JP5075458B2 - Surface inspection device - Google Patents

Surface inspection device Download PDF

Info

Publication number
JP5075458B2
JP5075458B2 JP2007107300A JP2007107300A JP5075458B2 JP 5075458 B2 JP5075458 B2 JP 5075458B2 JP 2007107300 A JP2007107300 A JP 2007107300A JP 2007107300 A JP2007107300 A JP 2007107300A JP 5075458 B2 JP5075458 B2 JP 5075458B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
calibration
clean
unit
clean gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007107300A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2008267827A (en
Inventor
幸二 渡邊
浩幸 平田
浩一 井山
博之 前川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Topcon Corp
Original Assignee
Topcon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Topcon Corp filed Critical Topcon Corp
Priority to JP2007107300A priority Critical patent/JP5075458B2/en
Publication of JP2008267827A publication Critical patent/JP2008267827A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5075458B2 publication Critical patent/JP5075458B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は半導体製造での検査工程に使用され、ウェーハ表面に付着したパーティクル等異物の有無を検査する表面検査装置に関するものである。   The present invention relates to a surface inspection apparatus that is used in an inspection process in semiconductor manufacturing and inspects for the presence or absence of foreign matter such as particles adhering to a wafer surface.

シリコンウェーハ等の基板表面に薄膜の生成、エッチング等の表面処理を行い微細なパターンを形成する等してCPU等の半導体デバイスを製造する。半導体デバイスの製造工程に於ける加工は非常に微細であり、基板表面にパーティクルが付着すると、回路の切断等の支障があり、品質の低下、歩留りの低下を招く。   A semiconductor device such as a CPU is manufactured by forming a fine pattern on the surface of a substrate such as a silicon wafer by performing surface treatment such as generation of a thin film and etching. Processing in the manufacturing process of a semiconductor device is very fine, and if particles adhere to the substrate surface, there is a problem such as circuit cutting, resulting in a decrease in quality and a decrease in yield.

従って、半導体製造工程の1つとして、基板表面にパーティクルが付着した数、或は付着の状態を検査する表面検査が組込まれる。   Therefore, as one of the semiconductor manufacturing processes, surface inspection for inspecting the number of particles attached to the substrate surface or the state of attachment is incorporated.

又、基板表面の微細なパーティクル、傷を検出する方法としては、基板表面にレーザ光線等の光を照射し、パーティクル、傷による散乱光を受光し、パーティクル、傷の有無、数等を散乱光の受光状態から検出している。又、表面検査を実施するに当り、表面検査精度の信頼性を高める為、基板の表面検査毎に、或は所定枚数の基板検査毎に、パーティクル検出結果の較正が行われる。   As a method for detecting fine particles and scratches on the substrate surface, the substrate surface is irradiated with light such as a laser beam, scattered light from the particles and scratches is received, and the number of particles, scratches, etc. It is detected from the light receiving state. Further, in performing the surface inspection, in order to increase the reliability of the surface inspection accuracy, the particle detection result is calibrated for each surface inspection of the substrate or for every predetermined number of substrate inspections.

検出結果の較正は、付着したパーティクルの粒径、数、パーティクルの分布状態が既知である較正用ウェーハを用いて表面検査を行い、表面検査装置により実施した較正用ウェーハの表面検出結果と、較正用ウェーハの既知のパーティクルの情報とを比較し、表面検査の検出結果が前記較正用ウェーハのパーティクルの情報に合致する様に前記表面検査装置の検査精度、検査状態を較正するものである。   The calibration of the detection result is performed by performing a surface inspection using a calibration wafer in which the particle size, number, and particle distribution state of the adhered particles are known, and the surface detection result of the calibration wafer performed by the surface inspection apparatus and calibration. And the known particle information of the wafer for inspection, and the inspection accuracy and inspection state of the surface inspection apparatus are calibrated so that the detection result of the surface inspection matches the information of the particle of the calibration wafer.

一般的に較正用ウェーハは、表面検査が行われる度に、表面検査装置外部から搬入され、表面検査装置にセットされ、表面検査が実行されると、表面検査装置より搬出されていた。又、較正用ウェーハは表面検査の基準となるものであるから、較正用ウェーハ自体がパーティクル等に汚染されることは避けなければならず、清浄な雰囲気で保管しなければならない等、較正用ウェーハによる表面検査は非能率的であり、又保管管理も面倒なものであった。   In general, each time a surface inspection is performed, a calibration wafer is carried in from the outside of the surface inspection apparatus, set in the surface inspection apparatus, and unloaded from the surface inspection apparatus when the surface inspection is executed. Also, since the calibration wafer is a standard for surface inspection, the calibration wafer itself must be avoided from being contaminated by particles, etc., and must be stored in a clean atmosphere. The surface inspection by was inefficient and cumbersome storage management.

そこで、本出願人は特許文献1に示される様に、表面検査装置内部に較正用ウェーハを保管し、表面検査装置が持つ搬送ロボットにより較正用ウェーハの表面検査部への搬入出を行う様にし、作業性を向上させた。又、装置内部を清浄雰囲気に保つことで、較正用ウェーハの汚染も防止する様にした。   Therefore, as shown in Patent Document 1, the present applicant stores a calibration wafer in the surface inspection apparatus, and carries the calibration wafer into and out of the surface inspection unit by a transfer robot of the surface inspection apparatus. Improved workability. In addition, by keeping the inside of the apparatus in a clean atmosphere, contamination of the calibration wafer is prevented.

近年の半導体デバイスの高密度化は、更に微細なパーティクルの存在、傷の存在も製品品質、歩留りを低下させる要因となっている。この為、表面検査装置に於いても、更に高精度の検査精度が求められる様になっている。   With the recent increase in the density of semiconductor devices, the presence of finer particles and the presence of scratches are factors that reduce product quality and yield. For this reason, even in the surface inspection apparatus, higher accuracy of inspection is required.

特開2003−130809号公報JP 2003-130809 A

本発明は斯かる実情に鑑み、表面検査装置に於いて較正用ウェーハの汚染を高度に防止し、検査結果の較正精度、較正の信頼性を向上させ、延いては表面検査装置の検査精度の向上、信頼性の向上を図るものである。   In view of such a situation, the present invention highly prevents contamination of the calibration wafer in the surface inspection apparatus, improves the calibration accuracy of the inspection result and the reliability of the calibration, and further improves the inspection accuracy of the surface inspection apparatus. It is intended to improve and improve reliability.

本発明は、基板表面の異物、傷を検査する検査部と、該検査部に被検査体の基板、較正用基板を搬入出する搬送部とを具備する表面検査装置に於いて、前記搬送部が較正用基板を複数収納する較正用基板収納部を具備し、該較正用基板収納部は前記搬送部内に開口する容器であり、開口上部を横断する様に清浄気体吐出ノズルが設けられ、該清浄気体吐出ノズルから清浄気体が吐出され、該清浄気体は収納された基板表面に沿って収納部奥に向って流れ、奥壁面で折返し流れ、前記開口下部より流出する清浄流れが形成され、前記清浄気体吐出ノズルから吐出される前記清浄気体は上段の前記較正用基板の表面に衝突し、一部は逆流し、前記開口から流出する様に構成された表面検査装置に係り、又基板表面の異物、傷を検査する検査部と、該検査部に被検査体の基板、較正用基板を搬入出する搬送部とを具備する表面検査装置に於いて、前記搬送部が較正用基板を収納する較正用基板収納部を具備し、該較正用基板収納部は前記搬送部内に開口し、該開口を開閉する蓋を有すると共に少なくとも1段の基板載置板を有する容器であり、開口上部を横断する様に清浄気体吐出ノズルが設けられ、該清浄気体吐出ノズルから清浄気体が吐出され、該清浄気体は収納された基板表面に沿って収納部奥に向って流れ、奥壁面で折返し流れる清浄流れが形成され、前記蓋は閉状態で前記開口の一部を開放し、前記較正用基板収納部内部の清浄流れが維持される様構成した表面検査装置に係るものであり、又前記清浄気体吐出ノズルから吐出される清浄気体の一部は逆流し、前記開口から流出する様にした表面検査装置に係り、又前記搬送部内部には清浄空気流れが形成され、前記清浄気体吐出ノズルから吐出される清浄気体は前記清浄空気流れとは独立して供給される表面検査装置に係り、又前記較正用基板収納部は前記開口を開閉する蓋を具備し、該蓋は前記搬送部内部の清浄度が低下した場合に閉塞される様構成した表面検査装置に係り、又前記蓋は閉状態で前記較正用基板収納部内部に清浄流れが維持される様、前記開口の一部が開放される様になっている表面検査装置に係り、又前記較正用基板収納部は、基板の有無を検出する基板検知器を具備し、該基板検知器により基板を検知している状態では、前記清浄流れを維持する表面検査装置に係り、更に又前記較正用基板収納部は、基板収納位置を設定する為のティーチング用覗き窓を具備する表面検査装置に係るものである。 The present invention provides a surface inspection apparatus comprising: an inspection unit that inspects foreign matter and scratches on a substrate surface; and a conveyance unit that carries a substrate to be inspected and a calibration substrate into and out of the inspection unit. Comprises a calibration substrate storage unit for storing a plurality of calibration substrates, the calibration substrate storage unit being a container opened in the transport unit, and provided with a clean gas discharge nozzle so as to cross the upper part of the opening, Clean gas is discharged from the clean gas discharge nozzle, the clean gas flows toward the back of the storage unit along the stored substrate surface, flows back at the back wall surface, and a clean flow that flows out from the lower part of the opening is formed, the clean gas discharged from the clean gas discharge nozzle impinges on the surface of the calibration substrate of the upper, partly flow back relates to the construction surface inspection apparatus so as to flow out the apertures or al, the substrate An inspection section for inspecting foreign objects and scratches on the surface; In a surface inspection apparatus comprising an inspection unit having a substrate to be inspected and a conveyance unit for carrying in and out a calibration substrate, the conveyance unit includes a calibration substrate storage unit for storing a calibration substrate, and the calibration The substrate storage unit is a container having an opening in the transport unit, a lid that opens and closes the opening, and at least one substrate mounting plate, and a clean gas discharge nozzle is provided so as to cross the upper part of the opening. Clean gas is discharged from the clean gas discharge nozzle, the clean gas flows toward the back of the storage part along the surface of the stored substrate, and a clean flow that turns back on the back wall surface is formed, and the lid is in the closed state. A part of the opening relates to a surface inspection apparatus configured to maintain a clean flow inside the calibration substrate storage unit, and a part of the clean gas discharged from the clean gas discharge nozzle is Backflow and outflow from the opening In addition, a clean air flow is formed inside the transport unit, and the clean gas discharged from the clean gas discharge nozzle is supplied independently of the clean air flow. The calibration substrate storage unit includes a lid that opens and closes the opening, and the lid is related to a surface inspection apparatus configured to be closed when the cleanliness inside the transport unit is reduced. The lid relates to a surface inspection apparatus in which a part of the opening is opened so that a clean flow is maintained inside the calibration substrate storage portion in a closed state, and the calibration substrate storage portion is The substrate detector for detecting the presence or absence of a substrate, and in the state of detecting the substrate by the substrate detector, relates to a surface inspection apparatus that maintains the clean flow, and further, the calibration substrate storage unit, Teaching to set the board storage position The present invention relates to a surface inspection apparatus including a viewing window.

本発明によれば、基板表面の異物、傷を検査する検査部と、該検査部に被検査体の基板、較正用基板を搬入出する搬送部とを具備する表面検査装置に於いて、前記搬送部が較正用基板を収納する較正用基板収納部を具備し、該較正用基板収納部は内部に清浄流れが形成される様構成したので、較正用基板がパーティクル等の異物に汚染されることなく清浄な状態に維持され、表面検査の較正精度の信頼性、精度が向上し、表面検査の精度の信頼性、精度が向上する。   According to the present invention, there is provided a surface inspection apparatus comprising an inspection unit for inspecting foreign matter and scratches on a substrate surface, and a transport unit for loading and unloading a substrate to be inspected and a calibration substrate in the inspection unit. Since the transport unit includes a calibration substrate storage unit for storing the calibration substrate, and the calibration substrate storage unit is configured so that a clean flow is formed therein, the calibration substrate is contaminated with foreign substances such as particles. Therefore, the reliability and accuracy of the calibration accuracy of the surface inspection are improved, and the reliability and accuracy of the accuracy of the surface inspection are improved.

又本発明によれば、前記較正用基板収納部は前記搬送部内に開口する容器であり、開口上部を横断する様に清浄気体吐出ノズルが設けられ、該清浄気体吐出ノズルから清浄気体が吐出され、該清浄気体は収納された基板表面に沿って収納部奥に向って流れ、奥壁面で折返し流れる清浄流れが形成される様構成されたので、較正用基板がパーティクル等の異物に汚染されることなく清浄な状態に維持され、表面検査の較正精度の信頼性、精度が向上し、表面検査の精度の信頼性、精度が向上する。   According to the invention, the calibration substrate storage unit is a container opened in the transport unit, and a clean gas discharge nozzle is provided so as to cross the upper part of the opening, and clean gas is discharged from the clean gas discharge nozzle. The clean gas flows along the surface of the stored substrate toward the back of the storage portion and forms a clean flow that flows back on the back wall surface, so that the calibration substrate is contaminated with foreign substances such as particles. Therefore, the reliability and accuracy of the calibration accuracy of the surface inspection are improved, and the reliability and accuracy of the accuracy of the surface inspection are improved.

又本発明によれば、前記清浄気体吐出ノズルから吐出される清浄気体の一部は逆流し、前記開口から流出する様にしたので、外部からの空気の浸入が防止され、較正用ウェーハ収納部内部の清浄度の低下が防止される。   Further, according to the present invention, a part of the clean gas discharged from the clean gas discharge nozzle flows backward and flows out from the opening, so that intrusion of air from the outside is prevented, and the calibration wafer storage unit A decrease in internal cleanliness is prevented.

又本発明によれば、前記搬送部内部には清浄空気流れが形成され、前記清浄気体吐出ノズルから吐出される清浄気体は前記清浄空気流れとは独立して供給されるので、搬送部内の清浄空気流れが停止、又は清浄度が低下した場合でも、較正用ウェーハ収納部内部を高清浄に維持できる。   According to the present invention, a clean air flow is formed inside the transport unit, and the clean gas discharged from the clean gas discharge nozzle is supplied independently of the clean air flow. Even when the air flow is stopped or the cleanliness is lowered, the inside of the calibration wafer storage unit can be kept highly clean.

又本発明によれば、前記較正用基板収納部は前記開口を開閉する蓋を具備し、該蓋は前記搬送部内部の清浄度が低下した場合に閉塞される様構成したので、搬送部内の雰囲気が較正用ウェーハ収納部内に浸入することがなく、較正用ウェーハ収納部内を高清浄に維持できる。   According to the present invention, the calibration substrate storage unit includes a lid that opens and closes the opening, and the lid is configured to be closed when the cleanliness inside the transport unit is reduced. The atmosphere does not enter the calibration wafer storage section, and the calibration wafer storage section can be kept highly clean.

又本発明によれば、前記蓋は閉状態で前記較正用基板収納部内部に清浄流れが維持される様、前記開口の一部が開放される様になっているので、外部の雰囲気の浸入を防止しつつ清浄流れを維持でき、較正用ウェーハ収納部内部の清浄度を維持できる。   According to the present invention, the opening is partially opened so that a clean flow is maintained inside the calibration substrate storage portion when the lid is closed. Can be maintained while maintaining the clean flow, and the cleanliness inside the calibration wafer storage can be maintained.

又本発明によれば、前記較正用基板収納部は、基板の有無を検出する基板検知器を具備し、該基板検知器により基板を検知している状態では、前記清浄流れを維持するので、表面検査装置に異常等あった場合でも、較正用ウェーハ収納部内の清浄度は維持でき、較正用ウェーハの異物からの汚染が防止できる。   Further, according to the present invention, the calibration substrate storage unit includes a substrate detector that detects the presence or absence of a substrate, and maintains the clean flow in a state where the substrate is detected by the substrate detector. Even when there is an abnormality in the surface inspection apparatus, the cleanliness in the calibration wafer storage unit can be maintained, and contamination of the calibration wafer from foreign matter can be prevented.

更に又本発明によれば、前記較正用基板収納部は、基板収納位置を設定する為のティーチング用覗き窓を具備するので、較正基板の搬入出に関するティーチング作業が容易になる等の優れた効果を発揮する。   Furthermore, according to the present invention, since the calibration substrate storage section includes a teaching viewing window for setting the substrate storage position, excellent effects such as facilitating teaching work related to the loading and unloading of the calibration substrate are facilitated. Demonstrate.

以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

先ず、図1、図2に於いて、本発明が実施される表面検査装置の概略を説明する。   First, an outline of a surface inspection apparatus in which the present invention is implemented will be described with reference to FIGS.

表面検査装置は、ウェーハ搬送ロボットを具備する搬送部1と該搬送部1に連設され、表面検査部を具備する検査部2とにより構成されている。   The surface inspection apparatus includes a transfer unit 1 including a wafer transfer robot and an inspection unit 2 connected to the transfer unit 1 and including a surface inspection unit.

前記搬送部1は前面にカセット授受ステージ3が設けられ、該カセット授受ステージ3と臨接する位置にカセット搬入出口4が設けられ、該カセット搬入出口4は開閉扉によって開閉される様になっている。前記搬送部1の後面上部には較正用ウェーハ収納部5が設けられている。前記検査部2は、前面に操作部6を有すると共に前面上部には表示部7が設けられている。又、前記搬送部1、前記検査部2の上部にはクリーンユニット9が設けられている。   The transport unit 1 is provided with a cassette transfer stage 3 on the front surface, a cassette loading / unloading port 4 is provided at a position adjacent to the cassette transfer stage 3, and the cassette loading / unloading port 4 is opened and closed by an opening / closing door. . A calibration wafer storage unit 5 is provided on the upper rear surface of the transfer unit 1. The inspection unit 2 has an operation unit 6 on the front surface, and a display unit 7 on the upper front surface. A clean unit 9 is provided above the transport unit 1 and the inspection unit 2.

前記検査部2に具備されている表面検査部8について図3を参照して説明する。   The surface inspection unit 8 provided in the inspection unit 2 will be described with reference to FIG.

前記検査部2の内部は上下に区分され、上部は前記クリーンユニット9から吐出されるクリーンエアによって清浄雰囲気に維持され、前記表面検査部8が収納され、前記クリーンエアの下流に位置する下部には制御部、電源部等が収納されている。   The inside of the inspection unit 2 is divided into upper and lower parts, and the upper part is maintained in a clean atmosphere by clean air discharged from the clean unit 9, and the surface inspection part 8 is housed in a lower part located downstream of the clean air. Contains a control unit, a power supply unit, and the like.

前記表面検査部8は、ウェーハ11が載置される検査テーブル12、該検査テーブル12を高速回転するモータ13、検査用レーザ光線を発するレーザ光源14、レーザ光線を前記ウェーハ11表面に照射する投光部15、前記ウェーハ11表面で直接反射されたレーザ光線の反射光を受光し、受光状態を電気信号に変換してコンピュータ16に入力する受光部17、前記ウェーハ11表面のパーティクル、傷等で反射された散乱光を検出する受光センサ18、該受光センサ18からの受光信号を増幅し、A/D変換等所要の信号処理をして前記コンピュータ16に出力する信号処理部19を有し、前記コンピュータ16は前記受光部17からの信号を基に前記レーザ光源14の発光状態を制御し、又前記信号処理部19からの信号に基づき前記ウェーハ11に付着しているパーティクルの数等を演算する。   The surface inspection unit 8 includes an inspection table 12 on which a wafer 11 is placed, a motor 13 that rotates the inspection table 12 at a high speed, a laser light source 14 that emits an inspection laser beam, and a projection that irradiates the surface of the wafer 11 with a laser beam. Optical part 15, light receiving part 17 which receives the reflected light of the laser beam directly reflected on the surface of the wafer 11, converts the light receiving state into an electrical signal and inputs it to the computer 16, particles on the surface of the wafer 11, scratches, etc. A light receiving sensor 18 for detecting the reflected scattered light, a signal processing unit 19 for amplifying a light receiving signal from the light receiving sensor 18, performing necessary signal processing such as A / D conversion, and outputting the signal to the computer 16; The computer 16 controls the light emission state of the laser light source 14 based on the signal from the light receiving unit 17, and based on the signal from the signal processing unit 19. Calculates the Suto of particles adhering to the serial wafer 11.

前記コンピュータ16での演算結果、即ち表面検査結果はプリンタ21、前記表示部7に出力される。又、前記操作部6から検査開始指令、或は検査条件等が入力される。   The calculation result in the computer 16, that is, the surface inspection result is output to the printer 21 and the display unit 7. Further, an inspection start command or inspection conditions are input from the operation unit 6.

尚、前記コンピュータ16は表面検査プログラムを内蔵すると共に前記搬送部1の搬送ロボット(後述)を駆動制御する為のシーケンスプログラム等のプログラムを内蔵し、前記搬送部1に前記ウェーハ11を搬入搬出する為の制御信号を発している。又、前記表面検査プログラムには、対象ウェーハの表面検査を実施する為のプログラムと、製品用のウェーハの検査結果と較正用ウェーハの検査結果とを比較し、製品用のウェーハの検査結果を較正する較正プログラムが含まれている。   The computer 16 has a built-in surface inspection program and a program such as a sequence program for driving and controlling a transfer robot (described later) of the transfer unit 1, and carries the wafer 11 into and out of the transfer unit 1. Control signal is issued. In addition, the surface inspection program compares the inspection result of the target wafer with the inspection result of the product wafer and the inspection result of the calibration wafer, and calibrates the inspection result of the product wafer. A calibration program is included.

該較正プログラムは所定の条件により自動的に作動する様になっており、例えば、作動する条件としては、検査対象であるウェーハ11の種類変更や、表面検査が実行された経過時間、表面検査回数、前記レーザ光源14の使用時間、装置内汚染度の変化が挙げられる。又、オペレータの意志により任意に作動させることも可能である。   The calibration program automatically operates according to a predetermined condition. For example, the operating condition includes a change in the type of the wafer 11 to be inspected, an elapsed time when the surface inspection is executed, and the number of surface inspections. The usage time of the laser light source 14 and the change in the contamination level in the apparatus can be mentioned. Further, it can be arbitrarily operated according to the will of the operator.

図4を参照して前記搬送部1について説明する。   The conveyance unit 1 will be described with reference to FIG.

前記カセット授受ステージ3(図1参照)には前記ウェーハ11が装填されたカセット(図示せず)が搬送され、載置される。   A cassette (not shown) loaded with the wafer 11 is transported and placed on the cassette transfer stage 3 (see FIG. 1).

前記搬送部1はフレーム23、該フレーム23に設けられたパネル(図示せず)により構成される密閉又は略密閉された筐体24を有し、該筐体24の上部にはクリーンユニット25が設けられ、前記筐体24の内部、前記クリーンユニット25の下方は搬送空間26となっており、該搬送空間26には搬送ロボット27が収納されている。   The transport unit 1 includes a frame 23 and a sealed or substantially sealed casing 24 configured by a panel (not shown) provided on the frame 23, and a clean unit 25 is disposed above the casing 24. A transfer space 26 is provided inside the housing 24 and below the clean unit 25, and a transfer robot 27 is accommodated in the transfer space 26.

前記搬送空間26の下方は収納部28となっており、該収納部28には駆動部29、CPU等で構成される搬送部用の制御部31、電源、電磁弁等を含む付属機器32が収納されている。   Below the transfer space 26 is a storage unit 28, which includes a drive unit 29, a control unit 31 for a transfer unit composed of a CPU and the like, an accessory device 32 including a power source, an electromagnetic valve, and the like. It is stored.

前記クリーンユニット25は浄化した空気を下方に送出しており、前記搬送空間26には上方から下方に向う清浄空気流れ30が形成される様になっている。   The clean unit 25 sends purified air downward, and a clean air flow 30 is formed in the transfer space 26 from above to below.

前記搬送ロボット27は昇降部33、該昇降部33の上端に設けられた2組のアーム34,35を有し、該アーム34,35は独立して屈伸可能となっている。又該アーム34,35の先端にはそれぞれウェーハ受載板36,36が設けられている。   The transfer robot 27 has an elevating part 33 and two sets of arms 34 and 35 provided at the upper end of the elevating part 33. The arms 34 and 35 can be bent and extended independently. Wafer receiving plates 36 and 36 are provided at the tips of the arms 34 and 35, respectively.

前記アーム34,35は複節アーム構造であり、該アーム34,35の屈伸により前記ウェーハ受載板36,36が独立して進退する様になっていると共に前記アーム34,35は独立して回転可能となっており、前記アーム34,35は前記駆動部29によって駆動されると共に前記制御部31によって駆動が制御される。   The arms 34 and 35 have a multi-node arm structure, and the wafer receiving plates 36 and 36 are independently advanced and retracted by bending and stretching of the arms 34 and 35, and the arms 34 and 35 are independent. The arms 34 and 35 are driven by the drive unit 29 and controlled by the control unit 31.

前記搬送空間26の上部に位置する様に、前記較正用ウェーハ収納部5が前記フレーム23に取付けられている。前記較正用ウェーハ収納部5は中空構造であり、前記搬送空間26の上部に開口し、開口部は前記搬送ロボット27の動作範囲内に位置している。又、前記較正用ウェーハ収納部5は清浄空気の流れの障害とならない様に、外方に水平に突出している。   The calibration wafer storage unit 5 is attached to the frame 23 so as to be positioned above the transfer space 26. The calibration wafer storage unit 5 has a hollow structure and opens at the top of the transfer space 26, and the opening is located within the operation range of the transfer robot 27. Further, the calibration wafer storage unit 5 protrudes horizontally so as not to obstruct the flow of clean air.

前記搬送ロボット27は搬送動作により発塵するが、前記較正用ウェーハ収納部5を前記搬送ロボット27の上方に配置することで、前記較正用ウェーハ収納部5が前記搬送ロボット27の上流側となり、該搬送ロボット27によって発生したパーティクルが前記較正用ウェーハ収納部5に到達することはない。   Although the transfer robot 27 generates dust by a transfer operation, the calibration wafer storage unit 5 is located upstream of the transfer robot 27 by disposing the calibration wafer storage unit 5 above the transfer robot 27. Particles generated by the transfer robot 27 do not reach the calibration wafer storage unit 5.

該較正用ウェーハ収納部5はウェーハ載置板38を少なくとも1段、図示では上下2段に有し、該ウェーハ載置板38には較正用ウェーハ37が載置される。   The calibration wafer storage unit 5 has at least one stage, and two upper and lower stages in the drawing, and a calibration wafer 37 is placed on the wafer placement board 38.

前記較正用ウェーハ収納部5には清浄流れ形成手段39が設けられ、該清浄流れ形成手段39は前記較正用ウェーハ37の表面に沿って一方向に流れる清浄流れ41(後述)を形成する様になっている。前記清浄流れ形成手段39により前記較正用ウェーハ収納部5内部に清浄流れ41が形成されることで、前記清浄空気流れ30は前記較正用ウェーハ収納部5に浸入することなく流下し、該較正用ウェーハ収納部5内部は前記搬送空間26より高度の清浄雰囲気が形成される。   The calibration wafer storage 5 is provided with a clean flow forming means 39, and the clean flow forming means 39 forms a clean flow 41 (described later) that flows in one direction along the surface of the calibration wafer 37. It has become. The clean flow forming means 39 forms a clean flow 41 inside the calibration wafer storage unit 5 so that the clean air flow 30 flows down without entering the calibration wafer storage unit 5, and A higher clean atmosphere is formed in the wafer storage unit 5 than in the transfer space 26.

前記較正用ウェーハ37には既知の粒径、既知の分布密度でパーティクルが付着されており、前記較正用ウェーハ37により表面検査した信号に基づき表面検査結果の較正を行うことができる様になっている。又、前記較正用ウェーハ収納部5に複数の較正用ウェーハ37が収納される場合は、各較正用ウェーハ37毎にパーティクルの粒径、分布が異なっており、種々の較正条件が得られる様になっている。   Particles with a known particle diameter and a known distribution density are attached to the calibration wafer 37, and the surface inspection result can be calibrated based on the signal surface-inspected by the calibration wafer 37. Yes. Further, when a plurality of calibration wafers 37 are stored in the calibration wafer storage unit 5, the particle diameter and distribution of the particles are different for each calibration wafer 37, so that various calibration conditions can be obtained. It has become.

上記した様に、前記較正用ウェーハ収納部5の内部には、即ち収納されている較正用ウェーハ37の周囲には滞留のない清浄空気の流れが形成されるので、清浄空気内にパーティクルが僅かに含まれたとしても、パーティクルは前記較正用ウェーハ37に付着することはなく、該較正用ウェーハ37の表面は常に清浄状態が保たれる。   As described above, since a flow of clean air that does not stay is formed in the calibration wafer storage unit 5, that is, around the calibration wafer 37 that is stored, there are few particles in the clean air. Even if it is included, the particles do not adhere to the calibration wafer 37, and the surface of the calibration wafer 37 is always kept clean.

次に、図5〜図8を参照して前記較正用ウェーハ収納部5について説明する。   Next, the calibration wafer storage unit 5 will be described with reference to FIGS.

ウェーハ収納箱42がブラケット43を介して前記筐体24に取付けられる。前記ウェーハ収納箱42は扁平な箱形状の容器であり、一端部は前記搬送空間26内部に突入され、突入端は該搬送空間26に向って開放された開口44を有している。突入端部の上側に軸受45を介して扉軸46が回転自在に設けられ、該扉軸46に蓋47が取付けられ、該蓋47は前記開口44を閉塞可能となっている。   A wafer storage box 42 is attached to the housing 24 via a bracket 43. The wafer storage box 42 is a flat box-shaped container, one end of which protrudes into the transfer space 26, and the input end has an opening 44 that opens toward the transfer space 26. A door shaft 46 is rotatably provided above the entry end via a bearing 45, and a lid 47 is attached to the door shaft 46, and the lid 47 can close the opening 44.

前記扉軸46の一端には、該扉軸46を介して前記蓋47を回転させるアクチュエータ、例えばロータリソレノイド48が取付けられ、他端には前記蓋47の開閉状態、即ち前記扉軸46の回転角を検出する蓋開閉検出器49が取付けられている。   An actuator for rotating the lid 47 via the door shaft 46, for example, a rotary solenoid 48, is attached to one end of the door shaft 46, and the lid 47 is opened or closed, that is, the door shaft 46 is rotated at the other end. A lid opening / closing detector 49 for detecting a corner is attached.

前記ロータリソレノイド48の作動で前記扉軸46を介して前記蓋47が回転し、該蓋47によって前記開口44が開閉され、又開閉状態は前記蓋開閉検出器49によって検出される。又、前記ロータリソレノイド48は、半開、全閉状態が可能な2段動作駆動可能であることが好ましい。前記蓋開閉検出器49が検出した前記蓋47の開放状態は前記制御部31に送出される。   The lid 47 is rotated through the door shaft 46 by the operation of the rotary solenoid 48, the opening 44 is opened and closed by the lid 47, and the open / closed state is detected by the lid open / close detector 49. Further, it is preferable that the rotary solenoid 48 can be driven in a two-stage operation that can be in a half-open state or a fully-closed state. The open state of the lid 47 detected by the lid open / close detector 49 is sent to the control unit 31.

前記ウェーハ収納箱42の内部には、ウェーハ置台51が設置される。該ウェーハ置台51は、4本の支柱52により上下2段に前記ウェーハ載置板38,38が支持され、該ウェーハ載置板38は前記ウェーハ受載板36によるウェーハ搬送動作と干渉しない様に、凹形状をしている。   A wafer pedestal 51 is installed inside the wafer storage box 42. In the wafer mounting table 51, the wafer mounting plates 38, 38 are supported in four stages by four columns 52, so that the wafer mounting plate 38 does not interfere with the wafer transfer operation by the wafer receiving plate 36. It has a concave shape.

前記ウェーハ載置板38の上面には4箇所に受載駒53が設けられ、前記較正用ウェーハ37は前記受載駒53に周辺4箇所を支持され載置される様になっている。該受載駒53のウェーハ受載面53aは一段低くなっており、上面から該ウェーハ受載面53aへは斜面53bとなっており、該斜面53bによってウェーハの前記受載駒53への載置が容易になっている。前記受載駒53は前記較正用ウェーハ37を汚染しない材質、例えば、ポリアセタール樹脂、ポリイミド樹脂、セラミック等が用いられる。ウェーハ表裏面の金属汚染防止の為である。   On the upper surface of the wafer mounting plate 38, receiving pieces 53 are provided at four places, and the calibration wafer 37 is placed on the receiving piece 53 while being supported at four places. The wafer receiving surface 53a of the receiving piece 53 is one step lower, and an inclined surface 53b is formed from the upper surface to the wafer receiving surface 53a, and the wafer is placed on the receiving piece 53 by the inclined surface 53b. Has become easier. The receiving piece 53 is made of a material that does not contaminate the calibration wafer 37, for example, polyacetal resin, polyimide resin, ceramic, or the like. This is to prevent metal contamination on the front and back surfaces of the wafer.

又、前記ウェーハ載置板38上面の所要位置、例えば前記受載駒53の近傍にウェーハ検知器54が設けられ、該ウェーハ検知器54は光センサ、超音波センサ等の非接触検知器となっており、ウェーハの有無を検知する。ウェーハの検知結果は前記制御部31に送出される。   A wafer detector 54 is provided at a required position on the upper surface of the wafer mounting plate 38, for example, in the vicinity of the receiving piece 53. The wafer detector 54 is a non-contact detector such as an optical sensor or an ultrasonic sensor. It detects the presence or absence of a wafer. The wafer detection result is sent to the control unit 31.

前記開口44の上端、前記ウェーハ収納箱42の上面に沿って清浄気体吐出ノズル55が設けられ、該清浄気体吐出ノズル55は清浄気体供給系57を介して図示しない清浄気体供給源に接続されている。前記清浄気体吐出ノズル55は、前記開口44を水平方向に横断する中空管に所要ピッチで気体吐出孔56が穿設されたものであり、該気体吐出孔56は、図7に見られる様に、水平、或は略水平に穿設され、清浄気体を前記ウェーハ収納箱42の奥に向って水平に吐出する様になっている。前記気体吐出孔56の数、ピッチ、孔径は吐出される清浄気体が均一な速度分布、若しくは略均一な速度分布が形成される様に選択される。   A clean gas discharge nozzle 55 is provided along the upper end of the opening 44 and the upper surface of the wafer storage box 42, and the clean gas discharge nozzle 55 is connected to a clean gas supply source (not shown) via a clean gas supply system 57. Yes. In the clean gas discharge nozzle 55, gas discharge holes 56 are formed at a required pitch in a hollow tube horizontally traversing the opening 44, and the gas discharge holes 56 can be seen in FIG. Further, it is drilled horizontally or substantially horizontally, and the clean gas is discharged horizontally toward the back of the wafer storage box 42. The number, pitch, and hole diameter of the gas discharge holes 56 are selected so that the clean gas to be discharged has a uniform velocity distribution or a substantially uniform velocity distribution.

清浄気体供給源の一例としては、ポンプ等の空気圧送手段と、流量制御器、漸次目が小さくなる複数段のフィルタ等によって構成され、充分にパーティクルを除去して供給可能なもの、或は気体供給源として不活性ガス、例えば、窒素ガスを供給可能としたもの等が挙げられる。   As an example of the clean gas supply source, it is composed of a pneumatic feeding means such as a pump, a flow rate controller, a multi-stage filter with a progressively smaller scale, etc., which can remove and supply particles sufficiently, or a gas Examples of the supply source include those capable of supplying an inert gas such as nitrogen gas.

而して、前記清浄気体吐出ノズル55、前記清浄気体供給系57、前記清浄気体供給源等により前記清浄流れ形成手段39が構成され、該清浄流れ形成手段39により清浄気体が前記ウェーハ収納箱42内に吐出され、該ウェーハ収納箱42内部に清浄流れが形成される。前記清浄流れ形成手段39からの清浄気体供給のオン/オフ、清浄気体供給量は、前記制御部31によって制御される。   Thus, the clean gas forming nozzle 39, the clean gas supply system 57, the clean gas supply source, and the like constitute the clean flow forming means 39, and the clean flow forming means 39 supplies the clean gas to the wafer storage box 42. A clean flow is formed inside the wafer storage box 42. On / off of the clean gas supply from the clean flow forming means 39 and the clean gas supply amount are controlled by the control unit 31.

尚、前記ウェーハ収納箱42の上面にティーチング用の覗き窓58が設けられ、外部に突出した奥壁面42aにティーチング用の覗き窓59が設けられ、該覗き窓58,59を通して前記ウェーハ収納箱42内部が観察可能であると共に前記覗き窓58,59は密閉状態となっている。該覗き窓58,59は、前記搬送ロボット27により前記較正用ウェーハ37を搬送する場合に、該較正用ウェーハ37が正確に前記受載駒53に載置される様、前記搬送ロボット27にウェーハの受載位置を設定する場合に用いられる。   A viewing window 58 for teaching is provided on the upper surface of the wafer storage box 42, and a viewing window 59 for teaching is provided on the rear wall surface 42 a protruding to the outside, and the wafer storage box 42 is passed through the viewing windows 58 and 59. The inside can be observed and the viewing windows 58 and 59 are sealed. The viewing windows 58 and 59 allow the calibration robot 37 to be placed on the receiving piece 53 when the calibration robot 37 is conveyed by the conveyance robot 27. This is used when setting the receiving position.

以下、前記表面検査装置の作動について説明する。   Hereinafter, the operation of the surface inspection apparatus will be described.

先ず、較正用ウェーハ37の搬送工程を説明する。   First, the conveyance process of the calibration wafer 37 will be described.

該較正用ウェーハ37を収納するカセット(図示せず)が前記カセット授受ステージ3に載置される。前記カセットには1枚又は複数枚の較正用ウェーハ37が収納されている。複数枚の較正用ウェーハ37が収納される場合は、各較正用ウェーハ37は付着された粒子径、粒子の個数、或は分布密度が異なるものが用いられる。   A cassette (not shown) for storing the calibration wafer 37 is placed on the cassette transfer stage 3. One or a plurality of calibration wafers 37 are stored in the cassette. When a plurality of calibration wafers 37 are accommodated, the calibration wafers 37 having different particle diameters, number of particles, or distribution density are used.

前記ロータリソレノイド48により前記扉軸46を介して前記蓋47が上方に回転され、前記開口44が開放される。   The lid 47 is rotated upward by the rotary solenoid 48 via the door shaft 46 and the opening 44 is opened.

前記蓋47が完全に解放された状態で、前記搬送ロボット27による前記アーム34,35の昇降、回転、進退の協動により、前記カセット授受ステージ3上のカセットから前記較正用ウェーハ収納部5の前記ウェーハ置台51の各段の前記ウェーハ載置板38にそれぞれ前記較正用ウェーハ37が搬送され、前記受載駒53を介して前記ウェーハ載置板38に載置される。   With the lid 47 completely released, the transfer robot 27 moves the arms 34, 35 up and down, rotates, and moves back and forth from the cassette on the cassette transfer stage 3 to the calibration wafer storage unit 5. The calibration wafer 37 is transferred to the wafer mounting plate 38 at each stage of the wafer mounting table 51 and mounted on the wafer mounting plate 38 via the receiving piece 53.

図9(A)に示される様に、前記清浄気体吐出ノズル55の前記気体吐出孔56からは、清浄気体が水平方向に吐出される。清浄気体は水平に流れ、前記奥壁面42aで反転し、又上下2段に分流して前記較正用ウェーハ37の表面に沿って流れ、前記開口44からは前記清浄空気流れ30と合流して下方に流下する。従って、前記ウェーハ収納箱42内部には滞留のない、前記較正用ウェーハ37表面に沿って流れる清浄流れ41が形成され、前記較正用ウェーハ37の表面が清浄な状態に維持される。   As shown in FIG. 9A, clean gas is discharged from the gas discharge hole 56 of the clean gas discharge nozzle 55 in the horizontal direction. The clean gas flows horizontally, reverses at the back wall surface 42a, splits into two upper and lower stages, flows along the surface of the calibration wafer 37, and merges with the clean air flow 30 from the opening 44 and below. To flow down. Accordingly, a clean flow 41 flowing along the surface of the calibration wafer 37 that does not stay in the wafer storage box 42 is formed, and the surface of the calibration wafer 37 is maintained in a clean state.

前記較正用ウェーハ37が前記較正用ウェーハ収納部5に収納されると、製品用のウェーハ11の表面検査が行われる前工程として、検出部(受光センサ18、信号処理部19)の較正が行われる。   When the calibration wafer 37 is stored in the calibration wafer storage unit 5, the detection unit (the light receiving sensor 18 and the signal processing unit 19) is calibrated as a pre-process in which the surface inspection of the product wafer 11 is performed. Is called.

較正工程で使用される前記較正用ウェーハ37は、検査の対象となるウェーハ11に適合したもの、例えば膜質が同一であるもの、検査の対象となる粒子径、粒子の個数、或は分布密度等の条件が一致しているものが選択される。   The calibration wafer 37 used in the calibration process is suitable for the wafer 11 to be inspected, for example, the film quality is the same, the particle diameter to be inspected, the number of particles, or the distribution density. Those that match the conditions are selected.

前記搬送ロボット27により、前記較正用ウェーハ収納部5内の前記較正用ウェーハ37が前記表面検査部2内の前記検査テーブル12上に移載される。   The calibration robot 37 in the calibration wafer storage unit 5 is transferred onto the inspection table 12 in the surface inspection unit 2 by the transfer robot 27.

前記モータ13により前記検査テーブル12が回転され、前記投光部15を介してレーザ光線が前記較正用ウェーハ37上に照射される。該較正用ウェーハ37で反射された反射光は前記受光部17で受光され、受光結果が前記コンピュータ16に入力される。該コンピュータ16では受光結果より、前記較正用ウェーハ37へのレーザ光線の投光状態が一定となる様に、前記レーザ光源14を制御する。   The inspection table 12 is rotated by the motor 13, and a laser beam is irradiated onto the calibration wafer 37 through the light projecting unit 15. The reflected light reflected by the calibration wafer 37 is received by the light receiving unit 17, and the light reception result is input to the computer 16. The computer 16 controls the laser light source 14 based on the light reception result so that the light projection state of the laser beam onto the calibration wafer 37 is constant.

又、前記較正用ウェーハ37についての検査結果に基づき、前記受光センサ18への印加電圧が調整され、該受光センサ18の感度が調整される。或は、前記信号処理部19での受光信号の増幅率が調整される。或は、その両方を行う等適宜な方法により較正が行われる。   Further, based on the inspection result of the calibration wafer 37, the voltage applied to the light receiving sensor 18 is adjusted, and the sensitivity of the light receiving sensor 18 is adjusted. Alternatively, the amplification factor of the received light signal in the signal processing unit 19 is adjusted. Alternatively, calibration is performed by an appropriate method such as both.

較正が完了すると、前記搬送ロボット27により前記検査テーブル12上の前記較正用ウェーハ37が前記較正用ウェーハ収納部5に戻される。   When the calibration is completed, the calibration wafer 37 on the inspection table 12 is returned to the calibration wafer storage unit 5 by the transfer robot 27.

次に、前記カセット授受ステージ3上のカセットから検査対象のウェーハ11が前記検査テーブル12に搬送され、ウェーハ11についての表面検査が順次実行される。   Next, the wafer 11 to be inspected is transferred from the cassette on the cassette transfer stage 3 to the inspection table 12, and the surface inspection of the wafers 11 is sequentially executed.

ウェーハ11についての表面検査が実行されている間、前記開口44は開放され、前記清浄気体吐出ノズル55からは清浄気体が吐出される。前記較正用ウェーハ収納部5内部に清浄流れ41が形成され、前記較正用ウェーハ37の清浄な状態が維持される。   While the surface inspection of the wafer 11 is being performed, the opening 44 is opened, and clean gas is discharged from the clean gas discharge nozzle 55. A clean flow 41 is formed in the calibration wafer storage unit 5 and the clean state of the calibration wafer 37 is maintained.

尚、前記較正用ウェーハ収納部5内部に前記較正用ウェーハ37が収納されるているかどうかは前記ウェーハ検知器54により検出され、前記較正用ウェーハ収納部5に前記較正用ウェーハ37が収納されている状態では、前記表面検査部8による表面検査が実行されているいないに拘らず、前記清浄気体吐出ノズル55からは清浄気体が吐出され続け、前記清浄流れ41が形成される。   Whether or not the calibration wafer 37 is stored in the calibration wafer storage unit 5 is detected by the wafer detector 54, and the calibration wafer 37 is stored in the calibration wafer storage unit 5. In this state, the clean gas is continuously discharged from the clean gas discharge nozzle 55 regardless of whether the surface inspection by the surface inspection unit 8 is being performed, and the clean flow 41 is formed.

尚、前記表面検査部8の非常停止、或は前記クリーンユニット25が停止した場合等、前記搬送空間26の清浄度が低下する様な状況では、前記制御部31により異常が判断され、前記ロータリソレノイド48を駆動して、前記蓋47を閉状態とする。該蓋47を閉状態とすることで、前記清浄空気流れ30が停止したことによる気流の変化に起因したパーティクルの巻込みを防止する。   Note that in a situation where the cleanliness of the transfer space 26 is reduced, such as when the surface inspection unit 8 is stopped in an emergency or when the clean unit 25 is stopped, an abnormality is determined by the control unit 31, and the rotary unit The solenoid 48 is driven to close the lid 47. By closing the lid 47, the entrainment of particles due to the change of the air flow due to the stop of the clean air flow 30 is prevented.

又、閉状態として、前記較正用ウェーハ収納部5内を完全に密閉すると、内部の気流が停滞し、収納されている較正用ウェーハ37がパーティクルにより汚染される可能性が生ずるので、前記蓋47は閉状態でも前記開口44を密閉せず、下部が一部開放された状態とする。   Further, when the calibration wafer storage unit 5 is completely sealed in the closed state, the air flow inside may stagnate and the stored calibration wafer 37 may be contaminated by particles. In the closed state, the opening 44 is not sealed, and the lower part is partially opened.

図9(B)に示される様に、前記開口44が一部開放され、前記清浄気体吐出ノズル55から清浄気体が吐出され続けることで、前記清浄流れ41が維持され、前記較正用ウェーハ収納部5内部が清浄雰囲気に維持される。   As shown in FIG. 9 (B), the opening 44 is partially opened, and the clean gas is continuously discharged from the clean gas discharge nozzle 55, whereby the clean flow 41 is maintained, and the calibration wafer storage unit. 5 The inside is maintained in a clean atmosphere.

尚、前記蓋47の下部に切欠き部を形成し、該蓋47を完全に閉状態としても前記清浄流れ41の流路が確保される様にしてもよい。   Note that a notch may be formed in the lower portion of the lid 47 so that the flow path of the clean flow 41 is ensured even when the lid 47 is completely closed.

又、前記清浄気体吐出ノズル55から吐出される流量、或は前記気体吐出孔56の吐出方向を調整し、吐出される清浄気体が上段の前記較正用ウェーハ37の表面に衝突し、一部が前記開口44に向って逆流する様にしてもよい。一部を前記開口44に向って逆流させることで、前記開口44全面から前記搬送空間26に向って清浄気体が流出する状態となり、前記清浄空気流れ30の前記較正用ウェーハ収納部5内への浸入を防止し、前記較正用ウェーハ収納部5内を高清浄度に維持できる。   Further, the flow rate discharged from the clean gas discharge nozzle 55 or the discharge direction of the gas discharge hole 56 is adjusted, and the discharged clean gas collides with the surface of the calibration wafer 37 in the upper stage, and a part thereof You may make it back flow toward the said opening 44. FIG. By partially flowing back toward the opening 44, a clean gas flows out from the entire surface of the opening 44 toward the transfer space 26, and the clean air flow 30 enters the calibration wafer storage unit 5. Intrusion is prevented, and the inside of the calibration wafer storage unit 5 can be maintained at a high cleanliness.

本発明に係る表面検査装置の正面からの斜視図である。It is a perspective view from the front of the surface inspection apparatus concerning the present invention. 本発明に係る表面検査装置の背面からの斜視図である。It is a perspective view from the back of the surface inspection apparatus concerning the present invention. 該表面検査装置が具備する表面検査部の一例を示す概略ブロック図である。It is a schematic block diagram which shows an example of the surface inspection part which this surface inspection apparatus comprises. 該表面検査装置の搬送部の内部を示す側面図である。It is a side view which shows the inside of the conveyance part of this surface inspection apparatus. 該搬送部が具備する較正用ウェーハ収納部の側断面図である。It is a sectional side view of the wafer storage part for a calibration which this conveyance part comprises. 該較正用ウェーハ収納部の平面図である。It is a top view of this calibration wafer storage part. 該較正用ウェーハ収納部の蓋が開いた状態での正面図である。It is a front view in the state where the lid of the calibration wafer storage part was opened. 該較正用ウェーハ収納部に用いられる清浄気体吐出ノズルの断面図である。It is sectional drawing of the clean gas discharge nozzle used for this wafer housing part for calibration. (A)は較正用ウェーハ収納部の蓋が開いた状態での清浄流れを示す説明図、(B)は較正用ウェーハ収納部の蓋が閉じた状態での清浄流れを示す説明図である。(A) is explanatory drawing which shows the cleaning flow in the state which the lid | cover of the calibration wafer storage part opened, (B) is explanatory drawing which shows the cleaning flow in the state which the lid | cover of the calibration wafer storage part closed.

符号の説明Explanation of symbols

1 搬送部
2 検査部
5 較正用ウェーハ収納部
8 表面検査部
26 搬送空間
27 搬送ロボット
30 清浄空気流れ
31 制御部
37 較正用ウェーハ
38 ウェーハ載置板
39 清浄流れ形成手段
41 清浄流れ
44 開口
47 蓋
48 ロータリソレノイド
51 ウェーハ置台
53 受載駒
54 ウェーハ検知器
55 清浄気体吐出ノズル
56 気体吐出孔
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transfer part 2 Inspection part 5 Calibration wafer storage part 8 Surface inspection part 26 Transfer space 27 Transfer robot 30 Clean air flow 31 Control part 37 Calibration wafer 38 Wafer mounting plate 39 Clean flow formation means 41 Clean flow 44 Opening 47 Lid 48 Rotary solenoid 51 Wafer mounting 53 Receiving piece 54 Wafer detector 55 Clean gas discharge nozzle 56 Gas discharge hole

Claims (8)

基板表面の異物、傷を検査する検査部と、該検査部に被検査体の基板、較正用基板を搬入出する搬送部とを具備する表面検査装置に於いて、前記搬送部が較正用基板を複数収納する較正用基板収納部を具備し、
該較正用基板収納部は前記搬送部内に開口する容器であり、開口上部を横断する様に清浄気体吐出ノズルが設けられ、該清浄気体吐出ノズルから清浄気体が吐出され、該清浄気体は収納された基板表面に沿って収納部奥に向って流れ、奥壁面で折返し流れ、前記開口下部より流出する清浄流れが形成され、
前記清浄気体吐出ノズルから吐出される前記清浄気体は上段の前記較正用基板の表面に衝突し、一部は逆流し、前記開口から流出する様に構成されたことを特徴とする表面検査装置。
In a surface inspection apparatus comprising an inspection unit for inspecting foreign matter and scratches on a substrate surface, and a conveyance unit for carrying in and out a substrate for an inspection object and a calibration substrate in the inspection unit, the conveyance unit is a calibration substrate. A plurality of calibration substrate storage units,
The calibration substrate storage unit is a container opened in the transport unit, and a clean gas discharge nozzle is provided so as to cross the upper part of the opening, and the clean gas is discharged from the clean gas discharge nozzle, and the clean gas is stored. Flow toward the back of the storage unit along the surface of the substrate, flow back at the back wall, forming a clean flow that flows out from the bottom of the opening,
Wherein the clean gas discharged from the clean gas discharge nozzle impinges on the surface of the calibration substrate of the upper, partly flow back, surface inspection, characterized in that it is configured so as to flow out the apertures or al apparatus.
基板表面の異物、傷を検査する検査部と、該検査部に被検査体の基板、較正用基板を搬入出する搬送部とを具備する表面検査装置に於いて、前記搬送部が較正用基板を収納する較正用基板収納部を具備し、
該較正用基板収納部は前記搬送部内に開口し、該開口を開閉する蓋を有すると共に少なくとも1段の基板載置板を有する容器であり、
開口上部を横断する様に清浄気体吐出ノズルが設けられ、該清浄気体吐出ノズルから清浄気体が吐出され、該清浄気体は収納された基板表面に沿って収納部奥に向って流れ、奥壁面で折返し流れる清浄流れが形成され、
前記蓋は閉状態で前記開口の一部を開放し、前記較正用基板収納部内部の清浄流れが維持される様構成したことを特徴とする表面検査装置。
In a surface inspection apparatus comprising an inspection unit for inspecting foreign matter and scratches on a substrate surface, and a conveyance unit for carrying in and out a substrate for an inspection object and a calibration substrate in the inspection unit, the conveyance unit is a calibration substrate. A calibration substrate storage section for storing
The calibration substrate storage unit is a container that has an opening in the transport unit, a lid that opens and closes the opening, and at least one substrate mounting plate.
A clean gas discharge nozzle is provided so as to cross the upper part of the opening, and the clean gas is discharged from the clean gas discharge nozzle, and the clean gas flows toward the back of the storage portion along the surface of the stored substrate. A clean flow that turns around is formed,
The surface inspection apparatus, wherein the lid is configured to open a part of the opening in a closed state so as to maintain a clean flow inside the calibration substrate storage unit.
前記清浄気体吐出ノズルから吐出される清浄気体の一部は逆流し、前記開口から流出する様にした請求項2の表面検査装置。   The surface inspection apparatus according to claim 2, wherein a part of the clean gas discharged from the clean gas discharge nozzle flows backward and flows out from the opening. 前記搬送部内部には清浄空気流れが形成され、前記清浄気体吐出ノズルから吐出される清浄気体は前記清浄空気流れとは独立して供給される請求項2の表面検査装置。   The surface inspection apparatus according to claim 2, wherein a clean air flow is formed inside the transport unit, and the clean gas discharged from the clean gas discharge nozzle is supplied independently of the clean air flow. 前記較正用基板収納部は前記開口を開閉する蓋を具備し、該蓋は前記搬送部内部の清浄度が低下した場合に閉塞される様構成した請求項1の表面検査装置。   The surface inspection apparatus according to claim 1, wherein the calibration substrate storage unit includes a lid that opens and closes the opening, and the lid is closed when the cleanliness inside the transport unit decreases. 前記蓋は閉状態で前記較正用基板収納部内部に清浄流れが維持される様、前記開口の一部が開放される様になっている請求項1の表面検査装置。   The surface inspection apparatus according to claim 1, wherein a part of the opening is opened so that a clean flow is maintained inside the calibration substrate storage unit in the closed state. 前記較正用基板収納部は、基板の有無を検出する基板検知器を具備し、該基板検知器により基板を検知している状態では、前記清浄流れを維持する請求項1又は請求項2の表面検査装置。   3. The surface according to claim 1, wherein the calibration substrate storage unit includes a substrate detector that detects the presence or absence of a substrate, and maintains the clean flow when the substrate is detected by the substrate detector. Inspection device. 前記較正用基板収納部は、基板収納位置を設定する為のティーチング用覗き窓を具備する請求項1の表面検査装置。   The surface inspection apparatus according to claim 1, wherein the calibration substrate storage unit includes a teaching viewing window for setting a substrate storage position.
JP2007107300A 2007-04-16 2007-04-16 Surface inspection device Expired - Fee Related JP5075458B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007107300A JP5075458B2 (en) 2007-04-16 2007-04-16 Surface inspection device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007107300A JP5075458B2 (en) 2007-04-16 2007-04-16 Surface inspection device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008267827A JP2008267827A (en) 2008-11-06
JP5075458B2 true JP5075458B2 (en) 2012-11-21

Family

ID=40047547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007107300A Expired - Fee Related JP5075458B2 (en) 2007-04-16 2007-04-16 Surface inspection device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5075458B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5581713B2 (en) 2009-02-12 2014-09-03 株式会社Sumco Wafer surface measuring device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09143674A (en) * 1995-11-24 1997-06-03 Tokyo Electron Ltd Film forming device and using method therefor
JP3375831B2 (en) * 1996-09-02 2003-02-10 東京エレクトロン株式会社 Processing equipment
JPH11118677A (en) * 1997-10-14 1999-04-30 Hitachi Ltd Object to be inspected for calibration, manufacture thereof, calibration method of inspection instrument and inspection instrument
JP4128811B2 (en) * 2001-08-10 2008-07-30 株式会社トプコン Surface inspection device
JP2004235516A (en) * 2003-01-31 2004-08-19 Trecenti Technologies Inc Purging method in wafer housing jig, load port, and method for manufacturing semiconductor device
JP4012190B2 (en) * 2004-10-26 2007-11-21 Tdk株式会社 Closed container lid opening and closing system and opening and closing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008267827A (en) 2008-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4313824B2 (en) Substrate transfer apparatus, substrate transfer method, and storage medium
KR100686762B1 (en) Substrate processing system
TW201620065A (en) Loading port and loading port atmoshpere substitution method
US6755934B2 (en) Processing apparatus having particle counter and cleaning device, cleaning method, cleanliness diagnosis method and semiconductor fabricating apparatus using the same
JP4584821B2 (en) Vacuum processing apparatus and belt-like airflow forming apparatus
JP2011075351A (en) Inspection device and method
TW201704888A (en) Exposure device and substrate processing apparatus
US8310667B2 (en) Wafer surface inspection apparatus and wafer surface inspection method
JP4846638B2 (en) Surface inspection device
JP4128811B2 (en) Surface inspection device
JP2009016595A (en) Substrate inspecting apparatus
JP4090313B2 (en) Substrate holding device and substrate processing apparatus
JP5075458B2 (en) Surface inspection device
JP2011023669A (en) Process liquid supplying device and process liquid supplying method
KR20070093696A (en) Vacuum system for manufacturing semiconductor device equipment
JP4079206B2 (en) Substrate inspection apparatus, substrate inspection method, and liquid processing apparatus including substrate inspection apparatus
TW201700926A (en) Substrate transporting device, substrate treating apparatus, and substrate transporting method
JPWO2020157967A1 (en) Manufacturing method of substrate processing equipment and semiconductor equipment
KR100722753B1 (en) Rotation drive device and rotation drive method
JP5290837B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2006190828A (en) Substrate treatment apparatus
TWI642931B (en) Defect inspection apparatus and defect inspection method
KR20070066706A (en) Air flow controller and clean room with the same
JP4294716B2 (en) Measuring instrument base
JP7316104B2 (en) Wafer transfer device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100413

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111129

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120214

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120316

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120807

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120827

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees