JP5088924B2 - Piezoelectric ceramic element drive circuit - Google Patents

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Description

本発明は、高インピーダンスの圧電セラミック素子を駆動するための駆動回路の技術分野に属する。   The present invention belongs to the technical field of drive circuits for driving high-impedance piezoelectric ceramic elements.

高インピーダンスの圧電セラミック素子に必要な発振パワーを供給するには高い信号電圧が必要である。
パワーアンプの電源電圧を高くするには限界がある。そこで出力トランスを使用してトランスの2次側に圧電セラミック素子をパラレルに接続し共振回路を形成して圧電セラミック素子の共振周波数で励振する方法で、1次側と2次側の巻線比により必要な信号電圧に昇圧していた。
A high signal voltage is required to supply the necessary oscillation power to the high impedance piezoelectric ceramic element.
There is a limit to increasing the power supply voltage of the power amplifier. Therefore, a winding ratio between the primary side and the secondary side can be obtained by connecting a piezoelectric ceramic element in parallel to the secondary side of the transformer using an output transformer to form a resonance circuit and exciting at the resonance frequency of the piezoelectric ceramic element. As a result, the required signal voltage was boosted.

図7はアナログアンプのSEPP(Single Ended Push Pull)に出力トランス10を接続し、圧電セラミック素子5の共振周波数の正弦波を出力している。トランスの2次側で圧電セラミック素子の共振周波数で共振する並列共振をさせ、かつ1次と2次との巻線比で2次側の電圧を昇圧して必要な高電圧を得て圧電セラミック素子に印加している(例えば、特許文献1参照)。   In FIG. 7, an output transformer 10 is connected to an analog amplifier SEPP (Single Ended Push Pull), and a sine wave having a resonance frequency of the piezoelectric ceramic element 5 is output. A piezoelectric ceramic is obtained by performing parallel resonance that resonates at the resonance frequency of the piezoelectric ceramic element on the secondary side of the transformer, and boosting the voltage on the secondary side with the winding ratio of the primary and secondary to obtain a necessary high voltage. It is applied to the element (see, for example, Patent Document 1).

図8はディジタルアンプのハーフブリッジ回路で出力はSEPPでありトランスの1次側を圧電セラミック素子の共振周波数の矩形波で駆動し、もう一方は電源電圧をコンデンサ12と13で分割して1/2の電圧となるコンデンサの中点に接続している。ハーフブリッジ回路では、負荷の片側を接地できないがトランスを使用しているので2次側で接地することができる。
図示されていないが、フルブリッジ回路でも同様に出力トランスの1次側は接地できない(例えば、特許文献2参照)。
特開2001−251874号公報([0029]、[0030]、図1、図2) 特開平11−136041号公報(図1)
FIG. 8 shows a half-bridge circuit of a digital amplifier whose output is SEPP. The primary side of the transformer is driven by a rectangular wave having a resonance frequency of the piezoelectric ceramic element, and the other is divided by a capacitor 12 and 13 to divide the power supply voltage by 1 / It is connected to the middle point of the capacitor with the voltage of 2. In the half bridge circuit, one side of the load cannot be grounded, but since a transformer is used, the secondary side can be grounded.
Although not shown, the primary side of the output transformer cannot be grounded even in a full bridge circuit (see, for example, Patent Document 2).
JP 2001-251874 A ([0029], [0030], FIGS. 1 and 2) Japanese Patent Laid-Open No. 11-136041 (FIG. 1)

しかしながら、図7のような、アナログアンプの正弦波駆動ではアンプの電源効率がよくないという問題がある。
この点、図8のようなディジタルパワーアンプは電力効率の良い矩形波の信号を電力増幅する。
しかし、この場合、ディジタルパワーアンプの出力、即ち出力トランス10の1次側は矩形波である。
However, the sine wave drive of the analog amplifier as shown in FIG. 7 has a problem that the power supply efficiency of the amplifier is not good.
In this regard, the digital power amplifier as shown in FIG. 8 amplifies the power of a rectangular wave signal with good power efficiency.
However, in this case, the output of the digital power amplifier, that is, the primary side of the output transformer 10 is a rectangular wave.

一方、圧電セラミック素子5へは正弦波で印加しなければならない。即ち、出力トランス10の1次側入力は矩形波であっても、2次側出力は正弦波にしなければならない。このため出力トランス10の1次、2次間の結合係数kを疎(k≦0.7)にして、矩形波に含まれている高調波のエネルギーは熱損として消耗させ、基本周波数の正弦波のみを2次側に出力させることになる。その結果、電源効率の良いディジタルパワーアンプを用いているにもかかわらず、出力トランス10での損失が大きく、全体的には電力効率が良くないという問題があるうえ、出力トランス10の発熱に対して冷却手段を設けなければならないという問題がある。   On the other hand, the piezoelectric ceramic element 5 must be applied with a sine wave. That is, even if the primary side input of the output transformer 10 is a rectangular wave, the secondary side output must be a sine wave. For this reason, the coupling coefficient k between the first and second order of the output transformer 10 is made sparse (k ≦ 0.7), the harmonic energy contained in the rectangular wave is consumed as heat loss, and the sine of the fundamental frequency. Only the wave is output to the secondary side. As a result, there is a problem that the loss in the output transformer 10 is large and the overall power efficiency is not good despite the use of a digital power amplifier having a high power supply efficiency. Therefore, there is a problem that a cooling means must be provided.

出力トランス10での損失を避けるために、ディジタルパワーアンプの矩形波出力を、その基本周波数の正弦波のみを通すフィルタを介して出力トランス10の1次側へ入力する手段も考えられるが部品が増加するという問題がある。
以上のように、高インピーダンス圧電セラミック素子を励振する高電圧を得るために、トランスで昇圧するということには問題があった。
In order to avoid loss in the output transformer 10, means for inputting the rectangular wave output of the digital power amplifier to the primary side of the output transformer 10 through a filter that passes only the sine wave of the fundamental frequency is conceivable. There is a problem of increasing.
As described above, in order to obtain a high voltage for exciting the high impedance piezoelectric ceramic element, there is a problem in boosting with a transformer.

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて、昇圧トランスを用いないで、ディジタルパワーアンプの矩形波出力電圧より高い正弦波電圧を、圧電セラミック素子に印加することのできる圧電セラミック素子駆動回路を実現することを課題とする。   In view of the above-described problems of the prior art, the present invention provides a piezoelectric ceramic element driving circuit capable of applying a sine wave voltage higher than a rectangular wave output voltage of a digital power amplifier to a piezoelectric ceramic element without using a step-up transformer. It is a problem to realize.

本発明は、上記課題を解決するために下記の各構成を有する。
本発明の第1の構成(基本構成)は、下記の各手段で構成される圧電セラミック素子駆動回路である。
(イ) SEPP回路構成されたディジタルスイッチングアンプ
(ロ) 前記ディジタルスイッチングアンプを、駆動対象圧電セラミック素子の共振周波数の矩形波で駆動する駆動部
(ハ) 駆動対象圧電セラミック素子と並列に接続されるキャパシタと、この並列回路と前記ディジタルスイッチングアンプの出力点とを接続するインダクタとからなり、前記並列キャパシタのキャパシタンスCの値と前記インダクタのインダクタンスLの値は、前記並列キャパシタおよび圧電セラミック素子の電極間容量 と前記インダクタとからなる共振回路の共振周波数が圧電セラミック素子の共振周波数 と同じであるとともに、その共振周波数f において、前記駆動対象圧電セラミック素子の両端間にかかる正弦波電圧が前記ディジタルスイッチングアンプの出力点の矩形波電圧に含まれる基本周波正弦波成分電圧のK(>1)倍となるように、下記数式
(R /ω L)=ω (C+C )R =K
但し、ω =2πf K>1
:圧電セラミック素子の等価回路の直列抵抗値
:圧電セラミック素子の電極間容量
を満足する値であることを特徴とする出力回路
The present invention has the following configurations in order to solve the above problems.
The first configuration (basic configuration) of the present invention is a piezoelectric ceramic element driving circuit including the following means.
(B) A digital switching amplifier having a SEPP circuit (b) A drive unit for driving the digital switching amplifier with a rectangular wave having a resonance frequency of the drive target piezoelectric ceramic element (c) Connected in parallel with the drive target piezoelectric ceramic element A capacitor and an inductor connecting the parallel circuit and the output point of the digital switching amplifier. The value of the capacitance C of the parallel capacitor and the value of the inductance L of the inductor are the electrodes of the parallel capacitor and the piezoelectric ceramic element. the resonant frequency of the resonant circuit between capacitor C 1 and consists of said inductor with the same as the resonance frequency f 0 of the piezoelectric ceramic element at its resonance frequency f 0, the sine wave applied between both ends of the driven piezoelectric ceramic element The voltage is K of the fundamental frequency sine wave component voltage included in the rectangular wave voltage at the output point of Nguanpu (> 1) so that the magnification, the following equation
(R 1 / ω 0 L) = ω 0 (C + C 1 ) R 1 = K
However, ω 0 = 2πf 0 K> 1
R 1 : Series resistance value of equivalent circuit of piezoelectric ceramic element
C 1 : Electrode capacitance of piezoelectric ceramic element
Output circuit characterized by satisfying

本発明の第2の構成は、前記第1の構成において、出力回路のインダクタと直列に直流阻止用のキャパシタが接続されていることを特徴とする圧電セラミック素子駆動回路である。   A second configuration of the present invention is a piezoelectric ceramic element driving circuit according to the first configuration, wherein a DC blocking capacitor is connected in series with the inductor of the output circuit.

本発明の第3の構成は、前記第1の構成又は第2の構成において、駆動部の矩形波のデュティ比が外部からの信号により可変であることを特徴とする圧電セラミック素子駆動回路である。   A third configuration of the present invention is a piezoelectric ceramic element driving circuit, characterized in that, in the first configuration or the second configuration, the duty ratio of the rectangular wave of the driving unit is variable by an external signal. .

本発明の第4の構成は、前記第1の構成は又は第2の構成において、駆動部の矩形波の時間位置が外部からの信号により可変であることを特徴とする圧電セラミック素子駆動回路である。   According to a fourth configuration of the present invention, there is provided a piezoelectric ceramic element driving circuit characterized in that the time position of the rectangular wave of the driving unit is variable by an external signal in the first configuration or the second configuration. is there.

本発明の第5の構成は、前記第1の構成又は第2の構成において、駆動部の矩形波のデュティ比および矩形波の時間位置がそれぞれ外部からの信号により可変であることを特徴とする圧電セラミック素子駆動回路である。   The fifth configuration of the present invention is characterized in that, in the first configuration or the second configuration, the duty ratio of the rectangular wave and the time position of the rectangular wave of the driving unit are each variable by an external signal. It is a piezoelectric ceramic element drive circuit.

本発明の第1の構成(基本構成)は、駆動部の矩形波でオンオフスイッチ駆動されるディジタルスイッチングアンプの出力を、インダクタを直列に介して、圧電セラミック素子とキャパシタの並列回路へ印加すると言うもので、矩形波の周波数は圧電セラミック素子の共振周波数に設定されている。
これを図示すると図6の(a)のようになる。
According to the first configuration (basic configuration) of the present invention, the output of a digital switching amplifier driven by a rectangular wave of a driving unit is applied to a parallel circuit of a piezoelectric ceramic element and a capacitor via an inductor in series. Therefore, the frequency of the rectangular wave is set to the resonance frequency of the piezoelectric ceramic element.
This is shown in FIG. 6 (a).

圧電セラミック素子は一般に図6の(b)のような等価回路で表され、これが圧電セラミック素子の共振周波数で動作したときにはキャパシタCとインダクタLの直列共振回路のインピーダンスが0になるので、その等価回路は図6の(c)のようになる。Cは圧電セラミック素子の電極間容量であり、R は等価回路の直列抵抗である。そして、この基本構成では、インダクタのインダクタンスとキャパシタのキャパシタンスは、電極間容量Cとキャパシタの並列回路とインダクタとからなる共振回路の共振周波数が圧電セラミック素子の共振周波数になるような値に設定されている。 The piezoelectric ceramic element is generally expressed by an equivalent circuit as shown in (b) of FIG. 6, since this is the impedance of the series resonant circuit capacitor C 2 and the inductor L 1 becomes zero when operating at the resonant frequency of the piezoelectric element, The equivalent circuit is as shown in FIG. C 1 is Ri interelectrode capacitance der piezoceramic element, R 1 is Ru series resistor der of the equivalent circuit. And in this basic configuration, inductance and capacitance of the capacitor of the inductor is set to a value such resonance frequency of the resonance circuit consisting of the parallel circuit and the inductor electrode capacitance C 1 and the capacitor becomes the resonance frequency of the piezoelectric ceramic element Has been.

即ち、この共振回路は、矩形波電源から供給される、圧電セラミック素子の共振周波数と同じ周波数の矩形波信号から同周波数の正弦波成分を取り出す機能を果たしている。   That is, this resonance circuit functions to extract a sine wave component having the same frequency from a rectangular wave signal having the same frequency as the resonance frequency of the piezoelectric ceramic element, which is supplied from a rectangular wave power source.

今、説明の順序として、図6の(e)に示すように、電圧Vの正弦波電源でインダクタ以降の回路を駆動した場合に、圧電セラミック素子の両端に加わる電圧Vが如何なる値になるかを見てみる。
インダクタのインダクタンスをL、キャパシタのキャパシタンスをC、圧電セラミック素子の共振周波数をfとする。
圧電セラミック素子に印加されるVは、電源電圧Vをab間のインピーダンスとbc間のインピーダンスで分圧したbc間の電圧ということになる。
ab間のインピーダンスZabとbc間のインピーダンスZbcは数式1で表される。
As an order of explanation, as shown in FIG. 6E, when the circuit after the inductor is driven by a sine wave power source of voltage V, the voltage V q applied to both ends of the piezoelectric ceramic element becomes any value. Let's see.
The inductance of the inductor L, and the capacitance of the capacitor C, and the resonance frequency of the piezoelectric ceramic element and f 0.
V q applied to the piezoelectric ceramic element is a voltage between bc obtained by dividing the power supply voltage V by the impedance between ab and the impedance between bc.
Impedance Zb between ab and impedance Zbc between ab and bc is expressed by Equation 1.

Figure 0005088924
Figure 0005088924

従って、Vは数式2で表される。 Therefore, V q is expressed by Equation 2.

Figure 0005088924
Figure 0005088924

ここで、共振周波数f時のωをωとすれば、数式3が成立する。 Here, if ω at the resonance frequency f 0 is ω 0 , Equation 3 is established.

Figure 0005088924
Figure 0005088924

数式3より、数式2は数式4のようになる。   From Equation 3, Equation 2 becomes Equation 4.

Figure 0005088924
Figure 0005088924

数式4より数式5が成立し Formula 5 is established from Formula 4 ,

Figure 0005088924
Figure 0005088924

数式5の値をKとして、数式4と数式5を見較べる、圧電セラミック素子に掛かる電圧Vの振幅は電源電圧Vの振幅の倍になることを示している。
即ち、数式6が成立する。
The value of Equation 5 as K, Compared viewed Equation 4 and Equation 5, the amplitude of the voltage V q applied to the piezoelectric element indicates that becomes K times the magnitude of the supply voltage V.
That is, Formula 6 is established.

Figure 0005088924
Figure 0005088924

従って、圧電セラミック素子に電源電圧の倍の振幅を掛けたいときには、数式5の値がKとなるインダクタンスLおよびキャパシタンスCを求めればよいと言うことである。
使用する圧電セラミック素子が定まれば、数式5中のC、R、ωは既知数として定まるので、LおよびCは容易に求めることができる。
以上は、正弦波電源で駆動する場合について述べたが、これを前提として、矩形波で駆動した場合について述べる。
Therefore, when you want multiplied by K times the magnitude of the supply voltage to the piezoelectric ceramic element is to say may be obtained inductance L and capacitance C values of Equation 5 ing and K.
If the piezoelectric ceramic element to be used is determined, C 1 , R 1 , and ω 0 in Formula 5 are determined as known numbers, so that L and C can be easily obtained.
In the above, the case of driving with a sine wave power source has been described, but on the assumption of this, the case of driving with a rectangular wave will be described.

繰り返し連続する矩形波の正弦波周波数成分を見ると、矩形波の基本周波数と同じ周波数の正弦波と、奇数倍の周波数の正弦波とを含んでおり、周波数が高くなるほどその振幅は小さくなっている。
電源が図6の(d)のように圧電セラミック素子の共振周波数と同じ周波数の矩形波である場合、電極間容量Cおよびキャパシタとインダクタとからなりその共振周波数が電源の矩形波と同じく圧電セラミック素子の共振周波数と同じである共振回路は、電源矩形波の中からその基本周波数の正弦波を抽出するフィルタとして機能する。
Looking at the frequency component of the rectangular wave that continues repeatedly, it contains a sine wave with the same frequency as the fundamental frequency of the rectangular wave and a sine wave with an odd multiple, and the higher the frequency, the smaller the amplitude. Yes.
If the power source is a square wave having the same frequency as the resonance frequency of the piezoelectric ceramic element as in FIG. 6 (d), composed of a inter-electrode capacitance C 1 and the capacitor and inductor also piezoelectric its resonant frequency square wave power and A resonance circuit having the same resonance frequency as the ceramic element functions as a filter for extracting a sine wave having the fundamental frequency from the power source rectangular wave.

そして、矩形波の繰り返し周波数をf、矩形波の時間幅(パルス幅)をAとしたとき、電源における矩形波の振幅Vと、含まれている基本周波数正弦波の振幅VP−Pとの間には、フーリエ解析により、数式7の関係があることが知られている。 Then, the repetition frequency of the square wave f, when the square wave time width (pulse width) was set to A, and the amplitude V S of the rectangular wave in the power supply, the fundamental frequency sine wave that contains an amplitude V P-P It is known that there is a relationship of Formula 7 by Fourier analysis.

Figure 0005088924
Figure 0005088924

式中のAfは矩形波の繰り返し周期に対するAの比(デュティ比)である。デュティ比が50%のときはsin(πAf)は1となるので数式8のようになる。   Af in the equation is a ratio (duty ratio) of A to the repetition period of the rectangular wave. When the duty ratio is 50%, sin (πAf) is 1, and thus Equation 8 is obtained.

Figure 0005088924
Figure 0005088924

従って、図6の(d)において、電源矩形波の振幅がVである場合、圧電セラミック素子の両端に掛かる電圧Vは数式6と数式8とから数式9のようになる。 Accordingly, in FIG. 6D, when the amplitude of the power source rectangular wave is V S , the voltage V q applied to both ends of the piezoelectric ceramic element is expressed by Equation 6 and Equation 8 from Equation 9.

Figure 0005088924
Figure 0005088924

即ち、デュティ比50%のとき矩形波の振幅の4/π倍の正弦波電圧が圧電セラミック素子の両端に掛かることになる。
かくして、使用する圧電セラミック素子が定まれば、必要な印加電圧V、共振周波数f、電極間容量C、等価抵抗Rが既知数として定まり、駆動用に用いるディジタルスイッチングアンプおよびこれに掛ける電源電圧が定まれば、矩形波の振幅Vも定まるから、まずVとVから数式9によってを求め、求められたから数式5によってインダクタのインダクタンスLおよびキャパシタのキャパシタンスCが求められ、必要な高電圧Vを圧電セラミック素子に印加することができる。
That is, when the duty ratio is 50%, a sine wave voltage 4 K / π times the amplitude of the rectangular wave is applied to both ends of the piezoelectric ceramic element.
Thus, once the piezoelectric ceramic element to be used is determined, the necessary applied voltage V q , resonance frequency f 0 , interelectrode capacitance C 1 , and equivalent resistance R 1 are determined as known numbers. if the power supply voltage applied is determined, because also determined amplitude V S of the rectangular wave, seeking K from first V S and V q by equation 9, the inductance L and capacitance C of the capacitor of the inductor by equation 5 from the obtained K is The required high voltage Vq can be applied to the piezoelectric ceramic element.

本発明はこのように、電力効率のよいディジタルスイッチングアンプを用い、矩形波を正弦波に変換するには損失の大きい昇圧トランスを用いず、圧電セラミック素子の共振周波数で共振する共振回路フィルタを用いることにより、損失を少なくして、ディジタルスイッチングアンプから出力される矩形波の電圧よりも4/π倍だけ高い正弦波高電圧を圧電セラミック素子に印加することができるという顕著な効果がある。 Thus, the present invention uses a power efficient digital switching amplifier, does not use a lossy step-up transformer to convert a rectangular wave into a sine wave, and uses a resonant circuit filter that resonates at the resonance frequency of the piezoelectric ceramic element. it allows to reduce the loss, there is a remarkable effect of the 4 K / [pi times as high sinusoidal voltage higher than the voltage of the rectangular wave output from the digital switching amplifier can be applied to the piezoelectric ceramic element.

本発明で用いるディジタルスイッチングアンプは、出力インピーダンスの低いものを用いるのが最良である。
また、その出力は正弦波的でなく、矩形波であることが最良である。
圧電セラミック素子への電圧印加は、片側の端子はグランドに接続できるようにするのが最良である。
The digital switching amplifier used in the present invention is best used with a low output impedance.
Also, the output is best not a sinusoidal wave but a rectangular wave.
It is best to apply a voltage to the piezoelectric ceramic element so that one terminal can be connected to ground.

以下、本発明の圧電セラミック素子駆動回路の実施例を図面を参照して説明する。
図1の(a)は、本発明駆動回路の第1の実施例の回路構成である。
2個のNチャンネルのパワーMOS FET MとMでSEPPのディジタルスイッチングパワーアンプを構成している。MOS FET MのドレインDは電源VCCに接続され、ソースSはMOS FET MのドレインDに接続されMOS FET MのソースSはグランドに接続されている。
MOS FET MのソースSとMOS FET MのドレインDの接続点が出力端となっており、直流成分阻止用のキャパシタ6を介してインダクタ3に接続され、インダクタ3の出力はキャパシタ4と圧電セラミック素子5との並列回路へ接続されている。この並列回路の他端は、MOS FET Mのソースとともに接地されている。駆動部1はMOS FET MとMのゲートを、圧電セラミック素子5の共振周波数と同じ周波数の矩形波で、交互にオン・オフスイッチ駆動する。即ち、MがオンのときはMがオフ、MがオフのときはMがオンとなるように駆動する。
Hereinafter, embodiments of the piezoelectric ceramic element driving circuit of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1A shows a circuit configuration of a first embodiment of the drive circuit according to the present invention.
Constitute a digital switching power amplifier SEPP with two N-channel power MOS FET M 1 and M 2. The drain D of the MOS FET M 1 is connected to a power supply V CC, the source S is the source S of the MOS FET M 2 is connected to the drain D of the MOS FET M 2 is connected to ground.
Has become a connection point of the drain D of the source S and the MOS FET M 2 of MOS FET M 1 is an output terminal, connected to the inductor 3 via the capacitor 6 of the DC component blocking, the output of the inductor 3 and the capacitor 4 It is connected to a parallel circuit with the piezoelectric ceramic element 5. The other end of the parallel circuit is grounded with the source of the MOS FET M 2. The drive unit 1 alternately drives the gates of the MOS FETs M 1 and M 2 with a rectangular wave having the same frequency as the resonance frequency of the piezoelectric ceramic element 5. That, M 2 when M 1 is turned on is turned off, M 1 is off driven such M 2 is turned on.

この動作により、出力端aには、Mがオン、Mがオフのときには電源電圧VCCからD−S間電圧だけ下がった電圧が現れ、逆のときには、接地電位からD−S間電圧だけ高い電圧が現れることになる。この電圧はいずれも接地電位に対して片側にあるので直流成分を含んでいることになるが、直流成分は圧電セラミック素子の駆動には不要であるのでキャパシタ6によって遮断している。キャパシタ6のキャパシタンスは、インダクタ3と、キャパシタ4および圧電セラミック素子の電極間容量からなる共振回路の共振周波数に影響を与えないよう充分大きな値になっている。 By this operation, the output end a, M 1 is turned on, M 2 appears a voltage lowered by D-S voltage of the power supply voltage V CC at the time of off, when the opposite, D-S voltage from the ground potential Only a high voltage will appear. Since all of these voltages are on one side with respect to the ground potential, they contain a direct current component. However, since the direct current component is unnecessary for driving the piezoelectric ceramic element, it is blocked by the capacitor 6. The capacitance of the capacitor 6 is sufficiently large so as not to affect the resonance frequency of the resonance circuit composed of the inductor 3 and the capacitance between the electrodes of the capacitor 4 and the piezoelectric ceramic element.

図1の(b)は、(a)の圧電セラミック素子5を共振周波数で動作時の等価回路に置き換えた図である。
かくして、駆動部1とディジタルスイッチングパワーアンプ2が、図6の(d)の矩形波電源に相当し、キャパシタ6は、インダクタ3と、キャパシタ4および電極間容量Cからなる共振回路の動作に影響を及ぼさないから除いて考えると、図1の(b)は図6の(d)の回路と同じということになり、[発明の効果]において図6について述べたところの動作をすることになる。
FIG. 1B is a diagram in which the piezoelectric ceramic element 5 of FIG. 1A is replaced with an equivalent circuit during operation at the resonance frequency.
Thus, the drive unit 1 and the digital switching power amplifier 2 is equivalent to the rectangular wave power supply (d) of FIG. 6, the capacitor 6, the inductor 3, the operation of the resonant circuit composed of the capacitor 4 and the inter-electrode capacitance C 1 Except for the fact that it has no effect, FIG. 1 (b) is the same as the circuit of FIG. 6 (d), and the operation described in FIG. Become.

図2は、本発明駆動回路の第2の実施例の回路である。圧電セラミック素子は図1の(b)と同様に共振周波数で動作時の等価回路で示してある。
図1と異なる点は、ディジタルスイッチングパワーアンプ7のMOS FET MのソースSがマイナス電源−VCCに接続されている点である。駆動部1による駆動は図1の場合と同じである。MがオンのときはMがオフ、MがオフのときはMがオンとなる。これにより出力点aは電源VCCに接続されたり−VCCに接続されたりして、ほぼVCCの2倍に近い振幅の矩形波が得られる。
FIG. 2 shows a circuit of a second embodiment of the drive circuit according to the present invention. The piezoelectric ceramic element is shown as an equivalent circuit when operating at a resonance frequency, as in FIG.
1 in that, in that the source S of the MOS FET M 2 digital switching power amplifier 7 is connected to the negative power source -V CC. The driving by the driving unit 1 is the same as in the case of FIG. M 1 is M 2 When on off, M 1 is M 2 is turned on when off. Thus, the output point a is or are connected to the connected or -V CC to supply V CC, a rectangular wave amplitude is obtained close to twice the substantially V CC.

この矩形波は接地電位を挟んでプラスマイナスほぼ対象の波形となっており、直流成分を含んでいないので、図1におけるような直流遮断のためのキャパシタ6は不要なので用いていない。
その他の点は図1の場合と同様である。
Since this rectangular wave has almost plus / minus waveform with the ground potential interposed therebetween and does not include a DC component, the DC blocking capacitor 6 as shown in FIG. 1 is unnecessary and is not used.
The other points are the same as in FIG.

図3は第3の実施例でパワーMOS FETのプラス電源側にPチャンネル型、マイナス電源側にNチャンネル型の相補型(コンプリメンタリ)で両方ともドレインで出力している。この方式はCMOS ICの出力形式と全く同じである。図3のディジタルスイッチングパワーアンプはコンプリメンタリSEPP回路なので、駆動部8の駆動は、図1、図2の場合と異なり、MOS FET MとMは同極矩形波で駆動されている。
電源は+VCCと−VCCの両方を用いているので、図2の場合と同様に出力点aからの出力には直流成分は含まれないので直流成分遮断用のキャパシタは用いられていない。
FIG. 3 shows a third embodiment in which the power MOS FET is a P channel type on the positive power supply side and an N channel type complementary type (complementary) on the negative power supply side. This method is exactly the same as the output format of CMOS IC. Since the digital switching power amplifier of FIG. 3 is a complementary SEPP circuit, the driving of the drive unit 8 is different from the case of FIGS. 1 and 2, and the MOS FETs M 3 and M 2 are driven by the same-polar rectangular wave.
Since both + V CC and -V CC are used as the power source, the DC component is not included in the output from the output point a as in the case of FIG. 2, and therefore no DC component blocking capacitor is used.

次に、駆動部によるパワーコントロールについて述べる。
発明の効果で述べたように、矩形波の時間幅(パルス幅)がA、振幅がV、繰り返し周波数fの矩形波に含まれる周波数fの正弦波の振幅VP−Pの間には数式7の関係がある。従って、デュティ比Afを変化させることにより正弦波の振幅が変化する。デュティ比Afが0.5のときはsinの項が1で最大となり、それ以外ではsin曲線に従って小さくなる。
従って、パルス幅Aを変えることにより圧電セラミック素子5に印加する正弦波電圧を変化させることができるので圧電セラミック素子5へ出力する電力を変化させることができる。即ち、電力制御が可能となる。
Next, power control by the drive unit will be described.
As described in the effect of the invention, the time width (pulse width) of the rectangular wave is A, the amplitude is V S , and the amplitude V P-P of the sine wave of the frequency f included in the rectangular wave of the repetition frequency f is between. There is a relationship of Formula 7. Therefore, the amplitude of the sine wave changes by changing the duty ratio Af. When the duty ratio Af is 0.5, the term of sin becomes 1 and becomes maximum, and otherwise, it becomes smaller according to the sin curve.
Therefore, by changing the pulse width A, the sine wave voltage applied to the piezoelectric ceramic element 5 can be changed, so that the power output to the piezoelectric ceramic element 5 can be changed. That is, power control is possible.

図4は、あるにおける、デュティ比が0.5のときと1/6のときの正弦波の振幅の違いを、矩形波の時間軸と正弦波の時間軸を一致させて表示した図である。
(a)は矩形波でデュティ比は上が0.5、下が1/6である。
(b)は対応する正弦波であり振幅の大きい方がデュティ比0.5の場合であり、振幅の小さい方がデュティ比1/6の場合である。デュティ比が0.5から1/6になることにより正弦波の振幅が2分の1になっている。
パルス幅の制御は周知の技術によって容易に行うことができるから、図1〜3の駆動部へパルス幅制御信号を送ることにより電力制御は容易に行うことができる。
FIG. 4 is a diagram showing the difference in the amplitude of the sine wave when the duty ratio is 0.5 and 1/6 at a certain K with the time axis of the rectangular wave and the time axis of the sine wave coincident. is there.
(A) is a rectangular wave with a duty ratio of 0.5 at the top and 1/6 at the bottom.
(B) is a corresponding sine wave where the larger amplitude has a duty ratio of 0.5 and the smaller amplitude has a duty ratio of 1/6. By changing the duty ratio from 0.5 to 1/6, the amplitude of the sine wave is halved.
Since the pulse width can be easily controlled by a known technique, the power control can be easily performed by sending a pulse width control signal to the driving unit shown in FIGS.

また、矩形波の繰り返し波形において、1周期中のどの時点で矩形波を立ち上げるかは周知の技術により容易に制御できるので、駆動部への制御信号により、正弦波の位相も制御することができる。   In addition, in the repetitive waveform of the rectangular wave, it is possible to easily control at which point in one cycle the rectangular wave is raised by a well-known technique. it can.

図5は、図4のデュティ比1/6の矩形波をデュティ比0.5の波形の中央位置まで移動させることにより、対応する振幅2分の1の正弦波の位相もデュティ比0.5の正弦波と揃うように移動したことを示す図である。
このように、駆動部へ制御信号を送ることにより圧電セラミック素子にかかる正弦波の振幅および位相制御することができる。
圧電セラミック素子を数十個ないし数百個配列して送受波を行うスキャニングソナーにおいては、ビーム方向を変える必要があるうえサイドローブの抑圧も行わなければならない。
FIG. 5 shows that the phase of a sine wave having a half amplitude corresponding to a square wave having a duty ratio of 1/6 in FIG. It is a figure which shows having moved so that it may align with the sine wave.
Thus, the amplitude and phase of the sine wave applied to the piezoelectric ceramic element can be controlled by sending a control signal to the drive unit.
In a scanning sonar that transmits and receives waves by arranging tens or hundreds of piezoelectric ceramic elements, it is necessary to change the beam direction and to suppress side lobes.

サイドローブを抑圧するには、配列された圧電セラミック素子に対する励振振幅はその配列位置に応じて、ハミング、ハニング、チェビッシェフ等の窓関数による重み付けをしなければならない。
また、ビーム方向を変えるには、圧電セラミック素子の配列位置に応じて、励振位相を変えて行かなければならない。
In order to suppress the side lobes, the excitation amplitude for the arranged piezoelectric ceramic elements must be weighted by a window function such as Hamming, Hanning, Chebyshev or the like according to the arrangement position.
In order to change the beam direction, it is necessary to change the excitation phase according to the arrangement position of the piezoelectric ceramic elements.

本発明の圧電セラミック素子駆動回路では、先に述べたように、駆動部へ、駆動部で発生するスイッチング用の矩形波のパルス幅を制御する信号や、矩形波の立ち上り位置を制御する信号を送ることにより、圧電セラミック素子に印加される正弦波の振幅や位相を制御することができるので、本発明の駆動回路を用いたスキャングソナーやその他のフェーズドアレーにおいてビーム方向の制御やサイドローブの抑圧を充分に行うことができる。 In the piezoelectric ceramic element driving circuit of the present invention, as described above, a signal for controlling the pulse width of the switching rectangular wave generated in the driving unit and a signal for controlling the rising position of the rectangular wave are sent to the driving unit. by sending, it is possible to control the sine wave of amplitude and phase applied to the piezoelectric ceramic element, the scanning two Ngusona and other phases beam direction control and sidelobes in phased array using the driving circuit of the present invention Sufficient suppression can be performed.

本発明駆動回路の第1の実施例の回路構成を示す図である。It is a figure which shows the circuit structure of the 1st Example of this invention drive circuit. 本発明駆動回路の第2の実施例の回路構成を示す図である。It is a figure which shows the circuit structure of the 2nd Example of this invention drive circuit. 本発明駆動回路の第3の実施例の回路構成を示す図である。It is a figure which shows the circuit structure of the 3rd Example of this invention drive circuit. 本発明駆動回路において、駆動部の矩形波のパルス幅Aを変えることにより圧電セラミック素子に印加される正弦波の振幅が変わることを説明する図である。In the drive circuit of the present invention, it is a diagram for explaining that the amplitude of a sine wave applied to the piezoelectric ceramic element is changed by changing the pulse width A of the rectangular wave of the drive unit. 本発明駆動回路において、駆動部の矩形波の時間位置を変えることにより圧電セラミック素子へ印加される正弦波の位相が変わることを説明する図である。It is a figure explaining change of the phase of the sine wave applied to a piezoelectric ceramic element by changing the time position of the rectangular wave of a drive part in the present invention drive circuit. 本発明駆動回路の原理説明図で、圧電セラミック素子の共振周波数で共振する共振回路を共振周波数の矩形波で駆動すると矩形波振幅に含まれる基本周波正弦波成分電圧のK倍の高電圧の正弦波が圧電セラミック素子に印加されることの説明図である。FIG. 6 is a diagram illustrating the principle of the drive circuit according to the present invention. When a resonance circuit that resonates at a resonance frequency of a piezoelectric ceramic element is driven by a rectangular wave having a resonance frequency, a high voltage sine is K times the fundamental frequency sine wave component voltage included in the rectangular wave amplitude. It is explanatory drawing that a wave is applied to a piezoelectric ceramic element. 従来のアナログパワーアンプと昇圧トランスを用いた圧電セラミック素子駆動回路図である。It is a piezoelectric ceramic element drive circuit diagram using a conventional analog power amplifier and a step-up transformer. 従来のディジタルパワーアンプと昇圧トランスを用いた圧電セラミック素子駆動回路図である。It is a piezoelectric ceramic element drive circuit diagram using a conventional digital power amplifier and a step-up transformer.

符号の説明Explanation of symbols

1 駆動部
2 ディジタルスイッチングパワーアンプ
3 インダクタ
4 キャパシタ
5 圧電セラミック素子
6 キャパシタ
7 ディジタルスイッチングパワーアンプ
8 駆動部
9 ディジタルスイッチングパワーアンプ
10 出力トランス
11 アナログアンプ
12 コンデンサ
13 コンデンサ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Drive part 2 Digital switching power amplifier 3 Inductor 4 Capacitor 5 Piezoceramic element 6 Capacitor 7 Digital switching power amplifier 8 Drive part 9 Digital switching power amplifier 10 Output transformer 11 Analog amplifier 12 Capacitor 13 Capacitor

Claims (5)

下記の各手段で構成される圧電セラミック素子駆動回路。
(イ) SEPP回路構成されたディジタルスイッチングアンプ
(ロ) 前記ディジタルスイッチングアンプを、駆動対象圧電セラミック素子の共振周波数の矩形波で駆動する駆動部
(ハ) 駆動対象圧電セラミック素子と並列に接続されるキャパシタと、この並列回路と前記ディジタルスイッチングアンプの出力点とを接続するインダクタとからなり、前記並列キャパシタのキャパシタンスCの値と前記インダクタのインダクタンスLの値は、前記並列キャパシタおよび圧電セラミック素子の電極間容量 と前記インダクタとからなる共振回路の共振周波数が圧電セラミック素子の共振周波数 と同じであるとともに、その共振周波数f において、前記駆動対象圧電セラミック素子の両端間にかかる正弦波電圧が前記ディジタルスイッチングアンプの出力点の矩形波電圧に含まれる基本周波正弦波成分電圧のK(>1)倍となるように、下記数式
(R /ω L)=ω (C+C )R =K
但し、ω =2πf K>1
:圧電セラミック素子の等価回路の直列抵抗値
:圧電セラミック素子の電極間容量
を満足する値であることを特徴とする出力回路
A piezoelectric ceramic element driving circuit comprising the following means.
(B) A digital switching amplifier having a SEPP circuit (b) A drive unit for driving the digital switching amplifier with a rectangular wave having a resonance frequency of the drive target piezoelectric ceramic element (c) Connected in parallel with the drive target piezoelectric ceramic element A capacitor and an inductor connecting the parallel circuit and the output point of the digital switching amplifier. The value of the capacitance C of the parallel capacitor and the value of the inductance L of the inductor are the electrodes of the parallel capacitor and the piezoelectric ceramic element. the resonant frequency of the resonant circuit between capacitor C 1 and consists of said inductor with the same as the resonance frequency f 0 of the piezoelectric ceramic element at its resonance frequency f 0, the sine wave applied between both ends of the driven piezoelectric ceramic element The voltage is K of the fundamental frequency sine wave component voltage included in the rectangular wave voltage at the output point of Nguanpu (> 1) so that the magnification, the following equation
(R 1 / ω 0 L) = ω 0 (C + C 1 ) R 1 = K
However, ω 0 = 2πf 0 K> 1
R 1 : Series resistance value of equivalent circuit of piezoelectric ceramic element
C 1 : Electrode capacitance of piezoelectric ceramic element
Output circuit characterized by satisfying
出力回路のインダクタと直列に直流阻止用のキャパシタが接続されていることを特徴とする請求項1記載の圧電セラミック素子駆動回路。   2. The piezoelectric ceramic element driving circuit according to claim 1, wherein a direct current blocking capacitor is connected in series with the inductor of the output circuit. 駆動部の矩形波のデュティ比が外部からの信号により可変であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の圧電セラミック素子駆動回路。   3. The piezoelectric ceramic element driving circuit according to claim 1, wherein the duty ratio of the rectangular wave of the driving unit is variable by an external signal. 駆動部の矩形波の時間位置が外部からの信号により可変であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の圧電セラミック素子駆動回路。   3. The piezoelectric ceramic element driving circuit according to claim 1, wherein the time position of the rectangular wave of the driving unit is variable by an external signal. 駆動部の矩形波のデュティ比および矩形波の時間位置がそれぞれ外部からの信号により可変であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の圧電セラミック素子駆動回路。   3. The piezoelectric ceramic element driving circuit according to claim 1, wherein the duty ratio of the rectangular wave and the time position of the rectangular wave of the driving unit are variable by an external signal.
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