JP5106977B2 - Liquid crystal display - Google Patents
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Description
本発明は、液晶表示装置に関し、例えばアナログ駆動方式とメモリ方式とで動作を切り換える液晶表示装置に適用することができる。本発明は、画素電極の下層にシールド層を間に挟んで隣接液晶セルの保持容量を作成することにより、保持容量を配置可能な面積が小さい場合であっても、必要とする保持容量を十分に確保することができるようにする。 The present invention relates to a liquid crystal display equipment, can be applied to a liquid crystal display device for switching the operation between the analog driving method and memory system. The present invention, by creating a storage capacitor of an adjacent liquid crystal cell sandwiched between the shield layer in the lower layer of the pixel electrode, even if a small area can be arranged to hold capacity, the retention capacity required Ensure that it can be secured sufficiently.
従来、液晶表示装置は、液晶セルによる画素をマトリックス状に配置して表示部が形成される。液晶表示装置は、各液晶セルに、それぞれ液晶セルの駆動に供するTFT(Thin Film Transistor)が設けられ、表示部の周囲に配置した水平駆動部及び垂直駆動部によりこのTFTの動作を制御して表示部で所望の画像を表示する。従来、液晶表示装置は、TFTを配置したTFT基板とカラーフィルタを配置したCF基板とにより液晶層を挟持して作成され、これらTFT基板、CF基板のレイアウトにより液晶セルがマトリックス状に配置され、さらに表示部の周囲、TFT基板に垂直駆動部及び水平駆動部が配置される。 Conventionally, in a liquid crystal display device, a display unit is formed by arranging pixels of liquid crystal cells in a matrix. In the liquid crystal display device, each liquid crystal cell is provided with a TFT (Thin Film Transistor) for driving the liquid crystal cell, and the operation of the TFT is controlled by a horizontal drive unit and a vertical drive unit arranged around the display unit. A desired image is displayed on the display unit. Conventionally, a liquid crystal display device is produced by sandwiching a liquid crystal layer between a TFT substrate on which TFTs are arranged and a CF substrate on which color filters are arranged, and liquid crystal cells are arranged in a matrix by the layout of these TFT substrates and CF substrates, Further, a vertical driving unit and a horizontal driving unit are arranged around the display unit and on the TFT substrate.
ここで図19は、このTFT基板のレイアウトを示す平面図である。液晶表示装置は、矩形の領域AR2によりそれぞれ液晶セルを形成するように、TFT基板1及びCF基板がレイアウトされる。またTFT基板1は、例えば各矩形の領域AR2の隅部の領域AR3がTFTを配置する領域に割り当てられ、各矩形の領域AR2の残りの領域の全部又は一部に、各液晶セルの不足する容量を補う保持容量Csが設けられる。
FIG. 19 is a plan view showing the layout of the TFT substrate. In the liquid crystal display device, the
図20に示すように、TFT基板1は、ガラス等による透明絶縁基板4上に、ゲート層5等を作成してTFTが作成された後、絶縁膜6が作成される。続いてTFT基板1は、ポリシリコンによる配線層7が作成されてTFTが配線される。また続いて絶縁膜8が作成された後、アルミ等による配線層9が作成される。また続いて絶縁層10が作成された後、画素電極11が作成され、この画素電極11が下層の配線層9によりTFTに接続される。TFT基板1は、この画素電極11の上層に図示しない配向膜が作成される。なおTFT基板1は、ISPモード等の場合は、画素電極11の下層に、共通電極が配置される。
As shown in FIG. 20, in the
また図21に示すように、従来、TFT基板1は、ゲート層5及び配線層7によりそれぞれ保持容量Csを構成する対向電極が作成され、配線層7側の対向電極が画素電極11に接続される。また保持容量Csのゲート層5側電極は、プリチャージの処理に係る駆動信号CSが供給され、この駆動信号CSの電位に保持される。
As shown in FIG. 21, the
従来、液晶表示装置は、表示部に設けられた信号線の電圧を、各画素の階調を示す階調電圧に順次切り換えると共に、この切り換えに連動した各液晶セルのTFTの制御により、各画素電極11の電圧を信号線の電圧に順次設定し、これにより各画素の階調を設定していた。なお以下、この駆動方式をアナログ駆動方式と呼ぶ。
Conventionally, a liquid crystal display device sequentially switches the voltage of a signal line provided in a display unit to a gradation voltage indicating the gradation of each pixel, and controls each TFT by controlling the TFT of each liquid crystal cell in conjunction with this switching. The voltage of the
このような液晶表示装置に関して、特開平9−243995号公報には、各画素にそれぞれメモリ部を設け、このメモリ部の記録に従って各画素を駆動する構成が開示されている。以下、この方式をメモリ方式と呼ぶ。このメモリ方式によれば、一旦、各画素の階調を設定すれば、各画素に対する階調設定処理を省略することができることから、消費電力を低減することができる。 With regard to such a liquid crystal display device, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-243959 discloses a configuration in which each pixel is provided with a memory unit, and each pixel is driven in accordance with the recording in this memory unit. Hereinafter, this method is called a memory method. According to this memory system, once the gradation of each pixel is set, the gradation setting process for each pixel can be omitted, so that power consumption can be reduced.
ところでメモリ方式による液晶表示装置において、隣接する複数の画素でメモリを共用化すれば、液晶表示装置全体としてメモリの数を少なくすることができ、構成を簡略化することができると考えられる。しかしながら隣接する複数の画素でメモリを共用化すると、これら複数の画素でTFT基板のレイアウトに偏りが発生し、特定の画素で保持容量を作成可能な面積が小さくなる。その結果、液晶表示装置は、十分な開口を設けてこの特定の画素で必要とする保持容量を確保することが困難になる問題がある。 By the way, in a memory type liquid crystal display device, if the memory is shared by a plurality of adjacent pixels, the number of memories in the entire liquid crystal display device can be reduced, and the configuration can be simplified. However, if the memory is shared by a plurality of adjacent pixels, the layout of the TFT substrate is biased among the plurality of pixels, and the area in which a storage capacitor can be created in a specific pixel is reduced. As a result, the liquid crystal display device has a problem that it is difficult to provide a sufficient opening to secure a storage capacitor required for this specific pixel.
また液晶表示装置では、所定画素ピッチでスペーサーを配置し、このスペーサーによりTFT基板とCF基板との間のギャップを確保している。従って液晶表示装置は、このスペーサーの配置によってもTFT基板のレイアウトに偏りが発生し、スペーサーを配置した特定の画素で保持容量を作成可能な面積が小さくなる。その結果、この場合、液晶表示装置は、高解像度化等により、十分な開口を設けてこの特定の画素で必要とする保持容量を確保することが困難になる問題がある。 In the liquid crystal display device, spacers are arranged at a predetermined pixel pitch, and a gap between the TFT substrate and the CF substrate is secured by the spacers. Therefore, in the liquid crystal display device, the layout of the TFT substrate is also biased by the arrangement of the spacers, and the area in which a storage capacitor can be created with a specific pixel in which the spacers are arranged becomes small. As a result, in this case, the liquid crystal display device has a problem that it becomes difficult to provide a sufficient opening and secure a storage capacitor necessary for this specific pixel due to high resolution or the like.
この問題を解決する1つの方法として、これら特定の画素の保持容量を隣接画素に作成し、連続する画素の配置に対して、保持容量のレイアウトを偏らせることが考えられる。しかしながらこの場合、図22に示すように、この隣接画素は、画素電極11の下層の配線層7が隣接画素の画素電位に保持されることになり、画素電極11と配線層7との容量結合により当該画素の画素電位が変化し、正しく階調を表示できなくなる問題がある。
As one method for solving this problem, it is conceivable that the storage capacitors of these specific pixels are created in adjacent pixels, and the storage capacitor layout is biased with respect to the continuous pixel arrangement. However, in this case, as shown in FIG. 22, in this adjacent pixel, the
またそもそもこのようにTFT基板のレイアウトに偏りが発生しない場合であっても、液晶表示装置の高解像度化により各画素で保持容量を配置可能な面積が小さくなり、この場合には、全ての画素で必要とする保持容量を確保することが困難になる問題がある。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、保持容量を配置可能な面積が小さい場合であっても、必要とする保持容量を十分に確保することができる液晶表示装置及び液晶表示装置の画像表示方法を提案しようとするものである。 The present invention has been made in consideration of the above points, and a liquid crystal display device and a liquid crystal display device that can sufficiently secure a required storage capacity even when the area in which the storage capacity can be arranged is small. An image display method is proposed.
上記の課題を解決するため請求項1の発明は、TFT基板及びCF基板により液晶層を挟持し、前記液晶層による液晶セルをマトリックス状に配置して表示部を形成し、前記表示部により所望の画像を表示する液晶表示装置に適用して、絶縁基板上に、少なくとも前記液晶セルの駆動に供するトランジスタと前記液晶セルの画素電極を配置して前記TFT基板が作成され、前記画素電極の下層に、シールド層を間に挟んで、隣接する液晶セルの保持容量の一部又は全部が作成され、前記保持容量の対向電極が、前記トランジスタのゲート層と前記トランジスタの配線層とにより形成され、前記シールド層が、前記トランジスタを前記画素電極に接続する配線層により形成される。
In order to solve the above problems, the invention of
請求項1の構成によれば、シールド層により隣接する液晶セルの画素電位の影響を有効に回避して、隣接する液晶セルの保持容量を画素電極の下層に配置することができる。従ってレイアウトの偏り等により、特定の液晶セルで保持容量を配置可能な面積が小さい場合に、この特定液晶セルの保持容量を隣接液晶セルに配置して必要とする保持容量を確保することができる。 According to the configuration of the first aspect, the influence of the pixel potential of the adjacent liquid crystal cell can be effectively avoided by the shield layer, and the storage capacitor of the adjacent liquid crystal cell can be disposed below the pixel electrode. Therefore, when the area in which the storage capacitor can be arranged in a specific liquid crystal cell is small due to a layout deviation or the like, the storage capacitor of this specific liquid crystal cell can be arranged in the adjacent liquid crystal cell to ensure the necessary storage capacitor. .
本発明によれば、保持容量を配置可能な面積が小さい場合であっても、必要とする保持容量を十分に確保することができる。 According to the present invention, even if the area where the storage capacitor can be arranged is small, the required storage capacitor can be sufficiently secured.
以下、適宜図面を参照しながら本発明の実施例を詳述する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as appropriate.
(1)実施例の構成
図2は、本発明の実施例1に係る液晶表示装置を示すブロック図である。この液晶表示装置18は、例えば図示しないチューナー部、外部機器等から出力されるビデオデータによる動画像、静止画像をアナログ駆動方式により表示部13で表示し、また各種メニュー画像等をメモリ方式により表示部13で表示する。
(1) Configuration of Embodiment FIG. 2 is a block diagram showing a liquid crystal display device according to
この液晶表示装置18において、インターフェース(I/F)12は、各画素の階調を順次示すシリアルデータによる画像データSDI、この画像データSDIに同期した各種タイミング信号を入力する。なおここでこの画像データSDIは、アナログ駆動方式により表示部13で表示する画像データである。またインターフェース12は、コントローラ14から、メモリ方式により表示部13で表示する2値の画像データDVを入力し、これら入力した画像データSDI、DV、各種タイミング信号をコントローラ14の制御に従って各部に出力する。
In the liquid
タイミングジェネレータ(TG)16は、コントローラ14の制御により、メモリ方式、アナログ駆動方式で必要な各種のタイミング信号を生成して水平駆動部15、垂直駆動部17に出力する。また液晶セルの共通電極用の駆動電源VCOMを生成して表示部13に出力する。なおこの実施例において表示部13は、反射型、透過型、反射型と透過型との併用型の何れをも適用することができる。
The timing generator (TG) 16 generates various timing signals necessary for the memory method and the analog driving method under the control of the
水平駆動部15は、コントローラ14の制御によりアナログ駆動方式とメモリ方式とで動作を切り換え、アナログ駆動方式では、インターフェース12から入力される画像データSDIを順次各信号線SIGに振り分けてディジタルアナログ変換処理し、フィールド反転、フレーム反転、ライン反転等による各信号線SIGの駆動信号Ssigを生成する。水平駆動部15は、アナログ駆動方式では、この駆動信号Ssigを表示部13の各信号線SIGに出力する。
The
また水平駆動部15は、メモリ方式では、コントローラ14から出力される2値の画像データDVの論理値に対応する駆動信号Sdvを対応する信号線SIGに出力した後、所定の駆動信号XCSを信号線に出力する。
In the memory system, the
垂直駆動部17は、コントローラ14の制御によりアナログ駆動方式とメモリ方式とで動作を切り換え、表示部13の走査線に所定の駆動信号を出力する。
The vertical drive unit 17 switches operation between an analog drive method and a memory method under the control of the
表示部13は、水平駆動部15、垂直駆動部17から出力される各種の信号により動作し、画像データSDI又はDVによる画像を表示する。ここで図3は、表示部13の基本ユニットを示す接続図である。ここで基本ユニット21は、表示部13の構成単位であり、この実施例では、赤色、緑色、青色の液晶セル22R、22G、22Bと、これら液晶セル22R、22G、22Bの周辺回路とにより構成される。表示部13は、赤色、緑色、青色の画素をそれぞれ構成する赤色、緑色、青色の液晶セル22R、22G、22Bが順次循環的に連続するように、この図3に示す基本ユニット21がTFT基板にマトリックス状に配置されて、これら液晶セル22R、22G、22Bがマトリックス状に配置される。
The
この基本ユニット21において、これら赤色、緑色、青色の液晶セル22R、22G、22Bの保持容量CsR、CsG、CsBは、一端にプリチャージの処理に係る駆動信号CSが供給され、他端がそれぞれ対応する液晶セル22R、22G、22Bの画素電極に接続される。また液晶セル22R、22G、22Bは、駆動信号CSに連動して信号レベルが切り換わる駆動電源VCOMが共通電極に供給される。
In the
また液晶セル22R、22G、22Bは、それぞれゲート信号GATER、GATEG、GATEBによりオンオフ動作するNMOSトランジスタQ1R、Q1G、Q1Bを介して、画素電極がNMOSトランジスタQ2に接続される。ここでこのNMOSトランジスタQ2は、青色用のゲート信号GATEBによりオンオフ動作し、メモリ部23からの出力に応じてオンオフ動作するNMOSトランジスタQ3及びQ4をそれぞれ介して、これらNMOSトランジスタQ1R、Q1G、Q1Bを信号線SIG又は駆動信号CSの供給ラインに接続する。
The
基本ユニット21において、メモリ部23は、ゲート及びドレインがそれぞれ共通に接続されたNMOSトランジスタQ5及びPMOSトランジスタQ6からなるCMOSインバーターと、同様のNMOSトランジスタQ7及びPMOSトランジスタQ8からなるCMOSインバーターとによるSRAM(Static Random Access Memory)であり、信号線SIGの論理レベルに対応する出力RAMと、この出力RAMと逆の論理レベルによる反転出力とをそれぞれトランジスタQ3及びQ4に出力し、これらトランジスタQ3及びQ4を相補的にオンオフ制御する。メモリ部23は、ゲート信号GATEDによりオン動作するNMOSトランジスタQ11を介して信号線SIGに接続される。
In the
基本ユニット21は、図4及び図5に示すように、アナログ駆動方式による場合には、水平駆動部15及び垂直駆動部17により、トランジスタQ3をオン状態に設定するようにメモリ部23が事前に設定された後(図4(D)〜(E))、ゲート信号GATER、GATEG、GATEBの設定が順次切り換えられることにより(図4(B1)〜(B3))、図5に示すように、液晶セル22R、22G、22Bが順次信号線SIGに接続される。なおここで図5は、この信号線SIGと液晶セル22R、22G、22Bとの接続の説明のために、図3との対比により基本ユニット21の構成を簡略化して示す図である。
As shown in FIGS. 4 and 5, the
また基本ユニット21は、アナログ駆動方式による場合には、水平駆動部15により、液晶セル22R、22G、22Bの階調をそれぞれ示す階調電圧R、G、Bに信号線SIGの駆動信号Ssigが順次設定され(図4(A))、この信号線SIGの設定に対応するようにゲート信号GATER、GATEG、GATEBの設定が順次切り換えられる(図4(B1)〜(B3))。これにより基本ユニット21は、液晶セル22R、22G、22Bの画素電極側電位PIXR、PIXG、PIXBが駆動信号Ssigによる階調電圧R、G、Bに設定される。これにより基本ユニット21は、アナログ駆動方式によりこれら液晶セル22R、22G、22Bの階調が設定される。なおこの図3の構成では、トランジスタQ2をオン動作させた状態で、赤色用及び緑色用のトランジスタQ1R、Q1Gを交互にオン動作させて、赤色、緑色の液晶セル22R、22Gの階調を順次設定してもよい。
Further, in the case where the
これに対してアナログ駆動方式におけるメモリ部23の事前の設定時、メモリ方式による書込み時、基本ユニット21は、図6及び図7に示すように、ゲート信号GATER、GATEG、GATEBによりトランジスタQ1R、Q1G、Q1Bがオフ状態に設定され(図6(B1)〜(B3)及び(C1)〜(C3))、メモリ部23の電源電圧VRAMが信号線SIGのHレベルに対応する電圧VDDに一時的に立ち下げられると共に(図6(A)及び(D))、ゲート信号GATEDによりトランジスタQ11がオン状態に設定されて信号線SIGにメモリ部23が接続される(図6(E))。これにより基本ユニット21は、信号線SIGに出力される駆動信号Sdvの論理レベルが設定される(図6(F))。またその後、基本ユニット21は、電源電圧VRAMが液晶セル22R、22G、22Bの駆動電圧に対応する電圧VDD2に立ち上げられて(図6(D)及び(F))、トランジスタQ3、Q4をオンオフ制御可能に設定される。なおここで図7は、このメモリ部23の書き込み動作の説明のために、図3に示す基本ユニット21の構成を簡略化して示す図である。
On the other hand, when the
基本ユニット21は、アナログ駆動方式におけるメモリ部23の事前の設定時、水平駆動部15により信号線SIGがHレベルに設定されてこれら一連の動作が実行され、これによりトランジスタQ3をオン状態に設定するように設定される。これに対してメモリ方式による書込み時、水平駆動部15により信号線SIGが画像データDVの論理値に設定され、これにより画像データDVの論理値がメモリ部23に設定される。またこの論理値がHレベルの場合、トランジスタQ3をオン状態に設定するようにメモリ部23が設定されるのに対し、この論理値がLレベルの場合、トランジスタQ4をオン状態に設定するようにメモリ部23が設定される。
When the
ここでメモリ方式による表示時、基本ユニット21は、図8及び図9に示すように、水平駆動部15から、駆動信号CSに対して相補的に信号レベルが切り換わる駆動信号CSの反転信号XCSが信号線SIGに供給される(図8(A)及び(B))。また水平駆動部15から、トランジスタQ1R、Q1G、Q1B、Q2を全てオン動作させるようにゲート信号GATER、GATEG、GATEBが供給される(図8(C1)〜(C3))。基本ユニット21は、メモリ部23に設定された論理値に応じてトランジスタQ3又はQ4が選択的にオン状態に設定され、これにより反転信号XCS又は駆動信号CSが選択的に液晶セル22R、22G、22Bの画素電極に供給される(図8(D1)〜(D3))。これにより液晶セル22R、22G、22Bは、メモリ部23に設定された画像データDVの論理値に対応して黒階調又は白階調に設定される。なおここで図9は、このメモリ方式による表示の説明のために、図3に示す基本ユニット21の構成を簡略化して示す図である。
Here, at the time of display by the memory system, as shown in FIGS. 8 and 9, the
図10(A)及び(B)は、TFT基板における基本ユニット21のレイアウトの説明に供する図である。ここで図3に示す基本ユニット21では、信号線の数に対して走査線の数が格段的に多く、液晶セル22R、22G、22Bを水平方向に並べて配置したのでは、走査線の配置が複雑になる。そこでこの実施例では、1つの基本ユニット21による液晶セル22R、22G、22Bによる画素を信号線の延長方向に並べて配置し、いわゆる横ストライプにより表示部13を構成する。またこれら液晶セル22R、22G、22Bによる画素の間、隣接する基本ユニット21による画素との間に、走査線を配置する。これによりこの実施例では、効率良くTFT基板をレイアウトして表示部13における開口の減少を防止する。
FIGS. 10A and 10B are diagrams for explaining the layout of the
またさらに図10において矢印により示すように、これら1つの基本ユニット21による赤色、緑色、青色の3つの液晶セル22R、22G、22Bのうちの、青色の液晶セル22Bによる画素に、メモリ部23、トランジスタQ3、Q4、Q11を配置する。またトランジスタQ1R、Q1G、Q1B、Q2と、赤色液晶セル22Rの保持容量CsRとを赤色液晶セル22Rによる画素に配置する。また緑色液晶セル22G及び青色液晶セル22Bの保持容量CsG及びCsBを緑色液晶セル22Gによる画素に配置する。これによりこの実施例では、効率良くトランジスタQ1〜Q11を配置して赤色、緑色、青色の画素に割り当て可能な開口の面積を十分に確保し、かつ赤色、緑色、青色の画素において、開口の面積が偏らないようにする。
Further, as shown by an arrow in FIG. 10, among the three
またさらに図1に示すように、少なくともこの緑色液晶セル22Gによる画素に配置する青色液晶セル22Bの保持容量CsBについては、配線層7による保持容量CsBの電極と画素電極11との間に、シールド層31が設けられる。ここで液晶表示装置18では、このシールド層31が画素電極11を基本ユニット21に接続する配線層9により作成される。基本ユニット21は、このシールド層31がアース又は固定電位に接続される。
Further, as shown in FIG. 1, at least the storage capacitor CsB of the blue
(2)実施例の動作
以上の構成において、この液晶表示装置18では(図2)、チューナー部、外部機器等から出力される画像データSDIによる動画像、静止画像を表示する場合、コントローラ14による各部の制御により、インターフェース12に入力される画像データSDIが水平駆動部15に入力され、ここで画像データSDIがディジタルアナログ変換処理されてフィールド反転、フレーム反転、ライン反転等による信号線SIGの駆動信号Ssigが生成される。液晶表示装置18では、このアナログ信号による駆動信号Ssigにより表示部13に設けられた各画素の階調が設定され、アナログ駆動方式により動画像、静止画像が表示される。
(2) Operation of Embodiment In the above configuration, the liquid crystal display device 18 (FIG. 2) uses the
これに対してコントローラ14によるメニュー画像等を表示する場合、インターフェース12を介して、コントローラ14から出力される2値の画像データDVが水平駆動部15に入力される。液晶表示装置18では、この画像データDVの論理レベルに応じて信号線SIGの論理レベルが順次設定され、この信号線SIGの論理レベルが表示部13に設けられたメモリ部23に格納される(図3)。またこのメモリ部23に格納された論理レベルに応じて各画素の階調が設定され、これによりメモリ方式によりメニュー画像が表示される。
On the other hand, when displaying a menu image or the like by the
より具体的に、表示部13では(図3、図6、図7)、アナログ駆動方式による表示の場合、事前の処理において、水平駆動部15により各信号線SIGの論理レベルがHレベルに設定され、メモリ部23の電源VRAMが立ち下げられた状態で、ゲート信号GATEDによりメモリ部23が信号線SIGに接続され、これによりメモリ部23に信号線SIGの論理値が設定される。またこの論理値の設定により、トランジスタQ3がオン状態に設定されてトランジスタQ2が信号線SIGに接続される。
More specifically, in the display unit 13 (FIGS. 3, 6, and 7), in the case of display by an analog drive method, the logical level of each signal line SIG is set to H level by the
さらにアナログ駆動方式による表示の場合(図3〜図6)、水平駆動部15により、順次、信号線SIGの信号レベルが赤色、緑色、青色の各液晶セル22R、22G、22Bの階調を示す階調電圧に設定され、またこの信号線SIGの信号レベルの設定に対応するように、トランジスタQ1R、Q1G、Q1B、Q2が順次オン状態に設定されて、液晶セル22R、22G、22Bの画素電極に各画素の階調電圧が設定される。またこの設定に対応するように、駆動信号VCOM及びCSが液晶セル22R、22G、22Bの共通電極、保持容量CsR、CsG、CsBに供給される。
Further, in the case of display by an analog drive method (FIGS. 3 to 6), the
液晶表示装置18では、この信号線SIGによる液晶セル22R、22G、22Bの設定が例えばフレーム単位で繰り返され、これによりアナログ駆動方式により動画、静止画像を表示することができる。
In the liquid
これに対してメモリ方式による場合(図3、図6、図7)、液晶セル22R、22G、22Bの発光、非発光に対応する論理レベルに信号線SIGの信号レベルが設定されて、アナログ駆動方式による事前の処理と同様にメモリ部23が駆動され、これによりメモリ部23に画像データDVの論理レベルが設定される。
On the other hand, in the case of the memory system (FIGS. 3, 6, and 7), the signal level of the signal line SIG is set to a logic level corresponding to light emission and non-light emission of the
また続いてこのメモリ部23に設定された論理値に応じてトランジスタQ3又はQ4が選択的にオン状態に設定され(図3、図8、図9)、駆動信号CSの反転信号XCS又は駆動信号CSが選択される。この液晶表示装置18では、この選択された反転信号XCS又は駆動信号CSがトランジスタQ1R、Q1G、Q1B、Q2を介して液晶セル22R、22G、22Bの画素電極に供給され、これにより信号線SIGに設定した論理値に応じてこれら液晶セル22R、22G、22Bが表示又は非表示に設定される。これによりこの液晶表示装置18は、メニュー画像のように、フレーム周期で更新する必要の無い画像表示については、メモリ方式により表示して消費電力を低減することができる。
Subsequently, the transistor Q3 or Q4 is selectively turned on according to the logic value set in the memory unit 23 (FIGS. 3, 8, and 9), and the inverted signal XCS or the drive signal of the drive signal CS. CS is selected. In the liquid
またこの液晶表示装置18では、赤色、緑色、青色の液晶セル22R、22G、22Bに対して1つのメモリ部23を割り当ててメモリ方式により画像表示することにより、表示部に設けるメモリの数を少なくして構成を簡略化することができる。
Further, in the liquid
また1つのメモリ部23が割り当てられる赤色、緑色、青色の液晶セル22R、22G、22Bを信号線SIGの延長方向に順次配置していわゆる横ストライプにより表示部13が構成され、これにより効率良くTFT基板をレイアウトして表示部13における開口の減少を防止することができる。
Further, red, green, and blue
しかしながらこのように隣接する複数の画素でメモリ部23を共用化すると、これら複数の画素でTFT基板のレイアウトに偏りが発生し、特定の画素で保持容量を作成可能な面積が小さくなる。すなわちこの場合、何れかの画素にメモリ部23を配置すると、このメモリ部23を配置した画素では、十分な開口を確保して保持容量に十分な面積を割り当てることが困難になる。
However, if the
そこでこの実施例では、1つの基本ユニット21による赤色、緑色、青色の3つの液晶セル22R、22G、22Bによる画素のうちの青色の液晶セル22Bによる画素に、メモリ部23、トランジスタQ3、Q4、Q11が配置され、また赤色液晶セル22Rによる画素に、トランジスタQ1R、Q1G、Q1B、Q2と赤色液晶セル22Rの保持容量CsRとが配置される。また緑色液晶セル22G及び青色液晶セル22Bの保持容量CsG及びCsBが、緑色液晶セル22Gによる画素に配置される。これによりこの実施例では、効率良くトランジスタQ1〜Q11を配置して赤色、緑色、青色の画素に割り当て可能な開口の面積を十分に確保し、かつ赤色、緑色、青色の画素において、開口の面積が偏らないようにする。
Therefore, in this embodiment, the
しかしながらこのように緑色液晶セル22G及び青色液晶セル22Bの保持容量CsG及びCsBを緑色液晶セル22Gによる画素に配置した場合、緑色液晶セル22Gの下層に、青色液晶セル22Bの保持容量CsBが配置されることになり、その結果、緑色液晶セル22Gが青色液晶セル22Bの画素電位の影響を受け、正しい階調を表現できなくなる恐れがある。
However, when the storage capacitors CsG and CsB of the green
そこでこの実施例では(図1)、少なくともこの緑色液晶セル22Gによる画素に配置する青色液晶セル22Bの保持容量CsBについては、配線層7による保持容量CsBの電極と画素電極11との間に、配線層9によりシールド層31が設けられ、このシールド層31がアース又は固定電位に接続される。
Therefore, in this embodiment (FIG. 1), at least for the storage capacitor CsB of the blue
これによりこの実施例では、このシールド層31によるシールドにより、緑色液晶セル22Gの画素電位が青色液晶セル22Bの画素電位の影響を受けないようにすることができ、これにより緑色の画素を正しい階調で表示することができる。これによりこの実施例では、保持容量を配置可能な面積が小さい場合であっても、必要とする保持容量を十分に確保することができる。
Thus, in this embodiment, the shield by the
(3)実施例の効果
以上の構成によれば、隣接画素の保持容量を画素電極の下層に作成するようにして、この隣接画素の保持容量を構成する画素電位側の電極と画素電極との間にシールド層を設けてシールドすることにより、保持容量を配置可能な面積が小さい場合であっても、必要とする保持容量を十分に確保することができる。
(3) Effects of the embodiment According to the above configuration, the storage capacitor of the adjacent pixel is created in the lower layer of the pixel electrode, and the pixel potential side electrode and the pixel electrode that configure the storage capacitor of the adjacent pixel By providing a shield layer between the shields, the necessary storage capacity can be sufficiently ensured even when the area where the storage capacity can be arranged is small.
また画素電極をTFTに接続する配線層によりこのシールド層を作成することにより、既存の工程を有効に利用してシールド層を設けることができ、これにより簡易な構成で保持容量を配置可能な面積が小さい場合であっても、必要とする保持容量を十分に確保することができる。 In addition, by creating this shield layer with a wiring layer that connects the pixel electrode to the TFT, the shield layer can be provided by effectively using the existing process, and thereby an area where the storage capacitor can be arranged with a simple configuration. Even if it is small, a sufficient storage capacity can be secured.
また1つのメモリ部を隣接する複数の画素に割り当ててメモリ方式により表示する構成に適用して、TFT基板のレイアウトが極端に偏る場合であっても、必要とする保持容量を十分に確保することができる。 In addition, it is applied to a configuration in which one memory portion is assigned to a plurality of adjacent pixels and displayed by a memory method, and even if the layout of the TFT substrate is extremely biased, a sufficient storage capacity is ensured. Can do.
またメモリ方式とアナログ駆動方式等により画像表示する構成に適用して、TFT基板のレイアウトが極端に偏る場合であっても、必要とする保持容量を十分に確保することができる。 In addition, by applying to a configuration in which an image is displayed by a memory method, an analog driving method, or the like, even if the layout of the TFT substrate is extremely biased, a necessary storage capacity can be sufficiently secured.
図11は、本発明の実施例2に係る液晶表示装置を示すブロック図である。この液晶表示装置41は、アナログ駆動方式により表示部42で画像データSDIによる動画像、静止画像を表示し、さらには画像データDV1によるメニュー画像を表示する。またこの表示部42に表示されたメニューの選択をコントローラ44で検出し、表示部42の表示等を切り換える。
FIG. 11 is a block diagram showing a liquid crystal display device according to
ここでこの液晶表示装置41において、インターフェース(I/F)45は、チューナー部、外部機器等から出力される画像データSDI、この画像データSDIに同期した各種タイミング信号、コントローラ44から出力される画像データDV1を入力し、これら入力した画像データSDI、DV1、各種タイミング信号をコントローラ44の制御に従って各部に出力する。
Here, in the liquid
水平駆動部46は、インターフェース45から出力される画像データSDI、DV1を表示部42に設けられた各信号線SIGに振り分けると共に、この振り分けた画像データをアナログディジタル変換処理し、各信号線SIGの駆動信号Ssigを生成して表示部42に出力する。垂直駆動部47は、この水平駆動部46による駆動信号Ssigに対応するタイミング信号GATEL、駆動信号VCOM、CSを生成して表示部42に出力する。
The
表示部42は、所定画素ピッチで、タッチセンサを構成するセンサ回路が設けられた透過型又は半透過型の液晶表示パネルであり、水平駆動部46、垂直駆動部47の駆動により画像データSDIによる動画、静止画像、画像データDV1によるメニュー画像を表示する。
The
スキャン部48は、表示部42に設けられたセンサ回路の駆動に供する各種タイミング信号RST、SELを生成して出力する。センシング部43は、この表示部42から出力されるセンサ回路の出力信号SIGXを信号処理して、ユーザーがタッチした箇所の座標X、Yを検出し、この検出した座標X、Yをコントローラ44に出力する。
The
コントローラ44は、各部の動作を制御する制御手段であり、インターフェース45の動作を制御して表示部42に所定のメニュー画面を表示する。またセンシング部43により通知される座標X、Yに基づいて、このメニュー画面におけるメニューの選択を検出し、このメニューの選択に応動して表示部42の表示を切り換え、さらには画像データSDIのソース等を切り換える。
The
図12は、この表示部42の基本ユニットを示すブロック図である。この基本ユニット51において、図3の基本ユニット21と同一の構成は対応する符号を付して示し、重複した説明は省略する。ここで基本ユニット51は、表示部42の構成単位であり、この実施例では、連続する赤色、緑色、青色の液晶セル22R、22G、22Bと、1つのセンサ部52とにより構成される。表示部42は、赤色、緑色、青色の液晶セル22R、22G、22Bが順次循環的に連続するように、この基本ユニット51がTFT基板にマトリックス状に配置され、これによりこれら液晶セル22R、22G、22Bによる画素がマトリックス状に配置される。
FIG. 12 is a block diagram showing a basic unit of the
基本ユニット51は、垂直駆動部47から出力されるゲート信号GATELによりオンオフ動作するNMOSトランジスタQ12R、Q12G、Q12Bを介して、それぞれ赤色用、緑色用、青色用の信号線SIGR、SIGG、SIGBに赤色、緑色、青色の液晶セル22R、22G、22Bが接続され、これによりアナログ駆動方式でこれら液晶セル22R、22G、22Bの階調が設定される。
The
ここで指等が表示部42の表示画面に接近すると、表示部42の出射光がこの指等により反射されて表示部42への戻り光が発生する。センサ部52は、この戻り光を受光して受光光量に応じた出力信号を出力するセンサ53、このセンサ53の出力信号を積分する積分コンデンサ54、この積分コンデンサ54による積分結果を増幅する増幅回路55、選択信号SELによりオン動作してこの増幅回路55の出力信号をセンサ部用の信号線SIGに出力するトランジスタQ13とにより構成される。
Here, when a finger or the like approaches the display screen of the
ここで図13は、センサ部52の詳細構成を関連する構成と共に示す接続図である。センサ部52は、戻り光の光量に応じた電流を出力するフォトセンサ56がセンサ53に適用され、このセンサ53の出力信号が積分コンデンサ54の一端に供給される。センサ部52は、この積分コンデンサ54の他端が所定の固定電位であるアースに接続されると共に、この積分コンデンサ54の一端がリセット信号RSTによりオン動作するPMOSトランジスタQ14を介して電源VDDに接続される。
Here, FIG. 13 is a connection diagram showing a detailed configuration of the
センサ部52は、図14に示すように、センサ部52が設けられた基本ユニット51における液晶セル22R、22G、22Bへの階調設定のタイミングに同期して、スキャン部48よりリセット信号RSTが供給され(図14(A))、このリセット信号RSTによりトランジスタQ14がオン動作して積分コンデンサ54の一端の電圧V1(図14(B))が電源電圧VDDに接続される。これにより積分コンデンサ54の蓄積電荷がリセットされる。またその後、積分コンデンサ54の一端の電圧V1が戻り光の光量に応じて徐々に低下する。
As shown in FIG. 14, the
センサ部52は、NMOSトランジスタによる増幅回路55でこの積分コンデンサ54の一端の電圧を増幅し、トランジスタQ13を介してこの増幅回路55の出力が信号線SIGに出力される。ここでセンサ部52は、リセット信号RSTにより積分コンデンサ54の一端の電圧V1を電源電圧VDDにリセットする直前で、スキャン部48から選択信号SELが入力され(図14(C))、これによりこの選択信号SELのタイミングで積分コンデンサ54による積分結果が信号線SIGに出力される。
The
この液晶表示装置41では、図15に示すように、信号線SIGに沿って配置される基本ユニット51を順次選択してリセットするように、走査線を介して各基本ユニット51にリセット信号RST(RST1、RST2、……)、選択信号SEL(SEL1 、SEL2、……)が出力される。これによりこの信号線SIGに沿って配置される基本ユニット51による測定結果OUT1、OUT2、……を時分割により信号線SIGに出力する。
In this liquid
この実施例において、センシング部43(図13)は、各信号線SIGに定電流源57が接続され、この定電流源57の入力端で検出されるセンサ部52の出力信号SIGXをアナログディジタル変換処理し、この信号線SIGに接続された基本ユニット51による検出結果を取得する。センシング部43は、このアナログディジタル変換結果を、対応する画像データSDI、DV1の画素値により割り算して戻り光の光量を正規化する。またこの正規化結果を所定のしきい値で判定し、所定光量以上で戻り光が受光された基本ユニット51を検出する。センシング部43は、この検出した基本ユニット51の座標X、Yをコントローラ44に通知する。
In this embodiment, the sensing unit 43 (FIG. 13) has a constant
図16は、基本ユニット51のレイアウトを示すTFT基板の平面図である。この実施例において、表示部42は、液晶セル22R、22G、22Bによる画素を走査線の延長方向に並べて配置し、いわゆる縦ストライプにより構成される。また表示部42は、各液晶セル22R、22G、22BにそれぞれトランジスタQ1R、Q1G、Q1Bが配置される。また緑色及び青色の液晶セル22G及び22Bによる画素にセンサ部52が配置される。なおセンサ回路のうちのセンサ53は、青色の液晶セル22Gによる画素に配置される。また各液晶セル22R、22G、22Bの保持容量CsR、CsG、CsBが赤色の液晶セル22Rによる画素に配置される。但し、青色の液晶セル22Bの保持容量CsBは、隣接する基本ユニット51の赤色の液晶セル22Rに配置される。
FIG. 16 is a plan view of the TFT substrate showing the layout of the
またさらにこれらの保持容量CsR、CsG、CsBのうちの、少なくとも緑色及び青色の液晶セル22G、22Bの保持容量CsG、CsBは、図1について上述したシールド層31が設けられ、このシールド層31がアース又は固定電位に接続される。これによりこの実施例では、赤色液晶セル22Rにおける青色液晶セル22B、緑色液晶セル22Gの画素電極の影響を有効に回避する。
Further, among the storage capacitors CsR, CsG, and CsB, at least the storage capacitors CsG and CsB of the green and blue
この実施例によれば、戻り光の光量を検出するセンサ部を設ける構成に適用して、TFT基板のレイアウトが極端に偏る場合であっても、必要とする保持容量を十分に確保することができる。 According to this embodiment, the present invention can be applied to a configuration in which a sensor unit that detects the amount of return light is provided, and even if the layout of the TFT substrate is extremely biased, the necessary storage capacity can be sufficiently secured. it can.
図17は、図16等の対比により本発明の実施例3の液晶表示装置に適用されるTFT基板の平面図である。この液晶表示装置では、TFT基板とCF基板との間のギャップを確保するスペーサーが所定画素ピッチで配置される。この液晶表示装置では、このスペーサーの配置により、スペーサーを配置した画素で保持容量の作成スペースが不足することになる。そこでこの液晶表示装置では、不足するスペースを隣接画素に順次振り分けて保持容量を作成する。 FIG. 17 is a plan view of a TFT substrate applied to the liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention in comparison with FIG. In this liquid crystal display device, spacers that secure a gap between the TFT substrate and the CF substrate are arranged at a predetermined pixel pitch. In this liquid crystal display device, due to the arrangement of the spacers, a space for creating a storage capacitor is insufficient in the pixels in which the spacers are arranged. Therefore, in this liquid crystal display device, the storage space is created by sequentially assigning the insufficient space to adjacent pixels.
すなわちこの図17における青色液晶セル22Bの画素では、当該青色液晶セル22Bの画素と隣接する緑色液晶セル22Gの画素とに、保持容量CsBを配置する。またこの隣接する緑色液晶セル22Gの画素では、当該緑色液晶セル22Gの画素と、隣接する赤色液晶セル22Rの画素とに、保持容量CsGを配置する。
That is, in the pixel of the blue
このようにして隣接する画素に配置する保持容量については、実施例1又は実施例2と同様のシールド層31の配置により正しい階調を表示できるようにする。
In this way, with respect to the storage capacitors arranged in the adjacent pixels, correct gradation can be displayed by the arrangement of the
この実施例によれば、スペーサーの配置によりTFT基板のレイアウトに偏りが発生し、保持容量を作成可能な面積が小さくなった場合でも、必要とする保持容量を十分に確保することができる。 According to this embodiment, even if the layout of the TFT substrate is biased by the arrangement of the spacers and the area where the storage capacitor can be created becomes small, the required storage capacitor can be sufficiently secured.
図18は、図1との対比により本発明の実施例4の液晶表示装置に適用されるTFT基板の断面図である。この実施例の液晶表示装置は、保持容量の画素電位側電極に対向する対向電極が配線層9により形成される。またこの対向電極が、保持容量の駆動信号CS側電極と内部接続される。これによりこの実施例では、ゲート層5及び配線層7により保持容量を作成する場合の従来構成に比して、単位面積当たりの保持容量の容量をほぼ2倍に設定する。
FIG. 18 is a cross-sectional view of a TFT substrate applied to the liquid crystal display device of Example 4 of the present invention in comparison with FIG. In the liquid crystal display device of this embodiment, a counter electrode facing the pixel potential side electrode of the storage capacitor is formed by the
この液晶表示装置では、この保持容量が、当該保持容量に係る液晶セルの下層に配置される。 In this liquid crystal display device, the storage capacitor is arranged in a lower layer of the liquid crystal cell related to the storage capacitor.
この実施例によれば、画素電極との間にさらに対向電極を作成して保持容量をほぼ2倍とすることにより、高解像度化等により各画素で保持容量を配置可能な面積が小さくなった場合でも、必要とする保持容量を十分に確保することができる。 According to this embodiment, by further creating a counter electrode between the pixel electrode and doubling the storage capacitor, the area where the storage capacitor can be arranged in each pixel has been reduced due to high resolution and the like. Even in this case, a sufficient storage capacity can be secured.
なお上述の実施例1〜3においては、メモリ部、センサ回路、スペーサーの配置によりTFT基板のレイアウトに偏りが発生し、特定の画素で保持容量を作成可能な面積が小さくなる場合に本発明を適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、これら以外の構成の配置によりTFT基板のレイアウトに偏りが発生し、特定の画素で保持容量を作成可能な面積が小さくなる場合に広く適用することができる。 In the first to third embodiments described above, the present invention is applied when the layout of the TFT substrate is biased by the arrangement of the memory portion, the sensor circuit, and the spacer, and the area in which a storage capacitor can be created in a specific pixel becomes small. Although the case where the present invention is applied is described, the present invention is not limited to this, and it is widely used when the layout of the TFT substrate is biased due to the arrangement of other configurations, and the area where a storage capacitor can be created in a specific pixel becomes small. Can be applied.
また上述の各実施例においては、メモリ方式とアナログ駆動方式との切り換えにより、又はアナログ駆動方式により所望の画像を表示する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、アナログ駆動方式のみによる場合、メモリ方式のみによる場合等にも広く適用することができる。 In each of the above-described embodiments, the case where a desired image is displayed by switching between the memory method and the analog driving method or the analog driving method has been described. However, the present invention is not limited to this, and only the analog driving method is used. In this case, the present invention can be widely applied to the case where only the memory system is used.
また上述の各実施例においては、シールド層又は別途対向電極を設ける場合について述べたが、本発明はこれに限らず、これらの組み合わせにより液晶表示装置を構成してもよい。 In each of the above-described embodiments, the case where a shield layer or a separate counter electrode is provided has been described. However, the present invention is not limited to this, and a liquid crystal display device may be configured by a combination thereof.
また上述の実施例においては、配線層を利用してシールド層等を作成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えばFFS方式、ISP方式における共通電極層を利用してシールド層等を作成してもよく、また別途、金属膜等を積層してシールド層等を作成してもよい。 In the above-described embodiments, the case where the shield layer and the like are formed using the wiring layer has been described. However, the present invention is not limited to this, and for example, the shield layer is formed using the common electrode layer in the FFS method and the ISP method. Or a shield layer or the like by laminating a metal film or the like.
本発明は、例えばアナログ駆動方式とメモリ方式とで動作を切り換える液晶表示装置に適用することができる。 The present invention can be applied to, for example, a liquid crystal display device whose operation is switched between an analog drive method and a memory method.
1……TFT基板、4……透明絶縁基板、5……ゲート層、6、8、10……絶縁膜、7、9……配線層、11……画素電極、31……シールド層、13……表示部、15、36……水平駆動部、17、47……垂直駆動部、18、41……液晶表示装置、21、51……基本ユニット、22R、22G、22B……液晶セル、23……メモリ部、52……センサ部、53……センサ、55……増幅回路、CsR、CsB、CsB……保持容量、Q1〜Q13……トランジスタ
DESCRIPTION OF
Claims (3)
絶縁基板上に、少なくとも前記液晶セルの駆動に供するトランジスタと前記液晶セルの画素電極を配置して前記TFT基板が作成され、
前記画素電極の下層に、シールド層を間に挟んで、隣接する液晶セルの保持容量の一部又は全部が作成され、
前記保持容量の対向電極が、前記トランジスタのゲート層と前記トランジスタの配線層とにより形成され、
前記シールド層が、前記トランジスタを前記画素電極に接続する配線層により形成された
液晶表示装置。 In a liquid crystal display device in which a liquid crystal layer is sandwiched between a TFT substrate and a CF substrate, liquid crystal cells by the liquid crystal layer are arranged in a matrix to form a display unit, and a desired image is displayed by the display unit.
On an insulating substrate, the TFT substrate is produced by placing at least the pixel electrode of the liquid crystal cell and the transistor to be subjected to the driving of the liquid crystal cell,
A part or all of the storage capacitor of the adjacent liquid crystal cell is created under the pixel electrode with a shield layer interposed therebetween ,
A counter electrode of the storage capacitor is formed by a gate layer of the transistor and a wiring layer of the transistor;
The liquid crystal display device , wherein the shield layer is formed by a wiring layer that connects the transistor to the pixel electrode .
複数の隣接する前記液晶セルに割り当てられて、前記複数の隣接する液晶セルの階調を記録するメモリ部のトランジスタと、 A transistor of a memory unit that is assigned to a plurality of adjacent liquid crystal cells and records gradations of the plurality of adjacent liquid crystal cells;
前記メモリ部の記録に応じて前記液晶セルの階調を設定するトランジスタとである And a transistor for setting a gradation of the liquid crystal cell in accordance with recording in the memory unit.
請求項1に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1.
メモリ方式とアナログ駆動方式とで動作を切り換えて、前記液晶セルの階調を設定するトランジスタである It is a transistor that switches the operation between a memory system and an analog drive system and sets the gradation of the liquid crystal cell.
請求項1に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1.
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