JP4079206B2 - Substrate inspection apparatus, substrate inspection method, and liquid processing apparatus including substrate inspection apparatus - Google Patents

Substrate inspection apparatus, substrate inspection method, and liquid processing apparatus including substrate inspection apparatus Download PDF

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【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハやＬＣＤ基板等の各種基板を取り扱う際に使用される基板検査装置と基板検査方法、およびこの基板検査装置を備え、基板に対して所定の液処理や乾燥処理を施す液処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、半導体デバイスの製造工程においては、基板としての半導体ウエハ（ウエハ）を所定の薬液や純水等の洗浄液によって洗浄し、ウエハからパーティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーション、エッチング処理後のポリマー等を除去するウエハ洗浄装置や、窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスや揮発性および親水性の高いＩＰＡ蒸気等によってウエハから液滴を取り除いてウエハを乾燥させるウエハ乾燥装置が使用されている。
【０００３】
このような洗浄・乾燥装置としては、複数枚のウエハをウエハ洗浄・乾燥室に収納してバッチ式に処理するものが知られている。一般的に、このような洗浄・乾燥装置においては、複数枚のウエハがその主面が略平行になるようにして収納された容器（フープ）を洗浄・乾燥装置の所定位置に載置し、搬送アームを用いてフープ内の複数のウエハを同時に取り出して洗浄・乾燥室へ搬入し、ウエハを保持する保持手段に移し替えて所定の処理を行った後に、再び搬送アームを用いて洗浄・乾燥室からフープへウエハを搬送するという作業が行われる。こうして所定の洗浄・乾燥処理が終了したウエハが収納されたフープは、次工程へと搬送される。
【０００４】
ここで、例えば、フープからのウエハの搬送は、所定の枚数のウエハがフープに収納されているかどうかを各種センサを用いて確認した後に行われており、例えば、赤外線レーザセンサを用いてウエハの端面の位置を検出して枚数を計測する方法や、縦１列に配置された赤外線レーザセンサをフープの底より挿入してその透過光を受信することで枚数を計測する方法が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の赤外線レーザセンサを用いた検査方法においては、赤外線レーザセンサの受信信号のオンオフのみを判断していたためにウエハの枚数を検査することはできても、ウエハが２枚重なって収納されていたり、斜めに収納されていたり（このような収納状態を以下「ジャンプスロット」という）した場合に、その状態を確認することができなかった。一方、オンオフ信号の信号パターンを全体的に精密に解析すれば、ウエハの２枚重ね等の状態を把握することは可能であるが、この場合には、膨大な信号データを処理しなければならず、検査時間が長くかかるという問題があった。
【０００６】
ここで、例えば、フープ内でウエハが２枚重なって収納されていた場合には、ウエハをフープから搬出した際に、重なったウエハのうちの１枚が搬送アームから落下して洗浄・乾燥装置を汚したり、洗浄・乾燥室に搬入した際にウエハの保持手段が重なったウエハのうちの１枚を保持できずに破損、落下し、または保持手段に損傷を与える等するおそれがある。このような事故が生じた場合には、洗浄・乾燥装置の運転を一時停止し、清掃やメンテナンスの必要が生ずるばかりでなく、他のウエハの処理も不可能となる場合がある。
【０００７】
また、フープ内でウエハが斜めに挿入されていた場合には、搬送アームをフープに挿入したときに搬送アームとフープが衝突して、ウエハの破損や搬送アームの損傷、破損したウエハによる他のウエハの損傷等が生ずるおそれがある。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、フープに収納された基板の枚数のみでなく、収納状態を簡易にしかも正確に検査することができる基板検査装置と基板検査方法を提供することを目的とする。また、本発明は、このような基板検査装置を備えた液処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
なお、近年、半導体デバイスの微細高集積化や量産化に伴って、ウエハの大きさについては、２００ｍｍφから３００ｍｍφへの大口径化が進んでおり、ウエハの大きさおよび重量が嵩むようになってきている。このことから、２００ｍｍφウエハの保存や搬送等は、例えば２６枚のウエハを略鉛直状態で収納したフープを用いて取り扱われていたが、３００ｍｍφウエハの保存や搬送等は、例えば２５枚のウエハを水平状態で収納したフープを用いて取り扱われる。
【００１０】
ところが、前述した赤外線レーザの透過光を受信してウエハの状態を検査する場合には、測定対象物が大型化すると発信する赤外線レーザの強度を高めなければならなくなる問題が生じ、また、発光部と受信部の間にウエハの収納された容器を置く必要があることから、フープの構造や装置構成も制限される。本発明は、このような３００ｍｍφの大口径ウエハの取り扱いに対処可能とすることもまた目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は第１発明として、
複数の基板をその主面が略平行となるように所定間隔で収納可能な容器に収納された基板の収納状態を検査する基板検査装置であって、
前記容器に収納された基板の端面から所定距離だけ離れて配置された反射式センサと、前記反射式センサを基板の配列方向に移動させる移動機構と、前記反射式センサを前記移動機構によって移動させた際に検出された基板からの反射強度信号を、第１の強度レベルと、この第１の強度レベルよりも低い第２の強度レベルとでスライスし、前記第１の強度レベルでスライスして得られた第１のオン／オフ信号と、前記第２の強度レベルでスライスして得られた第２のオン／オフ信号と、を得る信号処理部と、前記第１及び第２のオン／オフ信号を解析して前記容器に収納された基板の収納状態を判断する演算処理部と、
を具備することを特徴とする基板検査装置、を提供する。
【００１２】
本発明は第２発明として、
蓋体により開閉可能な基板搬送口を有し、複数の基板をその主面が略平行となるように所定間隔で収納可能な容器に収納された基板の収納状態を検査する基板検査装置であって、
前記容器の蓋体を基板の配列方向に移動させて前記基板搬送口を開閉する蓋体開閉機構と、前記蓋体開閉機構に取り付けられた反射式センサと、前記蓋体開閉機構の動きに合わせて前記反射式センサが移動する際に検出された基板からの反射強度信号を、第１の強度レベルと、この第１の強度レベルよりも低い第２の強度レベルとでスライスし、前記第１の強度レベルでスライスして得られた第１のオン／オフ信号と、前記第２の強度レベルでスライスして得られた第２のオン／オフ信号と、を得る信号処理部と、前記第１及び第２のオン／オフ信号を解析して前記容器に収納された基板の収納状態を判断する演算処理部と、を具備することを特徴とする基板検査装置、を提供する。
【００１３】
本発明は、上記基板検査装置を用いた基板検査方法を提供する。すなわち、本発明は第３発明として、
複数の基板をその主面が略平行となるように所定間隔で収納可能な容器に収納された基板の収納状態を検査する基板検査方法であって、
信号発信部と信号受信部を有する反射式センサを基板の配列方向に移動させながら発信信号に対する前記容器内に収納された基板からの反射強度信号を得る第１工程と、前記第１工程において得られた反射強度信号を、前記第１の強度レベルと、この第１の強度レベルよりも低い第２の強度レベルとでスライスし、前記第１の強度レベルでスライスして得られた第１のオン／オフ信号と、前記第２の強度レベルでスライスして得られた第２のオン／オフ信号と、を得る第２工程と、前記第１及び第２のオン／オフ信号を解析して前記容器に収納された基板の収納状態を判断する第３工程と、を有することを特徴とする基板検査方法、を提供する。
【００１４】
また、本発明は上記基板検査装置を備えた液処理装置を提供する。すなわち、本発明は第４発明として、
基板に所定の液処理を施す液処理装置であって、
複数の基板をその主面を略平行として収納可能な容器を載置する容器搬入出部と、前記容器搬入出部に載置された容器に収納された基板の収納状態を検査するセンサシステムと、前記容器に収納された基板に所定の液処理を施す液処理部と、前記容器と前記液処理部との間で基板の搬送を行う基板搬送部と、を具備し、前記センサシステムは、前記容器に収納された基板の端面から所定距離だけ離れて配置された反射式センサと、前記反射式センサを基板の配列方向に移動させる移動機構と、前記反射式センサを前記移動機構によって移動させた際に検出された基板からの反射強度信号を、第１の強度レベルと、この第１の強度レベルよりも低い第２の強度レベルとでスライスし、前記第１の強度レベルでスライスして得られた第１のオン／オフ信号と、前記第２の強度レベルでスライスして得られた第２のオン／オフ信号と、を得る信号処理部と、前記第１及び第２のオン／オフ信号を解析して前記容器に収納された基板の収納状態を判断する演算処理部と、を有することを特徴とする液処理装置、を提供する。
【００１５】
本発明は第５発明として、
基板に所定の液処理を施す液処理装置であって、
蓋体により開閉可能な基板搬送口を有し、複数の基板をその主面が略平行となるように所定間隔で収納可能な容器を載置する容器搬入出部と、前記容器の蓋体を基板の配列方向に移動させて前記基板搬送口を開閉する蓋体開閉機構と、前記容器搬入出部に載置された容器に収納された基板の収納状態を検査するセンサシステムと、前記容器に収納された基板に所定の液処理を施す液処理部と、前記容器と前記液処理部との間で基板の搬送を行う基板搬送部と、を具備し、前記センサシステムは、前記蓋体開閉機構に取り付けられた反射式センサと、前記蓋体開閉機構の動きに合わせて前記反射式センサが移動する際に検出された基板からの反射強度信号を、第１の強度レベルと、この第１の強度レベルよりも低い第２の強度レベルとでスライスし、前記第１の強度レベルでスライスして得られた第１のオン／オフ信号と、前記第２の強度レベルでスライスして得られた第２のオン／オフ信号と、を得る信号処理部と、前記第１及び第２のオン／オフ信号を解析して前記容器に収納された基板の収納状態を判断する演算処理部と、を有することを特徴とする液処理装置、を提供する。
【００１６】
上述した基板検査装置および基板検査方法ならびに基板検査装置を備えた液処理装置によれば、容器に収納された基板について、反射式センサによって得られる反射強度信号をそのまま解析するのではなく、変換された簡単なパターンを有する矩形信号等のオン／オフ信号を用いて解析を行うために、基板検査装置自体を安価に構成することができ、しかも、基板の枚数のみならず、２枚重ねやジャンプスロットという不正常な収納状態を簡易かつ正確にしかも短時間で検出することができる。こうして、スループットを低下させることなく、基板の破損や基板を搬送する機構の損傷を防止することができ、こうして、生産性（処理効率）、装置の保守性、メンテナンス性を向上させることができる。また、本発明は反射式センサを用いていることから測定対象となる基板の大きさに関係なく、検査装置を小型に構成できる利点があり、透過式センサを用いる場合のように基板の大型化によって出力の大きなセンサを準備する必要がない点でコスト的にも有利である。
【００１７】
さらに、本発明の基板検査装置を用いた場合には、反射強度信号はアナログ信号として得られるが、この反射強度信号を少なくとも２つの強度レベルでスライスして基板の有無に対応するオン／オフ信号を得て、このオン／オフ信号におけるオン状態とオフ状態の転換点の出現位置から前記容器に収納された基板の収納状態を解析する方法を用いていることから、容器内における基板の所定の収納方向を問題とせず、従って、容器内に基板の主面が水平方向となるように収納されている場合または垂直方向となるように収納されている場合のいずれの場合にも用いることができる。なお、容器に形成された基板搬送口を開閉する蓋体があってこの蓋体を開閉する機構がある場合には、この蓋体を開閉する機構に反射式センサを取り付けることによって、基板検査装置の省スペース化が可能である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について具体的に説明する。本発明の１つである液処理装置は、各種基板を被処理体とする洗浄処理装置、乾燥処理装置等に適用できるが、本実施形態では、半導体ウエハ（ウエハ）の搬入、洗浄、乾燥、搬出をバッチ式に一貫して行うように構成された洗浄処理装置を例として説明することとする。また、この洗浄処理装置は、本発明の基板検査装置をウエハ検査機構として備えた形態を有するものとし、このウエハ検査機構およびウエハ検査方法の実施の形態について説明することとする。
【００１９】
図１は本実施形態に係る洗浄処理装置１の外観を示す斜視図である。図１に示されるように、洗浄処理装置１は、複数枚のウエハＷを収納可能なフープ（収納容器）Ｆを載置するためのフープステージ２ａ〜２ｃが設けられているフープ搬入出部２と、ウエハＷに対して洗浄処理を実施する洗浄処理ユニット３と、フープ搬入出部２と洗浄処理ユニット３との間に設けられ、ウエハＷの搬送を行うウエハ搬送ユニット４と、液処理のための薬液を貯蔵等する薬液貯蔵ユニット５と、から主に構成されている。
【００２０】
また、洗浄処理装置１に配設された各種の電動駆動機構や電子制御装置のための電源ボックス６と洗浄処理装置１を構成する各ユニットの温度制御を行うための温度制御ボックス７が洗浄処理ユニット３の上部に設けられており、ウエハ搬送ユニット４の上部には、洗浄処理装置１に設けられた各種の表示パネルを制御する表示ボックス９と、ウエハ搬送ユニット４に配設されたウエハ搬送機構１６の制御装置が収納された搬送機構制御ボックス１０が設けられている。また、薬液貯蔵ユニット５の上部には各ボックスからの熱排気を集めて排気する熱排気ボックス８が設けられている。
【００２１】
図２に洗浄処理装置１の概略平面図を、図３に洗浄処理装置１の概略側面図を、図４に図３の概略側面図において一部の駆動機構を駆動させた状態を示した概略側面図をそれぞれ示す。ここで、図２〜図４においては、フープ搬入出部２、洗浄処理ユニット３、ウエハ搬送ユニット４、薬液貯蔵ユニット５のみを示し、洗浄処理ユニット３、ウエハ搬送ユニット４、薬液貯蔵ユニット５の上部に配設された電源ボックス６その他各種のボックス部については図示していない。また、後述するように、洗浄処理ユニット３は搬送部３ａと洗浄部３ｂとに分けられるが、図３および図４においては、搬送部３ａの概略構造が示されている。
【００２２】
フープステージ２ａ〜２ｃに載置されるフープＦは、ウエハＷを複数枚、例えば２５枚を所定間隔で主面が水平になるように収納することが可能となっており、フープＦの一側面にはウエハＷを搬入出するためのウエハ搬入出口が設けられている。フープＦはウエハ搬入出口を開閉する蓋体１１を有しており、この蓋体１１は、後述する蓋体開閉機構１５ａ〜１５ｃによってフープＦに脱着可能となっている。
【００２３】
ウエハ搬送ユニット４とフープ搬入出部２との間の境界壁１２には窓部１２ａ〜１２ｃが設けられており、フープＦに形成されたウエハ搬入出口の外周部が窓部１２ａ〜１２ｃを閉塞し、また、蓋体１１が蓋体開閉機構１５ａ〜１５ｃによって脱着可能な状態となるようにして、フープＦはフープステージ２ａ〜２ｃ上に載置される。
【００２４】
境界壁１２の内側（ウエハ搬送ユニット４側）には、窓部１２ａ〜１２ｃのそれぞれの位置に、窓部１２ａ〜１２ｃを開閉するシャッター１３ａ〜１３ｃとシャッター１３ａ〜１３ｃを昇降させる昇降機構１４ａ〜１４ｃとからなる蓋体開閉機構１５ａ〜１５ｃが配設されている。蓋体開閉機構１５ａ〜１５ｃは図示しない蓋体把持手段を有しており、これによりフープＦの蓋体１１をシャッター１３ａ〜１３ｃとともに昇降させることができるようになっている。
【００２５】
フープＦがフープステージ２ａ〜２ｃに載置されていないときには、シャッター１３ａ〜１３ｃが窓部１２ａ〜１２ｃを閉塞した状態にあり、外部からウエハ搬送ユニット４へのパーティクル等の侵入が防止されている。一方、ウエハＷをフープＦから搬出し、またはフープＦへ搬入する際には、後述するウエハ搬送機構１６の搬送アーム１７ａ・１７ｂがフープＦにアクセスできるように、シャッター１３ａ〜１３ｃおよびフープＦの蓋体１１が蓋体開閉機構１５ａ〜１５ｃにより降下され、窓部１２ａ〜１２ｃは開口した状態とされる。
【００２６】
ウエハ搬送ユニット４には、蓋体開閉機構１５ａ〜１５ｃのそれぞれに隣接して、フープＦ内のウエハＷの枚数を計測するためのウエハ検査機構１１０が配設されている。このウエハ検査機構１１０は、例えば、赤外線レーザを用いた反射式光センサをＺ方向（鉛直方向）にスキャンさせながら、ウエハＷの端面からの反射光を受信し、フープＦに収納されたウエハＷの枚数や収納状態、例えば、ウエハＷが所定のピッチで略平行に１枚ずつ収納されているかどうか、２枚のウエハＷが重なって収納されていないかどうか、ウエハＷが段差ずれして斜めに収納されていないかどうか、ウエハＷがフープＦ内の所定位置から飛び出していないかどうか等を検査する。このウエハ検査機構１１０については、後により詳しく説明する。
【００２７】
なお、ウエハ搬送機構１６にウエハ検査機構１１０を取り付けて、ウエハ検査機構１１０をウエハ搬送機構１６とともに移動可能な構造とすれば、ウエハ検査機構１１０は１カ所のみの配設で済ませることが可能である。また、例えば、ウエハＷの収納枚数を確認するセンサと、ウエハＷの収納状態を検査するセンサを別に設けることもできる。
【００２８】
ウエハ搬送ユニット４には、清浄な空気をウエハ搬送ユニット４内に送風するためのフィルターファンユニット（ＦＦＵ）２４ａが天井部に設けられており、このＦＦＵ２４ａからのダウンフローの一部は、窓部１２ａ〜１２ｃが開口されている状態では、窓部１２ａ〜１２ｃから外部に流れ出てフープステージ２ａ〜２ｃに載置されたフープＦに流入する。こうしてフープＦ内のウエハＷに清浄な空気を供給することで、ウエハＷへのパーティクルの付着を防止できるようになっている。
【００２９】
また、ウエハ搬送ユニット４にはウエハ搬送機構１６が配設されており、ウエハ搬送機構１６は、Ｘ方向に延在するガイドを具備するリニア駆動機構１９と、ウエハＷを保持する搬送アーム１７ａ・１７ｂと、搬送アーム１７ａ・１７ｂをそれぞれ保持する保持部１８ａ・１８ｂと、搬送アーム１７ａ・１７ｂおよび保持部１８ａ・１８ｂがそれぞれ配設されたスライド機構２０ａ・２０ｂと、スライド機構２０ａ・２０ｂが配置された回転自在なテーブル２１と、テーブル２１を回転させる回転機構２２と、回転機構２２から上の部分を昇降させる昇降機構２３と、を有している。
【００３０】
ウエハ搬送機構１６に２系統の搬送アーム１７ａ・１７ｂを設けることで、例えば、搬送アーム１７ａを未処理のウエハＷを搬送するために用い、搬送アーム１７ｂを洗浄処理済みのウエハＷを搬送するために用いることができるようになっている。この場合、例えば、１系統の搬送アームのみが配設されている場合と比較して、未処理のウエハＷに付着していたパーティクル等が搬送アームに付着してさらに処理済みのウエハＷに付着するといったことが有効に防止される。
【００３１】
１個の搬送アーム１７ａは１枚のウエハＷを搬送し、かつ、フープＦに収納されている２５枚のウエハＷを一度に搬送可能なように、２５個の搬送アーム１７ａが略平行に所定間隔で保持部１８ａに保持されており、２５個の搬送アーム１７ｂもまた略平行に所定間隔で保持部１８ｂに保持されている。フープＦまたは後述するロータ３４と搬送アーム１７ａ・１７ｂとの間でウエハＷの受け渡しを行う際には、搬送アーム１７ａ・１７ｂを所定距離ほど上下させる必要があるが、この搬送アーム１７ａ・１７ｂの昇降動作は昇降機構２３より行うことができる。なお、保持部１８ａ・１８ｂに別途搬送アーム１７ａ・１７ｂを上下させる昇降機構を配設してもよい。
【００３２】
搬送アーム１７ａ・１７ｂはスライド機構２０ａ・２０ｂによって保持部１８ａ・１８ｂともに搬送アーム１７ａ・１７ｂの長さ方向にスライド可能となっており、テーブル２１は回転機構２２によって水平面内で回転（図２に示すθ方向）可能に構成されている。また、搬送アーム１７ａ・１７ｂの高さは昇降機構２３により調節可能であり、搬送アーム１７ａ・１７ｂは昇降機構２３等とともにリニア駆動機構１９によってＸ方向に移動可能である。こうして、搬送アーム１７ａ・１７ｂは、フープステージ２ａ〜２ｃに載置されたいずれのフープＦおよびロータ３４にもアクセスでき、こうしてフープステージ２ａ〜２ｃに載置されたフープＦとロータ３４との間で、ウエハＷを水平状態として搬送することができるようになっている。
【００３３】
従って、例えば、搬送アーム１７ａを未処理のウエハＷを搬送するために用いるものとし、また、フープステージ２ｂに載置されたフープＦから洗浄処理ユニット３に配設されたロータ３４へ搬送する場合には、最初に搬送アーム１７ａがフープステージ２ｂに載置されたフープＦにアクセスできるようにリニア駆動機構１９を駆動させて搬送アーム１７ａをＸ方向に移動させる。次いで昇降機構２３を駆動させて搬送アーム１７ａの高さを調節した後にスライド機構２０ａを動作させて搬送アーム１７ａおよび保持部１８ａをフープステージ２ｂ側にスライドさせる。搬送アーム１７ａにウエハＷを保持させて搬送アーム１７ａおよび保持部１８ａを元の位置に戻すことにより、フープＦからウエハＷが搬出された状態となる。
【００３４】
次に、回転機構２２を動作させてテーブル２１を１８０°回転させつつ、リニア駆動機構１９を駆動して搬送アーム１７ａがロータ３４にアクセスできる状態とする。搬送アーム１７ａおよび保持部１８ａをロータ３４側にスライドさせてウエハＷをロータ３４に受け渡し（図４参照）、再び搬送アーム１７ａおよび保持部１８ａを元の位置に戻せば、ウエハＷのロータ３４への搬送が終了する。
【００３５】
上述したウエハ搬送機構１６においては、搬送アーム１７ａ・１７ｂがテーブル２１の回転中心に対して点対称な位置に配設されているので、スライド機構２０ａ・２０ｂが伸張していない状態でテーブル２１を回転させると、搬送アーム１７ａ・１７ｂがウエハＷを保持した状態であっても、搬送アーム１７ａ・１７ｂが回転時に通過する軌跡の範囲を狭くすることができる。こうして、洗浄処理装置１ではウエハ搬送ユニット４が省スペース化されている。
【００３６】
ウエハ搬送ユニット４と洗浄処理ユニット３とを仕切る境界壁２５には、ウエハＷの搬送のための窓部２５ａが形成され、この窓部２５ａは、昇降機構２６ｂにより昇降自在となっているシャッター２６ａによって開閉される。シャッター２６ａは洗浄処理装置１においては、ウエハ搬送ユニット４側に設けられているが、洗浄処理ユニット３側に設けることもできる。ウエハ搬送ユニット４と洗浄処理ユニット３との間でのウエハＷの搬送はこの窓部２５ａを介して行われる。
【００３７】
なお、シャッター２６ａにより、ウエハ搬送ユニット４と洗浄処理ユニット３の雰囲気が分離できるようになっていることから、例えば、洗浄処理ユニット３において処理液が飛散し、または処理液の蒸気が拡散等した場合でも、ウエハ搬送ユニット４にまで汚染が拡大することが防止される。
【００３８】
洗浄処理ユニット３は、搬送部３ａと洗浄部３ｂから構成されており、搬送部３ａの天井部分には、フィルターファンユニット（ＦＦＵ）２４ｂが配設されており、搬送部３ａ内にパーティクルを除去した清浄な空気等が送風されるようになっている。
【００３９】
また、搬送部３ａには、ロータ回転機構２７と、ロータ回転機構２７の姿勢を制御する姿勢変換機構２８と、ロータ回転機構２７および姿勢変換機構２８を垂直方向に移動させるＺ軸リニア駆動機構２９と、Ｚ軸リニア駆動機構２９を水平方向に移動させるＸ軸リニア駆動機構３０と、姿勢変換機構２８およびＺ軸リニア駆動機構２９から発生するパーティクルがロータ回転機構２７側へ飛散してウエハＷに付着等することを防止するためのカバー４５と、Ｘ軸リニア駆動機構３０から発生するパーティクルがロータ回転機構２７側へ飛散してウエハＷに付着等することを防止するためのカバー４６と、が設けられている。
【００４０】
ロータ回転機構２７は、ウエハＷを所定間隔で保持可能なロータ３４と、ロータ３４に保持されたウエハＷが面内回転するようにロータ３４を回転させるモータ（駆動機構）３１と、姿勢変換機構２８との連結部３２と、ロータ３４を後述する外側チャンバ７１ａに挿入した際に外側チャンバ７１ａに形成されたロータ搬入出口６２ｃを閉塞する蓋体３３と、連結部３２と蓋体３３を貫通してロータ３４とモータ３１を連結している回転軸５０（後に示す図５・図７・図８参照）と、から構成されている。
【００４１】
図５はロータ３４の構造を示す斜視図であり、ロータ３４は、所定の間隔をおいて配置された一対の円盤３５ａ・３５ｂと、ウエハＷを保持するための溝等が形成された係止部材３６ａと、係止部材３６ａと同様に溝等が形成され開閉可能なホルダー３６ｂと、ホルダー３６ｂの開閉の可不可を制御するロックピン３６ｃと、を有する。また、このホルダー３６ｂの開閉を行うホルダー開閉機構８０が境界壁２５に設けられており（図３および図４参照）、ホルダー開閉機構８０は、ロックピン押圧シリンダ８１と、ホルダー開閉シリンダ８２と、を有している。なお、境界壁２５においてホルダー開閉機構８０が設けられている部分にはカバー４０が設けられており、ウエハ搬送ユニット４と洗浄処理ユニット３を隔離している。
【００４２】
円盤３５ｂの回転軸５０への固定は、例えば、ネジ３５ｃを用いて行うことができ、係止部材３６ａは、円盤３５ａ・３５ｂの外側からネジ止め等することで円盤３５ａ・３５ｂ間に固定することができる。ロックピン３６ｃは、例えば、通常の状態では外側に突出した状態にあり、この状態ではホルダー３６ｂの開閉動作を行うことができず、一方、ホルダー開閉機構８０がロータ３４にアクセスして、ロックピン押圧シリンダ８１からの押圧力によってロックピン３６ｃがロータ３４の内側に向かって押し込まれた状態となっているときには、ホルダー３６ｂがホルダー開閉シリンダ８２によって開閉自在な状態となるように設定することができる。
【００４３】
こうして、ホルダー３６ｂが開かれた状態においては、ロータ３４と搬送アーム１７ａ・１７ｂとの間でのウエハＷの受け渡しが可能であり、一方、ホルダー３６ｂが閉じた状態では、ロータ３４内のウエハＷはロータ３４から外部に飛び出すことがない状態に維持される。
【００４４】
このホルダー開閉機構８０は、ロータ３４と搬送アーム１７ａ・１７ｂとの間でウエハＷの受け渡しが行われる位置において、ロックピン押圧シリンダ８１およびホルダー開閉シリンダ８２がそれぞれロックピン３６ｃとホルダー３６ｂにアクセスできるように、図３に示した退避位置と図４に示した処理位置との間で回転自在となっている。上述したホルダー３６ｂの開閉機構に準じ、ロックピン押圧シリンダ８１は、処理位置においてロックピン３６ｃをロータ３４の内部に押し込むことができる押圧機構を有しており、また、ホルダー開閉シリンダ８２は、円盤３５ａの外側においてホルダー３６ｂにアクセスし、ホルダー３６ｂを開閉するように動作する。
【００４５】
上述したホルダー３６ｂ、ロックピン３６ｃ、ホルダー開閉機構８０の形態に従ってホルダー３６ｂを開く場合には、例えば、最初に退避位置にあるホルダー開閉機構８０を処理位置に移動させてロータ３４にアクセスさせ、ロックピン押圧シリンダ８１によってロックピン３６ｃがロータ３４の内部に押し込まれた状態に保持する。この状態においてホルダー開閉シリンダ８２を動作させてホルダー３６ｂを開く。こうして、ウエハＷの搬入出が可能となり、ウエハＷの搬入出作業が終了したら、ホルダー３６ｂを閉じた状態としたうえで、ロックピン押圧シリンダ８１の押圧力を解除して、ロックピン３６ｃが円盤３５ａから突出した状態、つまりホルダー３６ｂにロックが掛かった状態に戻す。次いで、ホルダー開閉機構８０を退避位置に戻せば、ウエハＷの次処理に移行することが可能となる。
【００４６】
ロータ回転機構２７の姿勢を制御する姿勢変換機構２８は、回転機構４２と回転機構４２に取り付けられた回転軸４１とを有しており、回転軸４１はロータ回転機構２７の連結部３２に固定されている。回転機構４２によってロータ回転機構２７全体を、図３または図４に示すようにウエハＷが水平状態で保持されるような姿勢（縦姿勢）に保持することができ、また、後に図６に示すようにウエハＷが垂直状態で保持されるような姿勢（横姿勢）に変換して保持することができるようになっている。
【００４７】
Ｚ軸リニア駆動機構２９は、モータ４３と、モータ４３の回転駆動力と変位を姿勢変換機構２８に伝える動力伝達部４４と、ガイド４７と、ガイド４７を支持する支持体４８と、を有している。姿勢変換機構２８はガイド４７に沿って移動できるようにガイド４７と嵌合しており、モータ４３を回転させるとこの回転駆動力と変位が動力伝達部４４を介して姿勢変換機構２８に伝えられ、姿勢変換機構２８がロータ回転機構２７とともにガイド４７に沿ってＺ方向（垂直方向）に所定距離移動することができるようになっている。
【００４８】
なお、Ｚ軸リニア駆動機構２９としてモータ４３の回転変位を直線変位に変換する機構を用いたが、このような機構に限定されるものではなく、例えば、モータ４３の代わりに、エアーシリンダ等の直接に直線変位を生ずる駆動機構を用いても構わない。
【００４９】
Ｘ軸リニア駆動機構３０は、ガイド４９と、図示しないモータと、モータに連結されたボールネジ３９ａと、ボールネジ３９ａに噛み合わされた噛み合わせ部材３９ｂと、ガイド４９に嵌合して噛み合わせ部材３９ｂと支持体４８とを連結する連結部材３８と、を有している。モータを回転させることによってボールネジ３９ａが動作し、ボールネジ３９ａの動作に従って噛み合わせ部材３９ｂはＸ方向に移動する。このとき、連結部材３８が噛み合わせ部材３９ｂと支持体４８を連結していることから、連結部材３８と支持体４８もまた噛み合わせ部材３９ｂとともにＸ方向に移動する。つまり、噛み合わせ部材３９ｂがＸ方向に移動する際には、ロータ回転機構２７と姿勢変換機構２８とＺ軸リニア駆動機構２９が同時にＸ方向に移動するようになっている。
【００５０】
図６は、姿勢変換機構２８とＺ軸リニア駆動機構２９とＸ軸リニア駆動機構３０を用いて、ロータ回転機構２７を移動させるときの形態の一例を示す説明図であり、図６（ａ）はロータ回転機構２７における連結部３２の移動軌跡を示したものであり、図６（ｂ）〜（ｅ）はそれぞれ連結部３２が位置Ｐ１〜Ｐ４にあるときのロータ回転機構２７の状態（姿勢）を示している。以下、ウエハＷを保持したロータ３４を外側チャンバ７１ａに挿入するために、連結部３２が位置Ｐ１から位置Ｐ４へ移動するようにロータ回転機構２７を移動させる場合を例として説明する。
【００５１】
連結部３２が位置Ｐ１にあるときは、ロータ回転機構２７はロータ３４とウエハ搬送機構１６との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる位置にあるものとし、このとき、ロータ回転機構２７は縦姿勢の状態にある。ウエハＷがロータ３４に収納された状態において、まず、Ｚ軸リニア駆動機構２９を動作させて、ロータ回転機構２７および姿勢変換機構２８を連結部３２が位置Ｐ２に移動するように上昇させる。そして位置Ｐ２においては、姿勢変換機構２８を動作させて、ウエハＷが水平保持から垂直保持の状態になるように、ロータ回転機構２７全体を９０°回転させ、ロータ回転機構２７全体を横姿勢の状態とする。
【００５２】
次に、ロータ回転機構２７全体が横姿勢の状態のまま、連結部３２が位置Ｐ３に移動するように、再びＺ軸リニア駆動機構２９を動作させて、ロータ回転機構２７を上昇させる。このように、位置Ｐ２というロータ回転機構２７を上昇させるときの中間地点でロータ回転機構２７の姿勢変換を行うことにより、連結部３２が位置Ｐ１や位置Ｐ３にあるときにロータ回転機構２７を回転させる場合と比較して、ロータ回転機構２７の回転に必要な空間が狭くとも足り、これにより、搬送部３ａの占有容積を小さくすることが可能となる。
【００５３】
連結部３２が位置Ｐ３に到達したら、次に、Ｘ軸リニア駆動機構３０を動作させて、連結部３２の位置を位置Ｐ４まで水平移動させる。連結部３２が位置Ｐ４にあるときには、ロータ３４が外側チャンバ７１ａに挿入されて、外側チャンバ７１ａまたは後述する内側チャンバ７１ｂを用いた洗浄処理を行うことが可能となっており、こうして、ロータ３４をウエハ搬送機構１６との受け渡し位置から洗浄処理位置まで移動させることができる。なお、連結部３２が位置Ｐ４にあり、ロータ３４が外側チャンバ７１ａに挿入された状態は、後に示す図７、図８に詳しく示している。
【００５４】
ウエハＷの洗浄処理が終了した後には、連結部３２が位置Ｐ４から位置Ｐ１に移動するように、前述したロータ回転機構２７の移動経路を逆にたどることで、ロータ３４内のウエハＷをウエハ搬送機構１６に受け渡し可能となる位置まで、ロータ回転機構２７を移動させることができることはいうまでもない。
【００５５】
次に、洗浄部３ｂについて説明する。図７と図８は洗浄部３ｂに配設されたチャンバ７０にロータ３４が挿入されている状態を示した断面図である。ここで、チャンバ７０は、固定された外側チャンバ７１ａと水平方向にスライド自在な内側チャンバ７１ｂとからなる二重構造を有しており、図７は内側チャンバ７１ｂを外側チャンバ７１ａの外側に退避させた退避位置にある状態を、図８は内側チャンバ７１ｂを外側チャンバ７１ａに収納した処理位置にある状態をそれぞれ示している。なお、洗浄部３ｂには、円盤９２ａ、リング部材９２ｂ、筒状体９１が配設されており、円盤９２ａには洗浄液吐出ノズル７３ａと排気管７３ｃが設けられ、筒状体９１にはガス供給ノズル９３と排気管９４が設けられている。
【００５６】
外側チャンバ７１ａは、筒状体６１ａと筒状体６１ａの端面に配設されたリング部材６２ａ・６２ｂを主な構成部材としており、リング部材６２ａ・６２ｂの内周面にはそれぞれシール機構６３ａ・６３ｂが配設されており、筒状体６１ａには水平方向に多数の処理液吐出口５４が形成された処理液吐出ノズル５３がノズルケース５７に収納された状態で取り付けられ、また、外側チャンバ７１ａの下部には、処理液を排出するためのドレイン６５ａが形成されている。
【００５７】
リング部材６２ａにはロータ３４が進入または退出するためのロータ搬入出口６２ｃが形成されており、このロータ搬入出口６２ｃは図２に示すように蓋体６２ｄによって開閉自在となっている。このロータ搬入出口６２ｃは、ロータ３４が外側チャンバ７１ａに進入した状態では、ロータ回転機構２７に設けられた蓋体３３により閉塞され、蓋体３３の外周面とロータ搬入出口６２ｃとの間はシール機構６３ａによりシールされる。こうして外側チャンバ７１ａから処理液が搬送部３ａに飛散することが防止される。
【００５８】
なお、シール機構６３ａ・６３ｂとしては、例えば、ゴム製シールリングや所定圧力の空気等を供給することによって膨張することでシール機能が生ずるゴム製チューブからなるもの等を用いることができ、このようなシール機構は、後述するシール機構６７ａ・６７ｂについても同様に用いられる。
【００５９】
筒状体６１ａはリング部材６２ｂ側の外径がリング部材６２ａ側の外径よりも大きく設定されており、筒状体６１ａはリング部材６２ａ側よりもリング部材６２ｂ側が低く位置するように勾配を設けて配設されている。こうして、処理液吐出ノズル５３からウエハＷに向けて吐出された各種の処理液は、自然に筒状体６１ａの底面をリング部材６２ａ側からリング部材６２ｂ側に流れて、ドレイン６５ａを通して外部に排出されるようになっている。
【００６０】
なお、処理液吐出ノズル５３には、薬液貯蔵ユニット５等の処理液供給源から純水やＩＰＡ、各種薬液といった処理液や窒素（Ｎ２）ガス等の乾燥ガスが供給されて、処理液吐出口５４からロータ３４に保持されたウエハＷに向かって、これら処理液等を吐出することができるようになっている。また、処理液吐出ノズル５３は、図７と図８では１本のみ示されているが、複数個配設することも可能であり、必ずしも筒状体６１ａの真上に設けなければならないものでもない。このことは、処理液吐出ノズル５５についても同様である。
【００６１】
内側チャンバ７１ｂは、筒状体６１ｂと筒状体６１ｂの端面に配設されたリング部材６６ａ・６６ｂを主な構成部材としており、リング部材６６ａ・６６ｂの内周面にはそれぞれシール機構６７ａ・６７ｂが配設されている。筒状体６１ｂには水平方向に多数の処理液吐出口５６が形成された処理液吐出ノズル５５がノズルケース５８に収納された状態で取り付けられ、また、内側チャンバ７１ｂの下部には、処理液を排出するためのドレイン６５ｂが形成されている。
【００６２】
筒状体６１ｂは円筒状に形成されているが、その下部には処理液を外部に排出することを容易ならしめるために、筒状体６１ｂから突出し所定の勾配を有する溝部６９が形成されている。こうして、例えば、内側チャンバ７１ｂが処理位置にあるときに、処理液吐出ノズル５５からウエハＷに向かって吐出された処理液は、溝部６９を流れてドレイン６５ｂを通して外部に排出される。なお、処理液吐出ノズル５５には、薬液貯蔵ユニット５等の処理液供給源から各種薬液や純水、ＩＰＡといった処理液が供給されて、処理液吐出口５６からロータ３４に保持されたウエハＷに向かって、これら処理液等を吐出することができるようになっている。
【００６３】
内側チャンバ７１ｂが処理位置にある場合には、図８に示されるように、リング部材６６ａの内周面と蓋体３３との間はシール機構６７ａによってシールされ、また、リング部材６６ｂとリング部材６２ｂとの間がシール機構６３ｂによってシールされ、かつ、リング部材６６ｂと円盤９２ａとの間がシール機構６７ｂによってシールされるようになっている。こうして、内側チャンバ７１ｂが処理位置にある場合には、筒状体６１ｂ、リング部材６６ａ・６６ｂ、円盤９２ａ、蓋体３３によって処理室５２が形成される。
【００６４】
一方、内側チャンバ７１ｂが退避位置にある状態では、リング部材６６ａとリング部材６２ｂとの間がシール機構６３ｂによってシールされ、かつ、リング部材６６ａと円盤９２ａとの間がシール機構６７ａによってシールされるようになっている。こうして、内側チャンバ７１ｂが退避位置にあるときには、図７に示されるように、筒状体６１ａ、リング部材６２ａ・６２ｂ、円盤９２ａ、リング部材６６ａ、蓋体３３から、外側チャンバ７１ａによる処理室５１が形成される。
【００６５】
内側チャンバ７１ｂが退避位置にある状態では、また、リング部材６６ｂとリング部材９２ｂとの間がシール機構６７ｂによってシールされ、こうして、筒状体９１の外周と筒状体６１ｂの内周との間に狭い環状空間７２が形成されるようになっている。こうして、環状空間７２に処理液吐出ノズル５５から洗浄液を吐出し、その後に筒状体９１において複数箇所に設けられたガス供給ノズル９３と処理液吐出ノズル５５から窒素ガス等の乾燥ガスを噴射し、排気管９４とドレイン６５ｂから排気を行うことで、内側チャンバ７１ｂの内周面の洗浄を行うことができるようになっている。このとき、環状空間７２という狭い空間を利用することで使用する洗浄液の量が低減される。なお、ガス供給ノズル９３から洗浄液を吐出するように構成してもよい。
【００６６】
円盤９２ａに設けられた洗浄液吐出ノズル７３ａからは、円盤３５ａを洗浄、乾燥するための洗浄液や乾燥ガスが吐出可能となっており、また、蓋体３３に設けられた洗浄液吐出ノズル７３ｂからは円盤３５ｂを洗浄、乾燥するための洗浄液や乾燥ガスが吐出可能となっている。さらに、洗浄液吐出ノズル７３ａ・７３ｂからは、処理室５１・５２を所定のガス雰囲気とするための所定のガスを吐出することも可能であり、円盤９２ａに設けられた排気管７３ｃから処理室５１・５２の排気を行うことができるようになっている。
【００６７】
次に、ウエハＷがフープＦにおいてどのような状態で収納されているかを検査するウエハ検査機構１１０について説明する。このような検査は、例えば、フープＦからウエハＷを搬出する前、および、洗浄処理の終了したウエハＷをフープＦに搬入した後、に行われる。以下の説明においては、フープＦからウエハＷを搬出する際のウエハＷの収納状態の検査を例に説明することとする。
【００６８】
図９は、ウエハ検査機構１１０の構成を示した説明図であり、ウエハ検査機構１１０は、反射式センサ１１１と、センサアンプ１１５と、反射式センサ１１１を垂直方向に移動させる昇降機構１１２と、反射式センサ１１１の高さ位置を検出する位置センサ１１３と、シーケンサ（演算処理装置）１１４と、を有している。昇降機構１１２は、ガイド１１６と、モータ１１７と、連結部材１１８およびモータ１１７のドライバ１１９から構成され、シーケンサ１１４は洗浄処理装置１全体の処理制御を行う制御装置１２０に接続されている。
【００６９】
反射式センサ１１１としては、信号を発信する発信部と、発信された信号のうち測定対象物から反射してきた信号を受信する受信部とを有するものが用いられる。つまり、反射式センサ１１１は、原理的に測定対象物において反射する性質を有する信号を利用しているものであればよく、具体的には、赤外線レーザ等のレーザ光を用いたものが好適に用いられ、その他、超音波や熱線、ＬＥＤ（発光ダイオード）光等を用いることができる。このような反射式センサ１１１を用いる場合には透過式センサを用いる場合と比較して、測定対象物の形状によって仕様、例えば、赤外線レーザを用いたものであれば出力の大きさ等、が左右されない利点がある。
【００７０】
反射式センサ１１１は連結部材１１８の下端に取り付けられており、連結部材１１８は、ドライバ１１９からの制御信号を受けたモータ１１７の回転駆動によってガイド１１６に沿って垂直方向に昇降自在となっている。こうして、反射式センサ１１１は、例えば、昇降機構１１２の動作によって、フープＦの最下段に収納されたウエハＷから最上段に収納されたウエハＷに向かって、またはフープＦの最上段に収納されたウエハＷから最下段に収納されたウエハＷに向かって、ウエハＷの端面から処理距離だけ離れた状態でスキャンされる。
【００７１】
このとき、反射式センサ１１１は各ウエハＷに対して信号を発信するとともに発信した信号の反射信号を受信し、受信した信号はアナログ信号としてセンサアンプ１１５に送られる。センサアンプ１１５は、反射式センサ１１１から送られたアナログ信号を後述するように所定の強度でスライスした矩形信号等のオン／オフ信号に変換する機能を有し、この矩形信号がシーケンサ１１４に送られるようになっている。
【００７２】
なお、反射式センサ１１１は、シャッター１３ａ〜１３ｃの上部に取り付けることも可能であり、この場合には、昇降機構１４ａ〜１４ｃが昇降機構１１２の役割を果たすことから、装置構造を簡単なものとすることができる利点がある。ウエハＷをフープＦから搬出する前に行われる反射式センサ１１１のスキャンは、シャッター１３ａ〜１３ｃを窓部１２ａ〜１２ｃを開口させるために下方に移動させることで行うことができ、また、処理済みのウエハＷをフープＦに収納した後に行われる反射式センサ１１１のスキャンは、シャッター１３ａ〜１３ｃを窓部１２ａ〜１２ｃを閉口させるために上方に移動させることで行うことができる。
【００７３】
反射式センサ１１１をスキャンさせて上下位置を変化させたときの高さ位置は位置センサ１１３により検出され、この検出結果はシーケンサ１１４に送られて、センサアンプ１１５から送られた矩形信号と参照され、シーケンサ１１４においてウエハＷの位置と収納状態の解析が行われる。なお、ウエハＷの収納状態が判断されるということは、フープＦ内に収納されたウエハＷの枚数も同時に検査されることは明らかである。
【００７４】
反射式センサ１１１の高さ位置を測定する方法としては、直接に反射式センサ１１１の位置を測定する方法があるが、ウエハ検査機構１１０では連結部材１１８が変形しないことから、この連結部材１１８の高さ位置を測定することで、反射式センサ１１１の高さ位置の測定を行っている。
【００７５】
位置センサ１１３としては、図９に示すように、ウエハＷが正常にフープＦに収容された状態と同じ間隔で発信部／受信部を有する複数のセンシング部１１３ａが垂直方向に並べて設けられたものを用いることができる。この場合、各センシング部１１３ａの高さと同じ高さに連結部材１１８が移動してくると、そのセンシング部からの受信信号が増大することで、反射式センサ１１１の位置を特定することができる。なお、リニアゲージ等を用いて、連結部材１１８の位置をある位置を起点として直接に座標計測することができるセンサを用いることもできる。
【００７６】
ウエハ検査機構１１０は制御装置１２０からの信号を受けて動作を開始し、また、ウエハ検査機構１１０はウエハＷのフープＦ内の収納状態の検査結果を制御装置１２０にフィードバックする。以下、具体的なウエハＷの収納状態の検査方法について説明する。
【００７７】
図１０に、ウエハＷのフープＦ内での収納状態を検査する方法の概略を示したフローチャートを示す。最初に、目視検査によりフープＦに所定枚数のウエハＷが正常な状態で収納されているフープＦをフープステージ２ａに載置する（ＳＴ１）。次に、蓋体開閉機構１５ａを動作させて、フープＦの蓋体１１をシャッター１３ａとともに移動させて窓部１２ａを開口させ、反射式センサ１１１の位置を、例えば、フープＦの最下段に収納されたウエハＷ（１枚目のウエハＷとする）よりも若干下方まで降下させる（ＳＴ２）。このときの反射式センサ１１１の位置をスキャン開始点とする。
【００７８】
位置センサ１１３としては、上述したフープＦに収納されたウエハＷと同じ枚数のセンシング部１１３ａが設けられたものを用いるものとし、反射式センサ１１１から所定強度の赤外線レーザをウエハＷに向けて照射し、その反射信号を受信しながら、所定の一定速度で反射式センサ１１１を上昇させ、反射式センサ１１１の高さ位置を位置センサ１１３により測定する（ＳＴ３）。ここで、反射式センサ１１１が１枚目のウエハＷに達したときには、位置センサ１１３に設けられた最も下側に位置するセンシング部１１３ａが、連結部材１１８が真横にある状態を検知するように、予め位置センサ１１３の配設位置は調節されているものとする。
【００７９】
この反射式センサ１１１の上昇に伴って得られる反射式センサ１１１からの受信信号とセンシング部１１３ａの検出信号との関係は、横軸にセンシング部１１３ａの位置、つまりウエハＷの位置を、縦軸に反射式センサ１１１の受信信号強度、つまりウエハＷからの反射信号強度（センサアンプ１１５によりスライスしていないアナログ信号波形）を取ると、図１１のグラフのように表され、理想的な状態では、一定形状のピークが一定間隔で現れる信号パターンが得られることがわかる。これにより、所定の時間、範囲を逆算し、以降そのデータに基づいてウエハＷの状態を確認できる。
【００８０】
次に、得られたアナログ信号波形からウエハＷの収納状態が未知であるフープＦに収納されたウエハＷの状態を検査するときのパラメータの設定を行う（ＳＴ４）。なお、ＳＴ１〜ＳＴ４の工程は準備工程となる
【００８１】
具体的には、図１１の横軸は反射式センサ１１１のスキャン時間でもあることから、得られたアナログ信号のピーク形状から、ピークが存在する時間幅ΔＴ１を設定する。具体的には、ｎ（ｎ＝１〜２５）枚目のウエハＷについてのピークの立ち上がり開始時間ＴＡ（ｎ）から立ち下がり終了時間ＴＢ（ｎ）までの時間に設定することができ、この時間幅ΔＴ１は、全てのウエハＷについて同じ値とする。
【００８２】
また、ウエハ搬送アーム１７ａ・１７ｂがフープＦに挿入された状態で占拠する位置範囲を時間のパラメータに変換して設定する。ここで、ｎ枚目のウエハＷについてのピークの立ち下がり終了時間ＴＢ（ｎ）からｎ＋１枚目のウエハＷについてのピークの立ち上がり開始時間ＴＡ（ｎ＋１）に至る時間の範囲はウエハＷ間の間隙部に相当し、この間隙部にウエハ搬送アーム１７ａ・１７ｂが位置することとなるので、この立ち下がり終了時間ＴＢ（ｎ）から立ち上がり開始時間ＴＡ（ｎ＋１）に至る間に、ウエハ搬送アーム１７ａ・１７ｂの位置を示すΔＴ２（アーム位置指示時間）を設定し、このアーム位置指示時間ΔＴ２もまた各ウエハＷ間で同じ値とする。
【００８３】
図１１においては、このアーム位置指示時間ΔＴ２は最も広い範囲、すなわち、立ち下がり終了時間ＴＢ（ｎ）から立ち上がり開始時間ＴＡ（ｎ＋１）に至る範囲全体に設定している。こうして定められた時間幅ΔＴ１の絶対値とアーム位置指示時間ΔＴ２の絶対値は可変パラメータとすることができ、これにより、検査精度を調節することが可能である。例えば、時間幅ΔＴ１の絶対値を小さく取るとウエハＷの位置をより厳しく判断することができる。但し、時間幅ΔＴ１は、後述する矩形信号１の立ち上がり時間ｔａ（ｎ）と立ち下がり時間ｔｂ（ｎ）を図１１のアナログ信号に適用した場合に得られる立ち上がり時間ｔａ（ｎ）と立ち下がり時間ｔｂ（ｎ）の幅よりも広い範囲に設定する必要がある。
【００８４】
図１１において、各ウエハＷについてピークの頂点が現れる時間ｔ（ｎ）は、反射式センサ１１１がウエハＷの厚み方向のほぼ中央部を通過するときの時間、つまり各ウエハＷの位置を示すと考えることができる。この時間ｔ（ｎ）（ウエハ位置指示時間）は、反射式センサ１１１のスキャン開始点が同じであって、反射式センサ１１１のスキャン速度が一定の場合には、一義的に定まることから、各ウエハＷについてこのウエハ位置指示時間ｔ（ｎ）を記憶しておく。
【００８５】
こうしてウエハ位置指示時間ｔ（ｎ）を記憶した場合には、ウエハ位置指示時間ｔ（ｎ）から、時間幅ΔＴ１の位置とセンサアンプ１１５から送られる矩形信号１および矩形信号２との相対的な位置の微調整を行い、適切な矩形信号１および矩形信号２の解析を行うことが可能となる。また、時間幅ΔＴ１の位置はこのウエハ位置指示時間ｔ（ｎ）と関係付けて設定することができる。
【００８６】
なお、時間幅ΔＴ１とアーム位置指示時間ΔＴ２の設定においては、実際にフープＦにおける収納状態が未知であるウエハＷについて検査を行う際にも、反射式センサ１１１の赤外線レーザ出力、反射式センサ１１１とウエハＷとの距離、反射式センサ１１１のスキャン速度を変更しないことを前提とし、これらの条件を変更する場合には、時間幅ΔＴ１とアーム位置指示時間ΔＴ２についても変更する必要が生ずる場合がある。
【００８７】
上述したパラメータを設定した上で、洗浄処理を行うウエハＷが収納されているフープＦ（ウエハＷの収納状態は未知であるとする）について、ウエハＷの収納状態の検査を行う。すなわち、フープＦをフープステージ２ａに載置して窓部１２ａを開口し、反射式センサ１１１の位置を、例えば、先に定めたスキャン開始点まで降下させ、その後、反射式センサ１１１から所定強度の赤外線レーザをウエハＷに向けて照射し、その反射信号を受信しながら、所定の一定速度で反射式センサ１１１を上昇させ、反射式センサ１１１の高さ位置を位置センサ１１３により測定する（ＳＴ５）。得られたアナログ信号パターンを以下に説明する信号解析方法を用いて解析し、ウエハＷの収納状態の良不良を判断する（ＳＴ６）。
【００８８】
ＳＴ６におけるウエハＷの収納状態の良不良の判断は、例えば、次に示す信号解析手法によって行われる。図１２は、新たに測定されたアナログ信号と、そのアナログ信号処理方法を示した説明図である。図１２（ａ）に示すように、得られたアナログ信号を任意の２つの強度レベル（第１のレベルＩ１および第２のレベルＩ２）でスライスして、図１２（ｂ）に示すような、第１のレベルＩ１でスライスして得られた矩形信号（矩形信号１）と第２のレベルＩ２でスライスして得られた矩形信号（矩形信号２）の２つのオン／オフ信号を得る。
【００８９】
例えば、第１のレベルＩ１は出現したピークの半値幅を与えるレベルとし、第２のレベルＩ２は、第１のレベルＩ１よりも低くピークの立ち上がりよりも高いレベル、例えば、第１のレベルＩ１の大きさの１／３〜２／３の高さ範囲に設定することができる。なお、このようなアナログ信号のスライスはセンサアンプ１１５において行われ、シーケンサ１１４には反射式センサ１１１が受信したアナログ受信信号ではなく、センサアンプ１１５によってスライスされた矩形信号が送られる。センサアンプ１１５は、第１のレベルＩ１と第２のレベルＩ２の高さ位置を決定する機能をも有する。
【００９０】
ｎ枚目のウエハＷについての矩形信号１の立ち上がり時間ｔａ（ｎ）（オフ状態からオン状態への変換点を指す）と立ち下がり時間ｔｂ（ｎ）（オン状態からオフ状態への変換点を指す）が、予め設定された時間幅ΔＴ１内に存在する場合には、シーケンサ１１４において、ｎ枚目のウエハＷは正常な位置にあるものと判断する。このとき、矩形信号２の立ち上がり時間Ｔａ（ｎ）と立ち下がり時間Ｔｂ（ｎ）もまた時間幅ΔＴ１内に存在することを確認すると、より正確性が高められる。図１２に示された矩形信号１と矩形信号２が得られた場合、ｎ枚目およびｎ＋１枚目のウエハＷは、この条件を満足することから、正常な位置にあるものと判断される。
【００９１】
なお、例えば、ｎ枚目のウエハＷについて、矩形信号１の立ち上がり時間ｔａ（ｎ）と立ち下がり時間ｔｂ（ｎ）は予め設定された時間幅ΔＴ１内に存在するが、矩形信号２の立ち上がり時間Ｔａ（ｎ）と立ち下がり時間Ｔｂ（ｎ）のいずれか一方または両方が時間幅ΔＴ１内に存在せずにアーム位置指示時間ΔＴ２内に存在する場合には、ピーク強度が予め時間幅ΔＴ１を決定した際に使用されたピークよりも極端に大きくなっているものと考えられる。この場合には、例えば、ｎ枚目のウエハＷが所定位置よりもフープＦから飛び出している可能性があると判断される。
【００９２】
次に、その他の形態のアナログ信号の解析方法について、図１３と図１４を例に説明する。図１３（ａ）に示したアナログ信号においては、ｎ枚目のウエハＷのピークが現れる部分に２本の強いピークが出現しており、この状態は、予めｎ枚目のウエハＷを収納する部分に２枚のウエハＷが重なって収納されていることを示している。この場合には、図１３（ｂ）に示した矩形信号１においては、少なくとも、時間幅ΔＴ１内に２箇所の立ち上がり時間ｔａ（ｎ）が現れることとなる。
【００９３】
そこで、実際の検査においては、シーケンサ１１４は矩形信号１において時間幅ΔＴ１内に２箇所以上の立ち上がり時間ｔａ（ｎ）が現れている場合には、ｎ枚目のウエハＷを収納する部分に２枚（またはそれ以上）のウエハＷが重なって収納されていると判断する。なお、この場合には、通常、矩形信号２における立ち下がり時間Ｔｂ（ｎ）がアーム位置指示時間ΔＴ２内に現れることから、矩形信号２の形態から収納状態に何らかの異常が生じていることを察することが可能である。但し、矩形信号２の形態を考慮しなくともよい。
【００９４】
図１４（ａ）に示したアナログ信号においては、ｎ枚目のウエハＷとｎ＋１枚目のウエハＷの間に小ピークが現れ、ｎ枚目のウエハＷを示すピークは正常であるが、ｎ＋１枚目のウエハＷを示すピークが現れるべき位置にピークが出現しておらず、この状態は、ｎ＋１枚目のウエハＷがｎ枚目のウエハＷを収納する段とｎ＋１枚目のウエハＷを収納する段との間で斜めに収納されているジャンプスロットの状態を示している。
【００９５】
この場合には、図１４（ｂ）に示すように、アーム位置指示時間ΔＴ２内に矩形信号２の立ち上がり時間Ｔａ（ｎ＋１）と立ち下がり時間Ｔｂ（ｎ＋１）が現れることとなる。なお、図１４に示したアナログ信号の場合には、矩形信号１においてアーム位置指示時間ΔＴ２内に矩形信号１の立ち上がり時間ｔａ（ｎ＋１）と立ち下がり時間ｔｂ（ｎ＋１）は現れないが、ピークがより強く現れた場合には、矩形信号１の立ち上がり時間ｔａ（ｎ＋１）と立ち下がり時間ｔｂ（ｎ＋１）もまたアーム位置指示時間ΔＴ２内に現れる場合がある。
【００９６】
そこで、実際の検査においては、シーケンサ１１４は矩形信号２においてアーム位置指示時間ΔＴ２内に立ち上がり時間Ｔａ（ｎ＋１）と立ち下がり時間Ｔｂ（ｎ＋１）が現れている場合には、ｎ＋１枚目のウエハＷがジャンプスロットの状態で収納されているものと判断する。
【００９７】
上述したように、例えば、ウエハＷが所定位置よりもフープＦから飛び出している場合には、搬送アーム１７ａが正確にウエハＷを保持することができない場合があり、ウエハＷの落下、破損等が生ずるおそれがある。また、ウエハＷが２枚重ねの状態となっている場合には、搬送アーム１７ａによって２枚が同時にロータ３４に搬送された後、ロータ３４が２枚の重なったウエハＷを保持することができずにウエハＷが破損したり、ロータ３４が損傷する危険性がある。さらに、ウエハＷがジャンプスロットの状態で収納されている場合には、搬送アーム１７ａ・１７ｂをフープＦに挿入すると、搬送アーム１７ａ・１７ｂがウエハＷを破壊し、また、搬送アーム１７ａ・１７ｂも損傷する危険性がある。
【００９８】
さらにまた、上述した不良収納状態のみならず、ｎ枚目のウエハＷが当然にあることが予想される位置において、矩形信号１の立ち上がり時間ｔａ（ｎ）と立ち下がり時間ｔｂ（ｎ）のいずれもが時間幅ΔＴ１内およびアーム位置指示時間ΔＴ２内にも現れない場合には、結局、ピークが存在しなかったこととなり、ｎ枚目のウエハＷが欠落しているものと判断される。この場合はウエハＷの損傷等は起こらないと考えられるが、所定枚数のウエハＷを処理することができないことから、生産管理上の問題を生ずるおそれがある。
【００９９】
上述した信号解析方法を用いることによって、シーケンサ１１４において解析された結果は制御装置１２０に送られ（ＳＴ７）、制御装置１２０は、シーケンサ１１４がウエハＷの収納状態に異常が認められないと判断した場合には、ウエハ搬送機構１６によるウエハＷの搬送を開始する（ＳＴ８ａ）。一方、ウエハＷの収納状態に異常があると判断している場合には、例えば、警報を発してウエハ搬送機構１６によるウエハＷの搬送を中止する等する（ＳＴ８ｂ）。
【０１００】
次に、フープステージ２ａに載置されたフープＦをフープＦ１とし、フープステージ２ｂに載置されたフープＦをフープＦ２として、これら２個のフープＦ１・Ｆ２に収納されたウエハＷの洗浄処理を行う場合を例に、その洗浄処理工程について説明する。まず、２５枚のウエハＷが所定の間隔で平行に収納されたフープＦ１・Ｆ２を、フープＦ１・Ｆ２においてウエハＷの出し入れを行うウエハ搬入出口が窓部１２ａ・１２ｂと対面するように、それぞれフープステージ２ａ・２ｂに載置する。
【０１０１】
最初にフープＦ１に収納されたウエハＷを搬送するために、窓部１２ａを開口させてフープＦ１の内部とウエハ搬送ユニット４の内部が連通した状態とする。その後に、フープＦ１内のウエハＷの枚数および収納状態の検査を、ウエハ検査機構１１０を用いて前述した検査方法により行う。ここで、ウエハＷの収納状態に異常が検出された場合にはフープＦ１のウエハＷについては処理を中断し、例えば、フープＦ２に収納されたウエハＷの処理に移行する。
【０１０２】
フープＦ１内のウエハＷに異常が検出されなかった場合には、フープＦ１に収納された全てのウエハＷをウエハ搬送機構１６を動作させて搬送アーム１７ａに移し替え、さらに窓部２５ａを開口した状態として、ウエハＷを保持した搬送アーム１７ａをロータ３４に挿入し、ウエハＷをロータ３４に移し替える。
【０１０３】
そして、洗浄処理ユニット３においては、姿勢変換機構２８、Ｚ軸リニア駆動機構２９、Ｘ軸リニア駆動機構３０を駆動させ、ロータ３４が外側チャンバ７１ａに挿入されるようにロータ回転機構２７を移動させ、所定の状態に保持する。こうして、例えば、最初に内側チャンバ７１ｂを処理位置に移動させて、ロータ３４を回転してウエハＷを回転させながら、内側チャンバ７１ｂを用いた薬液処理を行ない、その後に内側チャンバ７１ｂを退避位置に移動させて、外側チャンバ７１ａを用いた水洗処理、ＩＰＡ処理、窒素ガスによる乾燥処理を行う。一方、ウエハＷを保持していない状態となったウエハ搬送機構１６については、搬送アーム１７ａがフープステージ２ｂに載置されたフープＦ２にアクセスできるように移動させ、フープＦ１からウエハＷを搬出した方法と同様の方法を用いて、搬送アーム１７ａにフープＦ２に収納されているウエハＷを移し替える。
【０１０４】
続いて、洗浄処理が終了したウエハＷを保持したロータ回転機構２７については、ウエハＷを搬送アーム１７ａ・１７ｂとの間で受け渡し可能な位置へ移動させ、また、搬送アーム１７ａにウエハＷを保持したウエハ搬送機構１６は、ウエハＷを保持していない搬送アーム１７ｂがロータ３４にアクセスできる状態となるようにする。こうして、搬送アーム１７ｂがロータ３４に収納されたウエハＷを受け取った後に、回転機構２２を動作させて搬送アーム１７ａがロータ３４にアクセスできるようにテーブル２１を１８０°回転させ、搬送アーム１７ａからロータ３４に未処理のウエハＷを受け渡す。
【０１０５】
フープＦ２に収納されていた未処理のウエハＷを保持したロータ回転機構２７は、前述したフープＦ１に収納されていたウエハＷの洗浄処理と同様の工程により洗浄処理を施し、その後にウエハＷを搬送アーム１７ａ・１７ｂとの間で受け渡し可能な位置まで移動させる。その間に、ウエハ搬送機構１６については、洗浄処理を終了したウエハＷをフープＦ１に戻すように駆動し、その後、ウエハ搬送機構１６を搬送アーム１７ｂがロータ３４にアクセスできる状態としておく。搬送アーム１７ｂは洗浄処理が終了したフープＦ２のウエハＷをロータ３４から受け取り、このウエハＷをフープＦ２に収納すれば、フープＦ１・Ｆ２に収納されたウエハＷについての洗浄処理が終了する。
【０１０６】
なお、例えば、フープステージ２ｃにフープＦ３が配置されている場合については、フープＦ１のウエハＷの処理が終了した後に、搬送アーム１７ａにフープＦ３に収容されたウエハＷを移し替え、洗浄処理が終了したフープＦ２のウエハＷをロータ３４から搬出した後に、搬送アーム１７ａに保持されたウエハＷをロータ３４に移し替えることで、連続して所定の洗浄処理を行うことができる。
【０１０７】
以上、本発明の実施の形態について、本発明を洗浄処理装置に適用した場合について示したが、本発明は、収納容器に基板を搬入し、または収納容器から基板を搬出する操作が行われる全ての装置に適用することが可能である。例えば、レジストを塗布し現像するレジスト塗布・現像処理システムや、所定の塗布液を塗布して膜等を形成する塗布処理装置やエッチング処理装置等に適用することも可能である。また、基板としては半導体ウエハを例に挙げたが、これに限らず、反射式センサを用いて反射信号を受信することができる基板、例えば、金属基板、セラミックス基板、ガラス基板、樹脂基板等であってもよい。従って、これら各種の基板をフープＦに収納して搬送し、所定の処理の際に取り出す作業を伴う装置に、本発明の基板検査装置および基板検査方法を適用することが可能である。
【０１０８】
【発明の効果】
上述した通り、本発明によれば、容器に収納された基板について、反射式センサによって得られる反射強度信号（アナログ信号）をそのまま解析するのではなく、変換された簡単なパターンの矩形信号等のオン／オフ信号を用いて解析を行うために、基板検査装置自体を安価に構成することができるという効果が得られる。しかも基板の枚数のみでなく、２枚重ねやジャンプスロットという不正常な収納状態をも検出することができることから、基板に対する所定の処理の進行に伴って、基板の破損や基板を搬送する機構に損傷が生ずることを防止することができ、こうして、生産性（処理効率）、装置の保守性、メンテナンス性が高められるという優れた効果を奏する。また、本発明の基板検査方法は、容器内における基板の所定の収納方向が基板の主面を水平方向とする場合または垂直方向とする場合のいずれにも適用することができる利点がある。さらに、反射式センサを用いていることから測定対象となる基板の大きさに関係なく、基板検査装置を小型に構成できる利点もある。なお、容器に形成された基板搬送口を開閉する蓋体がある場合には、この蓋体を移動させる蓋体開閉機構に反射式センサを設けることが可能であり、これによって基板検査装置を省スペース化することが容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る洗浄処理装置を示す斜視図。
【図２】図１記載の洗浄処理装置の平面図。
【図３】図１記載の洗浄処理装置の側面図。
【図４】図１記載の洗浄処理装置の別の側面図。
【図５】ロータの構造を示す説明図。
【図６】洗浄処理装置に配設されたロータ回転機構の移動形態を示した説明図。
【図７】ロータをチャンバに挿入した状態の一例を示す断面図。
【図８】ロータをチャンバに挿入した状態の別の例を示す断面図。
【図９】ウエハ検査機構の構成を示す説明図。
【図１０】ウエハ収納状態の検査工程を示す説明図。
【図１１】ウエハが正常な状態でフープに収納された場合に、ウエハ検査機構によって得られる信号パターンの一例を示す説明図。
【図１２】信号パターンおよびピーク形状からウエハの収納状態の良不良を判断する際の設定条件を示す説明図。
【図１３】ウエハの収納状態に異常がある場合に、ウエハ検査機構によって得られる信号パターンの一例を示す説明図。
【図１４】ウエハの収納状態に異常がある場合に、ウエハ検査機構によって得られる信号パターンの別の例を示す説明図。
【符号の説明】
１；洗浄処理装置
２；フープ搬入出部
３；洗浄処理ユニット
４；ウエハ搬送ユニット
５；薬液貯蔵ユニット
６；電源ボックス
１６；ウエハ搬送機構
１７ａ・１７ｂ；搬送アーム
２７；ロータ回転機構
２８；姿勢変換機構
２９；Ｚ軸リニア駆動機構
３０；Ｘ軸リニア駆動機構
３４；ロータ
７１ａ；外側チャンバ
７１ｂ；内側チャンバ
１１０；ウエハ検査機構
１１１；反射式センサ
１１２；昇降機構
１１３；位置センサ
１１４；シーケンサ
１１５；センサアンプ
１２０；制御装置
Ｗ；半導体ウエハ（基板）[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention includes a substrate inspection apparatus and a substrate inspection method used when handling various substrates such as a semiconductor wafer and an LCD substrate, and a liquid for performing predetermined liquid treatment and drying treatment on the substrate. The present invention relates to a processing apparatus.
[0002]
[Prior art]
For example, in a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor wafer (wafer) as a substrate is cleaned with a cleaning solution such as a predetermined chemical solution or pure water, after contamination of particles, organic contaminants, metal impurities, etc. from the wafer, after etching treatment Wafer cleaning equipment that removes polymer, etc., and nitrogen (N 2 ) Wafer drying apparatuses are used that dry a wafer by removing droplets from the wafer with an inert gas such as a gas or an IPA vapor having high volatility and hydrophilicity.
[0003]
As such a cleaning / drying apparatus, one that stores a plurality of wafers in a wafer cleaning / drying chamber and processes them in a batch manner is known. Generally, in such a cleaning / drying apparatus, a container (hoop) in which a plurality of wafers are stored so that their main surfaces are substantially parallel is placed at a predetermined position of the cleaning / drying apparatus, A plurality of wafers in the hoop are simultaneously taken out using the transfer arm, transferred to the cleaning / drying chamber, transferred to a holding means for holding the wafer, subjected to predetermined processing, and then cleaned and dried using the transfer arm again. An operation of transferring the wafer from the chamber to the hoop is performed. The hoop containing the wafer that has been subjected to the predetermined cleaning / drying process is transferred to the next process.
[0004]
Here, for example, the transfer of the wafer from the hoop is performed after confirming whether or not a predetermined number of wafers are stored in the hoop using various sensors. For example, the wafer is transferred using an infrared laser sensor. There are known a method of measuring the number of sheets by detecting the position of the end face, and a method of measuring the number of sheets by inserting infrared laser sensors arranged in a vertical row from the bottom of the hoop and receiving the transmitted light. .
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in such an inspection method using the conventional infrared laser sensor, since only the on / off state of the received signal of the infrared laser sensor is determined, the number of wafers can be inspected, but two wafers overlap. In such a case, it is impossible to confirm the state when the storage unit is stored at an angle or is stored obliquely (such a storage state is hereinafter referred to as a “jump slot”). On the other hand, if the signal pattern of the on / off signal is accurately analyzed as a whole, it is possible to grasp the state of two wafers, etc., but in this case, a large amount of signal data must be processed. There was a problem that the inspection time was long.
[0006]
Here, for example, when two wafers are stored in the FOUP, when the wafers are unloaded from the FOUP, one of the overlapped wafers falls from the transfer arm and is cleaned and dried. When the wafer is carried into the cleaning / drying chamber, one of the wafers on which the wafer holding means overlaps cannot be held and is damaged, dropped, or the holding means may be damaged. When such an accident occurs, the operation of the cleaning / drying apparatus is temporarily stopped, and not only cleaning and maintenance are required, but also processing of other wafers may be impossible.
[0007]
In addition, when the wafer is inserted obliquely in the hoop, the transfer arm and the hoop collide when the transfer arm is inserted into the hoop, and the wafer is damaged or the transfer arm is damaged. There is a risk of damage to the wafer.
[0008]
The present invention has been made in view of the problems of the prior art, and is a substrate inspection apparatus capable of simply and accurately inspecting not only the number of substrates accommodated in a hoop but also the accommodation state. An object is to provide a substrate inspection method. Moreover, an object of this invention is to provide the liquid processing apparatus provided with such a board | substrate inspection apparatus.
[0009]
In recent years, with the fine integration and mass production of semiconductor devices, the size of wafers has increased from 200 mmφ to 300 mmφ, and the size and weight of wafers have increased. Yes. For this reason, storage and transfer of 200 mmφ wafers were handled using, for example, a hoop containing 26 wafers in a substantially vertical state, but storage and transfer of 300 mmφ wafers were performed using, for example, 25 wafers. It is handled using a hoop stored horizontally.
[0010]
However, when inspecting the state of the wafer by receiving the transmitted light of the above-described infrared laser, there arises a problem that the intensity of the infrared laser to be transmitted must be increased when the object to be measured is enlarged, and the light emitting unit Since the container in which the wafer is stored needs to be placed between the receiver and the receiver, the structure of the hoop and the apparatus configuration are also limited. Another object of the present invention is to make it possible to handle such a 300 mmφ large-diameter wafer.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the present invention provides a first invention,
A substrate inspection apparatus for inspecting a storage state of a substrate stored in a container that can store a plurality of substrates at predetermined intervals so that main surfaces thereof are substantially parallel,
A reflective sensor disposed at a predetermined distance from an end face of the substrate housed in the container, a moving mechanism for moving the reflective sensor in the direction of substrate arrangement, and the reflective sensor for moving the reflective sensor by the moving mechanism. Reflected intensity signal from the substrate detected during , A first on / off signal obtained by slicing at a first intensity level and a second intensity level lower than the first intensity level and slicing at the first intensity level; A second on / off signal obtained by slicing at a second intensity level; A signal processing unit for obtaining First and second An arithmetic processing unit that analyzes an on / off signal and determines a storage state of a substrate stored in the container;
A substrate inspection apparatus characterized by comprising:
[0012]
The present invention as the second invention,
A substrate inspection apparatus that has a substrate transfer opening that can be opened and closed by a lid, and inspects the storage state of substrates stored in a container that can store a plurality of substrates at predetermined intervals so that their main surfaces are substantially parallel. And
A lid opening / closing mechanism that moves the lid of the container in the substrate arrangement direction to open / close the substrate transport port, a reflective sensor attached to the lid opening / closing mechanism, and a movement of the lid opening / closing mechanism. The reflected intensity signal from the substrate detected when the reflective sensor moves , A first on / off signal obtained by slicing at a first intensity level and a second intensity level lower than the first intensity level and slicing at the first intensity level; A second on / off signal obtained by slicing at a second intensity level; A signal processing unit for obtaining First and second There is provided a substrate inspection apparatus comprising: an arithmetic processing unit that analyzes an on / off signal to determine a storage state of a substrate stored in the container.
[0013]
The present invention provides a substrate inspection method using the substrate inspection apparatus. That is, the present invention is the third invention,
A substrate inspection method for inspecting a storage state of a substrate stored in a container that can store a plurality of substrates at predetermined intervals so that their main surfaces are substantially parallel,
A first step of obtaining a reflection intensity signal from a substrate housed in the container with respect to a transmission signal while moving a reflective sensor having a signal transmission unit and a signal reception unit in the arrangement direction of the substrate, and obtained in the first step. The reflected intensity signal , A first on / off signal obtained by slicing at the first intensity level and a second intensity level lower than the first intensity level and slicing at the first intensity level; A second on / off signal obtained by slicing at the second intensity level; A second step of obtaining A third step of analyzing the first and second on / off signals to determine a storage state of the substrate stored in the container; There is provided a substrate inspection method characterized by comprising:
[0014]
Moreover, this invention provides the liquid processing apparatus provided with the said board | substrate inspection apparatus. That is, the present invention is the fourth invention,
A liquid processing apparatus for performing predetermined liquid processing on a substrate,
A container loading / unloading section for mounting a container capable of storing a plurality of substrates with their main surfaces substantially parallel; and a sensor system for inspecting the storage state of the substrates stored in the container mounted on the container loading / unloading section; A liquid processing unit that performs a predetermined liquid processing on the substrate housed in the container; and a substrate transport unit that transports the substrate between the container and the liquid processing unit. A reflective sensor disposed at a predetermined distance from an end face of the substrate housed in the container, a moving mechanism for moving the reflective sensor in the direction of substrate arrangement, and the reflective sensor for moving the reflective sensor by the moving mechanism. Reflected intensity signal from the substrate detected during , A first on / off signal obtained by slicing at a first intensity level and a second intensity level lower than the first intensity level and slicing at the first intensity level; A second on / off signal obtained by slicing at a second intensity level; A signal processing unit for obtaining First and second There is provided a liquid processing apparatus comprising: an arithmetic processing unit that analyzes an on / off signal to determine a storage state of a substrate stored in the container.
[0015]
The present invention as the fifth invention,
A liquid processing apparatus for performing predetermined liquid processing on a substrate,
A container carrying port that can be opened and closed by a lid, a container loading / unloading section for placing a container capable of storing a plurality of substrates at predetermined intervals so that the main surfaces thereof are substantially parallel; and a lid of the container. A lid opening / closing mechanism that opens and closes the substrate transfer port by moving the substrate in the arrangement direction of the substrate, a sensor system that inspects the storage state of the substrate stored in the container placed on the container loading / unloading unit, and the container A liquid processing unit that performs a predetermined liquid processing on the stored substrate; and a substrate transport unit that transports the substrate between the container and the liquid processing unit. A reflection sensor attached to the mechanism, and a reflection intensity signal from the substrate detected when the reflection sensor moves in accordance with the movement of the lid opening / closing mechanism. , A first on / off signal obtained by slicing at a first intensity level and a second intensity level lower than the first intensity level and slicing at the first intensity level; A second on / off signal obtained by slicing at a second intensity level; A signal processing unit for obtaining First and second There is provided a liquid processing apparatus comprising: an arithmetic processing unit that analyzes an on / off signal to determine a storage state of a substrate stored in the container.
[0016]
According to the substrate inspection apparatus, the substrate inspection method, and the liquid processing apparatus provided with the substrate inspection apparatus described above, the reflection intensity signal obtained by the reflective sensor is not directly analyzed but converted for the substrate stored in the container. In addition, since the analysis is performed using an on / off signal such as a rectangular signal having a simple pattern, the substrate inspection apparatus itself can be configured at low cost, and not only the number of substrates but also two overlapping or jumping An abnormal storage state called a slot can be detected easily and accurately in a short time. Thus, breakage of the substrate and damage to the mechanism for transporting the substrate can be prevented without reducing the throughput, and thus productivity (processing efficiency), apparatus maintainability, and maintainability can be improved. In addition, since the present invention uses a reflective sensor, there is an advantage that the inspection apparatus can be made small regardless of the size of the substrate to be measured, and the size of the substrate is increased as in the case of using a transmissive sensor. This is advantageous in terms of cost because it is not necessary to prepare a sensor with a large output.
[0017]
Furthermore, when the substrate inspection apparatus according to the present invention is used, the reflection intensity signal is obtained as an analog signal. The reflection intensity signal is sliced at at least two intensity levels, and an on / off signal corresponding to the presence or absence of the substrate is obtained. And using the method of analyzing the storage state of the substrate stored in the container from the appearance position of the turning point between the ON state and the OFF state in this ON / OFF signal, The storage direction does not matter, and therefore, it can be used in any case where the main surface of the substrate is stored in the container in the horizontal direction or in the vertical direction. . If there is a lid that opens and closes the substrate transport opening formed in the container and there is a mechanism for opening and closing the lid, a substrate inspection apparatus is provided by attaching a reflective sensor to the mechanism for opening and closing the lid. It is possible to save space.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings. The liquid processing apparatus according to one aspect of the present invention can be applied to a cleaning processing apparatus, a drying processing apparatus, and the like using various substrates as objects to be processed. In this embodiment, a semiconductor wafer (wafer) is carried in, cleaned, dried, A cleaning processing apparatus configured to perform unloading in a batch manner will be described as an example. Further, this cleaning processing apparatus has a form provided with the substrate inspection apparatus of the present invention as a wafer inspection mechanism, and an embodiment of the wafer inspection mechanism and the wafer inspection method will be described.
[0019]
FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of a cleaning processing apparatus 1 according to this embodiment. As shown in FIG. 1, the cleaning processing apparatus 1 includes a FOUP loading / unloading section 2 provided with FOUP stages 2 a to 2 c for mounting a FOUP (storage container) F that can store a plurality of wafers W. A cleaning processing unit 3 that performs cleaning processing on the wafer W, a wafer transfer unit 4 that is provided between the FOUP loading / unloading unit 2 and the cleaning processing unit 3, and that performs liquid processing. For the purpose of storing a chemical solution for storing the chemical solution.
[0020]
In addition, a power supply box 6 for various electric drive mechanisms and electronic control devices arranged in the cleaning processing apparatus 1 and a temperature control box 7 for controlling the temperature of each unit constituting the cleaning processing apparatus 1 are cleaned. Provided above the unit 3, and above the wafer transfer unit 4 are a display box 9 for controlling various display panels provided in the cleaning processing apparatus 1, and a wafer transfer disposed in the wafer transfer unit 4. A transport mechanism control box 10 in which a control device for the mechanism 16 is housed is provided. Further, a hot exhaust box 8 for collecting and exhausting hot exhaust from each box is provided above the chemical solution storage unit 5.
[0021]
FIG. 2 is a schematic plan view of the cleaning processing apparatus 1, FIG. 3 is a schematic side view of the cleaning processing apparatus 1, and FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a state in which some drive mechanisms are driven in the schematic side view of FIG. Each side view is shown. Here, in FIGS. 2 to 4, only the FOUP loading / unloading unit 2, the cleaning processing unit 3, the wafer transfer unit 4, and the chemical solution storage unit 5 are shown, and the cleaning processing unit 3, the wafer transfer unit 4, and the chemical solution storage unit 5 are shown. The power supply box 6 and other various box portions arranged in the upper portion are not shown. As will be described later, the cleaning processing unit 3 is divided into a transport unit 3a and a cleaning unit 3b. FIGS. 3 and 4 show a schematic structure of the transport unit 3a.
[0022]
The FOUP F placed on the FOUP stages 2a to 2c can store a plurality of wafers W, for example, 25 wafers at predetermined intervals so that the main surface is horizontal, and one side surface of the FOUP F. Is provided with a wafer loading / unloading port for loading and unloading the wafer W. The FOUP F has a lid 11 that opens and closes the wafer loading / unloading port. The lid 11 can be attached to and detached from the FOUP F by lid opening / closing mechanisms 15a to 15c described later.
[0023]
Window portions 12a to 12c are provided in the boundary wall 12 between the wafer transfer unit 4 and the hoop loading / unloading portion 2, and the outer peripheral portion of the wafer loading / unloading port formed in the hoop F closes the window portions 12a to 12c. In addition, the hoop F is placed on the hoop stages 2a to 2c so that the lid 11 can be attached and detached by the lid opening / closing mechanisms 15a to 15c.
[0024]
On the inner side of the boundary wall 12 (on the wafer transfer unit 4 side), shutters 13a to 13c for opening and closing the windows 12a to 12c and lifting mechanisms 14a to 14c for raising and lowering the shutters 13a to 13c are positioned at the positions of the windows 12a to 12c. The lid opening / closing mechanisms 15a to 15c including 14c are disposed. The lid body opening / closing mechanisms 15a to 15c have lid body gripping means (not shown) so that the lid body 11 of the hoop F can be lifted and lowered together with the shutters 13a to 13c.
[0025]
When the FOUP F is not placed on the FOUP stages 2a to 2c, the shutters 13a to 13c are in a state of closing the windows 12a to 12c, so that intrusion of particles and the like from the outside to the wafer transfer unit 4 is prevented. . On the other hand, when the wafer W is unloaded from the FOUP F or loaded into the FOUP F, the shutters 13a to 13c and the FOUP F are arranged so that transfer arms 17a and 17b of the wafer transfer mechanism 16 described later can access the FOUP F. The lid body 11 is lowered by the lid body opening / closing mechanisms 15a to 15c, and the window portions 12a to 12c are opened.
[0026]
The wafer transfer unit 4 is provided with a wafer inspection mechanism 110 for measuring the number of wafers W in the FOUP F adjacent to the lid opening / closing mechanisms 15a to 15c. For example, the wafer inspection mechanism 110 receives reflected light from the end face of the wafer W while scanning a reflective optical sensor using an infrared laser in the Z direction (vertical direction), and receives the wafer W stored in the FOUP F. The number of wafers and their storage states, for example, whether the wafers W are stored one by one in a substantially parallel manner at a predetermined pitch, whether the two wafers W are stacked and stored, and the wafers W are inclined with a step difference. The wafer W is inspected to determine whether or not the wafer W has jumped out of a predetermined position in the FOUP F. The wafer inspection mechanism 110 will be described in detail later.
[0027]
Note that if the wafer inspection mechanism 110 is attached to the wafer conveyance mechanism 16 so that the wafer inspection mechanism 110 can move together with the wafer conveyance mechanism 16, the wafer inspection mechanism 110 can be provided at only one location. is there. Further, for example, a sensor for checking the number of stored wafers W and a sensor for inspecting the stored state of the wafers W can be provided separately.
[0028]
The wafer transfer unit 4 is provided with a filter fan unit (FFU) 24a for blowing clean air into the wafer transfer unit 4 on the ceiling. A part of the downflow from the FFU 24a is a window portion. In a state where 12a to 12c are opened, the air flows out from the windows 12a to 12c and flows into the FOUP F placed on the FOUP stages 2a to 2c. By supplying clean air to the wafer W in the FOUP F in this way, it is possible to prevent particles from adhering to the wafer W.
[0029]
Further, a wafer transfer mechanism 16 is disposed in the wafer transfer unit 4, and the wafer transfer mechanism 16 includes a linear drive mechanism 19 having a guide extending in the X direction, and a transfer arm 17 a that holds the wafer W. 17b, holding portions 18a and 18b for holding the transfer arms 17a and 17b, slide mechanisms 20a and 20b in which the transfer arms 17a and 17b and the holding portions 18a and 18b are respectively arranged, and slide mechanisms 20a and 20b are arranged. The rotary table 21 that has been rotated, a rotating mechanism 22 that rotates the table 21, and an elevating mechanism 23 that raises and lowers a portion above the rotating mechanism 22 are provided.
[0030]
By providing two systems of transfer arms 17a and 17b in the wafer transfer mechanism 16, for example, the transfer arm 17a is used to transfer an unprocessed wafer W, and the transfer arm 17b is used to transfer a cleaned wafer W. It can be used for. In this case, for example, compared to a case where only one system transfer arm is provided, particles or the like adhering to the unprocessed wafer W adhere to the transfer arm and further adhere to the processed wafer W. This is effectively prevented.
[0031]
One transfer arm 17a transfers a single wafer W, and the 25 transfer arms 17a are substantially parallel to each other so that 25 wafers W stored in the FOUP F can be transferred at one time. It is hold | maintained at the holding | maintenance part 18a by the space | interval, and the 25 conveyance arms 17b are also hold | maintained by the holding | maintenance part 18b at predetermined intervals substantially parallel. When the wafer W is transferred between the FOUP F or the rotor 34 described later and the transfer arms 17a and 17b, the transfer arms 17a and 17b must be moved up and down by a predetermined distance. The lifting operation can be performed by the lifting mechanism 23. In addition, you may arrange | position the raising / lowering mechanism which raises / lowers conveyance arm 17a * 17b separately to holding | maintenance part 18a * 18b.
[0032]
The transport arms 17a and 17b are slidable in the length direction of the transport arms 17a and 17b by the slide mechanisms 20a and 20b, and the table 21 is rotated in a horizontal plane by the rotation mechanism 22 (see FIG. 2). (Theta direction shown) is possible. The heights of the transfer arms 17a and 17b can be adjusted by the lifting mechanism 23, and the transfer arms 17a and 17b can be moved in the X direction by the linear drive mechanism 19 together with the lifting mechanism 23 and the like. Thus, the transfer arms 17a and 17b can access any of the hoops F and the rotors 34 placed on the hoop stages 2a to 2c, and thus between the hoops F and the rotor 34 placed on the hoop stages 2a to 2c. Thus, the wafer W can be transferred in a horizontal state.
[0033]
Accordingly, for example, the transfer arm 17a is used to transfer an unprocessed wafer W, and the transfer arm 17a is transferred from the FOUP F placed on the FOUP stage 2b to the rotor 34 disposed in the cleaning processing unit 3. First, the linear drive mechanism 19 is driven to move the transfer arm 17a in the X direction so that the transfer arm 17a can access the hoop F placed on the hoop stage 2b. Next, after the elevation mechanism 23 is driven to adjust the height of the transfer arm 17a, the slide mechanism 20a is operated to slide the transfer arm 17a and the holding portion 18a toward the hoop stage 2b. By holding the wafer W on the transfer arm 17a and returning the transfer arm 17a and the holding unit 18a to their original positions, the wafer W is unloaded from the FOUP F.
[0034]
Next, while the rotation mechanism 22 is operated to rotate the table 21 by 180 °, the linear drive mechanism 19 is driven so that the transfer arm 17 a can access the rotor 34. When the transfer arm 17a and the holding unit 18a are slid to the rotor 34 side and the wafer W is transferred to the rotor 34 (see FIG. 4), and the transfer arm 17a and the holding unit 18a are returned to their original positions, the wafer W is moved to the rotor 34. The conveyance of is finished.
[0035]
In the wafer transfer mechanism 16 described above, since the transfer arms 17a and 17b are arranged at point-symmetrical positions with respect to the rotation center of the table 21, the table 21 is moved in a state where the slide mechanisms 20a and 20b are not extended. When rotated, even if the transfer arms 17a and 17b hold the wafer W, the range of the trajectory through which the transfer arms 17a and 17b pass can be narrowed. Thus, in the cleaning processing apparatus 1, the wafer transfer unit 4 is saved in space.
[0036]
A window 25a for transferring the wafer W is formed on the boundary wall 25 that partitions the wafer transfer unit 4 and the cleaning processing unit 3, and the window 25a can be moved up and down by an elevating mechanism 26b. Is opened and closed by. In the cleaning processing apparatus 1, the shutter 26 a is Although provided on the wafer transfer unit 4 side, it can also be provided on the cleaning processing unit 3 side. The wafer W is transferred between the wafer transfer unit 4 and the cleaning processing unit 3 through the window 25a.
[0037]
Since the atmosphere of the wafer transfer unit 4 and the cleaning processing unit 3 can be separated by the shutter 26a, for example, the processing liquid is scattered in the cleaning processing unit 3 or the vapor of the processing liquid is diffused. Even in this case, it is possible to prevent the contamination from spreading to the wafer transfer unit 4.
[0038]
The cleaning processing unit 3 includes a transport unit 3a and a cleaning unit 3b. A filter fan unit (FFU) 24b is disposed on the ceiling of the transport unit 3a to remove particles in the transport unit 3a. Clean air or the like is sent.
[0039]
The transport unit 3a includes a rotor rotation mechanism 27, a posture conversion mechanism 28 that controls the posture of the rotor rotation mechanism 27, and a Z-axis linear drive mechanism 29 that moves the rotor rotation mechanism 27 and the posture conversion mechanism 28 in the vertical direction. Then, the X-axis linear drive mechanism 30 that moves the Z-axis linear drive mechanism 29 in the horizontal direction, and particles generated from the attitude conversion mechanism 28 and the Z-axis linear drive mechanism 29 scatter to the rotor rotating mechanism 27 side and are applied to the wafer W. A cover 45 for preventing adhesion and the like, and a cover 46 for preventing particles generated from the X-axis linear drive mechanism 30 from scattering to the rotor rotation mechanism 27 and adhering to the wafer W. Is provided.
[0040]
The rotor rotation mechanism 27 includes a rotor 34 that can hold the wafer W at predetermined intervals, a motor (drive mechanism) 31 that rotates the rotor 34 so that the wafer W held by the rotor 34 rotates in-plane, and an attitude conversion mechanism. 28, a lid 33 that closes the rotor loading / unloading port 62c formed in the outer chamber 71a when the rotor 34 is inserted into an outer chamber 71a described later, and the coupling portion 32 and the lid 33 are passed through. And a rotating shaft 50 (see FIGS. 5, 7, and 8 shown later) for connecting the rotor 34 and the motor 31 to each other.
[0041]
FIG. 5 is a perspective view showing the structure of the rotor 34. The rotor 34 is a latch in which a pair of disks 35a and 35b arranged at a predetermined interval and a groove or the like for holding the wafer W are formed. Similar to the locking member 36a, the member 36a includes a holder 36b that is formed with a groove or the like and can be opened and closed, and a lock pin 36c that controls whether the holder 36b can be opened and closed. A holder opening / closing mechanism 80 for opening / closing the holder 36b is provided on the boundary wall 25 (see FIGS. 3 and 4). The holder opening / closing mechanism 80 includes a lock pin pressing cylinder 81, a holder opening / closing cylinder 82, have. A cover 40 is provided on the boundary wall 25 where the holder opening / closing mechanism 80 is provided to separate the wafer transfer unit 4 and the cleaning processing unit 3 from each other.
[0042]
The disk 35b can be fixed to the rotating shaft 50 using, for example, a screw 35c. The locking member 36a is fixed between the disks 35a and 35b by screwing or the like from the outside of the disks 35a and 35b. be able to. For example, the lock pin 36c protrudes outward in a normal state, and in this state, the holder 36b cannot be opened and closed. On the other hand, the holder opening and closing mechanism 80 accesses the rotor 34 to lock the lock pin 36c. When the lock pin 36c is pushed toward the inside of the rotor 34 by the pressing force from the pressing cylinder 81, the holder 36b can be set to be opened and closed by the holder opening / closing cylinder 82. .
[0043]
Thus, when the holder 36b is opened, the wafer W can be transferred between the rotor 34 and the transfer arms 17a and 17b. On the other hand, when the holder 36b is closed, the wafer W in the rotor 34 can be transferred. Is maintained in a state where it does not jump out of the rotor 34.
[0044]
The holder opening / closing mechanism 80 allows the lock pin pressing cylinder 81 and the holder opening / closing cylinder 82 to access the lock pin 36c and the holder 36b, respectively, at a position where the wafer W is transferred between the rotor 34 and the transfer arms 17a and 17b. Thus, it is freely rotatable between the retracted position shown in FIG. 3 and the processing position shown in FIG. In accordance with the opening / closing mechanism of the holder 36b described above, the lock pin pressing cylinder 81 has a pressing mechanism capable of pressing the lock pin 36c into the rotor 34 at the processing position, and the holder opening / closing cylinder 82 is a disc. The holder 36b is accessed outside the 35a and operates to open and close the holder 36b.
[0045]
When opening the holder 36b in accordance with the above-described forms of the holder 36b, the lock pin 36c, and the holder opening / closing mechanism 80, for example, the holder opening / closing mechanism 80 in the retracted position is first moved to the processing position to access the rotor 34, and the lock The lock pin 36c is held in a state where it is pushed into the rotor 34 by the pin pressing cylinder 81. In this state, the holder opening / closing cylinder 82 is operated to open the holder 36b. Thus, loading / unloading of the wafer W becomes possible, and when the loading / unloading operation of the wafer W is completed, the holder 36b is closed, the pressing force of the lock pin pressing cylinder 81 is released, and the lock pin 36c becomes a disk. It returns to the state protruding from 35a, that is, the state in which the holder 36b is locked. Next, when the holder opening / closing mechanism 80 is returned to the retracted position, it is possible to proceed to the next processing of the wafer W.
[0046]
The attitude converting mechanism 28 that controls the attitude of the rotor rotating mechanism 27 includes a rotating mechanism 42 and a rotating shaft 41 attached to the rotating mechanism 42, and the rotating shaft 41 is fixed to the connecting portion 32 of the rotor rotating mechanism 27. Has been. The entire rotor rotation mechanism 27 can be held by the rotation mechanism 42 in a posture (vertical posture) such that the wafer W is held in a horizontal state as shown in FIG. 3 or FIG. Thus, the wafer W can be converted and held in a posture (horizontal posture) in which the wafer W is held in a vertical state.
[0047]
The Z-axis linear drive mechanism 29 includes a motor 43, a power transmission unit 44 that transmits the rotational driving force and displacement of the motor 43 to the attitude conversion mechanism 28, a guide 47, and a support body 48 that supports the guide 47. ing. The posture conversion mechanism 28 is fitted with the guide 47 so as to be movable along the guide 47, and when the motor 43 is rotated, this rotational driving force and displacement are transmitted to the posture conversion mechanism 28 via the power transmission unit 44. The posture changing mechanism 28 can move along the guide 47 together with the rotor rotating mechanism 27 in the Z direction (vertical direction) by a predetermined distance.
[0048]
In addition, although the mechanism which converts the rotational displacement of the motor 43 into a linear displacement was used as the Z-axis linear drive mechanism 29, it is not limited to such a mechanism. For example, instead of the motor 43, an air cylinder or the like You may use the drive mechanism which produces a linear displacement directly.
[0049]
The X-axis linear drive mechanism 30 includes a guide 49, a motor (not shown), a ball screw 39a coupled to the motor, a meshing member 39b meshed with the ball screw 39a, and a meshing member 39b fitted to the guide 49. And a connecting member 38 that connects the support 48. The ball screw 39a operates by rotating the motor, and the meshing member 39b moves in the X direction according to the operation of the ball screw 39a. At this time, since the connecting member 38 connects the engagement member 39b and the support body 48, the connection member 38 and the support body 48 also move in the X direction together with the engagement member 39b. That is, when the meshing member 39b moves in the X direction, the rotor rotating mechanism 27, the attitude converting mechanism 28, and the Z-axis linear drive mechanism 29 are simultaneously moved in the X direction.
[0050]
FIG. 6 is an explanatory diagram showing an example of a mode in which the rotor rotation mechanism 27 is moved using the attitude conversion mechanism 28, the Z-axis linear drive mechanism 29, and the X-axis linear drive mechanism 30, and FIG. FIG. 6B shows the movement trajectory of the connecting portion 32 in the rotor rotating mechanism 27, and FIGS. 6B to 6E show the state (posture) of the rotor rotating mechanism 27 when the connecting portion 32 is at positions P1 to P4, respectively. ). Hereinafter, the case where the rotor rotating mechanism 27 is moved so that the connecting portion 32 moves from the position P1 to the position P4 in order to insert the rotor 34 holding the wafer W into the outer chamber 71a will be described as an example.
[0051]
When the connecting portion 32 is at the position P1, the rotor rotation mechanism 27 is in a position where the wafer W can be transferred between the rotor 34 and the wafer transfer mechanism 16. At this time, the rotor rotation mechanism 27 is You are in a vertical position. In a state where the wafer W is accommodated in the rotor 34, first, the Z-axis linear drive mechanism 29 is operated to raise the rotor rotation mechanism 27 and the attitude conversion mechanism 28 so that the connecting portion 32 moves to the position P2. At the position P2, the posture changing mechanism 28 is operated to rotate the entire rotor rotating mechanism 27 by 90 ° so that the wafer W is in the state of being held from the horizontal holding to the vertical holding. State.
[0052]
Next, the Z-axis linear drive mechanism 29 is operated again to raise the rotor rotation mechanism 27 so that the connecting portion 32 moves to the position P3 while the entire rotor rotation mechanism 27 is in the horizontal posture. In this way, by changing the posture of the rotor rotating mechanism 27 at the intermediate point when the rotor rotating mechanism 27 is raised at the position P2, the rotor rotating mechanism 27 is rotated when the connecting portion 32 is at the position P1 or the position P3. Compared with the case where it makes it, even if the space required for rotation of the rotor rotation mechanism 27 is narrow, it is sufficient, and it becomes possible to make the occupation volume of the conveyance part 3a small.
[0053]
When the connecting portion 32 reaches the position P3, the X-axis linear drive mechanism 30 is then operated to move the position of the connecting portion 32 to the position P4 horizontally. When the connecting portion 32 is at the position P4, the rotor 34 is inserted into the outer chamber 71a, and the cleaning process using the outer chamber 71a or the inner chamber 71b described later can be performed. The wafer transfer mechanism 16 can be moved from the delivery position to the cleaning processing position. The state in which the connecting portion 32 is at the position P4 and the rotor 34 is inserted into the outer chamber 71a is shown in detail in FIGS.
[0054]
After the cleaning process of the wafer W is completed, the wafer W in the rotor 34 is moved in the reverse direction by following the movement path of the rotor rotation mechanism 27 described above so that the connecting portion 32 moves from the position P4 to the position P1. Needless to say, the rotor rotating mechanism 27 can be moved to a position where it can be delivered to the transport mechanism 16.
[0055]
Next, the cleaning unit 3b will be described. 7 and 8 are cross-sectional views showing a state in which the rotor 34 is inserted into the chamber 70 disposed in the cleaning unit 3b. Here, the chamber 70 has a double structure comprising a fixed outer chamber 71a and an inner chamber 71b that is slidable in the horizontal direction, and FIG. 7 retracts the inner chamber 71b to the outside of the outer chamber 71a. FIG. 8 shows a state where the inner chamber 71b is accommodated in the outer chamber 71a and a state where the inner chamber 71b is accommodated in the outer chamber 71a. The cleaning unit 3b is provided with a disk 92a, a ring member 92b, and a cylindrical body 91. The disk 92a is provided with a cleaning liquid discharge nozzle 73a and an exhaust pipe 73c, and a gas supply is supplied to the cylindrical body 91. A nozzle 93 and an exhaust pipe 94 are provided.
[0056]
The outer chamber 71a has a cylindrical body 61a and ring members 62a and 62b disposed on the end surfaces of the cylindrical body 61a as main components, and seal mechanisms 63a and 62b are respectively provided on the inner peripheral surfaces of the ring members 62a and 62b. 63b is disposed, and a treatment liquid discharge nozzle 53 in which a large number of treatment liquid discharge ports 54 are formed in the horizontal direction is attached to the cylindrical body 61a in a state of being housed in a nozzle case 57, and an outer chamber. A drain 65a for discharging the processing liquid is formed below 71a.
[0057]
A rotor loading / unloading port 62c through which the rotor 34 enters or leaves is formed in the ring member 62a. The rotor loading / unloading port 62c can be opened and closed by a lid 62d as shown in FIG. When the rotor 34 enters the outer chamber 71a, the rotor loading / unloading port 62c is closed by the lid 33 provided in the rotor rotation mechanism 27, and a seal is provided between the outer peripheral surface of the lid 33 and the rotor loading / unloading port 62c. Sealed by the mechanism 63a. Thus, the processing liquid is prevented from scattering from the outer chamber 71a to the transport unit 3a.
[0058]
As the seal mechanisms 63a and 63b, for example, a rubber seal ring or a rubber tube that generates a seal function when expanded by supplying air at a predetermined pressure can be used. The same seal mechanism is also used for seal mechanisms 67a and 67b described later.
[0059]
The cylindrical body 61a is set so that the outer diameter on the ring member 62b side is larger than the outer diameter on the ring member 62a side, and the cylindrical body 61a is inclined so that the ring member 62b side is positioned lower than the ring member 62a side. It is provided and arranged. Thus, the various processing liquids discharged from the processing liquid discharge nozzle 53 toward the wafer W naturally flow from the ring member 62a side to the ring member 62b side through the bottom surface of the cylindrical body 61a and are discharged to the outside through the drain 65a. It has come to be.
[0060]
The treatment liquid discharge nozzle 53 is supplied with a treatment liquid such as pure water, IPA, various chemical liquids, nitrogen (N) from a treatment liquid supply source such as the chemical liquid storage unit 5. 2 ) A dry gas such as a gas is supplied, and the processing liquid and the like can be discharged from the processing liquid discharge port 54 toward the wafer W held by the rotor 34. Further, only one processing liquid discharge nozzle 53 is shown in FIGS. 7 and 8, but a plurality of processing liquid discharge nozzles 53 may be provided, and may be necessarily provided directly above the cylindrical body 61a. Absent. The same applies to the treatment liquid discharge nozzle 55.
[0061]
The inner chamber 71b includes a cylindrical body 61b and ring members 66a and 66b disposed on the end surface of the cylindrical body 61b as main constituent members. Sealing mechanisms 67a and 66b are provided on the inner peripheral surfaces of the ring members 66a and 66b, respectively. 67b is provided. A treatment liquid discharge nozzle 55 in which a large number of treatment liquid discharge ports 56 are formed in the horizontal direction is attached to the cylindrical body 61b in a state of being accommodated in a nozzle case 58, and a treatment liquid is disposed below the inner chamber 71b. A drain 65b for discharging the water is formed.
[0062]
Although the cylindrical body 61b is formed in a cylindrical shape, a groove 69 that protrudes from the cylindrical body 61b and has a predetermined gradient is formed in the lower portion thereof in order to facilitate discharge of the processing liquid to the outside. Yes. Thus, for example, when the inner chamber 71b is at the processing position, the processing liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 55 toward the wafer W flows through the groove 69 and is discharged to the outside through the drain 65b. The processing liquid discharge nozzle 55 is supplied with processing liquids such as various chemical liquids, pure water, and IPA from a processing liquid supply source such as the chemical liquid storage unit 5, and the wafer W held on the rotor 34 from the processing liquid discharge port 56. The processing liquid or the like can be discharged toward the head.
[0063]
When the inner chamber 71b is in the processing position, as shown in FIG. 8, the space between the inner peripheral surface of the ring member 66a and the lid 33 is sealed by the seal mechanism 67a, and the ring member 66b and the ring member are also sealed. 62b is sealed by a sealing mechanism 63b, and the ring member 66b and the disk 92a are sealed by a sealing mechanism 67b. Thus, when the inner chamber 71b is at the processing position, the processing chamber 52 is formed by the cylindrical body 61b, the ring members 66a and 66b, the disk 92a, and the lid 33.
[0064]
On the other hand, in a state where the inner chamber 71b is in the retracted position, the gap between the ring member 66a and the ring member 62b is sealed by the seal mechanism 63b, and the gap between the ring member 66a and the disk 92a is sealed by the seal mechanism 67a. It is like that. Thus, when the inner chamber 71b is in the retracted position, as shown in FIG. 7, from the cylindrical body 61a, the ring members 62a and 62b, the disk 92a, the ring member 66a, and the lid 33, the processing chamber 51 by the outer chamber 71a. Is formed.
[0065]
In the state where the inner chamber 71b is in the retracted position, the ring member 66b and the ring member 92b are sealed by the seal mechanism 67b, and thus, between the outer periphery of the cylindrical body 91 and the inner periphery of the cylindrical body 61b. A narrow annular space 72 is formed. In this manner, the cleaning liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle 55 into the annular space 72, and then a dry gas such as nitrogen gas is injected from the gas supply nozzle 93 and the processing liquid discharge nozzle 55 provided at a plurality of locations in the cylindrical body 91. By exhausting from the exhaust pipe 94 and the drain 65b, the inner peripheral surface of the inner chamber 71b can be cleaned. At this time, the amount of the cleaning liquid to be used is reduced by utilizing the narrow space of the annular space 72. The cleaning liquid may be discharged from the gas supply nozzle 93.
[0066]
A cleaning liquid and a drying gas for cleaning and drying the disk 35a can be discharged from the cleaning liquid discharge nozzle 73a provided in the disk 92a, and a disk from the cleaning liquid discharge nozzle 73b provided in the lid 33. A cleaning liquid and a drying gas for cleaning and drying 35b can be discharged. Further, it is possible to discharge a predetermined gas for making the processing chambers 51 and 52 into a predetermined gas atmosphere from the cleaning liquid discharge nozzles 73a and 73b, and the processing chamber 51 from an exhaust pipe 73c provided in the disk 92a. -52 exhausts can be performed.
[0067]
Next, the wafer inspection mechanism 110 that inspects the state in which the wafer W is stored in the FOUP F will be described. Such an inspection is performed, for example, before unloading the wafer W from the FOUP F and after loading the wafer W after the cleaning process into the FOUP F. In the following description, the inspection of the storage state of the wafer W when the wafer W is unloaded from the FOUP F will be described as an example.
[0068]
FIG. 9 is an explanatory view showing the configuration of the wafer inspection mechanism 110. The wafer inspection mechanism 110 includes a reflective sensor 111, a sensor amplifier 115, a lifting mechanism 112 that moves the reflective sensor 111 in the vertical direction, A position sensor 113 for detecting the height position of the reflective sensor 111 and a sequencer (arithmetic processing unit) 114 are provided. The elevating mechanism 112 includes a guide 116, a motor 117, a connecting member 118, and a driver 119 for the motor 117, and the sequencer 114 is connected to a control device 120 that controls processing of the entire cleaning processing device 1.
[0069]
As the reflective sensor 111, a sensor having a transmitting unit that transmits a signal and a receiving unit that receives a signal reflected from a measurement object among the transmitted signals is used. That is, the reflection sensor 111 may be any sensor that uses a signal that has a property of being reflected by the measurement object in principle, and specifically, a sensor that uses a laser beam such as an infrared laser is preferable. In addition, ultrasonic waves, heat rays, LED (light emitting diode) light, and the like can be used. When such a reflective sensor 111 is used, the specification, for example, the output size if an infrared laser is used, depends on the shape of the object to be measured. There are advantages not to be.
[0070]
The reflective sensor 111 is attached to the lower end of the connecting member 118, and the connecting member 118 is vertically movable along the guide 116 by the rotational drive of the motor 117 that receives a control signal from the driver 119. . Thus, the reflective sensor 111 is stored, for example, from the wafer W stored in the lowermost stage of the FOUP F toward the wafer W stored in the uppermost stage or in the uppermost stage of the FOUP F by the operation of the lifting mechanism 112. The wafer W is scanned from the end surface of the wafer W by a processing distance away from the wafer W stored in the lowermost stage.
[0071]
At this time, the reflective sensor 111 transmits a signal to each wafer W and receives a reflected signal of the transmitted signal, and the received signal is sent to the sensor amplifier 115 as an analog signal. The sensor amplifier 115 has a function of converting an analog signal sent from the reflective sensor 111 into an on / off signal such as a rectangular signal sliced at a predetermined intensity as will be described later, and this rectangular signal is sent to the sequencer 114. It is supposed to be.
[0072]
The reflective sensor 111 can also be attached to the upper part of the shutters 13a to 13c. In this case, since the elevating mechanisms 14a to 14c serve as the elevating mechanism 112, the device structure is simplified. There are advantages that can be done. The scanning of the reflective sensor 111 performed before the wafer W is unloaded from the FOUP F can be performed by moving the shutters 13a to 13c downward to open the windows 12a to 12c, and has been processed. The reflection sensor 111 can be scanned after the wafer W is stored in the FOUP F by moving the shutters 13a to 13c upward to close the windows 12a to 12c.
[0073]
The height position when the reflection sensor 111 is scanned to change the vertical position is detected by the position sensor 113, and the detection result is sent to the sequencer 114 and is referred to the rectangular signal sent from the sensor amplifier 115. The sequencer 114 analyzes the position of the wafer W and the storage state. It is obvious that the determination of the storage state of the wafer W means that the number of wafers W stored in the FOUP F is also inspected at the same time.
[0074]
As a method of measuring the height position of the reflective sensor 111, there is a method of directly measuring the position of the reflective sensor 111. However, since the connecting member 118 is not deformed in the wafer inspection mechanism 110, the connecting member 118 is not deformed. By measuring the height position, the height position of the reflective sensor 111 is measured.
[0075]
As the position sensor 113, as shown in FIG. 9, a plurality of sensing units 113a having transmitters / receivers are arranged in the vertical direction at the same interval as the state in which the wafer W is normally accommodated in the FOUP F. Can be used. In this case, when the connecting member 118 moves to the same height as each sensing unit 113a, the position of the reflective sensor 111 can be specified by increasing the reception signal from the sensing unit. A sensor that can directly measure the coordinates of the position of the connecting member 118 from a certain position using a linear gauge or the like can also be used.
[0076]
The wafer inspection mechanism 110 starts its operation upon receiving a signal from the control device 120, and the wafer inspection mechanism 110 feeds back the inspection result of the stored state of the wafer W in the FOUP F to the control device 120. Hereinafter, a specific inspection method of the storage state of the wafer W will be described.
[0077]
FIG. 10 is a flowchart showing an outline of a method for inspecting the storage state of the wafer W in the FOUP F. First, the FOUP F in which a predetermined number of wafers W are stored in a normal state in the FOUP F by visual inspection is placed on the FOUP stage 2a (ST1). Next, the lid body opening / closing mechanism 15a is operated to move the lid body 11 of the hoop F together with the shutter 13a to open the window 12a, and the position of the reflective sensor 111 is stored in, for example, the lowermost stage of the hoop F. The wafer W is lowered slightly below the wafer W (referred to as the first wafer W) (ST2). The position of the reflective sensor 111 at this time is set as a scan start point.
[0078]
As the position sensor 113, a sensor provided with the same number of sensing units 113 a as the wafer W housed in the FOUP F described above is used, and an infrared laser with a predetermined intensity is irradiated from the reflective sensor 111 toward the wafer W. Then, while receiving the reflected signal, the reflective sensor 111 is raised at a predetermined constant speed, and the height position of the reflective sensor 111 is measured by the position sensor 113 (ST3). Here, when the reflective sensor 111 reaches the first wafer W, the lowermost sensing unit 113a provided in the position sensor 113 detects the state in which the connecting member 118 is directly beside. It is assumed that the position of the position sensor 113 has been adjusted in advance.
[0079]
The relationship between the received signal from the reflective sensor 111 and the detection signal of the sensing unit 113a obtained with the rise of the reflective sensor 111 is such that the position of the sensing unit 113a, that is, the position of the wafer W is plotted on the horizontal axis. If the received signal intensity of the reflective sensor 111, that is, the reflected signal intensity from the wafer W (analog signal waveform not sliced by the sensor amplifier 115) is taken, it is expressed as in the graph of FIG. It can be seen that a signal pattern in which peaks having a fixed shape appear at fixed intervals can be obtained. Thus, the predetermined time and range are calculated backward, and the state of the wafer W can be confirmed based on the data thereafter.
[0080]
Next, parameters are set for inspecting the state of the wafer W stored in the FOUP F whose storage state of the wafer W is unknown from the obtained analog signal waveform (ST4). The steps ST1 to ST4 are preparation steps.
[0081]
Specifically, since the horizontal axis of FIG. 11 is also the scan time of the reflective sensor 111, the time width ΔT in which a peak exists from the peak shape of the obtained analog signal. 1 Set. Specifically, it can be set to a time from the peak rising start time TA (n) to the falling end time TB (n) for the n (n = 1 to 25) th wafer W, and this time Width ΔT 1 Is the same value for all wafers W.
[0082]
Further, the position range occupied by the wafer transfer arms 17a and 17b being inserted into the FOUP F is converted into a time parameter and set. Here, the time range from the peak falling end time TB (n) for the nth wafer W to the peak rising start time TA (n + 1) for the (n + 1) th wafer W is the gap between the wafers W. Since the wafer transfer arms 17a and 17b are positioned in the gap portion, the wafer transfer arms 17a and 17b are placed between the falling end time TB (n) and the rising start time TA (n + 1). ΔT indicating the position of 17b 2 (Arm position instruction time) is set, and this arm position instruction time ΔT 2 Also, the same value is set for each wafer W.
[0083]
In FIG. 11, this arm position instruction time ΔT 2 Is set to the widest range, that is, the entire range from the falling end time TB (n) to the rising start time TA (n + 1). The time width ΔT thus determined 1 Absolute value and arm position indication time ΔT 2 The absolute value of can be a variable parameter, so that the inspection accuracy can be adjusted. For example, the time width ΔT 1 If the absolute value of is small, the position of the wafer W can be determined more strictly. However, time width ΔT 1 Are the rise time ta (n) and fall time tb (n) obtained when the rise time ta (n) and fall time tb (n) of the rectangular signal 1 described later are applied to the analog signal of FIG. It is necessary to set a range wider than the width.
[0084]
In FIG. 11, the time t (n) at which the peak apex appears for each wafer W indicates the time when the reflective sensor 111 passes through the substantially central portion in the thickness direction of the wafer W, that is, the position of each wafer W. Can think. This time t (n) (wafer position instruction time) is uniquely determined when the scanning start point of the reflective sensor 111 is the same and the scanning speed of the reflective sensor 111 is constant. The wafer position instruction time t (n) is stored for the wafer W.
[0085]
When the wafer position instruction time t (n) is stored in this way, the time width ΔT is calculated from the wafer position instruction time t (n). 1 It is possible to finely adjust the relative positions of the rectangular signal 1 and the rectangular signal 2 sent from the sensor amplifier 115 and analyze the appropriate rectangular signal 1 and rectangular signal 2. Also, the time width ΔT 1 Can be set in relation to the wafer position instruction time t (n).
[0086]
The time width ΔT 1 And arm position indication time ΔT 2 When the inspection is performed on the wafer W whose storage state in the FOUP F is actually unknown, the infrared laser output of the reflective sensor 111, the distance between the reflective sensor 111 and the wafer W, the reflective sensor 111 In the case where these conditions are changed on the premise that the scanning speed of the camera is not changed, the time width ΔT 1 And arm position indication time ΔT 2 It may be necessary to change the above.
[0087]
After setting the above-mentioned parameters, the storage state of the wafer W is inspected for the FOUP F in which the wafer W to be cleaned is stored (assuming the storage state of the wafer W is unknown). That is, the hoop F is placed on the hoop stage 2a, the window portion 12a is opened, and the position of the reflective sensor 111 is lowered to, for example, a predetermined scan start point. The infrared sensor is irradiated toward the wafer W and the reflection sensor 111 is raised at a predetermined constant speed while receiving the reflection signal, and the height position of the reflection sensor 111 is measured by the position sensor 113 (ST5). ). The obtained analog signal pattern is analyzed using a signal analysis method described below to determine whether the wafer W is stored in good or bad (ST6).
[0088]
The determination of whether the wafer W is stored in ST6 in ST6 is performed by, for example, the following signal analysis method. FIG. 12 is an explanatory diagram showing a newly measured analog signal and the analog signal processing method. As shown in FIG. 12 (a), the obtained analog signal is subjected to arbitrary two intensity levels (first level I 1 And second level I 2 ) To obtain a first level I as shown in FIG. 1 The rectangular signal (rectangular signal 1) obtained by slicing with the second level I 2 Two on / off signals of the rectangular signal (rectangular signal 2) obtained by slicing in (1) are obtained.
[0089]
For example, the first level I 1 Is a level that gives the half width of the peak that appears, and the second level I 2 Is the first level I 1 Lower and higher than the rising edge of the peak, eg, the first level I 1 Can be set to a height range of 1/3 to 2/3 of the size of. Note that such analog signal slicing is performed by the sensor amplifier 115, and not the analog reception signal received by the reflective sensor 111 but the rectangular signal sliced by the sensor amplifier 115 is sent to the sequencer 114. The sensor amplifier 115 has a first level I 1 And second level I 2 It also has a function of determining the height position.
[0090]
The rise time ta (n) of the rectangular signal 1 for the nth wafer W (refers to the conversion point from the off state to the on state) and the fall time tb (n) (the conversion point from the on state to the off state) Indicates a preset time width ΔT 1 If it exists, the sequencer 114 determines that the nth wafer W is in a normal position. At this time, the rising time Ta (n) and the falling time Tb (n) of the rectangular signal 2 are also time width ΔT. 1 If it is confirmed that it exists in the inside, the accuracy is improved. When the rectangular signal 1 and the rectangular signal 2 shown in FIG. 12 are obtained, the n-th and n + 1-th wafers W satisfy this condition, and are determined to be in a normal position.
[0091]
For example, for the n-th wafer W, the rising time ta (n) and the falling time tb (n) of the rectangular signal 1 are set to a preset time width ΔT. 1 Although one or both of the rising time Ta (n) and the falling time Tb (n) of the rectangular signal 2 are present within the time width ΔT 1 Arm position indication time ΔT 2 The peak intensity is preliminarily determined by the time width ΔT. 1 It is considered that it is extremely larger than the peak used when determining the value. In this case, for example, it is determined that there is a possibility that the nth wafer W has jumped out of the FOUP F from a predetermined position.
[0092]
Next, other forms of analog signal analysis methods will be described with reference to FIGS. 13 and 14. FIG. In the analog signal shown in FIG. 13A, two strong peaks appear in the portion where the peak of the n-th wafer W appears. In this state, the n-th wafer W is stored in advance. It is shown that two wafers W are stored in the portion so as to overlap each other. In this case, at least the time width ΔT in the rectangular signal 1 shown in FIG. 1 Two rise times ta (n) appear in the region.
[0093]
Therefore, in the actual inspection, the sequencer 114 has a time width ΔT in the rectangular signal 1. 1 If two or more rising times ta (n) appear in the area, it is determined that two (or more) wafers W are stored in the portion where the nth wafer W is stored. To do. In this case, normally, the falling time Tb (n) in the rectangular signal 2 is equal to the arm position instruction time ΔT. 2 Therefore, it is possible to recognize that some abnormality has occurred in the storage state from the form of the rectangular signal 2. However, the form of the rectangular signal 2 need not be considered.
[0094]
In the analog signal shown in FIG. 14A, a small peak appears between the n-th wafer W and the n + 1-th wafer W, and the peak indicating the n-th wafer W is normal, but n + 1 A peak does not appear at a position where a peak indicating the first wafer W should appear. In this state, the n + 1-th wafer W is placed between the stage where the n-th wafer W is stored and the n + 1-th wafer W. The state of the jump slot stored diagonally between the storage stages is shown.
[0095]
In this case, as shown in FIG. 14B, the arm position instruction time ΔT 2 The rise time Ta (n + 1) and the fall time Tb (n + 1) of the rectangular signal 2 appear therein. In the case of the analog signal shown in FIG. 14, the arm position instruction time ΔT in the rectangular signal 1 2 The rise time ta (n + 1) and the fall time tb (n + 1) of the rectangular signal 1 do not appear within, but if the peak appears stronger, the rise time ta (n + 1) and the fall time tb of the rectangular signal 1 (N + 1) is also the arm position indication time ΔT 2 May appear inside.
[0096]
Therefore, in the actual inspection, the sequencer 114 performs the arm position instruction time ΔT in the rectangular signal 2. 2 When the rising time Ta (n + 1) and the falling time Tb (n + 1) appear in the area, it is determined that the (n + 1) th wafer W is stored in a jump slot state.
[0097]
As described above, for example, when the wafer W protrudes from the FOUP F beyond a predetermined position, the transfer arm 17a may not be able to accurately hold the wafer W, and the wafer W may be dropped or damaged. May occur. Further, when two wafers W are stacked, after the two wafers are simultaneously transferred to the rotor 34 by the transfer arm 17a, the rotor 34 can hold the two overlapped wafers W. Otherwise, there is a risk that the wafer W may be damaged or the rotor 34 may be damaged. Further, when the wafer W is stored in a jump slot state, when the transfer arms 17a and 17b are inserted into the FOUP F, the transfer arms 17a and 17b destroy the wafer W, and the transfer arms 17a and 17b are also Risk of damage.
[0098]
Furthermore, not only the above-described defective storage state, but also at the position where the nth wafer W is expected to be present, either the rising time ta (n) or the falling time tb (n) of the rectangular signal 1 Thigh time width ΔT 1 Inner and arm position indication time ΔT 2 If it does not appear, the peak does not exist after all, and it is determined that the nth wafer W is missing. In this case, it is considered that the wafer W is not damaged, but a predetermined number of wafers W cannot be processed, which may cause a problem in production management.
[0099]
By using the signal analysis method described above, the result analyzed in the sequencer 114 is sent to the control device 120 (ST7), and the control device 120 determines that there is no abnormality in the storage state of the wafer W. In that case, the transfer of the wafer W by the wafer transfer mechanism 16 is started (ST8a). On the other hand, if it is determined that the storage state of the wafer W is abnormal, for example, an alarm is issued and the transfer of the wafer W by the wafer transfer mechanism 16 is stopped (ST8b).
[0100]
Next, the FOUP F placed on the FOUP stage 2a is designated as a FOUP F1, and the FOUP F placed on the FOUP stage 2b is designated as a FOUP F2, and the wafer W stored in the two FOUPs F1 and F2 is cleaned. The cleaning process will be described by taking the case of performing the above as an example. First, the FOUPs F1 and F2 in which 25 wafers W are stored in parallel at predetermined intervals are arranged so that the wafer loading / unloading ports for loading and unloading the wafers W in the FOUPs F1 and F2 face the windows 12a and 12b, respectively. Place on the hoop stages 2a and 2b.
[0101]
First, in order to transfer the wafer W stored in the FOUP F1, the window portion 12a is opened, and the inside of the FOUP F1 and the inside of the wafer transfer unit 4 are in communication with each other. Thereafter, the number of wafers W in the FOUP F1 and the storage state are inspected using the wafer inspection mechanism 110 by the inspection method described above. Here, when an abnormality is detected in the storage state of the wafer W, the processing for the wafer W in the FOUP F1 is interrupted, and, for example, the processing shifts to processing for the wafer W stored in the FOUP F2.
[0102]
When no abnormality is detected in the wafer W in the FOUP F1, all the wafers W stored in the FOUP F1 are moved to the transfer arm 17a by operating the wafer transfer mechanism 16, and the window 25a is opened. As a state, the transfer arm 17 a holding the wafer W is inserted into the rotor 34, and the wafer W is transferred to the rotor 34.
[0103]
In the cleaning processing unit 3, the posture changing mechanism 28, the Z-axis linear drive mechanism 29, and the X-axis linear drive mechanism 30 are driven, and the rotor rotating mechanism 27 is moved so that the rotor 34 is inserted into the outer chamber 71a. , Hold in a predetermined state. In this way, for example, the inner chamber 71b is first moved to the processing position, the rotor 34 is rotated and the wafer W is rotated to perform the chemical processing using the inner chamber 71b, and then the inner chamber 71b is moved to the retracted position. It is made to move and the water washing process using the outer side chamber 71a, an IPA process, and the drying process by nitrogen gas are performed. On the other hand, the wafer transfer mechanism 16 that has not held the wafer W is moved so that the transfer arm 17a can access the FOUP F2 placed on the FOUP stage 2b, and the wafer W is unloaded from the FOUP F1. Using a method similar to the method, the wafer W accommodated in the FOUP F2 is transferred to the transfer arm 17a.
[0104]
Subsequently, with respect to the rotor rotating mechanism 27 that holds the wafer W after the cleaning process, the wafer W is moved to a position where it can be transferred to and from the transfer arms 17a and 17b, and the wafer W is held on the transfer arm 17a. The wafer transfer mechanism 16 makes it possible for the transfer arm 17 b not holding the wafer W to access the rotor 34. In this way, after the transfer arm 17b receives the wafer W stored in the rotor 34, the rotation mechanism 22 is operated to rotate the table 21 180 degrees so that the transfer arm 17a can access the rotor 34, and the rotor from the transfer arm 17a is rotated. An unprocessed wafer W is delivered to 34.
[0105]
The rotor rotating mechanism 27 holding the unprocessed wafer W stored in the FOUP F2 performs the cleaning process by the same process as the cleaning process of the wafer W stored in the FOUP F1, and then the wafer W is removed. It is moved to a position where it can be transferred between the transfer arms 17a and 17b. Meanwhile, the wafer transfer mechanism 16 is driven so as to return the wafer W after the cleaning process to the FOUP F1, and thereafter, the wafer transfer mechanism 16 is set in a state where the transfer arm 17b can access the rotor 34. The transfer arm 17b receives the wafer W of the FOUP F2 that has undergone the cleaning process from the rotor 34, and stores the wafer W in the FOUP F2. Then, the cleaning process for the wafer W stored in the FOUPs F1 and F2 ends.
[0106]
For example, in the case where the FOUP F3 is arranged on the FOUP stage 2c, after the processing of the wafer W in the FOUP F1 is completed, the wafer W accommodated in the FOUP F3 is transferred to the transfer arm 17a to perform the cleaning process. After the finished wafer W of the FOUP F2 is unloaded from the rotor 34, the wafer W held on the transfer arm 17a is transferred to the rotor 34, whereby a predetermined cleaning process can be performed continuously.
[0107]
As mentioned above, although the case where this invention was applied to the washing | cleaning processing apparatus was shown about embodiment of this invention, this invention is all operations in which a board | substrate is carried in to a storage container or a board | substrate is carried out from a storage container. It is possible to apply to the apparatus of. For example, the present invention can be applied to a resist coating / development processing system that coats and develops a resist, a coating processing apparatus that applies a predetermined coating solution to form a film, and an etching processing apparatus. In addition, the semiconductor wafer is exemplified as the substrate. However, the substrate is not limited to this, and a substrate that can receive a reflected signal using a reflective sensor, for example, a metal substrate, a ceramic substrate, a glass substrate, a resin substrate, etc. There may be. Therefore, it is possible to apply the substrate inspection apparatus and the substrate inspection method of the present invention to an apparatus that involves carrying these various substrates in the FOUP F, transporting them, and taking them out during a predetermined process.
[0108]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the reflection intensity signal (analog signal) obtained by the reflection sensor is not analyzed as it is with respect to the substrate stored in the container. Since the analysis is performed using the on / off signal, the substrate inspection apparatus itself can be configured at low cost. In addition, not only the number of substrates but also an abnormal storage state such as double stacking or jump slots can be detected, so that a mechanism for transporting the substrate or breaking the substrate with the progress of predetermined processing on the substrate can be detected. The occurrence of damage can be prevented, and thus the excellent effect of improving productivity (processing efficiency), device maintainability, and maintainability can be achieved. In addition, the substrate inspection method of the present invention has an advantage that it can be applied to the case where the predetermined storage direction of the substrate in the container is the horizontal direction or the vertical direction of the main surface of the substrate. Furthermore, since the reflective sensor is used, there is an advantage that the substrate inspection apparatus can be configured in a small size regardless of the size of the substrate to be measured. If there is a lid that opens and closes the substrate transfer port formed in the container, a reflective sensor can be provided in the lid opening and closing mechanism that moves the lid, thereby eliminating the substrate inspection apparatus. It is easy to make space.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a cleaning processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of the cleaning processing apparatus shown in FIG.
3 is a side view of the cleaning processing apparatus shown in FIG. 1. FIG.
4 is another side view of the cleaning processing apparatus shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a structure of a rotor.
FIG. 6 is an explanatory view showing a moving form of a rotor rotating mechanism arranged in the cleaning processing apparatus.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of a state in which a rotor is inserted into a chamber.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing another example of a state in which the rotor is inserted into the chamber.
FIG. 9 is an explanatory diagram showing a configuration of a wafer inspection mechanism.
FIG. 10 is an explanatory view showing an inspection process of a wafer storage state.
FIG. 11 is an explanatory diagram showing an example of a signal pattern obtained by a wafer inspection mechanism when a wafer is stored in a FOUP in a normal state.
FIG. 12 is an explanatory diagram showing setting conditions when determining whether the wafer is in a good or bad condition from the signal pattern and the peak shape.
FIG. 13 is an explanatory diagram showing an example of a signal pattern obtained by the wafer inspection mechanism when there is an abnormality in the wafer storage state.
FIG. 14 is an explanatory diagram showing another example of a signal pattern obtained by the wafer inspection mechanism when there is an abnormality in the wafer storage state.
[Explanation of symbols]
1: Cleaning processing equipment
2: Hoop carry-in / out section
3; Cleaning unit
4; Wafer transfer unit
5; Chemical solution storage unit
6; Power box
16: Wafer transfer mechanism
17a, 17b: Transfer arm
27; Rotor rotation mechanism
28; Posture change mechanism
29; Z-axis linear drive mechanism
30; X-axis linear drive mechanism
34; Rotor
71a; outer chamber
71b; inner chamber
110; Wafer inspection mechanism
111; Reflective sensor
112; Elevating mechanism
113; Position sensor
114; Sequencer
115; sensor amplifier
120; control device
W: Semiconductor wafer (substrate)

Claims (18)

複数の基板をその主面が略平行となるように所定間隔で収納可能な容器に収納された基板の収納状態を検査する基板検査装置であって、
前記容器に収納された基板の端面から所定距離だけ離れて配置された反射式センサと、
前記反射式センサを基板の配列方向に移動させる移動機構と、
前記反射式センサを前記移動機構によって移動させた際に検出された基板からの反射強度信号を、第１の強度レベルと、この第１の強度レベルよりも低い第２の強度レベルとでスライスし、前記第１の強度レベルでスライスして得られた第１のオン／オフ信号と、前記第２の強度レベルでスライスして得られた第２のオン／オフ信号と、を得る信号処理部と、
前記第１及び第２のオン／オフ信号を解析して前記容器に収納された基板の収納状態を判断する演算処理部と、
を具備することを特徴とする基板検査装置。A substrate inspection apparatus for inspecting a storage state of a substrate stored in a container that can store a plurality of substrates at predetermined intervals so that main surfaces thereof are substantially parallel,
A reflective sensor disposed at a predetermined distance from the end face of the substrate stored in the container;
A moving mechanism for moving the reflective sensor in the direction of arrangement of the substrates;
The reflected intensity signal from the substrate detected when the reflective sensor is moved by the moving mechanism is sliced at a first intensity level and a second intensity level lower than the first intensity level. A signal processing unit for obtaining a first on / off signal obtained by slicing at the first intensity level and a second on / off signal obtained by slicing at the second intensity level When,
An arithmetic processing unit for analyzing the first and second on / off signals and determining a storage state of the substrate stored in the container;
A board inspection apparatus comprising: 蓋体により開閉可能な基板搬送口を有し、複数の基板をその主面が略平行となるように所定間隔で収納可能な容器に収納された基板の収納状態を検査する基板検査装置であって、
前記容器の蓋体を基板の配列方向に移動させて前記基板搬送口を開閉する蓋体開閉機構と、
前記蓋体開閉機構に取り付けられた反射式センサと、
前記蓋体開閉機構の動きに合わせて前記反射式センサが移動する際に検出された基板からの反射強度信号を、第１の強度レベルと、この第１の強度レベルよりも低い第２の強度レベルとでスライスし、前記第１の強度レベルでスライスして得られた第１のオン／オフ信号と、前記第２の強度レベルでスライスして得られた第２のオン／オフ信号と、を得る信号処理部と、
前記第１及び第２のオン／オフ信号を解析して前記容器に収納された基板の収納状態を判断する演算処理部と、
を具備することを特徴とする基板検査装置。A substrate inspection apparatus that has a substrate transfer opening that can be opened and closed by a lid, and inspects the storage state of substrates stored in a container that can store a plurality of substrates at predetermined intervals so that their main surfaces are substantially parallel. And
A lid opening / closing mechanism for moving the lid of the container in the arrangement direction of the substrates to open and close the substrate transport port;
A reflective sensor attached to the lid opening / closing mechanism;
A reflection intensity signal from the substrate detected when the reflective sensor moves in accordance with the movement of the lid opening / closing mechanism includes a first intensity level and a second intensity lower than the first intensity level. A first on / off signal obtained by slicing at the first intensity level, and a second on / off signal obtained by slicing at the second intensity level; A signal processing unit for obtaining
An arithmetic processing unit for analyzing the first and second on / off signals and determining a storage state of the substrate stored in the container;
A board inspection apparatus comprising: 前記容器が複数の基板をその主面が略水平となるように設置されるステージを設けたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板検査装置。  The substrate inspection apparatus according to claim 1, wherein the container is provided with a stage on which a plurality of substrates are placed so that their main surfaces are substantially horizontal. 前記反射式センサは、レーザ光もしくは熱線または超音波またはＬＥＤ光を用いたセンサであって、信号発信部と信号受信部を具備することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板検査装置。  The reflection type sensor is a sensor using a laser beam, a heat ray, an ultrasonic wave, or an LED beam, and includes a signal transmission unit and a signal reception unit. The board inspection apparatus according to item. 前記反射強度信号のピークが存在する時間幅を設定し、Set a time width in which the peak of the reflection intensity signal exists,
前記第１のオン／オフ信号のオン状態からオフ状態への変換点、及び前記第２のオン／オフ信号のオン状態からオフ状態への変換点の双方が前記設定された時間幅内に存在するとき、前記容器に収納された基板の収納状態が正常である、と判断することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板検査装置。Both the conversion point from the on state to the off state of the first on / off signal and the conversion point from the on state to the off state of the second on / off signal exist within the set time width. 3. The substrate inspection apparatus according to claim 1, wherein the substrate inspection apparatus determines that the storage state of the substrate stored in the container is normal. 前記第２のオン／オフ信号の変換点が、前記設定された時間外に存在するとき、前記容器に収納された基板の収納状態が正常ではない、と判断することを特徴とする請求項５に記載の基板検査装置。6. When the conversion point of the second on / off signal exists outside the set time, it is determined that the storage state of the substrate stored in the container is not normal. The board inspection apparatus according to 1. 前記第１のオン／オフ信号の変換点、及び前記第２のオン／オフ信号の変換点の双方が、前記設定された時間内に存在しないとき、前記容器に基板が収納されていない、と判断することを特徴とする請求項５に記載の基板検査装置。The substrate is not stored in the container when both the conversion point of the first on / off signal and the conversion point of the second on / off signal do not exist within the set time. 6. The substrate inspection apparatus according to claim 5, wherein the determination is made. 複数の基板をその主面が略平行となるように所定間隔で収納可能な容器に収納された基板の収納状態を検査する基板検査方法であって、
信号発信部と信号受信部を有する反射式センサを基板の配列方向に移動させながら発信信号に対する前記容器内に収納された基板からの反射強度信号を得る第１工程と、
前記第１工程において得られた反射強度信号を、前記第１の強度レベルと、この第１の強度レベルよりも低い第２の強度レベルとでスライスし、前記第１の強度レベルでスライスして得られた第１のオン／オフ信号と、前記第２の強度レベルでスライスして得られた 第２のオン／オフ信号と、を得る第２工程と、
前記第１及び第２のオン／オフ信号を解析して前記容器に収納された基板の収納状態を判断する第３工程と、
を有することを特徴とする基板検査方法。A substrate inspection method for inspecting a storage state of a substrate stored in a container that can store a plurality of substrates at predetermined intervals so that their main surfaces are substantially parallel,
A first step of obtaining a reflection intensity signal from a substrate stored in the container with respect to a transmission signal while moving a reflective sensor having a signal transmission unit and a signal reception unit in the arrangement direction of the substrate;
The reflected intensity signal obtained in the first step is sliced at the first intensity level and a second intensity level lower than the first intensity level, and sliced at the first intensity level. A second step of obtaining a first on / off signal obtained and a second on / off signal obtained by slicing at the second intensity level ;
A third step of analyzing the first and second on / off signals to determine a storage state of the substrate stored in the container;
A substrate inspection method characterized by comprising: 前記反射強度信号のピークが存在する時間幅を設定し、Set a time width in which the peak of the reflection intensity signal exists,
前記第１のオン／オフ信号のオン状態からオフ状態への変換点、及び前記第２のオン／オフ信号のオン状態からオフ状態への変換点の双方が前記設定された時間幅内に存在するとき、前記容器に収納された基板の収納状態が正常である、と判断することを特徴とする請求項８に記載の基板検査方法。Both the conversion point from the on state to the off state of the first on / off signal and the conversion point from the on state to the off state of the second on / off signal exist within the set time width. The method for inspecting a substrate according to claim 8, wherein when determining, the storage state of the substrate stored in the container is determined to be normal. 前記第２のオン／オフ信号の変換点が、前記設定された時間外に存在するとき、前記容器に収納された基板の収納状態が正常ではない、と判断することを特徴とする請求項９に記載の基板検査方法。10. When the conversion point of the second on / off signal exists outside the set time, it is determined that the storage state of the substrate stored in the container is not normal. 4. The substrate inspection method described in 1. 前記第１のオン／オフ信号の変換点、及び前記第２のオン／オフ信号の変換点の双方が、前記設定された時間内に存在しないとき、前記容器に基板が収納されていない、と判断することを特徴とする請求項９に記載の基板検査方法。The substrate is not stored in the container when both the conversion point of the first on / off signal and the conversion point of the second on / off signal do not exist within the set time. 10. The substrate inspection method according to claim 9, wherein the determination is made. 基板に所定の液処理を施す液処理装置であって、
複数の基板をその主面を略平行として収納可能な容器を載置する容器搬入出部と、
前記容器搬入出部に載置された容器に収納された基板の収納状態を検査するセンサシステムと、
前記容器に収納された基板に所定の液処理を施す液処理部と、
前記容器と前記液処理部との間で基板の搬送を行う基板搬送部と、
を具備し、
前記センサシステムは、
前記容器に収納された基板の端面から所定距離だけ離れて配置された反射式センサと、
前記反射式センサを基板の配列方向に移動させる移動機構と、
前記反射式センサを前記移動機構によって移動させた際に検出された基板からの反射強度信号を、第１の強度レベルと、この第１の強度レベルよりも低い第２の強度レベルとでスライスし、前記第１の強度レベルでスライスして得られた第１のオン／オフ信号と、前記第２の強度レベルでスライスして得られた第２のオン／オフ信号と、を得る信号処理部と、
前記第１及び第２のオン／オフ信号を解析して前記容器に収納された基板の収納状態を判断する演算処理部と、
を有することを特徴とする液処理装置。A liquid processing apparatus for performing predetermined liquid processing on a substrate,
A container loading / unloading section for placing a container capable of storing a plurality of substrates with their main surfaces substantially parallel;
A sensor system for inspecting a storage state of a substrate stored in a container placed in the container loading / unloading unit;
A liquid processing unit that performs a predetermined liquid processing on the substrate stored in the container;
A substrate transfer unit for transferring a substrate between the container and the liquid processing unit;
Comprising
The sensor system includes:
A reflective sensor disposed at a predetermined distance from the end face of the substrate stored in the container;
A moving mechanism for moving the reflective sensor in the direction of arrangement of the substrates;
The reflected intensity signal from the substrate detected when the reflective sensor is moved by the moving mechanism is sliced at a first intensity level and a second intensity level lower than the first intensity level. A signal processing unit for obtaining a first on / off signal obtained by slicing at the first intensity level and a second on / off signal obtained by slicing at the second intensity level When,
An arithmetic processing unit for analyzing the first and second on / off signals and determining a storage state of the substrate stored in the container;
A liquid processing apparatus comprising: 基板に所定の液処理を施す液処理装置であって、
蓋体により開閉可能な基板搬送口を有し、複数の基板をその主面が略平行となるように所定間隔で収納可能な容器を載置する容器搬入出部と、
前記容器の蓋体を基板の配列方向に移動させて前記基板搬送口を開閉する蓋体開閉機構と、
前記容器搬入出部に載置された容器に収納された基板の収納状態を検査するセンサシステムと、
前記容器に収納された基板に所定の液処理を施す液処理部と、
前記容器と前記液処理部との間で基板の搬送を行う基板搬送部と、
を具備し、
前記センサシステムは、
前記蓋体開閉機構に取り付けられた反射式センサと、
前記蓋体開閉機構の動きに合わせて前記反射式センサが移動する際に検出された基板からの反射強度信号を、第１の強度レベルと、この第１の強度レベルよりも低い第２の強度レベルとでスライスし、前記第１の強度レベルでスライスして得られた第１のオン／オフ信号と、前記第２の強度レベルでスライスして得られた第２のオン／オフ信号と、を得る信号処理部と、
前記第１及び第２のオン／オフ信号を解析して前記容器に収納された基板の収納状態を判断する演算処理部と、
を有することを特徴とする液処理装置。A liquid processing apparatus for performing predetermined liquid processing on a substrate,
A container carry-in / out section that has a substrate transport opening that can be opened and closed by a lid, and places a plurality of substrates that can be accommodated at predetermined intervals so that the main surfaces thereof are substantially parallel;
A lid opening / closing mechanism for moving the lid of the container in the arrangement direction of the substrates to open and close the substrate transport port;
A sensor system for inspecting a storage state of a substrate stored in a container placed in the container loading / unloading unit;
A liquid processing unit that performs a predetermined liquid processing on the substrate stored in the container;
A substrate transfer unit for transferring a substrate between the container and the liquid processing unit;
Comprising
The sensor system includes:
A reflective sensor attached to the lid opening / closing mechanism;
A reflection intensity signal from the substrate detected when the reflective sensor moves in accordance with the movement of the lid opening / closing mechanism includes a first intensity level and a second intensity lower than the first intensity level. A first on / off signal obtained by slicing at the first intensity level, and a second on / off signal obtained by slicing at the second intensity level; A signal processing unit for obtaining
An arithmetic processing unit for analyzing the first and second on / off signals and determining a storage state of the substrate stored in the container;
A liquid processing apparatus comprising: 前記液処理部は、
複数枚の基板を保持し、前記基板を面内回転可能な基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板に所定の処理液を供給する処理液供給機構と、
前記基板保持手段を収納するスライド式の処理チャンバと、
を有することを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の液処理装置。The liquid processing unit is
A substrate holding means for holding a plurality of substrates and capable of rotating the substrate in a plane;
A processing liquid supply mechanism for supplying a predetermined processing liquid to the substrate held by the substrate holding means;
A slide-type processing chamber for storing the substrate holding means;
The liquid processing apparatus according to claim 12 or claim 13 characterized in that it has a. 前記処理チャンバは、少なくとも一方がスライドする外側チャンバと内側チャンバからなる二重構造を有することを特徴とする請求項１４に記載の液処理装置。The liquid processing apparatus according to claim 14 , wherein the processing chamber has a double structure including an outer chamber and an inner chamber at least one of which slides. 前記反射強度信号のピークが存在する時間幅を設定し、Set a time width in which the peak of the reflection intensity signal exists,
前記第１のオン／オフ信号のオン状態からオフ状態への変換点、及び前記第２のオン／オフ信号のオン状態からオフ状態への変換点の双方が前記設定された時間幅内に存在するとき、前記容器に収納された基板の収納状態が正常である、と判断することを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の液処理装置。Both the conversion point from the on state to the off state of the first on / off signal and the conversion point from the on state to the off state of the second on / off signal exist within the set time width. 14. The liquid processing apparatus according to claim 12, wherein the liquid processing apparatus determines that the storage state of the substrate stored in the container is normal. 前記第２のオン／オフ信号の変換点が、前記設定された時間外に存在するとき、前記容器に収納された基板の収納状態が正常ではない、と判断することを特徴とする請求項１６に記載の液処理装置。17. When the conversion point of the second on / off signal exists outside the set time, it is determined that the storage state of the substrate stored in the container is not normal. The liquid processing apparatus as described in. 前記第１のオン／オフ信号の変換点、及び前記第２のオン／オフ信号の変換点の双方が、前記設定された時間内に存在しないとき、前記容器に基板が収納されていない、と判断することを特徴とする請求項１６に記載の液処理装置。The substrate is not stored in the container when both the conversion point of the first on / off signal and the conversion point of the second on / off signal do not exist within the set time. The liquid processing apparatus according to claim 16, wherein the determination is made.
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