JP5133394B2 - 走査型電子顕微鏡を備えたプローバ装置及びプローバ装置の探針クリーニング方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態が適用された走査型電子顕微鏡の要部構成図である。走査型電子顕微鏡は、電子線を制御する鏡筒1の試料室2(一部を破断して示し、ゲート弁6が形成されている)において試料を出し入れするための、仕込み室3(一部を破断して示し、試料ウエハ13が配置されている)及びプローブユニット4をクリーニングする真空排気装置7を備えている。
他のクリーニング手段としては、酸素プラズマを利用するドライエッチング(10−1〜10−3Pa)等,真空中での砥粒の細かい砥石やヤスリなどに、探針を押しあてての機械的な研磨,先端部を曲げることにより酸化膜を剥離する方法、切断することにより酸化膜等のない表面を出現させる方法でも良い。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態である走査型電子顕微鏡の概略構成は、第1の実施形態と同様であるので、説明は省略する。
ここで、実際の半導体集積回路を作製したウエハ上の電極に探針を当てて試験をしている際に、導通がとれなくなってくる探針があったので、金メッキ付の試験ウエハ13を用いて、探針22を接触させて導通チェックをおこなった。
次に、本発明の第3の実施形態について、説明する。図5は、本発明の第3の実施形態である走査型電子顕微鏡の要部構成図である。この第3の実施形態と第1の実施形態との相違点は、第3の実施形態にはクリーニング室5に予備室26が設けられている点である。この予備室26は、探針22を大気に暴露させる機会を、さらに減らすために設けられている。
(2)プローブユニット17の行き先及び状態表示
(3)クリーニング室5内のミリングの条件設定(ガス量、電圧、電流、処理時間)とそのモニタ表示
(4)クリーニング周期設定とその表示及びクリーニング回数の記憶
(5)評価サンプルでの結果表示
なお、クリーニング処理及びクリーニング後の探針表面状態の評価を自動で行う場合には、上記の(3)及び(4)の設定を行うレシピを追加して使用する。
Claims (3)
- 走査型電子顕微鏡により観察されながら、真空中で半導体集積回路の電極に接触させる探針を有する探針ユニットを備え、上記半導体集積回路の電気的特性を測定するプローバ装置において、
真空中で、上記探針ユニットの探針の電気的導通状態を判断し、導通がないと判断した探針をクリーニング室にて真空中でクリーニングし、クリーニングされた探針を真空中又は不活性ガス雰囲気中で上記クリーニング室に接続された予備室に保管し、導通がないと判断した探針ユニットの探針を上記予備室に保管した探針と交換することを特徴とするプローバ装置。 - 走査型電子顕微鏡により観察しながら、真空中で半導体集積回路に接触させる探針を有する探針ユニットを備え、上記半導体集積回路の電気的特性を測定するプローバ装置において、
真空中で、上記探針ユニットの探針を試験用半導体集積回路に接触させる試料室と、
上記試料室に配置された探針ユニットの探針からの信号に基づいて、上記探針の電気的導通状態を判断する判断部と、
探針ユニットの探針を真空中でクリーニングするクリーニング室と、
を備え、上記クリーニング室は、予備室を有し、この予備室に、上記クリーニング室でクリーニングされた探針を真空中又は不活性ガス雰囲気中で保管し、上記判断部で電気的導通状態が不良と判断された探針ユニットの探針を真空中で上記予備室に保管された上記探針と交換することを特徴とするプローバ装置。 - 走査型電子顕微鏡により観察しながら、真空中で半導体集積回路に探針を接触させ、この探針から得られる電気信号に基づいて、上記半導体集積回路の電気的特性を測定するプローバ装置の探針クリーニング方法において、
クリーニング室内で、探針ユニットの探針を真空中でクリーニングし、クリーニングした探針を、クリーニング室に設けられた予備室で真空中又は不活性ガス中に保管し、
ほぼ真空の試料室内で、上記探針を試験用半導体集積回路に接触させ、
上記試料室内の試験用半導体集積回路に接触された探針からの信号に基づいて、上記探針の電気的導通状態を判断し、
電気的導通状態が不良と判断された探針ユニットの探針を、上記予備室に保管された探針と真空中で交換することを特徴とするプローバ装置の探針クリーニング方法。
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