JP5080124B2

JP5080124B2 - 表示装置

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Publication number: JP5080124B2
Application number: JP2007117844A
Authority: JP
Inventors: 邦彦渡辺
Original assignee: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd
Current assignee: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd
Priority date: 2007-04-27
Filing date: 2007-04-27
Publication date: 2012-11-21
Anticipated expiration: 2027-04-27
Also published as: JP2008275801A

Description

本発明は表示装置に係り、その画素に透明導電膜の電極を備える表示装置に関する。

たとえば液晶表示装置は、液晶を介して対向配置される一対のたとえばガラスからなる基板を外囲器とし、これら基板の液晶側の面にマトリックス状に配置された画素を有している。

これら各画素が配置された領域は液晶表示領域となり、該各画素のそれぞれに独立に電界を発生させ、この電界の強度に応じて当該画素の液晶の分子を挙動させ、該液晶の光透過量を制御させるようにしている。

そして、前記各画素には一対の電極が備えられ、これら各画素に前記各電極に印加される電位の差に応じた強度の電界を発生せしめている。

ここで、前記各電極は、一方において基準となる電位が印加される電極（以下、対向電極と称する場合がある）として機能し、他方において輝度（階調）情報に応じた電位が印加される電極（以下、画素電極と称する場合がある）として機能するようになっている。

この場合、たとえば、背面にバックライトを備えるものであって、各画素において、一方の基板の液晶側の面に画素電極を、他方の基板の液晶側の面に対向電極を備える液晶表示装置（縦電界方式と称される場合がある）は、前記各電極のいずれも透明導電膜で構成する必要がある。バックライトからの光を、前記各電極のうちの一方の電極、液晶、前記各電極のうちの他方の電極と透過させなければならないからである。

また、同様に背面にバックライトを備えるものであって、各画素において、一方の基板の液晶側の面に画素電極と対向電極を備える液晶表示装置（横電界方式と称される場合がある）は、前記各電極を櫛歯状に形成し、それらを離間させて噛合するように配置させた場合、必ずしも透明導電膜で構成する必要はないが、透明導電膜で構成することによって画素の大幅な光透過率の向上を図ることができる。

また、横電界方式の一形態で、いわゆるＩＰＳ（In Plain Switching）方式と称される液晶表示装置は、たとえば画素の大部分の領域に対向電極を配置させ、絶縁膜を介して該対向電極に重畳するようにして形成される画素電極をその長手方向に交差する方向に多数並設させた電極群で形成するようにしている。この場合においても、少なくとも前記対向電極は透明導電膜で形成しなければならないという要請がある。このＩＰＳ（In-Plane-Switchin）方式の液晶表示装置に関してはたとえば下記特許文献１等に詳細に開示がなされている。

さらに、バックライトを備えず、太陽等の外来光を利用して像を認識するいわゆる反射型の液晶表示装置も知られている。このような液晶表示装置は、観察者が観察する側と反対側の基板の液晶側の面に光反射板を備えて形成され、該光反射板は、通常、対向電極あるいは画素電極を兼ねて形成されるが、この場合においても、他の一方の電極は透明導電膜で形成しなければならないという要請がある。
特開２００２−４９０４９号公報

そして、このような構成からなる液晶表示装置において、いずれも、その画素の光透過率を向上させることが要望され続けられている。

この場合、前記透明導電膜の金属の組成を変化させる方法が考察されるが、たとえばスパッタリング方法で該透明導電膜を形成する場合、その組成比が予め決定しているため該スパッタリング方法では実現できないという制約があった。

また、他に、透明導電膜の膜厚を調整する方法が考察されるが、そのシート抵抗を小さく形成したい場合、あるいは該透明導電膜を形成する下地の層に段差を有する場合には充分に薄くできないという制約があった。

本発明の目的は、上述した制約なく、透明導電膜の光屈折率を最適化し画素の光透過率を向上させた表示装置を提供することにある。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

（１）本発明による表示装置は、たとえば、ガラス基板又は窒化シリコン膜上の画素領域に形成された電極を備え、この電極は光の透過がなされる透明導電膜から構成されている表示装置であって、
前記透明導電膜は、金属酸化物から構成されているとともに、酸化物に対する割合が１０％以下の窒化物が含有されており、前記ガラス基板又は窒化シリコン膜上と前記透明導電膜との界面の屈折率が２．１１であることを特徴とする。

（２）本発明による表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記透明導電膜の窒化物の酸化物に対する割合が３％であることを特徴とする。

（３）本発明による表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記透明導電膜は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎの各金属酸化物のうち少なくとも一つの金属酸化物によって構成されていることを特徴とする。

（４）本発明による表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、基板の前記画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタを備え、
前記電極は、オンされた前記薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極であることを特徴とする。

（５）本発明による表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、基板の前記画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた前記薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を備え、
前記電極は、前記画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極であることを特徴とする。

なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

このように構成した表示装置によれば、透明導電膜の光屈折率を最適化し画素の光透過率を向上させることができる。

以下、本発明による表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。

〈概略構成図〉
図２は、本発明による表示装置の一実施例である液晶表示装置を示す概略平面図である。

まず、液晶表示パネルＰＮＬがあり、この液晶表示パネルＰＮＬは液晶（図示せず）を介在させて対向配置される基板ＳＩＵＢ１および基板ＳＵＢ２を外囲器として構成されている。

前記液晶は基板ＳＵＢ１に対する基板ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封止され、該シール材ＳＬで囲まれた領域は液晶表示領域ＡＲとして構成されている。

液晶表示領域ＡＲにおけるたとえば前記基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設される各ゲート信号線ＧＬ、およびｙ方向に延在しｘ方向に並設される各ドレイン信号線ＤＬが形成されている。

隣接された各ゲート信号線ＧＬと隣接された各ドレイン信号線ＤＬとで囲まれる領域（画素領域）にはそれぞれ画素が構成され、これにより、前記液晶表示領域ＡＲにおいて各画素はマトリックス状に配置されることになる。

前記画素は、たとえば図中符号ＰＩＸの部分（図中点線丸枠内の部分）を等価回路で示した拡大図（図中実線丸枠内の部分）に示すように、ゲート信号線ＧＬからの信号（走査信号）によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン信号線ＤＬからの信号（映像信号）が供給される画素電極ＰＸと、たとえば前記ゲート信号ＧＬと平行に配置されるコモン信号線ＣＬに接続され前記画素電極ＰＸとの間に電界を生じせしめる対向電極ＣＴとを備えて構成されている。

前記画素電極ＰＸと対向電極ＣＴはいずれも基板ＳＵＢ１の液晶側の面に形成されるようになっており、これら各電極の間に発生する電界によって液晶の分子を挙動させることから、いわゆる横電界方式と称される場合がある。

前記ゲート信号線ＧＬは、たとえば図中左側の一端において、シール材ＳＬを越えて延在され、基板ＳＵＢ１の左側周辺に搭載されている複数の半導体装置ＣＨ（Ｖ）からなる走査信号駆動回路に接続され、前記走査信号が供給されるようになっている。

また、前記ドレイン信号線ＤＬは、たとえば図中上側の一端において、シール材ＳＬを越えて延在され、基板ＳＵＢ１の上側周辺に搭載されている複数の半導体装置ＣＨ（Ｈ）からなる映像信号駆動回路に接続され、前記映像信号が供給されるようになっている。

そして、前記各コモン信号線ＣＬは、たとえばその右端側において共通線ＣＬＣを介して互いに接続され、該共通線ＣＬＣはたとえばその上端側においてシール材ＳＬを越えて延在され、基板ＳＵＢ１の上側辺に形成された端子ＣＬＴに接続されている。

前記対向電極ＣＴには、これら端子ＣＬＴ、共通線ＣＬＣ、コモン信号線ＣＬを介して、前記映像信号に対して基準となる基準信号が供給されるようになっている。

上述した実施例では、液晶表示パネルＰＮＬはその基板ＳＵＢ１に半導体装置ＣＨ（Ｖ）、ＣＨ（Ｖ）を搭載した構成のものを挙げたものである。しかし、該半導体装置としていわゆるテープキャリア方式で形成されたものを用い、基板ＳＵＢ１の周辺にたとえば異方性導電膜を介して該半導体装置を接続するようにした構成のものであっても適用できる。

なお、この発明に適用される液晶表示装置は、その画素の構成として上述したものに限定されることはない。たとえば、基板ＳＵＢ１の画素領域のほぼ全域に透明導電膜からなる画素電極、基板ＳＵＢ２の各画素領域に共通の透明導電膜からなる対向電極を形成し、これら各電極の間に発生する電界によって液晶を駆動させるいわゆる縦電界方式と称される画素構成であってもよい。

〈画素の構成〉
図３は上述した各画素のうちの一つの画素の一実施例を示した構成図で、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のｂ−ｂ線における断面図、図３（ｃ）は図３（ａ）のｃ−ｃ線における断面図である。

まず、図３（ａ）に示すように、基板ＳＵＢ１の液晶側の面（表面）には、ゲート信号線ＧＬおよびコモン信号線ＣＬが比較的大きな距離を有して平行に形成されている。

ゲート信号線ＧＬとコモン信号線ＣＬの間の領域には、透明導電材料からなる対向電極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴは、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の材料に窒化物（Nitride）が含有されて構成されている。後に詳述するが、このように構成された対向電極ＣＴは、窒化物（Nitride）が含有されていないＩＴＯ膜と比較して光屈折率が大きくなるが、前記基板ＳＵＢ１との界面における光反射量を大幅に低減させることができるようになる。

該対向電極ＣＴは、そのコモン信号線ＣＬ側の辺部において該コモン信号線ＣＬに重畳され、これにより、該コモン信号線ＣＬと電気的に接続されて形成されている。

そして、基板ＳＵＢ１の表面には、前記ゲート信号線ＧＬ、コモン信号線ＣＬ、および対向電極ＣＴをも被うようにして絶縁膜ＧＩ（図３（ｂ）、（ｃ）参照）が形成されている。この絶縁膜ＧＩは、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において該薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として機能するもので、それに応じて膜厚等が設定されるようになっている。

前記絶縁膜ＧＩの上面であって、前記ゲート信号線ＧＬの一部と重畳する個所において、たとえばアモルファスシリコンからなる非晶質の半導体層ＡＳが形成されている。この半導体層ＡＳは前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層となるものである。

なお、この半導体層ＡＳは、該薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域以外の領域であって、ドレイン信号線ＤＬの下方、該ドレイン信号線ＤＬと薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴを電気的に接続する接続部ＪＣの下方、および、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴの該薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域を越えて延在する部分の下方においても形成されていてもよい。このようなパターンからなる半導体層ＡＳは、該薄膜トランジスタＴＦＴを、たとえばレジストリフロー方法で形成することによってなされ、たとえばドレイン信号線ＤＬにおいて段差を少なく構成できいわゆる段切れの不都合を回避できる効果を奏する。

そして、図中ｙ方向に伸張してドレイン信号線ＤＬが形成され、このドレイン信号線ＤＬはその一部において前記薄膜トランジスタＴＦＴ側に延在する延在部（接続部ＪＣ）を有し、この延在部は前記半導体層ＡＳ上に形成された該薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴに接続されている。

また、該ドレイン信号線ＤＬおよびドレイン電極ＤＴの形成の際に同時に形成されるソース電極ＳＴが、前記半導体層ＡＳ上にて前記ドレイン電極ＤＴと対向し、かつ、該半導体層ＡＳ上から画素領域側に若干延在された延在部を有して形成されている。この延在部は後述の画素電極ＰＸと接続されるパッド部ＰＤに至るようにして形成されている。

なお、前記半導体層ＡＳは、それを絶縁膜ＧＩ上に形成する際に、たとえば、その表面に高濃度の不純物がドープされて形成され、たとえば、前記ドレイン電極ＤＴおよびソース電極ＳＴをパターニングして形成した後に、該ドレイン電極ＤＴおよびソース電極ＳＴをマスクとして該ドレイン電極ＤＴおよびソース電極ＳＴの形成領域以外の領域に形成された高濃度の不純物をエッチングするようにしている。半導体層ＡＳとドレイン電極ＤＴおよびソース電極ＳＴのそれぞれの間に高濃度の不純物を残存させ、この不純物層をオーミックコンタクト層として形成するためである。

このようにすることにより、前記薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート信号線ＧＬをゲート電極としたいわゆる逆スタガ構造のＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）型のトランジスタが構成されることになる。

なお、ＭＩＳ構造のトランジスタにあっては、そのバイアスの印加によってドレイン電極ＤＴとソース電極ＳＴが入れ替わるように駆動するが、この明細書の説明にあっては、便宜上、ドレイン信号線ＤＬと接続される側をドレイン電極ＤＴと、画素電極ＰＸと接続される側をソース電極ＳＴと称している。

基板ＳＵＢ１の表面には、前記薄膜トランジスタＴＦＴをも被って保護膜ＰＡＳ（図３（ｂ）、（ｃ）参照）が形成されている。この保護膜ＰＡＳは、たとえばシリコン窒化膜からなり、前記薄膜トランジスタＴＦＴを液晶との直接の接触を回避させるために設けられるようになっている。また、この保護膜ＰＡＳは、前記対向電極ＣＴと後述の画素電極ＰＸとの間に介層して設けられ、前記絶縁膜ＧＩとともに、該対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間に設けられた容量素子の誘電体膜としても機能するようになっている。

前記保護膜ＰＡＳの上面には透明導電材料からなる画素電極ＰＸが形成され、この画素電極ＰＸは前記対向電極ＣＴの形成領域に重畳した領域に形成されている。そして、該画素電極ＰＸは、多数のスリットがその長手方向と交差する方向に並設されて形成され、これによって両端が互いに接続された多数の帯状の電極からなる電極群を有するようにして形成されている。このような構成からなる画素はいわゆるＩＰＳ（In-Plane-Switching）方式と称されている。

この場合、画素電極ＰＸの各電極は、たとえば、画素の領域を図中上下に２分割させ、その一方の領域にはたとえばゲート信号線ＧＬの走行方向に対して＋４５°方向に延在するように形成され、他方の領域には−４５°方向に延在するようにして形成されている。いわゆるマルチドメイン方式を採用し、前記画素電極ＰＸに形成したスリットの長手方向（画素電極ＰＸの各電極の長手方向）が単一である場合、観る方向により色つきが生じる不都合を解消した構成となっている。

そして、該画素電極ＰＸは、前記対向電極ＣＴと同様に、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の材料に窒化物（Nitride）が含有されて構成されている。後に詳述するが、このように構成された画素電極ＰＸは、窒化物（Nitride）が含有されていないＩＴＯ膜と比較して光屈折率が大きくなるが、前記保護膜ＰＡＳとの界面における光反射量を大幅に低減させることができるようになる。

このように画素電極ＰＸが形成された基板ＳＵＢ１の表面には該画素電極ＰＸをも被って配向膜ＯＲＩ１（図３（ｂ）、（ｃ）参照）が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１は液晶と直接に接触する膜となり、他の基板（図１において符号ＳＵＢ２で示す）に形成される配向膜とともに、該液晶の分子の初期配向方向を決定させるようになっている。

また、前記基板ＳＵＢ１の液晶とは反対側の面において偏光板ＰＬ１（図３（ｂ）、（ｃ）参照）が形成されている。この偏光板ＰＬ１は他の基板ＳＵＢ２に形成される偏光板とともに、液晶の分子の挙動を可視化させるために設けられたものとなっている。

〈対向電極ＣＴ、画素電極ＰＸ〉
前記対向電極ＣＴおよび画素電極ＰＸは、上述したように、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の材料に窒化物（Nitride）が含有された透明導電材料で構成されている。

従来の前記対向電極ＣＴおよび画素電極ＰＸにあっては、窒化物（Nitride）が含有されていない透明導電材料で構成されていた。

ここで、従来における該透明導電材料からなる膜（透明導電膜）の製造方法を示すと、たとえばスパッタリング法で形成され、たとえば酸化インジウムと酸化スズの混合焼結体ターゲットを使用し、加速されたイオンを該ターゲットに衝突させ、飛び出てきた透明導電材料を基板上に体積させるようにしている。この場合のスパッタリングガスとしてアルゴンガスにたとえば水蒸気（あるいは酸素）を混合したものが用いられる。

そして、たとえばガラス基板ＳＵＢ１の基板サイズがたとえば１５００ｍｍ×１８５０ｍｍの場合において、基板の温度は室温、成膜圧力は０．６７Ｐａ、水蒸気流量は１０ｓｃｃｍ、アルゴン（Ａｒ）流量は２００ｓｃｃｍとし、投入電力密度は１０ｋｗ／カソードとする成膜条件で前記透明導電膜は形成される。ここで、１ｓｃｃｍは標準状態の気体が毎秒１ｃｍ^３流れる流量を示している。

この場合の、前記透明導電膜はたとえば２．２ｎｍ／秒の速度で形成されるようになる。

そして、上述した成膜条件で、基板上に形成した膜厚８０ｎｍの透明導電膜（ＩＴＯ膜）の光透過率は約８９．１％であった。なお、該光透過率は基板を含めての光透過率であり、使用した光はその波長が５５０ｎｍである。また、ＩＴＯ膜の膜厚を５０ｎｍとした場合、光透過率は９０．０％であった。この場合、ＩＴＯ膜の光屈折率はいずれも２．００であった。

これに対して、上記実施例において用いられた透明導電膜（ＩＴＯ膜）は、その成膜にあって、スパッタリングガスとしてＮ_２ＯあるいはＮ_２等の窒素を含むものを添加するようにしたことにある。スパッタリングガス以外の他の成膜条件は従来と同様であり、また、これによって形成されるＩＴＯ膜の形成速度も従来と同様であった。

〈本発明による透明導電膜の考察〉
このようにして形成される透明導電膜は、基板上に形成した膜厚５０ｎｍのＩＴＯ膜の材料膜の光透過率は８９．５％であった。この値からなる光透過率は従来の場合と比較すると若干低くなっているが、光屈折率は２．１１となり従来の光屈折率よりも大きくなっていることが確認できる。

この透明導電膜を、たとえばＲＢＳ（ラザフォード後方散乱分析法）で測定した結果によると、窒素（Ｎ）と酸素（Ｏ）の比率（Ｎ／Ｏ）が約３％であることが確認できる。

このことは、透明導電膜に窒素が含有されることによって該透明導電膜の光屈折率が向上することを示している。しかし、窒素（Ｎ）／酸素（Ｏ）の比率が１０％よりも大きくなると逆に光透過率や導電率が低下し、透明導電膜としての機能が損なわれることが判明し、このことから窒素（Ｎ）と酸素（Ｏ）の比率（Ｎ／Ｏ）は１０％以内であることが好ましい。

図１は、各サンプルに対し、透明導電膜の材料、厚さ（ｎｍ）、光屈折率、光透過率を上述したデータに基づき示すとともに、相対白輝度のデータを示した表である。ここで、相対白輝度とは、前記透明導電膜を電極として用いた液晶表示パネルの光透過率に相当するデータをいう。

前記各サンプルのうち、サンプル１ないし３は窒素が含有されていない透明導電膜を示し、サンプル４および５は窒素が含有されている透明導電膜を示している。なお、表中、サンプルＲｅｆ．は窒素が含有されていない透明導電膜であって、その膜厚が８０ｎｍにしたものを示している。

サンプル４および５の相対白輝度は、それぞれ、１０１．３１％、１０１．６１％となっており、いずれも、窒素が含有されていない透明導電膜の相対白輝度よりも大きな値となっている。

このことから、上述した実施例による液晶表示装置において、その画素電極および対向電極の各透明導電膜の光屈折率を最適化し画素の光透過率を向上させることができる。なお、この場合、光透過率の若干の低下が観られるにも拘わらず画素の光透過率の向上が図れることになる。

このことは、たとえばガラス基板あるいは窒化シリコン膜と界面を有して透明導電膜を形成した場合に、該界面における反射光の大幅な低減が図られていると推測される。

サンプル１およびサンプル２は、それぞれ、ＩＴＯ膜の膜厚を８０ｎｍから５０ｎｍに薄くした場合を示し、該ＩＴＯ膜それ自体の光透過率は８９．１％から９０．０％と１％向上しているが、パネル（あるいは画素）としての光透過率（相対白輝度）は、それぞれ９９．６８％あるいは１００．３２％というように、同等あるいはむしろ低下していることが判明する。これはＩＴＯ膜それ自体の光透過率は向上しても他の材料（ガラス基板あるいは窒化シリコン膜）との界面における反射（界面反射）が増加し、いわゆる実効的な光透過率が低下してしまうことを示すものである。

これに対し、サンプル３およびサンプル４は、窒化物が含有されたＩＴＯ膜（表中ＩＴＯＮで表している）で、その膜厚が５０ｎｍのものを示し、該ＩＴＯ膜それ自体の光透過率は、前記サンプル１およびサンプル２の場合と比較し、９０．０％から８９．５％へと０．５％小さくなっている。しかし、光屈折率は、前記サンプル１およびサンプル２の場合と比較し、２．００から２．１１へと大きくなっており、相対白輝度も１０１．３１％あるいは１０１．６１％と大幅に大きくなっていることが判明する。これは、ＩＴＯ膜の光屈折率を窒化物を含有させることによって調整することにより、他の材料との界面反射の影響を少なくできることができることを意味する。

このことから、ＩＴＯ膜等の透明導電膜の光屈折率を最適化し画素の光透過率を向上させた液晶表示装置を得ることができる。

〈他の実施例〉
上述した実施例では、透明導電膜としてＩＴＯ膜に窒化物（Nitride）を含有させたものを挙げたものである。しかし、たとえばＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の他の透明導電膜であっても同様の効果が得られることから、該他の透明導電膜においても本発明を適用することができる。また、前記透明導電膜として、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎの各金属酸化物のうち少なくとも一つの金属酸化物によって構成されているものにも適用することができる。

また、上述した実施例では、対向電極ＣＴおよび画素電極ＰＸにおいて、それぞれ本発明を適用させたものである。しかし、これら電極の一方においてのみ本発明を適用させるようにしてもよい。

また、上述した実施例では、いわゆるＩＰＳ（In-Plane-Switching）型の液晶表示装置の電極に本発明を適用させたものである。しかし、いわゆるＴＮ型等の他の液晶表示装置の電極にも適用できる。

また、上述した実施例では液晶表示装置を一例として挙げたものである。しかし、たとえば有機ＥＬ表示装置のような他の表示装置にも適用することができる。有機ＥＬ表示装置は、その各画素において一対の電極に挟持された蛍光体層を備え、各電極を等して流れる電流による該蛍光体層の発光は少なくとも一方において透明導電膜で形成された電極を通して照射される構成となっており、該透明導電膜の形成において本発明を適用することができるからである。

上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。

本発明による表示装置の効果を従来と比較して示した表である。本発明による表示装置の一実施例を示す全体構成図である。本発明による表示装置の画素の一実施例を示す構成図である。

符号の説明

ＰＮＬ……液晶表示パネル、ＳＵＢ１、ＳＵＢ２……基板、ＣＨ（Ｈ）……半導体装置（映像信号駆動回路）、ＣＨ（Ｖ）……半導体装置（走査信号駆動回路）、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＣＬ……コモン信号線、ＰＩＸ……画素、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……対向電極、ＤＴ……ドレイン電極、ＳＴ……ソース電極、ＡＳ……半導体層、ＰＤ……パッド部、ＧＩ……絶縁膜、ＰＡＳ１……保護膜、ＯＲＩ１……配向膜、ＰＬ１……偏光板。

Claims

ガラス基板又は窒化シリコン膜上の画素領域に形成された電極を備え、この電極は光の透過がなされる透明導電膜から構成されている表示装置であって、
前記透明導電膜は、金属酸化物から構成されているとともに、酸化物に対する割合が１０％以下の窒化物が含有されており、前記ガラス基板又は窒化シリコン膜上と前記透明導電膜との界面の屈折率が２．１１であることを特徴とする表示装置。
前記透明導電膜の窒化物の酸化物に対する割合が３％であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
前記透明導電膜は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎの各金属酸化物のうち少なくとも一つの金属酸化物によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
基板の前記画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタを備え、
前記電極は、オンされた前記薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
議半の前記画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた前記薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極を備え、
前記電極は、前記画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。