JP5083135B2 - Current sensor and method of manufacturing current sensor - Google Patents

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本発明は、コアのギャップ内に磁電変換素子を配置してなる電流センサ及び電流センサの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a current sensor in which a magnetoelectric conversion element is disposed in a gap of a core, and a method for manufacturing the current sensor.

従来、例えば特許文献1,2に示されるように、樹脂ケース内に、表面側に磁電変換素子が実装された基板とギャップを有するコアが収容された構造の電流センサが知られている。   Conventionally, for example, as shown in Patent Documents 1 and 2, a current sensor having a structure in which a substrate having a magnetoelectric conversion element mounted on a surface side and a core having a gap is accommodated in a resin case is known.

特許文献1に示される電流センサでは、合成樹脂製の電流センサ本体(樹脂ケース)の収容部内に、収容部の底面側から、基板、コアの順で収容配置されている。   In the current sensor disclosed in Patent Document 1, the substrate and the core are housed in this order from the bottom surface side of the housing portion in the housing portion of the current sensor body (resin case) made of synthetic resin.

また、特許文献2に示される電流センサでは、ケース(樹脂ケース)の部品収容室(収容部)内に、収容部の底部側から、コア、基板の順で配置されている。すなわち、基板が表面を対向面としてコア上に配置されており、基板の裏面側(上方)から見て、ギャップに配置されたホール素子(磁電変換素子)が、基板によって覆われた構成となっている。
特開2002−296305号公報 特開2006−112957号公報
Moreover, in the current sensor shown in Patent Document 2, the core and the substrate are arranged in this order from the bottom side of the housing portion in the component housing chamber (housing portion) of the case (resin case). In other words, the substrate is arranged on the core with the front surface as an opposing surface, and the Hall element (magnetoelectric conversion element) arranged in the gap is covered with the substrate when viewed from the back side (upper side) of the substrate. ing.
JP 2002-296305 A JP 2006-112957 A

ところで、特許文献1,2に示されるように、樹脂ケースに、別部材としてのコアを収容配置する構成では、一般にエポキシ樹脂などのポッティング材を収容部内に充填し、硬化処理することで、コアの位置ずれなどを抑制する。この場合、ポッティング材を例えば熱硬化させるのに数10分以上の時間を要することとなる。例えばコアを固定する工程をバッチ式とすると、熱硬化のための高温槽が多数必要となって、電流センサの製造工程を、1つの連続した生産ラインとすることが困難となる。また、熱硬化時間分のラインが入る連続高温炉を用いる場合には、生産ラインが長くなり、設備が大きくなってしまう。また、樹脂ケースに、別部材としてのコアを収容させるとともに、ポッティング材を充填させる空間を必要とするため、樹脂ケース(電流センサ)の体格を小型化するのが困難である。   By the way, as shown in Patent Documents 1 and 2, in a configuration in which a core as a separate member is accommodated in the resin case, the core is generally filled with a potting material such as an epoxy resin and cured. Suppresses misalignment. In this case, it takes several tens of minutes or more to thermally cure the potting material. For example, if the process of fixing the core is a batch type, a large number of high-temperature tanks for thermosetting are required, and it becomes difficult to make the current sensor manufacturing process one continuous production line. Moreover, when using the continuous high temperature furnace in which the line for thermosetting time enters, a production line becomes long and an installation will become large. Moreover, since the resin case accommodates a core as a separate member and requires a space for filling the potting material, it is difficult to reduce the size of the resin case (current sensor).

これに対し、コアを樹脂ケースと一体成形する(インサート成形する)ことで、上記したコアの固定工程を無くして製造工程を簡素化するとともに、電流センサの体格を小型化することも考えられる。この場合、樹脂ケースに一体化されたコアのギャップに磁電変換素子を配置しなければならないため、特許文献2に示される構造のように、基板が表面(磁電変換素子の実装面)を対向面としてコアのギャップ上に配置されることとなる。すなわち、基板の裏面側(上方)から見て、ギャップに配置された磁電変換素子が基板によって覆われた構成となる。したがって、ギャップと磁電変換素子との位置関係をカメラなどの光学的手法によって確認することができず、ギャップを構成するコアの両端面間の中央位置(ギャップの中央位置)に対して磁電変換素子の位置ずれ不良が生じる恐れがある。このように、ギャップの中央位置に対して磁電変換素子が一方の端面側にずれると、そのずれ量が大きいほど、外乱磁界による特性変動が大きいものとなってしまう。この点は、本発明者によっても確認されている。   On the other hand, by integrally molding the core with the resin case (insert molding), it is possible to simplify the manufacturing process by eliminating the above-described core fixing process and to reduce the size of the current sensor. In this case, since the magnetoelectric conversion element has to be disposed in the gap of the core integrated with the resin case, the surface of the substrate (mounting surface of the magnetoelectric conversion element) faces the opposite surface as in the structure shown in Patent Document 2. It will be arranged on the gap of the core. That is, when viewed from the back side (upper side) of the substrate, the magnetoelectric conversion element arranged in the gap is covered with the substrate. Therefore, the positional relationship between the gap and the magnetoelectric conversion element cannot be confirmed by an optical method such as a camera, and the magnetoelectric conversion element with respect to the center position between the both end faces of the core constituting the gap (the center position of the gap). There is a risk that a misalignment of the above will occur. As described above, when the magnetoelectric conversion element is displaced toward the one end face with respect to the center position of the gap, the characteristic variation due to the disturbance magnetic field becomes larger as the displacement amount is larger. This point has also been confirmed by the present inventors.

本発明は上記問題点に鑑み、コアが樹脂ケースと一体成形された構成において、コアのギャップに対する磁電変換素子の位置精度を向上することができる電流センサ及び電流センサの製造方法を提供することを目的とする。   In view of the above problems, the present invention provides a current sensor and a method for manufacturing the current sensor that can improve the positional accuracy of the magnetoelectric transducer with respect to the gap of the core in a configuration in which the core is integrally formed with the resin case. Objective.

上記目的を達成する為に、請求項1に記載の電流センサは、互いに略平行とされた両端面間に所定幅のギャップを有するリング形状のコアが樹脂ケースと一体成形され、樹脂ケースの収容部内にギャップの少なくとも一部が露出されるとともに、表面側に磁電変換素子が実装された基板が収容部内に収容されてギャップ上に配置され、ギャップ内に磁電変換素子が配置された電流センサであって、樹脂ケースは、コアの両端面のうち、一方の端面のみとそれぞれ接する対をなしたガイド部を有し、ガイド部は、コアの厚さ方向において、基板から離れるほど相対する他方の端面との対向距離が短いテーパ面を有し、ガイド部において、テーパ面における基板と最も離れた下端部位は、端面と略平行とされるとともに、少なくとも厚さ方向における基板側の端部から下端部位までの間で対向距離の最も短い部位とされ、下端部位における端面からの厚さは、対をなすガイド部で互いに略等しくされており、磁電変換素子は、ギャップの幅方向において、対をなしたガイド部における両テーパ面と相対していることを特徴とする。   In order to achieve the above object, according to a first aspect of the present invention, in the current sensor, a ring-shaped core having a gap of a predetermined width between both end faces that are substantially parallel to each other is integrally formed with the resin case. A current sensor in which at least a part of the gap is exposed in the part, a substrate on which the magnetoelectric conversion element is mounted on the surface side is accommodated in the accommodation part and disposed on the gap, and the magnetoelectric conversion element is disposed in the gap. The resin case has a pair of guide portions that are in contact with only one of the both end surfaces of the core, and the guide portion is opposite to the other in the thickness direction of the core. The guide portion has a tapered surface with a short facing distance. In the guide portion, the lower end portion of the tapered surface that is farthest from the substrate is substantially parallel to the end surface and at least in the thickness direction. Between the end portion on the substrate side to the lower end portion, and the thickness from the end face at the lower end portion is substantially equal to each other at the pair of guide portions. In the width direction of the gap, it is opposed to both tapered surfaces of the pair of guide portions.

本発明では、樹脂ケースの一部として、テーパ面を有するガイド部を、ギャップを構成するコアの両端面にそれぞれ接して設けている。したがって、コアが一体成形された樹脂ケースの収容部内に、磁電変換素子の実装された基板を配置する際、ギャップの幅方向において、磁電変換素子の位置がギャップを構成するコアの両端面間の略中央(以下、単にギャップの略中央と示す)に対して一方の端面側にずれていたとしても、磁電変換素子が少なくとも一方のテーパ面に接しつつギャップの奥側へ挿入されるため、磁電変換素子の位置を、ギャップの略中央とすることができる。このように、テーパ面を有するガイド部によって磁電変換素子をギャップの略中央へ導くことができるので、コアが樹脂ケースと一体成形された構成において、コアのギャップに対する磁電変換素子の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサとすることができる。また、ガイド部が樹脂ケースの一部であるので、製造工程を簡素化するとともに、ガイド部の位置精度を向上することができる。   In the present invention, as a part of the resin case, guide portions having tapered surfaces are provided in contact with both end surfaces of the core constituting the gap. Therefore, when the substrate on which the magnetoelectric conversion element is mounted is disposed in the housing portion of the resin case in which the core is integrally formed, the position of the magnetoelectric conversion element is between the both end faces of the core constituting the gap in the gap width direction. The magnetoelectric transducer is inserted into the back side of the gap in contact with at least one taper surface even if it is shifted to one end face side with respect to the approximate center (hereinafter simply referred to as the approximate center of the gap). The position of the conversion element can be approximately the center of the gap. As described above, since the magnetoelectric conversion element can be guided to the substantially center of the gap by the guide portion having the tapered surface, the position accuracy of the magnetoelectric conversion element with respect to the gap of the core is improved in the configuration in which the core is integrally formed with the resin case. As a result, it is possible to obtain a current sensor in which the characteristic variation due to the disturbance magnetic field is reduced. Further, since the guide part is a part of the resin case, the manufacturing process can be simplified and the position accuracy of the guide part can be improved.

請求項2に記載のように、対をなしたガイド部が、テーパ面の下端部位と連結し、端面と略平行な平行面をそれぞれ有し、各端面と接するガイド部における下端部位間の対向距離が磁電変換素子の幅よりも広くされ、磁電変換素子が、ギャップの幅方向において、対をなしたガイド部における両テーパ面及び両平行面と相対する構成としても良い。この場合、基板を樹脂ケースに組み付けた状態で、磁電変換素子は両ガイド部によって拘束されていないため、樹脂ケースと磁電変換素子とを構成する材料の線膨張係数差に基づく応力や、樹脂ケースに印加された外力の、磁電変換素子への作用を抑制することができる。   As described in claim 2, the paired guide portions are connected to the lower end portion of the taper surface, have parallel surfaces substantially parallel to the end surfaces, and face each other between the lower end portions in the guide portions in contact with the end surfaces. The distance may be wider than the width of the magnetoelectric conversion element, and the magnetoelectric conversion element may be configured to face both tapered surfaces and both parallel surfaces in the pair of guide portions in the width direction of the gap. In this case, since the magnetoelectric conversion element is not constrained by both guide portions in a state where the substrate is assembled to the resin case, the stress based on the difference in linear expansion coefficient between the materials constituting the resin case and the magnetoelectric conversion element, or the resin case The action of the external force applied to the magnetoelectric conversion element can be suppressed.

請求項3に記載のように、ギャップの幅方向において、対をなしたガイド部におけるテーパ面は、コアの両端面間の中心線(ギャップの中央)に対して線対称の形状とされ、各端面と接するガイド部における下端部位間の対向距離が磁電変換素子の幅よりも狭くされ、磁電変換素子は、対をなしたガイド部における両テーパ面と接触された構成としても良い。この場合、対称形状とされた両テーパ面に磁電変換素子が接することで磁電変換素子の位置が決定されるので、コアのギャップに対する磁電変換素子の位置精度をさらに向上することができる。   As described in claim 3, in the width direction of the gap, the tapered surfaces of the pair of guide portions are symmetrical with respect to the center line between the both end faces of the core (the center of the gap). The opposing distance between the lower end portions of the guide portion in contact with the end surface may be narrower than the width of the magnetoelectric conversion element, and the magnetoelectric conversion element may be configured to be in contact with both tapered surfaces in the paired guide portions. In this case, since the position of the magnetoelectric conversion element is determined by the magnetoelectric conversion element being in contact with both symmetrical tapered surfaces, the position accuracy of the magnetoelectric conversion element with respect to the gap of the core can be further improved.

請求項4に記載のように、各端面と接するガイド部における下端部位間の対向距離が、磁電変換素子が配置されない状態で、磁電変換素子の幅よりも狭くされ、磁電変換素子は、弾性変形された各ガイド部と接触され、ギャップ内に圧入配置された構成としても良い。   According to a fourth aspect of the present invention, the facing distance between the lower end portions of the guide portions in contact with the end faces is made narrower than the width of the magnetoelectric conversion element in a state where the magnetoelectric conversion element is not disposed, and the magnetoelectric conversion element is elastically deformed. It is good also as a structure contacted with each made guide part and press-fitting and arrange | positioning in a gap.

この場合、上記したように、ギャップの幅方向において、磁電変換素子の位置がギャップの略中央に対して一方の端面側にずれていたとしても、磁電変換素子が少なくとも一方のテーパ面に接しつつギャップの奥側へ挿入されるため、磁電変換素子の位置を、ギャップの略中央とすることができる。また、磁電変換素子が、対をなすガイド部を潰しながら(弾性変形させながら)ギャップの奥側へ挿入(圧入)される。このように、ギャップを構成する両端面上に設けた弾性変形可能なガイド部によって磁電変換素子をギャップの略中央へ導くことができるので、コアが樹脂ケースと一体成形された構成において、コアのギャップに対する磁電変換素子の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサとすることができる。また、ガイド部が弾性変形するので、基板を樹脂ケースの収容部内に配置する際に、ガイド部に接触することで受ける磁電変換素子の応力を低減することができる。さらには、ガイド部が樹脂ケースの一部であるので、製造工程を簡素化するとともに、ガイド部の位置精度を向上することができる。   In this case, as described above, even if the position of the magnetoelectric conversion element is shifted toward one end face with respect to the approximate center of the gap in the width direction of the gap, the magnetoelectric conversion element is in contact with at least one tapered surface. Since it is inserted into the back side of the gap, the position of the magnetoelectric conversion element can be approximately the center of the gap. Further, the magnetoelectric conversion element is inserted (press-fitted) into the back side of the gap while crushing (elastically deforming) the pair of guide portions. Thus, since the magnetoelectric transducer can be guided to the approximate center of the gap by the elastically deformable guide portions provided on both end faces constituting the gap, the core is integrally molded with the resin case. The position accuracy of the magnetoelectric conversion element with respect to the gap can be improved, and as a result, a current sensor in which characteristic fluctuation due to a disturbance magnetic field is reduced can be obtained. Further, since the guide portion is elastically deformed, the stress of the magnetoelectric conversion element received by contacting the guide portion when the substrate is disposed in the housing portion of the resin case can be reduced. Furthermore, since the guide part is a part of the resin case, the manufacturing process can be simplified and the position accuracy of the guide part can be improved.

また、請求項5に記載の発明は、互いに略平行とされた両端面間に所定幅のギャップを有するリング形状のコアが樹脂ケースと一体成形され、樹脂ケースの収容部内にギャップの少なくとも一部が露出されるとともに、表面側に磁電変換素子が実装された基板が収容部内に収容されてギャップ上に配置され、ギャップ内に磁電変換素子が配置された電流センサであって、樹脂ケースの一部として、コアの両端面のうち、一方の端面のみと接する所定厚さのガイド部が設けられ、磁電変換素子は、ギャップの幅方向において、ガイド部における端面との接触面の裏面と接触されていることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, a ring-shaped core having a gap of a predetermined width between both end faces that are substantially parallel to each other is integrally formed with the resin case, and at least a part of the gap is accommodated in the housing portion of the resin case. Is a current sensor in which a substrate on which a magnetoelectric conversion element is mounted on the surface side is housed in a housing portion and disposed on a gap, and the magnetoelectric conversion element is disposed in the gap. As a portion, a guide portion having a predetermined thickness that is in contact with only one end surface of both end surfaces of the core is provided, and the magnetoelectric transducer is in contact with the back surface of the contact surface with the end surface of the guide portion in the width direction of the gap. It is characterized by.

本発明では、樹脂ケースの一部として、所定厚さのガイド部を、ギャップを構成するコアの両端面のうち、一方の端面のみに接して設けている。そして、磁電変換素子を、ガイド部における端面との接触面の裏面に接触させている。すなわち、ギャップの幅方向において、所定厚さのガイド部を介して、磁電変換素子がガイド部を設けた端面に接触されている。したがって、ガイド部の厚さを所定厚さとすることで、ガイド部を設けた端面を基準として、磁電変換素子の位置をギャップの略中央とすることができる。これにより、コアが樹脂ケースと一体成形された構成において、コアのギャップに対する磁電変換素子の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサとすることができる。また、ガイド部が樹脂ケースの一部であるので、製造工程を簡素化するとともに、ガイド部の位置精度を向上することができる。   In the present invention, as a part of the resin case, a guide portion having a predetermined thickness is provided in contact with only one end surface of both end surfaces of the core constituting the gap. And the magnetoelectric conversion element is made to contact the back surface of the contact surface with the end surface in a guide part. That is, in the width direction of the gap, the magnetoelectric conversion element is in contact with the end face provided with the guide portion via the guide portion having a predetermined thickness. Therefore, by setting the thickness of the guide portion to a predetermined thickness, the position of the magnetoelectric conversion element can be set to the approximate center of the gap with reference to the end face provided with the guide portion. Thereby, in the configuration in which the core is integrally formed with the resin case, the position accuracy of the magnetoelectric conversion element with respect to the gap of the core is improved, and as a result, a current sensor in which the characteristic fluctuation due to the disturbance magnetic field is reduced can be obtained. Further, since the guide part is a part of the resin case, the manufacturing process can be simplified and the position accuracy of the guide part can be improved.

次に、請求項6に記載の発明は、表面側に磁電変換素子が実装された基板を準備する基板準備工程と、互いに略平行とされた両端面間に所定幅のギャップを有するリング形状のコアが一体成形され、収容部内にギャップの少なくとも一部が露出された樹脂ケースを準備するケース準備工程と、コアのギャップに磁電変換素子が位置するように、基板を収容部内におけるコア上に位置決めして配置し、位置決めした状態で基板を樹脂ケースに固定する固定工程と、を備える電流センサの製造方法であって、ケース準備工程では、コアの両端面のうち、一方の端面のみと接する所定厚さのガイド部を有する樹脂ケースを準備し、固定工程では、磁電変換素子をギャップ内に配置し、その後、磁電変換素子がガイド部における端面との接触面の裏面に接触することで移動が止まるまで、磁電変換素子がガイド部に近づくようにギャップの幅方向に基板若しくは樹脂ケースを移動させ、磁電変換素子を位置決めすることを特徴とする。 Next, the invention described in claim 6 is a substrate-preparing step of preparing a substrate on which a magnetoelectric conversion element is mounted on the front surface side, and a ring shape having a gap of a predetermined width between both end faces that are substantially parallel to each other. A case preparation step of preparing a resin case in which the core is integrally formed and at least a part of the gap is exposed in the accommodating portion, and the substrate is positioned on the core in the accommodating portion so that the magnetoelectric transducer is positioned in the gap of the core And a fixing step of fixing the substrate to the resin case in a positioned state. In the case preparation step, in the case preparation step, a predetermined contact with only one end surface of both end surfaces of the core Prepare a resin case having a thickness guide part, and in the fixing step, arrange the magnetoelectric conversion element in the gap, and then the back surface of the contact surface of the magnetoelectric conversion element with the end face in the guide part To move by contacting stops, magneto-electric transducer moves the substrate or the resin case in a width direction of the gap so as to approach the guide portion, and wherein the positioning the magneto-electric conversion element.

本発明では、樹脂ケースの一部として、所定厚さのガイド部を、ギャップを構成するコアの両端面のうち、一方の端面のみに接するように設ける。そして、基板を移動させて磁電変換素子をギャップ内に配置する。次に、磁電変換素子がガイド部における端面との接触面の裏面に接触することで移動が止まるまで、磁電変換素子がガイド部に近づくようにギャップの幅方向に基板若しくは樹脂ケースを移動させる。すなわち、磁電変換素子をガイド部に当て止めする。このように2段階の移動によって、磁電変換素子を、ガイド部における端面との接触面の裏面に接触させる。したがって、ガイド部の厚さを所定厚さとすることで、ガイド部を設けた端面を基準として、磁電変換素子の位置をギャップの略中央とすることができる。これにより、コアが樹脂ケースと一体成形された構成において、コアのギャップに対する磁電変換素子の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサとすることができる。また、樹脂ケースの一部としてガイド部を設けるので、製造工程を簡素化するとともに、ガイド部の位置精度を向上することができる。   In the present invention, as a part of the resin case, a guide portion having a predetermined thickness is provided so as to be in contact with only one end face among the both end faces of the core constituting the gap. Then, the magnetoelectric conversion element is arranged in the gap by moving the substrate. Next, the substrate or the resin case is moved in the width direction of the gap so that the magnetoelectric conversion element approaches the guide portion until the magnetoelectric conversion element comes into contact with the back surface of the contact surface with the end surface of the guide portion and stops moving. That is, the magnetoelectric conversion element is stopped against the guide portion. Thus, the magnetoelectric conversion element is brought into contact with the back surface of the contact surface with the end surface of the guide portion by the two-stage movement. Therefore, by setting the thickness of the guide portion to a predetermined thickness, the position of the magnetoelectric conversion element can be set to the approximate center of the gap with reference to the end face provided with the guide portion. Thereby, in the configuration in which the core is integrally formed with the resin case, the position accuracy of the magnetoelectric conversion element with respect to the gap of the core is improved, and as a result, a current sensor in which the characteristic fluctuation due to the disturbance magnetic field is reduced can be obtained. Further, since the guide portion is provided as a part of the resin case, the manufacturing process can be simplified and the position accuracy of the guide portion can be improved.

また、請求項7に記載の発明は、磁気センサチップとリードとが電気的に接続され、磁気センサチップ及び該磁気センサチップとリードとの接続部が封止樹脂により被覆されたモールドICを磁電変換素子とし、リードがスルーホールに挿入されて該スルーホール周辺に形成されたランドとはんだ接合されてなる、表面側に磁電変換素子が実装された基板を準備する基板準備工程と、互いに略平行とされた両端面間に所定幅のギャップを有するリング形状のコアが一体成形され、収容部内にギャップの少なくとも一部が露出された樹脂ケースを準備するケース準備工程と、コアのギャップに磁電変換素子の磁気センサチップが位置するように、基板を収容部内におけるコア上に位置決めして配置し、位置決めした状態で基板を樹脂ケースに固定する固定工程と、を備える電流センサの製造方法であって、基板準備工程では、表面側において、リードが基板の厚さ方向に対して傾いた状態に折曲された基板を準備し、ケース準備工程では、コアにおける両端面のうちの一方と該端面に連結された基板との対向面とに接しつつ、端面と対向面との角部に、コアの厚さ方向において基板から離れるほど他方の端面との対向距離が短いテーパ面を備えるとともに、端面と接する部位が所定厚さとされたガイド部を有する樹脂ケースを準備し、固定工程では、コアの厚さ方向において、テーパ面に磁電変換素子を接触させつつ基板の表面をコアに近づけ、ガイド部における端面との接触面の裏面に磁電変換素子を接触させて位置決めすることを特徴とする。 According to a seventh aspect of the present invention, a magnetic sensor chip and a lead are electrically connected, and a magnetic sensor chip and a mold IC in which a connection portion between the magnetic sensor chip and the lead is covered with a sealing resin A substrate preparation step for preparing a substrate having a magnetoelectric conversion element mounted on the surface side, in which a lead is inserted into the through hole and soldered to a land formed around the through hole, and is substantially parallel to each other A ring-shaped core having a gap of a predetermined width between both end faces formed, and preparing a resin case in which at least a part of the gap is exposed in the accommodating portion; and a magnetoelectric conversion to the core gap The substrate is positioned on the core in the housing so that the element's magnetic sensor chip is positioned, and the substrate is fixed to the resin case in the positioned state. A fixing step, and in the substrate preparation step, in the substrate preparation step, a substrate in which the leads are bent in a state inclined with respect to the thickness direction of the substrate is prepared, and the case preparation In the process, one of both end faces of the core is in contact with the facing surface of the substrate connected to the end surface, and the other end of the core is separated from the substrate in the thickness direction of the core at the corner between the end surface and the facing surface. A resin case having a tapered surface with a short facing distance to the end surface and having a guide portion with a predetermined thickness at a portion in contact with the end surface is prepared. In the fixing step, a magnetoelectric conversion element is formed on the tapered surface in the thickness direction of the core. The surface of the substrate is brought close to the core while the magnet is in contact, and the magnetoelectric conversion element is brought into contact with the back surface of the contact surface with the end surface of the guide portion, thereby positioning.

本発明では、樹脂ケースの一部として、基板側の角部にテーパ面を有し、端面との接触部位が所定厚さのガイド部を、ギャップを構成するコアの両端面のうち、一方の端面のみに接するように設ける。また、リードを折曲することで、リードにばね性を付与する。そして、コアの厚さ方向において、基板の表面をコアに近づくようにコアの厚さ方向に基板若しくは樹脂ケースを移動させる。この際、磁電変換素子をガイド部のテーパ面に接触させるので、磁電変換素子は、テーパ面に沿いつつギャップの奥側へ挿入される。また、リーが有するばねの反力により、磁電変換素子はガイド部における端面との接触面の裏面に押し付けられ、裏面に接触される。このように1段階の移動によって、磁電変換素子を、ガイド部における端面との接触面の裏面に接触させる。したがって、ガイド部の厚さを所定厚さとすることで、ガイド部を設けた端面を基準として、磁電変換素子の位置をギャップの略中央とすることができる。これにより、コアが樹脂ケースと一体成形された構成において、コアのギャップに対する磁電変換素子の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサとすることができる。また、樹脂ケースの一部としてガイド部を設けるので、製造工程を簡素化するとともに、ガイド部の位置精度を向上することができる。   In the present invention, as a part of the resin case, a taper surface is provided at a corner on the substrate side, a guide portion having a predetermined thickness at a contact portion with the end surface, and one of both end surfaces of the core constituting the gap. Provide to contact only the end face. Further, by bending the lead, spring property is imparted to the lead. Then, in the core thickness direction, the substrate or the resin case is moved in the core thickness direction so that the surface of the substrate approaches the core. At this time, since the magnetoelectric conversion element is brought into contact with the tapered surface of the guide portion, the magnetoelectric conversion element is inserted into the back side of the gap along the tapered surface. Further, due to the reaction force of the spring of Lee, the magnetoelectric conversion element is pressed against the back surface of the contact surface with the end surface of the guide portion, and is brought into contact with the back surface. Thus, the magnetoelectric conversion element is brought into contact with the back surface of the contact surface with the end surface of the guide portion by one-step movement. Therefore, by setting the thickness of the guide portion to a predetermined thickness, the position of the magnetoelectric conversion element can be set to the approximate center of the gap with reference to the end face provided with the guide portion. Thereby, in the configuration in which the core is integrally formed with the resin case, the position accuracy of the magnetoelectric conversion element with respect to the gap of the core is improved, and as a result, a current sensor in which the characteristic fluctuation due to the disturbance magnetic field is reduced can be obtained. Further, since the guide portion is provided as a part of the resin case, the manufacturing process can be simplified and the position accuracy of the guide portion can be improved.

以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。なお、本実施形態に示す電流センサは、自動車に搭載されるバッテリの電流を測定するための電流センサとして好適である。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。図2は、図1に示す電流センサの平面図であり、便宜上、蓋を省略して図示している。図3は、図1に示す電流センサの平面図であり、便宜上、基板及び蓋を省略して図示している。なお、以下においては、電流センサにおける基板の厚さ方向及びコアの厚さ方向(積層方向)を垂直方向、基板の表面(裏面)に沿う方向を水平方向、該水平方向のうち、ギャップの幅方向(コアの端面間の距離方向)を幅方向とする。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The current sensor shown in the present embodiment is suitable as a current sensor for measuring the current of a battery mounted on an automobile.
(First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a current sensor according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the current sensor shown in FIG. 1, and the lid is omitted for convenience. FIG. 3 is a plan view of the current sensor shown in FIG. 1, and the substrate and the lid are omitted for convenience. In the following, in the current sensor, the thickness direction of the substrate and the thickness direction (stacking direction) of the core are the vertical direction, the direction along the front surface (back surface) of the substrate is the horizontal direction, and the width of the gap in the horizontal direction. The direction (distance direction between the end faces of the core) is defined as the width direction.

図1〜図3に示すように、電流センサ100は、要部として、樹脂ケース10と、ギャップ20Gを有するコア20と、磁電変換素子30と、該磁電変換素子30が実装された基板40と、を有している。そして、樹脂ケース10が、その一部として、後述するガイド部18を含んでいる。このガイド部18が、本実施形態に係る電流センサ100の特徴部分である。   As shown in FIGS. 1 to 3, the current sensor 100 includes, as main parts, a resin case 10, a core 20 having a gap 20 </ b> G, a magnetoelectric conversion element 30, and a substrate 40 on which the magnetoelectric conversion element 30 is mounted. ,have. And the resin case 10 contains the guide part 18 mentioned later as the part. This guide part 18 is a characteristic part of the current sensor 100 according to the present embodiment.

樹脂ケース10は、コア20及び基板40を収容すべく、樹脂材料を所定形状に成形してなり、ギャップ20Gを含むコア20の少なくとも一部と基板40とを収容する収容部11とガイド部18を少なくとも有するものである。本実施形態では、上記した収容部11とともに、固定部12及びコネクタ部13を有している。   The resin case 10 is formed by molding a resin material into a predetermined shape so as to accommodate the core 20 and the substrate 40, and the accommodating portion 11 and the guide portion 18 that accommodate at least a part of the core 20 including the gap 20G and the substrate 40. At least. In this embodiment, it has the fixing | fixed part 12 and the connector part 13 with the above-mentioned accommodating part 11. As shown in FIG.

収容部11は、垂直方向上部の端面11a(以下、上端面11aと示す)側が開放された平面略矩形状の箱構造となっており、その箱内部の領域として、基板40が配置される上部領域14と、ギャップ20Gの少なくとも一部が露出された下部領域15を有している。本実施形態では、図1及び図3に示すように、下部領域15に、ギャップ20Gの一部とコア20の一部が露出されている。上部領域14は、上端面11aから垂直方向下方へ所定深さまでの領域であり、この上部領域14の底部14aの一部が開口されて、所定深さの下部領域15が連通されている。したがって、水平方向の大きさは、下部領域15のほうが上部領域14よりも小さくなっている。また、上部領域14は、水平方向における形状が基板40の外周形状と略一致され、その大きさが基板40よりも大きくされている。そして、基板40が上部領域14に配置された状態で、図1及び図2に示すように、下部領域15、すなわちギャップ20Gを含むコア20の露出部位が、基板40によって被覆されている。また、上部領域14の底部14aには、基板40を仮位置決めしつつ底部14a上に支持する支持ピン16が複数設けられている。本実施形態では、支持ピン16も樹脂ケース10の一部として構成されており、図3に示すように、底部14a側から所定範囲に拡径部16aを有している。そして、基板40の図示しないスルーホールに挿入された状態で、拡径部16aが基板40の表面40aに当接することで、支持ピン16が基板40を底部14a上に支持するようになっている。換言すれば、垂直方向において、基板40が位置決めされるようになっている。   The accommodating portion 11 has a planar substantially rectangular box structure in which an end surface 11a (hereinafter referred to as an upper end surface 11a) on the upper side in the vertical direction is opened, and an upper portion on which the substrate 40 is disposed as an area inside the box. It has the area | region 14 and the lower area | region 15 where at least one part of the gap 20G was exposed. In the present embodiment, as shown in FIGS. 1 and 3, a part of the gap 20 </ b> G and a part of the core 20 are exposed in the lower region 15. The upper region 14 is a region extending vertically downward from the upper end surface 11a to a predetermined depth, and a part of the bottom portion 14a of the upper region 14 is opened to communicate with the lower region 15 having a predetermined depth. Accordingly, the size in the horizontal direction is smaller in the lower region 15 than in the upper region 14. Further, the upper region 14 has a shape in the horizontal direction substantially coincident with the outer peripheral shape of the substrate 40, and the size thereof is larger than that of the substrate 40. In the state where the substrate 40 is disposed in the upper region 14, as shown in FIGS. 1 and 2, the exposed region of the core 20 including the lower region 15, that is, the gap 20 </ b> G, is covered with the substrate 40. A plurality of support pins 16 are provided on the bottom portion 14 a of the upper region 14 to support the substrate 40 on the bottom portion 14 a while temporarily positioning the substrate 40. In the present embodiment, the support pin 16 is also configured as a part of the resin case 10 and has an enlarged diameter portion 16a in a predetermined range from the bottom portion 14a side as shown in FIG. Then, with the diameter-enlarged portion 16a coming into contact with the surface 40a of the substrate 40 while being inserted into a through hole (not shown) of the substrate 40, the support pins 16 support the substrate 40 on the bottom portion 14a. . In other words, the substrate 40 is positioned in the vertical direction.

なお、収容部11は、上部領域14に基板40が収容された状態で、図1に示すように、開放面を蓋するように上端面11aに蓋50が固定されて、各領域14,15が閉じた領域(空間)となっている。   As shown in FIG. 1, the accommodating portion 11 has a lid 50 fixed to the upper end surface 11 a so as to cover the open surface in a state where the substrate 40 is accommodated in the upper region 14. Is a closed area (space).

固定部12は、被測定電流が流れる被測定部材に電流センサ100を固定するための部位であり、被測定部材が挿通される貫通孔12aを有している。そして、貫通孔12aを取り囲むように、リング状(略C字状)のコア20の大部分が、固定部12に内包されている。また、コネクタ部13は、基板40に構成された図示しない配線部を介して、磁電変換素子30と外部機器とを電気的に接続する部位である。このコネクタ部13には、樹脂ケース10と一体成形された例えば金属からなる端子17の一端が露出されている。なお、端子17の他端は、底部14aから突出して垂直方向に延び、収容部11の上部領域14内に配置されている。   The fixing part 12 is a part for fixing the current sensor 100 to a member to be measured through which a current to be measured flows, and has a through hole 12a through which the member to be measured is inserted. And most of the ring-shaped (substantially C-shaped) core 20 is enclosed in the fixing | fixed part 12 so that the through-hole 12a may be surrounded. The connector portion 13 is a portion that electrically connects the magnetoelectric conversion element 30 and an external device via a wiring portion (not shown) formed on the substrate 40. One end of a terminal 17 made of metal, for example, integrally formed with the resin case 10 is exposed at the connector portion 13. Note that the other end of the terminal 17 protrudes from the bottom portion 14 a and extends in the vertical direction, and is disposed in the upper region 14 of the accommodating portion 11.

ガイド部18は、幅方向において、ギャップ20Gの略中央に磁電変換素子30を導くための部位であり、図1に示すように、コア20の両端面21のうち、一方の端面21のみと接している。本実施形態では、図1及び図3に示すように、コア20の両端面21のうち、一方の端面21のみとそれぞれ接する一対のガイド部18を有している。そして、各ガイド部18は、幅方向において相対する他方の端面21(接しない側の端面21)との対向距離が、垂直方向において基板40から離れるほど短いテーパ面18aを有している。   The guide portion 18 is a portion for guiding the magnetoelectric conversion element 30 to the approximate center of the gap 20G in the width direction. As shown in FIG. 1, the guide portion 18 is in contact with only one end surface 21 of the both end surfaces 21 of the core 20. ing. In this embodiment, as shown in FIG.1 and FIG.3, it has a pair of guide part 18 which respectively contacts only one end surface 21 among the both end surfaces 21 of the core 20. As shown in FIG. Each guide portion 18 has a tapered surface 18a whose opposing distance to the other end surface 21 (the end surface 21 on the non-contact side) opposed in the width direction is shorter as it is away from the substrate 40 in the vertical direction.

このテーパ面18aは、垂直方向において基板40と最も離れた下端部位が、コア20の端面21と略平行となっている。また、上記した下端部位が、垂直方向において、基板40側の端部(上端)から下端部位までの間で、他方の端面21との対向距離の最も短い部位となっている。すなわち、テーパ面18aは、下部領域15の底面15a側ほど、ギャップ20Gの略中央に近い形状となっている。また、幅方向において、テーパ面18aの下端部位におけるガイド部18の樹脂厚は、対をなすガイド部18で互いに略等しくなっており、対をなすガイド部18における下端部位間の対向距離が、磁電変換素子30における封止樹脂33の幅よりも広くなっている。   The tapered surface 18 a has a lower end portion farthest from the substrate 40 in the vertical direction and is substantially parallel to the end surface 21 of the core 20. In addition, the lower end portion described above is the portion having the shortest distance from the other end surface 21 between the end portion (upper end) on the substrate 40 side and the lower end portion in the vertical direction. That is, the tapered surface 18a has a shape closer to the approximate center of the gap 20G toward the bottom surface 15a side of the lower region 15. In the width direction, the resin thickness of the guide portion 18 at the lower end portion of the tapered surface 18a is substantially equal to each other at the pair of guide portions 18, and the opposing distance between the lower end portions of the pair of guide portions 18 is The width of the sealing resin 33 in the magnetoelectric conversion element 30 is wider.

さらに、本実施形態では、図1に示すように、テーパ面18aの下端部位に、端面21と略平行な平行面18bが連結されている。そして、磁電変換素子30における封止樹脂33によって被覆された部位(磁気センサチップ31)が、図1に示すように、幅方向において、対をなすガイド部18における両テーパ面18a及び両平行面18bの間に配置され、両テーパ面18a及び両平行面18bと相対している。   Furthermore, in this embodiment, as shown in FIG. 1, the parallel surface 18b substantially parallel to the end surface 21 is connected to the lower end portion of the tapered surface 18a. And the part (magnetic sensor chip 31) coat | covered with the sealing resin 33 in the magnetoelectric conversion element 30 has both the taper surfaces 18a and both parallel surfaces in the guide part 18 which makes a pair in the width direction, as shown in FIG. It arrange | positions between 18b and opposes both the taper surfaces 18a and both the parallel surfaces 18b.

このように、ギャップ20Gの一部がガイド部18に占有され、対をなしたガイド部18の間に、ギャップ20Gよりも幅の狭いギャップが構成されている。そして、このガイド部18間のギャップ内に磁電変換素子30の配置されている。すなわち、ギャップ20G内に設けられたガイド部18により、幅方向において、磁電変換素子30がギャップ20Gの略中央からずれることが可能な範囲(遊び)が狭められている。   In this way, a part of the gap 20G is occupied by the guide part 18, and a gap narrower than the gap 20G is formed between the paired guide parts 18. The magnetoelectric conversion element 30 is disposed in the gap between the guide portions 18. That is, the guide portion 18 provided in the gap 20G narrows the range (play) in which the magnetoelectric conversion element 30 can be displaced from the approximate center of the gap 20G in the width direction.

なお、本実施形態では、一例として、ガイド部18が、樹脂ケース10における他の部位と下部領域15の底面15aのみで連結され、底面15aから基板40側に突出する柱状となっている。また、水平方向であって幅方向とは略垂直な方向におけるガイド部18の長さが、コア20の幅と略等しく、基板40側の上端部位までのガイド部18の高さが、コア20の端面21の上端と略等しくされている。すなわち、端面21全面がガイド部18によって被覆されている。また、垂直方向において、上端(基板40側の端部)から一部の範囲に、垂直方向に対する傾斜角度が45度以下の角度で一定の直線的な(平面状の)テーパ面18aが設けられ、該テーパ面18aと連結する平行面18bは、下部領域15の底面15aとも連結されている。すなわち、ガイド部18において、テーパ面18aの下端部位及び平行面18bの部位が、他方の端面21との対向距離の最も短い部位となっている。さらに、幅方向において、対をなすガイド部18が、両端面21間(ギャップ20G)の中心線21c(後述する図4参照)に対して、互いに線対称の関係を満たすように構成されている。   In the present embodiment, as an example, the guide portion 18 is connected to other portions of the resin case 10 only by the bottom surface 15a of the lower region 15, and has a columnar shape protruding from the bottom surface 15a to the substrate 40 side. Further, the length of the guide portion 18 in the horizontal direction and substantially perpendicular to the width direction is substantially equal to the width of the core 20, and the height of the guide portion 18 to the upper end portion on the substrate 40 side is the core 20. It is made substantially equal to the upper end of the end surface 21. That is, the entire end surface 21 is covered with the guide portion 18. In the vertical direction, a linear (planar) tapered surface 18a having a constant inclination angle of 45 degrees or less with respect to the vertical direction is provided in a part of the range from the upper end (the end on the substrate 40 side). The parallel surface 18b connected to the tapered surface 18a is also connected to the bottom surface 15a of the lower region 15. That is, in the guide portion 18, the lower end portion of the tapered surface 18 a and the portion of the parallel surface 18 b are the portions with the shortest facing distance from the other end surface 21. Further, in the width direction, the pair of guide portions 18 are configured to satisfy a line-symmetrical relationship with respect to a center line 21c (see FIG. 4 described later) between both end faces 21 (gap 20G). .

コア20は、鉄、鉄系合金、パーマロイ等の磁性体材料からなり、互いに略平行とされた端面21間に、磁電変換素子が配置される所定幅のギャップ20Gが構成されたリング形状の部材である。このようなコア20としては、上記磁性体材料をせん断加工してなる部材を複数枚積層固定してなるものが一般的である。本実施形態では、略C字状の積層コアを採用している。このコア20は、上記したように、樹脂ケース10と一体成形、すなわち樹脂ケース10に対してインサート成形されている。そして、略C字状のコア20のうち、ギャップ20G及び該ギャップ20Gを構成する両端面21の近傍部位のみが収容部11内に配置され、ギャップ20Gの一部とコア20の一部が、下部領域15内に露出されている。   The core 20 is made of a magnetic material such as iron, an iron-based alloy, or permalloy, and is a ring-shaped member in which a gap 20G having a predetermined width is formed between the end faces 21 that are substantially parallel to each other. It is. Such a core 20 is generally formed by laminating and fixing a plurality of members formed by shearing the magnetic material. In this embodiment, a substantially C-shaped laminated core is employed. As described above, the core 20 is integrally formed with the resin case 10, that is, insert-molded with respect to the resin case 10. Of the substantially C-shaped core 20, only the gap 20G and the vicinity of the both end faces 21 constituting the gap 20G are arranged in the accommodating portion 11, and a part of the gap 20G and a part of the core 20 are It is exposed in the lower region 15.

磁電変換素子30は、被測定部材に流れる被測定電流によって生じる磁界の磁束を検出し、電流値に比例した信号を出力するものであり、後述する基板40の表面40a側に実装された状態で樹脂ケース10の収容部11内に収容され、コア20のギャップ20G内に配置されている。本実施形態では、磁電変換素子30として、磁気センサチップ31(図1に示す破線部位)とリード32とが電気的に接続され、磁気センサチップ31及び磁気センサチップ31とリード32との接続部が封止樹脂33によって被覆されたモールドICを採用している。また、幅方向において、磁気センサチップ31の表面から封止樹脂33の外面までの幅(換言すれば、磁気センサチップ31上の封止樹脂33の厚さ)が、幅方向における磁気センサチップ31の表面と裏面上とで略等しくなっている。さらには、磁気センサチップ31として、ホール素子が構成された磁気センサチップを採用しており、電流センサ100が所謂磁気比例式の電流センサとなっている。なお、ホール素子以外にも、磁気抵抗素子が構成された磁気センサチップを採用することもできる。   The magnetoelectric conversion element 30 detects magnetic flux generated by the current to be measured flowing through the member to be measured, and outputs a signal proportional to the current value, and is mounted on the surface 40a side of the substrate 40 to be described later. It is accommodated in the accommodating portion 11 of the resin case 10 and disposed in the gap 20G of the core 20. In the present embodiment, the magnetic sensor chip 31 (broken line portion shown in FIG. 1) and the lead 32 are electrically connected as the magnetoelectric conversion element 30, and the magnetic sensor chip 31 and the connection portion between the magnetic sensor chip 31 and the lead 32. Employs a mold IC covered with a sealing resin 33. In the width direction, the width from the surface of the magnetic sensor chip 31 to the outer surface of the sealing resin 33 (in other words, the thickness of the sealing resin 33 on the magnetic sensor chip 31) is the magnetic sensor chip 31 in the width direction. The front surface and the back surface are substantially equal. Furthermore, a magnetic sensor chip having a Hall element is adopted as the magnetic sensor chip 31, and the current sensor 100 is a so-called magnetic proportional current sensor. In addition to the Hall element, a magnetic sensor chip having a magnetoresistive element can also be employed.

上記構成される磁電変換素子30は、図1に示すように、封止樹脂33に被覆された部分が、コア20のギャップ20G内及び対をなすガイド部18によるギャップ内に配置され、磁気センサチップ31に構成されたホール素子が、コア20のギャップ20G内に配置されている。そして、幅方向において、ギャップ20Gの略中央に磁気センサチップ31が位置している。また、磁電変換素子30が、樹脂ケース10の収容部11における下部領域15の底面15aと離反されており、これにより、樹脂ケース10と磁電変換素子30(例えば封止樹脂33)との線膨張係数差に基づく応力の発生を抑制するとともに、樹脂ケース10に印加された外力の磁電変換素子30への伝達を抑制するようにしている。しかしながら、磁電変換素子30(封止樹脂33)の下端を下部領域15の底面15aに接触させた構成を採用することもできる。   As shown in FIG. 1, the magnetoelectric conversion element 30 configured as described above has a portion covered with a sealing resin 33 disposed in the gap 20 </ b> G of the core 20 and in the gap formed by the pair of guide portions 18. The Hall element formed in the chip 31 is disposed in the gap 20G of the core 20. And in the width direction, the magnetic sensor chip 31 is located in the approximate center of the gap 20G. Further, the magnetoelectric conversion element 30 is separated from the bottom surface 15a of the lower region 15 in the housing portion 11 of the resin case 10, and thereby, the linear expansion between the resin case 10 and the magnetoelectric conversion element 30 (for example, the sealing resin 33). The generation of stress based on the coefficient difference is suppressed, and the transmission of an external force applied to the resin case 10 to the magnetoelectric conversion element 30 is suppressed. However, a configuration in which the lower end of the magnetoelectric conversion element 30 (sealing resin 33) is in contact with the bottom surface 15a of the lower region 15 may be employed.

基板40は、樹脂ケース10に構成されたコネクタ部13と磁電変換素子30とを電気的に接続する部位であり、磁電変換素子30と端子17とを電気的に接続する図示しない配線部を有している。そして、樹脂ケース10の収容部11(上部領域14)内に収容されて、収容部11内に露出されたギャップ20Gを含むコア20の部位を覆うように配置されている。また、本実施形態においては、コア20と対向する表面40aから裏面40bにかけて貫通する2種類のスルーホール41,42を有している。第1スルーホール41は、端子17における収容部11内に露出された端部側が挿入される部位であり、水平方向(幅方向)において、基板40の位置を仮位置決めする機能を果たす。そして、端子17は、その端部が第1スルーホール41を表面40a側から裏面40b側へ挿通した状態で、図示しない配線部のランドとはんだ接合されている。第2スルーホール42は、磁電変換素子30におけるリード32が挿入される部位である。磁電変換素子30の磁気センサチップ31は表面40a側に配置され、リード32が表面40a側から裏面40b側に挿通された状態で、図示しない配線部のランドとはんだ接合されている。本実施形態では、これら2種類のスルーホール41,42において、第1スルーホール41と端子17との隙間(クリアランス)のほうが、第2スルーホール42とリード32との隙間(クリアランス)よりも大きい構成となっている。   The substrate 40 is a part for electrically connecting the connector part 13 and the magnetoelectric conversion element 30 configured in the resin case 10, and has a wiring part (not shown) for electrically connecting the magnetoelectric conversion element 30 and the terminal 17. doing. And it accommodates in the accommodating part 11 (upper area | region 14) of the resin case 10, and is arrange | positioned so that the site | part of the core 20 including the gap 20G exposed in the accommodating part 11 may be covered. Moreover, in this embodiment, it has two types of through-holes 41 and 42 which penetrate from the surface 40a facing the core 20 to the back surface 40b. The first through hole 41 is a portion into which the end portion exposed in the accommodating portion 11 of the terminal 17 is inserted, and fulfills the function of temporarily positioning the position of the substrate 40 in the horizontal direction (width direction). The terminal 17 is solder-bonded to a land of a wiring portion (not shown) in a state where an end portion of the terminal 17 is inserted through the first through hole 41 from the front surface 40a side to the back surface 40b side. The second through hole 42 is a part into which the lead 32 in the magnetoelectric conversion element 30 is inserted. The magnetic sensor chip 31 of the magnetoelectric conversion element 30 is disposed on the front surface 40a side, and is soldered to a land of a wiring portion (not shown) in a state where the lead 32 is inserted from the front surface 40a side to the back surface 40b side. In the present embodiment, in these two types of through holes 41 and 42, the gap (clearance) between the first through hole 41 and the terminal 17 is larger than the gap (clearance) between the second through hole 42 and the lead 32. It has a configuration.

なお、基板40には、磁電変換素子30の処理回路が構成されても良い。本実施形態では、図1に示すように、基板40の裏面40bに、コンデンサやチップサーミスタなどの電子部品43が実装されている。このように、電子部品43として、チップサーミスタ等の温度センサ素子が実装された構成とすると、電流計測だけでなく温度計測も可能な、温度センサ付電流センサとすることができる。   A processing circuit for the magnetoelectric conversion element 30 may be configured on the substrate 40. In the present embodiment, as shown in FIG. 1, an electronic component 43 such as a capacitor or a chip thermistor is mounted on the back surface 40 b of the substrate 40. Thus, when the temperature sensor element such as a chip thermistor is mounted as the electronic component 43, a current sensor with a temperature sensor that can measure temperature as well as current can be obtained.

次に、上記した電流センサ100の製造方法について説明する。図4は、図1に示す電流センサの製造工程のうち、ケース準備工程を示す断面図である。図5,6は、電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。   Next, a method for manufacturing the above-described current sensor 100 will be described. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a case preparation step in the manufacturing process of the current sensor shown in FIG. 5 and 6 are cross-sectional views showing a substrate positioning process in the current sensor manufacturing process.

図示しないが、先ず、表面40a側に磁電変換素子30が実装された基板40を準備する基板準備工程を実施する。本実施形態では、上記した2種類のスルーホール41,42や図示しない配線部が形成され、磁電変換素子30とは別の電子部品43が実装された基板40を準備する。なお、磁電変換素子30は、リード32が第2スルーホール42に挿通されて実装されている。また、第1スルーホール41と端子17との隙間(クリアランス)のほうが、第2スルーホール42とリード32との隙間(クリアランス)よりも大きくなるように、2種類のスルーホール41,42をそれぞれ形成する。なお、磁電変換素子30は、基板40の表面40aから磁電変換素子30が延びる方向が、垂直方向と略一致するように、磁電変換素子30が基板40に実装されている。   Although not shown in the drawing, first, a substrate preparation step for preparing the substrate 40 on which the magnetoelectric conversion element 30 is mounted on the surface 40a side is performed. In the present embodiment, a substrate 40 is prepared in which the above-described two types of through holes 41 and 42 and a wiring portion (not shown) are formed, and an electronic component 43 different from the magnetoelectric conversion element 30 is mounted. The magnetoelectric conversion element 30 is mounted with the leads 32 inserted through the second through holes 42. In addition, the two types of through holes 41 and 42 are formed so that the clearance (clearance) between the first through hole 41 and the terminal 17 is larger than the clearance (clearance) between the second through hole 42 and the lead 32. Form. The magnetoelectric conversion element 30 is mounted on the substrate 40 such that the direction in which the magnetoelectric conversion element 30 extends from the surface 40a of the substrate 40 substantially coincides with the vertical direction.

また、図4に示すように、ギャップ20Gを有するリング形状のコア20が一体成形(インサート成形)され、収容部11(下部領域15)内にコア20のギャップ20Gが露出されるとともに、上記した構造のガイド部18を有する樹脂ケース10を準備するケース準備工程を実施する。すなわち、このケース準備工程では、コア20をインサート部品とし、その一部としてガイド部18を有する樹脂ケース10を、射出成形によって形成する。この工程により、コア20は、ギャップ20Gの一部を含む一部位のみが、樹脂ケース10の収容部11内に露出(上部領域14の底部14aを介して上部領域14側に露出)され、それ以外の部位はその周囲を樹脂ケース10によって包まれて位置決め保持される。本実施形態では、上記した収容部11、固定部12、コネクタ部13、及びガイド部18を有する樹脂ケース10を形成する。また、コア20とともに、導電材料からなる端子17も一体成形する。そして、端子17は、一端がコネクタ部13に露出され、他端が収容部11(上部領域14)に露出された状態で樹脂ケース10に保持される。   Further, as shown in FIG. 4, the ring-shaped core 20 having the gap 20G is integrally molded (insert molding), and the gap 20G of the core 20 is exposed in the accommodating portion 11 (lower region 15). A case preparation step of preparing the resin case 10 having the structure guide portion 18 is performed. That is, in this case preparation process, the resin case 10 having the core 20 as an insert part and having the guide portion 18 as a part thereof is formed by injection molding. By this process, only a part of the core 20 including a part of the gap 20G is exposed in the housing portion 11 of the resin case 10 (exposed to the upper region 14 side through the bottom portion 14a of the upper region 14). The other part is wrapped and surrounded by the resin case 10 and is positioned and held. In the present embodiment, the resin case 10 having the above-described accommodating portion 11, fixing portion 12, connector portion 13, and guide portion 18 is formed. In addition to the core 20, the terminal 17 made of a conductive material is also integrally formed. The terminal 17 is held by the resin case 10 with one end exposed at the connector portion 13 and the other end exposed at the accommodating portion 11 (upper region 14).

次に、図5に示すように、コア20のギャップ20Gに磁電変換素子30が位置し、露出されたコア20を基板40が覆うように、基板40を樹脂ケース10の収容部11内に位置決め配置する位置決め工程を実施する。本実施形態では、表面40aがコア20と対向し、第1スルーホール41を端子17が挿通し、図示しないスルーホールを支持ピン16(図2,3参照)が挿通するように、垂直方向におけるコア20に近づく方向(図5の白抜き矢印で示す方向、以下単に下方と示す)に基板40を移動させる。このとき、第1スルーホール41と端子17との隙間(クリアランス)と、スルーホールと支持ピン16との隙間(クリアランス)は同程度となっており、これら端子17と支持ピン16により、水平方向(幅方向)において、基板40の位置が仮位置決めされる(基板40の大まかな位置が決定される)。換言すれば、後述する寸法ばらつきや位置ずれなどが生じても、磁電変換素子30(封止樹脂33によって被覆された磁気センサチップ31)が、ガイド部18のテーパ面18aに接するように、端子17と支持ピン16の対応するスルーホールとのクリアランスが決定されている。また、基板40は、表面40aが複数の支持ピン16の拡径部16a(図3参照)に当接し、これにより、垂直方向において、基板40の位置が決定される。   Next, as shown in FIG. 5, the substrate 40 is positioned in the housing portion 11 of the resin case 10 so that the magnetoelectric conversion element 30 is positioned in the gap 20 </ b> G of the core 20 and the exposed core 20 is covered with the substrate 40. The positioning process to arrange is implemented. In the present embodiment, the surface 40a faces the core 20, the terminal 17 is inserted through the first through hole 41, and the support pin 16 (see FIGS. 2 and 3) is inserted through the through hole (not shown) in the vertical direction. The substrate 40 is moved in a direction approaching the core 20 (a direction indicated by a white arrow in FIG. 5, hereinafter simply referred to as a downward direction). At this time, the clearance (clearance) between the first through hole 41 and the terminal 17 and the clearance (clearance) between the through hole and the support pin 16 are approximately the same. In the (width direction), the position of the substrate 40 is provisionally positioned (the approximate position of the substrate 40 is determined). In other words, even if a dimensional variation or positional shift described later occurs, the terminals are arranged such that the magnetoelectric conversion element 30 (the magnetic sensor chip 31 covered with the sealing resin 33) is in contact with the tapered surface 18a of the guide portion 18. The clearance between 17 and the corresponding through hole of the support pin 16 is determined. Further, the surface 40a of the substrate 40 abuts on the enlarged diameter portions 16a (see FIG. 3) of the plurality of support pins 16, and thereby the position of the substrate 40 is determined in the vertical direction.

ここで、電流センサ100にて被測定電流を精度良く検出するためには、幅方向における磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置を、ギャップ20Gを構成するコア20の両端面21間の略中央、すなわち両端面21間(ギャップ20G)の中心線21cにできる限り一致させることが好ましい。しかしながら、樹脂ケース10、コア20、基板40、磁電変換素子30の寸法ばらつき、第1スルーホール41や第2スルーホール42の寸法や形成位置のばらつき、インサート成形時の樹脂ケース10に対するコア20や端子17の位置ずれ(位置ばらつき)、基板40に実装される磁電変換素子30の位置ばらつきなどの要因により、磁電変換素子30の位置が両端面21間の略中央とはならず、例えば図5に示すように、一方の端面21側にずれた配置となることも考えられる。   Here, in order to accurately detect the current to be measured by the current sensor 100, the position of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) in the width direction is set between the both end faces 21 of the core 20 constituting the gap 20G. It is preferable to match the center line 21c between the two ends 21 (gap 20G) as much as possible. However, the dimensional variation of the resin case 10, the core 20, the substrate 40, and the magnetoelectric conversion element 30, the dimensional variation and the formation position of the first through hole 41 and the second through hole 42, the core 20 relative to the resin case 10 at the time of insert molding, The position of the magnetoelectric conversion element 30 does not become substantially the center between the both end faces 21 due to factors such as the positional deviation of the terminal 17 (positional variation) and the positional variation of the magnetoelectric conversion element 30 mounted on the substrate 40. For example, FIG. As shown in FIG. 5, it is also possible that the arrangement is shifted to the one end face 21 side.

これに対し、本実施形態では、樹脂ケース10の一部として、上記した構造のテーパ面18aを有するガイド部18を、ギャップ20Gを構成するコア20の両端面21にそれぞれ接触させて設けている。したがって、幅方向において、磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置がギャップ20Gの略中央(中心線21c)に対して一方の端面21側にずれていたとしても、第1スルーホール41を端子17が挿通し、図示しないスルーホールを支持ピン16が挿通するように基板40を下方に移動させることで、図5に示すように、一方のガイド部18におけるテーパ面18aに磁電変換素子30(封止樹脂33)を接触させることができる。また、上記したように、支持ピン16が挿通されたスルーホールと、端子17が挿通された第1スルーホール41が、支持ピン16及び端子17との間で所定のクリアランスを有しているので、基板40をテーパ面18aに接触した状態でさらに下方に移動させることで、テーパ面18aに沿って磁電変換素子30を移動させ、幅方向における磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置を、ギャップ20Gの略中央(中心線21c)に近づけることができる。そして、基板40の表面40aが複数の支持ピン16の拡径部16aに当接した状態で、磁電変換素子30の位置を、ギャップ20Gの略中央とすることができる。   On the other hand, in this embodiment, as a part of the resin case 10, the guide portion 18 having the tapered surface 18a having the above-described structure is provided in contact with both end surfaces 21 of the core 20 constituting the gap 20G. . Therefore, even if the position of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) is shifted toward the one end face 21 with respect to the approximate center (center line 21c) of the gap 20G in the width direction, the first through hole 41 is By moving the substrate 40 downward so that the terminal 17 is inserted and the support pin 16 is inserted through a through hole (not shown), the magnetoelectric transducer 30 is formed on the tapered surface 18a of one guide portion 18 as shown in FIG. (Sealing resin 33) can be contacted. In addition, as described above, the through hole through which the support pin 16 is inserted and the first through hole 41 through which the terminal 17 is inserted have a predetermined clearance between the support pin 16 and the terminal 17. By moving the substrate 40 further downward in contact with the tapered surface 18a, the magnetoelectric conversion element 30 is moved along the tapered surface 18a, and the position of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) in the width direction is changed. , The gap 20G can be brought close to the approximate center (center line 21c). And the position of the magnetoelectric conversion element 30 can be made into the approximate center of the gap 20G in the state which the surface 40a of the board | substrate 40 contact | abutted to the enlarged diameter part 16a of the some support pin 16. FIG.

なお、コア20の両端面21に接してガイド部18をそれぞれ設けているので、図5と反対側の端面21側に磁電変換素子30がずれていても、同様にギャップ20Gの略中央とすることができる。本実施形態では、幅方向において、ギャップ20Gの幅が3mm程度、磁電変換素子30(封止樹脂33)の幅が1.5mm程度、ガイド部18におけるテーパ面18aの下端部位及び平行面18bの部位の厚さが0.65mm程度、磁気センサチップ31がギャップ20Gの略中央(中心線21c)と略一致した状態で、両ガイド部18における平行面18b及びテーパ面18aの下端部位と磁電変換素子30(封止樹脂33)のクリアランスが、ともに0.1mm程度となっている。したがって、磁電変換素子30をギャップ20Gに挿入する際に、磁気センサチップ31がギャップ20Gの略中央(中心線21c)と略一致している場合には、いずれのガイド部18(テーパ面18a)とも接触させずに、磁電変換素子30の位置を、ギャップ20Gの略中央とすることができる。   Since the guide portions 18 are provided in contact with both end faces 21 of the core 20, even if the magnetoelectric conversion element 30 is shifted to the end face 21 side opposite to that in FIG. be able to. In the present embodiment, in the width direction, the width of the gap 20G is about 3 mm, the width of the magnetoelectric conversion element 30 (sealing resin 33) is about 1.5 mm, the lower end portion of the tapered surface 18a in the guide portion 18 and the parallel surface 18b. In a state where the thickness of the portion is about 0.65 mm and the magnetic sensor chip 31 substantially coincides with the substantially center (center line 21c) of the gap 20G, the parallel surface 18b and the lower end portions of the tapered surface 18a and the magnetoelectric conversion in both guide portions 18 The clearance of the element 30 (sealing resin 33) is about 0.1 mm. Therefore, when inserting the magnetoelectric conversion element 30 into the gap 20G, if the magnetic sensor chip 31 is substantially coincident with the substantially center (center line 21c) of the gap 20G, any of the guide portions 18 (tapered surface 18a). Without making contact with each other, the position of the magnetoelectric conversion element 30 can be approximately the center of the gap 20G.

そして、樹脂ケース10(コア20)に対し、基板40の位置が決定された状態で、基板40を樹脂ケース10に固定する。本実施形態では、第1スルーホール41を挿通する複数の端子17と、対応するランドとをはんだ接合することで、端子17を介して基板40を樹脂ケース10に固定する。これにより、ギャップ20Gの略中央(中心線21c)に、磁電変換素子30(磁気センサチップ31)が位置決め固定された状態となる。そして、図示しない蓋50を、樹脂ケース10の収容部11の上端面11a上に載置し、接着や溶着などにより固定することにより、図1に示した電流センサ100を得ることができる。   Then, the substrate 40 is fixed to the resin case 10 in a state where the position of the substrate 40 is determined with respect to the resin case 10 (core 20). In this embodiment, the board | substrate 40 is fixed to the resin case 10 via the terminal 17 by solder-joining the several terminal 17 which penetrates the 1st through-hole 41, and a corresponding land. As a result, the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) is positioned and fixed substantially at the center (center line 21c) of the gap 20G. Then, the current sensor 100 shown in FIG. 1 can be obtained by placing the lid 50 (not shown) on the upper end surface 11a of the housing portion 11 of the resin case 10 and fixing it by adhesion or welding.

次に、本実施形態に係る電流センサ100及びその製造方法の特徴部分の効果について説明する。先ず、樹脂ケース10の一部として、テーパ面18aを有するガイド部18を、ギャップ20Gを構成するコア20の両端面21にそれぞれ接して設けている。したがって、コア20が一体成形された樹脂ケース10の収容部11内に、磁電変換素子30の実装された基板40を配置する際、幅方向において、磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置がギャップ20Gの略中央(中心線21c)に対して、いずれか一方の端面21側にずれていたとしても、磁電変換素子30(封止樹脂33)が少なくとも一方のテーパ面18aに接しつつギャップ20Gの奥側へ挿入されるため、磁電変換素子30の位置を、ギャップ20Gの略中央とすることができる。このように、テーパ面18aを有するガイド部18によって磁電変換素子30をギャップ20Gの略中央へ導くことができるので、コア20が樹脂ケース10と一体成形された構成において、コア20のギャップ20Gに対する磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサ100とすることができる。   Next, effects of the characteristic portions of the current sensor 100 and the manufacturing method thereof according to the present embodiment will be described. First, as a part of the resin case 10, guide portions 18 having tapered surfaces 18a are provided in contact with both end surfaces 21 of the core 20 constituting the gap 20G. Therefore, when the substrate 40 on which the magnetoelectric conversion element 30 is mounted is disposed in the housing portion 11 of the resin case 10 in which the core 20 is integrally molded, the position of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) in the width direction. Although the magnetoelectric conversion element 30 (sealing resin 33) is in contact with at least one of the tapered surfaces 18a even if the gap 20G is displaced toward either one of the end surfaces 21 with respect to the approximate center (center line 21c) of the gap 20G. Since it is inserted in the back side of 20G, the position of the magnetoelectric conversion element 30 can be made into the approximate center of the gap 20G. Thus, since the magnetoelectric conversion element 30 can be guided to the approximate center of the gap 20G by the guide portion 18 having the tapered surface 18a, in the configuration in which the core 20 is integrally formed with the resin case 10, the core 20 with respect to the gap 20G. The position accuracy of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) is improved, and as a result, the current sensor 100 in which the characteristic variation due to the disturbance magnetic field is reduced can be obtained.

なお、本発明者は、ギャップ20Gに対する磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置と、外乱磁界(外乱ノイズ)による特性変動との関係について確認している。図7は、コアのギャップに対する磁電変換素子の位置と外乱磁界との関係を模式的に示した平面図である。図8は、磁電変換素子の位置ずれと外乱磁界により生じる誤差電流との関係を示す図である。なお、図7に示すように、水平方向に沿い、且つ、幅方向(端面21間に作用する磁束の向き)に対して略垂直な方向に、2.0mTの外乱磁界が作用するものとした。その結果、図8から、磁電変換素子30(磁気センサチップ31)がコア20の両端面21の中央位置(中心線21c)からずれるほど、誤差電流が大きくなる、すなわち特性変動が大きくなることが明らかである。これに対し、本実施形態によれば、コア20のギャップ20Gに対して磁電変換素子30が精度良く位置決めするので、外乱磁界による特性変動が低減された電流センサ100を得ることができる。   In addition, this inventor has confirmed the relationship between the position of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) with respect to the gap 20G, and the characteristic fluctuation | variation by a disturbance magnetic field (disturbance noise). FIG. 7 is a plan view schematically showing the relationship between the position of the magnetoelectric transducer and the disturbance magnetic field with respect to the gap of the core. FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the positional deviation of the magnetoelectric transducer and the error current generated by the disturbance magnetic field. As shown in FIG. 7, a disturbance magnetic field of 2.0 mT acts along the horizontal direction and in a direction substantially perpendicular to the width direction (direction of magnetic flux acting between the end faces 21). . As a result, from FIG. 8, the error current increases, that is, the characteristic fluctuation increases, as the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) is displaced from the center position (center line 21c) of the both end faces 21 of the core 20. it is obvious. On the other hand, according to the present embodiment, since the magnetoelectric conversion element 30 is accurately positioned with respect to the gap 20G of the core 20, it is possible to obtain the current sensor 100 in which the characteristic variation due to the disturbance magnetic field is reduced.

また、本実施形態では、樹脂ケース10の一部としてガイド部18を設けるので、製造工程を簡素化することができる。さらに、ガイド部18を樹脂ケース10とは別部材のガイド部を樹脂ケース10に固定する構成に比べて、ギャップ20G内におけるガイド部18の位置精度を向上することができる。   Moreover, in this embodiment, since the guide part 18 is provided as a part of the resin case 10, the manufacturing process can be simplified. Furthermore, the positional accuracy of the guide portion 18 in the gap 20G can be improved as compared with the configuration in which the guide portion 18 is fixed to the resin case 10 with a guide portion different from the resin case 10.

また、本実施形態では、対をなすガイド部18が、テーパ面18aに連結された平行面18bを有し、幅方向において、各ガイド部18におけるテーパ面18aの下端部位間(平行面18b間)の対向距離が磁電変換素子30(封止樹脂33)の幅よりも広くされている。したがって、基板40を樹脂ケース10に位置決め配置し、固定した組み付け状態で、幅方向において磁電変換素子30が両ガイド部18によって拘束されていないため、樹脂ケース10と磁電変換素子30とを構成する材料の線膨張係数差に基づく応力を抑制することができる。また、樹脂ケース10に印加された外力の、磁電変換素子30への作用も抑制することができる。   In the present embodiment, the pair of guide portions 18 has a parallel surface 18b connected to the tapered surface 18a, and in the width direction, between the lower end portions of the tapered surface 18a in each guide portion 18 (between the parallel surfaces 18b). ) Is made wider than the width of the magnetoelectric conversion element 30 (sealing resin 33). Therefore, the resin case 10 and the magnetoelectric conversion element 30 are configured since the magnetoelectric conversion element 30 is not constrained by the both guide portions 18 in the width direction in a state where the substrate 40 is positioned and arranged on the resin case 10 and fixed. The stress based on the difference in linear expansion coefficient of the material can be suppressed. Further, the action of the external force applied to the resin case 10 on the magnetoelectric conversion element 30 can also be suppressed.

しかしながら、幅方向において、対をなすガイド部18におけるテーパ面18aが、ギャップ20Gの略中央(中心線21c)に対して線対称の形状とされ、テーパ面18aにおける下端部位間の対向距離が、磁電変換素子30(封止樹脂33)の幅よりも狭くされ、磁電変換素子30が、両ガイド部18におけるテーパ面18aと接触された構成としても良い。図9に示す例では、各端面21を被覆するガイド部18が、その上端から下部領域15の底面15aまでテーパ面18aを有しており、垂直方向において、両テーパ面18aにおける下端部位よりも上方(基板40側)の位置に、磁電変換素子30が接触されている。この場合、対称形状とされた両テーパ面18aに磁電変換素子30が接することで磁電変換素子30の位置が決定されるので、コア20のギャップ20Gに対する磁電変換素子30の位置精度をさらに向上することができる。この場合、支持ピン16の拡径部16aに基板40の表面40aが接触するとともに、両テーパ面18aに磁電変換素子30が接するように、基板40からの磁電変換素子30(封止樹脂33)の位置やガイド部18(テーパ面18a)の形状を決定しておく。図9は、電流センサの変形例の概略構成を示す断面図である。   However, in the width direction, the tapered surfaces 18a of the pair of guide portions 18 are symmetrical with respect to the approximate center of the gap 20G (center line 21c), and the opposing distance between the lower end portions of the tapered surface 18a is as follows. It is good also as a structure narrowed rather than the width | variety of the magnetoelectric conversion element 30 (sealing resin 33), and the magnetoelectric conversion element 30 contacting the taper surface 18a in both the guide parts 18. FIG. In the example shown in FIG. 9, the guide portion 18 that covers each end surface 21 has a tapered surface 18 a from the upper end to the bottom surface 15 a of the lower region 15, and in the vertical direction, than the lower end portions of both tapered surfaces 18 a. The magnetoelectric conversion element 30 is in contact with the upper (substrate 40 side) position. In this case, since the position of the magnetoelectric conversion element 30 is determined by the magnetoelectric conversion element 30 coming into contact with the two tapered surfaces 18a having a symmetrical shape, the positional accuracy of the magnetoelectric conversion element 30 with respect to the gap 20G of the core 20 is further improved. be able to. In this case, the magnetoelectric conversion element 30 (sealing resin 33) from the substrate 40 so that the surface 40a of the substrate 40 is in contact with the enlarged diameter portion 16a of the support pin 16 and the magnetoelectric conversion element 30 is in contact with both tapered surfaces 18a. And the shape of the guide portion 18 (tapered surface 18a) are determined in advance. FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a modification of the current sensor.

なお、本実施形態では、対をなすガイド部18の形状を、中心線21cに対して線対称とする例を示した。しかしながら、位置決め状態で、磁電変換素子30を両ガイド部18と接触させない構成(ガイド部18間に構成されるギャップにおける磁電変換素子30と対向する部分のうち、最も狭い部位の幅のほうが、磁電変換素子30の幅よりも広い構成)
の場合、上記した最も狭い部位における樹脂厚が互いに略等しい関係を満たす範囲で、ガイド部18の形状を非対称とすることもできる。例えば、対をなすガイド部18で、テーパ面18aの角度を異なる角度とすることもできる。さらには、垂直方向において、対をなすガイド部18で、テーパ面18aの形成範囲を異ならせた構成とすることもできる。また、本実施形態では、テーパ面18aを平面とする例を示したが、曲面を採用することも可能である。
In the present embodiment, an example in which the shape of the pair of guide portions 18 is symmetrical with respect to the center line 21c is shown. However, in the positioning state, the configuration in which the magnetoelectric conversion element 30 is not in contact with both the guide portions 18 (the width of the narrowest portion among the portions facing the magnetoelectric conversion element 30 in the gap formed between the guide portions 18 is magnetoelectric. Configuration wider than the width of the conversion element 30)
In this case, the shape of the guide portion 18 can be asymmetrical as long as the resin thicknesses at the narrowest portion satisfy the substantially equal relationship. For example, the angle of the taper surface 18a can be set to a different angle between the pair of guide portions 18. Furthermore, it is also possible to adopt a configuration in which the forming range of the tapered surface 18a is different between the pair of guide portions 18 in the vertical direction. Further, in the present embodiment, an example in which the tapered surface 18a is a flat surface is shown, but a curved surface may be adopted.

(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態を、図10及び図11に基づいて説明する。図10は、第2実施形態に係る電流センサにおいて、磁電変換素子が配置される前のガイド部周辺を示す平面図である。図11は、第2実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。なお、図10においては、便宜上磁電変換素子を破線で示し、基板及びガイド部を除く樹脂ケースの部位を省略して図示している。
(Second Embodiment)
Next, 2nd Embodiment of this invention is described based on FIG.10 and FIG.11. FIG. 10 is a plan view showing the periphery of the guide portion before the magnetoelectric conversion element is arranged in the current sensor according to the second embodiment. FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a current sensor according to the second embodiment. In FIG. 10, for the sake of convenience, the magnetoelectric conversion element is indicated by a broken line, and the resin case portion excluding the substrate and the guide portion is omitted.

第2実施形態に係る電流センサ及びその製造方法は、第1実施形態に示した電流センサ及びその製造方法と共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、第1実施形態に示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与するものとする。   Since the current sensor and the manufacturing method thereof according to the second embodiment are common in common with the current sensor and the manufacturing method shown in the first embodiment, the detailed description of the common parts is omitted below, and different parts are emphasized. I will explain it. In addition, the same code | symbol shall be provided to the element same as the element shown in 1st Embodiment.

第1実施形態では、その変形例(図9参照)として、磁電変換素子30を、両端面21上に設けたガイド部18のテーパ面18aに接触させる例を示した。しかしながら、この場合、支持ピン16の拡径部16aに基板40の表面40aが接触するとともに、両テーパ面18aに磁電変換素子30が接するようにしなければならない。   In 1st Embodiment, the example which makes the magnetoelectric conversion element 30 contact the taper surface 18a of the guide part 18 provided on the both end surfaces 21 was shown as the modification (refer FIG. 9). However, in this case, the surface 40a of the substrate 40 is in contact with the enlarged diameter portion 16a of the support pin 16, and the magnetoelectric conversion element 30 must be in contact with both tapered surfaces 18a.

これに対し、本実施形態においては、図10に示すように、両ガイド部18におけるテーパ面18aの下端部位間の対向距離が、磁電変換素子30が配置されない状態で、磁電変換素子30の幅よりも狭くされている。そして、磁電変換素子30は、弾性変形されたガイド部18と接触され、図11に示すように、ギャップ20G内に圧入配置されている。   On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 10, the opposing distance between the lower end portions of the tapered surfaces 18 a in both guide portions 18 is the width of the magnetoelectric conversion element 30 in a state where the magnetoelectric conversion element 30 is not disposed. It is narrower than. The magnetoelectric conversion element 30 is brought into contact with the elastically deformed guide portion 18 and is press-fitted and arranged in the gap 20G as shown in FIG.

具体的には、図10に示すように、対向する2組(計4つ)のガイド部18が、水平方向に沿い、且つ、幅方向に略垂直な方向(以下、単に幅方向に垂直な方向と示す)において、対応する端面21の一部のみと接し、垂直方向において、下部領域15の底面15aから端面21の上端まで設けられている。また、4つのガイド部18は、対応する端面21から離反するほど幅方向に垂直な方向の長さが短い平面三角形となっており、互いに形状及び大きさが同じとなっている。すなわち、各ガイド部18は、弾性変形可能な三角柱状となっている。このように、水平方向に沿う平面形状を三角形とすると、幅方向の樹脂厚及び水平方向であって幅方向に略垂直な方向における端面21との接触部位での樹脂厚を同じとする矩形よりもばね定数が小さくなるので、ギャップ20G内に磁電変換素子30を挿入しやすくすることができる。そして、三角柱状の各ガイド部18において、端面21の上端と略一致する上端部位から一部範囲にテーパ面18aが設けられている。また、幅方向において、対応する端面21から離反した三角形の頂点部位(以下、単に頂点と示す)の間の対向距離が、図10に示すように、磁電変換素子30の幅よりも狭くなっている。   Specifically, as shown in FIG. 10, two opposing sets (four in total) of guide portions 18 are arranged along the horizontal direction and substantially perpendicular to the width direction (hereinafter simply referred to as the width direction). In the vertical direction, it is provided from the bottom surface 15a of the lower region 15 to the upper end of the end surface 21 in the vertical direction. Further, the four guide portions 18 are planar triangles whose lengths in the direction perpendicular to the width direction are shorter as they are separated from the corresponding end surfaces 21 and have the same shape and size. That is, each guide portion 18 has a triangular prism shape that can be elastically deformed. Thus, if the planar shape along the horizontal direction is a triangle, the resin thickness in the width direction and the rectangle having the same resin thickness at the contact portion with the end surface 21 in the horizontal direction and substantially perpendicular to the width direction are used. Since the spring constant is small, the magnetoelectric conversion element 30 can be easily inserted into the gap 20G. In each of the triangular prism-shaped guide portions 18, a tapered surface 18 a is provided in a partial range from the upper end portion that substantially coincides with the upper end of the end surface 21. Further, in the width direction, the facing distance between the apex portions of the triangles (hereinafter simply referred to as apexes) separated from the corresponding end face 21 is narrower than the width of the magnetoelectric transducer 30 as shown in FIG. Yes.

この場合、第1実施形態にて示したように、幅方向において、磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置がギャップ20Gの略中央(中心線21c)に対して一方の端面21側にずれていたとしても、磁電変換素子30がいずれか一方のテーパ面18aに接した状態でさらに基板40を下方に移動させるので、磁電変換素子30の位置を、ギャップ20Gの略中央とすることができる。そして、さらに基板40を下方に移動させることで、テーパ面18aにより、ギャップ20Gの略中央に位置された磁電変換素子30が、対をなすガイド部18を弾性変形させながら、ギャップ20Gの奥側へ挿入(圧入)される。詳しくは、平面三角形の各ガイド部18における頂点付近を潰しながら、ギャップ20Gの奥側へ挿入(圧入)される。したがって、支持ピン16の拡径部16aに基板40の表面40aが接触した状態で、磁電変換素子30の位置を、ギャップ20Gの略中央とすることができる。また、磁電変換素子30を、弾性変形可能な対をなすガイド部18によって保持することができる。   In this case, as shown in the first embodiment, in the width direction, the position of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) is closer to the one end face 21 than the approximate center (center line 21c) of the gap 20G. Even if they are misaligned, the substrate 40 is further moved downward with the magnetoelectric conversion element 30 in contact with one of the tapered surfaces 18a, so that the position of the magnetoelectric conversion element 30 can be set to the approximate center of the gap 20G. it can. Further, by moving the substrate 40 further downward, the magnetoelectric conversion element 30 positioned at the approximate center of the gap 20G is elastically deformed by the tapered surface 18a while the pair of guide portions 18 are elastically deformed. Is inserted (press-fit). Specifically, it is inserted (press-fitted) into the back side of the gap 20G while crushing the vicinity of the apex of each guide portion 18 of the plane triangle. Therefore, the position of the magnetoelectric conversion element 30 can be set to the approximate center of the gap 20G in a state where the surface 40a of the substrate 40 is in contact with the enlarged diameter portion 16a of the support pin 16. In addition, the magnetoelectric conversion element 30 can be held by the pair of guide portions 18 that can be elastically deformed.

このように、本実施形態では、ギャップ20Gを構成する両端面21上に設けた弾性変形可能なガイド部18によって磁電変換素子30(磁気センサチップ31)をギャップ20Gの略中央へ導くことができる。したがって、コア20が樹脂ケース10と一体成形された構成において、コア20のギャップ20Gに対する磁電変換素子30の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサ100とすることができる。さらには、本実施形態においても、樹脂ケース10の一部としてガイド部18を設けるので、製造工程を簡素化するとともに、ガイド部18の位置精度を向上することができる。   Thus, in the present embodiment, the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) can be guided to the approximate center of the gap 20G by the elastically deformable guide portions 18 provided on the both end faces 21 constituting the gap 20G. . Therefore, in the configuration in which the core 20 is integrally formed with the resin case 10, the positional accuracy of the magnetoelectric conversion element 30 with respect to the gap 20G of the core 20 is improved, and as a result, the current sensor 100 in which the characteristic fluctuation due to the disturbance magnetic field is reduced can be obtained. it can. Furthermore, also in this embodiment, since the guide part 18 is provided as a part of the resin case 10, the manufacturing process can be simplified and the positional accuracy of the guide part 18 can be improved.

また、ギャップ20G内に磁電変換素子30を挿入配置するにあたり、ガイド部18が弾性変形するので、ガイド部18に接触することで受ける磁電変換素子30の応力を低減することができる。   Further, since the guide portion 18 is elastically deformed when the magnetoelectric conversion element 30 is inserted and disposed in the gap 20G, the stress of the magnetoelectric conversion element 30 received by contacting the guide portion 18 can be reduced.

なお、本実施形態では、ガイド部18の平面形状を三角形とする例をしめしたが、平面形状は上記例に限定されるものではない。   In the present embodiment, an example in which the planar shape of the guide portion 18 is a triangle is shown, but the planar shape is not limited to the above example.

(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態を、図12及び図13に基づいて説明する。図12は、第3実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。図13は、図12に示す電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。
(Third embodiment)
Next, 3rd Embodiment of this invention is described based on FIG.12 and FIG.13. FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the current sensor according to the third embodiment. 13 is a cross-sectional view showing a substrate positioning step in the manufacturing process of the current sensor shown in FIG.

第3実施形態に係る電流センサ及びその製造方法は、上記各実施形態に示した電流センサ及びその製造方法と共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、上記実施形態に示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与するものとする。   Since the current sensor and its manufacturing method according to the third embodiment are in common with the current sensor and its manufacturing method shown in each of the above embodiments, detailed description of the common parts will be omitted below, and different parts will be emphasized. I will explain it. In addition, the same code | symbol shall be provided to the element same as the element shown to the said embodiment.

上記した各実施形態では、樹脂ケース10の一部として設けたガイド部18により、幅方向における磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置を、ギャップ20Gの略中央(中心線21c)とする例を示した。これに対し、本実施形態では、磁電変換素子30を構成する封止樹脂33にテーパ部33aを設けることで、幅方向における磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置を、ギャップ20Gの略中央(中心線21c)とする点を特徴とする。   In each of the embodiments described above, the position of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) in the width direction is set to the substantially center (center line 21c) of the gap 20G by the guide portion 18 provided as a part of the resin case 10. An example is shown. On the other hand, in the present embodiment, the taper portion 33a is provided in the sealing resin 33 constituting the magnetoelectric conversion element 30, so that the position of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) in the width direction is substantially the same as the gap 20G. It is characterized by a point that is the center (center line 21c).

図12に示すように、本実施形態においても、磁電変換素子30として、磁気センサチップ31とリード32とが電気的に接続され、磁気センサチップ31及び該磁気センサチップ31とリード32との接続部が封止樹脂33によって被覆されたモールドICを採用している。そして、封止樹脂33には、垂直方向において基板40から離れるほど幅方向における厚さが薄くされたテーパ部33aが設けられ、テーパ部33aにおけるテーパ状の外面の少なくとも一部が、両端面21と相対している。一例として、本実施形態では、図12に示すように、垂直方向において基板40から最も離れた部位から所定範囲に、すなわち磁電変換素子30のギャップ20Gへの挿入先端にテーパ部33aが設けられている。また、テーパ部33aにおいて、幅方向の樹脂厚が最も厚い部位(テーパ部33aにおける基板40に最も近い部位)の樹脂厚が、ギャップ20Gの幅より薄くなっており、テーパ部33a全体がギャップ20G内に挿入配置されている。そして、テーパ部33aにおけるテーパ状の外面全体が、両端面21と相対している。   As shown in FIG. 12, also in this embodiment, as the magnetoelectric conversion element 30, the magnetic sensor chip 31 and the lead 32 are electrically connected, and the magnetic sensor chip 31 and the connection between the magnetic sensor chip 31 and the lead 32 are connected. A mold IC whose part is covered with a sealing resin 33 is employed. The sealing resin 33 is provided with a taper portion 33a whose thickness in the width direction is reduced as it is farther from the substrate 40 in the vertical direction, and at least a part of the tapered outer surface of the taper portion 33a is formed at both end surfaces 21. It is relative to. As an example, in the present embodiment, as shown in FIG. 12, a tapered portion 33a is provided in a predetermined range from a portion farthest from the substrate 40 in the vertical direction, that is, at the insertion tip of the magnetoelectric transducer 30 into the gap 20G. Yes. Further, in the taper portion 33a, the resin thickness of the portion where the resin thickness in the width direction is the thickest (the portion closest to the substrate 40 in the taper portion 33a) is thinner than the width of the gap 20G, and the entire taper portion 33a is the gap 20G. It is inserted and placed inside. The entire tapered outer surface of the tapered portion 33 a is opposed to both end surfaces 21.

このようにテーパ部33aを有する磁電変換素子30を用いると、幅方向において、磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置がギャップ20Gの略中央(中心線21c)に対して一方の端面21側にずれていたとしても、磁電変換素子30は、封止樹脂33におけるテーパ部33aのテーパ面をいずれか一方の端面21における上端、すなわち端面21とコア20の上面(基板40との対向面)の角部22に接触させつつギャップ20Gの奥側へ挿入される。したがって、磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置を、ギャップGの略中央とすることができる。これにより、コア20が樹脂ケース10と一体成形された構成において、コア20のギャップ20Gに対する磁電変換素子30の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサ100とすることができる。   When the magnetoelectric conversion element 30 having the taper portion 33a is used in this way, the position of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) is one end face 21 with respect to the approximate center (center line 21c) of the gap 20G in the width direction. Even if it is shifted to the side, the magnetoelectric conversion element 30 has the taper surface of the taper portion 33a of the sealing resin 33 at the upper end of any one end surface 21, that is, the upper surface of the end surface 21 and the core 20 (the surface facing the substrate 40). ), And is inserted into the back side of the gap 20G. Therefore, the position of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) can be set to the approximate center of the gap G. Thus, in the configuration in which the core 20 is integrally formed with the resin case 10, the position accuracy of the magnetoelectric conversion element 30 with respect to the gap 20G of the core 20 is improved, and as a result, the current sensor 100 in which the characteristic fluctuation due to the disturbance magnetic field is reduced is obtained. Can do.

本実施形態では、幅方向において、ギャップ20Gの幅が3mm程度、磁電変換素子30におけるテーパ部33aの最も厚い部位の樹脂厚が2.8mm程度となっている。したがって、磁電変換素子30をギャップ20Gに挿入する際に、磁気センサチップ31がギャップ20Gの略中央(中心線21c)と略一致している場合には、いずれの角部22とも接触させずに、磁電変換素子30の位置を、ギャップ20Gの略中央とすることができる。   In the present embodiment, in the width direction, the width of the gap 20G is about 3 mm, and the resin thickness of the thickest portion of the tapered portion 33a in the magnetoelectric conversion element 30 is about 2.8 mm. Therefore, when inserting the magnetoelectric conversion element 30 into the gap 20G, if the magnetic sensor chip 31 is substantially coincident with the approximate center (center line 21c) of the gap 20G, the magnetic sensor chip 31 is not brought into contact with any corner portion 22. The position of the magnetoelectric conversion element 30 can be approximately the center of the gap 20G.

なお、本実施形態では、封止樹脂33のテーパ部33a全体が、ギャップ20G内に配置される例を示した。しかしながら、例えば図14に示すように、幅方向において、テーパ部33aにおけるテーパ状の外面が、磁気センサチップ31の厚さ方向の中心を中心線とした線対称の形状とし、テーパ部33aが両角部22に接触する構成としても良い。なお、図14に示す例では、垂直方向において、封止樹脂33全体がテーパ部33aとなっている。この場合、対称形状とされたテーパ部33aの外面が両角部22と接することで磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置が決定されるので、コア20のギャップ20Gに対する磁電変換素子30の位置精度をさらに向上することができる。図14は、電流センサの変形の概略構成を示す断面図である。   In the present embodiment, an example in which the entire taper portion 33a of the sealing resin 33 is disposed in the gap 20G is shown. However, for example, as shown in FIG. 14, in the width direction, the tapered outer surface of the taper portion 33a has a line-symmetric shape with the center in the thickness direction of the magnetic sensor chip 31 as the center line, and the taper portion 33a has both angles. It is good also as a structure which contacts the part 22. FIG. In the example shown in FIG. 14, the entire sealing resin 33 is a tapered portion 33 a in the vertical direction. In this case, the position of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) is determined by the outer surface of the tapered portion 33a having a symmetric shape being in contact with both corner portions 22, and therefore, the magnetoelectric conversion element 30 with respect to the gap 20G of the core 20 is determined. The position accuracy can be further improved. FIG. 14 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a modification of the current sensor.

(第4実施形態)
次に、本発明の第4実施形態を、図15及び図16に基づいて説明する。図15は、第4実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。図16は、図12に示す電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。
(Fourth embodiment)
Next, 4th Embodiment of this invention is described based on FIG.15 and FIG.16. FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a current sensor according to the fourth embodiment. 16 is a cross-sectional view showing a substrate positioning step in the manufacturing process of the current sensor shown in FIG.

第4実施形態に係る電流センサ及びその製造方法は、上記各実施形態に示した電流センサ及びその製造方法と共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、上記実施形態に示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与するものとする。   Since the current sensor and the manufacturing method thereof according to the fourth embodiment are in common with the current sensor and the manufacturing method shown in each of the above embodiments, detailed descriptions of the common parts are omitted below, and different parts are emphasized. I will explain it. In addition, the same code | symbol shall be provided to the element same as the element shown to the said embodiment.

第1実施形態及び第2実施形態では、コア20の両端面21に対をなすガイド部18を設ける例を示した。これに対し、本実施形態では、例えば図15に示すように、樹脂ケース10の一部として、コア20の両端面21のうちの一方のみに所定厚さのガイド部18が設けられている。そして、磁電変換素子30が、幅方向において、ガイド部18における端面21との接触面の裏面と接触されている点を特徴とする。   In 1st Embodiment and 2nd Embodiment, the example which provides the guide part 18 which makes a pair in the both end surfaces 21 of the core 20 was shown. On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 15, for example, as a part of the resin case 10, a guide portion 18 having a predetermined thickness is provided only on one of both end faces 21 of the core 20. The magnetoelectric conversion element 30 is characterized in that it is in contact with the back surface of the contact surface with the end surface 21 of the guide portion 18 in the width direction.

図15に示す例では、ガイド部18を設けた側の端面21及びその近傍部位が樹脂ケース10によって被覆されている。そして、ガイド部18は、角部22を含み、コア20の上面から端面21にかけて形成されている。なお、幅方向におけるテーパ面18aの長さは、第1実施形態で示した磁電変換素子30の幅方向における位置ばらつきの要因が生じても、基板40の位置決め時において磁電変換素子30(封止樹脂33)が接触するように所定の長さに設定されている。また、本実施形態においても、テーパ面18aに平行面18bが連結されており、幅方向において、ガイド部18における平行面18bを表面とする部位の樹脂厚が、該樹脂厚と、磁電変換素子30における磁気センサチップ31の中心から封止樹脂33の表面までの厚さの和が、端面21から中心線21cまでの距離と略一致するように設定されている。そして、ガイド部18における平行面18bに磁電変換素子30の封止樹脂33が接触されている。   In the example shown in FIG. 15, the end surface 21 on the side where the guide portion 18 is provided and the vicinity thereof are covered with the resin case 10. The guide portion 18 includes a corner portion 22 and is formed from the upper surface of the core 20 to the end surface 21. Note that the length of the taper surface 18a in the width direction is not limited to the magnetoelectric conversion element 30 (sealing) at the time of positioning the substrate 40, even if the cause of position variation in the width direction of the magnetoelectric conversion element 30 shown in the first embodiment occurs. The resin 33) is set to a predetermined length so as to come into contact. Also in this embodiment, the parallel surface 18b is connected to the tapered surface 18a, and the resin thickness of the portion of the guide portion 18 with the parallel surface 18b as the surface in the width direction is equal to the resin thickness and the magnetoelectric conversion element. 30 is set so that the sum of the thickness from the center of the magnetic sensor chip 31 to the surface of the sealing resin 33 substantially matches the distance from the end face 21 to the center line 21c. The sealing resin 33 of the magnetoelectric conversion element 30 is in contact with the parallel surface 18 b of the guide portion 18.

このような電流センサ100は、例えば以下に示す製造方法により形成することができる。先ず、コア20が一体成形され、コア20の端面21の一方に接する上記した構成のガイド部18を備えた樹脂ケース10を準備する。また、図16に示すように、リード32が、基板40の表面40a側における折曲部32aにて、リード32が垂直方向に対して折曲され、封止樹脂33によって被覆された磁電変換素子30における平板状の部位(換言すれば磁気センサチップ31)が、垂直方向に対してガイド部18を設けた側に所定角度傾いた状態とされた基板40を準備する。このような基板40は、磁電変換素子30を基板40に実装する前にリード32を折曲するか、若しくは、基板40に実装された状態で、リード32を折曲することで形成することで得ることができる。なお、磁電変換素子30における平板状の部位(磁気センサチップ31)の、垂直方向に対してなす角度(傾き角度)は、磁電変換素子30の幅方向における位置ばらつきの要因が生じても、上記したテーパ面18aに磁電変換素子30が接触するように設定される。   Such a current sensor 100 can be formed by, for example, a manufacturing method described below. First, the resin case 10 including the guide portion 18 having the above-described configuration in which the core 20 is integrally formed and is in contact with one end surface 21 of the core 20 is prepared. Further, as shown in FIG. 16, the magnetoresistive conversion element in which the lead 32 is bent with respect to the vertical direction at the bent portion 32 a on the surface 40 a side of the substrate 40 and is covered with the sealing resin 33. A substrate 40 is prepared in which a flat plate portion 30 (in other words, the magnetic sensor chip 31) is inclined at a predetermined angle to the side where the guide portion 18 is provided with respect to the vertical direction. Such a substrate 40 is formed by bending the leads 32 before mounting the magnetoelectric conversion element 30 on the substrate 40 or by bending the leads 32 while being mounted on the substrate 40. Can be obtained. The angle (inclination angle) of the flat portion (magnetic sensor chip 31) in the magnetoelectric conversion element 30 with respect to the vertical direction is the above even if there is a cause of positional variation in the width direction of the magnetoelectric conversion element 30. The magnetoelectric conversion element 30 is set in contact with the tapered surface 18a.

そして、準備した基板40と樹脂ケース10を用い、樹脂ケース10に基板40を位置決め固定する。本実施形態では、第1スルーホール41を端子17が挿通し、図示しないスルーホールを支持ピン16が挿通するように、下方に基板40を移動させる。このとき、上記した傾き角度とテーパ面18aの設定により、磁電変換素子30はガイド部18のテーパ面18aに接触する。そして、さらに基板40を下方に移動させると、折曲部32aにて折曲されたリード32にばね性が付与されているので、磁電変換素子30は、テーパ面18aに接触しつつギャップ20Gの奥側へ挿入され、ガイド部18における平行面18bに接触される。また、リード32は、磁電変換素子30がギャップ20Gの略中央に近づくにつれて折曲を解消する方向に変形し、これにより、磁電変換素子30における平板状の部位が平行面18bに接触される。ガイド部18における平行面18bを表面とする部位の樹脂厚は、上記した所定厚さとなっており、この接触状態で、磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置を、ギャップ20Gの略中央(中心線21c)とすることができる。   Then, using the prepared substrate 40 and the resin case 10, the substrate 40 is positioned and fixed to the resin case 10. In the present embodiment, the substrate 40 is moved downward so that the terminal 17 passes through the first through hole 41 and the support pin 16 passes through the through hole (not shown). At this time, the magnetoelectric conversion element 30 comes into contact with the tapered surface 18a of the guide portion 18 by setting the inclination angle and the tapered surface 18a. When the substrate 40 is further moved downward, spring properties are imparted to the leads 32 bent at the bent portion 32a, so that the magnetoelectric conversion element 30 is in contact with the taper surface 18a and the gap 20G. It is inserted into the back side and is brought into contact with the parallel surface 18b of the guide portion 18. Further, the lead 32 is deformed in a direction in which bending is eliminated as the magnetoelectric conversion element 30 approaches the approximate center of the gap 20G, and thereby, a flat portion of the magnetoelectric conversion element 30 is brought into contact with the parallel surface 18b. The resin thickness of the portion of the guide portion 18 having the parallel surface 18b as the surface is the above-described predetermined thickness, and in this contact state, the position of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) is set substantially at the center of the gap 20G. (Center line 21c).

このように本実施形態によれば、樹脂ケース10の一部として、所定厚さのガイド部18を、ギャップ20Gを構成するコア20の両端面21のうち、一方の端面21のみに接して設けている。そして、磁電変換素子30を、ガイド部18の平行面18bに接触させている。すなわち、幅方向において、所定厚さのガイド部18を介して、磁電変換素子30がガイド部18を設けた端面21に接触されている。したがって、ガイド部18を設けた端面21を基準として、磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置をギャップ20Gの略中央(中心線21c)とすることができる。これにより、コア20が樹脂ケース10と一体成形された構成において、コア20のギャップ20Gに対する磁電変換素子30の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサ100とすることができる。   As described above, according to the present embodiment, as a part of the resin case 10, the guide portion 18 having a predetermined thickness is provided in contact with only one end face 21 of the both end faces 21 of the core 20 constituting the gap 20G. ing. The magnetoelectric conversion element 30 is brought into contact with the parallel surface 18 b of the guide portion 18. That is, in the width direction, the magnetoelectric conversion element 30 is in contact with the end surface 21 provided with the guide portion 18 via the guide portion 18 having a predetermined thickness. Therefore, the position of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) can be set to the approximate center (center line 21c) of the gap 20G with the end face 21 provided with the guide portion 18 as a reference. Thus, in the configuration in which the core 20 is integrally formed with the resin case 10, the position accuracy of the magnetoelectric conversion element 30 with respect to the gap 20G of the core 20 is improved, and as a result, the current sensor 100 in which the characteristic fluctuation due to the disturbance magnetic field is reduced is obtained. Can do.

また、このような電流センサ100を、基板40を下方に移動させることのみよって得ることができる。さらには、樹脂ケース10の一部としてガイド部18を設けるので、製造工程を簡素化するとともに、ガイド部18の位置精度を向上することができる。   Further, such a current sensor 100 can be obtained only by moving the substrate 40 downward. Furthermore, since the guide part 18 is provided as a part of the resin case 10, the manufacturing process can be simplified and the positional accuracy of the guide part 18 can be improved.

なお、上記した電流センサ100と基本構成が同じ電流センサ100を別の製造方法により形成することもできる。例えば図17に示す電流センサ100は、図15に示した電流センサ100と、ほぼ同じ構成となっている。異なる点は、ガイド部18がコア20における端面21のみを被覆する柱状とされ、端面21の上端と略一致するガイド部18の上端から所定範囲がテーパ面18aとなっている。   Note that the current sensor 100 having the same basic configuration as the above-described current sensor 100 can be formed by another manufacturing method. For example, the current sensor 100 shown in FIG. 17 has substantially the same configuration as the current sensor 100 shown in FIG. The difference is that the guide portion 18 has a columnar shape that covers only the end surface 21 of the core 20, and a predetermined range from the upper end of the guide portion 18 that substantially coincides with the upper end of the end surface 21 is a tapered surface 18 a.

図17に示す電流センサ100を形成するには、上記同様、コア20が一体成形され、コア20の端面21の一方に接するガイド部18を備えた樹脂ケース10を準備する。また、図18に示すようにリード32の折曲されていない基板40を準備する。そして、図18に示すように、第1スルーホール41を端子17が挿通し、図示しないスルーホールを支持ピン16が挿通するように、例えば基板40を少なくとも下方に移動させて、磁電変換素子30(封止樹脂33)をギャップ20G内におけるガイド部18を除く領域に配置する。この時点で、基板40の表面40aが支持ピン16の拡径部16aに接触された状態となる。次に、図19に示すように、磁電変換素子30(封止樹脂33)がガイド部18の平行面18bに接触することで移動が止まるまで、磁電変換素子30がガイド部18に近づくように幅方向に例えば基板40を移動させ、磁電変換素子30を位置決めする。すなわち、磁電変換素子30をガイド部18に当て止めする。上記同様、ガイド部18における平行面18bを表面とする部位の樹脂厚は所定厚さとなっており、この接触状態で、磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置を、ギャップ20Gの略中央(中心線21c)とすることができる。   In order to form the current sensor 100 shown in FIG. 17, the resin case 10 including the guide portion 18 in which the core 20 is integrally formed and is in contact with one of the end surfaces 21 of the core 20 is prepared as described above. Further, as shown in FIG. 18, a substrate 40 in which the leads 32 are not bent is prepared. Then, as shown in FIG. 18, for example, the substrate 40 is moved at least downward so that the terminal 17 is inserted through the first through hole 41 and the support pin 16 is inserted through the through hole (not shown). (Sealing resin 33) is arranged in a region excluding the guide portion 18 in the gap 20G. At this point, the surface 40a of the substrate 40 is in contact with the enlarged diameter portion 16a of the support pin 16. Next, as shown in FIG. 19, the magnetoelectric conversion element 30 approaches the guide part 18 until the movement stops when the magnetoelectric conversion element 30 (sealing resin 33) contacts the parallel surface 18 b of the guide part 18. For example, the substrate 40 is moved in the width direction, and the magnetoelectric conversion element 30 is positioned. That is, the magnetoelectric conversion element 30 is stopped against the guide portion 18. Similarly to the above, the resin thickness of the portion of the guide portion 18 having the parallel surface 18b as the surface is a predetermined thickness, and in this contact state, the position of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) is set to the approximate center of the gap 20G. (Center line 21c).

このように2段階の移動によって、磁電変換素子を、ガイド部における端面との接触面の裏面に接触させることによっても、図15や図17に示す電流センサ100を形成することができる。この場合、リード32の折曲を不要とすることができる。また、2段階の移動を用いた製造方法によれば、テーパ面18aを有さないガイド部18を採用することもできる。しかしながら、ギャップ20G内にガイド部18を設けるので、ガイド部18の基板側上部に磁電変換素子30が接触することも考えると、テーパ面18aを有する構成とすることが好ましい。図17は、電流センサの変形例の概略構成を示す断面図である。図18及び図19は、図17に示す電流センサの製造工程のうち、基板位置決め工程を示す断面図である
(第5実施形態)
次に、本発明の第5実施形態を、図20〜図22に基づいて説明する。図20は、第5実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。図21及び図22は、図20に示す電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。
Thus, the current sensor 100 shown in FIGS. 15 and 17 can also be formed by bringing the magnetoelectric conversion element into contact with the back surface of the contact surface with the end surface of the guide portion by two-stage movement. In this case, bending of the lead 32 can be made unnecessary. Further, according to the manufacturing method using the two-stage movement, the guide portion 18 that does not have the tapered surface 18a can be employed. However, since the guide portion 18 is provided in the gap 20G, considering that the magnetoelectric conversion element 30 is in contact with the upper portion of the guide portion 18 on the substrate side, it is preferable to have a tapered surface 18a. FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a modification of the current sensor. 18 and 19 are sectional views showing a substrate positioning step in the manufacturing process of the current sensor shown in FIG. 17 (fifth embodiment).
Next, 5th Embodiment of this invention is described based on FIGS. FIG. 20 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the current sensor according to the fifth embodiment. 21 and 22 are sectional views showing a substrate positioning step in the manufacturing process of the current sensor shown in FIG.

第5実施形態に係る電流センサ及びその製造方法は、上記各実施形態に示した電流センサ及びその製造方法と共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、上記実施形態に示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与するものとする。   Since the current sensor and the manufacturing method thereof according to the fifth embodiment are in common with the current sensor and the manufacturing method thereof described in the above embodiments, detailed descriptions of the common parts are omitted below, and different parts are emphasized. I will explain it. In addition, the same code | symbol shall be provided to the element same as the element shown to the said embodiment.

第4実施形態では、一方の端面21上に設けた所定厚さのガイド部18に磁電変換素子30を接触させることで、磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置が、ギャップ20Gの略中央(中心線21c)とされている例を示した。これに対し、本実施形態では、例えば図20に示すように、磁気センサチップ31を被覆する封止樹脂33を、幅方向において、磁気センサチップ31の一面上の厚さが該一面の裏面上の厚さよりも厚い所定厚さとしている。詳しくは、磁気センサチップ31の一面上に位置する封止樹脂33の表面から磁気センサチップ31の中心までの厚さが、端面21から中心線21cまでの距離と略一致するように設定されている。そして、封止樹脂33における厚い側の外面を当接面としてコア20の端面21の一方に磁電変換素子30を接触させることで、磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置が、ギャップ20Gの略中央(中心線21c)とされている点を特徴とする。   In the fourth embodiment, the magnetoelectric conversion element 30 is brought into contact with the guide portion 18 having a predetermined thickness provided on the one end face 21, so that the position of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) is substantially the gap 20G. An example of the center (center line 21c) is shown. On the other hand, in this embodiment, for example, as shown in FIG. 20, the sealing resin 33 covering the magnetic sensor chip 31 has a thickness on one surface of the magnetic sensor chip 31 on the back surface of the one surface in the width direction. The predetermined thickness is greater than the thickness. Specifically, the thickness from the surface of the sealing resin 33 located on one surface of the magnetic sensor chip 31 to the center of the magnetic sensor chip 31 is set so as to substantially match the distance from the end surface 21 to the center line 21c. Yes. Then, the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) is positioned at the gap 20G by bringing the magnetoelectric conversion element 30 into contact with one of the end faces 21 of the core 20 with the outer surface on the thick side of the sealing resin 33 as a contact surface. This is characterized in that it is approximately at the center (center line 21c).

このような電流センサ100は、例えば以下の製造方法によって形成することができる。先ず、コア20が一体成形された樹脂ケース10を準備する。また、表面40a側に磁電変換素子30が実装された基板40を準備する。このとき、図20に示すように、幅方向における封止樹脂33の樹脂厚が、磁気センサチップ31の一面上とその裏面上とで異なり、一面上の方が厚い所定厚さとされた磁電変換素子30を用いる。このような磁電変換素子30は、トランスファーモールド法において用いる金型を調整することで得ることができる。   Such a current sensor 100 can be formed by the following manufacturing method, for example. First, the resin case 10 in which the core 20 is integrally formed is prepared. Moreover, the board | substrate 40 with which the magnetoelectric conversion element 30 was mounted in the surface 40a side is prepared. At this time, as shown in FIG. 20, the resin thickness of the sealing resin 33 in the width direction is different between the one surface of the magnetic sensor chip 31 and the back surface thereof, and the magnetoelectric conversion has a predetermined thickness that is thicker on the one surface. Element 30 is used. Such a magnetoelectric conversion element 30 can be obtained by adjusting a mold used in the transfer molding method.

そして、準備した基板40と樹脂ケース10を用い、樹脂ケース10に基板40を位置決め固定する。先ず図21に示すように、第1スルーホール41を端子17が挿通し、図示しないスルーホールを支持ピン16が挿通するように、例えば基板40を少なくとも下方に移動させて、磁電変換素子30(封止樹脂33)をギャップ20G内に配置する。この時点で、基板40の表面40aが支持ピン16の拡径部16aに接触された状態となる。次に、図22に示すように、磁電変換素子30における封止樹脂33の厚い側の表面が一方の端面21に接触することで移動が止まるまで、磁電変換素子30が端面21に近づくように幅方向に例えば基板40を移動させ、磁電変換素子30を位置決めする。すなわち、磁電変換素子30を端面21に当て止めする。上記したように、磁気センサチップ31の一面上における封止樹脂33の厚さは所定厚さとなっており、この接触状態で、磁電変換素子30(磁気センサチップ31)の位置を、ギャップ20Gの略中央(中心線21c)とすることができる。   Then, using the prepared substrate 40 and the resin case 10, the substrate 40 is positioned and fixed to the resin case 10. First, as shown in FIG. 21, for example, the substrate 40 is moved at least downward so that the terminal 17 is inserted through the first through hole 41 and the support pin 16 is inserted through the through hole (not shown). The sealing resin 33) is arranged in the gap 20G. At this point, the surface 40a of the substrate 40 is in contact with the enlarged diameter portion 16a of the support pin 16. Next, as shown in FIG. 22, the magnetoelectric conversion element 30 approaches the end face 21 until the movement stops when the thicker surface of the sealing resin 33 in the magnetoelectric conversion element 30 comes into contact with the one end face 21. For example, the substrate 40 is moved in the width direction, and the magnetoelectric conversion element 30 is positioned. That is, the magnetoelectric conversion element 30 is stopped against the end face 21. As described above, the thickness of the sealing resin 33 on one surface of the magnetic sensor chip 31 is a predetermined thickness, and in this contact state, the position of the magnetoelectric conversion element 30 (magnetic sensor chip 31) is set to the gap 20G. The center can be substantially the center (center line 21c).

このように本実施形態によれば、磁電変換素子30としてのモールドICを構成する封止樹脂33において、磁気センサチップ31の一面上の厚さを、該一面の裏面上の厚さよりも厚い所定厚さとしている。そして、磁電変換素子30を、封止樹脂33における厚い側の外面を当接面として、コア20の端面21の一方に接触させている。したがって、端面21を基準とし、所定厚さの封止樹脂33を介して、磁気センサチップ31をギャップ20Gの略中央とすることができる。これにより、コア20が樹脂ケース10と一体成形された構成において、コア20のギャップ20Gに対する磁電変換素子30の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサ100とすることができる。   Thus, according to the present embodiment, in the sealing resin 33 constituting the mold IC as the magnetoelectric conversion element 30, the thickness on one surface of the magnetic sensor chip 31 is larger than the thickness on the back surface of the one surface. Thickness. The magnetoelectric conversion element 30 is brought into contact with one of the end surfaces 21 of the core 20 with the outer surface on the thick side of the sealing resin 33 as the contact surface. Therefore, the magnetic sensor chip 31 can be set to the approximate center of the gap 20G with the end surface 21 as a reference and the sealing resin 33 having a predetermined thickness. As a result, in the configuration in which the core 20 is integrally formed with the resin case 10, the position accuracy of the magnetoelectric conversion element 30 with respect to the gap 20G of the core 20 is improved, and as a result, the current sensor 100 in which characteristic fluctuation due to a disturbance magnetic field is reduced Can do.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

第1実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the current sensor which concerns on 1st Embodiment. 図1に示す電流センサの平面図であり、蓋のない状態を示している。It is a top view of the current sensor shown in FIG. 1, and shows a state without a lid. 図1に示す電流センサの平面図であり、蓋及び基板のない状態を示している。It is a top view of the current sensor shown in FIG. 1, and shows a state without a lid and a substrate. 図1に示す電流センサの製造工程のうち、ケース準備工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a case preparation process among the manufacturing processes of the current sensor shown in FIG. 電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the positioning process of a board | substrate among the manufacturing processes of an electric current sensor. 電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the positioning process of a board | substrate among the manufacturing processes of an electric current sensor. コアのギャップに対する磁電変換素子の位置と外乱磁界との関係を模式的に示した平面図である。It is the top view which showed typically the relationship between the position of the magnetoelectric conversion element with respect to the gap of a core, and a disturbance magnetic field. 磁電変換素子の位置ずれと外乱磁界により生じる誤差電流との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the position shift of a magnetoelectric conversion element, and the error electric current produced by a disturbance magnetic field. 電流センサの変形例の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the modification of a current sensor. 第2実施形態に係る電流センサにおいて、磁電変換素子が配置される前のガイド部周辺を示す平面図である。In the current sensor which concerns on 2nd Embodiment, it is a top view which shows the guide part periphery before a magnetoelectric conversion element is arrange | positioned. 第2実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the current sensor which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the current sensor which concerns on 3rd Embodiment. 図12に示す電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the positioning process of a board | substrate among the manufacturing processes of the current sensor shown in FIG. 電流センサの変形例の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the modification of a current sensor. 第4実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the current sensor which concerns on 4th Embodiment. 図12に示す電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the positioning process of a board | substrate among the manufacturing processes of the current sensor shown in FIG. 電流センサの変形例の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the modification of a current sensor. 図17に示す電流センサの製造工程のうち、基板位置決め工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a board | substrate positioning process among the manufacturing processes of the current sensor shown in FIG. 図17に示す電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the positioning process of a board | substrate among the manufacturing processes of the current sensor shown in FIG. 第6実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the current sensor which concerns on 6th Embodiment. 図20に示す電流センサの製造工程のうち、基板位置決め工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a board | substrate positioning process among the manufacturing processes of the current sensor shown in FIG. 図20に示す電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the positioning process of a board | substrate among the manufacturing processes of the current sensor shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10・・・樹脂ケース
11・・・収容部
18・・・ガイド部
18a・・・テーパ面
18b・・・平行面
20・・・コア
20G・・・ギャップ
21・・・端面
21c・・・中心線
30・・・磁電変換素子
31・・・磁気センサチップ
32・・・リード
33・・・封止樹脂
33a・・・テーパ部
40・・・基板
40a・・・表面
100・・・電流センサ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Resin case 11 ... Storage part 18 ... Guide part 18a ... Tapered surface 18b ... Parallel surface 20 ... Core 20G ... Gap 21 ... End surface 21c ... Center Wire 30 ... Magnetoelectric transducer 31 ... Magnetic sensor chip 32 ... Lead 33 ... Sealing resin 33a ... Tapered portion 40 ... Substrate 40a ... Surface 100 ... Current sensor

Claims (7)

互いに略平行とされた両端面間に所定幅のギャップを有するリング形状のコアが樹脂ケースと一体成形され、前記樹脂ケースの収容部内に前記ギャップの少なくとも一部が露出されるとともに、表面側に磁電変換素子が実装された基板が前記収容部内に収容されて前記ギャップ上に配置され、前記ギャップ内に前記磁電変換素子が配置された電流センサであって、
前記樹脂ケースは、前記コアの両端面のうち、一方の前記端面のみとそれぞれ接する対をなしたガイド部を有し、
前記ガイド部は、前記コアの厚さ方向において、前記基板から離れるほど相対する他方の前記端面との対向距離が短いテーパ面を有し、
前記ガイド部において、前記テーパ面における前記基板と最も離れた下端部位は、前記端面と略平行とされるとともに、少なくとも前記厚さ方向における前記基板側の端部から前記下端部位までの間で前記対向距離の最も短い部位とされ、前記下端部位における前記端面からの厚さは、対をなす前記ガイド部で互いに略等しくされており、
前記磁電変換素子は、前記ギャップの幅方向において、対をなした前記ガイド部における両テーパ面と相対していることを特徴とする電流センサ。
A ring-shaped core having a gap of a predetermined width between both end faces that are substantially parallel to each other is integrally formed with the resin case, and at least a part of the gap is exposed in the housing portion of the resin case, and on the surface side. A substrate on which a magnetoelectric conversion element is mounted is housed in the housing portion and disposed on the gap, and the current sensor includes the magnetoelectric conversion element disposed in the gap,
The resin case has a pair of guide portions that are in contact with only one of the end faces of the both end faces of the core,
The guide portion has a tapered surface with a short facing distance from the other end surface facing away from the substrate in the thickness direction of the core,
In the guide portion, a lower end portion farthest from the substrate in the tapered surface is substantially parallel to the end surface, and at least between the end portion on the substrate side in the thickness direction and the lower end portion. It is a part with the shortest facing distance, and the thickness from the end face in the lower end part is substantially equal to each other in the pair of guide parts,
The magnetoelectric conversion element is opposed to both tapered surfaces of the pair of guide portions in the width direction of the gap.
対をなした前記ガイド部は、前記テーパ面の下端部位と連結し、前記端面と略平行な平行面をそれぞれ有し、
各端面と接する前記ガイド部における前記下端部位間の対向距離が前記磁電変換素子の幅よりも広くされ、
前記磁電変換素子は、前記ギャップの幅方向において、対をなした前記ガイド部における両テーパ面及び前記両平行面と相対していることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。
The pair of guide portions are connected to a lower end portion of the tapered surface, and each has a parallel surface substantially parallel to the end surface,
The facing distance between the lower end portions of the guide portion in contact with each end face is wider than the width of the magnetoelectric conversion element,
2. The current sensor according to claim 1, wherein the magnetoelectric conversion element is opposed to both the tapered surfaces and the two parallel surfaces of the pair of guide portions in the width direction of the gap.
前記ギャップの幅方向において、対をなした前記ガイド部におけるテーパ面は、前記コアの両端面間の中心線に対して線対称の形状とされ、
各端面と接する前記ガイド部における前記下端部位間の対向距離が前記磁電変換素子の幅よりも狭くされ、
前記磁電変換素子は、対をなした前記ガイド部における両テーパ面と接触されていることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。
In the width direction of the gap, the tapered surfaces of the pair of guide portions are symmetrical with respect to the center line between both end surfaces of the core,
The facing distance between the lower end portions in the guide portion that contacts each end face is narrower than the width of the magnetoelectric conversion element,
The current sensor according to claim 1, wherein the magnetoelectric conversion element is in contact with both tapered surfaces of the pair of guide portions.
各端面と接する前記ガイド部における前記下端部位間の対向距離が、前記磁電変換素子が配置されない状態で、前記磁電変換素子の幅よりも狭くされ、
前記磁電変換素子は、弾性変形された各ガイド部と接触され、前記ギャップ内に圧入配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。
The facing distance between the lower end portions of the guide portion in contact with each end face is narrower than the width of the magnetoelectric conversion element in a state where the magnetoelectric conversion element is not disposed,
The current sensor according to claim 1, wherein the magnetoelectric conversion element is in contact with each elastically deformed guide portion and press-fitted and disposed in the gap.
互いに略平行とされた両端面間に所定幅のギャップを有するリング形状のコアが樹脂ケースと一体成形され、前記樹脂ケースの収容部内に前記ギャップの少なくとも一部が露出されるとともに、表面側に磁電変換素子が実装された基板が前記収容部内に収容されて前記ギャップ上に配置され、前記ギャップ内に前記磁電変換素子が配置された電流センサであって、
前記樹脂ケースの一部として、前記コアの両端面のうち、一方の前記端面のみと接する所定厚さのガイド部が設けられ、
前記磁電変換素子は、前記ギャップの幅方向において、前記ガイド部における前記端面との接触面の裏面と接触されていることを特徴とする電流センサ。
A ring-shaped core having a gap of a predetermined width between both end faces that are substantially parallel to each other is integrally formed with the resin case, and at least a part of the gap is exposed in the housing portion of the resin case, and on the surface side. A substrate on which a magnetoelectric conversion element is mounted is housed in the housing portion and disposed on the gap, and the current sensor includes the magnetoelectric conversion element disposed in the gap,
As a part of the resin case, a guide portion having a predetermined thickness that is in contact with only one of the end faces of the both end faces of the core is provided,
The magnetoelectric conversion element is in contact with the back surface of the contact surface with the end surface of the guide portion in the width direction of the gap.
表面側に磁電変換素子が実装された基板を準備する基板準備工程と、
互いに略平行とされた両端面間に所定幅のギャップを有するリング形状のコアが一体成形され、収容部内に前記ギャップの少なくとも一部が露出された樹脂ケースを準備するケース準備工程と、
前記コアのギャップに前記磁電変換素子が位置するように、前記基板を前記収容部内における前記コア上に位置決めして配置し、位置決めした状態で前記基板を前記樹脂ケースに固定する固定工程と、を備える電流センサの製造方法であって、
前記ケース準備工程では、前記コアの両端面のうち、一方の前記端面のみと接する所定厚さのガイド部を有する前記樹脂ケースを準備し、
前記固定工程では、前記磁電変換素子を前記ギャップ内に配置し、その後、前記磁電変換素子が前記ガイド部における前記端面との接触面の裏面に接触することで移動が止まるまで、前記磁電変換素子が前記ガイド部に近づくように前記ギャップの幅方向に前記基板若しくは前記樹脂ケースを移動させ、前記磁電変換素子を位置決めすることを特徴とする電流センサの製造方法。
A substrate preparation step of preparing a substrate on which a magnetoelectric conversion element is mounted on the surface side;
A case preparation step of preparing a resin case in which a ring-shaped core having a gap of a predetermined width is formed between both end faces that are substantially parallel to each other, and at least a part of the gap is exposed in the housing portion;
A fixing step of positioning the substrate on the core in the housing portion so that the magnetoelectric conversion element is positioned in the gap of the core, and fixing the substrate to the resin case in the positioned state; A method of manufacturing a current sensor comprising:
In the case preparation step, the resin case having a guide portion with a predetermined thickness in contact with only one of the end faces of the both end faces of the core is prepared,
In the fixing step, the magnetoelectric conversion element is arranged in the gap, and then the magnetoelectric conversion element is moved until the magnetoelectric conversion element comes into contact with the back surface of the contact surface with the end surface of the guide portion until movement stops. A method of manufacturing a current sensor, comprising: moving the substrate or the resin case in a width direction of the gap so as to approach the guide portion, and positioning the magnetoelectric conversion element.
磁気センサチップとリードとが電気的に接続され、前記磁気センサチップ及び該磁気センサチップと前記リードとの接続部が封止樹脂により被覆されたモールドICを磁電変換素子とし、前記リードがスルーホールに挿入されて該スルーホール周辺に形成されたランドとはんだ接合されてなる、表面側に前記磁電変換素子が実装された基板を準備する基板準備工程と、
互いに略平行とされた両端面間に所定幅のギャップを有するリング形状のコアが一体成形され、収容部内に前記ギャップの少なくとも一部が露出された樹脂ケースを準備するケース準備工程と、
前記コアのギャップに前記磁電変換素子の磁気センサチップが位置するように、前記基板を前記収容部内における前記コア上に位置決めして配置し、位置決めした状態で前記基板を前記樹脂ケースに固定する固定工程と、を備える電流センサの製造方法であって、
前記基板準備工程では、表面側において、前記リードが前記基板の厚さ方向に対して傾いた状態に折曲された前記基板を準備し、
前記ケース準備工程では、前記コアにおける両端面のうちの一方と該端面に連結された前記基板との対向面とに接しつつ、前記端面と前記対向面との角部に、前記コアの厚さ方向において前記基板から離れるほど他方の前記端面との対向距離が短いテーパ面を備えるとともに、前記端面と接する部位が所定厚さとされたガイド部を有する前記樹脂ケースを準備し、
前記固定工程では、前記コアの厚さ方向において、前記テーパ面に前記磁電変換素子を接触させつつ前記基板の表面を前記コアに近づけ、前記ガイド部における前記端面との接触面の裏面に前記磁電変換素子を接触させて位置決めすることを特徴とする電流センサの製造方法。
A magnetic sensor chip and a lead are electrically connected, and the magnetic sensor chip and a mold IC in which a connection portion between the magnetic sensor chip and the lead is covered with a sealing resin is used as a magnetoelectric conversion element, and the lead is a through hole. A substrate preparing step of preparing a substrate on which the magnetoelectric conversion element is mounted on the surface side, which is inserted into the land and solder-bonded to a land formed around the through hole;
A case preparation step of preparing a resin case in which a ring-shaped core having a gap of a predetermined width is formed between both end faces that are substantially parallel to each other, and at least a part of the gap is exposed in the housing portion;
The substrate is positioned and arranged on the core in the housing portion so that the magnetic sensor chip of the magnetoelectric conversion element is positioned in the gap of the core, and the substrate is fixed to the resin case in the positioned state. A process for producing a current sensor comprising:
In the substrate preparation step, on the front surface side, the lead is prepared by bending the lead to be inclined with respect to the thickness direction of the substrate,
In the case preparing step, the thickness of the core is formed at a corner of the end surface and the facing surface while contacting one of both end surfaces of the core and the facing surface of the substrate connected to the end surface. Preparing the resin case having a taper surface whose opposing distance to the other end surface is shorter as it is farther from the substrate in the direction, and having a guide portion in which a portion in contact with the end surface has a predetermined thickness;
In the fixing step, in the thickness direction of the core, the surface of the substrate is brought close to the core while bringing the magnetoelectric conversion element into contact with the tapered surface, and the magnetoelectric element is placed on the back surface of the contact surface with the end surface of the guide portion. A method of manufacturing a current sensor, wherein the conversion element is contacted and positioned.
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