JP5050825B2 - System controller - Google Patents

System controller Download PDF

Info

Publication number
JP5050825B2
JP5050825B2 JP2007319793A JP2007319793A JP5050825B2 JP 5050825 B2 JP5050825 B2 JP 5050825B2 JP 2007319793 A JP2007319793 A JP 2007319793A JP 2007319793 A JP2007319793 A JP 2007319793A JP 5050825 B2 JP5050825 B2 JP 5050825B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
control
command value
value
control command
protection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007319793A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2009148003A (en
Inventor
宮本  昇
光一 牛嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2007319793A priority Critical patent/JP5050825B2/en
Priority to US12/170,788 priority patent/US7899563B2/en
Priority to DE102008047444.4A priority patent/DE102008047444B4/en
Publication of JP2009148003A publication Critical patent/JP2009148003A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5050825B2 publication Critical patent/JP5050825B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B11/00Automatic controllers
    • G05B11/01Automatic controllers electric
    • G05B11/36Automatic controllers electric with provision for obtaining particular characteristics, e.g. proportional, integral, differential
    • G05B11/40Automatic controllers electric with provision for obtaining particular characteristics, e.g. proportional, integral, differential for obtaining an integral characteristic
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B13/00Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion
    • G05B13/02Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion electric
    • G05B13/0205Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion electric not using a model or a simulator of the controlled system
    • G05B13/021Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion electric not using a model or a simulator of the controlled system in which a variable is automatically adjusted to optimise the performance
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32Means for protecting converters other than automatic disconnection
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H02M3/157Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators with digital control

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Description

本発明は、自己保護機能を備えるシステム制御装置に関し、特に制御状態を安定に保つことができるシステム制御装置に関するものである。   The present invention relates to a system control apparatus having a self-protection function, and more particularly to a system control apparatus capable of keeping a control state stable.

一般に、パワー半導体などを含むシステム制御装置はフィードバック制御を行う。より具体的にはシステム制御装置で達成すべき目標制御値と実制御値との偏差を小さくするように定められた制御指令値により制御が行われる。そしてフィードバック制御で決められる制御指令値は積分項を含むことが一般的である。フィードバック制御を行うシステム制御装置としては、例えば特許文献1に開示の昇圧装置及び電動パワーステアリング装置などが挙げられる。   In general, a system control device including a power semiconductor performs feedback control. More specifically, control is performed using a control command value determined so as to reduce the deviation between the target control value to be achieved by the system control device and the actual control value. A control command value determined by feedback control generally includes an integral term. Examples of the system control device that performs feedback control include a booster device and an electric power steering device disclosed in Patent Document 1.

また、システム制御装置は自己の、短絡保護、温度保護、高圧保護などを目的とする自己保護機能を備えることが一般的である。ここで自己保護機能とは、制御を一時停止したり目標制御値よりも低出力で制御したりすることで一時的に自己保護制御を行うものである。特許文献1に開示の昇圧装置及び電動パワーステアリング装置においては、前述した自己保護機能として、制御開始時における出力電圧のオーバーシュートを抑制するソフトスタートに関する構成が示されている。   Further, the system control device generally has a self-protection function for the purpose of self-short circuit protection, temperature protection, high-voltage protection, and the like. Here, the self-protection function temporarily performs self-protection control by temporarily suspending control or controlling at a lower output than the target control value. In the booster device and the electric power steering device disclosed in Patent Document 1, a configuration relating to soft start that suppresses overshoot of the output voltage at the start of control is shown as the above-described self-protection function.

特開2006−62515号公報JP 2006-62515 A 特開平7−315239号公報JP-A-7-315239 特開2006−36038号公報JP 2006-36038 A 特開2000−333488号公報JP 2000-333488 A 特開平8−142886号公報JP-A-8-142886 特開2002−46636号公報JP 2002-46636 A 特開2000−108916号公報JP 2000-108916 A 特開2002−120744号公報JP 2002-120744 A

自己保護機能を備えフィードバック制御を行うシステム制御装置は、目標制御値又はそれに近い制御値での稼動を行うことができる。また、自己保護機能によりシステム制御装置の停止又は低出力動作を行うことでシステム制御装置への悪影響も抑制できる。しかしながら、フィードバック制御と自己保護機能を併せ持つシステム制御装置には以下の課題がある。すなわち、自己保護を行う期間は目標制御値と実制御値との乖離が大きいために、フィードバックを行うべき積分項が過大な値となる。自己保護期間中に積分項が過大となると、自己保護を終了し目標制御値での制御に復帰する際、前述の過大な積分項に基づき制御指令値が演算される。その結果、目標制御値を達成するために要する制御指令値を超える過大な制御指令値がフィードバック制御に用いられる。これにより、例えば電流・電圧が過剰になる「オーバーシュート」などの弊害があるという問題があった。   A system controller that has a self-protection function and performs feedback control can operate at a target control value or a control value close thereto. In addition, the self-protection function can stop the system control device or perform a low output operation to suppress adverse effects on the system control device. However, a system control apparatus that has both feedback control and a self-protection function has the following problems. In other words, since the difference between the target control value and the actual control value is large during the self-protection period, the integral term to be fed back becomes an excessive value. If the integral term becomes excessive during the self-protection period, when the self-protection is terminated and the control returns to the target control value, the control command value is calculated based on the excessive integral term. As a result, an excessive control command value exceeding the control command value required to achieve the target control value is used for feedback control. As a result, there is a problem that there is a harmful effect such as “overshoot” in which the current and voltage become excessive.

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、システム制御装置が自己保護を終え、目標制御値での制御に復帰する際に制御値のオーバーシュートを抑制できるシステム制御装置を提供することを目的とする。   The present invention was made to solve the above-described problems, and a system control apparatus that can suppress overshoot of a control value when the system control apparatus finishes self-protection and returns to control at a target control value. The purpose is to provide.

本願第一の発明にかかるシステム制御装置は、
半導体素子と、該半導体素子の実制御値の情報を取得する実制御値取得手段と、該実制御値と目標制御値との偏差を演算する偏差演算手段と、制御指令値に含まれる積分項を演算する積分項演算手段と、直前の該積分項と該偏差とから次回の該制御指令値である第一制御指令値を定める第一制御指令値演算手段と、該第一制御指令値により該半導体素子のフィードバック制御を行う第一フィードバック制御手段と、該第一フィードバック制御手段による制御中に、該第一制御指令値演算手段による演算は行いながら該半導体素子の一時停止又は該目標制御値よりも低出力での制御により保護制御を行う保護制御手段と、該制御指令値を低減する制御指令値低減手段と、該保護制御の終了時期の情報を取得する終了時期取得手段と、該終了時期後の最初の該制御指令値として、該第一制御指令値に代えて、該制御指令値低減手段によって該終了時期後最初に該第一制御指令値演算手段で演算された該第一制御指令値よりは低減された該制御指令値を用いる終了時制御手段と、
を備えることを特徴とする。
The system control apparatus according to the first invention of this application is:
A semiconductor element; actual control value acquisition means for acquiring information on the actual control value of the semiconductor element; deviation calculation means for calculating a deviation between the actual control value and the target control value; and an integral term included in the control command value Integral term computing means for computing the first control command value computing means for determining the first control command value that is the next control command value from the previous integral term and the deviation, and the first control command value A first feedback control means for performing feedback control of the semiconductor element; and during the control by the first feedback control means, the semiconductor element is temporarily stopped or the target control value while performing the calculation by the first control command value calculating means. Protection control means for performing protection control by control at a lower output than the above, control command value reduction means for reducing the control command value, end timing acquisition means for acquiring information on the end timing of the protection control, and the termination season Instead of the first control command value, the first control command value calculated by the first control command value calculation unit first after the end timing is used instead of the first control command value. An end-time control means using the control command value reduced more than,
It is characterized by providing.

本願第二の発明にかかるシステム制御装置は、
半導体素子と、該半導体素子の実制御値の情報を取得する実制御値取得手段と、該実制御値と目標制御値との偏差を演算する偏差演算手段と、制御指令値の積分項を演算する積分項演算手段と、直前の制御指令値の該積分項と該偏差とから次回の制御指令値である第一制御指令値を定める第一制御指令値演算手段と、該第一制御指令値により該半導体素子のフィードバック制御を行う第一フィードバック制御手段と、該第一フィードバック制御手段による制御中に、該第一制御指令値演算手段による演算は行いながら該半導体素子の一時停止又は該目標制御値よりも低出力での制御により保護制御を行う保護制御手段と、該積分項を低減する積分低減手段と、該保護制御中の該積分項を該積分低減手段により減じる保護中積分値低減手段と、
を備えることを特徴とする。
The system control apparatus according to the second invention of the present application is:
A semiconductor element, an actual control value acquisition means for acquiring information on the actual control value of the semiconductor element, a deviation calculation means for calculating a deviation between the actual control value and the target control value, and an integral term of the control command value are calculated. An integral term computing means for performing, a first control command value computing means for determining a first control command value as a next control command value from the integral term and the deviation of the immediately preceding control command value, and the first control command value First feedback control means for performing feedback control of the semiconductor element, and during the control by the first feedback control means, while the calculation by the first control command value calculation means is performed, the semiconductor element is temporarily stopped or the target control is performed Protection control means for performing protection control by control at a lower output than the value, integration reduction means for reducing the integral term, and integrated value reduction means during protection for reducing the integral term during the protection control by the integral reduction means When,
It is characterized by providing.

本願第三の発明にかかるシステム制御装置は、
半導体素子と、該半導体素子の実制御値の情報を取得する実制御値取得手段と、
該実制御値と目標制御値との偏差を演算する偏差演算手段と、制御指令値に含まれる積分項を演算する積分項演算手段と、直前の該制御指令値の該積分項と該偏差とから次回の制御指令値である第一制御指令値を定める第一制御指令値演算手段と、該第一制御指令値により該半導体素子のフィードバック制御を行う第一フィードバック制御手段と、該第一フィードバック制御手段による制御中に、該第一制御指令値演算手段による演算は行いながら該半導体素子の一時停止又は該目標制御値よりも低出力での制御により保護制御を行う保護制御手段と、該制御指令値を低減する制御指令値低減手段と、該目標制御値を該保護制御中の該実制御値と一致させる目標制御値擬制手段と、該保護制御中に該目標制御値擬制手段を用いる保護中目標制御値擬制手段と、
を備えることを特徴とする。
The system controller according to the third invention of the present application is:
A semiconductor element, and an actual control value acquisition means for acquiring information of an actual control value of the semiconductor element;
Deviation calculating means for calculating the deviation between the actual control value and the target control value; integration term calculating means for calculating an integral term included in the control command value; and the integral term and deviation of the immediately preceding control command value First control command value calculating means for determining a first control command value as a next control command value, first feedback control means for performing feedback control of the semiconductor element by the first control command value, and the first feedback Protection control means for performing protection control by temporarily stopping the semiconductor element or performing control at a lower output than the target control value while performing calculation by the first control command value calculation means during control by the control means, and the control Control command value reduction means for reducing the command value, target control value simulation means for matching the target control value with the actual control value during the protection control, and protection using the target control value simulation means during the protection control Medium target system And values constructive means,
It is characterized by providing.

本発明によりシステム制御装置の制御の安定性を保ち、自己保護から目標制御値での制御に復帰する際の制御値のオーバーシュートを抑制できる。   According to the present invention, it is possible to maintain control stability of the system control device and suppress overshoot of the control value when returning from self-protection to control with the target control value.

実施の形態1
本実施形態は、制御の一時停止が解除されたあとの制御値のオーバーシュートを抑制するシステム制御装置に関する。本実施形態の構成を説明するブロック図は図1である。本実施形態のシステム制御装置は上位システム24と下位システム22を備える。本実施形態で下位システム22は昇圧システムである。まず、下位システム22の構成を説明する。下位システム22はバッテリ16を備える。図1においてはバッテリ16の電圧センサー値をVBATとして示している。バッテリ16の後段には一次平滑コンデンサー14を備える。一次平滑コンデンサー14は回路に並列に接続される。一次平滑コンデンサー14は信号の平滑化を行う。一次平滑コンデンサー14の後段には回路に直列にリアクトル12が配置される。
Embodiment 1
The present embodiment relates to a system control device that suppresses overshooting of a control value after the suspension of control is released. FIG. 1 is a block diagram illustrating the configuration of this embodiment. The system control apparatus according to the present embodiment includes an upper system 24 and a lower system 22. In this embodiment, the lower system 22 is a boosting system. First, the configuration of the lower system 22 will be described. The lower system 22 includes a battery 16. In FIG. 1, the voltage sensor value of the battery 16 is shown as VBAT. A primary smoothing capacitor 14 is provided after the battery 16. The primary smoothing capacitor 14 is connected in parallel with the circuit. The primary smoothing capacitor 14 performs signal smoothing. A reactor 12 is arranged downstream of the primary smoothing capacitor 14 in series with the circuit.

リアクトル12の後段には昇圧半導体装置10を備える。昇圧半導体装置10は下位システムが行う昇圧を制御する部分である。昇圧半導体装置10は後述する上位システム24から制御指令値を受け取り、制御指令値で定める昇圧を実現する部分である。昇圧半導体装置10は整流のためのダイオード17を備える。さらに、前述した制御指令値に基づくPWM信号制御されるパワーデバイス(IGBT)13を備える。また、昇圧半導体装置10は下位システム22が過電流、加熱などの過負荷に至った場合に予め設定された一定期間自己の動作を休止する自己保護機能を備える。前述の自己保護機能は昇圧半導体装置10が備える自己保護制御部11が担う。さらに、自己保護制御部11により一定期間自己の動作の休止が行われた後に、再び制御指令値に一致する昇圧(制御)を行う自己復帰制御部19を備える。   A boosting semiconductor device 10 is provided in the subsequent stage of the reactor 12. The boosting semiconductor device 10 is a part that controls boosting performed by the lower system. The step-up semiconductor device 10 is a part that receives a control command value from a host system 24 (to be described later) and realizes boosting determined by the control command value. The step-up semiconductor device 10 includes a diode 17 for rectification. Furthermore, a power device (IGBT) 13 that is PWM signal controlled based on the control command value described above is provided. The step-up semiconductor device 10 also has a self-protection function that stops its own operation for a predetermined period when the lower system 22 reaches an overload such as overcurrent or heating. The above self-protection function is performed by the self-protection control unit 11 provided in the boost semiconductor device 10. Further, after the self-protection control unit 11 pauses its own operation for a certain period of time, the self-recovery control unit 19 that boosts (controls) the control command value again is provided.

さらに、本実施形態の昇圧半導体装置10は、自己保護制御部11による自己保護が行われていることを上位システム24へ通知する自己保護通知部21を備える。自己保護通知部21は、自己保護期間中においては自己保護制御を行っている旨、例えばHi/Low信号で通知するものである。   Furthermore, the booster semiconductor device 10 of the present embodiment includes a self-protection notification unit 21 that notifies the host system 24 that self-protection by the self-protection control unit 11 is being performed. The self-protection notification unit 21 notifies that self-protection control is being performed during the self-protection period, for example, using a Hi / Low signal.

さらに、昇圧半導体装置10の後段には回路に並列に二次平滑コンデンサー18を備える。二次平滑コンデンサー18の後段には負荷20が接続される。負荷20としては例えば、モーターなどが挙げられる。負荷20には昇圧後電圧センサー値VHをセンスするセンサーが備わる。VHと目標電圧値TVHとの差分(偏差)は△VHである。   Further, a secondary smoothing capacitor 18 is provided in the subsequent stage of the boosting semiconductor device 10 in parallel with the circuit. A load 20 is connected to the subsequent stage of the secondary smoothing capacitor 18. Examples of the load 20 include a motor. The load 20 includes a sensor that senses the boosted voltage sensor value VH. The difference (deviation) between VH and the target voltage value TVH is ΔVH.

一方、上位システム24は上位制御システム26を備える。上位制御システム26は下位システム22への制御指令値の演算、制御指令値の伝送などを行う部分である。上位制御システム26は、フィードフォワード演算部28、フィードバック演算部30、過剰制御抑制部32と目標電圧値演算部を備える。フィードフォワード演算部28は前述したバッテリ16の電圧センサー値VBATと昇圧後電圧センサー値VHを読み取る。そして、VBATとVHとから昇圧半導体装置10へ伝送されるべき制御指令値のフィードフォワード項を演算する。   On the other hand, the host system 24 includes a host control system 26. The host control system 26 is a part that performs calculation of control command values to the lower system 22, transmission of control command values, and the like. The host control system 26 includes a feedforward calculation unit 28, a feedback calculation unit 30, an excessive control suppression unit 32, and a target voltage value calculation unit. The feedforward calculation unit 28 reads the voltage sensor value VBAT and the boosted voltage sensor value VH of the battery 16 described above. Then, a feedforward term of a control command value to be transmitted from VBAT and VH to boost semiconductor device 10 is calculated.

フィードバック演算部30は、下位システム22で昇圧された実の電圧値である昇圧後電圧センサー値VHを取得する。これは図1において、両方向矢印23でしめされている。そして両者の偏差△VHを演算する偏差演算部(不図示)で△VHを演算する。この△VHをもとに、以下の式1に基づきフィードバック項を演算する。
フィードバック制御値=Kp×△VH+Ki×Σ△VH ・・・式1
ここに、Kpは比例定数であり、Ki積分定数である。式1において第一項のKp×△VHを比例項と称する。また、第二項のKi×Σ△VHを積分項と称する。本実施形態のフィードバック項は前述の通り、比例項と積分項との和で与えられる。そして前述のフィードバック項とフィードフォワード項との和が制御指令値として下位システム22へ伝送される。
The feedback calculation unit 30 acquires a post-boost voltage sensor value VH that is an actual voltage value boosted by the lower system 22. This is indicated by a double arrow 23 in FIG. Then, ΔVH is calculated by a deviation calculation unit (not shown) that calculates the difference ΔVH between the two. Based on this ΔVH, the feedback term is calculated based on the following Equation 1.
Feedback control value = Kp × ΔVH + Ki × ΣΔVH Equation 1
Here, Kp is a proportional constant and is a Ki integral constant. In Equation 1, the first term Kp × ΔVH is referred to as a proportional term. The second term Ki × ΣΔVH is referred to as an integral term. As described above, the feedback term of this embodiment is given by the sum of the proportional term and the integral term. Then, the sum of the feedback term and the feedforward term is transmitted to the lower system 22 as a control command value.

ここで、図2を用いて本実施形態が行うフィードバック制御について説明する。図2において横軸は時間である。また、説明の便宜上目標電圧値は一定とした。そして、目標電圧値と実電圧値との推移の例を示すグラフの下方のバーチャートは、グラフの位置に対応するフィードバック項(フィードバック量)を示す。図2から分かるように実制御値と目標電圧値との乖離が大きい場合(図2左方)はフィードバック項の値が大きい。これは現時点での制御指令値では実制御値が目標制御値を大きく下回るため、より大きな制御指令値を伝送し実制御値と目標制御値の乖離を低減するためである。一方実制御値と目標制御値との乖離が少ない領域(図2右方)においては、現時点での制御指令値が目標制御値と同程度であるからフィードバック項の値は小さい。   Here, feedback control performed by the present embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 2, the horizontal axis is time. For convenience of explanation, the target voltage value is assumed to be constant. A bar chart below the graph showing an example of transition between the target voltage value and the actual voltage value indicates a feedback term (feedback amount) corresponding to the position of the graph. As can be seen from FIG. 2, when the difference between the actual control value and the target voltage value is large (left side of FIG. 2), the value of the feedback term is large. This is because the actual control value is much lower than the target control value at the current control command value, so that a larger control command value is transmitted to reduce the difference between the actual control value and the target control value. On the other hand, in a region where the deviation between the actual control value and the target control value is small (right side in FIG. 2), the value of the feedback term is small because the current control command value is approximately the same as the target control value.

前述の通りフィードバック項は、過渡的な実電圧値−目標電圧値間の偏差を補正するべき比例項と、定常的な実電圧値−目標電圧値間の偏差を補正するべき積分項とからなる。比例項と積分項はこのようなものであるため、一般に、目標電圧値と実電圧値との偏差が大きいとフィードバック項の主体は比例項となる(比例項が積分項に対して支配的となる)。一方、目標電圧値と実電圧値との偏差が小さいとフィードバック項の主体は積分項となる(積分項が比例項に対して支配的となる)。このように本実施形態では、フィードフォワード制御とフィードバック制御を用いて、図2に表されるように目標電圧値と実電圧値とを一致させるように制御指令値を定める。   As described above, the feedback term is composed of a proportional term for correcting the deviation between the transient actual voltage value and the target voltage value and an integral term for correcting the deviation between the steady actual voltage value and the target voltage value. . Since the proportional term and the integral term are such, generally, if the deviation between the target voltage value and the actual voltage value is large, the feedback term becomes the proportional term (the proportional term is dominant over the integral term). Become). On the other hand, when the deviation between the target voltage value and the actual voltage value is small, the main part of the feedback term becomes the integral term (the integral term becomes dominant with respect to the proportional term). As described above, in this embodiment, the control command value is determined using feedforward control and feedback control so that the target voltage value and the actual voltage value coincide with each other as shown in FIG.

次いで過剰制御抑制部32について説明する。過剰制御抑制部32は昇圧半導体装置10で自己保護が実施されている通知を受ける。また、過剰制御抑制部32には記憶装置33が接続されている。記憶装置33には自己保護を開始する前の積分項(以後、開始前積分項と称する)が記憶されている(詳細は後述する)。過剰制御抑制部32は自己保護解除後の最初の制御指令値を生成する。過剰制御抑制部32は自己保護解除後の最初の制御指令値として用いる積分項に、開始前積分項を用いて制御指令値を演算する。過剰制御抑制部32と記憶装置33とは自己保護解除後の最初の制御指令値を定めるために配置されており本発明の特徴部分の1つでもある。   Next, the excessive control suppression unit 32 will be described. The excessive control suppression unit 32 receives a notification that self-protection is being implemented in the boost semiconductor device 10. In addition, a storage device 33 is connected to the excessive control suppression unit 32. The storage device 33 stores an integral term before starting self-protection (hereinafter referred to as a pre-start integral term) (details will be described later). The excessive control suppression unit 32 generates the first control command value after the self-protection is canceled. The excessive control suppression unit 32 calculates the control command value using the integral term before start as the integral term used as the first control command value after the self-protection is canceled. The excessive control suppression unit 32 and the storage device 33 are arranged to determine the first control command value after the self-protection is canceled, and are also one of the characteristic portions of the present invention.

フィードフォワード演算部28、フィードバック演算部30、過剰制御抑制部32、記憶装置33を備える上位制御システム26は前述した機能を実現するマイコンおよびメモリー装置を備えている。本実施形態の構成は上述の通りであり、上位制御システム26が偏差△VHなどに基づいて、目標制御値(目標電圧値)を達成するべく制御指令値を演算し下位システムへ指令を行う。そして、再度△VHを演算し、新たな制御指令値を演算・指令する。さらに、本実施形態のシステム制御装置は、素子保護のために自己保護制御部11により一定期間自己の動作の休止を行うことができる。また、自己保護の解除後最初の制御指令値は、過剰制御抑制部32により生成され昇圧半導体装置10へ伝送される。なお、本実施形態では自己保護制御中においても上位制御システム26は稼動を継続する。すなわち、自己保護制御中でも比例項、積分項フィードフォワード項の演算を行い続ける。このときの演算のデータとなる△VHなどの変数は自己保護制御中のものが用いられる。   The host control system 26 including the feedforward calculation unit 28, the feedback calculation unit 30, the excessive control suppression unit 32, and the storage device 33 includes a microcomputer and a memory device that realize the functions described above. The configuration of the present embodiment is as described above, and the host control system 26 calculates a control command value and commands the lower system to achieve the target control value (target voltage value) based on the deviation ΔVH and the like. Then, ΔVH is calculated again, and a new control command value is calculated and commanded. Furthermore, the system control apparatus of the present embodiment can pause its own operation for a certain period by the self-protection control unit 11 for element protection. Further, the first control command value after the self-protection is released is generated by the excessive control suppressing unit 32 and transmitted to the boosting semiconductor device 10. In the present embodiment, the host control system 26 continues to operate even during the self-protection control. That is, the calculation of the proportional term and the integral term feedforward term is continued even during the self-protection control. Variables such as ΔVH that are the data of the calculation at this time are those under self-protection control.

図3は本実施形態の積分項の演算方法について説明するフローチャートである。以後図3に沿って説明する。まず、上位制御システム26が、自己保護通知部21より自己保護を行っている旨の通知(自己保護通知)を受けたか判断する(ステップ100)。自己保護通知を受けた場合、直前の(一回前の)ルーチンにおいて自己保護通知を受けたかを判断する(ステップ105)。直前のルーチンにおいても自己保護通知を受けていた場合、そのままルーチンを終了する。一方直前のルーチンにおいて自己保護通知を受けていなかった場合はステップ110へと処理が進められる。ステップ110では積分項(Σ△VH)が記憶装置33へ記憶される。ここで、ステップ110で記憶される積分項はステップ110に処理が進められた際の最新の積分項である。この積分項は前述した開始前積分項である。そしてステップ110にて開始前積分項を記憶装置33へ記憶するとルーチンを終了する。   FIG. 3 is a flowchart for explaining an integral term calculation method according to this embodiment. Hereinafter, description will be made with reference to FIG. First, it is determined whether the host control system 26 has received a notification (self-protection notification) indicating that self-protection is being performed from the self-protection notification unit 21 (step 100). When the self-protection notification is received, it is determined whether the self-protection notification has been received in the immediately preceding (previous) routine (step 105). If the self-protection notification has been received in the immediately preceding routine, the routine is terminated as it is. On the other hand, if the self-protection notification has not been received in the immediately preceding routine, the process proceeds to step 110. In step 110, the integral term (ΣΔVH) is stored in the storage device 33. Here, the integral term stored in step 110 is the latest integral term when the processing proceeds to step 110. This integral term is the pre-start integral term described above. When the integral term before start is stored in the storage device 33 in step 110, the routine is terminated.

また、ステップ100において、自己保護通知部21より自己保護通知を受けなかった場合はステップ111へと処理が進められる。ステップ111では、上位制御システム26が直前の(一回前の)ルーチンにおいて自己保護通知を受けたか判断する。ステップ111で直前のルーチンにおいて自己保護通知を受けていないと判断した場合は、自己保護を行っていないことになるため本ルーチンを終了する。   In step 100, if the self-protection notification is not received from the self-protection notification unit 21, the process proceeds to step 111. In step 111, it is determined whether the host control system 26 has received a self-protection notification in the immediately preceding (previous) routine. If it is determined in step 111 that the self-protection notification has not been received in the immediately preceding routine, the self-protection is not performed, and the routine is terminated.

一方ステップ111で直前のルーチンにおいて自己保護通知を受けたと判断した場合はステップ112へと処理が進められる。ステップ112に処理が進められた場合、昇圧半導体装置10は自己保護を解除された直後である。すなわち、次に下位システム22へ伝送される制御指令値は自己保護解除後最初の制御指令値である。前述したように自己保護解除後最初の制御指令値は過剰制御抑制部32が生成する。ステップ112では過剰制御抑制部32が記憶装置33に記憶された開始前積分項を読み込む。そして開始前積分項をフィードバック項の積分項として制御指令値を生成(演算)する。なお、自己保護解除後最初の制御指令値を演算する際であっても、フィードフォワード項や比例項はフィードフォワード演算部28、フィードバック演算部30で演算されたものを用いる。自己保護解除後最初の制御指令値はステップ112で演算した制御指令値が使用される。   On the other hand, if it is determined in step 111 that the self-protection notification has been received in the immediately preceding routine, the process proceeds to step 112. When the process proceeds to step 112, the boosting semiconductor device 10 is immediately after the self-protection is released. That is, the control command value transmitted to the lower system 22 next is the first control command value after the self-protection is canceled. As described above, the excessive control suppression unit 32 generates the first control command value after the self-protection is canceled. In step 112, the excessive control suppressing unit 32 reads the pre-start integral term stored in the storage device 33. Then, a control command value is generated (calculated) using the integral term before start as the integral term of the feedback term. Even when calculating the first control command value after canceling the self-protection, the feedforward term and the proportional term are those calculated by the feedforward calculating unit 28 and the feedback calculating unit 30. The control command value calculated in step 112 is used as the first control command value after the self-protection is released.

図4は本実施形態の比較例における実電圧、目標電圧、フィードバック量の推移を示す図である。ここで、比較例とは自己保護制御の解除後最初の制御指令値も自己保護前と同様にフィードバック演算部とフィードフォワード演算部とで演算された制御指令値によって下位システムである昇圧システムを制御するシステム制御装置である。また、比較例の構成においても自己保護制御を行うことが可能である。しかし、比較例の構成は過剰制御抑制部のように自己保護解除後に制御指令値を修正する特別な構成は備えないものとする。   FIG. 4 is a diagram showing transitions of the actual voltage, the target voltage, and the feedback amount in the comparative example of the present embodiment. Here, the first control command value after cancellation of self-protection control is the same as in the comparative example, and the booster system, which is a lower system, is controlled by the control command value calculated by the feedback calculation unit and feedforward calculation unit as before self-protection. It is a system control device. Also, the self-protection control can be performed in the configuration of the comparative example. However, the configuration of the comparative example does not include a special configuration for correcting the control command value after the self-protection is released, like the overcontrol suppression unit.

図4には、このような比較例のシステム制御装置が自己保護を行い、その後自己保護制御を解除した後の実電圧の推移が示されている。図4の上方の目標電圧と実電圧の波形、その下方のバーチャート(フィードバック量)は図2と同様の様式である。ここで、TからTまでの期間は自己保護期間である。本実施形態では自己保護期間においては、制御を停止しているため目標電圧と実電圧との乖離が大きいことが分かる。フィードバック制御部はこのような乖離を「定常的な目標電圧と実電圧との偏差」とみなして積分値を増大させる。そして比較例においては、自己保護解除(T)後最初の制御指令値を定める際には前述の増大した積分項を用いる。ゆえに制御指令値は過大な値となり、図4に示すように、実電圧が目標電圧を大きく超えるオーバーシュートが起こる。その結果として、システム制御装置に過電圧印加や、過電流が流れてシステム制御装置にダメージを及ぼす問題が考えられる。 FIG. 4 shows the transition of the actual voltage after such a system control device of the comparative example performs self-protection and then cancels the self-protection control. The upper target voltage and actual voltage waveforms in FIG. 4 and the lower bar chart (feedback amount) are in the same manner as in FIG. Here, the period from T A to T B is a self-protection period. In the present embodiment, it can be seen that during the self-protection period, the control is stopped, so that the difference between the target voltage and the actual voltage is large. The feedback control unit regards such a divergence as “a deviation between the steady target voltage and the actual voltage” and increases the integral value. In the comparative example, when the first control command value after the self-protection release (T B ) is determined, the increased integral term is used. Therefore, the control command value becomes an excessive value, and as shown in FIG. 4, an overshoot in which the actual voltage greatly exceeds the target voltage occurs. As a result, there may be a problem that an overvoltage is applied to the system control device or an overcurrent flows to damage the system control device.

本実施形態の構成によれば、上述の問題を解決できる。すなわち、自己保護制御の解除後最初の制御指令値を演算する際には記憶装置33に記憶された開始前積分項が用いられる。このため自己保護により過大となった積分項を用いずに制御指令値が演算できるからオーバーシュートを抑制できる。このことを図で表現すると図5のようになる。図5は実電圧および目標電圧の波形と、フィードバック量が示されている。図5では、自己保護期間が経過した後のフィードバック量はメモリ値(記憶装置に記憶された開始前積分項)と比例項との和である。よって積分項が目標制御値を達成するための適切な値となりオーバーシュートを回避できる。しかも、開始前積分項は自己保護開始時の積分項であるため実制御値−目標制御値の定常的乖離を是正する適切な積分項である。よって、自己保護制御解除直後であっても実制御値−目標制御値を精度良く一致させる制御指令値を演算できる。   According to the configuration of the present embodiment, the above-described problem can be solved. In other words, the pre-start integral term stored in the storage device 33 is used when calculating the first control command value after canceling the self-protection control. For this reason, since a control command value can be calculated without using an integral term that has become excessive due to self-protection, overshoot can be suppressed. This can be expressed as shown in FIG. FIG. 5 shows the waveforms of the actual voltage and the target voltage, and the feedback amount. In FIG. 5, the feedback amount after the self-protection period has elapsed is the sum of the memory value (the integral term before start stored in the storage device) and the proportional term. Therefore, the integral term becomes an appropriate value for achieving the target control value, and overshoot can be avoided. In addition, since the pre-start integral term is an integral term at the start of self-protection, it is an appropriate integral term that corrects the steady divergence between the actual control value and the target control value. Therefore, it is possible to calculate a control command value that accurately matches the actual control value and the target control value even immediately after the self-protection control is released.

本実施形態においては、自己保護制御部11により昇圧半導体装置が「予め設定された一定期間自己の動作を休止」することとしたが本発明はこれに限定されない。すなわち、自己保護制御部は自己保護中に制御を休止させるのではなく、目標制御値よりも低出力で制御を継続することとしても本発明の効果を失わない。このような自己保護の手法であっても積分項は過大な値となると考えられるから、自己保護解除後の最初の制御指令値を定める際の積分項として開始前積分項を用いてオーバーシュートを抑制する効果を得られる。   In the present embodiment, the boosting semiconductor device “suspends its own operation for a preset period of time” by the self-protection control unit 11, but the present invention is not limited to this. That is, the self-protection control unit does not suspend control during self-protection, but does not lose the effect of the present invention even if control is continued at a lower output than the target control value. Even with such a self-protection method, the integral term is considered to be excessive, so overshooting is performed using the pre-start integral term as the integral term when determining the first control command value after self-protection is canceled. An inhibitory effect can be obtained.

本実施形態においては、自己保護通知部は「自己保護期間中においては自己保護制御を行っている旨を通知する」としたが本発明はこれに限定されない。すなわち、自己保護期間が予め定められた一定期間であれば、自己保護通知部はその開始時期のみ上位制御システム26へ通知しても良い。その場合上位制御システム側で自己保護終了時期を演算して積分項の置き換えを行えば本発明の効果を得られる。また、自己保護通知部が自己制御開始時期と終了時期のみ上位制御システムへ通知しても良い。ここで示したいずれの場合においても自己保護開始時に開始時積分項を記憶し、自己保護終了時に積分項の置き換えを行うことができる。これらのようにすれば、本発明の効果を失わないし自己保護期間中常に「自己保護制御を行っている旨を通知する」必要はなくなるから下位システム−上位システム間の通信回数低減が可能である。   In the present embodiment, the self-protection notification unit “notifies that self-protection control is being performed during the self-protection period”, but the present invention is not limited to this. That is, if the self-protection period is a predetermined period, the self-protection notification unit may notify the host control system 26 only at the start time. In that case, the effect of the present invention can be obtained by calculating the self-protection end time on the host control system side and replacing the integral term. Further, the self-protection notification unit may notify the host control system only of the self-control start time and end time. In any of the cases shown here, the integral term at the start can be stored at the start of self-protection, and the integral term can be replaced at the end of self-protection. By doing so, the effect of the present invention is not lost, and it is not necessary to always “notify that self-protection control is being performed” during the self-protection period, so the number of communications between the lower system and the upper system can be reduced. .

本実施形態においては、上位制御システムが備える記憶装置には「開始前積分項」が記憶されることとしたが本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、記憶装置には自己保護解除後に使用してもオーバーシュートを起さない、予め定められた積分項(例えば、出荷段階などでオーバーシュートを起さない積分項が分かっている場合はその積分項)を記憶させても良い。あるいは、積分項だけでなく自己保護解除後に用いる制御指令値を記憶しても良い。このようにすると、本実施形態で行った「開始前積分項を抽出し、記憶装置に記憶させる」プロセスを省略できる。よって自己保護開始時期(自己保護直後の時期)の情報を上位システムが認識する必要がない。この場合過剰制御抑制部は自己保護終了時期だけ把握できれば、記憶装置に記憶された積分項を読み込み自己保護解除後最初の制御指令値を計算することができる。   In the present embodiment, the “pre-start integral term” is stored in the storage device included in the host control system, but the present invention is not limited to this. In other words, the storage device has a predetermined integral term that does not cause overshoot even after use after canceling self-protection (for example, if the integral term that does not cause overshoot at the shipping stage is known, the integration term is used. Item) may be stored. Or you may memorize | store not only an integral term but the control command value used after self-protection cancellation | release. In this way, the process of “extracting the integral term before start and storing it in the storage device” performed in this embodiment can be omitted. Therefore, it is not necessary for the host system to recognize information on the self-protection start time (time immediately after self-protection). In this case, if the over-control suppressing unit can grasp only the self-protection end time, it can read the integral term stored in the storage device and calculate the first control command value after canceling the self-protection.

実施の形態2
本実施形態は昇圧半導体装置の自己保護期間における積分項を補正しその値が過大となることを防止するシステム制御装置に関する。本実施形態の構成は実施形態1の構成に加えて、自己保護期間中に積分項を固定する積分項固定部(図示せず)が備わる。本実施形態では積分項固定部はフィードバック演算部の内部に備わるが他の場所に配置されていても良い。
Embodiment 2
The present embodiment relates to a system control apparatus that corrects an integral term in a self-protection period of a boosting semiconductor device and prevents the value from becoming excessive. In addition to the configuration of the first embodiment, the configuration of the present embodiment includes an integral term fixing unit (not shown) that fixes the integral term during the self-protection period. In the present embodiment, the integral term fixing unit is provided inside the feedback calculation unit, but may be arranged at another location.

図6は本実施形態の積分項調整ルーチンを説明するフローチャートである。図6は図3のステップ110がステップ210に置き換わった点を除いて図3と同様であるから図3との相違点のみ説明し他の説明は省略する。図6に示されるように、ステップ100で自己保護通知があり、かつステップ105で直前のルーチンにおいて自己保護通知を受けなかったと判断した場合にステップ210へ処理が進められる。すなわち、ステップ210は自己保護があった直後に行われる処理を説明するものである。ステップ210では、まず、実施形態1と同様に開始前積分項を記憶装置に記憶する。それと共に、フィードバック演算部で演算が継続されている積分項を規定値KK1に固定する。積分項の規定値KK1への固定は、前述した積分項固定部が行う。そして、このように積分項をKK1に固定するのは最初にステップ210の処理が行われてから自己保護制御が解除されるまでの期間である。   FIG. 6 is a flowchart for explaining the integral term adjustment routine of this embodiment. FIG. 6 is the same as FIG. 3 except that step 110 in FIG. 3 is replaced with step 210. Therefore, only differences from FIG. 3 will be described, and the other description will be omitted. As shown in FIG. 6, when it is determined in step 100 that there is a self-protection notification and in step 105 it is determined that the self-protection notification has not been received in the immediately preceding routine, the process proceeds to step 210. That is, step 210 explains the process performed immediately after the self-protection. In step 210, first, the pre-start integral term is stored in the storage device as in the first embodiment. At the same time, the integral term for which the calculation is continued in the feedback calculation unit is fixed to the specified value KK1. The integral term is fixed to the specified value KK1 by the integral term fixing unit described above. The integral term is fixed to KK1 in this way from the time when the process of step 210 is first performed until the self-protection control is released.

前述した規定値KK1とは、システムにあらかじめ定められている値である。KK1は積分項として用いられる際に下位システムの制御値がオーバーシュートを起さない値である。   The specified value KK1 described above is a value predetermined in the system. KK1 is a value at which the control value of the lower system does not cause overshoot when used as an integral term.

ここで、本実施形態のように「自己保護期間中に積分項を固定する」意義について説明する。実施形態1の構成では自己保護解除後の最初の制御指令値をオーバーシュートを起さない制御指令値とする。このことにより、自己保護解除後の最初の制御指令値が過大な値となることを回避できている。しかしながら、実施形態1において説明した図3の積分項調整ルーチンが回る(一巡する)ためには一定の処理時間を要するものである。従って過剰制御抑制部が「自己保護解除直後」であることを検出する前に、過大な積分値を用いて演算された制御指令値によって自己保護解除後の制御が再開されることも考えられる。実施形態1においては、前述のような問題も起こり得るため、システム制御装置の動作状況によってはオーバーシュート対策が完全とは言えないという問題があった。   Here, the significance of “fixing the integral term during the self-protection period” as in the present embodiment will be described. In the configuration of the first embodiment, the first control command value after releasing the self-protection is set to a control command value that does not cause overshoot. As a result, it is possible to prevent the first control command value after the self-protection cancellation from becoming an excessive value. However, a certain processing time is required for the integral term adjustment routine of FIG. Therefore, it is conceivable that the control after the self-protection is released is resumed by the control command value calculated using the excessive integral value before the excessive control suppression unit detects that “just after the self-protection is released”. In the first embodiment, since the above-described problem may occur, there is a problem that overshoot countermeasures may not be perfect depending on the operation state of the system control apparatus.

本実施形態の構成によれば、積分項固定部により自己保護期間中に積分項が規定値KK1に固定されるため、自己保護期間中であっても積分項が過大となることはない。従って、仮に自己保護解除後最初の制御指令値が過剰制御抑制部ではなくフィードバック演算部で演算されたものであってもオーバーシュートを抑制できる。ここで、本実施形態の構成で実現される実制御値の動きについて図7を用いて説明する。図7は前述の図2と同様に、目標制御値に対する実制御値の時間変化を説明する図である。また、バーチャートがフィードバック量を表す点も図2などと同様である。図7は、自己保護期間終了後に、自己保護期間中の積分項が用いられてもオーバーシュートを起さないことを表している。   According to the configuration of the present embodiment, since the integral term is fixed to the specified value KK1 during the self-protection period by the integral term fixing unit, the integral term does not become excessive even during the self-protection period. Therefore, even if the first control command value after cancellation of self-protection is calculated by the feedback calculation unit instead of the excessive control suppression unit, overshoot can be suppressed. Here, the movement of the actual control value realized by the configuration of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a diagram for explaining the time change of the actual control value with respect to the target control value, as in FIG. 2 described above. The point that the bar chart represents the feedback amount is the same as in FIG. FIG. 7 shows that no overshoot occurs even if the integral term during the self-protection period is used after the self-protection period ends.

本実施形態では、積分項固定部はフィードバック制御部に配置したが、この配置は本発明を得るための必須要件ではないからどこに配置されていても良い。   In the present embodiment, the integral term fixing unit is arranged in the feedback control unit, but this arrangement is not an essential requirement for obtaining the present invention, and may be arranged anywhere.

本実施形態では、自己保護期間中の積分項を規定値KK1に固定したが本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、本発明は自己保護期間中の積分項が過大になること自体を回避する点に特徴があるから、「積分項を規定値KK1に固定」することに代えて例えば、「積分項を0に固定」しても、「積分項の演算を行わない」こととしても、「積分項を定期的にリセット」しても本発明の効果を失わない。   In the present embodiment, the integral term during the self-protection period is fixed to the specified value KK1, but the present invention is not limited to this. That is, the present invention is characterized in that the integral term itself during the self-protection period is avoided in itself. Therefore, instead of “fixing the integral term to the specified value KK1”, for example, “integral term is set to 0”. The effect of the present invention is not lost even if "the integral term is not calculated" or "the integral term is periodically reset".

実施の形態3
本実施形態は記憶装置を用いることなく、自己保護制御解除後のオーバーシュートを抑制するシステム制御装置に関する。本実施形態の構成は以下を除き実施形態1の構成と同様である。すなわち、本実施形態の上位制御システムは、実施形態1の過剰制御抑制部および記憶装置に代えて保護直後積分項演算部を備える。保護直後積分項演算部は、自己保護制御解除後の最初の積分項を演算する部分である。保護直後積分項演算部は自己保護解除時の比例項を取得し、その比例項から自己保護制御解除後の最初の積分項を演算する。具体的には以下の式2により演算が行われる。
保護直後積分項演算部が演算する積分項=Kp×△VH/Ki ・・・式2
このようにして、自己保護制御解除後の最初の積分項を△VHに応じた適切な値とすることができる。本実施形態の構成によれば、開始前積分項などを記憶すべき記憶装置は不要であるから、自己保護制御解除後のオーバーシュート抑制とシステム制御装置の小型化が可能である。
Embodiment 3
The present embodiment relates to a system control apparatus that suppresses overshoot after canceling self-protection control without using a storage device. The configuration of the present embodiment is the same as that of the first embodiment except for the following. That is, the host control system of this embodiment includes an integral term calculation unit immediately after protection in place of the excessive control suppression unit and the storage device of the first embodiment. The integral term computing unit immediately after protection is a part that computes the first integral term after the self-protection control is canceled. The integral term calculation unit immediately after protection obtains the proportional term when the self-protection is canceled, and calculates the first integral term after the self-protection control is canceled from the proportional term. Specifically, the calculation is performed by the following equation 2.
Integral term calculated by the integral term calculation unit immediately after protection = Kp × ΔVH / Ki Equation 2
In this way, the first integral term after cancellation of self-protection control can be set to an appropriate value according to ΔVH. According to the configuration of the present embodiment, since a storage device that should store an integral term before start and the like is not necessary, it is possible to suppress overshoot after the self-protection control is released and to downsize the system control device.

図8は保護直後積分項演算部が行う積分項調整ルーチンを説明する図である。まず、自己保護通知部から自己保護通知があったか判断する(ステップ100)。自己保護通知があった場合は自己保護制御中であるからルーチンを終了する。一方自己保護通知を検出しないときはステップ111へ処理が進められる。ステップ111では直前のルーチンで自己保護通知を検出したか判断する。ステップ111で直前のルーチンにおいて自己保護通知を検出したと判断した場合はステップ304へと処理が進められる。ステップ304では、保護直後積分項演算部により式2に基づき比例成分から積分項が演算されルーチンを終了する。ステップ304で演算された積分項は自己保護解除後最初の制御指令値の積分項として使われる。   FIG. 8 is a diagram for explaining an integral term adjustment routine performed by the integral term calculation unit immediately after protection. First, it is determined whether a self-protection notification is received from the self-protection notification unit (step 100). If there is a self-protection notification, the routine ends because self-protection control is in progress. On the other hand, if no self-protection notification is detected, the process proceeds to step 111. In step 111, it is determined whether the self-protection notification has been detected in the immediately preceding routine. If it is determined in step 111 that the self-protection notification has been detected in the immediately preceding routine, the process proceeds to step 304. In step 304, the integral term is calculated from the proportional component based on Equation 2 by the integral term computing unit immediately after protection, and the routine is terminated. The integral term calculated in step 304 is used as the integral term of the first control command value after canceling the self-protection.

本実施形態の特徴は自己保護制御解除後の比例項を用いて積分項を演算する点にある。よって、式2は例示であり比例項から妥当な積分項が演算できる限りにおいては特に限定されるものではない。   The feature of this embodiment is that the integral term is calculated using the proportional term after the self-protection control is canceled. Therefore, Expression 2 is an example, and is not particularly limited as long as a reasonable integral term can be calculated from the proportional term.

実施の形態4
本実施形態は自己保護期間中の目標制御値を実制御値と一致させて自己保護解除後のオーバーシュートを抑制するシステム制御装置に関する。本実施形態の構成は以下を除き実施形態1の構成と同様である。すなわち、本実施形態は実施形態1における過剰制御抑制部と記憶装置に代えて、目標制御値変更部(図示せず)を備える。目標制御値変更部は目標制御値(目標電圧値)を実制御値と一致させるものである。目標制御変更部は、下位システム22の自己保護通知部21から自己保護通知を受けることができる配線又は通信手段を備える。また、実制御値(図1では昇圧後電圧センサー値)を取得するための配線又は通信手段を備える。
Embodiment 4
The present embodiment relates to a system control device that suppresses overshoot after the self-protection is canceled by making the target control value during the self-protection period coincide with the actual control value. The configuration of the present embodiment is the same as that of the first embodiment except for the following. That is, this embodiment includes a target control value changing unit (not shown) instead of the excessive control suppressing unit and the storage device in the first embodiment. The target control value changing unit makes the target control value (target voltage value) coincide with the actual control value. The target control change unit includes a wiring or a communication unit that can receive a self-protection notification from the self-protection notification unit 21 of the lower system 22. In addition, a wiring or communication means for acquiring an actual control value (voltage sensor value after boosting in FIG. 1) is provided.

上述のような目標制御値変更部は自己保護通知を受けると、実制御値を取得する。次いで、取得された実制御値と一致する目標制御値を生成する。そして自己保護期間中は、ここで生成された目標制御値をそのまま制御指令値として昇圧半導体装置10へ送信する。   When the target control value changing unit as described above receives the self-protection notification, the target control value changing unit acquires the actual control value. Next, a target control value that matches the acquired actual control value is generated. During the self-protection period, the target control value generated here is transmitted as it is to the boost semiconductor device 10 as a control command value.

前述のように目標制御値を実制御値と一致させた制御指令値を昇圧半導体装置10へ送信し制御を行うと△VHは0となる。従って比例項と積分項はともに0となる。よって自己保護期間解除後の最初の制御指令値についての積分項が過大になることはないので、オーバーシュートを抑制できる。   As described above, when the control command value in which the target control value is matched with the actual control value is transmitted to the step-up semiconductor device 10 and the control is performed, ΔVH becomes zero. Therefore, both the proportional term and the integral term are zero. Therefore, since the integral term for the first control command value after the self-protection period is released does not become excessive, overshoot can be suppressed.

実施の形態5
本実施形態は自己保護解除後の所定期間における目標制御値に時間の関数で0から1まで上昇する式の演算結果を乗ずることで、目標制御値を低減しオーバーシュートを抑制するシステム制御装置に関する。本実施形態の構成は以下を除き実施形態1の構成と同様である。すなわち、本実施形態は実施形態1における過剰制御抑制部と記憶装置に代えて、上位制御システム26に目標制御値変換部(図示せず)を備える。目標制御値変換部は、自己保護通知部21から自己保護通知を受けるための配線又は通信手段を備える。また、実制御値(図1では昇圧後電圧センサー値)を取得するための配線又は通信手段も備える。目標制御値変換部は自己保護通知を受けた後、さらに後続の自己保護通知を受けなくなった場合、すなわち、自己保護解除後に実制御値を取得する。そして目標制御値を以下の式3に基づいて変換する。
変換後目標制御値=実制御値+f(tco)×(当初目標制御値−実制御値)・・・式3
ここで、関数f(tco)は、時間の関数であり、自己保護制御の解除時をtco=0とする。なお、式3において当初目標制御値とは変換される前の目標制御値のことである。式3における関数f(tco)の時間変化は図11に示す。図11から把握できるようにf(tco)は時間tffukkiの間に0から1へ緩やかに増加する時間の関数である。前述のtffukkiは自己保護解除後のオーバーシュートの可能性などによって適宜定められる。このようにして演算された変換後目標制御値はフィードバック制御部30などに送信される。そしてフィードバック制御部30は変換後目標制御値を受信したときは、当初目標制御値に優先して変換後目標制御値を用いる。
Embodiment 5
The present embodiment relates to a system control device that reduces a target control value and suppresses overshoot by multiplying a target control value in a predetermined period after cancellation of self-protection by a calculation result of an expression that rises from 0 to 1 as a function of time. . The configuration of the present embodiment is the same as that of the first embodiment except for the following. That is, this embodiment is provided with a target control value conversion unit (not shown) in the host control system 26 instead of the excessive control suppression unit and the storage device in the first embodiment. The target control value conversion unit includes wiring or communication means for receiving a self-protection notification from the self-protection notification unit 21. In addition, wiring or communication means for acquiring an actual control value (voltage sensor value after boosting in FIG. 1) is also provided. After receiving the self-protection notification, the target control value conversion unit acquires the actual control value when the subsequent self-protection notification is not received, that is, after the self-protection is canceled. Then, the target control value is converted based on Equation 3 below.
Target control value after conversion = actual control value + f (tco) × (initial target control value−actual control value) Equation 3
Here, the function f (tco) is a function of time, and tco = 0 when the self-protection control is released. In Equation 3, the initial target control value is the target control value before conversion. The time change of the function f (tco) in Equation 3 is shown in FIG. As can be seen from FIG. 11, f (tco) is a function of time that gradually increases from 0 to 1 during time t ffukki . The above-mentioned t ffukki is appropriately determined depending on the possibility of overshoot after the cancellation of self-protection. The converted target control value calculated in this way is transmitted to the feedback control unit 30 and the like. When receiving the converted target control value, the feedback control unit 30 uses the converted target control value in preference to the initial target control value.

図10は上述の復帰後目標制御値設定のためのルーチンを説明する図である。以下図10に沿ってこのルーチンを説明する。まず、自己保護通知部から自己保護通知があったか判断する(ステップ400)。ステップ400で自己保護通知があったと判断したときはステップ401へ処理が進められる。ステップ401では実制御値(図1の場合昇圧後電圧センサー値)の取得が行われる。次いでステップ402へ処理が進められる。ステップ402では、目標制御値をステップ401で取得した実制御値と一致させてフィードバック演算部30へ送信する。これにより自己保護期間中の積分項が過大な値となることを防止できる。   FIG. 10 is a diagram illustrating a routine for setting the target control value after return described above. Hereinafter, this routine will be described with reference to FIG. First, it is determined whether a self-protection notification is received from the self-protection notification unit (step 400). If it is determined in step 400 that there is a self-protection notification, the process proceeds to step 401. In step 401, an actual control value (voltage sensor value after boosting in the case of FIG. 1) is acquired. Next, the process proceeds to step 402. In step 402, the target control value is matched with the actual control value acquired in step 401 and transmitted to the feedback calculation unit 30. This can prevent the integral term during the self-protection period from becoming an excessive value.

一方ステップ400で自己保護通知を受けたと判断しないときは、ステップ404へ処理が進められる。ステップ404では本ルーチンの直前のルーチンにおいて自己保護通知があったか判断する。ステップ404で自己保護通知があったと判断した時は、自己保護制御が解除された直後である。式3で用いるtcoを0とする。その上で、ステップ407へ進み実制御値を取得する。次いでステップ408へ進み式3に基づき変換後目標制御値を演算する。   On the other hand, if it is not determined in step 400 that the self-protection notification has been received, the process proceeds to step 404. In step 404, it is determined whether there has been a self-protection notification in the routine immediately before this routine. When it is determined in step 404 that there is a self-protection notification, it is immediately after the self-protection control is released. Let tco used in Equation 3 be zero. After that, the process proceeds to step 407 to acquire the actual control value. Next, the routine proceeds to step 408, where the post-conversion target control value is calculated based on Equation 3.

また、ステップ404で自己保護通知をあったと判断しない場合はステップ410へと処理が進められる。ステップ410では式3で用いるtcoの加算が行われる。すなわち1つ前のルーチンで定めたtcoに本ルーチンを一回処理するために要する時間tRを加えた値が演算される。ステップ410を終えるとステップ412へと処理が進められる。ステップ412ではステップ410の左辺で示されるtcoがtffukkiと比較して大きいか判断する。tco>tffukkiであればルーチンを終了する。一方tco≦tffukkiであるときはステップ407へ進み実制御値を取得する。さらにステップ408へ進み変換後目標制御値を演算する。 If it is not determined in step 404 that a self-protection notification has been received, the process proceeds to step 410. In step 410, tco used in Equation 3 is added. That is, the value obtained by adding the time t R required to process once this routine tco that determined in the previous routine is calculated. When step 410 is completed, the process proceeds to step 412. In step 412, it is determined whether tco shown on the left side of step 410 is larger than tffukki. If tco> tffukki, the routine ends. On the other hand, when tco ≦ tffukki, the process proceeds to step 407 to acquire the actual control value. Furthermore, it progresses to step 408 and the target control value after conversion is calculated.

このように、本実施形態の復帰後目標制御値設定はtcoがtffukki以下である限り、変換後目標制御値を演算しつづける。そして、変換後目標制御値を用いてフィードバック制御が行われる。   Thus, the post-return target control value setting in this embodiment continues to calculate the post-conversion target control value as long as tco is equal to or less than tffukki. Then, feedback control is performed using the converted target control value.

図9は実制御値、当初目標制御値、変換後目標制御値について説明する図である。実施形態1においては自己保護解除後にも目標制御値は変わらない。これは図9において当初制御値80で表される。一方本実施形態では自己保護解除後の制御指令値は式3にもとづく変換後目標制御値が用いられる。変換後目標制御値は図9において破線82のように漸増する。   FIG. 9 is a diagram for explaining the actual control value, the initial target control value, and the converted target control value. In the first embodiment, the target control value does not change even after the self-protection is canceled. This is represented by an initial control value 80 in FIG. On the other hand, in this embodiment, the post-conversion target control value based on Equation 3 is used as the control command value after the self-protection cancellation. The converted target control value gradually increases as shown by a broken line 82 in FIG.

本実施形態の構成によれば、自己保護制御の解除後一定期間について、目標制御値として暫定目標制御値を用いるから△VHが低い値となる。よって自己保護制御の解除後一定期間はフィードバック制御によるフィードバック量を抑制できる。故に自己保護制御解除後のオーバーシュートを防止できる。   According to the configuration of the present embodiment, since the temporary target control value is used as the target control value for a certain period after the self-protection control is canceled, ΔVH becomes a low value. Therefore, the feedback amount by the feedback control can be suppressed for a certain period after the self-protection control is released. Therefore, overshoot after the self-protection control is canceled can be prevented.

本実施形態においては、ステップ401、402を用いて、自己保護制御中の目標制御値を実制御値と一致させているから自己保護制御中に積分項が過大となることはない。よってこれを、変換後目標制御値を用いることと併用すれば高い確度でオーバーシュートを抑制できる。しかしながら、本発明の特徴は自己保護制御後の目標制御値を低減することにより△VHを低減することである。そして変換後目標制御値を用いてもオーバーシュート抑制効果は得られるから、本発明において、図10におけるステップ401、402は必須の構成要件ではない。   In the present embodiment, since the target control value during self-protection control is matched with the actual control value using steps 401 and 402, the integral term does not become excessive during self-protection control. Therefore, if this is used together with the use of the target control value after conversion, overshoot can be suppressed with high accuracy. However, a feature of the present invention is that ΔVH is reduced by reducing the target control value after the self-protection control. Since the overshoot suppression effect can be obtained even if the post-conversion target control value is used, in the present invention, steps 401 and 402 in FIG. 10 are not essential constituent requirements.

実施形態1の構成を説明するブロック図。FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of Embodiment 1. 実電圧と目標電圧の波形及びフィードバック量を用いてフィードバック制御について説明する図。The figure explaining feedback control using the waveform and feedback amount of an actual voltage and a target voltage. 積分項の生成方法について説明するフロー図。The flowchart explaining the production | generation method of an integral term. 比較例の実電圧と目標電圧の波形及びフィードバック量を説明する図。The figure explaining the waveform and feedback amount of the actual voltage and target voltage of a comparative example. 実施形態1の実電圧と目標電圧の波形及びフィードバック量を説明する図。The figure explaining the waveform and feedback amount of the actual voltage of 1st Embodiment, and a target voltage. 実施形態2の積分項調整ルーチンを説明するフロー図。FIG. 9 is a flowchart for explaining an integral term adjustment routine according to the second embodiment. 実施形態2の実電圧と目標電圧の波形及びフィードバック量を説明する図。The figure explaining the waveform and feedback amount of the actual voltage of 2nd Embodiment, and a target voltage. 実施形態3の積分項調整ルーチンを説明するフロー図。FIG. 9 is a flowchart for explaining an integral term adjustment routine according to a third embodiment. 実施形態5の実制御値、当初目標制御値、変換後目標制御値について説明する図。The figure explaining the actual control value of Embodiment 5, an initial target control value, and the target control value after conversion. 実施形態5の復帰後目標制御値設定のためのルーチンを説明する図。FIG. 10 is a diagram illustrating a routine for setting a target control value after return according to a fifth embodiment. 実施形態5の復帰後目標制御値設定の際に用いる関数について説明する図。FIG. 10 is a diagram for explaining a function used when setting a target control value after return according to the fifth embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

24 上位システム
26 上位制御システム
30 フィードバック演算部
32 過剰制御抑制部
33 記憶装置
21 自己保護通知部
11 自己保護制御部
24 host system 26 host control system 30 feedback calculation unit 32 excessive control suppression unit 33 storage device 21 self-protection notification unit 11 self-protection control unit

Claims (8)

半導体素子と、
前記半導体素子の実制御値の情報を取得する実制御値取得手段と、
前記実制御値と目標制御値との偏差を演算する偏差演算手段と、
制御指令値に含まれる積分項を演算する積分項演算手段と、
直前の前記積分項と前記偏差とから次回の前記制御指令値である第一制御指令値を定める第一制御指令値演算手段と、
前記第一制御指令値により前記半導体素子のフィードバック制御を行う第一フィードバック制御手段と、
前記第一フィードバック制御手段による制御中に、前記第一制御指令値演算手段による演算は行いながら前記半導体素子の一時停止又は前記目標制御値よりも低出力での制御により保護制御を行う保護制御手段と、
前記制御指令値を低減する制御指令値低減手段と、
前記保護制御の終了時期の情報を取得する終了時期取得手段と、
前記終了時期後の最初の前記制御指令値として、前記第一制御指令値に代えて、前記制御指令値低減手段によって前記終了時期後最初に前記第一制御指令値演算手段で演算された前記第一制御指令値よりは低減された前記制御指令値を用いる終了時制御手段と、
を備えることを特徴とするシステム制御装置。
A semiconductor element;
Actual control value acquisition means for acquiring information of an actual control value of the semiconductor element;
Deviation calculating means for calculating a deviation between the actual control value and the target control value;
An integral term computing means for computing the integral term included in the control command value;
First control command value calculating means for determining a first control command value that is the next control command value from the previous integral term and the deviation;
First feedback control means for performing feedback control of the semiconductor element according to the first control command value;
Protection control means for performing protection control by temporarily stopping the semiconductor element or performing control at a lower output than the target control value while performing calculation by the first control command value calculation means during control by the first feedback control means When,
Control command value reducing means for reducing the control command value;
End time acquisition means for acquiring information on the end time of the protection control;
As the first control command value after the end time, instead of the first control command value, the first control command value calculating unit first calculates the first control command value by the control command value reducing unit after the end time. End-time control means using the control command value reduced from one control command value;
A system control apparatus comprising:
前記制御指令値低減手段は、
前記目標制御値以下の前記制御指令値である第二制御指令値を記憶する第二制御指令値記憶手段と、前記第二制御指令値記憶手段に記憶された前記第二制御指令値を読み取る読み込み手段とを備え、
前記終了時期後の最初の前記制御指令値として前記第二制御指令値が用いられることを特徴とする請求項1に記載のシステム制御装置。
The control command value reducing means is
Second control command value storage means for storing a second control command value that is the control command value equal to or less than the target control value, and reading for reading the second control command value stored in the second control command value storage means Means and
The system control apparatus according to claim 1, wherein the second control command value is used as the first control command value after the end time.
前記制御指令値低減手段は、
前記保護制御の開始時期の情報を取得する開始時期取得手段と、前記保護制御の開始時期前の前記積分項である開始前積分項を記憶する開始前積分項記憶手段と、前記開始前積分項記憶手段に記憶された値を読み取る読み込み手段とを備え、
前記終了時制御手段は前記終了時期後最初の前記制御指令値の積分項として前記開始前積分項を用いることを特徴とする請求項1に記載のシステム制御装置。
The control command value reducing means is
Start time acquisition means for acquiring information on the start time of the protection control; integration term storage means before start for storing an integration term before start which is the integration term before the start time of the protection control; and integration term before the start Reading means for reading the value stored in the storage means,
2. The system control apparatus according to claim 1, wherein the end-time control means uses the pre-start integral term as an integral term of the first control command value after the end time.
前記制御指令値低減手段は、
前記終了時期後の最初の前記制御指令値およびそこから所定期間の前記制御指令値に対して、前記第一制御指令値に時間の関数で0から1まで上昇する式の演算結果を乗じる第一制御指令値低減手段を備え、
前記終了時期後の最初の前記制御指令値およびそこから所定期間の前記制御指令値は前記第一制御指令値低減手段によって演算された前記制御指令値が用いられることを特徴とする請求項1に記載のシステム制御装置。
The control command value reducing means is
The first control command value after the end time and the control command value for a predetermined period from the first control command value are multiplied by a calculation result of an expression that increases from 0 to 1 as a function of time to the first control command value. With control command value reduction means,
2. The control command value calculated by the first control command value reducing means is used as the first control command value after the end time and the control command value for a predetermined period therefrom. The system controller as described.
半導体素子と、
前記半導体素子の実制御値の情報を取得する実制御値取得手段と、
前記実制御値と目標制御値との偏差を演算する偏差演算手段と、
制御指令値の積分項を演算する積分項演算手段と、
直前の制御指令値の前記積分項と前記偏差とから次回の制御指令値である第一制御指令値を定める第一制御指令値演算手段と、
前記第一制御指令値により前記半導体素子のフィードバック制御を行う第一フィードバック制御手段と、
前記第一フィードバック制御手段による制御中に、前記第一制御指令値演算手段による演算は行いながら前記半導体素子の一時停止又は前記目標制御値よりも低出力での制御により保護制御を行う保護制御手段と、
前記積分項を低減する積分低減手段と、
前記保護制御中の前記積分項を前記積分低減手段により減じる保護中積分値低減手段と、
を備えることを特徴とするシステム制御装置。
A semiconductor element;
Actual control value acquisition means for acquiring information of an actual control value of the semiconductor element;
Deviation calculating means for calculating a deviation between the actual control value and the target control value;
An integral term computing means for computing the integral term of the control command value;
A first control command value calculating means for determining a first control command value that is a next control command value from the integral term and the deviation of the immediately preceding control command value;
First feedback control means for performing feedback control of the semiconductor element according to the first control command value;
Protection control means for performing protection control by temporarily stopping the semiconductor element or performing control at a lower output than the target control value while performing calculation by the first control command value calculation means during control by the first feedback control means When,
Integral reduction means for reducing the integral term;
An integral value reduction means during protection that reduces the integral term during the protection control by the integral reduction means;
A system control apparatus comprising:
前記積分低減手段は、前記積分項を0とすることを特徴とする請求項5に記載のシステム制御装置。   6. The system control apparatus according to claim 5, wherein the integral reduction unit sets the integral term to zero. 前記積分低減手段は、前記積分項を定期的にリセットすることを特徴とする請求項5に記載のシステム制御装置。   The system control apparatus according to claim 5, wherein the integral reduction unit periodically resets the integral term. 半導体素子と、
前記半導体素子の実制御値の情報を取得する実制御値取得手段と、
前記実制御値と目標制御値との偏差を演算する偏差演算手段と、
制御指令値に含まれる積分項を演算する積分項演算手段と、
直前の前記制御指令値の前記積分項と前記偏差とから次回の制御指令値である第一制御指令値を定める第一制御指令値演算手段と、
前記第一制御指令値により前記半導体素子のフィードバック制御を行う第一フィードバック制御手段と、
前記第一フィードバック制御手段による制御中に、前記第一制御指令値演算手段による演算は行いながら前記半導体素子の一時停止又は前記目標制御値よりも低出力での制御により保護制御を行う保護制御手段と、
前記制御指令値を低減する制御指令値低減手段と、
前記目標制御値を前記保護制御中の前記実制御値と一致させる目標制御値擬制手段と、
前記保護制御中に前記目標制御値擬制手段を用いる保護中目標制御値擬制手段と、
を備えることを特徴とするシステム制御装置。
A semiconductor element;
Actual control value acquisition means for acquiring information of an actual control value of the semiconductor element;
Deviation calculating means for calculating a deviation between the actual control value and the target control value;
An integral term computing means for computing the integral term included in the control command value;
A first control command value calculating means for determining a first control command value that is a next control command value from the integral term and the deviation of the control command value immediately before;
First feedback control means for performing feedback control of the semiconductor element according to the first control command value;
Protection control means for performing protection control by temporarily stopping the semiconductor element or performing control at a lower output than the target control value while performing calculation by the first control command value calculation means during control by the first feedback control means When,
Control command value reducing means for reducing the control command value;
Target control value simulation means for matching the target control value with the actual control value during the protection control;
A target control value simulation means during protection using the target control value simulation means during the protection control;
A system control apparatus comprising:
JP2007319793A 2007-12-11 2007-12-11 System controller Active JP5050825B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007319793A JP5050825B2 (en) 2007-12-11 2007-12-11 System controller
US12/170,788 US7899563B2 (en) 2007-12-11 2008-07-10 Protective system feedback control device
DE102008047444.4A DE102008047444B4 (en) 2007-12-11 2008-09-16 System controller

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007319793A JP5050825B2 (en) 2007-12-11 2007-12-11 System controller

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009148003A JP2009148003A (en) 2009-07-02
JP5050825B2 true JP5050825B2 (en) 2012-10-17

Family

ID=40680206

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007319793A Active JP5050825B2 (en) 2007-12-11 2007-12-11 System controller

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7899563B2 (en)
JP (1) JP5050825B2 (en)
DE (1) DE102008047444B4 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101849226B (en) * 2007-11-07 2016-06-15 三菱电机株式会社 Safety control
CA2751804C (en) * 2009-02-24 2016-12-06 Gestion Andre & Paquerette Ltee Method and system for limiting a dynamic parameter of a vehicle
JP5086385B2 (en) * 2010-03-08 2012-11-28 日立オートモティブシステムズ株式会社 Electric power steering control device
CN112803742B (en) * 2021-02-27 2022-08-09 华为技术有限公司 DC/DC converter and soft start overshoot prevention method thereof

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4374422A (en) * 1980-10-27 1983-02-15 The Bendix Corporation Automatic speed control for heavy vehicles
JPS60107458A (en) * 1983-11-15 1985-06-12 Mitsubishi Electric Corp Controller of steering force for power running gear
GB2179900B (en) * 1985-07-31 1988-06-02 Mitsubishi Motors Corp Power steering system
US4999557A (en) * 1988-05-02 1991-03-12 Shinko Electric Co., Ltd. Integration proportional controller in servo-control system
US4940107A (en) * 1988-09-23 1990-07-10 Trw Inc. Method and apparatus for controlling a power assist steering system
DE4114165C2 (en) * 1990-05-02 1995-04-20 Nissan Motor Steering control device for a wheeled vehicle
KR0160997B1 (en) * 1992-09-18 1998-12-15 윤종용 Compensation method for servo-worm up drift in robot position control system
JP3099105B2 (en) 1994-05-25 2000-10-16 光洋精工株式会社 Power steering device
JP3531250B2 (en) 1994-11-24 2004-05-24 日本精工株式会社 Control device for electric power steering device
JP3556678B2 (en) * 1997-06-20 2004-08-18 三菱電機株式会社 Electric power steering device
JP3232030B2 (en) * 1997-09-01 2001-11-26 本田技研工業株式会社 Electric power steering device
JP3625662B2 (en) 1998-10-05 2005-03-02 三菱電機株式会社 Electric power steering device
US5946203A (en) * 1998-07-17 1999-08-31 Lucent Technologies Inc. Switching network and method of reducing input current total harmonic distortion associated with a boost converter and a boost converter employing the switching network or method
JP3988065B2 (en) 1999-05-18 2007-10-10 株式会社デンソー DC motor drive device and electric power steering control device
US6487458B1 (en) * 1999-08-31 2002-11-26 Delphi Technologies, Inc. Adaptive closed-loop servo control
JP3409753B2 (en) * 1999-10-29 2003-05-26 トヨタ自動車株式会社 Electric power steering device for vehicles
US6424873B1 (en) * 1999-12-30 2002-07-23 Honeywell Inc. Systems and methods for limiting integral calculation components in PID controllers
US6311680B1 (en) * 2000-03-21 2001-11-06 Ford Global Technologies, Inc. Active adaptive bias for closed loop air/fuel control system
JP3646050B2 (en) 2000-08-07 2005-05-11 光洋精工株式会社 Vehicle steering system
JP3649110B2 (en) 2000-10-18 2005-05-18 日産自動車株式会社 Lane Keep Assist Control Device
JP2003324941A (en) * 2002-05-09 2003-11-14 Denso Corp Power source apparatus
US7104043B2 (en) * 2002-11-01 2006-09-12 Visteon Global Technologies, Inc. Closed loop cold start retard spark control using ionization feedback
EP1445852B1 (en) * 2003-02-07 2012-09-26 Baumüller Nürnberg Gmbh Device and method for active power factor correction
JP4044861B2 (en) * 2003-04-03 2008-02-06 三菱電機株式会社 Power conversion device and power conversion system device including the power conversion device
JP4385884B2 (en) 2004-07-27 2009-12-16 株式会社ジェイテクト Electric power steering device
JP2006062515A (en) * 2004-08-26 2006-03-09 Favess Co Ltd Booster device and electric power steering device
JP2007319793A (en) 2006-06-01 2007-12-13 Nok Corp Method of applying material
JP5050520B2 (en) * 2006-12-20 2012-10-17 日本精工株式会社 Electric power steering device
US7634340B2 (en) * 2007-02-27 2009-12-15 Gm Global Technology Operations, Inc. Secure control mode transition methods for an active front steer system

Also Published As

Publication number Publication date
US7899563B2 (en) 2011-03-01
US20090149970A1 (en) 2009-06-11
DE102008047444A1 (en) 2009-06-18
JP2009148003A (en) 2009-07-02
DE102008047444B4 (en) 2014-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20190190402A1 (en) Power converter for converting dc power to ac power with adaptive control on characteristics of load
US9146571B2 (en) Power converter with average current limiting
JP5050825B2 (en) System controller
JP6583002B2 (en) Power supply circuit, power supply circuit abnormality detection program, and power supply circuit abnormality detection method
JP6041075B2 (en) Electric motor control device
US20180258913A1 (en) Method and system for controlling the active power output of a wind farm
US11329565B2 (en) Feed-forward control for regulating a DC-DC voltage converter
JP6350305B2 (en) Voltage conversion apparatus and voltage conversion method
JP2020088971A (en) Current control system, fuel cell system, and method for controlling step-up converter
JP6143984B1 (en) Inverter device
JP4179363B2 (en) Current control type converter
JP2017085820A (en) Power supply device, power supply circuit control method, and program
EP3203620A1 (en) Dc-dc converter including dynamically adjusted duty cycle limit
CN113098343B (en) Method, device and system for controlling output power of generator and electronic equipment
JP4931129B2 (en) Power converter
JP5033683B2 (en) Control device for power converter
JP2010178443A (en) Motor control system
JP2021078288A (en) Dc voltage conversion circuit, drive control method, and drive control program
KR101805131B1 (en) Power supply for enhancing hold-up time
JP6508782B2 (en) Power converter and DC voltage controller
JP6273888B2 (en) Control device, power conversion device, power generation system, and program
WO2023243115A1 (en) Power conversion device
KR101918300B1 (en) Current limiting system for dc-dc converter
WO2024142740A1 (en) Parallel power supply device and program
CN110337779B (en) Regulating device for a DC converter, DC converter and method for regulating a DC converter

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091214

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120201

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120626

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120709

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5050825

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250