JP5064307B2 - Liquid reflow device - Google Patents
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Description
この発明は、ゲートで仕切られた複数の仕切り槽に加熱媒体としての液体が貯留され、表面と裏面との間の肉厚が不均等な金属ベースの該表面に回路パターンが形成された回路基板を前記液体で加熱することにより、前記回路基板に対するはんだ付け処理を行う液体リフロー装置に関する。 The present invention relates to a circuit board in which a liquid as a heating medium is stored in a plurality of partition tanks partitioned by gates, and a circuit pattern is formed on the front surface of a metal base with uneven thickness between the front surface and the back surface. It is related with the liquid reflow apparatus which performs the soldering process with respect to the said circuit board by heating this with the said liquid.
従来より、回路基板に電子部品を実装する際に、実装する電子部品の個数が比較的少ない場合には、作業者がはんだごてを用いてはんだ付け作業を行うが、互いに熱容量の異なる多数の電子部品を実装する場合には、大量生産を可能とするために、リフロー装置によるはんだ付け処理を行う。 Conventionally, when electronic components are mounted on a circuit board, when the number of electronic components to be mounted is relatively small, an operator performs a soldering operation using a soldering iron. When electronic parts are mounted, a soldering process is performed by a reflow device in order to enable mass production.
このようなリフロー装置には、回路基板に温風を吹き付けてはんだ付け処理を行う温風方式や、回路基板に赤外線を照射してはんだ付け処理を行う赤外線方式が知られているが、これらの方式では、はんだよりも先に熱容量の大きな電子部品が加熱されるおそれがある。 For such a reflow apparatus, there are known a hot air method for performing a soldering process by blowing hot air on a circuit board, and an infrared system for performing a soldering process by irradiating the circuit board with infrared rays. In the method, an electronic component having a large heat capacity may be heated before the solder.
そこで、図15A及び図15Bに示すように、回路基板200をホットプレート230で直接加熱してはんだ付け処理を行うリフロー方式が知られている。この場合、回路基板200には、金属ベース202の表面220(実装部)に形成された電気絶縁用の絶縁膜204上に回路パターン206が形成され、該回路パターン206上に各電子部品208、210と、はんだペースト212とが配置されている。一方、金属ベース202の裏面222側には、電子部品208、210が実装されない冷却フィン224(非実装部)が形成されており、該金属ベース202は、ヒートシンク226として機能する。なお、絶縁膜204及び回路パターン206により電子部品208、210を回路基板200に搭載するための電子部品搭載部205が構成される。
Therefore, as shown in FIGS. 15A and 15B, a reflow method is known in which a
ここで、波線の矢印で示すように、ホットプレート230上に配置された冷却フィン224を加熱し、ヒートシンク226、絶縁膜204及び回路パターン206を介してはんだペースト212を加熱溶融することにより、半導体部品等の熱容量の大きな電子部品208のリード214、216や、チップ抵抗器等の熱容量の小さな電子部品210が回路パターン206に対してはんだ付けされる。
Here, as indicated by the wavy arrow, the
しかしながら、図15Aでは、ホットプレート230と冷却フィン224との接触面積が小さいので、回路基板200に熱を効率よく伝達することが難しい。一方、図15Bに示すように、冷却フィン224とホットプレート230との間に該冷却フィン224に嵌合する熱伝導性の治具240を介挿し、ホットプレート230から治具240の突起部242を介してヒートシンク226を加熱することも考えられる。この場合、治具240を取り付ける工数が増える上に、ヒートシンク226の形状毎に治具240を製作する必要がある。
However, in FIG. 15A, since the contact area between the
そこで、図16に示す液体リフロー装置250(特許文献1参照)を用いて回路基板200に対するはんだ付け処理を行うことも考えられる。この場合、槽装置252内に貯留された液体262を複数のゲート264a〜264dで仕切ることにより、回路基板200の搬送方向上流側(X1方向側)から下流側(X2方向側)に向かって、投入仕切り槽260a、中間仕切り槽260b、加熱仕切り槽260c、中間仕切り槽260d及び取出仕切り槽260eが順に形成される。また、槽装置252のX1方向側の側面には、蓋254(矢印Z1方向)に向かって開口可能な搬入扉256が設けられ、X2方向側の側面には該蓋254に向かって開口可能な搬出扉258が設けられている。
Therefore, it is conceivable to perform a soldering process on the
この場合、搬入扉256が開口しているときにコンベア266の搬送作用下に回路基板200を槽装置252内に搬入し、搬入した回路基板200を液体262に浸漬することによりはんだ付け処理が開始される。すなわち、投入仕切り槽260aでは、液体262により回路基板200を予備加熱する。中間仕切り槽260bでは、ゲート264bが上昇した状態で、該中間仕切り槽260bの液体262と加熱仕切り槽260cの液体262とを混合することにより、回路基板200を所定温度にまで加熱する。加熱仕切り槽260cでは、液体262により回路基板200を前記所定温度で所定時間保持することによりはんだペースト212を溶融させてはんだ付けを行う。中間仕切り槽260dでは、ゲート264dが上昇した状態で、該中間仕切り槽260dの液体262と取出仕切り槽260eの液体262とを混合する。取出仕切り槽260eでは、回路基板200を冷却する。なお、液体262の温度は、複数の流路267の途中に設けられたポンプ268及び加熱器270によりそれぞれ調整され、液体リフロー装置250の全体の動作は、コントローラ272により制御される。
In this case, when the carry-in
図16において、コンベア266による各槽260a〜260e間での回路基板200の搬送時には、ゲート264a〜264dが上昇して隣接する各槽260a〜260eの液体262が混合するので、混合状態における液体262の温度調整が必要になると共に、ゲート264a〜264dを閉じた後には、一旦混合した液体262の温度を元の温度に戻すための温度調整も必要となる。そのため、この液体リフロー装置250は、液体262の温度管理が難しく、回路基板200を大量生産する際のはんだ付け処理に適用することが困難である。従って、この液体リフロー装置250においても、上述した複雑な形状を有する回路基板200に対するはんだ付け処理を行うことが難しい。
In FIG. 16, when the
この発明は、このような課題を考慮してなされたものであり、回路基板の形状に関わりなく、該回路基板に対するはんだ付け処理を効率よく行うことが可能となると共に、前記回路基板の生産性を高めることができる液体リフロー装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such problems, and it is possible to efficiently perform the soldering process on the circuit board regardless of the shape of the circuit board, and the productivity of the circuit board. An object of the present invention is to provide a liquid reflow device capable of increasing the flow rate.
この発明は、加熱媒体としての液体を貯留する複数の仕切り槽がゲートにより仕切られ、表面と裏面との間の肉厚が不均等な金属ベースの前記表面に回路パターンが形成された回路基板を前記液体で加熱することにより該回路基板に対するはんだ付け処理を行う液体リフロー装置であって、
前記液体により前記金属ベースを予備加熱する予備加熱槽を有する予備加熱室と、前記液体により前記金属ベースをプリヒートするプリヒート槽を有するプリヒート室と、前記液体により前記金属ベースを本加熱する本加熱槽を有する本加熱室と、前記液体により前記金属ベースを冷却する冷却槽を有する冷却室とを備え、
前記各室は、室内の雰囲気の温度を調整するための温風炉と、該室と外部との間又は隣接する室の間を仕切るための前記ゲートとをそれぞれ備え、
前記各ゲートは、前記複数の仕切り槽としての前記各槽の間を前記回路基板が移動可能となるように、前記各室における前記雰囲気の部分を開口するように構成され、
前記各槽は、前記回路パターンが前記液体の液面よりも上になるように前記金属ベースを前記液体に浸漬することを特徴としている。
According to the present invention, there is provided a circuit board in which a plurality of partition tanks that store liquid as a heating medium are partitioned by a gate, and a circuit pattern is formed on the front surface of a metal base having uneven thickness between the front surface and the back surface. A liquid reflow apparatus for performing a soldering process on the circuit board by heating with the liquid,
A preheating chamber having a preheating tank for preheating the metal base with the liquid; a preheating chamber having a preheating tank for preheating the metal base with the liquid; and a main heating tank for main heating the metal base with the liquid. And a cooling chamber having a cooling tank for cooling the metal base with the liquid,
Each of the chambers includes a hot air furnace for adjusting the temperature of the indoor atmosphere, and the gate for partitioning between the chamber and the outside or between adjacent chambers,
Each of the gates is configured to open a portion of the atmosphere in each of the chambers so that the circuit board can move between the tanks as the plurality of partition tanks.
Each of the tanks is characterized in that the metal base is immersed in the liquid so that the circuit pattern is above the liquid level of the liquid.
この発明によれば、前記回路基板のうち、複雑な形状の前記金属ベースが前記液体に浸漬し、一方で、前記回路パターンが前記雰囲気中に配置される。この場合、前記金属ベースが前記液体により前記金属ベースの前記表面(前記回路パターン)側の方向以外の方位から加熱され、一方で、前記温風炉による前記雰囲気の温度調整により、前記回路パターンは、前記金属ベースの前記裏面側の方向以外の方位から加熱される。これにより、前記回路基板は、前記各室内において、全方位から加熱されることになる。 According to the present invention, the metal base having a complicated shape in the circuit board is immersed in the liquid, while the circuit pattern is disposed in the atmosphere. In this case, the metal base is heated from the orientation other than the direction of the surface (the circuit pattern) of the metal base by the liquid, while the circuit pattern is adjusted by adjusting the temperature of the atmosphere by the hot air furnace. The metal base is heated from a direction other than the direction of the back side. Thereby, the circuit board is heated from all directions in each room.
従って、この発明では、前記金属ベースの前記裏面側が複雑な形状であっても、前記回路基板を確実に加熱することができるので、該回路基板の形状に関わりなく、前記回路基板に対するはんだ付け処理を効率よく行うことが可能となると共に、前記回路基板の生産性を高めることができ、この結果、該回路基板を大量生産する際のはんだ付け処理に適用することも可能となる。 Therefore, in the present invention, the circuit board can be surely heated even if the back side of the metal base has a complicated shape. Therefore, the soldering process for the circuit board is possible regardless of the shape of the circuit board. Can be efficiently performed, and the productivity of the circuit board can be increased. As a result, the circuit board can be applied to a soldering process in mass production.
また、全方位から前記回路基板を加熱することができるので、熱容量の大きな金属ベース基板を有する回路基板や、より複雑な形状の金属ベースを有する回路基板に対するはんだ付け処理にも適用可能である。 Further, since the circuit board can be heated from all directions, it can be applied to a soldering process for a circuit board having a metal base substrate having a large heat capacity or a circuit board having a metal base having a more complicated shape.
さらに、前記各ゲートは、前記各室の雰囲気の部分のみ開口し、前記液体の部分で開口しないように構成されているので、特許文献1と比較して、前記各槽における液体の温度調整(温度管理)が容易となる。すなわち、特許文献1の液体リフロー装置250のように、隣接する槽間で液体を混合する必要がないので、前記各槽毎に前記液体の温度管理を行うことができる。これにより、前記はんだ付け処理における前記回路基板の温度プロファイルを容易に作成することが可能となり、該はんだ付け処理に対する信頼性を確保することができる。また、図15Bのような治具240を用いることなく前記回路基板を加熱することが可能となるので、前記はんだ付け処理における工数を削減することができる。
Furthermore, each gate is configured to open only in the atmosphere portion of each chamber and not in the liquid portion. Therefore, compared with Patent Document 1, the temperature adjustment of the liquid in each tank ( (Temperature management) becomes easy. That is, unlike the
さらにまた、前記雰囲気の温度を調整可能とすることで、前記回路パターン側からの前記回路基板の加熱を促進することが可能になると共に、前記液体に浸漬している前記回路基板を引き上げた際に、該回路基板の温度が急激に低下することを確実に防止することができる。また、前記液体と前記雰囲気との温度差に起因した該液体の温度低下を抑制することも可能となる。 Furthermore, by making the temperature of the atmosphere adjustable, heating of the circuit board from the circuit pattern side can be promoted, and the circuit board immersed in the liquid is pulled up In addition, it is possible to reliably prevent the temperature of the circuit board from rapidly decreasing. It is also possible to suppress a temperature drop of the liquid due to a temperature difference between the liquid and the atmosphere.
ここで、前記金属ベースは、電子部品が実装される前記表面側の実装部と、該電子部品が実装されない前記裏面側の非実装部とに分けられ、前記実装部としての前記表面に絶縁膜が形成され、該絶縁膜上に前記回路パターンが形成され、前記絶縁膜及び前記回路パターンにより前記回路基板に前記電子部品を搭載するための電子部品搭載部が構成され、前記各槽は、前記絶縁膜と前記表面との境界が前記液面に位置するように前記金属ベースを前記液体に浸漬することが好ましい。 Here, the metal base is divided into a mounting portion on the front surface side where the electronic component is mounted and a non-mounting portion on the back surface side where the electronic component is not mounted, and an insulating film is formed on the surface as the mounting portion Is formed, and the circuit pattern is formed on the insulating film, and the insulating film and the circuit pattern constitute an electronic component mounting portion for mounting the electronic component on the circuit board. It is preferable that the metal base is immersed in the liquid so that a boundary between the insulating film and the surface is located on the liquid surface.
これにより、前記金属ベース及び前記雰囲気を介して、前記電子部品が搭載された前記回路基板を確実に且つ効率よく加熱することができる。また、前記電子部品搭載部が前記液体に浸漬しないので、前記回路パターン及び前記電子部品に前記液体が付着することを確実に防止することができる。 Accordingly, the circuit board on which the electronic component is mounted can be reliably and efficiently heated through the metal base and the atmosphere. Further, since the electronic component mounting portion is not immersed in the liquid, it is possible to reliably prevent the liquid from adhering to the circuit pattern and the electronic component.
また、前記液体リフロー装置では、前記予備加熱室、前記プリヒート室、前記本加熱室及び前記冷却室の順に配置され、外部から前記予備加熱槽に前記回路基板を搬送し、前記各槽及び該各槽間に前記回路基板を搬送し、且つ、前記冷却槽から外部に前記はんだ付け処理後の前記回路基板を搬送する搬送手段をさらに備える。 Further, in the liquid reflow device, the preheating chamber, the preheating chamber, the main heating chamber, and the cooling chamber are arranged in this order, and the circuit board is transferred from the outside to the preheating bath, The apparatus further includes conveying means for conveying the circuit board between the tanks and conveying the soldered circuit board to the outside from the cooling tank.
前記予備加熱室、前記プリヒート室、前記本加熱室及び前記冷却室を直列的(バッチ式)に配置して、前記搬送手段により前記回路基板を順次搬送することで、前記はんだ付け処理を効率よく行うことが可能となり、前記回路基板の大量生産化を容易に実現することができる。 The preheating chamber, the preheating chamber, the main heating chamber, and the cooling chamber are arranged in series (batch type), and the circuit board is sequentially transported by the transporting means, thereby efficiently performing the soldering process. Therefore, mass production of the circuit board can be easily realized.
この場合、前記搬送手段は、前記回路パターンが前記液体の液面よりも上になるように前記回路基板を搬送すれば、搬送中に前記回路パターン(前記電子部品搭載部)が前記液体に浸漬することがないので、前記回路パターン及び前記電子部品に前記液体が付着することを確実に防止することができる。 In this case, if the transport means transports the circuit board so that the circuit pattern is above the liquid level, the circuit pattern (the electronic component mounting portion) is immersed in the liquid during transport. Therefore, the liquid can be reliably prevented from adhering to the circuit pattern and the electronic component.
また、前記各温風炉は、前記回路基板の大きさに応じて前記雰囲気の温度を調整することが好ましい。 Moreover, it is preferable that each said warm air oven adjusts the temperature of the said atmosphere according to the magnitude | size of the said circuit board.
これにより、熱容量の大きな金属ベースを備える回路基板や、小型の回路基板に対するはんだ付け処理にも対応可能な液体リフロー装置を提供することが可能となる。 As a result, it is possible to provide a liquid reflow apparatus that can cope with a circuit board having a metal base having a large heat capacity and a soldering process for a small circuit board.
この発明によれば、回路基板のうち、複雑な形状の金属ベースが液体に浸漬し、一方で、回路パターンが雰囲気中に配置される。この場合、前記金属ベースが前記液体により前記金属ベースの表面(前記回路パターン)側の方向以外の方位から加熱され、一方で、温風炉による前記雰囲気の温度調整により、前記回路パターンは、前記金属ベースの裏面側の方向以外の方位から加熱される。これにより、前記回路基板は、各室内において、全方位から加熱されることになる。 According to this invention, among the circuit boards, the metal base having a complicated shape is immersed in the liquid, while the circuit pattern is arranged in the atmosphere. In this case, the metal base is heated by the liquid from an orientation other than the direction on the surface (the circuit pattern) side of the metal base. On the other hand, by adjusting the temperature of the atmosphere by a hot air furnace, the circuit pattern is Heated from an orientation other than the direction of the back side of the base. Thereby, the circuit board is heated from all directions in each room.
従って、この発明では、前記金属ベースの前記裏面側が複雑な形状であっても、前記回路基板を確実に加熱することができるので、該回路基板の形状に関わりなく、前記回路基板に対するはんだ付け処理を効率よく行うことが可能となると共に、前記回路基板の生産性を高めることができ、この結果、該回路基板を大量生産する際のはんだ付け処理に適用することも可能となる。 Therefore, in the present invention, the circuit board can be surely heated even if the back side of the metal base has a complicated shape. Therefore, the soldering process for the circuit board is possible regardless of the shape of the circuit board. Can be efficiently performed, and the productivity of the circuit board can be increased. As a result, the circuit board can be applied to a soldering process in mass production.
この発明の一実施形態に係る液体リフロー装置10について、図1〜図14を参照しながら説明する。
A
図1に示すように、液体リフロー装置10は、回路基板200に対して所定のはんだ付け処理を行うリフロー炉12と、矢印X方向に沿って配置され且つ外部からリフロー炉12に回路基板200を搬入するコンベア14と、矢印X方向に沿って配置され且つはんだ付け処理後の回路基板200をリフロー炉12から外部に搬出するコンベア16と、リフロー炉12を含む液体リフロー装置10全体を制御するコントローラ18とを有する。なお、この実施形態では、回路基板200の搬送に関し、矢印X1方向を上流側、矢印X2方向を下流側とする。
As shown in FIG. 1, the
リフロー炉12は、矢印X方向に沿って断面略長方形状に構成され、矢印X1方向側の側面22と矢印X2方向側の側面30との間には、所定間隔で矢印Z方向に延在する仕切り板24〜28がそれぞれ設けられている。従って、底板20、天板32、側面22、30及び仕切り板24〜28により、リフロー炉12内には、矢印X1方向から矢印X2方向に向かって順に、予備加熱室54a、プリヒート室54b、本加熱室54c及び冷却室54dが形成される。
The
また、側面22、仕切り板24〜28及び側面30の各中央部には、開口34〜42がそれぞれ形成されている。各開口34〜42には、側面22、仕切り板24〜28及び側面30(矢印Z方向)に沿って上下動可能なゲート44〜52がそれぞれ設けられている。従って、各ゲート44〜52により、隣接する各室54a〜54d間が仕切られると共に、外部と予備加熱室54a及び外部と冷却室54dとの間が仕切られる。
In addition,
また、各室54a〜54d内には、各開口34〜42より僅かに下方の位置まで液体56a〜56dが貯留され、該液体56a〜56dの液面80a〜80dより上方は、天板32に固定された温風炉74a〜74dによって温度調整される雰囲気82a〜82dとされる。温風炉74a〜74dは、ヒータ70a〜70dと、ヒータ70a〜70dにより加熱された気体を下方に向けて送風するファン72a〜72dとから構成される。
Further, in each of the
前述したように、液面80a〜80dは、各開口34〜42の下に位置しているので、ゲート44〜52は、各室54a〜54dにおける雰囲気82a〜82dの箇所(部分)で上下動することになる。また、各室54a〜54dに液体56a〜56dが貯留されているので、予備加熱室54aは、液体56aが貯留された予備加熱槽(仕切り槽)55aとして機能し(を有し)、プリヒート室54bは、液体56bが貯留されたプリヒート槽(仕切り槽)55bとして機能し(を有し)、本加熱室54cは、液体56cが貯留された本加熱槽(仕切り槽)55cとして機能し(を有し)、冷却室54dは、液体56dが貯留された冷却槽(仕切り槽)55dとして機能する(を有する)。
As described above, since the
ここで、後述するように、予備加熱室54a(予備加熱槽55a)は、回路基板200を常温T0(図6参照)から所定の予備加熱温度T1にまで予備加熱し、プリヒート室54b(プリヒート槽55b)は、回路基板200を予備加熱温度T1から本加熱温度T2近傍の温度にまでプリヒートし、本加熱室54c(本加熱槽55c)は、回路基板200を本加熱温度T2に所定時間保持(本加熱)してはんだペースト212を加熱溶融させることによりはんだ付けを行い、冷却室54d(冷却槽55d)は、回路基板200を冷却することにより加熱溶融したはんだペースト212を凝固させてはんだ付け処理を完了させる。
Here, as will be described later, the preheating
なお、これらの液体56a〜56dは、はんだペースト212(図15A及び図15B参照)の溶融温度よりも沸点が高く、且つ、該はんだペースト212及び金属ベース202を含む金属を溶解しない液体であり、例えば、潤滑油として用いられる炭化水素系液体、フェニルエーテル系液体又はフッ素系の不活性液体が採用される。
These
また、各室54a〜54dは、流路58a〜58dとそれぞれ連通し、該流路58a〜58dの途中には、液体56a〜56dを各室54a〜54d及び各流路58a〜58dで循環させるポンプ60a〜60dと、液体56a〜56dの温度調整を行う加熱器62a〜62dとがそれぞれ配置されている。すなわち、液体56aの温度は、ポンプ60a及び加熱器62aによって調整(管理)され、液体56bの温度は、ポンプ60b及び加熱器62bによって調整され、液体56cの温度は、ポンプ60c及び加熱器62cによって調整され、液体56dの温度は、ポンプ60d及び加熱器62dによって調整される。
The
さらに、各室54a〜54dには、コンベア14、16と略同一構成のコンベア64a〜64d、66a〜66d、68a〜68dがそれぞれ配置されている。この場合、コンベア64a〜64dは、上流側(矢印X1方向側)の一端部が雰囲気82a〜82d内で開口34〜40(ゲート44〜50)に指向し、且つ下流側(矢印X2方向側)の他端部が液体56a〜56dに浸漬するように、傾斜した状態で配置されている。また、コンベア66a〜66dは、矢印X方向に沿って液体56a〜56d中に浸漬されている。さらに、コンベア68a〜68dは、上流側(矢印X1方向側)の一端部が液体56a〜56dに浸漬し、且つ下流側(矢印X2方向側)の他端部が雰囲気82a〜82d内で開口36〜42(ゲート46〜52)に指向するように、傾斜した状態で配置されている。なお、各コンベア14、16、64a〜64d、66a〜66d、68a〜68dは、絶縁膜204及び回路パターン206から構成される電子部品搭載部205(図5、図15A及び図15B参照)が液面80a〜80dより上になるように回路基板200を搬送する。
Furthermore,
さらに、各コンベア14、16、64a〜64d、66a〜66d、68a〜68dには、所定間隔で回路基板200を位置決めするためのピン76がそれぞれ設けられている。なお、参照数字78は、各コンベア14、16、64a〜64d、66a〜66d、68a〜68dを構成するローラである。
Further, each
次に、以上のように構成される液体リフロー装置10の動作について説明する。
Next, the operation of the
図1〜図4及び図7〜図14は、回路基板200をリフロー炉12に搬入して該回路基板200に対するはんだ付け処理を行い、前記はんだ付け処理後の回路基板200をリフロー炉12から外部に搬出するまでの一連の動作を示す説明図であり、図5は、液体56a〜56dに金属ベース202を浸漬した状態を示す要部説明図であり、図6は、前記はんだ付け処理における回路基板200の温度プロファイル(はんだペースト212の温度の時間経過)の一例を示すグラフである。
1 to 4 and 7 to 14, the
なお、図6において、実線110は、前記温度プロファイルにおける回路基板200の温度の上限値を示し、一方で、実線112は、回路基板200の温度の下限値を示し、従って、リフロー炉12は、コントローラ18により実線110と実線112との間の温度範囲で回路基板200を加熱するように制御される。
In FIG. 6, the
先ず、電子部品208、210及びはんだペースト212が載置された回路基板200(図15A及び図15B参照)を、図1に示すコンベア14に配置した後に、コントローラ18の制御作用下にコンベア14を駆動させて、リフロー炉12への回路基板200の搬入を開始する。より詳細には、図2に示すように、コントローラ18の制御作用下にゲート44を上昇させて、外部及び予備加熱室54aを連通すると共に、各コンベア14、64a、66aを動作させて、回路基板200を予備加熱槽55aに搬入する。
First, after the circuit board 200 (see FIGS. 15A and 15B) on which the
この場合、コンベア14により開口34にまで搬送された回路基板200は、該コンベア14からコンベア64aに受け渡されることにより予備加熱室54aに搬入され(図3参照)、コンベア64a、66aの搬送作用下に回路基板200が液体56aに浸漬されると(図4参照)、コントローラ18の制御作用下に各コンベア14、64a、66aは動作を停止し、ゲート44が下降する。この結果、予備加熱室54aは密閉状態となり、温風炉74aは、ヒータ70aにより加熱した気体をファン72aによって回路基板200に吹き付けることで、該回路基板200を上方から加熱すると共に、雰囲気82aを所定温度に調整する。
In this case, the
この場合、図5に示すように、回路基板200のうち、金属ベース202(ヒートシンク226)が、図6に示す所定時間(予備加熱槽55aでの加熱時間)だけ液体56aに浸漬される。なお、図5では、絶縁膜204と金属ベース202との境界である該金属ベース202の表面220よりも僅かに下に液面80aが位置するように図示されているが、この実施形態では、金属ベース202よりも上の部分(絶縁膜204)が液面80aよりも上になるように金属ベース202を液体56aに浸漬してもよい(図4参照)。
In this case, as shown in FIG. 5, the metal base 202 (heat sink 226) of the
ここで、液体56aは、ポンプ60a及び加熱器62aによって所定温度に調整されるので、図5の波線の矢印に示すように、液体56aから冷却フィン224に熱が伝達されることにより、該冷却フィン224(金属ベース202)、絶縁膜204及び回路パターン206を介してはんだペースト212が加熱される。すなわち、はんだペースト212を含む回路基板200は、液体56aによって雰囲気82a以外の方向(矢印Z2方向)から加熱され、一方で、温風炉74a(雰囲気82a)によって液体56a以外の方向(矢印Z1方向)から加熱される。つまり、回路基板200は、予備加熱室54a(予備加熱槽55a)内の全方位から予備加熱されることになる。この結果、はんだペースト212は、上述した全方位からの予備加熱により、図6に示すように、常温T0から予備加熱温度T1(予備加熱温度T1の上限値T1uと下限値T1dとの間の温度範囲)にまで予備加熱される。
Here, since the liquid 56a is adjusted to a predetermined temperature by the
次に、液体56a及び雰囲気82aによるはんだペースト212の予備加熱が完了すると、コントローラ18からの制御によりコンベア66a、68a、64b、66bを動作させ且つゲート46を上昇させて、前記予備加熱された回路基板200を予備加熱室54aからプリヒート室54bに搬送する。
Next, when the preheating of the
より詳細には、図4に示すように、次に予備加熱室54aに搬入される回路基板200がコンベア14に配置されているので、図4、図7及び図8に示すように、コントローラ18の制御に起因してゲート44、46を上昇させて、外部及び予備加熱室54aと、予備加熱室54a及びプリヒート室54bとをそれぞれ連通させると共に、コンベア14、64a、66a、68a、64b、66bを動作させる。
More specifically, as shown in FIG. 4, the
これにより、前記予備加熱された回路基板200は、コンベア66aからコンベア68a、64bを介してコンベア66bに搬送され、その金属ベース202がプリヒート室54b(プリヒート槽55b)の液体56bに浸漬される(図7及び図8参照)。一方、コンベア14に配置された回路基板200は、前述した搬入動作と同様に、コンベア14、64aを介してコンベア66aに搬送され、その金属ベース202が液体56aに浸漬される。
As a result, the
そして、各回路基板200が液体56a、56bにそれぞれ浸漬されると(図8参照)、コントローラ18の制御作用下に各コンベア14、64a、66a、68a、64b、66bは搬送動作を停止し、ゲート44、46が下降する。この結果、予備加熱室54a及びプリヒート室54bはそれぞれ密閉状態となる。
When each
この場合、予備加熱室54aに搬入され且つ金属ベース202が液体56aに浸漬された回路基板200に対する処理(予備加熱)は、既に述べたので、その詳細な説明については省略する。従って、ここでは、プリヒート室54bの液体56bに金属ベース202が浸漬された回路基板200に対する処理について説明する。
In this case, since the processing (preheating) for the
密閉状態となったプリヒート室54b内において、温風炉74bは、ヒータ70bにより加熱した気体をファン72bによって回路基板200に吹き付けることで、該回路基板200を上方から加熱すると共に、雰囲気82bを所定温度に調整する。
In the
また、この回路基板200のうち、金属ベース202が、図6に示すプリヒート槽55bでの加熱時間だけ液体56bに浸漬される。この場合、液体56bは、ポンプ60b及び加熱器62bにより時間経過に伴って徐々に加熱されるので、液体56bから冷却フィン224(金属ベース202)、絶縁膜204及び回路パターン206を介してはんだペースト212も徐々に加熱される。
Further, in the
従って、回路基板200は、液体56bによって雰囲気82b以外の方向から加熱(プリヒート)され、一方で、温風炉74bによって液体56b以外の方向から加熱(プリヒート)されて、プリヒート室54b内の全方位からプリヒートされる。この結果、はんだペースト212は、図6に示すように、予備加熱温度T1から本加熱温度T2近傍にまでプリヒートされる。
Accordingly, the
次に、液体56b及び雰囲気82bによるプリヒート室54b内での回路基板200のプリヒートが完了し、且つ、液体56a及び雰囲気82aによる予備加熱室54a内での回路基板200の予備加熱が完了すると、図8〜図10に示すように、コントローラ18からの制御によって、前記プリヒート後の回路基板200をプリヒート室54bから本加熱室54cに搬送すると共に、前記予備加熱後の回路基板200を予備加熱室54aからプリヒート室54bに搬送する。
Next, when the preheating of the
この場合、図8に示すように、次に予備加熱室54aに搬入される回路基板200がコンベア14に配置されているので、実際には、コントローラ18の制御に起因してゲート44、46、48を上昇させて、外部及び予備加熱室54aと、予備加熱室54a及びプリヒート室54bと、プリヒート室54b及び本加熱室54cとをそれぞれ連通させると共に、コンベア14、64a、66a、68a、64b、66b、68b、64c、66cを動作させる。
In this case, as shown in FIG. 8, since the
これにより、前記プリヒートされた回路基板200は、コンベア66bからコンベア68b、64cを介してコンベア66cに搬送され、その金属ベース202が本加熱室54c(本加熱槽55c)の液体56cに浸漬される(図9及び図10参照)。また、前記予備加熱された回路基板200は、前述した予備加熱室54aからプリヒート室54bへの搬送動作と同様に、コンベア68a、64bを介してコンベア66bに搬送され、その金属ベース202が液体56bに浸漬される。さらに、コンベア14に配置された回路基板200は、前述した搬入動作と同様に、コンベア14、64aを介してコンベア66aに搬送され、その金属ベース202が液体56aに浸漬される。
As a result, the
そして、各回路基板200が液体56a、56b、56cにそれぞれ浸漬されると(図10参照)、コントローラ18の制御作用下に各コンベア14、64a、66a、68a、64b、66b、68b、64c、66cは搬送動作を停止すると共に、ゲート44、46、48は下降して、予備加熱室54a、プリヒート室54b及び本加熱室54cはそれぞれ密閉状態となる。
When each
この場合、予備加熱室54aに搬入され且つ金属ベース202が液体56aに浸漬された回路基板200に対する処理(予備加熱)や、プリヒート室54bに搬入され且つ金属ベース202が液体56bに浸漬された回路基板200に対する処理(プリヒート)は、既に説明したので、ここでは、本加熱室54cの液体56cに金属ベース202が浸漬された回路基板200に対する処理について説明する。
In this case, processing (preheating) for the
密閉状態となった本加熱室54c内において、温風炉74cは、ヒータ70cにより加熱した気体をファン72cによって回路基板200に吹き付けることで、該回路基板200を上方から加熱すると共に、雰囲気82cを所定温度に調整する。
In the
また、この回路基板200のうち、金属ベース202が、図6に示す本加熱槽55cでの加熱時間だけ液体56cに浸漬される。この場合、液体56cは、ポンプ60c及び加熱器62cにより所定温度に保持される。これにより、回路基板200は、液体56cによって雰囲気82c以外の方向から本加熱され、一方で、温風炉74cによって液体56c以外の方向から本加熱されて、本加熱室54c内の全方位から本加熱される。この結果、はんだペースト212は、図6に示すように、本加熱温度T2(本加熱温度T2の上限値T2uと下限値T2dとの間の温度範囲)で所定時間だけ本加熱される。
Further, in the
この場合、前記本加熱温度T2は、はんだペースト212の溶融温度よりも高く且つ液体56a〜56dの沸点よりも低い温度である。従って、前記本加熱によって、はんだペースト212が加熱溶融され、この結果、電子部品208のリード214、216や電子部品210が回路パターン206に対してはんだ付けされる。
In this case, the main heating temperature T2 is higher than the melting temperature of the
次に、液体56c及び雰囲気82cによる本加熱室54c内での回路基板200の本加熱(はんだ付け)が完了し、液体56b及び雰囲気82bによるプリヒート室54b内での回路基板200のプリヒートが完了し、且つ、液体56a及び雰囲気82aによる予備加熱室54a内での回路基板200の予備加熱が完了すると、図10〜図12に示すように、コントローラ18からの制御によって、前記本加熱後の回路基板200を本加熱室54cから冷却室54dに搬送し、前記プリヒート後の回路基板200をプリヒート室54bから本加熱室54cに搬送すると共に、前記予備加熱後の回路基板200を予備加熱室54aからプリヒート室54bに搬送する。
Next, the main heating (soldering) of the
この場合、図10に示すように、次に予備加熱室54aに搬入される回路基板200がコンベア14に配置されているので、実際には、コントローラ18の制御に起因してゲート44〜50を上昇させて、外部及び予備加熱室54aと、予備加熱室54a及びプリヒート室54bと、プリヒート室54b及び本加熱室54cと、本加熱室54c及び冷却室54dとをそれぞれ連通させると共に、コンベア14、64a、66a、68a、64b、66b、68b、64c、66c、68c、64d、66dを動作させる。
In this case, as shown in FIG. 10, the
これにより、前記本加熱された回路基板200は、コンベア66cからコンベア68c、64dを介してコンベア66dに搬送され、その金属ベース202が冷却室54d(冷却槽55d)の液体56dに浸漬される(図11及び図12参照)。また、前記プリヒートされた回路基板200は、前述したプリヒート室54bから本加熱室54cへの搬送動作と同様に、コンベア68b、64cを介してコンベア66cに搬送され、その金属ベース202が液体56cに浸漬される。さらに、前記予備加熱された回路基板200は、前述した予備加熱室54aからプリヒート室54bへの搬送動作と同様に、コンベア68a、64bを介してコンベア66bに搬送され、その金属ベース202が液体56bに浸漬される。さらにまた、コンベア14に配置された回路基板200は、前述した搬入動作と同様に、コンベア14、64aを介してコンベア66aに搬送され、その金属ベース202が液体56aに浸漬される。
As a result, the main
そして、各回路基板200が液体56a〜56dにそれぞれ浸漬されると(図10参照)、コントローラ18の制御作用下に各コンベア14、64a、66a、68a、64b、66b、68b、64c、66c、68c、64d、66dは搬送動作を停止し、ゲート44〜50が下降する。予備加熱室54a、プリヒート室54b、本加熱室54c及び冷却室54dはそれぞれ密閉状態となる。
When each
この場合、予備加熱室54aに搬入され且つ金属ベース202が液体56aに浸漬された回路基板200に対する処理(予備加熱)や、プリヒート室54bに搬送され且つ金属ベース202が液体56bに浸漬された回路基板200に対する処理(プリヒート)や、本加熱室54cに搬送され且つ金属ベース202が液体56cに浸漬された回路基板200に対する処理(本加熱)は、既に説明したので、ここでは、冷却室54dの液体56dに金属ベース202が浸漬された回路基板200に対する処理について説明する。
In this case, processing (preheating) on the
密閉状態となった冷却室54d内において、温風炉74dは、ヒータ70dにより加熱した気体をファン72dによって回路基板200に吹き付けることで、該回路基板200を上方から加熱すると共に、雰囲気82dを所定温度に調整する。
In the sealed
また、この回路基板200のうち、金属ベース202が、図6に示す冷却槽55dでの加熱時間だけ液体56dに浸漬される。この場合、液体56dの温度は、ポンプ60d及び加熱器62dにより時間経過に伴って徐々に低下する。これにより、回路基板200は、液体56dによって雰囲気82d以外の方向から冷却され、一方で、温風炉74dによって液体56d以外の方向から冷却されて、冷却室54d内の全方位から冷却される。この結果、はんだペースト212は、図6に示すように、本加熱温度T2(本加熱温度T2の上限値T2uと下限値T2dとの間の温度範囲)から時間経過に伴って徐々に冷却する。これにより、はんだペースト212は凝固し、はんだ付けが完了するに至る。
Further, in the
次に、液体56d及び雰囲気82dによる冷却室54d内での回路基板200の冷却が完了し、液体56c及び雰囲気82cによる本加熱室54c内での回路基板200の本加熱が完了し、液体56b及び雰囲気82bによるプリヒート室54b内での回路基板200のプリヒートが完了し、且つ、液体56a及び雰囲気82aによる予備加熱室54a内での回路基板200の予備加熱が完了すると、図12〜図14に示すように、コントローラ18からの制御によって、前記冷却後の回路基板200を冷却室54dからコンベア16により外部に搬出し、前記本加熱後の回路基板200を本加熱室54cから冷却室54dに搬送し、前記プリヒート後の回路基板200をプリヒート室54bから本加熱室54cに搬送すると共に、前記予備加熱後の回路基板200を予備加熱室54aからプリヒート室54bに搬送する。
Next, the cooling of the
この場合、図12に示すように、次に予備加熱室54aに搬入される回路基板200がコンベア14に配置されているので、実際には、コントローラ18の制御に起因してゲート44〜52を上昇させて、外部及び予備加熱室54aと、予備加熱室54a及びプリヒート室54bと、プリヒート室54b及び本加熱室54cと、本加熱室54c及び冷却室54dと、冷却室54d及び外部とをそれぞれ連通させると共に、コンベア14、64a、66a、68a、64b、66b、68b、64c、66c、68c、64d、66d、68d、16を動作させる。
In this case, as shown in FIG. 12, since the
これにより、前記冷却された回路基板200は、コンベア66dからコンベア68d、16を介して外部に搬出される(図13及び図14参照)。また、前記本加熱された回路基板200は、前述した本加熱室54cから冷却室54dへの搬送動作と同様に、コンベア68c、64dを介してコンベア66dに搬送され、その金属ベース202が冷却室54dの液体56dに浸漬される。さらに、前記プリヒートされた回路基板200は、前述したプリヒート室54bから本加熱室54cへの搬送動作と同様に、コンベア68b、64cを介してコンベア66cに搬送され、その金属ベース202が液体56cに浸漬される。さらにまた、前記予備加熱された回路基板200は、前述した予備加熱室54aからプリヒート室54bへの搬送動作と同様に、コンベア68a、64bを介してコンベア66bに搬送され、その金属ベース202が液体56bに浸漬される。さらにまた、コンベア14に配置された回路基板200は、前述した搬入動作と同様に、コンベア14、64aを介してコンベア66aに搬送され、その金属ベース202が液体56aに浸漬される。
As a result, the cooled
そして、外部に搬出された前記はんだ付け処理後の回路基板200以外の各回路基板200が液体56a〜56dにそれぞれ浸漬されると(図14参照)、コントローラ18の制御作用下に各コンベア14、64a、66a、68a、64b、66b、68b、64c、66c、68c、64d、66d、68d、16は搬送動作を停止し、ゲート44〜52が下降する。この結果、予備加熱室54a、プリヒート室54b、本加熱室54c及び冷却室54dはそれぞれ密閉状態となる。この結果、予備加熱室54a、プリヒート室54b、本加熱室54c及び冷却室54dにおいて、液体56a〜56dに浸漬された回路基板200に対する上述した各処理が行われる。
And when each
以上説明したように、この実施形態に係る液体リフロー装置10は、加熱媒体としての液体56a〜56dを貯留する複数の槽55a〜55dがゲート44〜52により仕切られ、表面220と裏面222との間の肉厚が不均等な金属ベース202の表面220に回路パターン206が形成された回路基板200を液体56a〜56dで加熱することにより該回路基板200に対するはんだ付け処理を行う液体リフロー装置10である。
As described above, in the
そして、液体リフロー装置10は、液体56aにより金属ベース202を予備加熱する予備加熱槽55aを有する予備加熱室54aと、液体56bにより金属ベース202をプリヒートするプリヒート槽55bを有するプリヒート室54bと、液体56cにより金属ベース202を本加熱する本加熱槽55cを有する本加熱室54cと、液体56dにより金属ベース202を冷却する冷却槽55dを有する冷却室54dとを備えている。
The
この場合、各室54a〜54dは、室内の雰囲気82a〜82dの温度を調整するための温風炉74a〜74dと、該室54a〜54dと外部との間又は隣接する室54a〜54dの間を仕切るためのゲート44〜52とをそれぞれ備えている。また、各ゲート44〜52は、各槽55a〜55dの間を回路基板200が移動可能となるように、各室54a〜54dにおける雰囲気82a〜82dの部分を開口するように構成されている。さらに、各槽55a〜55dは、回路パターン206が液体56a〜56dの液面80a〜80dよりも上になるように金属ベース202を液体56a〜56dに浸漬する。
In this case, each of the
これにより、回路基板200のうち、複雑な形状の金属ベース202が液体56a〜56dに浸漬し、一方で、回路パターン206が雰囲気82a〜82dに配置される。この場合、金属ベース202が液体56a〜56dにより表面220(回路パターン206)側の方向以外の方位から加熱され、一方で、温風炉74a〜74dによる雰囲気82a〜82dの温度調整により、回路パターン206は、裏面222(金属ベース202)側の方向以外の方位から加熱される。これにより、回路基板200は、各室54a〜54d内において、全方位から加熱されることになる。
Thereby, in the
従って、この実施形態では、金属ベース202の裏面222側が複雑な形状であっても、回路基板200を確実に加熱することができるので、該回路基板200の形状に関わりなく、回路基板200に対するはんだ付け処理を効率よく行うことが可能となると共に、回路基板200の生産性を高めることができ、この結果、該回路基板200を大量生産する際のはんだ付け処理に適用することも可能となる。
Therefore, in this embodiment, even if the
また、全方位から回路基板200を加熱することができるので、熱容量の大きな金属ベースを有する回路基板や、より複雑な形状の金属ベースを有する回路基板に対するはんだ付け処理にも適用可能である。
Further, since the
さらに、各ゲート44〜52は、各室54a〜54dの雰囲気82a〜82dの部分のみ開口し、液体56a〜56dの部分で開口しないように構成されているので、特許文献1と比較して、各槽55a〜55dにおける液体56a〜56dの温度調整(温度管理)が容易となる。すなわち、特許文献1の液体リフロー装置250のように、隣接する槽間で液体を混合する必要がないので、各槽55a〜55d毎に液体56a〜56dの温度管理を行うことができる。これにより、はんだ付け処理における回路基板200の温度プロファイルを容易に作成することが可能となり、該はんだ付け処理に対する信頼性を確保することができる。また、図15Bのような治具240を用いることなく回路基板200を加熱することが可能となるので、はんだ付け処理における工数を削減することができる。
Furthermore, each of the
さらにまた、雰囲気82a〜82dの温度を調整可能とすることで、回路パターン206側からの回路基板200の加熱を促進することが可能になると共に、液体56a〜56dに浸漬している回路基板200を引き上げた際に、該回路基板200の温度が急激に低下することを確実に防止することができる。また、液体56a〜56dと雰囲気82a〜82dとの温度差に起因した該液体56a〜56dの温度低下を抑制することも可能となる。
Furthermore, by making it possible to adjust the temperature of the
また、金属ベース202がヒートシンク226として機能し、該ヒートシンク226は、電子部品208、210が実装される表面220(実装部)側と、電子部品208、210が実装されない裏面222側の冷却フィン224(非実装部)とに分けられ、この表面220に絶縁膜204が形成され、該絶縁膜204上に回路パターン206が形成され、絶縁膜204及び回路パターン206により回路基板200に電子部品208、210を搭載するための電子部品搭載部205が構成され、各槽55a〜55dは、絶縁膜204とヒートシンク226の表面220との境界が液面80a〜80dに位置するようにヒートシンク226を液体56a〜56dに浸漬してもよい。
The
これにより、ヒートシンク226及び雰囲気82a〜82dを介して、電子部品208、210が搭載された回路基板200を確実に且つ効率よく加熱することができる。また、電子部品搭載部205が液体56a〜56dに浸漬しないので、回路パターン206及び電子部品208、210に液体56a〜56dが付着することを確実に防止することができる。
Thus, the
また、液体リフロー装置10では、予備加熱室54a、プリヒート室54b、本加熱室54c及び冷却室54dの順に配置され、外部から予備加熱槽55aに回路基板200を搬送し、各槽55a〜55d及び該各槽55a〜55d間に回路基板200を搬送し、且つ、冷却槽55dから外部にはんだ付け処理後の回路基板200を搬送するコンベア14、16、64a〜64d、66a〜66d、68a〜68dをさらに備えている。
Further, in the
このように、予備加熱室54a、プリヒート室54b、本加熱室54c及び冷却室54dを直列的(バッチ式)に配置して、コンベア14、16、64a〜64d、66a〜66d、68a〜68dにより回路基板200を順次搬送することで、はんだ付け処理を効率よく行うことが可能となり、回路基板200の大量生産化を容易に実現することができる。
In this way, the preheating
この場合、コンベア14、16、64a〜64d、66a〜66d、68a〜68dは、回路パターン206が液体56a〜56dの液面80a〜80dよりも上になるように回路基板200を搬送すれば、搬送中に電子部品搭載部205が液体56a〜56dに浸漬することがないので、回路パターン206及び電子部品208、210に液体56a〜56dが付着することを確実に防止することができる。
In this case, if the
その際、コンベア14、16、64a〜64d、66a〜66d、68a〜68d上に回路基板200を位置決めするためのピン76を所定間隔で設けることにより、はんだ付け処理を精度よく行うことが可能となり、はんだ付け処理に対する信頼性がさらに向上すると共に、該はんだ付け処理後の回路基板200の品質を一層向上することができる。
At that time, by providing
また、各温風炉74a〜74dは、回路基板200の大きさに応じて雰囲気82a〜82dの温度を調整してもよい。これにより、熱容量の大きな金属ベースを備える回路基板や、小型の回路基板に対するはんだ付け処理にも対応可能な液体リフロー装置を提供することが可能となる。
Moreover, each
上述した実施形態では、コンベア14、16、64a〜64d、66a〜66d、68a〜68dにより回路基板200を搬送しているが、この構成に代えて、ロボットアームにより回路基板200を搬送しても、上述した効果が得られる。
In the embodiment described above, the
また、この実施形態では、ヒートシンク226の裏面222側に均一に冷却フィン224が形成されている場合について説明したが、電子部品208、210の実装状態(例えば、実装密度の大小)に応じて冷却フィン224が不均一又は局部的に形成された回路基板200に対しても適用可能である。すなわち、この実施形態では、表面220側に電子部品208、210が搭載され、一方で、裏面222側に冷却フィン224が形成されている回路基板200であれば、いかなる形状のヒートシンク226(冷却フィン224)であっても、液体リフロー装置10によるはんだ付け処理が可能である。
In this embodiment, the case where the cooling
さらに、ヒートシンク226の裏面222側に一方向に沿って冷却フィン224が形成されている場合に、X2方向に回路基板200を搬送する際、回路基板200の搬送方向(X2方向)と、冷却フィン224の形成方向(長手方向)とを略一致させると、各冷却フィン224間を液体56a〜56dがスムーズに流れるので、回路基板200を均一に且つ効率よく加熱することができる。すなわち、前記搬送方向と、冷却フィン224の形成方向(回路基板200の向き)との関係によっては、液体56a〜56dの流れる方向が変わって回路基板200の加熱温度が変化するので、冷却フィン224の形成方向に応じて、前記搬送方向に対する回路基板200の向きを調整することで、より効果的な加熱処理を実現することが可能となる。
Further, when the cooling
さらにまた、この実施形態では、金属ベース202がヒートシンク226として機能し、電子部品208、210の搭載されない裏面222側の非実装部が冷却フィン224である場合について説明したが、金属ベース202がモータハウジング(の一部)であり、且つ、裏面222側の形状を図示しないモータとの直結を想定して凹凸形状に形成した場合(例えば、特開2004−319734号公報参照)において、前記凹凸形状の箇所を非実装部としても、この実施形態の効果が容易に得られる。すなわち、この実施形態に係る液体リフロー装置10は、ヒートシンク226以外の金属ベース202にも適用可能である。
Furthermore, in this embodiment, the case where the
なお、この発明は、上述の実施形態に限らず、この明細書の記載内容に基づき、種々の構成を採り得ることは勿論である。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is needless to say that various configurations can be adopted based on the content described in this specification.
10…液体リフロー装置 12…リフロー炉
14、16、64a〜64d、66a〜66d、68a〜68d…コンベア
44〜52…ゲート 54a…予備加熱室
54b…プリヒート室 54c…本加熱室
54d…冷却室 55a…予備加熱槽
55b…プリヒート槽 55c…本加熱槽
55d…冷却槽 56a〜56d…液体
74a〜74d…温風炉 76…ピン
80a〜80d…液面 82a〜82d…雰囲気
200…回路基板 202…金属ベース
204…絶縁膜 205…電子部品搭載部
206…回路パターン 208、210…電子部品
212…はんだペースト
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記液体により前記金属ベースを予備加熱する予備加熱槽を有する予備加熱室と、
前記液体により前記金属ベースをプリヒートするプリヒート槽を有するプリヒート室と、
前記液体により前記金属ベースを本加熱する本加熱槽を有する本加熱室と、
前記液体により前記金属ベースを冷却する冷却槽を有する冷却室と、
を備え、
前記金属ベースは、電子部品が実装される前記表面側の実装部と、該電子部品が実装されない前記裏面側の非実装部とに分けられ、
前記実装部としての前記表面に絶縁膜が形成され、該絶縁膜上に前記回路パターンが形成され、前記絶縁膜及び前記回路パターンにより前記回路基板に前記電子部品を搭載するための電子部品搭載部が構成され、
前記各室は、室内の雰囲気の温度を調整するための温風炉と、該室と外部との間又は隣接する室の間を仕切るための前記ゲートとをそれぞれ備え、
前記各ゲートは、前記複数の仕切り槽としての前記各槽の間を前記回路基板が移動可能となるように、前記各室における前記雰囲気の部分を開口するように構成され、
前記各槽は、前記絶縁膜と前記表面との境界が前記液体の液面に位置するように前記金属ベースを前記液体に浸漬する
ことを特徴とする液体リフロー装置。 A plurality of partition tanks that store liquid as a heating medium are partitioned by a gate, and a circuit board having a circuit pattern formed on the front surface of a metal base with uneven thickness between the front surface and the back surface is heated with the liquid. A liquid reflow apparatus for performing a soldering process on the circuit board by
A preheating chamber having a preheating tank for preheating the metal base with the liquid;
A preheating chamber having a preheating tank for preheating the metal base with the liquid;
A main heating chamber having a main heating tank for main heating the metal base with the liquid;
A cooling chamber having a cooling tank for cooling the metal base with the liquid;
With
The metal base is divided into a mounting portion on the front surface side where electronic components are mounted and a non-mounting portion on the back surface side where the electronic components are not mounted,
An electronic component mounting portion for forming an insulating film on the surface as the mounting portion, forming the circuit pattern on the insulating film, and mounting the electronic component on the circuit board by the insulating film and the circuit pattern Is configured,
Each of the chambers includes a hot air furnace for adjusting the temperature of the indoor atmosphere, and the gate for partitioning between the chamber and the outside or between adjacent chambers,
Each of the gates is configured to open a portion of the atmosphere in each of the chambers so that the circuit board can move between the tanks as the plurality of partition tanks.
Wherein each vessel has a liquid reflow and wherein the boundary between the insulating film and the surface immersing the metal base into the liquid so that to position the liquid surface of the liquid.
前記予備加熱室、前記プリヒート室、前記本加熱室及び前記冷却室の順に配置され、
外部から前記予備加熱槽に前記回路基板を搬送し、前記各槽及び該各槽間に前記回路基板を搬送し、且つ、前記冷却槽から外部に前記はんだ付け処理後の前記回路基板を搬送する搬送手段をさらに備える
ことを特徴とする液体リフロー装置。 The liquid reflow device according to claim 1 .
The preheating chamber, the preheating chamber, the main heating chamber and the cooling chamber are arranged in this order,
The circuit board is transferred from the outside to the preheating tank, the circuit board is transferred between the tanks and the tanks, and the soldered circuit board is transferred from the cooling tank to the outside. A liquid reflow apparatus, further comprising a conveying unit.
前記搬送手段は、前記回路パターンが前記液体の液面よりも上になるように前記回路基板を搬送する
ことを特徴とする液体リフロー装置。 The liquid reflow apparatus according to claim 2 .
The liquid reflow apparatus, wherein the transfer means transfers the circuit board so that the circuit pattern is above the liquid level of the liquid.
前記各温風炉は、前記回路基板の大きさに応じて前記雰囲気の温度を調整する
ことを特徴とする液体リフロー装置。 In the liquid reflow apparatus of any one of Claims 1-3 ,
Each said hot air furnace adjusts the temperature of the said atmosphere according to the magnitude | size of the said circuit board. The liquid reflow apparatus characterized by the above-mentioned.
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