarily molded into a housing shape. The cost is reduced by forming the lens and the housing from the same material.

米国特許5537504号US Pat. No. 5,537,504 米国特許6302596号US Pat. No. 6,302,596 特開平11−54849号JP-A-11-54849

図11は、VCSEL単体の常温での光出力特性を示すグラフであり、図12は、VCSELをパッケージした後の常温での光出力特性を示すグラフである。VCSELをキャン(TO−can)やTOSAなどにパッケージすると、サーマルロールオーバーポイント、すなわち最大光出力を得るための駆動電流が低下するという問題がある。VCSEL単体では、図11に示すように最大光出力が3.7mWであるが、その時の駆動電流が21.5mAであり、キャン封止されたパッケージでは、最大光出力が0.98mAであるが、その時の駆動電流は22mAである。ところが、TOSAでは、最大光出力0.58mW時の駆動電流が18mAにまで低下してしまう。   FIG. 11 is a graph showing the light output characteristics at room temperature of the VCSEL alone, and FIG. 12 is a graph showing the light output characteristics at room temperature after the VCSEL is packaged. When a VCSEL is packaged in a can (TO-can), TOSA, or the like, there is a problem that a thermal rollover point, that is, a driving current for obtaining a maximum light output is lowered. As shown in FIG. 11, the VCSEL alone has a maximum light output of 3.7 mW, but the drive current at that time is 21.5 mA, and the can-sealed package has a maximum light output of 0.98 mA. The drive current at that time is 22 mA. However, in TOSA, the drive current at the maximum optical output of 0.58 mW is reduced to 18 mA.

VCSELを常温で駆動する場合、その駆動電流は、サーマルロールオーバーポイントの電流値よりも十分に小さい。他方、VCSELを高温で駆動する場合には、図11および図12に示す光出力特性のグラフは右側にシフトし、常温のときと同等の光出力を得るためには、駆動電流を大きくしなければならない。しかしながら、図12に示すように、VCSELをパッケージした場合には、たとえ駆動電流を大きくしても、その最大光出力が規定の光出力に達しないという問題がある。これは、VCSELの駆動電流を大きくすると、VCSELから放射されるレーザ光の広がり角が大きくなり、レーザ光がレンズ(例えば、図10のレンズ214)の周縁部分に入射され、周縁部分のレーザ光の屈折が不十分となり、収差等の影響により光ファイバーへ適切に入射される光量が低下してしまうためである。特に、マルチモードのVCSELの場合は、シングルモードと比較して広がり角が大きいため、光量の損失が大きくなってしまう。   When the VCSEL is driven at room temperature, the drive current is sufficiently smaller than the current value of the thermal rollover point. On the other hand, when the VCSEL is driven at a high temperature, the graphs of the optical output characteristics shown in FIGS. 11 and 12 shift to the right, and in order to obtain an optical output equivalent to that at room temperature, the drive current must be increased. I must. However, as shown in FIG. 12, when the VCSEL is packaged, there is a problem that even if the drive current is increased, the maximum light output does not reach the prescribed light output. This is because when the drive current of the VCSEL is increased, the spread angle of the laser light emitted from the VCSEL is increased, and the laser light is incident on the peripheral portion of the lens (for example, the lens 214 in FIG. 10). This is because the amount of light that is appropriately incident on the optical fiber is reduced due to the influence of aberration and the like. In particular, in the case of a multi-mode VCSEL, since the divergence angle is larger than that in the single mode, the loss of light amount is increased.

本発明は、このような課題を解決するものであり、広い温度範囲において光出力の低下を抑制した光半導体パッケージを提供することを目的とする。   The present invention solves such a problem, and an object thereof is to provide an optical semiconductor package in which a decrease in light output is suppressed in a wide temperature range.

本発明に係る光半導体パッケージは、第1の熱膨張係数を有する第1の樹脂から形成され、第1の端部と当該第1の端部と対向する第2の端部とを有し、第1および第2の端部にはそれぞれ第1および第2の開口部が形成され、第1の端部と第2の端部の間には内部空間が形成されているハウジングと、半導体レーザ素子を支持する支持部材と、第1の熱膨張係数と異なる第2の熱膨張係数を有する光透過性の第2の樹脂から形成され、前記ハウジングの内壁の一部と接触するように前記内部空間内に配されたレンズ部材とを有し、前記支持部材は、前記半導体レーザ素子が前記第1の開口部内に位置するように前記第1の端部に結合され、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光はレンズ部材を透過して前記第2の開口部へ導かれる。   An optical semiconductor package according to the present invention is formed of a first resin having a first coefficient of thermal expansion, has a first end and a second end facing the first end, A housing in which first and second openings are formed in the first and second ends, respectively, and an internal space is formed between the first end and the second end; and a semiconductor laser A support member for supporting the element; and a light transmissive second resin having a second thermal expansion coefficient different from the first thermal expansion coefficient, and the inner part being in contact with a part of the inner wall of the housing. A lens member disposed in the space, and the support member is coupled to the first end so that the semiconductor laser element is located in the first opening, and is emitted from the semiconductor laser element The laser beam that has passed through the lens member is guided to the second opening.

支持部材は、例えば半導体レーザ素子を搭載するステムである。さらに支持部材は、半導体レーザ素子を封止するようなキャップを含むことができる。前記レンズ部材は、前記支持部材上の半導体レーザ素子を封止するものであってもよい。好ましくは前記第1の樹脂はエポキシ樹脂であり、前記第2の樹脂は、ポリカーボネートである。あるいは前記第1の樹脂はシリコーン樹脂であり、前記第2の樹脂はポリカーボネートである。好ましくは、前記第1の樹脂の第1の熱膨張係数は、前記第2の樹脂の第2の熱膨張係数よりも大きく、前記ハウジングと前記レンズ部材の熱膨張係数の差により前記レンズ部材に応力が与えられたとき、前記第2の樹脂の屈折率は大きくなる。好ましくは、前記第2の樹脂は、光弾性係数が30×10−12/Pa以上であり、屈折率の変化は、0.003以上である。 The support member is, for example, a stem on which a semiconductor laser element is mounted. Further, the support member can include a cap for sealing the semiconductor laser element. The lens member may seal the semiconductor laser element on the support member. Preferably, the first resin is an epoxy resin and the second resin is a polycarbonate. Alternatively, the first resin is a silicone resin and the second resin is a polycarbonate. Preferably, a first thermal expansion coefficient of the first resin is larger than a second thermal expansion coefficient of the second resin, and the lens member is caused by a difference in thermal expansion coefficient between the housing and the lens member. When stress is applied, the refractive index of the second resin increases. Preferably, the second resin has a photoelastic coefficient of 30 × 10 −12 / Pa or more, and a change in refractive index is 0.003 or more.

好ましくは前記レンズ部材は、前記半導体レーザ素子からのレーザ光を入射する入射面と、当該入射面に対向する出射面と、前記入射面と前記出射面とを連結する外周面とを含み。好ましくは外周面は、前記内壁の一部に接着剤により固着されている。好ましくは第2の開口部には、光ファイバが結合される。また、半導体レーザ素子は、マルチモードのレーザ光を出射する面発光型半導体レーザである。   Preferably, the lens member includes an incident surface on which a laser beam from the semiconductor laser element is incident, an emission surface facing the incident surface, and an outer peripheral surface connecting the incident surface and the emission surface. Preferably, the outer peripheral surface is fixed to a part of the inner wall with an adhesive. Preferably, an optical fiber is coupled to the second opening. The semiconductor laser element is a surface emitting semiconductor laser that emits multimode laser light.

本発明によれば、ハウジングと熱膨張係数の異なるレンズ部材をハウジング内に設け、高温時に両者の熱膨張係数の差によって生じる応力をレンズ部材に与えることで、レンズ部材の屈折率を大きくなるように変化させ、実質的にレンズ部材の開口数を大きくする。これにより、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光がレンズ部材によって効果的に屈折されて第2の開口部へ導かれ、第2の開口部における光出力の低下を抑制することができる。   According to the present invention, a lens member having a coefficient of thermal expansion different from that of the housing is provided in the housing, and stress caused by a difference between the two coefficients of thermal expansion is applied to the lens member at a high temperature so that the refractive index of the lens member is increased. To substantially increase the numerical aperture of the lens member. Thereby, the laser light emitted from the semiconductor laser element is effectively refracted by the lens member and guided to the second opening, and a decrease in light output at the second opening can be suppressed.

以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1(a)は、本発明の第1の実施例に係る光半導体パッケージの概略構成を示す断面図、図1(b)はハウジングの断面図である。第1の実施例に係る光半導体パッケージ10は、VCSELを含むキャンパッケージ12と、円筒状の樹脂から構成されたハウジング14と、ハウジング14内に収容されたレンズ部材16とを有する。   FIG. 1A is a sectional view showing a schematic configuration of an optical semiconductor package according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view of a housing. The optical semiconductor package 10 according to the first embodiment includes a can package 12 including a VCSEL, a housing 14 made of a cylindrical resin, and a lens member 16 accommodated in the housing 14.

ハウジング14は、エポキシ等の樹脂をモールド成型することによって構成され、図1(b)に示すように、第1の端部14aと、当該第1の端部14aと対向する第2の端部14bとを有する。第1の端部14aと第2の端部14bとの間には、内部空間14cが形成されている。第1の端部14aには、円形状の第1の開口14dが形成され、第2の端部14bには、第1の開口14dよりも径の小さな第2の開口14eが形成されている。内部空間14cは、第1の開口14dおよび第2の開口14eにそれぞれ接続され、両者の境界に段差面14fを有している。さらに第2の開口14e内には、内径を幾分小さくした係止部14gが形成されている。   The housing 14 is formed by molding a resin such as epoxy, and as shown in FIG. 1B, the first end portion 14a and the second end portion facing the first end portion 14a. 14b. An internal space 14c is formed between the first end portion 14a and the second end portion 14b. A circular first opening 14d is formed at the first end portion 14a, and a second opening 14e having a smaller diameter than the first opening 14d is formed at the second end portion 14b. . The internal space 14c is connected to the first opening 14d and the second opening 14e, respectively, and has a step surface 14f at the boundary between them. Further, a locking portion 14g having a slightly smaller inner diameter is formed in the second opening 14e.

キャンパッケージ12は、レーザ光を出射するVCSEL30と、VCSEL30を搭載する円盤状のステム32と、ステム32上のVCSEL30を封止するカップ状のキャップ34と、ステム32の底面側に取り付けられた導電性金属からなる複数のリード端子36とを含んでいる。キャップ34の上面中央には、円形の開口窓が形成され、開口窓には、平板ガラス34aが取り付けられている。リード端子36は、図示しない貫通孔を介してステム内に挿入され、VCSEL30の電極と電気的に接続される。ステム32は、VCSEL30を支持する支持部材として働くが、ステム32のみならずVCSELを封止するキャップ34もVCSEL30の支持部材として含めることができる。   The can package 12 includes a VCSEL 30 that emits laser light, a disc-shaped stem 32 on which the VCSEL 30 is mounted, a cup-shaped cap 34 that seals the VCSEL 30 on the stem 32, and a conductive member attached to the bottom surface side of the stem 32. And a plurality of lead terminals 36 made of a conductive metal. A circular opening window is formed in the center of the upper surface of the cap 34, and a flat glass 34a is attached to the opening window. The lead terminal 36 is inserted into the stem through a through hole (not shown), and is electrically connected to the electrode of the VCSEL 30. The stem 32 serves as a support member that supports the VCSEL 30, but not only the stem 32 but also a cap 34 that seals the VCSEL can be included as a support member of the VCSEL 30.

キャンパッケージ12は、VCSEL30が第1の開口14d内に位置するように第1の端部14aに取り付けられている。例えば、ステム32の周縁部分を接着剤等を用いてハウジング14の第1の端部14aに固定することができる。このとき、VCSEL30の発光点は、第1の開口14dのほぼ中心に一致することが好ましい。また、第2の端部14bの第2の開口14e内には、光ファイバ20を保持するための円筒状のフェルール18が挿入される。フェルール18は、その内部に形成された貫通孔内に光ファイバ20のコア20aを保持する。フェルール18の先端は、第2の開口14e内の係止部14gに当接され、コア20aが第2の開口のほぼ中心に位置決めされている。   The can package 12 is attached to the first end portion 14a so that the VCSEL 30 is located in the first opening 14d. For example, the peripheral portion of the stem 32 can be fixed to the first end portion 14a of the housing 14 using an adhesive or the like. At this time, it is preferable that the emission point of the VCSEL 30 coincides with substantially the center of the first opening 14d. A cylindrical ferrule 18 for holding the optical fiber 20 is inserted into the second opening 14e of the second end portion 14b. The ferrule 18 holds the core 20a of the optical fiber 20 in a through hole formed therein. The tip of the ferrule 18 is brought into contact with the locking portion 14g in the second opening 14e, and the core 20a is positioned substantially at the center of the second opening.

図2は、VCSELの典型的な構成を示す断面図である。VCSEL30は、n型のGaAs基板100の裏面にn側電極102を形成し、さらに基板100上に、n型のGaAsバッファ層104、Al組成の異なるn型のAlGaAs層を交互に重ねた下部DBR(Distributed Bragg Reflector:分布ブラッグ型反射鏡)106、活性領域108、周縁に酸化領域を含むp型のAlAsからなる電流狭窄層110、Al組成の異なるp型のAlGaAs層を交互に重ねた上部DBR112、p型のGaAsコンタクト層114を含む半導体層を積層している。積層された半導体層をエッチングすることにより円筒状のポスト(またはメサ)Pが形成されている。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing a typical configuration of a VCSEL. The VCSEL 30 includes an n-side electrode 102 formed on the back surface of an n-type GaAs substrate 100, and a lower DBR in which n-type GaAs buffer layers 104 and n-type AlGaAs layers having different Al compositions are alternately stacked on the substrate 100. (Distributed Bragg Reflector) 106, active region 108, current confinement layer 110 made of p-type AlAs including an oxidized region on the periphery, and upper DBR 112 in which p-type AlGaAs layers having different Al compositions are alternately stacked. , A semiconductor layer including a p-type GaAs contact layer 114 is stacked. A cylindrical post (or mesa) P is formed by etching the stacked semiconductor layers.

ポストPの頂部には、層間絶縁膜116のコンタクトホールを介してコンタクト層114に接続されるAu/Ti等の導電性材料からなる環状のp側電極118が形成されている。p側電極118の中央に形成された開口は、レーザ光の出射窓となる。n側電極102とp側電極118間に、順方向バイアス電流を印加することで、例えば、850nmの近傍のマルチモードのレーザ光が出射窓から基板と垂直方向に出射される。出射されたレーザ光は、キャップ34の平板ガラス34aを介してレンズ部材16へ入射される。なお、キャンパッケージ12は、複数の発光スポットが形成されたマルチスポットタイプのVCSELを実装することもできる。   On the top of the post P, an annular p-side electrode 118 made of a conductive material such as Au / Ti connected to the contact layer 114 through the contact hole of the interlayer insulating film 116 is formed. The opening formed in the center of the p-side electrode 118 serves as a laser light emission window. By applying a forward bias current between the n-side electrode 102 and the p-side electrode 118, for example, multimode laser light in the vicinity of 850 nm is emitted from the emission window in the direction perpendicular to the substrate. The emitted laser light is incident on the lens member 16 through the flat glass 34 a of the cap 34. The can package 12 can also be mounted with a multi-spot type VCSEL in which a plurality of light emission spots are formed.

レンズ部材16は、ハウジング14を構成する樹脂と異なる樹脂をモールド成型することによって構成される。レンズ部材16を構成する樹脂は、光透過性を有し、ハウジング14の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有することが望ましく、さらに応力が印加されたときに屈折率が変化する光弾性特性を有している。   The lens member 16 is configured by molding a resin different from the resin constituting the housing 14. The resin constituting the lens member 16 is light-transmissive, desirably has a thermal expansion coefficient smaller than the thermal expansion coefficient of the housing 14, and further has a photoelastic characteristic in which the refractive index changes when a stress is applied. have.

レンズ部材16は、図3に示すように、VCSEL30からの光を入射する凸状の入射面40と、入射面40に接続された環状の平坦な面42と、平坦な面42からほぼ直角に延びる第1の接触面44と、第1の接触面44からほぼ直角に延びかつ平坦な面42と対向する第2の接触面46と、第2の接触面46からほぼ直角に延びる第3の接触面48と、第3の接触面に接続されかつ入射面40と対向する凸状の出射面50とを有する。   As shown in FIG. 3, the lens member 16 includes a convex incident surface 40 on which light from the VCSEL 30 is incident, an annular flat surface 42 connected to the incident surface 40, and a substantially right angle from the flat surface 42. A first contact surface 44 extending; a second contact surface 46 extending substantially perpendicularly from the first contact surface 44 and opposite the flat surface 42; and a third contact surface extending substantially perpendicularly from the second contact surface 46. It has a contact surface 48 and a convex exit surface 50 connected to the third contact surface and facing the entrance surface 40.

入射面40および出射面50の光軸は、VCSEL30の発光点およびコア20aの中心にそれぞれほぼ一致している。第1の接触面44は、図1(a)に示すようにハウジング14の円筒状の内壁14hに接触し、好ましくは、エポキシ系接着剤またはその他の方法等により内壁に面接触する状態で固定されている。第2の接触面46は、ハウジング14の内部空間の段差面14fに面接触し、第3の接触面48は、第2の端部の第2の開口の内壁14iに面接触する。好ましくは、常温(25℃)において、第1、第2、第3の接触面44、46、48とハウジング14との間には、熱膨張係数の差による熱応力は生じていない。パッケージ内の温度または周囲温度が高くなると、レンズ部材とハウジングとがそれぞれの熱膨張係数で熱膨張するが、第1の接触面44が内壁14hに固定されているため、レンズ部材16は、内壁14hによって熱応力を受ける。ハウジング14を構成する樹脂の熱膨張係数がレンズ部材16を構成する樹脂の熱膨張係数よりも大きい場合には、レンズ部材は、半径方向に引っ張られるような熱応力を受ける。ここでは、第2および第3の接触面46、48は、段差面14fおよび内壁14iと自由な状態で接触(つまり、接着剤等によって固定されていない)しているため、ハウジングによって熱応力を受けない。但し、第2、第3の接触面46、48を内壁に接着剤等により固定してもよく、この場合には、第2、第3の接触面46、48も同様に熱応力を受けることになる。   The optical axes of the entrance surface 40 and the exit surface 50 substantially coincide with the light emitting point of the VCSEL 30 and the center of the core 20a, respectively. The first contact surface 44 is in contact with the cylindrical inner wall 14h of the housing 14 as shown in FIG. 1A, and is preferably fixed in a state of surface contact with the inner wall by an epoxy adhesive or other methods. Has been. The second contact surface 46 is in surface contact with the stepped surface 14f of the internal space of the housing 14, and the third contact surface 48 is in surface contact with the inner wall 14i of the second opening at the second end. Preferably, at normal temperature (25 ° C.), no thermal stress is generated between the first, second, and third contact surfaces 44, 46, and 48 and the housing 14 due to a difference in thermal expansion coefficient. When the temperature in the package or the ambient temperature rises, the lens member and the housing are thermally expanded at their respective thermal expansion coefficients. However, since the first contact surface 44 is fixed to the inner wall 14h, the lens member 16 Thermal stress is received by 14h. When the thermal expansion coefficient of the resin constituting the housing 14 is larger than the thermal expansion coefficient of the resin constituting the lens member 16, the lens member is subjected to thermal stress that is pulled in the radial direction. Here, since the second and third contact surfaces 46 and 48 are in free contact with the step surface 14f and the inner wall 14i (that is, not fixed by an adhesive or the like), thermal stress is applied by the housing. I do not receive it. However, the second and third contact surfaces 46 and 48 may be fixed to the inner wall with an adhesive or the like. In this case, the second and third contact surfaces 46 and 48 are similarly subjected to thermal stress. become.

次に、高温時における光半導体パッケージの動作を説明する。半導体光パッケージが、例えば120℃等の高温下で使用されるとき、上記したように、ハウジングとレンズ部材との熱膨張係数の差によりレンズ部材16には熱応力が加えられる。図4(b)は、レンズ部材16が引っ張り方向に熱応力を受けたときの様子を示している。すなわち、レンズ部材16の光軸Cを中心に半径方向にはほぼ均一な引っ張り力Pが作用する。   Next, the operation of the optical semiconductor package at a high temperature will be described. When the semiconductor optical package is used at a high temperature such as 120 ° C., for example, as described above, thermal stress is applied to the lens member 16 due to the difference in thermal expansion coefficient between the housing and the lens member. FIG. 4B shows a state when the lens member 16 receives a thermal stress in the pulling direction. That is, a substantially uniform tensile force P acts in the radial direction around the optical axis C of the lens member 16.

レンズ部材16には、光弾性効果を有する物質が用いられるため、レンズ部材16に熱応力が与えられると、レンズ部材16の屈折率が大きくなる。レンズ部材16の屈折率を大きくすることができれば、これは、レンズ部材16の開口数を大きくすることに事実上等しい。   Since a material having a photoelastic effect is used for the lens member 16, the refractive index of the lens member 16 increases when thermal stress is applied to the lens member 16. If the refractive index of the lens member 16 can be increased, this is practically equivalent to increasing the numerical aperture of the lens member 16.

図5は、光弾性係数と屈折率変化との関係を示すグラフである。横軸は光弾性係数、縦軸は屈折率変化である。同図に示すように、光弾性係数が大きな物質であれば、光弾性効果によって屈折率の変化Δnも大きくなる。光弾性係数が30×10−12/Pa以上になると、屈折率の変化Δnが0.003以上となり、この変化量は、レンズ特性の変化となって現れる。よって、レンズ部材16の材料は、光弾性係数が30×10−12/Pa以上であることが望ましい。レンズ部材の開口数NAは、以下の式により導き出すことができる。 FIG. 5 is a graph showing the relationship between the photoelastic coefficient and the refractive index change. The horizontal axis is the photoelastic coefficient, and the vertical axis is the refractive index change. As shown in the figure, if the substance has a large photoelastic coefficient, the refractive index change Δn also becomes large due to the photoelastic effect. When the photoelastic coefficient is 30 × 10 −12 / Pa or more, the refractive index change Δn is 0.003 or more, and this change amount appears as a change in lens characteristics. Therefore, it is desirable that the material of the lens member 16 has a photoelastic coefficient of 30 × 10 −12 / Pa or more. The numerical aperture NA of the lens member can be derived from the following equation.

Figure 0005141288
Figure 0005141288

図6は、本実施例のハウジングとレンズ部材を構成する樹脂の組合せを示している。図6に示すように、好ましい第1の具体例として、ハウジングの材料にエポキシ樹脂を用い、レンズ部材16の材料にポリカーボネートを用いる。エポキシ樹脂の熱膨張係数は、30×10−5/℃であり、ポリカーボネートの熱膨張係数は、7×10−5/℃である。さらに、ポリカーボネートは、光弾性特性を有し、光弾性係数は、100×10−12/Paであり、応力がゼロのときの屈折率nは、1.59である。上記した図5のグラフを参照すると、ポリカーボネートは、光弾性によって屈折率変化Δnが約0.011である。従って、レンズ部材16に熱応力が与えられたとき、ポリカーボネートの屈折率nは、1.59から1.60に変化する。 FIG. 6 shows a combination of the resin constituting the housing and the lens member of this embodiment. As shown in FIG. 6, as a preferred first specific example, an epoxy resin is used as a material for the housing, and polycarbonate is used as a material for the lens member 16. The thermal expansion coefficient of the epoxy resin is 30 × 10 −5 / ° C., and the thermal expansion coefficient of the polycarbonate is 7 × 10 −5 / ° C. Further, the polycarbonate has photoelastic characteristics, the photoelastic coefficient is 100 × 10 −12 / Pa, and the refractive index n when the stress is zero is 1.59. Referring to the graph of FIG. 5 described above, polycarbonate has a refractive index change Δn of about 0.011 due to photoelasticity. Therefore, when thermal stress is applied to the lens member 16, the refractive index n of the polycarbonate changes from 1.59 to 1.60.

また、好ましい第2の具体例として、ハウジングの材料にシリコーン樹脂を用い、レンズ部材16の材料にポリカーボネートを用いることができる。シリコーン樹脂の熱膨張係数は、20×10−5/℃であり、第1の具体例のときと比較してレンズ部材16に加えられる熱応力は幾分小さくなる。 As a preferred second specific example, a silicone resin can be used as the material of the housing, and a polycarbonate can be used as the material of the lens member 16. The thermal expansion coefficient of the silicone resin is 20 × 10 −5 / ° C., and the thermal stress applied to the lens member 16 is somewhat smaller than that in the first specific example.

図7は、図6に示す具体例1、具体例2および比較例の光学特性を示すグラフであり、横軸は温度、縦軸は開口数NAの変化を示している。式(1)に従い開口数NAを算出するときのレンズの直径D(入射面の径)を1.60mm、レーザビーム径dを1.66mmとしている。図7のグラフから明らかなように、具体例1および具体例2では、パッケージ温度または周囲温度が上昇すると、これに比例して開口数の変化ΔNAが増加する。パッケージ温度が約120℃になると、具体例1では、ΔNAが、0.014、具体例2では、ΔNAが、0.008に増加している。他方、比較例は、ハウジングおよびレンズ部材にそれぞれポリエーテルイミドを用いており、パッケージ温度にかかわらず、開口数NAはほとんど変化しないことがわかる。   FIG. 7 is a graph showing the optical characteristics of Specific Example 1, Specific Example 2 and Comparative Example shown in FIG. 6, where the horizontal axis indicates the temperature and the vertical axis indicates the change in the numerical aperture NA. The lens diameter D (incident surface diameter) when calculating the numerical aperture NA according to the equation (1) is 1.60 mm, and the laser beam diameter d is 1.66 mm. As is apparent from the graph of FIG. 7, in the specific example 1 and the specific example 2, when the package temperature or the ambient temperature rises, the numerical aperture change ΔNA increases in proportion thereto. When the package temperature reaches about 120 ° C., ΔNA increases to 0.014 in specific example 1, and ΔNA increases to 0.008 in specific example 2. On the other hand, the comparative example uses polyetherimide for the housing and the lens member, respectively, and it can be seen that the numerical aperture NA hardly changes regardless of the package temperature.

高温度下で光半導体パッケージを使用するとき、パッケージからの光出力の低下を抑えるため、VCSELを常温時よりも大きな駆動電流で駆動する。この際、VCSELからのレーザ光の広がり角は広がる。しかし、レンズ部材16の屈折率は、光弾性効果により大きくなり、開口数NAが大きくなるため、レンズ部材16の入射面40(図3を参照)の周縁部分に入射されたレーザ光は、光軸方向に向けてより大きく屈折され、さらに出射面50により屈折され、光ファイバ20のコア20aに効果的に入射される。これにより、従来と比較して光ファイバへの入射光量の損失が抑制され、VCSEL30と光ファイバ20の光結合効率を改善することができ、高温環境下における光半導体パッケージの光出力の低下を抑制することができる。   When an optical semiconductor package is used at a high temperature, the VCSEL is driven with a larger driving current than at normal temperature in order to suppress a decrease in light output from the package. At this time, the spread angle of the laser light from the VCSEL is widened. However, since the refractive index of the lens member 16 increases due to the photoelastic effect and the numerical aperture NA increases, the laser light incident on the peripheral portion of the incident surface 40 (see FIG. 3) of the lens member 16 is a light beam. The light is further refracted in the axial direction, is further refracted by the exit surface 50, and is effectively incident on the core 20a of the optical fiber 20. As a result, the loss of the amount of light incident on the optical fiber is suppressed compared to the conventional case, the optical coupling efficiency between the VCSEL 30 and the optical fiber 20 can be improved, and the decrease in the optical output of the optical semiconductor package in a high temperature environment is suppressed. can do.

第1の実施例では、キャップ34によりVCSEL30を封止したキャンパッケージ12をハウジング14に結合させたが、必ずしもキャップ34は不要である。例えば、図4(a)に示すように、キャップ34を取り除いたステムをハウジング14の第1の端部14aに結合させてもよい。また、キャンパッケージ12は、VCSEL30の出力状態をモニターするための受光素子31を含むものであっても良い。   In the first embodiment, the can package 12 in which the VCSEL 30 is sealed by the cap 34 is coupled to the housing 14, but the cap 34 is not necessarily required. For example, as shown in FIG. 4A, the stem from which the cap 34 is removed may be coupled to the first end portion 14 a of the housing 14. The can package 12 may include a light receiving element 31 for monitoring the output state of the VCSEL 30.

レンズ部材16の形状は、図1に示す形状に限られず、適宜変更することができ、例えば図4(a)に示すように、全面が凸状の入射面と、入射面に対向する平坦な出射面とを有するような平凸レンズ16aを用いたり、あるいは、球レンズ、非球面レンズ等のレンズ形状を用いることができ、そのようなレンズの側面をハウジング14の内壁に接合させることができる。また、レンズ部材は、図1に示したように必ずしも第2の開口14e内に挿入される必要はない。   The shape of the lens member 16 is not limited to the shape shown in FIG. 1, and can be changed as appropriate. For example, as shown in FIG. 4A, the entire surface is convex and a flat surface facing the entrance surface. A plano-convex lens 16 a having an exit surface can be used, or a lens shape such as a spherical lens or an aspherical lens can be used, and the side surface of such a lens can be joined to the inner wall of the housing 14. Further, the lens member is not necessarily inserted into the second opening 14e as shown in FIG.

さらに上記実施例では、レンズ部材16の第1の接触面44の全体をハウジングの内壁に面接触させるようにしたが、例えば、図4(c)に示すように、レンズ部材16の面内のX方向とY方向に複数の突出部52を形成し、これらの突出部52をハウジングの内壁に接合させるようにしてもよい。あるいは、図4(d)に示すように、ハウジングの内壁に複数の突出部54を形成し、これらの突出部54をレンズ部材の第1の接触部44に接合するようにしてもよい。突出部52、54は、レンズ部材の中心に回転対称の位置にあれば、レンズ部材にほぼ均等な熱応力を与えることができる。   Further, in the above embodiment, the entire first contact surface 44 of the lens member 16 is brought into surface contact with the inner wall of the housing. For example, as shown in FIG. A plurality of protrusions 52 may be formed in the X direction and the Y direction, and these protrusions 52 may be joined to the inner wall of the housing. Alternatively, as shown in FIG. 4D, a plurality of protrusions 54 may be formed on the inner wall of the housing, and these protrusions 54 may be joined to the first contact portion 44 of the lens member. If the protrusions 52 and 54 are in a rotationally symmetric position at the center of the lens member, it is possible to apply a substantially uniform thermal stress to the lens member.

次に、本発明の第2の実施例について説明する。図8は、本発明の第2の実施例に係る光半導体パッケージの概略構成を示す断面図である。第2の実施例に係る光半導体パッケージ10Aは、キャンパッケージを結合する代わりに、樹脂パッケージ60をハウジング14の第1の端部に結合している。樹脂パッケージ60は、1つのリード端子の先端に形成された台座上にダイアタッチ等を介してVCSEL30と受光素子31とを搭載し、VCSEL30および受光素子31を光透過性の樹脂62により封止している。樹脂62は、ハウジング14を構成する樹脂よりも小さな熱膨張係数を有し、かつ外力が加えられたときに光弾性特性により屈折率を変化させる。樹脂62は、例えば、図6に示したような具体例1、2に示すポリカーボネートを用いることができる。   Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 is a sectional view showing a schematic configuration of an optical semiconductor package according to the second embodiment of the present invention. In the optical semiconductor package 10A according to the second embodiment, the resin package 60 is coupled to the first end portion of the housing 14 instead of coupling the can package. The resin package 60 mounts the VCSEL 30 and the light receiving element 31 on a pedestal formed at the tip of one lead terminal via a die attach or the like, and seals the VCSEL 30 and the light receiving element 31 with a light transmissive resin 62. ing. The resin 62 has a smaller thermal expansion coefficient than that of the resin constituting the housing 14 and changes the refractive index due to photoelastic characteristics when an external force is applied. As the resin 62, for example, the polycarbonate shown in specific examples 1 and 2 as shown in FIG. 6 can be used.

樹脂62は、レーザ光を出射する凸状の出射面64と、出射面64に接続された外周面66とを含み、外周面66は、ハウジング14の第1の端部の第1の開口内に接着剤等により接合されている。このため、光半導体パッケージを高温環境下で使用するとき、樹脂62には外周方向に引っ張られるような熱応力が加えられ、樹脂62の屈折率が大きくなり、その開口数NAが大きくなる。これにより、VCSEL30のレーザ光の広がり角は大きくなるが、樹脂62の屈折率が大きくなるため、出射面64から出射されるレーザ光は、常温のときよりも大きく屈折され、その結果、光ファイバのコア20aに効率よく入射され、高温時の光出力の低下が抑制される。   The resin 62 includes a convex emission surface 64 that emits laser light, and an outer peripheral surface 66 connected to the emission surface 64, and the outer peripheral surface 66 is in the first opening at the first end of the housing 14. Are bonded to each other by an adhesive or the like. For this reason, when the optical semiconductor package is used in a high temperature environment, the resin 62 is subjected to a thermal stress that is pulled in the outer peripheral direction, the refractive index of the resin 62 is increased, and the numerical aperture NA is increased. As a result, the spread angle of the laser light of the VCSEL 30 is increased, but the refractive index of the resin 62 is increased, so that the laser light emitted from the emission surface 64 is refracted more than at normal temperature, and as a result, the optical fiber. Is efficiently incident on the core 20a, and a decrease in light output at high temperatures is suppressed.

図9は、第2の実施例に係る光半導体パッケージの温度変化と開口数の変化の関係を示すグラフである。第2の実施例においても、第1の実施例と同様に、温度が上昇するに従い樹脂62の開口数NAの変化が大きくなることがわかる。第2の実施例では、光半導体パッケージ内の温度が約120℃のとき、開口数NAは、0.008増加する。   FIG. 9 is a graph showing the relationship between the temperature change and the numerical aperture change of the optical semiconductor package according to the second embodiment. Also in the second example, as in the first example, it can be seen that the change in the numerical aperture NA of the resin 62 increases as the temperature rises. In the second embodiment, when the temperature in the optical semiconductor package is about 120 ° C., the numerical aperture NA increases by 0.008.

以上のように本実施例によれば、ハウジングとレンズ部材を異なる材料とし、高温時にレンズ部材とレンズ部材を保持するハウジングの熱膨張係数の差に起因する応力をレンズ部材に与え、レンズ部材の屈折率を光弾性効果により上げることで高駆動電流下でもVCSELと光ファイバとの結合効率の低下を抑制することができる。従って、TOSA等のパッケージにおいても、高温時のサーマルロールオーバポイントが低下する減少を抑制することができ、その結果、高温時において良好な出力特性を得ることができる。   As described above, according to this embodiment, the housing and the lens member are made of different materials, and stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the lens member and the housing that holds the lens member at high temperatures is applied to the lens member. By increasing the refractive index by the photoelastic effect, it is possible to suppress a decrease in the coupling efficiency between the VCSEL and the optical fiber even under a high driving current. Therefore, even in a package such as TOSA, it is possible to suppress a decrease in the thermal rollover point at high temperatures, and as a result, good output characteristics can be obtained at high temperatures.

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。   The preferred embodiment of the present invention has been described in detail above, but the present invention is not limited to the specific embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention described in the claims. Deformation / change is possible.

上記実施例では、レンズ部材が引っ張られる方向の熱応力を与えるようにしたが、これとは反対に、圧縮方向の熱応力によって屈折率が大きくなる光弾性効果を樹脂であれば、レンズ部材の樹脂の熱膨張係数がハウジングの樹脂の熱膨張係数よりも大きくなるような組合せとしてもよい。   In the above-described embodiment, the thermal stress in the direction in which the lens member is pulled is applied. On the contrary, if the resin has a photoelastic effect in which the refractive index increases due to the thermal stress in the compression direction, A combination in which the thermal expansion coefficient of the resin is larger than the thermal expansion coefficient of the resin of the housing may be used.

本発明に係る光半導体パッケージは、光情報処理や光高速データ通信等の各分野において利用することができる。   The optical semiconductor package according to the present invention can be used in various fields such as optical information processing and optical high-speed data communication.

図1(a)は、本発明の第1の実施例に係る光半導体パッケージの概略構成を示す断面図、図1(b)はハウジングの断面図である。FIG. 1A is a sectional view showing a schematic configuration of an optical semiconductor package according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view of a housing. VCSELの典型的な構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the typical structure of VCSEL. 図3(a)はレンズ部材の平面図、図3(b)はそのA−A線断面図である。3A is a plan view of the lens member, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line AA. 図4(a)は、第1の実施例の他の光半導体パッケージの構成を示す断面図、図4(b)は、高温時のレンズ部材の熱応力を説明する図、図4(c)、図4(d)は、レンズ部材の他の接合状態を説明する図である。4A is a cross-sectional view showing the configuration of another optical semiconductor package of the first embodiment, FIG. 4B is a diagram for explaining the thermal stress of the lens member at a high temperature, and FIG. 4C. FIG. 4D is a diagram for explaining another joined state of the lens member. 光弾性係数と屈折率変化との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between a photoelastic coefficient and a refractive index change. 第1の実施例におけるハウジングとレンズ部材にそれぞれ用いられる材料の組合せを示す図である。It is a figure which shows the combination of the material each used for the housing and lens member in a 1st Example. 図6に示す材料の組合せの開口数の変化と温度変化との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the change of the numerical aperture of the combination of the material shown in FIG. 6, and a temperature change. 本発明の第2の実施例に係る光半導体パッケージの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the optical semiconductor package which concerns on the 2nd Example of this invention. 第2の実施例によるレンズ部材の開口数の変化と温度変化との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the change of the numerical aperture of the lens member by a 2nd Example, and a temperature change. 従来の光半導体パッケージを示す概略側面断面図である。It is a schematic side sectional view showing a conventional optical semiconductor package. VCSEL単体の光出力特性を示すグラフである。It is a graph which shows the optical output characteristic of VCSEL single-piece | unit. パッケージ後のVCSELの光出力特性を示すグラフである。It is a graph which shows the optical output characteristic of VCSEL after a package.

10:光半導体パッケージ 12:キャンパッケージ
14:ハウジング 14a:第1の端部
14b:第2の端部 14c:内部空間
14d:第1の開口 14e:第2の開口
14f:段差面 14g:係止部
14h:内壁 14i:内壁
16:レンズ部材 18:フェルール
20:光ファイバ 20a:コア
30:VCSEL 32:ステム
34:キャップ 34a:平板ガラス
36:リード端子 40:入射面
42:平坦な面 44:第1の接触面
46:第2の接触面 48:第3の接触面
50:出射面 52、54:突出部
60:樹脂パッケージ 62:樹脂
64:出射面 66:外周面
10: optical semiconductor package 12: can package 14: housing 14a: first end 14b: second end 14c: internal space 14d: first opening 14e: second opening 14f: step surface 14g: locking Portion 14h: Inner wall 14i: Inner wall 16: Lens member 18: Ferrule 20: Optical fiber 20a: Core 30: VCSEL 32: Stem 34: Cap 34a: Flat glass 36: Lead terminal 40: Incident surface 42: Flat surface 44: First 1 contact surface 46: second contact surface 48: third contact surface 50: exit surface 52, 54: protrusion 60: resin package 62: resin 64: exit surface 66: outer peripheral surface

Claims (8)

第1の熱膨張係数を有する第1の樹脂から形成され、第1の端部と当該第1の端部と対向する第2の端部とを有し、第1および第2の端部にはそれぞれ第1および第2の開口部が形成され、第1の端部と第2の端部の間には内部空間が形成されているハウジングと、
半導体レーザ素子を支持する支持部材と、
第1の熱膨張係数よりも小さい第2の熱膨張係数を有し、かつ光弾性特性を有する光透過性の第2の樹脂から形成され、前記ハウジングの内壁の一部と接触するように前記内部空間内に配されたレンズ部材とを有し、
前記支持部材は、前記半導体レーザ素子が前記第1の開口部内に位置するように前記第1の端部に結合され、
前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光はレンズ部材を透過して前記第2の開口部へ導かれ、
前記レンズ部材は、前記第1の熱膨張係数と前記第2の熱膨張係数との差により当該レンズ部材の半径方向に引っ張られる熱応力を受けたとき、屈折率が大きくなるように変化する、光半導体パッケージ。
Formed from a first resin having a first coefficient of thermal expansion, having a first end and a second end opposite the first end, the first and second ends being Each having a first opening and a second opening, and an inner space formed between the first end and the second end; and
A support member for supporting the semiconductor laser element;
It has a smaller second coefficient of thermal expansion than the first thermal expansion coefficient, and is formed from a light transmitting second resin have a photoelastic properties, so as to contact a portion of the inner wall of the housing A lens member disposed in the internal space,
The support member is coupled to the first end so that the semiconductor laser element is located in the first opening,
Laser light emitted from the semiconductor laser element passes through a lens member and is guided to the second opening ,
When the lens member receives a thermal stress that is pulled in a radial direction of the lens member due to a difference between the first thermal expansion coefficient and the second thermal expansion coefficient, the lens member changes so as to increase a refractive index. Optical semiconductor package.
前記第1の樹脂は、エポキシ樹脂であり、前記第2の樹脂は、ポリカーボネートである、請求項に記載の光半導体パッケージ。 The optical semiconductor package according to claim 1 , wherein the first resin is an epoxy resin, and the second resin is a polycarbonate. 前記第1の樹脂は、シリコーン樹脂であり、前記第2の樹脂は、ポリカーボネートである、請求項に記載の光半導体パッケージ。 The optical semiconductor package according to claim 1 , wherein the first resin is a silicone resin, and the second resin is a polycarbonate. 前記第2の樹脂は、光弾性係数が30×10−12/Pa以上であり、屈折率の変化は、0.003以上である、請求項1ないし3いずれか1つ記載の光半導体パッケージ。 4. The optical semiconductor package according to claim 1, wherein the second resin has a photoelastic coefficient of 30 × 10 −12 / Pa or more and a change in refractive index of 0.003 or more. 前記レンズ部材は、前記半導体レーザ素子からのレーザ光を入射する入射面と、当該入射面に対向する出射面と、前記入射面と前記出射面とを連結する外周面とを含み、前記外周面は、前記ハウジングの内壁の一部と接触する、請求項1ないし4いずれか1つに記載の光半導体パッケージ。 The lens member includes an incident surface on which a laser beam from the semiconductor laser element is incident, an exit surface facing the incident surface, and an outer peripheral surface connecting the incident surface and the exit surface, and the outer peripheral surface. The optical semiconductor package according to claim 1, which contacts a part of the inner wall of the housing. 前記外周面は、前記内壁の一部に接着剤により固着されている、請求項に記載の光半導体パッケージ。 The optical semiconductor package according to claim 5 , wherein the outer peripheral surface is fixed to a part of the inner wall with an adhesive. 前記第2の開口部には、光ファイバが結合される、請求項1ないし6いずれか1つに記載の光半導体パッケージ。 The optical semiconductor package according to claim 1, wherein an optical fiber is coupled to the second opening. 前記半導体レーザ素子は、マルチモードのレーザ光を出射する面発光型半導体レーザである、請求項1ないしいずれか1つに記載の光半導体パッケージ。 The semiconductor laser device is a surface-emitting type semiconductor laser that emits a multi-mode laser light, an optical semiconductor package according to any one claims 1 to 7.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2861862B2 (en) * 1995-05-18 1999-02-24 日本電気株式会社 Collimating device having a plastic collimating lens
JP3370264B2 (en) * 1997-12-11 2003-01-27 日本板硝子株式会社 Optical module
JP2001188151A (en) * 1999-10-18 2001-07-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd Optical module
JP2005165088A (en) * 2003-12-04 2005-06-23 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd Optical semiconductor device

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